JP6523860B2 - Conductive particle, conductive material and connection structure - Google Patents

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本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、該導電部が外表面に複数の突起を有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。   The present invention relates to a conductive particle comprising a substrate particle and a conductive portion disposed on the surface of the substrate particle, wherein the conductive portion has a plurality of protrusions on the outer surface. The present invention also relates to a conductive material and a connecting structure using the above-described conductive particles.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。   Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder resin.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。また、上記導電性粒子として、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子が用いられることがある。   The anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed substrate and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) and a connection between a semiconductor chip and a flexible printed substrate (COF (COF) to obtain various connection structures. It is used for chip on film), connection between semiconductor chip and glass substrate (COG (chip on glass)), connection between flexible printed circuit board and glass epoxy substrate (FOB (film on board)), and the like. Moreover, the electroconductive particle which has a base material particle and the electroconductive part arrange | positioned on the surface of this base material particle may be used as said electroconductive particle.

上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献1には、芯材粒子(基材粒子)と、該芯材粒子の表面に、金属又は合金の皮膜とを有する導電性粒子が開示されている。この導電性粒子は、上記皮膜の表面から突出した複数の突起部を有する。上記突起部は、金属又は合金の複数の粒子が列状に連結した粒子連結体から構成されている。特許文献1の実施例及び比較例では、連結突起部の割合が32%以上である導電性粒子が示されている。   As an example of the conductive particles, Patent Document 1 below discloses conductive particles having a core material particle (base material particle) and a film of a metal or an alloy on the surface of the core material particle. . The conductive particle has a plurality of protrusions projecting from the surface of the film. The said projection part is comprised from the particle | grain connection body which several particle | grains of the metal or the alloy connected in line form. In the example and comparative example of patent document 1, the electroconductive particle whose ratio of a connection protrusion part is 32% or more is shown.

特開2012−113850号公報JP, 2012-113850, A

近年、電子機器の消費電力を低くすることが求められている。このため、導電性粒子には、導電性粒子により電気的に接続された電極間の接続抵抗をより一層低くすることが可能である性質が求められている。   In recent years, it has been required to reduce the power consumption of electronic devices. For this reason, the conductive particles are required to have a property capable of further reducing the connection resistance between the electrodes electrically connected by the conductive particles.

しかしながら、特許文献1に記載のような従来の導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続した場合には、接続抵抗が高くなることがある。   However, when the electrodes are electrically connected using the conventional conductive particles as described in Patent Document 1, the connection resistance may be high.

本発明の目的は、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。   An object of the present invention is to provide a conductive particle which can reduce connection resistance when the electrodes are electrically connected. Another object of the present invention is to provide a conductive material and a connection structure using the above-mentioned conductive particles.

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、前記導電部が外表面に複数の突起を有し、前記複数の突起の全個数100%中、アスペクト比が2以上、4以下である突起の割合が20%以上である、導電性粒子が提供される。   According to a broad aspect of the present invention, a substrate particle and a conductive portion disposed on the surface of the substrate particle, the conductive portion having a plurality of projections on the outer surface, and the plurality of projections A conductive particle is provided in which the proportion of protrusions having an aspect ratio of 2 or more and 4 or less in a total number of 100% is 20% or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記複数の突起の全個数100%中、アスペクト比が3以上、4以下である突起の割合が10%以上である。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the proportion of projections having an aspect ratio of 3 or more and 4 or less is 10% or more in 100% of the total number of the plurality of projections.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記複数の突起の全個数100%中、アスペクト比が2以上、4以下である突起の割合が30%以上である。   In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the percentage of protrusions having an aspect ratio of 2 or more and 4 or less is 30% or more in 100% of the total number of the plurality of protrusions.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記複数の突起が、粒子が列状に複数個連結して形成されている突起を含む。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the plurality of protrusions includes a protrusion formed by connecting a plurality of particles in a row.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記粒子が列状に複数個連結して形成されている突起が、外周面に屈曲部を有する。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the protrusion formed by connecting a plurality of the particles in a row has a bent portion on the outer peripheral surface.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記複数の突起の外表面の材料が、ニッケルを含む。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the material of the outer surface of the plurality of protrusions includes nickel.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、第1の導電部と、前記第1の導電部の外表面上に配置された第2の導電部とを備え、前記第1の導電部及び前記第2の導電部の少なくとも一方が、ニッケルを含みかつ結晶構造を有する導電部である。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the conductive portion includes a first conductive portion and a second conductive portion disposed on the outer surface of the first conductive portion. At least one of the first conductive portion and the second conductive portion is a conductive portion containing nickel and having a crystal structure.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記ニッケルを含みかつ結晶構造を有する導電部において、X線回折における(111)面の割合が80%以上である。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, in the conductive portion containing nickel and having a crystal structure, the ratio of (111) plane in X-ray diffraction is 80% or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記基材粒子の表面上に配置された芯物質を備え、前記基材粒子と前記芯物質とを被覆するように、前記導電部が前記基材粒子の表面上に配置されており、前記複数の突起の内側に前記芯物質が配置されており、前記芯物質が金属を含まないか、又は、前記芯物質に含まれる主金属と、前記芯物質に接する前記導電部に含まれる主金属とが異なる。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the conductive particle comprises a core substance disposed on the surface of the base particle, and covers the base particle and the core substance. The conductive portion is disposed on the surface of the base particle, the core substance is disposed inside the plurality of protrusions, and the core substance contains no metal, or The main metal contained is different from the main metal contained in the conductive portion in contact with the core material.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記芯物質の材料のモース硬度が5以上である。   In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the material of the core material has a Mohs hardness of 5 or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記複数の突起の平均高さが50nm以上、900nm以下である。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, an average height of the plurality of protrusions is 50 nm or more and 900 nm or less.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面の全表面積100%中、前記突起がある部分の表面積が30%以上である。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the surface area of the portion with the protrusion is 30% or more in 100% of the total surface area of the outer surface of the conductive portion.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the substrate particle is a resin particle or an organic-inorganic hybrid particle.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える。   In one particular aspect of the conductive particle according to the present invention, the conductive particle comprises an insulating material disposed on the outer surface of the conductive part.

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。   According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive material comprising the above-described conductive particles and a binder resin.

本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。   According to a broad aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the first connection target member A connecting portion connecting the second connection target member, and a material of the connecting portion is the above-described conductive particle, or a conductive material including the conductive particle and a binder resin, A connection structure is provided in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、上記導電部が外表面に複数の突起を有し、上記複数の突起の全個数100%中、アスペクト比が2以上、4以下である突起の割合が20%以上であるので、本発明に係る導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができる。   The conductive particle according to the present invention comprises a substrate particle and a conductive portion disposed on the surface of the substrate particle, wherein the conductive portion has a plurality of protrusions on the outer surface, and the plurality of protrusions Since the ratio of projections having an aspect ratio of 2 to 4 in the total number of 100% is 20% or more, connection resistance when electrodes are electrically connected using the conductive particles according to the present invention Can be lowered.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a second embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a third embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第4の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a fourth embodiment of the present invention. 図5は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。FIG. 5: is sectional drawing which shows typically the bonded structure using the electroconductive particle which concerns on the 1st Embodiment of this invention.

以下、本発明の詳細を説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

(導電性粒子)
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、導電部とを備える。上記導電部は、上記基材粒子の表面上に配置されている。上記導電部は外表面に、複数の突起を有する。本発明に係る導電性粒子では、上記複数の突起の全個数100%中、アスペクト比が2以上、4以下である突起の割合が20%以上である。
(Conductive particles)
The conductive particle according to the present invention comprises substrate particles and a conductive part. The conductive portion is disposed on the surface of the base particle. The conductive portion has a plurality of protrusions on the outer surface. In the conductive particle according to the present invention, the percentage of protrusions having an aspect ratio of 2 or more and 4 or less is 20% or more in 100% of the total number of the plurality of protrusions.

本発明に係る導電性粒子における上述した構成の採用により、本発明に係る導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができる。特に、導電性粒子の導電部の外表面及び電極の表面に酸化膜が形成されている場合に、突起により酸化膜が容易に突き破られ、接続抵抗が低くなる。   By employing the above-described configuration in the conductive particle according to the present invention, the connection resistance can be lowered when the electrodes are electrically connected using the conductive particle according to the present invention. In particular, when the oxide film is formed on the outer surface of the conductive portion of the conductive particle and the surface of the electrode, the oxide film is easily pierced by the protrusion, and the connection resistance becomes low.

突起が酸化膜をより一層突き破りやすくし、電極間の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記複数の突起の全個数100%中、アスペクト比が2以上、4以下である突起の割合は好ましくは25%以上、より好ましくは30%以上、更に好ましくは50%以上、最も好ましくは100%である。   From the viewpoint of making it easier for the projections to break through the oxide film and further enhancing the connection reliability between the electrodes, the proportion of the projections having an aspect ratio of 2 or more and 4 or less in the total number 100% of the plurality of projections is Preferably it is 25% or more, more preferably 30% or more, still more preferably 50% or more, and most preferably 100%.

突起が酸化膜をより一層突き破りやすくし、電極間の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記複数の突起の全個数100%中、アスペクト比が3以上、4以下である突起の割合は好ましくは10%以上、より好ましくは12%以上、更に好ましくは20%以上、最も好ましくは100%である。   From the viewpoint of making it easier for the projections to break through the oxide film and further enhancing the connection reliability between the electrodes, the proportion of the projections having an aspect ratio of 3 or more and 4 or less is 100% of the total number of the plurality of projections. Preferably, it is 10% or more, more preferably 12% or more, further preferably 20% or more, and most preferably 100%.

また、突起のアスペクト比は、導電性粒子のSEM画像をもとに定義する。図1にL1及びL2を例示するように、突起高さについては、破線L1と破線L2との交点から突起の先端までの距離と定義し、これをAとする。また、突起幅については、導電性粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線と直交する方向での突起の幅の最大値と定義し、これをBとする。突起のアスペクト比はA/Bで定義される。   Also, the aspect ratio of the protrusions is defined based on the SEM image of the conductive particles. As L1 and L2 are illustrated in FIG. 1, the protrusion height is defined as the distance from the intersection of the broken line L1 and the broken line L2 to the tip of the protrusion, which is A. Further, the protrusion width is defined as the maximum value of the width of the protrusion in the direction orthogonal to the line connecting the center of the conductive particle and the tip of the protrusion, which is referred to as B. The aspect ratio of the protrusions is defined by A / B.

アスペクト比が上記の範囲にある突起は、例えば、導電部の形成における初期反応工程にて、基材粒子の表面上で無電解めっきを行い、その後、芯物質を粒子の表面に付着させながら無電解めっきを行う中期反応工程、さらに無電解めっきを行う後期反応工程を経ることで、形成することができる。   The projections having an aspect ratio in the above-mentioned range are electrolessly plated on the surface of the base particle, for example, in the initial reaction step in the formation of the conductive portion, and then the core substance is attached to the surface of the particle. It can form by passing through the middle period reaction process which performs electrolytic plating, and the later reaction process which further performs electroless plating.

複数の上記突起の平均高さは、上記のアスペクト比を満足するように適宜調整される。複数の上記突起の平均高さは、好ましくは50nm以上、より好ましくは100nm以上であり、好ましくは900nm以下、より好ましくは400nm以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。   The average height of the plurality of projections is appropriately adjusted to satisfy the above aspect ratio. The average height of the plurality of projections is preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, preferably 900 nm or less, more preferably 400 nm or less. The connection resistance between electrodes becomes effectively low that the average height of the said protrusion is more than the said minimum and below the said upper limit.

上記突起の高さは、導電性粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線(図1に示す破線L1)上における、突起が無いと想定した場合の導電部の仮想線(図1に示す破線L2)上(突起が無いと想定した場合の球状の導電性粒子の外表面上)から突起の先端までの距離を示す。すなわち、図1においては、破線L1と破線L2との交点から突起の先端までの距離を示す。上記突起の平均高さは、1つの導電性粒子における突起の高さの平均である。   The height of the protrusion is a virtual line (broken line shown in FIG. 1) of the conductive portion on the line (broken line L1 shown in FIG. 1) connecting the center of the conductive particle and the tip of the protrusion. L2) The distance from the top (on the outer surface of the spherical conductive particle when assuming no protrusion) to the tip of the protrusion is shown. That is, in FIG. 1, the distance from the intersection of the broken line L1 and the broken line L2 to the tip of the projection is shown. The average height of the protrusions is an average of the heights of the protrusions in one conductive particle.

突起が酸化膜をより一層突き破りやすくし、電極間の接続信頼性をより一層高める観点からは、複数の突起の先端は、導電性粒子の中心から外側に向かってのびていることが好ましい。   It is preferable that the tips of the plurality of protrusions extend outward from the center of the conductive particles from the viewpoint of making the oxide film more easily pierced by the protrusions and further enhancing the connection reliability between the electrodes.

