JP6552229B2 - Coating treatment method, connection method, and joined body - Google Patents

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本発明は、端子上の酸化皮膜及び防錆皮膜の少なくともいずれかの皮膜を処理する皮膜処理方法、及び前記皮膜処理方法を用いた接続方法に関する。   The present invention relates to a film processing method for processing at least one of an oxide film and a rust preventive film on a terminal, and a connection method using the film processing method.

従来より、電子部品を基板と接続する手段として、導電性粒子が分散された熱硬化性樹脂を剥離フィルムに塗布したテープ状の接続材料(例えば、異方性導電フィルム(ACF;Anisotropic Conductive Film))が用いられている。   Conventionally, as a means for connecting an electronic component to a substrate, a tape-like connection material in which a thermosetting resin in which conductive particles are dispersed is applied to a release film (for example, anisotropic conductive film (ACF)) Is used.

この異方性導電フィルムは、例えば、COF(Chip on Film)とリジッド基板(例えば、PWB(Printed Wiring Board))との接続(FOB:Flex on Board)に用いられている。   This anisotropic conductive film is used, for example, for connection (FOB: Flex on Board) between a COF (Chip on Film) and a rigid substrate (for example, PWB (Printed Wiring Board)).

前記リジッド基板には、搭載されるICチップ、コンデンサ等の部品の半田付け性を向上させるために、プリフラックス(OSP:Organic Solderability Preservative)と呼ばれる防錆剤による防錆皮膜が形成されることがある。前記プリフラックスとしては、例えば、イミダゾール系プリフラックスなどが知られている。
しかし、端子上に前記防錆皮膜が形成された基板を、異方性導電フィルムを用いて、他の回路部材と接続させると、接続信頼性が低下するという問題がある。
In order to improve the solderability of components such as IC chips and capacitors to be mounted on the rigid substrate, a rust preventive film with a rust preventive agent called preflux (OSP: Organic Solderability Preservative) may be formed. is there. As the preflux, for example, imidazole preflux is known.
However, if the substrate on which the rust preventive film is formed on the terminal is connected to another circuit member using an anisotropic conductive film, there is a problem that connection reliability is lowered.

また、前記リジッド基板において端子に金メッキなどが施されていないと、端子表面が酸化し、酸化皮膜が形成される。
端子上に前記酸化皮膜が形成された基板も、異方性導電フィルムを用いて、他の回路部材と接続させると、接続信頼性が低下するという問題がある。
Further, if the terminal is not plated with gold or the like in the rigid substrate, the terminal surface is oxidized to form an oxide film.
When the substrate having the oxide film formed on the terminals is also connected to other circuit members using an anisotropic conductive film, there is a problem that connection reliability is lowered.

酸化皮膜を除去する方法としては、例えば、表面に酸化膜が生成した金属に、加熱された不活性ガスを噴射すると同時に、レーザー光を照射することによって、前記酸化膜を焼き飛ばす金属酸化膜の除去方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   As a method for removing the oxide film, for example, a metal oxide film that burns off the oxide film by injecting a heated inert gas onto the metal with the oxide film formed on the surface and simultaneously irradiating the laser beam. A removal method has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開2001−158985号公報JP 2001-158985 A

しかし、前述の提案の技術では、レーザー光の照射範囲については何ら言及がなく、前記金属以外の箇所にレーザー光が照射された場合の弊害について考慮されていない。   However, in the above-described proposed technology, no mention is made of the irradiation range of the laser light, and no consideration is given to the adverse effect when the laser light is irradiated to a place other than the metal.

本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、端子以外の箇所にレーザー光が照射された場合の弊害を防ぐことができる皮膜処理方法、及び前記皮膜処理方法を用いた接続方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems in the prior art and to achieve the following objects. That is, an object of the present invention is to provide a film processing method capable of preventing adverse effects when laser light is irradiated to a portion other than a terminal, and a connection method using the film processing method.

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 酸化皮膜及び防錆皮膜の少なくともいずれかの皮膜を表面に有する端子を有する回路部材の前記端子にのみレーザー光を照射して、前記皮膜を処理することを特徴とする皮膜処理方法である。
<2> 前記回路部材が、前記端子と接する異方性導電フィルムを介して他の回路部材と接続される回路部材である前記<1>に記載の皮膜処理方法である。
<3> 前記端子への前記レーザー光の照射が、前記端子の幅以下のスポット径を有するレーザー光を用いて行われる前記<1>から<2>のいずれかに記載の皮膜処理方法である。
<4> 前記端子への前記レーザー光の照射が、少なくとも1つの開口を有するレーザー光照射補助部材の前記開口を通過して行われる前記<1>から<2>のいずれかに記載の皮膜処理方法である。
<5> 前記開口が、前記端子における前記レーザー光の照射領域と同じ領域の開口である前記<4>に記載の皮膜処理方法である。
<6> 前記開口が、前記端子の幅未満の幅の開口である前記<4>に記載の皮膜処理方法である。
<7> 酸化皮膜及び防錆皮膜の少なくともいずれかの皮膜を表面に有する端子を有する第1の回路部材の前記端子と、第2の回路部材の端子とを接続させる接続方法であって、
前記第1の回路部材の前記端子にのみレーザー光を照射して、前記皮膜を処理する皮膜処理工程と、
前記第1の回路部材の前記端子上に、異方性導電フィルムを配置する第1の配置工程と、
前記異方性導電フィルム上に、前記第2の回路部材を配置する第2の配置工程と、
前記第2の回路部材を加熱押圧部材により加熱及び押圧する工程とを含む、
ことを特徴とする接続方法である。
<8> 前記第1の回路部材の前記端子への前記レーザー光の照射が、前記端子の幅以下のスポット径を有するレーザー光を用いて行われる前記<7>に記載の接続方法である。
<9> 前記第1の回路部材の前記端子への前記レーザー光の照射が、少なくとも1つの開口を有するレーザー光照射補助部材の前記開口を通過して行われる前記<7>から<8>のいずれかに記載の接続方法である。
<10> 前記開口が、前記端子における前記レーザー光の照射領域と同じ領域の開口である前記<9>に記載の接続方法である。
<11> 前記開口が、前記端子の幅未満の幅の開口である前記<9>に記載の接続方法である。
The means for solving the problems are as follows. That is,
A laser beam is irradiated only to the said terminal of the circuit member which has a terminal which has an at least one film | membrane of an oxide film and a rust preventive film on the surface, and the said film is processed, The film processing method characterized by the above-mentioned is there.
<2> The film treatment method according to <1>, wherein the circuit member is a circuit member connected to another circuit member via an anisotropic conductive film in contact with the terminal.
<3> The film treatment method according to any one of <1> to <2>, wherein the irradiation of the laser beam onto the terminal is performed using a laser beam having a spot diameter equal to or less than a width of the terminal. .
<4> The film treatment according to any one of <1> to <2>, wherein the irradiation of the laser beam to the terminal is performed by passing through the opening of the laser beam irradiation auxiliary member having at least one opening. Is the method.
<5> The film processing method according to <4>, wherein the opening is an opening in the same area as the irradiation area of the laser light in the terminal.
<6> The film processing method according to <4>, wherein the opening is an opening having a width less than a width of the terminal.
<7> A connection method for connecting the terminal of a first circuit member having a terminal having a film of at least one of an oxide film and an antirust film on the surface and a terminal of a second circuit member,
A film treatment step of treating the film by irradiating only the terminal of the first circuit member with a laser beam;
A first disposing step of disposing an anisotropic conductive film on the terminal of the first circuit member;
A second disposing step of disposing the second circuit member on the anisotropic conductive film;
Heating and pressing the second circuit member with a heating pressing member,
It is the connection method characterized by this.
<8> The connection method according to <7>, wherein the irradiation of the laser beam to the terminal of the first circuit member is performed using a laser beam having a spot diameter equal to or smaller than the width of the terminal.
<9> The above <7> to <8>, wherein the laser light irradiation to the terminal of the first circuit member is performed through the opening of the laser light irradiation auxiliary member having at least one opening. Any one of the connection methods.
<10> The connection method according to <9>, wherein the opening is an opening in the same area as the irradiation area of the laser light in the terminal.
<11> The connection method according to <9>, wherein the opening is an opening having a width smaller than the width of the terminal.

本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、端子以外の箇所にレーザー光が照射された場合の弊害を防ぐことができる皮膜処理方法、及び前記皮膜処理方法を用いた接続方法を提供することができる。   According to the present invention, the above-mentioned problems in the prior art can be solved, the above-mentioned object can be achieved, and a coating treatment method that can prevent adverse effects when laser light is irradiated to a portion other than the terminal, and the coating It is possible to provide a connection method using the processing method.

