JP6467336B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に材料によってエッチングレートの異なる選択ウェットエッチングを用いて素子のメサ形状を形成する半導体素子の製造方法に関する。

光信号を電気信号に変換する半導体受光素子の中でも、フォトダイオードや、発生したキャリアに高電界をかけ格子原子との衝突でイオン化し、キャリアの増倍機能をもたせるアバランシェフォトダイオードは、光通信の分野からセンシング、計測の分野まで幅広く用いられている。光通信の分野においては高速化・大容量化に向けて、センシングや計測の分野においてはＴＨｚ波領域での利用に向けて、受光素子には超高速な動作が求められている。

超高速動作が可能な半導体受光素子を実現するためには、発生したキャリアを高速に引き抜く必要があり、一般的に用いられているｐｉｎフォトダイオード（ｐｉｎ−ＰＤ）は光吸収層を薄くしてアンドープ層とすることで発生したキャリアが高電界でドリフトされることにより、高速動作を可能にするものである。

しかしながら、光吸収層を薄くすることはアンドープ層を薄くすることと等価であり、動作時に空乏化する厚さも薄くなり、素子の単位面積当たりの容量が増大してしまう。一方、光吸収層をｐドーピング層とし、近接して光を吸収しないバンドギャップを有する材料をアンドープ層として動作時の空乏化領域にすることで、キャリアの走行時間を短くするために光吸収層を薄くしても、空乏層を薄くせずにすむ、いわゆる単一走行キャリアフォトダイオード（ＵＴＣ−ＰＤ：Ｕｎｉ−Ｔｒａｖｅｌｉｎｇ−Ｃａｒｒｉｅｒ ｐｈｏｔｏ−ｄｉｏｄｅ）構造も開発されている（非特許文献１参照）。

上記の様な高速動作する受光素子では、素子容量を低減してＣＲ時定数にともなう速度制限要因を抑えることも重要であり、接合容量及び寄生容量を低減するために面積の小さいハイメサ構造とすることが一般的である。

また、受光素子の場合、逆方向バイアス素子であり、動作電圧印加で光が入射していない時の暗電流値を１μＡ以下に抑える必要があるため、その加工方法は低ダメージプロセスにする必要がある。そこで、もっともダメージの少ない加工方法として、混合化学溶液によるウェットエッチングが用いられる。しかし、高速応答を可能にするために複数材料のエピタキシャル層で構成している半導体受光素子では更に加工精度を上げるために材料の違いによってエッチングレートの異なる選択ウェットエッチングが用いられることが多い。

選択ウェットエッチングによる加工においては、ある層をエッチングする際に、例えばその層が全てエッチングされるのに要する時間、すなわち、対応するエッチングレートから算出された理論値の時間に対して５０％増しの時間でエッチングしても、次の層のエッチングレートが十分に小さいことでそれ以上にエッチングが進むことは無く、かつ超過気味にエッチングしていることからエッチング残りが生じることは無い。

T. Ishibashi, S. Kodama, N. Shimizu and T. Furuta, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 36 (1997), pp. 6263-6268

このように選択ウェットエッチングを用いることで、加工精度を上げることが可能になるが、一方で以下のような課題がある。

図３に、従来の一般的な、選択ウェットエッチングを用いて形成された複数のメサ段差を有するハイメサ構造の半導体受光素子を示す。上から、ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（ｐ型電極層）３１、ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３２、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層３３、ｉ−ＩｎＰキャリア走行層３４、ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｎ型電極層）３５、ｎ⁺−ＩｎＰサブコレクタ層３６が順に積層され、さらにｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３１上にｐ型電極３７が形成され、ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３５上にｎ型電極３８が形成されている。

通常のハイメサ構造の受光素子では、図３に示すように、同じ幅でエッチングされた層が直上にある層では、超過気味にエッチングすることでメサの側面もエッチングされて直上の層の下に入り込んでしまい、そのまま半導体のひさし３９が発生してしまう。このひさし３９になる半導体層が薄い場合は、強度も弱く、その後のプロセスを進めていく中で意図せずに折れてしまい、ウェハに付着するゴミになってしまう。そのために、プロセス中の外観歩留まりを低下させてしまうことによって全体の歩留まりも低下してしまうという課題がある。

