JP6458797B2 - 赤外カットフィルター - Google Patents

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    • G02B5/281—Interference filters designed for the infrared light

Description

本発明は、赤外カットフィルターに関するものであり、例えば、カメラユニットに用いられる赤外カットフィルターに関するものである。
カメラ付き携帯電話，スマートフォン（高機能携帯電話）等の画像入力機能付きデジタル機器には、撮像レンズで形成された光学像を電気信号に変換する撮像素子として、シリコン半導体デバイス（例えば、CCD(Charge Coupled Device)型イメージセンサー，ＣＭＯＳ(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)型イメージセンサー等の固体撮像素子）が従来より一般的に用いられている。このシリコン半導体デバイスは、近赤外線領域まで感度を持っているため、光が入射すると可視光以外に近赤外線をも映像として取り込んでしまう。その結果、得られた映像には疑似色が発生する等の問題が生じることになる。
そこで、従来の画像入力機能付きデジタル機器では、撮像レンズと撮像素子との間に赤外カットフィルターを挿入することでこの問題を解消している。赤外カットフィルターとしては、さまざまなタイプのものが提案されており、例えば特許文献１〜３には、カメラ用の赤外カットフィルターとして、入射角度依存性の少ないものが提案されている。
ＷＯ２０１３／０４２７３８ Ａ１ 特開２０１３−１７８３３８号公報 ＵＳ２０１３／００２１５１５ Ａ１
撮像レンズ，撮像素子等を備えたカメラユニットでは、カメラの低背化や撮像素子の大型化に伴って、赤外カットフィルターへの光線入射角度が大きくなる。ガラス基板の両面に誘電体多層膜が形成された一般的な赤外カットフィルターの場合、入射角度０度と入射角度３０度とではカットオフ波長のシフト量が大きいため、画面中心部と周辺部とで色が異なる色シェーディング現象が発生してしまう。吸収ガラスを用いることにより色シェーディング現象の発生を抑制することは可能であるが、吸収ガラスを薄くすると吸収量が確保できなくなったり落下強度の低下を招いたりすることになる。
特許文献１に記載の赤外カットフィルターの場合、透明基板からなるものは透過率９０％〜５０％での入射角度０度と３０度との波長差の和が大きいため、色シェーディングが少ないとは言えない。特許文献２に記載の赤外カットフィルターの場合、波長６００〜６２０での平均透過率が小さいためゴーストが少ないとは言えず、波長７００〜１１００ｎｍでの最大透過率も大きいため、画面全体あるいは特定の色に赤色がかぶる赤かぶりが少ないとは言えない。特許文献３に記載の赤外カットフィルターの場合、波長１１００〜１２００ｎｍでの平均透過率が開示されておらず、膜構成から特性を再現することも困難であるが、赤かぶりが少ないとは言えない。また、各基板面の多層膜特性は不明であるが、生産性が良好な膜構成にはなっていない。
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、ゴースト，色シェーディング及び赤かぶりの少ない赤外カットフィルターを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の赤外カットフィルターは、基板の両面に誘電体多層膜を有する赤外カットフィルターであって、
波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率が９５％以上であり、
波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度３０度での平均透過率が９４％以上であり、
波長６００〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率が９１％以上であり、
波長５８０〜７００ｎｍにおいて、以下の条件式（１）及び（２）を満足し、
波長７００〜１１００ｎｍにおける平均透過率が０．５％以下で最大透過率が１．８％以下であり、
波長１１００〜１２００ｎｍにおける平均透過率が８％以下で最大透過率１２．５％以下である。
Σ［Ｔ＝５０〜９０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜＜４００ …（１）
Σ［Ｔ＝ ５〜５０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜＜８５０ …（２）
ただし、
Σ［Ｔ＝ａ〜ｂ％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜：透過率Ｔがａ％からｂ％までの１％毎の波長差｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜の和、
λＴ（θ）：入射角度θ度で透過率Ｔ％のときの波長（ｎｍ）、
である。
本発明のカメラユニットは、上記赤外カットフィルターを備えたものである。
本発明によれば、分光特性に特徴のある誘電体多層膜を基板の両面に有する構成になっているため、ゴースト，色シェーディング及び赤かぶりの少ない赤外カットフィルターと、それを備えたカメラユニットを実現することができる。そして、本発明に係るカメラユニットをデジタルカメラ，スマートフォン等のデジタル機器に用いることによって、高性能の画像入力機能を安価に実現することが可能となる。
赤外カットフィルターの一実施の形態を模式的に示す断面図。 赤外カットフィルターの分光特性とゴースト，色シェーディング及び赤かぶりとの関係を説明するための図。 色シェーディングと波長シフト量の和との関係を説明するための図。 画像入力機能付きデジタル機器の概略構成例を示すブロック図。 比較例１のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。 比較例１の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。 比較例２のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。 比較例２の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。 比較例３のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。 比較例３の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。 実施例１のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。 実施例１の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。 実施例２のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。 実施例２の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。 実施例３のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。 実施例３の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。 実施例４のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。 実施例４の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。
以下、本発明を実施した赤外カットフィルター，カメラユニット等を、図面を参照しつつ説明する。図１に、基板ＳＵ（例えば、ガラス基板）の両面に誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢがコーティングされた赤外カットフィルターＦＲの一実施の形態について、その断面構造を模式的に示す。この赤外カットフィルターＦＲは、基板ＳＵ両面の誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢに特徴的な分光特性を持たせることにより、ゴースト，色シェーディング及び赤かぶりを良好に低減するものである。本発明者は様々な特性の赤外カットフィルターを作製し、カメラユニットに組み込んで画像評価を実施し、フィルター特性，ゴースト，色シェーディング，赤かぶり等の評価結果を解析した。その結果、ゴースト，色シェーディング，赤かぶりと赤外カットフィルターＦＲの分光特性との間には、以下に説明するような関係があることを見出した。その一例を図２に示す（θ：入射角度）。