突起が酸化膜をより一層突き破りやすくし、電極間の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記複数の突起が、粒子が列状に複数個連結して形成されている突起を含むことが好ましい。突起が酸化膜をより一層突き破りやすくし、電極間の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記粒子が列状に複数個連結して形成されている突起が、外周面に屈曲部を有することが好ましい。上記粒子が列状に複数個連結して形成されている突起が、突起の長さ方向における側面に屈曲部を有することが好ましい。   From the viewpoint that the projections further break through the oxide film and the connection reliability between the electrodes is further enhanced, the plurality of projections may include projections formed by connecting a plurality of particles in a row. preferable. From the viewpoint of making it easier for the projections to break through the oxide film and to further improve the connection reliability between the electrodes, the projections formed by connecting a plurality of the above-mentioned particles in a row have a bent portion on the outer peripheral surface Is preferred. It is preferable that a projection formed by connecting a plurality of particles in a row has a bent portion on the side surface in the longitudinal direction of the projection.

上記導電性粒子1個当たりの上記の突起に関しては、接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電部の外表面の全表面積100%中、上記突起がある部分の表面積が30%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましい。   Regarding the above projections per conductive particle, from the viewpoint of further lowering the connection resistance, the surface area of the portion with the projections is 30% or more in 100% of the total surface area of the outer surface of the conductive part Is preferably 50% or more.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。なお、参照した図面では、大きさ及び厚みなどは、図示の便宜上、実際の大きさ及び厚みから適宜変更している。特に、突起の大きさ及び形状は、模式的に記載されている。   Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings referred to, the size, thickness and the like are appropriately changed from the actual size and thickness for convenience of illustration. In particular, the size and shape of the projections are described schematically.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a first embodiment of the present invention.

図1に示す導電性粒子1は、基材粒子2と、導電部3と、複数の芯物質4とを備える。導電性粒子1は、基材粒子2と、基材粒子2の表面上に配置された導電部3とを有する粒子である。導電部3は導電層である。   The conductive particle 1 shown in FIG. 1 includes base particles 2, a conductive portion 3, and a plurality of core substances 4. The conductive particle 1 is a particle having a base particle 2 and a conductive portion 3 disposed on the surface of the base particle 2. The conductive portion 3 is a conductive layer.

導電部3は、基材粒子2の表面上に配置されている。導電部3は、基材粒子2の表面を覆っている。導電性粒子1は、基材粒子2の表面が導電部3により被覆された被覆粒子である。   The conductive portion 3 is disposed on the surface of the base particle 2. The conductive portion 3 covers the surface of the base particle 2. The conductive particle 1 is a coated particle in which the surface of the substrate particle 2 is covered by the conductive portion 3.

導電性粒子1は導電性の表面に、複数の突起1aを有する。導電部3は外表面に、複数の突起3aを有する。複数の芯物質4が、基材粒子2の表面上に配置されている。複数の芯物質4は、基材粒子2に接しないように配置されている。芯物質4は、基材粒子2に接していてもよい。複数の芯物質4は導電部3内に埋め込まれている。芯物質4は、突起1a,3aの内側に配置されている。導電層3は、複数の芯物質4を覆っている。複数の芯物質4により導電部3の外表面が隆起されており、突起1a,3aが形成されている。   The conductive particle 1 has a plurality of protrusions 1 a on the conductive surface. The conductive portion 3 has a plurality of protrusions 3a on the outer surface. A plurality of core substances 4 are arranged on the surface of the base particle 2. The plurality of core substances 4 are disposed so as not to be in contact with the substrate particles 2. The core substance 4 may be in contact with the base particle 2. A plurality of core substances 4 are embedded in the conductive part 3. The core substance 4 is disposed inside the protrusions 1a and 3a. The conductive layer 3 covers a plurality of core substances 4. The outer surface of the conductive portion 3 is raised by the plurality of core substances 4, and the protrusions 1a and 3a are formed.

図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a second embodiment of the present invention.

図2に示す導電性粒子11は、基材粒子2と、導電部12と、絶縁性物質13とを備える。導電性粒子11は、基材粒子2と、基材粒子2の表面上に配置された導電部12とを有する粒子である。導電部12は導電層である。導電性粒子1と導電性粒子11とでは、芯物質4の有無と、絶縁性物質13の有無のみが異なる。   The conductive particle 11 shown in FIG. 2 includes base particles 2, a conductive portion 12, and an insulating substance 13. The conductive particle 11 is a particle having a base particle 2 and a conductive portion 12 disposed on the surface of the base particle 2. The conductive portion 12 is a conductive layer. The conductive particles 1 and the conductive particles 11 differ only in the presence or absence of the core substance 4 and the presence or absence of the insulating substance 13.

導電性粒子11は、芯物質を有さない。導電部12は、第1の部分と、該第1の部分よりも厚みが厚い第2の部分とを有する。導電性粒子11は導電性の表面に、複数の突起11aを有する。複数の突起11aを除く部分が、導電部12の上記第1の部分である。複数の突起11aは、導電部12の厚みが厚い上記第2の部分に位置している。導電部12は外表面に、複数の突起12aを有する。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に突起を形成するために、芯物質を用いてもよいが、芯物質を用いなくてもよい。   The conductive particles 11 do not have a core substance. The conductive portion 12 has a first portion and a second portion which is thicker than the first portion. The conductive particle 11 has a plurality of protrusions 11 a on the conductive surface. The portion excluding the plurality of protrusions 11 a is the first portion of the conductive portion 12. The plurality of protrusions 11 a are located in the second portion where the thickness of the conductive portion 12 is thick. The conductive portion 12 has a plurality of protrusions 12 a on the outer surface. As described above, the conductive particles according to the present invention may use the core material to form the protrusions on the outer surface of the conductive part, but may not use the core material.

導電部12の外表面上に、複数の絶縁性物質13が配置されている。本実施形態では、絶縁性物質13は、絶縁性粒子である。このように、導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えていてもよい。   A plurality of insulating substances 13 are disposed on the outer surface of the conductive portion 12. In the present embodiment, the insulating substance 13 is an insulating particle. Thus, the conductive particles may comprise an insulating material disposed on the outer surface of the conductive portion.

図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a third embodiment of the present invention.

図3に示す導電性粒子21は、基材粒子2と、導電部22と、複数の芯物質4とを備える。   The conductive particle 21 shown in FIG. 3 includes a base particle 2, a conductive portion 22, and a plurality of core substances 4.

導電部22は、第1の導電部22Aと第2の導電部22Bとを有する。第1の導電部22Aは、基材粒子2の表面上に配置されている。基材粒子2と第2の導電部22Bとの間に、第1の導電部22Aが配置されている。第2の導電部22Bは、第1の導電部22Aの外表面上に配置されている。第2の導電部22Bは、第1の導電部22Aと接している。導電性粒子21は、基材粒子2の表面が第1の導電部22A及び第2の導電部22Bにより被覆された被覆粒子である。   The conductive portion 22 has a first conductive portion 22A and a second conductive portion 22B. The first conductive portion 22 </ b> A is disposed on the surface of the base particle 2. The first conductive portion 22A is disposed between the base particle 2 and the second conductive portion 22B. The second conductive portion 22B is disposed on the outer surface of the first conductive portion 22A. The second conductive portion 22B is in contact with the first conductive portion 22A. The conductive particle 21 is a coated particle in which the surface of the substrate particle 2 is covered with the first conductive portion 22A and the second conductive portion 22B.

第1の導電部22Aの外形は、球状である。第1の導電部22Aは外表面に、複数の突起を有さない。導電性粒子21は導電性の表面に、複数の突起21aを有する。導電部22は外表面に、複数の突起22aを有する。第2の導電部22Bは外表面に、複数の突起22Baを有する。   The outer shape of the first conductive portion 22A is spherical. The first conductive portion 22A does not have a plurality of protrusions on the outer surface. The conductive particles 21 have a plurality of protrusions 21 a on the conductive surface. The conductive portion 22 has a plurality of protrusions 22 a on the outer surface. The second conductive portion 22B has a plurality of protrusions 22Ba on the outer surface.

図4は、本発明の第4の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a fourth embodiment of the present invention.

図4に示す導電性粒子31は、基材粒子2と、導電部32と、複数の芯物質4とを備える。   The conductive particles 31 shown in FIG. 4 include base particles 2, conductive portions 32, and a plurality of core substances 4.

導電部32は、第1の導電部32Aと第2の導電部32Bとを有する。第1の導電部32Aは、基材粒子2の表面上に配置されている。基材粒子2と第2の導電部32Bとの間に、第1の導電部32Aが配置されている。第2の導電部32Bは、第1の導電部32Aの外表面上に配置されている。第2の導電部32Bは、第1の導電部32Aと接している。導電性粒子31は、基材粒子2の表面が第1の導電部32A及び第2の導電部32Bにより被覆された被覆粒子である。   The conductive portion 32 has a first conductive portion 32A and a second conductive portion 32B. The first conductive portion 32 </ b> A is disposed on the surface of the base particle 2. The first conductive portion 32A is disposed between the base particle 2 and the second conductive portion 32B. The second conductive portion 32B is disposed on the outer surface of the first conductive portion 32A. The second conductive portion 32B is in contact with the first conductive portion 32A. The conductive particle 31 is a coated particle in which the surface of the substrate particle 2 is covered with the first conductive portion 32A and the second conductive portion 32B.

導電性粒子31は導電性の表面に、複数の突起31aを有する。導電部32は外表面に、複数の突起32aを有する。第1の導電部32Aは外表面に、複数の突起32Aaを有する。導電部32Bは外表面に、複数の突起32Baを有する。   The conductive particles 31 have a plurality of protrusions 31 a on the conductive surface. The conductive portion 32 has a plurality of protrusions 32 a on the outer surface. The first conductive portion 32A has a plurality of protrusions 32Aa on the outer surface. The conductive portion 32B has a plurality of protrusions 32Ba on the outer surface.

以下、導電性粒子の他の詳細を説明する。なお、以下の説明において、「(メタ)アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「(メタ)アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。   Hereinafter, other details of the conductive particles will be described. In the following description, "(meth) acrylic" means one or both of "acrylic" and "methacrylic", and "(meth) acrylate" means one or both of "acrylate" and "methacrylate". means.

[基材粒子]
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。
[Base particle]
Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles other than metal particles, organic-inorganic hybrid particles, metal particles and the like. The substrate particles are preferably substrate particles excluding metal particles, and more preferably resin particles, inorganic particles excluding metal particles, or organic-inorganic hybrid particles. The substrate particles may be core-shell particles.

上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが更に好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。   The base material particles are more preferably resin particles or organic-inorganic hybrid particles, and may be resin particles or organic-inorganic hybrid particles. The use of these preferred substrate particles results in more suitable conductive particles due to the electrical connection between the electrodes.

上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。   When connecting between electrodes using the said electroconductive particle, after arrange | positioning the said electroconductive particle between electrodes, the said electroconductive particle is compressed by pressure-bonding. When the substrate particles are resin particles or organic-inorganic hybrid particles, the conductive particles are easily deformed during the pressure bonding, and the contact area between the conductive particles and the electrode becomes large. Therefore, the connection resistance between the electrodes is further lowered.

上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。   Various organic substances are suitably used as the resin for forming the above-mentioned resin particles. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Alkylene terephthalate, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polysulfone, polyphenylene Oxide, polyacetal, polyimide, polyamide imide, polyether ether Tons, polyethersulfone, and polymers such as obtained by a variety of polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group is polymerized with one or more thereof. A resin for forming the above-mentioned resin particles can be designed because resin particles having arbitrary compression physical properties suitable for the conductive material can be designed and synthesized, and the hardness of the substrate particles can be easily controlled to a suitable range. The polymer is preferably a polymer obtained by polymerizing one or two or more polymerizable monomers having a plurality of ethylenic unsaturated groups.

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。   When the resin particles are obtained by polymerizing a monomer having an ethylenically unsaturated group, as the monomer having an ethylenically unsaturated group, a monomer having a crosslinking property with a non-crosslinkable monomer is used. And a mer.

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート類;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類;エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the non-crosslinkable monomers include styrene-based monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid and maleic anhydride; methyl ( Meta) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl ( Alkyl (meth) acrylates such as meta) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; oxygen such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate (Meth) acrylates; nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether and propyl vinyl ether; vinyl acids such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate and vinyl stearate Esters; unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; trifluoromethyl (meth) acrylates, pentafluoroethyl (meth) acrylates, halogen-containing monomers such as vinyl chloride, vinyl fluoride and chlorostyrene, etc. Can be mentioned.

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレンジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the crosslinkable monomer include, for example, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipentamer. Erythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Multifunctional (meth) acrylates such as acrylate, (poly) tetramethylene di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate; triallyl (iso) cyanurate, thoria Rutorimeriteto, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether, .gamma. (meth) acryloxy propyl trimethoxy silane, trimethoxy silyl styrene, include silane-containing monomers such as vinyltrimethoxysilane.

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。   The said resin particle can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer which has the said ethylenically unsaturated group by a well-known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of swelling and polymerizing a monomer with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子を形成するための上記無機物は、金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。   When the substrate particles are inorganic particles or organic-inorganic hybrid particles other than metal particles, examples of the inorganic substance for forming the substrate particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia, carbon black and the like. . The inorganic substance for forming the organic-inorganic hybrid particles is preferably not a metal. The particles formed of the above silica are not particularly limited. For example, after forming a crosslinked polymer particle by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups, baking is carried out as necessary. The particles obtained by carrying out are mentioned. As said organic-inorganic hybrid particle | grains, the organic-inorganic hybrid particle | grains etc. which were formed, for example by bridge | crosslinking alkoxy silyl polymer and acrylic resin are mentioned.

