JP6400924B2 - Electronic component mounting structure - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品の実装構造に関する。   The present invention relates to an electronic component mounting structure.

電子部品、特に誘電体層と内部電極層とが積層されてなる積層型の電子部品では、電子部品に直流電圧と交流電圧が同時に印加されると、電圧による電歪効果から誘電体層に歪みが発生し、電子部品自体が振動する。この電子部品の振動により、電子部品が半田等により実装されている基板が振動し、基板が可聴域の共振周波数で共振した際に「音鳴り」と呼ばれる振動音が発生する。   In an electronic component, in particular, a multilayer electronic component in which a dielectric layer and an internal electrode layer are stacked, when a DC voltage and an AC voltage are simultaneously applied to the electronic component, the dielectric layer is distorted due to the electrostrictive effect of the voltage. Occurs and the electronic component itself vibrates. Due to the vibration of the electronic component, the substrate on which the electronic component is mounted by solder or the like vibrates, and when the substrate resonates at the audible resonance frequency, a vibration sound called “sounding” is generated.

このような「音鳴り」を低減するため、電子部品自体の歪みを抑制し振動を低減する方法(たとえば電歪効果の小さい低誘電率材料を用いる、内部電極パターンにより電歪効果を抑えるなど)や、電子部品の振動を吸収し基板への伝達を抑制する方法(たとえば金属端子、リードにより振動を吸収する、半田フィレットの高さを規定するなど)が提案されている。たとえば、特許文献1では、コンデンサの振動の伝搬媒体である導電性材料が、コンデンサの最も振動する部分から離れた実装構造とすることにより、振動が回路基板に伝搬されにくくなることが開示されている。   In order to reduce such “sounding”, a method of suppressing the distortion of the electronic component itself and reducing the vibration (for example, using a low dielectric constant material having a small electrostrictive effect or suppressing the electrostrictive effect by an internal electrode pattern). In addition, a method of absorbing vibration of an electronic component and suppressing transmission to a substrate (for example, absorbing vibration by a metal terminal or lead, defining a height of a solder fillet, etc.) has been proposed. For example, Patent Document 1 discloses that a conductive material, which is a propagation medium of capacitor vibration, has a mounting structure that is farthest from the most vibrating portion of the capacitor, so that vibration is less likely to propagate to the circuit board. Yes.

特開2013−065820号公報JP2013-065820A

しかしながら、電子部品自体の歪みを抑制する場合は、材料の誘電率が低い、容量発現領域が小さくなるなどの理由から、たとえばコンデンサなどの場合は容量が確保できないという課題があった。また、金属端子やリードにより振動を吸収する場合や、特許文献1に記載されたような実装構造でも、製造工程や実装工程が複雑化する割に充分な振動の減衰効果が得られないという課題があった。   However, when the distortion of the electronic component itself is suppressed, there is a problem that a capacitor cannot be secured, for example, in the case of a capacitor or the like because the dielectric constant of the material is low and the capacity development region is small. Further, when vibration is absorbed by metal terminals and leads, or even a mounting structure as described in Patent Document 1, a sufficient vibration damping effect cannot be obtained even though the manufacturing process and the mounting process are complicated. was there.

本発明は上記の課題に鑑みなされたもので、音鳴りを低減できる電子部品の実装構造を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an electronic component mounting structure that can reduce noise.

本発明の電子部品の実装構造は、電子部品の一対の外部端子電極と、基板の実装面に設けられた一対のランドとを、導電性材料を介して接合してなる電子部品の実装構造において、前記一対の外部端子電極が、前記電子部品の前記基板に対向する第1の主面において、それぞれ一対の第1の辺部いずれかの近傍を含む領域に、前記第1の辺部とは重ならず、かつ前記第1の辺部の二等分線の一部を含むように設けられており、前記第1の辺部の長さをE1、前記ランドの前記第1の辺部方向の長さをL1としたとき、L1<E1であるとともに、前記基板の前記実装面に前記電子部品を投影した時、前記第1の辺部の二等分点が、前記ランド上に位置することを特徴とする。 The electronic component mounting structure of the present invention is an electronic component mounting structure in which a pair of external terminal electrodes of an electronic component and a pair of lands provided on a mounting surface of a substrate are joined via a conductive material. In the first main surface of the electronic component facing the substrate, the pair of external terminal electrodes is in a region including the vicinity of any one of the pair of first sides. It is provided so that it does not overlap and includes a part of the bisector of the first side, the length of the first side is E1, and the direction of the first side of the land When L1 is L1, L1 <E1, and when the electronic component is projected onto the mounting surface of the substrate, the bisector of the first side is located on the land. It is characterized by that.

本発明によれば、音鳴りを低減できる電子部品の実装構造を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the mounting structure of the electronic component which can reduce sound noise can be provided.