本発明は、上記従来技術における問題点を解消するものであって、選択ウェットエッチングを用いてメサ構造を有する半導体素子を製造する際に発生する半導体層のひさしが折れ難くする半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、第１の材料層が第２の材料層上に隣接して設けられた構成のエピウェハをエッチングして半導体素子を製造する方法であって、前記第１の材料層上に所望のメサ形状にパターニングした少なくとも外縁部が有機膜からなるマスクを形成するステップと、前記第１の材料層および前記第２の材料層を、前記マスクを使用してウェットエッチング液でエッチングするステップと、を有し、前記ウェットエッチング液に対する前記第１の材料層のエッチングレートは、前記ウェットエッチング液に対する前記第２の材料層のエッチングレートよりも小さく、前記第２の材料層が前記第１の材料層に対してオーバーエッチングされ、前記第１の材料層のひさしが前記有機膜により補強されることを特徴とする半導体素子の製造方法。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体素子の製造方法において、前記マスクは、前記有機膜の開口部をふさぐフォトレジストが上面に設けられた構成であることを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の半導体素子の製造方法において、前記エッチングするステップの後に、前記フォトレジストを除去するステップをさらに有することを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、請求項２または３に記載の半導体素子の製造方法において、前記マスクを形成するステップの前に、前記第１の材料層上に電極を形成するステップと、前記電極上の前記有機膜を除去して、前記開口部を形成するステップと、をさらに有することを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法において、前記エピウェハは、前記第１の材料層および隣接する前記第２の材料層からなる構成を複数積層した構成であり、前記マスクを形成するステップおよび前記エッチングするステップを繰り返して複数のメサ段差を形成することを特徴とする。

本発明は、選択ウェットエッチングを用いてメサ構造を有する半導体素子を製造する際に発生する半導体層のひさしが折れ難くする効果を奏する。

（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施形態に係る、複数のメサ段差を有するハイメサ構造の半導体受光素子とその保護膜として非感光性の有機膜を使用する製造方法を説明するための模式図である。 （ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２の実施形態に係る、複数のメサ段差を有するハイメサ構造の半導体受光素子とその保護膜として感光性の有機膜を使用する製造方法を説明するための模式図である。 従来の一般的な、複数のメサ段差を有するハイメサ構造の半導体受光素子と、製造の際に発生するひさしを説明するための模式図である。

以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。

（第１の実施形態）
図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体受光素子の製造過程を示す模式図である。本実施形態では、下から、ｎ⁺−ＩｎＰサブコレクタ層１６、ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｎ型電極層）１５、ｉ−ＩｎＰキャリア走行層１４、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層１３、ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１２、ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（ｐ型電極層）１１を順に積層したものに対し、選択ウェットエッチングおよびｐ型電極１７、ｎ型電極１８の形成を行うことで半導体受光素子を製造する。また本実施形態では、ウェットエッチングのマスクおよびひさしの補強のために非感光性のＢｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ（ＢＣＢ）１９を使用する。

図１（ａ）、（ｂ）に示すように、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）あるいはＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）によって成長したエピウェハに、リフトオフ工程によって素子のｐ型電極１７を形成する。その後、図１（ｃ）に示すように、非感光性の有機膜材料であるＢＣＢ１９を塗布・キュア後、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）で所望のメササイズ・形状に加工して、ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（ｐ型電極層）１１、ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１２の順に硫酸系のウェットエッチング液を用いてエッチングを行う。

硫酸系のウェットエッチング液に対するエッチングレートは、ＩｎＧａＡｓに対してＩｎＧａＡｓＰが十分に遅い。そのため、ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１２のエッチング時間を理論値から超過してもｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（ｐ型電極層）１１、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層１３は残る。一方で、このオーバーエッチングの際にｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１２のメサはｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１１のメササイズよりも小さくなり、ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１１のひさしが生じる。

