JP6580999B2 - Holding device - Google Patents

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本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。   The technology disclosed in this specification relates to a holding device that holds an object.

例えば半導体製造装置において、ウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、例えば、セラミックスにより形成され、内部にヒータを有するセラミックス板と、金属により形成され、内部に冷媒流路が形成されたベース板とが接合された構成を有する。静電チャックは、内部電極を有しており、内部電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス板の表面（以下、「吸着面」という）にウェハを吸着して保持する。   For example, in a semiconductor manufacturing apparatus, an electrostatic chuck is used as a holding device that holds a wafer. The electrostatic chuck has a configuration in which, for example, a ceramic plate formed of ceramics and having a heater therein is joined to a base plate formed of metal and having a coolant channel formed therein. The electrostatic chuck has an internal electrode, and attracts the wafer to the surface of the ceramic plate (hereinafter referred to as “adsorption surface”) by using electrostatic attraction generated by applying a voltage to the internal electrode. And hold.

静電チャックに保持されたウェハの温度分布が不均一になると、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング、露光等）の精度が低下するため、静電チャックにはウェハの温度分布を均一にする性能が求められる。そのため、静電チャックの使用時には、セラミックス板内部のヒータによる加熱や、ベース板内部の冷媒流路に冷媒を供給することによる冷却によって、セラミックス板の吸着面の温度制御が行われる。   If the temperature distribution of the wafer held on the electrostatic chuck becomes non-uniform, the accuracy of each process (film formation, etching, exposure, etc.) on the wafer will be reduced. Performance is required. Therefore, when the electrostatic chuck is used, the temperature of the adsorption surface of the ceramic plate is controlled by heating with a heater inside the ceramic plate or cooling by supplying a refrigerant to the refrigerant flow path inside the base plate.

また、静電チャックは、使用時に、熱サイクルにさらされる。セラミックス板の形成材料であるセラミックスとベース板の形成材料である金属とは熱膨張率が互いに異なるため、静電チャックが熱サイクルにさらされると、セラミックス板とベース板との間に熱膨張差が生ずる。従来、セラミックス板とベース板とを、弾性変形能力が比較的高い有機系接着剤を含む接合層により接合することにより、セラミックス板とベース板との間の熱膨張差を緩和し、部材の割れ等の発生を抑制する構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。   In addition, the electrostatic chuck is exposed to a thermal cycle during use. Ceramics that form the ceramic plate and metal that forms the base plate have different coefficients of thermal expansion. Therefore, if the electrostatic chuck is exposed to a thermal cycle, the difference in thermal expansion between the ceramic plate and the base plate Will occur. Conventionally, by bonding a ceramic plate and a base plate with a bonding layer containing an organic adhesive having a relatively high elastic deformation capability, the difference in thermal expansion between the ceramic plate and the base plate is alleviated, and cracking of the member The structure which suppresses generation | occurrence | production etc. is known (for example, refer patent document 1).

特開平４−２８７３４４号公報JP-A-4-287344

近年、半導体プロセスの多様化に伴い、静電チャックが従来よりも高温（例えば２５０℃以上）の環境で使用されることがあり、そのような場合には、静電チャックはより高温の熱サイクルにさらされる。上記従来の構成では、静電チャックがより高温の熱サイクルにさらされると、接合層に含まれる有機系接着剤が分解温度まで到達し、接合層と被接合部材との界面等で剥離が発生するおそれがある。そのような剥離が発生すると、剥離箇所においてベース板とセラミックス板との間の伝熱性が低下するため、ベース板内部の冷媒流路に冷媒を供給することによりベース板を冷却しても、剥離箇所においてセラミックス板からベース板への効果的な伝熱がなされず、セラミックス板の吸着面の温度分布の均一性が低下するおそれがある。   In recent years, with the diversification of semiconductor processes, electrostatic chucks are sometimes used in higher temperature environments (for example, 250 ° C. or higher) than conventional ones. Exposed to. In the above conventional configuration, when the electrostatic chuck is exposed to a higher temperature thermal cycle, the organic adhesive contained in the bonding layer reaches the decomposition temperature, and peeling occurs at the interface between the bonding layer and the member to be bonded. There is a risk. When such peeling occurs, the heat transfer between the base plate and the ceramic plate decreases at the peeling point. Therefore, even if the base plate is cooled by supplying refrigerant to the refrigerant flow path inside the base plate, the peeling occurs. In some places, effective heat transfer from the ceramic plate to the base plate is not performed, and the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface of the ceramic plate may be reduced.

なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、セラミックス板とベース板とを備え、セラミックス板の表面上に対象物を保持する保持装置に共通の課題である。  Such a problem is not limited to an electrostatic chuck that holds a wafer using electrostatic attraction, but is common to a holding device that includes a ceramic plate and a base plate and holds an object on the surface of the ceramic plate. It is a problem.

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。   In this specification, the technique which can solve the subject mentioned above is disclosed.

本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。   The technology disclosed in the present specification can be realized as, for example, the following forms.

（１）本明細書に開示される保持装置は、セラミックスにより形成され、第１の表面を有する板状であり、内部に発熱抵抗体により構成されたヒータを有するセラミックス板と、前記セラミックス板の前記第１の表面とは反対側に配置され、金属により形成された板状であり、内部に冷媒流路が形成されたベース板と、を備え、前記セラミックス板の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、さらに、前記セラミックス板と前記ベース板との間に配置され、金属とセラミックスとの複合材料により形成された板状の複合板と、金属により形成され、前記セラミックス板と前記複合板とを接合するセラミックス側接合層と、有機系接着剤を含み、前記複合板と前記ベース板とを接合するベース側接合層と、を備える。セラミックス側接合層は、ベース側接合層と比べて、ヒータに近く、かつ、冷媒流路から遠いため、保持装置の使用時に温度が上昇しやすいが、本保持装置によれば、セラミックス側接合層は有機系接着剤と比べて耐熱性が高い金属により形成されているため、セラミックス側接合層が高温になってもセラミックス側接合層の接合面で剥離が発生することを抑制することができる。また、複合板は金属とセラミックスとの複合材料により形成されているため、セラミックス板の熱膨張率と複合板の熱膨張率との差は、セラミックス板の熱膨張率とベース板の熱膨張率との差と比べて小さく、セラミックス板と複合板との熱膨張差は比較的小さいため、セラミックス板と複合板とを接合するセラミックス側接合層を有機系接着剤と比べて弾性変形能力の小さい金属により形成しても、熱膨張差による応力によってセラミックス側接合層の接合面で剥離が発生することを抑制することができる。また、ベース側接合層は、セラミックス側接合層と比べて、ヒータから遠く、かつ、冷媒流路に近いため、保持装置の使用時にベース側接合層の温度上昇を抑制することができ、ベース側接合層を有機系接着剤を含むように形成しても、ベース側接合層の温度が有機系接着剤の分解温度まで到達してベース側接合層の接合面で剥離が発生することを抑制することができる。また、複合板とベース板とを接合するベース側接合層が金属と比べて弾性変形能力が高い有機系接着剤を含むように形成されているため、複合板とベース板との間の熱膨張差による応力が比較的大きくなっても、ベース側接合層の接合面で剥離が発生することを抑制することができる。 (1) A holding device disclosed in the present specification is a plate formed of ceramics and having a first surface, a ceramic plate having a heater formed of a heating resistor therein, and the ceramic plate A base plate disposed on the opposite side of the first surface and formed of metal and having a coolant channel formed therein, on the first surface of the ceramic plate In the holding device for holding an object, a plate-shaped composite plate that is disposed between the ceramic plate and the base plate and is formed of a composite material of metal and ceramic, and the ceramic is formed of metal. A ceramic-side bonding layer that bonds the plate and the composite plate; and a base-side bonding layer that includes an organic adhesive and bonds the composite plate and the base plate. Since the ceramic side bonding layer is closer to the heater and farther from the coolant channel than the base side bonding layer, the temperature tends to rise when the holding device is used. Is formed of a metal having higher heat resistance than that of an organic adhesive, and therefore, it is possible to suppress the occurrence of peeling on the bonding surface of the ceramic side bonding layer even when the ceramic side bonding layer is at a high temperature. Since the composite plate is made of a composite material of metal and ceramics, the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic plate and the thermal expansion coefficient of the composite plate is the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic plate and the thermal expansion coefficient of the base plate. Since the difference in thermal expansion between the ceramic plate and the composite plate is relatively small, the ceramic side bonding layer that joins the ceramic plate and the composite plate has a smaller elastic deformation capacity than the organic adhesive. Even if it forms with a metal, it can suppress that peeling | exfoliation generate | occur | produces on the joining surface of a ceramic side joining layer by the stress by a thermal expansion difference. Further, since the base side bonding layer is farther from the heater and closer to the refrigerant flow path than the ceramic side bonding layer, the temperature increase of the base side bonding layer can be suppressed when the holding device is used. Even if the bonding layer is formed so as to include an organic adhesive, the temperature of the base side bonding layer reaches the decomposition temperature of the organic adhesive and prevents the base surface bonding layer from being peeled off. be able to. In addition, since the base-side bonding layer that joins the composite plate and the base plate is formed to include an organic adhesive having a higher elastic deformation capability than metal, the thermal expansion between the composite plate and the base plate Even if the stress due to the difference becomes relatively large, it is possible to suppress the occurrence of peeling at the bonding surface of the base-side bonding layer.

（２）上記保持装置において、前記ベース側接合層の厚さ方向において、前記ベース側接合層と前記冷媒流路との間の距離は、前記ベース側接合層と前記ヒータとの間の距離より短い構成としてもよい。本保持装置によれば、ベース側接合層が比較的冷媒流路に近く、かつ、ヒータから遠いこととなるため、保持装置が熱サイクルにさらされた際に、ベース側接合層の温度上昇が効果的に抑制され、ベース側接合層の接合面で剥離が発生することをさらに効果的に抑制することができる。 (2) In the holding device, in the thickness direction of the base-side bonding layer, a distance between the base-side bonding layer and the coolant channel is greater than a distance between the base-side bonding layer and the heater. A short configuration may be used. According to this holding device, since the base side bonding layer is relatively close to the refrigerant flow path and far from the heater, the temperature of the base side bonding layer is increased when the holding device is exposed to a thermal cycle. It can suppress effectively and can suppress more effectively that peeling generate | occur | produces in the joint surface of a base side joining layer.

（３）上記保持装置において、前記セラミックス板の熱膨張率と前記複合板の熱膨張率との差は、前記複合板の熱膨張率と前記ベース板の熱膨張率との差より小さい構成としてもよい。本保持装置によれば、セラミックス板と複合板との熱膨張差を極力小さくすることができ、セラミックス板と複合板とを接合するセラミックス側接合層を有機系接着剤と比べて弾性変形能力の小さい金属により形成しても、熱膨張差による応力によってセラミックス側接合層の接合面で剥離が発生することをより確実に抑制することができる。 (3) In the holding device, the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic plate and the thermal expansion coefficient of the composite plate is smaller than the difference between the thermal expansion coefficient of the composite plate and the thermal expansion coefficient of the base plate. Also good. According to this holding device, the difference in thermal expansion between the ceramic plate and the composite plate can be minimized, and the ceramic side bonding layer for bonding the ceramic plate and the composite plate has an elastic deformation capacity compared to the organic adhesive. Even if it is formed of a small metal, it is possible to more reliably suppress the occurrence of peeling on the bonding surface of the ceramic side bonding layer due to the stress due to the difference in thermal expansion.

