JP6377541B2 - Flexible device manufacturing method and flexible device laminate - Google Patents
Flexible device manufacturing method and flexible device laminate Download PDFInfo
- Publication number
- JP6377541B2 JP6377541B2 JP2015008631A JP2015008631A JP6377541B2 JP 6377541 B2 JP6377541 B2 JP 6377541B2 JP 2015008631 A JP2015008631 A JP 2015008631A JP 2015008631 A JP2015008631 A JP 2015008631A JP 6377541 B2 JP6377541 B2 JP 6377541B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- adhesive layer
- ultraviolet rays
- element substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 229
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 118
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 110
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 93
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 67
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 7
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 88
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 26
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 23
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 15
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 10
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 8
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical class OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 2
- ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N (n-propan-2-yloxycarbonylanilino) acetate Chemical compound CC(C)OC(=O)N(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- PIRAJFSIUUNUPY-UHFFFAOYSA-N [Sn]=O.[In].[Sn]=O.[In] Chemical compound [Sn]=O.[In].[Sn]=O.[In] PIRAJFSIUUNUPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynemethyl(alumanylidynemethylalumanylidenemethylidene)alumane Chemical compound [Al]#C[Al]=C=[Al]C#[Al] CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本発明は、フレキシブルデバイスの製造方法、および、フレキシブルデバイス積層体に関する。 The present invention relates to a flexible device manufacturing method and a flexible device laminate.
有機ＥＬ（Electro Luminescence（エレクトロルミネッセンス））材料を用いた有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子）が、ディスプレイや照明装置等に利用されている。このような有機ＥＬデバイスに柔軟性を持たせてフレキシブル化することが考えれられている。
そこで、有機ＥＬ素子を支持する基板として、従来のガラス基板に代えて、可撓性を有するフレキシブル基板を用いることが考えられている。
An organic EL device (organic EL element) using an organic EL (Electro Luminescence) material is used for a display, a lighting device, or the like. It is considered that such an organic EL device is made flexible by being flexible.
In view of this, it has been considered to use a flexible substrate as a substrate for supporting the organic EL element instead of a conventional glass substrate.
フレキシブル基板を用いる場合には、基板上に素子を形成する際に、基板のハンドリング過程で生じるたわみ等によって、素子にダメージが生じる問題がある。そのため、フレキシブル基板をリジットな基板に固定してハンドリングすることが検討されている。 In the case of using a flexible substrate, there is a problem that the device is damaged due to deflection or the like generated in the process of handling the substrate when the device is formed on the substrate. For this reason, it has been studied to handle a flexible substrate fixed to a rigid substrate.
フレキシブル基板をリジット基板に固定する方法として、微粘着層を用いて、フレキシブル基板を固定する方法や、リジット基板上に直接、樹脂フィルムを形成する方法等が提案されている。
しかしながら、このようにフレキシブル基板をリジット基板に固定して素子を形成する場合には、フレキシブル基板とリジット基板との密着性を低く設計すると、ハンドリング中や素子形成中等に、フレキシブル基板がリジット基板から剥離するおそれがある。一方、フレキシブル基板とリジット基板との密着性を高く設計すると、素子形成後、フレキシブル基板をリジット基板から剥離する際に、素子が損傷するおそれがある。
また、微粘着層を用いる場合には、素子の形成の際などに熱が加えられると粘着性が低下して剥離するおそれがある。
As a method for fixing the flexible substrate to the rigid substrate, a method for fixing the flexible substrate using a slightly adhesive layer, a method for forming a resin film directly on the rigid substrate, and the like have been proposed.
However, when the element is formed by fixing the flexible substrate to the rigid substrate in this way, if the adhesion between the flexible substrate and the rigid substrate is designed to be low, the flexible substrate is removed from the rigid substrate during handling or element formation. There is a risk of peeling. On the other hand, if the adhesiveness between the flexible substrate and the rigid substrate is designed to be high, the device may be damaged when the flexible substrate is peeled off from the rigid substrate after the device is formed.
In the case of using a slightly adhesive layer, if heat is applied at the time of element formation, etc., there is a risk that the adhesiveness will be lowered and peeled off.
これに対して、特許文献１では、フレキシブル基板との高い密着性を有する接着物質膜を支持基板（リジット基板）上全体に亘って形成した上で、接着物質膜が形成された支持基板上にフレキシブル基板および電子素子を形成した後に、支持基板のフレキシブル基板が形成された面とは反対側の面にレーザ光を照射して、フレキシブル基板と接着物質膜との密着性を低下させて、支持基板からフレキシブル基板を剥離することが記載されている。 On the other hand, in patent document 1, after forming the adhesive substance film | membrane which has high adhesiveness with a flexible substrate over the whole support substrate (rigid board | substrate), on the support substrate in which the adhesive substance film | membrane was formed. After forming the flexible substrate and the electronic element, the surface of the support substrate opposite to the surface on which the flexible substrate is formed is irradiated with laser light to reduce the adhesion between the flexible substrate and the adhesive substance film, thereby supporting the substrate. It describes that a flexible substrate is peeled from a substrate.
ところで、有機ＥＬ素子等の有機材料からなる素子は、一般に、光や熱により劣化する。
そのため、特許文献１に記載されるように、素子を形成したフレキシブル基板を剥離する際に、レーザ光等の光を照射して粘着層の粘着力を低下させる構成では、素子への光の照射により素子が劣化してしまうという問題があった。
Incidentally, an element made of an organic material such as an organic EL element generally deteriorates due to light or heat.
Therefore, as described in Patent Document 1, when the flexible substrate on which the element is formed is peeled off, the element is irradiated with light such as laser light to reduce the adhesive force of the adhesive layer. As a result, there is a problem that the element deteriorates.
また、レーザ光を照射して粘着層の粘着力を低下させた場合には、粘着層とリジット基板との間の密着力も低下するため、フレキシブル基板を剥離する際に、フレキシブル基板と粘着層との界面で確実に剥離させることができず、粘着層とリジット基板との間で剥離してフレキシブル基板に粘着層が残ってしまうという問題があった。
この点について、特許文献２には、粘着層とフレキシブル基板との界面で剥離する薄膜基板の製造方法が記載されているものの、粘着層とフレキシブル基板との界面で剥離させるための具体的な構成については言及されていない。
In addition, when the adhesive force of the adhesive layer is reduced by irradiating the laser beam, the adhesive force between the adhesive layer and the rigid substrate also decreases, so when peeling the flexible substrate, the flexible substrate and the adhesive layer There is a problem that the adhesive layer cannot be reliably peeled off at the interface, and the adhesive layer is peeled off between the adhesive layer and the rigid substrate and the adhesive layer remains on the flexible substrate.
In this regard, Patent Document 2 describes a manufacturing method of a thin film substrate that peels at the interface between the adhesive layer and the flexible substrate, but a specific configuration for peeling at the interface between the adhesive layer and the flexible substrate. Is not mentioned.
本発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決することにあり、フレキシブル基板上に有機素子を形成する際に、有機素子の損傷を防止でき、また、フレキシブル基板への粘着層残りを防止することができるフレキシブルデバイスの製造方法およびフレキシブルデバイス積層体を提供することにある。 An object of the present invention is to solve such problems of the prior art, and when an organic element is formed on a flexible substrate, the organic element can be prevented from being damaged, and the adhesive layer remaining on the flexible substrate can be prevented. It is providing the manufacturing method of a flexible device which can prevent, and a flexible device laminated body.
本発明者は、上記課題を達成すべく鋭意研究した結果、可撓性を有する素子基板と、紫外線の照射により粘着力が低下する第１の粘着層と、紫外線を透過させる第２の粘着層と、素子基板よりも可撓性が低い支持体とをこの順に積層してなる積層体を準備する準備工程と、積層体の素子基板上に、有機素子を形成する素子形成工程と、積層体の支持体側から紫外線を照射して、第１の粘着層の粘着力を低下させる紫外線照射工程と、粘着力が低下した第１の粘着層との界面で、有機素子が形成された素子基板を剥離する剥離工程とを有し、素子基板は、紫外線を吸収する機能を備えており、紫外線照射工程の際に、紫外線を吸収して、有機素子に紫外線が到達するのを抑制することにより、フレキシブル基板上に有機素子を形成する際に、有機素子の損傷を防止でき、また、フレキシブル基板への粘着層残りを防止することができることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は以下の構成のフレキシブルデバイスの製造方法、および、フレキシブルデバイス積層体を提供する。
As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned problems, the present inventor has found that a flexible element substrate, a first adhesive layer whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays, and a second adhesive layer that transmits ultraviolet rays. And a preparation step of preparing a laminate formed by laminating a support body having lower flexibility than the element substrate in this order, an element formation step of forming an organic element on the element substrate of the laminate, and a laminate An element substrate on which an organic element is formed at an interface between an ultraviolet irradiation process of irradiating ultraviolet rays from the support side of the first substrate to reduce the adhesive strength of the first adhesive layer and the first adhesive layer having reduced adhesive strength. The element substrate has a function of absorbing ultraviolet rays, and absorbs ultraviolet rays during the ultraviolet irradiation process, thereby suppressing the arrival of ultraviolet rays to the organic element, Useful when forming organic elements on flexible substrates. Can prevent damage to the device, also found that it is possible to prevent the adhesive layer remaining on the flexible substrate, thereby completing the present invention.
