JP6504182B2 - Electronic parts - Google Patents
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Description
本発明は、電子部品に関し、より特定的には、複数のLC並列共振器を備えた電子部品に関する。 The present invention relates to an electronic component, and more particularly to an electronic component provided with a plurality of LC parallel resonators.
従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献1に記載の積層帯域通過フィルタが知られている。該積層帯域通過フィルタは、4つのLC並列共振器を備えている。LC並列共振器は、左右方向に一列に並んでおり、互いに磁界結合している。以上のように構成された積層帯域通過フィルタは、バンドパスフィルタとして機能する。
As an invention relating to a conventional electronic component, for example, a multilayer band pass filter described in
また、積層帯域通過フィルタの変形例では、両端に設けられている2つのLC並列共振器の間に接続されたコンデンサが追加されている。これにより、減衰極の周波数を調整することができる。 In addition, in the variation of the multilayer band pass filter, a capacitor connected between two LC parallel resonators provided at both ends is added. Thereby, the frequency of the attenuation pole can be adjusted.
ところで、特許文献1に記載の積層帯域通過フィルタでは、所望の通過特性を得ることが困難である。より詳細には、積層帯域通過フィルタにおいて、コンデンサが追加されると、全ての減衰極の周波数が変化する。その結果、積層帯域通過フィルタにおいて、所望の通過特性を得ることが困難である。
By the way, in the multilayer band pass filter described in
そこで、本発明の目的は、所望の通過特性を容易に得ることができる電子部品を提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to provide an electronic component that can easily obtain desired passage characteristics.
本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、前記積層方向に直交する直交方向に並ぶ2つの第1のLC並列共振器であって、それぞれが第1のインダクタ及び第1のコンデンサを含んでいる2つの第1のLC並列共振器と、前記直交方向の両側から前記2つの第1のLC並列共振器を挟むように配置されている2つの第2のLC並列共振器であって、それぞれが第2のインダクタ及び第2のコンデンサを含んでいる2つの第2のLC並列共振器と、前記2つの第2のLC並列共振器の一方端に接続されている第3のコンデンサと、前記直交方向に隣り合わない2つの前記第1のLC並列共振器を接続する、又は、該直交方向に隣り合わない前記第1のLC並列共振器と前記第2のLC並列共振器との2つのLC並列共振器を接続する第1の接続導体と、を備えており、前記2つの第1のLC並列共振器及び前記2つの第2のLC並列共振器は、前記直交方向に隣り合うもの同士で磁界結合することにより、バンドパスフィルタを構成しており、前記第1の接続導体は、2つの前記第1のLC並列共振器の内の前記直交方向の一方側に位置する前記第1のLC並列共振器と2つの前記第2のLC並列共振器の内の該直交方向の他方側に位置する前記第2のLC並列共振器とを接続し、前記電子部品は、2つの前記第1のLC並列共振器の内の前記直交方向の他方側に位置する前記第1のLC並列共振器と2つの前記第2のLC並列共振器の内の該直交方向の一方側に位置する前記第2のLC並列共振器とを接続する第2の接続導体を、更に備えており、前記第1の接続導体及び前記第2の接続導体は、前記絶縁体層上に設けられている導体層であり、前記第1の接続導体と前記第2の接続導体とは、前記積層方向から平面視したときに、交差していること、を特徴とする。 The electronic component according to an aspect of the present invention is a stacked body in which a plurality of insulator layers are stacked in a stacking direction, and two first LC parallel resonators aligned in an orthogonal direction orthogonal to the stacking direction. Two first LC parallel resonators each including a first inductor and a first capacitor, and the two first LC parallel resonators disposed on both sides of the orthogonal direction so as to sandwich the two first LC parallel resonators Two second LC parallel resonators, each comprising a second inductor and a second capacitor, and the two second LC parallel resonators A third capacitor connected to one end of the second LC parallel resonator and the two first LC parallel resonators not adjacent in the orthogonal direction, or the first LC parallel not adjacent in the orthogonal direction Resonator and second LC parallel resonator A first connecting conductor that connects the two LC parallel resonators, and wherein the two first LC parallel resonator and the two second LC parallel resonator, next to the perpendicular direction The band pass filter is configured by magnetic field coupling between the matching members, and the first connection conductor is positioned on one side in the orthogonal direction of the two first LC parallel resonators. A first LC parallel resonator and the second LC parallel resonator located on the other side of the orthogonal direction of the two second LC parallel resonators are connected, and the electronic component comprises two The first LC parallel resonator located on the other side of the orthogonal direction in the first LC parallel resonator and the one on the orthogonal direction among the two LC parallel resonators A second connection conductor connecting the second LC parallel resonator The first connection conductor and the second connection conductor are conductor layers provided on the insulator layer, and the first connection conductor and the second connection conductor are When viewed in plan from the stacking direction, they intersect .
本発明によれば、所望の通過特性を容易に得ることができる。 According to the present invention, desired passage characteristics can be easily obtained.