図1Aは、本発明の皮膜処理方法の一態様を説明するための概略上面図である。FIG. 1A is a schematic top view for explaining one aspect of the film processing method of the present invention. 図1Bは、図1AのA−A断面図である。FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1A. 図1Cは、本発明の皮膜処理方法の一態様を説明するための概略断面図である。FIG. 1C is a schematic cross-sectional view for explaining one aspect of the film processing method of the present invention. 図1Dは、本発明の皮膜処理方法の一態様を説明するための概略断面図(拡大図)である。FIG. 1D is a schematic cross-sectional view (enlarged view) for explaining one aspect of the film processing method of the present invention. 図1Eは、本発明の皮膜処理方法の一態様を説明するための概略上面図である。FIG. 1E is a schematic top view for explaining one aspect of the film processing method of the present invention. 図1Fは、図1EのA−A断面図である。FIG. 1F is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1E. 図2Aは、本発明の皮膜処理方法の他の一態様を説明するための概略上面図である。FIG. 2A is a schematic top view for explaining another aspect of the film processing method of the present invention. 図2Bは、図2AのA−A断面図である。FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2A. 図2Cは、本発明の皮膜処理方法の他の一態様を説明するための概略上面図である。FIG. 2C is a schematic top view for explaining another aspect of the film processing method of the present invention. 図2Dは、図2CのA−A断面図である。FIG. 2D is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 2C. 図2Eは、本発明の皮膜処理方法の他の一態様を説明するための概略上面図である。FIG. 2E is a schematic top view for explaining another aspect of the film processing method of the present invention. 図2Fは、図2EのA−A断面図である。FIG. 2F is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2E. 図3は、レーザー光照射補助部材の一例を説明するための概略上面図である。FIG. 3 is a schematic top view for explaining an example of the laser beam irradiation assisting member. 図4Aは、本発明の皮膜処理方法の他の一態様を説明するための概略上面図である。FIG. 4A is a schematic top view for explaining another aspect of the film processing method of the present invention. 図4Bは、図4AのA−A断面図である。FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 4A. 図4Cは、本発明の皮膜処理方法の他の一態様を説明するための概略上面図である。FIG. 4C is a schematic top view for explaining another aspect of the film processing method of the present invention. 図4Dは、図4CのA−A断面図である。FIG. 4D is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 4C. 図4Eは、本発明の皮膜処理方法の他の一態様を説明するための概略上面図である。FIG. 4E is a schematic top view for explaining another aspect of the film processing method of the present invention. 図4Fは、図4EのA−A断面図である。FIG. 4F is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 4E. 図5は、レーザー光照射補助部材の一例を説明するための概略上面図である。FIG. 5 is a schematic top view for explaining an example of the laser beam irradiation assisting member. 図6は、レーザー光照射補助部材の一例を説明するための概略上面図である。FIG. 6 is a schematic top view for explaining an example of the laser beam irradiation assisting member. 図7Aは、レーザー光照射補助部材の一例を説明するための概略上面図である。FIG. 7A is a schematic top view for explaining an example of a laser beam irradiation assisting member. 図7Bは、図7AのA−A断面図である。FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 7A.

(皮膜処理方法)
本発明の皮膜処理方法は、酸化皮膜及び防錆皮膜の少なくともいずれかの皮膜を表面に有する端子を有する回路部材の前記端子にのみレーザー光を照射して、前記皮膜を処理する方法である。
(Film treatment method)
The film treatment method of the present invention is a method of treating the film by irradiating a laser beam only to the terminal of the circuit member having a terminal having an oxide film and / or an anticorrosive film on the surface.

端子表面の酸化皮膜及び防錆皮膜は、電気的な接続に影響を与える。特に、異方性導電フィルムを用いて、酸化皮膜又は防錆皮膜を表面に有する端子と、他の回路部材の端子とを接続する場合には、接続信頼性の低下が生じる。
そこで、本発明者は、端子表面の酸化皮膜又は防錆皮膜を、レーザー光を照射して処理することを検討した。その際、レーザー光が前記端子以外の前記回路部材に照射されると弊害が生じることを知見した。例えば、前記端子間に露出した基板にレーザー光が照射されると、前記基板が損傷し、前記基板の材質が粉塵として飛散する。例えば、前記基板がガラスエポキシ基板の場合には、ガラス繊維が飛散する。そのまま接続を行うと、飛散物による接続不良を生じるため、前記飛散物を除去する洗浄等が必要になる。
そこで、本発明者は、更に検討を行った結果、前記端子にはレーザー光を照射するが、前記端子以外の前記回路部材の部材には前記レーザー光を照射しないようにすることで、前記回路部材の前記端子以外の部材が損傷を防止し、端子以外の箇所にレーザー光が照射された場合の弊害を防ぐことができることを見出し、本発明の完成に至った。
The oxide film and rust preventive film on the terminal surface affect the electrical connection. In particular, when an anisotropic conductive film is used to connect a terminal having an oxide film or a rust preventive film on the surface and a terminal of another circuit member, connection reliability is lowered.
Then, this inventor examined having irradiated the laser beam and processed the oxide film or rust preventive film of the terminal surface. At that time, it was found that when the circuit member other than the terminal was irradiated with the laser light, an adverse effect occurred. For example, when the substrate exposed between the terminals is irradiated with laser light, the substrate is damaged, and the material of the substrate is scattered as dust. For example, when the substrate is a glass epoxy substrate, glass fibers are scattered. If the connection is made as it is, a connection failure due to the scattered matter occurs, so that cleaning for removing the scattered matter is required.
Therefore, as a result of further examination, the present inventor irradiates the circuit with the laser beam by irradiating the circuit member other than the terminal with the laser beam, although the terminal is irradiated with the laser beam. The inventors have found that it is possible to prevent damage to members other than the terminals of the members and to prevent adverse effects when laser light is irradiated to locations other than the terminals, and to complete the present invention.

<回路部材>
前記回路部材としては、端子を有する回路部材であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、端子を有するプラスチック基板、Flex−on−Board(フレックスオンボード、FOB)、Flex−on−Flex(フレックスオンフレックス、FOF)などが挙げられる。
<Circuit member>
The circuit member is not particularly limited as long as it is a circuit member having a terminal, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, a plastic substrate having a terminal, Flex-on-Board (flex on board, FOB And Flex-on-Flex (FOF).

前記回路部材は、異方性導電フィルムを用いた異方性導電接続の対象となる回路部材であることが好ましい。
即ち、前記回路部材が、前記端子と接する異方性導電フィルムを介して他の回路部材と接続される回路部材であることが好ましい。
The circuit member is preferably a circuit member to be subjected to anisotropic conductive connection using an anisotropic conductive film.
That is, it is preferable that the said circuit member is a circuit member connected with another circuit member via the anisotropic conductive film which contact | connects the said terminal.

前記端子の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Cu、Auにてめっきを施したCu、Ni及びAuにてめっきを施したCu、Snにてめっきを施したCuなどが挙げられる。   The material of the terminal is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, Cu, Ni plated with Cu, Au, and Cu, Sn plated with Au are used. The plated Cu may, for example, be mentioned.

前記端子を有するプラスチック基板の材質、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、端子を有するリジット基板、端子を有するフレキシブル基板などが挙げられる。前記端子を有するリジット基板としては、例えば、銅配線を有するガラスエポキシ基板などが挙げられる。前記端子を有するフレキシブル基板としては、例えば、銅配線を有するポリイミド基板などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a material and structure of the plastic substrate which has the said terminal, According to the objective, it can select suitably, For example, the rigid board | substrate which has a terminal, the flexible substrate which has a terminal, etc. are mentioned. As a rigid board | substrate which has the said terminal, the glass epoxy board | substrate etc. which have a copper wiring are mentioned, for example. Examples of the flexible substrate having the terminal include a polyimide substrate having a copper wiring.

前記端子の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、矩形などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a shape of the said terminal, According to the objective, it can select suitably, For example, a rectangle etc. are mentioned.

<<酸化皮膜>>
前記酸化皮膜としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記端子の表面が自然に酸化した酸化皮膜などが挙げられる。
前記酸化皮膜は、前記端子全面を被覆していてもよいし、一部を被覆していてもよい。
<< Oxide film >>
There is no restriction | limiting in particular as said oxide film, According to the objective, it can select suitably, For example, the oxide film etc. which the surface of the said terminal oxidized naturally are mentioned.
The oxide film may cover the entire surface of the terminal or may partially cover it.

<<防錆皮膜>>
前記防錆皮膜は、例えば、防錆剤による防錆処理により形成される。
<< Rust prevention film >>
The said rust preventive film is formed by the rust prevention process by a rust preventive agent, for example.