That is, this invention provides the manufacturing method of the flexible device of the following structures, and a flexible device laminated body.
（１） 可撓性を有する素子基板と、紫外線の照射により粘着力が低下する第１の粘着層と、紫外線を透過させる第２の粘着層と、素子基板よりも可撓性が低い支持体とをこの順に積層してなる積層体を準備する準備工程と、
積層体の素子基板上に、有機素子を形成する素子形成工程と、
積層体の支持体側から紫外線を照射して、第１の粘着層の粘着力を低下させる紫外線照射工程と、
粘着力が低下した第１の粘着層との界面で、有機素子が形成された素子基板を剥離する剥離工程とを有し、
素子基板は、紫外線を吸収する機能を備えており、紫外線照射工程の際に、紫外線を吸収して、有機素子に紫外線が到達するのを抑制するフレキシブルデバイスの製造方法。
（２） 素子基板は、紫外線を吸収する樹脂材料からなる（１）に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（３） 素子基板は、紫外線を吸収する材料を添加した樹脂材料からなる（１）に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（４） 素子基板は、紫外線を吸収する紫外線吸収層と樹脂フィルムとを有する（１）に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（５） 素子基板は、ガスバリア層とガスバリア基板とを有するガスバリアフィルムであり、ガスバリア基板が紫外線を吸収する機能を備える（１）〜（４）のいずれかに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（６） 紫外線照射工程後の第１の粘着層の粘着力が、紫外線照射工程前の第１の粘着層の粘着力の３０％以下である（１）〜（５）のいずれかに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（７） 可撓性を有し、紫外線を吸収する機能を備える素子基板と、
紫外線の照射により粘着力が低下する第１の粘着層と、
紫外線を透過させる第２の粘着層と、
素子基板よりも可撓性が低い支持体とをこの順に積層してなる積層体、および、
素子基板の第１の粘着層が積層される面とは反対側の面に積層される有機素子を有するフレキシブルデバイス積層体。
（８） 素子基板が、紫外線を吸収する樹脂材料からなる（７）に記載のフレキシブルデバイス積層体。
（９） 素子基板は、紫外線を吸収する材料を混錬分散した樹脂材料からなる（７）に記載のフレキシブルデバイス積層体。
（１０） 素子基板は、紫外線を吸収する紫外線吸収層と樹脂フィルムとを有する（７）に記載のフレキシブルデバイス積層体。
（１１） 素子基板は、ガスバリア層とガスバリア基板とを有するガスバリアフィルムであり、ガスバリア基板が紫外線を吸収する機能を備える（７）〜（１０）のいずれかに記載のフレキシブルデバイス積層体。
(1) A flexible element substrate, a first adhesive layer whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays, a second adhesive layer that transmits ultraviolet rays, and a support that is less flexible than the element substrate And a preparation step of preparing a laminate formed by laminating
An element formation step of forming an organic element on the element substrate of the laminate;
An ultraviolet irradiation step of irradiating ultraviolet rays from the support side of the laminate to reduce the adhesive strength of the first adhesive layer;
A peeling step of peeling the element substrate on which the organic element is formed at the interface with the first adhesive layer having reduced adhesive strength,
The element substrate has a function of absorbing ultraviolet rays, and a method for manufacturing a flexible device that absorbs ultraviolet rays and suppresses the arrival of ultraviolet rays at an organic element during an ultraviolet irradiation process.
(2) The method for manufacturing a flexible device according to (1), wherein the element substrate is made of a resin material that absorbs ultraviolet rays.
(3) The method for manufacturing a flexible device according to (1), wherein the element substrate is made of a resin material to which a material that absorbs ultraviolet rays is added.
(4) The method for manufacturing a flexible device according to (1), wherein the element substrate includes an ultraviolet absorbing layer that absorbs ultraviolet rays and a resin film.
(5) The element substrate is a gas barrier film having a gas barrier layer and a gas barrier substrate, and the flexible device manufacturing method according to any one of (1) to (4), wherein the gas barrier substrate has a function of absorbing ultraviolet rays.
(6) The adhesive strength of the first adhesive layer after the ultraviolet irradiation step is 30% or less of the adhesive strength of the first adhesive layer before the ultraviolet irradiation step, according to any one of (1) to (5). A manufacturing method of a flexible device.
(7) an element substrate having flexibility and a function of absorbing ultraviolet rays;
A first adhesive layer whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays;
A second adhesive layer that transmits ultraviolet light;
A laminate formed by laminating a support body having lower flexibility than the element substrate in this order; and
The flexible device laminated body which has an organic element laminated | stacked on the surface on the opposite side to the surface where the 1st adhesion layer of an element substrate is laminated | stacked.
(8) The flexible device laminate according to (7), wherein the element substrate is made of a resin material that absorbs ultraviolet rays.
(9) The flexible device laminate according to (7), wherein the element substrate is made of a resin material obtained by kneading and dispersing a material that absorbs ultraviolet rays.
(10) The flexible device laminate according to (7), wherein the element substrate includes an ultraviolet absorbing layer that absorbs ultraviolet rays and a resin film.
(11) The flexible device laminate according to any one of (7) to (10), wherein the element substrate is a gas barrier film having a gas barrier layer and a gas barrier substrate, and the gas barrier substrate has a function of absorbing ultraviolet rays.
このような本発明によれば、フレキシブル基板上に有機素子を形成する際に、有機素子の損傷を防止でき、また、フレキシブル基板への粘着層残りを防止することができるフレキシブルデバイスの製造方法、および、フレキシブルデバイス積層体を提供することができる。 According to such this invention, when forming an organic element on a flexible substrate, damage to an organic element can be prevented, and the manufacturing method of the flexible device which can prevent the adhesion layer remainder to a flexible substrate, And a flexible device laminated body can be provided.
以下、本発明のフレキシブルデバイスの製造方法、および、フレキシブルデバイス積層体について、添付の図面に示される好適実施例を基に、詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
Hereinafter, the manufacturing method of a flexible device of the present invention and the flexible device laminate will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
The description of the constituent elements described below may be made based on typical embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments.
In the present specification, a numerical range expressed using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.
図１は、本発明のフレキシブルデバイスの製造方法で作製するフレキシブルデバイスの一例を概念的に示す断面図である。 FIG. 1 is a sectional view conceptually showing an example of a flexible device manufactured by the method for manufacturing a flexible device of the present invention.
図１に示すフレキシブルデバイス１４は、可撓性を有する素子基板２６上に有機材料からなる素子（有機素子）２８が形成されたものである。
図示例においては、好ましい態様として、素子基板２６は、ガスバリアフィルムであり、主にガスバリア性を発現するガスバリア層３２と、ガスバリア層３２を支持するガスバリア基板３０とを有する。
A flexible device 14 shown in FIG. 1 is obtained by forming an element (organic element) 28 made of an organic material on an element substrate 26 having flexibility.
In the illustrated example, as a preferred embodiment, the element substrate 26 is a gas barrier film, and includes a gas barrier layer 32 that mainly exhibits gas barrier properties and a gas barrier substrate 30 that supports the gas barrier layer 32.
また、有機素子２８は、有機材料からなる電子素子であり、有機ＥＬ素子、有機太陽電池、有機トランジスタ、有機半導体センサー等が例示される。
これらの材料、寸法等については後に詳述する。
The organic element 28 is an electronic element made of an organic material, and examples thereof include an organic EL element, an organic solar battery, an organic transistor, and an organic semiconductor sensor.
These materials, dimensions, etc. will be described in detail later.
