JP6544722B2 - Wafer bonding method and bonding apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、ウエハの接合方法及び接合装置に関する。 The present invention relates to a method and apparatus for bonding wafers.
従来、ＣＩＳやＴＳＶ（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ：シリコン貫通電極）のウエハ接合において、プラズマによる親水化処理接合が使われてきた。特に近年では、ＣＩＳやＴＳＶにおいて、金属電極と絶縁層とのハイブリッドボンディングが要望され、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：反応性イオンエッチング）プラズマによる大気中親水化接合が適用されている。 Conventionally, in the wafer bonding of CIS or TSV (through-silicon via: silicon through electrode), plasma hydrophilized treatment bonding has been used. Particularly in recent years, in CIS and TSV, hybrid bonding between a metal electrode and an insulating layer is required, and in-air hydrophilization bonding by RIE (Reactive Ion Etching) plasma is applied.
しかしながら、ＲＩＥ処理を用いた場合、パーティクルが発生し、水洗浄によるパーティクルの除去工程が必要であった。また、一定の接合強度を確保するために、水分子を含んだ大気中での接合が必須となり、量産効率上の課題があった。例えば、従来では、プラズマ処理のみ真空中で行われるため、大気→真空→大気と処理され、スループットを向上させるためにはプラズマと洗浄装置が各２台以上必要となり、効率の悪い装置構成となる問題があった。その例を図１（ａ）に示す。
また、接合される面上に複数種の材料が露出するハイブリッドボンディングでは、接合面が汚染されたり、十分な接合強度が得られないなどといった問題があった。
However, in the case of using the RIE process, particles are generated, and a process of removing the particles by water washing is required. In addition, in order to secure a constant bonding strength, bonding in the atmosphere containing water molecules is essential, and there is a problem in mass production efficiency. For example, conventionally, since only plasma processing is performed in vacuum, it is processed as atmosphere → vacuum → atmosphere, and two or more plasma and cleaning devices are required to improve throughput, resulting in an inefficient device configuration. There was a problem. The example is shown to Fig.1 (a).
In addition, in the case of hybrid bonding in which a plurality of types of materials are exposed on the surface to be bonded, there have been problems such as contamination of the bonding surface and that sufficient bonding strength can not be obtained.
本発明は、上記のような従来技術の問題点に着目してなされたものである。すなわち、本発明では、水洗浄によるパーティクルの除去工程を不要とし、接合処理を真空中で実施することで、スループットの向上と装置の簡素化が図れるウエハの接合方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made focusing on the problems of the prior art as described above. That is, in the present invention, it is an object of the present invention to provide a wafer bonding method which can improve the throughput and simplify the apparatus by eliminating the particle removing step by water cleaning and performing the bonding process in vacuum. .
本発明によれば、ウエハの接合方法であって、接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理と、親水化処理の後にウエハを接合する接合処理とを含み、親水化処理が、ラジカルプラズマ処理、原子ビーム又はイオンビーム照射のいずれかによるものである、ウエハの接合方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a method of bonding a wafer, comprising: a hydrophilization treatment that hydrophilizes at least a part of a bonding planned surface of a wafer to be bonded; and a bonding treatment that bonds the wafer after the hydrophilization treatment. A wafer bonding method is provided, wherein the hydrophilization treatment is either radical plasma treatment, atomic beam or ion beam irradiation.
本発明の一態様によれば、親水化処理の後、かつ接合処理の前に、洗浄処理を行わない。 According to one aspect of the present invention, the washing treatment is not performed after the hydrophilization treatment and before the bonding treatment.
本発明の一態様によれば、親水化処理の後、かつ接合処理の前に、水に暴露する処理を行わない。 According to one aspect of the present invention, after the hydrophilization treatment and before the bonding treatment, the treatment of exposure to water is not performed.
本発明の一態様によれば、接合処理が、真空中で行われる。 According to one aspect of the invention, the bonding process is performed in a vacuum.
本発明の一態様によれば、親水化処理が、ラジカルプラズマ処理である。 According to one aspect of the present invention, the hydrophilization treatment is a radical plasma treatment.
本発明によれば、ウエハの接合方法であって、ウエハ表面の少なくとも一部に絶縁物質を堆積させる堆積処理と、堆積した絶縁物質を研磨する研磨処理と、接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理と、親水化処理の後にウエハを接合する接合処理とを含み、親水化処理が、ラジカルプラズマ処理によるものである、ウエハの接合方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a method of bonding a wafer, comprising: a deposition process for depositing an insulating material on at least a portion of the wafer surface; a polishing process for polishing the deposited insulating material; There is provided a method of bonding a wafer, comprising a hydrophilization treatment to hydrophilize at least a part and a bonding treatment to bond the wafer after the hydrophilization treatment, wherein the hydrophilization treatment is by radical plasma treatment.
本発明の一態様によれば、親水化処理の後、かつ接合処理の前に、洗浄処理を行わない。 According to one aspect of the present invention, the washing treatment is not performed after the hydrophilization treatment and before the bonding treatment.
本発明の一態様によれば、親水化処理の後、かつ接合処理の前に、水に暴露する処理を行わない。 According to one aspect of the present invention, after the hydrophilization treatment and before the bonding treatment, the treatment of exposure to water is not performed.
本発明の一態様によれば、ラジカルプラズマ処理により、ひとつのプラズマ処理装置でウエハ表面と裏面の双方に対して行われ、反転機能を不要とする。 According to one aspect of the present invention, radical plasma processing is performed on both the front and back surfaces of the wafer in one plasma processing apparatus, making the reversing function unnecessary.
本発明の一態様によれば、ラジカルプラズマ処理が、水素を含むガスで行われる。 According to one aspect of the invention, radical plasma treatment is performed with a gas comprising hydrogen.
本発明の一態様によれば、ラジカルプラズマ処理が、Ｈ２ＯまたはＯＨを含むガスで行われる。 According to one aspect of the invention, radical plasma treatment is performed with a gas comprising H 2 O or OH.
本発明の一態様によれば、ラジカルプラズマ処理時に加熱する。 According to one aspect of the present invention, heating is performed during radical plasma processing.
