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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 133
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 24
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 3
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
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Description
本発明は、電流により発生する磁界を磁気センサにより検知して電流量を検出する電流量検出器、及び電流量検出器付き電流線に関する。 The present invention relates to a current amount detector that detects a current amount by detecting a magnetic field generated by a current using a magnetic sensor, and a current line with a current amount detector.
磁気センサを用いた電流量検出器は、電流を高精度に測定することができ、車両、産業機械、電力用機器等の高精度化、低消費電力化のために用いられている。これまで、磁気センサとしては、コアとホール素子を用いるもの、カレントトランス、シャント抵抗器などが使用されてきた。例えば特許文献1に開示されたコアとホール素子を用いた磁気センサでは、電流線の周囲に配置したリング状のコアで集磁して、集磁された磁束をホール素子で検出する。しかしながら、このような磁気センサでは、測定電流が大電流である場合にはコアが飽和してしまい、コアの飽和を防ぐためにはコア自体を大型化せざるを得ず、コストがかかる。そのため、小型且つ低コストで大電流の電流量測定が困難である。一方、コアが無い構成とした場合、このような磁気センサに用いられるホール素子は小さな磁界を精度良く検出できないことから、測定電流が小さい場合についても良好な測定が困難である。
A current amount detector using a magnetic sensor can measure current with high accuracy, and is used for high accuracy and low power consumption of vehicles, industrial machines, power devices and the like. Until now, magnetic sensors using cores and Hall elements, current transformers, shunt resistors, and the like have been used. For example, in the magnetic sensor using the core and the Hall element disclosed in
このため、ホール素子の代わりに、小さな磁界を精度良く検出可能な、GMR素子及びTMR素子等に代表される高感度素子が用いられるようになってきている。しかしながら、高感度のGMR素子及びTMR素子等を用いた磁気センサは、微小電流による誘導磁界の変化を測定可能である一方で、地磁気、機器及び環境などによる外部磁界の影響を受けやすく、外部磁界によるノイズ対策も必要である。高透磁率軟磁性体を用いた磁気シールドなどにより、測定磁界源及び測定電流線と、磁気センサの両方を囲むように覆うことで外部磁界を抑制することは可能である。しかしながら、コアとホール素子を用いた磁気センサにおけるコアと同様、測定電流が大電流である場合、測定電流の誘導磁界による飽和を防ぐためには、磁気シールドを構成する軟磁性体の体積を大きくする必要がある。そのため、大電流の電流量測定において、磁気シールドのみによる外部磁界のノイズ対策が困難であり、上記同様、比較的広い範囲での電流測定が難しいという問題があった。 For this reason, high-sensitivity elements represented by GMR elements, TMR elements, and the like that can detect small magnetic fields with high accuracy have been used instead of Hall elements. However, magnetic sensors using high-sensitivity GMR elements, TMR elements, and the like can measure changes in the induced magnetic field due to minute currents, but are easily affected by external magnetic fields due to geomagnetism, equipment, and the environment. Noise countermeasures are also necessary. It is possible to suppress the external magnetic field by covering the measurement magnetic field source, the measurement current line, and the magnetic sensor with a magnetic shield using a high permeability soft magnetic material. However, as with the core in a magnetic sensor using a core and a Hall element, when the measurement current is large, in order to prevent saturation of the measurement current due to the induced magnetic field, the volume of the soft magnetic material constituting the magnetic shield is increased. There is a need. Therefore, in measuring the amount of current with a large current, it is difficult to take measures against noise from an external magnetic field using only a magnetic shield, and there is a problem that it is difficult to measure current in a relatively wide range as described above.
上記問題を解決すべく、特許文献2〜5には、複数の磁気センサを用いて直接電流による磁界を検出する装置が開示されている。
例えば、特許文献2においては、複数の磁気センサと、前記磁気センサの電流感度の差異が反映された出力信号に基づいて電流値を算出する信号処理手段と、を備える電流測定装置が開示されており、測定可能な導体としては様々な形状のものが開示されている。また、磁気センサとして磁界を検出する磁電変換素子等の磁気センサであれば特に制約を受けない旨記載されている。特許文献2においては、図18に示すように、磁気センサ3aと被測定導体5’との距離、及び、磁気センサ3bと被測定導体5’との距離が異なるようにこれら磁気センサ3a、3b及び被測定導体5’が配置されている。
磁気センサ3a、3bの電流感度をそれぞれSa、Sb[V/A]、被測定導体5’に流れる電流をI[A]、磁気センサ3a、3bの磁界感度をそれぞれma、mb[V/T]、磁気センサ3a、3bに外部から与えられる外乱磁界の磁束密度をそれぞれBa、Bb[T]、磁気センサ3a、3bの出力電圧をVa、Vb[V]とすると、
磁気センサ3aについて、
Va=Sa×I+ma×Ba (1)
が成り立ち、
磁気センサ3bについて、
Vb=Sb×I+mb×Bb (2)
が成り立つ。2つの磁気センサ3a、3bの磁界感度について、ma=mbが成り立ち、磁気センサ3a、3bに外部から与えられる外乱磁界の磁束密度についてもBa=Bbが成り立つと近似し、(1)から(2)を差し引くことにより、
Va−Vb=(Sa−Sb)Iが得られる。
電流感度Sa、Sb並びにVa、Vbを求めることにより、被測定導体5’に流れる電流Iを算出することができる。In order to solve the above problem,
For example,
The current sensitivities of the
About the
Va = Sa × I + ma × Ba (1)
And
Regarding the
Vb = Sb × I + mb × Bb (2)
Holds. It is approximated that ma = mb holds for the magnetic field sensitivities of the two
Va-Vb = (Sa-Sb) I is obtained.
By obtaining the current sensitivities Sa and Sb and Va and Vb, the current I flowing through the measured
また、特許文献3においては、貫通孔によって分岐された電流と、前記貫通孔内に配置された第1磁電変換素子と、前記第1分岐路または第2分岐路の外側に配置された第2磁電変換素子とを備える電流検出器が開示されている。第1分岐路を流れる電流によって生じる磁界と第2分岐路を流れる電流によって生じる磁界とは、貫通孔内の位置において打ち消し合うので、前記貫通孔に配置された第1磁電変換素子により、外乱磁界の強さに対応する電気信号が出力される。
Moreover, in
また、特許文献4においては、簡易な構成でありながら、磁気ベクトルの差分値に基づいて電流検出(差動検出)を行うことができる電流センサ及びその電流検出方法が開示されている。具体的には、同一方向の電流が流れる平行な2本のラインと、これらの2本のラインに電流が流れることに起因して発生する相反する方向の磁気ベクトルを各別に検出する2つの磁気検出素子が集積化された集積チップと、を備える。前記集積チップは、前記平行な2本のラインの間に設けられた段差空間に、これら2本のラインの一方を表側に、他方を裏側に有する状態で、これら平行な2本のラインに挟まれて配設されてなる構成が開示されている。
Further,
また、特許文献5においては、感磁軸が平行な第1及び第2磁気センサを配置し、差動出力を取得することにより外部磁界をキャンセルすることで、センサの位置ずれ許容度を向上させるとともに、出力感度を向上させることができる電流センサが開示されている。また、磁気センサとして、高感度の多層巨大磁気抵抗効果素子(GMR)及びトンネル磁気抵抗効果素子(TMR)を使用することも記載されている。
Further, in
特許文献1のようにコアとホール素子を用いた磁気センサでは、比較的広い範囲の電流量を検出することができないという問題があった。また、コアを用いずにホール素子だけで検出すべく、小さな磁界でも高精度に検出できるホール素子を利用した場合、外部磁界による影響を如何にして排除するかも課題であり、それに対して特許文献2〜5に記載のような技術が考案された。
A magnetic sensor using a core and a Hall element as in
しかしながら、特許文献2に記載の方法では、同一方向の磁界を検出するように磁気センサを近接して配置したことによって当該2つの磁気センサの出力差が小さくなり、高精度の検出が難しくなる。一方、出力差を大きくするためにはセンサを離す必要があり、小型化が難しくなる。また、事前に2つの磁気センサ間の電流感度Sa、Sbの差異を検出しなければならず、また出力信号に反映させるためのキャリブレーション手段が必要となるためコストが掛かるという問題があった。
However, in the method described in
また、特許文献3に記載の方法では、第1分岐路と第2分岐路との間に外乱磁界検出用の素子を配置する必要があるが、正確に第1分岐路と第2分岐路との中央に配置する必要があるため、素子の配置の自由度が少ない。配置の精度を十分に確保できず、出力のばらつきが大きくなる場合があるという問題があった。
Further, in the method described in
また、特許文献4に記載の方法では、段差空間を構成するための電流路の加工が難しく、加工精度が検出精度に影響を与えやすいため、高い検出精度を有する磁気センサを作製しにくいという問題があった。
Further, in the method described in
また、特許文献5に記載の方法では、同一の電流路を用いるため、温度等の抵抗変動による影響により、第1の磁気センサと第2の磁気センサとが受ける磁界が変化する可能性がある。また、略同等の磁界を検出した出力について差動をとるため、信号対ノイズ比(SN比)が小さくなるという問題があった。
Further, in the method described in
本発明は、上記課題に鑑み成されたものであり、その目的とするところは、測定範囲が広く、信号対ノイズ比(SN比)が極めて高く、且つ、組み立てコストが低い電流量検出器、及び電流量検出器付き電流線を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide a current detector with a wide measurement range, a very high signal-to-noise ratio (S / N ratio), and a low assembly cost. And providing a current line with a current amount detector.
上記課題を解決するため、本発明に係る電流量検出器は、
測定電流が流れる電流線と、
磁界を検出して電気的に出力する少なくとも2つの磁気センサと、を備え、
前記2つの磁気センサは、それぞれ、磁界に対して平行な場合に電気的な出力が最も高くなる感磁軸と、磁界に対して平行な場合に電気的な出力が無くなる不感磁軸と、を有する磁気抵抗効果素子からなり、
前記2つの磁気センサの感磁軸は互いに平行であり、
前記2つの磁気センサのうち、一方の第1磁気センサは、測定電流により発生する磁界の、感磁軸に対して垂直な成分の磁界強度より、感磁軸に対して平行な成分の磁界強度が大きくなるような位置に配置され、
前記2つの磁気センサのうち、他方の第2磁気センサは、その感磁軸が、測定電流により発生する磁界に対して垂直であり、その不感磁軸が、測定電流により発生する磁界に対して平行になる位置に配置され、
前記第1磁気センサの出力と前記第2磁気センサの出力との差分により、測定電流の電流量を検出することを特徴とする。In order to solve the above problems, the current detector according to the present invention is:
A current line through which the measurement current flows;
And at least two magnetic sensors for detecting and electrically outputting a magnetic field,
Each of the two magnetic sensors has a magnetosensitive axis with the highest electrical output when parallel to the magnetic field, and a dead magnetic axis with no electrical output when parallel to the magnetic field. A magnetoresistive effect element having
The magnetic sensitive axes of the two magnetic sensors are parallel to each other,
Of the two magnetic sensors, one of the first magnetic sensors has a magnetic field strength of a component parallel to the magnetic sensing axis, rather than a magnetic field strength of a component perpendicular to the magnetic sensing axis of the magnetic field generated by the measurement current. Is placed at a position where the
Of the two magnetic sensors, the other second magnetic sensor has a magnetosensitive axis perpendicular to the magnetic field generated by the measurement current, and the dead magnetic axis has a magnetic field generated by the measurement current. Placed in parallel,
The amount of measurement current is detected from the difference between the output of the first magnetic sensor and the output of the second magnetic sensor.