次に、本発明のフレキシブルデバイスの製造方法について、詳細に説明する。
本発明のフレキシブルデバイスの製造方法（以下、『本発明の製造方法』ともいう）は、
可撓性を有し、紫外線を吸収する機能を備える素子基板と、紫外線の照射により粘着力が低下する第１の粘着層と、紫外線を透過させる第２の粘着層と、素子基板よりも可撓性が低い支持体とをこの順に積層してなる積層体を準備する準備工程と、
積層体の素子基板上に、有機素子を形成する素子形成工程と、
積層体の支持体側から紫外線を照射して、第１の粘着層の粘着力を低下させる紫外線照射工程と、
粘着力が低下した第１の粘着層との界面で、有機素子が形成された素子基板を剥離する剥離工程とを有する、フレキシブルデバイスの製造方法である。
Next, the manufacturing method of the flexible device of this invention is demonstrated in detail.
The manufacturing method of the flexible device of the present invention (hereinafter also referred to as “the manufacturing method of the present invention”)
It is more flexible than an element substrate having flexibility and a function of absorbing ultraviolet rays, a first adhesive layer whose adhesive strength is reduced by irradiation of ultraviolet rays, a second adhesive layer that transmits ultraviolet rays, and an element substrate. A preparation step of preparing a laminate formed by laminating a support body having low flexibility in this order;
An element formation step of forming an organic element on the element substrate of the laminate;
An ultraviolet irradiation step of irradiating ultraviolet rays from the support side of the laminate to reduce the adhesive strength of the first adhesive layer;
And a peeling step of peeling the element substrate on which the organic element is formed at the interface with the first adhesive layer having reduced adhesive strength.
以下、本発明の製造方法について、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）を用いて説明した後に、各工程について詳細に説明する。
図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、フレキシブルデバイスの製造方法の好適な実施態様の一例を説明するための模式的な断面図である。
本発明のフレキシブルデバイスの製造方法は、まず、準備工程において、図２（Ａ）に示すような、可撓性を有する素子基板２６を粘着層を介して支持体２０に固定した積層体１０を準備する。
本発明において、積層体１０の粘着層は、素子基板２６側の第１の粘着層２４と、支持体２０側の第２の粘着層２２との２層からなり、第１の粘着層２４は、紫外線（ＵＶ）の照射によって粘着力が低下するもので、第２の粘着層２２は、紫外線を透過するものである。
また、素子基板２６は、紫外線を吸収する機能を備えるものである。
Hereinafter, after explaining the manufacturing method of the present invention using Drawing 2 (A)-Drawing 2 (D), each process is explained in detail.
FIG. 2A to FIG. 2D are schematic cross-sectional views for explaining an example of a preferred embodiment of a method for manufacturing a flexible device.
In the manufacturing method of the flexible device of the present invention, first, in the preparation step, the laminate 10 in which a flexible element substrate 26 is fixed to the support 20 via an adhesive layer as shown in FIG. prepare.
In the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer of the laminate 10 is composed of two layers, a first pressure-sensitive adhesive layer 24 on the element substrate 26 side and a second pressure-sensitive adhesive layer 22 on the support body 20 side. The adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays (UV), and the second adhesive layer 22 transmits ultraviolet rays.
The element substrate 26 has a function of absorbing ultraviolet rays.
次に、図２（Ｂ）に示すように、素子形成工程において、準備工程で準備した積層体１０の素子基板２６上に、有機素子２８を形成する。図２（Ｂ）に示す、積層体１０の上に有機素子２８を形成したものが、本発明におけるフレキシブルデバイス積層体である。
すなわち、図２（Ｂ）に示すフレキシブルデバイス積層体１２は、本発明における、可撓性を有し、紫外線を吸収する機能を備える素子基板と、紫外線の照射により粘着力が低下する第１の粘着層と、紫外線を透過させる第２の粘着層と、素子基板よりも可撓性が低い支持体とをこの順に積層してなる積層体、および、素子基板の第１の粘着層が積層される面とは反対側の面に積層される有機素子を有するフレキシブルデバイス積層体である。
Next, as shown in FIG. 2B, in the element formation step, an organic element 28 is formed on the element substrate 26 of the stacked body 10 prepared in the preparation step. What formed the organic element 28 on the laminated body 10 shown to FIG. 2 (B) is the flexible device laminated body in this invention.
That is, the flexible device laminate 12 shown in FIG. 2B is a flexible element substrate having the function of absorbing ultraviolet rays in the present invention, and the first adhesive force is reduced by irradiation with ultraviolet rays. A laminate comprising a pressure-sensitive adhesive layer, a second pressure-sensitive adhesive layer that transmits ultraviolet rays, and a support that is less flexible than the element substrate in this order, and a first pressure-sensitive adhesive layer of the element substrate are laminated. It is a flexible device laminated body which has an organic element laminated | stacked on the surface on the opposite side to a surface to be.
有機素子２８を形成した後には、図２（Ｃ）に示すように、紫外線照射工程において、フレキシブルデバイス積層体１２の支持体２０側から所定量の紫外線を照射する。照射された紫外線は支持体２０および第２の粘着層２２を透過して、第１の粘着層２４に到達する。第１の粘着層２４は、紫外線の照射により粘着力が低下する。
また、素子基板２６に到達した紫外線は、素子基板２６により吸収される。そのため、紫外線は、有機素子２８には到達しない。
After the organic element 28 is formed, as shown in FIG. 2C, a predetermined amount of ultraviolet rays is irradiated from the support 20 side of the flexible device laminate 12 in the ultraviolet irradiation step. The irradiated ultraviolet rays pass through the support 20 and the second adhesive layer 22 and reach the first adhesive layer 24. The adhesive force of the first adhesive layer 24 is reduced by irradiation with ultraviolet rays.
Further, the ultraviolet rays that reach the element substrate 26 are absorbed by the element substrate 26. Therefore, ultraviolet rays do not reach the organic element 28.
紫外線照射工程の後には、図２（Ｄ）に示すように、剥離工程において、粘着力が低下した第１の粘着層２４との界面で、有機素子２８が形成された素子基板２６を剥離する。すなわち、剥離されたものが、フレキシブルデバイス１４である。
以上のようにして、フレキシブルデバイス１４が作製される。
After the ultraviolet irradiation step, as shown in FIG. 2D, in the peeling step, the element substrate 26 on which the organic element 28 is formed is peeled off at the interface with the first adhesive layer 24 whose adhesive strength has decreased. . That is, the peeled device is the flexible device 14.
As described above, the flexible device 14 is manufactured.
前述のとおり、フレキシブルな素子基板上に素子を形成するために、素子基板をリジットな支持体に固定して素子を形成した後に、素子基板を支持体から剥離する際に、レーザ光等の光を照射して、素子基板と支持体との間の粘着層の粘着力を低下させて剥離することが提案されている。
しかしながら、有機ＥＬ素子等の有機材料からなる有機素子は、光や熱により劣化するため、有機素子を形成した素子基板を剥離する際に、レーザ光等の光を照射して粘着層の粘着力を低下させる構成では、有機素子への光の照射により有機素子が劣化してしまうという問題があった。
また、粘着層の粘着力を低下させて剥離する場合には、粘着層と支持体との間の粘着力も低下するため、素子基板を剥離する際に、素子基板と粘着層との界面で確実に剥離させることができず、粘着層と支持体との間で剥離して素子基板に粘着層が残ってしまうという問題があった。
As described above, in order to form an element on a flexible element substrate, after forming the element by fixing the element substrate to a rigid support, light such as laser light is peeled off when the element substrate is peeled from the support. It has been proposed that the adhesive layer of the adhesive layer between the element substrate and the support is lowered to reduce the adhesive force and peel off.
However, an organic element made of an organic material such as an organic EL element is deteriorated by light or heat. Therefore, when the element substrate on which the organic element is formed is peeled off, the adhesive force of the adhesive layer is irradiated with light such as laser light. In the configuration in which the organic element is lowered, there is a problem that the organic element is deteriorated by the light irradiation to the organic element.
In addition, when the adhesive layer is peeled off with a reduced adhesive strength, the adhesive strength between the adhesive layer and the support also decreases. Therefore, when peeling the element substrate, it is ensured at the interface between the element substrate and the adhesive layer. There is a problem that the adhesive layer cannot be peeled off, and the pressure-sensitive adhesive layer is peeled off between the pressure-sensitive adhesive layer and the support so that the pressure-sensitive adhesive layer remains on the element substrate.
