JP6391491B2 - Organic thin film element sealant for electrostatic coating, resin protective film, electronic device, and method for manufacturing electronic device - Google Patents

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Description

本発明は、大気圧下にて均一な薄膜を効率よく形成させることができ、かつ、アウトガスの発生を抑制できる静電塗布用硬化性樹脂組成物に関する。また、本発明は、該静電塗布用硬化性樹脂組成物を用いてなる樹脂保護膜、電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a curable resin composition for electrostatic coating that can efficiently form a uniform thin film under atmospheric pressure and can suppress the generation of outgas. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the resin protective film which uses this curable resin composition for electrostatic coating, an electronic device, and an electronic device.

近年、有機エレクトロルミネッセンス素子や有機薄膜太陽電池素子等の有機薄膜素子を用いた電子デバイスの研究が進められている。有機薄膜素子は真空蒸着や溶液塗布等により簡便に作製できるため、生産性にも優れる。 In recent years, research on electronic devices using organic thin film elements such as organic electroluminescence elements and organic thin film solar cell elements has been advanced. The organic thin film element can be easily produced by vacuum deposition, solution coating, or the like, and thus has excellent productivity.

有機エレクトロルミネッセンス素子は、互いに対向する一対の電極間に有機発光材料層が挟持された薄膜構造体を有する。この有機発光材料層に一方の電極から電子が注入されるとともに他方の電極から正孔が注入されることにより有機発光材料層内で電子と正孔とが結合して自己発光を行う。有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたデバイスは、バックライトを必要とする液晶表示デバイス等と比較して視認性がよく、より薄型化が可能であり、かつ、直流低電圧駆動が可能であるという利点を有することから、次世代ディスプレイとして着目されている。 The organic electroluminescence element has a thin film structure in which an organic light emitting material layer is sandwiched between a pair of electrodes facing each other. When electrons are injected from one electrode into the organic light emitting material layer and holes are injected from the other electrode, electrons and holes are combined in the organic light emitting material layer to perform self-light emission. A device using an organic electroluminescence element has the advantages that it is more visible than a liquid crystal display device that requires a backlight, can be made thinner, and can be driven by a DC low voltage. It has attracted attention as a next-generation display.

有機薄膜太陽電池素子は、無機半導体を使用した太陽電池に比べ、コスト、大面積化、製造工程の容易さ等の点で優れており、種々の構成のものが提案されている。具体的には例えば、非特許文献1には、フタロシアニン銅とペリレン系色素の積層膜を使用した有機太陽電池素子が開示されている。 Organic thin-film solar cell elements are superior to solar cells using inorganic semiconductors in terms of cost, large area, ease of manufacturing processes, and the like, and various configurations have been proposed. Specifically, for example, Non-Patent Document 1 discloses an organic solar cell element using a laminated film of phthalocyanine copper and a perylene dye.

これらの有機薄膜素子は、有機層や電極が外気に曝されると、その性能が急激に劣化してしまうという問題がある。従って、安定性及び耐久性を高めるために、有機薄膜素子を封止して大気中の水分や酸素から遮断することが不可欠となる。
有機薄膜素子を封止する方法としては、従来、内部に吸水剤を設けた封止缶によって封止する方法が一般的であった。しかしながら、封止缶により封止する方法では、電子デバイスを薄型化することが困難となる。そこで、封止缶を使用しない有機薄膜素子の封止方法の開発が進められている。
These organic thin film elements have a problem that when the organic layer and the electrode are exposed to the outside air, the performance is rapidly deteriorated. Therefore, in order to improve stability and durability, it is indispensable to seal the organic thin film element and shield it from moisture and oxygen in the atmosphere.
As a method for sealing an organic thin film element, conventionally, a method of sealing with a sealing can provided with a water-absorbing agent is generally used. However, in the method of sealing with a sealing can, it is difficult to reduce the thickness of the electronic device. Therefore, development of a method for sealing an organic thin film element that does not use a sealing can is being promoted.

特許文献1には、有機薄膜素子の有機層と電極とを、CVD法により形成した樹脂膜と、窒化珪素(SiN)膜との積層膜により封止する方法が開示されている。ここで樹脂膜は、窒化珪素膜の内部応力による有機層や電極への圧迫を防止する役割を有する。 Patent Document 1 discloses a method of sealing an organic layer and an electrode of an organic thin film element with a laminated film of a resin film formed by a CVD method and a silicon nitride (SiN x ) film. Here, the resin film has a role of preventing pressure on the organic layer and the electrode due to internal stress of the silicon nitride film.

特許文献1に開示された窒化珪素膜で封止を行う方法では、有機薄膜素子の表面の凹凸や異物の付着、内部応力によるクラックの発生等により、窒化珪素膜を形成する際に有機薄膜素子を完全に膜で被覆できないことがある。窒化珪素膜による被覆が不完全であると、水分が窒化珪素膜を通して有機層内に浸入してしまう。
有機層内への水分の浸入を防止するための方法として、特許文献2には、無機材料膜と樹脂膜とを交互に蒸着する方法が開示されている。
In the method of sealing with a silicon nitride film disclosed in Patent Document 1, the organic thin film element is formed when the silicon nitride film is formed due to unevenness on the surface of the organic thin film element, adhesion of foreign matters, generation of cracks due to internal stress, or the like. May not be completely covered with a film. If the coating with the silicon nitride film is incomplete, moisture will enter the organic layer through the silicon nitride film.
As a method for preventing moisture from entering the organic layer, Patent Document 2 discloses a method of alternately depositing an inorganic material film and a resin film.

しかしながら、特許文献2に開示された方法は、減圧下で樹脂膜を形成するため真空装置が必要であり、また、樹脂膜となる材料を加熱し気化させることにより膜を形成するため、該樹脂膜を形成する材料には耐熱性や揮発性が要求されていた。 However, the method disclosed in Patent Document 2 requires a vacuum apparatus to form a resin film under reduced pressure, and also forms a film by heating and vaporizing a material to be a resin film. The material forming the film is required to have heat resistance and volatility.

特開2000−223264号公報JP 2000-223264 A 特表2005−522891号公報JP 2005-522891 A

Applied Physics Letters(1986、Vol.48、P.183)Applied Physics Letters (1986, Vol. 48, P. 183)

本発明は、大気圧下にて均一な薄膜を効率よく形成させることができ、かつ、アウトガスの発生を抑制できる静電塗布用硬化性樹脂組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、該静電塗布用硬化性樹脂組成物を用いてなる樹脂保護膜、電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the curable resin composition for electrostatic coating which can form a uniform thin film efficiently under atmospheric pressure, and can suppress generation | occurrence | production of outgas. Moreover, an object of this invention is to provide the manufacturing method of the resin protective film which uses this curable resin composition for electrostatic coating, an electronic device, and an electronic device.

本発明は、沸点が420℃未満及び/又は分子量が340未満であり、かつ、25℃で液状の硬化性化合物と、重合開始剤及び/又は熱硬化剤とを含有する静電塗布用硬化性樹脂組成物である。
以下、本発明を詳述する。
The present invention provides a curable compound for electrostatic coating having a boiling point of less than 420 ° C. and / or a molecular weight of less than 340, and a liquid curable compound at 25 ° C., and a polymerization initiator and / or a thermosetting agent. It is a resin composition.
The present invention is described in detail below.

本発明者は、塗布時に加熱や真空装置を必要とせずに均一な薄膜を効率よく形成するために、静電塗布法を用いることを検討した。図1は、静電塗布法による薄膜の作製過程の一例を示す模式図である。
上記静電塗布法とは、図1に示したように、電圧が印加されたノズル1から塗布液2を放出することにより帯電した塗布液粒子3を、ノズル1と反対の極に帯電した被塗布材4に堆積させ塗膜を形成する方法である。静電塗布法では、このように電圧を印加したノズルから塗布液を放出することにより、ノズルから放出される塗布液を帯電させる。図1では、電気的にマイナス側に接続した被塗布材4の被塗布面に、プラス側に帯電した塗布液2を噴霧することにより静電塗布を行っているが、プラス側に帯電した被塗布面にマイナス側に帯電した塗布液を噴霧してもよい。図1に示したように、ノズル1から放出された塗布液2は、液滴(塗布液粒子3)同士が電気的に反発して、かつ、成分の揮発により体積が減少し、表面電荷が増加することにより自己分裂(レイリー分裂)を繰り返して微小な液滴となる。このため、静電塗布法では、印加電圧、塗布液の流量、ノズルから被塗布面までの距離等の条件を適切に設定すれば、塗布液を非常に薄い膜厚で、均一に塗布することができる。即ち、上記静電塗布法は、塗布液を静電反発により吐出時より微小な液滴に分裂させることができる点でインクジェット法よりも優れているといえ、被塗布面にマスクを設置することにより所望の形状の塗布膜を形成することができる点でスピンコート法よりも優れているといえる。
本発明者は、このような静電塗布法により均一で薄い樹脂膜を作製することを検討したが、塗布液として用いる材料によって、均一な薄膜が形成できなかったり、アウトガスが多量に発生したりするという問題があった。そこで本発明者は更に検討した結果、特定の硬化性化合物を含有する硬化性樹脂組成物を塗布液として用いることにより、静電塗布法によって大気圧下にて均一な薄膜を効率よく形成させることができ、かつ、アウトガスの発生を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。
The present inventor studied using an electrostatic coating method in order to efficiently form a uniform thin film without requiring heating or a vacuum apparatus during coating. FIG. 1 is a schematic view showing an example of a process for producing a thin film by an electrostatic coating method.
As shown in FIG. 1, the electrostatic coating method is a method in which the coating liquid particles 3 charged by discharging the coating liquid 2 from the nozzle 1 to which a voltage is applied are charged to the opposite electrode to the nozzle 1. This is a method of forming a coating film by depositing on the coating material 4. In the electrostatic coating method, the coating liquid discharged from the nozzle is charged by discharging the coating liquid from the nozzle to which the voltage is applied in this way. In FIG. 1, electrostatic coating is performed by spraying the coating liquid 2 charged on the plus side onto the coating surface of the coating material 4 electrically connected to the minus side. You may spray the application liquid electrically charged to the minus side on the application surface. As shown in FIG. 1, the coating liquid 2 discharged from the nozzle 1 is electrically repelled between droplets (coating liquid particles 3), the volume is reduced due to the volatilization of the components, and the surface charge is reduced. By increasing the number, self-splitting (Rayleigh splitting) is repeated to form minute droplets. For this reason, in the electrostatic coating method, the coating liquid can be uniformly applied with a very thin film thickness by properly setting conditions such as the applied voltage, the flow rate of the coating liquid, and the distance from the nozzle to the surface to be coated. Can do. That is, the electrostatic coating method is superior to the ink jet method in that the coating liquid can be divided into smaller droplets than when ejected by electrostatic repulsion, and a mask is placed on the coated surface. Thus, it can be said that it is superior to the spin coating method in that a coating film having a desired shape can be formed.
The present inventor has studied to produce a uniform and thin resin film by such an electrostatic coating method, but depending on the material used as the coating liquid, a uniform thin film cannot be formed or a large amount of outgas is generated. There was a problem to do. Therefore, as a result of further investigation, the present inventor can efficiently form a uniform thin film at atmospheric pressure by an electrostatic coating method by using a curable resin composition containing a specific curable compound as a coating liquid. It was found that the generation of outgas could be suppressed and the present invention was completed.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、沸点が420℃未満及び/又は分子量が340未満であり、かつ、25℃で液状の硬化性化合物(以下、「本発明にかかる硬化性化合物」ともいう)を含有する。本発明にかかる硬化性化合物を用いて静電塗布を行った場合、成分の揮発に伴う表面電荷増加により液滴がレイリー分裂し微小な液滴となるため、大気圧下にて均一な薄膜を効率よく形成させることができる。なかでも、沸点が420℃未満であり、分子量が340未満であり、かつ、25℃で液状の硬化性化合物を用いることが好ましい。
なお、本明細書において上記「沸点」は、760mmHgでの沸点を意味する。
The curable resin composition for electrostatic coating of the present invention has a boiling point of less than 420 ° C. and / or a molecular weight of less than 340, and a liquid curable compound at 25 ° C. (hereinafter referred to as “the curable compound according to the present invention”). "). When electrostatic coating is performed using the curable compound according to the present invention, the droplets are Rayleigh split due to the increase in surface charge accompanying the volatilization of the components and become microscopic droplets. It can be formed efficiently. Among these, it is preferable to use a curable compound having a boiling point of less than 420 ° C., a molecular weight of less than 340, and a liquid at 25 ° C.
In the present specification, the “boiling point” means a boiling point at 760 mmHg.

本発明にかかる硬化性化合物として沸点が420℃未満の化合物を用いる場合、静電塗布効率の観点から、沸点が380℃未満の化合物を用いることが好ましく、沸点が340℃未満の化合物を用いることがより好ましい。また、沸点が低すぎると静電塗布法による膜の形成が困難となるため、本発明にかかる硬化性化合物の沸点は80℃以上であることが好ましい。
本発明にかかる硬化性化合物として分子量が340未満の化合物を用いる場合、静電塗布効率の観点から、分子量が300未満の化合物を用いることが好ましく、分子量が260未満の化合物を用いることがより好ましい。また、分子量が低すぎると静電塗布法による膜の形成が困難となるため、本発明にかかる硬化性化合物の分子量は100以上であることが好ましい。
When a compound having a boiling point of less than 420 ° C. is used as the curable compound according to the present invention, it is preferable to use a compound having a boiling point of less than 380 ° C., and a compound having a boiling point of less than 340 ° C. from the viewpoint of electrostatic coating efficiency. Is more preferable. Moreover, since formation of the film | membrane by an electrostatic coating method will become difficult when a boiling point is too low, it is preferable that the boiling point of the curable compound concerning this invention is 80 degreeC or more.
When using a compound having a molecular weight of less than 340 as the curable compound according to the present invention, it is preferable to use a compound having a molecular weight of less than 300, and more preferable to use a compound having a molecular weight of less than 260, from the viewpoint of electrostatic coating efficiency. . Moreover, since formation of the film | membrane by an electrostatic coating method will become difficult when molecular weight is too low, it is preferable that the molecular weight of the curable compound concerning this invention is 100 or more.

本発明にかかる硬化性化合物は、エポキシ化合物、オキセタニル化合物、及び、ビニルエーテル化合物からなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。上記エポキシ化合物、上記オキセタニル化合物、及び、上記ビニルエーテル化合物は、カチオン重合性化合物であるため、これらを用いて得られる静電塗布用硬化性樹脂組成物は、硬化時の硬化収縮が少なく、得られる樹脂膜が無機材料膜等との接着性に優れるものとなる。
本発明にかかる硬化性化合物として、エポキシ化合物、オキセタニル化合物、及び、ビニルエーテル化合物からなる群より選択される少なくとも1種を用いる場合、後述するカチオン重合開始剤及び/又は熱硬化剤を用いることが好ましい。
The curable compound according to the present invention is preferably at least one selected from the group consisting of an epoxy compound, an oxetanyl compound, and a vinyl ether compound. Since the epoxy compound, the oxetanyl compound, and the vinyl ether compound are cationically polymerizable compounds, the curable resin composition for electrostatic coating obtained using these is obtained with little curing shrinkage at the time of curing. The resin film is excellent in adhesiveness with an inorganic material film or the like.
When at least one selected from the group consisting of an epoxy compound, an oxetanyl compound, and a vinyl ether compound is used as the curable compound according to the present invention, it is preferable to use a cationic polymerization initiator and / or a thermosetting agent described later. .

