JP6530952B2 - 導電性グラファイトの製造方法及び導電膜 - Google Patents
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Description
また、例えば特許文献1に記載のガスプラズマ法では、優れた特性の薄層グラファイトの作製が期待できる一方、高価な装置と厳しい安全対策が必要である。
また、特許文献3に記載の酸化グラフェンを窒素含有化合物水溶液中で加熱し窒素化酸化グラフェンを得る方法については、窒素によるキャリアの導入が期待できるものの、酸化グラフェンの酸素官能基を還元していないことから導電性は低いままである。
特許文献4に記載のグラフェンを酸に浸漬してドーピングを行う方法については、特に結晶の小さなナノグラフェンにおいて導電率の上昇が十分ではない問題がある。
すなわち、本発明は、以下の特徴を有している。
<導電性グラファイトの製造方法>
本実施形態に係る導電性グラファイトは、薄層グラファイトに対してソリューションプラズマ処理を行うことで製造される。導電性グラファイトは、例えば、特定の化合物を含む溶媒中、薄層グラファイトに対してソリューションプラズマ処理を行い導電性を付与することで製造される。
本実施形態における薄層グラファイトとは、炭素原子の単層シートが平均1〜30層程度積層した構造を含むグラファイトをいう。また、本実施形態における薄層グラファイトは元素分析における酸素(O)の含有比率(モル比率)が20mol%以下のものが好ましい。酸素(O)の含有比率が20mol%以下の場合、導電性が向上するため好ましい。
酸化グラフェン法は、グラファイトを濃硫酸、硝酸ナトリウム、過マンガン酸カリウムで処理することによってグラファイトを酸化し、層間のファンデルワールス力を弱めることによって薄層化する方法である。
超臨界法は、グラファイトをビーズミル法に用いられる溶媒と同様の溶媒に分散させ、耐圧容器に入れた後、超臨界状態−常温常圧状態のサイクルを1〜100回程度繰り返すことによって、グラファイト層間に溶媒分子が入り込み、薄層化する方法である。
本実施形態の導電膜の製造方法では、薄層グラファイトに対してソリューションプラズマ処理を行い導電性グラファイトを得る工程を有している。以下ソリューションプラズマ処理について説明する。
ソリューションプラズマとは、溶液中で発生させたプラズマである。すなわち、ソリューションプラズマ処理では、溶液中で対向するように配置された2つの電極の間に電圧を印加することにより、2つの電極間にプラズマを発生させることができる。発生したプラズマの周囲には気泡が発生し、その気泡がプラズマを取り囲んだ状態で溶液中に存在している。ソリューションプラズマはこのようなプラズマによる「高エネルギー状態」を溶液中に閉じ込めるという状態を実現しており、これにより周囲の気相、液相またはその界面で様々な化学反応が促進される。このようなソリューションプラズマで薄層グラファイトを処理することにより、本実施形態の導電性グラファイトを得ることができる。
ソリューションプラズマ処理に用いられる電極としては、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)等が好ましく用いられる。
ソリューションプラズマ処理におけるパルス幅は、0.1μ秒以上40μ秒以下の範囲が好ましく、1μ秒以上40μ秒以下の範囲とすることがより好ましい。
ソリューションプラズマ処理における電極間距離は、0.01mm以上20mm以下の範囲とすることが好ましく、0.1mm以上10mm以下の範囲とすることがより好ましい。還元性Hラジカルの発生濃度が大きくなるためである。
ソリューションプラズマ処理に使用される溶媒としては、水、アルコール類(メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ベンジルアルコール等)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン等)、エステル類(酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル等)、脂肪族炭化水素類(ヘキサン、シクロヘキサン等)、ハロゲン化炭化水素類(メチレンクロライド、クロロホルム、四塩化炭素等)、芳香族炭化水素類(ベンゼン、トルエン、キシレン等)、エーテル類(ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル等)等が用いられる。特に、水、メタノール、エタノールが好ましく用いられる。これらの溶媒は単体で用いても良く、2種類以上を混合して用いても良い。