但し、このｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１１は、直上にＢＣＢ１９が形成され、密着したＢＣＢ１９がキュアされることで十分な強度を有する。そのため、その後のプロセスにおいてもＢＣＢ１９で補強されていることからｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１１のひさしが折れることはない。

続いて、図１（ｄ）に示すように、非感光性の有機膜材料であるＢＣＢ１９をもう一度塗布・キュア後、ＲＩＥで所望のメササイズ・形状に加工した後に、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層１３を硫酸系のウェットエッチング液でエッチングして、ｉ−ＩｎＰキャリア走行層１４を塩酸系のウェットエッチング液でエッチングする。

ＩｎＰの硫酸系ウェットエッチング液に対するエッチングレートはＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰに比べて十分に小さい。そのため、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層１３をオーバーエッチングしてもｉ−ＩｎＰキャリア走行層１４がエッチングされることは無い。また逆に、ＩｎＧａＡｓの塩酸系ウェットエッチング液に対するエッチングレートはＩｎＰに比べて十分に小さいため、やはりｉ−ＩｎＰキャリア走行層１４をオーバーエッチングしてもｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１５がエッチングされることは無い。ｉ−ＩｎＰキャリア走行層１４をオーバーエッチングする際には先にメサ加工したｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層１３に対してサイドエッチングが入ることでメササイズも小さくなり、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層１３のひさしが生じる。しかしながら、ここでもひさしがＢＣＢ１９で補強されることにより、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層１３のひさしがその後のプロセスで折れることは無くなる。

さらに、図１（ｅ）に示すように、ｎ型電極１８をｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１５上にリフトオフ法で形成した後、非感光性の有機膜材料であるＢＣＢ１９の塗布・キュアを行い、ＲＩＥで所望のメササイズ・形状に加工する。その後、ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１５と、ｎ⁺−ＩｎＰサブコレクタ層１６をそれぞれ硫酸系と塩酸系のウェットエッチング液でエッチングする。このときもエッチングレートの違いにより、ｎ⁺−ＩｎＰサブコレクタ層１６のオーバーエッチングを行う際に、ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１５のひさしが生じる。しかし、ここでもひさしがＢＣＢ１９で補強されることになり、ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１５のひさしが折れることはなくなる。

最終的には、図１（ｆ）に示すように、ＢＣＢ１９の塗布・キュアを行うことで素子全体をＢＣＢ１９で保護し、コンタクトを取るためのスルーホールをＲＩＥで開口することで素子構造が完成する。

（第２の実施形態）
図２（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体受光素子の製造過程を示す模式図である。本実施形態では、下から、ｎ⁺−ＩｎＰサブコレクタ層２６、ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｎ型電極層）２５、ｉ−ＩｎＰキャリア走行層２４、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層２３、ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２２、ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（ｐ型電極層）２１を順に積層したものに対し、選択的ウェットエッチングおよびｐ型電極２７、ｎ型電極２８の形成を行うことで半導体受光素子を製造する。また本実施形態では、ひさしの補強のために感光性のＢｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ（ＢＣＢ）２９を使用する。

メサ構造を有する半導体受光素子を保護する目的の有機膜は、大別して感光性と非感光性の材料があるが、第１の実施形態で使用する非感光性の有機膜に対して、本実施形態の感光性有機膜を使用する場合は、その製造方法が異なってくる。

大きな違いは、非感光性の有機膜を使用する場合、ＢＣＢ１９のように有機膜そのものをウェットエッチングマスクとして使用することが可能となるが、感光性の有機膜を使用する場合、更にフォトレジストが必要となることである。感光性の有機膜は、フォトリソグラフィで形成するたびに電極コンタクト用スルーホールも形成される。そのため、ウェットエッチングマスクには少なくとも電極コンタクト用スルーホールを埋めるフォトレジストが必要となる。そのため、感光性のＢＣＢを使用した第２の実施形態に係る半導体受光素子の製造過程は以下のようになる。