これに対して、本発明では、素子基板２６が紫外線を吸収する機能を備えるので、紫外線照射工程において、フレキシブルデバイス積層体１２に紫外線を照射した際に、紫外線の一部は第１の粘着層２４を透過して素子基板２６に到達するものの、紫外線は、素子基板２６を透過せずに吸収される。これにより、素子基板２６上に形成された有機素子２８に、紫外線が到達するのが抑制され、有機素子が劣化するのを防止できる。
また、本発明は、紫外線の照射により粘着力が低下する第１の粘着層の、素子基板２６と接する面とは反対側の面には、第２の粘着層２２が積層されているので、第１の粘着層２４の粘着力が低下しても、第１の粘着層２４と第２の粘着層２２との間は、第２の粘着層２２の粘着力により、高い粘着力で接着される。従って、剥離工程において、素子基板２６（フレキシブルデバイス１４）を剥離する際に、第１の粘着層２４は、第２の粘着層２２側に残り、素子基板２６と第１の粘着層２４との界面で確実に剥離され、素子基板２６に粘着層が残ってしまうことを確実に防止できる。
On the other hand, in the present invention, since the element substrate 26 has a function of absorbing ultraviolet rays, in the ultraviolet irradiation process, when the flexible device laminate 12 is irradiated with ultraviolet rays, a part of the ultraviolet rays is the first adhesive layer. Although passing through 24 and reaching the element substrate 26, the ultraviolet rays are absorbed without passing through the element substrate 26. Thereby, it is possible to prevent ultraviolet rays from reaching the organic element 28 formed on the element substrate 26 and to prevent the organic element from deteriorating.
In the present invention, since the second adhesive layer 22 is laminated on the surface of the first adhesive layer whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays, on the side opposite to the surface in contact with the element substrate 26, Even if the adhesive force of the first adhesive layer 24 is reduced, the first adhesive layer 24 and the second adhesive layer 22 are bonded with high adhesive force by the adhesive force of the second adhesive layer 22. The Therefore, in the peeling process, when the element substrate 26 (flexible device 14) is peeled off, the first adhesive layer 24 remains on the second adhesive layer 22 side, and the element substrate 26 and the first adhesive layer 24 are separated from each other. It can be reliably prevented that the adhesive layer is peeled off at the interface and the adhesive layer remains on the element substrate 26.
次に、各工程について詳細に説明する。
準備工程は、図２（Ａ）に示すような積層体１０を準備する工程である。
図２（Ａ）に示す積層体１０は、支持体２０と、第２の粘着層２２と、第１の粘着層２４と、素子基板２６とをこの順に積層してなる積層体である。
Next, each step will be described in detail.
A preparation process is a process of preparing the laminated body 10 as shown to FIG. 2 (A).
The laminated body 10 shown to FIG. 2 (A) is a laminated body formed by laminating | stacking the support body 20, the 2nd adhesion layer 22, the 1st adhesion layer 24, and the element substrate 26 in this order.
素子基板２６は、可撓性を有し、その表面に有機素子２８が形成されるものであり、本発明の製造方法で作製されるフレキシブルデバイス１４を構成するものである。
ここで、本発明において、素子基板２６は、紫外線を吸収する機能を備えるものであり、紫外線照射工程において、照射する紫外線が有機素子に達するのを抑制する。
The element substrate 26 has flexibility, and the organic element 28 is formed on the surface thereof, and constitutes the flexible device 14 manufactured by the manufacturing method of the present invention.
Here, in the present invention, the element substrate 26 has a function of absorbing ultraviolet rays, and suppresses the irradiated ultraviolet rays from reaching the organic element in the ultraviolet irradiation process.
素子基板２６の紫外線の透過率は、１０％以下であるのが好ましく、５％以下であるのがより好ましく、１％以下であるのが特に好ましい。
素子基板２６の紫外線透過率を上記範囲とすることで、紫外線照射工程において、照射する紫外線が有機素子に達するのをより確実に抑制することができる。
なお、本発明において、紫外線とは、３００ｎｍ〜３８０ｎｍの波長の電磁波である。
また、紫外線透過率は、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製）を用いて、３００ｎｍ〜３８０ｎｍまで測定した各波長の透過率から、ＪＩＳ Ａ５７５９に記載の方法に基づいて求めた値である。
The ultraviolet ray transmittance of the element substrate 26 is preferably 10% or less, more preferably 5% or less, and particularly preferably 1% or less.
By setting the ultraviolet transmittance of the element substrate 26 in the above range, it is possible to more reliably suppress the irradiated ultraviolet rays from reaching the organic element in the ultraviolet irradiation step.
In the present invention, ultraviolet rays are electromagnetic waves having a wavelength of 300 nm to 380 nm.
Further, the ultraviolet transmittance is a value obtained from the transmittance of each wavelength measured from 300 nm to 380 nm using an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation) based on the method described in JIS A5759. .
図示例においては、素子基板２６は、ガスバリア層３２とガスバリア基板３０とを有してなるガスバリアフィルムであり、ガスバリア基板３０が紫外線を吸収する機能を備える。
ガスバリア基板３０は、紫外線を吸収する機能を備えるために、紫外線を吸収する樹脂材料により構成されてもよく、あるいは、ガスバリア基板３０は、樹脂材料中に、紫外線を吸収する吸収剤を添加する構成としてもよい。
In the illustrated example, the element substrate 26 is a gas barrier film including a gas barrier layer 32 and a gas barrier substrate 30, and the gas barrier substrate 30 has a function of absorbing ultraviolet rays.
Since the gas barrier substrate 30 has a function of absorbing ultraviolet rays, the gas barrier substrate 30 may be made of a resin material that absorbs ultraviolet rays. Alternatively, the gas barrier substrate 30 is configured to add an absorbent that absorbs ultraviolet rays to the resin material. It is good.
ガスバリア基板３０を形成する樹脂材料自体が紫外線を吸収する構成の場合の、紫外線を吸収する樹脂材料としては、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）等が好適に用いられる。 When the resin material forming the gas barrier substrate 30 absorbs ultraviolet rays, polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI), or the like is suitably used as the resin material that absorbs ultraviolet rays.
ガスバリア基板３０を形成する樹脂材料に紫外線を吸収する吸収剤を添加する構成の場合の、紫外線吸収剤としては、無機系吸収剤として、酸化亜鉛、酸化チタン、三酸化タングステン、酸化セリウム、チタン酸ストロンチウム等が好適に用いられ、これらの粒子等を樹脂材料中に添加すればよい。ただし、これらの粒子等を用いる場合は、十分な可視光の透過率を確保するために、分散粒径を小さくするのが好ましく、１００ｎｍ以下のサイズが好適に用いられる。あるいは、有機系吸収剤として、ベンゾトリアゾール類、ヒドキシベンゾフェノン類等が好適に用いられる。
また、紫外線を吸収する材料を添加する構成の場合には、ガスバリア基板３０を形成する樹脂材料としては、上記の紫外線を吸収する樹脂材料以外に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、シクロオレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、および、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等の、有機素子の基板として用いられている公知の材料が、各種、利用可能である。
In the case where an absorber that absorbs ultraviolet rays is added to the resin material forming the gas barrier substrate 30, the ultraviolet absorber includes zinc oxide, titanium oxide, tungsten trioxide, cerium oxide, titanic acid as an inorganic absorbent. Strontium or the like is preferably used, and these particles and the like may be added to the resin material. However, when these particles are used, it is preferable to reduce the dispersed particle size in order to ensure sufficient visible light transmittance, and a size of 100 nm or less is suitably used. Alternatively, benzotriazoles, hydroxybenzophenones and the like are preferably used as the organic absorbent.
In the case of adding a material that absorbs ultraviolet rays, the resin material for forming the gas barrier substrate 30 may be polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyethylene, as well as the resin material that absorbs ultraviolet rays. Known as a substrate for organic devices such as methyl methacrylate resin (PMMA), cycloolefin copolymer (COC), cycloolefin polymer (COP), triacetyl cellulose (TAC), polyvinyl alcohol (PVA), etc. Various materials can be used.
ガスバリア基板３０の厚さは、ガスバリア基板３０の形成材料、有機素子の保持性、および、フレキシブルデバイス１４として求められる可撓性等のフレキシブルデバイスの設計条件等に応じて、適宜設定すればよい。
上記観点から、ガスバリア基板３０の厚さは、１０μｍ〜２００μｍが好ましく、２０μｍ〜１５０μｍがより好ましい。
The thickness of the gas barrier substrate 30 may be set as appropriate according to the material for forming the gas barrier substrate 30, the retainability of the organic elements, the design conditions of the flexible device such as flexibility required for the flexible device 14, and the like.
From the above viewpoint, the thickness of the gas barrier substrate 30 is preferably 10 μm to 200 μm, and more preferably 20 μm to 150 μm.