ゴーストは、可視領域（波長４２５〜６５０ｎｍ）の反射率と相関があり、その反射率が少ない方がゴーストの発生が抑制される。言い換えれば、誘電体多層膜は可視領域での光の吸収がほとんどないため、透過率が高いとゴーストが抑制される。ゴーストと関係する特性は、具体的には、波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率と、波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度３０度での平均透過率と、波長６００〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率と、である。これらの数値と実写テストの画像評価結果との関係から、ゴーストを良好に低減することの可能な閾値を算出することができる。
色シェーディングは、赤外カットフィルターに対する入射角度０度と３０度との透過率差に関係があり、その透過率差が小さくなれば色シェーディングの発生が抑制される。色シェーディングと関係する特性は、具体的には、透過率９０％から透過率５０％までの間の入射角度０度と３０度との波長シフト量の和、及び透過率５０％から透過率５％までの間の入射角度０度と３０度との波長シフト量の和である。これらの数値と実写テストの画像評価結果との関係から、色シェーディングを良好に低減することの可能な閾値を算出することができる。
赤かぶりは、波長７００〜１２００ｎｍの透過率と相関があり、その透過率が小さい方が赤かぶりの発生が抑制される。赤かぶりと関係する特性は、具体的には、波長７００〜１１００ｎｍにおける平均透過率及び最大透過率、並びに波長１１００〜１２００ｎｍにおける平均透過率及び最大透過率である。これらの数値と実写テストの画像評価結果との関係から、赤かぶりを良好に低減することの可能な閾値を算出することができる。
上記観点に基づく本発明に係る赤外カットフィルターＦＲは、基板ＳＵの両面に誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢを有する赤外カットフィルターであって、
波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率が９５％以上であり、
波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度３０度での平均透過率が９４％以上であり、
波長６００〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率が９１％以上であり、
波長５８０〜７００ｎｍにおいて、以下の条件式（１）及び（２）を満足し、
波長７００〜１１００ｎｍにおける平均透過率が０．５％以下で最大透過率が１．８％以下であり、
波長１１００〜１２００ｎｍにおける平均透過率が８％以下で最大透過率１２．５％以下であることを特徴とするものである。
Σ［Ｔ＝５０〜９０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜＜４００ …（１）
Σ［Ｔ＝ ５〜５０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜＜８５０ …（２）
ただし、
Σ［Ｔ＝ａ〜ｂ％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜：透過率Ｔがａ％からｂ％までの１％毎の波長差｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜の和、
λＴ（θ）：入射角度θ度で透過率Ｔ％のときの波長（ｎｍ）、
である。
図３の分光透過率のグラフに、色シェーディングと、波長シフト量の和：Σ［Ｔ＝ａ〜ｂ％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜と、の関係を示す。図３（ａ）中の斜線部分は条件式（１）が規定している条件範囲を示しており、図３（ｂ）中の斜線部分は条件式（２）が規定している条件範囲を示している。そして、条件式（１），（２）は両方とも色シェーディングを良好に補正するための条件範囲を規定している。条件式（１）は高透過率範囲を規定しているので、条件式（１）を満たすようにその上限を設定することにより、効果的な色シェーディング補正が可能となる。一方、条件式（２）はセンサー感度の弱い範囲である低透過率範囲を規定しているので、条件式（２）を満たすようにその上限を設定することにより、少ない光量に対応した効果的な色シェーディング補正が可能となる。したがって、色シェーディングの発生を抑えるには、条件式（１），（２）を両方とも満たすのが効果的である。つまり、条件式（１），（２）を満たすように、透過率９０％から透過率５０％までの間の入射角度０度と３０度との波長シフト量の和と、透過率５０％から透過率５％までの間の入射角度０度と３０度との波長シフト量の和と、を両方共小さくすればよい。
生産性を良好にするために少ない層数で色シェーディングを低減する場合には、透過率９０％から透過率５０％までの間の入射角度０度と３０度との波長シフト量の和：Σ［Ｔ＝５０〜９０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜を重視して、それを小さくすれば良好な結果を得ることができる。波長シフト量の和：Σ［Ｔ＝５０〜９０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜を重視して、それを小さくする最適な方法を考えた場合、波長５８０〜７００ｎｍにおいて、基板ＳＵ両面の誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢからなる両フィルター面のうち、入射角度０度で透過率５０％のときの波長λ５０％（０度）の短い方の面をＡ面とし、長い方の面をＢ面とすると、Ａ面の特性で波長シフト量の和：Σ［Ｔ＝５０〜９０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜を小さくして、その波長域５８０〜７００ｎｍでＢ面が赤外カットフィルターＦＲの特性に影響しないように高い透過率を持つのが好ましい。また、透過率５０％から透過率５％までの間の入射角度０度と３０度との波長シフト量の和：Σ［Ｔ＝ ５〜５０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜を重視して、それをＢ面の特性で小さくすれば、色シェーディングを低減する上で良好な結果を得ることができる。
上記特徴的構成によると、分光特性に特徴のある誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢを基板ＳＵの両面に有する構成になっているため、ゴースト，色シェーディング及び赤かぶりの少ない赤外カットフィルターＦＲを実現することができる。そして、赤外カットフィルターＦＲを備えたカメラユニットをデジタルカメラ，スマートフォン等のデジタル機器に用いることによって、高性能の画像入力機能を安価に実現することが可能となる。そして、ゴースト，色シェーディング及び赤かぶりの低減を更に効果的に達成するための条件等を以下に説明する。
波長５８０〜７００ｎｍにおいて、以下の条件式（３）を満足することが好ましい。
−１５≦λＡ５０％（０度）−λＢ５０％（３０度）≦１０ …（３）
ただし、
λＡ５０％（０度）：Ａ面において入射角度０度で透過率５０％のときの波長（ｎｍ）、
λＢ５０％（３０度）：Ｂ面において入射角度３０度で透過率５０％のときの波長（ｎｍ）、
である。
前述したように、Ａ面で透過率９０〜５０％の波長シフト量を重視して小さくし、Ｂ面で透過率５０〜５％の波長シフト量を重視して小さくすることは、Ａ面において入射角度０度で透過率５０％のときの波長λＡ５０％（０度）と、Ｂ面において入射角度３０度で透過率５０％のときの波長λＢ５０％（３０度）と、の波長差：λＡ５０％（０度）−λＢ５０％（３０度）と関係がある。この波長差が大きすぎると（つまり、Ａ面とＢ面との重なりが大きいと）、透過率９０％〜５０％の波長シフトがＢ面の特性の影響を受けて大きくなり、色シェーディングが悪化する。また、波長差が小さすぎると（つまり、Ａ面とＢ面とがあまり重ならない）と、波長７００ｎｍ以上の透過率がＢ面のカットオフ領域のスソにかかって大きくなり、赤かぶりが悪化する。
条件式（３）を満たすことにより、Ａ面の誘電体多層膜ＭＡで色シェーディングに効く波長シフトを抑えることができ、Ｂ面の誘電体多層膜ＭＢで適正に赤外カットすることができる。条件式（３）の上限を上回ると色シェーディングが大きくなり、条件式（３）の下限を下回ると赤かぶりが大きくなる。角度依存性が小さいＡ面の誘電体多層膜ＭＡで斜めの特性を決めており、Ｂ面の誘電体多層膜ＭＢで赤外カットしているので、条件式（３）の下限を下回ると、λＢ５０％（３０度）がλＡ５０％（０度）より長波長側に離れて、誘電体多層膜ＭＢの分光特性（０度）で７００ｎｍあたりを赤外カットすることが困難になる。