図２（ａ）に示すように、ＭＯＣＶＤあるいはＭＢＥによって成長したエピウェハにリフトオフ工程によって素子のｐ型電極２７を形成する。その後、図２（ｂ）に示すように、感光性のＢＣＢを塗布・パターニングして所望のメササイズ・形状に加工した後にキュアする。このＢＣＢパターニング時にはｐ型電極２７の開口部も形成しておき、その後、図２（ｃ）に示すように、フォトレジスト３０で開口部はふさぐようにして所望のメササイズ・形状に再パターニングして、ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（ｐ型電極層）２１、ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２２の順に硫酸系のウェットエッチング液を用いてエッチングを行う。

硫酸系のウェットエッチング液に対するエッチングレートはＩｎＧａＡｓに対してＩｎＧａＡｓＰが十分に遅く、ＩｎＧａＡｓのエッチング時間を理論値から超過してもｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層２３は残る。一方で、このオーバーエッチングの際にｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２２のメサはｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２１のメササイズよりも小さくなるため、ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２１のひさしが生じる。

但し、このｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２１の外縁部は、直上に感光性ＢＣＢ２９が形成され、密着したＢＣＢ２９がキュアされることで十分な強度を有する。そのため、その後のプロセスにおいてもＢＣＢ２９で補強されていることから、ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２１のひさしが折れることはない。

続いて、図２（ｄ）に示すように、感光性ＢＣＢ２９をもう一度塗布し、ｐ型電極部を開口するように所望のメササイズでパターニングを行いキュアする。その後、図２（ｅ）に示すように、フォトレジスト３０でｐ型電極開口部をふさいで所望のメササイズ・形状にパターニングする。そして、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層２３を硫酸系のウェットエッチング液でエッチングした後に、ｉ−ＩｎＰキャリア走行層２４を塩酸系のウェットエッチング液でエッチングする。

ＩｎＰの硫酸系ウェットエッチング液に対するエッチングレートはＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰに比べて十分に小さく、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層２３をオーバーエッチングしてもｉ−ＩｎＰキャリア走行層２４がエッチングされることは無い。また逆にＩｎＧａＡｓの塩酸系ウェットエッチング液に対するエッチングレートはＩｎＰに比べて十分に小さいため、やはりｉ−ＩｎＰキャリア走行層２４をオーバーエッチングしてもｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２５がエッチングされることは無い。ｉ−ＩｎＰキャリア走行層２４をオーバーエッチングする際には先にメサ加工したｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層２３に対してサイドエッチングが入ることでメササイズも小さくなり、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層２３のひさしが生じる。しかしながら、ここでもｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層２３の外縁部が感光性ＢＣＢ２９で補強されることにより、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層２３のひさしがその後のプロセスで折れることは無くなる。

さらに、図２（ｆ）に示すように、ｎ型電極２８をリフトオフ法で形成した後に、感光性ＢＣＢ２９を塗布・露光してｐ型電極部を開口するように所望のメササイズでパターニングを行いキュアする。さらに、図２（ｇ）に示すように、フォトレジスト３０でｐ型電極開口部をふさいで所望のメササイズ・形状にパターニングし、その後、ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２５と、ｎ⁺−ＩｎＰサブコレクタ層２６をそれぞれ硫酸系と塩酸系のウェットエッチング液でエッチングする。このときもエッチングレートの違いにより、ｎ⁺−ＩｎＰサブコレクタ層２６のオーバーエッチングを行う際に、ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２５のひさしが生じる。しかし、ここでもｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２５の外縁部が感光性ＢＣＢ２９で補強されることになり、ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２５のひさしが折れることはなくなる。

最終的には、図２（ｈ）に示すように、感光性ＢＣＢ２９を塗布し、各電極部の開口部を開けるようにパターニングした後にキュアを行うことで素子全体を感光性ＢＣＢ２９で保護し、素子構造が完成する。