前記防錆剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記防錆剤は、一般的に、プリフラックス又はOSP(Organic Solderability Preservative)と称されている。
前記防錆剤は、例えば、イミダゾール化合物と、銅イオンと、有機酸とを少なくとも含有する。前記イミダゾール化合物としては、例えば、ベンゾイミダゾールなどが挙げられる。前記ベンゾイミダゾールは置換基を有していてもよい。
There is no restriction | limiting in particular as said rust preventive agent, According to the objective, it can select suitably. The antirust agent is generally called preflux or OSP (Organic Solderability Preservative).
The rust inhibitor contains, for example, at least an imidazole compound, copper ions, and an organic acid. Examples of the imidazole compound include benzimidazole. The benzimidazole may have a substituent.

前記防錆処理の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、処理される回路部材を、前記防錆剤、又は前記防錆剤を希釈して得られる水溶液に浸漬する方法などが挙げられる。
前記防錆処理を行うことで、回路部材上の端子、及び回路部分が保護される。
There is no restriction | limiting in particular as the method of the said rust prevention process, According to the objective, it can select suitably, For example, the circuit member processed is obtained by diluting the said rust inhibitor or the said rust inhibitor. Examples include a method of immersing in an aqueous solution.
By performing the antirust treatment, the terminals on the circuit member and the circuit portion are protected.

前記防錆皮膜の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said rustproof film, According to the objective, it can select suitably.

前記防錆皮膜は、前記端子全面を被覆していてもよいし、一部を被覆していてもよい。   The anticorrosion coating may cover the entire surface of the terminal or may partially cover it.

前記端子上に前記皮膜(前記酸化皮膜及び前記防錆皮膜の少なくともいずれかの皮膜)が形成されていることは、例えば、以下の方法により確認できる。
防錆皮膜が形成された端子の前記防錆皮膜上に、表面保護のためのカーボン層を形成する。
続いて、集束イオンビーム(FIB,Focused Ion Beam)を前記端子に照射し、前記端子の一部を掘る。
掘られた前記端子の箇所を、少し傾けて、構造化照明顕微鏡法(SIM,Structured illumination microscopy)を用いて観察することで、前記防錆皮膜の存在、及び厚みを確認できる。
It can be confirmed, for example, by the following method that the film (at least one of the oxide film and the rust preventive film) is formed on the terminal.
A carbon layer for surface protection is formed on the rustproof film of the terminal on which the rustproof film is formed.
Subsequently, a focused ion beam (FIB, Focused Ion Beam) is irradiated to the terminal, and a part of the terminal is dug.
The presence and thickness of the anticorrosive film can be confirmed by tilting the excavated portion of the terminal a little and observing it using structured illumination microscopy (SIM).

前記レーザー光の波長としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。   There is no restriction | limiting in particular as a wavelength of the said laser beam, According to the objective, it can select suitably.

前記レーザー光の照射に用いるレーザーとしては、例えば、半導体レーザー(AlGaAs、InGaAsP、GaN系等)、Nd:YAGレーザー、エキシマレーザー(ArF、KrF、XeCl等)、色素レーザー、固体レーザー(ルビーレーザー等)、気体レーザー(He−Ne、He−Xe、He−Cd、CO、Ar等)などが挙げられる。これらの中でも、エネルギー効率の点でCOレーザーが好ましい。 Examples of the laser used for the irradiation of the laser light include semiconductor lasers (AlGaAs, InGaAsP, GaN etc.), Nd: YAG lasers, excimer lasers (ArF, KrF, XeCl etc.), dye lasers, solid state lasers (ruby laser etc.) ), Gas laser (He—Ne, He—Xe, He—Cd, CO 2 , Ar, etc.) and the like. Among these, a CO 2 laser is preferable in terms of energy efficiency.

前記レーザー光の照射強度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。   There is no restriction | limiting in particular as irradiation intensity of the said laser beam, According to the objective, it can select suitably.

前記レーザー光の照射時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。   There is no restriction | limiting in particular as irradiation time of the said laser beam, According to the objective, it can select suitably.

前記端子への前記レーザー光の照射は、前記端子の幅以下のスポット径を有するレーザー光を用いて行われることが好ましい。
ここで、前記スポット径とは、レーザー光を焦点距離だけ離れた照射対象物に照射した際の前記照射対象物表面におけるレーザー光の直径であり、例えば、前記照射対象物の損傷跡の大きさから測定することができる。
The irradiation of the laser beam to the terminal is preferably performed using a laser beam having a spot diameter equal to or smaller than the width of the terminal.
Here, the spot diameter is the diameter of the laser beam on the surface of the irradiation object when the laser object is irradiated on the irradiation object separated by the focal distance, and for example, the size of the damage mark of the irradiation object Can be measured from

また、前記端子への前記レーザー光の照射は、少なくとも1つの開口を有するレーザー光照射補助部材の前記開口を通過して行われることが好ましい。
更に、前記開口は、前記端子における前記レーザー光の照射領域と同じ領域の開口であることが好ましい。または、前記開口は、前記端子の幅未満の幅の開口であることが好ましい。
前記開口の幅とは、前記開口が円形の場合には、直径であり、前記開口が円形以外の形状の場合には、前記レーザー光照射補助部材を前記端子上に配置した際の前記端子の幅方向における前記開口の幅である。
Further, it is preferable that the irradiation of the laser beam to the terminal is performed through the opening of the laser beam irradiation auxiliary member having at least one opening.
Furthermore, it is preferable that the opening is an opening of the same area as the irradiation area of the laser light in the terminal. Alternatively, the opening is preferably an opening having a width less than the width of the terminal.
The width of the opening is the diameter when the opening is circular, and when the opening is a shape other than circular, the terminal of the terminal when the laser beam irradiation auxiliary member is disposed on the terminal It is the width of the opening in the width direction.

ここで、本発明の皮膜処理方法の一態様について図を用いて説明する。   Here, one aspect of the film processing method of the present invention will be described with reference to the drawings.

<第1の態様>
第1の態様は、前記端子への前記レーザー光の照射が、前記端子の幅以下のスポット径を有するレーザー光を用いて行われる態様である。
<First aspect>
A 1st aspect is an aspect by which irradiation of the said laser beam to the said terminal is performed using the laser beam which has a spot diameter below the width | variety of the said terminal.

まず、図1A及び図1Bに示すような回路部材1を用意する。回路部材1は、基板1Aと、基板1A上に端子1Bとを有する。端子1B上には、防錆皮膜1Cが形成されている。端子1Bは、配線1Dと接続されている。端子1Bの形状は矩形である。   First, a circuit member 1 as shown in FIGS. 1A and 1B is prepared. The circuit member 1 has a substrate 1A and a terminal 1B on the substrate 1A. An anticorrosive film 1C is formed on the terminal 1B. The terminal 1B is connected to the wiring 1D. The shape of the terminal 1B is rectangular.

次に、レーザー光照射装置10を用いて、レーザー光を端子1B全面に照射する。その際、基板1Aにはレーザー光が照射されないようにする。ここで、レーザー光のスポット径Sは、図1C及び図1Dに示すように、端子1Bの幅以下であるので、端子1Bの全体にレーザー光を照射しても、基板1Aにはレーザー光が照射されないように調整することができる。
前記スポット径は、前記端子の幅の1/2以下であることが好ましく、1/2〜1/3であることがより好ましい。前記スポット径が小さすぎるとレーザー光を走査させる時間が長くなる。
Next, the laser light irradiation apparatus 10 is used to irradiate the entire surface of the terminal 1B with laser light. At this time, the substrate 1A is not irradiated with the laser beam. Here, since the spot diameter S of the laser beam is equal to or less than the width of the terminal 1B as shown in FIGS. 1C and 1D, even if the entire terminal 1B is irradiated with the laser beam, the laser beam is transmitted to the substrate 1A. It can adjust so that it may not be irradiated.
The spot diameter is preferably 1/2 or less of the width of the terminal, and more preferably 1/2 to 1/3. When the spot diameter is too small, the time for scanning the laser beam becomes long.

前記レーザー光の照射は、レーザー光照射装置10を移動させて行ってもよいし、回路部材1を移動させて行ってもよい。
前記レーザー光の照射は、前記端子の長手方向に対して走査させて行うことが好ましい。そうすることで、直線を走査させる回数が少なくなり、走査時間を短くすることができる。
The irradiation of the laser beam may be performed by moving the laser beam irradiation device 10 or may be performed by moving the circuit member 1.
The laser light irradiation is preferably performed by scanning the longitudinal direction of the terminal. By doing so, the number of times the straight line is scanned can be reduced, and the scanning time can be shortened.

以上の工程により、端子1B上の防錆皮膜1Cを除去でき、図1E及び図1Fに示すように、端子1Bの表面が露出する。   Through the above steps, the rust preventive film 1C on the terminal 1B can be removed, and the surface of the terminal 1B is exposed as shown in FIGS. 1E and 1F.