（４）上記保持装置において、前記セラミックス板の形成材料である前記セラミックスは、アルミナと窒化アルミニウムとの一方を主成分とするセラミックスであり、前記複合板の形成材料である前記複合材料は、アルミニウム合金と炭化ケイ素とを含み、前記ベース側接合層に含まれる前記有機系接着剤は、シリコーン樹脂を主成分とする有機系接着剤である構成としてもよい。本保持装置によれば、セラミックス板の熱膨張率と複合板の熱膨張率との差を小さくすることができ、セラミックス板と複合板とを接合するセラミックス側接合層を有機系接着剤と比べて弾性変形能力の小さい金属により形成しても、熱膨張差による応力によってセラミックス側接合層の接合面で剥離が発生することを確実に抑制することができる。また、ベース側接合層に含まれる有機系接着剤が、比較的分解温度が高く、かつ、弾性変形能力が高いシリコーン樹脂を主成分とする有機系接着剤であるため、ベース側接合層の温度が有機系接着剤の分解温度まで上昇することが抑制され、ベース側接合層の接合面で剥離が発生することを抑制することができると共に、複合板とベース板との間の熱膨張差による応力が比較的大きくなっても、ベース側接合層の接合面で剥離が発生することを抑制することができる。 (4) In the holding device, the ceramic that is a material for forming the ceramic plate is a ceramic mainly composed of one of alumina and aluminum nitride, and the composite material that is a material for forming the composite plate is aluminum. The organic adhesive that includes an alloy and silicon carbide and is included in the base-side bonding layer may be an organic adhesive mainly composed of a silicone resin. According to this holding device, the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic plate and the thermal expansion coefficient of the composite plate can be reduced, and the ceramic side bonding layer for bonding the ceramic plate and the composite plate is compared with the organic adhesive. Even if it is formed of a metal having a small elastic deformation capacity, it is possible to reliably suppress the occurrence of peeling on the bonding surface of the ceramic side bonding layer due to the stress due to the difference in thermal expansion. In addition, since the organic adhesive contained in the base-side bonding layer is an organic adhesive mainly composed of a silicone resin having a relatively high decomposition temperature and high elastic deformation ability, the temperature of the base-side bonding layer Rises to the decomposition temperature of the organic adhesive, and it is possible to suppress the occurrence of peeling at the bonding surface of the base-side bonding layer, and also due to the difference in thermal expansion between the composite plate and the base plate. Even if the stress becomes relatively large, it is possible to suppress the occurrence of peeling at the bonding surface of the base-side bonding layer.

（５）上記保持装置において、前記セラミックス側接合層は、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金であって、前記複合板の形成材料である前記複合材料に含まれるアルミニウム合金より低融点のアルミニウム合金により形成されている構成としてもよい。本保持装置によれば、セラミックス板と複合板とを接合する際に複合材料に含まれるアルミニウム合金が液相化し、液相化したアルミニウム合金が複合板からしみ出すことを抑制することができ、セラミックス板と複合板とをセラミックス側接合層によって良好に接合することができる。 (5) In the holding device, the ceramic-side bonding layer is an aluminum alloy containing aluminum as a main component, and is made of an aluminum alloy having a melting point lower than that of the aluminum alloy included in the composite material that is a forming material of the composite plate. It is good also as the structure currently formed. According to the present holding device, when the ceramic plate and the composite plate are joined, the aluminum alloy contained in the composite material becomes a liquid phase, and the liquid phase aluminum alloy can be prevented from exuding from the composite plate, The ceramic plate and the composite plate can be favorably bonded by the ceramic side bonding layer.

（６）上記保持装置において、前記複合板の厚さは、３ｍｍ以上である構成としてもよい。複合板がアルミニウム合金と炭化ケイ素との複合材料により形成され、かつ、複合板の厚さが３ｍｍ以上であると、セラミックス板の第１の表面の温度を２５０℃にしても、ベース側接合層の温度を、ベース側接合層に含まれるシリコーン樹脂を主成分とする有機系接着剤の分解温度未満にすることができるため、ベース側接合層の接合面で剥離が発生することを効果的に抑制することができる。 (6) In the holding device, the thickness of the composite plate may be 3 mm or more. When the composite plate is formed of a composite material of aluminum alloy and silicon carbide, and the thickness of the composite plate is 3 mm or more, the base-side bonding layer can be obtained even when the temperature of the first surface of the ceramic plate is 250 ° C. Can be made lower than the decomposition temperature of the organic adhesive mainly composed of the silicone resin contained in the base side bonding layer, so that it is effective that peeling occurs on the bonding surface of the base side bonding layer. Can be suppressed.

（７）上記保持装置において、前記セラミックス側接合層は、純度９９％以上のアルミニウムで形成されたアルミニウム層と、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成され、前記セラミックス板と前記アルミニウム層とを接合する第１の接合機能層と、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成され、前記複合板と前記アルミニウム層とを接合する第２の接合機能層と、を含む構成としてもよい。本保持装置によれば、セラミックス側接合層が塑性変形能力の高いアルミニウム層を含むため、セラミックス板と複合板とをセラミックス側接合層によって接合した後、接合温度から室温まで温度を下げる際にセラミックス板と複合板との収縮量の差によって発生するおそれのある反りの量を、アルミニウム層が塑性変形することによって抑制することができる。 (7) In the holding device, the ceramic-side bonding layer is formed of an aluminum layer formed of aluminum having a purity of 99% or more, an aluminum alloy containing aluminum as a main component, and the ceramic plate and the aluminum layer are combined. It is good also as a structure containing the 1st joining functional layer to join, and the 2nd joining functional layer formed by the aluminum alloy which has aluminum as a main component, and joins the said composite plate and the said aluminum layer. According to this holding device, since the ceramic side bonding layer includes an aluminum layer having a high plastic deformation capacity, the ceramic plate and the composite plate are bonded by the ceramic side bonding layer, and then the ceramic side bonding layer is cooled when the temperature is lowered from the bonding temperature to room temperature. The amount of warpage that may occur due to the difference in shrinkage between the plate and the composite plate can be suppressed by plastic deformation of the aluminum layer.

（８）上記保持装置において、前記セラミックス側接合層の厚さは、１．２ｍｍ以上であることを特徴とする構成としてもよい。本保持装置によれば、セラミックス板と複合板とをセラミックス側接合層によって接合した後、接合温度から室温まで温度を下げる際にセラミックス板と複合板との収縮量の差によって発生するおそれのある反りの量を、極めて小さい量に抑えることができる。 (8) In the holding device, the ceramic side bonding layer may have a thickness of 1.2 mm or more. According to the holding device, after the ceramic plate and the composite plate are bonded by the ceramic side bonding layer, there is a possibility that the difference is caused by the difference in shrinkage between the ceramic plate and the composite plate when the temperature is lowered from the bonding temperature to room temperature. The amount of warpage can be suppressed to an extremely small amount.

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。   The technology disclosed in this specification can be realized in various forms, for example, in the form of a holding device, an electrostatic chuck, a manufacturing method thereof, and the like.

第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。1 is a perspective view schematically showing an external configuration of an electrostatic chuck 100 according to a first embodiment. 第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows roughly the XZ cross-sectional structure of the electrostatic chuck 100 in 1st Embodiment. 第２実施形態における静電チャック１００ａのＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows roughly the XZ cross-sectional structure of the electrostatic chuck 100a in 2nd Embodiment. 各性能評価に用いられた実施例および比較例の静電チャック１００の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the electrostatic chuck 100 of the Example used for each performance evaluation, and a comparative example. 第１の性能評価の結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the result of 1st performance evaluation. 第２の性能評価の結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the result of 2nd performance evaluation. 第３の性能評価の結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the result of 3rd performance evaluation.

Ａ．第１実施形態：
Ａ−１．静電チャック１００の構成：
図１は、第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。図３以降についても同様である。 A. First embodiment:
A-1. Configuration of the electrostatic chuck 100:
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an external configuration of the electrostatic chuck 100 in the first embodiment, and FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing an XZ cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 in the first embodiment. It is. In each figure, XYZ axes orthogonal to each other for specifying the direction are shown. In this specification, for convenience, the positive direction of the Z-axis is referred to as the upward direction, and the negative direction of the Z-axis is referred to as the downward direction. However, the electrostatic chuck 100 is actually installed in a direction different from such a direction. May be. The same applies to FIG.

静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス板１０と、複合板６０と、ベース板２０とを備える。セラミックス板１０と複合板６０とは、セラミックス板１０の下面と複合板６０の上面とが上記配列方向に対向するように配置されている。また、複合板６０とベース板２０とは、複合板６０の下面とベース板２０の上面とが上記配列方向に対向するように配置されている。静電チャック１００は、さらに、セラミックス板１０の下面と複合板６０の上面との間に配置されたセラミックス側接合層７０と、複合板６０の下面とベース板２０の上面との間に配置されたベース側接合層３０とを備える。   The electrostatic chuck 100 is a device that attracts and holds an object (for example, a wafer W) by electrostatic attraction, and is used, for example, to fix the wafer W in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus. The electrostatic chuck 100 includes a ceramic plate 10, a composite plate 60, and a base plate 20 that are arranged in a predetermined arrangement direction (in this embodiment, the vertical direction (Z-axis direction)). The ceramic plate 10 and the composite plate 60 are arranged so that the lower surface of the ceramic plate 10 and the upper surface of the composite plate 60 face each other in the arrangement direction. The composite plate 60 and the base plate 20 are disposed so that the lower surface of the composite plate 60 and the upper surface of the base plate 20 face each other in the arrangement direction. The electrostatic chuck 100 is further disposed between the ceramic side bonding layer 70 disposed between the lower surface of the ceramic plate 10 and the upper surface of the composite plate 60, and between the lower surface of the composite plate 60 and the upper surface of the base plate 20. The base side bonding layer 30 is provided.

セラミックス板１０は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックスにより形成されている。セラミックス板１０の形成材料としては、種々のセラミックスが用いられ得るが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性の観点から、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。セラミックス板１０の直径は、例えば２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度であり、セラミックス板１０の厚さは、例えば２ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。 The ceramic plate 10 is, for example, a circular flat plate member, and is formed of ceramics. Various ceramics can be used as a material for forming the ceramic plate 10. From the viewpoint of strength, wear resistance, and plasma resistance, for example, alumina (Al 2 O 3 ) or aluminum nitride (AlN) is used as a main component. It is preferable to use ceramics. In addition, the main component here means a component having the largest content ratio (weight ratio). The diameter of the ceramic plate 10 is, for example, about 200 mm to 350 mm, and the thickness of the ceramic plate 10 is, for example, about 2 mm to 10 mm.

セラミックス板１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された一対の内部電極４０が設けられている。一対の内部電極４０に電源（図示せず）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス板１０の上面（以下、「吸着面Ｓ１」という）に吸着固定される。セラミックス板１０の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当する。   A pair of internal electrodes 40 formed of a conductive material (for example, tungsten or molybdenum) is provided inside the ceramic plate 10. When a voltage is applied to the pair of internal electrodes 40 from a power source (not shown), an electrostatic attractive force is generated, and the wafer W causes the upper surface of the ceramic plate 10 (hereinafter referred to as an “attracting surface S1”) by the electrostatic attractive force. It is fixed by adsorption. The adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 corresponds to the first surface in the claims.

