JP6531718B2 - Method for producing oxide sintered body, and oxide sintered body - Google Patents
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Description
本発明は、酸化インジウムを主原料とする真空蒸着用の酸化物焼結体の製造方法と酸化物焼結体に関する。 The present invention relates to a method for producing an oxide sintered body for vacuum deposition mainly composed of indium oxide and an oxide sintered body.
酸化物透明導電膜は、高い導電性と特に可視光領域における高い透過率を有するため、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置等の表示素子、太陽電池、発光ダイオード（ＬＥＤ）における透明電極等の材料のほか、自動車窓の熱線反射膜、帯電防止膜、防曇用透明発熱体等に広く利用されている。 A transparent conductive oxide film has high conductivity and high transmittance particularly in the visible light region, and thus, a display element such as a liquid crystal display (LCD) or an organic electroluminescence (organic EL) display device, a solar cell, a light emitting diode (LED) In addition to materials such as transparent electrodes in the above, it is widely used in heat ray reflective films of automobile windows, antistatic films, transparent heating elements for antifogging and the like.
近年、これらの中でもＬＣＤや有機ＥＬ表示装置の技術開発が進み、高い表示性能と、高い省エネルギー性を実現する製品が数多く提供されている。これらのＬＣＤや有機ＥＬ表示装置は、小型かつ薄く作製することが可能であり、特に、携帯電話、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、パーソナルコンピュータ等のディスプレイとして広く使用されている。 Among these, in recent years, technological development of LCD and organic EL display devices has progressed, and many products realizing high display performance and high energy saving property are provided. These LCDs and organic EL display devices can be made small and thin, and in particular, are widely used as displays of mobile phones, PDAs (Personal Digital Assistants), personal computers and the like.
有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子は、有機化合物を利用した発光素子であり、近年、その性能の向上は目覚ましいものがある。この有機ＥＬ素子は、電子及び正孔の再結合によって発光するものであるが、この際、正孔輸送層への正孔注入効率は、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルと陽極（透明電極）の仕事関数（真空準位とフェルミ準位のエネルギ差）の大きさに依存する。すなわち、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルとの関係で、より高い仕事関数を有する陽極を使用することにより、正孔輸送層への正孔注入効率を高めることができる。 The organic EL element which comprises an organic EL display apparatus is a light emitting element using an organic compound, and the improvement of the performance is remarkable in recent years. This organic EL element emits light by recombination of electrons and holes. In this case, the hole injection efficiency to the hole transport layer is determined by the ionization potential of the hole transport layer and the anode (transparent electrode). It depends on the size of work function (energy difference between vacuum level and Fermi level). That is, by using the anode having a higher work function in relation to the ionization potential of the hole transport layer, it is possible to enhance the hole injection efficiency to the hole transport layer.
正孔輸送物質としては、さまざまな有機化合物が提案されているが、それらの中でも芳香族アミン系化合物、特にトリフェニルアミン誘導体や、カルバゾール誘導体が優れた機能を有するものとして知られている。ここで、トリフェニルアミン誘導体であるトリフェニルアミンのイオン化ポテンシャルは５．５ｅＶ〜５．６ｅＶの範囲にあり、カルバゾール誘導体であるポリビニルカルバゾールのイオン化ポテンシャルは５．８ｅＶ程度である。 A variety of organic compounds have been proposed as hole transport materials, and among them, aromatic amine compounds, particularly triphenylamine derivatives and carbazole derivatives are known as having excellent functions. Here, the ionization potential of triphenylamine which is a triphenylamine derivative is in the range of 5.5 eV to 5.6 eV, and the ionization potential of polyvinylcarbazole which is a carbazole derivative is about 5.8 eV.
一方、陽極に用いられる酸化物透明導電膜としては、酸化インジウム系の酸化物膜、酸化亜鉛系の酸化物膜、酸化スズ系の酸化物膜が知られている。これらのうち、酸化インジウム系の酸化物膜の一種である、スズをドープした酸化インジウム（酸化インジウムスズ；ＩＴＯ）膜は、特に低抵抗の膜が容易に得られることから、広く利用されている。 On the other hand, indium oxide-based oxide films, zinc oxide-based oxide films, and tin oxide-based oxide films are known as transparent oxide conductive films used for the anode. Among these, a tin-doped indium oxide (indium tin oxide; ITO) film, which is a type of indium oxide-based oxide film, is widely used, in particular because a low resistance film is easily obtained. .
しかしながら、ＩＴＯの仕事関数は４．６ｅＶ〜５．０ｅＶにとどまるため、上記の正孔輸送物質との間には０．５ｅＶ〜１．２ｅＶ程度のエネルギー障壁が存在し、正孔輸送層への正孔注入効率を向上させることはできない。 However, since the work function of ITO remains at 4.6 eV to 5.0 eV, an energy barrier of about 0.5 eV to 1.2 eV is present between the ITO and the above-mentioned hole transport material, Hole injection efficiency can not be improved.
これに対して、特許文献１では、インジウム及びモリブデンを含む酸化物、または酸化インジウム及び酸化タングステンを含む酸化物を使用することによって、５．０ｅＶを超える仕事関数が得られるとの記載がある。特に、モリブデンを含むものに関しては、モリブデンの添加量が多いほど、仕事関数が増加する傾向がみられることが記載されている。一方、特許文献２には、インジウムとモリブデンと酸素からなる焼結体とその製造方法が記載されている。 On the other hand, Patent Document 1 states that a work function exceeding 5.0 eV can be obtained by using an oxide containing indium and molybdenum or an oxide containing indium oxide and tungsten oxide. In particular, with regard to those containing molybdenum, it is described that the work function tends to increase as the addition amount of molybdenum is increased. On the other hand, Patent Document 2 describes a sintered body composed of indium, molybdenum and oxygen and a method of manufacturing the same.