また、本発明に係る電流量検出器において、前記第2磁気センサは、前記電流線を上面視した場合に前記電流線の外側に配置され、前記第1磁気センサは、前記電流線を上面視した場合に前記電流線と重なる位置に配置されていてもよい。 In the current amount detector according to the present invention, the second magnetic sensor is disposed outside the current line when the current line is viewed from above, and the first magnetic sensor is viewed from the top of the current line. In such a case, it may be disposed at a position overlapping the current line.
また、本発明に係る電流量検出器において、他の態様では、前記第1磁気センサは、前記電流線を上面視した場合に前記電流線の外側に配置され、前記第2磁気センサは、前記電流線を上面視した場合に前記電流線と重なる位置に配置されていてもよい。 Moreover, in the current amount detector according to the present invention, in another aspect, the first magnetic sensor is disposed outside the current line when the current line is viewed from above, and the second magnetic sensor is When the current line is viewed from above, the current line may be disposed at a position overlapping with the current line.
また、本発明に係る電流量検出器において、ある態様では、前記電流線は、2つに分岐され合流する第1電流路及び第2電流路を有し、
前記第2磁気センサは、前記電流線を上面視した場合に前記電流線の外側の位置であって、その不感磁軸が、前記第1電流路又は前記第2電流路を流れる測定電流により発生する磁界に対して平行となる位置に配置されており、
前記第1磁気センサは、前記電流線を上面視した場合に前記第1電流路及び前記第2電流路のいずれか一方と重なる位置であって、前記第1電流路又は前記第2電流路を流れる測定電流により発生する磁界の、感磁軸に垂直な成分の磁界強度より、感磁軸に平行な成分の磁界強度が大きくなる位置に配置されていることを特徴とする。Further, in the current amount detector according to the present invention, in one aspect, the current line has a first current path and a second current path that are branched into two and merged,
The second magnetic sensor is a position outside the current line when the current line is viewed from above, and the dead magnetic axis is generated by a measurement current flowing through the first current path or the second current path. It is arranged at a position parallel to the magnetic field to be
The first magnetic sensor is a position that overlaps one of the first current path and the second current path when the current line is viewed from the top, and the first magnetic sensor passes through the first current path or the second current path. The magnetic field generated by the flowing measurement current is arranged at a position where the magnetic field strength of the component parallel to the magnetic sensitive axis is larger than the magnetic field strength of the component perpendicular to the magnetic sensitive axis.
また、本発明に係る電流量検出器において、別の態様では、前記電流線は、2つに分岐され合流する第1電流路及び第2電流路を有し、
前記第2磁気センサは、前記第1電流路と前記第2電流路との間であって、その不感磁軸が、前記第1電流路又は前記第2電流路を流れる測定電流により発生する磁界に対して平行となる位置に配置されており、
前記第1磁気センサは、前記電流線を上面視した場合に前記第1電流路及び前記第2電流路のいずれか一方と重なる位置であって、前記第1電流路又は前記第2電流路を流れる測定電流により発生する磁界の、感磁軸に垂直な成分の磁界強度より、感磁軸に平行な成分の磁界強度が大きくなる位置に配置されていることを特徴とする。Moreover, in the current amount detector according to the present invention, in another aspect, the current line has a first current path and a second current path that are branched into two and merged,
The second magnetic sensor is a magnetic field generated by a measurement current flowing between the first current path and the second current path, the dead magnetic axis of which is between the first current path and the second current path. It is arranged at a position parallel to
The first magnetic sensor is a position that overlaps one of the first current path and the second current path when the current line is viewed from the top, and the first magnetic sensor passes through the first current path or the second current path. The magnetic field generated by the flowing measurement current is arranged at a position where the magnetic field strength of the component parallel to the magnetic sensitive axis is larger than the magnetic field strength of the component perpendicular to the magnetic sensitive axis.
また、本発明に係る電流量検出器において、さらに別の態様では、前記電流線は、2つに分岐され合流する第1電流路及び第2電流路を有し、
前記第1磁気センサは、前記第1電流路と前記第2電流路との間であって、前記第1電流路及び前記第2電流路を流れる測定電流により発生する磁界の、感磁軸に垂直な成分の磁界強度より、感磁軸に平行な成分の磁界強度が大きくなる位置に配置されており、
前記第2磁気センサは、前記電流線を上面視した場合に前記第1電流路及び前記第2電流路のいずれか一方と重なる位置であって、その不感磁軸が、前記第1電流路又は前記第2電流路を流れる測定電流により発生する磁界に対して平行となる位置に配置されていることを特徴とする。Moreover, in the current amount detector according to the present invention, in yet another aspect, the current line has a first current path and a second current path that are branched into two and merged,
The first magnetic sensor is located between the first current path and the second current path, and serves as a magnetosensitive axis of a magnetic field generated by a measurement current flowing through the first current path and the second current path. It is arranged at a position where the magnetic field strength of the component parallel to the magnetic sensitive axis is larger than the magnetic field strength of the vertical component,
The second magnetic sensor is a position that overlaps one of the first current path and the second current path when the current line is viewed from above, and the insensitive magnetic axis is the first current path or It is arranged at a position parallel to the magnetic field generated by the measurement current flowing through the second current path.
また、本発明に係る電流量検出器において、前記電流線は、2つに分岐され合流する第1電流路及び第2電流路を有し、
前記第1電流路若しくは前記第2電流路の比抵抗は、分岐される前の電流線若しくは合流した後の電流線の比抵抗より大きく、且つ
前記第1電流路若しくは前記第2電流路の温度係数は、分岐される前の電流線若しくは合流した後の電流線の温度係数と略同一であることが好ましい。Moreover, in the current amount detector according to the present invention, the current line has a first current path and a second current path that are branched into two and merged,
The specific resistance of the first current path or the second current path is larger than the specific resistance of the current line before branching or the current line after joining, and the temperature of the first current path or the second current path The coefficient is preferably substantially the same as the temperature coefficient of the current line before branching or the current line after merging.
また、本発明に係る電流量検出器において、前記電流線は、測定電流の流れる方向に対して垂直な断面が、長辺と短辺とからなる略矩形形状を有し、前記第2磁気センサの感磁軸は、前記電流線の短辺の中心に位置し、
前記第1磁気センサの感磁軸は、前記電流線の長辺の中心に位置してもよい。Further, in the current amount detector according to the present invention, the current line has a substantially rectangular shape in which a cross section perpendicular to the direction in which the measurement current flows has a long side and a short side, and the second magnetic sensor Is located at the center of the short side of the current line,
The magnetosensitive axis of the first magnetic sensor may be located at the center of the long side of the current line.
また、本発明に係る電流量検出器において、別の態様では、前記電流線は、測定電流の流れる方向に対して垂直な断面が、長辺と短辺とからなる略矩形形状を有し、
前記第1磁気センサの感磁軸は、前記電流線の短辺の中心に位置し、
前記第2磁気センサの感磁軸は、前記電流線の長辺の中心に位置してもよい。Moreover, in the current amount detector according to the present invention, in another aspect, the current line has a substantially rectangular shape in which a cross section perpendicular to the direction in which the measurement current flows has a long side and a short side,
The magnetosensitive axis of the first magnetic sensor is located at the center of the short side of the current line,
The magnetosensitive axis of the second magnetic sensor may be located at the center of the long side of the current line.
また、本発明に係る電流量検出器において、前記電流線は、測定電流が流れる方向に対して垂直な断面において、前記電流線の両端が同方向に前記電流線に対して略垂直に屈曲した断面凹形状を有していてもよい。 Further, in the current amount detector according to the present invention, the current line has a cross section perpendicular to the direction in which the measurement current flows, and both ends of the current line are bent in the same direction substantially perpendicular to the current line. The cross section may have a concave shape.
また、本発明に係る電流量検出器において、前記第1磁気センサ及び前記第2磁気センサは、一の基板の表面及び裏面にそれぞれ配置されていてもよい。 In the current amount detector according to the present invention, the first magnetic sensor and the second magnetic sensor may be disposed on a front surface and a back surface of one substrate, respectively.
本発明に係る電流量検出器付き電流線は、主電流路と、前記主電流路から分岐され前記主電流路と合流する迂回電流路と、を有する電流線と、当該迂回電流路に設けられた上述の電流量検出器と、を有してなることを特徴とする。 A current line with a current amount detector according to the present invention is provided in a current line having a main current path, a bypass current path branched from the main current path and joined to the main current path, and the bypass current path. And the above-described current amount detector.
本発明によれば、測定範囲が広く、信号対ノイズ比(SN比)が極めて高く、且つ、組み立てコストが低い電流量検出器、及び電流量検出器付き電流線を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a current amount detector and a current line with a current amount detector that have a wide measurement range, an extremely high signal-to-noise ratio (SN ratio), and low assembly costs.
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語(例えば、「上」、「下」、「右」、「左」およびそれらの用語を含む別の用語)を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。複数の図面に表れる同一符号は、特に断らない限り同一の部分又は部材を示す。以下の実施の形態は、本発明を単に例示するものであって、本発明は、以下の実施の形態に限定されることはない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, terms indicating specific directions and positions (for example, “up”, “down”, “right”, “left” and other terms including those terms) are used as necessary. These terms are used for easy understanding of the invention with reference to the drawings, and the technical scope of the present invention is not limited by the meaning of these terms. The same reference numerals appearing in a plurality of drawings indicate the same parts or members unless otherwise specified. The following embodiments merely illustrate the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiments.