(第1の実施形態)
以下に、本発明の第1の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図1は、第1の実施形態に係る電子部品10aの等価回路図である。First Embodiment
Hereinafter, an electronic component according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the
まず、電子部品10aの等価回路について図面を参照しながら説明する。電子部品10aは、図1に示すように、インダクタL1〜L4,L11,L12、コンデンサC1〜C4,C11及び外部電極14a〜14cを等価回路の構成として備えており、所定の帯域の高周波信号を通過させるバンドパスフィルタである。
First, an equivalent circuit of the
外部電極14a,14bは、高周波信号が入出力する入出力端子である。外部電極14cは、接地される接地端子である。
The
インダクタL1(第2のインダクタの一例)とコンデンサC1(第2のコンデンサの一例)とは、互いに並列に接続されており、LC並列共振器LC1(第2のLC並列共振器の一例)を構成している。LC並列共振器LC1の共振周波数は、f1である。インダクタL2(第1のインダクタの一例)とコンデンサC2(第1のコンデンサの一例)とは、互いに並列に接続されており、LC並列共振器LC2(第1のLC並列共振器の一例)を構成している。LC並列共振器LC2の共振周波数は、f2である。インダクタL3(第1のインダクタの一例)とコンデンサC3(第1のコンデンサの一例)とは、互いに並列に接続されており、LC並列共振器LC3(第1のLC並列共振器の一例)を構成している。LC並列共振器LC3の共振周波数は、f3である。インダクタL4(第2のインダクタの一例)とコンデンサC4(第2のコンデンサの一例)とは、互いに並列に接続されており、LC並列共振器LC4(第2のLC並列共振器の一例)を構成している。LC並列共振器LC4の共振周波数は、f4である。 The inductor L1 (an example of the second inductor) and the capacitor C1 (an example of the second capacitor) are connected in parallel to each other, and form an LC parallel resonator LC1 (an example of the second LC parallel resonator) doing. The resonant frequency of the LC parallel resonator LC1 is f1. The inductor L2 (an example of the first inductor) and the capacitor C2 (an example of the first capacitor) are connected in parallel with each other to form an LC parallel resonator LC2 (an example of the first LC parallel resonator) doing. The resonant frequency of the LC parallel resonator LC2 is f2. The inductor L3 (an example of the first inductor) and the capacitor C3 (an example of the first capacitor) are connected in parallel with each other, and form an LC parallel resonator LC3 (an example of the first LC parallel resonator) doing. The resonant frequency of the LC parallel resonator LC3 is f3. The inductor L4 (an example of the second inductor) and the capacitor C4 (an example of the second capacitor) are connected in parallel to each other, and form an LC parallel resonator LC4 (an example of the second LC parallel resonator) doing. The resonant frequency of the LC parallel resonator LC4 is f4.
LC並列共振器LC1の一方端は、外部電極14aに接続されている。LC並列共振器LC4の一方端は、外部電極14bに接続されている。更に、LC並列共振器LC1〜LC4は、外部電極14aから外部電極14bの間にこの順に並んでいる。LC並列共振器LC1〜LC4は、隣り合うもの同士で磁界結合し、LC並列共振器LC1〜LC4は、バンドパスフィルタを構成している。また、LC並列共振器LC1〜LC4の他方端は、外部電極14cに接続されている。
One end of the LC parallel resonator LC1 is connected to the
コンデンサC11は、外部電極14aと外部電極14bとの間に接続されることにより、LC並列共振器LC1の一方端とLC並列共振器LC4の一方端との間に接続されている。
The capacitor C11 is connected between the one end of the LC parallel resonator LC1 and one end of the LC parallel resonator LC4 by being connected between the
インダクタL11は、隣り合わないインダクタL1(LC並列共振器LC1)とインダクタL3(LC並列共振器LC3)とを接続している。インダクタL12は、隣り合わないインダクタL2(LC並列共振器LC2)とインダクタL4(LC並列共振器LC4)とを接続している。 The inductor L11 connects the inductor L1 (LC parallel resonator LC1) and the inductor L3 (LC parallel resonator LC3) which are not adjacent to each other. The inductor L12 connects the inductor L2 (LC parallel resonator LC2) and the inductor L4 (LC parallel resonator LC4) not adjacent to each other.