本発明の電子部品の実装構造の第1実施形態を示す、(a)は基板の実装面側からみた電子部品とランドの配置を示す平面図、(b)は座標軸のy軸方向からみた側面図、(c)は座標軸のx軸方向から見た側面図である。1 shows a first embodiment of a mounting structure for an electronic component according to the present invention, (a) is a plan view showing the arrangement of electronic components and lands as viewed from the mounting surface side of the substrate, and (b) is a side surface as viewed from the y-axis direction of the coordinate axis. FIG. 4C is a side view of the coordinate axis viewed from the x-axis direction. (a)は図1(a)の各部の寸法を示す平面図、(b)および(c)は第1実施形態の他の態様を示す平面図である。(A) is a top view which shows the dimension of each part of Fig.1 (a), (b) and (c) are top views which show the other aspect of 1st Embodiment. 電子部品の内部構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the internal structure of an electronic component. 図1(a)のA1−A1線断面図である。It is A1-A1 sectional view taken on the line of Fig.1 (a). 積層セラミックコンデンサ単体に4VのDCバイアスを印加した場合のインピーダンス測定結果を示すグラフである。It is a graph which shows the impedance measurement result at the time of applying a DC bias of 4V to a monolithic ceramic capacitor. 積層セラミックコンデンサのインピーダンス解析に使用した有限要素法のモデルの模式図である。It is a schematic diagram of the model of the finite element method used for the impedance analysis of a multilayer ceramic capacitor. 積層セラミックコンデンサ単体の、10kHzにおける振動モードの計算結果を示す斜視図であって、(a)は対称面側からみた図、(b)は表面側からみた図である。It is a perspective view which shows the calculation result of the vibration mode in 10kHz of a monolithic ceramic capacitor, Comprising: (a) is the figure seen from the symmetrical plane side, (b) is the figure seen from the surface side. 積層セラミックコンデンサにおける振動モードの節状部を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the node part of the vibration mode in a multilayer ceramic capacitor. 本発明の電子部品の実装構造の第2実施形態を示す、(a)は基板の実装面側からみた電子部品とランドの配置を示す平面図、(b)は座標軸のy軸方向からみた側面図、(c)は座標軸のx軸方向から見た側面図である。The 2nd Embodiment of the mounting structure of the electronic component of this invention is shown, (a) is a top view which shows arrangement | positioning of the electronic component and land seen from the mounting surface side of a board | substrate, (b) is the side surface seen from the y-axis direction of the coordinate axis FIG. 4C is a side view of the coordinate axis viewed from the x-axis direction. (a)は図9(a)の各部の寸法を示す平面図、(b)および(c)は第2実施形態の他の態様を示す平面図である。(A) is a top view which shows the dimension of each part of Fig.9 (a), (b) and (c) are top views which show the other aspect of 2nd Embodiment. 図9(a)のA2−A2線断面図である。It is A2-A2 sectional view taken on the line of Fig.9 (a). 音圧レベルの測定装置の概略図である。It is the schematic of the measuring apparatus of a sound pressure level. 実施例において測定した音鳴りの音圧レベルを示すグラフであって、(a)は基板Aを用いた測定データを示すグラフ、(b)は基板Bを用いた測定データを示すグラフである。It is a graph which shows the sound pressure level of the sound sound measured in the Example, (a) is a graph which shows the measurement data using the board | substrate A, (b) is a graph which shows the measurement data using the board | substrate B. 従来の電子部品の実装構造を示す、(a)は電子部品とランドの配置を示す平面図、(b)は座標軸のy軸方向からみた側面図、(c)は座標軸のx軸方向から見た側面図である。A conventional electronic component mounting structure is shown; (a) is a plan view showing the arrangement of electronic components and lands; (b) is a side view as seen from the y-axis direction of the coordinate axis; and (c) is seen from the x-axis direction of the coordinate axis. FIG.

本発明の電子部品の実装構造について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、各図面においては、同じ部材、部分に関しては共通の符号を用い、重複する説明は省略する。また、各図には、説明を容易にするためにxyzの座標軸を付した。さらに、各図は模式的なものであり、特に基板の寸法や導体の厚さ等は実際の寸法関係を反映したものではない。   The electronic component mounting structure of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is used about the same member and part, and the overlapping description is abbreviate | omitted. In addition, each drawing is provided with xyz coordinate axes for easy explanation. Further, each figure is schematic, and in particular, the dimensions of the substrate, the thickness of the conductor, etc. do not reflect the actual dimensional relationship.

(第1実施形態)
本発明の第1実施形態である電子部品の実装構造においては、図1(a)〜(c)に示すように、電子部品1は、積層体2の両端部に設けられた一対の外部端子電極3と、基板4の実装面5に設けられた一対のランド6とが導電性材料7を介してそれぞれ接合されている。導電性材料7は、電子部品1を基板4に接合する役割とともに、電子部品1の外部端子電極3と基板4の回路(図示せず)とを電気的に接続する役割も担っている。
(First embodiment)
In the electronic component mounting structure according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 1A to 1C, the electronic component 1 includes a pair of external terminals provided at both ends of the laminate 2. The electrode 3 and a pair of lands 6 provided on the mounting surface 5 of the substrate 4 are joined to each other via a conductive material 7. The conductive material 7 plays a role of electrically connecting the external terminal electrode 3 of the electronic component 1 and a circuit (not shown) of the substrate 4 together with the role of bonding the electronic component 1 to the substrate 4.

ランド6とは、実装面5における導体の露出部であり、図1(b)、(c)ではランド6の表面が基板4の実装面5よりも突出している(基板4の実装面5上に設けられている)例を示したが、ランド6を除く基板4の実装面5の一部または全部がソルダーレジストで被覆され、ランド6の表面とソルダーレジストの表面とが同一平面上にある、またはソルダーレジストの表面に対してランド6がくぼんだ状態であってもよい。また、ソルダーレジストが基板4の電子部品1と対向する部位に存在する場合は、ソルダーレジストの表面を実装面5とみなす。   The land 6 is an exposed portion of the conductor on the mounting surface 5, and in FIGS. 1B and 1C, the surface of the land 6 protrudes from the mounting surface 5 of the substrate 4 (on the mounting surface 5 of the substrate 4). However, a part or all of the mounting surface 5 of the substrate 4 except the land 6 is covered with a solder resist, and the surface of the land 6 and the surface of the solder resist are on the same plane. Alternatively, the land 6 may be recessed with respect to the surface of the solder resist. Further, when the solder resist is present at a portion facing the electronic component 1 of the substrate 4, the surface of the solder resist is regarded as the mounting surface 5.