図1(a)は、本発明の実施の形態1に係る電流量検出器1の斜視図であり、図1(b)は、その上面図であり、図1(c)は、図1(a)のA−A’断面における、電流量検出器1の断面図である。
FIG. 1A is a perspective view of a
図1(a)〜(c)に示すように、本発明の実施の形態1に係る電流量検出器1は、測定電流25が流れる電流線5と、測定電流25により発生する磁界を検出して電気的に出力する少なくとも2つの磁気センサ(第1磁気センサ2、第2磁気センサ3)と、を備え、2つの磁気センサは、それぞれ、磁界に対して平行な場合に電気的な出力が最も高くなる感磁軸11、12と、磁界に対して平行な場合に電気的な出力が無くなる不感磁軸13、14と、を有する磁気抵抗効果素子からなり、2つの磁気センサの感磁軸11、12は互いに平行であり、2つの磁気センサのうち、一方の第1磁気センサ2は、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度より、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度が大きくなる位置に配置されており、2つの磁気センサのうち、他方の第2磁気センサ3は、その感磁軸12が測定電流25により発生する磁界に対して垂直であり、その不感磁軸14が、測定電流25により発生する磁界に対して平行になる位置に配置されていることを特徴とする。ここで、「感磁軸」とは、磁気センサに印加した磁界に対して、単位磁界あたりの電気的な出力が最も高くなる方向と定義される。磁気センサは以下に説明するように感磁軸を有し、磁気センサに印加された磁界が、当該感磁軸の方向と平行となる場合に、当該磁気センサから出力される電気的出力が最も高くなる。また、「不感磁軸」とは、磁気センサに印加した磁界に対して、電気的な出力が無くなる(実質的に電気的な出力が無くなる場合も含む)方向と定義される。磁気センサは以下に説明するように不感磁軸を有し、磁気センサに印加された磁界が、当該不感磁軸の方向と平行となる場合に、当該磁気センサから出力される電気的出力が無くなる(実質的に無くなる)。例えば、図15に示すように、1つのスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子aを固定層bと自由層cとを含む層状構造として構成し、電気的な出力を得る場合、層状構造の積層方向が不感磁軸dとなり、固定層に平行な方向(層状構造の積層方向に対して垂直な方向)が感磁軸eとなる。このとき、不感磁軸dの方向の磁界強度に対する電気的な出力は、図17に示すように、磁界強度の値に拘わらず常に0となる。また、感磁軸eの方向の磁界強度に対する電気的な出力は、磁界強度が強くなるにしたがって強くなり、やがて飽和する。このように、感磁軸eの方向の磁界強度と電気的出力との関係は、図16のような曲線となる。
As shown in FIGS. 1A to 1C, the
本発明の実施の形態1に係る電流量検出器1において、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3とは、図1(b)、(c)に示すように、少なくともそれぞれの感磁軸11、12が平行である必要がある。ここで、第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3の「それぞれの感磁軸が平行」とは、第1磁気センサ2の感磁軸11と第2磁気センサ3の感磁軸12とが完全に平行である場合だけでなく、電気的出力の精度や分解能に影響を与えない限り完全な平行でなくてもよい。すなわち、電気的出力の精度や分解能に影響を与えない範囲で感磁軸11は感磁軸12に対して傾斜していてもよい。このように電気的出力の精度や分解能に影響を与えない範囲で感磁軸11が感磁軸12に対して傾斜している場合を、感磁軸11と感磁軸12とが「実質的に平行」であるという。
In the
さらに、第1磁気センサ2は、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度よりも、当該磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度が大きくなる位置に配置される。例えば、図1に示すように第1磁気センサ2と第2磁気センサ3とを、基板4の平行な表面及び裏面にそれぞれ配置し、電流線5を第2磁気センサ3と同じ基板面上に配置することで、基板4の表面と裏面との平行度により第1磁気センサ2、第2磁気センサ3及び電流線5を容易に位置決めできるため好ましい。
Further, in the first
電流線5内を流れる測定電流25により発生する磁界は、電流線5の表面近傍においては電流線5の断面形状と同じ形状で、電流線5の表面から離れるにしたがって電流線5の中心を円の中心とする真円状に近づいていく。表面近傍とは、電流線5を一次元の線に近似、すなわち、電流線5の測定電流25の流れる方向に対して垂直な断面において点に近似し、電流線5を流れる測定電流25により発生する磁界を断面に垂直な方向から見て真円として近似することができなくなる範囲より電流線5に近い範囲を意味する。
The magnetic field generated by the measurement current 25 flowing in the
図3は、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度より、感磁軸11に平行な成分の磁界強度が大きくなるような位置(領域)について説明するための図面である。以下、簡略のため、断面形状が真円形状である電流線を用いた場合について説明する。
FIG. 3 illustrates a position (region) where the magnetic field strength of the component parallel to the magnetic
電流線5が真円形状の断面を有する場合、電流線5内を流れる測定電流25により発生する磁界は、図3に示すように、電流線5の中心を円の中心とする真円状となる。このような磁界は、電流線5の表面近傍の位置から、電流線5の表面から離れた位置に至るまで、真円形状を有する。
ここで、図3に示す断面(電流線5の長手方向に垂直な断面)において、電流線5の中心を通り水平に延びる線をX軸とし、電流線5の中心を通り当該X軸に対して垂直に延びる線をY軸とする。When the
Here, in the cross section shown in FIG. 3 (cross section perpendicular to the longitudinal direction of the current line 5), a line extending horizontally through the center of the
まず、例えば、X軸となす角度がθとなる位置(ここでは、このような位置を位置Aと称する)を例に、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分、及び、感磁軸11に平行な成分について説明する。X軸となす角度がθとなる位置Aでは、図3に示すように、磁界は円に沿った矢印で表される。この磁界の強度をTとする。ここで、第1磁気センサ2の感磁軸11及び第2磁気センサ3の感磁軸12はX軸に対して平行になるように設定される。したがって、「感磁軸11に垂直」とは、Y軸に平行な方向を意味し、「感磁軸11に平行」とは、X軸に平行な方向を意味する。円の接線方向に延びる長さTのベクトルを、Y軸に平行な成分、X軸に平行な成分に分解した場合、「測定電流により発生する磁界の、感磁軸に垂直な成分の磁界強度」は、Tcosθに相当し、「測定電流により発生する磁界の、感磁軸に平行な成分の磁界強度」の絶対値は、Tsinθに相当する。
First, for example, taking a position where the angle formed with the X axis is θ (here, such a position is referred to as a position A), a component perpendicular to the
X軸に対して0°の位置Bでは、図3に示すように、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度は0であり、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度はTである。また、X軸に対して30°の位置Cでは、図3に示すように、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度はT/2であり(マイナス方向を正としている)、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度は(√3/2)Tである。これらの位置B、Cにおいては、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度が、感磁軸11に平行な成分の磁界強度より大きい。
At a position B of 0 ° with respect to the X axis, as shown in FIG. 3, the magnetic field strength of the component parallel to the
例えば、X軸に対して45°の位置Dでは、図3に示すように、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度は、T/√2であり(マイナス方向を正としている)、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度もT/√2である。この位置Dにおいては、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度は、感磁軸11に平行な成分の磁界強度と同じである。
For example, at a position D of 45 ° with respect to the X axis, as shown in FIG. 3, the magnetic field strength of the component parallel to the
一方、X軸に対して60°の位置Eでは、図3に示すように、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度は、(√3/2)Tであり(マイナス方向を正としている)、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度は、T/2である。また、X軸に対して90°の位置Fでは、図3に示すように、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度はTであり(マイナス方向を正としている)、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度は0である。X軸に対して120°の位置Gでは、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度は、(√3/2)Tであり(マイナス方向を正としている)、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度は、T/2である(マイナス方向を正としている)。このような位置E、F、Gにおいては、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度が、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度より大きい。
On the other hand, at a position E of 60 ° with respect to the X axis, as shown in FIG. 3, the magnetic field strength of the magnetic field generated by the measurement current 25 and the component parallel to the
また、X軸に対して135°の位置Hでは、45°の位置Dと同様、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度は、感磁軸11に平行な成分の磁界強度と同じである。
Further, at a position H of 135 ° with respect to the X-axis, the magnetic field strength of a component perpendicular to the magnetic
X軸に対して150°、180°の位置I、Jでは、0°、30°の位置B、Cと同様、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度が、感磁軸11に平行な成分の磁界強度より大きい。
At positions I and J of 150 ° and 180 ° with respect to the X axis, similarly to the positions B and C of 0 ° and 30 °, the magnetic field intensity of the component perpendicular to the
このように、X軸に対して45°〜135°の領域においては、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度よりも、当該磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度が大きい。X軸に対して225°〜315°の領域においても上記と同様のことが言える。
Thus, in the region of 45 ° to 135 ° with respect to the X axis, the magnetic
以上のように、電流線5の断面形状が真円状である場合、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度が、当該磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度より大きくなる位置(領域)とは、X軸に対して45°〜135°、225°〜315°の領域、すなわち、電流線5の中心から鉛直方向に対して±45°傾斜した2つの直線に挟まれる領域であって電流線5の真上及び真下に形成される領域(図3において斜線を施した領域42)に相当する。
As described above, when the cross-sectional shape of the
一方、電流線5の断面形状が、上下方向を短辺(短辺を26で示す)とし左右方向を長辺(長辺を27で示す)とする長方形状である場合は、電流線5内を流れる測定電流25により発生する磁界は、図4に示すように、電流線5の短辺26及び長辺27に平行な短軸(短軸の長さを短径と称する)と長軸(長軸の長さを長径と称する)を有する略楕円形状となる。ここで略楕円形状としたのは、電流線の材質や温度分布などの諸条件、発生した磁界によるローレンツ力により電流密度分布が経時変化したり、流れる電流の周波数によっては表皮効果などにより電流密度分布が変化する等の影響により、発生する磁界が正確な楕円から歪むためである。また、表面近傍では短径の変化が大きく、さらに、表面から離れるにしたがって、長径の変化も大きくなり、短径と長径の差が徐々に小さくなり、真円に近づいていく。そのため、短辺26の近傍では磁界が強くなっており、徐々に短辺側と長辺側の間隔が均等に近づいていく。以下の説明においては、図4を用いて、厚み3mm、幅31mm、均一な電流線5に周波数10Hz、電流量120Aで紙面奥から手前に電流を流した場合について説明を行う。
On the other hand, when the cross-sectional shape of the
図4は、電流線5の周囲に発生した磁界を示している。略楕円状の磁界の任意の位置において、磁界は略楕円に沿った矢印で表される。このとき、電流線5の長辺27に平行な成分と垂直な成分に分けて考えることができ、その平行な成分の絶対値と垂直な成分の絶対値の差が正の範囲を斜線で示した(この斜線の範囲を参照番号42で示し、斜線の範囲外の領域を参照番号43で示す)。
FIG. 4 shows a magnetic field generated around the
図4に示すように、斜線の範囲42においては、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度が、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度より大きい。一方、斜線の範囲外の領域43においては、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度が、感磁軸11に平行な成分の磁界強度より大きい。
As shown in FIG. 4, in the shaded
また、以下に説明するように、X軸上では、測定電流25により発生する感磁軸11に平行な成分の磁界は0となる。X軸上の任意の位置に、測定電流により発生する磁界が0となるように、感磁軸12を有する磁気センサを配置し、一方、測定電流により発生する磁界の、感磁軸12に平行な成分の方が垂直な成分より大きくなるように、感磁軸12と平行な感磁軸11を有する磁気センサを斜線の範囲42に配置する。それにより、感磁軸12を有する磁気センサは感磁軸12に垂直な方向(不感磁軸方向)の磁界を検出することができないことから測定電流25の磁界の影響を受けることなく、測定電流25以外の外部磁界を測定することができる。感磁軸12を有する磁気センサの出力と、感磁軸11を有する磁気センサの出力との差分によって、精度良く測定電流の出力を得ることができる。
Further, as will be described below, the magnetic field of the component parallel to the
以上では、断面形状が円形状、矩形形状の場合についてのみ説明したが、当業者であれば、電流線の断面形状が分かると、電流線の周りに形成される磁界の方向を容易に得ることができるため、「測定電流により発生する磁界の、感磁軸に垂直な成分の磁界強度より、感磁軸に平行な成分の磁界強度が大きくなる位置(領域)」を導き出すことができることは理解されよう。 In the above, only the case where the cross-sectional shape is a circular shape or a rectangular shape has been described. However, a person skilled in the art can easily obtain the direction of the magnetic field formed around the current line if the cross-sectional shape of the current line is known. It is understood that the “position (region) where the magnetic field strength of the component parallel to the magnetosensitive axis of the magnetic field generated by the measurement current becomes larger than the magnetic field strength of the component perpendicular to the magnetic sensitive axis” can be derived. Let's be done.