以上のように構成された電子部品10aは、f1〜f4付近の周波数の高周波信号を外部電極14aから外部電極14bへと通過させるバンドパスフィルタを構成している。より詳細には、LC並列共振器LC1〜LC4のインピーダンス値は、f1〜f4付近の高周波信号が外部電極14aから入力すると最大となる。そのため、f1〜f4付近の周波数の高周波信号は、LC並列共振器LC1〜LC4を通過することができないので、外部電極14cから出力しない。その結果、f1〜f4付近の周波数の高周波信号は、外部電極14bから出力する。また、f1〜f4付近の周波数以外の高周波信号は、LC並列共振器LC1〜LC4を通過して外部電極14cから出力する。
The
次に、電子部品10aの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図2は、電子部品10aの外観斜視図である。図3Aは、電子部品10aの分解斜視図である。図3Bは、電子部品10aを上側から透視した図である。図3Bでは、積層体12、インダクタ導体層18a〜18d及びビアホール導体v1〜v8のみを示した。以下では、電子部品10aの積層方向を上下方向(下側が積層方向の一方側の一例であり、上側が積層方向の他方側の一例である。)と定義する。また、電子部品10aを上側から平面視したときに、電子部品10aの長辺が延在する方向を左右方向(直交方向の一例/右側が直交方向の一方側の一例であり、左側が直交方向の他方側の一例である。)と定義し、電子部品10aの短辺が延在する方向を前後方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は、互いに直交している。
Next, the specific configuration of the
電子部品10aは、積層体12、外部電極14a〜14c、インダクタ導体層18a〜18d、コンデンサ導体層20a〜20d,22、グランド導体層21、接続導体層30a,30b及びビアホール導体v1〜v8,v11,v12,v21〜v26(層間接続導体の一例)を備えている。
The
積層体12は、直方体状をなしており、絶縁体層16a〜16iが上側から下側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。絶縁体層16a〜16iは、上側から平面視したときに、長方形状をなしており、例えば、セラミック等により作製されている。以下では、絶縁体層16a〜16iの上側の主面を表面と呼び、絶縁体層16a〜16iの下側の主面を裏面と呼ぶ。
The
インダクタ導体層18a〜18dは、絶縁体層16bの表面上に設けられている帯状の導体層であり、それぞれ、絶縁体層16bの前後方向に延在している。
The inductor conductive layers 18a to 18d are strip-shaped conductive layers provided on the surface of the
ビアホール導体v1(第3の層間接続導体の一例)は、絶縁体層16b〜16gを上下方向に貫通している。ビアホール導体v1の上端は、インダクタ導体層18aの前端に接続されている。これにより、ビアホール導体v1は、インダクタ導体層18aから下側に向かって延在している。 The via hole conductor v1 (an example of a third interlayer connection conductor) penetrates the insulator layers 16b to 16g in the top-bottom direction. The upper end of the via hole conductor v1 is connected to the front end of the inductor conductive layer 18a. Thus, the via hole conductor v1 extends downward from the inductor conductive layer 18a.
ビアホール導体v2(第4の層間接続導体の一例)は、絶縁体層16b〜16fを上下方向に貫通している。ビアホール導体v2の上端は、インダクタ導体層18aの後端に接続されている。 The via hole conductor v2 (an example of a fourth interlayer connecting conductor) penetrates the insulator layers 16b to 16f in the top-bottom direction. The upper end of the via hole conductor v2 is connected to the rear end of the inductor conductive layer 18a.
以上のように構成されたインダクタ導体層18a(第2のインダクタ導体層の一例)及びビアホール導体v1,v2は、インダクタL1に含まれている。これにより、インダクタL1は、左側から平面視したときに、下側に向かって開口する角張ったU字型をなしている。 The inductor conductor layer 18a (an example of the second inductor conductor layer) and the via hole conductors v1 and v2 configured as described above are included in the inductor L1. Thus, the inductor L1 has an angular U-shape opening downward when viewed in plan from the left side.
コンデンサ導体層20a,20d(第2のコンデンサ導体層の一例)は、絶縁体層16hの表面上に設けられている帯状の導体層である。コンデンサ導体層20a、20dは、絶縁体層16hの左右側の短辺近傍において前後方向に延在している。
Capacitor conductor layers 20a and 20d (an example of a second capacitor conductor layer) are strip-shaped conductor layers provided on the surface of
グランド導体層21(第1のグランド導体層及び第2のグランド導体層の一例)は、絶縁体層16gの表面上に設けられている矩形状の導体層である。グランド導体層21は、絶縁体層16gの略全面を覆っている。これにより、コンデンサ導体層20aは、絶縁体層16gを介してグランド導体層21と対向している。ただし、グランド導体層21の右前の角及び左前の角は、ビアホール導体v1,v7が通過するために切り欠かれている。
The ground conductor layer 21 (an example of a first ground conductor layer and a second ground conductor layer) is a rectangular conductor layer provided on the surface of the
以上のように構成されたコンデンサ導体層20a及びグランド導体層21は、コンデンサC1に含まれている。また、ビアホール導体v1の下端は、コンデンサ導体層20aに接続されている。ビアホール導体v2の下端は、グランド導体層21に接続されている。これにより、インダクタL1とコンデンサC1は、互いに並列接続されて、LC並列共振器LC1を構成している。
The capacitor conductor layer 20a and the
ビアホール導体v3、v5(第2の層間接続導体の一例)は、絶縁体層16b〜16iを上下方向に貫通している。ビアホール導体v3の上端は、インダクタ導体層18bの前端に接続されている。ビアホール導体v5の上端は、インダクタ導体層18cの前端に接続されている。
The via hole conductors v <b> 3 and v <b> 5 (an example of a second interlayer connection conductor) pass through the insulator layers 16 b to 16 i in the top-bottom direction. The upper end of the via hole conductor v3 is connected to the front end of the inductor
