JP6381815B2 - 電離放射線のシンチレーション検出器 - Google Patents
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Description
|d1・(4.3・xw−yw)+d2・(4.3・xb−yb)|≦1
に従い、厚さd1及びd2はナノメートルとされる。ヘテロ構造の活性領域におけるひずみの補償によって、ヘテロ構造のこの活性領域のサイズを増加させることができるため、検出される放射線の入射のための領域が拡大され、放射再結合のために放出される電子及びホールの数が増加し、この結果、シンチレーション検出器関数が改善される。
シンチレータの一部は、MOVPE技術によって調製されたGaNバッファ層2を有する多層半導体窒化物ヘテロ構造である。ヘテロ構造活性領域の品質及び関数にとって、活性領域におけるAlybInxbGa1-xb-ybNの障壁層4がエピタキシャル面におけるGaNバッファ層に適合した格子であることと同時に、ポテンシャル井戸の典型であるバンドギャップがより狭いAlywInxwGa1-xw-ywN層5が障壁層4と同じ偏光を有することは不可欠である。AlybInxbGa1-xb-ybN障壁層4は、In原子のおよそ4.3倍のAl原子(yb=4.3・xb)を含有するものとし、それによって、バッファ層に適合した格子が可能になる。
多層半導体ヘテロ構造は実施例1に従って調製された。そして、格子定数abがより小さい障壁層4の組成及び厚さd2は、格子定数aw及び厚さd1がより大きいポテンシャル井戸の典型である層5によって生じたひずみが、この実施例ではGaNで作製される格子パラメータa0を有する底層3に対して平衡がとられるような形で配置される。同時に、ピエゾ電界は、ポテンシャル井戸の典型である層4と層5との間で補償される(両方の型は同じ偏光を有する)。活性領域には、830℃の温度で調製された、より広いバンドギャップを有する層4とより狭いバンドギャップを有する層5とが交互に作製される。活性共役が繰り返される数は30である。層4のパラメータはAlybInxbGa1-xb-ybNであり、この場合、xb=0、yb=0.15であり、層の厚さd2は13nmである。層5のパラメータはAlywInxwGa1-xw-ywNであり、この場合、xw=0.13、yw=0.24であり、層の厚さd1は6nmである。
多層半導体ヘテロ構造は実施例1に従って調製された。そして、底層3は、ヘテロ構造活性領域の層におけるAl含有量の減少を可能にした、組成x=0.03のInxGa1-xN型の合金半導体で作製される。活性領域には、830℃の温度で調製された、より広いバンドギャップを有する層4とより狭いバンドギャップを有する層5とが交互に作製される。活性共役が繰り返される数は15である。層4のパラメータはAlybInxbGa1-xb-ybNであり、この場合、xb=0.02、yb=0.03であり、層4の厚さd2は8nmである。層5のパラメータはAlywInxwGa1-xw-ywN型であり、この場合、xw=0.08、yw=0.09であり、厚さd1は2nmである。
この構造(図3及び図6を参照)は実施例1に従って調製されるが、AlywInxwGa1-xw-ywNの組成を有する、バンドギャップがより狭い層5に、キャリア吸着層として薄いInxdGa1-xdNの層7が挿入される。この層7は、内部に電子及びホールを引っ張るため、ピエゾ電界が存在する場合でも電荷キャリアの波動関数のオーバーラップを改善し、それによって、活性領域におけるアルミニウム濃度を減少させることができる。
この構造(図3及び図6を参照)は実施例4に従って調製されるが、この構造は、層の組成及び厚さ、ならびに使用される基板の型が異なっている。
多層半導体ヘテロ構造は、ひずみが十分に補償された構造として実施例2に従って調製されたが、方位(111)でYAP基板上に調製され、Ce(0.17%)によってドープされた。該構造はまた、活性層4及び5の厚さが異なっており、この場合、組成がxb=0、yb=0.15のAlybInxbGa1-xb-ybNの障壁層4は厚さd2=11nmを有し、量子井戸の層5は厚さd1=5nm、及び組成xw=0.13、yw=0.24を有する。層の二重項が繰り返される数は30である。