本発明の一態様によれば、ＲＩＥ処理後にラジカル処理を行う場合において、処理面上部に常時プラズマを発生させ、処理面にバイアスをかけることでＲＩＥ処理を行い、処理面のバイアスをオフして上部プラズマからのダウンフローでラジカル処理を連続して行う。 According to one aspect of the present invention, when radical processing is performed after RIE processing, plasma is always generated above the processing surface, bias is applied to the processing surface to perform RIE processing, and bias of the processing surface is turned off. The radical treatment is continuously performed by the downflow from the upper plasma.
本発明の一態様によれば、上記ＲＩＥ処理とラジカル処理において、少なくとも同じガスが含まれる。 According to one aspect of the present invention, at least the same gas is included in the RIE process and the radical process.
本発明によれば、ウエハの接合装置であって、接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させるための親水化処理部と、親水化処理の後にウエハを接合するための接合処理部とを含み、親水化処理が、ラジカルプラズマ処理、原子ビーム又はイオンビーム照射のいずれかによるものである、ウエハの接合装置が提供される。 According to the present invention, there is provided a bonding apparatus for a wafer, comprising: a hydrophilization treatment portion for hydrophilizing at least a part of a bonding planned surface of a wafer to be bonded; and bonding for bonding a wafer after the hydrophilization treatment. There is provided a wafer bonding apparatus including a processing unit, wherein the hydrophilization treatment is one of radical plasma treatment, atomic beam irradiation, or ion beam irradiation.
本発明によれば、ウエハの接合装置であって、ウエハ表面の少なくとも一部に絶縁物質を堆積させるための堆積処理部と、堆積した絶縁物質を研磨するための研磨処理部と、接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させるための親水化処理部と、親水化処理の後にウエハを接合するための接合処理部とを含み、親水化処理が、ラジカルプラズマ処理によるものである、ウエハの接合装置が提供される。 According to the present invention, there is provided a wafer bonding apparatus comprising: a deposition processing unit for depositing an insulating material on at least a part of a wafer surface; and a polishing processing unit for polishing the deposited insulating material. A hydrophilization treatment portion for hydrophilizing at least a part of a planned bonding surface of the wafer, and a bonding processing portion for bonding the wafer after the hydrophilization treatment, wherein the hydrophilization treatment is by radical plasma treatment A wafer bonding apparatus is provided.
本発明の一態様によれば、接合処理が、真空中で行われる。 According to one aspect of the invention, the bonding process is performed in a vacuum.
本発明の一態様によれば、親水化処理が、ラジカルプラズマ処理である。 According to one aspect of the present invention, the hydrophilization treatment is a radical plasma treatment.
本発明によれば、スループットの向上と装置の簡素化が図れるウエハの接合方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a wafer bonding method which can improve throughput and simplify the apparatus.
以下に、実施形態を挙げて本発明を説明するが、本発明がこれらの具体的な実施形態に限定されないことは自明である。 The present invention will be described below by way of embodiments, but it is obvious that the present invention is not limited to these specific embodiments.
（実施形態１）
本実施形態に係るウエハの接合方法は、接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理と、親水化処理の後にウエハを接合する接合処理とを含み、親水化処理が、ラジカルプラズマ処理、原子ビーム又はイオンビーム照射のいずれかによるものである、ウエハの接合方法である。
(Embodiment 1)
The wafer bonding method according to the present embodiment includes a hydrophilization treatment that hydrophilizes at least a part of a bonding planned surface of the wafers to be bonded, and a bonding process that bonds the wafers after the hydrophilization treatment, and the hydrophilization treatment Is a method of bonding wafers, which is either by radical plasma treatment, atomic beam or ion beam irradiation.
［親水化処理］
本実施形態のウエハ接合方法においては、接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理を含む。
接合されるウエハの接合予定面に施す親水化処理が、ラジカルプラズマ処理、原子ビーム又はイオンビーム照射のいずれかによるものであるため、ウエハの接合強度を十分に満足することができる。
[Hydrophilization treatment]
The wafer bonding method of the present embodiment includes a hydrophilization treatment that hydrophilizes at least a part of the bonding planned surface of the wafers to be bonded.
Since the hydrophilization treatment to be applied to the bonding planned surface of the wafers to be bonded is one of radical plasma processing, atomic beam or ion beam irradiation, the bonding strength of the wafer can be sufficiently satisfied.
親水化処理の例として、Ａｒ（アルゴン）の照射と同時に、Ｓｉ（シリコン）粒子を照射するＳｉスパッタを併用するＡｒ原子ビーム処理方法が好ましく用いられる。この処理では、図２（ａ）のように、ウエハの接合予定面上に原子ビーム照射を行い、必要であれば、処理された接合予定面を水分子を含む雰囲気中に晒すことで、接合予定面にＯＨ基を存在させる。 As an example of the hydrophilization treatment, an Ar atom beam processing method is also preferably used which uses Si sputtering in which Si (silicon) particles are irradiated simultaneously with irradiation of Ar (argon). In this process, as shown in FIG. 2A, atomic beam irradiation is performed on the surface to be bonded of the wafer, and if necessary, the surface to be treated bonded is exposed to an atmosphere containing water molecules to perform bonding. An OH group is present on the planned surface.
また、親水化処理の例として、シーケンシャルプラズマ処理方法が挙げられる。図２（ｂ）は、ラジカルプラズマ処理の一例である、酸素‐窒素のシーケンシャルプラズマ処理方法を説明する図である。この処理では、窒素ラジカルを利用することで、ウエハ接合予定面上に、接合強度に寄与する十分なＯＨ基が残存する。 Moreover, a sequential plasma processing method is mentioned as an example of a hydrophilization treatment. FIG. 2B is a view for explaining a sequential plasma processing method of oxygen-nitrogen, which is an example of radical plasma processing. In this process, by using nitrogen radicals, sufficient OH groups contributing to the bonding strength remain on the wafer bonding planned surface.
［接合処理］
本実施形態のウエハ接合方法においては、親水化処理の後にウエハを接合する接合処理を含む。
[Bonding process]
The wafer bonding method of the present embodiment includes a bonding process of bonding wafers after the hydrophilization process.