また、Ｉｎ−Ｍｏ−Ｏ膜は、その膜の構成元素を含む酸化物焼結体のタブレット（すなわち、Ｉｎ−Ｍｏ−Ｏの酸化物焼結体のタブレット）を原料として用いて、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法や高密度プラズマアシスト蒸着法等の各種真空蒸着法で製造することができる。生産性の向上や製造コストの低減を考慮すると、高速で成膜する必要があるが、特に、電子ビーム蒸着法やイオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法で製造することにより、導電性や透過性に優れた非晶質Ｉｎ−Ｍｏ−Ｏ膜を高速に製造することができる。このような成膜法では、原料である酸化物焼結体タブレットに与えるエネルギー量を増やすことによって高速成膜が可能となる。 In addition, the In-Mo-O film is electron beam deposited using a tablet of an oxide sintered body containing a constituent element of the film (that is, a tablet of an oxide sintered body of In-Mo-O) as a raw material It can manufacture by various vacuum evaporation methods, such as a method, an ion plating method, and a high density plasma assistance vapor deposition method. It is necessary to form a film at high speed in consideration of improvement of productivity and reduction of manufacturing cost, but in particular, by using electron beam evaporation method, ion plating method, high density plasma assisted evaporation method, conductivity and An amorphous In-Mo-O film excellent in permeability can be manufactured at high speed. In such a film formation method, high-speed film formation becomes possible by increasing the amount of energy given to the oxide sintered body tablet which is the raw material.
しかし、非晶質Ｉｎ−Ｍｏ−Ｏ膜を高速で成膜するために、電子ビーム等のエネルギーを連続して多量に酸化物焼結体タブレットに与えると、長時間の連続成膜時に膜組成の変動（経時変化）が生じて、一定の特性の膜が製造できないという現象が生じる。この現象は、焼結体中に含まれるＭｏＯ３やＭｏＯ２等の高蒸気圧成分に起因するものであることから、成膜を中断して、未使用の酸化物焼結体タブレットに交換する必要があり、生産性を悪くする要因となっていた。 However, when a large amount of energy such as an electron beam is continuously applied to the oxide sintered body tablet in order to form an amorphous In-Mo-O film at high speed, the film composition during continuous film formation for a long time Fluctuation (temporal change) occurs, resulting in the phenomenon that a film with certain characteristics can not be manufactured. Since this phenomenon is caused by high vapor pressure components such as MoO 3 and MoO 2 contained in the sintered body, the film formation is interrupted and replaced with an unused oxide sintered body tablet. Needs, which has been a factor in deteriorating productivity.
特許文献３には、電子ビーム蒸着法や、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法等の真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、多量のエネルギーを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体とその製造方法、及び酸化物焼結体をタブレットとする製造方法が紹介されている。当該特許文献３には、ＭｏＯ３やＭｏＯ２を含まないようにすれば、長時間の連続成膜時に膜組成の変動（経時変化）が生じることによって、一定の特性の膜が製造できないという現象がおきないとの記載がある。 Patent Document 3 discloses that even when a large amount of energy is supplied when producing a transparent oxide conductive film by a vacuum evaporation method such as an electron beam evaporation method, an ion plating method, a high density plasma assisted evaporation method, etc. An oxide sintered body that does not generate cracks and a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing the oxide sintered body as a tablet are introduced. In the Patent Document 3, when MoO 3 or MoO 2 is not contained, a phenomenon that a film having a certain characteristic can not be produced due to fluctuation (change over time) of the film composition during continuous film formation for a long time. There is a statement that does not happen.
しかしながら、特許文献１には、蒸着源として用いる酸化物ペレットの製法に関して具体的な記述がない。一方、特許文献２には、インジウムとモリブデンと酸素からなる焼結体とその製造方法が記載されているが、モリブデンの添加量は、モリブデンがインジウムに対して原子数比で０．００３〜０．２０の範囲に限られており、モリブデンのより高添加量の領域ついての検討がされていない。 However, Patent Document 1 does not specifically describe the method for producing an oxide pellet used as a deposition source. On the other hand, Patent Document 2 describes a sintered body composed of indium, molybdenum and oxygen and a method for producing the same, but the addition amount of molybdenum is 0.003 to 0 in atomic ratio of molybdenum to indium. It is limited to the range of .20, and no study has been made on the area of higher addition of molybdenum.
また、特許文献３では、モリブデンの組成範囲は、モリブデンがインジウムに対する原子数比で０．００１以上０．０６０以下の領域に限られており、よりモリブデン添加量が高い領域についての記載がない。モリブデン添加量が高い組成範囲において、特許文献３の製法で酸化物焼結体を生成する場合、ＭｏＯ２やＭｏＯ３よりはＩｎ２Ｏ３に近いものの、Ｉｎ２（ＭｏＯ４）３がＩｎ２Ｏ３より昇華しやすいため、長時間の連続成膜時において、膜組成の変動（経時変化）が生じて、一定の特性の膜が製造できないという現象が生じる。特に、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体からなるタブレットを用いて、真空蒸着法で酸化物透明導電膜を成膜する際に、大量のエネルギーをタブレットに投入することによって、タブレットに割れやクラックが発生することが問題となっていた。 Moreover, in patent document 3, the composition range of molybdenum is limited to the area | region of 0.001-0.060 by atomic ratio of molybdenum with respect to indium, and there is no description about the area | region where molybdenum addition amount is higher. When an oxide sintered body is produced by the process of Patent Document 3 in a composition range where the amount of added molybdenum is high, although In 2 (MoO 4 ) 3 is closer to In 2 O 3 than MoO 2 or MoO 3 , In 2 (MoO 4 ) 3 is In 2 Since it is more easily sublimated than O 3 , fluctuations in film composition (change over time) occur during continuous film formation for a long time, resulting in the phenomenon that a film with certain characteristics can not be produced. In particular, by using a tablet molybdenyl emissions concentration of a high oxide sintered body, when the formation of the oxide transparent conductive film by vacuum deposition, by charging a large amount of energy to the tablet, cracking tablet And the occurrence of cracks has been a problem.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体からなるタブレットを用いて、真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、割れやクラックの発生を抑制することの可能な、新規かつ改良された酸化物焼結体の製造方法、及び酸化物焼結体を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, using a tablet molybdenyl emissions concentration of a high oxide sintered body, when producing the transparent conductive oxide film by a vacuum evaporation method, crack Ya An object of the present invention is to provide a novel and improved method for producing an oxide sintered body capable of suppressing the occurrence of a crack, and an oxide sintered body.