ゴースト，色シェーディング及び赤かぶりを抑制する設計は、各誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢの層数を多くすることにより可能であるが、層数が多くなると、材料の表面粗さや材料に僅かにある吸収によって光の散乱や光の吸収が発生することになり、生産性も悪くなる。したがって、前述した構成を有する赤外カットフィルターＦＲでは、誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢの層数は、片面で２００層以下であることが好ましく、片面で１００層以下であることが更に好ましい。
ゴーストと関係する特性に関して、波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率が９９％以上であり、波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度３０度での平均透過率が９７％以上であり、波長６００〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率が９８．５％以上であることが好ましい。この条件は、前述したゴースト関連の条件範囲のなかでも、前記観点等に基づいた更に好ましい条件範囲を規定している。したがって、好ましくはこの条件を満たすことにより、前記ゴースト低減効果をより一層大きくすることができる。
赤外カットフィルターＦＲは、波長５８０〜７００ｎｍにおいて、以下の条件式（１ａ）を満足することが好ましい。
Σ［Ｔ＝５０〜９０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜＜２１５ …（１ａ）
この条件式（１ａ）は、前記条件式（１）が規定している条件範囲のなかでも、前記観点等に基づいた更に好ましい条件範囲を規定している。したがって、好ましくは条件式（１ａ）を満たすことにより、前記色シェーディング低減効果をより一層大きくすることができる。
赤かぶりと関係する特性に関して、波長７００〜１１００ｎｍにおける平均透過率が０．１５％以下で最大透過率が１％以下であり、波長１１００〜１２００ｎｍにおける平均透過率が４％以下で最大透過率９％以下であることが好ましく、波長７００〜１１００ｎｍにおける平均透過率が０．１％以下で最大透過率が０．７％以下であり、波長１１００〜１２００ｎｍにおける平均透過率が１％以下で最大透過率１．５％以下であることが更に好ましい。これらの条件は、前述した赤かぶり関連の条件範囲のなかでも、前記観点等に基づいた更に好ましい条件範囲を規定している。したがって、好ましくはこの条件を満たすことにより、前記赤かぶり低減効果をより一層大きくすることができる。
画像入力機能付きデジタル機器（例えばスマートフォン）に搭載される撮像光学装置（例えばカメラユニット）においては、本発明に係る赤外カットフィルターＦＲの使用が適している。撮像光学装置は、被写体の静止画撮影や動画撮影に用いられるカメラの主たる構成要素を成す光学装置であり、例えば、物体（すなわち被写体）の光学像を形成する撮像レンズと、その撮像レンズにより形成された光学像を電気的な信号に変換する撮像素子（例えば、ＣＣＤ型イメージセンサー，ＣＭＯＳ型イメージセンサー等の固体撮像素子）と、撮像レンズと撮像素子との間に配置される赤外カットフィルターＦＲと、を備えることにより、被写体の映像を光学的に取り込んで電気的な信号として出力するものである。
画像入力機能付きデジタル機器の例としては、デジタルカメラ，ビデオカメラ，監視カメラ，車載カメラ，テレビ電話用カメラ等のカメラが挙げられる。また、パーソナルコンピュータ，携帯用デジタル機器（例えば、携帯電話，スマートフォン，タブレット端末，モバイルコンピュータ等の小型情報機器端末），これらの周辺機器（スキャナー，プリンター等），その他のデジタル機器等に内蔵又は外付けによりカメラ機能が搭載されたものが挙げられる。これらの例から分かるように、撮像光学装置を用いることによりカメラを構成することができるだけでなく、各種機器に撮像光学装置を搭載することによりカメラ機能を付加することが可能である。例えば、スマートフォン等の画像入力機能付きデジタル機器を構成することが可能である。
図４に、画像入力機能付きデジタル機器の一例として、デジタル機器ＤＵの概略構成例を模式的断面で示す。図４に示すデジタル機器ＤＵに搭載されている撮像光学装置ＬＵは、物体（すなわち被写体）側から順に、物体の光学像（像面）ＩＭを形成する撮像レンズＬＮ（ＡＸ：光軸）と、赤外カットフィルターＦＲと、撮像レンズＬＮにより光電変換部である受光面（撮像面）ＳＳ上に形成された光学像ＩＭを電気的な信号に変換する撮像素子ＳＲと、を備えている。この撮像光学装置ＬＵで画像入力機能付きデジタル機器ＤＵを構成する場合、通常そのボディ内部に撮像光学装置ＬＵを配置することになるが、カメラ機能を実現する際には必要に応じた形態を採用することが可能である。例えば、ユニット化した撮像光学装置ＬＵをデジタル機器ＤＵの本体に対して着脱可能又は回動可能に構成することが可能である。
デジタル機器ＤＵは、撮像光学装置ＬＵの他に、信号処理部１，制御部２，メモリー３，操作部４，表示部５等を備えている。撮像素子ＳＲで生成した信号は、信号処理部１で所定のデジタル画像処理や画像圧縮処理等が必要に応じて施され、デジタル映像信号としてメモリー３（半導体メモリー，光ディスク等）に記録されたり、場合によってはケーブルを介したり赤外線信号等に変換されたりして他の機器に伝送される（例えば携帯電話の通信機能）。制御部２はマイクロコンピュータからなっており、撮影機能（静止画撮影機能，動画撮影機能等），画像再生機能等の機能の制御；フォーカシングのためのレンズ移動機構の制御等を集中的に行う。例えば、被写体の静止画撮影，動画撮影のうちの少なくとも一方を行うように、制御部２により撮像光学装置ＬＵに対する制御が行われる。表示部５は液晶モニター等のディスプレイを含む部分であり、撮像素子ＳＲによって変換された画像信号あるいはメモリー３に記録されている画像情報を用いて画像表示を行う。操作部４は、操作ボタン（例えばレリーズボタン），操作ダイヤル（例えば撮影モードダイヤル）等の操作部材を含む部分であり、操作者が操作入力した情報を制御部２に伝達する。
赤外カットフィルターＦＲは、基板ＳＵ両面の誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢがいずれも可視域の光を透過させ赤外域の光を反射させる光学特性を有するものである。例えば、波長４５０〜６００ｎｍの光を透過させ、波長７００ｎｍ以上の光を反射させる赤外カットフィルターを作製する場合、誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢを構成するＴｉＯ2とＳｉＯ2を、光学的な膜厚が赤外域（例えば、波長９００ｎｍ）の１／４波長に相当する膜厚を交互に積層する。そして、波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍの光を効率良く透過させるため、各層の膜厚を少しずつ１／４波長からずらし、干渉の効果を抑えるように設定する。赤外カットフィルターＦＲの成膜方法としては、真空蒸着、イオンアシスト成膜、イオンプレーティング成膜、スパッタ成膜（反応性スパッタ成膜等）、イオンビームスパッタ成膜等が挙げられる。基板ＳＵ両面の誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢは、いずれもこれらの成膜方法で形成されたものであることが望ましい。
基板ＳＵはガラスからなることが好ましい。プラスチック基板は、誘電体多層膜の形成に不向きである。したがって、赤外カットフィルターＦＲとしてある程度の強度を有し、かつ、剥がれの生じない信頼性のある透明基板としては、プラスチック基板よりもガラス基板が好ましい。
基板ＳＵの両面の誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢがいずれも少なくとも２つの蒸着材料からなり、そのうちの少なくとも１つがＳｉＯ2又はＳｉＯ2を含む混合物からなることが好ましい。また、基板ＳＵの両面の誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢがいずれも少なくとも２つの蒸着材料からなり、そのうちの少なくとも１つがＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2又はそのいずれかを含む混合物からなることが好ましい。ＳｉＯ2等の低屈折率材料やＴｉＯ2等の高屈折率材料は、圧縮応力を持たせる上で好ましい材料であり、製造が容易であり、性能に要求される屈折率に関しても好ましい材料である。