一方、第2磁気センサ3は、その感磁軸12が測定電流25により発生する磁界に対して垂直であり、その不感磁軸14が、測定電流25により発生する磁界に対して平行になる位置に配置される。図3では本発明の説明を簡略化するために、第2磁気センサ3の感磁軸12がX軸に対して平行であり第2磁気センサ3の不感磁軸14がY軸に対して平行になるように設定したが、「第2磁気センサの感磁軸が測定電流により発生する磁界に対して垂直であり、不感磁軸が測定電流により発生する磁界に対して平行になる位置」とは、必ずしも、上述のように、第2磁気センサ3の感磁軸12がX軸に対して平行であり不感磁軸14がY軸に対して平行となる位置である必要はなく、測定電流25により発生した磁界に対する感磁軸12の角度が垂直であり不感磁軸14の角度が平行であれば、電流線5の周囲全周いずれの位置に配置してもよい。
On the other hand, in the second
また、断面形状が図4に示すような矩形形状である場合も同様に、「感磁軸12が測定電流により発生する磁界に対して垂直であり、その不感磁軸14が、測定電流25により発生する磁界に対して平行になる位置」とは、測定電流25により発生した磁界に対する感磁軸12の角度が垂直であり不感磁軸14の角度が平行であれば、電流線5の周囲全周いずれの位置に配置しても問題ない。ただし、電流線の断面形状が正確に矩形であれば、その電流線に沿って基板を配置し、その基板上に磁気センサを配置することで、容易に感磁軸の角度を設定することができるため好ましい。
Similarly, when the cross-sectional shape is a rectangular shape as shown in FIG. 4, “the
第1磁気センサ2を上述の領域に配置することにより、図1(b)、(c)に示すように、第1磁気センサ2は、第1の磁気センサの感磁軸11方向の外部磁界成分Hexと、測定電流25により発生する磁界の感磁軸方向の磁界成分Hm1の、第1磁気センサ2の感磁軸11に平行な成分と、の合成磁界を検出する。一方、第2磁気センサ3を上述の領域に配置することにより、図1(b)、(c)に示すように、第2磁気センサ3は、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexのみを検出する(すなわち、第2磁気センサ3は、第2磁気センサ3の感磁軸12が測定電流25により発生する磁界に対して垂直になる位置に配置され、測定電流25により発生する磁界の、第2磁気センサ3の感磁軸12に平行な成分が含まれていないため、測定電流25により発生する磁界を検出することができない)。これらの磁気センサ2、3の出力の差分をとることにより外部磁界を除いた測定電流25による磁界のみを検出することができる。すなわち、外部磁界の影響を受けることなく測定電流25による磁界のみを検出することができるため、極めて正確な電流量検出器を提供することができる。
By arranging the first
本発明において、磁界を検出する感磁軸11、12を有する磁気抵抗効果素子は、感磁軸11、12が互いに平行であって同一方向に向いており、一方の第1磁気センサ2が、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度より、感磁軸11に平行な成分の磁界強度が大きくなる位置に配置されており、他方の第2磁気センサ3が、その感磁軸12が測定電流25により発生する磁界に対して垂直であり、その不感磁軸14が、測定電流25により発生する磁界に対して平行になる位置に配置されていれば、具体的な位置は以下に示す実施の形態に限定されることはなく、これ以外の配置であっても、本願発明の技術範囲に含まれることは理解されよう。しかしながら、本発明をより明確に説明するために、以下、具体的な配置に基づいて詳細に説明する。
In the present invention, the magnetoresistive effect element having the magnetic
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1に係る電流量検出器1は、図1(a)〜(c)に示すように、断面形状が矩形の電流線5と、電流線5の外周に配置された2つの磁気センサ(第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3)と、を有する。この2つの磁気センサは、それぞれ、磁界を検出する感磁軸11、12を有する磁気抵抗効果素子からなる。2つの磁気センサ2、3は、2つの磁気センサ2、3の感磁軸11、12が互いに平行となるように配置されている。さらに、第2磁気センサ3は、電流線5を上面視した場合に電流線5の外側に配置され、第1磁気センサ2は電流線5を上面視した場合に電流線5と重なる位置に配置されている。電流線5は、平坦な上面を有しており、本発明においては、この上面に垂直な方向から見る場合を「上面視」という。「電流線5を上面視した場合に第2磁気センサ3が外側に配置される」とは、電流線5の平坦な上面に垂直な直線上のある点から電流線5を見た場合に、第2磁気センサ3が電流線5の外側、すなわち、図2に示すように、電流線5の測定電流25の流れる方向に垂直な幅方向の両端53、54の間を内側の範囲(当該範囲を参照番号52により示す)として、その範囲外(当該範囲を参照番号51により示す)に配置されていることを意味する。また、「第1磁気センサ2が電流線5を上面視した場合に電流線5と重なる位置に配置されている」とは、電流線5の平坦な上面に垂直な直線状のある点から電流線5を見た場合に、第1磁気センサ2が電流線5と重なる位置、すなわち、電流線5の測定電流25の流れる方向に垂直な幅方向の両端53、54の間を内側の範囲として、その範囲内(当該範囲を52により示す)に配置されていることを意味する。(Embodiment 1)
As shown in FIGS. 1A to 1C, the
図1に示すように、実施の形態1においては、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3は、それらの感磁軸11、12を含む感磁面が、基板4に対して平行となるように基板4の表面及び裏面のそれぞれに設けてもよい。ここで、感磁軸とは、磁界に対して磁気センサの電気的な出力が最も高くなる方向の軸を意味し、不感磁軸とは、磁界に対して磁気センサの電気的な出力が無くなる方向の軸を意味する。また、感磁面とは、感磁軸を含む面を意味する。このように、上面視した場合に、第2磁気センサ3を電流線5の外側に配置し、第1磁気センサ2を電流線5と重なる位置に配置すれば、第1磁気センサ2は、図1(b)に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexと、測定電流25により発生する磁界の、第1磁気センサ2の感磁軸11に平行な成分Hm1と、の合成磁界を検出し、一方、第2磁気センサ3は、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexのみを検出する。これら第1及び第2磁気センサ2、3の出力の差分をとることにより、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexを除いた、測定電流25による磁界のみを検出することができ、信号対ノイズ比(SN比)を向上させることができる。
As shown in FIG. 1, in the first embodiment, the first
本発明の実施の形態1に係る電流量検出器1において、電流線5の材料は、特に限定されるものではなく、例えば、銅、アルミニウム等の金属;若しくは前記金属と、スズ、銀、ジルコニウム、クロム、ニッケル、鉄、亜鉛、ケイ素、リン、マグネシウム等との合金;若しくはアルミニウムと銅の貼り合わせや、クラッド材等を例示することができる。特に好ましくは、銅である。銅は安価である上に電気抵抗が低いため、好適に用いられる。
In the
本発明の実施の形態1に係る電流量検出器1において、第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3として、感磁軸11、12を有する磁気抵抗効果素子を用いる。このような磁気抵抗効果素子としては、異方性磁気抵抗効果(以下、異方性磁気抵抗効果をAMRと称することもある)素子、多層巨大磁気抵抗効果(以下、多層巨大磁気抵抗効果をGMRと称することもある)素子、スピンバルブ型磁気抵抗効果(以下、スピンバルブ型磁気抵抗効果をSVGMRと称する)素子、トンネル磁気抵抗効果(以下、トンネル磁気抵抗効果をTMRと称することもある)素子、ホール素子、磁気インピーダンス素子、磁気誘導素子、フラックスゲート素子等を例示することができる。具体的には、上述した素子を用いて、周囲を非磁性のケースなどでパッケージした磁気センサなどを用いることができる。また、図中で用いている第1磁気センサ、及び第2磁気センサは、分かりやすくするために磁気センサの形状を、感磁軸に平行な方向に広い面(以下、主面31、32と称することもある)を有し、それに対して垂直な方向に不感磁軸が設定されるように示しているが、基板の形状などに応じて適宜好ましい磁気センサの構成を用いることができる。
In the
本発明の実施の形態1に係る電流量検出器1において、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3とを1つの基板4(例えば、プリント回路基板として汎用されているガラスエポキシ等の樹脂を含む基板や、アルミナやLTCC(低温同時焼成セラミックス)等のセラミックスなどを含む基板)に配置してもよい。また、2以上の基板4に第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3をそれぞれ設けてもよい。第1磁気センサ2と第2磁気センサ3とを1つの基板4上に設ける場合、図1に示すように、電流線5を基板4の一方の主面上に設け、第1磁気センサ2を、当該基板4の他方の主面上であって、上面視した場合に第1磁気センサ2が電流線5と重なる位置に設け、第2磁気センサ3を、基板4の他方の主面上であって、上面視した場合に第2磁気センサ3が電流線5の外側の位置に配置されるように設ける。以下の実施の形態において、第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3を設ける基板4は、必ずしも図面に表されているとは限らず、電流線5と第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3のみが示されている場合もあるが、当業者であれば当該基板が図示されていなくてもこれを補って電流量検出器に係る本発明を実施することができることは理解されよう。
In the
表皮効果による電流密度の偏りと、大電流と、による電流線の発熱の影響が小さくなる好ましい形状として、今回は平板の例を用いて説明したが、第1磁気センサ2及び/又は第2磁気センサ3が設けられる基板4は、平板状である必要はなく、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3、第1磁気センサ2と電流線5、第2磁気センサ3と電流線5を上述した所定の位置に配置させることができる限り如何なる形状であってもよい。測定電流25が流れる電流線5の断面は、図1(c)に示すように、測定電流25が流れる方向から見て、略矩形の断面、すなわち、長辺と、当該長辺に対して略垂直に設けられ上記長辺より短い短辺と、を有する断面であってもよい。図1(c)では、電流線5の略矩形の断面の長辺が27で示され、短辺が26で示されている。第1磁気センサ2を電流線5の長辺27に、すなわち、電流線5を上面視して電流線5と重なる位置に配置した場合、電流が流れることにより長辺27に沿って発生する磁界強度は、短辺に沿って発生する磁界強度より小さくなる。そのため、電流の変化に対する磁界強度変化が小さくなり、磁気センサが飽和しづらくなる、すなわち、大きな電流を電流線5に流しても第1の磁気センサ2が飽和しにくくなる。それによって、広い範囲の電流を測定できるため好ましい。さらに、第1の磁気センサ2の感磁軸を長辺27の中心に配置すれば、その効果を最大とすることができる。この効果は、以降に説明するほかの実施形態においても、第1磁気センサ2を、電流が流れる方向から見て略矩形の断面の長辺27に、すなわち、電流線5を上面視して電流線5と重なる位置に配置した場合、同様の効果が得られる。
As a preferable shape in which the influence of the heat generation of the current line due to the current density bias due to the skin effect and the large current is reduced, this example has been described using a flat plate example, but the first
本発明の実施の形態1に係る電流量検出器によれば、最も簡潔な構成でSN比が良好な電流量検出器を提供することができる。 According to the current amount detector according to the first embodiment of the present invention, it is possible to provide a current amount detector with the simplest configuration and good SN ratio.