本発明の一態様は、真空蒸着用の酸化物焼結体の製造方法であって、酸化インジウム粉と三酸化モリブデン粉の混合物に水系溶媒を加えて湿式調合してスラリーを作製する工程と、前記スラリーを乾燥して造粒粉を作製する工程と、前記造粒粉を成形してから酸素濃度が体積比で３０％以上である焼成雰囲気中で所定の温度で焼結して酸化物焼結体タブレットを作製する工程と、を含み、前記スラリーを作製する際に、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％となるように、前記酸化インジウム粉と前記三酸化モリブデン粉を湿式調合し、前記焼結する際の前記所定の温度は、５００℃以上６００℃以下であり、前記造粒粉を成形してから焼結する際に、前記焼成雰囲気中で成形した前記造粒粉を５時間以上２０時間以下保持して焼結することを特徴とする。 One aspect of the present invention is a method for manufacturing the oxide sintered body for vacuum vapor deposition, the step of producing a slurry by wet formulated an aqueous solvent added to the mixture of the indium oxide powder and trioxide molybdenum Devon powder And drying the slurry to form granulated powder, and forming the granulated powder and thereafter sintering at a predetermined temperature in a firing atmosphere having an oxygen concentration of 30% or more by volume ratio. Manufacturing the slurry, wherein the amount of molybdenum is 30 at% to 60 at% in atomic ratio (Mo / In + Mo) to indium. The predetermined temperature at the time of wet blending and sintering the powder and the molybdenum trioxide powder is 500 ° C. or more and 600 ° C. or less, and the sintering is performed when the granulated powder is sintered after being formed Before molding in the atmosphere Characterized by sintering holds the granulated powder 5 hours or more 20 hours or less.
本発明の一態様によれば、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体タブレットにおいて、所定量のモリブデンを含有させ、密度を所定の範囲にすることによって、真空蒸着法によって高いエネルギーをタブレットに投入しても割れやクラックの発生を抑制して、安定した成膜が実現される。 According to one aspect of the present invention, the high oxide-sintered-body tablet molybdenum Devon concentration, contain a predetermined amount of molybdenum, by the density in a predetermined range, the tablet high energy by vacuum evaporation Even if the film is introduced, stable film formation can be realized by suppressing generation of cracks and cracks.
このようにすれば、酸化インジウムに固溶しない酸化モリブデン相の残存や、化合物相となる前に酸化モリブデンが昇華することを抑制するので、所望の組成の酸化物焼結体を確実に作製できる。 In this way, it is possible to suppress the remaining of the molybdenum oxide phase not solid-solving in indium oxide and the sublimation of the molybdenum oxide before it becomes a compound phase, so that an oxide sintered body of a desired composition can be reliably produced. .
このようにすれば、酸化インジウムに固溶しない酸化モリブデン相の残存や、化合物相となる前に酸化モリブデンが昇華することを抑制した上で、所望の組成の酸化物焼結体の製造コストを低減できる。 In this way, it is possible to suppress the remaining of the molybdenum oxide phase not solid-solving in indium oxide and the sublimation of the molybdenum oxide before it becomes a compound phase, and also the production cost of the oxide sintered body of the desired composition. It can be reduced.
また、本発明の他の態様は、少なくともインジウムとモリブデンを含む真空蒸着用の酸化物焼結体であって、三酸化モリブデンを固溶したインジウム酸化物が含まれ、前記モリブデンの量が前記インジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％であり、真空蒸着用タブレットとして適用した際に、圧縮強度が５．３８ｋＮ以上を有す
ることを特徴とする。
Another aspect of the present invention is an oxide sintered body for vacuum vapor containing at least indium and molybdenum Devon, it contains indium oxide solid solution molybdenum trioxide, the amount of the molybdenum wherein Ri 30 at% 60 at% der in atomic ratio (Mo / in + Mo) for indium, when applied as a vacuum evaporation tablet, and wherein <br/> Rukoto compressive strength having a higher 5.38kN Do.
本発明の他の態様によれば、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体タブレットにおいて、所定量のモリブデンを含有させ、密度を所定の範囲にすることによって、真空蒸着法によって高いエネルギーをタブレットに投入しても割れやクラックの発生を抑制できる。 According to another aspect of the present invention, the high oxide-sintered-body tablet molybdenum Devon concentration, contain a predetermined amount of molybdenum, by the density in a predetermined range, a high energy by a vacuum deposition method Tablet Even if it is inserted into the container, it is possible to suppress the occurrence of cracks and cracks.
このように、酸化物焼結体タブレットの圧縮強度を所定の値以上とすることによって、各蒸着法の装置へタブレットを連続的に投入可能となるので、安定した成膜を持続させることができる。 As described above, by setting the compression strength of the oxide sintered tablet to a predetermined value or more, the tablet can be continuously introduced into the apparatus of each vapor deposition method, and thus stable film formation can be maintained. .
また、本発明の他の態様では、酸化モリブデンの単相及び金属相が含まれていないこととしてもよい。 In addition, in another aspect of the present invention, the single phase of molybdenum oxide and the metal phase may not be included.
このようにすれば、モリブデン添加量が高い組成範囲でも、タブレットに大量のエネルギーを投入した際におけるタブレットの割れやクラックの発生を抑制できる。 In this way, even in a composition range in which the amount of added molybdenum is high, it is possible to suppress the occurrence of cracking or cracking of the tablet when a large amount of energy is injected into the tablet.
以上説明したように本発明によれば、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体からなるタブレットを用いて、真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、大量のエネルギーをタブレットに投入しても、タブレットに割れやクラックの発生を抑制できる。このため、成膜を中断することなく、連続的にタブレットを供給し安定して成膜できるようになる。 According to the present invention described above, by using a tablet molybdenyl emissions concentration of a high oxide sintered body, when producing the transparent conductive oxide film by a vacuum deposition method, the tablet a large amount of energy Even if inserted, the occurrence of cracks and cracks in the tablet can be suppressed. Therefore, tablets can be continuously supplied and film formation can be stably performed without interrupting film formation.
