JP6546063B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。本実施形態の熱処理装置1は、基板としてφ300mmの円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と概ね同じである。また、第2実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、第1実施形態の複数の溝22に金属膜を成膜して鏡面を形成している点である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と概ね同じである。また、第3実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第3実施形態が第1実施形態と相違するのは、第1実施形態では上側チャンバー窓63の周縁部の表面に複数の溝22を刻設していたのに代えて、第3実施形態では上側チャンバー窓63の周縁部の表面に鏡面を形成している点である。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。第4実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と概ね同じである。また、第4実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第4実施形態が第1実施形態と相違するのは、第1実施形態では上側チャンバー窓63の周縁部の表面に複数の溝22を刻設していたのに代えて、第4実施形態では上側チャンバー窓63の周縁部の表面に鏡面を形成している点である。
次に、本発明の第5実施形態について説明する。第5実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と概ね同じである。また、第5実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第5実施形態が第1実施形態と相違するのは、第1実施形態では上側チャンバー窓63の周縁部の表面に複数の溝22を刻設していたのに代えて、第5実施形態では上側チャンバー窓63の周縁部の表面に粗面を形成している点である。
次に、本発明の第6実施形態について説明する。第6実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と概ね同じである。また、第6実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第6実施形態が第1実施形態と相違するのは、第1実施形態では上側チャンバー窓63の周縁部の表面に複数の溝22を刻設していたのに代えて、第6実施形態では上側チャンバー窓63の周縁部の表面に粗面を形成している点である。
次に、本発明の第7実施形態について説明する。第7実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と概ね同じである。また、第7実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第7実施形態が第1実施形態と相違するのは、第1実施形態では上側チャンバー窓63の周縁部の表面に複数の溝22を刻設していたのに代えて、第7実施形態では上側チャンバー窓63の周縁部の表面に粗面を形成している点である。
次に、本発明の第8実施形態について説明する。第8実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と概ね同じである。また、第8実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第8実施形態が第1実施形態と相違するのは、上側チャンバー窓63の周縁部に不透明石英を設けている点である。
次に、本発明の第9実施形態について説明する。第9実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と概ね同じである。また、第9実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第9実施形態が第1実施形態と相違するのは、上側チャンバー窓63の周縁部に不透明石英を設けている点である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、上側チャンバー窓63の周縁部にフラッシュランプFLから出射されて上側チャンバー窓63の周縁部内部に進入した光がOリング21に到達するのを阻害する光曝露阻害部を形成するようにしていたが、これに加えて、上側チャンバー窓63を押さえるクランプリング67の裏面(上側チャンバー窓63の周縁部に接触する面)にブラスト処理等の粗面加工を施すか、または金属膜を成膜して鏡面を形成するようにしても良い。これにより、フラッシュ光照射時にOリング21に到達するフラッシュ光をさらに減少させることができる。
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
21 Oリング
22 溝
23 鏡面
24 粗面
25 不透明石英
26 透明石英
61 チャンバー側部
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65 熱処理空間
67 クランプリング
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (2)
- 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持部と、
前記チャンバーの外部であって前記チャンバーの一方側に設けられたフラッシュランプと、
前記チャンバーの前記一方側の開口を覆う石英窓と、
前記チャンバーの側壁と前記石英窓の周縁部の接触面との間に挟み込まれたOリングと、
前記石英窓の周縁部の前記接触面と対向する対向面を前記チャンバーの側壁に向けて押圧する窓押さえ部材と、
を備え、
前記フラッシュランプから出射されて前記石英窓の周縁部内部に進入した光が前記Oリングに到達するのを阻害する光曝露阻害部を前記石英窓の周縁部に形成し、
前記光曝露阻害部は、前記石英窓の周縁部表面に形成された粗面であり、
前記粗面は、前記石英窓の周縁部の前記接触面のうち前記Oリングと接触する部位を除く領域に形成されることを特徴とする熱処理装置。 - 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持部と、
前記チャンバーの外部であって前記チャンバーの一方側に設けられたフラッシュランプと、
前記チャンバーの前記一方側の開口を覆う石英窓と、
前記チャンバーの側壁と前記石英窓の周縁部の接触面との間に挟み込まれたOリングと、
前記石英窓の周縁部の前記接触面と対向する対向面を前記チャンバーの側壁に向けて押圧する窓押さえ部材と、
を備え、
前記フラッシュランプから出射されて前記石英窓の周縁部内部に進入した光が前記Oリングに到達するのを阻害する光曝露阻害部を前記石英窓の周縁部に形成し、
前記石英窓の前記接触面には段差が設けられ、
前記光曝露阻害部は、前記段差に前記Oリングと接触するように設けられた不透明石英であることを特徴とする熱処理装置。
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