また、本願発明は、特許文献2に開示された技術に対して、以下のような有利な点を有する。
特許文献2においては、図18に示すように、磁気センサ3aと被測定導体5’との距離、及び、磁気センサ3bと被測定導体5’との距離が異なるようにこれら磁気センサ3a、3b及び被測定導体5’が配置されている。図18においては、磁気センサ3aと被測定導体5’との距離が、磁気センサ3bと被測定導体5’との距離より小さくなるように設定されている。
上述のように、磁気センサ3a、3bの電流感度をそれぞれSa、Sb[V/A]、被測定導体5’に流れる電流をI[A]、磁気センサ3a、3bの磁界感度をそれぞれma、mb[V/T]、磁気センサ3a、3bに外部から与えられる外乱磁界の磁束密度をそれぞれBa、Bb[T]、磁気センサ3a、3bの出力電圧をVa、Vb[V]とすると、
磁気センサ3aについて、
Va=Sa×I+ma×Ba (1)
が成り立ち、
磁気センサ3bについて、
Vb=Sb×I+mb×Bb (2)
が成り立つ。2つの磁気センサ3a、3bの磁界感度について、ma=mbが成り立ち、磁気センサ3a、3bに外部から与えられる外乱磁界の磁束密度についてもBa=Bbが成り立つと近似し、(1)から(2)を差し引くことにより、
Va−Vb=(Sa−Sb)Iが得られる。
電流感度Sa、Sb並びにVa、Vbを求めることにより、被測定導体5’に流れる電流Iを算出することができるとされている。
しかしながら、特許文献2に記載の方法では、同一方向の磁界(図18に示すように、電流Iが流れる方向から見て左から右へ向かう方向)を検出するように磁気センサ3a、3bを互いに近接して配置したことによって当該2つの磁気センサ3a、3bの出力差が小さくなり、高精度の検出が難しくなる。一方、出力差を大きくするためには磁気センサ3a、3bを互いに離す必要があり、小型化が難しくなる。また、事前に2つの磁気センサ3a、3b間の電流感度Sa、Sbの差異を検出しなければならず、また出力信号に反映させるためのキャリブレーション手段が必要となるためコストが掛かるという問題があった。
本発明によれば、上述のように、2つの磁気センサ(第1磁気センサ2、第2磁気センサ3)の感磁軸11、12が互いに平行であり、2つの磁気センサのうち、一方の第1磁気センサ2が、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に垂直な成分の磁界強度より、測定電流25により発生する磁界の、感磁軸11に平行な成分の磁界強度が大きくなる位置に配置されており、2つの磁気センサのうち、他方の第2磁気センサ3が、その感磁軸12が測定電流25により発生する磁界に対して垂直であり、その不感磁軸14が、測定電流25により発生する磁界に対して平行になる位置に配置されている。そのため、測定磁界が増加しても第2磁気センサ3の出力が変動しないため、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3の出力差を大きくすることができ、高精度の検出が可能である。また、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3の出力差を大きくするために、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3とを離す必要がなく小型化が可能である。また、本発明によれば、第1磁気センサ2を電流線5の長辺27に、すなわち、電流線5を上面視して電流線5と重なる位置に配置しており、上述した理由から電流の変化に対する磁界強度変化が小さくなることで、位置ずれによる誤差も小さくなる。そのため、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3の電流感度の差異を検出する必要がなく、キャリブレーション手段が必要でなくなり、コストが掛からない。The present invention has the following advantages over the technique disclosed in
In
As described above, the current sensitivities of the
About the
Va = Sa × I + ma × Ba (1)
And
Regarding the
Vb = Sb × I + mb × Bb (2)
Holds. It is approximated that ma = mb holds for the magnetic field sensitivity of the two
Va-Vb = (Sa-Sb) I is obtained.
By obtaining the current sensitivities Sa and Sb and Va and Vb, the current I flowing through the conductor to be measured 5 ′ can be calculated.
However, in the method described in
According to the present invention, as described above, the
(実施の形態2)
図5は、本発明の実施の形態2に係る電流量検出器1の概略断面図である。図5に示すように、実施の形態2に係る電流量検出器1は、断面形状が矩形の電流線5と、電流線5の外周に配置された2つの磁気センサ(第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3)と、を有し、2つの磁気センサは、それぞれ、磁界を検出する感磁軸11、12を有する磁気抵抗効果素子からなり、2つの磁気センサの感磁軸11、12は互いに平行であり、第2磁気センサ3が、上面視した場合に電流線5と重なる位置に配置され、第1磁気センサ2は電流線5を上面視した場合に電流線5の外側の位置に配置されている。また、図5に示すように、実施の形態2においては、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3は、それぞれの感磁軸11、12を含む感磁面が、基板4に対して垂直となるように設けられている。実施の形態2、及び他の実施の形態において、第1磁気センサ2の主面31の方向と感磁軸11を含む感磁面の方向とが平行、第2磁気センサ3の主面32の方向と感磁軸12を含む感磁面の方向とが平行となるように配置されているが、第1磁気センサ2の主面31の方向と感磁軸11を含む感磁面の方向とが平行でなくともよく、また、第2磁気センサ3の主面32の方向と感磁軸12を含む感磁面の方向とが平行でなくてもよい。第1磁気センサ2の主面31の方向と感磁軸11を含む感磁面の方向とが平行でなくともよく、また、第2磁気センサ3の主面32の方向と感磁軸12を含む感磁面の方向とが平行でなくてもよいことは、他の実施の形態においても同様に当てはまる。(Embodiment 2)
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the
実施の形態2に係る電流量検出器1は、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3の設置位置が実施の形態1の場合と反対であるとともに、実施の形態1では、基板4に対してこれらの感磁面が平行となるように設けられているのに対して、実施の形態2では、基板4に対してこれらの感磁面が垂直となるように設けられている点で実施の形態1に係る電流量検出器1と異なる。以下の実施の形態において、実施の形態1と同じ部材については説明を省略する。
In the
実施の形態2に係る電流量検出器1によれば、第1磁気センサ2は、図5に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexと、測定電流25により発生する磁界の、第1磁気センサ2の感磁軸11に平行な成分Hm1と、の合成磁界を検出し、一方、第2磁気センサ3は、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexのみを検出する。これらの磁気センサの出力の差分をとることにより第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexを除いた、測定電流25による磁界のみを検出することができる。したがって、外部磁界の影響を受けることなく測定電流25による磁界のみを検出することができるため、極めて正確な電流量検出器を提供することができる。測定電流25が流れる電流線5の断面は、図1(c)に示すように、測定電流25が流れる方向から見て、略矩形の断面、すなわち、長辺と、当該長辺に対して略垂直に設けられ上記長辺より短い短辺と、を有する断面であってもよい。図1(c)では、電流線5の略矩形の断面の長辺が27で示され、短辺が26で示されている。第1磁気センサ2を短辺26に、第2磁気センサ3を長辺27に配置した場合、電流が流れることにより短辺26に沿って発生する磁界強度は長辺27に沿って発生する磁界強度より大きくなる。そのため、電流の変化に対する磁界強度変化が大きくなり、微小な電流に対して高感度に測定できるため好ましい。さらに、第1の磁気センサ2の感磁軸を短辺26の中心に配置すれば、その効果を最大とすることができる。この効果は、以降に説明するほかの実施形態においても、第1磁気センサ2を、電流が流れる方向から見て略矩形の断面の短辺26に、すなわち、電流線5を上面視して電流線5の外側に配置した場合、同様の効果が得られる。
According to the
(実施の形態3)
図6(a)は、本発明の実施の形態3に係る電流量検出器1の概略断面図であり、図6(b)は、その斜視図である。図6(a)、(b)に示すように、実施の形態3に係る電流量検出器1は、空隙部30が設けられることにより2つの電流路(第1電流路21及び第2電流路22)に分岐し、さらに合流する電流線5と、第1電流路21又は第2電流路22内を流れる測定電流25により発生する磁界を検出する2つの磁気センサ(第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3)と、を有し、2つの磁気センサは、それぞれ、磁界を検出する感磁軸11、12を有する磁気抵抗効果素子からなり、2つの磁気センサの感磁軸11、12は互いに平行であり、第2磁気センサ3が、電流線5を上面視した場合に電流線5の外側(すなわち、第1電流路21に第1磁気センサ2が設けられる場合は、第1電流路21を中心として第2電流路22と反対側、第2電流路22に第1磁気センサ2が設けられる場合は、第2電流路22を中心として第1電流路21と反対側)に配置され、第1磁気センサ2は電流線5を上面視した場合に第1電流路21及び第2電流路22の少なくとも一方(第2磁気センサ3が第1電流路21の外側に配置されているときは、第1電流路21、第2磁気センサ3が第2電流路22の外側に配置されているときは、第2電流路22)と重なる位置に配置されている。また、図6に示すように、実施の形態3においては、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3は、感磁軸11、12を含む感磁面が基板4に対して平行となるように設けられている(すなわち、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3は、第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3の法線が基板4の法線に対して平行になるように設けられている)。(Embodiment 3)
FIG. 6A is a schematic cross-sectional view of the
実施の形態3に係る電流量検出器1は、実施の形態1では、電流線5が分岐されていないのに対して、実施の形態3では、電流線5が分岐されている点で実施の形態1に係る電流量検出器1と異なる。
The
実施の形態3に係る電流量検出器1によれば、実施の形態1と同様に、外部磁界成分Hexを除いた、測定電流25による磁界のみを検出することができ、それにより、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexの影響を受けることなく測定電流25による磁界のみを検出することができ、信号対ノイズ比(SN比)を向上させることができる。つまり、極めて正確な電流量検出器を提供することができる。また、電流線5を2つの電流路に分岐し、分岐された電流路による磁界を検出するため、一方の電流路から発生する磁界は小さくなり、磁気センサが飽和することを抑制することができる。すなわち、電流線5を分岐することにより第1の磁気センサのアッテネート効果を得ることができる。
According to the
また、実施の形態3に係る電流量検出器1において、図6の分岐された第1電流路21の比抵抗を、分岐前後の電流路及び分岐された他方の第2電流路22の比抵抗より大きくなるように設定してもよい。このように構成することで、第1磁気センサ2を配置した第1電流路21に流れる電流量をさらに低減することができ、その結果、第1の磁気センサの大きなアッテネート効果を得ることができる。例えば、分岐された第1電流路21をリン青銅、分岐される前後の電流線、及び他方の第2電流路22を無酸素銅で構成し、電気的に接続する。それにより前述した効果が得られる。さらに、リン青銅と無酸素銅は電気抵抗の温度係数が略同一であるため、それによる分岐量の変動など無く、精度良く第1の磁気センサのアッテネート効果が得られるため好ましい。
また、実施の形態3に係る電流量検出器1において、実施の形態1と同様、第1磁気センサ2を電流線5の長辺27に、すなわち、電流線5を上面視して電流線5と重なる位置に配置することが好ましい。このような構成とした場合、上述のように、電流が流れることにより長辺27に沿って発生する磁界強度は短辺26に沿って発生する磁界強度より小さくなる。そのため、電流の変化に対する磁界強度変化が小さくなり、磁気センサが飽和しづらくなる、すなわち、大きな電流を電流線5に流しても第1の磁気センサ2が飽和しにくくなることにより、広い範囲の電流を測定できる。さらに、第1の磁気センサ2の感磁軸を長辺27の中心に配置すれば、その効果を最大とすることができる。In the
Further, in the
(実施の形態4)