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。   The organic-inorganic hybrid particle is preferably a core-shell type organic-inorganic hybrid particle having a core and a shell disposed on the surface of the core. It is preferable that the said core is an organic core. It is preferable that the said shell is an inorganic shell. From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance between the electrodes, the base particle is preferably an organic-inorganic hybrid particle having an organic core and an inorganic shell disposed on the surface of the organic core.

上記有機コアを形成するための材料としては、上述した樹脂粒子を形成するための樹脂等が挙げられる。   As a material for forming the said organic core, resin etc. for forming the resin particle mentioned above are mentioned.

上記無機シェルを形成するための材料としては、上述した基材粒子を形成するための無機物が挙げられる。上記無機シェルを形成するための材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼結させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。   As a material for forming the said inorganic shell, the inorganic substance for forming the base material particle mentioned above is mentioned. The material for forming the inorganic shell is preferably silica. The inorganic shell is preferably formed on the surface of the core by forming a metal alkoxide into a shell by a sol-gel method and then sintering the shell. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide. The inorganic shell is preferably formed of a silane alkoxide.

上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。   When the base particle is a metal particle, examples of the metal for forming the metal particle include silver, copper, nickel, silicon, gold and titanium. However, it is preferable that the said base material particle is not a metal particle.

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上、更に好ましくは2μm以上であり、好ましくは5μm以下、より好ましくは3μm以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電部の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子が得られる。   The particle diameter of the substrate particle is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more, still more preferably 2 μm or more, preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less. When the particle diameter of the base particle is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the distance between the electrodes is reduced, and small conductive particles can be obtained even if the thickness of the conductive portion is increased.

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。   The particle diameter of the substrate particle indicates a diameter when the substrate particle is spherical, and indicates a maximum diameter when the substrate particle is not spherical.

複数の導電性粒子では、上記基材粒子の粒子径は、平均粒子径として求めることができる。上記平均粒子径は、数平均粒子径を示す。例えば、導電性粒子を含有量が30重量%となるように、Kulzer社製「テクノビット4000」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置(日立ハイテクノロジーズ社製「IM4000」)を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)を用いて、画像倍率を25000倍に設定し、50個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の基材粒子を観察する。得られた導電性粒子における基材粒子の粒子径を計測し、それを算術平均して基材粒子の平均粒子径が求められる。   In the plurality of conductive particles, the particle diameter of the base particle can be determined as an average particle diameter. The average particle size indicates a number average particle size. For example, conductive particles are added to “Technobit 4000” manufactured by Kulzer Co. so that the content is 30% by weight, and dispersed to prepare a conductive particle inspection embedded resin. The cross section of the conductive particles is cut out using an ion milling apparatus ("IM 4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the conductive particles dispersed in the embedded resin for inspection. Then, using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), the image magnification is set to 25000 times, 50 conductive particles are randomly selected, and base particles of each conductive particle are selected. Observe. The particle diameter of the base material particles in the obtained conductive particles is measured, and the average of the particle diameters of the base material particles is determined by arithmetic averaging.

[導電部]
上記導電部を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及びこれらの合金等が挙げられる。なかでも、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。上記導電部の材料は、ニッケル又はニッケル合金であることが好ましい。
[Conductive part]
The metal for forming the said electroconductive part is not specifically limited. Examples of the metal include gold, silver, palladium, rhodium, ruthenium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, thallium, germanium, cadmium , Silicon, tungsten, molybdenum and their alloys. Among them, an alloy containing tin, nickel, palladium, copper or gold is preferable because the connection resistance between the electrodes can be further lowered, and nickel or palladium is preferable. The material of the conductive portion is preferably nickel or a nickel alloy.

導電部は、第1の導電部と、該第1の導電部の外表面上に配置された第2の導電部とを備えていてもよい。   The conductive portion may include a first conductive portion and a second conductive portion disposed on the outer surface of the first conductive portion.

電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電部は、ニッケルを含む導電部であるか、又はニッケルを含む導電部(領域)を含むことが好ましい。電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記第1の導電部及び上記第2の導電部の少なくとも一方が、ニッケルを含む導電部であることが好ましく、上記第1の導電部及び上記第2の導電部の少なくとも一方が、ニッケルを含みかつ結晶構造を有する導電部であることがより好ましい。   From the viewpoint of further lowering the connection resistance between the electrodes, the conductive portion is preferably a conductive portion containing nickel or a conductive portion (region) containing nickel. From the viewpoint of further reducing the connection resistance between the electrodes, at least one of the first conductive portion and the second conductive portion is preferably a conductive portion containing nickel, and the first conductive portion and More preferably, at least one of the second conductive portions is a conductive portion containing nickel and having a crystal structure.

電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、ニッケルを含みかつ結晶構造を有する導電部において、X線回折における(111)面の割合は好ましくは60%以上、より好ましくは80%以上、更に好ましくは90%以上である。このような(111)面の割合を満足することによって、突起が折れにくくなり、かつ導電部が割れにくくなる。この結果、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。   From the viewpoint of further lowering the connection resistance between the electrodes, in the conductive portion containing nickel and having a crystal structure, the ratio of (111) plane in X-ray diffraction is preferably 60% or more, more preferably 80% or more, More preferably, it is 90% or more. By satisfying such a ratio of (111) planes, the projections are less likely to be broken and the conductive portion is less likely to be broken. As a result, the connection resistance between the electrodes is further reduced.

ニッケルを含む導電部には、金属として、ニッケルのみを用いた場合だけでなく、ニッケルと他の金属とを用いた場合も含まれる。上記ニッケルを含む導電部は、ニッケル合金部であってもよい。   The conductive portion containing nickel includes not only the case where only nickel is used as a metal, but also the case where nickel and other metals are used. The conductive portion containing nickel may be a nickel alloy portion.

ニッケルを含む導電部は、ニッケルを主金属として含むことが好ましい。上記ニッケルを含む導電部100重量%中、ニッケルの含有量(平均含有量)は50重量%以上であることが好ましい。上記ニッケルを含む導電部100重量%中、ニッケルの含有量は好ましくは65重量%以上、より好ましくは80重量%以上、更に好ましくは90重量%以上である。ニッケルの含有量の含有量が上記下限以上であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。   The conductive part containing nickel preferably contains nickel as a main metal. The content (average content) of nickel is preferably 50% by weight or more in 100% by weight of the conductive part containing nickel. The content of nickel is preferably 65% by weight or more, more preferably 80% by weight or more, and still more preferably 90% by weight or more in 100% by weight of the conductive part containing nickel. The connection resistance between electrodes becomes still lower that content of content of nickel is more than the above-mentioned lower limit.

電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記ニッケルを含む導電部はリン又はボロンを含むことが好ましく、リンを含むことがより好ましい。上記ニッケルを含む導電部はボロンを含んでいてもよい。上記ニッケルを含む導電部100重量%中、リンの含有量(平均含有量)及びボロンの含有量(平均含有量)は好ましくは0重量%を超え、より好ましくは0.1重量%以上、更に好ましくは2重量%以上であり、好ましくは20重量%以下、より好ましくは15重量%以下である。リンの含有量及びボロンの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続抵抗がより一層低くなる。   From the viewpoint of further lowering the connection resistance between the electrodes, the conductive portion containing nickel preferably contains phosphorus or boron, and more preferably contains phosphorus. The conductive part containing nickel may contain boron. The content (average content) of phosphorus and the content (average content) of boron are preferably more than 0% by weight, more preferably 0.1% by weight or more, in 100% by weight of the conductive part containing nickel. It is preferably 2% by weight or more, preferably 20% by weight or less, and more preferably 15% by weight or less. When the phosphorus content and the boron content are equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, connection resistance is further lowered.

電極間の接続抵抗をより一層低くし、かつ高温高湿下での電極間の接続信頼性をより一層高めるために、上記ニッケルを含む導電部100重量%中、リンの含有量は5重量%未満であることがより好ましい。電極間の低い接続抵抗と、高温高湿下での電極間の高い接続信頼性との双方を効果的に発現させる観点からは、上記ニッケルを含む導電部100重量%中、リンの含有量は好ましくは0重量%を超え、より好ましくは0.1重量%以上、更に好ましくは2重量%以上である。リンの含有量が上記下限以上であると、接続抵抗がより一層低くなる。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記ニッケルを含む導電部100重量%中、リンの含有量は好ましくは4.9重量%以下、より好ましくは4重量%以下、更に好ましくは3重量%以下である。   In order to further lower the connection resistance between the electrodes and further improve the connection reliability between the electrodes under high temperature and high humidity, the content of phosphorus is 5% by weight in 100% by weight of the conductive part containing nickel. It is more preferable that it be less than. From the viewpoint of effectively expressing both the low connection resistance between the electrodes and the high connection reliability between the electrodes under high temperature and high humidity, the content of phosphorus is 100% by weight of the conductive part containing nickel. Preferably, it is more than 0% by weight, more preferably 0.1% by weight or more, still more preferably 2% by weight or more. When the content of phosphorus is equal to or more than the above lower limit, the connection resistance is further lowered. From the viewpoint of further lowering the connection resistance, the content of phosphorus is preferably 4.9% by weight or less, more preferably 4% by weight or less, still more preferably 3% by weight, in 100% by weight of the conductive portion containing nickel. It is below.

上記導電部におけるニッケル、ボロン及びリンの含有量を制御する方法としては、例えば、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、ニッケルめっき液のpHを制御する方法、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、ボロン含有還元剤の濃度を調整する方法、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、リン含有還元剤の濃度を調整する方法、並びにニッケルめっき液中のニッケル濃度を調整する方法等が挙げられる。   As a method of controlling the content of nickel, boron and phosphorus in the conductive portion, for example, a method of controlling the pH of a nickel plating solution when forming the conductive portion by electroless nickel plating, conductivity by electroless nickel plating Method of adjusting the concentration of the boron-containing reducing agent when forming the portion, a method of adjusting the concentration of the phosphorus-containing reducing agent when forming the conductive portion by electroless nickel plating, and the nickel concentration in the nickel plating solution And the like.

ニッケルを含む導電部は、タングステン又はモリブデンを含むことが好ましい。タングステン又はモリブデンの使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。上記ニッケルを含む導電部100重量%中、タングステンの含有量及びモリブデンの含有量は好ましくは1重量%以上、より好ましくは5重量%以上であり、好ましくは20重量%以下、より好ましくは10重量%以下である。タングステンの含有量及びモリブデンの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。   The conductive portion containing nickel preferably contains tungsten or molybdenum. The use of tungsten or molybdenum makes the connection resistance between the electrodes even lower. The content of tungsten and the content of molybdenum are preferably 1% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, preferably 20% by weight or less, more preferably 10% by weight in 100% by weight of the conductive part containing nickel. % Or less. When the content of tungsten and the content of molybdenum are at least the lower limit and the upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively reduced.

無電解めっきによりニッケルを含む導電部を形成する方法では、一般的に、触媒化工程と、無電解めっき工程とが行われる。以下、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、ニッケルとリンとタングステンを含む合金めっき層を形成する方法の一例を説明する。   In the method of forming a conductive portion containing nickel by electroless plating, a catalyzing step and an electroless plating step are generally performed. Hereinafter, an example of a method of forming an alloy plating layer containing nickel, phosphorus and tungsten on the surface of the resin particle by electroless plating will be described.

上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。   In the catalyzing step, a catalyst serving as a starting point for forming a plating layer by electroless plating is formed on the surface of the resin particle.

上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、例えば、塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法、並びに硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法等が挙げられる。上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む導電層を形成できる。ボロンを含む導電層を形成する場合には、上記還元剤として、ボロン含有還元剤を用いてもよい。   As a method of forming the catalyst on the surface of the resin particle, for example, after adding the resin particle to a solution containing palladium chloride and tin chloride, the surface of the resin particle is activated with an acid solution or an alkaline solution, A method of depositing palladium on the surface of a resin particle, and after adding the resin particle to a solution containing palladium sulfate and aminopyridine, the surface of the resin particle is activated with a solution containing a reducing agent to obtain resin particles The method etc. which precipitate palladium on the surface are mentioned. A phosphorus-containing reducing agent is used as the reducing agent. In addition, by using a phosphorus-containing reducing agent as the reducing agent, a conductive layer containing phosphorus can be formed. In the case of forming a conductive layer containing boron, a boron-containing reducing agent may be used as the reducing agent.

上記無電解めっき工程では、ニッケル含有化合物、リン含有還元剤又はボロン含有還元剤、タングステン含有化合物、錯化剤、安定剤を含むニッケルめっき浴が好適に用いられる。   In the electroless plating step, a nickel plating bath containing a nickel-containing compound, a phosphorus-containing reducing agent or a boron-containing reducing agent, a tungsten-containing compound, a complexing agent, and a stabilizer is suitably used.

ニッケルめっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、ニッケルを析出させることができ、ニッケルとリンとタングステンとを含む導電層を形成できる。   By immersing the resin particles in a nickel plating bath, nickel can be deposited on the surface of the resin particles having the catalyst formed on the surface, and a conductive layer containing nickel, phosphorus and tungsten can be formed.

上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル及び塩化ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、ニッケル塩であることが好ましい。   Examples of the nickel-containing compound include nickel sulfate and nickel chloride. The nickel-containing compound is preferably a nickel salt.

上記リン含有還元剤としては、次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。上記リン含有還元剤に加えて、ボロン含有還元剤を用いてもよい。上記ボロン含有還元剤としては、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。   Examples of the phosphorus-containing reducing agent include sodium hypophosphite and the like. In addition to the phosphorus-containing reducing agent, a boron-containing reducing agent may be used. Examples of the boron-containing reducing agent include dimethylamine borane, sodium borohydride and potassium borohydride.

上記タングステン含有化合物としては、ホウ化タングステン及びタングステン酸ナトリウム等が挙げられる。   Examples of the tungsten-containing compounds include tungsten boride and sodium tungstate.

上記錯化剤の好ましい例としては、酢酸ナトリウム及びプロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤;マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤;コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤;乳酸、DL−リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム及びグルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤;グリシン及びEDTA等のアミノ酸系錯化剤;エチレンジアミン等のアミン系錯化剤;マレイン酸等の有機酸系錯化剤等が挙げられる。上記錯化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Preferred examples of the complexing agent include: monocarboxylic acid type complexing agents such as sodium acetate and sodium propionate; dicarboxylic acid type complexing agents such as disodium malonate; tricarboxylic acid type complexing such as disodium succinate Agents; hydroxy acid type complexing agents such as lactic acid, DL-malic acid, Rochelle salt, sodium citrate and sodium gluconate; amino acid type complexing agents such as glycine and EDTA; amine type complexing agents such as ethylene diamine; Etc., and the like. Only one type of the complexing agent may be used, or two or more types may be used in combination.

上記安定剤としては、鉛化合物、ビスマス化合物、及びタリウム化合物等が挙げられる。これらの安定剤の具体例としては、化合物を構成する金属(鉛、ビスマス、タリウム)の硫酸塩、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩及び塩酸塩等が挙げられる。環境への影響を考慮すると、ビスマス化合物又はタリウム化合物が好ましい。   As said stabilizer, a lead compound, a bismuth compound, and a thallium compound etc. are mentioned. Specific examples of these stabilizers include sulfates, carbonates, acetates, nitrates and hydrochlorides of metals (lead, bismuth, thallium) constituting the compound. In consideration of environmental impact, bismuth compounds or thallium compounds are preferred.

粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、導電部の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。   The method of forming the conductive part on the surface of the particle is not particularly limited. As a method of forming the conductive portion, for example, a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical vapor deposition, and a method of coating metal powder or a paste containing metal powder and a binder on the surface of particles It can be mentioned. Among them, the method by electroless plating is preferable because the formation of the conductive portion is simple. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum deposition, ion plating and ion sputtering.

上記導電部の上記突起が無い部分の厚みは、好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは1μm以下、より好ましくは0.3μm以下である。上記導電部の上記突起が無い部分の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、充分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が充分に変形する。   The thickness of the portion without the projections of the conductive portion is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 1 μm or less, more preferably 0.3 μm or less. Sufficient conductivity can be obtained when the thickness of the portion without the projection of the conductive portion is not less than the lower limit and not more than the upper limit, and the conductive particles do not become too hard, so that the conductive particles are conductive when connected Particles are deformed sufficiently.

複数の導電性粒子では、導電部の突起が無い部分の厚みは、複数の導電性粒子における導電部の突起が無い部分の厚みの平均として求めることができる。複数の導電性粒子では、導電部の突起が無い部分の厚みは、以下のようにして測定することができる。例えば、導電性粒子を含有量が30重量%となるように、Kulzer社製「テクノビット4000」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置(日立ハイテクノロジーズ社製「IM4000」)を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)を用いて、画像倍率5万倍に設定し、20個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の導電部を観察する。得られた導電性粒子における導電部の厚みを計測し、それを算術平均して導電部の厚みが求められる。   In the plurality of conductive particles, the thickness of the portion of the conductive portion without the protrusion can be obtained as an average of the thickness of the portion without the protrusion of the conductive portion in the plurality of conductive particles. With a plurality of conductive particles, the thickness of the portion of the conductive portion without projections can be measured as follows. For example, conductive particles are added to “Technobit 4000” manufactured by Kulzer Co. so that the content is 30% by weight, and dispersed to prepare a conductive particle inspection embedded resin. The cross section of the conductive particles is cut out using an ion milling apparatus ("IM 4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the conductive particles dispersed in the embedded resin for inspection. Then, using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), the image magnification is set to 50,000 times, 20 conductive particles are randomly selected, and the conductive portion of each conductive particle is observed. Do. The thickness of the conductive portion in the obtained conductive particles is measured, and the thickness is arithmetically averaged to obtain the thickness of the conductive portion.

上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電層の上記突起が無い部分の厚みは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは0.5μm以下、より好ましくは0.1μm以下である。上記最外層の導電層の上記突起が無い部分の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電層による被覆が均一になり、耐腐食性が充分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗が充分に低くなる。また、上記最外層が金層である場合の金層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。   In the case where the conductive portion is formed of a plurality of layers, the thickness of the portion without the projections of the outermost conductive layer is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, and preferably 0. 0.5 μm or less, more preferably 0.1 μm or less. If the thickness of the portion without the projections of the outermost conductive layer is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the coating by the outermost conductive layer becomes uniform, the corrosion resistance becomes sufficiently high, and between the electrodes Connection resistance is sufficiently low. Further, the thinner the thickness of the gold layer when the outermost layer is a gold layer, the lower the cost.

上記導電部の上記突起が無い部分の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。   The thickness of the portion without the projection of the conductive portion can be measured, for example, by observing the cross section of the conductive particle using a transmission electron microscope (TEM).

[芯物質]
上記導電性粒子は、上記導電部内において、複数の上記突起を形成するように、上記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることが好ましい。上記芯物質は、複数の突起の内側に配置されていることが好ましい。上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及び導電部の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよく、芯物質を用いないことが好ましい。
[Core substance]
The conductive particles preferably include a plurality of core substances that raise the surface of the conductive portion so as to form a plurality of the protrusions in the conductive portion. The core substance is preferably disposed inside the plurality of protrusions. By embedding the core substance in the conductive portion, it is easy for the conductive portion to have a plurality of protrusions on the outer surface. However, in order to form protrusions on the surfaces of the conductive particles and the conductive portion, it is not necessary to necessarily use the core substance, and it is preferable not to use the core substance.

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成する途中段階で芯物質を添加する方法等が挙げられる。   As a method of forming the above-mentioned projection, after making a core substance adhere to the surface of substrate particles, a method of forming a conductive part by electroless plating, and after forming a conductive part by electroless plating on the surface of substrate particles Examples include a method of depositing a core substance and forming a conductive part by electroless plating, and a method of adding a core substance at a stage of forming a conductive part by electroless plating on the surface of a substrate particle.

例えば、芯物質を用いないで、上記突起を形成する方法としては、無電解めっき中の金属錯体を還元剤により金属核を析出させ、粒子に吸着させることにより突起を形成する方法、無電解めっき中の金属錯体を強アルカリ溶液により金属水酸化物を形成させ、粒子に吸着させることにより突起を形成する方法、無電解めっき中に触媒としてパラジウム錯体を添加することにより金属核を析出させ、粒子に吸着させることにより突起を形成する方法、並びに無電解めっき中にめっき析出抑制剤を添加し、めっき析出成長速度をコントロールすることにより突起を形成する方法等が挙げられる。なかでも、突起核のサイズを制御しやすいため、無電解めっき中の金属錯体を還元剤により金属核を析出させ、粒子に吸着させることにより突起を形成する方法が好ましい。   For example, as a method of forming the above projections without using a core substance, a method of forming a projection by depositing a metal core with a reducing agent and adsorbing a metal complex in electroless plating with a reducing agent, electroless plating Method of forming projections by forming metal hydroxides in a strong alkali solution and adsorbing particles to metal complexes in the metal complex, depositing a metal nucleus by adding a palladium complex as a catalyst during electroless plating, particles And a method of forming protrusions by adding a plating deposition inhibitor during electroless plating, and controlling the growth rate of plating deposition. Among them, a method of forming a protrusion by depositing a metal core with a reducing agent and adsorbing the metal complex in electroless plating with a reducing agent is preferable because the size of the protrusion core can be easily controlled.

無電解めっき中の金属錯体を還元剤により金属核を析出させ、粒子に吸着させる工程は、還元剤溶液の添加と無電解めっき液の滴下を一連の工程として、通常複数回、好ましくは1回以上、より好ましくは3回以上、更に好ましくは5回以上行い、突起核を形成させる方法が好ましい。   In the step of depositing metal nuclei with a reducing agent and adsorbing metal complexes in electroless plating using a reducing agent, the addition of the reducing agent solution and the dropping of the electroless plating solution are a series of steps, usually several times, preferably once. The method of forming a projection nucleus by performing the above, more preferably three times or more, further preferably five times or more is preferable.

上記還元剤としては、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、ホルマリン、蟻酸、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。   Examples of the reducing agent include sodium hypophosphite, hydrazine, formalin, formic acid, dimethylamine borane, sodium borohydride and potassium borohydride.

上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。   As a method of arranging the core substance on the surface of the above-mentioned base material particle, for example, the core substance is added to the dispersion liquid of the base material particle, and the core substance is added to the surface of the base material particle. And the core material is added to the container containing the substrate particles, and the core material is attached to the surface of the substrate particles by mechanical action such as rotation of the container. . Among them, a method in which the core substance is accumulated on the surface of the base material particles in the dispersion liquid and adhered is preferable because the amount of the core substance to be attached can be easily controlled.

上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。上記芯物質の材料である金属としては、上記導電材料の材料として挙げた金属を適宜使用可能である。   Examples of the material of the core substance include conductive substances and non-conductive substances. Examples of the conductive substance include metals, metal oxides, conductive nonmetals such as graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene and the like. Examples of the nonconductive material include silica, alumina, barium titanate and zirconia. Among them, metals are preferable because the conductivity can be enhanced and the connection resistance can be effectively lowered. The core material is preferably metal particles. As a metal which is a material of the said core substance, the metal quoted as a material of the said conductive material can be used suitably.

上記芯物質の材料の具体例としては、ニッケル(ビッカース硬度50〜400HV)、シリカ(二酸化珪素、ビッカース硬度850〜1000HV)、酸化チタン(ビッカース硬度1200〜1600HV)、ジルコニア(ビッカース硬度1700〜2200)、アルミナ(ビッカース硬度2100〜3800HV)、炭化タングステン(ビッカース硬度1700〜4000HV)及びダイヤモンド(ビッカース硬度5000〜9000HV)等が挙げられる。上記芯物質の材料は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のビッカース硬度は好ましくは50以上、より好ましくは100以上、更に好ましくは500以上、特に好ましくは700以上である。   Specific examples of the material of the core material include nickel (Vickers hardness 50 to 400 HV), silica (silicon dioxide, Vickers hardness 850 to 1000 HV), titanium oxide (Vickers hardness 1200 to 1600 HV), zirconia (Vickers hardness 1700 to 2200) And alumina (Vickers hardness 2100-3800 HV), tungsten carbide (Vickers hardness 1700-4000 HV), diamond (Vickers hardness 5000-9000 HV), and the like. The material of the core material is preferably nickel, silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, more preferably silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, titanium oxide More preferably, they are zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, particularly preferably zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond. The Vickers hardness of the material of the core material is preferably 50 or more, more preferably 100 or more, still more preferably 500 or more, and particularly preferably 700 or more.

上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム(モース硬度4.5)、ニッケル(モース硬度5)、シリカ(二酸化珪素、モース硬度6〜7)、酸化チタン(モース硬度7)、ジルコニア(モース硬度8〜9)、アルミナ(モース硬度9)、炭化タングステン(モース硬度9)及びダイヤモンド(モース硬度10)等が挙げられる。上記芯物質の材料は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは5以上、より好ましくは6以上、更に好ましくは7以上、特に好ましくは7.5以上である。   Specific examples of the material of the core material include barium titanate (Mohs hardness 4.5), nickel (Mohs hardness 5), silica (silicon dioxide, Mohs hardness 6 to 7), titanium oxide (Mohs hardness 7), zirconia (Mohrs hardness 8 to 9), alumina (Mohrs hardness 9), tungsten carbide (Mohrs hardness 9), diamond (Mohrs hardness 10) and the like. The material of the core material is preferably nickel, silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, more preferably silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, titanium oxide More preferably, they are zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, particularly preferably zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond. The Mohs hardness of the material of the core material is preferably 5 or more, more preferably 6 or more, still more preferably 7 or more, and particularly preferably 7.5 or more.