また、セラミックス板１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された抵抗発熱体で構成されたヒータ５０が設けられている。ヒータ５０に電源（図示せず）から電圧が印加されると、ヒータ５０が発熱することによってセラミックス板１０が温められ、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが温められる。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。   In addition, a heater 50 made of a resistance heating element formed of a conductive material (for example, tungsten or molybdenum) is provided inside the ceramic plate 10. When a voltage is applied to the heater 50 from a power source (not shown), the ceramic plate 10 is heated by the heat generated by the heater 50, and the wafer W held on the suction surface S1 of the ceramic plate 10 is heated. Thereby, the temperature control of the wafer W is realized.

ベース板２０は、例えばセラミックス板１０と径が同じ、またはセラミックス板１０より径が大きい円形平面の板状部材であり、金属（例えば、アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース板２０の直径は、例えば２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ程度であり、ベース板２０の厚さは、例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。   The base plate 20 is a circular flat plate-like member having the same diameter as the ceramic plate 10 or a larger diameter than the ceramic plate 10 and is formed of metal (for example, aluminum or aluminum alloy). The diameter of the base plate 20 is, for example, about 220 mm to 350 mm, and the thickness of the base plate 20 is, for example, about 20 mm to 40 mm.

ベース板２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が供給されると、ベース板２０が冷却され、ベース側接合層３０、複合板６０、セラミックス側接合層７０を介したベース板２０からセラミックス板１０への伝熱によりセラミックス板１０が冷却され、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。   A coolant channel 21 is formed inside the base plate 20. When a refrigerant (for example, a fluorine-based inert liquid or water) is supplied to the refrigerant flow path 21, the base plate 20 is cooled, and the base via the base side bonding layer 30, the composite plate 60, and the ceramic side bonding layer 70 is cooled. The ceramic plate 10 is cooled by heat transfer from the plate 20 to the ceramic plate 10, and the wafer W held on the suction surface S1 of the ceramic plate 10 is cooled. Thereby, the temperature control of the wafer W is realized.

複合板６０は、例えばセラミックス板１０と略同径の円形平面の板状部材であり、セラミックスと金属との複合材料によりにより形成されている。この複合材料は、多孔質セラミックスに金属を溶融して加圧浸透させたものである。複合板６０の形成材料としては、種々の複合材料が用いられ得るが、例えば、多孔質炭化ケイ素（ＳｉＣ）にアルミニウム合金を浸透させた複合材料が用いられることが好ましい。複合板６０の直径は、例えば２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度であり、複合板６０の厚さは、例えば１ｍｍ〜３０ｍｍ程度である。   The composite plate 60 is, for example, a circular flat plate-like member having substantially the same diameter as the ceramic plate 10 and is formed of a composite material of ceramic and metal. This composite material is obtained by melting and infiltrating a metal into porous ceramics. Various composite materials can be used as the material for forming the composite plate 60. For example, a composite material in which an aluminum alloy is infiltrated into porous silicon carbide (SiC) is preferably used. The diameter of the composite plate 60 is, for example, about 200 mm to 350 mm, and the thickness of the composite plate 60 is, for example, about 1 mm to 30 mm.

複合板６０の形成材料である複合材料のセラミックスと金属との体積比を調整することにより、複合板６０の熱膨張率を調整することができる。本実施形態では、セラミックス板１０の熱膨張率と複合板６０の熱膨張率との差が、複合板６０の熱膨張率とベース板２０の熱膨張率との差より小さくなるように、複合板６０の熱膨張率が調整されている。すなわち、複合板６０の熱膨張率は、セラミックス板１０の熱膨張率に比較的近い。複合板６０の熱膨張率とセラミックス板１０の熱膨張率との差の絶対値は、１．５×１０−６（／℃）以下であることが好ましい。 The coefficient of thermal expansion of the composite plate 60 can be adjusted by adjusting the volume ratio between the ceramic and metal of the composite material that is the forming material of the composite plate 60. In this embodiment, the composite is so formed that the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic plate 10 and the thermal expansion coefficient of the composite plate 60 is smaller than the difference between the thermal expansion coefficient of the composite plate 60 and the thermal expansion coefficient of the base plate 20. The coefficient of thermal expansion of the plate 60 is adjusted. That is, the thermal expansion coefficient of the composite plate 60 is relatively close to the thermal expansion coefficient of the ceramic plate 10. The absolute value of the difference between the thermal expansion coefficient of the composite plate 60 and the thermal expansion coefficient of the ceramic plate 10 is preferably 1.5 × 10 −6 (/ ° C.) or less.

ベース側接合層３０は、有機系接着剤を含んでおり、複合板６０とベース板２０とを接合している。ベース側接合層３０に含まれる有機系接着剤として、シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の種々の有機系接着剤が用いられ得るが、比較的耐熱性が高く、かつ、柔らかいシリコーン系樹脂を主成分とする有機系接着剤が用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、ベース側接合層３０に含まれる接着成分（有機系接着剤）における含有割合（重量割合）の最も多い成分である。ベース側接合層３０には、接着成分の他に、粉末成分（例えばアルミナやシリカ、炭化ケイ素、窒化ケイ素等）や添加剤（カップリング剤等）が含まれていてもよい。ベース側接合層３０の厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。   The base side bonding layer 30 includes an organic adhesive, and bonds the composite plate 60 and the base plate 20 together. Various organic adhesives such as silicone resins, acrylic resins, and epoxy resins can be used as the organic adhesives included in the base-side bonding layer 30, but they are relatively high heat resistant and soft silicones. It is preferable to use an organic adhesive mainly composed of a resin. The main component here is a component having the largest content ratio (weight ratio) in the adhesive component (organic adhesive) included in the base-side bonding layer 30. In addition to the adhesive component, the base-side bonding layer 30 may contain a powder component (for example, alumina, silica, silicon carbide, silicon nitride, etc.) and an additive (coupling agent, etc.). The thickness of the base side joining layer 30 is, for example, about 0.1 mm to 1 mm.

セラミックス側接合層７０は、金属により形成されており、セラミックス板１０と複合板６０とを接合している。セラミックス側接合層７０の形成材料としては、種々の金属が用いられ得るが、例えば、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金が用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。セラミックス側接合層７０の厚さは、例えば０．０５ｍｍ〜５ｍｍ程度である。   The ceramic side bonding layer 70 is made of metal, and bonds the ceramic plate 10 and the composite plate 60 together. As a material for forming the ceramic side bonding layer 70, various metals can be used. For example, an aluminum alloy containing aluminum as a main component is preferably used. In addition, the main component here means a component having the largest content ratio (weight ratio). The thickness of the ceramic side bonding layer 70 is, for example, about 0.05 mm to 5 mm.

Ａ−２．静電チャック１００の製造方法：
次に、第１実施形態における静電チャック１００の製造方法の一例を説明する。はじめに、セラミックス板１０とベース板２０と複合板６０とを準備する。なお、セラミックス板１０とベース板２０と複合板６０とは、公知の製造方法によって製造可能であるため、ここでは製造方法の説明を省略する。 A-2. Method for manufacturing electrostatic chuck 100:
Next, an example of a method for manufacturing the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment will be described. First, the ceramic plate 10, the base plate 20, and the composite plate 60 are prepared. In addition, since the ceramic board 10, the base board 20, and the composite board 60 can be manufactured with a well-known manufacturing method, description of a manufacturing method is abbreviate | omitted here.

次に、セラミックス板１０と複合板６０との間に金属ろう材（例えば、アルミニウム合金であるＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ）の箔を挟み、真空チャンバー内において１〜１０ＭＰａの圧力下で５００〜６００℃に加熱する。これにより、セラミックス板１０と複合板６０とがセラミックス側接合層７０によって接合（ろう付け）された積層体が作製される。このとき、セラミックス側接合層７０の形成材料である金属（例えばアルミニウム合金）として、複合板６０の形成材料である複合材料に含まれる金属（例えばアルミニウム合金）より低融点のものが用いられると、接合の際に複合材料に含まれる金属が液相化し、液相化した金属が複合板６０からしみ出すことを抑制することができるため、セラミックス板１０と複合板６０とをセラミックス側接合層７０によって良好に接合することができる。なお、作製されたセラミックス板１０と複合板６０との積層体の側面や上下の平面を研磨してもよい。   Next, a foil of a metal brazing material (for example, Al—Si—Mg, which is an aluminum alloy) is sandwiched between the ceramic plate 10 and the composite plate 60, and 500 to 600 ° C. under a pressure of 1 to 10 MPa in a vacuum chamber. Heat to. Thereby, a laminated body in which the ceramic plate 10 and the composite plate 60 are bonded (brazed) by the ceramic side bonding layer 70 is manufactured. At this time, when a metal (for example, aluminum alloy) that is a forming material of the ceramic side bonding layer 70 has a lower melting point than a metal (for example, an aluminum alloy) included in the composite material that is a forming material of the composite plate 60, Since the metal contained in the composite material becomes a liquid phase during bonding and the liquid phase metal can be prevented from exuding from the composite plate 60, the ceramic plate 10 and the composite plate 60 are bonded to the ceramic side bonding layer 70. Can be satisfactorily bonded. In addition, you may grind | polish the side surface of the laminated body of the produced ceramic board 10 and the composite board 60, and an upper and lower plane.

次に、ベース板２０の上面に、ペースト状接着剤を塗布する。ペースト状接着剤は、接着成分（例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等）と粉末成分（例えばアルミナやシリカ、炭化ケイ素、窒化ケイ素等）とを混合して作製したペースト状の接着剤である。ペースト状接着剤は、カップリング剤等の添加剤を含んでいてもよい。   Next, a paste adhesive is applied to the upper surface of the base plate 20. Paste adhesives are paste-like adhesives prepared by mixing adhesive components (eg, silicone resins, acrylic resins, epoxy resins, etc.) and powder components (eg, alumina, silica, silicon carbide, silicon nitride, etc.). It is an agent. The paste adhesive may contain an additive such as a coupling agent.

次に、ベース板２０に塗布されたペースト状接着剤の表面に、セラミックス板１０と複合板６０とがセラミックス側接合層７０によって接合された積層体を配置し、ペースト状接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、ベース板２０と上記積層体とを接合するベース側接合層３０を形成する。硬化処理の内容は、使用する接着剤の種類に応じて異なり、熱硬化型の接着剤であれば硬化処理として熱を付与する処理が行われ、水分硬化型の接着剤であれば硬化処理として水分を付与する処理が行われる。以上の工程により、静電チャック１００の製造が完了する。   Next, the laminate in which the ceramic plate 10 and the composite plate 60 are bonded to each other by the ceramic side bonding layer 70 is disposed on the surface of the paste adhesive applied to the base plate 20, and the paste adhesive is cured. By performing the treatment, the base side bonding layer 30 for bonding the base plate 20 and the laminate is formed. The content of the curing process varies depending on the type of adhesive used. If it is a thermosetting adhesive, heat treatment is applied as a curing process. If it is a moisture curing adhesive, the curing process is performed. A process of applying moisture is performed. The manufacture of the electrostatic chuck 100 is completed through the above steps.