ビアホール導体v4、v6(第1の層間接続導体の一例)は、絶縁体層16b〜16eを上下方向に貫通している。ビアホール導体v4の上端は、インダクタ導体層18bの後端に接続されている。ビアホール導体v6の上端は、インダクタ導体層18cの後端に接続されている。
The via hole conductors v4 and v6 (an example of the first interlayer connection conductor) penetrate the insulator layers 16b to 16e in the top-bottom direction. The upper end of the via hole conductor v4 is connected to the rear end of the inductor
以上のように構成されたインダクタ導体層18b(第1のインダクタ導体層の一例)及びビアホール導体v3,v4は、インダクタL2に含まれている。これにより、インダクタL2は、左側から平面視したときに、下側に向かって開口する角張ったU字型をなしている。同様に、インダクタ導体層18c(第1のインダクタ導体層の一例)及びビアホール導体v5、v6は、インダクタL3に含まれている。これにより、インダクタL3は、左側から平面視したときに、下側に向かって開口する角張ったU字型をなしている。
The inductor
コンデンサ導体層20b,20c(第1のコンデンサ導体層の一例)は、絶縁体層16fの表面上に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体層20b、20cは、絶縁体層16fの後ろ側の長辺の中央近傍に隣接して設けられ、絶縁体層16fを介してグランド導体層21と対向している。
Capacitor conductor layers 20b and 20c (an example of a first capacitor conductor layer) are rectangular conductor layers provided on the surface of insulator layer 16f. The capacitor conductor layers 20b and 20c are provided adjacent to the center of the rear long side of the insulator layer 16f and are opposed to the
以上のように構成されたコンデンサ導体層20b及びグランド導体層21は、コンデンサC2に含まれている。また、ビアホール導体v3の下端は、グランド導体層21に接続されている。ビアホール導体v4の下端は、コンデンサ導体層20bに接続されている。これにより、インダクタL2とコンデンサC2は、互いに並列接続されて、LC並列共振器LC2を構成している。LC並列共振器LC2は、LC並列共振器LC1に対して右側に位置している。また、コンデンサ導体層20及びグランド導体層21は、コンデンサC3に含まれている。また、ビアホール導体v5の下端は、グランド導体層21に接続されている。ビアホール導体v6の下端は、コンデンサ導体層20cに接続されている。これにより、インダクタL3とコンデンサC3は、互いに並列接続されて、LC並列共振器LC3を構成している。LC並列共振器LC3は、LC並列共振器LC4に対して左側に位置している。
The capacitor
ビアホール導体v7(第3の層間接続導体の一例)は、絶縁体層16b〜16gを上下方向に貫通している。ビアホール導体v7の上端は、インダクタ導体層18dの前端に接続されている。 The via hole conductor v7 (an example of a third interlayer connection conductor) penetrates the insulator layers 16b to 16g in the top-bottom direction. The upper end of the via hole conductor v7 is connected to the front end of the inductor conductive layer 18d.
ビアホール導体v8(第4の層間接続導体の一例)は、絶縁体層16b〜16fを上下方向に貫通している。ビアホール導体v8の上端は、インダクタ導体層18dの後端に接続されている。これにより、ビアホール導体v8は、インダクタ導体層18dから下側に向かって延在している。 The via hole conductor v <b> 8 (an example of a fourth interlayer connection conductor) penetrates the insulator layers 16 b to 16 f in the top-bottom direction. The upper end of the via hole conductor v8 is connected to the rear end of the inductor conductive layer 18d. Thus, the via hole conductor v8 extends downward from the inductor conductive layer 18d.
以上のように構成されたインダクタ導体層18d(第2のインダクタ導体層の一例)及びビアホール導体v7,v8は、インダクタL4に含まれている。これにより、インダクタL4は、左側から平面視したときに、下側に向かって開口する角張ったU字型をなしている。 The inductor conductor layer 18d (an example of the second inductor conductor layer) and the via hole conductors v7 and v8 configured as described above are included in the inductor L4. Thus, the inductor L4 has an angular U-shape opening downward when viewed in plan from the left side.
以上のように構成されたコンデンサ導体層20d及びグランド導体層21は、コンデンサC4に含まれている。また、ビアホール導体v7の下端は、コンデンサ導体層20dに接続されている。ビアホール導体v8の下端は、グランド導体層21に接続されている。これにより、インダクタL4とコンデンサC4は、互いに並列接続されて、LC並列共振器LC4を構成している。
The
以上のように構成されたLC並列共振器LC1〜LC4は、図3Bに示すように、インダクタL1〜L4及びコンデンサC1〜C4により囲まれたループ面S1〜S4であって、上下方向と実質的に平行なループ面S1〜S4を形成している。各ループ面は、各インダクタ導体層の左右方向を通過する平面である。 The LC parallel resonators LC1 to LC4 configured as described above are loop surfaces S1 to S4 surrounded by the inductors L1 to L4 and the capacitors C1 to C4 as shown in FIG. The loop surfaces S1 to S4 parallel to each other are formed. Each loop surface is a plane passing through the lateral direction of each inductor conductive layer.
ビアホール導体v21〜v26は、絶縁体層16g〜16iを上下方向に貫通している。ビアホール導体v21〜v26の上端は、グランド導体層21に接続されている。ビアホール導体v21〜v26の下端は、外部電極14cに接続されている。これにより、LC並列共振器LC1〜LC4は、外部電極14cに接続されている。
The via hole conductors v21 to v26 pass through the
以上のように構成されたLC並列共振器LC1〜LC4は、左側から右側へとこの順に並んでいる。 The LC parallel resonators LC1 to LC4 configured as described above are arranged in this order from left to right.