従来行われてきたウエハの接合では、例えば、２Ｊ／ｍ２より大きい接合強度を得るためには、大気中で接合を行う必要があった。すなわち、従来の技術では、水分子が存在する大気中で接合を行うことで、一定の接合強度を得るような試みがなされていた。 In conventional wafer bonding, for example, in order to obtain bonding strength greater than 2 J / m 2 , bonding needs to be performed in the atmosphere. That is, in the prior art, attempts have been made to obtain a certain bonding strength by bonding in the atmosphere in which water molecules are present.
従来の技術では、親水化処理をしたウエハ接合予定面であっても、真空中で接合した場合の接合強度が弱いという問題があった。
これは、ウエハの接合予定面を真空中に晒すことで、親水化処理された接合予定面であっても、その面上に存在する水分子が飛んでしまい、接合処理時に、接合に寄与する十分なＯＨ基がウエハの接合予定面上に残存していないことが要因である。
In the prior art, there is a problem that the bonding strength in the case of bonding in vacuum is weak even on the wafer bonding scheduled surface subjected to the hydrophilization treatment.
This is because, by exposing the surface to be bonded of the wafer in vacuum, even if the surface to be bonded is hydrophilized, the water molecules present on the surface are blown away, which contributes to the bonding at the time of the bonding processing. The reason is that sufficient OH groups do not remain on the surface of the wafer to be bonded.
本実施形態のウエハ接合方法では、親水化処理の後、かつ接合処理の前に、洗浄処理を行わないことが好ましい。
ラジカルプラズマ処理、原子ビーム又はイオンビーム照射のいずれかにより親水化処理をするため、パーティクルがウエハの接合予定面上に付着することを抑制できる。そのため、親水化処理の後に洗浄処理を必要とせず、スループットを向上させることができる。従来のようなＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：反応性イオンエッチング）を利用すると、雰囲気中のパーティクルがウエハの接合予定面に付着していたが、これはＲＩＥの特性上避けられない問題であった。
In the wafer bonding method of the present embodiment, it is preferable that the cleaning process is not performed after the hydrophilization process and before the bonding process.
Since the hydrophilization treatment is performed by any of radical plasma treatment, atomic beam or ion beam irradiation, it is possible to suppress adhesion of particles on the surface to be joined of the wafer. Therefore, the throughput can be improved without the need for washing treatment after the hydrophilization treatment. When conventional RIE (reactive ion etching) is used, particles in the atmosphere adhere to the surface to be bonded of the wafer, which is an inevitable problem in terms of the characteristics of RIE.
本実施形態のウエハ接合方法では、親水化処理の後、かつ接合処理の前に、水に暴露する処理を行わないことが好ましい。 In the wafer bonding method of the present embodiment, it is preferable not to perform the process of exposing to water after the hydrophilization process and before the bonding process.
従来の技術では、接合予定面上に水分子を分布させることで、接合に寄与するＯＨ基を確保することが行われていたが、そのためには、ウエハの接合用予定面を水や水蒸気などに晒す工程が必要であった。この工程は大気中で行うため、親水化処理に続いてこの工程を実施することで、ウエハの環境を真空から大気へ変える必要があった。しかし、本実施形態のウエハ接合方法では、ラジカルプラズマ処理、原子ビーム又はイオンビーム照射のいずれかで親水化処理を行うため、ウエハの接合強度を十分に満足することができるＯＨ基を確保することができる。 In the prior art, it has been practiced to secure the OH group contributing to bonding by distributing water molecules on the planned bonding surface. For this purpose, the planned bonding surface of the wafer may be water, water vapor, or the like. Exposure steps were needed. Since this process is performed in the air, it is necessary to change the environment of the wafer from vacuum to the atmosphere by carrying out the process following the hydrophilization treatment. However, in the wafer bonding method of the present embodiment, since the hydrophilization treatment is performed by either radical plasma treatment, atomic beam irradiation, or ion beam irradiation, it is necessary to secure an OH group that can sufficiently satisfy the bonding strength of the wafer. Can.
親水化処理がラジカルプラズマ処理である場合、真空中においても、ウエハ接合予定面上に生成されたＯＨ基が十分な量残存するため、ウエハの接合強度を十分に満足することができるＯＨ基を確保することができる。
また、親水化処理が原子ビーム照射又はイオンビーム照射である場合、Ａｒ（アルゴン）の照射と同時に、Ｓｉ（シリコン）粒子を照射することで、ＯＨ基とつながるＳｉ原子を界面に多くドープすることができ、十分な親水化能力を与えることができる。
When the hydrophilization treatment is radical plasma treatment, sufficient amount of OH groups generated on the wafer bonding planned surface remain even under vacuum, so OH groups capable of sufficiently satisfying the bonding strength of the wafer are used. It can be secured.
When the hydrophilization treatment is atomic beam irradiation or ion beam irradiation, the Si (silicon) particles are irradiated simultaneously with Ar (argon) irradiation to dope the interface with a large number of Si atoms connected to OH groups. And can provide sufficient hydrophilization ability.
本実施形態のウエハ接合方法では、接合処理が、真空中で行われることが好ましい。
本実施形態のウエハ接合方法では、ラジカルプラズマ処理、原子ビーム又はイオンビーム照射のいずれかで親水化処理を行うため、ウエハの接合予定面に、接合に寄与する十分なＯＨ基が存在するため、真空で接合処理を行うことにより、十分な接合強度を得ることができる。
In the wafer bonding method of the present embodiment, the bonding process is preferably performed in a vacuum.
In the wafer bonding method of the present embodiment, since the hydrophilization treatment is performed by either radical plasma treatment, atomic beam irradiation, or ion beam irradiation, sufficient OH groups contributing to bonding exist on the surface to be bonded of the wafer. By performing the bonding process in vacuum, sufficient bonding strength can be obtained.
従来の技術のように、大気中でのウエハの接合を要件としないため、親水化処理から接合処理までを、同様の雰囲気中で行うことができる。すなわち、親水化処理から接合処理までを５−９Ｐａ〜１０−９Ｐａの真空度の真空雰囲気中で行うことができる。 As it does not require bonding of wafers in the atmosphere as in the prior art, hydrophilization treatment to bonding treatment can be performed in the same atmosphere. That is, it is possible to perform to the joining process from a hydrophilic treatment in a vacuum atmosphere of 5 -9 Pa to 10 -9 Pa degree of vacuum.
