JP6555530B2 - 固体撮像装置、撮像装置、および電子機器 - Google Patents
固体撮像装置、撮像装置、および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6555530B2 JP6555530B2 JP2015539111A JP2015539111A JP6555530B2 JP 6555530 B2 JP6555530 B2 JP 6555530B2 JP 2015539111 A JP2015539111 A JP 2015539111A JP 2015539111 A JP2015539111 A JP 2015539111A JP 6555530 B2 JP6555530 B2 JP 6555530B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- pixels
- green
- luminance
- white
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 45
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 20
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 31
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 31
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 26
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 23
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- MAYZWDRUFKUGGP-VIFPVBQESA-N (3s)-1-[5-tert-butyl-3-[(1-methyltetrazol-5-yl)methyl]triazolo[4,5-d]pyrimidin-7-yl]pyrrolidin-3-ol Chemical compound CN1N=NN=C1CN1C2=NC(C(C)(C)C)=NC(N3C[C@@H](O)CC3)=C2N=N1 MAYZWDRUFKUGGP-VIFPVBQESA-N 0.000 description 3
- 241000143945 Pontia protodice Species 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- ZGYIXVSQHOKQRZ-COIATFDQSA-N (e)-n-[4-[3-chloro-4-(pyridin-2-ylmethoxy)anilino]-3-cyano-7-[(3s)-oxolan-3-yl]oxyquinolin-6-yl]-4-(dimethylamino)but-2-enamide Chemical compound N#CC1=CN=C2C=C(O[C@@H]3COCC3)C(NC(=O)/C=C/CN(C)C)=CC2=C1NC(C=C1Cl)=CC=C1OCC1=CC=CC=N1 ZGYIXVSQHOKQRZ-COIATFDQSA-N 0.000 description 1
- MOWXJLUYGFNTAL-DEOSSOPVSA-N (s)-[2-chloro-4-fluoro-5-(7-morpholin-4-ylquinazolin-4-yl)phenyl]-(6-methoxypyridazin-3-yl)methanol Chemical compound N1=NC(OC)=CC=C1[C@@H](O)C1=CC(C=2C3=CC=C(C=C3N=CN=2)N2CCOCC2)=C(F)C=C1Cl MOWXJLUYGFNTAL-DEOSSOPVSA-N 0.000 description 1
- LXRZVMYMQHNYJB-UNXOBOICSA-N [(1R,2S,4R)-4-[[5-[4-[(1R)-7-chloro-1,2,3,4-tetrahydroisoquinolin-1-yl]-5-methylthiophene-2-carbonyl]pyrimidin-4-yl]amino]-2-hydroxycyclopentyl]methyl sulfamate Chemical compound CC1=C(C=C(S1)C(=O)C1=C(N[C@H]2C[C@H](O)[C@@H](COS(N)(=O)=O)C2)N=CN=C1)[C@@H]1NCCC2=C1C=C(Cl)C=C2 LXRZVMYMQHNYJB-UNXOBOICSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000009500 colour coating Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
- H04N25/447—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by preserving the colour pattern with or without loss of information
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/80—Camera processing pipelines; Components thereof
- H04N23/84—Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals
- H04N23/843—Demosaicing, e.g. interpolating colour pixel values
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/131—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing infrared wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/133—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing panchromatic light, e.g. filters passing white light