上記沸点が420℃未満及び/又は分子量が340未満であり、かつ、25℃で液状のエポキシ化合物としては、例えば、モノグリシジルエーテル、ジグリシジルエーテル、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。 Examples of the epoxy compound having a boiling point of less than 420 ° C. and / or a molecular weight of less than 340 and liquid at 25 ° C. include monoglycidyl ether, diglycidyl ether, and alicyclic epoxy resins.

上記モノグリシジルエーテルとしては、例えば、ブチルグリシジルエーテル(分子量130、沸点165℃)、フェニルグリシジルエーテル(分子量150、沸点245℃)、2−エチルヘキシルグリシジルエーテル(分子量186、沸点120℃)、セカンダリブチルフェノールモノグリシジルエーテル(分子量260、沸点300℃)、クレジルグリシジルエーテル(分子量164、沸点270℃)等が挙げられる。
上記ジグリシジルエーテルとしては、例えば、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル(分子量230、沸点300℃)、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル(分子量202、沸点266℃)、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル(分子量206、沸点290℃)等が挙げられる。
上記脂環式エポキシ樹脂としては、4〜7員環の環状脂肪族基を有する脂環式エポキシ樹脂が挙げられ、具体的には例えば、1,2:8,9−ジエポキシリモネン(分子量140、沸点230℃)、4−ビニルシクロヘキセンモノオキサイド(分子量124、沸点169℃)、ジシクロヘキシル−3,3’−ジエポキシド(分子量194、沸点300℃)、ビス(2,3−エポキシシクロペンチル)エーテル(分子量182、沸点340℃未満)、1,1’−ビ(2,3−エポキシシクロヘキサン)(分子量194、沸点340℃未満)、ビニルシクロヘキセンジオキサイド(分子量140、沸点250℃)、メチル化ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド(分子量164、沸点340℃未満)、1−ビニル−3,4−エポキシシクロヘキサン(分子量124、沸点169℃)、1−エポキシエチル−3,4−エポキシシクロヘキサン(分子量140、沸点230℃)、3’,4’−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート(分子量252、沸点340℃未満)、4,4’−ビ(1,2−エポキシシクロヘキサン)(分子量194、沸点290℃)等が挙げられる。
Examples of the monoglycidyl ether include butyl glycidyl ether (molecular weight 130, boiling point 165 ° C.), phenyl glycidyl ether (molecular weight 150, boiling point 245 ° C.), 2-ethylhexyl glycidyl ether (molecular weight 186, boiling point 120 ° C.), secondary butylphenol mono Examples thereof include glycidyl ether (molecular weight 260, boiling point 300 ° C.) and cresyl glycidyl ether (molecular weight 164, boiling point 270 ° C.).
Examples of the diglycidyl ether include 1,6-hexanediol diglycidyl ether (molecular weight 230, boiling point 300 ° C.), 1,4-butanediol diglycidyl ether (molecular weight 202, boiling point 266 ° C.), neopentyl glycol diglycidyl. And ether (molecular weight 206, boiling point 290 ° C.).
Examples of the alicyclic epoxy resin include alicyclic epoxy resins having a 4- to 7-membered cyclic aliphatic group. Specific examples include 1,2: 8,9-diepoxy limonene (molecular weight 140). , Boiling point 230 ° C.), 4-vinylcyclohexene monooxide (molecular weight 124, boiling point 169 ° C.), dicyclohexyl-3,3′-diepoxide (molecular weight 194, boiling point 300 ° C.), bis (2,3-epoxycyclopentyl) ether (molecular weight) 182, boiling point less than 340 ° C), 1,1'-bi (2,3-epoxycyclohexane) (molecular weight 194, boiling point less than 340 ° C), vinylcyclohexene dioxide (molecular weight 140, boiling point 250 ° C), methylated vinylcyclohexene Oxide, dicyclopentadiene dioxide (molecular weight 164, boiling point less than 340 ° C), 1-vinyl 3,4-epoxycyclohexane (molecular weight 124, boiling point 169 ° C.), 1-epoxyethyl-3,4-epoxycyclohexane (molecular weight 140, boiling point 230 ° C.), 3 ′, 4′-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxy Examples include cyclohexanecarboxylate (molecular weight 252 and boiling point less than 340 ° C.), 4,4′-bi (1,2-epoxycyclohexane) (molecular weight 194, boiling point 290 ° C.) and the like.

上記オキセタニル化合物としては、例えば、3−エチル−3−(フェノキシメチル)オキセタン(分子量192、沸点290℃)、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン(分子量116、沸点250℃)、3−エチル−3−ヒドロキシブチルオキセタン(分子量158、沸点290℃)、3−エチル−3−(2−エチルヘキシロキシメチル)オキセタン(分子量228、沸点270℃)、ジ(1−エチル(3−オキセタニル))メチルエーテル(分子量214、沸点270℃)、3−エチル−3−((3−(トリエトキシシリル)プロポキシ)メチル)オキセタン(分子量320、沸点320℃)等が挙げられる。これらのオキセタニル化合物は、単独で用いられてもよいし、2種類以上が組み合わせて用いられてもよい。 Examples of the oxetanyl compound include 3-ethyl-3- (phenoxymethyl) oxetane (molecular weight 192, boiling point 290 ° C.), 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane (molecular weight 116, boiling point 250 ° C.), 3-ethyl- 3-hydroxybutyloxetane (molecular weight 158, boiling point 290 ° C.), 3-ethyl-3- (2-ethylhexyloxymethyl) oxetane (molecular weight 228, boiling point 270 ° C.), di (1-ethyl (3-oxetanyl)) methyl Examples include ether (molecular weight 214, boiling point 270 ° C.), 3-ethyl-3-((3- (triethoxysilyl) propoxy) methyl) oxetane (molecular weight 320, boiling point 320 ° C.), and the like. These oxetanyl compounds may be used alone or in combination of two or more.

上記ビニルエーテル化合物としては、例えば、ベンジルビニルエーテル(分子量134、沸点184℃)、シクロヘキサンジメタノールモノビニルエーテル(分子量170、沸点111℃)、ジシクロペンタジエンビニルエーテル(分子量176、沸点230℃)、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル(分子量142、沸点168℃)、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル(分子量196、沸点104℃)、ジエチレングリコールジビニルエーテル(分子量158、沸点199℃)、トリエチレングリコールジビニルエーテル(分子量202、沸点230℃)等が挙げられる。これらのビニルエーテル化合物は、単独で用いられてもよいし、2種類以上が組み合わせて用いられてもよい。 Examples of the vinyl ether compound include benzyl vinyl ether (molecular weight 134, boiling point 184 ° C.), cyclohexanedimethanol monovinyl ether (molecular weight 170, boiling point 111 ° C.), dicyclopentadiene vinyl ether (molecular weight 176, boiling point 230 ° C.), 1,4- Butanediol divinyl ether (molecular weight 142, boiling point 168 ° C.), cyclohexanedimethanol divinyl ether (molecular weight 196, boiling point 104 ° C.), diethylene glycol divinyl ether (molecular weight 158, boiling point 199 ° C.), triethylene glycol divinyl ether (molecular weight 202, boiling point 230 ° C) and the like. These vinyl ether compounds may be used alone or in combination of two or more.

本発明にかかる硬化性化合物は、上記エポキシ化合物、オキセタニル化合物、ビニルエーテル化合物以外の他のカチオン重合性化合物を含有してもよい。
上記他のカチオン重合性化合物としては、例えば、分子内に少なくとも1個の水酸基、エピスルフィド基、エチレンイミン基等のカチオン重合性官能基を有する化合物のうち、沸点が420℃未満及び/又は分子量が340未満であり、かつ、25℃で液状のものが挙げられる。
The curable compound concerning this invention may contain other cationically polymerizable compounds other than the said epoxy compound, oxetanyl compound, and a vinyl ether compound.
Examples of the other cationic polymerizable compound include, among compounds having a cationic polymerizable functional group such as at least one hydroxyl group, episulfide group, and ethyleneimine group in the molecule, a boiling point of less than 420 ° C. and / or a molecular weight. It is less than 340 and is liquid at 25 ° C.

本発明にかかる硬化性化合物は、(メタ)アクリル化合物を含有してもよい。
上記沸点が420℃未満及び/又は分子量が340未満であり、かつ、25℃で液状の(メタ)アクリル化合物としては、例えば、グリシジルアクリレート(分子量128、沸点180℃)、グリシジルメタクリレート(分子量142、沸点189℃)、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート(分子量226、沸点295℃)、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート(分子量254、沸点350℃)、1,9−ノナンジオールジアクリレート(分子量268、沸点342℃)、1,9−ヘキサンジオールジメタクリレート(分子量296、沸点390℃)、ジシクロペンテニルアクリレ−ト(分子量204、沸点250℃)、ジシクロペンテニルメタクリレ−ト(分子量218、沸点270℃)、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレ−ト(分子量248、沸点300℃)、ジシクロペンタニルアクリレ−ト(分子量206、沸点270℃)、ジシクロペンタニルメタクリレ−ト(分子量220、沸点280℃)、ベンジルアクリレート(分子量162、沸点210℃)、ベンジルメタクリレート(分子量176、沸点230℃)、トリメチロールプロパントリメタクリレート(分子量338、沸点400℃)、1,12−ドデカンジオールジアクリレート(分子量310、沸点380℃)、1,12−ドデカンジオールジメタクリレート(分子量338、沸点410℃)、ラウリルアクリレート(分子量240、沸点315℃)、ラウリルメタクリレート(分子量254、沸点320℃)等が挙げられる。これらの(メタ)アクリル化合物は、単独で用いられてもよいし、2種以上が組み合わせて用いられてもよい。
なお、本明細書において、上記「(メタ)アクリル」とは、アクリル又はメタクリルを意味し、上記「(メタ)アクリル化合物」とは、(メタ)アクリロイル基を有する化合物を意味し、上記「(メタ)アクリロイル基」とは、アクリロイル基又はメタクリロイル基を意味する。
The curable compound according to the present invention may contain a (meth) acrylic compound.
Examples of (meth) acrylic compounds having a boiling point of less than 420 ° C. and / or a molecular weight of less than 340 and liquid at 25 ° C. include glycidyl acrylate (molecular weight 128, boiling point 180 ° C.), glycidyl methacrylate (molecular weight 142, Boiling point 189 ° C.), 1,6-hexanediol diacrylate (molecular weight 226, boiling point 295 ° C.), 1,6-hexanediol dimethacrylate (molecular weight 254, boiling point 350 ° C.), 1,9-nonanediol diacrylate (molecular weight 268) , Boiling point 342 ° C.), 1,9-hexanediol dimethacrylate (molecular weight 296, boiling point 390 ° C.), dicyclopentenyl acrylate (molecular weight 204, boiling point 250 ° C.), dicyclopentenyl methacrylate (molecular weight 218, Boiling point 270 ° C.), dicyclopentenyloxyethyl Acrylate (molecular weight 248, boiling point 300 ° C.), dicyclopentanyl acrylate (molecular weight 206, boiling point 270 ° C.), dicyclopentanyl methacrylate (molecular weight 220, boiling point 280 ° C.), benzyl acrylate (molecular weight) 162, boiling point 210 ° C.), benzyl methacrylate (molecular weight 176, boiling point 230 ° C.), trimethylolpropane trimethacrylate (molecular weight 338, boiling point 400 ° C.), 1,12-dodecanediol diacrylate (molecular weight 310, boiling point 380 ° C.), 1 , 12-dodecanediol dimethacrylate (molecular weight 338, boiling point 410 ° C.), lauryl acrylate (molecular weight 240, boiling point 315 ° C.), lauryl methacrylate (molecular weight 254, boiling point 320 ° C.) and the like. These (meth) acrylic compounds may be used alone or in combination of two or more.
In the present specification, the “(meth) acryl” means acryl or methacryl, and the “(meth) acryl compound” means a compound having a (meth) acryloyl group. The term “(meth) acryloyl group” means an acryloyl group or a methacryloyl group.

本発明にかかる硬化性化合物として上記(メタ)アクリル化合物を用いる場合、後述する重合開始剤としてラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。 When using the said (meth) acrylic compound as a curable compound concerning this invention, it is preferable to use a radical polymerization initiator as a polymerization initiator mentioned later.

本発明にかかる硬化性化合物は、1分子中に2個以上のチオール基を有するポリチオール化合物と、1分子中に2個以上の炭素−炭素二重結合を有するポリエン化合物とを組み合わせて用いてもよい。本発明にかかる硬化性化合物として上記ポリチオール化合物と上記ポリエン化合物とを組み合わせて用いる場合、上記ポリチオール化合物と上記ポリエン化合物との両方が、沸点が420℃未満及び/又は分子量が340未満であり、かつ、25℃で液状である。 The curable compound according to the present invention may be a combination of a polythiol compound having two or more thiol groups in one molecule and a polyene compound having two or more carbon-carbon double bonds in one molecule. Good. When the polythiol compound and the polyene compound are used in combination as the curable compound according to the present invention, both the polythiol compound and the polyene compound have a boiling point of less than 420 ° C. and / or a molecular weight of less than 340, and It is liquid at 25 ° C.

上記ポリチオール化合物と上記ポリエン化合物との分子量の比は、1:0.5〜1:1.8であることが好ましい。分子量の比が上記範囲を外れると、ポリチオール化合物とポリエン化合物との静電塗布効率の差が大きくなり、未反応モノマーが残存しやすくなることがある。上記ポリチオール化合物と上記ポリエン化合物との分子量の比は、1:0.6〜1:1.5であることがより好ましく、1:0.7〜1:1.3であることが更に好ましい。 The molecular weight ratio between the polythiol compound and the polyene compound is preferably 1: 0.5 to 1: 1.8. When the molecular weight ratio is out of the above range, the difference in electrostatic coating efficiency between the polythiol compound and the polyene compound increases, and the unreacted monomer may easily remain. The molecular weight ratio between the polythiol compound and the polyene compound is more preferably 1: 0.6 to 1: 1.5, and still more preferably 1: 0.7 to 1: 1.3.

上記ポリチオール化合物としては、メルカプトカルボン酸と多価アルコールとの反応によって得られるエステルが好適に使用される。
上記メルカプトカルボン酸と多価アルコールとの反応によって得られるエステルとしては、例えば、トリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオネート)(分子量356、沸点350℃)、ブタンジオールビスチオグリコレート(分子量238、沸点300℃)、エチレンビス(メルカプトアセタート)(分子量210、沸点310℃)等が挙げられる。なかでも、静電塗布効率が高く硬化性が高いことから、ブタンジオールビスチオグリコレートが好ましい。また、その他のポリチオール化合物としては、例えば、1,10−ドデカンジチオール(分子量206、沸点171℃)等が挙げられる。
これらのポリチオール化合物は、単独で用いられてもよいし、2種以上が組み合わせて用いられてもよい。
As the polythiol compound, an ester obtained by a reaction between a mercaptocarboxylic acid and a polyhydric alcohol is preferably used.
Examples of the ester obtained by the reaction of the mercaptocarboxylic acid and the polyhydric alcohol include trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate) (molecular weight 356, boiling point 350 ° C.), butanediol bisthioglycolate (molecular weight 238). , Boiling point 300 ° C.), ethylene bis (mercaptoacetate) (molecular weight 210, boiling point 310 ° C.) and the like. Of these, butanediol bisthioglycolate is preferred because of its high electrostatic coating efficiency and high curability. Examples of other polythiol compounds include 1,10-dodecanedithiol (molecular weight 206, boiling point 171 ° C.).
These polythiol compounds may be used independently and 2 or more types may be used in combination.