ガスバリア層３２は、ガスバリア基板３０上に積層される、主にガスバリア性を発現する層である。
ガスバリア層３２としては、所望のガスバリア性を発現するものであれば、特に限定はなく、公知のガスバリアフィルムにおけるガスバリア層が各種利用可能である。
ガスバリア層３２は、少なくとも１層の無機層を有するものが好適に用いられ、無機層と、この無機層の下地となる有機層との組み合わせを１以上有する構成がより好適に用いられる。
また、ガスバリア層３２は、最表層が無機層であっても有機層であってもよい。
The gas barrier layer 32 is a layer that is stacked on the gas barrier substrate 30 and mainly exhibits gas barrier properties.
The gas barrier layer 32 is not particularly limited as long as it exhibits a desired gas barrier property, and various types of gas barrier layers in known gas barrier films can be used.
As the gas barrier layer 32, one having at least one inorganic layer is preferably used, and a structure having at least one combination of an inorganic layer and an organic layer serving as a base of the inorganic layer is more preferably used.
The gas barrier layer 32 may be an inorganic layer or an organic layer as the outermost layer.
無機層としては、ガスバリア性を発現する、酸化物、窒化物、酸窒化物等の無機化合物からなる膜が、各種、利用可能である。
具体的には、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの金属酸化物； 窒化アルミニウムなどの金属窒化物； 炭化アルミニウムなどの金属炭化物； 酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸化窒化炭化ケイ素などのケイ素酸化物； 窒化ケイ素、窒化炭化ケイ素などのケイ素窒化物； 炭化ケイ素等のケイ素炭化物； これらの水素化物； これら２種以上の混合物； および、これらの水素含有物等の、無機化合物からなる膜が、好適に例示される。
特に、透明性が高く、かつ、優れたガスバリア性を発現できる点で、ケイ素酸化物、ケイ素窒化物、ケイ素酸窒化物およびケイ素酸化物等のケイ素化合物からなる膜は、好適に例示される。その中でも特に、窒化ケイ素からなる膜は、より優れたガスバリア性に加え、透明性も高く、好適に例示される。
As the inorganic layer, various kinds of films made of an inorganic compound such as oxide, nitride, oxynitride and the like that exhibit gas barrier properties can be used.
Specifically, metal oxides such as aluminum oxide, magnesium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, and indium tin oxide (ITO); metal nitrides such as aluminum nitride; metal carbides such as aluminum carbide; silicon oxide, Silicon oxides such as silicon oxynitride, silicon oxycarbide and silicon oxynitride carbide; silicon nitrides such as silicon nitride and silicon nitride carbide; silicon carbides such as silicon carbide; hydrides thereof; mixtures of two or more of these; and Films made of inorganic compounds such as these hydrogen-containing materials are preferably exemplified.
In particular, a film made of a silicon compound such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride and silicon oxide is preferably exemplified in that it has high transparency and can exhibit excellent gas barrier properties. Among these, in particular, a film made of silicon nitride is preferable because it has high transparency in addition to more excellent gas barrier properties.
無機層の厚さは、形成材料に応じて、目的とするガスバリア性を発現できる厚さを、適宜、決定すればよい。なお、本発明者の検討によれば、バリア性、可撓性、耐久性等の観点から、無機層の厚さは、１０〜２００ｎｍとするのが好ましい。 What is necessary is just to determine the thickness which can express the target gas barrier property suitably according to the forming material as the thickness of an inorganic layer. In addition, according to examination of this inventor, it is preferable that the thickness of an inorganic layer shall be 10-200 nm from viewpoints, such as barrier property, flexibility, durability.
また、無機層は、形成材料に応じて、公知の方法で形成すればよい。具体的には、ＣＣＰ（CapacitivelyCoupled Plasma 容量結合プラズマ）−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）やＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma 誘導結合プラズマ）−ＣＶＤ等のプラズマＣＶＤ、マグネトロンスパッタリングや反応性スパッタリング等のスパッタリング、真空蒸着など、気相堆積法が好適に例示される。 Moreover, what is necessary is just to form an inorganic layer by a well-known method according to a forming material. Specifically, CCP (Capacitively Coupled Plasma) -CVD (Chemical Vapor Deposition) or ICP (Inductively Coupled Plasma) -CVD or other plasma CVD, magnetron sputtering or reactive sputtering, vacuum deposition, etc. The vapor deposition method is preferably exemplified.
有機層の形成材料としては、各種の有機化合物（樹脂／高分子化合物）が、利用可能である。
具体的には、ポリエステル、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、アクリロイル化合物、などの熱可塑性樹脂、あるいはポリシロキサン、その他の有機ケイ素化合物の膜が好適に例示される。これらは、複数を併用してもよい。
Various organic compounds (resins / polymer compounds) can be used as the material for forming the organic layer.
Specifically, polyester, acrylic resin, methacrylic resin, methacrylic acid-maleic acid copolymer, polystyrene, transparent fluororesin, polyimide, fluorinated polyimide, polyamide, polyamideimide, polyetherimide, cellulose acylate, polyurethane, poly Ether ether ketone, polycarbonate, alicyclic polyolefin, polyarylate, polyether sulfone, polysulfone, fluorene ring modified polycarbonate, alicyclic modified polycarbonate, fluorene ring modified polyester, acryloyl compound, thermoplastic resin, or polysiloxane, etc. An organic silicon compound film is preferably exemplified. A plurality of these may be used in combination.
有機層の厚さは、無機層の下地として平滑な面を形成できる点、有機層のクラックやカール等を防止できる点で、０．１μｍ〜５μｍが好ましい。 The thickness of the organic layer is preferably 0.1 μm to 5 μm from the viewpoint that a smooth surface can be formed as a base for the inorganic layer and cracks and curls of the organic layer can be prevented.
また、有機層は、塗布法やフラッシュ蒸着等の公知の方法で成膜すればよい。 The organic layer may be formed by a known method such as a coating method or flash vapor deposition.
また、図１（Ａ）に示す例では、素子基板２６のガスバリア基板３０自体が紫外線を吸収する機能を有する構成としたが、これに限定はされず、紫外線を吸収する層をさらに有する構成としてもよい。
図３に、本発明のフレキシブルデバイス積層体の他の一例の概念的な断面図を示す。
図３に示すフレキシブルデバイス積層体５０は、素子基板２６に代えて、素子基板５２を有する以外は、図２（Ａ）に示す積層体１０と同様の構成を有する積層体を備えるフレキシブルデバイス積層体である。従って、同じ部位には同じ符号を付し、以下の説明では異なる部位を主に行う。
In the example shown in FIG. 1A, the gas barrier substrate 30 itself of the element substrate 26 has a function of absorbing ultraviolet rays. However, the present invention is not limited thereto, and the structure further includes a layer that absorbs ultraviolet rays. Also good.
FIG. 3 shows a conceptual cross-sectional view of another example of the flexible device laminate of the present invention.
A flexible device laminate 50 shown in FIG. 3 includes a laminate having the same configuration as that of the laminate 10 shown in FIG. 2A except that an element substrate 52 is provided instead of the element substrate 26. It is. Accordingly, the same portions are denoted by the same reference numerals, and different portions are mainly performed in the following description.
図３に示すフレキシブルデバイス積層体５０の素子基板５２は、ガスバリア基板５４、ガスバリア基板５４の一方の面に積層されたガスバリア層３２、および、ガスバリア基板５４の他方の面に積層された紫外線吸収層５６とを有する。
ガスバリア基板５４は、紫外線を吸収する機能を有さない以外は、上記のガスバリア基板３０と同様の構成を有する。
The element substrate 52 of the flexible device laminate 50 shown in FIG. 3 includes a gas barrier substrate 54, a gas barrier layer 32 laminated on one surface of the gas barrier substrate 54, and an ultraviolet absorbing layer laminated on the other surface of the gas barrier substrate 54. 56.
The gas barrier substrate 54 has the same configuration as the gas barrier substrate 30 except that it does not have a function of absorbing ultraviolet rays.
紫外線吸収層５６は、紫外線を吸収する機能を有する層である。
紫外線吸収層５６は、紫外線を吸収する樹脂材料により構成されてもよく、あるいは、樹脂材料中に、紫外線を吸収する吸収剤を添加して形成する構成としてもよい。
The ultraviolet absorption layer 56 is a layer having a function of absorbing ultraviolet rays.
The ultraviolet absorption layer 56 may be made of a resin material that absorbs ultraviolet light, or may be formed by adding an absorbent that absorbs ultraviolet light into the resin material.