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/135—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
- H04N25/585—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with pixels having different sensitivities within the sensor, e.g. fast or slow pixels or pixels having different sizes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
1. 固体撮像装置の構成例
2. 単位画素の構成例
3. 第1の実施の形態(W:G:B:R=6:4:3:3にした一例)
4. 第1の変形例(第1の実施の形態を暗所でも撮像できるようにした一例)
5. 第2の実施の形態(W:G:B:R=7:3:3:3にした一例)
6. 第2の変形例(第2の実施の形態を暗所でも撮像できるようにした一例)
7. 第3の実施の形態(W:G:B:R=7:3:3:3における緑色Gの分散性を向上した一例)
8. 第3の変形例(第3の実施の形態を暗所でも撮像できるようにした一例)
9. 第4の実施の形態(W:G:B:R=7:3:3:3における緑色Gの分散性をさらに向上した一例)
10. 第4の変形例(第4の実施の形態を暗所でも撮像できるようにした一例)
11. 第5の実施の形態(W:G:B:R=7:3:3:3における緑色Gの分散性をさらに向上した一例)
12. 第5の変形例(第5の実施の形態を暗所でも撮像できるようにした一例)
13. 第6の実施の形態(W:G:B:R=6:4:3:3における緑色Gの分散性を向上した一例)
14. 第6の変形例(第6の実施の形態を暗所でも撮像できるようにした一例)
15. 第7の実施の形態(W:G:B:R=6:4:3:3における緑色Gの分散性をさらに向上した一例)
16. 第7の変形例(第7の実施の形態を暗所でも撮像できるようにした一例)
17. 第8の実施の形態(W:G:B:R=6:4:3:3における緑色Gの分散性を向上したその他の例)
18. 第8の変形例(第8の実施の形態を暗所でも撮像できるようにした一例)
19. 第9の実施の形態(W:G:B:R=6:4:3:3における緑色Gの分散性を向上したさらにその他の例)
20. 第9の変形例(第9の実施の形態を暗所でも撮像できるようにした一例)
21. 第10の実施の形態(W:G:B:R=6:4:3:3における輝度の主成分を白色Wとした一例)
22. 第10の変形例(第10の実施の形態を暗所でも撮像できるようにした一例)
23. 第11の実施の形態(W:G:B:R=6:4:3:3における画素加算の一例)
24. 第12の実施の形態(SVE制御を応用した一例)
図1は、本技術に係る固体撮像装置、例えば、X−Yアドレス型固体撮像装置の一種であるCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサの構成例を説明する図である。
次に、図2を参照して、画素単位の回路構成例について説明する。図2は、単位画素の回路構成の一例を示す回路図である。図2で示されるように、本回路例に係る単位画素は、光電変換素子、例えば、フォトダイオードPDと、例えば、転送トランジスタTr1、リセットトランジスタTr2、増幅トランジスタTr3および選択トランジスタTr4の4つのトランジスタとを有する構成となっている。
図3は、色フィルタアレイ20に採用されている、これまでのカラーコーディングの例を示している。より詳細には、図3においては、上から、4画素×4画素のベイヤ(Bayer)配列、W市松(白色市松)配列、およびW市松G(緑)斜めストライプ配列のそれぞれの画素配列におけるカラーコーディングの例が示されている。また、図3の右側には、各色の空間周波数分布が示されている。図中において、各マスは画素を示し、マス内におけるW,R,G,Bは、それぞれ白色、赤色、緑色、および青色を示している。以降においては、各色については、原則的に白色W、赤色R、緑色G、および青色Bと称するものとする。
図4は、ベイヤ配列、W市松配列、およびW市松G斜めストライプ配列における利点であった、高解像度、高感度を維持しつつ、色解像度を向上させ、偽色を低減させるカラーコーディングとなる画素配列の第1の実施の形態の構成例を示している。
以上においては、輝度主成分を白色Wとした場合について説明してきたが、輝度主成分を緑色Gとし、色成分として使用していた緑色Gに代えて、赤外光IRを用いるようにしてもよい。
以上においては、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rの画素数比が、W:G:B:R=6:4:3:3の例について説明してきたが、緑色Gを1画素分だけ白色Wに置き換えて、W:G:B:R=7:3:3:3とし、輝度主成分である白色Wの欠損を低減させて感度と、輝度解像度を向上させるようにしてもよい。
以上においては、白色Wを輝度主成分とし、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rを用いて、カラーコーディングする例について説明してきたが、白色Wに代えて緑色Gを輝度主成分とし、色成分の緑色Gに代えて赤外光IRを用いてカラーコーディングするようにしてもよい。
以上においては、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rの画素数比が、W:G:B:R=7:3:3:3の例について説明してきたが、図6の配置例46において示されるような緑色Gの分散性(ランダム性)を向上させることで偽色をさらに抑制できるようにしてもよい。
以上においては、白色Wを輝度主成分とし、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rを用いて、カラーコーディングする例について説明してきたが、白色Wに代えて緑色Gを輝度主成分とし、色成分の緑色Gに代えて赤外光IRを用いてカラーコーディングするようにしてもよい。