実装面5に対向する電子部品1の第1の主面8において、一対の外部端子電極3は、それぞれ一対の第1の辺部9の二等分線である第1の二等分線9cの一部を含むように設けられている。換言すれば、第1の主面8を構成する辺部のうち、辺部の二等分線上に外部端子電極3が存在する辺部を、第1の辺部9とする。   On the first main surface 8 of the electronic component 1 facing the mounting surface 5, the pair of external terminal electrodes 3 is a first bisector 9 c that is a bisector of the pair of first sides 9. It is provided so that a part of may be included. In other words, of the side portions constituting the first main surface 8, the side portion where the external terminal electrode 3 exists on the bisector of the side portion is referred to as the first side portion 9.

なお、第1の辺部9を二等分する第1の二等分線9cとは、第1の主面8側において第1の辺部9の長さを二等分するとともに第1の辺部9に垂直な直線である。   The first bisector 9c that bisects the first side portion 9 bisects the length of the first side portion 9 on the first main surface 8 side and the first bisector 9c. A straight line perpendicular to the side 9.

なお、第1の主面8を構成する辺部のうち、辺部の二等分線上に外部端子電極3が存在しない辺部を、第2の辺部10とする。   Note that, of the side portions constituting the first main surface 8, a side portion where the external terminal electrode 3 does not exist on the bisector of the side portion is referred to as a second side portion 10.

本実施形態においては、図2(a)に示すように、第1の辺部9の長さE1が第2の辺部10の長さE2よりも短い、すなわちE1<E2である。なお、E1およびE2はいずれも外部端子電極3を含む電子部品1の長さである。また、Dは、一対のランド6の間隔、すなわち、基板4の実装面5において、電子部品1の第1の辺部9に垂直な方向における一対のランド6同士の距離である。また、図1(b)、(c)に示すように、H0はz軸方向における電子部品1の高さ、Cは基板4の実装面5と電子部品1との間隔である。   In the present embodiment, as shown in FIG. 2A, the length E1 of the first side portion 9 is shorter than the length E2 of the second side portion 10, that is, E1 <E2. E1 and E2 are both the lengths of the electronic component 1 including the external terminal electrodes 3. D is the distance between the pair of lands 6, that is, the distance between the pair of lands 6 in the direction perpendicular to the first side portion 9 of the electronic component 1 on the mounting surface 5 of the substrate 4. 1B and 1C, H0 is the height of the electronic component 1 in the z-axis direction, and C is the distance between the mounting surface 5 of the substrate 4 and the electronic component 1.

そして、本実施形態においては、図2(a)に示すように、一対のランド6の第1の辺部9方向の長さL1が、一対の第1の辺部9の長さE1よりも小さい、すなわちL1<E1であることが重要である。   In the present embodiment, as shown in FIG. 2A, the length L1 of the pair of lands 6 in the first side portion 9 direction is longer than the length E1 of the pair of first side portions 9. It is important that it is small, ie L1 <E1.

一方、従来の電子部品の実装構造(以下、単に従来構造という場合もある)においては、図14に示すように外部端子電極3と、基板上のランド106とが、導電性材料(半田)107を介して電気的に接続された状態で固定される。半田107は、外部端子電極3とランド106の間の隙間を埋めるとともに、積層体2の端面と、側面および上下面の一部を被覆する外部端子電極3をさらに被覆しており、ランド106の第1の辺部方向の長さL1は、第1の辺部9の長さE1と同等または大きい、すなわちL1≧E1とされている。なお、図14においては便宜上、電子部品1の構成要素がランド106を通して見えるものとして示している。   On the other hand, in a conventional electronic component mounting structure (hereinafter sometimes simply referred to as a conventional structure), the external terminal electrode 3 and the land 106 on the substrate are made of a conductive material (solder) 107 as shown in FIG. It is fixed in a state where it is electrically connected via. The solder 107 fills the gap between the external terminal electrode 3 and the land 106, and further covers the external terminal electrode 3 that covers the end surface of the multilayer body 2 and the side surface and part of the upper and lower surfaces. The length L1 in the first side portion direction is equal to or larger than the length E1 of the first side portion 9, that is, L1 ≧ E1. In FIG. 14, the components of the electronic component 1 are shown as visible through the lands 106 for convenience.

ここで、電子部品1の積層体2は、図3に示すように、誘電体層11と内部電極層12とが交互に積層されたものであって、内部電極層12は、積層体2の両端部のいずれか一方において外部端子電極3と電気的に接続している。   Here, as shown in FIG. 3, the multilayer body 2 of the electronic component 1 is formed by alternately laminating dielectric layers 11 and internal electrode layers 12, and the internal electrode layer 12 is composed of the multilayer body 2. Either one of both end portions is electrically connected to the external terminal electrode 3.

なお、図3に示した誘電体層11および内部電極層12の構造は模式的なものであり、実際には数層〜数百層の誘電体層11と内部電極層12とが積層されたものが多く用いられる。これは、後述するような他の構造を有する電子部品1についても同様である。   The structure of the dielectric layer 11 and the internal electrode layer 12 shown in FIG. 3 is a schematic structure, and actually several to several hundreds of dielectric layers 11 and the internal electrode layer 12 are laminated. Many things are used. The same applies to the electronic component 1 having another structure as described later.

例えば電子部品の一つである積層セラミックコンデンサは、誘電体層11としてチタン酸バリウムなどの強誘電性を有する材料を用い、内部電極層12としてNiなどの金属材料を用いている。また、外部端子電極3は、通常、下地電極としてCuペーストを焼き付け、その表面にNiおよびSnめっきを施したものを用いている。   For example, a multilayer ceramic capacitor which is one of electronic components uses a ferroelectric material such as barium titanate as the dielectric layer 11 and a metal material such as Ni as the internal electrode layer 12. In addition, the external terminal electrode 3 is usually made by baking a Cu paste as a base electrode and applying Ni and Sn plating on the surface thereof.