本実施形態の溶液に含まれる酸は、薄層グラファイトの骨格に水素イオン、水素ラジカル等をドーピングする目的で用いられる。
酸は、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸等の強酸や、酢酸、ギ酸、炭酸、リン酸等の弱酸が好ましく用いられる。グラファイトへの導入性の観点から、硫酸、硝酸、塩酸等の強酸が特に好ましく用いられる。これらの酸は単体で用いても良く、2種類以上を混合して用いても良い。
本実施形態に係る導電性グラファイトとは、酸を含む溶媒中で薄層グラファイトをソリューションプラズマ処理したものをさす。
(導電性グラファイトの酸素含有比率)
導電性グラファイトの酸素含有比率は、炭素1molに対し0.0001mol%以上であり、0.001mol%以上が好より好ましい。酸素の含有比率が0.0001mol%以上の場合、グラファイトに導入されるキャリアの量が増大し、導電性が向上する観点から好ましい。
導電性グラファイトの酸素含有比率は、元素分析法により求められる。
導電性グラファイトの平均層数は、1層以上30層以下が好ましく、1層以上20層以下がより好ましい。導電性グラファイトの平均層数は1層より小さくはなりえず、1層より小さい場合は欠陥の値がでていることとなる。その場合、導電性グラファイトの導電性の低下が起こり好ましくない。すなわち、平均層数が1層以上の場合は、欠陥を含むことなく導電性が向上するため好ましい。また、平均層数が30層以下の場合、導電性グラファイトの透過率が向上するため好ましい。
本実施形態に係る導電性グラファイトの透過率は、10%以上100%以下であることが好ましく、30%以上99%以下であることがより好ましい。
導電性グラファイトの透過率は、導電性グラファイトを透明基板上に成膜した後に、市販の紫外可視分光光度計を用いた測定を行うことで求めることができる。なお、本実施形態に係る導電性グラファイトの透過率は、紫外可視分光光度計での測定波長が550nmの時点での測定値とする。
本実施形態に係る導電性グラファイトの製造方法により得た導電性グラファイトを含む導電膜の導電率は、40S/cm以上10,000,000S/cm以下であることが好ましく、50S/cm以上1,000,000S/cmであることがより好ましい。
ここで導電率とは以下のように定義される。
まず、電気抵抗Rの値は、電気抵抗率をρ、導体の長さをL、導体の断面積をAとすると次の式で示される。
R=ρ×(L/A)
また、電気抵抗率ρの値は、次の式で表される。
ρ=(RA)/L
電気抵抗率ρの逆数1/ρを導電率と呼ぶ。
本実施形態に係る導電性グラファイトの製造方法により得た導電性グラファイトを公知の手法を用いて剥離し、グラファイト層数をさらに減少させても構わない。薄層化の方法としては、ビーズミル法、酸化グラフェン法、超音波印加法、超臨界法等、上述した手法を用いることができる。
以下、導電性グラファイトを含む導電膜について説明する。
本実施形態の導電性グラファイトを含む導電膜は、導電性グラファイトを溶媒に分散させてグラファイトインクとした後、基板に塗布することにより得られる。
(導電性グラファイトの分散と塗布)
グラファイトインクに用いられる溶媒としては、水、アルコール類(メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ベンジルアルコール等)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン等)、エステル類(酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル等)、脂肪族炭化水素類(ヘキサン、シクロヘキサン等)、ハロゲン化炭化水素類(メチレンクロライド、クロロホルム、四塩化炭素等)、芳香族炭化水素類(ベンゼン、トルエン、キシレン等)、アミド類(ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等)、エーテル類(ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル等)等が用いられる。特に好ましくは、水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、N−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミドが用いられる。