Ａ−３．第１実施形態の効果：
以上説明したように、第１実施形態の静電チャック１００は、セラミックスにより形成され、吸着面Ｓ１を有する板状であり、内部に発熱抵抗体により構成されたヒータ５０を有するセラミックス板１０と、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１とは反対側に配置され、金属により形成された板状であり、内部に冷媒流路２１が形成されたベース板２０とを備え、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１上にウェハＷ等の対象物を保持する保持装置である。第１実施形態の静電チャック１００は、さらに、セラミックス板１０とベース板２０との間に配置され、金属とセラミックスとの複合材料により形成された板状の複合板６０と、金属により形成され、セラミックス板１０と複合板６０とを接合するセラミックス側接合層７０と、有機系接着剤を含み、複合板６０とベース板２０とを接合するベース側接合層３０とを備える。 A-3. Effects of the first embodiment:
As described above, the electrostatic chuck 100 of the first embodiment is formed of ceramics and has a plate shape having the attracting surface S1, and the ceramic plate 10 having the heater 50 constituted by a heating resistor therein, The ceramic plate 10 is disposed on the opposite side to the adsorption surface S1 and is formed of a metal plate. The base plate 20 has a coolant channel 21 formed therein. And a holding device for holding an object such as a wafer W. The electrostatic chuck 100 according to the first embodiment is further formed between a plate-shaped composite plate 60 that is disposed between the ceramic plate 10 and the base plate 20 and is formed of a composite material of metal and ceramic, and a metal. The ceramic side bonding layer 70 that bonds the ceramic plate 10 and the composite plate 60 and the base side bonding layer 30 that includes an organic adhesive and bonds the composite plate 60 and the base plate 20 are provided.

ここで、セラミックス側接合層７０は、ベース側接合層３０と比べて、ヒータ５０に近く、かつ、冷媒流路２１から遠いため、静電チャック１００の使用時に温度が上昇しやすいが、セラミックス側接合層７０は有機系接着剤と比べて耐熱性が高い金属により形成されているため、セラミックス側接合層７０が高温になってもセラミックス側接合層７０の接合面で剥離が発生することを抑制することができる。また、セラミックス板１０の熱膨張率と複合板６０の熱膨張率との差は、セラミックス板１０の熱膨張率とベース板２０の熱膨張率との差と比べて小さく、セラミックス板１０と複合板６０との熱膨張差は比較的小さいため、セラミックス板１０と複合板６０とを接合するセラミックス側接合層７０を有機系接着剤と比べて弾性変形能力の小さい金属により形成しても、熱膨張差による応力によってセラミックス側接合層７０の接合面で剥離が発生することを抑制することができる。   Here, since the ceramic side bonding layer 70 is closer to the heater 50 and farther from the coolant channel 21 than the base side bonding layer 30, the temperature is likely to rise when the electrostatic chuck 100 is used. Since the bonding layer 70 is formed of a metal having higher heat resistance than the organic adhesive, it is possible to suppress the occurrence of peeling on the bonding surface of the ceramic side bonding layer 70 even when the ceramic side bonding layer 70 reaches a high temperature. can do. In addition, the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic plate 10 and the thermal expansion coefficient of the composite plate 60 is smaller than the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic plate 10 and the thermal expansion coefficient of the base plate 20. Since the difference in thermal expansion from the plate 60 is relatively small, even if the ceramic side bonding layer 70 for bonding the ceramic plate 10 and the composite plate 60 is formed of a metal having a smaller elastic deformation capacity than the organic adhesive, It is possible to suppress the occurrence of peeling at the bonding surface of the ceramic side bonding layer 70 due to the stress due to the expansion difference.

また、ベース側接合層３０は、セラミックス側接合層７０と比べて、ヒータ５０から遠く、かつ、冷媒流路２１に近いため、静電チャック１００の使用時にベース側接合層３０の温度上昇を抑制することができ、ベース側接合層３０を有機系接着剤を含むように形成しても、ベース側接合層３０の温度が有機系接着剤の分解温度まで到達してベース側接合層３０の接合面で剥離が発生することを抑制することができる。なお、冷媒流路２１が、Ｚ方向視で、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１におけるウェハＷの載置領域の３０％以上に重なるように配置されると、冷媒流路２１に供給される冷媒によってベース側接合層３０の温度上昇を効果的に抑制することができるため好ましい。また、複合板６０とベース板２０とを接合するベース側接合層３０が金属と比べて弾性変形能力が高い有機系接着剤を含むように形成されているため、複合板６０とベース板２０との間の熱膨張差による応力が比較的大きくなっても、ベース側接合層３０の接合面で剥離が発生することを抑制することができる。   Further, since the base side bonding layer 30 is farther from the heater 50 and closer to the coolant channel 21 than the ceramic side bonding layer 70, the temperature increase of the base side bonding layer 30 is suppressed when the electrostatic chuck 100 is used. Even if the base side bonding layer 30 is formed so as to include an organic adhesive, the temperature of the base side bonding layer 30 reaches the decomposition temperature of the organic adhesive and the base side bonding layer 30 is bonded. It is possible to suppress the occurrence of peeling on the surface. When the refrigerant flow path 21 is arranged so as to overlap 30% or more of the mounting area of the wafer W on the suction surface S1 of the ceramic plate 10 as viewed in the Z direction, the refrigerant supplied to the refrigerant flow path 21 Since the temperature rise of the base side joining layer 30 can be suppressed effectively, it is preferable. Further, since the base-side joining layer 30 that joins the composite plate 60 and the base plate 20 is formed so as to include an organic adhesive having a higher elastic deformation capability than metal, the composite plate 60 and the base plate 20 Even if the stress due to the difference in thermal expansion between them becomes relatively large, it is possible to suppress the occurrence of peeling at the joint surface of the base-side joining layer 30.

また、本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス板１０の熱膨張率と複合板６０の熱膨張率との差が、複合板６０の熱膨張率とベース板２０の熱膨張率との差より小さくなるように、複合板６０の熱膨張率が調整されている。そのため、セラミックス板１０と複合板６０との熱膨張差を極力小さくすることができ、セラミックス板１０と複合板６０とを接合するセラミックス側接合層７０を有機系接着剤と比べて弾性変形能力の小さい金属により形成しても、熱膨張差による応力によってセラミックス側接合層７０の接合面で剥離が発生することをより確実に抑制することができる。   Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic plate 10 and the thermal expansion coefficient of the composite plate 60 is the difference between the thermal expansion coefficient of the composite plate 60 and the thermal expansion coefficient of the base plate 20. The thermal expansion coefficient of the composite plate 60 is adjusted so as to be smaller. Therefore, the difference in thermal expansion between the ceramic plate 10 and the composite plate 60 can be reduced as much as possible, and the ceramic side bonding layer 70 for bonding the ceramic plate 10 and the composite plate 60 has an elastic deformation capability compared to the organic adhesive. Even if it is formed of a small metal, it is possible to more reliably suppress the occurrence of peeling on the bonding surface of the ceramic side bonding layer 70 due to the stress due to the difference in thermal expansion.

なお、セラミックス板１０の形成材料であるセラミックスは、アルミナと窒化アルミニウムとの一方を主成分とするセラミックスであることが好ましく、複合板６０の形成材料である複合材料は、アルミニウム合金と炭化ケイ素とを含むことが好ましく、ベース側接合層３０に含まれる有機系接着剤は、シリコーン樹脂を主成分とする有機系接着剤であることが好ましい。このような構成とすれば、セラミックス板１０の熱膨張率と複合板６０の熱膨張率との差を小さくすることができ、セラミックス板１０と複合板６０とを接合するセラミックス側接合層７０を有機系接着剤と比べて弾性変形能力の小さい金属により形成しても、熱膨張差による応力によってセラミックス側接合層７０の接合面で剥離が発生することを確実に抑制することができる。また、ベース側接合層３０に含まれる有機系接着剤が、比較的分解温度が高く、かつ、弾性変形能力が高いシリコーン樹脂を主成分とする有機系接着剤であるため、ベース側接合層３０の温度が有機系接着剤の分解温度まで上昇することが抑制され、ベース側接合層３０の接合面で剥離が発生することを抑制することができると共に、複合板６０とベース板２０との間の熱膨張差による応力が比較的大きくなっても、ベース側接合層３０の接合面で剥離が発生することを抑制することができる。   In addition, it is preferable that the ceramic which is a forming material of the ceramic plate 10 is a ceramic mainly composed of one of alumina and aluminum nitride, and the composite material which is a forming material of the composite plate 60 is an aluminum alloy and silicon carbide. The organic adhesive contained in the base-side bonding layer 30 is preferably an organic adhesive mainly composed of a silicone resin. With such a configuration, the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic plate 10 and the thermal expansion coefficient of the composite plate 60 can be reduced, and the ceramic side bonding layer 70 for bonding the ceramic plate 10 and the composite plate 60 can be formed. Even if it is formed of a metal having a smaller elastic deformation capacity than the organic adhesive, it is possible to reliably suppress the occurrence of peeling on the bonding surface of the ceramic side bonding layer 70 due to the stress due to the difference in thermal expansion. Further, since the organic adhesive contained in the base-side bonding layer 30 is an organic adhesive mainly composed of a silicone resin having a relatively high decomposition temperature and high elastic deformation capability, the base-side bonding layer 30 Is prevented from rising to the decomposition temperature of the organic adhesive, it is possible to suppress the occurrence of peeling at the bonding surface of the base-side bonding layer 30, and between the composite plate 60 and the base plate 20. Even if the stress due to the difference in thermal expansion becomes relatively large, it is possible to suppress the occurrence of peeling at the joint surface of the base-side joining layer 30.

また、セラミックス側接合層７０は、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金であって、複合板６０の形成材料である複合材料に含まれるアルミニウム合金より低融点のアルミニウム合金により形成されていることが好ましい。このような構成とすれば、セラミックス板１０と複合板６０とを接合する際に複合材料に含まれるアルミニウム合金が液相化し、液相化したアルミニウム合金が複合板６０からしみ出すことを抑制することができ、セラミックス板１０と複合板６０とをセラミックス側接合層７０によって良好に接合することができる。   The ceramic-side bonding layer 70 is preferably an aluminum alloy containing aluminum as a main component, and is formed of an aluminum alloy having a melting point lower than that of the aluminum alloy contained in the composite material that is a material for forming the composite plate 60. . With such a configuration, when the ceramic plate 10 and the composite plate 60 are joined, the aluminum alloy contained in the composite material becomes a liquid phase and the liquid phase aluminum alloy is prevented from exuding from the composite plate 60. In other words, the ceramic plate 10 and the composite plate 60 can be favorably bonded by the ceramic side bonding layer 70.

Ｂ．第２実施形態：
図３は、第２実施形態における静電チャック１００ａのＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。以下では、第２実施形態における静電チャック１００ａの構成の内、上述した第１実施形態における静電チャック１００の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。 B. Second embodiment:
FIG. 3 is an explanatory diagram schematically showing an XZ cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100a according to the second embodiment. Hereinafter, among the configurations of the electrostatic chuck 100a in the second embodiment, the same configurations as the configurations of the electrostatic chuck 100 in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted as appropriate. .