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. Note that the present embodiment described below does not unduly limit the contents of the present invention described in the claims, and all of the configurations described in the present embodiment are essential as means for solving the present invention. Not necessarily.
本発明者らは、仕事関数を高めるためにモリブデン濃度を高めた酸化物焼結体からなるタブレットを電子ビーム蒸着法や、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法等の各種真空蒸着法に用いる蒸着源用のタブレットとして用いた場合に、当該タブレットに大量のエネルギーを投入しても、該タブレットに割れやクラックの発生がしないように、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２等）やその金属相がなく、安定に連続成膜することができる強度を有する酸化物焼結体を得ることを目的に鋭意研究を重ねた。 The present inventors have found that a tablet made of an oxide-sintered body with increased molybdenum Devon concentration in order to increase the work function and the electron beam deposition method, an ion plating method, various vacuum deposition such as high-density plasma-assist evaporation Molybdenum oxide phase (MoO 3 or MoO 2 etc.) to prevent the occurrence of cracks or cracks in the tablet, even when a large amount of energy is supplied to the tablet when used as a tablet for a vapor deposition source used in the method In order to obtain an oxide sintered body having a strength that can stably and continuously form a film without the metal phase, the inventors have conducted intensive studies.
その結果、モリブデンを固溶したインジウム酸化物を含有した酸化物焼結体タブレットにおいて、所定量のモリブデンを含有させて密度を所定の範囲にすると、高いエネルギーをタブレットに投入しても割れることなく、前述した各種真空蒸着法で成膜が実現可能となることを見出した。また、酸化物焼結体タブレットの圧縮強度が所定の値以上であると、各蒸着法の装置へタブレットを連続的に投入することが可能となり、安定した成膜を持続させることができることも見出した。本発明は、これらの知見に基づいて、更に研究を行った結果、本発明を完成するに至った。 As a result, when a predetermined amount of molybdenum is contained in an oxide sintered tablet containing indium oxide in which solid solution of molybdenum is contained and the density is in a predetermined range, high energy can be input to the tablet without breaking. It has been found that film formation can be realized by the various vacuum evaporation methods described above. In addition, when the compression strength of the oxide sintered body tablet is equal to or more than a predetermined value, it is possible to continuously put the tablet into the apparatus of each vapor deposition method, and it is also found that stable film formation can be sustained. The As a result of conducting further studies based on these findings, the present invention has completed the present invention.
以下、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法について、図面を使用しながら詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法の概略を示すフロー図である。 Hereinafter, the manufacturing method of the oxide sinter which concerns on one Embodiment of this invention is demonstrated in detail, using drawing. FIG. 1 is a flowchart showing an outline of a method for producing an oxide sintered body according to an embodiment of the present invention.
本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法は、電子ビーム蒸着法やイオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法等の真空蒸着用の酸化物焼結体の製造方法である。本実施形態の酸化物焼結体の製造方法は、図１に示すように、スラリーを作製する工程Ｓ１１と、当該スラリーを乾燥造粒して造粒粉を作製する工程Ｓ１２と、当該造粒粉を成形したものを焼成雰囲気中で所定の温度で焼結して、酸化物焼結体タブレットを作製する工程Ｓ１３とを含む。かかる工程Ｓ１１乃至Ｓ１３を経て、Ｉｎ−Ｍｏ−Ｏの酸化物焼結体のタブレットが作製される。 The method for producing an oxide sintered body according to an embodiment of the present invention is a method for producing an oxide sintered body for vacuum deposition such as electron beam deposition, ion plating, high density plasma assisted deposition, etc. . In the method for producing an oxide sintered body according to the present embodiment, as shown in FIG. 1, a step S11 of producing a slurry, a step S12 of drying and granulating the slurry to produce granulated powder, and the granulation And sintering the powder in a firing atmosphere at a predetermined temperature to produce a sintered oxide tablet. Through the steps S11 to S13, tablets of the oxide sintered body of In-Mo-O are manufactured.
本実施形態では、スラリーを作製する際に、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％となるように、酸化インジウム粉と三酸化モリブデン粉を湿式調合することを特徴とする。具体的には、平均粒径１μｍ以下の酸化インジウム粉と、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比で３０ａｔ％〜６０ａｔ％となるように平均粒径５μｍ以下の三酸化モリブデン粉と、水系溶媒を加えて湿式で調合することによって、スラリーを作製する。 In the present embodiment, when preparing the slurry, the indium oxide powder and the molybdenum trioxide powder are wet-blended so that the amount of molybdenum is 30 atomic% to 60 atomic% in atomic ratio of Mo to indium (Mo / In + Mo). It is characterized by Specifically, indium oxide powder having an average particle size of 1 μm or less, molybdenum trioxide powder having an average particle size of 5 μm or less and an aqueous solvent so that the amount of molybdenum is 30 atomic% to 60 at% in atomic ratio to indium In addition, the slurry is prepared by wet preparation.
スラリーの作製で調合する際に、モリブデンがＭｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ原子数比で３０ａｔ％よりも少ないと、化合物相（Ｉｎ２（ＭｏＯ４）３）の化合物相が少なくなることから、一定の強度を得るための焼結性を保てない。一方、モリブデンがＭｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ原子数比で６０ａｔ％を上回ると、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２等）が現れ、前述したように一定の特性の成膜ができなくなる。 The compound phase of the compound phase (In 2 (MoO 4 ) 3 ) is reduced when molybdenum is less than 30 at% in Mo / In + Mo atomic ratio ratio during preparation of the slurry, so that a certain strength is obtained. Sinterability can not be maintained. On the other hand, when molybdenum exceeds 60 at% in Mo / In + Mo atomic ratio, a molybdenum oxide phase (such as MoO 3 or MoO 2 ) appears, and as described above, it becomes impossible to form a film having certain characteristics.