紫外線吸収層５６を形成する樹脂材料に紫外線を吸収する吸収剤を添加する構成の場合の、紫外線吸収層５６を形成する樹脂材料としては、上述のガスバリア基板３０で例示した樹脂材料と同様の樹脂材料が利用可能である。
また、樹脂材料中に添加される吸収剤としては、有機系吸収剤として、ベンゾトリアゾール類、ヒドキシベンゾフェノン類等が好適に用いられる。また、無機系吸収剤として、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウム、三酸化タングステン、チタン酸ストロンチウム等が例示される。なかでも、酸化亜鉛、酸化チタンが吸収性能が高いために好適に利用可能である。
In the case of adding an absorbent that absorbs ultraviolet rays to the resin material that forms the ultraviolet absorbing layer 56, the resin material that forms the ultraviolet absorbing layer 56 is the same resin as the resin material exemplified for the gas barrier substrate 30 described above. Material is available.
As the absorbent added to the resin material, benzotriazoles, hydroxybenzophenones and the like are suitably used as organic absorbents. Examples of the inorganic absorbent include zinc oxide, titanium oxide, cerium oxide, tungsten trioxide, and strontium titanate. Among these, zinc oxide and titanium oxide can be suitably used because of their high absorption performance.
また、紫外線吸収層５６を形成する樹脂材料自体が紫外線を吸収する構成であってもよく、このような樹脂材料としては、上述のガスバリア基板３０と同様に、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）等が好適に用いられる。 Further, the resin material itself forming the ultraviolet absorbing layer 56 may be configured to absorb ultraviolet rays. As such a resin material, as in the case of the gas barrier substrate 30 described above, polyethylene naphthalate (PEN), polyimide ( PI) and the like are preferably used.
また、紫外線吸収層５６の厚さには特に限定はなく、材料の種類、可撓性、可視光透過率、紫外線の吸収能力等に応じて適宜設定すればよい。上記観点から、紫外線吸収層５６の厚さは、０．１μｍ〜１０μｍが好ましく、０．２μｍ〜５μｍがより好ましい。 The thickness of the ultraviolet absorbing layer 56 is not particularly limited, and may be set as appropriate according to the type of material, flexibility, visible light transmittance, ultraviolet absorbing ability, and the like. From the above viewpoint, the thickness of the ultraviolet absorbing layer 56 is preferably 0.1 μm to 10 μm, and more preferably 0.2 μm to 5 μm.
なお、図３に示す例では、紫外線吸収層５６は、ガスバリア基板５４の、ガスバリア層３２が形成される面とは反対側の面に積層される構成としたが、これに限定はされず、ガスバリア基板５４とガスバリア層３２との間に積層されてもよく、あるいは、ガスバリア層３２上に積層されてもよい。 In the example shown in FIG. 3, the ultraviolet absorbing layer 56 is configured to be laminated on the surface of the gas barrier substrate 54 opposite to the surface on which the gas barrier layer 32 is formed. It may be laminated between the gas barrier substrate 54 and the gas barrier layer 32, or may be laminated on the gas barrier layer 32.
また、図３に示す例では、ガスバリア基板５４は、紫外線を吸収する機能を有さない構成としたが、ガスバリア基板５４が紫外線を吸収する機能を有し、さらに、紫外線吸収層５６をする構成であってもよい。 In the example shown in FIG. 3, the gas barrier substrate 54 does not have a function of absorbing ultraviolet rays, but the gas barrier substrate 54 has a function of absorbing ultraviolet rays and further has an ultraviolet absorbing layer 56. It may be.
また、図１（Ａ）に示す例では、素子基板２６は、ガスバリア性を有するガスバリアフィルムである構成としたが、これに限定はされず、素子基板は、ガスバリア性を有さない構成であってもよい。すなわち、素子基板は、ガスバリア層を有さない構成であってもよい。
なお、ガスバリアフィルムを素子基板として用いる構成は、フレキシブルデバイス１４作製後に、さらに、有機素子の上面をガスバリア層やガスバリアフィルムで封止することで、有機素子全体を容易に保護することができ、有機素子が水分や酸素によって劣化するのを防止できる点で好ましい。
In the example shown in FIG. 1A, the element substrate 26 is a gas barrier film having a gas barrier property. However, the element substrate is not limited to this, and the element substrate has a gas barrier property. May be. That is, the element substrate may have a configuration without a gas barrier layer.
In addition, the structure which uses a gas barrier film as an element board | substrate can protect the whole organic element easily by sealing the upper surface of an organic element with a gas barrier layer or a gas barrier film after flexible device 14 preparation, and organic This is preferable in that the element can be prevented from being deteriorated by moisture or oxygen.
支持体２０は、可撓性を有する素子基板２６を支持して、自己支持性を確保し、折れ曲がりやシワ、たわみ等を防止して、安定した搬送を可能にするためのものである。
支持体２０としては、素子基板２６よりも可撓性が低く、紫外線を透過するものであれば、各種の材料からなるものが利用可能である。具体的には、支持体２０として、ガラス基板、各種プラスチック基板、各種金属基板、シリコン基板等が適宜、利用可能である。
The support 20 supports the element substrate 26 having flexibility, ensures self-supporting property, prevents bending, wrinkles, deflection, and the like, and enables stable conveyance.
As the support 20, any material made of various materials can be used as long as it is less flexible than the element substrate 26 and transmits ultraviolet rays. Specifically, as the support 20, a glass substrate, various plastic substrates, various metal substrates, a silicon substrate, or the like can be used as appropriate.
支持体２０の厚さは、素子基板２６のたわみ等を抑制することができれば特に限定はなく、支持体２０の材質、素子基板２６の材質、厚さ、搬送速度等に応じて、適宜、決定すればよい。好ましくは、０．３ｍｍ〜２５ｍｍ、より好ましくは、０．５ｍｍ〜５ｍｍである。 The thickness of the support 20 is not particularly limited as long as the deflection of the element substrate 26 can be suppressed, and is appropriately determined according to the material of the support 20, the material, the thickness, the conveyance speed, and the like of the element substrate 26. do it. Preferably, they are 0.3 mm-25 mm, More preferably, they are 0.5 mm-5 mm.
第１の粘着層２４および第２の粘着層２２は、素子基板２６と支持体２０との間に積層され、素子基板２６と支持体２０とを接着するものである。 The first adhesive layer 24 and the second adhesive layer 22 are laminated between the element substrate 26 and the support 20, and adhere the element substrate 26 and the support 20.
第１の粘着層２４は、素子基板２６側に積層される粘着層であり、紫外線を照射されることによって、粘着力が低下するものである。
具体的には、第１の粘着層２４の、紫外線照射前の粘着力に対する、紫外線照射後の粘着力の比率は、３０％以下であるのが好ましく、１０％以下であるのがより好ましく、３％以下であるのが特に好ましい。
紫外線照射前後での粘着力の比率を上記範囲とすることにより、積層体１０（フレキシブルデバイス積層体１２）のハンドリング時には、素子基板２６が剥離するのを好適に防止でき、かつ、剥離工程では、素子基板２６と容易に剥離して、有機素子が損傷するのを好適に防止できる。
ここで、本発明における粘着力は、９０度剥離試験法（JIS Z0237）によって測定される。被着体はガラス基板、剥離速度は５０ｍｍ／ｍｉｎとした。
The first pressure-sensitive adhesive layer 24 is a pressure-sensitive adhesive layer laminated on the element substrate 26 side, and the pressure-sensitive adhesive force is reduced when irradiated with ultraviolet rays.
Specifically, the ratio of the adhesive strength after ultraviolet irradiation to the adhesive strength before ultraviolet irradiation of the first adhesive layer 24 is preferably 30% or less, more preferably 10% or less, It is particularly preferably 3% or less.
By making the ratio of the adhesive strength before and after the ultraviolet irradiation within the above range, it is possible to suitably prevent the element substrate 26 from being peeled when handling the laminate 10 (flexible device laminate 12), and in the peeling step, It is possible to suitably prevent the organic element from being damaged by being easily peeled off from the element substrate 26.
Here, the adhesive strength in the present invention is measured by a 90-degree peel test method (JIS Z0237). The adherend was a glass substrate, and the peeling rate was 50 mm / min.
このように紫外線の照射により粘着力が低下する第１の粘着層２４の材料としては、紫外線照射によって架橋構造を形成するものが好適に用いられ、特にアクリル系のモノマーおよびポリマーが好適に利用可能である。 Thus, as the material of the first adhesive layer 24 whose adhesive strength is reduced by the irradiation of ultraviolet rays, a material that forms a crosslinked structure by the irradiation of ultraviolet rays is preferably used, and particularly acrylic monomers and polymers can be suitably used. It is.