以下、本発明に係る赤外カットフィルターの構成等を、比較例１〜３及び実施例１〜４のコンストラクションデータ等を挙げて更に具体的に説明する。コンストラクションデータでは、誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢの各層の成膜材料及び膜厚（ｎｍ）、並びに基板ＳＵ及び成膜材料の屈折率ｎ（波長５４０ｎｍ）を示す。比較例１〜３及び実施例１，２では、誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢがいずれも、Ｎｂ2Ｏ5からなる高屈折率層と、ＳｉＯ2からなる低屈折率層と、の交互層（Nb2O5／SiO2）で構成されており、実施例３，４では、誘電体多層膜ＭＡ，ＭＢがいずれも、ＴｉＯ2からなる高屈折率層と、ＳｉＯ2からなる低屈折率層と、の交互層（TiO2／SiO2）で構成されている。
表１に、比較例１〜３及び実施例１〜４の特性値，条件式対応値等を示し、表２に、以下の画像評価方法を用いて得られた評価結果を示す。また、図５〜１８のグラフに、比較例１〜３及び実施例１〜４の分光特性を示す。図５，図７，…，図１５，図１７はフィルター全体の分光透過率（入射角度θ＝０°，３０°）を示しており、図６，図８，…，図１６，図１８は各フィルター面（Ａ面，Ｂ面）の分光透過率（入射角度θ＝０°，３０°）を示している。
［画像評価方法］ 図４に示すように、撮像レンズＬＮ（正負正正負の５枚構成）と撮像素子ＳＲとの間に、Ａ面側が撮像素子ＳＲと対向するように赤外カットフィルターＦＲを配置し、写真を撮ってその画像を評価した。ゴースト評価（波長：４２５〜６２０ｎｍ）では、光源を光軸ＡＸに対して５度ピッチで短辺，長辺，対角に位置するように配置し、撮った画像からゴーストの出方を評価した。色シェーディング評価（波長：５８０〜７００ｎｍ）では、光源として全面が白いものを撮影し、周辺部と中心部の色目の違いを評価した。赤かぶり評価（波長：７００〜１２００ｎｍ）では、光源で照明された黒い物体を撮影し、撮影された画像と物体の色目の違いを評価した。光源としては、ＤＡＹＬＩＧＨＴ（北窓光），Ｃｏｏｌ Ｗｈｉｔｅ（冷白色蛍光灯），ＨＯＲＩＺＯＮ（日没光），ＩＮＣＡ（ショーケース光）を用いた。
表１中、
＊１：波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率（％）、
＊２：波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度３０度での平均透過率（％）、
＊３：波長６００〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率（％）、
＊４：波長７００〜１１００ｎｍにおける平均透過率（％）、
＊５：波長７００〜１１００ｎｍにおける最大透過率（％）、
＊６：波長１１００〜１２００ｎｍにおける平均透過率（％）、
＊７：波長１１００〜１２００ｎｍにおける最大透過率（％）、
λＡ５０％（０度）：Ａ面において入射角度０度で透過率５０％のときの波長（ｎｍ）、
λＢ５０％（０度）：Ｂ面において入射角度０度で透過率５０％のときの波長（ｎｍ）、
λＢ５０％（３０度）：Ｂ面において入射角度３０度で透過率５０％のときの波長（ｎｍ）、
であり、これらの数値を条件式（１）〜（３）の対応値と併せて示す。
表２に示す評価結果では、
Ｄ：許容不可能なレベル、
Ｃ：少し問題がある程度の許容可能なレベル、
Ｂ：問題無い許容可能なレベル、
Ａ：全く問題無い許容可能なレベル、
とした。
比較例１
多層膜ＭＡ（Ａ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 SiO2 188.38
2 Nb2O5 15.15
3 SiO2 32.36
4 Nb2O5 131.87
5 SiO2 32.99
6 Nb2O5 17.68
7 SiO2 398.71
8 Nb2O5 22.86
9 SiO2 34.94
10 Nb2O5 36.95
11 SiO2 185.92
12 Nb2O5 86.08
13 SiO2 19.58
14 Nb2O5 24.40
15 SiO2 44.06
16 Nb2O5 127.03
17 SiO2 26.41
18 Nb2O5 133.05
19 SiO2 27.31
20 Nb2O5 132.96
21 SiO2 29.16
22 Nb2O5 130.45
23 SiO2 31.00
24 Nb2O5 128.35
25 SiO2 31.06
26 Nb2O5 128.73
27 SiO2 33.58
28 Nb2O5 129.50
29 SiO2 36.22
30 Nb2O5 124.47
31 SiO2 53.14
32 Nb2O5 24.69
33 SiO2 13.91
34 Nb2O5 79.38
35 SiO2 200.47
36 Nb2O5 16.43
37 SiO2 200.03
38 Nb2O5 95.12
39 SiO2 131.85
40 Nb2O5 90.18
41 SiO2 144.59
42 Nb2O5 95.05
43 SiO2 161.79
44 Nb2O5 84.43
45 SiO2 37.89
46 Nb2O5 15.15
47 SiO2 58.99
48 Nb2O5 99.29
49 SiO2 169.89
50 Nb2O5 33.59
51 SiO2 29.51
52 Nb2O5 25.57
53 SiO2 170.14
54 Nb2O5 16.41
55 SiO2 22.54
56 Nb2O5 65.88
57 SiO2 18.69
58 Nb2O5 28.11
59 SiO2 203.62
60 Nb2O5 107.66
61 SiO2 206.28
62 Nb2O5 26.38
63 SiO2 27.17
64 Nb2O5 131.61
65 SiO2 173.95
66 Nb2O5 99.66
67 SiO2 157.76
68 Nb2O5 97.97
69 SiO2 83.39
比較例１
多層膜ＭＢ（Ｂ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 14.63
2 SiO2 47.88
3 Nb2O5 23.01
4 SiO2 191.84
5 Nb2O5 115.50
6 SiO2 25.77
7 Nb2O5 117.17
8 SiO2 52.53
9 Nb2O5 14.63
10 SiO2 35.23
11 Nb2O5 90.70
12 SiO2 190.20
13 Nb2O5 15.61
14 SiO2 221.29
15 Nb2O5 14.63
16 SiO2 217.11
17 Nb2O5 16.34
18 SiO2 187.01
19 Nb2O5 86.72
20 SiO2 25.86
21 Nb2O5 16.74
22 SiO2 49.39
23 Nb2O5 102.56
24 SiO2 18.22
25 Nb2O5 16.13
26 SiO2 28.51
27 Nb2O5 106.36
28 SiO2 19.32
29 Nb2O5 17.53
30 SiO2 23.21
31 Nb2O5 119.66
32 SiO2 21.56
33 Nb2O5 132.02
34 SiO2 19.79
35 Nb2O5 123.94
36 SiO2 15.24
37 Nb2O5 22.64
38 SiO2 14.63
39 Nb2O5 120.11
40 SiO2 18.69
41 Nb2O5 120.08
42 SiO2 24.50
43 Nb2O5 18.25
44 SiO2 18.36
45 Nb2O5 115.81
46 SiO2 22.13
47 Nb2O5 118.79
48 SiO2 42.60
49 Nb2O5 20.05
50 SiO2 22.85
51 Nb2O5 86.07
52 SiO2 156.82
53 Nb2O5 85.07
54 SiO2 157.16
55 Nb2O5 105.44
56 SiO2 178.10
57 Nb2O5 109.09
58 SiO2 176.07
59 Nb2O5 106.98
60 SiO2 174.50
61 Nb2O5 99.23
62 SiO2 164.22
63 Nb2O5 95.44
64 SiO2 167.02
65 Nb2O5 101.09
66 SiO2 85.49
比較例２
多層膜ＭＡ（Ａ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 14.28
2 SiO2 35.73
3 Nb2O5 114.45
4 SiO2 196.82
5 Nb2O5 15.55
6 SiO2 203.33
7 Nb2O5 35.97
8 SiO2 28.56
9 Nb2O5 16.23
10 SiO2 134.47
11 Nb2O5 111.08
12 SiO2 33.69
13 Nb2O5 125.54
14 SiO2 29.75
15 Nb2O5 129.86
16 SiO2 29.14
17 Nb2O5 128.16
18 SiO2 29.69
19 Nb2O5 127.96
20 SiO2 29.89
21 Nb2O5 127.01
22 SiO2 30.13
23 Nb2O5 127.97