前記第1の態様では、レーザー光のスポット径が端子の幅以下であるために、後述する第2の態様及び第3の態様で使用するような補助部材を要せずに、前記端子にレーザー光を照射した際に、前記端子以外の前記回路部材の部材に前記レーザー光が照射されるのを防ぐことができる。   In the first aspect, since the spot diameter of the laser beam is equal to or less than the width of the terminal, the laser is applied to the terminal without requiring an auxiliary member as used in the second aspect and the third aspect described later. When light is irradiated, it is possible to prevent the laser light from being irradiated to the members of the circuit member other than the terminals.

<第2の態様>
第2の態様は、前記端子への前記レーザー光の照射が、少なくとも1つの開口を有するレーザー光照射補助部材の前記開口を通過して行われる態様であって、かつ前記開口が、前記端子における前記レーザー光の照射領域と同じ領域の開口である態様である。
<Second aspect>
The second aspect is an aspect in which the laser light irradiation to the terminal is performed through the opening of the laser light irradiation auxiliary member having at least one opening, and the opening is in the terminal. It is an aspect which is an opening of the same field as an irradiation field of the laser beam.

まず、図2A及び図2Bに示すような回路部材1を用意する。回路部材1は、基板1Aと、基板1A上に端子1Bとを有する。端子1B上には、防錆皮膜1Cが形成されている。端子1Bは、配線1Dと接続されている。端子1Bの形状は矩形である。   First, a circuit member 1 as shown in FIGS. 2A and 2B is prepared. The circuit member 1 has a substrate 1A and a terminal 1B on the substrate 1A. An anticorrosive film 1C is formed on the terminal 1B. The terminal 1B is connected to the wiring 1D. The shape of the terminal 1B is rectangular.

次に、レーザー光照射装置10を用いて、レーザー光を端子1B全面に照射する。この際、レーザー光は、基板1Aに対して垂直方向から照射される。また、図2C及び図2Dに示すように、基板1Aにはレーザー光が照射されないようにする。ここで、基板1Aにレーザー光が照射されないようにするため、端子と同形状の開口を有するレーザー光照射補助部材5Aを用い、前記開口を通過してレーザー光が端子1Bに照射されるようにする。そして、レーザー光の照射方向において、前記開口と、端子1Bとは、それらの形状が重なるように配置される。なお、図2D中の破線は、レーザー光の外縁を示している。   Next, the laser light irradiation apparatus 10 is used to irradiate the entire surface of the terminal 1B with laser light. At this time, the laser light is irradiated from a direction perpendicular to the substrate 1A. Further, as shown in FIGS. 2C and 2D, the substrate 1A is prevented from being irradiated with the laser light. Here, in order to prevent the substrate 1A from being irradiated with laser light, the laser light irradiation auxiliary member 5A having an opening having the same shape as the terminal is used so that the laser light is irradiated to the terminal 1B through the opening. To do. And in the irradiation direction of a laser beam, the said opening and terminal 1B are arrange | positioned so that those shapes may overlap. 2D indicates the outer edge of the laser beam.

レーザー光照射補助部材5Aの材質としては、前記レーザー光を透過しない部材であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a material of the laser beam irradiation assistance member 5A, if it is a member which does not permeate | transmit the said laser beam, According to the objective, it can select suitably, For example, a metal etc. are mentioned.

前記レーザー光の照射は、レーザー光照射装置10を移動させて行ってもよいし、回路部材1を移動させて行ってもよい。
レーザー光照射装置10を移動させる際には、レーザー光が照射されている間は、回路部材1、及びレーザー光照射補助部材5Aは共に固定する(移動しない)。
回路部材1を移動させる際には、レーザー光照射補助部材5Aも同時に同方向に移動させる。即ち、回路部材1とレーザー光照射補助部材5Aとは相対的に固定する。
前記レーザー光の照射は、前記端子の長手方向に対して走査させて行うことが好ましい。そうすることで、直線を走査させる回数が少なくなり、走査時間を短くすることができる。
The irradiation of the laser beam may be performed by moving the laser beam irradiation device 10 or may be performed by moving the circuit member 1.
When moving the laser beam irradiation apparatus 10, the circuit member 1 and the laser beam irradiation auxiliary member 5A are both fixed (not moved) while the laser beam is being irradiated.
When moving the circuit member 1, the laser beam irradiation auxiliary member 5A is also moved in the same direction at the same time. That is, the circuit member 1 and the laser beam irradiation auxiliary member 5A are relatively fixed.
The laser light irradiation is preferably performed by scanning the longitudinal direction of the terminal. By doing so, the number of times the straight line is scanned can be reduced, and the scanning time can be shortened.

以上の工程により、端子1B上の防錆皮膜1Cを除去でき、図2E及び図2Fに示すように、端子1Bの表面が露出する。   Through the above steps, the rust preventive film 1C on the terminal 1B can be removed, and the surface of the terminal 1B is exposed as shown in FIGS. 2E and 2F.

前記第2の態様では、レーザー光照射補助部材5Aを用いるため、レーザー光のスポット径が端子1Bの幅より大きくても、レーザー光が端子1B以外の回路部材1の部材に照射されないため、前記部材が損傷するのを防ぐことができる。
そのため、この態様は、端子の幅が狭い場合(例えば、端子の幅が50μm〜150μm)、端子のピッチが狭い場合〔例えば、ライン&スペース(L/S)が、50μm〜150μm/50μm〜150μm〕に特に有効である。
In the second aspect, since the laser beam irradiation assisting member 5A is used, even if the spot diameter of the laser beam is larger than the width of the terminal 1B, the laser beam is not irradiated to the members of the circuit member 1 other than the terminal 1B. It is possible to prevent the members from being damaged.
Therefore, in this aspect, when the terminal width is narrow (for example, the terminal width is 50 μm to 150 μm), when the terminal pitch is narrow [for example, the line and space (L / S) is 50 μm to 150 μm / 50 μm to 150 μm. ] Is particularly effective.

なお、前記第2の態様で用いるレーザー光照射補助部材は、図2Cに示すものに限らない。例えば、図3に示すようなものでもよい。即ち、図3に示すように、レーザー光照射補助部材5Bは、複数の端子1Bの位置に対応して複数の開口を有していてもよい。レーザー光照射補助部材5Bのように、複数の端子1Bの位置に対応して複数の開口を有することにより、レーザー光照射補助部材5Bを移動させる回数を減らすことができる。そのため、レーザー光照射補助部材が、複数の端子の位置に対応して複数の開口を有することは、レーザー光照射の精度の向上、及び皮膜処理方法を実施する時間の短縮の点で有利である。   In addition, the laser beam irradiation assistance member used by the said 2nd aspect is not restricted to what is shown to FIG. 2C. For example, it may be as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 3, the laser beam irradiation auxiliary member 5B may have a plurality of openings corresponding to the positions of the plurality of terminals 1B. By providing a plurality of openings corresponding to the positions of the plurality of terminals 1B as the laser beam irradiation assisting member 5B, the number of times of moving the laser beam irradiation assisting member 5B can be reduced. Therefore, it is advantageous that the laser beam irradiation assisting member has a plurality of openings corresponding to the positions of the plurality of terminals in terms of improving the accuracy of laser beam irradiation and shortening the time for carrying out the film processing method. .

<第3の態様>
第3の態様は、前記端子への前記レーザー光の照射が、少なくとも1つの開口を有するレーザー光照射補助部材の前記開口を通過して行われる態様であって、前記開口が、前記端子の幅未満の幅の開口である態様である。
<Third Aspect>
A third aspect is an aspect in which the laser light irradiation to the terminal is performed through the opening of the laser light irradiation auxiliary member having at least one opening, and the opening has a width of the terminal. This is an embodiment in which the opening is less than a width.

まず、図4A及び図4Bに示すような回路部材1を用意する。回路部材1は、基板1Aと、基板1A上に端子1Bとを有する。端子1B上には、防錆皮膜1Cが形成されている。端子1Bは、配線1Dと接続されている。端子1Bの形状は矩形である。   First, a circuit member 1 as shown in FIGS. 4A and 4B is prepared. The circuit member 1 has a substrate 1A and a terminal 1B on the substrate 1A. An anticorrosive film 1C is formed on the terminal 1B. The terminal 1B is connected to the wiring 1D. The shape of the terminal 1B is rectangular.

次に、レーザー光照射装置10を用いて、レーザー光を端子1B全面に照射する。この際、レーザー光は、基板1Aに対して垂直方向から照射される。また、図4C及び図4Dに示すように、基板1Aにはレーザー光が照射されないようにする。ここで、基板1Aにレーザー光が照射されないようにするため、端子1Bの幅の1/2の直径の円形の開口を有するレーザー光照射補助部材5Cを用い、前記開口を通過してレーザー光が端子1Bに照射されるようにする。なお、図4D中の破線は、レーザー光の外縁を示している。   Next, using the laser beam irradiation device 10, the entire surface of the terminal 1B is irradiated with laser light. At this time, the laser light is irradiated from the direction perpendicular to the substrate 1A. Further, as shown in FIGS. 4C and 4D, the substrate 1A is prevented from being irradiated with the laser light. Here, in order to prevent the substrate 1A from being irradiated with the laser beam, the laser beam irradiation assisting member 5C having a circular opening having a diameter of 1/2 of the width of the terminal 1B is used. The terminal 1B is irradiated. The broken line in FIG. 4D indicates the outer edge of the laser beam.