第２実施形態における静電チャック１００ａでは、セラミックス側接合層７０ａが、第１の接合機能層７１と、アルミニウム層７３と、第２の接合機能層７２とを含んでいる。アルミニウム層７３は、純度９９％以上のアルミニウムで形成されている。第１の接合機能層７１は、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成されており、セラミックス板１０とアルミニウム層７３とを接合している。第２の接合機能層７２は、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成されており、複合板６０とアルミニウム層７３とを接合している。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。第２実施形態における静電チャック１００ａのその他の構成は、第１実施形態における静電チャック１００の構成と同様である。   In the electrostatic chuck 100a according to the second embodiment, the ceramic side bonding layer 70a includes a first bonding functional layer 71, an aluminum layer 73, and a second bonding functional layer 72. The aluminum layer 73 is made of aluminum having a purity of 99% or more. The first bonding functional layer 71 is formed of an aluminum alloy mainly composed of aluminum, and bonds the ceramic plate 10 and the aluminum layer 73. The second bonding functional layer 72 is formed of an aluminum alloy containing aluminum as a main component, and bonds the composite plate 60 and the aluminum layer 73 together. In addition, the main component here means a component having the largest content ratio (weight ratio). Other configurations of the electrostatic chuck 100a in the second embodiment are the same as the configurations of the electrostatic chuck 100 in the first embodiment.

第２実施形態の静電チャック１００ａの製造方法は、上述した第１実施形態の静電チャック１００の製造方法と以下の点が異なる。第１実施形態では、セラミックス板１０と複合板６０との間に金属ろう材（例えば、アルミニウム合金であるＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ）の箔のみを配置して加熱するものとしているが、第２実施形態では、セラミックス板１０と複合板６０との間に、純度９９％以上のアルミニウム板の上下を同様の金属ろう材箔で挟んだものを配置し、同様に真空チャンバー内において１〜１０ＭＰａの圧力下で５００〜６００℃に加熱する。これにより、セラミックス板１０と複合板６０とが、第１の接合機能層７１とアルミニウム層７３と第２の接合機能層７２とから構成されたセラミックス側接合層７０ａによって接合（ろう付け）された積層体が作製される。その後は、第１実施形態と同様に、該積層体にベース側接合層３０によってベース板２０が接合され、静電チャック１００ａの製造が完了する。   The manufacturing method of the electrostatic chuck 100a of the second embodiment is different from the manufacturing method of the electrostatic chuck 100 of the first embodiment described above in the following points. In the first embodiment, only a foil of a metal brazing material (for example, Al—Si—Mg, which is an aluminum alloy) is disposed between the ceramic plate 10 and the composite plate 60 and heated. In the embodiment, an aluminum plate having a purity of 99% or more sandwiched between similar metal brazing foils is disposed between the ceramic plate 10 and the composite plate 60, and similarly, a pressure of 1 to 10 MPa is set in the vacuum chamber. Heat to 500-600 ° C under. As a result, the ceramic plate 10 and the composite plate 60 were joined (brazed) by the ceramic-side joining layer 70a composed of the first joining functional layer 71, the aluminum layer 73, and the second joining functional layer 72. A laminate is produced. Thereafter, as in the first embodiment, the base plate 20 is joined to the laminate by the base-side joining layer 30, and the manufacture of the electrostatic chuck 100a is completed.

以上説明した第２実施形態の静電チャック１００ａは、上述した第１実施形態の静電チャック１００が奏する効果に加えて、以下の効果を奏する。すなわち、第２実施形態の静電チャック１００ａでは、セラミックス板１０と複合板６０とを接合するセラミックス側接合層７０ａが、純度９９％以上のアルミニウムで形成されたアルミニウム層７３と、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成され、セラミックス板１０とアルミニウム層７３とを接合する第１の接合機能層７１と、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成され、複合板６０とアルミニウム層７３とを接合する第２の接合機能層７２とを含む。ここで、セラミックス板１０と複合板６０とをセラミックス側接合層７０ａによって接合した後、接合温度から室温まで温度を下げる際には、セラミックス板１０と複合板６０との収縮量の差によって反りが発生するおそれがある。そのような反りの量が大きくなると、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１の平行度、平面度を高めるためにセラミックス板１０の表面を大きく研磨する必要があり、吸着面Ｓ１から内部電極４０までの距離のばらつきが大きくなって安定したチャック性能が得られないおそれがある。第２実施形態の静電チャック１００ａでは、セラミックス側接合層７０ａが塑性変形能力の高いアルミニウム層７３を含むため、アルミニウム層７３が塑性変形することによってそのような反りの発生を抑制することができ、チャック性能の安定化を実現することができる。   The electrostatic chuck 100a according to the second embodiment described above has the following effects in addition to the effects exhibited by the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment described above. That is, in the electrostatic chuck 100a of the second embodiment, the ceramic side bonding layer 70a for bonding the ceramic plate 10 and the composite plate 60 has an aluminum layer 73 formed of aluminum having a purity of 99% or more, and aluminum as a main component. The first bonding functional layer 71 for bonding the ceramic plate 10 and the aluminum layer 73 and the aluminum alloy mainly composed of aluminum to bond the composite plate 60 and the aluminum layer 73 to each other. And a second bonding functional layer 72. Here, after the ceramic plate 10 and the composite plate 60 are joined by the ceramic side joining layer 70a, when the temperature is lowered from the joining temperature to room temperature, the warpage is caused by the difference in shrinkage between the ceramic plate 10 and the composite plate 60. May occur. When the amount of such warpage increases, the surface of the ceramic plate 10 needs to be greatly polished in order to increase the parallelism and flatness of the suction surface S1 of the ceramic plate 10, and the distance from the suction surface S1 to the internal electrode 40 There is a risk that the variation in the size of the chuck becomes large and stable chuck performance cannot be obtained. In the electrostatic chuck 100a of the second embodiment, since the ceramic side bonding layer 70a includes the aluminum layer 73 having a high plastic deformation capability, the occurrence of such warpage can be suppressed by the plastic deformation of the aluminum layer 73. In addition, stabilization of the chuck performance can be realized.

Ｃ．性能評価：
静電チャック１００を対象に、以下に説明する第１〜３の性能評価を行った。図４は、各性能評価に用いられた実施例および比較例の静電チャック１００の概略構成を示す説明図である。 C. Performance evaluation:
First to third performance evaluations described below were performed for the electrostatic chuck 100. FIG. 4 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of the electrostatic chuck 100 of the example and the comparative example used for each performance evaluation.

Ｃ−１．第１の性能評価：
図５は、第１の性能評価の結果を示す説明図である。第１の性能評価では、実施例１，２の静電チャック１００および比較例１〜４の静電チャック１００Ｘが用いられた。図４および図５に示すように、実施例１，２の静電チャック１００は、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成に該当するものである。すなわち、実施例１，２の静電チャック１００は、セラミックス板１０と、セラミックス側接合層７０と、複合板６０と、ベース側接合層３０と、ベース板２０とを備える。実施例１と実施例２とは、セラミックス板１０の形成材料のみが異なっている。具体的には、実施例１では、セラミックス板１０がアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とするセラミックスにより形成され、実施例２では、セラミックス板１０が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックスにより形成されている。実施例１，２におけるその他の部材の形成材料は同じである。具体的には、実施例１，２では、セラミックス側接合層７０がアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成され、複合板６０が多孔質炭化ケイ素（ＳｉＣ）にアルミニウム合金を浸透させた複合材料により形成され、ベース側接合層３０がシリコーン系樹脂を主成分とする有機系接着剤を含むように構成され、ベース板２０がアルミニウム合金により形成されている。 C-1. First performance evaluation:
FIG. 5 is an explanatory diagram showing the results of the first performance evaluation. In the first performance evaluation, the electrostatic chuck 100 of Examples 1 and 2 and the electrostatic chuck 100X of Comparative Examples 1 to 4 were used. As shown in FIGS. 4 and 5, the electrostatic chucks 100 of Examples 1 and 2 correspond to the configuration of the electrostatic chuck 100 of the first embodiment described above. That is, the electrostatic chuck 100 according to the first and second embodiments includes the ceramic plate 10, the ceramic side bonding layer 70, the composite plate 60, the base side bonding layer 30, and the base plate 20. Example 1 and Example 2 differ only in the forming material of the ceramic board 10. Specifically, in Example 1, the ceramic plate 10 is formed of ceramics whose main component is alumina (Al 2 O 3 ), and in Example 2, the ceramic plate 10 is mainly composed of aluminum nitride (AlN). It is made of ceramics. The forming materials of the other members in Examples 1 and 2 are the same. Specifically, in Examples 1 and 2, the composite material in which the ceramic side bonding layer 70 is formed of an aluminum alloy mainly composed of aluminum, and the composite plate 60 has porous aluminum carbide (SiC) infiltrated with the aluminum alloy. The base side bonding layer 30 is configured to include an organic adhesive mainly composed of a silicone resin, and the base plate 20 is formed of an aluminum alloy.

また、比較例１〜４の静電チャック１００Ｘは、セラミックス板１０とベース板２０とがベース側接合層３０によって接合された構成である。すなわち、比較例１〜４の静電チャック１００Ｘは、複合板６０やセラミックス側接合層７０を備えていない。比較例１，２と比較例３，４とは、ベース板２０の形成材料が異なっている。具体的には、比較例１，２では、ベース板２０がアルミニウム合金により形成されており、比較例３，４では、ベース板２０が多孔質炭化ケイ素（ＳｉＣ）にアルミニウム合金を浸透させた複合材料により形成されている。また、比較例１，３と比較例２，４とは、ベース側接合層３０の形成材料が異なっている。具体的には、比較例１，３では、ベース側接合層３０がシリコーン系樹脂を主成分とする有機系接着剤を含むように構成されており、比較例２，４では、ベース側接合層３０がアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成されている。なお、比較例１〜４のいずれも、セラミックス板１０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とするセラミックスにより形成されている。 In addition, the electrostatic chuck 100 </ b> X of Comparative Examples 1 to 4 has a configuration in which the ceramic plate 10 and the base plate 20 are joined by the base-side joining layer 30. That is, the electrostatic chuck 100 </ b> X of Comparative Examples 1 to 4 does not include the composite plate 60 or the ceramic side bonding layer 70. Comparative Examples 1 and 2 and Comparative Examples 3 and 4 are different in the material for forming the base plate 20. Specifically, in Comparative Examples 1 and 2, the base plate 20 is formed of an aluminum alloy. In Comparative Examples 3 and 4, the base plate 20 is a composite in which an aluminum alloy is infiltrated into porous silicon carbide (SiC). It is made of material. Further, Comparative Examples 1 and 3 and Comparative Examples 2 and 4 are different in the material for forming the base-side bonding layer 30. Specifically, in Comparative Examples 1 and 3, the base-side bonding layer 30 is configured to include an organic adhesive mainly composed of a silicone-based resin. In Comparative Examples 2 and 4, the base-side bonding layer Reference numeral 30 denotes an aluminum alloy mainly composed of aluminum. In all of Comparative Examples 1 to 4, the ceramic plate 10 is formed of ceramics whose main component is alumina (Al 2 O 3 ).