工程Ｓ１１でスラリーを作製したら、スプレードライヤー装置を用いることによって、当該スラリーを乾燥造粒して造粒粉を作製する（工程Ｓ１２）。そして、当該造粒粉を成形してから酸素濃度が体積比で３０％以上である焼成雰囲気中において、所定の温度で焼結して酸化物焼結体タブレットを作製する（工程Ｓ１３）。具体的には、得られた造粒粉を成形した後に、酸素濃度が体積比で３０％以上である焼成雰囲気中において、５００〜６００℃で５〜２０時間保持して焼結する。 After the slurry is produced in step S11, the slurry is dried and granulated by using a spray drier to produce granulated powder (step S12). Then, after the granulated powder is formed, it is sintered at a predetermined temperature in a baking atmosphere having an oxygen concentration of 30% or more by volume ratio to prepare an oxide sintered body tablet (step S13). Specifically, after the obtained granulated powder is formed, it is sintered by being held at 500 to 600 ° C. for 5 to 20 hours in a sintering atmosphere having an oxygen concentration of 30% or more by volume ratio.
５００℃より下回る温度や５時間を下回る保持時間で焼結した場合、酸化インジウムに固溶しない酸化モリブデンが残り、前述したように成膜時に一定の特性の膜が得られない。一方、６００℃を超える温度や２０時間を超える保持時間で焼結した場合、化合物相となる前に酸化モリブデンが昇華してしまい、所望の組成から外れてしまう。また、製造コストにおいても好ましくない。こうした条件を外れた場合には、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体タブレットが得られ難い。 When sintering is performed at a temperature below 500 ° C. or a holding time below 5 hours, molybdenum oxide which does not form a solid solution in indium oxide remains, and as described above, a film having certain characteristics can not be obtained at the time of film formation. On the other hand, when sintering is performed at a temperature exceeding 600 ° C. or a holding time exceeding 20 hours, the molybdenum oxide is sublimed before becoming a compound phase, and it deviates from the desired composition. Moreover, it is not preferable also in the manufacturing cost. When such conditions are deviated, it is difficult to obtain the oxide sintered tablet according to the embodiment of the present invention.
このように、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法で作製された酸化物焼結体は、少なくともインジウムとモリブデンを含む真空蒸着用の酸化物焼結体であって、三酸化モリブデンを固溶したインジウム酸化物を含み、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％であり、その酸化物焼結体を真空蒸着用タブレットとして適用した際に、その圧縮強度が酸化物焼結体の量産設備ラインの連続供給に耐えうるタブレット強度とされる５．３８ｋＮ以上を有するものとなる。 Thus, the oxide sintered body manufactured by the method for manufacturing the oxide sintered body according to an embodiment of the present invention, there an oxide sintered body for vacuum vapor containing at least indium and molybdenum Devon Containing indium oxide in which molybdenum trioxide is solid-solved, and the amount of molybdenum is 30 atomic% to 60 atomic% in atomic ratio (Mo / In + Mo) to indium, and the oxide sintered body is used as a tablet for vacuum evaporation When applied, it has a compressive strength of 5.38 kN or more, which is considered to be a tablet strength that can withstand continuous supply of a mass production facility line of oxide sintered bodies.
すなわち、本実施形態では、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体タブレットにおいて、所定量のモリブデンを含有させ、密度を所定の範囲にすることによって、真空蒸着法によって高いエネルギーをタブレットに投入しても、タブレットの割れやクラックの発生を抑制して、安定した成膜が実現される。 That is, in this embodiment, the high oxide-sintered-body tablet molybdenum Devon concentration, contain a predetermined amount of molybdenum, by the density in a predetermined range, was charged with high energy into tablets by a vacuum deposition method Even in this case, stable film formation can be realized by suppressing the occurrence of cracking and cracking of the tablet.
換言すると、本実施形態の製法で作製された酸化物焼結体からなるタブレットを電子ビーム蒸着法や、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法等の真空蒸着法における蒸着源として用いると、大量のエネルギーをタブレットに投入しても、タブレットに割れやクラックが発生しない。このため、成膜を中断することなく、連続的にタブレットを供給し安定して成膜することができるようになる。 In other words, when the tablet made of the oxide sintered body produced by the manufacturing method of this embodiment is used as a deposition source in vacuum deposition methods such as electron beam deposition, ion plating, high density plasma assisted deposition, etc. Even if a large amount of energy is put into the tablet, the tablet does not break or crack. Therefore, tablets can be continuously supplied and film formation can be stably performed without interrupting film formation.
また、本実施形態の酸化物焼結体タブレットは、ホットプレス焼結法を用いないので、低コストで成膜できる上に、酸化物焼結体タブレットの圧縮強度を所定の値以上とすることによって、各蒸着法の装置へタブレットを連続的に投入可能となるので、安定した成膜を持続させることが可能となる。 Further, since the oxide sintered tablet according to the present embodiment does not use the hot press sintering method, film formation can be performed at low cost, and the compressive strength of the oxide sintered tablet should be set to a predetermined value or more. Thus, the tablet can be continuously introduced into the apparatus of each vapor deposition method, so that stable film formation can be sustained.
さらに、本実施形態の酸化物焼結体の製造方法で作製された酸化物焼結体は、酸化モリブデンの単相及び金属相が含まれていないので、モリブデン添加量が高い組成範囲でも、タブレットに大量のエネルギーを投入した際におけるタブレットの割れやクラックの発生を抑制できる。また、本実施形態の酸化物焼結体の製造方法で作製された酸化物焼結体を用いて酸化物透明導電膜を成膜すると、得られた酸化物透明導電膜が経時変化のない安定した品質の膜とすることができる。すなわち、本実施形態の酸化物焼結体からなるタブレットを各種の真空蒸着法に用いることによって、表示デバイスに好適に用いることができる酸化物透明導電膜を高速で安定的に成膜できるので、生産性を向上させることができる。 Furthermore, since the oxide sinter produced by the method for producing an oxide sinter according to the present embodiment does not contain a single phase of molybdenum oxide and a metal phase, it is a tablet even in a composition range where the amount of molybdenum added is high. Generation of cracks and cracks in the tablet when a large amount of energy is injected. Moreover, when an oxide transparent conductive film is formed using the oxide sintered body produced by the method for producing an oxide sintered body according to the present embodiment, the obtained oxide transparent conductive film is stable with no change with time. It is possible to make a film of different quality. That is, by using the tablet made of the oxide sintered body of the present embodiment for various vacuum evaporation methods, it is possible to stably form an oxide transparent conductive film that can be suitably used for a display device at a high speed. Productivity can be improved.