上記ポリエン化合物としては、芳香環を有するポリエン化合物が好適に使用される。芳香環を有するポリエン化合物を用いることにより、本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物を硬化させて得られる樹脂膜が耐熱性に優れるものとなる。具体的には、ガラス転移温度が上昇し、高温での信頼性の高い樹脂膜となる。
上記芳香環を有するポリエン化合物としては、例えば、フタル酸ジアリル(分子量246、沸点310℃)、イソフタル酸ジアリル(分子量246、沸点330℃)、ジフェン酸ジアリル(分子量322、沸点350℃)等が挙げられる。なかでも、粘度が低く静電塗布効率が高いことから、フタル酸ジアリルが好ましい。これらの芳香環を有するポリエン化合物は、単独で用いられてもよいし、2種以上が組み合わせて用いられてもよい。
As the polyene compound, a polyene compound having an aromatic ring is preferably used. By using a polyene compound having an aromatic ring, the resin film obtained by curing the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention has excellent heat resistance. Specifically, the glass transition temperature rises and a highly reliable resin film at a high temperature is obtained.
Examples of the polyene compound having an aromatic ring include diallyl phthalate (molecular weight 246, boiling point 310 ° C.), diallyl isophthalate (molecular weight 246, boiling point 330 ° C.), and diallyl diphenate (molecular weight 322, boiling point 350 ° C.). It is done. Of these, diallyl phthalate is preferred because of its low viscosity and high electrostatic coating efficiency. These polyene compounds having an aromatic ring may be used alone or in combination of two or more.

上記ポリエン化合物が上記芳香環を有するポリエン化合物を含有する場合、上記芳香環を有するポリエン化合物の含有割合は、得られる樹脂膜の耐熱性の観点から、ポリエン化合物全体に対して、50重量%以上であることが好ましい。 When the polyene compound contains the polyene compound having the aromatic ring, the content ratio of the polyene compound having the aromatic ring is 50% by weight or more based on the whole polyene compound from the viewpoint of heat resistance of the resulting resin film. It is preferable that

また、上記ポリエン化合物としては、芳香環を有さないポリエン化合物を使用することもできる。上記芳香環を有さないポリエン化合物としては、例えば、トリアリルイソシアヌレート(分子量249、沸点305℃)、トリメタリルイソシアヌレート(分子量291、沸点350℃)、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル(分子量256、沸点300℃)等が挙げられる。なかでも、粘度が低く硬化性が高いことから、トリアリルイソシアヌレートが好ましい。これらの芳香環を有さないポリエン化合物は、単独で用いられてもよいし、2種以上が組み合わせて用いられてもよい。 Further, as the polyene compound, a polyene compound having no aromatic ring can also be used. Examples of the polyene compound having no aromatic ring include triallyl isocyanurate (molecular weight 249, boiling point 305 ° C.), trimethallyl isocyanurate (molecular weight 291; boiling point 350 ° C.), pentaerythritol triallyl ether (molecular weight 256, boiling point). 300 ° C.). Of these, triallyl isocyanurate is preferred because of its low viscosity and high curability. These polyene compounds not having an aromatic ring may be used alone or in combination of two or more.

更に、上記ポリエン化合物としては、上述した(メタ)アクリル化合物、上述したビニルエーテル化合物、アリルエーテル化合物等のうち、2官能以上のものも好適に使用される。 Furthermore, as the polyene compound, bifunctional or higher functional compounds among the above-described (meth) acrylic compounds, the above-described vinyl ether compounds, allyl ether compounds, and the like are also preferably used.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物における上記ポリチオール化合物と上記ポリエン化合物との配合割合は特に限定されないが、重量比で、ポリチオール化合物:上記ポリエン化合物=25:75〜68:32となるように配合することが好ましい。
また、上記ポリチオール化合物のチオール基と上記ポリエン化合物の炭素−炭素二重結合とのモル比がチオール基:炭素−炭素二重結合=1:0.4〜1:2.5となるように配合することが好ましい。チオール基のモル数が炭素−炭素二重結合のモル数の2.5倍を超える場合、又は、チオール基のモル数が炭素−炭素二重結合のモル数の0.4倍未満である場合、未反応モノマーが残存しやすくなり、アウトガスが発生したり、静電塗布法により均一な物性の樹脂膜が効率良く得られなかったりすることがある。上記ポリチオール化合物と上記ポリエン化合物とは、チオール基:炭素−炭素二重結合=1:0.5〜1:2となるように配合することがより好ましく、1:1付近となるように配合することが更に好ましい。
The blending ratio of the polythiol compound and the polyene compound in the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention is not particularly limited, but is polythiol compound: polyene compound = 25: 75 to 68:32 by weight ratio. It is preferable to blend as described above.
Further, the molar ratio between the thiol group of the polythiol compound and the carbon-carbon double bond of the polyene compound is thiol group: carbon-carbon double bond = 1: 0.4 to 1: 2.5. It is preferable to do. When the number of moles of thiol group exceeds 2.5 times the number of moles of carbon-carbon double bonds, or when the number of moles of thiol group is less than 0.4 times the number of moles of carbon-carbon double bonds Unreacted monomers are likely to remain, and outgassing may occur, or a resin film having uniform physical properties may not be obtained efficiently by the electrostatic coating method. The polythiol compound and the polyene compound are more preferably blended so that thiol group: carbon-carbon double bond = 1: 0.5 to 1: 2, and blended so as to be close to 1: 1. More preferably.

上記ポリチオール化合物と上記ポリエン化合物とを組み合わせて用いる場合、後述する重合開始剤としてラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。 When using the said polythiol compound and the said polyene compound in combination, it is preferable to use a radical polymerization initiator as a polymerization initiator mentioned later.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、本発明にかかる硬化性化合物に加えて、沸点が420℃以上であり、分子量が340以上であり、かつ、25℃で液状の硬化性化合物、25℃で固体の硬化性化合物、及び、25℃で固体の非硬化性化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含有してもよい。
なお、本明細書において上記「非硬化性化合物」は、塗膜を構成する化合物であって、本発明にかかる硬化性化合物の硬化反応時に、本発明にかかる硬化性化合物と反応しない化合物を意味する。
The curable resin composition for electrostatic coating of the present invention has a boiling point of 420 ° C. or higher, a molecular weight of 340 or higher, and a liquid curable compound at 25 ° C. in addition to the curable compound according to the present invention. And at least one selected from the group consisting of a curable compound that is solid at 25 ° C. and a non-curable compound that is solid at 25 ° C.
In the present specification, the above “non-curable compound” means a compound that constitutes a coating film and does not react with the curable compound according to the present invention during the curing reaction of the curable compound according to the present invention. To do.

上記沸点が420℃以上であり、分子量が340以上であり、かつ、25℃で液状の硬化性化合物としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物等のビスフェノール型エポキシ化合物や、水素化ビスフェノールA型エポキシ化合物、水素化ビスフェノールF型エポキシ化合物等のアルコール型エポキシ化合物や、臭素化エポキシ化合物等のハロゲン化エポキシ化合物や、ナフタレン型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、異節環状型エポキシ化合物、多官能性エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物、グリシジルアミン型エポキシ化合物、ゴム変成エポキシ化合物、ウレタン変成エポキシ化合物、エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ化スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、エポキシ基含有ポリエステル化合物、エポキシ基含有ポリウレタン化合物、エポキシ基含有アクリル化合物等のエポキシ化合物、オキセタニルシルセスキオキサン、フェノールノボラックオキセタン等のオキセタン化合物等のアリル化合物等が挙げられる。なかでも、ε−カプロラクトン変性3’,4’−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート(分子量366、沸点420℃以上)が好ましい。 As the curable compound having a boiling point of 420 ° C. or higher, a molecular weight of 340 or higher, and a liquid at 25 ° C., for example, a bisphenol type epoxy compound such as a bisphenol A type epoxy compound or a bisphenol F type epoxy compound, Alcohol-type epoxy compounds such as hydrogenated bisphenol A-type epoxy compounds and hydrogenated bisphenol F-type epoxy compounds, halogenated epoxy compounds such as brominated epoxy compounds, naphthalene-type epoxy compounds, aliphatic epoxy compounds, and alicyclic epoxy compounds Cyclic ring type epoxy compound, polyfunctional epoxy compound, biphenyl type epoxy compound, glycidyl ether type epoxy compound, glycidyl ester type epoxy compound, glycidyl amine type epoxy compound, rubber modified epoxy compound, urethane modified Epoxy compounds such as poxy compounds, epoxidized polybutadiene, epoxidized styrene-butadiene-styrene block copolymers, epoxy group-containing polyester compounds, epoxy group-containing polyurethane compounds, epoxy group-containing acrylic compounds, oxetanylsilsesquioxane, phenol novolac oxetane And allyl compounds such as oxetane compounds. Of these, ε-caprolactone-modified 3 ′, 4′-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate (molecular weight 366, boiling point 420 ° C. or higher) is preferable.

上記25℃で固体の硬化性化合物としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物等のノボラック型エポキシ化合物や、水素化ビスフェノールA型エポキシ化合物、1,4−ビス(((3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ)メチル)ベンゼン等が挙げられる。なかでも、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物が好ましい。 Examples of the curable compound that is solid at 25 ° C. include novolak-type epoxy compounds such as phenol novolak-type epoxy compounds and cresol novolak-type epoxy compounds, hydrogenated bisphenol A-type epoxy compounds, 1,4-bis ((((3 -Ethyl-3-oxetanyl) methoxy) methyl) benzene and the like. Of these, 1,2-epoxy-4- (2-oxiranyl) cyclohexane adduct of 2,2-bis (hydroxymethyl) -1-butanol is preferable.

上記25℃で固体の非硬化性化合物としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリエステル等の熱可塑性樹脂等が挙げられる。なかでも、フェノキシ樹脂が好ましい。 Examples of the non-curable compound that is solid at 25 ° C. include thermoplastic resins such as phenoxy resin, polystyrene, acrylic resin, and polyester. Of these, phenoxy resin is preferred.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、主鎖にアルキレンオキシド構造を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。上記主鎖にアルキレンオキシド構造を有する硬化性化合物を含有することにより、電荷が移動しやすくなり、帯電防止性を向上させることができる。
なお、上記主鎖にアルキレンオキシド構造を有する硬化性化合物は、本発明にかかる硬化性化合物であってもよいし、その他の硬化性化合物、即ち、沸点が420℃以上であり、分子量が340以上であり、かつ、25℃で液状の硬化性化合物、又は、25℃で固体の硬化性化合物であってもよいが、本発明にかかる硬化性化合物であることが好ましい。
The curable resin composition for electrostatic coating of the present invention preferably contains a curable compound having an alkylene oxide structure in the main chain. By containing a curable compound having an alkylene oxide structure in the main chain, the charge can easily move and the antistatic property can be improved.
The curable compound having an alkylene oxide structure in the main chain may be a curable compound according to the present invention, or other curable compounds, that is, a boiling point of 420 ° C. or higher and a molecular weight of 340 or higher. It may be a curable compound that is liquid at 25 ° C. or a curable compound that is solid at 25 ° C., but is preferably a curable compound according to the present invention.

上記主鎖にアルキレンオキシド構造を有する硬化性化合物としては、例えば、主鎖にアルキレンオキシド構造を有する(メタ)アクリル化合物、主鎖にアルキレンオキシド構造を有するエポキシ化合物、主鎖にアルキレンオキシド構造を有するオキセタニル化合物、及び、主鎖にアルキレンオキシド構造を有するビニルエーテル化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物や、そのリチウム塩、ナトリウム塩、ヨウドニウム塩、又は、テトラアルキルアンモニウム塩であることが好ましい。
なお、(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基等の重合性基に含まれる酸素原子を含むアルキレンオキシド構造は、上記主鎖が有するアルキレンオキシド構造には含まない。
Examples of the curable compound having an alkylene oxide structure in the main chain include, for example, a (meth) acrylic compound having an alkylene oxide structure in the main chain, an epoxy compound having an alkylene oxide structure in the main chain, and an alkylene oxide structure in the main chain. It is preferably an oxetanyl compound and at least one compound selected from the group consisting of vinyl ether compounds having an alkylene oxide structure in the main chain, or a lithium salt, sodium salt, iodonium salt, or tetraalkylammonium salt thereof. .
An alkylene oxide structure containing an oxygen atom contained in a polymerizable group such as a (meth) acryloyl group, an epoxy group, an oxetanyl group, or a vinyl ether group is not included in the alkylene oxide structure of the main chain.

上記主鎖にアルキレンオキシド構造を有する(メタ)アクリル化合物としては、例えば、ジエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート等のジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート等のジメタクリレート等が挙げられる。
上記主鎖にアルキレンオキシド構造を有するオキセタニル化合物としては、例えば、3−エチル−3−(2−エチルヘキシロキシメチル)オキセタン、ジ(1−エチル(3−オキセタニル))メチルエーテル等が挙げられる。
上記主鎖にアルキレンオキシド構造を有するエポキシ化合物としては、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリエチレングリコールジグリシジルエーテル、テトラエチレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサエチレングリコールジグリシジルエーテル等が挙げられる。
上記主鎖にアルキレンオキシド構造を有するビニルエーテル化合物としては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、エチレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル等の多官能ビニルエーテル類等が挙げられる。
なかでも、耐熱性が高いことから、主鎖にアルキレンオキシド構造を有するエポキシ化合物が好ましい。
Examples of the (meth) acrylic compound having an alkylene oxide structure in the main chain include diacrylates such as diethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, tripropylene glycol diacrylate, and polypropylene glycol diacrylate, ethylene Examples include dimethacrylates such as glycol dimethacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, and polyethylene glycol dimethacrylate.
Examples of the oxetanyl compound having an alkylene oxide structure in the main chain include 3-ethyl-3- (2-ethylhexyloxymethyl) oxetane, di (1-ethyl (3-oxetanyl)) methyl ether, and the like.
Examples of the epoxy compound having an alkylene oxide structure in the main chain include ethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, 2,2-dimethyl-1,3-propanediol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, Examples include ethylene glycol diglycidyl ether, tetraethylene glycol diglycidyl ether, and hexaethylene glycol diglycidyl ether.
Examples of vinyl ether compounds having an alkylene oxide structure in the main chain include ethylene glycol divinyl ether, diethylene glycol divinyl ether, polyethylene glycol divinyl ether, propylene glycol divinyl ether, cyclohexane dimethanol divinyl ether, ethylene oxide-added trimethylolpropane trivinyl ether, Propylene oxide-added trimethylolpropane trivinyl ether, ethylene oxide-added ditrimethylolpropane tetravinyl ether, propylene oxide-added ditrimethylolpropane tetravinyl ether, ethylene oxide-added pentaerythritol tetravinyl ether, propylene oxide-added pentaerythritol tetravinyl ether Le, ethylene oxide adduct of dipentaerythritol hexavinyl ether, and propylene oxide adduct of dipentaerythritol hexavinyl ether.
Among these, an epoxy compound having an alkylene oxide structure in the main chain is preferable because of high heat resistance.