24 SiO2 30.59
25 Nb2O5 127.78
26 SiO2 30.36
27 Nb2O5 128.81
28 SiO2 29.79
29 Nb2O5 128.57
30 SiO2 28.59
31 Nb2O5 129.83
32 SiO2 27.90
33 Nb2O5 129.82
34 SiO2 27.10
35 Nb2O5 130.60
36 SiO2 26.84
37 Nb2O5 128.22
38 SiO2 27.16
39 Nb2O5 115.70
40 SiO2 48.45
41 Nb2O5 14.41
42 SiO2 32.98
43 Nb2O5 91.74
44 SiO2 41.00
45 Nb2O5 15.00
46 SiO2 38.68
47 Nb2O5 93.99
48 SiO2 27.72
49 Nb2O5 17.30
50 SiO2 34.30
51 Nb2O5 115.57
52 SiO2 24.24
53 Nb2O5 115.71
54 SiO2 28.56
55 Nb2O5 16.89
56 SiO2 28.56
57 Nb2O5 114.81
58 SiO2 28.56
59 Nb2O5 115.01
60 SiO2 55.50
61 Nb2O5 14.95
62 SiO2 28.56
63 Nb2O5 81.55
64 SiO2 145.32
65 Nb2O5 89.25
66 SiO2 191.09
67 Nb2O5 23.04
68 SiO2 37.35
69 Nb2O5 113.82
70 SiO2 158.36
71 Nb2O5 85.25
72 SiO2 75.02
比較例２
多層膜ＭＢ（Ｂ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 15.38
2 SiO2 30.98
3 Nb2O5 57.67
4 SiO2 23.94
5 Nb2O5 23.79
6 SiO2 97.67
7 Nb2O5 17.92
8 SiO2 30.75
9 Nb2O5 63.82
10 SiO2 46.28
11 Nb2O5 15.38
12 SiO2 75.48
13 Nb2O5 42.78
14 SiO2 25.62
15 Nb2O5 27.01
16 SiO2 113.30
17 Nb2O5 19.51
18 SiO2 30.75
19 Nb2O5 39.64
20 SiO2 163.91
21 Nb2O5 84.80
22 SiO2 151.54
23 Nb2O5 86.74
24 SiO2 33.52
25 Nb2O5 15.38
26 SiO2 45.62
27 Nb2O5 93.29
28 SiO2 147.13
29 Nb2O5 86.07
30 SiO2 147.27
31 Nb2O5 94.66
32 SiO2 56.66
33 Nb2O5 15.38
34 SiO2 37.30
35 Nb2O5 84.03
36 SiO2 39.12
37 Nb2O5 15.38
38 SiO2 57.54
39 Nb2O5 99.89
40 SiO2 160.09
41 Nb2O5 99.61
42 SiO2 176.00
43 Nb2O5 108.43
44 SiO2 182.01
45 Nb2O5 109.79
46 SiO2 183.74
47 Nb2O5 110.39
48 SiO2 183.10
49 Nb2O5 110.53
50 SiO2 183.09
51 Nb2O5 109.97
52 SiO2 181.76
53 Nb2O5 108.76
54 SiO2 181.05
55 Nb2O5 105.08
56 SiO2 170.20
57 Nb2O5 96.29
58 SiO2 79.48
比較例３
多層膜ＭＡ（Ａ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 SiO2 94.81
2 Nb2O5 10.48
3 SiO2 33.79
4 Nb2O5 102.05
5 SiO2 33.32
6 Nb2O5 19.56
7 SiO2 40.71
8 Nb2O5 110.44
9 SiO2 35.39
10 Nb2O5 18.71
11 SiO2 24.59
12 Nb2O5 96.29
13 SiO2 196.65
14 Nb2O5 16.05
15 SiO2 223.97
16 Nb2O5 13.32
17 SiO2 227.18
18 Nb2O5 16.59
19 SiO2 196.77
20 Nb2O5 79.59
21 SiO2 19.56
22 Nb2O5 21.98
23 SiO2 57.44
24 Nb2O5 119.21
25 SiO2 32.06
26 Nb2O5 126.82
27 SiO2 33.85
28 Nb2O5 125.23
29 SiO2 34.09
30 Nb2O5 126.07
31 SiO2 36.59
32 Nb2O5 124.86
33 SiO2 34.66
34 Nb2O5 119.49
35 SiO2 61.27
36 Nb2O5 21.29
37 SiO2 20.28
38 Nb2O5 77.19
39 SiO2 183.85
40 Nb2O5 27.08
41 SiO2 31.73
42 Nb2O5 12.97
43 SiO2 156.54
44 Nb2O5 115.14
45 SiO2 34.33
46 Nb2O5 124.38
47 SiO2 79.30
48 Nb2O5 12.14
49 SiO2 72.94
50 Nb2O5 22.51
51 SiO2 201.57
52 Nb2O5 106.89
53 SiO2 37.65
54 Nb2O5 13.77
55 SiO2 34.15
56 Nb2O5 104.51
57 SiO2 202.42
58 Nb2O5 14.97
59 SiO2 199.77
60 Nb2O5 100.80
61 SiO2 35.73
62 Nb2O5 14.97
63 SiO2 43.55
64 Nb2O5 100.83
65 SiO2 188.87
66 Nb2O5 15.30
67 SiO2 209.98
68 Nb2O5 20.25
69 SiO2 35.81
70 Nb2O5 15.62
71 SiO2 149.54
72 Nb2O5 93.93
73 SiO2 154.42
74 Nb2O5 27.07
75 SiO2 17.64
76 Nb2O5 35.17
77 SiO2 170.29
78 Nb2O5 96.88
79 SiO2 37.25
80 Nb2O5 16.06
81 SiO2 45.39
82 Nb2O5 103.42
83 SiO2 87.50
比較例３
多層膜ＭＢ（Ｂ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 10.22
2 SiO2 35.62
3 Nb2O5 102.34
4 SiO2 156.54
5 Nb2O5 87.14
6 SiO2 149.29
7 Nb2O5 106.00
8 SiO2 20.02
9 Nb2O5 105.21
10 SiO2 149.81
11 Nb2O5 95.01
12 SiO2 42.76
13 Nb2O5 19.36
14 SiO2 34.17
15 Nb2O5 204.24
16 SiO2 44.45
17 Nb2O5 15.13
18 SiO2 57.31
19 Nb2O5 116.83
20 SiO2 21.06
21 Nb2O5 113.61
22 SiO2 23.41
23 Nb2O5 18.19
24 SiO2 26.17
25 Nb2O5 105.37
26 SiO2 62.06
27 Nb2O5 13.73
28 SiO2 44.37
29 Nb2O5 199.88
30 SiO2 42.86
31 Nb2O5 14.37
32 SiO2 56.82
33 Nb2O5 102.26
34 SiO2 61.10
35 Nb2O5 15.10
36 SiO2 41.53
37 Nb2O5 210.79
38 SiO2 41.49
39 Nb2O5 20.40
40 SiO2 40.23
41 Nb2O5 215.61
42 SiO2 33.15
43 Nb2O5 21.37
44 SiO2 40.41
45 Nb2O5 95.54
46 SiO2 154.28
47 Nb2O5 112.66
48 SiO2 30.66
49 Nb2O5 31.57
50 SiO2 45.52
51 Nb2O5 28.05
52 SiO2 34.75
53 Nb2O5 108.26
54 SiO2 154.08
55 Nb2O5 88.11
56 SiO2 155.57
57 Nb2O5 100.53
58 SiO2 173.70
59 Nb2O5 105.39
60 SiO2 172.65
61 Nb2O5 107.21
62 SiO2 172.22
63 Nb2O5 98.85
64 SiO2 156.11
65 Nb2O5 102.42
66 SiO2 37.82