次に、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法、及び酸化物焼結体について実施例により詳しく説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。 Next, the method for producing an oxide sintered body according to an embodiment of the present invention and the oxide sintered body will be described in detail by examples. The present invention is not limited to these examples.
＜実施例１＞
実施例１では、はじめに、平均粒径０．８μｍの酸化インジウム粉にインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％となるように三酸化モリブデン粉（高純度化学製）と混合し、純水と分散剤（ポリカルボン酸アンモニウム塩）とバインダー（ポリビニルアルコール）と金型成形時の潤滑剤（ステアリン酸）を加えて、固形分率０．６０％のスラリーを作製した。このスラリーをスプレードライヤー（大川原化工機(株)製 Ｌ−８ｉ）を用いて乾燥・造粒を行った。得られた造粒粉をφ３０ｍｍの円筒状の金型に入れ、上から１２０ｋＮの圧力をかけて成形した。得られた成形体に対し、酸素濃度が体積比で４０％となるように導入して６００℃で２０時間保持して焼結し、酸化モリブデンを含むＩＭｏＯタブレットを作製した。
Example 1
In Example 1, first, indium oxide powder having an average particle diameter of 0.8 μm is mixed with molybdenum trioxide powder (manufactured by high purity chemical) so as to be 30 at% in atomic ratio to indium (Mo / In + Mo), Water, a dispersant (polycarboxylic acid ammonium salt), a binder (polyvinyl alcohol), and a lubricant (stearic acid) at the time of molding were added to prepare a slurry having a solid fraction of 0.60%. The slurry was dried and granulated using a spray dryer (L-8i manufactured by Ohkawara Kakohki Co., Ltd.). The obtained granulated powder was placed in a cylindrical mold of φ30 mm, and was molded by applying a pressure of 120 kN from the top. The obtained compact was introduced such that the oxygen concentration was 40% in volume ratio, and was held at 600 ° C. for 20 hours for sintering to prepare an IMoO tablet containing molybdenum oxide.
作製したＩＭｏＯタブレットを引張圧縮試験機（（株）今田製作所製ＳＤＷＳ−２０１２型）を用いて、圧縮強度を測定した。測定時は、真空蒸着装置のタブレット連続供給ラインを想定し、測定するタブレット面にφ１０ｍｍのアルミ製チップの治具を装着し、測定したところ、１１．１ｋＮであり、目標である５．３８ｋＮ以上あることが確認された。また、得られ焼結体タブレットをＸ線回折装置（X’Pert-PRO スペクトリス(株)製）にて分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相及びＩｎ２（ＭｏＯ４）３相が検出され、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相は、確認されなかった。また、このタブレットを用いてイオンプレーティング成膜を行い、成膜時の加熱によるタブレットの割れ欠けは、発生しなかった。 The compressive strength of the produced IMoO tablet was measured using a tensile compression tester (SDWS-2012 model manufactured by Imada Co., Ltd.). At the time of measurement, assuming a tablet continuous supply line of a vacuum deposition apparatus, a jig of aluminum chip of φ10 mm was attached to the tablet surface to be measured, and it was measured: 11.1 kN, which is a target of 5.38 kN It was confirmed that there is. In addition, when the obtained sintered tablet is analyzed by an X-ray diffractometer (manufactured by X'Pert-PRO Spect Co., Ltd.), In 2 O 3 phase and In 2 (MoO 4 ) 3 phase are detected and oxidized. Molybdenum phases (MoO 3 and MoO 2 ) and metal phases were not identified. Moreover, ion plating film-forming was performed using this tablet, and the crack of the tablet by the heating at the time of film-forming did not generate | occur | produce.
＜実施例２＞
実施例２では、使用する三酸化モリブデン粉を酸化インジウム粉のインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で５０ａｔ％とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。その際のタブレット圧縮強度は、９．０ｋＮであり、目標とする圧縮強度以上であることが確認された。また、得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相及びＩｎ２（ＭｏＯ４）３相が検出され、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相は、確認されなかった。また、このタブレットを用いてイオンプレーティング成膜を行い、成膜時の加熱によるタブレットの割れ欠けは発生しなかった。
Example 2
In Example 2, IMoO tablets were prepared using the same conditions as Example 1, except that the molybdenum trioxide powder used was 50 atomic% in the atomic ratio of indium oxide powder to indium (Mo / In + Mo). The tablet compression strength at that time was 9.0 kN, and it was confirmed that the tablet compression strength was equal to or higher than the target compression strength. Further, when the sintered tablet obtained is subjected to X-ray diffraction analysis, In 2 O 3 phase and In 2 (MoO 4 ) 3 phase are detected, and the molybdenum oxide phase (MoO 3 or MoO 2 ) and the metal phase are It was not confirmed. Moreover, ion plating film-forming was performed using this tablet, and the crack of the tablet by the heating at the time of film-forming did not generate | occur | produce.
＜実施例３＞
実施例３では、使用する三酸化モリブデン粉を酸化インジウム粉のインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で６０ａｔ％とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。その際のタブレット圧縮強度は、８．７ｋＮであり、目標とする圧縮強度以上であることが確認された。また、得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相及びＩｎ２（ＭｏＯ４）３相が検出され、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相は、確認されなかった。また、このタブレットを用いてイオンプレーティング成膜を行い、成膜時の加熱によるタブレットの割れ欠けは、発生しなかった。
Example 3
In Example 3, an IMoO tablet was produced using the same conditions as in Example 1 except that the molybdenum trioxide powder used was 60 at% in atomic ratio of indium oxide powder to indium (Mo / In + Mo). The tablet compression strength at that time was 8.7 kN, and it was confirmed that it was more than the target compression strength. Further, when the sintered tablet obtained is subjected to X-ray diffraction analysis, In 2 O 3 phase and In 2 (MoO 4 ) 3 phase are detected, and the molybdenum oxide phase (MoO 3 or MoO 2 ) and the metal phase are It was not confirmed. Moreover, ion plating film-forming was performed using this tablet, and the crack of the tablet by the heating at the time of film-forming did not generate | occur | produce.