従って、LC並列共振器LC1〜LC4のループ面S1〜S4は、左右方向に隣り合うもの同士で対向している。具体的には、ループ面S1(第2のループ面の一例)とループ面S2(第1のループ面の一例)とが対向している。ループ面S2とループ面S3(第1のループ面の一例)とが対向している。ループ面S3とループ面S4(第4のループ面の一例)とが対向している。これにより、LC並列共振器LC1〜LC4は、左右方向に隣り合うもの同士で磁界結合することにより、バンドパスフィルタを構成している。 Therefore, the loop surfaces S1 to S4 of the LC parallel resonators LC1 to LC4 are opposed to each other in the left-right direction. Specifically, the loop surface S1 (an example of a second loop surface) and the loop surface S2 (an example of a first loop surface) are opposed to each other. The loop surface S2 and the loop surface S3 (an example of a first loop surface) face each other. The loop surface S3 and the loop surface S4 (an example of a fourth loop surface) face each other. Thus, the LC parallel resonators LC1 to LC4 form a band pass filter by performing magnetic field coupling between adjacent ones in the left-right direction.
コンデンサ導体層22は、絶縁体層16eの表面上に設けられている帯状の導体層である。コンデンサ導体層22は、絶縁体層16eの前側の長辺近傍において左右方向に延在している。これにより、コンデンサ導体層22は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層20a、20dの前端と重なっている。よって、コンデンサ導体層20aとコンデンサ導体層20dとの間にコンデンサ導体層22を介してコンデンサC11が形成されている。なお、コンデンサ導体層22は、インダクタ導体層18a〜18dやグランド導体層21と平面視で重なっていない。
The
接続導体層30a(第1の接続導体の一例)は、絶縁体層16cの表面上に設けられている線状の導体層である。接続導体層30aは、左右方向に隣り合わないインダクタL1(LC並列共振器LC1)とインダクタL3(LC並列共振器LC3)との2つのインダクタ(LC並列共振器)を接続している。すなわち、接続導体層30aは、インダクタL1,L4(LC並列共振器LC1,LC4)の内の左側に位置するインダクタL1(LC並列共振器LC1)と、インダクタL2,L3(LC並列共振器LC2,LC3)の内の右側に位置するインダクタL3(LC並列共振器LC3)とを接続している。接続導体層30aの前端は、ビアホール導体v5に接続されている。接続導体層30aの後端は、ビアホール導体v2に接続されている。接続導体層30aは、インダクタL11に含まれている。
The connection conductor layer 30a (an example of a first connection conductor) is a linear conductor layer provided on the surface of the
接続導体層30b(第2の接続導体の一例)は、絶縁体層16dの表面上に設けられている線状の導体層である。接続導体層30bは、左右方向に隣り合わないインダクタL2(LC並列共振器LC2)とインダクタL4(LC並列共振器LC4)との2つのインダクタ(LC並列共振器)を接続している。すなわち、接続導体層30bは、インダクタL1,L4(LC並列共振器LC1,LC4)の内の右側に位置するインダクタL4(LC並列共振器LC4)と、インダクタL2,L3(LC並列共振器LC2,LC3)の内の左側に位置するインダクタL2(LC並列共振器LC2)とを接続している。接続導体層30bの前端は、ビアホール導体v3に接続されている。接続導体層30bの後端は、ビアホール導体v8に接続されている。接続導体層30bは、インダクタL12に含まれている。
The
また、接続導体層30aと接続導体層30bとは、上側から平面視したときに、交差している。これにより、接続導体層30aと接続導体層30bとは、磁界結合している。
The connection conductor layer 30a and the
(効果)
本実施形態に係る電子部品10aによれば、所望の通過特性を容易に得ることができる。以下に、図面を参照しながら説明する。図4は、第1のモデルの通過特性(S21)を示したグラフである。図5は、第2のモデルの通過特性(S21)を示したグラフである。図6は、第3のモデルの通過特性(S21)を示したグラフである。図4ないし図6の縦軸は|S21|を示し、図4ないし図6の横軸は周波数を示す。S21とは、外部電極14aから入力した高周波信号の強度に対する外部電極14bから出力した高周波信号の強度の比の値である。(effect)
According to the
本願発明者は、以下に説明する第1のモデルないし第3のモデルを作成し、コンピュータシミュレーションにより各モデルの通過特性を演算した。第1のモデルは、電子部品10aにおいて接続導体層30a,30bを取り除くと共に、コンデンサ導体層22の線幅を太くする、又は、コンデンサ導体層22を電子部品10aより下側に位置させたモデルである。第2のモデルは、電子部品10aにおいて接続導体層30a,30bを取り除いたモデルである。第3のモデルは、電子部品10aのモデルである。第2のモデルのコンデンサ導体層22の線幅と第3のモデルのコンデンサ導体層22の線幅とは等しい。なお、第1のモデル及び第2のモデルは、比較例に係るモデルである。
The inventor of the present application created the first to third models described below, and calculated the pass characteristics of each model by computer simulation. The first model is a model in which the connecting
第1のモデルの通過特性は、図4に示す特性である。第1のモデルの通過特性では、通過帯域よりも低い周波数において減衰極P1,P2が形成され、通過帯域よりも高い周波数において減衰極P3,P4が形成されている。このような第1のモデルにおいて、減衰極P1〜P4における減衰量を大きくして、通過帯域の両端において急峻に立ち上がり急峻に立ち下がる通過特性を得たいという要望が存在する。 The pass characteristic of the first model is the characteristic shown in FIG. In the pass characteristic of the first model, attenuation poles P1 and P2 are formed at frequencies lower than the pass band, and attenuation poles P3 and P4 are formed at frequencies higher than the pass band. In such a first model, there is a demand to increase the amount of attenuation at the attenuation poles P1 to P4 to obtain a passing characteristic that rises sharply and falls sharply at both ends of the pass band.