以上においては、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rの画素数比が、W:G:B:R=7:3:3:3の例であって、図8の配置例73(または76)で示されるように、市松状の白色Wおよび青色Bにおける孤立点となる緑色Gの配置を4行ずつ、水平方向に2列ずつずらすことにより分散性(ランダム性)を高める例について説明してきた。同様にして、市松状の白色Wにおける孤立点となる緑色Gの配置を水平方向に4列毎に、垂直方向に2行ずつずらして分散性を高めるようにしてもよい。
以上においては、白色Wを輝度主成分とし、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rを用いて、カラーコーディングする例について説明してきたが、白色Wに代えて緑色Gを輝度主成分とし、色成分の緑色Gに代えて赤外光IRを用いてカラーコーディングするようにしてもよい。
以上においては、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rの画素数比が、W:G:B:R=7:3:3:3の例であって、図10の配置例113で示されるように、市松状の白色Wにおける孤立点となる緑色Gの配置を4列毎に、垂直方向に2行ずつずらすことにより分散性(ランダム性)を高める例について説明してきた。しかしながら、4画素×4画素の領域において、色成分となる緑色G、青色B、および赤色Rのそれぞれを1/4だけ欠損させて、白色Wを水平方向、垂直方向、および斜め方向に対して均一に分布させる構成としてもよい。
以上においては、白色Wを輝度主成分とし、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rを用いて、カラーコーディングする例について説明してきたが、白色Wに代えて緑色Gを輝度主成分とし、色成分の緑色Gに代えて赤外光IRを用いてカラーコーディングするようにしてもよい。
以上においては、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rの画素数比が、W:G:B:R=7:3:3:3の例であって、図12の配置例134乃至136で示されるように、4画素×4画素における領域で、色成分となる緑色G、青色B、および赤色Rを、それぞれ同一の位置関係となるように3画素ずつ配置すると共に、欠損画素を同一位置に1画素設定することにより、色成分のバランスを整える例について説明してきた。ところで、図12の場合、緑色G、青色B、および赤色Rにおける欠損画素の位置が水平方向、および垂直方向に対して同一の位置に存在する。そこで、緑色G、青色B、および赤色Rにおける欠損画素の位置を水平方向、および垂直方向に対して同一位置とならないようにすることで、分散性(ランダム性)を向上させるようにしてもよい。
以上においては、白色Wを輝度主成分とし、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rを用いて、カラーコーディングする例について説明してきたが、白色Wに代えて緑色Gを輝度主成分とし、緑色Gに代えて赤外光IRを色成分として用いてカラーコーディングするようにしてもよい。
図4を参照して説明した白色W、緑色G、青色B、および赤色Rの各画素数比がW:G:R:B=6:4:3:3である場合について説明した第1の実施の形態においては、緑色Gが全ての行列に存在していなかったため、水平方向、および垂直方向の空間周波数分布が、ナイキスト周波数の分布に対して3/4となっていた。そこで、図4の配置例を応用して、水平方向、および垂直方向に対して、全ての行列に緑色Gが存在するような構成とするようにしてもよい。
以上においては、白色Wを輝度主成分とし、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rを用いて、カラーコーディングする例について説明してきたが、白色Wに代えて緑色Gを輝度主成分とし、緑色Gに代えて赤外光IRを色成分として用いてカラーコーディングするようにしてもよい。
図16を参照して説明したカラーコーディングを応用し、赤色Rおよび青色Bの水平方向、および垂直方向における空間周波数分布を向上させ、緑色Gの斜め45°方向における分散性を向上させるようにしてもよい。
以上においては、白色Wを輝度主成分とし、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rを用いて、カラーコーディングする例について説明してきたが、白色Wに代えて緑色Gを輝度主成分とし、緑色Gに代えて赤外光IRを色成分として用いてカラーコーディングするようにしてもよい。
図18を参照して説明した第8の実施の形態のカラーコーティングにおいて、緑色Gの同一方向の連続画素数を2画素までにすることで、斜め45°方向に対する分散性を向上させるようにしてもよい。
以上においては、白色Wを輝度主成分とし、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rを用いて、カラーコーディングする例について説明してきたが、白色Wに代えて緑色Gを輝度主成分とし、緑色Gに代えて赤外光IRを色成分として用いてカラーコーディングするようにしてもよい。
白色W、緑色G、青色B、および赤色Rの各画素数比がW:G:R:B=6:4:3:3である場合における、ベイヤ配列の赤色R、緑色G、および青色Bの欠損画素位置に、全波長帯域を持つ白色Wを配置し、赤色R、緑色G、および青色Bにおける空間サンプリングを均等化するようにしてもよい。
以上においては、白色Wを輝度主成分とし、白色W、緑色G、青色B、および赤色Rを用いて、カラーコーディングする例について説明してきたが、白色Wに代えて緑色Gを輝度主成分とし、緑色Gに代えて赤外光IRを色成分として用いてカラーコーディングするようにしてもよい。
<画素加算について>
次に、図22を参照して、画素加算について説明する。
<SVE露光制御を用いた例>
次に、図25を参照して、SVE(Spatially Varying Exposure)露光制御を応用する例について説明する。