また、第１の粘着層の厚さには、特に限定はないが、素子基板２６を十分に固定できる点、紫外線の照射により確実に粘着力が低下する点、紫外線の照射量を少なくできる点等から、１μｍ〜１００μｍが好ましく、２μｍ〜５０μｍがより好ましく、４μｍ〜２５μｍが特に好ましい。 Further, the thickness of the first adhesive layer is not particularly limited, but the element substrate 26 can be sufficiently fixed, the adhesive force is surely reduced by irradiation with ultraviolet rays, and the amount of ultraviolet irradiation can be reduced. For example, 1 μm to 100 μm is preferable, 2 μm to 50 μm is more preferable, and 4 μm to 25 μm is particularly preferable.
第２の粘着層２２は、支持体２０側に積層される粘着層である。
また、第２の粘着層２２は、紫外線を透過する材料からなる。従って、第２の粘着層２２は、紫外線照射工程の前後において、粘着力が変化しない。
第２の粘着層２２の粘着力には特に限定はないが、剥離工程において、素子基板２６と第１の粘着層２４との界面で確実に剥離させるために、紫外線照射後の第１の粘着層２４の粘着力よりも高いことが好ましい。また、ハンドリング時に素子基板２６を十分に固定できる粘着力を有するのが好ましい。以上の観点から、第２の粘着層２２の粘着力は、１Ｎ／２５ｍｍ以上が好ましく、２Ｎ／２５ｍｍ以上がより好ましく、５Ｎ／２５ｍｍ以上が特に好ましい。
The second adhesive layer 22 is an adhesive layer laminated on the support 20 side.
The second adhesive layer 22 is made of a material that transmits ultraviolet rays. Therefore, the adhesive force of the second adhesive layer 22 does not change before and after the ultraviolet irradiation process.
The adhesive force of the second adhesive layer 22 is not particularly limited, but in the peeling process, the first adhesive after ultraviolet irradiation is used in order to ensure peeling at the interface between the element substrate 26 and the first adhesive layer 24. It is preferable that the adhesive strength of the layer 24 is higher. Moreover, it is preferable to have an adhesive force that can sufficiently fix the element substrate 26 during handling. From the above viewpoint, the adhesive strength of the second adhesive layer 22 is preferably 1 N / 25 mm or more, more preferably 2 N / 25 mm or more, and particularly preferably 5 N / 25 mm or more.
第２の粘着層２２の材料としては、アクリル系、シリコーン系、ゴム系の粘着剤等が例示される。
中でも、耐熱性や価格等の点で、アクリル系の粘着剤が好適に利用可能である。耐熱性や耐薬品性が重要となる工程の際は、高価ではあるがシリコーン系の粘着剤が好適に利用可能である。
Examples of the material of the second adhesive layer 22 include acrylic, silicone, and rubber adhesives.
Among them, an acrylic pressure-sensitive adhesive can be suitably used in terms of heat resistance and price. In the process where heat resistance and chemical resistance are important, although it is expensive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive can be suitably used.
また、第２の粘着層の厚さは、特に限定はないが、素子基板２６を十分に固定できる点、紫外線の透過率を高くできる点等から、１μｍ〜１００μｍが好ましく、２μｍ〜５０μｍがより好ましく、４μｍ〜２５μｍが特に好ましい。 The thickness of the second adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 1 μm to 100 μm, more preferably 2 μm to 50 μm from the viewpoint that the element substrate 26 can be sufficiently fixed and the transmittance of ultraviolet rays can be increased. 4 μm to 25 μm is particularly preferable.
また、このような第１の粘着層および第２の粘着層の形成方法としては、塗布や貼合など、従来公知の形成方法が、適宜、選択可能である。 Moreover, as a formation method of such a 1st adhesion layer and a 2nd adhesion layer, conventionally well-known formation methods, such as application | coating and bonding, can be selected suitably.
次に、素子形成工程について説明する。
素子形成工程は、準備した積層体１０の素子基板２６上に有機素子２８を形成し、図２（Ｂ）に示すようなフレキシブルデバイス積層体１２を作製する工程である。
Next, an element formation process will be described.
The element formation step is a step of forming the organic device 28 on the element substrate 26 of the prepared laminate 10 to produce the flexible device laminate 12 as shown in FIG.
有機素子２８は、有機ＥＬ素子、有機太陽電池、有機トランジスタ、有機半導体センサー等の有機材料からなる電子素子である。
従って、有機素子２８は、形成する電子素子に応じた材料で形成される。
例えば、有機素子２８は、有機電界発光層と、有機電界発光層を挾持する電極対である透明電極および反射電極とを有する公知の有機ＥＬ素子として形成される。
The organic element 28 is an electronic element made of an organic material such as an organic EL element, an organic solar battery, an organic transistor, or an organic semiconductor sensor.
Therefore, the organic element 28 is formed of a material corresponding to the electronic element to be formed.
For example, the organic element 28 is formed as a known organic EL element having an organic electroluminescent layer and a transparent electrode and a reflective electrode that are an electrode pair that holds the organic electroluminescent layer.
このような有機ＥＬ素子の場合には、有機電界発光層は、有機ＥＬ材料からなる発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等を有する、公知の層構成からなるものであればよい。
また、透明電極としては、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物等の、有機電界発光層から発せられた光を透過する光透過性を有する、種々の公知の電極が利用可能である。
また、反射電極としては、有機ＥＬ素子の電極として用いられる、種々の公知の電極が利用可能である。
In the case of such an organic EL element, the organic electroluminescent layer has a known layer structure including a light emitting layer made of an organic EL material, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. Anything consisting of can be used.
In addition, as the transparent electrode, for example, various known electrodes having light transmissivity for transmitting light emitted from the organic electroluminescent layer such as conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO) are used. Is possible.
In addition, as the reflective electrode, various known electrodes used as an electrode of an organic EL element can be used.
有機素子２８の大きさ、厚さ等は、形成する有機素子２８の種類に応じて適宜、設定すればよい。
また、有機素子２８は、有機素子２８の種類に応じて、公知の形成方法で形成すればよい。
What is necessary is just to set suitably the magnitude | size, thickness, etc. of the organic element 28 according to the kind of organic element 28 to form.
Further, the organic element 28 may be formed by a known forming method according to the type of the organic element 28.
また、有機ＥＬ素子を用いたディスプレイや照明装置は、フレキシブル化の要求が高く、また、有機ＥＬ材料として用いられる材料は、紫外線により劣化しやすい。従って、本発明の製造方法は、有機素子２８として、有機ＥＬ素子を形成する際に好適に適用される。 In addition, displays and lighting devices using organic EL elements are highly demanded to be flexible, and materials used as organic EL materials are easily deteriorated by ultraviolet rays. Therefore, the manufacturing method of the present invention is suitably applied when forming an organic EL element as the organic element 28.
次に、紫外線照射工程について説明する。
図２（Ｃ）に示すように、紫外線照射工程は、有機素子２８を形成した積層体１０（フレキシブルデバイス積層体１２）の支持体２０側から、紫外線を照射し、第１の粘着層２４の粘着力を低下させる工程である。
紫外線照射工程において、支持体２０側から照射された紫外線は支持体２０および第２の粘着層２２を透過して、第１の粘着層２４に到達する。その際、紫外線の一部は第１の粘着層２４を透過して素子基板２６に到達し、素子基板２６に吸収される。従って、紫外線が有機素子２８に到達するのを抑制でき、有機素子が劣化するのを防止できる。
Next, the ultraviolet irradiation process will be described.
As shown in FIG. 2C, in the ultraviolet irradiation step, ultraviolet light is irradiated from the support 20 side of the laminate 10 (flexible device laminate 12) on which the organic element 28 is formed, and the first adhesive layer 24 is exposed. This is a step of reducing the adhesive strength.
In the ultraviolet irradiation process, the ultraviolet light irradiated from the support 20 side passes through the support 20 and the second adhesive layer 22 and reaches the first adhesive layer 24. At this time, part of the ultraviolet rays passes through the first adhesive layer 24 and reaches the element substrate 26 and is absorbed by the element substrate 26. Therefore, it can suppress that an ultraviolet-ray reaches | attains the organic element 28, and can prevent that an organic element deteriorates.