上記主鎖にアルキレンオキシド構造を有する硬化性化合物の含有割合は、硬化性化合物全体100重量部中において、好ましい下限が1重量部、好ましい上限が50重量部である。上記主鎖にアルキレンオキシド構造を有する硬化性化合物の含有量が1重量部未満であると、得られる塗膜の帯電によってデバイスに不具合が生じることがある。上記主鎖にアルキレンオキシド構造を有する硬化性化合物の含有量が50重量部を超えると、得られる組成物の硬化性が不充分となることがある。上記主鎖にアルキレンオキシド構造を有する硬化性化合物の含有量のより好ましい下限は5重量部である。 As for the content ratio of the curable compound having an alkylene oxide structure in the main chain, a preferable lower limit is 1 part by weight and a preferable upper limit is 50 parts by weight in 100 parts by weight of the entire curable compound. When the content of the curable compound having an alkylene oxide structure in the main chain is less than 1 part by weight, a problem may occur in the device due to charging of the obtained coating film. When the content of the curable compound having an alkylene oxide structure in the main chain exceeds 50 parts by weight, the resulting composition may have insufficient curability. A more preferable lower limit of the content of the curable compound having an alkylene oxide structure in the main chain is 5 parts by weight.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、重合開始剤及び/又は熱硬化剤を含有する。
上述したように、本発明にかかる硬化性化合物が、エポキシ化合物、オキセタニル化合物、及び、ビニルエーテル化合物からなる群より選択される少なくとも1種である場合、カチオン重合開始剤及び/又は熱硬化剤が好適に用いられる。また、上記他のカチオン重合性化合物を用いる場合にも、カチオン重合開始剤及び/又は熱硬化剤が好適に用いられる。
上記カチオン重合開始剤としては、加熱によりプロトン酸又はルイス酸を発生する熱カチオン重合開始剤や、光照射によりプロトン酸又はルイス酸を発生する光カチオン重合開始剤が挙げられる。なかでも、静電塗布性を向上させることができることから、前記重合開始剤として、光カチオン重合開始剤及び/又は熱カチオン重合開始剤を含有することが好ましく、硬化時の光照射による有機薄膜素子の劣化を防止できることから、熱カチオン重合開始剤を含有することが好ましい。
The curable resin composition for electrostatic coating of the present invention contains a polymerization initiator and / or a thermosetting agent.
As described above, when the curable compound according to the present invention is at least one selected from the group consisting of an epoxy compound, an oxetanyl compound, and a vinyl ether compound, a cationic polymerization initiator and / or a thermosetting agent is preferable. Used for. Moreover, also when using said other cationically polymerizable compound, a cationic polymerization initiator and / or a thermosetting agent are used suitably.
Examples of the cationic polymerization initiator include a thermal cationic polymerization initiator that generates a protonic acid or a Lewis acid by heating, and a photocationic polymerization initiator that generates a protonic acid or a Lewis acid by light irradiation. Among these, since the electrostatic coating property can be improved, it is preferable to contain a photocationic polymerization initiator and / or a thermal cationic polymerization initiator as the polymerization initiator, and an organic thin film element by light irradiation at the time of curing. It is preferable to contain a thermal cationic polymerization initiator from the viewpoint of preventing the deterioration.

上記熱カチオン重合開始剤は、イオン性熱カチオン重合開始剤であってもよいし、非イオン性熱カチオン重合開始剤であってもよいが、塗膜の帯電防止性の観点から、イオン性熱カチオン重合開始剤が好ましい。
上記熱カチオン重合開始剤としては、例えば、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、第4級アンモニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩等が挙げられる。なかでも、スルホニウム塩が好ましい。
上記熱カチオン重合開始剤における対アニオンとしては、例えば、AsF 、SbF 、PF 、B(C4−等が挙げられる。
上記スルホニウム塩としては、トリフェニルスルホニウム四フッ化ホウ素、トリフェニルスルホニウム六フッ化アンチモン、トリフェニルスルホニウム六フッ化ヒ素、トリ(4−メトキシフェニル)スルホニウム六フッ化ヒ素、ジフェニル(4−フェニルチオフェニル)スルホニウム六フッ化ヒ素等が挙げられる。
上記ホスホニウム塩としては、エチルトリフェニルホスホニウム六フッ化アンチモン、テトラブチルホスホニウム六フッ化アンチモン等が挙げられる。
上記第4級アンモニウム塩としては、例えば、N,N−ジメチル−N−ベンジルアニリニウム六フッ化アンチモン、N,N−ジメチル−N−(4−メトキシベンジル)アニリニウム六フッ化アンチモン、N,N−ジエチル−N−ベンジルアニリニウム四フッ化ホウ素、N,N−ジメチル−N−ベンジルピリジニウム六フッ化アンチモン、N,N−ジエチル−N−ベンジルピリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸、N,N−ジメチル−N−(4−メトキシベンジル)ピリジニウム六フッ化アンチモン、N,N−ジエチル−N−(4−メトキシベンジル)ピリジニウム六フッ化アンチモン、N,N−ジエチル−N−(4−メトキシベンジル)トルイジニウム六フッ化アンチモン、N,N−ジメチル−N−(4−メトキシベンジル)トルイジニウム六フッ化アンチモン等が挙げられる。
これらの熱カチオン重合開始剤は、単独で用いられてもよいし、2種類以上が組み合わせて用いられてもよい。
The thermal cationic polymerization initiator may be an ionic thermal cationic polymerization initiator or a nonionic thermal cationic polymerization initiator. From the viewpoint of antistatic properties of the coating film, Cationic polymerization initiators are preferred.
Examples of the thermal cationic polymerization initiator include sulfonium salts, phosphonium salts, quaternary ammonium salts, diazonium salts, iodonium salts, and the like. Of these, sulfonium salts are preferred.
Examples of the counter anion in the thermal cationic polymerization initiator include AsF 6 , SbF 6 , PF 6 , B (C 6 F 5 ) 4− and the like.
Examples of the sulfonium salts include triphenylsulfonium boron tetrafluoride, triphenylsulfonium hexafluoride antimony, triphenylsulfonium hexafluoride arsenic, tri (4-methoxyphenyl) sulfonium hexafluoride arsenic, diphenyl (4-phenylthiophenyl). ) Sulfonium arsenic hexafluoride and the like.
Examples of the phosphonium salt include ethyltriphenylphosphonium antimony hexafluoride and tetrabutylphosphonium antimony hexafluoride.
Examples of the quaternary ammonium salt include N, N-dimethyl-N-benzylanilinium antimony hexafluoride, N, N-dimethyl-N- (4-methoxybenzyl) anilinium hexafluoride antimony, N, N -Diethyl-N-benzylanilinium tetrafluoride, N, N-dimethyl-N-benzylpyridinium hexafluoroantimony, N, N-diethyl-N-benzylpyridinium trifluoromethanesulfonic acid, N, N-dimethyl-N -(4-methoxybenzyl) pyridinium hexafluoride antimony, N, N-diethyl-N- (4-methoxybenzyl) pyridinium hexafluoride antimony, N, N-diethyl-N- (4-methoxybenzyl) toluidinium hexafluoride Antimony, N, N-dimethyl-N- (4-methoxybenzyl) toluidini Beam antimony hexafluoride, and the like.
These thermal cationic polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.

上記熱カチオン重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、アデカオプトンCP−66、アデカオプトンCP−77(いずれもADEKA社製)や、熱活性だけでなく光活性も有している熱カチオン重合開始剤である、サンエイドSI−60、サンエイドSI−80、サンエイドSI−100、サンエイドSI−110、サンエイドSI−180(いずれも三新化学工業社製)、CXC−1612(King Industries社製)等が挙げられる。 Examples of commercially available thermal cationic polymerization initiators include, for example, Adeka Opton CP-66, Adeka Opton CP-77 (both manufactured by ADEKA), and thermal cations having not only thermal activity but also photoactivity. Polymerization initiators, Sun-Aid SI-60, Sun-Aid SI-80, Sun-Aid SI-100, Sun-Aid SI-110, Sun-Aid SI-180 (all manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.), CXC-1612 (manufactured by King Industries) Etc.

上記光カチオン重合開始剤は、イオン性光カチオン重合開始剤であってもよいし、非イオン性光カチオン重合開始剤であってもよいが、塗膜の帯電防止性の観点から、イオン性光カチオン重合開始剤が好ましい。
上記イオン性光カチオン重合開始剤としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩等が挙げられる。
上記ヨードニウム塩としては、例えば、(トリルクミル)ヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。
上記スルホニウム塩としては、例えば、ジフェニル−4−チオフェニルスルホニウム−ヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
上記非イオン性光カチオン重合開始剤としては、例えば、ニトロベンジルエステル、スルホン酸誘導体、リン酸エステル、フェノールスルホン酸エステル、ジアゾナフトキノン、N−ヒドロキシイミドスホナート等が挙げられる。
これらの光カチオン重合開始剤のなかでも、ジフェニル−4−チオフェニルスルホニウム−ヘキサフルオロアンチモネートが好ましい。
これらの光カチオン重合開始剤は、単独で用いられてもよいし、2種類以上が組み合わせて用いられてもよい。
The photocationic polymerization initiator may be an ionic photocationic polymerization initiator or a nonionic photocationic polymerization initiator, but from the viewpoint of antistatic properties of the coating film, ionic light Cationic polymerization initiators are preferred.
Examples of the ionic photocationic polymerization initiator include iodonium salts and sulfonium salts.
Examples of the iodonium salt include (tolylcumyl) iodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate.
Examples of the sulfonium salt include diphenyl-4-thiophenylsulfonium-hexafluoroantimonate.
Examples of the nonionic photocationic polymerization initiator include nitrobenzyl ester, sulfonic acid derivative, phosphate ester, phenol sulfonate ester, diazonaphthoquinone, N-hydroxyimide sulfonate and the like.
Of these photocationic polymerization initiators, diphenyl-4-thiophenylsulfonium-hexafluoroantimonate is preferred.
These cationic photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.

上記光カチオン重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、RP2074(ローディア社製)、アデカオプトマーSP−170(ADEKA社製)等が挙げられる。 As what is marketed among the said photocationic polymerization initiators, RP2074 (made by Rhodia), Adeka optomer SP-170 (made by ADEKA) etc. are mentioned, for example.

上述したように、本発明にかかる硬化性化合物として、上記(メタ)アクリル化合物を用いる場合や、上記ポリチオール化合物と上記ポリエン化合物とを組み合わせて用いる場合、上記重合開始剤としては、ラジカル重合開始剤が好適に用いられる。
上記ラジカル重合開始剤としては、光照射によりラジカルを発生する光ラジカル重合開始剤や、加熱によりラジカルを発生する熱ラジカル重合開始剤が挙げられる。
As described above, when the (meth) acrylic compound is used as the curable compound according to the present invention or when the polythiol compound and the polyene compound are used in combination, the polymerization initiator is a radical polymerization initiator. Are preferably used.
Examples of the radical polymerization initiator include a photo radical polymerization initiator that generates radicals by light irradiation and a thermal radical polymerization initiator that generates radicals by heating.

上記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン系化合物、アセトフェノン系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物、チタノセン系化合物、オキシムエステル系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、チオキサントン等を好適に用いることができる。 As the photo radical polymerization initiator, for example, a benzophenone compound, an acetophenone compound, an acylphosphine oxide compound, a titanocene compound, an oxime ester compound, a benzoin ether compound, thioxanthone, and the like can be preferably used.

上記光ラジカル重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、IRGACURE184、IRGACURE369、IRGACURE379、IRGACURE651、IRGACURE819、IRGACURE907、IRGACURE2959、IRGACUREOXE01、ルシリンTPO(いずれもBASF Japan社製)、ベンソインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル(いずれも東京化成工業社製)等が挙げられる。これらの光ラジカル重合開始剤は、単独で用いられてもよいし、2種以上が組み合わせて用いられてもよい。 Examples of commercially available photo radical polymerization initiators include IRGACURE 184, IRGACURE 369, IRGACURE 379, IRGACURE 651, IRGACURE 819, IRGACURE 907, IRGACURE 2959, IRGACUREOXE01, and Lucin TPO (all manufactured by BASF Methyl Corp. Examples include benzoin ethyl ether and benzoin isopropyl ether (both manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.). These radical photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.

上記光ラジカル重合開始剤は、可視光領域に吸収波長を有するものが好ましい。
可視光領域に吸収波長を有する光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−2,5−ジメチルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−4−プロピルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−1−ナフチルホスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニルホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)―フェニルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド類、1−(4−(フェニルチオ)フェニル)−1,2−オクタンジオン2−(O−ベンゾイルオキシム)、O−アセチル−1−(6−(2−メチルベンゾイル)−9−エチル−9H−カルバゾール−3−イル)エタノンオキシム等のオキシムエステル系化合物、ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビス(2,6−ジフルオロー3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウム等のチタノセン系化合物等が挙げられる。
可視光領域に吸収波長を有する光ラジカル重合開始剤としては、例えば、IRGACURE819、ルシリンTPO、IRGACUREOXE01、IRGACUREOXE02、IRGACURE784(いずれもBASF Japan社製)等が挙げられる。
The photo radical polymerization initiator preferably has an absorption wavelength in the visible light region.
Examples of the radical photopolymerization initiator having an absorption wavelength in the visible light region include bis- (2,6-dichlorobenzoyl) phenylphosphine oxide and bis- (2,6-dichlorobenzoyl) -2,5-dimethylphenylphosphine. Oxide, bis- (2,6-dichlorobenzoyl) -4-propylphenylphosphine oxide, bis- (2,6-dichlorobenzoyl) -1-naphthylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide, Acylphosphine oxides such as bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, 1- (4- (phenylthio) phenyl) -1,2-octanedione 2- (O-benzoyloxime), O— Acetyl-1- (6- (2-methyl Nzoyl) -9-ethyl-9H-carbazol-3-yl) ethanone oxime and other oxime ester compounds, bis (η5-2,4-cyclopentadien-1-yl) -bis (2,6-difluoro-3- And titanocene compounds such as (1H-pyrrol-1-yl) -phenyl) titanium.
Examples of the radical photopolymerization initiator having an absorption wavelength in the visible light region include IRGACURE819, Lucyrin TPO, IRGACUREOXE01, IRGACUREOXE02, IRGACURE784 (all manufactured by BASF Japan).

上記熱ラジカル重合開始剤としては、過酸化物やアゾ化合物が挙げられ、市販されているものとしては、例えば、パーブチルO、パーヘキシルO、パーブチルPV(いずれも日油社製)、V−30、V−65、V−501、V−601、VPE−0201(いずれも和光純薬工業社製)等が挙げられる。これらの熱ラジカル重合開始剤は、単独で用いられてもよいし、2種以上が組み合わせて用いられてもよい。 Examples of the thermal radical polymerization initiator include peroxides and azo compounds. Examples of commercially available products include perbutyl O, perhexyl O, perbutyl PV (all manufactured by NOF Corporation), V-30, V-65, V-501, V-601, VPE-0201 (all manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and the like. These thermal radical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.

上記重合開始剤の含有量は、静電塗布用硬化性樹脂組成物全体100重量部に対して、好ましい下限が0.1重量部、好ましい上限が10重量部である。上記重合開始剤の含有量が0.1重量部未満であると、得られる静電塗布用硬化性樹脂組成物の硬化反応を充分に進行させることができなくなることがある。上記重合開始剤の含有量が10重量部を超えると、得られる静電塗布用硬化性樹脂組成物が着色したり、保存安定性に劣るものとなったりすることがある。上記重合開始剤の含有量のより好ましい下限は0.2重量部、より好ましい上限は5重量部である。 The content of the polymerization initiator is preferably 0.1 parts by weight and preferably 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the entire curable resin composition for electrostatic coating. When the content of the polymerization initiator is less than 0.1 parts by weight, the curing reaction of the resulting curable resin composition for electrostatic coating may not be allowed to proceed sufficiently. When content of the said polymerization initiator exceeds 10 weight part, the curable resin composition for electrostatic coating obtained may be colored, or it may become inferior to storage stability. The minimum with more preferable content of the said polymerization initiator is 0.2 weight part, and a more preferable upper limit is 5 weight part.

上記熱硬化剤としては例えば、有機酸ヒドラジド、イミダゾール誘導体、アミン化合物、多価フェノール系化合物、酸無水物等が挙げられる。なかでも、固形の有機酸ヒドラジドが好適に用いられる。 Examples of the thermosetting agent include organic acid hydrazides, imidazole derivatives, amine compounds, polyhydric phenol compounds, acid anhydrides, and the like. Among these, solid organic acid hydrazide is preferably used.

上記固形の有機酸ヒドラジドとしては、例えば、1,3−ビス(ヒドラジノカルボノエチル)−5−イソプロピルヒダントイン、セバシン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド等が挙げられ、市販されているものとしては、例えば、SDH(日本ファインケム社製)、ADH(大塚化学社製)、アミキュアVDH、アミキュアVDH−J、アミキュアUDH(いずれも、味の素ファインテクノ社製)等が挙げられる。 Examples of the solid organic acid hydrazide include 1,3-bis (hydrazinocarbonoethyl) -5-isopropylhydantoin, sebacic acid dihydrazide, isophthalic acid dihydrazide, adipic acid dihydrazide, malonic acid dihydrazide, and the like. Examples of those that can be used include SDH (manufactured by Nippon Finechem Co., Ltd.), ADH (manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.), Amicure VDH, Amicure VDH-J, Amicure UDH (all manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.), and the like.

上記熱硬化剤の含有量は静電塗布用硬化性樹脂組成物全体100重量部に対して、好ましい下限が0.1重量部、好ましい上限が40重量部である。上記熱硬化剤の含有量が0.1重量部未満であると、得られる静電塗布用硬化性樹脂組成物の硬化反応を充分に進行させることができなくなることがある。上記熱硬化剤の含有量が40重量部を超えると、静電塗布効率が低下したり、保存安定性に劣るものとなったりすることがある。上記熱硬化剤の含有量のより好ましい下限は0.5重量部、より好ましい上限は20重量部である。 The content of the thermosetting agent is preferably 0.1 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the entire curable resin composition for electrostatic coating, and 40 parts by weight with respect to the preferable upper limit. When content of the said thermosetting agent is less than 0.1 weight part, it may become impossible to fully advance hardening reaction of the curable resin composition for electrostatic coating obtained. When content of the said thermosetting agent exceeds 40 weight part, electrostatic coating efficiency may fall or it may become inferior to storage stability. The minimum with more preferable content of the said thermosetting agent is 0.5 weight part, and a more preferable upper limit is 20 weight part.

静電塗布法により塗膜を形成した場合、形成された塗膜が帯電することにより、有機EL表示素子等のデバイスが破壊されたり、動作異常が発生したりするおそれがある。そのため、本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、電解質及び/又は導電性物質を含有することが好ましい。上記電解質及び/又は上記導電性物質を含有することで体積固有抵抗が低下し、その結果、静電塗布法によって薄膜化させた際の帯電によるデバイスへの悪影響を抑制することができる。 When a coating film is formed by the electrostatic coating method, a device such as an organic EL display element may be destroyed or abnormal operation may occur due to charging of the formed coating film. Therefore, it is preferable that the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention contains an electrolyte and / or a conductive substance. By containing the electrolyte and / or the conductive substance, the volume resistivity is reduced, and as a result, adverse effects on the device due to charging when the film is thinned by an electrostatic coating method can be suppressed.

上記電解質は、カチオン成分とアニオン成分とから構成される。 The electrolyte is composed of a cation component and an anion component.

上記カチオン成分としては、正電荷を帯びていれば特に限定されないが、例えば、テトラアルキルホスホニウムカチオン、イミダゾリウムイオン、ピペリジニウムイオン、ピロリジニウムイオン、ピラゾニウムイオン、グアニジニウムイオン、ピリジニウムイオン、スルホニウムイオン、金属イオン等が挙げられる。 The cation component is not particularly limited as long as it is positively charged. For example, tetraalkylphosphonium cation, imidazolium ion, piperidinium ion, pyrrolidinium ion, pyrazonium ion, guanidinium ion, pyridinium ion, sulfonium ion. And metal ions.

上記金属イオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン等が挙げられ、リチウムイオン、ナトリウムイオンが好ましく、リチウムイオンがより好ましい。 As said metal ion, lithium ion, sodium ion, potassium ion etc. are mentioned, Lithium ion and sodium ion are preferable and lithium ion is more preferable.

上記アニオン成分としては、負電荷を帯びていれば特に限定されないが、例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等のハロゲン化物系アニオンや、メタンスルホン酸イオン等のアルキル硫酸アニオンや、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ヘキサフルオロホスホン酸イオン、トリフルオロトリス(ペンタフルオロエチル)ホスホン酸イオン、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドイオン、トリフルオロ酢酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン等の含フッ素化合物系アニオンや、フェノールイオン、2−メトキシフェノールイオン、2,6−ジ−tert−ブチルフェノールイオン等のフェノール系アニオンや、アスパラギン酸イオン、グルタミン酸イオン等の酸性アミノ酸イオンや、グリシンイオン、アラニンイオン、フェニルアラニンイオン等の中性アミノ酸イオンや、N−ベンゾイルアラニンイオン、N−アセチルフェニルアラニンイオン、N−アセチルグリシンイオン等のN−アシルアミノ酸イオンや、ギ酸イオン、酢酸イオン、デカン酸イオン、乳酸イオン、酒石酸イオン、馬尿酸イオン、安息香酸イオン等のカルボン酸系アニオンや、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン等が挙げられる。 The anion component is not particularly limited as long as it is negatively charged. For example, halide anions such as fluoride ions, chloride ions, bromide ions, iodide ions, and alkyl sulfates such as methanesulfonate ions. Fluorine-containing compounds such as anion, trifluoromethanesulfonate ion, hexafluorophosphonate ion, trifluorotris (pentafluoroethyl) phosphonate ion, bis (trifluoromethanesulfonyl) imide ion, trifluoroacetate ion, tetrafluoroborate ion Anions, phenol anions such as phenol ions, 2-methoxyphenol ions, 2,6-di-tert-butylphenol ions, acidic amino acid ions such as aspartate ions and glutamate ions, glycine ON, alanine ion, neutral amino acid ion such as phenylalanine ion, N-acylamino acid ion such as N-benzoylalanine ion, N-acetylphenylalanine ion, N-acetylglycine ion, formate ion, acetate ion, decanoic acid ion Carboxylic acid anions such as lactate ions, tartrate ions, hippurate ions, benzoate ions, perchlorate ions, thiocyanate ions, and the like.

上記電解質としては、具体的には例えば、塩化リチウム(LiCl)、ヨウ化リチウム(LiI)、過塩素酸リチウム(LiClO)、チオシアン酸リチウム(LiSCN)、テトラフルオロホウ素酸リチウム(LiBF)、ヘキサフルオロヒ素(V)酸リチウム(LiAsF)、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム(LiCFSO)、ヘキサフルオロリン酸リチウム(LiPF)、ヨウ化ナトリウム(NaI)、過塩素酸ナトリウム(NaClO)、チオシアン酸ナトリウム(NaSCN)、臭化ナトリウム(NaBr)、ヨウ化カリウム(KI)、過塩素酸カリウム(KClO)、チオシアン酸カリウム(KSCN)、チオシアン酸セシウム(CsSCN)、硝酸銀(AgNO)、過塩素酸マグネシウム(Mg(ClO)、テトラアルキルアンモニウム化合物として過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ホウフッ化テトラエチルアンモニウム、ホウフッ化テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウムハライド、酢酸テトラブチルホスホニウム等が挙げられる。
また、上述した、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、第4級アンモニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩等のイオン性熱カチオン重合開始剤、イオン性光カチオン重合開始剤も上記電解質の例として挙げられる。しかしながら、これらのイオン性熱カチオン重合開始剤やイオン性光カチオン重合開始剤を配合することのみにより体積固有抵抗を上述した範囲に調整する場合、イオン性熱カチオン重合開始剤やイオン性光カチオン重合開始剤を多量に配合する必要があり、その結果、着色したり、アウトガスが発生したり、保存安定性が悪化したりする等の問題が生じることがある。そのため、上述した電解質や後述する導電性物質とこれらのイオン性熱カチオン重合開始剤やイオン性光カチオン重合開始剤とを組み合わせて用いることが好ましい。
また、上記電解質としては、高分子型の電解質(ポリマー電解質)も好適に使用される。
上記ポリマー電解質の例としては、ポリスチレン、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリビニリデンフルオライド(PVDF)とヘキサフルオロプロピレンの共重合体であるPVDF−HFP、多孔質PVDF等のポリマーに、スルホン酸塩、リチウム塩、ナトリウム塩、ヨウドニウム塩、テトラアルキルアンモニウム塩等を配位させた電解質が挙げられる。
これらの電解質は、1種が単独で用いられてもよいし、2種以上が組み合わせて用いられてもよい。
Specific examples of the electrolyte include lithium chloride (LiCl), lithium iodide (LiI), lithium perchlorate (LiClO 4 ), lithium thiocyanate (LiSCN), lithium tetrafluoroborate (LiBF 4 ), Lithium hexafluoroarsenate (V) (LiAsF 6 ), lithium trifluoromethanesulfonate (LiCF 3 SO 3 ), lithium hexafluorophosphate (LiPF 6 ), sodium iodide (NaI), sodium perchlorate (NaClO 4 ) Sodium thiocyanate (NaSCN), sodium bromide (NaBr), potassium iodide (KI), potassium perchlorate (KClO 4 ), potassium thiocyanate (KSCN), cesium thiocyanate (CsSCN), silver nitrate (AgNO 3 ) , Magnesium perchlorate Beam (Mg (ClO 4) 2) , tetraethylammonium perchlorate as tetraalkylammonium compounds, tetrabutyl ammonium perchlorate, borofluoride tetraethylammonium borofluoride tetrabutylammonium, tetrabutylammonium halide, tetrabutylphosphonium acetate and the like Can be mentioned.
Examples of the electrolyte include ionic thermal cationic polymerization initiators such as sulfonium salts, phosphonium salts, quaternary ammonium salts, diazonium salts, and iodonium salts described above, and ionic photocationic polymerization initiators. However, when adjusting the volume resistivity to the above range only by blending these ionic thermal cationic polymerization initiators and ionic photocationic polymerization initiators, ionic thermal cationic polymerization initiators and ionic photocationic polymerizations It is necessary to add a large amount of initiator, and as a result, problems such as coloring, outgassing, and deterioration in storage stability may occur. Therefore, it is preferable to use a combination of the above-described electrolyte or a conductive material described later, and these ionic thermal cationic polymerization initiators and ionic photocationic polymerization initiators.
Further, as the electrolyte, a polymer electrolyte (polymer electrolyte) is also preferably used.
Examples of the polymer electrolyte include polymers such as polystyrene, polyethylene oxide, polypropylene oxide, polyvinylidene fluoride (PVDF) and hexafluoropropylene, PVDF-HFP, porous PVDF, sulfonate, lithium Examples thereof include electrolytes coordinated with a salt, sodium salt, iodonium salt, tetraalkylammonium salt and the like.
One of these electrolytes may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

上記導電性物質としては、例えば、導電性ポリマー、金属コロイド、金属酸化物粒子、フラーレン等が挙げられる。 Examples of the conductive substance include conductive polymers, metal colloids, metal oxide particles, fullerenes, and the like.

上記導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリ(3−アルキル)チオフェン、ポリピロール、ポリイソチアナフタレン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリ(2,5−ジアルコキシ)パラフェニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリヘプタジイン、ポリ(3−ヘキシル)チオフェン、ポリアニリン、及び、これらの2種以上の混合物が挙げられる。
上記導電性ポリマーの数平均分子量は、1000〜3万であることが好ましい。
Examples of the conductive polymer include polyacetylene, polythiophene, poly (3-alkyl) thiophene, polypyrrole, polyisothiaphthalene, polyethylenedioxythiophene, polyparaphenylene vinylene, poly (2,5-dialkoxy) paraphenylene vinylene. , Polyparaphenylene, polyheptadiyne, poly (3-hexyl) thiophene, polyaniline, and a mixture of two or more thereof.
The number average molecular weight of the conductive polymer is preferably 1000 to 30,000.

上記金属コロイドとしては、例えば、金コロイド、銀コロイド、白金コロイド、塩化銀コロイド等が挙げられる。 Examples of the metal colloid include gold colloid, silver colloid, platinum colloid, and silver chloride colloid.

上記金属酸化物粒子としては、例えば、二酸化チタン、アンチモンスズ酸化物、酸化インジウムスズ、二酸化ジルコニウム等が挙げられる。 Examples of the metal oxide particles include titanium dioxide, antimony tin oxide, indium tin oxide, and zirconium dioxide.

上記フラーレンとしては、例えば、C60フラーレン、C70フラーレン等が挙げられる。 Examples of the fullerene include C60 fullerene and C70 fullerene.