前記レーザー光の照射は、レーザー光照射装置10を移動させて行ってもよいし、回路部材1を移動させて行ってもよい。
レーザー光照射装置10を移動させる際には、レーザー光照射補助部材5Cも同時に同方向に移動させる。即ち、レーザー光照射装置10とレーザー光照射補助部材5Cとは相対的に固定する。
回路部材1を移動させる際には、レーザー光照射装置10と、レーザー光照射補助部材5Cとは固定する。
前記レーザー光の照射は、前記端子の長手方向に対して走査させて行うことが好ましい。そうすることで、直線を走査させる回数が少なくなり、走査時間を短くすることができる。
The irradiation of the laser beam may be performed by moving the laser beam irradiation device 10 or may be performed by moving the circuit member 1.
When moving the laser beam irradiation apparatus 10, the laser beam irradiation auxiliary member 5C is also moved in the same direction at the same time. That is, the laser beam irradiation device 10 and the laser beam irradiation auxiliary member 5C are relatively fixed.
When the circuit member 1 is moved, the laser light irradiation device 10 and the laser light irradiation auxiliary member 5C are fixed.
The laser light irradiation is preferably performed by scanning the longitudinal direction of the terminal. By doing so, the number of times of scanning the straight line is reduced, and the scanning time can be shortened.

以上の工程により、端子1B上の防錆皮膜1Cを除去でき、図4E及び図4Fに示すように、端子1Bの表面が露出する。   Through the above steps, the rust preventive film 1C on the terminal 1B can be removed, and the surface of the terminal 1B is exposed as shown in FIGS. 4E and 4F.

前記レーザー光照射補助部材は、上記の態様に限定されず、図5に示すレーザー光照射補助部材5Dのように、端子1Bの長手方向において開いている(開端を有する)状態であってもよい。また、図6に示すレーザー光照射補助部材5Eのように、端子1Bの長手方向において、端子の長手方向の長さよりも長い開口を有するレーザー光照射補助部材であってもよい。また、図7A及び図7Bに示すレーザー光照射補助部材5Fのような開口を有するレーザー光照射補助部材であってもよい。   The laser beam irradiation assisting member is not limited to the above-described mode, and may be in an open state (having an open end) in the longitudinal direction of the terminal 1B as in the laser beam irradiation assisting member 5D shown in FIG. . Further, as in the laser beam irradiation assisting member 5E shown in FIG. 6, it may be a laser beam irradiation assisting member having an opening longer than the length in the longitudinal direction of the terminal 1B in the longitudinal direction. Further, it may be a laser light irradiation auxiliary member having an opening like the laser light irradiation auxiliary member 5F shown in FIGS. 7A and 7B.

本発明の前記皮膜処理方法においては、前記端子上の前記酸化皮膜又は前記防錆皮膜は、ある程度薄くすることができれば、完全に除去されなくてもよい。例えば、本発明の前記皮膜処理方法の後に、前記端子上に前記酸化皮膜又は前記防錆皮膜が残存していても、前記酸化皮膜又は前記防錆皮膜が残存していることによる弊害(例えば、異方性導電フィルムを用いた接続における接続信頼性の低下)が生じない程度の残存であれば、許容される。   In the film treatment method of the present invention, the oxide film or the rustproof film on the terminal may not be completely removed if it can be made thin to some extent. For example, after the film treatment method of the present invention, even if the oxide film or the rust preventive film remains on the terminal, a negative effect due to the oxide film or the rust preventive film remaining (for example, It is acceptable if it is a level that does not cause a decrease in connection reliability in connection using an anisotropic conductive film.

本発明の皮膜処理方法により処理された後の前記端子上の前記皮膜の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.4μm以下が好ましく、0.3μm以下がより好ましい。言い換えれば、前記皮膜処理方法は、前記レーザー光を前記端子に照射して、前記端子上の前記皮膜の平均厚みを0.4μm以下にすることが好ましく、0.3μm以下にすることがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as an average thickness of the said film | membrane on the said terminal after processed by the film | membrane processing method of this invention, Although it can select suitably according to the objective, 0.4 micrometer or less is preferable, 0.. 3 micrometers or less are more preferable. In other words, in the film processing method, the terminal is irradiated with the laser beam to make the average thickness of the film on the terminal preferably 0.4 μm or less, more preferably 0.3 μm or less .

(接続方法)
本発明の接続方法は、皮膜処理工程と、第1の配置工程と、第2の配置工程と、加熱押圧工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
前記接続方法は、第1の回路部材の端子と、第2の回路部材の端子とを接続させる接続方法である。
(Connection method)
The connection method of the present invention includes at least a film treatment process, a first arrangement process, a second arrangement process, and a heating and pressing process, and further includes other processes as necessary.
The connection method is a connection method for connecting the terminal of the first circuit member and the terminal of the second circuit member.

<皮膜処理工程>
前記皮膜処理工程としては、前記第1の回路部材の前記端子にのみレーザー光を照射して、皮膜を処理する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、本発明の前記皮膜処理方法が挙げられる。好ましい態様も同様である。
<Film treatment process>
There is no particular limitation on the film treatment process, as long as the film treatment process is performed by irradiating the laser light only to the terminal of the first circuit member, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, the film treatment method of the present invention can be mentioned. The preferred embodiment is also the same.

前記第1の回路部材における前記端子は、酸化皮膜及び防錆皮膜の少なくともいずれかの皮膜を表面に有する。   The terminal in the first circuit member has a film of at least one of an oxide film and an anticorrosion film on the surface.

<<第1の回路部材>>
前記第1の回路部材としては、例えば、本発明の前記皮膜処理方法において例示した前記回路部材が挙げられる。
<< first circuit member >>
As said 1st circuit member, the said circuit member illustrated in the said film processing method of this invention is mentioned, for example.

<<第2の回路部材>>
前記第2の回路部材としては、端子を有し、前記異方性導電フィルムを用いた異方性導電接続の対象となる回路部材であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、端子を有するプラスチック基板、Flex−on−Board(フレックスオンボード、FOB)、Flex−on−Flex(フレックスオンフレックス、FOF)などが挙げられる。
<< second circuit member >>
The second circuit member is not particularly limited as long as it is a circuit member that has a terminal and is an object of anisotropic conductive connection using the anisotropic conductive film, and is appropriately selected according to the purpose. For example, a plastic substrate having a terminal, Flex-on-Board (flex on board, FOB), Flex-on-Flex (flex on flex, FOF) and the like can be mentioned.

前記端子の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Cu、Auにてめっきを施したCu、Ni及びAuにてめっきを施したCu、Snにてめっきを施したCuなどが挙げられる。   The material of the terminal is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, Cu, Ni plated with Cu, Au, and Cu, Sn plated with Au are used. The plated Cu may, for example, be mentioned.

前記端子を有するプラスチック基板の材質、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、端子を有するリジット基板、端子を有するフレキシブル基板などが挙げられる。前記端子を有するリジット基板としては、例えば、銅配線を有するガラスエポキシ基板などが挙げられる。前記端子を有するフレキシブル基板としては、例えば、銅配線を有するポリイミド基板などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a material and structure of the plastic substrate which has the said terminal, According to the objective, it can select suitably, For example, the rigid board | substrate which has a terminal, the flexible substrate which has a terminal, etc. are mentioned. As a rigid board which has the above-mentioned terminal, a glass epoxy board etc. which have copper wiring are mentioned, for example. As a flexible substrate which has the said terminal, the polyimide substrate etc. which have copper wiring are mentioned, for example.

前記第2の回路部材の形状、大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。   There is no restriction | limiting in particular as a shape of the said 2nd circuit member, and a magnitude | size, According to the objective, it can select suitably.

前記第2の回路部材の端子には、酸化皮膜、及び防錆皮膜が形成されていないことが好ましい。なお、前記第2の回路部材の端子に、酸化皮膜、又は防錆皮膜が形成されている場合には、本発明の前記皮膜処理方法を行うことが好ましい。   It is preferable that the oxide film and the rustproof film are not formed on the terminal of the second circuit member. In the case where an oxide film or a rust preventive film is formed on the terminal of the second circuit member, it is preferable to carry out the film treatment method of the present invention.