図５に示すように、第１の性能評価では、静電チャック１００が熱サイクルにさらされたときのセラミックス板１０の吸着面Ｓ１の温度分布（各位置における温度の差）の変化について、評価を行った。熱サイクル環境を作るため、実施例または比較例の静電チャック１００を評価用チャンバーに設置し、ベース板２０の冷媒流路２１に８０℃のチラーを供給しつつ、ヒータ５０のオン・オフを交互に繰り返した。具体的には、放射温度計を用いてセラミックス板１０の吸着面Ｓ１における複数点の温度を測定し、各点での温度測定値の内の最高値（以下、「最高点温度Ｔｍａｘ」という）が２５０℃まで上昇するとヒータ５０をオフ状態にし、吸着面Ｓ１の最高点温度Ｔｍａｘが１００℃まで低下するとヒータ５０をオン状態にする制御を繰り返した。熱サイクルを行う前の初期状態時と、熱サイクルをＮ回繰り返した時点とで、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１の各点での温度測定値の内の最高値（最高点温度Ｔｍａｘ）と最低値（以下、「最低点温度Ｔｍｉｎ」という）との差である温度差ΔＴを算出した。そして、熱サイクルをＮ回繰り返した時点での温度差ΔＴ（以下、「サイクル後温度差ΔＴＮ」という）と、初期状態時における温度差ΔＴ（以下、「初期温度差ΔＴ０」という）との差（ΔＴＮ−ΔＴ０）を、Ｎ回の熱サイクル後の温度差変化量Ｃｔ（Ｎ）として算出した。なお、第１の性能評価では、Ｎ＝１０００回とした。   As shown in FIG. 5, in the first performance evaluation, the change in the temperature distribution (temperature difference at each position) of the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 when the electrostatic chuck 100 is exposed to a thermal cycle is evaluated. Went. In order to create a thermal cycle environment, the electrostatic chuck 100 of the example or the comparative example is installed in the evaluation chamber, and the heater 50 is turned on / off while supplying an 80 ° C. chiller to the refrigerant flow path 21 of the base plate 20. Repeated alternately. Specifically, the temperature at a plurality of points on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 is measured using a radiation thermometer, and the maximum value of the temperature measurement values at each point (hereinafter referred to as “maximum point temperature Tmax”). When the temperature rose to 250 ° C., the heater 50 was turned off, and when the maximum point temperature Tmax of the adsorption surface S1 dropped to 100 ° C., the control to turn the heater 50 on was repeated. The highest value (maximum point temperature Tmax) and the lowest value among the temperature measurement values at each point of the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 at the initial state before the thermal cycle and when the thermal cycle is repeated N times. A temperature difference ΔT that is a difference from a value (hereinafter referred to as “lowest point temperature Tmin”) was calculated. Then, the difference between the temperature difference ΔT (hereinafter referred to as “post-cycle temperature difference ΔTN”) when the thermal cycle is repeated N times and the temperature difference ΔT in the initial state (hereinafter referred to as “initial temperature difference ΔT0”). (ΔTN−ΔT0) was calculated as the temperature difference change amount Ct (N) after N thermal cycles. In the first performance evaluation, N = 1000 times.

図５に示すように、実施例１，２の静電チャック１００では、１０００回の熱サイクル後の温度差変化量Ｃｔ（１０００）が２℃未満と、ごく僅かであり、合格（〇）と判定された。実施例１，２の静電チャック１００では、上述の「第１実施形態の効果」に記載したように、１０００回の高温の熱サイクルにさらされても、セラミックス側接合層７０やベース側接合層３０の接合面で剥離が発生することが抑制され、温度差変化量Ｃｔが小さい範囲に抑制されたものと考えられる。   As shown in FIG. 5, in the electrostatic chucks 100 of Examples 1 and 2, the temperature difference change amount Ct (1000) after 1000 thermal cycles is very small as less than 2 ° C. It was judged. In the electrostatic chucks 100 of Examples 1 and 2, as described in the above “Effects of the first embodiment”, the ceramic-side bonding layer 70 and the base-side bonding can be performed even when exposed to 1000 high-temperature thermal cycles. It is considered that the occurrence of peeling at the bonding surface of the layer 30 is suppressed, and the temperature difference change amount Ct is suppressed to a small range.

一方、比較例１，３，４の静電チャック１００Ｘでは、１０００回の熱サイクル後の温度差変化量Ｃｔ（１０００）が１０℃より大きく、また、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１において突出して温度が高い点（ホットスポット）が発生したため、不合格（×）と判定された。比較例１，３の静電チャック１００Ｘでは、セラミックス板１０に内蔵されたヒータ５０に比較的近い位置に、有機系接着剤を含むように構成されたベース側接合層３０が配置されているため、１０００回の高温の熱サイクルにさらされた際に、ベース側接合層３０の温度が有機系接着剤の分解温度まで到達してベース側接合層３０の接合面で剥離が発生し、温度差変化量Ｃｔが大きくなると共に、ホットスポットが発生したものと考えられる。また、比較例４の静電チャック１００Ｘでは、ベース側接合層３０が比較的弾性変形能力の低い金属（Ａｌ合金）により形成されているが、被接合部材であるベース板２０は比較的厚い部材であるために反りにくく、セラミックス板１０とベース板２０との間の熱膨張差による応力がベース板２０の反りによって緩和されずにベース側接合層３０に作用するため、当該応力によってベース側接合層３０の接合面で剥離が発生し、温度差変化量Ｃｔが大きくなると共に、ホットスポットが発生したものと考えられる。   On the other hand, in the electrostatic chuck 100X of Comparative Examples 1, 3, and 4, the temperature difference change amount Ct (1000) after 1000 thermal cycles is larger than 10 ° C., and protrudes on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 and has a temperature. Since a high point (hot spot) occurred, it was determined to be rejected (x). In the electrostatic chucks 100X of Comparative Examples 1 and 3, the base-side bonding layer 30 configured to include an organic adhesive is disposed at a position relatively close to the heater 50 built in the ceramic plate 10. , When exposed to 1000 high temperature thermal cycles, the temperature of the base-side bonding layer 30 reaches the decomposition temperature of the organic adhesive and peeling occurs at the bonding surface of the base-side bonding layer 30, resulting in a temperature difference. It is considered that the amount of change Ct is increased and a hot spot is generated. Further, in the electrostatic chuck 100X of Comparative Example 4, the base side bonding layer 30 is formed of a metal (Al alloy) having a relatively low elastic deformation capability, but the base plate 20 that is a member to be bonded is a relatively thick member. Therefore, the stress due to the difference in thermal expansion between the ceramic plate 10 and the base plate 20 is not relaxed by the warp of the base plate 20 and acts on the base-side bonding layer 30. It is considered that peeling occurred at the bonding surface of the layer 30, the temperature difference change amount Ct was increased, and a hot spot was generated.

また、比較例２の静電チャック１００Ｘでは、セラミックス板１０とベース板２０とをベース側接合層３０により接合した際に、接合界面にクラックが発生していることが確認されたため、評価不能として不合格（×）と判定された。比較例２の静電チャック１００Ｘでは、ベース側接合層３０が比較的弾性変形能力の低い金属（Ａｌ合金）により形成されているが、被接合部材であるベース板２０は比較的厚い部材であるために反りにくく、かつ、ベース板２０は金属（Ａｌ合金）により形成されているためセラミックス板１０との熱膨張率の差が大きく、セラミックス板１０とベース板２０との間の大きな熱膨張差による大きな応力がベース板２０の反りによって緩和されずにベース側接合層３０に作用するため、クラックが発生したものと考えられる。   In addition, in the electrostatic chuck 100X of Comparative Example 2, it was confirmed that cracks were generated at the bonding interface when the ceramic plate 10 and the base plate 20 were bonded by the base-side bonding layer 30, and therefore evaluation was impossible. It was determined to be rejected (x). In the electrostatic chuck 100X of Comparative Example 2, the base-side bonding layer 30 is formed of a metal (Al alloy) having a relatively low elastic deformation capability, but the base plate 20 that is a member to be bonded is a relatively thick member. Therefore, since the base plate 20 is formed of metal (Al alloy), the difference in the thermal expansion coefficient with the ceramic plate 10 is large, and the large thermal expansion difference between the ceramic plate 10 and the base plate 20. It is considered that cracks are generated because the large stress due to the above acts on the base-side bonding layer 30 without being relaxed by the warp of the base plate 20.

以上説明した第１の性能評価により、静電チャック１００を、セラミックスにより形成されたセラミックス板１０と、金属により形成されたベース板２０と、金属とセラミックスとの複合材料により形成された複合板６０と、金属により形成され、セラミックス板１０と複合板６０とを接合するセラミックス側接合層７０と、有機系接着剤を含み、複合板６０とベース板２０とを接合するベース側接合層３０とを備えるように構成すれば、セラミックス側接合層７０やベース側接合層３０の接合面で剥離が発生することを抑制することができることが確認された。   According to the first performance evaluation described above, the electrostatic chuck 100 is made of the ceramic plate 10 made of ceramic, the base plate 20 made of metal, and the composite plate 60 made of a composite material of metal and ceramic. And a ceramic side bonding layer 70 that is made of metal and bonds the ceramic plate 10 and the composite plate 60, and a base side bonding layer 30 that contains an organic adhesive and bonds the composite plate 60 and the base plate 20. It was confirmed that if it is configured to be provided, it is possible to suppress the occurrence of peeling at the bonding surfaces of the ceramic side bonding layer 70 and the base side bonding layer 30.

Ｃ−２．第２の性能評価：
図６は、第２の性能評価の結果を示す説明図である。第２の性能評価では、実施例３〜６の静電チャック１００が用いられた。図４および図６に示すように、実施例３〜６の静電チャック１００は、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成に該当するものである。すなわち、実施例３〜６の静電チャック１００は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とするセラミックスにより形成されたセラミックス板１０と、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成されたセラミックス側接合層７０と、多孔質炭化ケイ素（ＳｉＣ）にアルミニウム合金を浸透させた複合材料により形成された複合板６０と、シリコーン系樹脂を主成分とする有機系接着剤を含むように構成されたベース側接合層３０と、アルミニウム合金により形成されたベース板２０とを備える。 C-2. Second performance evaluation:
FIG. 6 is an explanatory diagram showing the result of the second performance evaluation. In the second performance evaluation, the electrostatic chuck 100 of Examples 3 to 6 was used. As shown in FIGS. 4 and 6, the electrostatic chucks 100 of Examples 3 to 6 correspond to the configuration of the electrostatic chuck 100 of the first embodiment described above. That is, the electrostatic chuck 100 of Examples 3 to 6 includes a ceramic plate 10 formed of ceramics mainly composed of alumina (Al 2 O 3 ) and a ceramic side formed of an aluminum alloy mainly composed of aluminum. A base configured to include a bonding layer 70, a composite plate 60 formed of a composite material in which an aluminum alloy is infiltrated into porous silicon carbide (SiC), and an organic adhesive mainly composed of a silicone resin. The side joining layer 30 and the base board 20 formed with the aluminum alloy are provided.

実施例３〜６は、複合板６０の厚さが互いに異なる。具体的には、実施例３〜５では、複合板６０の厚さは３ｍｍ以上であり、実施例６では、複合板６０の厚さは３ｍｍ未満である。   In Examples 3 to 6, the thickness of the composite plate 60 is different from each other. Specifically, in Examples 3 to 5, the thickness of the composite plate 60 is 3 mm or more, and in Example 6, the thickness of the composite plate 60 is less than 3 mm.