基板に実装された積層セラミックコンデンサに、直流電圧(DCバイアス)とともに交流電圧が印加されると、直流電圧による電歪効果のため誘電体層に圧電的な性質が生じ、交流電圧により圧電振動が発生する。さらに、従来構造では、積層セラミックコンデンサの圧電振動が半田107を介して基板104に伝わって基板104が振動し、基板104が可聴域の共振周波数で共振した際に「音鳴り」と呼ばれる振動音が発生する。   When an AC voltage is applied to a multilayer ceramic capacitor mounted on a substrate together with a DC voltage (DC bias), a piezoelectric property is generated in the dielectric layer due to an electrostrictive effect due to the DC voltage, and piezoelectric vibration is generated by the AC voltage. Occur. Furthermore, in the conventional structure, the piezoelectric vibration of the multilayer ceramic capacitor is transmitted to the substrate 104 via the solder 107 and the substrate 104 vibrates, and when the substrate 104 resonates at an audible resonance frequency, a vibration sound called “sounding” is generated. Will occur.

そこで、積層セラミックコンデンサ本体の圧電振動についてシミュレーションを行った。まず、積層セラミックコンデンサとして1005型の積層セラミックコンデンサ(容量10μF、定格電圧4V、以下、単に評価部品という)を用い、4Vの直流電圧(DCバイアス)を印加した状態でインピーダンスを測定した。測定結果を図5に示す。   Therefore, a simulation was performed on the piezoelectric vibration of the multilayer ceramic capacitor body. First, a 1005 type monolithic ceramic capacitor (capacitance 10 μF, rated voltage 4 V, hereinafter simply referred to as an evaluation component) was used as the monolithic ceramic capacitor, and impedance was measured in a state where a DC voltage (DC bias) of 4 V was applied. The measurement results are shown in FIG.

また、評価部品に基くモデル(誘電体材料:チタン酸バリウム系材料、内部電極:Ni、外部電極:Cu、積層体寸法:1100×620×620μm、外部電極厚み20μm)を用いてインピーダンスのシミュレーションを行った。2GHz以上の周波数領域に存在する圧電共振ピークについて、測定した実測値に合致するように、評価部品の材料パラメータのフィッティングを行った。図6はインピーダンスのシミュレーションに使用した有限要素法のモデルを模式的に示したものである。これは、対称性を考慮した1/8モデルであり、図6の前面に現れている2つの断面および下側の断面は対称面である。   In addition, impedance simulation is performed using a model (dielectric material: barium titanate material, internal electrode: Ni, external electrode: Cu, laminate size: 1100 × 620 × 620 μm, external electrode thickness 20 μm) based on the evaluation part. went. The material parameters of the evaluation parts were fitted so that the piezoelectric resonance peak existing in the frequency region of 2 GHz or more matched the measured actual value. FIG. 6 schematically shows a finite element method model used for impedance simulation. This is a 1/8 model considering symmetry, and the two cross sections appearing on the front surface of FIG. 6 and the lower cross section are symmetrical planes.

フィッティングにより得られた誘電体層11のパラメータ(弾性スティフネスcijおよび圧電定数eij)を表1に示す。表1より、評価部品の誘電体層11の材料特性には異方性(c11>c33、c22>c33)があることがわかる。これは、内部電極層12による圧縮応力に起因するものと考えられる。 Table 1 shows the parameters (elastic stiffness c ij and piezoelectric constant e ij ) of the dielectric layer 11 obtained by the fitting. From Table 1, it can be seen that the material properties of the dielectric layer 11 of the evaluation part have anisotropy (c 11 > c 33 , c 22 > c 33 ). This is considered due to the compressive stress caused by the internal electrode layer 12.

Figure 0006400924
Figure 0006400924

得られたパラメータを用いて、評価部品の可聴周波数領域(20Hz〜20kHz)における振動モードを、上述の1/8モデルを用いて計算した。10kHzにおける計算結果を図7に示す。なお、図7(a)は、1/8モデルの内部側(対称面側)からみたものであり、図7(b)は、図7(a)の反対側、すなわち1/8モデルの外部側(表面側)からみたものである。ここで、破線は交流電圧を印加していない状態の評価部品の形状を示し、実線は交流電圧により最大に変位した状態の評価部品の形状を示している。この結
果から、評価部品全体を模式的に表した図8に示すように、評価部品の積層方向に位置する2つの主面において、各辺部の中央部に振動振幅が小さい、すなわち振動の節ともいえる領域(以下、節状部という)15が存在することがわかる。この節状部15またはその近傍において、電子部品1を基板4に固定することで、基板4への電子部品1の圧電振動の伝播が抑制され、音鳴りを低減できると考えられる。
Using the obtained parameters, the vibration mode in the audible frequency region (20 Hz to 20 kHz) of the evaluation component was calculated using the above-mentioned 1/8 model. FIG. 7 shows the calculation result at 10 kHz. 7A is a view from the inside (symmetric plane side) of the 1/8 model, and FIG. 7B is the opposite side of FIG. 7A, that is, the outside of the 1/8 model. Viewed from the side (surface side). Here, the broken line indicates the shape of the evaluation component in a state where no AC voltage is applied, and the solid line indicates the shape of the evaluation component that is displaced to the maximum by the AC voltage. From this result, as shown in FIG. 8 schematically showing the entire evaluation component, the vibration amplitude is small at the center of each side on the two main surfaces located in the stacking direction of the evaluation component, that is, the vibration node. It can be seen that there can be a region 15 (hereinafter referred to as a nodal portion). By fixing the electronic component 1 to the substrate 4 at or near the node-like portion 15, it is considered that the propagation of piezoelectric vibration of the electronic component 1 to the substrate 4 is suppressed, and sound generation can be reduced.