図7(a)は、本発明の実施の形態4に係る電流量検出器1の概略断面図であり、図7(b)は、その斜視図である。図7(a)、(b)に示すように、実施の形態4に係る電流量検出器1は、実施の形態3と同様の電流線5と、2つの磁気センサ(第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3)と、を有し、第2磁気センサ3が、電流線5を上面視した場合に分岐した2つの電流路(第1電流路21、第2電流路22)間に配置され、第1磁気センサ2は実施の形態3と同様に配置されている。(Embodiment 4)
FIG. 7A is a schematic cross-sectional view of the
実施の形態4に係る電流量検出器1は、実施の形態3では、第2磁気センサ3が電流線5の上面視外側に設けられているのに対して、実施の形態4では、第2磁気センサ3が2つに分岐された第1電流路21と第2電流路22との間に設けられている点で実施の形態3に係る電流量検出器1と異なる。
In the
本発明の実施の形態4において、実施の形態1と同様に、外部磁界成分Hexを除いた、測定電流25による磁界のみを検出することができ、それにより、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexの影響を受けることなく測定電流25による磁界のみを検出することができ、信号対ノイズ比(SN比)を向上させることができる。また、実施の形態3と同様に、分岐された電流路による第1の磁気センサのアッテネート効果を得ることができる。また、実施の形態3と同様に、分岐された電流線の比抵抗を分岐される前の電流線若しくは合流した後の電流線の比抵抗より大きくなるように設定することで、第1の磁気センサの大きなアッテネート効果を得ることができる。さらに、実施の形態4においては、分岐された電流線の間に第2の磁気センサを配置したことによる第2の磁気センサのアッテネート効果(すなわち、第1電流路21を流れる測定電流25により発生する上向きの磁界と、第2電流路22を流れる測定電流25により発生する下向きの磁界とが打ち消しあって、第2磁気センサ3における磁界が減衰される効果)もあるため好ましい。
また、実施の形態4に係る電流量検出器1において、実施の形態1と同様、第1磁気センサ2を電流線5の長辺27に、すなわち、電流線5を上面視して電流線5と重なる位置に配置することが好ましい。このような構成とした場合、上述のように、電流が流れることにより長辺27に沿って発生する磁界強度は短辺26に沿って発生する磁界強度より小さくなる。そのため、電流の変化に対する磁界強度変化が小さくなり、磁気センサが飽和しづらくなる、すなわち、大きな電流を電流線5に流しても第1の磁気センサ2が飽和しにくくなることにより、広い範囲の電流を測定できる。さらに、第1の磁気センサ2の感磁軸を長辺27の中心に配置すれば、その効果を最大とすることができる。In the fourth embodiment of the present invention, as in the first embodiment, it is possible to detect only the magnetic field by the measurement current 25 excluding the external magnetic field component Hex, and thereby the magnetosensitive axis of the first
Further, in the
(実施の形態5)
図8は、本発明の実施の形態5に係る電流量検出器1の概略断面図である。図8に示すように、実施の形態5に係る電流量検出器1は、実施の形態4と同様の電流線5と、2つの磁気センサ(第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3)と、を有し、第1磁気センサ2が、上面視した場合に分岐した2つの電流路(第1電流路21と第2電流路22)間に配置され、第2磁気センサ3は、上面視した場合に第1電流路21及び第2電流路22の少なくとも一方と重なる位置に配置されている。また、図8に示すように、実施の形態5においては、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3は、感磁軸11を含む感磁面が基板4に対して垂直となるように設けられている。(Embodiment 5)
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the
実施の形態5に係る電流量検出器1は、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3の設置位置が実施の形態4の場合と反対であるとともに、実施の形態4では、基板4に対してこれらの感磁面が平行になるように設けられているのに対して、実施の形態5では、基板4に対してこれらの感磁面が垂直になるように設けられている点で実施の形態4に係る電流量検出器1と異なる。
In the
実施の形態5に係る電流量検出器1によれば、実施の形態1と同様に、外部磁界成分Hexを除いた、測定電流25による磁界のみを検出することができ、それにより、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexの影響を受けることなく測定電流25による磁界のみを検出することができ、信号対ノイズ比(SN比)を向上させることができる。また、実施の形態4と同様に、分岐された電流路により、第2の磁気センサのアッテネート効果を得ることができる。また、実施の形態3と同様に、分岐された電流線の比抵抗を大きくなるように設定することで、第2の磁気センサの大きなアッテネート効果を得ることができる。さらに、実施の形態5においては、実施の形態4と同様、分岐された電流線の間に第1の磁気センサを配置したことによる第1の磁気センサのアッテネート効果もあるため好ましい。
また、実施の形態5に係る電流量検出器1において、実施の形態2と同様、第1磁気センサ2を短辺26に、第2磁気センサ3を長辺27に配置することが好ましい。このような構成とした場合、上述のように、電流が流れることにより短辺26に沿って発生する磁界強度は長辺27に沿って発生する磁界強度より大きくなる。そのため、電流の変化に対する磁界強度変化が大きくなり、微小な電流に対して高感度な測定が可能となる。さらに、第1の磁気センサ2の感磁軸を短辺26の中心に配置すれば、その効果を最大とすることができる。According to the
Further, in the
(実施の形態6)
図9(a)は、本発明の実施の形態6に係る電流量検出器1の断面図であり、図9(b)は、その斜視図である。図9(b)に示すように、実施の形態6に係る電流量検出器1は、一つの主電流路15と、当該主電流路15から分岐され主電流路15に合流する迂回電流路17と、迂回電流路17の外周に配置された2つの磁気センサ(第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3)と、を有し、2つの磁気センサは、それぞれ、磁界を検出する感磁軸11、12を有する磁気抵抗効果素子からなり、2つの磁気センサの感磁軸11、12は互いに平行であり、第2磁気センサ3が、上面視した場合に迂回電流路17の外側に配置され、第1磁気センサ2は上面視した場合に迂回電流路17と重なる位置に配置されている。より具体的には、迂回電流路17は、主電流路15に対して略垂直に主電流路15側面から出発して主電流路15側面から離れる方向に形成された電流路17Aと、電流路17Aから主電流路15に対して平行に形成された電流路17Bと、電流路17Bから主電流路15に対して略垂直に主電流路15側面へ向かう電流路17Cと、からなる。第1磁気センサ2は迂回電流路17を上面視した場合に電流路17Aと重なる位置に配置されている。一方、第2磁気センサ3は、迂回電流路17を上面視した場合に電流路17Aの外側、すなわち、電流路17Aを中心として、電流路17Cと反対側に配置されている。また、第1磁気センサ2は迂回電流路17を上面視した場合に電流路17Cと重なる位置に配置されていてもよい。この場合、第2磁気センサ3は、迂回電流路17を上面視した場合に電流路17Cの外側、すなわち、電流路17Cを中心として、電流路17Aと反対側に配置される。なお、実施の形態6及び以下の実施の形態7〜9における「主電流路15」は、本発明に係る「電流量検出器付き電流線」の「電流線」に相当する。(Embodiment 6)
FIG. 9A is a cross-sectional view of the
実施の形態6に係る電流量検出器1は、実施の形態1では、主電流路に設けられているのに対して、実施の形態6では、主電流路15から分岐された迂回電流路17に設けられている点で実施の形態1に係る電流量検出器1と異なる。
The
実施の形態6に係る電流量検出器1によれば、第1磁気センサ2は、図9(a)に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexと、迂回電流路17内を流れる測定電流25により発生する磁界の、第1磁気センサ2の感磁軸11に平行な成分Hm1と、の合成磁界を検出する一方、第2磁気センサ3は、図9(a)に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexのみを検出するため、これらの磁気センサの出力の差分をとることにより、実施の形態1と同様に、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexを除いた、測定電流25による磁界のみを検出することができる。また、主電流路15を分岐した迂回電流路17を流れる電流による磁界を検出するため、これにより発生する磁界は小さくなり、実施の形態3〜5と同様に大電流による磁気センサの飽和を抑制することができ、アッテネート効果を得ることができる。また、迂回電流路の比抵抗を主電流路より大きくなるように設定することで、実施の形態3と同様、第1及び第2の磁気センサの大きなアッテネート効果を得ることができる。さらに、実施の形態6では、第1及び第2の磁気センサは主電流路15に対して感磁軸が平行に配置されているため、主電流路15により発生する磁界の影響を小さくすることができる。実施の形態6は、実施の形態3、4と同様に、分岐された電流線の間に第2の磁気センサを配置しても良く、それにより、第2の磁気センサのアッテネート効果も得られるため好ましい。
また、実施の形態6に係る電流量検出器1において、実施の形態1と同様、第1磁気センサ2を電流線5の長辺27に、すなわち、電流線5を上面視して電流線5と重なる位置に配置することが好ましい。このような構成とした場合、上述のように、電流が流れることにより長辺27に沿って発生する磁界強度は短辺26に沿って発生する磁界強度より小さくなる。そのため、電流の変化に対する磁界強度変化が小さくなり、磁気センサが飽和しづらくなる、すなわち、大きな電流を電流線5に流しても第1の磁気センサ2が飽和しにくくなることにより、広い範囲の電流を測定できる。さらに、第1の磁気センサ2の感磁軸を長辺27の中心に配置すれば、その効果を最大とすることができる。According to the
Further, in the
(実施の形態7)
図10(a)は、本発明の実施の形態7に係る電流量検出器1の断面図であり、図10(b)は、その斜視図である。図10(b)に示すように、実施の形態7に係る電流量検出器1は、一つの主電流路15と、当該主電流路15から分岐され主電流路15に合流する迂回電流路17と、迂回電流路17の外周に配置された2つの磁気センサ(第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3)と、を有し、2つの磁気センサは、それぞれ、磁界を検出する感磁軸11、12を有する磁気抵抗効果素子からなり、2つの磁気センサの感磁軸11、12は互いに平行であり、第2磁気センサ3が、迂回電流路17を上面視した場合に迂回電流路17の外側に配置され、第1磁気センサ2は迂回電流路17を上面視した場合に迂回電流路17と重なる位置に配置されている。より具体的には、迂回電流路17は、上述の電流路17A、17B、17Cからなり、第1磁気センサ2は迂回電流路17を上面視した場合に電流路17Bと重なる位置に配置されている。一方、第2磁気センサ3は、迂回電流路17を上面視した場合に電流路17Bの外側、すなわち、電流路17Bを中心として、主電流路15と反対側に配置されている。(Embodiment 7)
FIG. 10A is a cross-sectional view of the
実施の形態6では、迂回電流路17の、主電流路15に垂直な部分(電流路17A)に第1磁気センサ2が設けられているのに対して、実施の形態7では、迂回電流路17の、主電流路15に平行な部分(電流路17B)に第1磁気センサ2が設けられている点で実施の形態6に係る電流量検出器1と異なる。
In the sixth embodiment, the first
実施の形態7に係る電流量検出器1によれば、第1磁気センサ2は、図10(a)に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexと、迂回電流路17内を流れる測定電流25により発生する磁界の、第1磁気センサ2の感磁面に平行な成分と、の合成磁界を検出する一方、第2磁気センサ3は、図10(a)に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexのみを検出するため、これらの磁気センサの差分をとることにより実施の形態1と同様に、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexを除いた、測定電流25による磁界のみを検出することができるため、極めて正確な電流量検出器を提供することができる。また、主電流路15を分岐した迂回電流路17を流れる電流による磁界を検出するため、これにより発生する磁界は小さくなり、実施の形態3〜6と同様に大電流による磁気センサの飽和を抑制することができ、アッテネート効果を得ることができる。また、迂回電流路の比抵抗を主電流路より大きくなるように設定することで、実施の形態6と同様、第1及び第2の磁気センサの大きなアッテネート効果を得ることができる。さらに、実施の形態7では、迂回電流路が小さく構成できるため、全体の構成を小さくできる。
また、実施の形態7に係る電流量検出器1において、実施の形態1と同様、第1磁気センサ2を電流線5の長辺27に、すなわち、電流線5を上面視して電流線5と重なる位置に配置することが好ましい。このような構成とした場合、上述のように、電流が流れることにより長辺27に沿って発生する磁界強度は短辺26に沿って発生する磁界強度より小さくなる。そのため、電流の変化に対する磁界強度変化が小さくなり、磁気センサが飽和しづらくなる、すなわち、大きな電流を電流線5に流しても第1の磁気センサ2が飽和しにくくなることにより、広い範囲の電流を測定できる。さらに、第1の磁気センサ2の感磁軸を長辺27の中心に配置すれば、その効果を最大とすることができる。According to the