さらに、実施例３〜６は、第１の距離Ｌ１と第２の距離Ｌ２との関係（図２参照）が互いに異なる。ここで、第１の距離Ｌ１は、ベース側接合層３０の厚さ方向（Ｚ方向）におけるベース側接合層３０とヒータ５０との間の距離であり、第２の距離Ｌ２は、ベース側接合層３０の厚さ方向におけるベース側接合層３０と冷媒流路２１との間の距離である。図６に示すように、実施例３，４では、第２の距離Ｌ２が第１の距離Ｌ１より短く、実施例５，６では、第２の距離Ｌ２が第１の距離Ｌ１より長い。   Furthermore, Examples 3-6 differ from each other in the relationship (see FIG. 2) between the first distance L1 and the second distance L2. Here, the first distance L1 is a distance between the base side bonding layer 30 and the heater 50 in the thickness direction (Z direction) of the base side bonding layer 30, and the second distance L2 is a base side bonding. This is the distance between the base-side bonding layer 30 and the refrigerant flow path 21 in the thickness direction of the layer 30. As illustrated in FIG. 6, in the third and fourth embodiments, the second distance L2 is shorter than the first distance L1, and in the fifth and sixth embodiments, the second distance L2 is longer than the first distance L1.

第２の性能評価では、上述した第１の性能評価と同様に、１０００回の熱サイクル後の温度差変化量Ｃｔ（１０００）を算出した。実施例３〜６の静電チャック１００のいずれにおいても、１０００回の熱サイクル後の温度差変化量Ｃｔ（１０００）は、２℃未満と、ごく僅かであった。   In the second performance evaluation, the temperature difference change amount Ct (1000) after 1000 thermal cycles was calculated as in the first performance evaluation described above. In any of the electrostatic chucks 100 of Examples 3 to 6, the temperature difference change amount Ct (1000) after 1000 thermal cycles was very small, less than 2 ° C.

第２の性能評価では、さらに、３０００回の熱サイクル後の温度差変化量Ｃｔ（３０００）も算出した。実施例３，４の静電チャック１００では、３０００回の熱サイクル後の温度差変化量Ｃｔ（３０００）も２℃未満と、ごく僅かであり、良好（◎）と判定された。一方、実施例５の静電チャック１００では、３０００回の熱サイクル後の温度差変化量Ｃｔ（３０００）が２℃以上５℃未満と、やや大きく、合格（〇）と判定された。また、実施例６の静電チャック１００では、３０００回の熱サイクル後の温度差変化量Ｃｔ（３０００）が５℃以上８℃未満と、さらに大きく、合格（〇）と判定された。   In the second performance evaluation, a temperature difference change amount Ct (3000) after 3000 thermal cycles was also calculated. In the electrostatic chucks 100 of Examples 3 and 4, the temperature difference change amount Ct (3000) after 3000 thermal cycles was very small, less than 2 ° C., and was judged to be good (◎). On the other hand, in the electrostatic chuck 100 of Example 5, the temperature difference change amount Ct (3000) after 3000 thermal cycles was slightly large as 2 ° C. or more and less than 5 ° C., and was determined to be acceptable (◯). Further, in the electrostatic chuck 100 of Example 6, the temperature difference change amount Ct (3000) after 3000 thermal cycles was larger as 5 ° C. or more and less than 8 ° C., and was determined to be acceptable (◯).

図６に示す第２の性能評価により、複合板６０の厚さが３ｍｍ以上であると、ベース側接合層３０の接合面で剥離が発生することを効果的に抑制することができることがわかる。これは、複合板６０がアルミニウム合金と炭化ケイ素との複合材料により形成され、かつ、複合板６０の厚さが３ｍｍ以上であると、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１の温度を２５０℃にしても、ベース側接合層３０の温度を、ベース側接合層３０に含まれるシリコーン樹脂を主成分とする有機系接着剤の分解温度未満にすることができたためであると考えられる。そのため、複合板６０の厚さは３ｍｍ以上であることが好ましいと言える。なお、冷媒によってウェハＷの温度を所望の温度にするまでの時間短縮や静電チャック１００の小型化の観点から、複合板６０の厚さは３０ｍｍ以下であることが好ましい。   From the second performance evaluation shown in FIG. 6, it can be seen that when the thickness of the composite plate 60 is 3 mm or more, it is possible to effectively suppress the occurrence of peeling on the bonding surface of the base-side bonding layer 30. This is because, if the composite plate 60 is formed of a composite material of an aluminum alloy and silicon carbide and the thickness of the composite plate 60 is 3 mm or more, the temperature of the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 is 250 ° C. This is considered to be because the temperature of the base side bonding layer 30 could be made lower than the decomposition temperature of the organic adhesive mainly composed of the silicone resin contained in the base side bonding layer 30. Therefore, it can be said that the thickness of the composite plate 60 is preferably 3 mm or more. In addition, from the viewpoint of shortening the time until the temperature of the wafer W is changed to a desired temperature by the refrigerant and reducing the size of the electrostatic chuck 100, the thickness of the composite plate 60 is preferably 30 mm or less.

また、図６に示す第２の性能評価により、ベース側接合層３０と冷媒流路２１との間の距離（第２の距離Ｌ２）が、ベース側接合層３０とヒータ５０との間の距離（第１の距離Ｌ１）より短いと、ベース側接合層３０の接合面で剥離が発生することをさらに効果的に抑制することができることがわかる。これは、第２の距離Ｌ２が第１の距離Ｌ１より短いと、ベース側接合層３０が比較的冷媒流路２１に近く、かつ、ヒータ５０から遠いこととなるため、静電チャック１００が熱サイクルにさらされた際に、ベース側接合層３０の温度上昇が効果的に抑制されたためであると考えられる。そのため、ベース側接合層３０と冷媒流路２１との間の距離（第２の距離Ｌ２）は、ベース側接合層３０とヒータ５０との間の距離（第１の距離Ｌ１）より短いことが好ましいと言える。   Further, according to the second performance evaluation shown in FIG. 6, the distance between the base side bonding layer 30 and the refrigerant flow path 21 (second distance L2) is the distance between the base side bonding layer 30 and the heater 50. It can be seen that if the distance is shorter than (first distance L1), it is possible to more effectively suppress the occurrence of peeling at the bonding surface of the base-side bonding layer 30. This is because if the second distance L2 is shorter than the first distance L1, the base-side bonding layer 30 is relatively close to the refrigerant flow path 21 and far from the heater 50, so that the electrostatic chuck 100 is heated. This is probably because the temperature increase of the base-side bonding layer 30 was effectively suppressed when exposed to the cycle. Therefore, the distance (second distance L2) between the base-side bonding layer 30 and the refrigerant flow path 21 may be shorter than the distance (first distance L1) between the base-side bonding layer 30 and the heater 50. It can be said that it is preferable.

Ｃ−３．第３の性能評価：
図７は、第３の性能評価の結果を示す説明図である。第３の性能評価では、実施例７〜１０の静電チャック１００が用いられた。図４および図７に示すように、実施例７の静電チャック１００は、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成に該当するものである。すなわち、実施例７の静電チャック１００は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とするセラミックスにより形成されたセラミックス板１０と、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成されたセラミックス側接合層７０と、多孔質炭化ケイ素（ＳｉＣ）にアルミニウム合金を浸透させた複合材料により形成された複合板６０と、シリコーン系樹脂を主成分とする有機系接着剤を含むように構成されたベース側接合層３０と、アルミニウム合金により形成されたベース板２０とを備える。なお、便宜上、図７では、実施例７の静電チャック１００が第１の接合機能層７１を備えるように記載されているが、実際には、実施例７の静電チャック１００は単層構成のセラミックス側接合層７０を備える。 C-3. Third performance evaluation:
FIG. 7 is an explanatory diagram showing the results of the third performance evaluation. In the third performance evaluation, the electrostatic chuck 100 of Examples 7 to 10 was used. As shown in FIGS. 4 and 7, the electrostatic chuck 100 of Example 7 corresponds to the configuration of the electrostatic chuck 100 of the first embodiment described above. That is, the electrostatic chuck 100 of Example 7 includes a ceramic plate 10 formed of ceramics mainly composed of alumina (Al 2 O 3 ) and a ceramic side bonding layer formed of an aluminum alloy mainly composed of aluminum. 70, a base plate joined to include a composite plate 60 formed of a composite material in which an aluminum alloy is infiltrated into porous silicon carbide (SiC), and an organic adhesive mainly composed of a silicone resin A layer 30 and a base plate 20 made of an aluminum alloy are provided. For convenience, in FIG. 7, the electrostatic chuck 100 according to the seventh embodiment is described as including the first bonding functional layer 71, but actually, the electrostatic chuck 100 according to the seventh embodiment has a single-layer configuration. The ceramic side bonding layer 70 is provided.

一方、実施例８〜１０は、上述した第２実施形態の静電チャック１００（１００ａ）の構成に該当するものである。すなわち、実施例８〜１０の静電チャック１００は、セラミックス側接合層７０の構成のみが実施例７と異なる。具体的には、実施例８〜１０の静電チャック１００では、セラミックス側接合層７０が、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成された第１の接合機能層７１および第２の接合機能層７２と、純度９９％以上のアルミニウムで形成されたアルミニウム層７３とを含むように構成されている。   On the other hand, Examples 8 to 10 correspond to the configuration of the electrostatic chuck 100 (100a) of the second embodiment described above. That is, the electrostatic chucks 100 of Examples 8 to 10 differ from Example 7 only in the configuration of the ceramic side bonding layer 70. Specifically, in the electrostatic chucks 100 of Examples 8 to 10, the first bonding functional layer 71 and the second bonding functional layer in which the ceramic side bonding layer 70 is formed of an aluminum alloy containing aluminum as a main component. 72 and an aluminum layer 73 formed of aluminum having a purity of 99% or more.

また、実施例８〜１０は、接合前におけるアルミニウム層７３の厚さが互いに異なり、結果的に、接合後のセラミックス側接合層７０の厚さが互いに異なっている。具体的には、実施例８では、接合後におけるセラミックス側接合層７０の厚さは１．２ｍｍ未満であり、実施例９，１０では、接合後におけるセラミックス側接合層７０の厚さは１．２ｍｍ以上である。   In Examples 8 to 10, the thickness of the aluminum layer 73 before joining is different from each other, and as a result, the thickness of the ceramic side joining layer 70 after joining is different from each other. Specifically, in Example 8, the thickness of the ceramic side bonding layer 70 after bonding is less than 1.2 mm, and in Examples 9 and 10, the thickness of the ceramic side bonding layer 70 after bonding is 1. 2 mm or more.

第３の性能評価では、上述した第１の性能評価と同様に、１０００回の熱サイクル後の温度差変化量Ｃｔ（１０００）を算出した。実施例７〜１０の静電チャック１００のいずれにおいても、１０００回の熱サイクル後の温度差変化量Ｃｔ（１０００）は、２℃未満と、ごく僅かであった。   In the third performance evaluation, similarly to the first performance evaluation described above, the temperature difference change amount Ct (1000) after 1000 thermal cycles was calculated. In any of the electrostatic chucks 100 of Examples 7 to 10, the temperature difference change amount Ct (1000) after 1000 thermal cycles was very small, less than 2 ° C.

第３の性能評価では、さらに、セラミックス側接合層７０によってセラミックス板１０と複合板６０とを接合したときの反り量を測定した。具体的には、セラミックス板１０と複合板６０との積層体をセラミックス板１０を上側にして水平面に載置し、積層体の上側の表面の１００点において、垂直方向の位置を三次元測定器で測定し、測定値の最小値と最大値との差の絶対値を反り量として算出した。   In the third performance evaluation, the amount of warpage when the ceramic plate 10 and the composite plate 60 were further bonded by the ceramic side bonding layer 70 was measured. Specifically, the laminate of the ceramic plate 10 and the composite plate 60 is placed on a horizontal plane with the ceramic plate 10 facing upward, and the vertical position is measured at 100 points on the upper surface of the laminate by a three-dimensional measuring instrument. The absolute value of the difference between the minimum value and the maximum value of the measured value was calculated as the amount of warpage.

実施例８〜１０の静電チャック１００では、実施例７と比べて、接合後の反り量が小さい値に抑えられ、良好（◎）と判定された。これは、実施例８〜１０の静電チャック１００では、セラミックス側接合層７０が、塑性変形能力の高いアルミニウム層７３を含むため、セラミックス板１０と複合板６０とをセラミックス側接合層７０によって接合した後、接合温度から室温まで温度を下げる際に、アルミニウム層７３が塑性変形することによって、セラミックス板１０と複合板６０との収縮量の差による反りの発生を抑制することができたためであると考えられる。特に、実施例９，１０の静電チャック１００では、反り量が極めて小さい値に抑えられたため、接合後のセラミックス側接合層７０の厚さは１．２ｍｍ以上であることが好ましいと言える。なお、セラミックス側接合層７０に含まれるアルミニウム層７３の熱膨張量を抑えて応力を抑える観点から、接合後のセラミックス側接合層７０の厚さは５ｍｍ以下であることが好ましい。   In the electrostatic chucks 100 of Examples 8 to 10, the warpage amount after joining was suppressed to a small value as compared with Example 7, and it was determined as good (◎). This is because, in the electrostatic chucks 100 of Examples 8 to 10, since the ceramic side bonding layer 70 includes the aluminum layer 73 having a high plastic deformation capability, the ceramic plate 10 and the composite plate 60 are bonded by the ceramic side bonding layer 70. This is because, when the temperature is lowered from the bonding temperature to room temperature, the aluminum layer 73 is plastically deformed, thereby suppressing the occurrence of warping due to the difference in shrinkage between the ceramic plate 10 and the composite plate 60. it is conceivable that. In particular, in the electrostatic chucks 100 of Examples 9 and 10, since the amount of warpage was suppressed to an extremely small value, it can be said that the thickness of the ceramic side bonding layer 70 after bonding is preferably 1.2 mm or more. In addition, from the viewpoint of suppressing the thermal expansion amount of the aluminum layer 73 included in the ceramic side bonding layer 70 and suppressing the stress, the thickness of the ceramic side bonding layer 70 after bonding is preferably 5 mm or less.

Ｄ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。 D. Variation:
The technology disclosed in the present specification is not limited to the above-described embodiment, and can be modified into various forms without departing from the gist thereof. For example, the following modifications are possible.

上記各実施形態における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。また、上記各実施形態では、セラミックス板１０の熱膨張率と複合板６０の熱膨張率との差は、複合板６０の熱膨張率とベース板２０の熱膨張率との差より小さいとしているが、必ずしもこのような構成である必要は無い。また、上記各実施形態では、セラミックス板１０の内部に一対の内部電極４０が設けられた双極方式が採用されているが、セラミックス板１０の内部に１つの内部電極４０が設けられた単極方式が採用されてもよい。また、上記各実施形態における静電チャック１００の製造方法はあくまで一例であり、種々変形可能である。   The material which forms each member in each said embodiment is an illustration to the last, and each member may be formed with another material. In each of the above embodiments, the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic plate 10 and the thermal expansion coefficient of the composite plate 60 is smaller than the difference between the thermal expansion coefficient of the composite plate 60 and the thermal expansion coefficient of the base plate 20. However, such a configuration is not necessarily required. Further, in each of the above embodiments, a bipolar system in which a pair of internal electrodes 40 is provided inside the ceramic plate 10 is adopted. However, a monopolar system in which one internal electrode 40 is provided inside the ceramic plate 10. May be adopted. Moreover, the manufacturing method of the electrostatic chuck 100 in the above embodiments is merely an example, and various modifications can be made.

本発明は、静電引力を利用してウェハＷを保持する静電チャック１００に限らず、セラミックス板とベース板とを備え、セラミックス板の表面上に対象物を保持する他の保持装置（例えば、真空チャックやヒータ等）にも適用可能である。   The present invention is not limited to the electrostatic chuck 100 that holds the wafer W using electrostatic attraction, but includes other ceramic holding plates (for example, a ceramic plate and a base plate) that hold an object on the surface of the ceramic plate (for example, , Vacuum chucks, heaters, etc.).

１０：セラミックス板 ２０：ベース板 ２１：冷媒流路 ３０：ベース側接合層 ４０：内部電極 ５０：ヒータ ６０：複合板 ７０：セラミックス側接合層 ７１：第１の接合機能層 ７２：第２の接合機能層 ７３：アルミニウム層 １００：静電チャック 10: Ceramic plate 20: Base plate 21: Refrigerant flow path 30: Base side bonding layer 40: Internal electrode 50: Heater 60: Composite plate 70: Ceramic side bonding layer 71: First bonding functional layer 72: Second bonding Functional layer 73: Aluminum layer 100: Electrostatic chuck

Claims (8)

セラミックスにより形成され、第１の表面を有する板状であり、内部に発熱抵抗体により構成されたヒータを有するセラミックス板と、
前記セラミックス板の前記第１の表面とは反対側に配置され、金属により形成された板状であり、内部に冷媒流路が形成されたベース板と、
を備え、前記セラミックス板の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、さらに、
前記セラミックス板と前記ベース板との間に配置され、金属とセラミックスとの複合材料により形成された板状の複合板と、
金属により形成され、前記セラミックス板と前記複合板とを接合するセラミックス側接合層と、
有機系接着剤を含み、前記複合板と前記ベース板とを接合するベース側接合層と、
を備えることを特徴とする、保持装置。 A ceramic plate formed of ceramics and having a first surface and having a heater formed of a heating resistor inside;
A base plate that is disposed on the opposite side of the ceramic plate from the first surface, is formed of metal, and has a coolant channel formed therein;
A holding device for holding an object on the first surface of the ceramic plate,
A plate-like composite plate disposed between the ceramic plate and the base plate and formed of a composite material of metal and ceramic;
A ceramic side bonding layer formed of metal and bonding the ceramic plate and the composite plate;
A base-side bonding layer that includes an organic adhesive and bonds the composite plate and the base plate;
A holding device comprising: 請求項１に記載の保持装置において、
前記ベース側接合層の厚さ方向において、前記ベース側接合層と前記冷媒流路との間の距離は、前記ベース側接合層と前記ヒータとの間の距離より短いことを特徴とする、保持装置。 The holding device according to claim 1, wherein
In the thickness direction of the base-side bonding layer, the distance between the base-side bonding layer and the coolant channel is shorter than the distance between the base-side bonding layer and the heater. apparatus. 請求項１または請求項２に記載の保持装置において、
前記セラミックス板の熱膨張率と前記複合板の熱膨張率との差は、前記複合板の熱膨張率と前記ベース板の熱膨張率との差より小さいことを特徴とする、保持装置。 The holding device according to claim 1 or 2,
The holding device, wherein the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic plate and the thermal expansion coefficient of the composite plate is smaller than the difference between the thermal expansion coefficient of the composite plate and the thermal expansion coefficient of the base plate. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記セラミックス板の形成材料である前記セラミックスは、アルミナと窒化アルミニウムとの一方を主成分とするセラミックスであり、
前記複合板の形成材料である前記複合材料は、アルミニウム合金と炭化ケイ素とを含み、
前記ベース側接合層に含まれる前記有機系接着剤は、シリコーン樹脂を主成分とする有機系接着剤であることを特徴とする、保持装置。 In the holding device according to any one of claims 1 to 3,
The ceramic as a material for forming the ceramic plate is a ceramic mainly composed of one of alumina and aluminum nitride,
The composite material which is a forming material of the composite plate includes an aluminum alloy and silicon carbide,
The holding device according to claim 1, wherein the organic adhesive contained in the base side bonding layer is an organic adhesive mainly composed of a silicone resin. 請求項４に記載の保持装置において、
前記セラミックス側接合層は、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金であって、前記複合板の形成材料である前記複合材料に含まれるアルミニウム合金より低融点のアルミニウム合金により形成されていることを特徴とする、保持装置。 The holding device according to claim 4,
The ceramic-side bonding layer is an aluminum alloy containing aluminum as a main component, and is formed of an aluminum alloy having a lower melting point than that of the aluminum alloy included in the composite material that is a material for forming the composite plate. A holding device. 請求項４または請求項５に記載の保持装置において、
前記複合板の厚さは、３ｍｍ以上であることを特徴とする、保持装置。 The holding device according to claim 4 or 5,
The holding device according to claim 1, wherein a thickness of the composite plate is 3 mm or more. 請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記セラミックス側接合層は、
純度９９％以上のアルミニウムで形成されたアルミニウム層と、
アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成され、前記セラミックス板と前記アルミニウム層とを接合する第１の接合機能層と、
アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金により形成され、前記複合板と前記アルミニウム層とを接合する第２の接合機能層と、
を含むことを特徴とする、保持装置。 In the holding device according to any one of claims 1 to 4,
The ceramic side bonding layer is
An aluminum layer formed of aluminum having a purity of 99% or more;
A first bonding functional layer formed of an aluminum alloy containing aluminum as a main component and bonding the ceramic plate and the aluminum layer;
A second bonding functional layer formed of an aluminum alloy containing aluminum as a main component and bonding the composite plate and the aluminum layer;
A holding device. 請求項７に記載の保持装置において、
前記セラミックス側接合層の厚さは、１．２ｍｍ以上であることを特徴とする、保持装置。 The holding device according to claim 7, wherein
The holding device according to claim 1, wherein a thickness of the ceramic side bonding layer is 1.2 mm or more.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6886439B2 (en) * 2018-08-07 2021-06-16 日本特殊陶業株式会社 Composite member and adhesive composition
JP7386189B2 (en) 2021-01-15 2023-11-24 日本特殊陶業株式会社 Composite parts, retention devices, and adhesive structures
CN117897804A (en) * 2021-09-09 2024-04-16 日本碍子株式会社 Wafer carrying table

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09283609A (en) * 1996-04-12 1997-10-31 Nhk Spring Co Ltd Electrostatic clamping device
JP2000031254A (en) * 1998-07-07 2000-01-28 Shin Etsu Chem Co Ltd Ceramic electrostatic chuck and manufacture thereof
JP4124589B2 (en) * 2001-12-21 2008-07-23 日本発条株式会社 Wafer holding device
JP2004344958A (en) * 2003-05-23 2004-12-09 Sentan Zairyo:Kk Hybrid material joining metal to carbon-aluminum composite material or silicon carbide-aluminum composite material, and heat exchanger parts using the same
JP2005210039A (en) * 2004-01-19 2005-08-04 Creative Technology:Kk Electrostatic chuck join body
KR101638646B1 (en) * 2009-02-20 2016-07-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 Ceramic-metal junction and method of fabricating same
JP5823915B2 (en) * 2012-05-29 2015-11-25 新光電気工業株式会社 Manufacturing method of electrostatic chuck
JP6182084B2 (en) * 2013-03-25 2017-08-16 日本碍子株式会社 Dense composite material, manufacturing method thereof, joined body, and member for semiconductor manufacturing apparatus

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