<第1の配置工程>
前記第1の配置工程としては、前記第1の回路部材の前記端子上に、異方性導電フィルムを配置する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
<First arrangement step>
If it is a process of arranging an anisotropic conductive film on the said terminal of the said 1st circuit member as said 1st arrangement | positioning process, there will be no restriction | limiting in particular, According to the objective, it can select suitably.

<<異方性導電フィルム>>
前記異方性導電フィルムとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電性粒子と、硬化性樹脂と、硬化剤とを少なくとも含有し、更に必要に応じて、膜形成樹脂などのその他の成分を含有する。
<< anisotropic conductive film >>
There is no restriction | limiting in particular as said anisotropic conductive film, According to the objective, it can select suitably, For example, an electroconductive particle, curable resin, and a hardening agent are contained at least, and also if needed And other components such as a film-forming resin.

前記異方性導電フィルムの平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。   There is no restriction | limiting in particular as average thickness of the said anisotropic conductive film, According to the objective, it can select suitably.

<第2の配置工程>
前記第2の配置工程としては、前記異方性導電フィルム上に、前記第2の回路部材を配置する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
<Second arrangement step>
The second disposing step is not particularly limited as long as it is a step of disposing the second circuit member on the anisotropic conductive film, and can be appropriately selected according to the purpose.

<加熱押圧工程>
前記加熱押圧工程としては、前記第2の回路部材を加熱押圧部材により加熱及び押圧する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、加熱押圧部材により加熱及び押圧することができる。
前記加熱押圧部材としては、例えば、加熱機構を有する押圧部材などが挙げられる。前記加熱機構を有する押圧部材としては、例えば、ヒートツールなどが挙げられる。
前記加熱の温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、140℃〜200℃が好ましい。
前記押圧の圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.1MPa〜80MPaが好ましい。
前記加熱及び押圧の時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、0.5秒間〜120秒間などが挙げられる。
<Heat pressing process>
The heating and pressing step is not particularly limited as long as it is a step of heating and pressing the second circuit member with the heating and pressing member, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, heating by the heating and pressing member And can be pressed.
Examples of the heating and pressing member include a pressing member having a heating mechanism. Examples of the pressing member having the heating mechanism include a heat tool.
There is no restriction | limiting in particular as temperature of the said heating, Although it can select suitably according to the objective, 140 to 200 degreeC is preferable.
There is no restriction | limiting in particular as a pressure of the said press, Although it can select suitably according to the objective, 0.1 MPa-80 MPa are preferable.
There is no restriction | limiting in particular as the time of the said heating and press, According to the objective, it can select suitably, For example, 0.5 second-120 second etc. are mentioned.

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
<異方性導電フィルムの作製>
フェノキシ樹脂(品名:YP50、新日鐵化学株式会社製)40質量部、2官能アクリルモノマー(ポリエチレングリコール#200ジアクリレート、品名:A−200、新中村化学工業株式会社製)30質量部、ウレタンアクリレート(品名:U−2PPA、新中村化学工業株式会社製)20質量部、リン酸エステル型アクリレート(品名:PM−2、日本化薬株式会社製)2質量部、有機過酸化物(ジラウロイルパーオキサイド)3質量部、及び導電性粒子(Cu粒子、平均粒子径10μm)5質量部を、撹拌装置(自転公転ミキサー、あわとり練太郎、シンキー社製)を用いて均一に混合した。混合後の配合物をシリコーン処理したPET(ポリエチレンテレフタレート)上に乾燥後の平均厚みが20μmとなるように塗布し、70℃で5分間乾燥し、異方性導電フィルムを作製した。
Example 1
<Preparation of anisotropic conductive film>
Phenoxy resin (product name: YP50, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) 40 parts by mass, bifunctional acrylic monomer (polyethylene glycol # 200 diacrylate, product name: A-200, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) 30 parts by mass, urethane 20 parts by mass of acrylate (product name: U-2PPA, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), 2 parts by mass of phosphate ester acrylate (product name: PM-2, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), organic peroxide (dilauroyl) 3 parts by mass of peroxide) and 5 parts by mass of conductive particles (Cu particles, average particle size 10 μm) were uniformly mixed using a stirrer (rotation and revolution mixer, Aritori Nertaro, manufactured by Shinky Corporation). The blended mixture was applied on silicone-treated PET (polyethylene terephthalate) so that the average thickness after drying was 20 μm, and dried at 70 ° C. for 5 minutes to prepare an anisotropic conductive film.

<接合体の製造>
以下の方法により、Flex−on−Board(フレックスオンボード、FOB)実装を行った。
第1の回路部材として、PWB(プリント配線板)を用いた。前記PWBの基板には、厚み1.0mmのFR4のガラスエポキシ基板を用いた。前記PWBの端子及び配線には、厚み35μmのCu箔を用いた。端子のピッチは、400μm(L/S=200μm/200μm)とした。前記PWBには、イミダゾール化合物からなる耐熱プリフラックス(四国化成工業社製、タフエースE3)を用いた防錆処理が施されている。防錆処理による防錆皮膜の平均厚みは、FIB及びSIMを用いた前述の方法により防錆皮膜の厚みを30箇所で測定し、その結果の算術平均値から求めた。
第2の回路部材として、FPC(フレキシブルプリント配線板)を用いた。前記FPCの基板には、厚み25μmのポリイミドフィルムを用いた。前記FPCの端子及び配線には、厚み18μmのCu箔を用いた。前記FPCの端子のピッチは、前記PWBの端子のピッチと同じである。
<Manufacture of joined body>
Flex-on-Board (flex on board, FOB) mounting was performed by the following method.
A PWB (printed wiring board) was used as the first circuit member. As the PWB substrate, an FR4 glass epoxy substrate having a thickness of 1.0 mm was used. A Cu foil having a thickness of 35 μm was used for the terminal and wiring of the PWB. The terminal pitch was 400 μm (L / S = 200 μm / 200 μm). The PWB is subjected to a rust prevention treatment using a heat-resistant preflux made of an imidazole compound (Tough Ace E3, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.). The average thickness of the anticorrosive film by the anticorrosive treatment was determined from the arithmetic average value of the results obtained by measuring the thickness of the anticorrosive film at 30 points by the above-described method using FIB and SIM.
As the second circuit member, an FPC (flexible printed wiring board) was used. A 25 μm thick polyimide film was used as the FPC substrate. A Cu foil having a thickness of 18 μm was used for the terminals and wiring of the FPC. The pitch of the FPC terminals is the same as the pitch of the PWB terminals.

<<皮膜処理工程>>
図1A〜図1Fに示すように防錆皮膜の処理を行った。
まず、前記第1の回路部材に対して、端子の幅(200μm)よりもスポット径が小さいレーザー光(スポット径:100μm〜200μm)を、前記端子に照射した。その際、前記端子にはレーザー光が照射されるが、前記基板(特に、端子間の基板)にはレーザー光が照射されないようにした。レーザー光を照射させる際には、レーザー光の軌跡を前記端子の長手方向に走査させ、前記端子の長手方向の端部で前記端子の幅方向に少し移動させた後に折返す動作を行った。
以上により、前記端子上の防錆皮膜を処理した。処理前後の防錆皮膜の平均厚みを、FIB及びSIMを用いた前述の方法により測定した。
レーザー光照射装置は、日立ビアメカニクス株式会社製のCOレーザー(LC−2G)を用いた。
レーザー光の強度は、50Wとした。
<< Film treatment process >>
The rustproof film was treated as shown in FIGS. 1A to 1F.
First, the first circuit member was irradiated with laser light (spot diameter: 100 μm to 200 μm) having a spot diameter smaller than the terminal width (200 μm). At this time, the terminal is irradiated with the laser beam, but the substrate (in particular, the substrate between the terminals) is not irradiated with the laser beam. When irradiating the laser beam, the laser beam trajectory was scanned in the longitudinal direction of the terminal, and moved back in the longitudinal direction of the terminal after being slightly moved in the width direction of the terminal.
By the above, the antirust film on the said terminal was processed. The average thickness of the antirust film before and after the treatment was measured by the method described above using FIB and SIM.
As a laser beam irradiation apparatus, a CO 2 laser (LC-2G) manufactured by Hitachi Via Mechanics Co., Ltd. was used.
The intensity of the laser beam was 50W.

<<第1の配置工程、第2の配置工程、及び加熱押圧工程>>
続いて、皮膜処理工程後の前記第1の回路部材の端子上に、異方性導電フィルムを配置した。続いて、前記異方性導電フィルム上に前記第2の回路部材を配置した。続いて、平均厚み250μmのテフロン(登録商標)シートを緩衝材として用い、加熱ツールにより、130℃、3MPa、10秒間の条件で、前記第2の回路部材を加熱及び押圧し、接続を行い、接合体を得た。
<< First placement step, second placement step, and heating and pressing step >>
Then, the anisotropic conductive film was arrange | positioned on the terminal of the said 1st circuit member after a film processing process. Subsequently, the second circuit member was disposed on the anisotropic conductive film. Subsequently, using a Teflon (registered trademark) sheet having an average thickness of 250 μm as a buffer material, the second circuit member is heated and pressed by a heating tool under the conditions of 130 ° C., 3 MPa, and 10 seconds, and connected. A joined body was obtained.