67 Nb2O5 24.49
68 SiO2 27.87
69 Nb2O5 207.40
70 SiO2 24.01
71 Nb2O5 25.02
72 SiO2 32.87
73 Nb2O5 102.86
74 SiO2 152.65
75 Nb2O5 83.67
76 SiO2 70.39
実施例１
多層膜ＭＡ（Ａ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 16.34
2 SiO2 28.28
3 Nb2O5 64.83
4 SiO2 23.55
5 Nb2O5 30.30
6 SiO2 40.40
7 Nb2O5 112.82
8 SiO2 45.22
9 Nb2O5 15.15
10 SiO2 36.35
11 Nb2O5 95.45
12 SiO2 190.09
13 Nb2O5 16.10
14 SiO2 218.88
15 Nb2O5 15.15
16 SiO2 220.94
17 Nb2O5 18.97
18 SiO2 199.93
19 Nb2O5 54.05
20 SiO2 29.18
21 Nb2O5 23.30
22 SiO2 74.99
23 Nb2O5 116.94
24 SiO2 38.72
25 Nb2O5 124.35
26 SiO2 36.76
27 Nb2O5 124.83
28 SiO2 38.48
29 Nb2O5 124.23
30 SiO2 38.39
31 Nb2O5 123.75
32 SiO2 40.50
33 Nb2O5 114.51
34 SiO2 85.79
35 Nb2O5 20.64
36 SiO2 28.61
37 Nb2O5 53.60
38 SiO2 176.99
39 Nb2O5 28.74
40 SiO2 25.25
41 Nb2O5 15.15
42 SiO2 147.35
43 Nb2O5 89.39
44 SiO2 143.58
45 Nb2O5 89.74
46 SiO2 169.33
47 Nb2O5 21.40
48 SiO2 30.30
49 Nb2O5 15.15
50 SiO2 165.72
51 Nb2O5 106.58
52 SiO2 56.89
53 Nb2O5 15.15
54 SiO2 32.19
55 Nb2O5 91.52
56 SiO2 180.87
57 Nb2O5 27.05
58 SiO2 30.30
59 Nb2O5 15.15
60 SiO2 155.48
61 Nb2O5 95.56
62 SiO2 149.06
63 Nb2O5 98.23
64 SiO2 180.19
65 Nb2O5 121.78
66 SiO2 46.19
67 Nb2O5 16.93
68 SiO2 229.33
69 Nb2O5 107.14
70 SiO2 180.94
71 Nb2O5 129.41
72 SiO2 25.25
73 Nb2O5 28.00
74 SiO2 184.96
75 Nb2O5 100.23
76 SiO2 79.29
実施例１
多層膜ＭＢ（Ｂ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 14.55
2 SiO2 47.64
3 Nb2O5 22.99
4 SiO2 190.77
5 Nb2O5 115.18
6 SiO2 25.31
7 Nb2O5 116.76
8 SiO2 51.63
9 Nb2O5 14.55
10 SiO2 35.46
11 Nb2O5 90.76
12 SiO2 189.51
13 Nb2O5 15.45
14 SiO2 220.58
15 Nb2O5 14.55
16 SiO2 216.46
17 Nb2O5 16.15
18 SiO2 186.22
19 Nb2O5 87.09
20 SiO2 27.39
21 Nb2O5 15.78
22 SiO2 49.91
23 Nb2O5 101.61
24 SiO2 19.36
25 Nb2O5 16.15
26 SiO2 28.83
27 Nb2O5 105.70
28 SiO2 18.02
29 Nb2O5 17.32
30 SiO2 22.62
31 Nb2O5 119.51
32 SiO2 21.35
33 Nb2O5 131.68
34 SiO2 19.38
35 Nb2O5 123.47
36 SiO2 13.98
37 Nb2O5 22.41
38 SiO2 14.55
39 Nb2O5 120.63
40 SiO2 18.50
41 Nb2O5 120.55
42 SiO2 23.56
43 Nb2O5 18.17
44 SiO2 16.53
45 Nb2O5 115.62
46 SiO2 22.04
47 Nb2O5 117.29
48 SiO2 44.84
49 Nb2O5 18.62
50 SiO2 25.30
51 Nb2O5 86.10
52 SiO2 156.03
53 Nb2O5 84.32
54 SiO2 155.86
55 Nb2O5 105.01
56 SiO2 177.09
57 Nb2O5 109.00
58 SiO2 174.93
59 Nb2O5 106.74
60 SiO2 174.34
61 Nb2O5 98.98
62 SiO2 163.78
63 Nb2O5 94.55
64 SiO2 165.72
65 Nb2O5 100.46
66 SiO2 85.17
実施例２
多層膜ＭＡ（Ａ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 16.34
2 SiO2 28.28
3 Nb2O5 64.83
4 SiO2 23.55
5 Nb2O5 30.30
6 SiO2 40.40
7 Nb2O5 112.82
8 SiO2 45.22
9 Nb2O5 15.15
10 SiO2 36.35
11 Nb2O5 95.45
12 SiO2 190.09
13 Nb2O5 16.10
14 SiO2 218.88
15 Nb2O5 15.15
16 SiO2 220.94
17 Nb2O5 18.97
18 SiO2 199.93
19 Nb2O5 54.05
20 SiO2 29.18
21 Nb2O5 23.30
22 SiO2 74.99
23 Nb2O5 116.94
24 SiO2 38.72
25 Nb2O5 124.35
26 SiO2 36.76
27 Nb2O5 124.83
28 SiO2 38.48
29 Nb2O5 124.23
30 SiO2 38.39
31 Nb2O5 123.75
32 SiO2 40.50
33 Nb2O5 114.51
34 SiO2 85.79
35 Nb2O5 20.64
36 SiO2 28.61
37 Nb2O5 53.60
38 SiO2 176.99
39 Nb2O5 28.74
40 SiO2 25.25
41 Nb2O5 15.15
42 SiO2 147.35
43 Nb2O5 89.39
44 SiO2 143.58
45 Nb2O5 89.74
46 SiO2 169.33
47 Nb2O5 21.40
48 SiO2 30.30
49 Nb2O5 15.15
50 SiO2 165.72
51 Nb2O5 106.58
52 SiO2 56.89
53 Nb2O5 15.15
54 SiO2 32.19
55 Nb2O5 91.52
56 SiO2 180.87
57 Nb2O5 27.05
58 SiO2 30.30
59 Nb2O5 15.15
60 SiO2 155.48
61 Nb2O5 95.56
62 SiO2 149.06
63 Nb2O5 98.23
64 SiO2 180.19
65 Nb2O5 121.78
66 SiO2 46.19
67 Nb2O5 16.93
68 SiO2 229.33
69 Nb2O5 107.14
70 SiO2 180.94
71 Nb2O5 129.41
72 SiO2 25.25
73 Nb2O5 28.00
74 SiO2 184.96
75 Nb2O5 100.23
76 SiO2 79.29
実施例２
多層膜ＭＢ（Ｂ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 21.03
2 SiO2 31.00
3 Nb2O5 34.37
4 SiO2 180.97
5 Nb2O5 117.57
6 SiO2 24.25
7 Nb2O5 110.40
8 SiO2 40.51
9 Nb2O5 14.55
10 SiO2 43.14
11 Nb2O5 98.21
12 SiO2 24.25
13 Nb2O5 20.35
14 SiO2 33.41
15 Nb2O5 121.78
16 SiO2 24.73
17 Nb2O5 115.21
18 SiO2 24.25
19 Nb2O5 17.27
20 SiO2 29.59
21 Nb2O5 122.35
22 SiO2 24.25
23 Nb2O5 133.06
24 SiO2 24.25
25 Nb2O5 134.08