接合処理が、真空中で行われることにより、従来技術に係るものより装置の構成を簡素化することができ、またスループットも向上させることができる。 Since the bonding process is performed in vacuum, the configuration of the apparatus can be simplified and the throughput can be improved as compared to those according to the prior art.
具体的には、真空中での接合においても接合強度を確保し、パーティクルを発生しない、表面活性化処理の採用により、真空処理→真空接合と装置の簡素化とスループットの向上が達成できる。
また、真空接合により、空気の巻き込みによるボイドや残留水分による加熱時のマイクロボイドを低減できる利点も得られる。
Specifically, the adoption of surface activation treatment which secures bonding strength even in bonding in vacuum and does not generate particles can achieve simplification of the vacuum bonding → vacuum bonding and improvement in throughput.
In addition, vacuum bonding provides an advantage of being able to reduce voids due to air entrapment and micro voids during heating due to residual moisture.
本実施形態のウエハ接合方法では、親水化処理が、ラジカルプラズマ処理であることが好ましい。さらに好ましくは、親水化処理が、ＩＣＰプラズマ処理である。 In the wafer bonding method of the present embodiment, the hydrophilization treatment is preferably radical plasma treatment. More preferably, the hydrophilization treatment is ICP plasma treatment.
ウエハの接合において従来利用されてきたイオンエッチングでは、ウエハの接合予定面にＯＨ基が生成されても、強いエッチング力でＯＨ基が飛んでしまうため、一定以上にＯＨ基が生成されなかった。
しかし、本実施形態に係るウエハの接合方法では、反応性の高いラジカル処理を採用することで、親水化処理能力、すなわちＯＨ基を作る能力が高く、後から水を付加する必要がない。大気中の接合では、接合界面上に存在する水が介在してＯＨ基を形成していた。
In the ion etching conventionally used in bonding of wafers, even if OH groups are formed on the surface of the wafer to be bonded, OH groups are flung by strong etching power, and thus OH groups are not generated more than a certain amount.
However, in the wafer bonding method according to the present embodiment, by adopting radical processing with high reactivity, the hydrophilization processing ability, that is, the ability to form an OH group is high, and it is not necessary to add water later. In the bonding in air, water present on the bonding interface intervened to form an OH group.
本実施形態に係るウエハの接合方法に採用できる親水化処理としては、ＩＣＰプラズマ、マイクロウェーブプラズマ、トラップ板を通してラジカルのみダウンフローするプラズマ装置、等が好ましく用いられる。 As the hydrophilization treatment that can be employed for the method of bonding wafers according to the present embodiment, ICP plasma, microwave plasma, a plasma apparatus in which only radicals flow down through a trap plate, and the like are preferably used.
（実施形態２）
本実施形態に係るウエハの接合方法は、ウエハの接合方法であって、ウエハ表面の少なくとも一部に絶縁物質を堆積させる堆積処理と、堆積した絶縁物質を研磨する研磨処理と、接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理と、親水化処理の後にウエハを接合する接合処理とを含み、親水化処理が、ラジカルプラズマ処理によるものである、ウエハの接合方法である。
実施形態２に係る発明は、基本的な構成は上記実施形態１と同様である。
Second Embodiment
A wafer bonding method according to the present embodiment is a wafer bonding method, and a deposition process for depositing an insulating material on at least a part of the wafer surface, a polishing process for polishing the deposited insulating material, and a wafer to be bonded A method for bonding a wafer, comprising: hydrophilizing treatment for hydrophilizing at least a part of a planned bonding surface, and bonding processing for bonding a wafer after the hydrophilizing treatment, wherein the hydrophilization treatment is by radical plasma processing. is there.
The basic configuration of the invention according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment.
ウエハ表面の少なくとも一部に絶縁物質を堆積させる堆積処理では、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相成長）が好ましく用いられる。
堆積させる絶縁物質は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の、酸化膜、窒化膜、セラミックス等である。
In a deposition process for depositing an insulating material on at least a part of the wafer surface, chemical vapor deposition (CVD) is preferably used.
The insulating material to be deposited is an oxide film, a nitride film, a ceramic, or the like, such as SiO 2 or SiN.
接合されるウエハ表面、好ましくは、ウエハの接合予定面上に絶縁物質を堆積させた後、少なくとも接合予定面を研磨する研磨処理が行われる。研磨処理では、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｃｏｍｐｏｕｎｄ：化学機械研磨）が好ましく用いられる。 After depositing the insulating material on the wafer surface to be bonded, preferably on the surface to be bonded of the wafer, a polishing process is performed to polish at least the surface to be bonded. In the polishing process, CMP (chemical mechanical compound) is preferably used.
本実施形態のウエハ接合方法では、堆積処理と研磨処理に次いで、接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理と、親水化処理の後にウエハを接合する接合処理とを含む工程を経るが、親水化処理が、ラジカルプラズマ処理によるものである。 In the wafer bonding method of the present embodiment, following the deposition process and the polishing process, a hydrophilization process for hydrophilizing at least a part of the bonding planned surface of the wafer to be bonded, and a bonding process for bonding the wafer after the hydrophilization process The hydrophilization treatment is by radical plasma treatment.
従来技術のように、研磨処理が施された絶縁物質層をＲＩＥの強いエッチング力で処理すると、堆積された絶縁物質の粒子が取れ、パーティクルとなってウエハ上に残るという問題があった。このような状態で接合すると、数ｍｍから数１０ｍｍのボイドとなるため、従来は水洗浄を行ってパーティクルを除去する必要があった。 As in the prior art, when the insulating material layer subjected to the polishing process is treated with the strong etching power of RIE, there is a problem that particles of the deposited insulating material are removed and remain as particles on the wafer. Since bonding in such a state results in voids of several mm to several tens of mm, conventionally, it has been necessary to perform water cleaning to remove particles.