＜比較例１＞
比較例１では、使用する三酸化モリブデン粉を酸化インジウム粉のインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で２０ａｔ％とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。その際のタブレット圧縮強度は、３．８ｋＮであり、目標とする圧縮強度を得ることができなかった。また、得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相及びＩｎ２（ＭｏＯ４）３相が検出され、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相は確認されなかったが、このタブレットを用いてイオンプレーティング成膜を行った際に、欠けが発生した。
Comparative Example 1
In the comparative example 1, the IMoO tablet was produced using the conditions same as Example 1 except having made the molybdenum trioxide powder used into 20 at% by atomic ratio (Mo / In + Mo) of indium oxide powder with respect to indium. The tablet compression strength at that time was 3.8 kN, and a target compression strength could not be obtained. Further, when the sintered tablet obtained is subjected to X-ray diffraction analysis, In 2 O 3 phase and In 2 (MoO 4 ) 3 phase are detected, and a molybdenum oxide phase (MoO 3 or MoO 2 ) and metal phase are confirmed Although it did not occur, chipping occurred when performing ion plating film formation using this tablet.
＜比較例２＞
比較例２では、使用する三酸化モリブデン粉を酸化インジウム粉のインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で７０ａｔ％とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。得られたタブレットは表面が粗になっており、圧縮強度は測定できなかった。得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相とＩｎ２（ＭｏＯ４）３相及び酸化モリブデン相（ＭｏＯ３）が検出された。また、所望の組成比、寸法から大きく外れ、イオンプレーティング成膜は実施できなかった。
Comparative Example 2
In Comparative Example 2, an IMoO tablet was produced using the same conditions as Example 1, except that the molybdenum trioxide powder used was 70 at% in atomic ratio of indium oxide powder to indium (Mo / In + Mo). The tablet obtained had a rough surface, and the compressive strength could not be measured. As a result of X-ray diffraction analysis of the obtained sintered body tablet, an In 2 O 3 phase, an In 2 (MoO 4 ) 3 phase and a molybdenum oxide phase (MoO 3 ) were detected. In addition, the ion plating film formation could not be performed, which deviates from the desired composition ratio and dimensions.
＜比較例３＞
比較例３では、焼結する際の焼結温度を４５０℃、焼結時間を３５時間とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。その際のタブレット圧縮強度は、０．３０ｋＮであり、目標とする圧縮強度を得ることができなかった。また、得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相とＩｎ２（ＭｏＯ４）３相及び酸化モリブデン相（ＭｏＯ３）が検出された。このタブレットを用いてイオンプレーティング成膜を行った際に、欠けが発生した。
Comparative Example 3
In the comparative example 3, the IMoO tablet was produced using the same conditions as Example 1 except the sintering temperature at the time of sintering having been 450 degreeC and having made sintering time into 35 hours. The tablet compression strength at that time was 0.30 kN, and a target compression strength could not be obtained. Further, when the sintered body tablets obtained was X-ray diffraction analysis, an In 2 O 3 phase and In 2 (MoO 4) 3 phase and a molybdenum oxide phase (MoO 3) was detected. When ion plating film formation was performed using this tablet, chipping occurred.
＜比較例４＞
焼結する際の焼結温度を７００℃、焼結時間を４時間とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。その際のタブレット圧縮強度は、４．０ｋＮであり、目標とする圧縮強度を得ることができなかった。また、得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相及びＩｎ２（ＭｏＯ４）３相が検出され、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相は、確認されなかったが、所望の組成比、寸法から大きく外れ、イオンプレーティング成膜は、実施できなかった。
Comparative Example 4
An IMoO tablet was produced using the same conditions as Example 1, except that the sintering temperature at sintering was 700 ° C. and the sintering time was 4 hours. The tablet compression strength at that time was 4.0 kN, and a target compression strength could not be obtained. Further, when the sintered tablet obtained is subjected to X-ray diffraction analysis, In 2 O 3 phase and In 2 (MoO 4 ) 3 phase are detected, and the molybdenum oxide phase (MoO 3 or MoO 2 ) and the metal phase are Although not confirmed, it deviated from the desired composition ratio and size largely, and ion plating film formation could not be performed.
前述した本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法によって作製した酸化物焼結体の各実施例及び各比較例の測定結果について、以下の表１に示す。 About the measurement result of each Example and each comparative example of the oxide sinter produced by the manufacturing method of the oxide sinter which concerns on one Embodiment of this invention mentioned above, it shows in the following Table 1.
表１に示すように、実施例１乃至３と比較例１及び２の測定結果より、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％となるように、酸化インジウム粉と三酸化モリブデン粉を湿式調合して作製したスラリーを乾燥造粒して得られた造粒粉を焼結することによって、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相が含まれずに、真空蒸着時に必要とされる一定の圧縮強度、すなわち、その圧縮強度が酸化物焼結体の量産設備ラインの連続供給に耐えうるタブレット強度とされる５．３８ｋＮ以上を有する焼結性が確保された酸化物焼結体タブレットとすることができることが分かった。 As shown in Table 1, according to the measurement results of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2, indium oxide is used so that the amount of molybdenum is 30 atomic% to 60 atomic% in atomic number ratio to indium (Mo / In + Mo). By sintering the granulated powder obtained by dry-granulating the slurry prepared by wet blending the powder and the molybdenum trioxide powder, the molybdenum oxide phase (MoO 3 or MoO 2 ) and the metal phase are not included. , A certain compressive strength required at the time of vacuum deposition, that is, a sinterability of at least 5.38 kN, which is considered to be a tablet strength capable of withstanding the continuous supply of the oxide sintered body mass production facility line It turned out that it can be set as the oxide sintered compact tablet.