なお、本発明では、電子部品1は節状部15またはその近傍において基板4に固定されていれば良く、図4に示すように電子部品1の積層方向に位置する2つの主面のうちいずれかを第1の主面8として基板4に固定してもよいし、他の主面を第1の主面8として基板4に固定してもよい。   In the present invention, the electronic component 1 only needs to be fixed to the substrate 4 at or near the node-like portion 15, and as shown in FIG. 4, any one of the two main surfaces positioned in the stacking direction of the electronic component 1. These may be fixed to the substrate 4 as the first main surface 8, or other main surfaces may be fixed to the substrate 4 as the first main surface 8.

本実施形態は、基板4のランド6の長さL1を、ランド6に接合される電子部品1の第1の辺部9の長さE1よりも小さくしたことから、電子部品1の外部端子電極3上に存在するこのような節状部15において、電子部品1を基板4に固定することが可能となる。   In the present embodiment, since the length L1 of the land 6 of the substrate 4 is smaller than the length E1 of the first side portion 9 of the electronic component 1 joined to the land 6, the external terminal electrode of the electronic component 1 is used. It is possible to fix the electronic component 1 to the substrate 4 in such a node-like portion 15 existing on the substrate 3.

特に、L1/E1≦0.6、すなわちL1をE1の0.6倍以下の長さとし、基板4の実装面5に電子部品1を投影した時、第1の辺部9の二等分点がランド6上に位置することで、電子部品1を節状部15のより振動振幅の小さい領域において基板4に接合することができ、音鳴りがより低減される。なお、第1の辺部9の二等分点は、ランド6の第1の辺部9方向における二等分線上に位置することがより好ましい。   In particular, when L1 / E1 ≦ 0.6, that is, L1 has a length not more than 0.6 times E1, and the electronic component 1 is projected onto the mounting surface 5 of the substrate 4, the bisector of the first side 9 Is located on the land 6, the electronic component 1 can be bonded to the substrate 4 in a region where the vibration amplitude of the node-like portion 15 is smaller, and the noise is further reduced. The bisector of the first side 9 is more preferably located on a bisector in the direction of the first side 9 of the land 6.

なお、L1/E1は、実装性という点から0.4以上、すなわちL1がE1の0.4倍以上であることが好ましい。   Note that L1 / E1 is preferably 0.4 or more in terms of mountability, that is, L1 is 0.4 or more times E1.

また、第1の辺部9は、本実施形態においてはその全体が外部端子電極3により構成されているものとしたが、他の態様として図2(b)のように外部端子電極3と積層体2とで構成されていてもよい。また、図2(c)に示すように、第1の辺部9の全体が積層体2により構成され、第1の主面8の第1の辺部9の近傍に外部端子電極3が位置していてもよい。すなわち、外部端子電極3の第1の辺部方向の長さをM1としたとき、M1<E1であってもよい。この場合、電子部品1を基板4に接合したときに、基板4上における導電性材料7のはみ出しが低減され、電子部品1の実装密度向上が可能となる。なお、本実施形態において、第1の主面8側における第1の辺部9の近傍とは、第1の辺部9からの距離がE2の0.25倍以下の領域とする。また、振動振幅が比較的大きい電子部品1の頂点には、外部端子電極3が設けられていないことが好ましい。   In addition, in the present embodiment, the entire first side portion 9 is constituted by the external terminal electrode 3. However, as another aspect, the first side portion 9 is laminated with the external terminal electrode 3 as shown in FIG. It may be composed of the body 2. Further, as shown in FIG. 2C, the entire first side portion 9 is configured by the laminated body 2, and the external terminal electrode 3 is positioned in the vicinity of the first side portion 9 of the first main surface 8. You may do it. That is, when the length of the external terminal electrode 3 in the first side portion direction is M1, M1 <E1 may be satisfied. In this case, when the electronic component 1 is bonded to the substrate 4, the protrusion of the conductive material 7 on the substrate 4 is reduced, and the mounting density of the electronic component 1 can be improved. In the present embodiment, the vicinity of the first side 9 on the first main surface 8 side is a region whose distance from the first side 9 is not more than 0.25 times E2. Further, it is preferable that the external terminal electrode 3 is not provided at the apex of the electronic component 1 having a relatively large vibration amplitude.

さらに、M1/E1を0.4〜0.6とすることにより、電子部品1を節状部15の振動振幅の小さい領域において基板4に接合する精度が向上する。   Furthermore, by setting M1 / E1 to 0.4 to 0.6, the accuracy of joining the electronic component 1 to the substrate 4 in the region where the vibration amplitude of the node-like portion 15 is small is improved.

このように、第1の辺部9の長さE1よりも外部端子電極3の長さM1が小さい場合、一対の外部端子電極3は、互いに第1の主面8を介して対向する部位に位置していることが好ましく、さらには実装性という点から、第1の主面8の面重心に対して点対称な部位に位置していることが好ましい。   As described above, when the length M1 of the external terminal electrode 3 is smaller than the length E1 of the first side portion 9, the pair of external terminal electrodes 3 are located at portions facing each other via the first main surface 8. It is preferable to be positioned, and further, from the viewpoint of mountability, it is preferable to be positioned at a point symmetrical with respect to the center of gravity of the first main surface 8.