多層半導体ヘテロ構造は、ひずみが十分に補償された構造として実施例6に従って調製されたが、方位(111)でYAP基板上に調製され、Nd(0.1%)によってドープされた。該構造はまた、活性層4及び5の厚さが異なっており、この場合、組成がxb=0、yb=0.15のAlybInxbGa1-xb-ybNの障壁層4は厚さd2=9nmを有し、量子井戸の層5は厚さd1=4nm、及び組成xw=0.13、yw=0.24を有する。層の二重項が繰り返される数は35である。
2 バッファ層
3 底部窒化物層
4 障壁層
5 ポテンシャル井戸の典型である層
6 最上部窒化物層
7 キャリア吸着層の典型である層
8 電子の波動関数
9 ホールの波動関数
10 伝導バンドのエッジ
11 価電子バンドのエッジ
d1 ポテンシャル井戸の典型である層の厚さ
d2 障壁層の厚さ
t1 底部窒化物層の厚さ
t2 最上部窒化物層の厚さ
t3 キャリア吸着層の典型である層の厚さ
t4 核形成層の厚さ
h ヘテロ構造活性部分の厚さ
Claims (9)
- 単結晶基板(1)を含み、該単結晶基板(1)上に、エピタキシによって、最小数で1つの窒化物半導体層(3、4、5、6)を前記単結晶基板(1)上で結合するために最小数で1つのバッファ層(2)が加えられ、前記窒化物半導体層は、0≦x<1、0≦y<1、及び0≦x+y≦1が有効であるAlyInxGa1-x-yNの一般的公式で示され、最小数で2つの窒化物半導体層(3、4)は層状ヘテロ構造において配置され、この構造は、電子及びホールの放射再結合のための最小数で1つのポテンシャル井戸を含有する、電離放射線、特に、電子、X線、または粒子放射線を検出するためシンチレーション検出器であって、
前記バッファ層(2)上に、最小数で1つの底部窒化物半導体層(3)が配置されており、前記底部窒化物半導体層(3)の上に、最小数で1つの活性共役の、主に同じ偏光の窒化物半導体層(3、4)が配置されており、該活性共役は、AlybInxbGa1-xb-ybN型の前記障壁層(4)から成り、xb≦xw及びyb≦ywが有効であるポテンシャル井戸の典型であるAlywInxwGa1-xw-ywN型の層(5)からできている、または、最小数で1つの活性共役の窒化物半導体層(4、5)に、ルミネセンス減衰時間を減少させるポテンシャル井戸の典型である、前記層(5)内で該層に接合するキャリア吸着層を作製するために、yd≦yw及びxd≧xw+0.3が有効である、厚さ(t3)が2nm未満のAlybInxbGa1-xb-ybN型の最小数で1つの層(7)が挿入され、前記基板(1)から離れる方向で一番上の活性共役の層(3、4)の上に、最小数で1つの最上部窒化物半導体層(6)が配置されている
ことを特徴とするシンチレーション検出器。 - 前記障壁層(4)及びポテンシャル井戸の典型である前記層(5)の組成及び厚さは、GaNバッファ層上で調製されたエピタキシャル面における張力の相互の補償についての関係|d1・(4.3・xw−yw)+d2・(4.3・xb−yb)|≦1に準拠し、厚さ(d1、d2)はナノメートルとされる
請求項1に記載のシンチレーション検出器。 - 前記ヘテロ構造の活性部分は、全体の厚さ(h)が200nmを超える、最小数で2つの活性共役の窒化物半導体層(4、5)を含む
請求項1または2に記載のシンチレーション検出器。 - 前記底部窒化物半導体層(3)はAlyInxGa1-x-yN型であり、0≦x<0.5及び0≦y<0.5が有効である
請求項1ないし3のいずれかに記載のシンチレーション検出器。 - 前記ヘテロ構造は、前記最上部窒化物半導体層(6)の外表面から最小数で1μmの深さへとIV族元素の原子がドープされる
請求項1ないし4のいずれかに記載のシンチレーション検出器。 - 1019cm-3までの濃度のシリコン原子に関係する
請求項5に記載のシンチレーション検出器。 - 前記単結晶基板(1)は、イットリウムアルミニウム灰チタン石、GaN単結晶形成、またはサファイア基による材料から製造されたものである
請求項1ないし6のいずれかに記載のシンチレーション検出器。 - 前記単結晶基板(1)は、前記バッファ層(2)がAlyInxGa1-x-yNで作製され、該層の厚さ(t4)が50nm未満である時、希土類元素がドープされるイットリウムアルミニウム灰チタン石によって作製されたものである
請求項7に記載のシンチレーション検出器。 - 前記希土類元素はセリウムによって表される
請求項8に記載のシンチレーション検出器。
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Family Cites Families (10)
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