26 SiO2 24.25
27 Nb2O5 134.90
28 SiO2 24.25
29 Nb2O5 133.68
30 SiO2 24.25
31 Nb2O5 132.29
32 SiO2 26.35
33 Nb2O5 133.27
34 SiO2 24.25
35 Nb2O5 132.92
36 SiO2 24.25
37 Nb2O5 133.38
38 SiO2 24.25
39 Nb2O5 134.92
40 SiO2 24.25
41 Nb2O5 133.53
42 SiO2 24.25
43 Nb2O5 133.31
44 SiO2 26.21
45 Nb2O5 128.44
46 SiO2 33.18
47 Nb2O5 110.75
48 SiO2 147.03
49 Nb2O5 87.24
50 SiO2 176.66
51 Nb2O5 114.02
52 SiO2 24.25
53 Nb2O5 14.55
54 SiO2 175.10
55 Nb2O5 26.12
56 SiO2 27.24
57 Nb2O5 34.05
58 SiO2 168.35
59 Nb2O5 92.33
60 SiO2 164.19
61 Nb2O5 108.87
62 SiO2 179.05
63 Nb2O5 97.45
64 SiO2 150.95
65 Nb2O5 88.14
66 SiO2 72.29
実施例３
多層膜ＭＡ（Ａ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
TiO2 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 TiO2 9.16
2 SiO2 29.43
3 TiO2 95.11
4 SiO2 159.35
5 TiO2 85.78
6 SiO2 20.25
7 TiO2 20.88
8 SiO2 39.90
9 TiO2 108.96
10 SiO2 195.34
11 TiO2 11.36
12 SiO2 678.69
13 TiO2 11.21
14 SiO2 192.42
15 TiO2 99.02
16 SiO2 37.50
17 TiO2 14.79
18 SiO2 42.40
19 TiO2 115.31
20 SiO2 24.63
21 TiO2 128.14
22 SiO2 24.24
23 TiO2 128.40
24 SiO2 25.26
25 TiO2 129.56
26 SiO2 27.05
27 TiO2 125.56
28 SiO2 31.34
29 TiO2 113.94
30 SiO2 80.27
31 TiO2 12.39
32 SiO2 31.73
33 TiO2 77.37
34 SiO2 185.56
35 TiO2 23.60
36 SiO2 185.81
37 TiO2 64.17
38 SiO2 19.91
39 TiO2 13.83
40 SiO2 117.13
41 TiO2 96.53
42 SiO2 139.71
43 TiO2 13.27
44 SiO2 37.62
45 TiO2 30.27
46 SiO2 188.60
47 TiO2 103.49
48 SiO2 29.02
49 TiO2 18.48
50 SiO2 38.05
51 TiO2 108.82
52 SiO2 197.19
53 TiO2 19.31
54 SiO2 194.83
55 TiO2 86.27
56 SiO2 23.28
57 TiO2 18.11
58 SiO2 53.39
59 TiO2 110.09
60 SiO2 60.43
61 TiO2 20.65
62 SiO2 24.11
63 TiO2 70.07
64 SiO2 159.63
65 TiO2 82.41
66 SiO2 48.23
67 TiO2 11.26
68 SiO2 63.43
69 TiO2 81.18
70 SiO2 20.53
71 TiO2 21.66
72 SiO2 50.41
73 TiO2 107.83
74 SiO2 208.64
75 TiO2 18.66
76 SiO2 42.12
77 TiO2 112.95
78 SiO2 165.54
79 TiO2 89.71
80 SiO2 77.84
実施例３
多層膜ＭＢ（Ｂ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
TiO2 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 TiO2 10.05
2 SiO2 34.19
3 TiO2 97.80
4 SiO2 153.99
5 TiO2 86.57
6 SiO2 151.02
7 TiO2 105.53
8 SiO2 19.19
9 TiO2 113.00
10 SiO2 56.42
11 TiO2 12.87
12 SiO2 51.09
13 TiO2 100.27
14 SiO2 17.08
15 TiO2 26.39
16 SiO2 32.21
17 TiO2 32.55
18 SiO2 47.26
19 TiO2 22.20
20 SiO2 48.91
21 TiO2 108.20
22 SiO2 70.03
23 TiO2 11.45
24 SiO2 47.32
25 TiO2 200.40
26 SiO2 41.57
27 TiO2 14.77
28 SiO2 60.07
29 TiO2 105.16
30 SiO2 58.44
31 TiO2 15.70
32 SiO2 43.57
33 TiO2 196.62
34 SiO2 161.54
35 TiO2 85.75
36 SiO2 18.19
37 TiO2 21.35
38 SiO2 54.77
39 TiO2 25.45
40 SiO2 45.46
41 TiO2 31.68
42 SiO2 36.17
43 TiO2 116.54
44 SiO2 54.43
45 TiO2 17.42
46 SiO2 42.47
47 TiO2 203.30
48 SiO2 48.00
49 TiO2 12.03
50 SiO2 68.49
51 TiO2 104.90
52 SiO2 52.83
53 TiO2 18.34
54 SiO2 37.92
55 TiO2 202.90
56 SiO2 38.40
57 TiO2 19.27
58 SiO2 48.13
59 TiO2 96.33
60 SiO2 155.44
61 TiO2 92.57
62 SiO2 173.19
63 TiO2 103.66
64 SiO2 173.53
65 TiO2 103.50
66 SiO2 174.04
67 TiO2 102.01
68 SiO2 164.17
69 TiO2 90.66
70 SiO2 161.13
71 TiO2 113.04
72 SiO2 31.81
73 TiO2 29.18
74 SiO2 51.13
75 TiO2 26.04
76 SiO2 36.69
77 TiO2 109.39
78 SiO2 155.58
79 TiO2 85.88
80 SiO2 150.37
81 TiO2 83.25
82 SiO2 72.86
実施例４
多層膜ＭＡ（Ａ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
TiO2 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 SiO2 54.59
2 TiO2 9.90
3 SiO2 35.25
4 TiO2 107.25
5 SiO2 35.16
6 TiO2 21.40
7 SiO2 23.47
8 TiO2 91.88
9 SiO2 189.41
10 TiO2 19.76
11 SiO2 214.64
12 TiO2 20.27
13 SiO2 192.62
14 TiO2 72.68
15 SiO2 19.67
16 TiO2 26.11
17 SiO2 50.06
18 TiO2 121.81
19 SiO2 27.69
20 TiO2 128.55
21 SiO2 24.37
22 TiO2 129.54
23 SiO2 23.31
24 TiO2 129.71
25 SiO2 22.52
26 TiO2 130.03
27 SiO2 21.83
28 TiO2 130.18
29 SiO2 20.98
30 TiO2 130.68
31 SiO2 21.97
32 TiO2 130.13
33 SiO2 25.70
34 TiO2 121.99
35 SiO2 56.45
36 TiO2 23.71
37 SiO2 24.89
38 TiO2 69.60
39 SiO2 189.30
40 TiO2 23.96
41 SiO2 211.37
42 TiO2 22.52
43 SiO2 212.72
44 TiO2 23.32
45 SiO2 201.67
46 TiO2 42.44
47 SiO2 29.81