(1) 輝度を主成分とする光を検出する輝度画素と、
第1の波長の光を検出する第1の画素と、
第2の波長の光を検出する第2の画素と、
第3の波長の光を検出する第3の画素とを含み、
前記第1の画素、および前記第2の画素は、それぞれ前記第1の画素、および前記第2の画素の欠損位置を均等に取り囲むように配置される
固体撮像装置。
(2) 前記第1の画素、および前記第2の画素のそれぞれの欠損位置は、水平方向および垂直方向の両方、または、そのいずれかに等間隔に配置される
(1)に記載の固体撮像装置。
(3) 前記輝度画素は、前記輝度画素の欠損位置を均等に取り囲むように配置される
(1)に記載の固体撮像装置。
(4) 前記第3の画素はランダムに配置される
(1)に記載の固体撮像装置。
(5) 前記輝度画素、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素を、それぞれ6:4:3:3の画素数比となるように配置される
(1)に記載の固体撮像装置。
(6) 前記第3の画素は行および列のそれぞれにおいて同数となるように配置される
(5)に記載の固体撮像装置。
(7) 前記輝度画素、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素は、それぞれ7:3:3:3の画素数比となるように配置される
(1)に記載の固体撮像装置。
(8) 前記輝度画素、および第3の画素では、それぞれ斜め方向に隣接する画素間で画素値がアナログ加算されて転送され、前記第1の画素および前記第2の画素では、垂直方向に隣接する画素間で画素値がアナログ加算されて転送される
(1)に記載の固体撮像装置。
(9) 前記輝度画素、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素の画素値は、それぞれの画素の重心位置における相互の相関により画素値が算出される
(8)に記載の固体撮像装置。
(10) 前記輝度画素、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素は、それぞれ異なる複数の露光時間の画素を含む
(1)に記載の固体撮像装置。
(11) 前記輝度画素、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素は、それぞれ第1の露光時間、および第2の露光時間の画素を含む
(10)に記載の固体撮像装置。
(12) 輝度を主成分とする光を検出する輝度画素と、
第1の波長の光を検出する第1の画素と、
第2の波長の光を検出する第2の画素と、
第3の波長の光を検出する第3の画素とを含み、
前記第1の画素、および前記第2の画素は、それぞれ前記第1の画素、および前記第2の画素の欠損位置を均等に取り囲むように配置される
撮像装置。
(13) 輝度を主成分とする光を検出する輝度画素と、
第1の波長の光を検出する第1の画素と、
第2の波長の光を検出する第2の画素と、
第3の波長の光を検出する第3の画素とを含み、
前記第1の画素、および前記第2の画素は、それぞれ前記第1の画素、および前記第2の画素の欠損位置を均等に取り囲むように配置される
電子機器。
Claims (10)
- 輝度を主成分とする光を検出する輝度画素と、
第1の波長の光を検出する第1の画素と、
第2の波長の光を検出する第2の画素と、
第3の波長の光を検出する第3の画素とを含み、
前記第1の画素、および前記第2の画素は、それぞれ前記第1の画素、および前記第2の画素の欠損位置を均等に取り囲むように配置され、
前記第3の画素はランダムに配置され、
前記輝度画素、前記第3の画素、前記第1の画素、および前記第2の画素は、それぞれ6:4:3:3、または、7:3:3:3の画素数比となるように配置される
固体撮像装置。 - 前記第1の画素、および前記第2の画素のそれぞれの欠損位置は、水平方向および垂直方向の両方、または、そのいずれかに等間隔に配置される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記輝度画素は、前記輝度画素の欠損位置を均等に取り囲むように配置される
請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記輝度画素、前記第3の画素、前記第1の画素、および前記第2の画素が、それぞれ6:4:3:3の画素数比となるように配置される場合、前記第3の画素は、行および列のそれぞれにおいて同数となるように配置される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記輝度画素、および第3の画素では、それぞれ斜め方向に隣接する画素間で画素値がアナログ加算されて転送され、前記第1の画素および前記第2の画素では、垂直方向に隣接する画素間で画素値がアナログ加算されて転送される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記輝度画素、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素の画素値は、それぞれの画素の重心位置における相互の相関により画素値が算出される
請求項5に記載の固体撮像装置。 - 前記輝度画素、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素は、それぞれ異なる複数の露光時間の画素を含む
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記輝度画素、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素は、それぞれ第1の露光時間、および第2の露光時間の画素を含む
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 輝度を主成分とする光を検出する輝度画素と、
第1の波長の光を検出する第1の画素と、
第2の波長の光を検出する第2の画素と、
第3の波長の光を検出する第3の画素とを含み、
前記第1の画素、および前記第2の画素は、それぞれ前記第1の画素、および前記第2の画素の欠損位置を均等に取り囲むように配置され、
前記第3の画素はランダムに配置され、
前記輝度画素、前記第3の画素、前記第1の画素、および前記第2の画素は、それぞれ6:4:3:3、または、7:3:3:3の画素数比となるように配置される