上記電解質及び/又は上記導電性物質の含有量は、得られる静電塗布用硬化性樹脂組成物の25℃における体積固有抵抗が1010Ωcm以下となる量であり、かつ、後述する粘度範囲を維持できる量であることが好ましい。
具体的には、上記電解質及び/又は上記導電性物質の含有量は、硬化性化合物100重量部に対して、好ましい下限が0.1重量部、好ましい上限が100重量部である。上記導電性物質の含有量が0.1重量部未満であると、得られる組成物の25℃における体積固有抵抗を充分に低くすることが困難となることがある。上記電解質及び/又は上記導電性物質の含有量が100重量部を超えると、得られる組成物の粘度が高くなりすぎ、静電塗布に用いることが困難となったり、得られる静電塗布用硬化性樹脂組成物の硬化性が悪くなったりすることがある。上記電解質及び/又は上記導電性物質の含有量のより好ましい下限は1重量部、より好ましい上限は50重量部である。
なお、「電解質及び/又は導電性物質の含有量」は、上記電解質及び上記導電性物質の両方を用いる場合はその合計の含有量を意味し、いずれか一方のみを用いる場合は用いられる一方の含有量を意味する。
The content of the electrolyte and / or the conductive substance is such that the volume resistivity at 25 ° C. of the resulting curable resin composition for electrostatic coating is 10 10 Ωcm or less, and the viscosity range described below is used. An amount that can be maintained is preferred.
Specifically, the content of the electrolyte and / or the conductive material is preferably 0.1 parts by weight and 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable compound. If the content of the conductive material is less than 0.1 parts by weight, it may be difficult to sufficiently reduce the volume resistivity of the resulting composition at 25 ° C. When the content of the electrolyte and / or the conductive material exceeds 100 parts by weight, the resulting composition has too high a viscosity, which makes it difficult to use for electrostatic coating, or the resulting curing for electrostatic coating. The curability of the curable resin composition may deteriorate. The more preferable lower limit of the content of the electrolyte and / or the conductive substance is 1 part by weight, and the more preferable upper limit is 50 parts by weight.
“Content of electrolyte and / or conductive substance” means the total content when both the electrolyte and the conductive substance are used, and one of the two is used when only one of them is used. Means content.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、光増感剤を含有してもよい。上記光増感剤は、上記光カチオン重合開始剤や上記光ラジカル重合開始剤の重合開始効率をより向上させて、本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物の硬化反応をより促進させる役割を有する。また、可視光領域で増感効果を発揮する光増感剤を用いることにより、本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、可視光の照射によって硬化させることができるものとなる。 The curable resin composition for electrostatic coating of the present invention may contain a photosensitizer. The photosensitizer serves to further improve the polymerization initiation efficiency of the photocationic polymerization initiator or the photoradical polymerization initiator and further accelerate the curing reaction of the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention. Have Further, by using a photosensitizer that exhibits a sensitizing effect in the visible light region, the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention can be cured by irradiation with visible light.

上記光増感剤としては、例えば、2,4−ジエチルチオキサントン等のチオキサントン系化合物や、ジブチルアントラセン、ジプロピルアントラセン等のアントラセン系化合物、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、ベンゾフェノン、2,4−ジクロロベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’メチルジフェニルサルファイド等が挙げられる。これらの光増感剤は、単独で用いられてもよいし、2種以上が組み合わせて用いられてもよい。 Examples of the photosensitizer include thioxanthone compounds such as 2,4-diethylthioxanthone, anthracene compounds such as dibutylanthracene and dipropylanthracene, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1- ON, benzophenone, 2,4-dichlorobenzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, 4-benzoyl-4′methyldiphenyl sulfide, and the like. These photosensitizers may be used independently and 2 or more types may be used in combination.

上記光増感剤の含有量は、増感効果や、静電塗布用硬化性樹脂組成物の深部への光の透過性の観点から、静電塗布用硬化性樹脂組成物全体100重量部に対して、好ましい下限が0.01重量部、好ましい上限が5重量部である。上記光増感剤の含有量のより好ましい下限は0.1重量部、より好ましい上限は1重量部である。 The content of the photosensitizer is 100 parts by weight of the entire curable resin composition for electrostatic coating, from the viewpoint of the sensitization effect and light transmittance to the deep part of the curable resin composition for electrostatic coating. On the other hand, a preferable lower limit is 0.01 part by weight and a preferable upper limit is 5 parts by weight. The minimum with more preferable content of the said photosensitizer is 0.1 weight part, and a more preferable upper limit is 1 weight part.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、重合禁止剤を含有してもよい。
上記重合禁止剤としては、例えば、N−ニトロソアリールヒドロキシルアミン塩、フェノール誘導体、ヒドロキノン誘導体等が挙げられる。
上記N−ニトロソアリールヒドロキシルアミン塩としては、例えば、N−ニトロソフェニル・ヒドロキシルアミンのアンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、ストロンチウム塩、アルミニウム塩、銅塩、亜鉛塩、セリウム塩、鉄塩、ニッケル塩、コバルト塩等が挙げられる。なかでも、N−ニトロソフェニル・ヒドロキシルアミンのアンモニウム塩が好ましい。
上記フェノール誘導体としては、例えば、p−メトキシフェノール、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、2,2−メチレン−ビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)等が挙げられる。なかでも、2,2−メチレン−ビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)が好ましい。
上記ヒドロキノン誘導体としては、例えば、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチールエーテル等が挙げられる。なかでも、静電塗布用硬化性樹脂組成物に大量に添加しても、静電塗布時に揮発しにくく塗布膜に移行しにくいため、光硬化を阻害しないという点で、N−ニトロソアリールヒドロキシルアミン塩が好ましい。
これらの重合禁止剤は、単独で用いられてもよいし、2種以上が組み合わせて用いられてもよい。
The curable resin composition for electrostatic coating of the present invention may contain a polymerization inhibitor.
Examples of the polymerization inhibitor include N-nitrosoarylhydroxylamine salts, phenol derivatives, hydroquinone derivatives, and the like.
Examples of the N-nitrosoarylhydroxylamine salt include ammonium salt, sodium salt, potassium salt, magnesium salt, strontium salt, aluminum salt, copper salt, zinc salt, cerium salt and iron salt of N-nitrosophenyl hydroxylamine. , Nickel salt, cobalt salt and the like. Of these, an ammonium salt of N-nitrosophenyl hydroxylamine is preferable.
Examples of the phenol derivative include p-methoxyphenol, 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,2-methylene-bis (4-methyl-6-t-butylphenol) and the like. . Of these, 2,2-methylene-bis (4-methyl-6-tert-butylphenol) is preferable.
Examples of the hydroquinone derivative include hydroquinone and hydroquinone monomethyl ether. In particular, even if added in a large amount to the curable resin composition for electrostatic coating, it is difficult to volatilize during electrostatic coating, and it is difficult to transfer to a coating film. Salts are preferred.
These polymerization inhibitors may be used alone or in combination of two or more.

上記重合禁止剤の含有量は、得られる静電塗布用硬化性樹脂組成物の硬化性の観点から、静電塗布用硬化性樹脂組成物全体100重量部に対して、好ましい下限が0.01重量部、好ましい上限が2重量部である。上記重合禁止剤の含有量のより好ましい下限は0.02重量部、より好ましい上限は0.5重量部である。 The content of the polymerization inhibitor has a preferable lower limit of 0.01 with respect to 100 parts by weight of the entire curable resin composition for electrostatic coating, from the viewpoint of curability of the resulting curable resin composition for electrostatic coating. Part by weight, the preferred upper limit is 2 parts by weight. The minimum with more preferable content of the said polymerization inhibitor is 0.02 weight part, and a more preferable upper limit is 0.5 weight part.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、接着性付与剤を含有してもよい。
上記接着性付与剤としては、例えば、グリシドキシトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、N−(アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤や、チタンカップリング剤、アルミニウムカップリング剤等が挙げられる。これらの接着性付与剤は、単独で用いられてもよいし、2種以上が併用されてもよい。
The curable resin composition for electrostatic coating of the present invention may contain an adhesion promoter.
Examples of the adhesion-imparting agent include silane coupling agents such as glycidoxytrimethoxysilane, glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, N- (aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, mercaptopropyltrimethoxysilane, Examples include titanium coupling agents and aluminum coupling agents. These adhesiveness imparting agents may be used alone or in combination of two or more.

上記本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、更に、本発明の目的を阻害しない範囲において、酸化防止剤、充填剤、硬化促進剤、可塑剤、界面活性剤、熱安定剤、難燃剤、帯電防止剤、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収材、有機溶剤等の添加剤を必要に応じて含有してもよいが、アウトガスを抑制する等の観点から、有機溶剤等は含有しないことが好ましい。 The curable resin composition for electrostatic coating according to the present invention further includes an antioxidant, a filler, a curing accelerator, a plasticizer, a surfactant, a heat stabilizer, Additives such as flame retardants, antistatic agents, antifoaming agents, leveling agents, ultraviolet absorbers, organic solvents, etc. may be included as necessary, but from the viewpoint of suppressing outgassing, no organic solvents are included. It is preferable.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物を調製する方法としては、例えば、本発明にかかる硬化性化合物、重合開始剤及び/又は熱硬化剤、並びに、必要に応じて添加する光増感剤等の各種添加剤を、遊星式攪拌装置、ホモディスパー、万能ミキサー、バンバリーミキサー、ニーダー、2本ロール、3本ロール、押出機等の公知の各種混練機を単独又は併用して、常温下又は加熱下で、常圧下、減圧下、加圧下又は不活性ガス気流下等の条件下で均一に混練する方法等が挙げられる。 Examples of the method for preparing the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention include a curable compound, a polymerization initiator and / or a thermosetting agent according to the present invention, and photosensitization added as necessary. Various additives such as agents can be used at room temperature by using known kneaders such as planetary stirrers, homodispers, universal mixers, Banbury mixers, kneaders, two rolls, three rolls, and extruders, either alone or in combination. Or the method etc. which knead | mix uniformly under conditions, such as under normal pressure, pressure reduction, pressurization, or inert gas stream, etc. under heating are mentioned.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、25℃における体積固有抵抗が1010Ωcm以下であることが好ましい。上記体積固有抵抗が1010Ωcm以下であることにより、静電塗布法によって薄膜化させた際の帯電によるデバイスへの悪影響を抑制することができる。上記体積固有抵抗のより好ましい上限は10Ωcm、更に好ましい上限は10Ωcmである。
また、体積固有抵抗の下限は特にないが実質的な下限は10Ωcmである。
上記「体積固有抵抗」は、抵抗計を用い、25℃にて静電塗布用硬化性樹脂組成物に電極を挿入して電流を流すことにより測定することができる。
なお、本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物の25℃における体積固有抵抗を1010Ωcm以下とする方法としては、例えば、上述した電解質及び/又は導電性物質を配合する方法等が挙げられる。
The curable resin composition for electrostatic coating of the present invention preferably has a volume resistivity at 25 ° C. of 10 10 Ωcm or less. When the volume resistivity is 10 10 Ωcm or less, it is possible to suppress adverse effects on the device due to charging when the film is thinned by an electrostatic coating method. A more preferable upper limit of the volume resistivity is 10 8 Ωcm, and a more preferable upper limit is 10 7 Ωcm.
The lower limit of the volume resistivity is not particularly limited, but the substantial lower limit is 10 Ωcm.
The “volume resistivity” can be measured by inserting an electrode into a curable resin composition for electrostatic application at 25 ° C. and flowing an electric current using a resistance meter.
In addition, examples of the method for setting the volume resistivity at 25 ° C. of the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention to 10 10 Ωcm or less include a method of blending the above-described electrolyte and / or conductive material. It is done.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、E型粘度計を用いて、25℃、2.5rpmの条件で測定した粘度の好ましい上限が500mPa・sである。上記粘度が500mPa・sを超えると、得られる静電塗布用硬化性樹脂組成物を静電塗布させるために高温で加熱することが必要となることがある。本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物の粘度のより好ましい上限は450mPa・s、更に好ましい上限は200mPa・sである。
また、本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、低粘度であることが好ましいが、実質的な下限は15mPa・sである。
In the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention, the preferred upper limit of the viscosity measured at 25 ° C. and 2.5 rpm using an E-type viscometer is 500 mPa · s. When the viscosity exceeds 500 mPa · s, it may be necessary to heat at a high temperature in order to electrostatically apply the resulting curable resin composition for electrostatic application. A more preferable upper limit of the viscosity of the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention is 450 mPa · s, and a further preferable upper limit is 200 mPa · s.
Further, the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention preferably has a low viscosity, but the substantial lower limit is 15 mPa · s.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物を硬化させて得られる樹脂保護膜もまた、本発明の1つである。本発明の樹脂保護膜は、本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物を光硬化及び/又は熱硬化させることで得られる。 A resin protective film obtained by curing the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention is also one aspect of the present invention. The resin protective film of the present invention can be obtained by photocuring and / or thermosetting the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物を光硬化させる方法としては、例えば、300nm〜400nmの波長及び300〜3000mJ/cmの積算光量の光を照射する方法等が挙げられる。 Examples of the method for photocuring the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention include a method of irradiating light with a wavelength of 300 nm to 400 nm and an integrated light amount of 300 to 3000 mJ / cm 2 .

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物に光を照射するための光源としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、エキシマレーザ、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ、ナトリウムランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、LEDランプ、蛍光灯、太陽光、電子線照射装置等が挙げられる。これらの光源は、単独で用いられてもよいし、2種以上が組み合わせて用いられてもよい。
これらの光源は、上記光カチオン重合開始剤や上記光ラジカル重合開始剤の吸収波長に合わせて適宜選択される。
Examples of the light source for irradiating the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention with light include a low pressure mercury lamp, a medium pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, an excimer laser, a chemical lamp, a black light lamp, and a micro lamp. Examples include a wave excitation mercury lamp, a metal halide lamp, a sodium lamp, a halogen lamp, a xenon lamp, an LED lamp, a fluorescent lamp, sunlight, and an electron beam irradiation device. These light sources may be used independently and 2 or more types may be used in combination.
These light sources are appropriately selected according to the absorption wavelength of the photocationic polymerization initiator or the photoradical polymerization initiator.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物への光の照射手段としては、例えば、各種光源の同時照射、時間差をおいての逐次照射、同時照射と逐次照射との組み合わせ照射等が挙げられ、いずれの照射手段を用いてもよい。 Examples of light irradiation means for the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention include simultaneous irradiation of various light sources, sequential irradiation with a time difference, combined irradiation of simultaneous irradiation and sequential irradiation, and the like. Any irradiation means may be used.

本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物を熱硬化させる方法としては、例えば、80〜150℃で加熱する方法等が挙げられる。 Examples of the method for thermosetting the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention include a method of heating at 80 to 150 ° C.

本発明の樹脂保護膜により有機薄膜素子を保護してなる電子デバイスもまた、本発明の1つである。有機薄膜素子を、本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物を静電塗布し硬化させて得られる本発明の樹脂保護膜によって保護することにより、有機薄膜素子内への水分の浸入を防止して有機薄膜素子の性能及び耐久性を高く維持することができ、かつ、電子デバイスの薄型化が可能となる。
また、有機薄膜素子上に本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物を静電塗布法により塗布する工程と、塗布した静電塗布用硬化性樹脂組成物を硬化させて上記有機薄膜素子上に樹脂保護膜を形成する工程とを有する電子デバイスの製造方法もまた、本発明の1つである。
An electronic device obtained by protecting an organic thin film element with the resin protective film of the present invention is also one aspect of the present invention. The organic thin film element is protected by the resin protective film of the present invention obtained by electrostatically applying and curing the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention, thereby preventing moisture from entering the organic thin film element. Thus, the performance and durability of the organic thin film element can be maintained high, and the electronic device can be made thinner.
Also, a step of applying the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention on the organic thin film element by an electrostatic coating method, and curing the applied curable resin composition for electrostatic coating on the organic thin film element An electronic device manufacturing method including a step of forming a resin protective film on the substrate is also one aspect of the present invention.

上記有機薄膜素子としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」ともいう)、有機薄膜太陽電池素子等が挙げられる。
上記有機EL素子は、例えば、基板の上に、ホール注入電極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び、電子注入電極をそれぞれ順に真空蒸着することにより形成することができる。
As said organic thin film element, an organic electroluminescent element (henceforth "organic EL element"), an organic thin film solar cell element, etc. are mentioned, for example.
The organic EL element is formed, for example, by vacuum-depositing a hole injection electrode, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and an electron injection electrode in order on a substrate. can do.