上記芯物質が金属を含まないか、又は、上記芯物質に含まれる主金属と、上記芯物質に接する上記導電部に含まれる主金属とが異なることが好ましい。上記芯物質が金属を含むことが好ましく、上記芯物質に含まれる主金属と上記導電部に含まれる主金属とが異なることが好ましい。上記金属には、金属酸化物における金属及び金属の合金における金属が含まれる。上記芯物質に含まれる材料のモース硬度は、上記導電部に含まれる金属又は合金等の主金属のモース硬度よりも高いことが好ましい。上記芯物質に含まれる金属又は合金等の主金属のビッカース硬度は、上記導電部に含まれる金属又は合金等の主金属のビッカース硬度よりも高いことが好ましい。   It is preferable that the core substance does not contain a metal, or that the main metal contained in the core substance is different from the main metal contained in the conductive portion in contact with the core substance. It is preferable that the said core substance contains a metal, and it is preferable that the main metal contained in the said core substance and the main metal contained in the said electroconductive part differ. The metals include metals in metal oxides and metals in metal alloys. The Mohs hardness of the material contained in the core material is preferably higher than the Mohs hardness of the main metal such as the metal or alloy contained in the conductive part. The Vickers hardness of the main metal such as metal or alloy contained in the core material is preferably higher than the Vickers hardness of the main metal such as metal or alloy contained in the conductive portion.

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。   The shape of the core material is not particularly limited. The shape of the core substance is preferably massive. Examples of the core substance include particulate lumps, agglomerates in which a plurality of microparticles are agglomerated, and amorphous lumps.

上記芯物質の平均径(平均粒子径)は、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。   The average diameter (average particle diameter) of the core substance is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. The connection resistance between electrodes becomes effectively low that the average diameter of the said core substance is more than the said minimum and below the said upper limit.

上記芯物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。任意の芯物質20個、好ましくは50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。導電性粒子において芯物質の平均径を測定する場合には、例えば、以下のようにして、芯物質の平均径を測定することができる。例えば、導電性粒子を含有量が30重量%となるように、Kulzer社製「テクノビット4000」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。その検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置(日立ハイテクノロジーズ社製「IM4000」)を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)を用いて、画像倍率5万倍に設定し、20個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の突起を観察する。得られた導電性粒子における芯物質の径を計測し、それを算術平均して芯物質の平均径とする。   The “average diameter (average particle diameter)” of the core substance indicates a number average diameter (number average particle diameter). Arbitrary 20 core materials, preferably 50 are observed with an electron microscope or an optical microscope, and it calculates | requires by calculating an average value. In the case of measuring the average diameter of the core substance in the conductive particles, for example, the average diameter of the core substance can be measured as follows. For example, conductive particles are added to “Technobit 4000” manufactured by Kulzer Co. so that the content is 30% by weight, and dispersed to prepare a conductive particle inspection embedded resin. The cross section of the conductive particles is cut out using an ion milling apparatus ("IM 4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the dispersed conductive particles in the embedded resin for inspection. Then, using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), the image magnification is set to 50,000 times, 20 conductive particles are randomly selected, and the protrusions of the respective conductive particles are observed. . The diameter of the core substance in the obtained conductive particles is measured, and it is arithmetically averaged to obtain the average diameter of the core substance.

[絶縁性物質]
本発明に係る導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。導電部が外表面に複数の突起を有するので、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。
[Insulating substance]
The conductive particles according to the present invention preferably include an insulating material disposed on the outer surface of the conductive portion. In this case, when conductive particles are used for connection between electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles are in contact with each other, an insulating material is present between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between adjacent electrodes in the lateral direction rather than between the upper and lower electrodes. In addition, at the time of connection between the electrodes, by pressurizing the conductive particles with two electrodes, the insulating substance between the conductive portion of the conductive particles and the electrodes can be easily removed. Since the conductive portion has a plurality of protrusions on the outer surface, the insulating material between the conductive portion of the conductive particle and the electrode can be easily removed.

電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。   The insulating material is preferably insulating particles, because the insulating material can be more easily removed at the time of pressure bonding between the electrodes.

上記絶縁性物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。   Specific examples of the insulating resin which is the material of the insulating material include polyolefins, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked resins of thermoplastic resins, thermal Examples thereof include curable resins and water-soluble resins.

上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記(メタ)アクリレート重合体としては、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリエチル(メタ)アクリレート及びポリブチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、SB型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びSBS型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。   Examples of the above-mentioned polyolefins include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylate copolymer and the like. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate and polybutyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer, SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymers and vinyl copolymers. An epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin etc. are mentioned as said thermosetting resin. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene oxide and methyl cellulose. Among them, water-soluble resins are preferable, and polyvinyl alcohol is more preferable.

上記導電部の表面上に絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁性物質が脱離し難いことから、上記導電部の表面に、化学結合を介して上記絶縁性物質を配置する方法が好ましい。   As a method of arranging an insulating material on the surface of the above-mentioned conductive part, a chemical method, a physical or mechanical method, etc. are mentioned. Examples of the chemical method include an interfacial polymerization method, a suspension polymerization method in the presence of particles, and an emulsion polymerization method. Examples of the physical or mechanical method include spray drying, hybridization, electrostatic deposition, spraying, dipping and vacuum deposition. Among them, a method in which the insulating material is disposed on the surface of the conductive portion via a chemical bond is preferable because the insulating material is difficult to be released.

上記導電部の外表面、及び絶縁性粒子の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電部の外表面と絶縁性粒子の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミンなどの高分子電解質を介して絶縁性粒子の表面の官能基と化学結合していても構わない。   The outer surface of the conductive part and the surface of the insulating particle may be coated with a compound having a reactive functional group. The outer surface of the conductive part and the surface of the insulating particle may not be directly chemically bonded, but may be indirectly chemically bonded by a compound having a reactive functional group. After introducing a carboxyl group to the outer surface of the conductive part, the carboxyl group may be chemically bonded to a functional group on the surface of the insulating particle through a polymer electrolyte such as polyethylene imine.

上記絶縁性物質の平均径(平均粒子径)は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性物質の平均径(平均粒子径)は好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは1μm以下、より好ましくは0.5μm以下である。絶縁性物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。   The average diameter (average particle diameter) of the insulating material can be appropriately selected depending on the particle diameter of the conductive particles, the use of the conductive particles, and the like. The average diameter (average particle diameter) of the insulating substance is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less. When the conductive particles are dispersed in the binder resin as the average diameter of the insulating substance is equal to or more than the above lower limit, the conductive portions in the plurality of conductive particles are less likely to be in contact with each other. When the average diameter of the insulating particles is equal to or less than the above upper limit, it is not necessary to excessively increase the pressure in order to eliminate the insulating material between the electrodes and the conductive particles when connecting the electrodes, There is no need to heat it.

上記絶縁性物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。絶縁性物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。   The “average diameter (average particle diameter)” of the above-mentioned insulating substance indicates the number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the insulating material can be determined using a particle size distribution measuring device or the like.

(導電材料)
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。
(Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes the above-described conductive particles and a binder resin. The conductive particles are preferably dispersed in a binder resin and used, and preferably dispersed in a binder resin and used as a conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive material is preferably used for electrical connection between the electrodes. The conductive material is preferably a circuit connection material.

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。   The binder resin is not particularly limited. A well-known insulating resin is used as said binder resin.

上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分(熱可塑性化合物)又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The binder resin preferably contains a thermoplastic component (thermoplastic compound) or a curable component, and more preferably contains a curable component. As said curable component, a photocurable component and a thermosetting component are mentioned. It is preferable that the said photocurable component contains a photocurable compound and a photoinitiator. It is preferable that the said thermosetting component contains a thermosetting compound and a thermosetting agent. As said binder resin, a vinyl resin, a thermoplastic resin, curable resin, a thermoplastic block copolymer, an elastomer, etc. are mentioned, for example. The binder resin may be used alone or in combination of two or more.

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。   Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. As said curable resin, an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, unsaturated polyester resin etc. are mentioned, for example. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, hydrogenated substance of styrene-butadiene-styrene block copolymer, and styrene-isoprene. -The hydrogenated substance of a styrene block copolymer, etc. are mentioned. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。   In addition to the conductive particles and the binder resin, the conductive material is, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, and light stability. Various additives such as agents, UV absorbers, lubricants, antistatic agents and flame retardants may be included.

本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。   The conductive material according to the present invention can be used as a conductive paste, a conductive film, and the like. When the conductive material according to the present invention is a conductive film, a film not containing conductive particles may be laminated on a conductive film containing conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.

上記導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上であり、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。   The content of the binder resin is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 70% by weight or more, in 100% by weight of the conductive material. It is 99.99 wt% or less, more preferably 99.9 wt% or less. When the content of the binder resin is not less than the lower limit and not more than the upper limit, conductive particles are efficiently disposed between the electrodes, and the connection reliability of the connection target member connected by the conductive material is further enhanced.

上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上であり、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、更に好ましくは40重量%以下、特に好ましくは20重量%以下、最も好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   The content of the conductive particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight in 100% by weight of the conductive material. The content is more preferably 40% by weight or less, particularly preferably 20% by weight or less, and most preferably 10% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

(接続構造体)
上記導電性粒子を用いて、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connected structure)
A connection structure can be obtained by connecting members to be connected using the conductive particles or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.

上記接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、第1,第2の接続対象部材を接続している接続部とを備え、上記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であることが好ましい。上記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第1,第2の接続対象部材が導電性粒子により接続される。   The connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion connecting the first and second connection target members, and the material of the connection portion is the above-described. It is preferable that it is the electroconductive material which is the electroconductive particle which contains these, or the electroconductive particle and binder resin which were mentioned above. It is preferable that the connection portion is a connection structure formed of the above-described conductive particles, or formed of a conductive material including the above-described conductive particles and a binder resin. When the conductive particles are used, the connection portion itself is the conductive particles. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles.

図5は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。   FIG. 5: is sectional drawing which shows typically the bonded structure using the electroconductive particle which concerns on the 1st Embodiment of this invention.

図5に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1,第2の接続対象部材52,53を接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。接続部54は、導電性粒子1とバインダー樹脂54aとを含む。なお、図5では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1にかえて、導電性粒子11,21,31等を用いてもよい。   The connection structure 51 shown in FIG. 5 includes a first connection target member 52, a second connection target member 53, and a connection portion 54 connecting the first and second connection target members 52 and 53. Prepare. The connection portion 54 is formed by curing a conductive material including the conductive particle 1. Connecting portion 54 includes conductive particles 1 and binder resin 54 a. In FIG. 5, the conductive particles 1 are schematically illustrated for the convenience of illustration. Instead of the conductive particles 1, conductive particles 11, 21, 31 or the like may be used.

第1の接続対象部材52は表面(上面)に、複数の第1の電極52aを有する。第2の接続対象部材53は表面(下面)に、複数の第2の電極53aを有する。第1の電極52aと第2の電極53aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。   The first connection target member 52 has a plurality of first electrodes 52 a on the surface (upper surface). The second connection target member 53 has a plurality of second electrodes 53a on the front surface (lower surface). The first electrode 52 a and the second electrode 53 a are electrically connected by one or more conductive particles 1. Therefore, the first and second connection target members 52 and 53 are electrically connected by the conductive particles 1.

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は9.8×10〜4.9×10Pa程度である。上記加熱の温度は、120〜220℃程度である。フレキシブルプリント基板の電極、樹脂フィルム上に配置された電極及びタッチパネルの電極を接続するための上記加圧の圧力は9.8×10〜1.0×10Pa程度である。 The manufacturing method of the said connection structure is not specifically limited. As an example of the manufacturing method of the connection structure, the conductive material is disposed between the first connection target member and the second connection target member, and after obtaining the laminate, the laminate is heated and pressed. Methods etc. The pressure of the said pressurization is about 9.8 * 10 < 4 > -4.9 * 10 < 6 > Pa. The temperature of the heating is about 120 to 220 ° C. The pressure of the said pressurization for connecting the electrode of a flexible printed circuit board, the electrode arrange | positioned on a resin film, and the electrode of a touch panel is about 9.8 * 10 < 4 > -1.0 * 10 < 6 > Pa.

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。   Specific examples of the connection target member include electronic components such as a semiconductor chip, a capacitor, and a diode, and electronic components such as a printed circuit board, a flexible printed circuit, a circuit board such as a glass epoxy substrate and a glass substrate, and the like. The connection target member is preferably an electronic component. It is preferable that the said electroconductive particle is used for the electrical connection of the electrode in an electronic component.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。   As an electrode provided in the said connection object member, metal electrodes, such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a silver electrode, a molybdenum electrode, a tungsten electrode, etc. are mentioned. When the connection target member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient, and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of a metal oxide layer may be sufficient. As a material of the said metal oxide layer, the indium oxide in which the trivalent metal element was doped, the zinc oxide in which the trivalent metal element was doped, etc. are mentioned. Sn, Al, Ga, etc. are mentioned as said trivalent metal element.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples and comparative examples. The invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
(1)導電性粒子の作製
反応前処理:
基材粒子Aとして、粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)を用意した。
Example 1
(1) Preparation of conductive particles Reaction pretreatment:
As the base particle A, a divinylbenzene copolymer resin particle ("Micropearl SP-203" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle diameter of 3.0 μm was prepared.

パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部に、上記樹脂粒子10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、樹脂粒子を取り出した。次いで、樹脂粒子をジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、樹脂粒子の表面を活性化させた。表面が活性化された樹脂粒子40重量部を十分に水洗した後、蒸留水200重量部に加え、分散させて、分散液を得た。この分散液を、硫酸ニッケル0.09mol/L及び硝酸タリウム30ppmを含む溶液1Lに入れて、粒子混合液を得た。   After dispersing 10 parts by weight of the above resin particles in 100 parts by weight of an alkaline solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, the solution was filtered to take out the resin particles. Next, the resin particles were added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane to activate the surface of the resin particles. After 40 parts by weight of the surface-activated resin particles were sufficiently washed with water, they were added to 200 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a dispersion. This dispersion was placed in 1 L of a solution containing 0.09 mol / L of nickel sulfate and 30 ppm of thallium nitrate to obtain a particle mixture.

前期反応:
硫酸ニッケル0.49mol/L、ジメチルアミンボラン0.067mol/L、クエン酸0.025mol/L、マロン酸0.16mol/L、コハク酸0.22mol/L、硝酸タリウム25ppm、及び硝酸ビスマス15ppmを含むニッケルめっき液(pH7.2)1Lを用意した。pHはアンモニア水で調整した。
Early reaction:
0.49 mol / L nickel sulfate, 0.067 mol / L dimethylamine borane, 0.025 mol / L citric acid, 0.16 mol / L malonic acid, 0.22 mol / L succinic acid, 25 ppm thallium nitrate, and 15 ppm bismuth nitrate 1 L of nickel plating solution (pH 7.2) containing was prepared. The pH was adjusted with aqueous ammonia.

得られた粒子混合液を40℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を60mL/分で滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、前期反応後の粒子混合液を得た。   While stirring the obtained particle mixed solution at 40 ° C., the above-mentioned nickel plating solution was dropped at 60 mL / min, electroless nickel plating was performed, and the particle mixed solution after the initial reaction was obtained.

突起核形成工程:
水素化ホウ素ナトリウム水溶液0.26mol/Lの突起形成用還元剤溶液50mLを用意した。別途、硫酸ニッケル1.17mol/L、ジメチルアミンボラン0.89mol/L、クエン酸0.35mol/L、タングステン酸ナトリウム0.03mol/L、コハク酸0.22mol/L、硝酸タリウム140ppm、及び硝酸ビスマス30ppmを含むニッケルめっき液(pH7.2)150mLを用意した。pHは水酸化ナトリウムで調整した。
Protrusive nucleation process:
50 mL of a reducing agent solution for protrusion formation of 0.26 mol / L of sodium borohydride aqueous solution was prepared. Separately, 1.17 mol / L nickel sulfate, 0.89 mol / L dimethylamine borane, 0.35 mol / L citric acid, 0.03 mol / L sodium tungstate, 0.22 mol / L succinic acid, 140 ppm thallium nitrate, and nitric acid 150 mL of a nickel plating solution (pH 7.2) containing 30 ppm of bismuth was prepared. The pH was adjusted with sodium hydroxide.

前期反応後の粒子混合液を40℃にし、この粒子混合液に突起形成用還元剤溶液(水素化ホウ素ナトリウム水溶液)を10mL/回で添加し、上記ニッケルめっき液を60mL/分で30秒間滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。水素化ホウ素ナトリウム水溶液の添加とニッケルめっき液の滴下との一連の工程を5回繰り返し行い、突起核形成工程後の粒子混合液を得た。   The particle mixture after the previous reaction is brought to 40 ° C., and a reducing agent solution for protrusion formation (sodium borohydride aqueous solution) is added to this particle mixture at 10 mL / time, and the above nickel plating solution is dropped at 60 mL / min for 30 seconds. And electroless nickel plating was performed. A series of processes of the addition of the sodium borohydride aqueous solution and the dropping of the nickel plating solution were repeated five times to obtain a particle mixed solution after the protrusion nucleus forming process.

後期工程:
ジメチルアミンボラン0.47mol/Lを含む2Lニッケルめっき液(pH9.0)を用意した。pHは、アンモニア水で調整した。
Late process:
A 2 L nickel plating solution (pH 9.0) containing 0.47 mol / L of dimethylamine borane was prepared. The pH was adjusted with aqueous ammonia.

突起核形成工程後の粒子混合液に、上記ニッケルめっき液を40mL/分で滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。このようにして、導電性粒子を得た。   The above-mentioned nickel plating solution was dripped at 40 mL / min to the particle mixed solution after a projection nucleus formation process, and electroless nickel plating was performed. Thus, conductive particles were obtained.

(2)異方性導電材料の作製
得られた導電性粒子7重量部と、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂25重量部と、フルオレン型エポキシ樹脂4重量部と、フェノールノボラック型エポキシ樹脂30重量部と、SI−60L(三新化学工業社製)とを配合して、3分間脱泡攪拌することで、異方性導電ペーストを得た。
(2) Preparation of anisotropic conductive material 7 parts by weight of the obtained conductive particles, 25 parts by weight of bisphenol A phenoxy resin, 4 parts by weight of fluorene type epoxy resin, and 30 parts by weight of phenol novolac epoxy resin The anisotropic conductive paste was obtained by mix | blending SI-60L (made by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.), and carrying out defoaming stirring for 3 minutes.

(3)接続構造体の作製
L/Sが10μm/20μmであるIZO電極パターン(第1の電極、電極表面の金属のビッカース硬度100Hv)が上面に形成された透明ガラス基板を用意した。また、L/Sが10μm/20μmであるAu電極パターン(第2の電極、電極表面の金属のビッカース硬度50Hv)が下面に形成された半導体チップを用意した。
(3) Preparation of Connection Structure A transparent glass substrate having an IZO electrode pattern (first electrode, metal Vickers hardness 100 Hv of the electrode surface) of L / S of 10 μm / 20 μm was prepared on the top surface. In addition, a semiconductor chip having an Au electrode pattern (a second electrode, a Vickers hardness of 50 Hv of a metal on the electrode surface) of L / S of 10 μm / 20 μm was prepared on the lower surface.

上記透明ガラス基板上に、得られた異方性導電ペーストを厚さ30μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が185℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、1MPaの圧力をかけて異方性導電ペースト層を185℃で完全硬化させ、接続構造体を得た。   The obtained anisotropic conductive paste was coated on the transparent glass substrate to a thickness of 30 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the said semiconductor chip was laminated | stacked so that electrodes might oppose on the anisotropic conductive paste layer. Thereafter, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer is 185 ° C., the pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and a pressure of 1 MPa is applied to the anisotropic conductive paste layer. It was completely cured at 185 ° C. to obtain a connection structure.

(実施例2)
突起核形成工程:
水素化ホウ素ナトリウム水溶液0.26mol/Lの突起形成用還元剤溶液30mLを用意した。別途、硫酸ニッケル1.17mol/L、ジメチルアミンボラン0.89mol/L、クエン酸0.35mol/L、タングステン酸ナトリウム0.03mol/L、コハク酸0.22mol/L、硝酸タリウム140ppm、及び硝酸ビスマス30ppmを含むニッケルめっき液(pH7.2)90mLを用意した。pHは水酸化ナトリウムで調整した。
(Example 2)
Protrusive nucleation process:
30 mL of a reducing agent solution for protrusion formation of 0.26 mol / L of sodium borohydride aqueous solution was prepared. Separately, 1.17 mol / L nickel sulfate, 0.89 mol / L dimethylamine borane, 0.35 mol / L citric acid, 0.03 mol / L sodium tungstate, 0.22 mol / L succinic acid, 140 ppm thallium nitrate, and nitric acid 90 mL of a nickel plating solution (pH 7.2) containing 30 ppm of bismuth was prepared. The pH was adjusted with sodium hydroxide.

突起核形成工程において、突起形成用還元剤溶液(水素化ホウ素ナトリウム水溶液)の添加とニッケルめっき液の滴下との一連の工程の繰り返す数を、5回から3回に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。   In the protrusion nucleus forming step, the number of repetitions of the series of the addition of the protrusion forming reducing agent solution (sodium borohydride aqueous solution) and the dropping of the nickel plating solution is changed from 5 times to 3 times. In the same manner as in 1, a conductive particle, an anisotropic conductive paste and a connection structure were obtained.

(実施例3)
突起核形成工程:
水素化ホウ素ナトリウム水溶液0.26mol/Lの突起形成用還元剤溶液100mLを用意した。別途、硫酸ニッケル1.17mol/L、ジメチルアミンボラン0.89mol/L、クエン酸0.35mol/L、タングステン酸ナトリウム0.03mol/L、コハク酸0.22mol/L、硝酸タリウム140ppm、及び硝酸ビスマス30ppmを含むニッケルめっき液(pH7.2)300mLを用意した。pHは水酸化ナトリウムで調整した。
(Example 3)
Protrusive nucleation process:
100 mL of a reducing agent solution for protrusion formation of 0.26 mol / L of sodium borohydride aqueous solution was prepared. Separately, 1.17 mol / L nickel sulfate, 0.89 mol / L dimethylamine borane, 0.35 mol / L citric acid, 0.03 mol / L sodium tungstate, 0.22 mol / L succinic acid, 140 ppm thallium nitrate, and nitric acid 300 mL of a nickel plating solution (pH 7.2) containing 30 ppm of bismuth was prepared. The pH was adjusted with sodium hydroxide.

突起核形成工程において、突起形成用還元剤溶液(水素化ホウ素ナトリウム水溶液)の添加とニッケルめっき液の滴下との一連の工程の繰り返す数を、5回から10回に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。   In the protrusion nucleus forming step, the number of repetitions of the series of the addition of the protrusion forming reducing agent solution (sodium borohydride aqueous solution) and the dropping of the nickel plating solution is changed from 5 times to 10 times. In the same manner as in 1, a conductive particle, an anisotropic conductive paste and a connection structure were obtained.

(実施例4)
突起核形成工程:
水素化ホウ素ナトリウム水溶液0.26mol/Lの突起形成用還元剤溶液150mLを用意した。別途、硫酸ニッケル1.17mol/L、ジメチルアミンボラン0.89mol/L、クエン酸0.35mol/L、タングステン酸ナトリウム0.03mol/L、コハク酸0.22mol/L、硝酸タリウム140ppm、及び硝酸ビスマス30ppmを含むニッケルめっき液(pH7.2)450mLを用意した。pHは水酸化ナトリウムで調整した。
(Example 4)
Protrusive nucleation process:
150 mL of a reducing agent solution for protrusion formation of 0.26 mol / L of sodium borohydride aqueous solution was prepared. Separately, 1.17 mol / L nickel sulfate, 0.89 mol / L dimethylamine borane, 0.35 mol / L citric acid, 0.03 mol / L sodium tungstate, 0.22 mol / L succinic acid, 140 ppm thallium nitrate, and nitric acid 450 mL of a nickel plating solution (pH 7.2) containing 30 ppm of bismuth was prepared. The pH was adjusted with sodium hydroxide.

突起核形成工程において、突起形成用還元剤溶液(水素化ホウ素ナトリウム水溶液)の添加とニッケルめっき液の滴下との一連の工程の繰り返す数を、5回から15回に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。   In the protrusion nucleus forming step, the example is repeated except that the number of repetition of a series of steps of addition of a reducing agent solution for protrusion formation (sodium borohydride aqueous solution) and dropping of a nickel plating solution is changed from 5 times to 15 times. In the same manner as in 1, a conductive particle, an anisotropic conductive paste and a connection structure were obtained.

(実施例5)
突起核形成工程:
水素化ホウ素ナトリウム水溶液0.26mol/Lの突起形成用還元剤溶液100mLを用意した。別途、硫酸ニッケル1.17mol/L、ジメチルアミンボラン0.89mol/L、クエン酸0.35mol/L、タングステン酸ナトリウム0.03mol/L、コハク酸0.22mol/L、硝酸タリウム140ppm、及び硝酸ビスマス30ppmを含むニッケルめっき液(pH7.2)300mLを用意した。pHは水酸化ナトリウムで調整した。
(Example 5)
Protrusive nucleation process:
100 mL of a reducing agent solution for protrusion formation of 0.26 mol / L of sodium borohydride aqueous solution was prepared. Separately, 1.17 mol / L nickel sulfate, 0.89 mol / L dimethylamine borane, 0.35 mol / L citric acid, 0.03 mol / L sodium tungstate, 0.22 mol / L succinic acid, 140 ppm thallium nitrate, and nitric acid 300 mL of a nickel plating solution (pH 7.2) containing 30 ppm of bismuth was prepared. The pH was adjusted with sodium hydroxide.