Further, in the
(実施の形態8)
図11(a)は、本発明の実施の形態8に係る電流量検出器1の断面図であり、図11(b)は、その斜視図である。図11(b)に示すように、実施の形態8に係る電流量検出器1は、一つの主電流路15と、当該主電流路15から分岐されさらに合流する迂回電流路17と、迂回電流路17の外周に配置された2つの磁気センサ(第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3)と、を有し、迂回電流路17は、空隙部30が設けられることにより2つに分岐しさらに合流し、2つの磁気センサは、それぞれ、磁界を検出する感磁軸11、12を有する磁気抵抗効果素子からなり、2つの磁気センサの感磁軸11、12は互いに平行であり、第2磁気センサ3が、上面視した場合に迂回電流路17の外側に配置され、第1磁気センサ2は上面視した場合に第1電流路21及び第2電流路22の少なくとも一方と重なる位置に配置されている。また、図11(a)、(b)に示すように、実施の形態8においては、第1磁気センサ2と第2磁気センサ3は、感磁軸11、12を含む感磁面が、基板4に対して平行となるように設けられている。すなわち、本発明の実施の形態8に係る電流量検出器1は、図11(b)に示すように、実施の形態6の電流線に実施の形態3の構成を組み合わせたものである。(Embodiment 8)
FIG. 11A is a cross-sectional view of the
実施の形態8に係る電流量検出器1と、実施の形態6に係る電流量検出器1とは、実施の形態6においては、迂回電流路17は分岐されていないのに対して、実施の形態8においては、迂回電流路17は分岐されている点で異なる。
In the
実施の形態8に係る電流量検出器1によれば、第1磁気センサ2は、図11(a)に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexと、迂回電流路17内を流れる測定電流25により発生する磁界の、第1磁気センサ2の感磁軸11に平行な成分と、の合成磁界を検出する一方、第2磁気センサ3は、図11(a)に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexのみを検出するため、これらの磁気センサの出力の差分をとることにより第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexを除いた、測定電流25による磁界のみを検出することができる。第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexの影響を受けることなく測定電流25による磁界のみを検出することができるため、極めて正確な電流量検出器を提供することができる。また、主電流路15を分岐した迂回電流路17がさらに分岐されているため、これを流れる電流により発生する磁界は極めて小さくなり、大電流による磁気センサの飽和を抑制することができ、アッテネート効果を得ることができる。実施の形態8は、実施の形態3〜5と同様に、分岐された電流線の間に第2の磁気センサを配置しても良く、それにより、第2の磁気センサのアッテネート効果も得られるため好ましい。
また、実施の形態8に係る電流量検出器1において、実施の形態1と同様、第1磁気センサ2を電流線5の長辺27に、すなわち、電流線5を上面視して電流線5と重なる位置に配置することが好ましい。このような構成とした場合、上述のように、電流が流れることにより長辺27に沿って発生する磁界強度は短辺26に沿って発生する磁界強度より小さくなる。そのため、電流の変化に対する磁界強度変化が小さくなり、磁気センサが飽和しづらくなる、すなわち、大きな電流を電流線5に流しても第1の磁気センサ2が飽和しにくくなることにより、広い範囲の電流を測定できる。さらに、第1の磁気センサ2の感磁軸を長辺27の中心に配置すれば、その効果を最大とすることができる。According to the
Further, in the
(実施の形態9)
図12(a)は、本発明の実施の形態9に係る電流量検出器1の断面図であり、図12(b)は、その斜視図である。図12(b)に示すように、実施の形態9に係る電流量検出器1は、実施の形態6の電流線に実施の形態4の構成を組み合わせたものである。(Embodiment 9)
FIG. 12A is a cross-sectional view of the
実施の形態9に係る電流量検出器1は、実施の形態8においては、第2磁気センサ3が第1電流路21の外側に配置されているのに対して、実施の形態9においては、第2磁気センサ3が第1電流路21と第2電流路22との間に配置されている点で実施の形態8に係る電流量検出器1と異なる。
In the
実施の形態9に係る電流量検出器1によれば、実施の形態1と同様に、外部磁界成分Hexを除いた、測定電流25による磁界のみを検出することができ、それにより、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexの影響を受けることなく測定電流25による磁界のみを検出することができ、信号対ノイズ比(SN比)を向上させることができる。また、実施の形態3〜5と同様に分岐された電流路による第1の磁気センサのアッテネート効果を得ることができる。また、実施の形態3と同様に、分岐された電流線の比抵抗を大きくなるように設定することで、第1の磁気センサの大きなアッテネート効果を得ることができる。さらに、実施の形態9においては、実施の形態4、5と同様に、分岐された電流線の間に第2の磁気センサを配置したことによる第2の磁気センサのアッテネート効果も得られるため好ましい。また、主電流路15を分岐した迂回電流路17がさらに分岐されているため、これを流れる電流により発生する磁界は極めて小さくなり、大電流による磁気センサの飽和を抑制することができ、アッテネート効果を得ることができる。
また、実施の形態9に係る電流量検出器1において、実施の形態1と同様、第1磁気センサ2を電流線5の長辺27に、すなわち、電流線5を上面視して電流線5と重なる位置に配置することが好ましい。このような構成とした場合、上述のように、電流が流れることにより長辺27に沿って発生する磁界強度は短辺26に沿って発生する磁界強度より小さくなる。そのため、電流の変化に対する磁界強度変化が小さくなり、磁気センサが飽和しづらくなる、すなわち、大きな電流を電流線5に流しても第1の磁気センサ2が飽和しにくくなることにより、広い範囲の電流を測定できる。さらに、第1の磁気センサ2の感磁軸を長辺27の中心に配置すれば、その効果を最大とすることができる。According to the
Further, in the
(実施の形態10)
図13は、本発明の実施の形態10に係る電流量検出器1の概略断面図である。図13に示すように、実施の形態10に係る電流量検出器1は、角張った略U字状の断面を有する電流線5と、電流線5の外周に配置された2つの磁気センサ(第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3)と、を有し、2つの磁気センサは、それぞれ、磁界を検出する感磁軸11、12を有する磁気抵抗効果素子からなり、2つの磁気センサの感磁軸11、12は互いに平行であり、電流線5を上面視した場合に、第2磁気センサ3が、電流線5の外側に配置され、第1磁気センサ2は電流線5を上面視した場合に電流線5と重なる位置であって略U字状の両端部間に配置されている。(Embodiment 10)
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of the
電流線5は、測定電流25が流れる方向に対して垂直な断面において、角張った略U字状の断面形状、すなわち、両端18A、18Cが同方向(上方向)に略垂直に屈曲し同方向(上方向)に延びる凹形状を有する。便宜的に、略U字形状の電流線5の開口した部分が上、閉じた部分が下になるように配置した場合に、水平な部分を水平部分18Bと称し、水平部分18Bの両端からそれぞれ鉛直上方向(すなわち、水平部分18Bに対して略垂直な方向であって上方向)に延びる部分を右端部分18A、左端部分18Cと称する。
In the cross section perpendicular to the direction in which the measurement current 25 flows, the
第1磁気センサ2は、右端部分18Aと左端部分18Cとの間であって、側面視した場合に右端部分18A又は左端部分18Cに含まれる位置にある。一方、第2磁気センサ3は、電流線5を上面視した場合に、電流線5の外側、すなわち、右端部分18Aの右側、又は左端部分18Cの左側であって、側面視した場合に右端部分18A又は左端部分18Cに含まれる位置にある。
The first
第1磁気センサ2と第2磁気センサ3とは、それらの感磁軸11、12が、互いに平行であり、且つ、電流線5の水平部分18Bに対して平行となるように配置されている。
The first
実施の形態10に係る電流量検出器1によれば、電流線に均一な電流密度で電流が流れるとき、第1磁気センサ2は、図13に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexと、迂回電流路17内を流れる測定電流25により発生する磁界の、第1磁気センサ2の感磁軸11に平行な成分Hm1と、の合成磁界を検出する一方、第2磁気センサ3は、図13に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexのみを検出するため、これらの磁気センサの出力の差分をとることにより第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexを除いた、測定電流25による磁界のみを検出することができる。第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexの影響を受けることなく測定電流25による磁界のみを検出することができるため、極めて正確な電流量検出器を提供することができる。さらにこの形態の場合、第1磁気センサの感磁軸方向に導体が存在するため、外部の電界ノイズを遮蔽する効果が高い。
According to the
(実施の形態11)
図14は、本発明の実施の形態11に係る電流量検出器1の概略断面図である。図14に示すように、実施の形態11に係る電流量検出器1は、上記同様、角張った略U字状の断面を有する電流線5と、2つの磁気センサ(第1磁気センサ2及び第2磁気センサ3)と、を有し、2つの磁気センサは、それぞれ、磁界を検出する感磁軸11、12を有する磁気抵抗効果素子からなり、2つの磁気センサの感磁軸11、12は互いに平行である。
電流線5は、測定電流25が流れる方向に対して垂直な断面において、角張った略U字状の断面形状、すなわち、両端18A、18Cが同方向(上方向)に略垂直に屈曲し同方向(上方向)に延びる凹形状を有する。上記同様、水平な部分を水平部分18Bと称し、水平部分18Bの両端からそれぞれ鉛直上方向(すなわち、水平部分18Bに対して略垂直な方向であって上方向)に延びる部分を右端部分18A、左端部分18Cと称する。(Embodiment 11)
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of the
In the cross section perpendicular to the direction in which the measurement current 25 flows, the
第1磁気センサ2は、右端部分18Aと左端部分18Cとの間であって、右端部分18Aと左端部分18Cとから等距離にある中心線P以外の部分にあり、側面視した場合に右端部分18A又は左端部分18Cに含まれる位置にある。一方、第2磁気センサ3は、右端部分18Aと左端部分18Cとの間であって、右端部分18Aと左端部分18Cとから等距離にある中心線P上にある。
The first
実施の形態11に係る電流量検出器1によれば、電流線に均一な電流密度で電流が流れるとき、第1磁気センサ2は、図14に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexと、電流線5内を流れる測定電流25により発生する磁界の、第1磁気センサ2の感磁軸11に平行な成分Hm1と、の合成磁界を検出する一方、第2磁気センサ3は、図14に示すように、第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexのみを検出するため、これらの磁気センサの出力の差分をとることにより第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexを除いた、測定電流25による磁界のみを検出することができる。第1磁気センサ2の感磁軸11方向の外部磁界成分Hexの影響を受けることなく測定電流25による磁界のみを検出することができるため、極めて正確な電流量検出器を提供することができる。さらにこの形態も実施の形態10と同様に、第1磁気センサの感磁軸方向の一方に導体が存在するため、外部の電界ノイズを遮蔽する効果が高い。その上、この形態であれば第1磁気センサ及び第2磁気センサを1つの基板の表面及び裏面にそれぞれ配置することで部品点数を減らし、コストを低減することができる。
本願は、2014年3月7日に日本国に出願された特願2014−45588号に基づく優先権を主張する。当該出願(特願2014−45588号)の明細書に記載された内容は、本明細書において引用することにより援用する。According to the
The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2014-45588 filed in Japan on March 7, 2014. The contents described in the specification of the application (Japanese Patent Application No. 2014-45588) are incorporated herein by reference.