<評価>
以下の評価に供した。結果を表1に示した。
<Evaluation>
It used for the following evaluation. The results are shown in Table 1.

<<接続信頼性(導通抵抗)>>
得られた接合体の初期の抵抗値、並びに85℃及び85%RHで1,000時間放置した後の抵抗値を以下の方法で測定した。
具体的には、デジタルマルチメーター(品番:デジタルメルチメータ7555、横河電機株式会社製)を用いて4端子法にて電流1mAを流したときの抵抗値を測定した。30チャンネルについて抵抗値を測定し、最大の抵抗値を測定値とした。測定結果について、下記評価基準で評価した。なお、抵抗上昇率は、以下の式を用いて求めた。
抵抗上昇率(%)=〔(1,000時間放置後の抵抗値/初期抵抗値)−1〕×100
〔評価基準〕
◎:抵抗上昇率が5%未満
○:抵抗上昇率が5%以上8%未満
△:抵抗上昇率が8%以上10%未満
×:抵抗上昇率が10%未満
<< Connection reliability (conducting resistance) >>
The initial resistance value of the obtained bonded body and the resistance value after being left for 1,000 hours at 85 ° C. and 85% RH were measured by the following methods.
Specifically, the resistance value was measured when a current of 1 mA was applied by a four-terminal method using a digital multimeter (part number: digital melt meter 7555, manufactured by Yokogawa Electric Corporation). The resistance value was measured for 30 channels, and the maximum resistance value was taken as the measured value. The measurement results were evaluated according to the following evaluation criteria. The rate of increase in resistance was determined using the following equation.
Resistance increase rate (%) = [(resistance after initial standing for 1,000 hours / initial resistance)-1] × 100
〔Evaluation criteria〕
◎: Resistance increase rate is less than 5% ○: Resistance increase rate is 5% or more and less than 8% △: Resistance increase rate is 8% or more and less than 10% ×: Resistance increase rate is less than 10%

(実施例2)
<接合体の製造>
実施例1において、端子のピッチを200μm(L/S=100μm/100μm)に変更した。また、実施例1において、皮膜処理工程を、以下の皮膜処理工程に代えた。上記以外は、実施例1と同様にして、接合体を製造した。
得られた接合体について、実施例1と同様に評価を行った。結果を表1に示した。
(Example 2)
<Manufacture of joined body>
In Example 1, the pitch of the terminals was changed to 200 μm (L / S = 100 μm / 100 μm). In Example 1, the film treatment process was replaced with the following film treatment process. A bonded body was manufactured in the same manner as Example 1 except for the above.
The obtained joined body was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

<<皮膜処理工程>>
図2A〜図2Fに示すように防錆皮膜の処理を行った。
まず、前記第1の回路部材の上に、レーザー光照射補助部材を配置した。前記レーザー光照射補助部材は、厚み1mmのSUS製であり、端子の大きさ(長さ2.0mm×幅100μm)と同じ形状の開口(長さ2.0mm×幅100μm)を有する。前記レーザー光照射補助部材は、前記開口が前記端子と重なるように配置された。
そして、前記レーザー光照射補助部材の前記開口を通過するように、レーザー光照射装置を用いて、レーザー光(スポット径100μm〜200μm)を、前記端子に照射した。その際、前記第1の回路部材と、前記レーザー光照射補助部材とは、相対的に固定されていた。また、前記レーザー光照射補助部材により、前記第1の回路部材における前記端子以外の箇所には、レーザー光が照射されなかった。レーザー光を照射させる際には、レーザー光の軌跡を前記端子の長手方向に走査させた。
以上により、前記端子上の防錆皮膜を処理した。処理前後の防錆皮膜の平均厚みを、FIB及びSIMを用いた前述の方法により測定した。
<< Film treatment process >>
The rustproof film was treated as shown in FIGS. 2A to 2F.
First, a laser beam irradiation auxiliary member was disposed on the first circuit member. The laser light irradiation auxiliary member is made of SUS having a thickness of 1 mm, and has an opening (length 2.0 mm × width 100 μm) having the same shape as the terminal (length 2.0 mm × width 100 μm). The laser beam irradiation auxiliary member was disposed so that the opening overlapped with the terminal.
And the laser beam (spot diameter 100 micrometers-200 micrometers) was irradiated to the said terminal using the laser beam irradiation apparatus so that the said opening of the said laser beam irradiation auxiliary member may be passed. At that time, the first circuit member and the laser beam irradiation auxiliary member were relatively fixed. Moreover, the laser beam was not irradiated to locations other than the said terminal in the said 1st circuit member by the said laser beam irradiation assistance member. When the laser beam was irradiated, the locus of the laser beam was scanned in the longitudinal direction of the terminal.
By the above, the antirust film on the said terminal was processed. The average thickness of the antirust film before and after the treatment was measured by the method described above using FIB and SIM.

(実施例3)
<接合体の製造>
実施例1において、端子のピッチを200μm(L/S=100μm/100μm)に変更した。また、実施例1において、皮膜処理工程を、以下の皮膜処理工程に代えた。上記以外は、実施例1と同様にして、接合体を製造した。
得られた接合体について、実施例1と同様に評価を行った。結果を表1に示した。
(Example 3)
<Manufacture of joined body>
In Example 1, the pitch of the terminals was changed to 200 μm (L / S = 100 μm / 100 μm). In Example 1, the film treatment process was replaced with the following film treatment process. A bonded body was manufactured in the same manner as Example 1 except for the above.
The obtained joined body was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

<<皮膜処理工程>>
図4A〜図4Fに示すように防錆皮膜の処理を行った。
まず、前記第1の回路部材の上に、レーザー光照射補助部材を配置した。前記レーザー光照射補助部材は、厚み1mmのSUS製であり、直径50μmの円形の開口を有する。なお、前記第1の回路部材の端子の大きさは、長さ2.0mm×幅100μmである。
そして、前記レーザー光照射補助部材の前記開口を通過するように、レーザー光照射装置を用いて、レーザー光(スポット径100μm〜200μm)を、前記端子に照射した。その際、前記レーザー光照射装置と、前記レーザー光照射補助部材とは、相対的に固定されていた。また、前記レーザー光照射補助部材により、前記第1の回路部材における前記端子以外の箇所には、レーザー光が照射されなかった。レーザー光を照射させる際には、レーザー光の軌跡を前記端子の長手方向に走査させ、前記端子の長手方向の端部で前記端子の幅方向に少し移動させた後に折返す動作を行った。
以上により、前記端子上の防錆皮膜を処理した。処理前後の防錆皮膜の平均厚みを、FIB及びSIMを用いた前述の方法により測定した。
<< Film treatment process >>
As shown in FIGS. 4A to 4F, the antirust coating was processed.
First, a laser beam irradiation auxiliary member was disposed on the first circuit member. The laser beam irradiation assisting member is made of SUS having a thickness of 1 mm, and has a circular opening having a diameter of 50 μm. The size of the terminal of the first circuit member is 2.0 mm long × 100 μm wide.
And the laser beam (spot diameter 100 micrometers-200 micrometers) was irradiated to the said terminal using the laser beam irradiation apparatus so that the said opening of the said laser beam irradiation auxiliary member may be passed. At that time, the laser beam irradiation apparatus and the laser beam irradiation assisting member are relatively fixed. Further, the laser light irradiation assisting member did not irradiate the first circuit member other than the terminal with the laser light. When irradiating the laser beam, the laser beam trajectory was scanned in the longitudinal direction of the terminal, and moved back in the longitudinal direction of the terminal after being slightly moved in the width direction of the terminal.
By the above, the antirust film on the said terminal was processed. The average thickness of the antirust film before and after the treatment was measured by the method described above using FIB and SIM.

(比較例1)
<接合体の製造>
実施例1において、端子のピッチを200μm(L/S=100μm/100μm)に変更した。また、実施例1において、皮膜処理工程を、行わなかった。上記以外は、実施例1と同様にして、接合体を製造した。
なお、防錆皮膜の平均厚みを、FIB及びSIMを用いた前述の方法により測定した。
得られた接合体について、実施例1と同様に評価を行った。結果を表1に示した。
(Comparative example 1)
<Manufacture of joined body>
In Example 1, the pitch of the terminals was changed to 200 μm (L / S = 100 μm / 100 μm). Also, in Example 1, the film treatment step was not performed. A bonded body was manufactured in the same manner as Example 1 except for the above.
In addition, the average thickness of the antirust film was measured by the above-mentioned method using FIB and SIM.
The obtained joined body was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(比較例2)
<接合体の製造>
実施例1において、端子のピッチを200μm(L/S=100μm/100μm)に変更した以外は、実施例1と同様にして、接合体を製造した。
なお、皮膜処理工程において、レーザー光が基板にも照射されたため、基板の損傷が起こった。そして、ガラスエポキシ基板が損傷することで、ガラス繊維の粉塵が発生した。
(Comparative example 2)
<Manufacture of joined body>
A joined body was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the terminal pitch was changed to 200 μm (L / S = 100 μm / 100 μm).
In the film processing step, since the substrate was also irradiated with the laser light, the substrate was damaged. And the glass epoxy dust was generated because the glass epoxy substrate was damaged.