突起核形成工程において、突起形成用還元剤溶液(水素化ホウ素ナトリウム水溶液)の添加とニッケルめっき液の滴下との一連の工程の繰り返す数を、5回から10回に変更し、突起核形成工程に用いるニッケルめっき液のクエン酸濃度を0.35mol/Lから0.70mol/Lに変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。   In the protrusion nucleus forming step, the number of repetitions of the series of the addition of the protrusion forming reducing agent solution (sodium borohydride aqueous solution) and the dropping of the nickel plating solution is changed from 5 times to 10 times, and the protrusion nucleus forming step Conductive particles, anisotropic conductive paste, and a connection structure are obtained in the same manner as in Example 1 except that the citric acid concentration of the nickel plating solution used in the above is changed from 0.35 mol / L to 0.70 mol / L. The

(実施例6)
反応前処理:
基材粒子Aとして、粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)を用意した。
(Example 6)
Reaction pretreatment:
As the base particle A, a divinylbenzene copolymer resin particle ("Micropearl SP-203" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle diameter of 3.0 μm was prepared.

パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部に、上記樹脂粒子10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、樹脂粒子を取り出した。次いで、樹脂粒子をジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、樹脂粒子の表面を活性化させた。表面が活性化された樹脂粒子40重量部を十分に水洗した後、蒸留水200重量部に加え、分散させて、分散液を得た。   After dispersing 10 parts by weight of the above resin particles in 100 parts by weight of an alkaline solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, the solution was filtered to take out the resin particles. Next, the resin particles were added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane to activate the surface of the resin particles. After 40 parts by weight of the surface-activated resin particles were sufficiently washed with water, they were added to 200 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a dispersion.

次に、酸化チタン粒子スラリー(平均粒子径150nm)1gを3分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子Aを含む懸濁液を得た。この懸濁液を、硫酸ニッケル0.09mol/L及び硝酸タリウム30ppmを含む溶液1Lに入れて、粒子混合液を得た。   Next, 1 g of titanium oxide particle slurry (average particle diameter 150 nm) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain a suspension containing the substrate particles A to which the core substance was attached. This suspension was placed in 1 L of a solution containing 0.09 mol / L of nickel sulfate and 30 ppm of thallium nitrate to obtain a particle mixture.

反応前処理工程を上記のように変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た
(実施例7)
反応前処理:
基材粒子Aとして、粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)を用意した。
Conductive particles, anisotropic conductive paste and connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the reaction pretreatment step was changed as described above (Example 7).
Reaction pretreatment:
As the base particle A, a divinylbenzene copolymer resin particle ("Micropearl SP-203" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle diameter of 3.0 μm was prepared.

パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部に、上記樹脂粒子10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、樹脂粒子を取り出した。次いで、樹脂粒子をジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、樹脂粒子の表面を活性化させた。表面が活性化された樹脂粒子40重量部を十分に水洗した後、蒸留水200重量部に加え、分散させて、分散液を得た。   After dispersing 10 parts by weight of the above resin particles in 100 parts by weight of an alkaline solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, the solution was filtered to take out the resin particles. Next, the resin particles were added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane to activate the surface of the resin particles. After 40 parts by weight of the surface-activated resin particles were sufficiently washed with water, they were added to 200 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a dispersion.

次に、アルミナ粒子スラリー(平均粒子径150nm)1gを3分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子Aを含む懸濁液を得た。この懸濁液を、硫酸ニッケル0.09mol/L及び硝酸タリウム30ppmを含む溶液1Lに入れて、粒子混合液を得た。   Next, 1 g of an alumina particle slurry (average particle diameter 150 nm) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain a suspension containing the substrate particles A to which the core substance was attached. This suspension was placed in 1 L of a solution containing 0.09 mol / L of nickel sulfate and 30 ppm of thallium nitrate to obtain a particle mixture.

反応前処理工程を上記のように変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た   Conductive particles, anisotropic conductive paste, and connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the reaction pretreatment step was changed as described above.

(実施例8)
ジビニルベンゼンとPTMGA(共栄社化学社製)とを重量比率3:7で重合して作製した樹脂粒子(粒子径が3.0μm、基材粒子B)を用意した。得られた基材粒子Bを用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。
(Example 8)
Resin particles (particle diameter: 3.0 μm, base particle B) were prepared by polymerizing divinylbenzene and PTMGA (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) at a weight ratio of 3: 7. Conductive particles, an anisotropic conductive paste, and a connected structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained base material particles B were used.

(実施例9)
粒子径が2.5μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−2025」)の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いてシリカシェル(厚み250nm)により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子(粒子径が3.0μm、基材粒子C)を得た。得られた基材粒子Cを用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。
(Example 9)
The surface of a divinylbenzene copolymer resin particle ("Micropearl SP-2025" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle diameter of 2.5 μm was coated with a silica shell (thickness 250 nm) using a condensation reaction by a sol-gel reaction. Core-shell type organic-inorganic hybrid particles (particle diameter: 3.0 μm, base particle C) were obtained. Conductive particles, an anisotropic conductive paste, and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained substrate particles C were used.

(実施例10)
撹拌機及び温度計が取り付けられた500mLの反応容器内に、0.13重量%のアンモニア水溶液300gを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン4.1gと、ビニルトリメトキシシラン19.2gと、シリコーンアルコキシオリゴマー(信越化学工業社製「X−41−1053」)0.7gとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、25重量%アンモニア水溶液2.4mLを添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧10−17atm、350℃で2時間焼成して、粒子径が3.0μmの有機無機ハイブリッド粒子(基材粒子D)を得た。得られた基材粒子Dを用いたこと以外は実施例1と同様にして、接続構造体を得た。
(Example 10)
In a 500 mL reaction vessel equipped with a stirrer and a thermometer, 300 g of a 0.13% by weight aqueous ammonia solution was placed. Next, 4.1 g of methyltrimethoxysilane, 19.2 g of vinyltrimethoxysilane, and 0.7 g of a silicone alkoxy oligomer ("X-41-1053" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) in an aqueous ammonia solution in a reaction vessel The mixture with was slowly added. After the hydrolysis and condensation reaction proceed with stirring, 2.4 mL of a 25 wt% aqueous ammonia solution is added, and then the particles are isolated from the aqueous ammonia solution, and the particles obtained are subjected to an oxygen partial pressure of 10 -17 atm. The mixture was calcined at 350 ° C. for 2 hours to obtain organic-inorganic hybrid particles (base particle D) having a particle diameter of 3.0 μm. A bonded structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained substrate particles D were used.

(実施例11)
基材粒子Aと粒子径のみが異なり、粒子径が2.5μmである基材粒子Eを用意した。基材粒子Eを用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。
(Example 11)
Only substrate particle A and a particle diameter differ, and substrate particle E whose particle diameter is 2.5 micrometers was prepared. Conductive particles, an anisotropic conductive paste, and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate particles E were used.

(実施例12)
基材粒子Aと粒子径のみが異なり、粒子径が5.0μmである基材粒子Fを用意した。基材粒子Fを用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。
(Example 12)
Only substrate particle A and a particle diameter differ, and substrate particle F whose particle diameter is 5.0 micrometers was prepared. Conductive particles, an anisotropic conductive paste, and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate particles F were used.

(実施例13)
基材粒子Aと粒子径のみが異なり、粒子径が10.0μmである基材粒子Fを用意した。基材粒子Gを用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。
(Example 13)
Only substrate particle A and a particle diameter differ, and substrate particle F whose particle diameter is 10.0 micrometers was prepared. Conductive particles, an anisotropic conductive paste, and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate particles G were used.

(実施例14)
4ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた1000mLのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル100mmolと、N,N,N−トリメチル−N−2−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド1mmolと、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩1mmolとを含むモノマー組成物を固形分率が5重量%となるようにイオン交換水に秤取した後、200rpmで攪拌し、窒素雰囲気下70℃で24時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径220nm及びCV値10%の絶縁性粒子を得た。
(Example 14)
100 mmol of methyl methacrylate, N, N, N-trimethyl-N-2-methacryloyloxyethyl in a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, a stirring blade, a three-way cock, a condenser and a temperature probe A monomer composition containing 1 mmol of ammonium chloride and 1 mmol of 2,2'-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride is weighed in ion-exchanged water so as to have a solid content of 5% by weight, and then 200 rpm Stir and carry out polymerization at 70 ° C. for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the resultant was lyophilized to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface and having an average particle diameter of 220 nm and a CV value of 10%.

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の10重量%水分散液を得た。   The insulating particles were dispersed in ion exchange water under ultrasonic irradiation to obtain a 10% by weight aqueous dispersion of insulating particles.

実施例1で得られた導電性粒子10gをイオン交換水500mLに分散させ、絶縁性粒子の水分散液4gを添加し、室温で6時間攪拌した。3μmのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。   10 g of the conductive particles obtained in Example 1 were dispersed in 500 mL of ion-exchanged water, 4 g of a water dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After filtration through a 3 μm mesh filter, the resultant was further washed with methanol and dried to obtain conductive particles to which insulating particles are attached.

走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が1層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より2.5μmの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積(即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積)を算出したところ、被覆率は30%であった。   As a result of observation by a scanning electron microscope (SEM), only one layer of a coating layer of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. The coverage was 30% when the coating area of the insulating particles (that is, the projected area of the particle diameter of the insulating particles) with respect to the area of 2.5 μm from the center of the conductive particles was calculated by image analysis.

上記の変更をしたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層(厚み0.1μm)を配置して、表面が突起本体を有する導電層である粒子を得た。   Conductive particles, an anisotropic conductive paste, and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the above changes were made. In this manner, a nickel-boron conductive layer (thickness 0.1 μm) was disposed on the surface of the resin particle to obtain particles whose surface is a conductive layer having a protrusion main body.

(比較例1)
反応前処理:
基材粒子Hとして、粒子径が3.0μmであるスチレン−シリカ複合樹脂粒子(日本触媒社製「ソリオスター」)を用意した。コンディショナー水溶液(ローム・アンド・ハース電子材料社製「クリーナーコンディショナー231」)に攪拌しながら入れ、分散し、分散液を得た。分散液をろ過し、回収した粒子に塩化第一錫水溶液を入れて、粒子の表面に錫イオン吸着させる感受性処理を行い、感受性処理された粒子含有液を得た。引き続き、粒子含有液をろ過し、塩化パラジウム水溶液を添加して、粒子の表面にパラジウムイオンを捕捉させる活性化処理を行い、第1の粒子混合液を得た。
(Comparative example 1)
Reaction pretreatment:
As the base material particle H, a styrene-silica composite resin particle ("Soriostar" manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) having a particle diameter of 3.0 μm was prepared. The mixture was poured into a conditioner aqueous solution ("cleaner conditioner 231" manufactured by Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) with stirring, and dispersed to obtain a dispersion. The dispersion was filtered, and an aqueous stannous chloride solution was added to the recovered particles, and the surface was subjected to a sensitivity treatment to cause tin ions to be adsorbed, to obtain a particle-containing liquid which was subjected to a sensitivity treatment. Subsequently, the particle-containing liquid was filtered, an aqueous palladium chloride solution was added, and activation treatment was performed to trap palladium ions on the surface of the particles, to obtain a first particle mixed liquid.

次いで、酒石酸ナトリウム20g/L、硫酸ニッケル23g/L、及び次亜リン酸ナトリウム1.55g/Lを含むニッケルめっき液3Lを用意した。このニッケルめっき液を60℃に昇温し、第1の粒子混合液を入れ、5分間分散し、第2の粒子混合液を得た。   Next, 3 L of a nickel plating solution containing 20 g / L of sodium tartrate, 23 g / L of nickel sulfate, and 1.55 g / L of sodium hypophosphite was prepared. The temperature of the nickel plating solution was raised to 60 ° C., the first particle mixture was added, and the mixture was dispersed for 5 minutes to obtain a second particle mixture.

続いて、硫酸ニッケル200g/L、次亜リン酸ナトリウム200g/L、及び水酸化ナトリウム90g/Lを含むニッケルめっき液を用意した。このニッケルめっき液を第2の粒子混合液に、定量ポンプによって3mL/分の速度で連続的に分別添加した。ニッケルめっき液を全量添加した後、60℃の温度を保持しながら5分攪拌した後、ろ過し、ろ過物を純水で洗浄し、100℃の真空乾燥機で乾燥して導電性粒子を得た。そして、実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。   Subsequently, a nickel plating solution containing 200 g / L of nickel sulfate, 200 g / L of sodium hypophosphite and 90 g / L of sodium hydroxide was prepared. This nickel plating solution was continuously added separately to the second particle mixture at a rate of 3 mL / min by a metering pump. After adding the whole amount of the nickel plating solution, the mixture is stirred for 5 minutes while maintaining the temperature of 60 ° C., filtered, and the filtrate is washed with pure water and dried by a vacuum dryer at 100 ° C. to obtain conductive particles. The Then, in the same manner as in Example 1, conductive particles, an anisotropic conductive paste, and a connection structure were obtained.

(比較例2)
突起核形成工程において、水素化ホウ素ナトリウム水溶液の添加とニッケルめっき液の滴下との一連の工程の繰り返す数を、5回から0回に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。
(Comparative example 2)
Conductivity is the same as in Example 1 except that the number of repetition of a series of processes of the addition of the sodium borohydride aqueous solution and the dropping of the nickel plating solution is changed from 5 times to 0 times in the protrusion nucleus forming step. Particles, an anisotropic conductive paste and a connection structure were obtained.

(比較例3)
(1)導電性粒子の作製
反応前処理:
基材粒子Aとして、粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)を用意した。
(Comparative example 3)
(1) Preparation of conductive particles Reaction pretreatment:
As the base particle A, a divinylbenzene copolymer resin particle ("Micropearl SP-203" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle diameter of 3.0 μm was prepared.

パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部に、上記樹脂粒子10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、樹脂粒子を取り出した。次いで、樹脂粒子をジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、樹脂粒子の表面を活性化させた。表面が活性化された樹脂粒子40重量部を十分に水洗した後、蒸留水200重量部に加え、分散させて、分散液を得た。

次に、金属ニッケル粒子スラリー(三井金属社製「2020SUS」、平均粒子径150nm)1gを3分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子Aを含む懸濁液を得た。この懸濁液を、硫酸ニッケル0.09mol/L及び硝酸タリウム30ppmを含む溶液1Lに入れて、粒子混合液を得た。
After dispersing 10 parts by weight of the above resin particles in 100 parts by weight of an alkaline solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, the solution was filtered to take out the resin particles. Next, the resin particles were added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane to activate the surface of the resin particles. After 40 parts by weight of the surface-activated resin particles were sufficiently washed with water, they were added to 200 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a dispersion.

Next, 1 g of metal nickel particle slurry ("2020SUS" manufactured by Mitsui Metals Co., Ltd., average particle diameter 150 nm) is added to the above dispersion over 3 minutes, and a suspension containing substrate particles A to which a core substance is attached Obtained. This suspension was placed in 1 L of a solution containing 0.09 mol / L of nickel sulfate and 30 ppm of thallium nitrate to obtain a particle mixture.

前期反応:
硫酸ニッケル0.49mol/L、ジメチルアミンボラン0.067mol/L、クエン酸0.025mol/L、マロン酸0.16mol/L、コハク酸0.22mol/L、硝酸タリウム25ppm、及び硝酸ビスマス15ppmを含むニッケルめっき液(pH7.2)1Lを用意した。pHはアンモニア水で調整した。
Early reaction:
0.49 mol / L nickel sulfate, 0.067 mol / L dimethylamine borane, 0.025 mol / L citric acid, 0.16 mol / L malonic acid, 0.22 mol / L succinic acid, 25 ppm thallium nitrate, and 15 ppm bismuth nitrate 1 L of nickel plating solution (pH 7.2) containing was prepared. The pH was adjusted with aqueous ammonia.

得られた粒子混合液を40℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を60mL/分で滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、前期反応後の粒子混合液を得た。   While stirring the obtained particle mixed solution at 40 ° C., the above-mentioned nickel plating solution was dropped at 60 mL / min, electroless nickel plating was performed, and the particle mixed solution after the initial reaction was obtained.

後期工程:
ジメチルアミンボラン0.47mol/Lを含む2Lニッケルめっき液(pH9.0)を用意した。pHは、アンモニア水で調整した。
Late process:
A 2 L nickel plating solution (pH 9.0) containing 0.47 mol / L of dimethylamine borane was prepared. The pH was adjusted with aqueous ammonia.

前期反応工程後の粒子混合液に、上記ニッケルめっき液を40ml/分で滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。このようにして、導電性粒子を得た。   The above-mentioned nickel plating solution was dropped at 40 ml / min to the particle mixed solution after the previous reaction step, and electroless nickel plating was performed. Thus, conductive particles were obtained.

反応前処理工程において、金属ニッケル粒子スラリーを添加し、突起核形成工程を行わなかったこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子、異方性導電ペースト及び接続構造体を得た。   In the reaction pretreatment step, conductive particles, an anisotropic conductive paste, and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the metal nickel particle slurry was added and the protrusion nucleus forming step was not performed.

(評価)
(1)突起及び導電部の状態
得られた導電性粒子を含有量が30重量%となるように、Kulzer社製「テクノビット4000」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置(日立ハイテクノロジーズ社製「IM4000」)を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。
(Evaluation)
(1) State of protrusion and conductive part The obtained conductive particles are added to “Knozer 4000“ Technobit 4000 ”so that the content is 30% by weight, and dispersed, and embedded resin for conductive particle inspection Was produced. The cross section of the conductive particles was cut out using an ion milling apparatus ("IM 4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the dispersed conductive particles in the embedded resin for inspection.

そして、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、画像倍率を25000倍に設定し、10個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の外周面の突起を観察した。1)アスペクト比が2以上、4以下である突起の割合A、2)アスペクト比が3以上、4以下である突起の割合B、及び3)突起の平均高さを求めた。また、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて、4)突起が無い部分の導電部の平均厚みを計測した。   Then, using a scanning electron microscope (SEM), the image magnification was set to 25,000 times, 10 conductive particles were randomly selected, and protrusions on the outer peripheral surface of each conductive particle were observed. 1) The ratio A of projections having an aspect ratio of 2 or more and 4 or less, 2) The ratio B of projections having an aspect ratio of 3 or more and 4 or less, and 3) The average height of the projections was determined. Moreover, the average thickness of the electroconductive part of the part without 4) protrusion was measured using the transmission electron microscope (TEM).

(2)導電部の面格子の評価
X線回折装置(理学電機社製「RINT2500VHF」)を用いて、回折角に依存する装置固有の回折線の面積強度比を算出した。結晶構造を有する導電部の回折線全体の回折ピーク強度に占める(111)方位の回折ピーク強度の割合(X線回折における(111)面の割合)を求めた。
(2) Evaluation of Surface Grating of Conductive Portion The area intensity ratio of the diffraction line specific to the device depending on the diffraction angle was calculated using an X-ray diffraction device ("RINT 2500 VHF" manufactured by Rigaku Denki Co., Ltd.). The ratio (ratio of (111) planes in X-ray diffraction) of the diffraction peak intensity in the (111) direction to the diffraction peak intensity of the entire diffraction line of the conductive part having a crystal structure was determined.

(3)接続抵抗
接続抵抗の測定:
得られた接続構造体における対向する電極間の接続抵抗を4端子法により測定した。また、接続抵抗を下記の評価基準で評価した。
(3) Connection resistance Measurement of connection resistance:
The connection resistance between opposing electrodes in the obtained connection structure was measured by the four-terminal method. Moreover, connection resistance was evaluated by the following evaluation criteria.

〔接続抵抗の評価基準〕
○○○:接続抵抗が2.0Ω以下
○○:接続抵抗が2.0Ωを超え、3.0Ω以下
○:接続抵抗が3.0Ωを超え、5.0Ω以下
△:接続抵抗が5.0Ωを超え、10Ω以下
×:接続抵抗が10Ωを超える
[Evaluation criteria for connection resistance]
○ ○ ○: Connection resistance is 2.0 Ω or less ○ ○: Connection resistance exceeds 2.0 Ω, 3.0 Ω or less ○: Connection resistance exceeds 3.0 Ω, 5.0 Ω or less Δ: Connection resistance is 5.0 Ω Exceeding 10 Ω or less ×: Connection resistance exceeding 10 Ω

結果を下記の表1に示す。   The results are shown in Table 1 below.

Figure 0006523860
Figure 0006523860

なお、実施例1〜14の導電性粒子では、複数の粒子が列状に複数個連結して形成されている突起を含んでいた。また、粒子が列状に複数個連結して形成されている突起は、外周面に屈曲部を有していた。また、実施例1〜14では、導電部の外表面の全表面積100%中、突起がある部分の表面積が30%以上であった。   In addition, in the electroconductive particle of Examples 1-14, the processus | protrusion which the some particle | grain connected several pieces in row form was formed was included. In addition, the projection formed by connecting a plurality of particles in a row has a bent portion on the outer peripheral surface. Moreover, in Examples 1-14, the surface area of the part with protrusion was 30% or more in 100% of the total surface area of the outer surface of a conductive part.

1,11,21,31…導電性粒子
1a,11a,21a,31a…突起
2…基材粒子
3,12,22,32…導電部
3a,12a,22a,32a…突起
4…芯物質
13…絶縁性物質
22A,32A…第1の導電部
32Aa…突起
22B,32B…第2の導電部
22Ba,32Ba…突起
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
53…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
54…接続部
54a…バインダー樹脂
1, 11, 21, 31, conductive particles 1a, 11a, 21a, 31a: protrusions 2, base particles 3, 12, 22, 32: conductive portions 3a, 12a, 22a, 32a, protrusions 4: core material 13: Insulating material 22A, 32A: first conductive portion 32Aa: projection 22B, 32B: second conductive portion 22Ba, 32Ba: projection 51: connection structure 52: first connection target member 52a: first electrode 53: Second connection target member 53a second electrode 54 connection portion 54a binder resin

Claims (16)

基材粒子と、
前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部が外表面に複数の突起を有し、
前記複数の突起の全個数100%中、アスペクト比が2以上、4以下である突起の割合が20%以上である、導電性粒子。
Substrate particles,
And a conductive portion disposed on the surface of the substrate particle,
The conductive portion has a plurality of protrusions on the outer surface,
Conductive particles in which a proportion of protrusions having an aspect ratio of 2 or more and 4 or less is 20% or more in 100% of the total number of the plurality of protrusions.
前記複数の突起の全個数100%中、アスペクト比が3以上、4以下である突起の割合が10%以上である、請求項1に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to claim 1, wherein a proportion of projections having an aspect ratio of 3 or more and 4 or less is 10% or more in 100% of the total number of the plurality of projections. 前記複数の突起の全個数100%中、アスペクト比が2以上、4以下である突起の割合が30%以上である、請求項1又は2に導電性粒子。   The conductive particle according to claim 1, wherein a proportion of projections having an aspect ratio of 2 or more and 4 or less is 30% or more in 100% of the total number of the plurality of projections. 前記複数の突起が、粒子が列状に複数個連結して形成されている突起を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to any one of claims 1 to 3, wherein the plurality of protrusions include protrusions formed by connecting a plurality of particles in a row. 前記粒子が列状に複数個連結して形成されている突起が、外周面に屈曲部を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to any one of claims 1 to 4, wherein a protrusion formed by connecting a plurality of particles in a row has a bent portion on the outer peripheral surface. 前記複数の突起の外表面の材料が、ニッケルを含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to any one of claims 1 to 5, wherein a material of the outer surface of the plurality of protrusions includes nickel. 前記導電部が、第1の導電部と、前記第1の導電部の外表面上に配置された第2の導電部とを備え、
前記第1の導電部及び前記第2の導電部の少なくとも一方が、ニッケルを含みかつ結晶構造を有する導電部である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性粒子。
The conductive portion includes a first conductive portion and a second conductive portion disposed on an outer surface of the first conductive portion;
The conductive particle according to any one of claims 1 to 6, wherein at least one of the first conductive portion and the second conductive portion is a conductive portion containing nickel and having a crystal structure.
前記ニッケルを含みかつ結晶構造を有する導電部において、X線回折における(111)面の割合が80%以上である、請求項7に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to claim 7, wherein in the conductive portion containing nickel and having a crystal structure, the proportion of (111) plane in X-ray diffraction is 80% or more. 前記基材粒子の表面上に配置された芯物質を備え、
前記基材粒子と前記芯物質とを被覆するように、前記導電部が前記基材粒子の表面上に配置されており、前記複数の突起の内側に前記芯物質が配置されており、
前記芯物質が金属を含まないか、又は、前記芯物質に含まれる主金属と、前記芯物質に接する前記導電部に含まれる主金属とが異なる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の導電性粒子。
A core material disposed on the surface of the substrate particles,
The conductive portion is disposed on the surface of the base particle so as to cover the base particle and the core substance, and the core substance is disposed inside the plurality of protrusions.
The core material does not contain a metal, or the main metal contained in the core material is different from the main metal contained in the conductive portion in contact with the core material. Electrically conductive particles as described.
前記芯物質の材料のモース硬度が5以上である、請求項9に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of Claim 9 whose Mohs hardness of the material of the said core substance is five or more. 前記複数の突起の平均高さが50nm以上、900nm以下である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to any one of claims 1 to 10, wherein an average height of the plurality of protrusions is 50 nm or more and 900 nm or less. 前記導電部の外表面の全表面積100%中、前記突起がある部分の表面積が30%以上である、請求項1〜11のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to any one of claims 1 to 11, wherein the surface area of the portion with the projections is 30% or more in 100% of the total surface area of the outer surface of the conductive portion. 前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である、請求項1〜12のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to any one of claims 1 to 12, wherein the substrate particle is a resin particle or an organic-inorganic hybrid particle. 前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える、請求項1〜13のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-13 provided with the insulating substance arrange | positioned on the outer surface of the said electroconductive part. 請求項1〜14のいずれか1項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。   A conductive material comprising the conductive particles according to any one of claims 1 to 14 and a binder resin. 第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項1〜14のいずれか1項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
A first connection target member having a first electrode on the surface;
A second connection target member having a second electrode on its surface;
A connecting portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The material of the connection portion is the conductive particle according to any one of claims 1 to 14, or a conductive material containing the conductive particle and a binder resin,
The connection structure which the said 1st electrode and the said 2nd electrode are electrically connected by the said electroconductive particle.
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