積層体2にこのような外部端子電極3を形成する方法としては、所望の形状の外部端子電極3を、金属等の導電性材料を用いて積層体2の内部電極層12が露出した表面に直接形成する以外に、たとえば、積層体2の内部電極層12が露出した表面に内部電極層12同士を電気的に接続する内部電極接続層を形成し、第1の辺部9またはその近傍に所望の形状の外部端子電極3を形成し、対応する内部電極接続層と外部端子電極3とを、直接または導電体を介して電気的に接続してもよい。また、前述の内部電極接続層を、第1の辺部9またはその近傍である一部を残して絶縁性材料で被覆し、内部電極接続層の絶縁性材
料で被覆されていない一部を外部端子電極3としてもよい。
As a method of forming such external terminal electrodes 3 on the laminate 2, the external terminal electrodes 3 having a desired shape are formed on the surface where the internal electrode layer 12 of the laminate 2 is exposed using a conductive material such as metal. In addition to the direct formation, for example, an internal electrode connection layer that electrically connects the internal electrode layers 12 is formed on the surface of the laminate 2 where the internal electrode layers 12 are exposed, and the first side portion 9 or the vicinity thereof is formed. The external terminal electrode 3 having a desired shape may be formed, and the corresponding internal electrode connection layer and the external terminal electrode 3 may be electrically connected directly or via a conductor. Further, the internal electrode connection layer described above is covered with an insulating material, leaving a part of the first side portion 9 or its vicinity, and a portion of the internal electrode connection layer not covered with the insulating material is externally provided. The terminal electrode 3 may be used.

また、評価部品の振動モード解析の結果によれば、評価部品を構成する各表面の中央近傍では振動振幅が大きい。したがって、第1の辺部9に垂直な方向における一対のランド6の間隔、すなわち一対のランド6同士の距離は、第2の辺部10の長さE2に対する比率(D/E2)にして0.5以上であることが好ましい。   Further, according to the result of the vibration mode analysis of the evaluation part, the vibration amplitude is large near the center of each surface constituting the evaluation part. Therefore, the distance between the pair of lands 6 in the direction perpendicular to the first side portion 9, that is, the distance between the pair of lands 6 is 0 as a ratio (D / E2) to the length E2 of the second side portion 10. .5 or more is preferable.

なお、本実施形態においては、電子部品1は基板4の実装面5に直接接触していない。特に、電子部品1と基板4の実装面5との間隔であるCのH0に対する比(C/H0)は、0.1以上であることが好ましい。   In the present embodiment, the electronic component 1 is not in direct contact with the mounting surface 5 of the substrate 4. In particular, the ratio of C to H0 (C / H0), which is the distance between the electronic component 1 and the mounting surface 5 of the substrate 4, is preferably 0.1 or more.

導電性材料7としては、たとえば共晶半田、鉛フリー半田(Sn−Ag−Cu)などのろう材や、導電性接着剤などを用いることができる。   As the conductive material 7, for example, a brazing material such as eutectic solder or lead-free solder (Sn—Ag—Cu), a conductive adhesive, or the like can be used.

本発明は、たとえばチタン酸バリウム系などの強誘電体材料を誘電体層11に用い、Ni、Cu、Ag、Ag−Pdなどの金属材料を内部電極層12に用いた積層セラミックコンデンサを電子部品1とした場合に、特に好適に用いられるが、他の電子部品においても、電子部品自体の圧電振動による、電子部品が実装されている基板等の励振を抑制する必要がある場合などに適用できる。本発明は、特に、1005型以上の型式の積層型電子部品において顕著な効果を発揮できる。   In the present invention, a multilayer ceramic capacitor using a ferroelectric material such as barium titanate for the dielectric layer 11 and a metal material such as Ni, Cu, Ag, Ag-Pd for the internal electrode layer 12 is used as an electronic component. 1 is particularly preferably used, but it can also be applied to other electronic components when it is necessary to suppress excitation of a substrate or the like on which the electronic component is mounted due to piezoelectric vibration of the electronic component itself. . The present invention can exert a remarkable effect particularly in a multilayer electronic component of a 1005 type or more type.

さらに、例えば、多くの積層セラミックコンデンサには外部端子電極3として、Cuからなる下地電極にNiおよびSnめっきを施したものが用いられているが、下地電極を用いずめっき電極のみで構成された外部端子電極3を有するものにも好適に適用できる。   Further, for example, in many multilayer ceramic capacitors, an external terminal electrode 3 in which a base electrode made of Cu is plated with Ni and Sn is used, but it is composed of only a plated electrode without using the base electrode. The present invention can also be suitably applied to those having the external terminal electrode 3.

(第2実施形態)
本発明の第2実施形態においても、第1実施形態と同様、電子部品1は、積層体2の両端部に設けられた一対の外部端子電極3と、基板4の実装面5に設けられた一対のランド6とが導電性材料7を介してそれぞれ接合されており、L1はE1よりも小さい、すなわちL1<E1である(図9、10)。
(Second Embodiment)
Also in the second embodiment of the present invention, as in the first embodiment, the electronic component 1 is provided on the pair of external terminal electrodes 3 provided at both ends of the multilayer body 2 and the mounting surface 5 of the substrate 4. A pair of lands 6 are joined to each other via a conductive material 7, and L1 is smaller than E1, that is, L1 <E1 (FIGS. 9 and 10).

第1実施形態と異なるのは、図10(a)に示すように、第1の辺部9の長さE1が第2の辺部10の長さE2よりも長い、すなわちE1>E2であるという点である。   The difference from the first embodiment is that the length E1 of the first side 9 is longer than the length E2 of the second side 10, as shown in FIG. 10A, that is, E1> E2. That is the point.

なお、本実施形態においても、L1は第1実施形態と同様、L1/E1≦0.6、すなわちL1をE1の0.6倍以下の長さとし、基板4の実装面5に電子部品1を投影した時、第1の辺部9の二等分点がランド6上に位置することで、電子部品1を節状部15のより振動振幅の小さい領域において基板4に接合することができ、音鳴りがより低減される。L1/E1は、小さくなるほど実装時に電子部品1の基板4に対する傾きが発生しやすいため、L1/E1を0.1〜0.5とすることが、実装性という点からも好ましい。また、外部端子電極3の第1の辺部9方向の長さM1は、図10(b)、(c)のようにM1<E1とすることが好ましく、さらにはM1/E1を0.1〜0.5とすることが好ましい。なお、C、Dについては、第1実施形態と同様な範囲とすることが好ましい。   Also in this embodiment, L1 is L1 / E1 ≦ 0.6, that is, L1 is 0.6 times shorter than E1 as in the first embodiment, and the electronic component 1 is mounted on the mounting surface 5 of the substrate 4. When projected, the bisection point of the first side portion 9 is located on the land 6, so that the electronic component 1 can be bonded to the substrate 4 in a region where the vibration amplitude of the node-like portion 15 is smaller, The noise is further reduced. Since L1 / E1 is more likely to be inclined with respect to the substrate 4 of the electronic component 1 during mounting as L1 / E1 is smaller, it is preferable that L1 / E1 is 0.1 to 0.5 from the viewpoint of mountability. Further, the length M1 of the external terminal electrode 3 in the direction of the first side portion 9 is preferably M1 <E1 as shown in FIGS. 10B and 10C, and further M1 / E1 is 0.1. It is preferable to set it to -0.5. In addition, about C and D, it is preferable to set it as the same range as 1st Embodiment.

図11は図9(a)のA2−A2線断面図であり、内部電極12は積層体2の両端部のいずれか一方において外部端子電極3と電気的に接続している。   11 is a cross-sectional view taken along line A2-A2 of FIG. 9A, and the internal electrode 12 is electrically connected to the external terminal electrode 3 at either one of both end portions of the multilayer body 2. FIG.

導電性材料7としては、第1の実施形態と同様、たとえば共晶半田、鉛フリー半田(Sn−Ag−Cu)などのろう材や、導電性接着剤などを用いることができる。   As the conductive material 7, for example, a brazing material such as eutectic solder or lead-free solder (Sn—Ag—Cu), a conductive adhesive, or the like can be used as in the first embodiment.

本実施形態を適用可能な電子部品の構成、材料については、第1実施形態と同様であることから、さらなる説明は省略する。   Since the configuration and material of the electronic component to which this embodiment can be applied are the same as those in the first embodiment, further description is omitted.

積層セラミックコンデンサを基板に実装したときの音鳴りを測定した。測定には、1005型の積層セラミックコンデンサ(容量10μF、定格電圧4V、以下、単にコンデンサという)、および100×40mm、厚さ0.8mmのFR材からなる基板を用いた。コンデンサは、Sn−Ag−Cu(SAC)系の半田を用いて基板の中央に実装した。   The sound produced when a multilayer ceramic capacitor was mounted on a substrate was measured. For the measurement, a 1005 type monolithic ceramic capacitor (capacitance 10 μF, rated voltage 4 V, hereinafter simply referred to as a capacitor) and a substrate made of an FR material of 100 × 40 mm and a thickness of 0.8 mm were used. The capacitor was mounted on the center of the substrate using Sn-Ag-Cu (SAC) solder.

コンデンサを接合する基板として、ランドの形状が異なる2種類の基板(基板A,基板B)を用いた。基板Aは、L1を0.5mm、Dを0.5mmとし、基板Bは、L1を0.3mm、Dを0.3mmとした。   Two types of substrates (substrate A and substrate B) having different land shapes were used as substrates to which the capacitors were bonded. The substrate A had L1 of 0.5 mm and D of 0.5 mm, and the substrate B had L1 of 0.3 mm and D of 0.3 mm.

コンデンサを基板A、B(以下、単に基板という場合もある)にそれぞれ実装した後、実装状態をマイクロスコープにて観察し、いずれも半田のフィレット高さが460μm、基板の実装面とコンデンサとの間隔Cが45μmであることを確認した。   After mounting the capacitors on substrates A and B (hereinafter sometimes simply referred to as substrates), the mounting state is observed with a microscope. Both have a solder fillet height of 460 μm, and the mounting surface of the substrate and the capacitor It was confirmed that the interval C was 45 μm.

測定は、図12に示すような音圧レベルの測定装置を用いて行った。コンデンサを基板に実装した実装基板21(以下、単に実装基板ともいう)を無響箱22(内寸600×700mm、高さ600mm)内に設置し、基板の中央から基板に垂直な方向に3mm離間した位置に設置した集音マイク23により音鳴りを集音し、アンプ24およびFETアナライザ25(小野測器製 DS2100)で、集音された音の音圧レベルを測定した。コンデンサに対して4Vの直流電圧(DCバイアス)および20Hz〜20kHz、1Vp−pの交流電圧を印加した際の音鳴り測定結果を図13(a)、(b)に示す。   The measurement was performed using a sound pressure level measuring apparatus as shown in FIG. A mounting board 21 (hereinafter also referred to simply as a mounting board) on which a capacitor is mounted is placed in an anechoic box 22 (inner dimensions 600 × 700 mm, height 600 mm), and 3 mm in the direction perpendicular to the board from the center of the board. Sounds were collected by the sound collecting microphone 23 installed at a separated position, and the sound pressure level of the collected sound was measured by the amplifier 24 and the FET analyzer 25 (DS2100 manufactured by Ono Sokki). FIGS. 13A and 13B show the sounding measurement results when a DC voltage of 4 V (DC bias) and an AC voltage of 20 Hz to 20 kHz and 1 Vp-p are applied to the capacitor.

なお、図13(a)および(b)においては、音圧レベルをA特性音圧レベル(dBA)で示しており、0dBAは人間が音として聞こえる最低の音圧レベルに相当する。これは人間の聴覚に近くなるように周波数毎に重み付けされた音圧レベルであり、サウンドレベルメータ(騒音計)の規格(JISC1509−1:2005)に記載されている。   In FIGS. 13A and 13B, the sound pressure level is indicated by an A characteristic sound pressure level (dBA), and 0 dBA corresponds to the lowest sound pressure level that a human can hear as a sound. This is a sound pressure level weighted for each frequency so as to be close to human hearing, and is described in the standard of a sound level meter (sound level meter) (JISC1509-1: 2005).