グラファイトインクの塗布後、過熱処理によって溶媒を除去することも好ましく行われる。ホットプレート、真空乾燥機等の公知の方法を用いて溶媒を除去することができる。乾燥温度は、溶媒を効率よく除去するために40℃以上が好ましく、60℃以上がより好ましい。また、グラファイトへのダメージを与えないために1000℃以下が好ましく、500℃以下がより好ましい。
まず、各実施例及び比較例における測定内容を説明する。
グラファイト粉体試料約2mgを計量し、以下の条件でCHNO元素分析を行い、各元素の含有比率を測定した。
測定装置:MT−6(ヤナコ分析工業株式会社製)
1.C、H、N分析
キャリアーガス:ヘリウム180mL/min
助燃ガス:高純度酸素20mL/min
試料炉温度:950℃、燃焼炉温度:850℃、還元炉温度:550℃
TCD検出器(差動熱伝導度計)温度:100℃
水吸収剤:アンヒドロン(過塩素酸マグネシウム)
二酸化炭素吸収剤:ソーダタルク
2.O分析
キャリアーガス:ヘリウム180mL/min
試料炉温度:1050℃、燃焼炉温度:1000℃、吸収炉温度:500℃
酸性ガス吸収温度:室温
酸化炉温度:300℃
TCD検出器(差動熱伝道度計)温度:100℃
二酸化炭素吸収剤:ソーダタルク
PETフィルム(東洋紡株式会社製 A4100、厚さ188μm×10mm×10mm)の表面に、グラファイト分散液をスプレーコーター(旭サナック株式会社製 r−Corter)でスプレー塗工して乾燥させ、塗工膜(プレス加工前の導電膜であるグラファイト膜に相当)を形成した。そののち、抵抗率計(ロレスタGP 三菱化学株式会社製)のPSPプローブを使用して塗工膜の導電率を測定した。
続いて、PETフィルム上に形成した塗工膜の上部にPETフィルムを配置し、塗工膜を2枚のPETフィルムで挟んだ状態で、プレス機(アズワン株式会社製 ハイプレッシャージャッキ J−1)を用いて塗工膜に対してプレス加工を行い導電膜を形成した。塗工膜の膜厚が薄膜の場合には、ソフトセグメントとしてPETフィルムの上にゴムシート(アズワン株式会社社製 シリコンゴムシート30またはシリコンゴムシート70)を配置し、導電膜を挟んでプレス加工を行い導電膜を形成した。そののち、抵抗率計(ロレスタGP 三菱化学株式会社製)のPSPプローブを使用してプレス加工後の導電膜の導電率を測定した。
市販の薄層グラファイト(7〜16層)0.15g、水45 mL、濃硫酸(規定度36N)4.69gを、50mLビーカーに入れた。この容器にタングステン電極を接続し、ソリューションプラズマ処理を行った。ソリューションプラズマ処理は、液中パルスプラズマ発生装置(MPP−HV04、株式会社栗田製作所製)を用いて、周波数30kHz、パルス幅2.0μ秒、電極幅1mmの条件で、1時間処理を行った。ソリューションプラズマ処理後、薄層グラファイトが分散された溶液を吸引ろ過したのち、固形分を水に分散させてグラファイトA分散液を得た。このグラファイトA分散液を吸引ろ過したのち100℃で12時間乾燥し、ソリューションプラズマ処理グラファイトAを得た。
また、ソリューションプラズマ処理グラファイトA2gを水100gに分散し、超音波を1時間印加してグラファイトインクAを作製した。このグラファイトインクAを用いて、上述の方法で導電率の測定を行った。各測定の結果を表1に示す。
市販の薄層グラファイト(7〜16層)0.15g、水41mL、濃硫酸(規定度36N)4.69g、濃硝酸(16N)1.56gを、50mLビーカーに入れた。この容器にタングステン電極を接続し、実施例1と同様の条件でソリューションプラズマ処理を行った。ソリューションプラズマ処理後、薄層グラファイトが分散された溶液を吸引ろ過したのち、固形分を水に分散させてグラファイトB分散液を得た。このグラファイトB分散液を吸引ろ過したのち、100℃で12時間乾燥し、ソリューションプラズマ処理グラファイトBを得た。
また、ソリューションプラズマ処理グラファイトB2gを水100gに分散し、超音波を1時間印加してグラファイトインクBを作製した。このグラファイトインクBを用いて、上述の方法で導電率の測定を行った。各測定の結果を表1に示す。