上記有機薄膜素子が有機EL素子である場合、電子デバイスは、下面側(基板において素子が形成されない側)から光を取り出すボトムエミッション構造であってもよいし、上面側(基板において素子が形成される側)から光を取り出すトップエミッション構造であってもよい。 When the organic thin film element is an organic EL element, the electronic device may have a bottom emission structure in which light is extracted from the lower surface side (side where the element is not formed on the substrate), or the upper surface side (element is formed on the substrate). A top emission structure in which light is extracted from the other side.

上記有機薄膜素子は、基板上に配置され、本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物を静電塗布し硬化させて得られる本発明の樹脂保護膜により保護される前に、上記有機薄膜素子を含む領域を覆うように予め無機材料膜で被覆されていることが好ましい。
上記基板としては、例えば、単純マトリックス型(パッシブ型)の光デバイスでは透明ガラス基板を用いることができ、アクティブ・マトリックス型の光デバイスでは、透明ガラス基板上に複数のTFT(薄膜トランジスタ)及び平坦化層を備えたTFT基板を用いることができる。
The organic thin film element is placed on a substrate and protected by the resin protective film of the present invention obtained by electrostatic coating and curing of the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention. It is preferable to cover the region including the element with an inorganic material film in advance.
As the substrate, for example, a transparent glass substrate can be used in a simple matrix type (passive type) optical device, and in an active matrix type optical device, a plurality of TFTs (thin film transistors) and planarization are provided on the transparent glass substrate. A TFT substrate with a layer can be used.

上記無機材料膜を構成する無機材料としては、例えば、窒化珪素(SiN)や酸化珪素(SiO)、酸化アルミニウム(Al)等が挙げられる。上記無機材料膜は、1層からなるものであってもよく、複数種の層を積層したものであってもよい。 Examples of the inorganic material constituting the inorganic material film include silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO x ), and aluminum oxide (Al 2 O 3 ). The inorganic material film may be a single layer or may be a laminate of a plurality of types of layers.

上記無機材料膜によって上記有機薄膜素子を被覆する方法としては、上記無機材料膜が窒化珪素や酸化珪素からなる場合には、スパッタリング法や電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマCVD法等が挙げられる。
上記スパッタリング法は、例えば、キャリアガスとしてアルゴンガスや窒素ガス等の単独又は混合ガスを用い、室温、電力50〜1000W、圧力0.001〜0.1Torrの条件で行うことが好ましい。
上記ECRプラズマCVD法は、例えば、SiHとOとの混合ガス(酸化珪素の場合)又はSiHとNとの混合ガス(窒化珪素の場合)を用い、温度30℃〜100℃、圧力10mTorr〜1Torr、周波数2.45GHZ、電力10〜1000Wの条件で行うことが好ましい。
Examples of a method of covering the organic thin film element with the inorganic material film include a sputtering method and an electron cyclotron resonance (ECR) plasma CVD method when the inorganic material film is made of silicon nitride or silicon oxide.
The sputtering method is preferably carried out under conditions of room temperature, power of 50 to 1000 W, and pressure of 0.001 to 0.1 Torr using, for example, argon gas or nitrogen gas alone or as a mixed gas as a carrier gas.
The ECR plasma CVD method uses, for example, a mixed gas of SiH 4 and O 2 (in the case of silicon oxide) or a mixed gas of SiH 4 and N 2 (in the case of silicon nitride), at a temperature of 30 ° C. to 100 ° C., It is preferable to carry out under the conditions of a pressure of 10 mTorr to 1 Torr, a frequency of 2.45 GHz, and a power of 10 to 1000 W.

上記有機薄膜素子上に本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物を静電塗布法により塗布する工程は、10〜40℃程度の低温で行うことができる。 The process of apply | coating the curable resin composition for electrostatic coating of this invention on the said organic thin film element by an electrostatic coating method can be performed at about 10-40 degreeC low temperature.

上記有機薄膜素子上に本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物を静電塗布法により塗布する工程は、大気圧下又は減圧雰囲気下において行うことができるが、大気圧下において行うことが好ましい。また、本発明にかかる硬化性化合物として上記(メタ)アクリル化合物を用いた場合は、窒素雰囲気下において行われることが好ましい。 The step of applying the curable resin composition for electrostatic coating of the present invention on the organic thin film element by an electrostatic coating method can be performed under atmospheric pressure or a reduced pressure atmosphere, but can be performed under atmospheric pressure. preferable. Moreover, when the said (meth) acrylic compound is used as a curable compound concerning this invention, it is preferable to carry out in nitrogen atmosphere.

上記塗布した静電塗布用硬化性樹脂組成物を硬化させて上記有機薄膜素子上に樹脂保護膜を形成する工程において、本発明の静電塗布用硬化性樹脂組成物は、上述した方法により光硬化及び/又は熱硬化させることにより、本発明の樹脂保護膜として形成することができる。 In the step of curing the applied curable resin composition for electrostatic application to form a resin protective film on the organic thin film element, the curable resin composition for electrostatic application of the present invention is light-transmitted by the above-described method. It can be formed as a resin protective film of the present invention by curing and / or thermosetting.

本発明の電子デバイスに形成される樹脂保護膜の厚さは特に限定されないが、無機材料膜の内部応力による有機薄膜素子や電極への圧迫を防止する効果や、電子デバイスの薄型化の観点から、好ましい下限は0.1μm、好ましい上限は20μmである。上記樹脂保護膜の厚さのより好ましい下限は0.3μm、より好ましい上限は2μmである。 Although the thickness of the resin protective film formed in the electronic device of the present invention is not particularly limited, from the viewpoint of preventing the pressure on the organic thin film element and the electrode due to the internal stress of the inorganic material film, and the thinning of the electronic device The preferred lower limit is 0.1 μm and the preferred upper limit is 20 μm. The more preferable lower limit of the thickness of the resin protective film is 0.3 μm, and the more preferable upper limit is 2 μm.

本発明の電子デバイスにおいては、有機薄膜素子を大気中の水分や酸素から保護する効果を高くするため、上記樹脂保護膜上に更に無機材料膜を積層することが好ましい。上記樹脂保護膜上に積層される無機材料膜を構成する無機材料や形成方法としては、上述した有機薄膜素子を被覆する無機材料膜と同様である。 In the electronic device of the present invention, an inorganic material film is preferably further laminated on the resin protective film in order to enhance the effect of protecting the organic thin film element from moisture and oxygen in the atmosphere. The inorganic material constituting the inorganic material film laminated on the resin protective film and the forming method are the same as the inorganic material film covering the organic thin film element described above.

上記樹脂保護膜上に形成される無機材料膜の厚さは特に限定されないが、水分の浸入防止や、無機材料膜のクラック発生防止、製膜時間の観点から、好ましい下限は0.05μm、好ましい上限は20μmである。上記樹脂保護膜上に形成される無機材料膜の厚さのより好ましい下限は0.1μm、より好ましい上限は10μmである。 Although the thickness of the inorganic material film formed on the resin protective film is not particularly limited, the preferable lower limit is 0.05 μm, preferably from the viewpoint of preventing moisture intrusion, preventing cracking of the inorganic material film, and forming time. The upper limit is 20 μm. The more preferable lower limit of the thickness of the inorganic material film formed on the resin protective film is 0.1 μm, and the more preferable upper limit is 10 μm.

本発明の電子デバイスを光や酸素から更に厳密に保護するため、樹脂保護膜と無機材料膜を2層以上交互に積層してもよい。上記交互に積層される樹脂保護膜及び無機材料膜を構成する材料や形成方法としては、上述した樹脂保護膜及び無機材料膜と同様である。 In order to more strictly protect the electronic device of the present invention from light and oxygen, two or more resin protective films and inorganic material films may be alternately laminated. The materials and forming methods of the resin protective film and the inorganic material film that are alternately stacked are the same as those of the resin protective film and the inorganic material film described above.

本発明によれば、大気圧下にて均一な薄膜を効率よく形成させることができ、かつ、アウトガスの発生を抑制できる静電塗布用硬化性樹脂組成物を提供することができる。また、本発明によれば、該静電塗布用硬化性樹脂組成物を用いてなる樹脂保護膜、電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the uniform thin film can be formed efficiently under atmospheric pressure, and the curable resin composition for electrostatic coating which can suppress generation | occurrence | production of outgas can be provided. Moreover, according to this invention, the manufacturing method of the resin protective film which uses this curable resin composition for electrostatic coating, an electronic device, and an electronic device can be provided.

図1は、静電塗布法による薄膜の作製過程の一例を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of a process for producing a thin film by an electrostatic coating method.

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
本発明にかかる硬化性化合物として、3−エチル−3−(2−エチルヘキシロキシメチル)オキセタン(東亞合成社製、「アロンオキセタンOXT−212」、沸点270℃、分子量228)50重量部、及び、ジ(1−エチル(3−オキセタニル))メチルエーテル(東亞合成社製、「アロンオキセタンOXT−221」、沸点270℃、分子量214)50重量部と、光カチオン重合開始剤としてジフェニル−4−チオフェニルスルホニウム−ヘキサフルオロアンチモネート(ADEKA社製、「アデカオプトマーSP−170」)1.0重量部と、光増感剤として2,4−ジエチルチオキサントン(日本化薬社製、「DETX−S」)0.2重量部とを、ホモディスパー型攪拌混合機(プライミクス社製、「ホモディスパーL型」)を用い、攪拌速度3000rpmで均一に攪拌混合して、静電塗布用硬化性樹脂組成物を得た。
得られた静電塗布用硬化性樹脂組成物について、25℃において、抵抗計(川口電機製作所社製、「マルチメーターMMA II−17D」、電極LP−05)を用いて測定した体積固有抵抗は、5×10Ωcmであった。
Example 1
As a curable compound according to the present invention, 3-ethyl-3- (2-ethylhexyloxymethyl) oxetane (manufactured by Toagosei Co., Ltd., “Aron oxetane OXT-212”, boiling point 270 ° C., molecular weight 228) 50 parts by weight, and , 50 parts by weight of di (1-ethyl (3-oxetanyl)) methyl ether (manufactured by Toagosei Co., Ltd., “Aron oxetane OXT-221”, boiling point 270 ° C., molecular weight 214), and diphenyl-4-as a photocationic polymerization initiator 1.0 part by weight of thiophenylsulfonium hexafluoroantimonate (manufactured by ADEKA, “Adekaoptomer SP-170”) and 2,4-diethylthioxanthone (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., “DETX- S ") 0.2 part by weight of a homodisper type stirring mixer (manufactured by Primics," Homodisper L type ") There, it was mixed under stirring at a stirring speed 3000 rpm, to obtain an electrostatic coating curable resin composition.
About the obtained curable resin composition for electrostatic coating, the volume resistivity measured at 25 ° C. using a resistance meter (manufactured by Kawaguchi Denki Seisakusho, “Multimeter MMA II-17D”, electrode LP-05) is It was 5 × 10 9 Ωcm.

(実施例2〜20、比較例1、2)
用いた材料及び配合量を表1〜3に示したものとしたこと以外は、実施例1と同様にして静電塗布用硬化性樹脂組成物を作製した。
実施例2〜20、比較例1、2で得られた各静電塗布用硬化性樹脂組成物について、実施例1と同様にして測定した体積固有抵抗を表1〜3に示した。
(Examples 2 to 20, Comparative Examples 1 and 2)
A curable resin composition for electrostatic coating was produced in the same manner as in Example 1 except that the materials and the amounts used were those shown in Tables 1 to 3.
Tables 1 to 3 show the volume resistivity measured in the same manner as in Example 1 for each of the curable resin compositions for electrostatic coating obtained in Examples 2 to 20 and Comparative Examples 1 and 2.

<評価>
実施例及び比較例で得られた各静電塗布用硬化性樹脂組成物について、以下の評価を行った。結果を表1〜3に示した。
<Evaluation>
The following evaluation was performed about each curable resin composition for electrostatic coating obtained by the Example and the comparative example. The results are shown in Tables 1-3.

(塗布性及び膜の平坦性)
実施例及び比較例で得られた各静電塗布用硬化性樹脂組成物を、1mLのマイクロシリンジに充填した。上記マイクロシリンジにステンレス製の注射針を装着し、シリンジポンプに設置した。注射針の先端には高圧電源の陽極を接続した。基板を設置する金属板に陰極を接続し、金属板の上に基板となる無アルカリガラス板(旭硝子社製、10cm角、0.7mm厚)を配置した。塗布条件は、注射針の先端から基板までの距離を5cmとし、印加電圧を10kV、シリンジポンプからの組成物の供給量を30μL/minとし、1分間塗布を行うことで1μmの膜を形成した。塗布した膜に405nmの可視光をLEDランプにて照射し、塗膜の硬化を行った。
均一なスプレー塗布ができた場合を「○」、均一なスプレー塗布ができなかった場合を「×」として塗布性を評価した。
また、膜を硬化した後、目視した際に、濁りや凹凸が無かった場合を「○」、濁りや凹凸が僅かに発生していた場合を「△」、白く濁ったり凹凸が発生したりしていた場合を「×」として膜の平坦性を評価した。
(Applicability and film flatness)
Each curable resin composition for electrostatic coating obtained in Examples and Comparative Examples was filled into a 1 mL microsyringe. A stainless syringe needle was attached to the microsyringe and installed in a syringe pump. A high voltage power source anode was connected to the tip of the injection needle. A cathode was connected to a metal plate on which the substrate was placed, and an alkali-free glass plate (Asahi Glass Co., Ltd., 10 cm square, 0.7 mm thickness) serving as the substrate was placed on the metal plate. The coating conditions were such that the distance from the tip of the injection needle to the substrate was 5 cm, the applied voltage was 10 kV, the composition supply from the syringe pump was 30 μL / min, and the coating was performed for 1 minute to form a 1 μm film. . The coated film was irradiated with visible light of 405 nm with an LED lamp to cure the coating film.
The applicability was evaluated as “◯” when uniform spray application was possible, and “X” when uniform spray application was not possible.
In addition, when the film is cured and visually observed, there is no turbidity or unevenness, “◯”, and when there is slight turbidity or unevenness, “△”, white turbidity or unevenness occurs. The flatness of the film was evaluated as “x”.

(膜厚)
上記で塗布した膜を部分的に削り段差を付けることで、膜厚測定用サンプルを作製した。得られた膜厚測定用サンプルについて、表面粗さ計(KLAテンコール社製、「Alpha−Step IQ」)を用いて膜厚を測定した。
(Film thickness)
The film | membrane applied above was partially shaved and the sample for film thickness measurement was produced by providing a level | step difference. About the obtained sample for film thickness measurement, the film thickness was measured using the surface roughness meter (the product made by KLA Tencor, "Alpha-Step IQ").

(帯電防止性)
上記「(塗布性及び膜の平坦性)」と同様にして得られた塗膜について、塗布直後にアース線を触れさせ、10秒後の表面電位を測定した。表面電位の測定は、静電気測定器(シムコジャパン社製、「FMX−004」)にて行った。表面電位が0.5kV未満であった場合を「◎」、0.5kV以上1kV未満であった場合を「○」、1kV以上5kV未満であった場合を「△」、5kV以上であった場合を「×」として帯電防止性を評価した。
(Antistatic property)
About the coating film obtained by carrying out similarly to said "(application | coating property and film flatness)", the earth wire was touched immediately after application | coating, and the surface potential after 10 second was measured. The surface potential was measured with a static electricity meter ("FMX-004" manufactured by Simco Japan). When the surface potential is less than 0.5 kV, “◎”, when it is 0.5 kV or more and less than 1 kV, “◯”, when it is 1 kV or more and less than 5 kV, “△”, when it is 5 kV or more Was evaluated as antistatic property.