そこで、第2のモデルのコンデンサ導体層22の線幅を第1のモデルのコンデンサ導体層22の線幅よりも細くする、又は、コンデンサ導体層22を下側に位置させることが考えられる。これにより、コンデンサC11の容量値が小さくなる。その結果、図5に示すように、減衰極P3における減衰極が大きくなり、通過特性は、通過帯域の高周波側において急峻に立ち下がるようになる。
Therefore, it is conceivable to make the line width of the
しかしながら、コンデンサC11の容量値が小さくなると、図5に示すように、減衰極P1と減衰極P2とが近づいてしまう。その結果、減衰極P1,P2が消滅して、なまった波形になってしまう。したがって、通過特性は、通過帯域の低周波側において急峻に立ち上がらなくなる。 However, when the capacitance value of the capacitor C11 decreases, as shown in FIG. 5, the attenuation pole P1 and the attenuation pole P2 approach each other. As a result, the attenuation poles P1 and P2 disappear and the waveform becomes dull. Therefore, the pass characteristic does not rise sharply on the low frequency side of the pass band.
そこで、第3のモデルでは、接続導体層30a,30bが設けられている。これにより、LC並列共振器LC1とLC並列共振器LC3とが磁界結合し、LC並列共振器LC2とLC並列共振器LC4とが磁界結合する。その結果、減衰極P3と減衰極P4との位置関係が変化せずに、減衰極P1と減衰極P2とが離れて、減衰極P1,P2が出現するようになる。更に、第3のモデルの減衰極P1における減衰量は、第1のモデルの減衰極P1,P2における減衰量よりも大きくなっている。すなわち、第3のモデルでは、通過帯域の両端において急峻に立ち上がり急峻に立ち下がる通過特性が得られている。 Therefore, in the third model, connection conductor layers 30a and 30b are provided. Thereby, the LC parallel resonator LC1 and the LC parallel resonator LC3 are magnetically coupled, and the LC parallel resonator LC2 and the LC parallel resonator LC4 are magnetically coupled. As a result, the attenuation pole P1 and the attenuation pole P2 are separated, and the attenuation poles P1 and P2 appear, without changing the positional relationship between the attenuation pole P3 and the attenuation pole P4. Furthermore, the amount of attenuation at the attenuation pole P1 of the third model is larger than the amount of attenuation at the attenuation poles P1 and P2 of the first model. That is, in the third model, the pass characteristics that rise sharply and fall sharply at both ends of the pass band are obtained.
以上のように、コンデンサC11の容量値を調整すると共に、接続導体層30a,30bを設けることによって、通過帯域の両端に形成される減衰極P1〜P4のそれぞれの減衰量及び周波数を調整することが可能となる。その結果、電子部品10aによれば、所望の通過特性を得ることが容易となる。
As described above, by adjusting the capacitance value of the capacitor C11 and providing the connecting
また、電子部品10aでは、接続導体層30a,30bは、上側から平面視したときに、互いに重なっている。これにより、接続導体層30a,30b間に磁界結合及び電界結合が発生しやすくなる。したがって、接続導体層30aと接続導体層30bとが重なっている面積を調整することによって、磁界結合及び電界結合を調整することができる。その結果、電子部品10aの通過特性を調整することができる。
Further, in the
(第2の実施形態)
以下に第2の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図7は、第2の実施形態に係る電子部品10bの等価回路図である。図8は、電子部品10bの分解斜視図である。Second Embodiment
An electronic component according to the second embodiment will be described below with reference to the drawings. FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the
電子部品10bは、図7及び図8に示すように、インダクタL12(接続導体層30b)が設けられていない点において、電子部品10aと相違する。このように、インダクタL11(接続導体層30a)とインダクタL12(接続導体層30b)とは、いずれか一方が設けられていればよい。
The
以上のように構成された電子部品10bにおいても、電子部品10aと同じ作用効果を得ることができる。
Also in the
(第3の実施形態)
以下に第3の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図9は、電子部品10cの分解斜視図である。Third Embodiment
An electronic component according to the third embodiment will be described below with reference to the drawings. FIG. 9 is an exploded perspective view of the
電子部品10cは、図9に示すように、接続導体層30aと接続導体層30bとが上側から平面視したときに交差していない点、及び、LC並列共振器LC3の方向において、電子部品10aと相違する。このように、接続導体層30aと接続導体層30bとが強く磁界結合及び電界結合してほしくない場合には、接続導体層30a,30bを交差させなければよい。
As shown in FIG. 9, the
以上のように構成された電子部品10cにおいても、電子部品10aと同じ作用効果を得ることができる。
Also in the
(第4の実施形態)
以下に第4の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図10は、電子部品10dの等価回路図である。Fourth Embodiment
An electronic component according to the fourth embodiment will be described below with reference to the drawings. FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of the
電子部品10dは、図10に示すように、インダクタL12の代わりにコンデンサC12が設けられている点において、電子部品10aと相違する。
The
以上のように構成された電子部品10dにおいても、電子部品10aと同じ作用効果を得ることができる。
Also in the
(第5の実施形態)
以下に第5の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図11は、電子部品10eの等価回路図である。Fifth Embodiment
An electronic component according to the fifth embodiment will be described below with reference to the drawings. FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of the