しかし、本実施形態に係るウエハの接合方法では、ラジカル処理（ＩＣＰプラズマ、マイクロウェーブプラズマ、トラップ板を通してラジカルのみダウンフローするプラズマ装置）により、弱いエッチング力で、かつ、反応性の高いラジカル処理を施すことで、親水化処理能力が高く、パーティクルを発生させない処理が可能となる。 However, in the wafer bonding method according to the present embodiment, radical processing with weak etching power and high reactivity is performed by radical processing (ICP plasma, microwave plasma, plasma apparatus in which only radicals flow down through the trap plate). By being applied, the hydrophilization processing ability is high, and the processing which does not generate particles becomes possible.
上記の実施形態に係るウエハの接合方法には、以下の利点がある。
（１）ウエハの十分な接合強度を得ることができる。
従来用いられていたＲＩＥプラズマでは、十分な接合強度を得るためのＯＨ基をウエハの接合予定面に存在させることが難しく真空中で接合した場合に接合強度が得られないという問題があった。そのため、一定の接合強度を得る目的で、大気中の水分子を確保するために大気中での接合が行われていた。
しかし、上記の実施形態に係るウエハの接合方法では、親水化処理がラジカルプラズマ処理である場合、真空中においても、ウエハ接合予定面上に生成されたＯＨ基が十分な量残存するため、ウエハの接合強度を十分に満足することができるＯＨ基を確保することができる。
The wafer bonding method according to the above embodiment has the following advantages.
(1) A sufficient bonding strength of the wafer can be obtained.
In the conventional RIE plasma, there is a problem that it is difficult to provide OH groups for obtaining sufficient bonding strength on the bonding planned surface of the wafer, and the bonding strength can not be obtained when bonding in vacuum. Therefore, in order to secure a certain bonding strength, bonding in the atmosphere has been performed in order to secure water molecules in the atmosphere.
However, in the wafer bonding method according to the above embodiment, when the hydrophilization treatment is radical plasma treatment, a sufficient amount of OH groups generated on the wafer bonding planned surface remain even in vacuum, so the wafer OH group which can fully satisfy the bonding strength of
（２）ウエハの接合予定面上にパーティクルが付着することを抑制できる。
上記の実施形態に係るウエハの接合方法では、水洗浄によるパーティクルの除去工程を不要とするため、スループットを向上させることができる。
(2) It is possible to suppress adhesion of particles on the surface to be joined of the wafer.
In the wafer bonding method according to the above embodiment, the throughput can be improved because the process of removing particles by water cleaning is unnecessary.
（３）異種材料で構成されるハイブリッドボンディングにも好ましく用いられる。
ハイブリッドボンディングの場合、例えば接合面に露出している樹脂材料等から発生するパーティクルによって接合面が汚染されることがあり、十分な接合強度が得られないなどといった問題があった。従来のＲＩＥ処理のためには、ウエハに電界バイアスがかかっており、パーティクルをウエハの接合予定面に引き寄せてしまうこともその要因であった。
しかしながら、上記の実施形態に係るウエハの接合方法では、このような問題は解消される。
(3) It is preferably used also for hybrid bonding made of different materials.
In the case of hybrid bonding, for example, the bonding surface may be contaminated by particles generated from a resin material or the like exposed on the bonding surface, and there is a problem that sufficient bonding strength can not be obtained. For the conventional RIE process, the wafer is subjected to an electric field bias, and the reason is that the particles are attracted to the surface on which the wafer is to be bonded.
However, in the method for bonding wafers according to the above embodiment, such a problem is solved.
また、上記の実施形態に係るウエハの接合方法では、装置の構成を図１（ｂ）（ｃ）のように簡素化することができる。図１（ｂ）では、ＦＡＢ（Ｆａｓｔ Ａｔｏｍ Ｂｅａｍ）処理と接合処理が同一のチャンバー内で行われる態様を示している。図１（ｃ）では、プラズマ処理と接合処理とが連通される同様の雰囲気のチャンバー内で行われる態様を示している。いずれの場合も、大気と真空とを経る従来のタクトの長い処理とは異なり、スループットは格段に向上する。 Further, in the wafer bonding method according to the above-described embodiment, the configuration of the apparatus can be simplified as shown in FIGS. 1 (b) and 1 (c). FIG. 1B shows an embodiment in which FAB (Fast Atom Beam) processing and bonding processing are performed in the same chamber. FIG. 1 (c) shows an embodiment in which the plasma treatment and the bonding treatment are performed in a similar atmosphere chamber in communication with each other. In either case, the throughput is significantly improved, unlike the conventional long process of tact through air and vacuum.
例えば、上記の実施形態に係るウエハの接合方法を採用して、水洗浄を工程に含まず、真空ちゅで接合した場合には、６．８分の処理時間を４．５分に短縮することができる。
さらに、上記の実施形態に係るウエハの接合方法の変形例として、接合処理の装置を２台で構成することで、処理時間は３分まで短縮される。
For example, when the wafer bonding method according to the above-described embodiment is adopted and water cleaning is not included in the process, and bonding is performed in a vacuum chamber, the processing time for 6.8 minutes is shortened to 4.5 minutes. Can.
Furthermore, as a modification of the method of bonding wafers according to the above-described embodiment, the processing time can be reduced to 3 minutes by configuring two bonding processing apparatuses.
上記の実施形態に係るウエハの接合方法では、ウエハの上下面のどちらでも親水化処理を行うことができる。そのため、ウエハの反転処理を省略することができ、スループットが向上し、装置構成を簡素化することができる。具体的には、ラジカルプラズマ処理を用いることにより、プラズマ処理に係る粒子が気体の流れに沿って移動するため、ウエハの裏面の処理も可能となる。 In the wafer bonding method according to the above embodiment, the hydrophilization treatment can be performed on either of the upper and lower surfaces of the wafer. Therefore, the wafer reversing process can be omitted, the throughput can be improved, and the apparatus configuration can be simplified. Specifically, by using radical plasma processing, the particles involved in plasma processing move along the flow of gas, so processing of the back surface of the wafer is also possible.
従来の技術では、親水化処理を施すことができる対象が、上向きにしたウエハの表面のみに限定されていたため、親水化処理の後、ウエハの接合処理時までに、接合されるウエハのどちらか一方を反転させる必要があり、スループットに影響を及ぼしていた。しかし、上記の実施形態に係るウエハの接合方法では、このような問題は解消される。 In the prior art, since the target that can be subjected to the hydrophilization treatment is limited to only the surface of the wafer facing upward, either of the wafers to be joined after the hydrophilization treatment and before the time of the wafer bonding treatment. It was necessary to invert one, which affected the throughput. However, in the method of bonding wafers according to the above embodiment, such a problem is solved.
上記の実施形態に係るウエハの接合方法では、接合時に、真空チャンバー内で直接赤外透過認識等によりウエハの相対位置を調整（アライメント）することで、±０．２μｍでの高精度アライメントを実現できる。大気中接合の場合、ウエハを撓ませて接合される試みがあるが、ウエハを撓ませたことによる歪みによってアライメント精度が下がることは避けられなかった。 In the wafer bonding method according to the above embodiment, the relative position of the wafer is adjusted (alignment) by direct infrared transmission recognition or the like in the vacuum chamber at the time of bonding, thereby achieving high accuracy alignment of ± 0.2 μm. it can. In the case of bonding in the atmosphere, attempts have been made to bend and bond the wafer, but it has been inevitable that the distortion caused by bending the wafer may lower the alignment accuracy.
また従来技術では、大気中でのアライメント方式では、真空中での接合が必要なプロセスでは搬送ジグによるウエハの移送が必要であり、真空チャンバー内でのウエハのリリースによる精度悪化が問題であった。しかし、上記の実施形態に係るウエハの接合方法では、このような問題は解消される。 Further, in the prior art, in the alignment method in the atmosphere, in the process requiring bonding in vacuum, the transfer of the wafer by the transfer jig is necessary in the process requiring bonding, and the accuracy deterioration due to the release of the wafer in the vacuum chamber is a problem. . However, in the method of bonding wafers according to the above embodiment, such a problem is solved.
以下に、本発明の実施例を示す。 Below, the Example of this invention is shown.
（実施例１）
表１および２に、Ｓｉ−ＳｉＯ２ウエハ及びＳｉＯ２−ＳｉＯ２ウエハの接合試験の結果を示す。
Example 1
Tables 1 and 2 show the results of bonding tests of Si-SiO 2 wafers and SiO 2 -SiO 2 wafers.
表１より、従来のＲＩＥ式Ｎ２プラズマでは、大気中では十分な強度が出たが、真空中接合では強度が低下することがわかる。これはイオンが加速衝突するため、既にできたＯＨ基を飛ばしてしまい、一定以上のＯＨ基ができないからであると考えられる。そのため水分子を介在させて張り合わせることで接合途上でＯＨ基が生成され強度アップする。しかし、真空中では水分子が張り合わせ面に介在しないため強度が低下する。 From Table 1, it can be seen that the conventional RIE-type N 2 plasma has sufficient strength in the atmosphere, but the strength decreases in vacuum bonding. It is considered that this is because the ions accelerate and collide, so that the already formed OH group can be skipped, and a certain number or more of OH groups can not be formed. Therefore, by interposing and bonding water molecules, OH groups are generated in the course of bonding and the strength is enhanced. However, in a vacuum, the water molecules do not intervene in the bonding surface, so the strength is reduced.
これに対して、最終ラジカルを使用するシーケンシャルプラズマやラジカル処理のみを用いた処理では、真空中でもバルク破壊強度を達成した。これはラジカル処理では生成したＯＨ基を飛ばす力はなく反応性が高いためＯＨ基が全面に多く生成されるためである。
また、ＳｉにおいてはＳｉＯ２より界面の酸素原子が少ないため最初に酸素プラズマ処理していることが効果的である。
ラジカルのみを使用したＩＣＰプラズマによる処理においても真空中で十分な接合強度を得ることができたことがわかる。
On the other hand, in the processing using only sequential plasma or radical processing using the final radical, the bulk breaking strength was achieved even in vacuum. This is because in radical treatment there is no force to fly generated OH groups and there is a high reactivity, so many OH groups are generated on the entire surface.
In addition, since the number of oxygen atoms at the interface in Si is smaller than that in SiO 2, it is effective to perform oxygen plasma treatment first.
It can be seen that sufficient bond strength could be obtained in vacuum even in the ICP plasma treatment using only radicals.
表２の結果によれば、Ｓｉ−ＳｉＯ２のみならず、ＳｉＯ２−ＳｉＯ２の接合においても同様に真空中接合強度を得ることができた。また、ＳｉＯ２−ＳｉＯ２においてはＣｕ電極があることを想定してあえてＯ２プラズマを使用しない状態でも強度を確保した。 According to the results in Table 2, the bonding strength in vacuum could be obtained not only for Si-SiO 2 but also for SiO 2 -SiO 2 bonding. In addition, assuming that there is a Cu electrode in SiO 2 -SiO 2 , the strength was ensured even in a state where O 2 plasma was not used.
ラジカルを使用することでパーティクルを抑え、真空中での接合強度を確保することができた。
シーケンシャルプラズマでのラジカル源としてはマイクロウェーブや高周波プラズマをトラップ板を通してダウンフローする方法を用いた。ＩＣＰプラズマを使用すると、１０００Ｗ、１０００ｃｃとハイパワーでラジカルプラズマの量も確保できるため特に好適であった。
By using radicals, it was possible to suppress particles and secure bonding strength in vacuum.
As a radical source in sequential plasma, a method of downflowing microwave or high frequency plasma through a trap plate was used. The use of ICP plasma is particularly preferable because it can ensure the amount of radical plasma with high power of 1000 W and 1000 cc.
表１、２の実施例では、ラジカルプラズマ処理において反応ガスとして窒素を含むガスを主体としたが、水素を含むガスを使用することもできる。そうすることで接合界面に酸素が存在する限り、残るＨを供給すればＯＨ基となり、より水分を含まない真空下でも親水化処理が可能となる。例えばＨ２ガスやＨ２Ｎ２ガスを使用すればより効果的であった。 In the examples of Tables 1 and 2, the gas containing nitrogen is mainly used as the reaction gas in the radical plasma treatment, but a gas containing hydrogen can also be used. By so doing, as long as oxygen is present at the bonding interface, supplying the remaining H will result in OH groups, making it possible to carry out a hydrophilization treatment even under a vacuum that does not contain water. For example, using H 2 gas or H 2 N 2 gas was more effective.