本発明は、超高速動作を目指してハイメサ構造を有する半導体受光素子において、材料の異なる複数のエピタキシャル層を選択ウェットエッチングで加工する際に、素子を保護・補強する有機膜を事前に塗布・加工してキュアした後にメサ形成を行うことを特徴とする。これにより、エッチングレートが異なることで発生する半導体のひさしの強度を上げ、その後のプロセスにおいてひさしが折れてエピウェハ表面にゴミとして付着することを防ぎ、製造歩留まりを上げることを可能にする。

また、全体のメサ構造を形成した後に一度に有機保護膜を塗布してキュアする従来の方法に対して、本願発明のように各メサを形成するたびに塗布・キュアを繰り返していくことで、キュアする際の有機膜のボリュームを低減することになり、キュア時の応力による素子表面の不安定性を低減する。

尚、実施形態においては、ＵＴＣ−ＰＤを形成する際の例を述べたが、本技術は、材料の異なる複数のエピタキシャル層で構成される半導体受光素子全般に亘って同様の効果を有しており、一般的な素子構造を有するｐｉｎ−ＰＤや特徴的な光吸収層構造であるＭＩＣ−ＰＤといったフォトダイオード全般のみならず、アバランシェフォトダイオードに亘るまで適用することが出来る。さらに、選択的ウェットエッチングを用いて形成されるメサ構造の他の半導体素子においても適用することが出来る。

また、半導体材料の種類も制限するものではなく、他の半導体材料の組み合わせによる半導体素子においても、本発明の思想は同じ様に適用することができることは言うまでもない。また有機膜としてＢＣＢを例示したが、ポリイミドといった他の半導体保護用有機膜でも適用することが出来る。

１１ ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（ｐ型電極層）
１２ ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層、
１３ ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層
１４ ｉ−ＩｎＰキャリア走行層
１５ ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｎ型電極層）
１６ ｎ⁺−ＩｎＰサブコレクタ層
１７ ｐ型電極
１８ ｎ型電極
１９ 非感光性のＢｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ（ＢＣＢ）
２１ ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（ｐ型電極層）
２２ ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層
２３ ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層
２４ ｉ−ＩｎＰキャリア走行層
２５ ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｎ型電極層）
２６ ｎ⁺−ＩｎＰサブコレクタ層
２７ ｐ型電極
２８ ｎ型電極
２９ 感光性のＢｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ（ＢＣＢ）
３０ フォトレジスト
３１ ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（ｐ型電極層）
３２ ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層
３３ ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層
３４ ｉ−ＩｎＰキャリア走行層
３５ ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｎ型電極層）
３６ ｎ⁺−ＩｎＰサブコレクタ層
３７ ｐ型電極
３８ ｎ型電極
３９ ひさし

Claims (5)

1. 第１の材料層が第２の材料層上に隣接して設けられた構成のエピウェハをエッチングして半導体素子を製造する方法であって、
   前記第１の材料層上に所望のメサ形状にパターニングした少なくとも外縁部が有機膜からなるマスクを形成するステップと、
   前記第１の材料層および前記第２の材料層を、前記マスクを使用してウェットエッチング液でエッチングするステップと、を有し、
   前記ウェットエッチング液に対する前記第１の材料層のエッチングレートは、前記ウェットエッチング液に対する前記第２の材料層のエッチングレートよりも小さく、前記第２の材料層が前記第１の材料層に対してオーバーエッチングされ、前記第１の材料層のひさしが前記有機膜により補強されることを特徴とする半導体素子の製造方法。
2. 前記マスクは、前記有機膜の開口部をふさぐフォトレジストが上面に設けられた構成であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
3. 前記エッチングするステップの後に、前記フォトレジストを除去するステップをさらに有することを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
4. 前記マスクを形成するステップの前に、前記第１の材料層上に電極を形成するステップと、
   前記電極上の前記有機膜を除去して、前記開口部を形成するステップと、
   をさらに有することを特徴とする請求項２または３に記載の半導体素子の製造方法。
5. 前記エピウェハは、前記第１の材料層および隣接する前記第２の材料層からなる構成を複数積層した構成であり、
   前記マスクを形成するステップおよび前記エッチングするステップを繰り返して複数のメサ段差を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。