JP6512061B2

JP6512061B2 - Current sensor

Info

Publication number: JP6512061B2
Application number: JP2015205365A
Authority: JP
Inventors: 卓馬江坂; 江介野村; 亮輔酒井
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2015-10-19
Filing date: 2015-10-19
Publication date: 2019-05-15
Anticipated expiration: 2035-10-19
Also published as: JP2017078577A

Description

本発明は、磁気シールド機能を備えた電流センサに関する。 The present invention relates to a current sensor having a magnetic shield function.

従来より、対向配置された磁気シールド用の第１シールド板及び第２シールド板と、第１シールド板と第２シールド板との間に配置された磁気素子と、第１シールド板と第２シールド板との間を通るバスバーと、を備えた装置が、例えば特許文献１で提案されている。磁気素子は、バスバーに流れる電流を検出する素子である。 Conventionally, a first shield plate and a second shield plate for a magnetic shield disposed opposite to each other, a magnetic element disposed between the first shield plate and the second shield plate, a first shield plate and a second shield For example, Patent Document 1 proposes a device provided with a bus bar passing between the plates. The magnetic element is an element that detects the current flowing through the bus bar.

特開平２０１３−２４６００５号公報JP, 2013-246005, A

しかしながら、上記従来の技術では、バスバーに電流が流れることによりバスバーから磁界が発生するので、当該磁界によって各シールド板が磁化されてしまう。これに伴い、磁気ヒステリシス特性に従って各シールド板が残留磁気を持つこととなる。このため、バスバーに電流が流れていない状態であっても、各シールド板の残留磁気が磁気素子によって検出されてしまうので、電流センサの出力に誤差が生じてしまうという問題がある。 However, in the above-described conventional technology, since a magnetic field is generated from the bus bar by the current flowing through the bus bar, each shield plate is magnetized by the magnetic field. Along with this, each shield plate has residual magnetism according to the magnetic hysteresis characteristic. For this reason, even when no current flows through the bus bar, the residual magnetism of each shield plate is detected by the magnetic element, which causes an error in the output of the current sensor.

本発明は上記点に鑑み、シールド体の残留磁気による出力誤差を低減することができる電流センサを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a current sensor capable of reducing an output error due to residual magnetism of a shield body.

上記目的を達成するため、請求項１、４、５に記載の発明では、第１平面部（２１）を有する第１シールド体（２０）と、第１平面部に対して対向配置された第２平面部（３１）を有する第２シールド体（３０）と、一端部（４１）と他端部（４２）との間の一部が各シールド体の間に配置されたバスバー（４０）と、を備えている。また、バスバーに流れる電流を検出するための検出面（５１）を有し、検出面が第１平面部に向けられた状態で第１平面部とバスバーとの間に配置された検出素子（５０）を備えている。 In order to achieve the above object, in the first, fourth , and fifth aspects of the present invention, a first shield body (20) having a first flat portion (21) and a first shield portion disposed opposite to the first flat portion second shield member having two planar portions (31) and (30), one end (41) of a portion between the other end portion (42) and arranged busbar (40) between each shield And. A detection element (50) having a detection surface (51) for detecting the current flowing through the bus bar, the detection element being disposed between the first plane portion and the bus bar in a state where the detection surface is directed to the first flat portion. ).

そして、第１シールド体は、第１平面部の周囲を一周囲んだ壁部（２２）を有している。第１シールド体において壁部のうち第２シールド体側の端面（２３）が、第２シールド体に対して一定の間隔を持って配置されている。 And a 1st shield body has the wall part (22) which encircled the circumference | surroundings of a 1st plane part. In the first shield body, the end face (23) on the second shield body side of the wall portion is disposed at a constant distance from the second shield body.

さらに、検出面に垂直な方向において、検出面から第１平面部までの距離をｒ１とし、検出面から第２平面部までの距離をｒ２と定義すると、検出素子はｒ１＝ｒ２となるように配置されている。
請求項１に記載の発明では、第２シールド体は、板状に構成されている。
請求項４に記載の発明では、第１シールド体の壁部を第１壁部とし、第１シールド体の壁部の端面を第１端面と定義する。第２シールド体は、第２平面部の周囲を壁状に囲んだ第２壁部（３２）を有する。第２シールド体において第２壁部のうち第１シールド体側の第２端面（３６）が、第１端面に対して一定の間隔を持って配置されている。第２シールド体は、第２平面部を有する平板（３３）と、第２平面部を露出させる窓部（３４）が設けられていると共に第２壁部に対応する打ち抜き板（３５）と、が積層されて構成されている。
請求項５に記載の発明では、第１シールド体の壁部を第１壁部とし、第１シールド体の壁部の端面を第１端面と定義する。第２シールド体は、第２平面部の周囲を壁状に囲んだ第２壁部（３２）を有する。第２シールド体において第２壁部のうち第１シールド体側の第２端面（３６）が、第１端面に対して一定の間隔を持って配置されている。第２シールド体は、平板（６０）の一面（６３）に所定の深さで形成されていると共に、底面が第２平面部に対応した溝部（６４）を有して構成されている。 Furthermore, when the distance from the detection surface to the first flat surface is r1 and the distance from the detection surface to the second flat surface is r2 in the direction perpendicular to the detection surface, the detection element is r1 = r2. It is arranged.
In the first aspect of the present invention, the second shield body is formed in a plate shape.
In the invention according to claim 4, the wall portion of the first shield body is defined as a first wall portion, and the end face of the wall portion of the first shield body is defined as a first end face. The second shield body has a second wall (32) surrounding the second flat surface in a wall shape. In the second shield body, the second end face (36) on the first shield body side of the second wall portion is disposed at a constant distance from the first end face. The second shield body includes a flat plate (33) having a second flat portion, and a punching plate (35) provided with a window portion (34) for exposing the second flat portion and corresponding to the second wall portion. Are stacked.
In the invention according to claim 5, the wall portion of the first shield body is defined as a first wall portion, and the end face of the wall portion of the first shield body is defined as a first end face. The second shield body has a second wall (32) surrounding the second flat surface in a wall shape. In the second shield body, the second end face (36) on the first shield body side of the second wall portion is disposed at a constant distance from the first end face. The second shield body is formed to have a predetermined depth on one surface (63) of the flat plate (60), and is configured to have a groove (64) whose bottom surface corresponds to the second flat portion.

これによると、第１シールド体の壁部の端面と第２シールド体との間で各シールド体の残留磁気が交換される。このため、検出素子が各シールド体間の磁気交換によって発生する磁界の影響を受けにくくなる。 According to this, the residual magnetism of each shield body is exchanged between the end face of the wall portion of the first shield body and the second shield body. Therefore, the detection element is less susceptible to the magnetic field generated by the magnetic exchange between the shields.

また、第１シールド体の残留磁気によって各シールド体間に発生する磁界と、第２シールド体の残留磁気によって各シールド体間に発生する磁界と、が打ち消される位置に検出面が配置されている。このため、検出素子が各シールド体の残留磁気によって発生する磁界の影響を受けにくくなる。 In addition, the detection surface is disposed at a position where the magnetic field generated between the shields by the residual magnetism of the first shield and the magnetic field generated between the shields by the residual magnetism of the second shield are cancelled. . Therefore, the detection element is less susceptible to the magnetic field generated by the residual magnetism of each shield body.

以上のことから、検出素子が各シールド体の残留磁気の影響を受けにくくなるので、検出素子の出力誤差を低減することができる。 From the above, since the detection element is less susceptible to the residual magnetism of each shield body, the output error of the detection element can be reduced.

なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the parenthesis of each means described by this column and the claim shows correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第１実施形態に係る電流センサの平面図である。It is a top view of the current sensor concerning a 1st embodiment of the present invention. 図１のII−II断面図である。It is II-II sectional drawing of FIG. 第１シールド体を構成する平板と打ち抜き板とを示した斜視図である。It is the perspective view which showed the flat plate and the punching board which comprise a 1st shield body. 各シールド体の残留磁気の磁気交換を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the magnetic exchange of the residual magnetism of each shield body. 第２実施形態に係る電流センサの断面図である。It is a sectional view of a current sensor concerning a 2nd embodiment. 第３実施形態に係る第１シールド体の斜視図である。It is a perspective view of the 1st shield object concerning a 3rd embodiment.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described based on the drawings. In the following embodiments, parts identical or equivalent to each other are denoted by the same reference numerals in the drawings.

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る電流センサは、インバータ装置からモータ等に供給される３相交流電流を検出する際に用いられるものである。また、電流センサは、バスバーが一体化された構成を備えている。 First Embodiment
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The current sensor according to the present embodiment is used to detect a three-phase alternating current supplied from an inverter device to a motor or the like. Also, the current sensor has a configuration in which the bus bar is integrated.

具体的には、図１及び図２に示されるように、電流センサ１０は、第１シールド体２０、第２シールド体３０、バスバー４０、及び検出素子５０を備えて構成されている。 Specifically, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, the current sensor 10 is configured to include a first shield body 20, a second shield body 30, a bus bar 40, and a detection element 50.

第１シールド体２０及び第２シールド体３０は、バスバー４０から発生する磁界や外部からの外乱磁界を遮蔽する役割を果たすものである。各シールド体２０、３０は電磁鋼板によって構成されている。 The first shield 20 and the second shield 30 serve to shield the magnetic field generated from the bus bar 40 and the disturbance magnetic field from the outside. Each shield body 20, 30 is made of an electromagnetic steel plate.

第１シールド体２０は、第１平面部２１と、第１平面部２１の周囲を一周囲んだ壁部２２と、を有している。つまり、第１シールド体２０は、第１平面部２１を底面とする箱状をなしている。 The first shield body 20 has a first flat portion 21 and a wall portion 22 which is one circumference of the first flat portion 21. That is, the first shield body 20 has a box shape with the first flat portion 21 as the bottom surface.

具体的には、第１シールド体２０は、図３に示された平板６０と打ち抜き板６１とが積層されて構成されている。平板６０は第１平面部２１を有する板部品である。打ち抜き板６１は、第１平面部２１を露出させる窓部６２が設けられていると共に壁部２２に対応する枠部品である。窓部６２は貫通孔である。 Specifically, the first shield body 20 is configured by laminating the flat plate 60 and the punching plate 61 shown in FIG. 3. The flat plate 60 is a plate component having the first flat portion 21. The punching plate 61 is a frame component provided with the window 62 for exposing the first flat surface 21 and corresponding to the wall 22. The window 62 is a through hole.

第２シールド体３０は、第１シールド体２０の第１平面部２１に対して対向配置された第２平面部３１を有している。本実施形態では、第２シールド体３０は、板状に構成されている。 The second shield body 30 has a second plane portion 31 disposed to face the first plane portion 21 of the first shield body 20. In the present embodiment, the second shield body 30 is configured in a plate shape.

なお、第１シールド体２０を構成する平板６０や打ち抜き板６１、第２シールド体３０はそれぞれが１枚の電磁鋼板によって構成されていても良いし、それぞれが複数の電磁鋼板が積層されて構成されていても良い。 The flat plate 60, the punched plate 61, and the second shield body 30 that constitute the first shield body 20 may each be formed of a single electromagnetic steel sheet, or a plurality of electromagnetic steel sheets are stacked on each other. It may be done.

そして、各シールド体２０、３０は、第１シールド体２０の第１平面部２１と第２シールド体３０の第２平面部３１とで挟んだ収容空間１１を構成している。各シールド体２０、３０は、この収容空間１１にバスバー４０の一部と検出素子５０とを収容している。各シールド体２０、３０は、図示しない樹脂部品等の保持部品で保持されている。これにより、各シールド体２０、３０の間に収容空間１１が形成されている。 And each shield body 20 and 30 comprises the accommodation space 11 pinched | interposed with the 1st plane part 21 of the 1st shield body 20, and the 2nd plane part 31 of the 2nd shield body 30. As shown in FIG. Each shield body 20, 30 accommodates a part of the bus bar 40 and the detection element 50 in the accommodation space 11. Each shield body 20, 30 is held by a holding part such as a resin part not shown. Thus, the housing space 11 is formed between the shields 20 and 30.

また、第１シールド体２０は、壁部２２のうち第２シールド体３０側の端面２３が、第２シールド体３０に対して一定の間隔を持って配置されている。これにより、バスバー４０の一部が、第１シールド体２０の端面２３と第２シールド体３０の第２平面部３１との間に、端面２３及び第２平面部３１に接触することなく収容空間１１に配置されている。 Further, in the first shield body 20, the end face 23 of the wall portion 22 on the second shield body 30 side is disposed at a constant distance from the second shield body 30. Thus, a portion of the bus bar 40 does not contact the end face 23 and the second flat portion 31 between the end face 23 of the first shield body 20 and the second flat portion 31 of the second shield body 30. 11 are arranged.

バスバー４０は、３相交流電流が流れる導体部品である。バスバー４０は、一端部４１と他端部４２との間の一部が収容空間１１に位置するように、各シールド体２０、３０に対して隙間を持って配置されている。バスバー４０の一端部４１は例えばインバータ装置に接続される。また、バスバー４０の他端部４２は例えばモータ等の負荷装置に接続される。 The bus bar 40 is a conductor part through which a three-phase alternating current flows. The bus bar 40 is disposed with a gap from each of the shield bodies 20 and 30 so that a part between the one end portion 41 and the other end portion 42 is positioned in the accommodation space 11. One end 41 of the bus bar 40 is connected to, for example, an inverter device. The other end 42 of the bus bar 40 is connected to a load device such as a motor.

検出素子５０は、バスバー４０に流れる３相交流電流を検出するものである。図２に示されるように、検出素子５０は、収容空間１１においてバスバー４０の上に配置されている。 The detection element 50 detects a three-phase alternating current flowing through the bus bar 40. As shown in FIG. 2, the detection element 50 is disposed on the bus bar 40 in the housing space 11.

検出素子５０は、バスバー４０に流れる３相交電流を検出するための検出面５１を有している。検出面５１は、外部の磁場の影響を受けたときに抵抗値が変化するセンシング部の表面である。そして、検出素子５０は、検出面５１が第１平面部２１に向けられた状態で第１平面部２１とバスバー４０との間に配置されている。 The detection element 50 has a detection surface 51 for detecting a three-phase alternating current flowing through the bus bar 40. The detection surface 51 is a surface of a sensing unit whose resistance value changes when it is influenced by an external magnetic field. The detection element 50 is disposed between the first plane portion 21 and the bus bar 40 in a state where the detection surface 51 is directed to the first plane portion 21.

また、検出素子５０の上に図示しないバイアス磁石が配置されている。すなわち、バイアス磁石は検出素子５０と第１シールド体２０の第１平面部２１との間に配置されている。なお、バイアス磁石は検出素子５０と一体化されていても良いし、図示しない保持部品等で収容空間１１に保持されていても良い。 Further, a bias magnet (not shown) is disposed on the detection element 50. That is, the bias magnet is disposed between the detection element 50 and the first flat portion 21 of the first shield body 20. The bias magnet may be integrated with the detection element 50 or may be held in the housing space 11 by a holding component or the like (not shown).

バイアス磁石は、バスバー４０に測定対象の被測定電流が流れることによって生じる信号磁界に対して垂直方向にバイアス磁界を発生させる磁界発生手段である。すなわち、バイアス磁石は、被測定電流が流れる方向、つまりバスバー４０の長手方向にＮ極とＳ極とが並ぶように検出素子５０の上方に配置されている。これにより、バイアス磁石はバイアス磁界を検出素子５０に印加する。 The bias magnet is a magnetic field generating unit that generates a bias magnetic field in a direction perpendicular to the signal magnetic field generated by the measurement target current flowing through the bus bar 40 flowing. That is, the bias magnet is disposed above the detection element 50 so that the N pole and the S pole are aligned in the direction in which the current to be measured flows, that is, the longitudinal direction of the bus bar 40. Thereby, the bias magnet applies a bias magnetic field to the detection element 50.

一方、検出素子５０は、バスバー４０に流れる被測定電流の電流方向すなわちバスバー４０の長手方向とバイアス磁界とが平行になるように収容空間１１に配置されている。言い換えると、検出素子５０は、バスバー４０に流れる被測定電流によって生成される信号磁界とバイアス磁界とが垂直になるように収容空間１１に収容されている。これにより、検出素子５０には、バイアス磁界及び信号磁界で構成される合成磁界が印加されるようになっている。 On the other hand, the detection element 50 is disposed in the housing space 11 such that the current direction of the current to be measured flowing through the bus bar 40, that is, the longitudinal direction of the bus bar 40, is parallel to the bias magnetic field. In other words, the detection element 50 is accommodated in the accommodation space 11 so that the signal magnetic field generated by the current to be measured flowing through the bus bar 40 is perpendicular to the bias magnetic field. As a result, a combined magnetic field composed of a bias magnetic field and a signal magnetic field is applied to the detection element 50.

そして、バスバー４０に被測定電流が流れることで信号磁界が発生し、信号磁界及びバイアス磁界で構成される合成磁界が被測定電流の大きさに応じて変化することにより磁気ベクトル角度θが変化する。したがって、検出素子５０はその角度変化によりセンシング部の抵抗値が変化したことを検出する。以上が、本実施形態に係る電流センサ１０の構成である。 Then, the measured current flows through the bus bar 40 to generate a signal magnetic field, and the magnetic vector angle θ is changed by changing the combined magnetic field formed by the signal magnetic field and the bias magnetic field according to the magnitude of the measured current. . Therefore, the detection element 50 detects that the resistance value of the sensing unit has changed due to the change in the angle. The above is the configuration of the current sensor 10 according to the present embodiment.

次に、各シールド体２０、３０と検出素子５０との配置関係について説明する。まず、図２に示されるように、検出素子５０の検出面５１に垂直な方向において、検出面５１から第１シールド体２０の第１平面部２１までの距離をｒ１と定義する。また、検出素子５０の検出面５１から第２シールド体３０の第２平面部３１までの距離をｒ２と定義する。このような定義のもと、検出素子５０はｒ１＝ｒ２となるように収容空間１１に配置されている。 Next, the arrangement of the shields 20 and 30 and the detection element 50 will be described. First, as shown in FIG. 2, in the direction perpendicular to the detection surface 51 of the detection element 50, the distance from the detection surface 51 to the first flat portion 21 of the first shield body 20 is defined as r1. Further, the distance from the detection surface 51 of the detection element 50 to the second flat portion 31 of the second shield body 30 is defined as r2. Under such a definition, the detection element 50 is disposed in the housing space 11 so that r1 = r2.

上記の配置関係の作用効果について説明する。上述のように、バスバー４０には電流が流れる。これにより、バスバー４０の周囲に磁界が発生する。これに伴い、各シールド体２０、３０はバスバー４０の磁界によって磁化される。このため、各シールド体２０、３０は、バスバー４０に電流が流れない状態では、Ｂ−Ｈ曲線に従った残留磁気が残ると共に、残留磁気によって磁界を発生させる。 The effect of the above-mentioned arrangement relation will be described. As described above, current flows through the bus bar 40. Thereby, a magnetic field is generated around bus bar 40. Along with this, each shield body 20, 30 is magnetized by the magnetic field of the bus bar 40. Therefore, in a state where no current flows through the bus bar 40, each shield body 20, 30 generates residual magnetic field according to the residual magnetism according to the B-H curve, and generates a magnetic field due to the residual magnetism.

このため、図４に示されるように、検出素子５０は、第１シールド体２０の残留磁気によって各シールド体２０、３０間すなわち収容空間１１に発生する磁界と、第２シールド体３０の残留磁気によって収容空間１１に発生する磁界と、の両方の磁界の影響を受ける。しかしながら、検出素子５０の検出面５１が上記の条件を満たすように配置されることで、検出面５１は各シールド体２０、３０の磁界が打ち消される位置に配置される。したがって、各シールド体２０、３０の残留磁気によって発生する磁界の影響を検出素子５０に与えにくくすることができる。 Therefore, as shown in FIG. 4, the detection element 50 generates a magnetic field generated between the shields 20 and 30, that is, in the housing space 11 by the residual magnetism of the first shield 20, and the residual magnetism of the second shield 30. And the magnetic field generated in the accommodation space 11 and the influence of both magnetic fields. However, by arranging the detection surface 51 of the detection element 50 to satisfy the above conditions, the detection surface 51 is arranged at a position where the magnetic fields of the shield bodies 20 and 30 are canceled. Therefore, it is possible to make it difficult for the detection element 50 to be affected by the magnetic field generated by the residual magnetism of the shields 20 and 30.

次に、第１シールド体２０が有する壁部２２の作用効果について説明する。上述のように、第１シールド体２０には第２シールド体３０側に突出した壁部２２が設けられているので、壁部２２の端面２３が第２シールド体３０に近づけられる。このため、第１シールド体２０の残留磁気が第２シールド体３０に影響しやすくなる。つまり、各シールド体２０、３０が端面１を介して磁気交換しやすくなる。 Next, the function and effect of the wall portion 22 of the first shield body 20 will be described. As described above, since the first shield body 20 is provided with the wall portion 22 protruding toward the second shield body 30, the end face 23 of the wall portion 22 is brought closer to the second shield body 30. Therefore, the residual magnetism of the first shield body 20 easily affects the second shield body 30. That is, the shields 20 and 30 can be easily exchanged magnetically via the end face 1.

そして、各シールド体２０、３０から残留磁気に基づく磁界が発生すると、図４に示されるように第１シールド体２０の壁部２２の端面２３と第２シールド体３０の第２平面部３１との間で残留磁気が磁気交換される。また、壁部２２の端面２３が第２シールド体３０の第２平面部３１に対向配置されているので、端面２３を出入りする磁界が検出素子５０に届きにくくなる。したがって、各シールド体２０、３０間の磁気交換によって発生する磁界の影響を検出素子５０に与えにくくすることができる。 Then, when a magnetic field based on residual magnetism is generated from each shield body 20, 30, as shown in FIG. 4, the end face 23 of the wall portion 22 of the first shield body 20 and the second flat portion 31 of the second shield body 30. The remanence is exchanged magnetically between In addition, since the end face 23 of the wall 22 is disposed to face the second flat portion 31 of the second shield body 30, the magnetic field entering and exiting the end face 23 hardly reaches the detection element 50. Therefore, it is possible to make it difficult for the detection element 50 to be affected by the magnetic field generated by the magnetic exchange between the shields 20 and 30.

以上のことから、検出素子５０が各シールド体２０、３０の残留磁気の影響を受けにくくなるので、検出素子５０の出力誤差を低減することができる。ひいては、電流センサ１０における電流の高精度の測定が可能になる。 From the above, the detection element 50 is less susceptible to the residual magnetism of the shields 20 and 30, so the output error of the detection element 50 can be reduced. As a result, highly accurate measurement of the current in the current sensor 10 is possible.

さらに、第１シールド体２０の壁部２２が第２シールド体３０に近づけられているので、外乱磁界が収容空間１１に侵入しにくくなっている。したがって、各シールド体２０、３０の磁気シールド機能を向上させることができる。 Furthermore, since the wall portion 22 of the first shield body 20 is brought close to the second shield body 30, the disturbance magnetic field is less likely to enter the accommodation space 11. Therefore, the magnetic shield function of each shield body 20, 30 can be improved.

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。まず、第１シールド体２０の壁部２２を第１壁部２２とし、第１シールド体２０の壁部２２の端面２３を第１端面２３と定義する。 Second Embodiment
In this embodiment, parts different from the first embodiment will be described. First, the wall portion 22 of the first shield body 20 is defined as a first wall portion 22, and the end face 23 of the wall portion 22 of the first shield body 20 is defined as a first end face 23.

図５に示されるように、本実施形態に係る第２シールド体３０は、第２平面部３１の周囲を壁状に囲んだ第２壁部３２を有している。すなわち、第２シールド体３０は第１シールド体２０と同様の形状を有している。 As shown in FIG. 5, the second shield body 30 according to the present embodiment has a second wall portion 32 surrounding the periphery of the second flat portion 31 in a wall shape. That is, the second shield body 30 has the same shape as the first shield body 20.

また、第２シールド体３０は、第１シールド体２０と同様に、第２平面部３１を有する平板３３と、第２平面部３１を露出させる窓部３４が設けられていると共に第２壁部３２に対応する打ち抜き板３５と、が積層されて構成されている。そして、第２シールド体３０の第２壁部３２のうち第１シールド体２０側の第２端面３６が、第１端面２３に対して一定の間隔を持って配置されている。 Further, the second shield body 30 is provided with the flat plate 33 having the second flat surface portion 31 and the window portion 34 for exposing the second flat surface portion 31 as well as the first shield body 20 and the second wall portion A punching plate 35 corresponding to 32 is laminated. The second end face 36 on the first shield body 20 side of the second wall 32 of the second shield body 30 is disposed at a fixed distance from the first end face 23.

なお、第１シールド体２０において第１平面部２１を基準とした第１壁部２２の高さが、第２シールド体３０において第２平面部３１を基準とした第２壁部３２よりも高くなっている。これは、各端面２３、３６を近づけて各シールド体２０、３０のギャップを小さくするためである。 In the first shield body 20, the height of the first wall portion 22 based on the first flat surface portion 21 is higher than that of the second wall portion 32 based on the second flat surface portion 31 in the second shield body 30. It has become. This is for bringing the end faces 23 and 36 close to each other to reduce the gap between the shield bodies 20 and 30.

以上の構成によると、各シールド体２０、３０が各端面２３、３６を介して磁気交換しやすくなる。また、第２シールド体３０の第２壁部３２によって電流センサ１０の磁気シールド機能が向上するというメリットもある。 According to the above configuration, the shields 20 and 30 can be easily magnetically exchanged via the end faces 23 and 36. Also, there is an advantage that the magnetic shield function of the current sensor 10 is improved by the second wall portion 32 of the second shield body 30.

（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、第１シールド体２０は、１枚の平板６０を元に形成されている。具体的には、図６に示されるように、平板６０の一面６３に溝部６４が所定の深さで形成されたことで第１シールド体２０が構成されている。溝部６４の底面が第１平面部２１に対応し、一面６３のうち溝部６４が形成されていない部分が端面２３に対応する。このように、第１シールド体２０は１枚の平板６０が削られることで製造されたものでも良い。 Third Embodiment
In this embodiment, parts different from the first and second embodiments will be described. In the present embodiment, the first shield body 20 is formed based on one flat plate 60. Specifically, as shown in FIG. 6, the first shield body 20 is configured by forming the groove 64 at a predetermined depth on the surface 63 of the flat plate 60. The bottom surface of the groove portion 64 corresponds to the first flat portion 21, and the portion of the surface 63 where the groove portion 64 is not formed corresponds to the end surface 23. As described above, the first shield body 20 may be manufactured by cutting one flat plate 60.

（他の実施形態）
上記各実施形態で示された電流センサ１０の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、第２シールド体３０は、第３実施形態で示された第１シールド体２０と同様に、平板６０の一面６３に溝部６４が所定の深さで形成されたことで構成されていても良い。この場合、溝部６４が第２壁部３２に対応し、溝部６４の底面が第２平面部３１に対応する。 (Other embodiments)
The configuration of the current sensor 10 shown in each of the above-described embodiments is an example, and the present invention is not limited to the configuration described above, and may be another configuration that can realize the present invention. For example, similar to the first shield body 20 shown in the third embodiment, even if the second shield body 30 is formed by forming the groove 64 at a predetermined depth on one surface 63 of the flat plate 60, good. In this case, the groove 64 corresponds to the second wall 32, and the bottom of the groove 64 corresponds to the second plane 31.

２０第１シールド体
２１第１平面部
２２壁部
２３端面
３０第２シールド体
３１第２平面部
４０バスバー
５０検出素子
５１検出面 20 first shield body 21 first flat surface portion 22 wall portion 23 end surface 30 second shield body 31 second flat surface portion 40 bus bar 50 detection element 51 detection surface

Claims

A first shield body (20) having a first flat portion (21);
A second shield body (30) having a second flat portion (31) disposed opposite to the first flat portion;
A bus bar (40) in which a part between the one end (41) and the other end (42) is disposed between the shields;
A detection surface (51) for detecting a current flowing through the bus bar, the detection being disposed between the first flat surface portion and the bus bar in a state where the detection surface is directed to the first flat surface portion An element (50),
Equipped with
The first shield body has a wall portion (22) surrounding the periphery of the first flat portion.
In the first shield body, an end face (23) of the wall portion on the second shield body side is disposed at a predetermined distance from the second shield body,
Assuming that the distance from the detection surface to the first plane portion is r1 and the distance from the detection surface to the second plane portion is r2 in the direction perpendicular to the detection surface, the detection element is r1 = r2 It is arranged such that,
The second shield body is a plate-shaped current sensor.

The first shield body is provided with a flat plate (60) having the first flat surface portion and a window portion (62) for exposing the first flat surface portion, and a punching plate (61) corresponding to the wall portion The current sensor according to claim 1, wherein the plurality of layers are stacked.

The first shield body is formed to have a predetermined depth on one surface (63) of the flat plate (60), and the bottom surface is configured to have a groove (64) corresponding to the first flat portion. The current sensor according to claim 1 .

A first shield body (20) having a first flat portion (21);
A second shield body (30) having a second flat portion (31) disposed opposite to the first flat portion;
A bus bar (40) in which a part between the one end (41) and the other end (42) is disposed between the shields;
A detection surface (51) for detecting a current flowing through the bus bar, the detection being disposed between the first flat surface portion and the bus bar in a state where the detection surface is directed to the first flat surface portion An element (50),
Equipped with
The first shield body has a wall portion (22) surrounding the periphery of the first flat portion.
In the first shield body, an end face (23) of the wall portion on the second shield body side is disposed at a predetermined distance from the second shield body,
Assuming that the distance from the detection surface to the first plane portion is r1 and the distance from the detection surface to the second plane portion is r2 in the direction perpendicular to the detection surface, the detection element is r1 = r2 It is arranged such that,
Assuming that the wall portion of the first shield body is a first wall portion, and the end face of the wall portion of the first shield body is a first end face,
The second shield body has a second wall (32) surrounding the periphery of the second flat surface in a wall shape,
In the second shield body, a second end face (36) of the second wall portion on the first shield body side is disposed at a constant distance from the first end face,
The second shield body is provided with a flat plate (33) having the second flat surface portion and a window portion (34) for exposing the second flat surface portion, and a punching plate corresponding to the second wall portion ( 35) A current sensor configured by being stacked .

A first shield body (20) having a first flat portion (21);
A second shield body (30) having a second flat portion (31) disposed opposite to the first flat portion;
A bus bar (40) in which a part between the one end (41) and the other end (42) is disposed between the shields;
A detection surface (51) for detecting a current flowing through the bus bar, the detection being disposed between the first flat surface portion and the bus bar in a state where the detection surface is directed to the first flat surface portion An element (50),
Equipped with
The first shield body has a wall portion (22) surrounding the periphery of the first flat portion.
In the first shield body, an end face (23) of the wall portion on the second shield body side is disposed at a predetermined distance from the second shield body,
Assuming that the distance from the detection surface to the first plane portion is r1 and the distance from the detection surface to the second plane portion is r2 in the direction perpendicular to the detection surface, the detection element is r1 = r2 It is arranged such that,
Assuming that the wall portion of the first shield body is a first wall portion, and the end face of the wall portion of the first shield body is a first end face,
The second shield body has a second wall (32) surrounding the periphery of the second flat surface in a wall shape,
In the second shield body, a second end face (36) of the second wall portion on the first shield body side is disposed at a constant distance from the first end face,
The second shield body is formed to have a predetermined depth on one surface (63) of the flat plate (60), and the bottom surface is configured to have a groove (64) corresponding to the second flat portion. Current sensor.