また、実施例１乃至３と比較例３及び４の測定結果より、焼結する際の温度を５００℃以上６００℃以下とすることによって、酸化インジウムに固溶しない酸化モリブデン相の残存や、化合物相となる前に酸化モリブデンが昇華することによる成膜不可となる不具合が抑制されるので、所望の組成の酸化物焼結体を確実に作製できることが分かった。 In addition, according to the measurement results of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 3 and 4, by setting the temperature at sintering to 500 ° C. or more and 600 ° C. or less, the remaining molybdenum oxide phase not dissolving in indium oxide, the compound It has been found that since the problem of film deposition being impossible due to the sublimation of molybdenum oxide before it becomes a phase is suppressed, an oxide sintered body of a desired composition can be produced with certainty.
さらに、実施例１乃至３と比較例３及び４の測定結果より、造粒粉を成形してから焼結する際に、焼成雰囲気中で成形した造粒粉を５時間以上２０時間以下保持して焼結することによって、酸化インジウムに固溶しない酸化モリブデン相の残存や、化合物相となる前に酸化モリブデンが昇華することを抑制した上で、所望の組成の酸化物焼結体の製造コストを低減できることが分かった。 Furthermore, according to the measurement results of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 3 and 4, when the granulated powder is formed and then sintered, the granulated powder formed in the firing atmosphere is held for 5 hours or more and 20 hours or less The production cost of the oxide sintered body having a desired composition is suppressed by suppressing the remaining of the molybdenum oxide phase not solid-solving in indium oxide and the sublimation of the molybdenum oxide before it becomes a compound phase by sintering. Was found to be reduced.
以上の結果から、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法を用いることで、モリブデンの量が原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％とモリブデン濃度が高い酸化物焼結体タブレットにおいて、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２等）やその金属相がなく、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法等の真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際の多量のエネルギー投入や、連続成膜時のタブレット供給ラインにおける割れやクラックに耐えうる強度を有する酸化物焼結体が作製されることが分かった。また、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法で作製された酸化物焼結体を用いて、得られた酸化物透明導電膜が経時変化のない安定した品質の膜となることが分かった。 From the above results, by using the method for producing an oxide sintered body according to one embodiment of the present invention, the amount of molybdenum is oxidized with a high molybdenum concentration of 30 at% to 60 at% in atomic number ratio (Mo / In + Mo) In the sintered compact tablet, there is no molybdenum oxide phase (MoO 3 or MoO 2 etc.) or its metal phase, and oxide transparent by vacuum evaporation such as electron beam evaporation, ion plating, high density plasma assisted evaporation, etc. It was found that an oxide sintered body having a strength that can withstand a large amount of energy input when manufacturing a conductive film and cracks and cracks in a tablet supply line during continuous film formation is manufactured. Moreover, using the oxide sinter produced by the method for producing an oxide sinter according to one embodiment of the present invention, the obtained transparent conductive oxide film has a stable quality with no change with time. It turned out that it became.
なお、上記のように本発明の各実施形態及び各実施例について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは、当業者には、容易に理解できるであろう。従って、このような変形例は、全て本発明の範囲に含まれるものとする。 Although the embodiments and examples of the present invention have been described in detail as described above, it is apparent to those skilled in the art that many modifications can be made without departing substantially from the novel matters and effects of the present invention. It will be easy to understand. Accordingly, all such modifications are intended to be included within the scope of the present invention.
例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また、酸化物焼結体の構成、及び酸化物焼結体の製造方法の動作も本発明の各実施形態及び各実施例で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。 For example, in the specification or the drawings, the terms described together with the broader or synonymous different terms at least once can be replaced with the different terms anywhere in the specification or the drawings. Further, the configuration of the oxide sintered body and the operation of the method for producing the oxide sintered body are not limited to those described in each embodiment and each example of the present invention, and various modifications can be made.
Ｓ１１ スラリーを作製する工程、Ｓ１２ スラリーを乾燥造粒する工程、Ｓ１３ 造粒粉を焼結する工程 Step of preparing S11 slurry, step of drying and granulating S12 slurry, and step of sintering S13 granulated powder
Claims (3)
酸化インジウム粉と三酸化モリブデン粉の混合物に水系溶媒を加えて湿式調合してスラリーを作製する工程と、
前記スラリーを乾燥して造粒粉を作製する工程と、
前記造粒粉を成形してから酸素濃度が体積比で３０％以上である焼成雰囲気中で所定の温度で焼結して酸化物焼結体タブレットを作製する工程と、を含み、
前記スラリーを作製する際に、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％となるように、前記酸化インジウム粉と前記三酸化モリブデン粉を湿式調合し、
前記焼結する際の前記所定の温度は、５００℃以上６００℃以下であり、
前記造粒粉を成形してから焼結する際に、前記焼成雰囲気中で成形した前記造粒粉を５時間以上２０時間以下保持して焼結することを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 A method for producing an oxide sintered body for vacuum deposition, comprising
A step of preparing a slurry by wet formulated an aqueous solvent added to the mixture of the indium oxide powder and trioxide molybdenum Devon powder,
Drying the slurry to produce granulated powder;
After said granulated powder is formed, it is sintered at a predetermined temperature in a baking atmosphere having an oxygen concentration of 30% or more by volume ratio to produce an oxide-sintered tablet,
In the preparation of the slurry, the indium oxide powder and the molybdenum trioxide powder are wet-blended such that the amount of molybdenum is 30 atomic% to 60 atomic% in atomic ratio of Mo to indium (Mo / In + Mo) .
The predetermined temperature at the time of the sintering is 500 ° C. or more and 600 ° C. or less,
When the granulated powder is molded and then sintered, the granulated powder is sintered in the firing atmosphere by holding the granulated powder for 5 hours or more and 20 hours or less for sintering. Production method.
三酸化モリブデンを固溶したインジウム酸化物が含まれ、前記モリブデンの量が前記インジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％であり、
真空蒸着用タブレットとして適用した際に、圧縮強度が５．３８ｋＮ以上を有することを特徴とする酸化物焼結体。 An oxide sintered body for vacuum vapor containing at least indium and molybdenum Devon,
Three indium oxide and the molybdenum oxide solid solution contains, Ri amount of the molybdenum 30 at% 60 at% der an atomic ratio with respect to the indium (Mo / In + Mo),
When applied as a vacuum deposition for tablets, oxide sintered body compressive strength wherein Rukoto to have a more 5.38KN.
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