撮像装置。 - 輝度を主成分とする光を検出する輝度画素と、
第1の波長の光を検出する第1の画素と、
第2の波長の光を検出する第2の画素と、
第3の波長の光を検出する第3の画素とを含み、
前記第1の画素、および前記第2の画素は、それぞれ前記第1の画素、および前記第2の画素の欠損位置を均等に取り囲むように配置され、
前記第3の画素はランダムに配置され、
前記輝度画素、前記第3の画素、前記第1の画素、および前記第2の画素は、それぞれ6:4:3:3、または、7:3:3:3の画素数比となるように配置される
電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013197871 | 2013-09-25 | ||
JP2013197871 | 2013-09-25 | ||
PCT/JP2014/074243 WO2015045913A1 (ja) | 2013-09-25 | 2014-09-12 | 固体撮像装置、撮像装置、および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015045913A1 JPWO2015045913A1 (ja) | 2017-03-09 |
JP6555530B2 true JP6555530B2 (ja) | 2019-08-07 |
Family
ID=52743055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015539111A Expired - Fee Related JP6555530B2 (ja) | 2013-09-25 | 2014-09-12 | 固体撮像装置、撮像装置、および電子機器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9883150B2 (ja) |
JP (1) | JP6555530B2 (ja) |
KR (1) | KR102255571B1 (ja) |
CN (1) | CN105556958B (ja) |
TW (1) | TWI690209B (ja) |
WO (1) | WO2015045913A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI644568B (zh) * | 2013-07-23 | 2018-12-11 | 新力股份有限公司 | 攝像元件、攝像方法及攝像程式 |
US9467632B1 (en) | 2015-07-13 | 2016-10-11 | Himax Imaging Limited | Dual exposure control circuit and associated method |
US9998695B2 (en) * | 2016-01-29 | 2018-06-12 | Ford Global Technologies, Llc | Automotive imaging system including an electronic image sensor having a sparse color filter array |
US11244478B2 (en) * | 2016-03-03 | 2022-02-08 | Sony Corporation | Medical image processing device, system, method, and program |
CN110114803B (zh) * | 2016-12-28 | 2023-06-27 | 松下电器(美国)知识产权公司 | 三维模型分发方法、三维模型接收方法、三维模型分发装置以及三维模型接收装置 |
CN107121853B (zh) * | 2017-06-21 | 2020-08-07 | 上海天马微电子有限公司 | 一种液晶显示面板和液晶显示装置 |
TWI661726B (zh) * | 2018-01-09 | 2019-06-01 | 呂官諭 | 加強影像辨識清晰的影像感測器及其應用 |
CN112331682A (zh) * | 2020-11-02 | 2021-02-05 | 天津津航技术物理研究所 | 一体式生长的马赛克式图像传感器结构和制备方法 |
CN116847211B (zh) * | 2023-06-13 | 2024-03-08 | 广州城建职业学院 | 一种颜色滤波阵列的插值方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006165975A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Konica Minolta Photo Imaging Inc | 撮像素子、撮像装置、画像処理方法 |
JP2007288294A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびカメラ |
US8059174B2 (en) * | 2006-05-31 | 2011-11-15 | Ess Technology, Inc. | CMOS imager system with interleaved readout for providing an image with increased dynamic range |
JP5106870B2 (ja) * | 2006-06-14 | 2012-12-26 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子 |
TWI422020B (zh) * | 2008-12-08 | 2014-01-01 | Sony Corp | 固態成像裝置 |
JP4626706B2 (ja) * | 2008-12-08 | 2011-02-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 |
JP4683121B2 (ja) * | 2008-12-08 | 2011-05-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 |
US8350940B2 (en) * | 2009-06-08 | 2013-01-08 | Aptina Imaging Corporation | Image sensors and color filter arrays for charge summing and interlaced readout modes |
JP5724185B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2015-05-27 | ソニー株式会社 | 画像処理装置、および画像処理方法、並びにプログラム |
JP2012257193A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-27 | Sony Corp | 画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラム |
US9137432B2 (en) * | 2011-09-16 | 2015-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Backside illumination image sensor, operating method thereof, image processing system and method of processing image using the same |
JP5212536B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 |
-
2014
- 2014-09-03 TW TW103130472A patent/TWI690209B/zh active
- 2014-09-12 JP JP2015539111A patent/JP6555530B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-09-12 CN CN201480051655.XA patent/CN105556958B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-09-12 US US14/913,505 patent/US9883150B2/en active Active
- 2014-09-12 WO PCT/JP2014/074243 patent/WO2015045913A1/ja active Application Filing
- 2014-09-12 KR KR1020167006943A patent/KR102255571B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015045913A1 (ja) | 2017-03-09 |
WO2015045913A1 (ja) | 2015-04-02 |
KR102255571B1 (ko) | 2021-05-25 |
KR20160058796A (ko) | 2016-05-25 |
CN105556958A (zh) | 2016-05-04 |
US9883150B2 (en) | 2018-01-30 |
TWI690209B (zh) | 2020-04-01 |
CN105556958B (zh) | 2018-11-06 |
US20160205359A1 (en) | 2016-07-14 |
TW201513664A (zh) | 2015-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6555530B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および電子機器 | |
JP5359465B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 | |
US9736447B2 (en) | Solid-state imaging device, method for processing signal of solid-state imaging device, and imaging apparatus | |
JP4683121B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 | |
JP4626706B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 | |
KR100660865B1 (ko) | 이미지 센서에서 공유된 배선/트랜지스터를 가지는 픽셀회로 및 구동 방법 | |
JP6180882B2 (ja) | 固体撮像装置、信号処理装置、および電子機器 | |
JP5884847B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 | |
JP5500193B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、撮像及び信号処理方法 | |
JP5212536B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 | |
JP5141757B2 (ja) | 撮像装置、撮像及び信号処理方法 | |
JP4446259B2 (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170825 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180925 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190425 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20190514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190626 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6555530 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |