JP6541596B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6541596B2 JP6541596B2 JP2016057010A JP2016057010A JP6541596B2 JP 6541596 B2 JP6541596 B2 JP 6541596B2 JP 2016057010 A JP2016057010 A JP 2016057010A JP 2016057010 A JP2016057010 A JP 2016057010A JP 6541596 B2 JP6541596 B2 JP 6541596B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- high frequency
- period
- time
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 95
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 150
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 48
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 28
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 341
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 32
- 230000006870 function Effects 0.000 description 29
- 101000648497 Homo sapiens Transportin-3 Proteins 0.000 description 20
- 102100036399 Importin-11 Human genes 0.000 description 20
- 101710086667 Importin-11 Proteins 0.000 description 20
- 102100028746 Transportin-3 Human genes 0.000 description 20
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 101000597862 Homo sapiens Transmembrane protein 199 Proteins 0.000 description 3
- 101000803527 Homo sapiens Vacuolar ATPase assembly integral membrane protein VMA21 Proteins 0.000 description 3
- 101100102690 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VMA22 gene Proteins 0.000 description 3
- 102100035335 Transmembrane protein 199 Human genes 0.000 description 3
- 101150029585 VMA11 gene Proteins 0.000 description 3
- 102100035048 Vacuolar ATPase assembly integral membrane protein VMA21 Human genes 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 101000831940 Homo sapiens Stathmin Proteins 0.000 description 2
- 101000621511 Potato virus M (strain German) RNA silencing suppressor Proteins 0.000 description 2
- 102100024237 Stathmin Human genes 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
Td1=5×10−6×Qm2−0.0064×Qm+4.4778+(−0.0151×Qp+0.0663)
であった。ここで、Qmは第1のガスの流量であり、Qpは第2のガスの流量である。このように、遅延時間Td1は、第1のガスの流量及び第2のガスの流量を変数にもつ関数として定義できる。また、関数の代わりに、遅延時間Td1は、第1のガスの流量及び第2のガスの流量に関連付けてテーブルに登録することが可能である。制御部72は、当該関数を利用することにより、或いは、当該テーブルを参照することにより、レシピにおいて指定された第2段階S2の第1のガスの流量及び第2のガスの流量に対応する第1の遅延時間を特定し、当該第1の遅延時間を初期的に第1の時間差Doに設定することができる。
Td2=5×10−6×Qm2−0.0063×Qm+4.2333
であった。ここで、Qmは第1のガスの流量である。このように、遅延時間Td2は、第1のガスの流量を変数にもつ関数として定義できる。また、関数の代わりに、遅延時間Td2は、第1のガスの流量に関連付けてテーブルに登録することが可能である。制御部72は、当該関数を利用することにより、或いは、当該テーブルを参照することにより、レシピにおいて指定された第2段階S2の第1のガスの流量に対応する第2の遅延時間を特定し、当該第2の遅延時間を初期的に第2の時間差Dtに設定することができる。
なお、反射波係数Γ1は、パワーセンサ36cによって求められる進行波パワー測定値PF1及び反射波パワー測定値PR11から、PR11/PF1により、求められてもよい。
Claims (5)
- プラズマ処理装置において実行されるプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
処理容器と、
前記処理容器内にガスを供給するガス供給系と、
前記処理容器内の空間がそれらの間に介在するように設けられた第1電極及び第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極のうち一方の電極に供給されるプラズマ生成用の第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、
前記第2電極に供給されるイオン引き込み用の第2の高周波を出力する第2の高周波電源と、
前記ガス供給系、前記第1の高周波電源、及び、前記第2の高周波電源を制御する制御部と、
を備え、
該プラズマ処理方法において、前記処理容器内において第1のガスを含む第1の処理ガスのプラズマを生成する第1段階、及び、第1段階に続き、前記処理容器内において前記第1のガスと該第1のガスに添加された第2のガスを含む第2の処理ガスのプラズマを生成する第2段階を、各々が含む複数回のサイクルが実行され、
前記第1段階が行われる第1の期間、及び、該第1の期間に続き前記第2段階が行われる第2の期間にわたって、前記第1のガスが前記処理容器内に供給され、前記第1の高周波が前記一方の電極に供給され、
前記第2の期間において前記第2電極に前記第2の高周波が供給され、
前記第1の期間における前記第2の高周波のパワーが、前記第2の期間における前記第2の高周波のパワーよりも低いパワーに設定され、
該プラズマ処理方法は、
前記制御部による制御に応じて、前記第2の期間の開始時点に対して第1の時間差の分だけ前の出力開始時点に、前記ガス供給系からの前記第2のガスの出力を開始する工程と、
前記制御部による制御に応じて、前記第2の期間の前記開始時点に、前記第2電極に対する前記第2の高周波の供給を開始する工程と、
前記制御部による制御に応じて、前記第2の期間中且つ該第2の期間の終了時点に対して第2の時間差の分だけ前の出力停止時点に、前記ガス供給系からの前記第2のガスの出力を停止する工程と、
前記制御部による制御に応じて、前記第2の期間の前記終了時点に、前記第2の高周波のパワーを低下させる工程と、
を含み、
前記制御部は、前記第1のガスの流量と前記第2のガスの流量に、前記ガス供給系が前記第2のガスの出力を開始した時点から前記処理容器内に前記第2のガスが供給される時点までの遅延時間を関連付ける関数又はテーブルを用いて、レシピにおいて指定された前記第2段階の前記第1のガスの流量と前記第2のガスの流量に関連付けられた第1の遅延時間を特定し、該第1の遅延時間を初期的に前記第1の時間差に設定し、
前記制御部は、前記第1のガスの流量に、前記ガス供給系が前記第2のガスの出力を停止した時点から前記処理容器内への前記第2のガスの供給が終了する時点までの遅延時間を関連付ける関数又はテーブルを用いて、前記レシピにおいて指定された前記第2段階の前記第1のガスの流量に関連付けられた第2の遅延時間を特定し、該第2の遅延時間を初期的に前記第2の時間差に設定する、
プラズマ処理方法。 - 前記プラズマ処理装置は、
前記一方の電極と前記第1の高周波電源を接続する第1の給電ラインと、
前記第2電極と前記第2の高周波電源を接続する第2の給電ラインと、
前記第1の高周波電源の負荷インピーダンスを調整するための第1の整合器と、
前記第2の高周波電源の負荷インピーダンスを調整するための第2の整合器と、
前記第1の高周波電源の負荷インピーダンス、負荷抵抗、及び、負荷リアクタンス、並びに、前記第1の高周波の反射波係数のうち何れかを含むパラメータを求める演算部と、
を更に備え、
前記複数回のサイクルのうち任意のサイクルの実行期間中の前記第2の期間の直前の前記出力開始時点と該任意のサイクルの該実行期間中の該第2の期間の前記開始時点との間の期間において第1の閾値を超える前記パラメータが前記演算部によって求められた場合に、前記制御部が、該第1の閾値を超える前記パラメータが求められた時点と前記任意のサイクルの前記実行期間中の前記第2の期間の前記開始時点との間の時間差の分、前記第1の時間差を減少させる、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記複数回のサイクルのうち任意のサイクルの実行期間中の前記第2の期間の直前の前記出力開始時点と該任意のサイクルの該実行期間中の該第2の期間の前記開始時点との間の期間において前記第1の閾値を超える前記パラメータが前記演算部によって求められなかった場合に、前記制御部が、前記第1の時間差を所定時間分、増加させる、
請求項2に記載のプラズマ処理方法。 - 前記複数回のサイクルのうち任意のサイクルの実行期間中の前記第2の期間中の前記出力停止時点と該任意のサイクルの前記実行期間中の前記第2の期間の前記終了時点との間の期間おいて第2の閾値を超える前記パラメータが前記演算部によって求められた場合に、前記制御部が、該第2の閾値を超える前記パラメータが求められた時点と該任意のサイクルの前記実行期間中の前記第2の期間の前記終了時点との間の時間差の分、前記第2の時間差を減少させる、請求項2又は3に記載のプラズマ処理方法。
- 前記複数回のサイクルのうち任意のサイクルの実行期間中の前記第2の期間中の前記出力停止時点と該任意のサイクルの前記実行期間中の前記第2の期間の前記終了時点との間の期間おいて前記第2の閾値を超える前記パラメータが前記演算部によって求められなかった場合に、前記制御部が、前記第2の時間差を所定時間分、増加させる、
請求項4に記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016057010A JP6541596B2 (ja) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | プラズマ処理方法 |
TW106108645A TWI718272B (zh) | 2016-03-22 | 2017-03-16 | 電漿處理方法 |
SG10201702287RA SG10201702287RA (en) | 2016-03-22 | 2017-03-21 | Plasma Processing Method |
US15/464,503 US9960016B2 (en) | 2016-03-22 | 2017-03-21 | Plasma processing method |
KR1020170035263A KR102223327B1 (ko) | 2016-03-22 | 2017-03-21 | 플라즈마 처리 방법 |
CN201710173345.0A CN107221486B (zh) | 2016-03-22 | 2017-03-22 | 等离子体处理方法 |
US15/938,006 US10269539B2 (en) | 2016-03-22 | 2018-03-28 | Plasma processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016057010A JP6541596B2 (ja) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017174890A JP2017174890A (ja) | 2017-09-28 |
JP6541596B2 true JP6541596B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=59899045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016057010A Active JP6541596B2 (ja) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | プラズマ処理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9960016B2 (ja) |
JP (1) | JP6541596B2 (ja) |
KR (1) | KR102223327B1 (ja) |
CN (1) | CN107221486B (ja) |
SG (1) | SG10201702287RA (ja) |
TW (1) | TWI718272B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019186098A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマを生成する方法 |
WO2021124427A1 (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法 |
JP7499602B2 (ja) * | 2020-04-27 | 2024-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2023019285A (ja) | 2021-07-29 | 2023-02-09 | 三井・ケマーズ フロロプロダクツ株式会社 | フッ素系溶剤組成物 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030000471A1 (en) * | 2001-06-18 | 2003-01-02 | Soo-Sik Yoon | Method and apparatus for manufacturing semiconductor devices |
WO2003021002A1 (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for plasma processing |
US20070066038A1 (en) * | 2004-04-30 | 2007-03-22 | Lam Research Corporation | Fast gas switching plasma processing apparatus |
JP2008118017A (ja) | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法および処理装置 |
CN101978479A (zh) * | 2008-03-21 | 2011-02-16 | 应用材料公司 | 基材蚀刻系统与制程的方法及设备 |
US20130048082A1 (en) * | 2011-08-22 | 2013-02-28 | Mirzafer Abatchev | System, method and apparatus for real time control of rapid alternating processes (rap) |
JP5847496B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2016-01-20 | 株式会社日立国際電気 | プラズマ生成用電源装置及びプラズマ生成パラメータ設定方法 |
US9772629B2 (en) * | 2011-09-29 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Methods for monitoring a flow controller coupled to a process chamber |
JP5935116B2 (ja) | 2011-12-16 | 2016-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR102168064B1 (ko) | 2013-02-20 | 2020-10-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US9768033B2 (en) * | 2014-07-10 | 2017-09-19 | Tokyo Electron Limited | Methods for high precision etching of substrates |
JP6316735B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
-
2016
- 2016-03-22 JP JP2016057010A patent/JP6541596B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-16 TW TW106108645A patent/TWI718272B/zh active
- 2017-03-21 KR KR1020170035263A patent/KR102223327B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-21 SG SG10201702287RA patent/SG10201702287RA/en unknown
- 2017-03-21 US US15/464,503 patent/US9960016B2/en active Active
- 2017-03-22 CN CN201710173345.0A patent/CN107221486B/zh active Active
-
2018
- 2018-03-28 US US15/938,006 patent/US10269539B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG10201702287RA (en) | 2017-10-30 |
JP2017174890A (ja) | 2017-09-28 |
TWI718272B (zh) | 2021-02-11 |
US10269539B2 (en) | 2019-04-23 |
US20170278675A1 (en) | 2017-09-28 |
US9960016B2 (en) | 2018-05-01 |
US20180218882A1 (en) | 2018-08-02 |
KR20170110035A (ko) | 2017-10-10 |
CN107221486B (zh) | 2019-05-07 |
CN107221486A (zh) | 2017-09-29 |
TW201737393A (zh) | 2017-10-16 |
KR102223327B1 (ko) | 2021-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102262262B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
CN107221494B (zh) | 等离子体处理方法 | |
JP6541540B2 (ja) | プラズマ処理装置のインピーダンス整合のための方法 | |
KR102375578B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치의 임피던스 정합을 위한 방법 | |
JP6541596B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
KR20160000400A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
TWI695403B (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180906 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6541596 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |