JP6507172B2 - 光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法に関する。

光学活性β−アミノ酸及びその誘導体は、有機合成化学、特に医薬品合成化学の分野において、有用なキラルビルディングブロックである。

前記光学活性β−アミノ酸及びその誘導体の有用な合成方法の１つに、不斉マンニッヒ反応がある。前記不斉マンニッヒ反応の一例を下記スキーム１に示す。
前記不斉マンニッヒ反応では、前記スキーム１に示すように、塩基と金属（Ｍ^＋）とを用いると、カルボニル炭素のα−位の炭素に水素原子が結合したカルボニル化合物を脱プロトン化し、活性中間体であるエノラートを生成する。更に、前記エノラートと求電子剤であるイミンとを反応させることで、炭素−炭素結合が生成し、不斉点を２つ有する光学活性β−アミノ酸誘導体が得られる。ここで、前記塩基と前記金属とを、原料と同量以上用いると当量反応となり、触媒量で用いると触媒反応となる。

現在売られている医薬品の２０％以上は、少なくとも１つのフッ素原子を含んでいる（例えば、非特許文献１参照）。そのため、医薬品の合成中間体でありかつ有用なキラルビルディングブロックである前記光学活性β−アミノ酸及びその誘導体においても、フッ素原子を含有することが望ましい。

前記不斉マンニッヒ反応においては、”Ｃ”が通常のアルキル基の場合、上記スキーム１の反応が進行する。しかし、”Ｃ”がＣＦ_３基の場合、下記スキーム２に示すように、副反応であるβ−脱離が優先的に進行し、所望の光学活性β−アミノ酸誘導体の生成率が大きく低下してしまうという問題がある。

カルボニル炭素のα−位の炭素にＣＦ_３基が結合しているカルボニル化合物を用いたマンニッヒ反応については、種々の検討が行われている（例えば、非特許文献２〜５参照）。しかし、これらの検討においては、ラセミ合成であったり、当量以上の試薬を用いたり、キラル補助基を用いて光学活性化合物を大量に消費するなどの問題がある。

したがって、当量以上の活性化試薬を必要とせず触媒的に光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体を高収率で合成することができる光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法の提供が求められているのが現状である。

Ｓａｌｗｉｃｚｅｋ Ｍ． ｅｔ ａｌ．， Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． Ｒｅｖ．， ２０１２， ４１， ２１３５−２１７１． Ｍｉｋａｍｉ Ｋ． ｅｔ． ａｌ．， Ｏｒｇ． Ｌｅｔｔ．， ２００３， Ｖｏｌ． ５， Ｎｏ．２５， ４８０７−４８０９． Ｍｉｋａｍｉ Ｋ． ｅｔ． ａｌ．， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， ２００４， １２６， １３１７４−１３１７５． Ｉｓｈｉｈａｒａ Ｔ． ｅｔ． ａｌ．， ２００６， Ｖｏｌ． ８， Ｎｏ． ６， １１２９−１１３１． Ｍｉｋａｍｉ Ｋ． ｅｔ． ａｌ．， Ｃｈｅｍ． Ｒｅｃｏｒｄ， ２００６， ６， １−１１．

本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、当量以上の活性化試薬を必要とせず触媒的に光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体を高収率で合成することができる光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法は、銅化合物及び光学活性ホスフィン化合物から得られる銅−光学活性ホスフィン錯体の存在下で、下記一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（２）で表される化合物とを反応させて、下記一般式（３）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体を得ることを特徴とする。
ただし、前記一般式（１）〜一般式（３）中、Ｒ^１は、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表し、Ｒ^２は、Ｎの保護基を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。Ｒ^３及びＲ^４は、Ｎと一緒に環構造を形成していてもよい。

本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、当量以上の活性化試薬を必要とせず触媒的に光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体を高収率で合成することができる光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法を提供することができる。

本明細書、及び特許請求の範囲に記載された化学式及び一般式における立体配置は、特に言及しない場合には、絶対配置を表す。

（光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法）
本発明の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法は、下記一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（２）で表される化合物とを反応させて、下記一般式（３）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体を得る光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法である。
反応は、銅−光学活性ホスフィン錯体の存在下で行われる。

＜一般式（１）で表される化合物＞
ただし、前記一般式（１）中、Ｒ^１は、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表し、Ｒ^２は、Ｎの保護基を表す。

＜一般式（２）で表される化合物＞
ただし、前記一般式（２）中、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。Ｒ^３及びＲ^４は、Ｎと一緒に環構造を形成していてもよい。

＜一般式（３）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体＞
ただし、前記一般式（３）中、Ｒ^１は、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表し、Ｒ^２は、Ｎの保護基を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。Ｒ^３及びＲ^４は、Ｎと一緒に環構造を形成していてもよい。

本発明の前記光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法は、いわゆる触媒的不斉マンニッヒ反応を利用しており、前記一般式（１）で表される化合物のイミノ基の炭素と、前記一般式（２）で表される化合物におけるカルボニル基の炭素のα−位の炭素とを結合させる。

前記一般式（１）及び前記一般式（３）において、前記Ｒ^１は、置換若しくは無置換アリール基であることが、収率が優れる点で、好ましい。

前記一般式（２）で表される化合物は、下記一般式（２−１）で表される化合物であり、前記一般式（３）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体は、下記一般式（３−１）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体であることが、反応性、及び立体選択性の点から、好ましい。
ただし、前記一般式（２−１）及び一般式（３−１）中、Ｒ^１は、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表し、Ｒ^２は、Ｎの保護基を表し、Ｒ^１１は、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表し、ｘは、０〜７の整数を表す（ただし、ｘが２以上の場合、Ｒ^１１は同一であってもよいし、異なっていてもよい）。

前記一般式（３）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体としては、例えば、下記一般式（３−Ａ）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体などが挙げられる。
前記一般式（３−１）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体としては、例えば、下記一般式（３−１−Ａ）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体などが挙げられる。
前記一般式（３−Ａ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びＲ^４は、前記一般式（３）におけるＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びＲ^４とそれぞれ同じである。
前記一般式（３−１−Ａ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^１１、及びｘは、前記一般式（３−１）におけるＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^１１、及びｘとそれぞれ同じである。

＜＜Ｒ^２＞＞
前記Ｒ^２としては、Ｎの保護基であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、メチル基、エチル基、アリル基、ベンゼンスルホニル基などが挙げられる。これらの中でも、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基が、反応性、及び立体選択性の点で、好ましい。

＜＜Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１１＞＞
前記Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、及びＲ^１１の具体例について、以下に説明する。

−アルール基−
前記アリール基としては、単環式又は縮合多環式の芳香族炭化水素基などが挙げられる。前記アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基などが挙げられる。

−ヘテロアリール基−
前記ヘテロアリール基としては、単環式ヘテロアリール基、縮合多環式ヘテロアリール基などが挙げられる。前記ヘテロアリール基における環構成ヘテロ原子の個数としては、特に限定されないが、１個ないし数個、好ましくは１個ないし５個程度である。前記ヘテロアリール基が、２個以上の環構成ヘテロ原子を含む場合には、それらは同一でもよいし、異なっていてもよい。前記ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、窒素原子、イオウ原子などが挙げられる。

−−単環式ヘテロアリール基−−
前記単環式ヘテロアリール基としては、例えば、５員環から７員環の単環式ヘテロアリール基などが挙げられる。そのような前記単環式ヘテロアリール基としては、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、４−イソオキサゾリル基、５−イソオキサゾリル基、２−チアゾリル基、４−チアゾリル基、５−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、４−イソチアゾリル基、５−イソチアゾリル基、１−イミダゾリル基、２−イミダゾリル基、４−イミダゾリル基、５−イミダゾリル基、１−ピラゾリル基、３−ピラゾリル基、４−ピラゾリル基、５−ピラゾリル基、（１，２，３−オキサジアゾール）−４−イル基、（１，２，３−オキサジアゾール）−５−イル基、（１，２，４−オキサジアゾール）−３−イル基、（１，２，４−オキサジアゾール）−５−イル基、（１，２，５−オキサジアゾール）−３−イル基、（１，２，５−オキサジアゾール）−４−イル基、（１，３，４−オキサジアゾール）−２−イル基、（１，３，４−オキサジアゾール）−５−イル基、フラザニル基、（１，２，３−チアジアゾール）−４−イル基、（１，２，３−チアジアゾール）−５−イル基、（１，２，４−チアジアゾール）−３−イル基、（１，２，４−チアジアゾール）−５−イル基、（１，２，５−チアジアゾール）−３−イル基、（１，２，５−チアジアゾール）−４−イル基、（１，３，４−チアジアゾリル）−２−イル基、（１，３，４−チアジアゾリル）−５−イル基、（１Ｈ−１，２，３−トリアゾール）−１−イル基、（１Ｈ−１，２，３−トリアゾール）−４−イル基、（１Ｈ−１，２，３−トリアゾール）−５−イル基、（２Ｈ−１，２，３−トリアゾール）−２−イル基、（２Ｈ−１，２，３−トリアゾール）−４−イル基、（１Ｈ−１，２，４−トリアゾール）−１−イル基、（１Ｈ−１，２，４−トリアゾール）−３−イル基、（１Ｈ−１，２，４−トリアゾール）−５−イル基、（４Ｈ−１，２，４−トリアゾール）−３−イル基、（４Ｈ−１，２，４−トリアゾール）−４−イル基、（１Ｈ−テトラゾール）−１−イル基、（１Ｈ−テトラゾール）−５−イル基、（２Ｈ−テトラゾール）−２−イル基、（２Ｈ−テトラゾール）−５−イル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、３−ピリダジニル基、４−ピリダジニル基、２−ピリミジニル基、４−ピリミジニル基、５−ピリミジニル基、２−ピラジニル基、（１，２，３−トリアジン）−４−イル基、（１，２，３−トリアジン）−５−イル基、（１，２，４−トリアジン）−３−イル基、（１，２，４−トリアジン）−５−イル基、（１，２，４−トリアジン）−６−イル基、（１，３，５−トリアジン）−２−イル基、１−アゼピニル基、１−アゼピニル基、２−アゼピニル基、３−アゼピニル基、４−アゼピニル基、（１，４−オキサゼピン）−２−イル基、（１，４−オキサゼピン）−３−イル基、（１，４−オキサゼピン）−５−イル基、（１，４−オキサゼピン）−６−イル基、（１，４−オキサゼピン）−７−イル基、（１，４−チアゼピン）−２−イル基、（１，４−チアゼピン）−３−イル基、（１，４−チアゼピン）−５−イル基、（１，４−チアゼピン）−６−イル基、（１，４−チアゼピン）−７−イル基などが挙げられる。

−−縮合多環式ヘテロアリール基−−
前記縮合多環式ヘテロアリール基としては、例えば、８員環から１４員環の縮合多環式ヘテロアリール基などが挙げられる。そのような前記縮合多環式ヘテロアリール基としては、例えば、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、２−ベンゾ［ｂ］チエニル基、３−ベンゾ［ｂ］チエニル基、４−ベンゾ［ｂ］チエニル基、５−ベンゾ［ｂ］チエニル基、６−ベンゾ［ｂ］チエニル基、７−ベンゾ［ｂ］チエニル基、１−ベンゾ［ｃ］チエニル基、４−ベンゾ［ｃ］チエニル基、５−ベンゾ［ｃ］チエニル基、１−インドリル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、（２Ｈ−イソインドール）−１−イル基、（２Ｈ−イソインドール）−２−イル基、（２Ｈ−イソインドール）−４−イル基、（２Ｈ−イソインドール）−５−イル基、（１Ｈ−インダゾール）−１−イル基、（１Ｈ−インダゾール）−３−イル基、（１Ｈ−インダゾール）−４−イル基、（１Ｈ−インダゾール）−５−イル基、（１Ｈ−インダゾール）−６−イル基、（１Ｈ−インダゾール）−７−イル基、（２Ｈ−インダゾール）−１−イル基、（２Ｈ−インダゾール）−２−イル基、（２Ｈ−インダゾール）−４−イル基、（２Ｈ−インダゾール）−５−イル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ベンゾオキサゾリル基、４−ベンゾオキサゾリル基、５−ベンゾオキサゾリル基、６−ベンゾオキサゾリル基、７−ベンゾオキサゾリル基、（１，２−ベンゾイソオキサゾール）−３−イル基、（１，２−ベンゾイソオキサゾール）−４−イル基、（１，２−ベンゾイソオキサゾール）−５−イル基、（１，２−ベンゾイソオキサゾール）−６−イル基、（１，２−ベンゾイソオキサゾール）−７−イル基、（２，１−ベンゾイソオキサゾール）−３−イル基、（２，１−ベンゾイソオキサゾール）−４−イル基、（２，１−ベンゾイソオキサゾール）−５−イル基、（２，１−ベンゾイソオキサゾール）−６−イル基、（２，１−ベンゾイソオキサゾール）−７−イル基、２−ベンゾチアゾリル基、４−ベンゾチアゾリル基、５−ベンゾチアゾリル基、６−ベンゾチアゾリル基、７−ベンゾチアゾリル基、（１，２−ベンゾイソチアゾール）−３−イル基、（１，２−ベンゾイソチアゾール）−４−イル基、（１，２−ベンゾイソチアゾール）−５−イル基、（１，２−ベンゾイソチアゾール）−６−イル基、（１，２−ベンゾイソチアゾール）−７−イル基、（２，１−ベンゾイソチアゾール）−３−イル基、（２，１−ベンゾイソチアゾール）−４−イル基、（２，１−ベンゾイソチアゾール）−５−イル基、（２，１−ベンゾイソチアゾール）−６−イル基、（２，１−ベンゾイソチアゾール）−７−イル基、（１，２，３−ベンゾオキサジアゾール）−４−イル基、（１，２，３−ベンゾオキサジアゾール）−５−イル基、（１，２，３−ベンゾオキサジアゾール）−６−イル基、（１，２，３−ベンゾオキサジアゾール）−７−イル基、（２，１，３−ベンゾオキサジアゾール）−４−イル基、（２，１，３−ベンゾオキサジアゾール）−５−イル基、（１，２，３−ベンゾチアジアゾール）−４−イル基、（１，２，３−ベンゾチアジアゾール）−５−イル基、（１，２，３−ベンゾチアジアゾール）−６−イル基、（１，２，３−ベンゾチアジアゾール）−７−イル基、（２，１，３−ベンゾチアジアゾール）−４−イル基、（２，１，３−ベンゾチアジアゾール）−５−イル基、（１Ｈ−ベンゾトリアゾール）−１−イル基、（１Ｈ−ベンゾトリアゾール）−４−イル基、（１Ｈ−ベンゾトリアゾール）−５−イル基、（１Ｈ−ベンゾトリアゾール）−６−イル基、（１Ｈ−ベンゾトリアゾール）−７−イル基、（２Ｈ−ベンゾトリアゾール）−２−イル基、（２Ｈ−ベンゾトリアゾール）−４−イル基、（２Ｈ−ベンゾトリアゾール）−５−イル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、３−シンノリニル基、４−シンノリニル基、５−シンノリニル基、６−シンノリニル基、７−シンノリニル基、８−シンノリニル基、２−キナゾリニル基、４−キナゾリニル基、５−キナゾリニル基、６−キナゾリニル基、７−キナゾリニル基、８−キナゾリニル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−フタラジニル基、５−フタラジニル基、６−フタラジニル基、２−ナフチリジニル基、３−ナフチリジニル基、４−ナフチリジニル基、２−プリニル基、６−プリニル基、７−プリニル基、８−プリニル基、２−プテリジニル基、４−プテリジニル基、６−プテリジニル基、７−プテリジニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、２−（α−カルボリニル）基、３−（α−カルボリニル）基、４−（α−カルボリニル）基、５−（α−カルボリニル）基、６−（α−カルボリニル）基、７−（α−カルボリニル）基、８−（α−カルボリニル）基、９−（α−カルボリニル）基、１−（β−カルボニリル）基、３−（β−カルボニリル）基、４−（β−カルボニリル）基、５−（β−カルボニリル）基、６−（β−カルボニリル）基、７−（β−カルボニリル）基、８−（β−カルボニリル）基、９−（β−カルボニリル）基、１−（γ−カルボリニル）基、２−（γ−カルボリニル）基、４−（γ−カルボリニル）基、５−（γ−カルボリニル）基、６−（γ−カルボリニル）基、７−（γ−カルボリニル）基、８−（γ−カルボリニル）基、９−（γ−カルボリニル）基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、２−フェナントロリニル基、３−フェナントロリニル基、４−フェナントロリニル基、５−フェナントロリニル基、６−フェナントロリニル基、７−フェナントロリニル基、８−フェナントロリニル基、９−フェナントロリニル基、１０−フェナントロリニル基、１−チアントレニル基、２−チアントレニル基、１−インドリジニル基、２−インドリジニル基、３−インドリジニル基、５−インドリジニル基、６−インドリジニル基、７−インドリジニル基、８−インドリジニル基、１−フェノキサチイニル基、２−フェノキサチイニル基、３−フェノキサチイニル基、４−フェノキサチイニル基、チエノ［２，３−ｂ］フリル基、ピロロ［１，２−ｂ］ピリダジニル基、ピラゾロ［１，５−ａ］ピリジル基、イミダゾ［１１，２−ａ］ピリジル基、イミダゾ［１，５−ａ］ピリジル基、イミダゾ［１，２−ｂ］ピリダジニル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリミジニル基、１，２，４−トリアゾロ［４，３−ａ］ピリジル基、１，２，４−トリアゾロ［４，３−ａ］ピリダジニル基などが挙げられる。

−アルキル基−
前記アルキル基としては、直鎖状、分枝鎖状、環状、それらの組合せからなるアルキル基などが挙げられる。そのような前記アルキル基としては、Ｃ_１〜Ｃ_１５アルキル基が好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキル基がより好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル基が特に好ましい。
前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロプロピルメチル基、１−シクロプロピルエチル基、２−シクロプロピルエチル基、３−シクロプロピルプロピル基、４−シクロプロピルブチル基、５−シクロプロピルペンチル基、６−シクロプロピルヘキシル基、シクロブチルメチル基、シクロペンチルメチル基、シクロブチルメチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルプロピル基、シクロヘキシルブチル基、シクロヘプチルメチル基、シクロオクチルメチル基、６−シクロオクチルヘキシルなどが挙げられる。
また、環状アルキル基には、前記ヘテロアリール基の二重結合の全てを単結合に置き換えた飽和ヘテロ環基も包含される。

−アルケニル基−
前記アルケニル基としては、直鎖状、分枝鎖状、環状、それらの組合せからなるアルケニル基などが挙げられる。そのような前記アルケニル基としては、Ｃ_２〜Ｃ_１５アルケニル基が好ましく、Ｃ_２〜Ｃ_１０アルケニル基がより好ましく、Ｃ_２〜Ｃ_６アルケニル基が特に好ましい。
前記アルケニル基に含まれる二重結合の数は特に限定されないが、例えば、１〜数個であり、１又は２個程度が好ましい。
前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロパ−１−エン−１−イル基、アリル基、イソプロペニル基、ブタ−１−エン−１−イル基、ブタ−２−エン−１−イル基、ブタ−３−エン−１−イル基、２−メチルプロパ−２−エン−１−イル基、１−メチルプロパ−２−エン−１−イル基、ペンタ−１−エン−１−イル基、ペンタ−２−エン−１−イル基、ペンタ−３−エン−１−イル基、ペンタ−４−エン−１−イル基、３−メチルブタ−２−エン−１−イル基、３−メチルブタ−３−エン−１−イル基、ヘキサ−１−エン−１−イル基、ヘキサ−２−エン−１−イル基、ヘキサ−３−エン−１−イル基、ヘキサ−４−エン−１−イル基、ヘキサ−５−エン−１−イル基、４−メチルペンタ−３−エン−１−イル基、４−メチルペンタ−３−エン−１−イル基、ヘプタ−１−エン−１−イル基、ヘプタ−６−エン−１−イル基、オクタ−１−エン−１−イル基、オクタ−７−エン−１−イル基、ノナ−１−エン−１−イル基、ノナ−８−エン−１−イル基、デカ−１−エン−１−イル基、デカ−９−エン−１−イル基、ウンデカ−１−エン−１−イル基、ウンデカ−１０−エン−１−イル基、ドデカ−１−エン−１−イル基、ドデカ−１１−エン−１−イル基、トリデカ−１−エン−１−イル基、トリデカ−１２−エン−１−イル基、テトラデカ−１−エン−１−イル基、テトラデカ−１３−エン−１−イル基、ペンタデカ−１−エン−１−イル基、ペンタデカ−１４−エン−１−イル基、２−シクロプロペン−１−イル基、２−シクロブテン−１−イル基、２−シクロペンテン−１−イル基、３−シクロペンテン−１−イル基、２−シクロヘキセン−１−イル基、１−シクロヘキセン−１−イル基、３−シクロヘキセン−１−イル基、１−シクロブテン−１−イル基、１−シクロペンテン−１−イル基、２−シクロヘキセン−１−イルメチル基、２−シクロヘキセン−１−イルメチル基などが挙げられる。
また、環状アルケニル基には、前記アリール基の二重結合のうち少なくとも１個の二重結合を除く任意の個数の二重結合を単結合に置き換えた部分飽和炭素環基、あるいは前記ヘテロアリール基の二重結合のうち少なくとも１個の二重結合を除く任意の個数の二重結合を単結合に置き換えた部分飽和ヘテロ環基等も包含される。

−アルキニル基−
前記アルキニル基としては、例えば、直鎖状のアルキニル基、分枝鎖状のアルキニル基などが挙げられる。そのような前記アルキニル基としては、Ｃ_２〜Ｃ_１５アルキニル基が好ましく、Ｃ_２〜Ｃ_１０アルキニル基がより好ましく、Ｃ_２〜Ｃ_６アルキニル基が特に好ましい。
前記アルキニル基に含まれる三重結合の数は特に限定されないが、例えば、１〜数個であり、１又は２個程度が好ましい。前記アルキニル基は、１個〜数個の二重結合を含んでいてもよい。また、前記アルキニル基は、環状アルキル基又は環状アルケニル基と組み合わされていてもよい。
前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパ−１−イン−１−イル基、プロパ−２−イン−１−イル基、ブタ−１−イン−１−イル基、ブタ−３−イン−１−イル基、１−メチルプロパ−２−イン−１−イル基、ペンタ−１−イン−１−イル基、ペンタ−４−イン−１−イル基、ヘキサ−１−イン−１−イル基、ヘキサ−５−イン−１−イル基、ヘプタ−１−イン−１−イル基、ヘプタ−６−イン−１−イル基、オクタ−１−イン−１−イル基、オクタ−７−イン−１−イル基、ノナ−１−イン−１−イル基、ノナ−８−イン−１−イル基、デカ−１−イン−１−イル基、デカ−９−イン−１−イル基、ウンデカ−１−イン−１−イル基、ウンデカ−１０−イン−１−イル基、ドデカ−１−イン−１−イル基、ドデカ−１１−イン−１−イル基、トリデカ−１−イン−１−イル基、トリデカ−１２−イン−１−イル基、テトラデカ−１−イン−１−イル基、テトラデカ−１３−イン−１−イル基、ペンタデカ−１−イン−１−イル基、ペンタデカ−１４−イン−１−イル基などが挙げられる。

−−置換−−
本明細書において有機基（例えば、前記アリール基、前記ヘテロアリール基、前記アルキル基、前記アルケニル基、前記アルキニル基など）について「置換」という場合には、前記有機基上の化学的に可能な位置に１個又は２個以上の置換基が存在することを意味する。前記有機基に存在する置換基の種類、置換基の個数、及び置換位置は、特に限定されず、２個以上の置換基が存在する場合には、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。

前記有機基に存在する置換基としては、例えば、ハロゲン原子、オキソ基、チオキソ基、ニトロ基、ニトロソ基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、チオシアナト基、イソシアナト基、イソチオシアナト基、ヒドロキシ基、スルファニル基、カルボキシ基、スルファニルカルボニル基、オキサロ基、メソオキサロ基、チオカルボキシ基、ジチオカルボキシ基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、スルホ基、スルファモイル基、スルフィノ基、スルフィナモイル基、スルフェノ基、スルフェナモイル基、ホスホノ基、ヒドロキシホスホニル基、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルキル基、Ｃ_２〜Ｃ_６のアルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、１−プロペニル基等）、Ｃ_２〜Ｃ_６のアルキニル基（例えば、エチニル基、１−プロピニル基等）、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルキリデン基、Ｃ_６〜Ｃ_１０のアリール基、Ｃ_７〜Ｃ_１２のアラルキル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基等）、Ｃ_７〜Ｃ_１２のアラルキリデン基（例えば、ベンジリデン基、フェネチリデン基、１−ナフチルメチリデン基、２−ナフチルメチリデン基等）、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルコキシ基、Ｃ_６〜Ｃ_１０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等）、Ｃ_７〜Ｃ_１２のアラルキルオキシ基〔例えば、ベンジルオキシ基、（１−ナフチルメチル）オキシ基、（２−ナフチルメチル）オキシ基等〕、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルキルスルファニル基（例えば、メチルスルファニル基、エチルスルファニル基等）、Ｃ_６〜Ｃ_１０のアリールスルファニル基（例えば、フェニルスルファニル基、１−ナフチルスルファニル基、２−ナフチルスルファニル基等）、Ｃ_７〜Ｃ_１２のアラルキルオキシスルファニル基〔例えば、ベンジルスルファニル基、（１−ナフチルメチル）スルファニル基、（２−ナフチルメチル）スルファニル基等〕、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルカノイル基（例えば、アセチル基、プロピオニル基、ｎ−ブチリル基、ピバロイル基等）、Ｃ_６〜Ｃ_１０のアロイル基（例えば、ベンゾイル基、１−ナフトイル基、２−ナフトイル基等）、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、プロパンスルホニル基等）、Ｃ_６〜Ｃ_１０のアリールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル基、１−ナフタレンスルホニル基、２−ナフタレンスルホニル基等）、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルコキシカルボニル基、アミノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、ジアゼニル基、ウレイド基、チオウレイド基、グアニジノ基、カルバモイミドイル基（アミジノ基）、アジド基、イミノ基、ヒドロキシアミノ基、ヒドロキシイミノ基、アミノオキシ基、ジアゾ基、セミカルバジノ基、セミカルバゾノ基、アロファニル基、ヒダントイル基、ホスファノ基、ホスホロソ基、ホスホ基、ボリル基、シリル基、スタニル基、セラニル基、オキシド基、ヘテロアリール基、ヘテロアリール基の二重結合の一部又は全てを単結合に置き換えた部分飽和若しくは完全飽和ヘテロ環基などが挙げられる。

これらの置換基は、更に１種又は２種以上の他の置換基により置換されていてもよい。そのような例として、例えば、Ｃ_１〜Ｃ_６のハロゲン化アルキル基（例えば、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基等）、Ｃ_１〜Ｃ_６のハロゲン化アルコキシ基（例えば、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基等）、カルボキシ置換Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル基（例えば、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基等）、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換アミノ基（例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基等）などが挙げられる。

＜銅−光学活性ホスフィン錯体＞
前記銅−光学活性ホスフィン錯体は、銅と光学活性ホスフィン化合物との錯体である。前記光学活性ホスフィン化合物は、光学活性ホスフィン配位子ともいう。
前記銅−光学活性ホスフィン錯体は、銅化合物及び光学活性ホスフィン化合物から得られる。

＜＜銅化合物＞＞
前記銅化合物としては、前記銅−光学活性ホスフィン錯体を形成可能であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、下記一般式（Ａ）で表される化合物などが挙げられる。
ただし、前記一般式（Ａ）中、Ｘは、Ｃｌ、ＮＯ_３、ＣｌＯ_４、ＰＦ_６、及びＢＦ_４のいずれかを表す。

前記銅化合物は、前記一般式（Ａ）で表される化合物以外に、以下の化合物などが挙げられる。
［Ｃｕ（Ｃ_５Ｈ_５Ｎ）_４］Ｘ（「Ｃ_５Ｈ_５Ｎ」は、ピリジンを表す。）
［Ｃｕ（ｂｐｙ）_２］Ｘ（「ｂｐｙ」は、２，２’−ビピリジンを表す。）
［Ｃｕ（Ｃ_３Ｈ_４Ｎ_２）_４］Ｘ_２（「Ｃ_３Ｈ_４Ｎ_２」は、イミダゾールを表す。）
［Ｃｕ（ｐｈｅｎ）_２］Ｘ_２（「ｐｈｅｎ」は、１，１０−フェナントロリンを表す。）
［Ｃｕ（Ｃ_１４Ｈ_３２Ｎ_４）］Ｘ_２（「Ｃ_１４Ｈ_３２Ｎ_４」は、１，４，８，１１−テトラメチル−１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデカンを表す。）
［ＣｕＸ（ｔｍｐａ）］Ｘ’（「ｔｍｐａ」は、トリス（２−ピリジルメチル）アミンを表す。）
［Ｃｕ（ｔｍｐａ）（ＣＨ_３ＣＮ）］Ｘ
［｛Ｃｕ（Ｃ_５Ｈ_５Ｎ）_３｝_２（Ｏ_２）］Ｘ_２
［｛Ｃｕ（ｔｍｐａ）｝_２（Ｏ_２）］Ｘ
ただし、前記化合物において、Ｘ、及びＸ’は、Ｃｌ、ＮＯ_３、ＣｌＯ_４、ＰＦ_６、及びＢＦ_４のいずれかを表す。

＜＜光学活性ホスフィン化合物＞＞
前記光学活性ホスフィン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シクロヘキシルアニシルメチルホスフィン（ＣＡＭＰ）、１，２−ビス（アニシルフェニルホスフィノ）エタン（ＤＩＰＡＭＰ）、１，２−ビス（アルキルメチルホスフィノ）エタン（ＢｉｓＰ＊）、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ）、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（ＰＲＯＰＨＯＳ）、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５−ノルボルネン（ＮＯＲＰＨＯＳ）、２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（ＤＩＯＰ）、１−シクロヘキシル−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン（ＣＹＣＰＨＯＳ）、１−置換−３，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン（ＤＥＧＰＨＯＳ）、２，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ペンタン（ＳＫＥＷＰＨＯＳ）、１，２−ビス（置換ホスホラノ）ベンゼン（ＤｕＰＨＯＳ）、１，２−ビス（置換ホスホラノ）エタン（ＢＰＥ）、１−（（置換ホスホラノ）−２−（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−Ｐｈ）、１−（ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−２−（置換ホスホラノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−ＤＭ）、１−（（置換ホスホラノ）−２−（ビス（３，５−ジ（ｔ−ブチル）−４−メトキシフェニル）ホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−ＤＴＢＭ）、１−（（置換ホスホラノ）−２−（ジ−ナフタレン−１−イル−ホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−（１−Ｎａｐ））、１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（ＢＰＰＦＡ）、１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアルコール（ＢＰＰＦＯＨ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ジシクロペンタン（ＢＩＣＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−（５，５’，６，６’，７，７’，８，８’，−オクタヒドロビナフチル）（Ｈ_８−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＴＯＬ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル（ＢＩＣＨＥＰ）、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）（ビスジフェニルホスフィン）（ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）（ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン）（ＤＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）（ビス（３，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）−４−メトキシフェニル）ホスフィン）（ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）などが挙げられる。

前記光学活性ホスフィン化合物としては、触媒活性、及び立体選択性の点で、下記一般式（Ｂ）で表される化合物が好ましく、下記一般式（Ｂ−１）で表される化合物、及び下記一般式（Ｂ−２）で表される化合物のいずれかであることがより好ましい。

−一般式（Ｂ）、一般式（Ｂ−１）、一般式（Ｂ−２）−
ただし、前記一般式（Ｂ）中、Ｒａは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。ｍは、０〜２の整数を表す。ｍが２の場合には、２つの前記Ｒａは、結合して環構造を形成してもよい。Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基を表す。

ただし、前記一般式（Ｂ−１）中、Ｒａは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。前記一般式（Ｂ−１）、及び一般式（Ｂ−２）中、Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基を表す。

前記一般式（Ｂ）で表される化合物としては、例えば、下記一般式（Ｂ−Ａ）で表される化合物、下記一般式（Ｂ−Ｂ）で表される化合物などが挙げられる。
前記一般式（Ｂ−１）で表される化合物としては、例えば、下記一般式（Ｂ−Ａ−１）で表される化合物、下記一般式（Ｂ−Ｂ−１）で表される化合物などが挙げられる。
前記一般式（Ｂ−２）で表される化合物としては、例えば、下記一般式（Ｂ−Ａ−２）で表される化合物、下記一般式（Ｂ−Ｂ−２）で表される化合物などが挙げられる。

−−一般式（Ｂ−Ａ）、一般式（Ｂ−Ｂ）、一般式（Ｂ−Ａ−１）、一般式（Ｂ−Ｂ−１）、一般式（Ｂ−Ａ−２）、一般式（Ｂ−Ｂ−２）−−
ただし、前記一般式（Ｂ−Ａ）及び一般式（Ｂ−Ｂ）中、Ｒａは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。ｍは、０〜２の整数を表す。ｍが２の場合には、２つの前記Ｒａは、結合して環構造を形成してもよい。Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基を表す。

ただし、前記一般式（Ｂ−Ａ−１）、及び一般式（Ｂ−Ｂ−１）中、Ｒａは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。前記一般式（Ｂ−Ａ−１）、一般式（Ｂ−Ｂ−１）、一般式（Ｂ−Ａ−２）、及び一般式（Ｂ−Ｂ−２）中、Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基を表す。

−−Ｒａ−−
前記Ｒａにおける置換若しくは無置換アリール基としては、例えば、前記Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、及びＲ^１１の説明において例示した置換若しくは無置換アリール基などが挙げられる。
前記Ｒａにおける置換若しくは無置換ヘテロアリール基としては、例えば、前記Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、及びＲ^１１の説明において例示した置換若しくは無置換ヘテロアリール基などが挙げられる。
前記Ｒａにおける置換若しくは無置換アルキル基としては、例えば、前記Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、及びＲ^１１の説明において例示した置換若しくは無置換アルキル基などが挙げられる。
前記Ｒａにおける置換若しくは無置換アルケニル基としては、例えば、前記Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、及びＲ^１１の説明において例示した置換若しくは無置換アルケニル基などが挙げられる。
前記Ｒａにおける置換若しくは無置換アルキニル基としては、例えば、前記Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、及びＲ^１１の説明において例示した置換若しくは無置換アルキニル基などが挙げられる。
これらの中でも、前記Ｒａは、不斉反応における立体選択性の点から炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜３のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。

−−Ａｒ−−
前記Ａｒとしては、置換基を有していてもよいアリール基であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記アリール基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記Ｒａの説明において挙げたアリール基などが挙げられる。これらの中でもフェニル基が好ましい。

前記置換基を有していてもよいアリール基における置換基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルキル基、アルコキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基などが挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜４のアルキル基が特に好ましい。前記炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。これらの中でも、ｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。
前記アルコキシ基としては、炭素数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜６のアルコキシ基がより好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ基が特に好ましい。前記炭素数１〜４のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基などが挙げられる。これらの中でも、メトキシ基が好ましい。
前記置換基を有していてもよいアミノ基としては、例えば、アミノ基（−ＮＨ_２）、ジアルキルアミノ基などが挙げられる。前記ジアルキルアミノ基におけるアルキル基としては、例えば、炭素数１〜３のアルキル基などが挙げられる。

前記置換基を有していてもよいアリール基における前記置換基の置換位置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記置換基を有していてもよいアリール基における前記置換基の数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１個〜３個などが挙げられる。

＜＜銅−光学活性ホスフィン錯体の合成方法＞＞
前記銅−光学活性ホスフィン錯体の合成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、不活性雰囲気中で、前記銅化合物と前記光学活性ホスフィン化合物とを、必要に応じて溶媒中で混合することにより得ることができる。

前記銅−光学活性ホスフィン錯体の合成における前記銅化合物及び前記光学活性ホスフィン化合物の使用量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記銅化合物１．０モルに対して、前記光学活性ホスフィン化合物が、１．０モル〜２．０モルが好ましく、１．０モル〜１．３モルがより好ましい。前記銅化合物１．０モルに対する前記光学活性ホスフィン化合物の使用量が、１．０モル未満であると、立体選択性が低下することがあり、２．０モルを超えると、触媒活性が低下することがある。前記使用量が、前記より好ましい範囲内であると、立体選択性及び触媒活性の点で有利である。

前記不活性雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルゴン雰囲気などが挙げられる。

前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、トルエンなどが挙げられる。前記トルエンは、無水トルエンであることが好ましい。

前記銅−光学活性ホスフィン錯体の合成における反応温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、室温などが挙げられる。前記室温としては、例えば、２０℃〜３０℃が挙げられる。
前記銅−光学活性ホスフィン錯体の合成における反応時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．５時間〜２時間などが挙げられる。

＜光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法の反応条件＞
前記光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法においては、前記銅−光学活性ホスフィン錯体及び必要に応じて塩基を用いる。

＜＜銅−光学活性ホスフィン錯体の使用量＞＞
前記一般式（１）で表される化合物と、前記一般式（２）で表される化合物との反応における前記銅−光学活性ホスフィン錯体の使用量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記一般式（２）で表される化合物に対して、１モル％〜２０モル％が好ましく、３モル％〜１５モル％がより好ましい。前記銅−光学活性ホスフィン錯体の使用量が、１モル％未満であると、立体選択性が低下することがあり、２０モル％を超えると、触媒量が多く、合成コストが高くなることがある。前記銅−光学活性ホスフィン錯体の使用量が、前記より好ましい範囲内であると、高い立体選択性を有し、かつ安価に不斉マンニッヒ反応を行うことができる点で有利である。

＜＜一般式（１）で表される化合物の使用量＞＞
前記一般式（１）で表される化合物と、前記一般式（２）で表される化合物との反応における前記一般式（１）で表される化合物の使用量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記一般式（２）で表される化合物１モルに対して、１モル以上が好ましく、１モル〜３モルがより好ましい。前記一般式（１）で表される化合物の使用量が、前記一般式（２）で表される化合物１モルに対して、１モル未満であると、反応の収率が低下することがあり、３モルを超えると、精製に手間が掛かることがある。前記一般式（１）で表される化合物の使用量が、前記より好ましい範囲内であると、反応の収率がよく、かつ精製などに手間が掛からずに合成することができる点で有利である。

＜＜塩基＞＞
前記塩基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、グアニジン塩基、アミジン塩基、ホスファゼン塩基、下記一般式（Ｉ）で表されるリチウム化合物などが挙げられる。
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒ^２０１は、置換若しくは無置換アリール基、及び置換若しくは無置換アルキル基のいずれかを表す。

−グアニジン塩基−
前記グアニジン塩基としては、グアニジン骨格を有する塩基であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、下記一般式（Ｃ）で表されるグアニジン化合物などが挙げられる。
ただし、前記一般式（Ｃ）中、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０５は、それぞれ独立して、水素原子、及び炭素数１〜６のアルキル基のいずれかを表す。Ｒ^１０１及びＲ^１０２は、前記Ｒ^１０１に結合するＮ、前記Ｒ^１０２に結合するＮ、及び２つの前記Ｎに結合するＣと一緒に環構造を形成していてもよい。Ｒ^１０３及びＲ^１０４は、前記Ｒ^１０３に結合するＮ、前記Ｒ^１０４に結合するＮ、及び２つの前記Ｎに結合するＣと一緒に環構造を形成していてもよい。

前記グアニジン化合物としては、例えば、下記構造式で表されるグアニジン化合物などが挙げられる。
ここで、「ｔ−Ｂｕ」は、ｔｅｒｔ−ブチル基を表す。

−アミジン塩基−
前記アミジン塩基としては、アミジン骨格を有する塩基であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン（ＤＢＮ）などが挙げられる。

−ホスファゼン塩基−
前記ホスファゼン塩基としては、フォスファゼン骨格を有する塩基であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルキルイミノ−トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン（ただし、アルキルは炭素数１〜８個のアルキル基である。）、アルキルイミノ−トリス（ピロリジノ）ホスホラン（ただし、アルキルは炭素数１〜８個のアルキル基である。）などが挙げられる。

−一般式（Ｉ）で表されるリチウム化合物−
前記一般式（Ｉ）で表されるリチウム化合物としては、例えば、メトキシリチウム、エトキシリチウム、ｎ−プロポキシリチウム、ｉ−プロポキシリチウム、ｎ−ブトキシリチウム、ｓｅｃ−ブトキシリチウム、ｔ−ブトキシリチウム、ペンチロキシリチウム、ヘキシロキシリチウム、ヘチロキシリチウム、オクチロキシリチウム、フェノキシリチウム、４−メチルフェノキシリチウム、４−メトキシフェノキシリチウム、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシリチウム、ベンジロキシリチウムなどが挙げられる。

−塩基の使用量−
前記一般式（１）で表される化合物と、前記一般式（２）で表される化合物との反応における前記塩基の使用量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、触媒活性、及び立体選択性の点から、前記一般式（２）で表される化合物に対して、１モル％〜２０モル％が好ましく、３モル％〜１５モル％がより好ましい。

＜＜有機溶媒＞＞
前記一般式（１）で表される化合物と、前記一般式（２）で表される化合物との反応では、有機溶媒を用いることが好ましい。前記有機溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トルエン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、塩化メチレンなどが挙げられる。前記有機溶媒の使用量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

＜＜反応温度＞＞
前記一般式（１）で表される化合物と、前記一般式（２）で表される化合物との反応における反応温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０℃〜４０℃が好ましく、室温がより好ましい。前記室温とは、２０℃〜３０℃の温度である。

＜＜反応時間＞＞
前記一般式（１）で表される化合物と、前記一般式（２）で表される化合物との反応における反応時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１時間〜７２時間が好ましく、６時間〜３６時間がより好ましく、１０時間〜２８時間が特に好ましい。前記反応時間が、１時間未満であると、反応収率が低下することがあり、７２時間を超えると、副反応が進行することがある。前記反応時間が、前記特に好ましい範囲内であると、反応収率の点で有利である。

以下に本発明の実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
なお、以下の実施例において、「ＴＨＦ」は「テトラヒドロフラン」を表す。「Ｍｅ」は「メチル基」を表す。「^ｉＰｒ」は「イソプロピル基」を表す。「Ｐｈ」は「フェニル基」を表す。「Ｂｏｃ」は「ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基」を表す。「ｔ−Ｂｕ」は「ｔｅｒｔ−ブチル基」を表す。「Ｃ_６Ｈ_４」は「フェニレン基」を表す。

（実施例１）
＜光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の合成＞
以下の反応スキームで、光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体（下記化合物３ａａ）の合成を行った。

加熱真空乾燥した２０ｍＬスリ付き試験管に、［Ｃｕ（ＣＨ_３ＣＮ）_４］ＰＦ_６（１１．１ｍｇ，０．０３ｍｍｏｌ、ｓｉｇｍａ−ａｌｄｒｉｃｈ社製）と、（Ｒ）−ＤＩＰＡ−ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＰ（３９．３ｍｇ，０．０３６ｍｍｏｌ、ｓｉｇｍａ−ａｌｄｒｉｃｈ社製）とを測りとり、室温でＴＨＦ（０．９ｍＬ）を入れて、Ａｒ下１時間撹拌し、銅触媒溶液（０．０３３Ｍ／ＴＨＦ）を調製した。
別途加熱真空乾燥した２０ｍＬスリ付き試験管にα−ＣＦ_３アミド２ａ（２３．０ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ、通常のアミド縮合により合成）を測りとり、Ａｒ雰囲気下に前記銅触媒溶液（０．１５ｍＬ，０．００５ｍｍｏｌ）とＢａｒｔｏｎ塩基（２％ ｖ／ｖ ｉｎ ＴＨＦ，０．０５ｍＬ、ｓｉｇｍａ−ａｌｄｒｉｃｈ社製）を室温にて加えて５分間撹拌した。Ｂｏｃイミン１ａ［４１．９μＬ，０．２ｍｍｏｌ、文献〔（ａ）Ａ． Ｍ． Ｋａｎａｚａｗａ， Ｊ． Ｄｅｎｉｓ， Ａ． Ｅ． Ｇｒｅｅｎｅ， Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． １９９４， ５９， １２３８．、及び（ｂ） Ｂ． Ｅ． Ｌｏｖｅ， Ｐ． Ｓ． Ｒａｊｅ， Ｔ． Ｃ． Ｗｉｌｌｉａｍｓ， Ｓｙｎｌｅｔｔ １９９４， ４９３．〕を参照して合成］を加え、室温下２４時間撹拌した。
反応溶液を分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１（体積比））にて精製し、生成物３ａａを得た（４０．８ｍｇ，９４％）。

光学純度は、ＨＰＬＣにて決定した（９８％ｅｅ； Ｃｈｉｒａｌｐａｋ ＩＡ （φ０．４６ｃｍ×２５ｃｍ）イソプロパノール／ヘキサン＝１／９（体積比），流速１．０ｍＬ／ｍｉｎ，検出２５４ｎｍ，保持時間１２．０分（ｓｙｎ−ｍｉｎｏｒ），１３．７分（ｓｙｎ−ｍａｊｏｒ），ｓｙｎ／ａｎｔｉ＞２０／１）。

（実施例２〜７）
実施例１において、Ｂｏｃイミン、銅触媒量、及び塩基量を、下記反応スキーム及び表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体を合成した。収率、ｓｙｎ／ａｎｔｉ比率（ｄｒ）、及び光学純度（ｅｅ）を表１に示した。

ａ：単離収率
ｂ、ｃ：キラルＨＰＬＣによって決定した。

実施例２〜７で用いたＢｏｃイミンは、文献〔（ａ）Ａ． Ｍ． Ｋａｎａｚａｗａ， Ｊ． Ｄｅｎｉｓ， Ａ． Ｅ． Ｇｒｅｅｎｅ， Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． １９９４， ５９， １２３８．、及び（ｂ） Ｂ． Ｅ． Ｌｏｖｅ， Ｐ． Ｓ． Ｒａｊｅ， Ｔ． Ｃ． Ｗｉｌｌｉａｍｓ， Ｓｙｎｌｅｔｔ １９９４， ４９３．〕を参照して合成した。

（実施例８）
＜光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の合成＞
以下の反応スキームで、光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体（下記化合物３ａｂ）の合成を行った。

加熱真空乾燥した２０ｍＬスリ付き試験管に、［Ｃｕ（ＣＨ_３ＣＮ）_４］ＰＦ_６（３．７ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ、ｓｉｇｍａ−ａｌｄｒｉｃｈ社製）と、（Ｒ）−Ｔｏｌ−ＢＩＮＡＰ（８．２ｍｇ，０．０１２ｍｍｏｌ、ｓｉｇｍａ−ａｌｄｒｉｃｈ社製）とを測りとり、室温でＴＨＦ（０．４ｍＬ）を入れてＡｒ下１時間撹拌した。α−ＣＦ_３アミド２ｂ（２１．８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ、通常のアミド縮合により合成）、ＬｉＯ−Ｃ_６Ｈ_４−ｐ−ＯＭｅ〔０．１ｍＬ，０．０１ｍｍｏｌ，０．１Ｍ／ＴＨＦ、ｎ−ＢｕＬｉ（関東化学社製）とＨＯ−Ｃ_６Ｈ_４−ｐ−ＯＭｅ（和光純薬工業社製）とを、等モルで混合して合成〕を順次加えて５分撹拌した。Ｂｏｃイミン１ａ［４１．９μＬ，０．２ｍｍｏｌ、文献〔（ａ）Ａ． Ｍ． Ｋａｎａｚａｗａ， Ｊ． Ｄｅｎｉｓ， Ａ． Ｅ． Ｇｒｅｅｎｅ， Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． １９９４， ５９， １２３８．、及び（ｂ） Ｂ． Ｅ． Ｌｏｖｅ， Ｐ． Ｓ． Ｒａｊｅ， Ｔ． Ｃ． Ｗｉｌｌｉａｍｓ， Ｓｙｎｌｅｔｔ １９９４， ４９３．〕を参照して合成］を加え，室温下１２時間撹拌した。
反応溶液を濃縮し、得られる粗生成物の^１Ｈ ＮＭＲ測定によりジアステレオ選択性を検定した（ｓｙｎ／ａｎｔｉ＝２／１）。粗生成物を分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１（体積比））にて精製し、生成物３ａｂを得た（２６．６ｍｇ，６３％）。

光学純度はＨＰＬＣにて決定した（８４％ｅｅ； Ｃｈｉｒａｌｐａｋ ＩＡ （φ０．４６ｃｍ×２５ｃｍ），イソプロパノール／ヘキサン＝１／４０（体積比），流速１．０ｍＬ／ｍｉｎ，検出２５４ｎｍ，保持時間３４．７分（ｍｉｎｏｒ），４０．６分（ｍａｊｏｒ）。

得られた光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の構造、及び^１Ｈ ＮＭＲ測定結果を以下に示した。

＜実施例１、実施例８＞

^１Ｈ ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．１８（ｂｒｓ， １Ｈ）， ７．４５（ｄ， Ｊ＝６．８Ｈｚ， １Ｈ）， ７．３５（ｄ， Ｊ＝６．５Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．２０−７．１６（ｍ， ３Ｈ）， ６．９５−６．９２（ｍ， １Ｈ）， ６．１９（ｔ， Ｊ＝７．８Ｈｚ， １Ｈ）， ５．５７−５．５４（ｍ， １Ｈ）， ５．４６（ｄ， Ｊ＝８．９Ｈｚ， １Ｈ）， ４．０６−４．０１（ｍ， １Ｈ）， ３．７９−３．７４（ｍ， １Ｈ）， ２．９８−２．９２（ｍ， １Ｈ）， ２．８８−２．８３（ｍ， １Ｈ）， １．３９（ｓ， ９Ｈ）．

＜実施例２＞

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．１６（ｄ， Ｊ＝４．４Ｈｚ， １Ｈ）， ７．４４（ｄ， Ｊ＝７．１Ｈｚ， １Ｈ）， ７．２３（ｂｒｓ， ２Ｈ）， ６．９３（ｔ， Ｊ＝５．３Ｈｚ，１Ｈ）， ６．７０（ｂｒｓ， ２Ｈ）， ６．１９（ｂｒｓ， １Ｈ）， ５．４８（ｂｒｓ， １Ｈ）， ５．３８（ｂｒｓ， １Ｈ）， ４．０１（ｂｒｓ， １Ｈ）， ３．７６（ｂｒｓ， １Ｈ）， ３．７１（ｓ， ３Ｈ）， ２．９２（ｂｒｓ， ２Ｈ）， １．３８（ｓ， ９Ｈ）．

＜実施例３＞

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．１６（ｄ， Ｊ＝４．８Ｈｚ， １Ｈ）， ７．４７（ｄ， Ｊ＝７．１Ｈｚ， １Ｈ）， ７．３３（ｂｒｓ， ２Ｈ）， ６．９７−６．８９（ｍ， ３Ｈ）， ６．１９（ｂｒｓ， １Ｈ）， ５．５１（ｂｒｓ， １Ｈ）， ５．４６（ｂｒｓ， １Ｈ）， ４．０４（ｂｒｓ， １Ｈ）， ３．７７（ｂｒｓ， １Ｈ）， ２．９８−２．９３（ｍ， ２Ｈ）， １．３８（ｓ， ９Ｈ）．

＜実施例４＞

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．１７（ｄ， Ｊ＝４．８Ｈｚ， １Ｈ）， ７．４４−７．３７（ｍ， ２Ｈ）， ７．２２−７．１３（ｍ， ３Ｈ）， ６．９４−６．９１（ｍ， １Ｈ）， ６．５８−６．５１（ｍ， １Ｈ）， ６．２３（ｂｒｓ， １Ｈ）， ５．６０−５．４２（ｍ， ３Ｈ）， ５．１４（ｄ， Ｊ＝１０．８Ｈｚ， １Ｈ）， ３．９９（ｂｒｓ， １Ｈ）， ３．７３（ｂｒｓ， １Ｈ）， ２．９０−２．８４（ｍ， ２Ｈ）， １．３９（ｓ， ９Ｈ）．

＜実施例５＞

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．１８（ｄ， Ｊ＝４．６Ｈｚ， １Ｈ）， ７．４６（ｄ， Ｊ＝７．３Ｈｚ， １Ｈ）， ７．１２（ｂｒｓ， １Ｈ）， ６．９５−６．９２（ｍ， ３Ｈ）， ６．７１（ｄ， Ｊ＝７．６Ｈｚ， １Ｈ）， ６．１９（ｂｒｓ， １Ｈ）， ５．５３（ｂｒｓ， １Ｈ）， ５．４２（ｂｒｓ， １Ｈ）， ４．０４（ｂｒｓ， １Ｈ）， ３．７９（ｂｒｓ， １Ｈ）， ３．６８（ｓ， ３Ｈ）， ２．９５（ｂｒｓ， ２Ｈ）， １．３９（ｓ， ９Ｈ）．

＜実施例６＞

^１Ｈ ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．１６（ｄ， Ｊ＝４．１Ｈｚ， １Ｈ）， ７．４９（ｄ， Ｊ＝７．６Ｈｚ， １Ｈ）， ７．３２（ｄ， Ｊ＝７．６Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．１９（ｄ， Ｊ＝７．６Ｈｚ， ２Ｈ）， ６．９７−６．９５（ｍ， １Ｈ）， ６．１６（ｔ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， １Ｈ）， ５．５２−５．４７（ｍ， ２Ｈ）， ４．０８−４．０６（ｍ， １Ｈ）， ３．８３−３．７８（ｍ， １Ｈ）， ３．０２−２．８９（ｍ， ２Ｈ）， １．３８（ｓ， ９Ｈ）．

＜実施例７＞

^１Ｈ ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．１８（ｄ， Ｊ＝４．５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．４８（ｄ， Ｊ＝６．８Ｈｚ， １Ｈ）， ７．１３（ｄ， Ｊ＝４．４Ｈｚ， １Ｈ）， ７．０１（ｂｒｓ， １Ｈ）， ６．９５−６．９３（ｍ， １Ｈ）， ６．８５（ｂｒｓ， １Ｈ）， ６．２０（ｔ， Ｊ＝７．６Ｈｚ， １Ｈ）， ５．８６−５．８３（ｍ， １Ｈ）， ５．３７（ｄ， Ｊ＝９．７Ｈｚ， １Ｈ）， ４．１３−４．０７（ｍ， １Ｈ）， ３．８９−３．８４（ｍ， １Ｈ）， ３．０２−２．９６（ｍ， ２Ｈ）， １．４０（ｓ， ９Ｈ）．

本発明の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法は、当量以上の活性化試薬を必要とせず触媒的に光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体を高収率で合成することができることから、光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法に好適に用いることができる。

本発明の態様は、例えば、以下の通りである。
＜１＞ 銅化合物及び光学活性ホスフィン化合物から得られる銅−光学活性ホスフィン錯体の存在下で、下記一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（２）で表される化合物とを反応させて、下記一般式（３）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体を得ることを特徴とする光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法である。
ただし、前記一般式（１）〜一般式（３）中、Ｒ^１は、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表し、Ｒ^２は、Ｎの保護基を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。Ｒ^３及びＲ^４は、Ｎと一緒に環構造を形成していてもよい。
＜２＞ 一般式（１）及び一般式（３）において、Ｒ^２が、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である前記＜１＞に記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法である。
＜３＞ 一般式（１）及び一般式（３）において、Ｒ^１が、置換若しくは無置換アリール基である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法である。
＜４＞ 一般式（２）で表される化合物が、下記一般式（２−１）で表される化合物であり、
一般式（３）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体が、下記一般式（３−１）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体である、前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法である。
ただし、前記一般式（２−１）及び一般式（３−１）中、Ｒ^１は、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表し、Ｒ^２は、Ｎの保護基を表し、Ｒ^１１は、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表し、ｘは、０〜７の整数を表す（ただし、ｘが２以上の場合、Ｒ^１１は同一であってもよいし、異なっていてもよい）。
＜５＞ 銅化合物が、下記一般式（Ａ）で表される化合物である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法である。
ただし、前記一般式（Ａ）中、Ｘは、Ｃｌ、ＮＯ_３、ＣｌＯ_４、ＰＦ_６、及びＢＦ_４のいずれかを表す。
＜６＞ 光学活性ホスフィン化合物が、下記一般式（Ｂ）で表される化合物である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法である。
ただし、前記一般式（Ｂ）中、Ｒａは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。ｍは、０〜２の整数を表す。ｍが２の場合には、２つの前記Ｒａは、結合して環構造を形成してもよい。Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基を表す。
＜７＞ 光学活性ホスフィン化合物が、下記一般式（Ｂ−１）で表される化合物、及び下記一般式（Ｂ−２）で表される化合物のいずれかである前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法である。
ただし、前記一般式（Ｂ−１）中、Ｒａは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。前記一般式（Ｂ−１）、及び一般式（Ｂ−２）中、Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基を表す。

Claims (7)

1. 銅化合物及び光学活性ホスフィン化合物から得られる銅−光学活性ホスフィン錯体の存在下で、下記一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（２）で表される化合物とを反応させて、下記一般式（３）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体を得ることを特徴とする光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法。
   ただし、前記一般式（１）〜一般式（３）中、Ｒ^１は、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表し、Ｒ^２は、Ｎの保護基を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。Ｒ^３及びＲ^４は、Ｎと一緒に環構造を形成していてもよい。
2. 一般式（１）及び一般式（３）において、Ｒ^２が、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である請求項１に記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法。
3. 一般式（１）及び一般式（３）において、Ｒ^１が、置換若しくは無置換アリール基である請求項１から２のいずれかに記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法。
4. 一般式（２）で表される化合物が、下記一般式（２−１）で表される化合物であり、
   一般式（３）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体が、下記一般式（３−１）で表される光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体である、請求項１から３のいずれかに記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法。
   ただし、前記一般式（２−１）及び一般式（３−１）中、Ｒ^１は、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表し、Ｒ^２は、Ｎの保護基を表し、Ｒ^１１は、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表し、ｘは、０〜７の整数を表す（ただし、ｘが２以上の場合、Ｒ^１１は同一であってもよいし、異なっていてもよい）。
5. 銅化合物が、下記一般式（Ａ）で表される化合物である請求項１から４のいずれかに記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法。
   ただし、前記一般式（Ａ）中、Ｘは、Ｃｌ、ＮＯ_３、ＣｌＯ_４、ＰＦ_６、及びＢＦ_４のいずれかを表す。
6. 光学活性ホスフィン化合物が、下記一般式（Ｂ）で表される化合物である請求項１から５のいずれかに記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法。
   ただし、前記一般式（Ｂ）中、Ｒａは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。ｍは、０〜２の整数を表す。ｍが２の場合には、２つの前記Ｒａは、結合して環構造を形成してもよい。Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基を表す。
7. 光学活性ホスフィン化合物が、下記一般式（Ｂ−１）で表される化合物、及び下記一般式（Ｂ−２）で表される化合物のいずれかである請求項１から６のいずれかに記載の光学活性α−トリフルオロメチル−β−アミノ酸誘導体の製造方法。
   ただし、前記一般式（Ｂ−１）中、Ｒａは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アルケニル基、及び置換若しくは無置換アルキニル基のいずれかを表す。前記一般式（Ｂ−１）、及び一般式（Ｂ−２）中、Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基を表す。