電子部品10eは、図11に示すように、LC並列共振器LC1〜LC5を備えている点において、電子部品10aと相違する。このように、電子部品10eは、5つ以上のLC並列共振器を備えていてもよい。
The
また、電子部品10eでは、インダクタL13は、左右方向に隣り合わない2つのLC並列共振器LC2とLC並列共振器LC4とを接続している。
In the
以上のように構成された電子部品10eにおいても、電子部品10aと同じ作用効果を得ることができる。
Also in the
なお、電子部品10eでは、インダクタL13は、例えば、左右方向に隣り合わない2つのLC並列共振器を接続していればよい。したがって、インダクタL13は、LC並列共振器LC1とLC並列共振器LC3とを接続してもよいし、LC並列共振器LC1とLC並列共振器LC4とを接続してもよい。また、インダクタL13は、LC並列共振器LC2とLC並列共振器LC5とを接続してもよいし、LC並列共振器LC3とLC並列共振器LC5とを接続してもよい。
In the
したがって、インダクタL13は、LC並列共振器LC2〜LC4の内の左右方向に隣り合わない2つのLC並列共振器LC2〜LC4を接続する、又は、LC並列共振器LC1〜LC5の内の左右方向に隣り合わないLC並列共振器LC1,LC5のいずれかとLC並列共振器LC2〜LC4のいずれかとの2つのLC並列共振器を接続すればよい。ただし、インダクタL13は、両端に位置するLC並列共振器LC1とLC並列共振器LC5とを接続してはいけない。 Therefore, inductor L13 connects two LC parallel resonators LC2 to LC4 not adjacent to each other in the left and right direction among LC parallel resonators LC2 to LC4, or in the left and right direction among LC parallel resonators LC1 to LC5. Two LC parallel resonators may be connected: one of the LC parallel resonators LC1 and LC5 not adjacent to one another and one of the LC parallel resonators LC2 to LC4. However, the inductor L13 should not connect the LC parallel resonator LC1 and the LC parallel resonator LC5 located at both ends.
(その他の実施形態)
本発明に係る電子部品は、前記電子部品10a〜10eに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。(Other embodiments)
The electronic component according to the present invention is not limited to the
なお、電子部品10a〜10eの構成を任意に組み合わせてもよい。
The configurations of the
なお、ループ面S1〜S4は、互いに平行でなくてもよい。 The loop surfaces S1 to S4 may not be parallel to one another.
以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、所望の通過特性を容易に得ることができる点において優れている。 As described above, the present invention is useful for electronic components, and is particularly excellent in that desired passing characteristics can be easily obtained.
10a〜10e:電子部品
12:積層体
14a〜14c:外部電極
16a〜16i:絶縁体層
18a〜18d:インダクタ導体層
20a〜20d,22:コンデンサ導体層
21:グランド導体層
30a,30b:接続導体層
C1〜C5,C11,C12:コンデンサ
L1〜L5,L11〜L13:インダクタ
LC1〜LC5:LC並列共振器
S1〜S4:ループ面
v1〜v8,v11,v12,v21〜v26:ビアホール導体 10a to 10e: electronic components 12:
Claims (5)
前記積層方向に直交する直交方向に並ぶ2つの第1のLC並列共振器であって、それぞれが第1のインダクタ及び第1のコンデンサを含んでいる2つの第1のLC並列共振器と、
前記直交方向の両側から前記2つの第1のLC並列共振器を挟むように配置されている2つの第2のLC並列共振器であって、それぞれが第2のインダクタ及び第2のコンデンサを含んでいる2つの第2のLC並列共振器と、
前記2つの第2のLC並列共振器の一方端に接続されている第3のコンデンサと、
前記直交方向に隣り合わない2つの前記第1のLC並列共振器を接続する、又は、該直交方向に隣り合わない前記第1のLC並列共振器と前記第2のLC並列共振器との2つのLC並列共振器を接続する第1の接続導体と、
を備えており、
前記2つの第1のLC並列共振器及び前記2つの第2のLC並列共振器は、前記直交方向に隣り合うもの同士で磁界結合することにより、バンドパスフィルタを構成しており、
前記第1の接続導体は、2つの前記第1のLC並列共振器の内の前記直交方向の一方側に位置する前記第1のLC並列共振器と2つの前記第2のLC並列共振器の内の該直交方向の他方側に位置する前記第2のLC並列共振器とを接続し、
前記電子部品は、
2つの前記第1のLC並列共振器の内の前記直交方向の他方側に位置する前記第1のLC並列共振器と2つの前記第2のLC並列共振器の内の該直交方向の一方側に位置する前記第2のLC並列共振器とを接続する第2の接続導体を、
更に備えており、
前記第1の接続導体及び前記第2の接続導体は、前記絶縁体層上に設けられている導体層であり、
前記第1の接続導体と前記第2の接続導体とは、前記積層方向から平面視したときに、交差していること、
を特徴とする電子部品。 A laminate in which a plurality of insulator layers are stacked in the stacking direction;
A two first LC parallel resonator arranged in an orthogonal direction orthogonal to the stacking direction, and the each of the two containing the first inductor and the first capacitor 1 of the LC parallel resonator,
Two second LC parallel resonators arranged to sandwich the two first LC parallel resonators from both sides in the orthogonal direction, each including a second inductor and a second capacitor Two second LC parallel resonators,
A third capacitor connected to one end of the two second LC parallel resonators;
2 of the first LC parallel resonator and the second LC parallel resonator which connect the two first LC parallel resonators which are not adjacent to each other in the orthogonal direction or which are not adjacent to each other in the orthogonal direction A first connection conductor connecting two LC parallel resonators,
Equipped with
The two first LC parallel resonator and the two second LC parallel resonator by magnetic field coupling adjacent groups in the orthogonal direction constitutes a band-pass filter,