図13(a)は、基板Aを用いた場合、図13(b)は、基板Bを用いた場合の測定結果を示すグラフである。L1を小さくした基板Bでは、測定周波数の全域にわたって音圧レベルが低減していることがわかる。なお、得られた結果を5Hz〜20kHzの周波数領域にわたって平均すると、基板Bにおける音圧レベルの平均値は、基板Aの場合、すなわち従来の実装構造に対して5.6dBA低減された結果となった。   FIG. 13A is a graph showing a measurement result when the substrate A is used, and FIG. 13B is a graph showing a measurement result when the substrate B is used. It can be seen that the sound pressure level is reduced over the entire measurement frequency in the substrate B in which L1 is reduced. In addition, when the obtained results are averaged over the frequency range of 5 Hz to 20 kHz, the average value of the sound pressure level in the board B is a result of being reduced by 5.6 dBA in the case of the board A, that is, the conventional mounting structure. It was.

1 電子部品
2 積層体
3 外部電極
4、104 基板
5、105 基板の実装面
6、106 ランド
7、107 導電性材料
8 第1の主面
9 第1の辺部
9c 第1の辺部の二等分線
10 第2の辺部
10c 第2の辺部の二等分線
11 誘電体層
12 内部電極層
15 節状部
21 実装基板
22 無響箱
23 集音マイク
24 アンプ
25 FETアナライザ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electronic component 2 Laminate body 3 External electrode 4, 104 Substrate 5, 105 Board mounting surface 6, 106 Land 7, 107 Conductive material 8 First main surface 9 First side portion 9c First side portion 2 Equal line 10 Second side 10c Second side bisector 11 Dielectric layer 12 Internal electrode layer 15 Node 21 Mounting board 22 Anechoic box 23 Sound collecting microphone 24 Amplifier 25 FET analyzer

Claims (10)

電子部品の一対の外部端子電極と、基板の実装面に設けられた一対のランドとを、導電性材料を介して接合してなる電子部品の実装構造において、
前記一対の外部端子電極が、前記電子部品の前記基板に対向する第1の主面において、それぞれ一対の第1の辺部いずれかの近傍を含む領域に、前記第1の辺部とは重ならず、かつ前記第1の辺部の二等分線の一部を含むように設けられており、
前記第1の辺部の長さをE1、前記ランドの前記第1の辺部方向の長さをL1としたとき、L1<E1であるとともに、
前記基板の前記実装面に前記電子部品を投影した時、前記第1の辺部の二等分点が、前記ランド上に位置することを特徴とする電子部品の実装構造。
In the mounting structure of the electronic component formed by bonding a pair of external terminal electrodes of the electronic component and a pair of lands provided on the mounting surface of the substrate via a conductive material,
The pair of external terminal electrodes overlaps the first side portion in a region including the vicinity of one of the pair of first side portions on the first main surface of the electronic component facing the substrate. And is provided so as to include a part of the bisector of the first side,
When the length of the first side portion is E1, and the length of the land in the first side portion direction is L1, L1 <E1 and
An electronic component mounting structure, wherein when the electronic component is projected onto the mounting surface of the substrate, a bisection point of the first side portion is located on the land .
前記L1が、前記E1に対する比(L1/E1)にして、0.6以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子部品の実装構造。   2. The electronic component mounting structure according to claim 1, wherein the L1 is 0.6 or less in a ratio (L1 / E1) to the E1. 前記導電性材料が、ろう材および導電性接着剤のうち少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品の実装構造。 The conductive material, mounting structure for an electronic component according to claim 1 or 2, characterized in that at least either of the brazing material and the conductive adhesive. 前記外部端子電極の前記第1の辺部方向の長さをM1としたとき、M1<E1であることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の電子部品の実装構造。 Wherein when the length of the first side portion direction of the external terminal electrodes and the M1, mounting structure for an electronic component according to any of claims 1 to 3, characterized in that the M1 <E1. 前記電子部品の頂点には、前記外部端子電極が設けられていないことを特徴とする請求項に記載の電子部品の実装構造。 The electronic component mounting structure according to claim 4 , wherein the external terminal electrode is not provided at an apex of the electronic component. 前記一対のランドの間隔をDとし、前記電子部品の前記第1の主面において他の一対の辺部の長さをE2としたとき、前記Dの前記E2に対する比(D/E2)が、0.5以上であることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の電子部品の実装構造。 When the distance between the pair of lands is D and the length of the other pair of sides on the first main surface of the electronic component is E2, the ratio of D to E2 (D / E2) is: mounting structure for an electronic component according to any of claims 1 to 5, characterized in that not less than 0.5. 前記第1の主面における他の一対の辺部の長さをE2としたとき、E1<E2であることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の電子部品の実装構造。 Wherein the length of the other pair of side portions when the E2 in the first major surface, the mounting structure of the electronic component according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the E1 <E2. 前記L1が、前記E1に対する比(L1/E1)にして、0.4以上であることを特徴とする請求項7に記載の電子部品の実装構造The electronic component mounting structure according to claim 7, wherein the L1 is 0.4 or more in a ratio (L1 / E1) to the E1. 前記第1の主面における他の一対の辺部の長さをE2としたとき、E1>E2であることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の電子部品の実装構造。 Wherein the length of the other pair of side portions when the E2 in the first major surface, the mounting structure of the electronic component according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the E1> E2. 前記L1が、前記E1に対する比(L1/E1)にして、0.1以上0.5以下であることを特徴とする請求項に記載の電子部品の実装構造。 10. The electronic component mounting structure according to claim 9 , wherein the L1 is a ratio (L1 / E1) to the E1, and is not less than 0.1 and not more than 0.5.
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