(電子デバイスの性能)
(1)有機EL素子が配置された基板の作製
ガラス基板(長さ25mm、幅25mm、厚さ0.7mm)にITO電極を1000Åの厚さで成膜したものを基板とした。上記基板をアセトン、アルカリ水溶液、イオン交換水、イソプロピルアルコールにてそれぞれ15分間超音波洗浄した後、煮沸させたイソプロピルアルコールにて10分間洗浄し、更に、UV−オゾンクリーナ(日本レーザー電子社製、「NL−UV253」)にて直前処理を行った。
次に、この基板を真空蒸着装置の基板フォルダに固定し、素焼きの坩堝にN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)を200mg、他の異なる素焼き坩堝にトリス(8−ヒドロキシキノリラ)アルミニウム(Alq)を200mg入れ、真空チャンバー内を、1×10−4Paまで減圧した。その後、α−NPDの入った坩堝を加熱し、α−NPDを蒸着速度15Å/sで基板に堆積させ、膜厚600Åの正孔輸送層を成膜した。次いで、Alqの入った坩堝を加熱し、15Å/sの蒸着速度で膜厚600Åの発光層を成膜した。その後、正孔輸送層及び発光層が形成された基板を別の真空蒸着装置に移し、この真空蒸着装置内のタングステン製抵抗加熱ボートにフッ化リチウム200mgを、別のタングステン製ボートにアルミニウム線1.0gを入れた。その後、真空蒸着装置の蒸着器内を2×10−4Paまで減圧してフッ化リチウムを0.2Å/sの蒸着速度で5Å成膜した後、アルミニウムを20Å/sの速度で1000Å成膜した。窒素により蒸着器内を常圧に戻し、10mm×10mmの有機EL素子が配置された基板を取り出した。
(Performance of electronic devices)
(1) Fabrication of a substrate on which an organic EL element is disposed A glass substrate (length 25 mm, width 25 mm, thickness 0.7 mm) on which an ITO electrode is formed to a thickness of 1000 mm is used as a substrate. The substrate was ultrasonically washed with acetone, an aqueous alkali solution, ion-exchanged water, and isopropyl alcohol for 15 minutes each, then washed with boiled isopropyl alcohol for 10 minutes, and further UV-ozone cleaner (manufactured by Nippon Laser Electronics Co., Ltd., The last treatment was performed with “NL-UV253”).
Next, this substrate is fixed to the substrate folder of the vacuum deposition apparatus, and 200 mg of N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenylbenzidine (α-NPD) is put into an unglazed crucible in other different ways. 200 mg of tris (8-hydroxyquinola) aluminum (Alq 3 ) was put in an unglazed crucible, and the pressure in the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. Thereafter, the crucible containing α-NPD was heated and α-NPD was deposited on the substrate at a deposition rate of 15 Å / s to form a 600 正 孔 hole transport layer. Next, the crucible containing Alq 3 was heated to form a light emitting layer having a thickness of 600 Å at a deposition rate of 15 Å / s. Thereafter, the substrate on which the hole transport layer and the light emitting layer are formed is transferred to another vacuum vapor deposition apparatus, and 200 mg of lithium fluoride is added to the tungsten resistance heating boat in the vacuum vapor deposition apparatus, and the aluminum wire 1 is applied to another tungsten boat. 0.0 g was added. Then, after reducing the pressure in the vapor deposition unit of the vacuum vapor deposition apparatus to 2 × 10 −4 Pa and depositing 5 μm of lithium fluoride at a deposition rate of 0.2 kg / s, deposit 1000 μm of aluminum at a rate of 20 kg / s. did. The inside of the vapor deposition unit was returned to normal pressure with nitrogen, and the substrate on which the 10 mm × 10 mm organic EL elements were arranged was taken out.

(2)無機材料膜Aによる被覆
得られた有機EL素子が配置された基板の、該有機EL素子の全体を覆うように、13mm×13mmの開口部を有するマスクを設置し、プラズマCVD法にて無機材料膜Aを形成した。
無機材料膜Aは、原料ガスとしてSiHガス及び窒素ガスを用い、各々の流量を10sccm及び200sccmとし、RFパワーを10W(周波数2.45GHz)、チャンバー内温度を100℃、チャンバー内圧力を0.9Torrとする条件で形成した。
形成された無機材料膜Aの厚さは、約1μmであった。
(2) Coating with inorganic material film A A mask having an opening of 13 mm × 13 mm is installed on the substrate on which the obtained organic EL element is arranged so as to cover the entire organic EL element, and plasma CVD is used. Thus, an inorganic material film A was formed.
The inorganic material film A uses SiH 4 gas and nitrogen gas as source gases, the flow rates are 10 sccm and 200 sccm, the RF power is 10 W (frequency: 2.45 GHz), the chamber temperature is 100 ° C., and the chamber pressure is 0. The film was formed under the condition of 9 Torr.
The formed inorganic material film A had a thickness of about 1 μm.

(3)樹脂保護膜の形成
実施例及び比較例で得られた各静電塗布用硬化性樹脂組成物を、1mLのマイクロシリンジに充填した。上記マイクロシリンジにステンレス製注射針を装着し、シリンジポンプに設置した。注射針の先端には高圧電源の陽極を接続した。基板を設置する金属板に陰極を接続し、金属板の上に基板となる無アルカリガラス板(旭硝子社製、10cm角、0.7mm厚)を配置した。塗布条件は、注射針の先端から基板までの距離を5cmとし、印加電圧を10kV、シリンジポンプからの組成物の供給量を30μL/minとし、1分間塗布を行うことで1μmの膜を形成した。塗布した膜に405nmの可視光をLEDランプにて照射し、塗膜の硬化を行い、樹脂保護膜を形成した。なお、実施例8、14、16で得られた静電塗布用硬化性樹脂組成物を用いた場合は、405nmの可視光を照射する代わりに、365nmの紫外線をLEDランプにて照射して塗膜の硬化を行った。また、実施例9、10、17で得られた静電塗布用硬化性樹脂組成物を用いた場合は、405nmの可視光を照射する代わりに、100℃で60分間加熱して塗膜の硬化を行った。
(3) Formation of Resin Protective Film Each curable resin composition for electrostatic coating obtained in Examples and Comparative Examples was filled into a 1 mL microsyringe. A stainless syringe needle was attached to the microsyringe and installed in a syringe pump. A high voltage power source anode was connected to the tip of the injection needle. A cathode was connected to a metal plate on which the substrate was placed, and an alkali-free glass plate (Asahi Glass Co., Ltd., 10 cm square, 0.7 mm thickness) serving as the substrate was placed on the metal plate. The coating conditions were such that the distance from the tip of the injection needle to the substrate was 5 cm, the applied voltage was 10 kV, the composition supply from the syringe pump was 30 μL / min, and the coating was performed for 1 minute to form a 1 μm film. . The applied film was irradiated with visible light of 405 nm with an LED lamp, the coating film was cured, and a resin protective film was formed. When the curable resin composition for electrostatic coating obtained in Examples 8, 14, and 16 was used, instead of irradiating 405 nm visible light, it was irradiated with 365 nm ultraviolet light with an LED lamp. The film was cured. When the curable resin composition for electrostatic coating obtained in Examples 9, 10 and 17 was used, the coating film was cured by heating at 100 ° C. for 60 minutes instead of irradiating visible light of 405 nm. Went.

(4)無機材料膜Bによる被覆
樹脂保護膜が形成された有機EL素子が配置された基板の11mm×11mmの樹脂保護膜の全体を覆うように、12mm×12mmの開口部を有するマスクを設置し、プラズマCVD法にて無機材料膜Bを形成して電子デバイス(有機EL素子デバイス)を得た。
無機材料膜Bは、原料ガスとしてSiHガス及び窒素ガスを用い、各々の流量をSiHガス10sccm、窒素ガス200sccmとし、RFパワーを10W(周波数2.45GHz)、チャンバー内温度を100℃、チャンバー内圧力を0.9Torrとする条件で形成した。
形成された無機材料膜Bの厚さは、約1μmであった。
(4) A mask having an opening of 12 mm × 12 mm is installed so as to cover the entire 11 mm × 11 mm resin protective film of the substrate on which the organic EL element on which the coating resin protective film is formed by the inorganic material film B is disposed. And the inorganic material film | membrane B was formed by plasma CVD method, and the electronic device (organic EL element device) was obtained.
The inorganic material film B uses SiH 4 gas and nitrogen gas as source gases, the flow rates of each are SiH 4 gas 10 sccm, nitrogen gas 200 sccm, RF power is 10 W (frequency 2.45 GHz), chamber temperature is 100 ° C., It formed on the conditions which set the pressure in a chamber to 0.9 Torr.
The formed inorganic material film B had a thickness of about 1 μm.

(5)電子デバイスの発光状態
得られた電子デバイスをそれぞれ25℃、50%RHの条件下に24時間暴露した後、6Vの電圧を印加し、電子デバイスの発光状態(発光及びダークスポット、画素周辺消光の有無)を目視で観察し、ダークスポットや周辺消光が無く均一に発光した場合を「○」、僅かでもダークスポットや周辺消光が認められた場合を「×」として評価した。なお、比較例1、2で得られた静電塗布用硬化性樹脂組成物は、均一に塗布することができなかったため、電子デバイスを作製することができなかった。
(5) Luminous state of the electronic device The obtained electronic device was exposed for 24 hours under conditions of 25 ° C. and 50% RH, respectively, and then a voltage of 6 V was applied to illuminate the electronic device (light emitting and dark spots, pixels). The presence or absence of peripheral quenching was visually observed, and a case where no dark spots or peripheral quenching occurred and light was emitted uniformly was evaluated as “◯”, and a case where even a slight dark spot or peripheral quenching was observed was evaluated as “X”. In addition, since the curable resin composition for electrostatic coating obtained in Comparative Examples 1 and 2 could not be applied uniformly, an electronic device could not be produced.

Figure 0006391491
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本発明によれば、大気圧下にて均一な薄膜を効率よく形成させることができ、かつ、アウトガスの発生を抑制できる静電塗布用硬化性樹脂組成物を提供することができる。また、本発明によれば、該静電塗布用硬化性樹脂組成物を用いてなる樹脂保護膜、電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the uniform thin film can be formed efficiently under atmospheric pressure, and the curable resin composition for electrostatic coating which can suppress generation | occurrence | production of outgas can be provided. Moreover, according to this invention, the manufacturing method of the resin protective film which uses this curable resin composition for electrostatic coating, an electronic device, and an electronic device can be provided.

1 ノズル
2 塗布液
3 塗布液粒子
4 被塗布材
1 Nozzle 2 Coating liquid 3 Coating liquid particle 4 Material to be coated

Claims (11)

静電塗布法により有機薄膜素子上に塗布した後、光硬化及び/又は熱硬化させることにより有機薄膜素子上に樹脂保護膜を形成するための静電塗布用有機薄膜素子封止剤であって、
沸点が420℃未満及び/又は分子量が340未満であり、かつ、25℃で液状の硬化性化合物と、重合開始剤及び/又は熱硬化剤とを含有し、
前記沸点が420℃未満及び/又は分子量が340未満であり、かつ、25℃で液状の硬化性化合物は、エポキシ化合物、オキセタニル化合物、及び、ビニルエーテル化合物からなる群より選択される少なくとも1種である
ことを特徴とする静電塗布用有機薄膜素子封止剤
An organic thin film element encapsulant for electrostatic coating for forming a resin protective film on an organic thin film element by applying it onto an organic thin film element by an electrostatic coating method and then photocuring and / or heat curing. ,
A boiling point of less than 420 ° C. and / or a molecular weight of less than 340 and a liquid curable compound at 25 ° C., a polymerization initiator and / or a thermosetting agent ,
The curable compound having a boiling point of less than 420 ° C. and / or a molecular weight of less than 340 and liquid at 25 ° C. is at least one selected from the group consisting of epoxy compounds, oxetanyl compounds, and vinyl ether compounds. An organic thin film element encapsulant for electrostatic coating characterized by the above.
沸点が420℃以上であり、分子量が340以上であり、かつ、25℃で液状の硬化性化合物、25℃で固体の硬化性化合物、及び、25℃で固体の非硬化性化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項1記載の静電塗布用有機薄膜素子封止剤From the group consisting of a curable compound that has a boiling point of 420 ° C. or higher, a molecular weight of 340 or higher, and is liquid at 25 ° C., a curable compound that is solid at 25 ° C., and a non-curable compound that is solid at 25 ° C. The organic thin film element sealant for electrostatic coating according to claim 1, comprising at least one selected. 主鎖にアルキレンオキシド構造を有する硬化性化合物を含有することを特徴とする請求項1又は2記載の静電塗布用有機薄膜素子封止剤The organic thin film element sealant for electrostatic coating according to claim 1 or 2, wherein the main chain contains a curable compound having an alkylene oxide structure. 重合開始剤として、光カチオン重合開始剤及び/又は熱カチオン重合開始剤を含有することを特徴とする請求項1、2又は3記載の静電塗布用有機薄膜素子封止剤 4. The organic thin film element encapsulant for electrostatic coating according to claim 1, wherein the polymerization initiator contains a photocationic polymerization initiator and / or a thermal cationic polymerization initiator . 重合開始剤として、熱カチオン重合開始剤を含有することを特徴とする請求項4記載の静電塗布用有機薄膜素子封止剤The organic thin film element sealing agent for electrostatic coating according to claim 4 , comprising a thermal cationic polymerization initiator as the polymerization initiator . 電解質及び/又は導電性物質を含有することを特徴とする請求項1、2、3、4又は5記載の静電塗布用有機薄膜素子封止剤The organic thin film element encapsulant for electrostatic coating according to claim 1, comprising an electrolyte and / or a conductive substance. 25℃における体積固有抵抗が1010Ωcm以下であることを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載の静電塗布用有機薄膜素子封止剤The organic thin film element encapsulant for electrostatic coating according to claim 1 , wherein a volume resistivity at 25 ° C. is 10 10 Ωcm or less. 請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の静電塗布用有機薄膜素子封止剤を硬化させて得られることを特徴とする樹脂保護膜。 A resin protective film obtained by curing the organic thin film element sealant for electrostatic coating according to claim 1, 2, 3, 4, 6, or 7 . 請求項8記載の樹脂保護膜により有機薄膜素子を保護してなることを特徴とする電子デバイス。 An electronic device comprising an organic thin film element protected by the resin protective film according to claim 8 . 樹脂保護膜上に更に無機材料膜を積層してなることを特徴とする請求項9記載の電子デバイス。 The electronic device according to claim 9 , wherein an inorganic material film is further laminated on the resin protective film. 有機薄膜素子上に請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の静電塗布用有機薄膜素子封止剤を静電塗布法により塗布する工程と、塗布した静電塗布用硬化性樹脂組成物を硬化させて前記有機薄膜素子上に樹脂保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 Applying the organic thin film element sealant for electrostatic coating according to claim 1, 2, 3, 4 or 7 on the organic thin film element by an electrostatic coating method, and curing for applied electrostatic coating And a step of curing a functional resin composition to form a resin protective film on the organic thin film element.
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