1 電流量検出器
2 第1磁気センサ
3 第2磁気センサ
4 基板
5 電流線
21 第1電流路
22 第2電流路DESCRIPTION OF
Claims (11)
磁界を検出して電気的に出力する少なくとも2つの磁気センサと、を備え、
前記2つの磁気センサは、それぞれ、磁界に対して電気的な出力が最も高くなる感磁軸と、磁界に対して電気的な出力が無くなる不感磁軸と、を有する磁気抵抗効果素子からなり、
前記2つの磁気センサの感磁軸は互いに平行であり、
前記2つの磁気センサのうち、一方の第1磁気センサは、測定電流により発生する磁界の、感磁軸に対して垂直な成分の磁界強度より、感磁軸に対して平行な成分の磁界強度が大きくなるような位置に配置され、
前記2つの磁気センサのうち、他方の第2磁気センサは、その感磁軸が、測定電流により発生する磁界に対して垂直であり、その不感磁軸が、測定電流により発生する磁界に対して平行になる位置に配置され、
前記第1磁気センサの出力と前記第2磁気センサの出力との差分により、測定電流の電流量を検出する電流量検出器であって、
前記電流線は、2つに分岐され合流する第1電流路及び第2電流路を有し、
前記第1電流路若しくは前記第2電流路の比抵抗は、分岐される前の電流線若しくは合流した後の電流線の比抵抗より大きく、且つ
前記第1電流路若しくは前記第2電流路の温度係数は、分岐される前の電流線若しくは合流した後の電流線の温度係数と略同一であることを特徴とする電流量検出器。 A current line through which the measurement current flows;
And at least two magnetic sensors for detecting and electrically outputting a magnetic field,
Each of the two magnetic sensors comprises a magnetoresistive effect element having a magnetosensitive axis where the electrical output is highest with respect to the magnetic field and a dead magnetic axis where there is no electrical output with respect to the magnetic field,
The magnetic sensitive axes of the two magnetic sensors are parallel to each other,
Of the two magnetic sensors, one of the first magnetic sensors has a magnetic field strength of a component parallel to the magnetic sensing axis, rather than a magnetic field strength of a component perpendicular to the magnetic sensing axis of the magnetic field generated by the measurement current. Is placed at a position where the
Of the two magnetic sensors, the other second magnetic sensor has a magnetosensitive axis perpendicular to the magnetic field generated by the measurement current, and the dead magnetic axis has a magnetic field generated by the measurement current. Placed in parallel,
A current amount detector for detecting a current amount of a measurement current based on a difference between an output of the first magnetic sensor and an output of the second magnetic sensor ;
The current line has a first current path and a second current path that are branched and merged into two,
The specific resistance of the first current path or the second current path is larger than the specific resistance of the current line before branching or the current line after joining, and
The temperature coefficient of the first current path or the second current path is substantially the same as the temperature coefficient of the current line before branching or the current line after merging .
前記第1磁気センサは、前記電流線を上面視した場合に前記第1電流路及び前記第2電流路のいずれか一方と重なる位置であって、前記第1電流路又は前記第2電流路を流れる測定電流により発生する磁界の、感磁軸に垂直な成分の磁界強度より、感磁軸に平行な成分の磁界強度が大きくなる位置に配置されていることを特徴とする請求項1記載の電流量検出器。 The second magnetic sensor is a position outside the current line when the current line is viewed from above, and the dead magnetic axis is generated by a measurement current flowing through the first current path or the second current path. It is arranged at a position parallel to the magnetic field to be
The first magnetic sensor is a position that overlaps one of the first current path and the second current path when the current line is viewed from the top, and the first magnetic sensor passes through the first current path or the second current path. 2. The magnetic field generated by the flowing measurement current is disposed at a position where the magnetic field strength of the component parallel to the magnetic sensitive axis is larger than the magnetic field strength of the component perpendicular to the magnetic sensitive axis. Current detector.
前記第1磁気センサは、前記電流線を上面視した場合に前記第1電流路及び前記第2電流路のいずれか一方と重なる位置であって、前記第1電流路又は前記第2電流路を流れる測定電流により発生する磁界の、感磁軸に垂直な成分の磁界強度より、感磁軸に平行な成分の磁界強度が大きくなる位置に配置されていることを特徴とする請求項1記載の電流量検出器。 The second magnetic sensor is a magnetic field generated by a measurement current flowing between the first current path and the second current path, the dead magnetic axis of which is between the first current path and the second current path. It is arranged at a position parallel to
The first magnetic sensor is a position that overlaps one of the first current path and the second current path when the current line is viewed from the top, and the first magnetic sensor passes through the first current path or the second current path. 2. The magnetic field generated by the flowing measurement current is disposed at a position where the magnetic field strength of the component parallel to the magnetic sensitive axis is larger than the magnetic field strength of the component perpendicular to the magnetic sensitive axis. Current detector.
前記第2磁気センサは、前記電流線を上面視した場合に前記第1電流路及び前記第2電流路のいずれか一方と重なる位置であって、その不感磁軸が、前記第1電流路又は前記第2電流路を流れる測定電流により発生する磁界に対して平行となる位置に配置されていることを特徴とする請求項1記載の電流量検出器。 The first magnetic sensor is located between the first current path and the second current path, and serves as a magnetosensitive axis of a magnetic field generated by a measurement current flowing through the first current path and the second current path. It is arranged at a position where the magnetic field strength of the component parallel to the magnetic sensitive axis is larger than the magnetic field strength of the vertical component,
The second magnetic sensor is a position that overlaps one of the first current path and the second current path when the current line is viewed from above, and the insensitive magnetic axis is the first current path or The current amount detector according to claim 1, wherein the current amount detector is disposed at a position parallel to a magnetic field generated by a measurement current flowing through the second current path.
前記第2磁気センサの感磁軸は、前記電流線の短辺の中心に位置し、
前記第1磁気センサの感磁軸は、前記電流線の長辺の中心に位置することを特徴とする請求項1、2、4、5のいずれか一つに記載の電流量検出器。 The current line has a substantially rectangular shape in which a cross section perpendicular to the direction in which the measurement current flows has a long side and a short side,
The magnetosensitive axis of the second magnetic sensor is located at the center of the short side of the current line,
Magnetosensitive axis of the first magnetic sensor, the current amount detector according to any one of claims 1, 2, 4, 5, characterized in that located in the center of the long side of the current line.
前記第1磁気センサの感磁軸は、前記電流線の短辺の中心に位置し、
前記第2磁気センサの感磁軸は、前記電流線の長辺の中心に位置することを特徴とする請求項3又は6に記載の電流量検出器。 The current line has a substantially rectangular shape in which a cross section perpendicular to the direction in which the measurement current flows has a long side and a short side,
The magnetosensitive axis of the first magnetic sensor is located at the center of the short side of the current line,
The current amount detector according to claim 3 or 6, wherein a magnetic sensitive axis of the second magnetic sensor is located at a center of a long side of the current line.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014045588 | 2014-03-07 | ||
JP2014045588 | 2014-03-07 | ||
PCT/JP2015/056715 WO2015133621A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-03-06 | Amperage detector |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015133621A1 JPWO2015133621A1 (en) | 2017-04-06 |
JP6477684B2 true JP6477684B2 (en) | 2019-03-06 |
Family
ID=54055421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016506194A Expired - Fee Related JP6477684B2 (en) | 2014-03-07 | 2015-03-06 | Current detector |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6477684B2 (en) |
WO (1) | WO2015133621A1 (en) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017187733A1 (en) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | アルプス電気株式会社 | Current sensor |
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CN114217114B (en) * | 2021-12-21 | 2023-04-14 | 江苏多维科技有限公司 | Current sensor |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2013161496A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | Current sensor |
-
2015
- 2015-03-06 WO PCT/JP2015/056715 patent/WO2015133621A1/en active Application Filing
- 2015-03-06 JP JP2016506194A patent/JP6477684B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015133621A1 (en) | 2017-04-06 |
WO2015133621A1 (en) | 2015-09-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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