(参考例1)
<接合体の製造>
実施例1において、第1の回路部材に防錆皮膜を形成しなかった。また、実施例1において、皮膜処理工程を、行わなかった。上記以外は、実施例1と同様にして、接合体を製造した。
得られた接合体について、実施例1と同様に評価を行った。結果を表1に示した。
(Reference Example 1)
<Manufacture of joined body>
In Example 1, no rust preventive film was formed on the first circuit member. Also, in Example 1, the film treatment step was not performed. A bonded body was manufactured in the same manner as Example 1 except for the above.
The obtained joined body was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

実施例1〜3では、皮膜処理工程により、端子上の防錆皮膜を処理した(薄くした)ことにより、皮膜処理工程を行っていない比較例1と比べて、接続信頼性試験において、導通抵抗値の上昇がほとんど生じなかった。この結果は、端子上に防錆皮膜が形成されていない場合(参考例1)と同等の結果であった。
また、皮膜処理工程において、端子以外の箇所(基板)にレーザー光が照射された場合には、基板の損傷が生じた(比較例1)。
In Examples 1 to 3, the rust preventive film on the terminal was treated (thinned) by the film treatment process, so that in the connection reliability test, the conduction resistance was compared with Comparative Example 1 in which the film treatment process was not performed. There was almost no increase in value. This result was equivalent to the case where the rust preventive film was not formed on the terminal (Reference Example 1).
Moreover, when a laser beam was irradiated to locations (substrates) other than the terminals in the film processing step, damage to the substrate occurred (Comparative Example 1).

なお、端子上に厚い酸化皮膜又は防錆皮膜があると、接続初期の導通抵抗は良好でも、耐久試験において、導通抵抗値が上昇する。これは、厚い酸化皮膜又は防錆皮膜があることで、耐久試験時に接続部が収縮及び膨張を繰り返す際に、端子と導電性粒子との接触が悪くなっていくためと考えられる。そこで、本実施例では、接続信頼性により評価を行っている。   If there is a thick oxide film or rust preventive film on the terminal, the conduction resistance value increases in the durability test even if the conduction resistance at the initial stage of connection is good. This is presumably because the contact between the terminal and the conductive particles deteriorates when the connection portion repeatedly contracts and expands during the durability test due to the presence of the thick oxide film or rust preventive film. Therefore, in the present embodiment, the evaluation is performed based on the connection reliability.

本発明の皮膜処理方法は、異方性導電フィルムを用いて接続される回路部材の端子上の皮膜の処理に好適に用いることができる。   The film treatment method of the present invention can be suitably used for treatment of a film on a terminal of a circuit member connected using an anisotropic conductive film.

1 回路部材
1A 基板
1B 端子
1C 防錆皮膜
5A レーザー光照射補助部材
5B レーザー光照射補助部材
5C レーザー光照射補助部材
5D レーザー光照射補助部材
5E レーザー光照射補助部材
5F レーザー光照射補助部材
10 レーザー光照射装置
S スポット径
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Circuit member 1A Board | substrate 1B Terminal 1C Rust prevention film 5A Laser beam irradiation auxiliary member 5B Laser beam irradiation auxiliary member 5C Laser beam irradiation auxiliary member 5D Laser beam irradiation auxiliary member 5E Laser beam irradiation auxiliary member 5F Laser beam irradiation auxiliary member 10 Laser beam Irradiation device S Spot diameter

Claims (11)

酸化皮膜及び防錆皮膜の少なくともいずれかの皮膜を表面に有する端子を有する回路部材の前記端子にのみレーザー光を照射して、前記皮膜を処理し、
前記端子への前記レーザー光の照射が、少なくとも1つの開口を有するレーザー光照射補助部材の前記開口を通過して行われることを特徴とする皮膜処理方法。
Irradiating laser light only to the terminal of the circuit member having a terminal having at least one of an oxide film and a rust preventive film on the surface, and processing the film ,
Irradiating the laser beam onto the terminal is performed through the opening of a laser beam irradiation auxiliary member having at least one opening .
前記回路部材が、前記端子と接する異方性導電フィルムを介して他の回路部材と接続される回路部材である請求項1に記載の皮膜処理方法。   The film processing method according to claim 1, wherein the circuit member is a circuit member connected to another circuit member via an anisotropic conductive film in contact with the terminal. 前記端子への前記レーザー光の照射が、前記端子の幅以下のスポット径を有するレーザー光を用いて行われる請求項1から2のいずれかに記載の皮膜処理方法。   3. The film treatment method according to claim 1, wherein the laser beam is irradiated to the terminal using a laser beam having a spot diameter equal to or smaller than the width of the terminal. 前記開口が、前記端子における前記レーザー光の照射領域と同じ領域の開口である請求項1から3のいずれかに記載の皮膜処理方法。The film processing method according to claim 1, wherein the opening is an opening in the same region as an irradiation region of the laser beam in the terminal. 前記開口が、前記端子の幅未満の幅の開口である請求項1から3のいずれかに記載の皮膜処理方法。The film processing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the opening is an opening having a width smaller than the width of the terminal. 酸化皮膜及び防錆皮膜の少なくともいずれかの皮膜を表面に有する端子を有する第1の回路部材の前記端子と、第2の回路部材の端子とを接続させる接続方法であって、
前記第1の回路部材の前記端子にのみレーザー光を照射して、前記皮膜を処理する皮膜処理工程と、
前記第1の回路部材の前記端子上に、異方性導電フィルムを配置する第1の配置工程と、
前記異方性導電フィルム上に、前記第2の回路部材を配置する第2の配置工程と、
前記第2の回路部材を加熱押圧部材により加熱及び押圧する工程とを含み、
前記第1の回路部材の前記端子への前記レーザー光の照射が、少なくとも1つの開口を有するレーザー光照射補助部材の前記開口を通過して行われることを特徴とする接続方法。
A connection method for connecting the terminal of the first circuit member having a terminal having at least one of an oxide film and a rust preventive film on the surface, and the terminal of the second circuit member,
A film processing step of processing the film by irradiating a laser beam only to the terminal of the first circuit member;
A first disposing step of disposing an anisotropic conductive film on the terminal of the first circuit member;
A second disposing step of disposing the second circuit member on the anisotropic conductive film;
Heating and pressing the second circuit member with a heating pressing member,
The connection method , wherein the laser light irradiation to the terminal of the first circuit member is performed through the opening of a laser light irradiation auxiliary member having at least one opening .
前記第1の回路部材の前記端子への前記レーザー光の照射が、前記端子の幅以下のスポット径を有するレーザー光を用いて行われる請求項6に記載の接続方法。The connection method according to claim 6, wherein the irradiation of the laser beam to the terminal of the first circuit member is performed using a laser beam having a spot diameter equal to or smaller than the width of the terminal. 前記開口が、前記端子における前記レーザー光の照射領域と同じ領域の開口である請求項6から7のいずれかに記載の接続方法。The connection method according to claim 6, wherein the opening is an opening in the same region as the irradiation region of the laser beam in the terminal. 前記開口が、前記端子の幅未満の幅の開口である請求項6から7のいずれかに記載の接続方法。The connection method according to any one of claims 6 to 7, wherein the opening is an opening having a width smaller than the width of the terminal. 第1の回路部材の端子と第2の回路部材の端子とが、異方性導電フィルムの硬化物を介して異方性導電接続された接合体であって、A joined body in which the terminal of the first circuit member and the terminal of the second circuit member are anisotropically conductively connected via the cured product of the anisotropic conductive film,
前記第1の回路部材の前記端子は、酸化皮膜及び防錆皮膜の少なくともいずれかの皮膜を有し、前記皮膜の一部が、前記端子の幅よりも小さい幅で除去されている、接合体。A joined body, wherein the terminal of the first circuit member has a film of at least one of an oxide film and an anticorrosion film, and a part of the film is removed with a width smaller than the width of the terminal .
前記第1の回路部材の前記端子が有する前記皮膜の平均厚みが、0.4μm以下である請求項10に記載の接合体。The joined body according to claim 10, wherein an average thickness of the film of the terminal of the first circuit member is 0.4 μm or less.
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