The first connection conductor includes one of the first LC parallel resonators and one of the second LC parallel resonators located on one side in the orthogonal direction of the two first LC parallel resonators. Connecting the second LC parallel resonator located on the other side of the orthogonal direction in the
The electronic component is
One side of the first LC parallel resonator located on the other side of the orthogonal direction of the two first LC parallel resonators and one side of the orthogonal direction of the second LC parallel resonators A second connection conductor connecting the second LC parallel resonator located at
Further equipped,
The first connection conductor and the second connection conductor are conductor layers provided on the insulator layer,
The first connection conductor and the second connection conductor intersect when viewed in plan from the stacking direction,
Electronic parts characterized by
各前記第2のLC並列共振器は、前記第2のインダクタ及び前記第2のコンデンサにより囲まれたループ面であって、前記積層方向と実質的に平行な第2のループ面を形成していること、
を特徴とする請求項1に記載の電子部品。 Each of the first LC parallel resonators is a loop surface surrounded by the first inductor and the first capacitor, and forms a first loop surface substantially parallel to the stacking direction. Yes,
Each of the second LC parallel resonators is a loop surface surrounded by the second inductor and the second capacitor, and forms a second loop surface substantially parallel to the stacking direction. To be
Electronic component according to claim 1, wherein the.
前記第1の層間接続導体及び前記第2の層間接続導体は、前記第1のインダクタ導体層から前記積層方向の一方側に向かって延在しており、
前記第2のインダクタは、前記絶縁体層を前記積層方向に貫通する第3の層間接続導体及び第4の層間接続導体と、前記絶縁体層上に設けられている第2のインダクタ導体層と、を含んでおり、
前記第3の層間接続導体及び前記第4の層間接続導体は、前記第2のインダクタ導体層から前記積層方向の一方側に向かって延在していること、
を特徴とする請求項2に記載の電子部品。 The first inductor includes a first interlayer connecting conductor and a second interlayer connecting conductor penetrating the insulator layer in the stacking direction, and a first inductor conductor layer provided on the insulator layer. And contains
The first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor extend from the first inductor conductor layer toward one side in the stacking direction,
The second inductor includes a third interlayer connecting conductor and a fourth interlayer connecting conductor which penetrate the insulator layer in the stacking direction, and a second inductor conductor layer provided on the insulator layer. And contains
The third interlayer connection conductor and the fourth interlayer connection conductor extend from the second inductor conductor layer toward one side in the stacking direction.
The electronic component according to claim 2 , characterized in that
前記第2のコンデンサは、前記絶縁体層を介して対向する第2のコンデンサ導体層及び第2のグランド導体層により構成されており、
前記第1の層間接続導体は、前記第1のコンデンサ導体層に接続され、
前記第2の層間接続導体は、前記第1のグランド導体層に接続され、
前記第3の層間接続導体は、前記第2のコンデンサ導体層に接続され、
前記第4の層間接続導体は、前記第2のグランド導体層に接続されていること、
を特徴とする請求項3に記載の電子部品。 The first capacitor is composed of a first capacitor conductor layer and a first ground conductor layer facing each other through the insulator layer,
The second capacitor is constituted of a second capacitor conductor layer and a second ground conductor layer opposed to each other through the insulator layer,
The first interlayer connection conductor is connected to the first capacitor conductor layer,
The second interlayer connection conductor is connected to the first ground conductor layer,
The third interlayer connection conductor is connected to the second capacitor conductor layer,
The fourth interlayer connection conductor is connected to the second ground conductor layer.
The electronic component according to claim 3 , characterized in that
を特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれかに記載の電子部品。 Two or more of the first loop surface and two of the second loop surfaces are opposed to each other in the orthogonal direction,
The electronic component according to any one of claims 2 to 4 , characterized by
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