48 TiO2 22.29
49 SiO2 288.86
50 TiO2 15.75
51 SiO2 20.02
52 TiO2 75.03
53 SiO2 168.01
54 TiO2 69.30
55 SiO2 17.58
56 TiO2 20.89
57 SiO2 236.37
58 TiO2 11.40
59 SiO2 31.79
60 TiO2 100.20
61 SiO2 176.11
62 TiO2 113.67
63 SiO2 186.72
64 TiO2 113.29
65 SiO2 187.39
66 TiO2 114.15
67 SiO2 182.70
68 TiO2 124.66
69 SiO2 37.51
70 TiO2 17.76
71 SiO2 158.83
72 TiO2 9.94
73 SiO2 32.29
74 TiO2 82.85
75 SiO2 24.80
76 TiO2 19.07
77 SiO2 74.29
78 TiO2 21.29
79 SiO2 16.41
80 TiO2 78.08
81 SiO2 86.14
実施例４
多層膜ＭＢ（Ｂ面）
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
TiO2 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 TiO2 10.15
2 SiO2 34.31
3 TiO2 102.29
4 SiO2 158.00
5 TiO2 85.29
6 SiO2 150.91
7 TiO2 87.84
8 SiO2 35.67
9 TiO2 15.31
10 SiO2 41.05
11 TiO2 89.48
12 SiO2 146.05
13 TiO2 80.84
14 SiO2 143.54
15 TiO2 80.59
16 SiO2 145.35
17 TiO2 93.20
18 SiO2 46.82
19 TiO2 22.36
20 SiO2 31.17
21 TiO2 58.41
22 SiO2 45.47
23 TiO2 11.33
24 SiO2 74.10
25 TiO2 88.06
26 SiO2 142.90
27 TiO2 81.55
28 SiO2 142.88
29 TiO2 82.87
30 SiO2 147.03
31 TiO2 91.50
32 SiO2 179.06
33 TiO2 26.19
34 SiO2 12.57
35 TiO2 80.35
36 SiO2 20.26
37 TiO2 10.15
38 SiO2 146.29
39 TiO2 92.57
40 SiO2 145.43
41 TiO2 21.58
42 SiO2 16.24
43 TiO2 40.24
44 SiO2 167.77
45 TiO2 104.56
46 SiO2 32.72
47 TiO2 14.04
48 SiO2 91.76
49 TiO2 10.15
50 SiO2 47.83
51 TiO2 100.80
52 SiO2 155.22
53 TiO2 90.33
54 SiO2 148.68
55 TiO2 11.92
56 SiO2 15.22
57 TiO2 304.64
58 SiO2 26.97
59 TiO2 26.25
60 SiO2 41.89
61 TiO2 112.25
62 SiO2 77.59
63 TiO2 10.15
64 SiO2 51.91
65 TiO2 212.68
66 SiO2 40.31
67 TiO2 20.94
68 SiO2 47.55
69 TiO2 106.09
70 SiO2 18.40
71 TiO2 10.15
72 SiO2 179.85
73 TiO2 15.07
74 SiO2 16.31
75 TiO2 92.24
76 SiO2 168.29
77 TiO2 64.07
78 SiO2 17.50
79 TiO2 19.39
80 SiO2 108.52
81 TiO2 21.10
82 SiO2 21.61
83 TiO2 50.42
84 SiO2 85.10
Figure 0006458797
Figure 0006458797
ＦＲ 赤外カットフィルター
ＭＡ，ＭＢ 誘電体多層膜
ＳＵ 基板
ＤＵ デジタル機器
ＬＵ 撮像光学装置（カメラユニット）
ＬＮ 撮像レンズ
ＳＲ 撮像素子
ＳＳ 受光面（撮像面）
ＩＭ 像面（光学像）
ＡＸ 光軸
１ 信号処理部
２ 制御部
３ メモリー
４ 操作部
５ 表示部

Claims (7)

  1. 基板の両面に誘電体多層膜を有する赤外カットフィルターであって、
    波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率が９５％以上であり、
    波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度３０度での平均透過率が９４％以上であり、
    波長６００〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率が９１％以上であり、
    波長５８０〜７００ｎｍにおいて、以下の条件式（１）及び（２）を満足し、
    波長７００〜１１００ｎｍにおける平均透過率が０．５％以下で最大透過率が１．８％以下であり、
    波長１１００〜１２００ｎｍにおける平均透過率が８％以下で最大透過率１２．５％以下である赤外カットフィルター；
    Σ［Ｔ＝５０〜９０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜＜４００ …（１）
    Σ［Ｔ＝ ５〜５０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜＜８５０ …（２）
    ただし、
    Σ［Ｔ＝ａ〜ｂ％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜：透過率Ｔがａ％からｂ％までの１％毎の波長差｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜の和、
    λＴ（θ）：入射角度θ度で透過率Ｔ％のときの波長（ｎｍ）、
    である。
  2. 波長５８０〜７００ｎｍにおいて、前記基板両面の誘電体多層膜からなる両フィルター面のうち、入射角度０度で透過率５０％のときの波長の短い方の面をＡ面とし、長い方の面をＢ面とすると、以下の条件式（３）を満足する請求項１記載の赤外カットフィルター；
    −１５≦λＡ５０％（０度）−λＢ５０％（３０度）≦１０ …（３）
    ただし、
    λＡ５０％（０度）：Ａ面において入射角度０度で透過率５０％のときの波長（ｎｍ）、
    λＢ５０％（３０度）：Ｂ面において入射角度３０度で透過率５０％のときの波長（ｎｍ）、
    である。
  3. 波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率が９９％以上であり、
    波長４２５〜６２０ｎｍにおける入射角度３０度での平均透過率が９７％以上であり、
    波長６００〜６２０ｎｍにおける入射角度０度での平均透過率が９８．５％以上である請求項１又は２記載の赤外カットフィルター。
  4. 波長５８０〜７００ｎｍにおいて、以下の条件式（１ａ）を満足する請求項１〜３のいずれか１項に記載の赤外カットフィルター；
    Σ［Ｔ＝５０〜９０％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜＜２１５ …（１ａ）
    ただし、
    Σ［Ｔ＝ａ〜ｂ％］｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜：透過率Ｔがａ％からｂ％までの１％毎の波長差｜λＴ（０度）−λＴ（３０度）｜の和、
    λＴ（θ）：入射角度θ度で透過率Ｔ％のときの波長（ｎｍ）、
    である。
  5. 波長７００〜１１００ｎｍにおける平均透過率が０．１５％以下で最大透過率が１％以下であり、
    波長１１００〜１２００ｎｍにおける平均透過率が４％以下で最大透過率９％以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の赤外カットフィルター。
  6. 波長７００〜１１００ｎｍにおける平均透過率が０．１％以下で最大透過率が０．７％以下であり、
    波長１１００〜１２００ｎｍにおける平均透過率が１％以下で最大透過率１．５％以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載の赤外カットフィルター。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の赤外カットフィルターを備えたカメラユニット。
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