市販の薄層グラファイト(7〜16層)0.15g、水25mL、濃硫酸(規定度36N)18.76g、濃硝酸(16N)6.24g、50mLビーカーに入れた。この容器にタングステン電極を接続し、実施例1と同様の条件でソリューションプラズマ処理を行った。ソリューションプラズマ処理後、薄層グラファイトが分散された溶液を吸引ろ過したのち、固形分を水に分散させてグラファイトC分散液を得た。このグラファイトC分散液を吸引ろ過したのち、100℃で12時間乾燥し、ソリューションプラズマ処理グラファイトCを得た。
また、ソリューションプラズマ処理グラファイトC2gを水100gに分散し、超音波を1時間印加してグラファイトインクCを作製した。このグラファイトインクCを用いて、上述の方法で導電率の測定を行った。各測定の結果を表1に示す。
市販の薄層グラファイト(7〜16層、グラファイトD)に対し、上述の方法で元素分析を行った。
市販の薄層グラファイト(7〜16層)2gを水100gに分散し、超音波を1時間印加してグラファイトインクDを作製した。
このグラファイトインクDを用いて、上述の方法で導電率の測定を行った。各測定の結果を表1に示す。
<比較例2>
市販の薄層グラファイト(7〜16層)0.15g、水50mLを、50mLビーカーに入れた。すなわち、比較例2では、ビーカー内に濃硫酸を入れていない。この容器にタングステン電極を接続し、実施例1と同様の条件でソリューションプラズマ処理を行った。ソリューションプラズマ処理後、薄層グラファイトが分散された溶液を吸引ろ過したのち、固形分を水に分散させてグラファイトE分散液を得た。このグラファイトE分散液を吸引ろ過したのち、100℃で12時間乾燥し、ソリューションプラズマ処理グラファイトEを得た。
また、ソリューションプラズマ処理グラファイトE2gを水100gに分散し、超音波を1時間印加してグラファイトインクEを作製した。このグラファイトインクEを用いて、上述の方法で導電率の測定を行った。各測定の結果を表1に示す。
市販の薄層グラファイト(7〜16層)0.15g、水25mL、濃硫酸(規定度36N)18.76g、濃硝酸(16N)6.24gを、50mLビーカーに入れた。この分散液を24時間静置し、酸ドープを行った。薄層グラファイトが分散された溶液を吸引ろ過したのち、固形分を水に分散させてグラファイトF分散液を得た。このグラファイトF分散液を吸引ろ過したのち、100℃で12時間乾燥し、酸ドープグラファイトFを得た。
また、酸ドープグラファイトF2gを水100gに分散し、超音波を1時間印加してグラファイトインクFを作製した。このグラファイトインクFを用いて、上述の方法で導電率の測定を行った。各測定の結果を表1に示す。
理由は定かではないが、薄層グラファイトに対して、酸を含む溶液中でソリューションプラズマによる還元性のHラジカルを用いて酸ドーピングを行うことによって、酸素原子含有率が減少し、よりキャリアの動きやすいドープ形状になっていることが予想される。
Claims (5)
- 薄層グラファイトと酸と溶媒とを含み、前記溶媒中の前記酸の濃度が0.01mol/L以上50mol/L以下である溶液に対してソリューションプラズマ処理を行うソリューションプラズマ処理工程と、
ソリューションプラズマ処理を行った前記溶液から、導電性グラファイトを得る工程と、
を備えた導電性グラファイトの製造方法。 - 前記薄層グラファイトが、平均層数1〜30層である
請求項1に記載の導電性グラファイトの製造方法。 - 前記酸が、塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸、酢酸、ギ酸、炭酸及びリン酸から選択される少なくとも1種である、
請求項1または2に記載の導電性グラファイトの製造方法。 - 前記溶媒が水またはアルコール類を含む
請求項1から3のいずれか一項に記載の導電性グラファイトの製造方法。 - 前記アルコール類が、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール及びブタノールから選択される少なくとも1種を含む
請求項4に記載の導電性グラファイトの製造方法。
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