また、Ｏ２ガスとＨ２Ｎ２ガスを混合させて処理しても効果的であった。接合界面に酸素が少ない場合などにも効果があると考えられる。 It was also effective to mix and process O 2 gas and H 2 N 2 gas. It is considered to be effective also when there is little oxygen at the bonding interface.
また、ラジカルプラズマ処理において反応ガスとしてＨ２ＯまたはＯＨを含むガスを使用することもできる。Ｈ２ＯまたはＯＨを含むガスをプラズマ化することで、Ｈ２ＯやＨ、ＯＨとしてプラズマ化されるので、より水分を含まない真空下でも親水化処理が可能となる。例えば反応ガスとして水ガスを使用するとより効果的であった。また、水ガスにおいては前段のイオンエッチング処理として反応ガスに使用することでも効果があった。 Also, a gas containing H 2 O or OH can be used as a reaction gas in radical plasma treatment. By plasmatizing a gas containing H 2 O or OH, it is plasmified as H 2 O, H, or OH, so that the hydrophilization treatment can be performed even under a vacuum that does not contain water. For example, it was more effective to use water gas as a reaction gas. In the case of water gas, it is also effective to use it as a reactive gas in the ion etching process at the front stage.
また、シーケンシャルプラズマにおいては前段処理でバイアスをかけてイオンエッチングすることで物理的な界面の不純物の除去や親水化処理のための酸素を供給することができるので、よりラジカル処理が有効に利くが、ラジカル処理のみでは常温では反応が薄い場合がある。その場合、被接合物を加熱することで界面をラジカルと反応しやすくすることが効果的である。例えば１５０℃〜３００℃の加熱を併用するとより効果的であった。 In addition, in sequential plasma, removal of impurities on the physical interface and oxygen for hydrophilic treatment can be supplied by ion etching with bias applied in the pre-stage treatment, so radical treatment is more effective. The reaction may be weak at room temperature only by radical treatment. In that case, it is effective to make the interface easy to react with radicals by heating the object to be bonded. For example, combined use of heating at 150 ° C. to 300 ° C. was more effective.
また、シーケンシャル処理において前段のバイアスをかけてイオンエッチングする工程とラジカル処理のみを行う後段処理において、処理面上部においてプラズマを発生させ、前段で処理面にバイアスをかけて上部プラズマを引き込んでイオンエッチングし、後段のラジカルのみの処理ではバイアスをオフして上部から処理面へのガスの流れのみで処理すればラジカルのみがあたることになり、ＲＩＥ処理とラジカル処理を連続して短時間で行うことができ好適である。 Also, in the sequential processing, in the post-stage bias application process and the post-stage process performing only radical treatment, plasma is generated in the upper part of the treated surface, and the treated surface is biased to draw in the upper plasma to perform ion etching. In the latter processing of radicals only, if the bias is turned off and processing is performed only with the gas flow from the top to the processing surface, only radicals will be hit, and RIE processing and radical processing should be performed in a short time continuously. And is preferred.
また、同じガスを使用することでより短時間で連続処理することができる。例えば酸素→窒素とガスを変えずに同じ窒素でＲＩＥ処理後ラジカル処理することもできる。特に酸化膜や窒化膜においては、Ｓｉのように事前に酸素を打ち込む必要もなく好適であった。また、先に酸素でプラズマをたてＲＩＥ処理後ラジカル処理時に窒素やＨ２Ｎ２ガスを混合してラジカル処理することもできる。この場合においても短時間で連続処理することが可能であった。 In addition, continuous processing can be performed in a shorter time by using the same gas. For example, it is also possible to carry out radical treatment after RIE treatment with the same nitrogen without changing the gas from oxygen → nitrogen. In particular, in the case of an oxide film or a nitride film, it was preferable because there was no need to implant oxygen in advance like Si. In addition, it is also possible to carry out radical treatment by mixing nitrogen or H 2 N 2 gas at the time of radical treatment after plasma treatment with RIE in advance. Also in this case, continuous processing was possible in a short time.
実験例として酸素によるＲＩＥ処理（５０Ｗ、１５秒）後、Ｈ２Ｎ２混合ガスによるラジカル処理（３０００Ｗ ４５秒）を行ったものが、Ｓｉ、酸化膜、窒化膜、などにおいて良好な結果が出た。最初に弱くＲＩＥ処理してからラジカル処理することで酸素が足りないＳｉや窒化膜に対して酸素を供給し、酸化膜においてもコンタミネーションが除去できて、かつ、パーティクルが出ない状態を確保することができた。 As an experimental example, after performing RIE treatment with oxygen (50 W, 15 seconds) and radical treatment with H 2 N 2 mixed gas (3000 W 45 seconds), good results are obtained with Si, oxide film, nitride film, etc. The At first, after weak RIE processing, supply oxygen to Si or nitride film lacking oxygen by radical processing and ensure that contamination can be removed from the oxide film and particles do not come out. I was able to.
（実施例２）
図１に、接合試験の結果を示す。これによれば、ＲＩＥでエッチングした場合、接合面にパーティクルが存在し、その周辺で未接合箇所が生じることがわかる。
(Example 2)
FIG. 1 shows the result of the bonding test. According to this, it can be seen that when etching is performed by RIE, particles are present on the bonding surface and unbonded portions are generated around the particles.
また、表３は、ウエハ表面のパーティクルの数を示す。これによれば、ウエハ表面のパーティクルの数が抑制されていることがわかる。 Table 3 shows the number of particles on the wafer surface. According to this, it can be seen that the number of particles on the wafer surface is suppressed.
一般的に、０．２μｍ以下のパーティクルは、大きなボイドとはならず、数十個レベルでは、問題とならない。通常、ＣＶＤ処理が施されたＳｉＯ２をＲＩＥ処理すると、数μｍ程度のパーティクルが数十個発生し、ボイドの問題が生じる。 Generally, particles of 0.2 μm or less do not form large voids, and do not cause problems at several tens of particles. Usually, when SiO 2 subjected to CVD treatment is subjected to RIE treatment, several tens of particles of about several μm are generated to cause a problem of void.
Claims (11)
接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理と、
前記親水化処理の後に真空中で前記ウエハを接合する接合処理とを含み、
前記親水化処理において、原子ビーム照射又はイオンビーム照射のいずれかを行うとともに、Ｓｉ粒子を照射する、
ウエハの接合方法。 A method of bonding wafers,
Hydrophilizing treatment to hydrophilize at least a part of the bonding planned surface of the wafers to be bonded;
And a bonding process for bonding the wafers in a vacuum after the hydrophilic treatment,
In the hydrophilization treatment , either atomic beam irradiation or ion beam irradiation is performed, and Si particles are irradiated.
Wafer bonding method.
接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理と、 Hydrophilizing treatment to hydrophilize at least a part of the bonding planned surface of the wafers to be bonded;
前記親水化処理の後に真空中で前記ウエハを接合する接合処理とを含み、 Bonding the wafers in vacuum after the hydrophilization treatment, and
前記親水化処理後前記接合処理前において、前記ウエハを大気に曝さず、 After the hydrophilization treatment and before the bonding treatment, the wafer is not exposed to the atmosphere,
前記親水化処理において、前記ウエハの処理面上部に常時プラズマを発生させ、前記処理面のバイアスをオフして上部プラズマから前記処理面へ窒素ラジカルをダウンフローさせるラジカル処理のみを行う、 In the hydrophilization treatment, only a radical treatment is performed, in which plasma is constantly generated above the processing surface of the wafer, the bias of the processing surface is turned off, and nitrogen radicals are downflowed from the upper plasma to the processing surface.
ウエハの接合方法。 Wafer bonding method.
ウエハ表面の少なくとも一部に絶縁物質を堆積させる堆積処理と、
堆積した絶縁物質を研磨する研磨処理と、
接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理と、
前記親水化処理の後に真空中で前記ウエハを接合する接合処理とを含み、
前記親水化処理後前記接合処理前において、前記ウエハを大気に曝さず、
前記親水化処理において、前記ウエハの処理面上部に常時プラズマを発生させ、前記処理面のバイアスをオフして上部プラズマから前記処理面へ窒素ラジカルをダウンフローさせるラジカル処理のみを行う、
ウエハの接合方法。 A method of bonding wafers,
Depositing an insulating material on at least a portion of the wafer surface;
A polishing process for polishing the deposited insulating material;
Hydrophilizing treatment to hydrophilize at least a part of the bonding planned surface of the wafers to be bonded;
And a bonding process for bonding the wafers in a vacuum after the hydrophilic treatment,
After the hydrophilization treatment and before the bonding treatment, the wafer is not exposed to the atmosphere,
In the hydrophilization treatment , only a radical treatment is performed , in which plasma is constantly generated above the processing surface of the wafer, the bias of the processing surface is turned off, and nitrogen radicals are downflowed from the upper plasma to the processing surface .
Wafer bonding method.
接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理を実行するための親水化処理部と、
前記親水化処理の後に真空中で前記ウエハを接合するための接合処理部とを含み、
前記親水化処理部は、原子ビーム照射又はイオンビーム照射のいずれかを行うとともに、Ｓｉ粒子を照射する、
ウエハの接合装置。 A wafer bonding apparatus,
A hydrophilization treatment unit for performing a hydrophilization treatment to hydrophilize at least a part of the bonding planned surface of the wafers to be bonded;
And a bonding processing unit for bonding the wafer in vacuum after the hydrophilization treatment,
The hydrophilization treatment unit performs either atomic beam irradiation or ion beam irradiation and irradiates Si particles .
Wafer bonding equipment.
接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理を実行するための親水化処理部と、 A hydrophilization treatment unit for performing a hydrophilization treatment to hydrophilize at least a part of the bonding planned surface of the wafers to be bonded;
前記親水化処理の後に真空中で前記ウエハを接合するための接合処理部と、 A bonding processing unit for bonding the wafer in vacuum after the hydrophilization treatment;
前記親水化処理が行われる第１チャンバと、 A first chamber in which the hydrophilization treatment is performed;
前記第１チャンバに連通し前記ウエハを大気に曝すことなく内側へ搬送可能な第２チャンバと、を含み、 And a second chamber in communication with the first chamber and capable of being transported inward without exposing the wafer to the atmosphere.
前記親水化処理部は、前記ウエハの処理面上部に常時プラズマを発生させ、前記処理面のバイアスをオフして上部プラズマから前記処理面へ窒素ラジカルをダウンフローさせるラジカル処理のみを実行する、 The hydrophilization processing unit performs only radical processing which constantly generates plasma on the upper surface of the processing surface of the wafer, turns off the bias of the processing surface, and causes nitrogen radicals to flow down from the upper plasma to the processing surface.
ウエハの接合装置。 Wafer bonding equipment.
ウエハ表面の少なくとも一部に絶縁物質を堆積させるための堆積処理部と、
堆積した絶縁物質を研磨するための研磨処理部と、
接合されるウエハの接合予定面の少なくとも一部を親水化させる親水化処理を実行するための親水化処理部と、
前記親水化処理の後に真空中で前記ウエハを接合するための接合処理部と、
前記親水化処理が行われる第１チャンバと、
前記第１チャンバに連通し前記ウエハを大気に曝すことなく内側へ搬送可能な第２チャンバと、を含み、
前記親水化処理部は、前記ウエハの処理面上部に常時プラズマを発生させ、前記処理面のバイアスをオフして上部プラズマから前記処理面へ窒素ラジカルをダウンフローさせるラジカル処理のみを実行する、
ウエハの接合装置。 A wafer bonding apparatus,
A deposition unit for depositing an insulating material on at least a portion of the wafer surface;
A polishing unit for polishing the deposited insulating material;
A hydrophilization treatment unit for performing a hydrophilization treatment to hydrophilize at least a part of the bonding planned surface of the wafers to be bonded;
A joint processing unit for bonding the wafer in a vacuum after the hydrophilic treatment,
A first chamber in which the hydrophilization treatment is performed;
And a second chamber in communication with the first chamber and capable of being transported inward without exposing the wafer to the atmosphere .
The hydrophilization processing unit performs only radical processing which constantly generates plasma on the upper surface of the processing surface of the wafer, turns off the bias of the processing surface, and causes nitrogen radicals to flow down from the upper plasma to the processing surface.
Wafer bonding equipment.
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