紫外線照射工程において、紫外線を照射する装置としては、従来公知の紫外線照射装置が各種利用可能である。
また、紫外線照射工程において、紫外線の照射量には特に限定はなく、第１の粘着層２４の種類、厚さ等に応じて適宜、設定すればよい。第１の粘着層２４の粘着力をより確実に低下させる、周辺部材にダメージを与えない等の観点から、紫外線の照射量は、１００ｍＪ／ｃｍ2〜１２００ｍＪ／ｃｍ2であるのが好ましい。
In the ultraviolet irradiation process, various conventionally known ultraviolet irradiation apparatuses can be used as the apparatus for irradiating ultraviolet rays.
In the ultraviolet irradiation step, the amount of ultraviolet irradiation is not particularly limited, and may be appropriately set according to the type, thickness, and the like of the first adhesive layer 24. Lowering the adhesive force of the first adhesive layer 24 more reliably, from the viewpoint of which does not damage the peripheral members, the dose of ultraviolet rays is preferably from 100mJ / cm 2 ~1200mJ / cm 2 .
次に、剥離工程について説明する。
図２（Ｄ）に示すように、剥離工程は、紫外線の照射により粘着力が低下した第１の粘着層２４と素子基板２６の界面を剥離させる工程である。これにより、素子基板２６上に有機素子２８が形成されたフレキシブルデバイス１４が作製される。
剥離の際、第１の粘着層２４の粘着力は弱くなっているので、素子基板２６を容易に剥離させることができ、有機素子２８が損傷するのを抑制できる。また、第２の粘着層２２を有するので、第１の粘着層２４は第２の粘着層２２とより強く接着されているため、剥離した素子基板２６側に第１の粘着層２４が残るのを防止できる。
Next, the peeling process will be described.
As shown in FIG. 2D, the peeling step is a step of peeling the interface between the first pressure-sensitive adhesive layer 24 and the element substrate 26 whose adhesive strength has been reduced by irradiation with ultraviolet rays. Thereby, the flexible device 14 in which the organic element 28 is formed on the element substrate 26 is manufactured.
At the time of peeling, since the adhesive force of the first adhesive layer 24 is weak, the element substrate 26 can be easily peeled off, and the organic element 28 can be prevented from being damaged. Further, since the second adhesive layer 22 is provided, the first adhesive layer 24 is more strongly bonded to the second adhesive layer 22, so that the first adhesive layer 24 remains on the peeled element substrate 26 side. Can be prevented.
なお、剥離工程における剥離の方法には特に限定はなく、従来のフレキシブルデバイスの作製において実施される種々の公知の剥離方法が利用可能である。 In addition, there is no limitation in particular in the peeling method in a peeling process, The various well-known peeling method implemented in preparation of the conventional flexible device can be utilized.
以上のように、本発明の製造方法は、紫外線の照射に伴う劣化や、剥離に伴う損傷のない有機素子２８を有し、かつ、素子基板に粘着層残りのないフレキシブルデバイス１４を作製することができる。 As described above, the production method of the present invention produces the flexible device 14 having the organic element 28 that is free from deterioration due to ultraviolet irradiation or damage caused by peeling, and having no adhesive layer remaining on the element substrate. Can do.
以上、本発明のフレキシブルデバイスの製造方法、および、フレキシブル積層体について詳細に説明したが、本発明は、上記実施例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行なってもよいのは、もちろんである。 As mentioned above, although the manufacturing method of the flexible device of this invention and the flexible laminated body were demonstrated in detail, this invention is not limited to the said Example, In the range which does not deviate from the summary of this invention, various improvement and Of course, changes may be made.
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明を、より詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples of the present invention.
［実施例１］
実施例１として、本発明の製造方法により図１に示すフレキシブルデバイス１４を作製した。
[Example 1]
As Example 1, the flexible device 14 shown in FIG. 1 was produced by the production method of the present invention.
〔積層体の準備工程〕
（支持体）
支持体２０としては、厚さ１．１ｍｍのガラス基板（コーニング社製 ＥａｇｌｅＸＧ）を用いた。
[Preparation process of laminate]
(Support)
As the support 20, a 1.1 mm thick glass substrate (Eagle XG manufactured by Corning) was used.
（第２の粘着層）
次に、支持体２０上に、第２の粘着層となる材料を塗布し、乾燥・硬化させて、厚さ１５μｍの第２の粘着層２２を形成した。
第２の粘着層２２の材料としては、二液熱硬化型のアクリル酸エステルの液状樹脂（綜研化学株式会社製 ＳＫダイン１８３１）を用いた。
また、塗布はアプリケーターを用いて行った。乾燥後の厚さが１５μｍとなるように調整して塗布した。また、硬化条件は、温度８０℃で３０分とした。
なお、ガラス基板に対する第２の粘着層２２の粘着力を、９０度剥離試験法（JIS Z0237）で測定したところ、１０Ｎ／２５ｍｍであった。
(Second adhesive layer)
Next, a material to be the second adhesive layer was applied on the support 20 and dried / cured to form a second adhesive layer 22 having a thickness of 15 μm.
As a material for the second adhesive layer 22, a two-component thermosetting acrylic ester liquid resin (SK Dyne 1831 manufactured by Soken Chemical Co., Ltd.) was used.
Moreover, application | coating was performed using the applicator. The thickness after drying was adjusted to 15 μm and applied. Curing conditions were 30 minutes at a temperature of 80 ° C.
In addition, it was 10 N / 25mm when the adhesive force of the 2nd adhesion layer 22 with respect to a glass substrate was measured by the 90 degree | times peeling test method (JIS Z0237).
（第１の粘着層）
次に、支持体２０上に、下記塗布組成物Ａを塗布し、乾燥・硬化させて、厚さ３μｍの第１の粘着層２４を形成した。
第１の粘着層２４の塗布組成物Ａとして、２エチルヘキシルアクリレート、２−メタクリロキシルエチルイソシアネート、２ハイドロキシエチルアクリレートの混合液に、光重合開始剤、安定化剤、酸化防止剤を少量添加した混合液を調製した。また、各成分の混合量は、所望の密着性が得られるように適宜調整を行った。
また、塗布はアプリケーターを用いて行った。乾燥・硬化後の厚さが３μｍとなるように調整して塗布した。
なお、ガラス基板に対する第１の粘着層２４の粘着力を、９０度剥離試験法で測定したところ、１０Ｎ／２５ｍｍであった。さらに、後述の紫外線照射工程と同じ条件で紫外線を照射した後、ガラス基板に対する第１の粘着層２４の粘着力を測定したところ、０．２Ｎ／２５ｍｍであった。
(First adhesive layer)
Next, the following coating composition A was applied onto the support 20 and dried and cured to form a first adhesive layer 24 having a thickness of 3 μm.
As a coating composition A for the first adhesive layer 24, a small amount of a photopolymerization initiator, a stabilizer, and an antioxidant were added to a mixed solution of 2-ethylhexyl acrylate, 2-methacryloxylethyl isocyanate, and 2-hydroxyethyl acrylate. A mixture was prepared. Moreover, the mixing amount of each component was suitably adjusted so that desired adhesiveness was obtained.
Moreover, application | coating was performed using the applicator. The coating was adjusted so that the thickness after drying and curing was 3 μm.
In addition, it was 10 N / 25mm when the adhesive force of the 1st adhesion layer 24 with respect to a glass substrate was measured by the 90 degree | times peeling test method. Furthermore, when the adhesive force of the first adhesive layer 24 to the glass substrate was measured after irradiating ultraviolet rays under the same conditions as in the ultraviolet irradiation step described later, it was 0.2 N / 25 mm.
（素子基板）
素子基板２６として、ガスバリア基板３０上に、有機層および無機層からなるガスバリア層３２が形成されたガスバリアフィルムを用いた。
ガスバリア基板３０として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に紫外線吸収剤を添加してフィルム状に形成した基板を用いた。
紫外線吸収剤としては、酸化亜鉛微粒子（平均粒径１００ｎｍ以下 シーアイ化成株式会社製）を用いた。
また、ガスバリア基板３０は、厚さ１００μｍとした。
(Element board)
As the element substrate 26, a gas barrier film in which a gas barrier layer 32 composed of an organic layer and an inorganic layer was formed on a gas barrier substrate 30 was used.
As the gas barrier substrate 30, a substrate formed into a film shape by adding an ultraviolet absorber to polyethylene terephthalate (PET) was used.
As the ultraviolet absorber, fine zinc oxide particles (average particle size of 100 nm or less, manufactured by Cii Kasei Co., Ltd.) were used.
The gas barrier substrate 30 was 100 μm thick.
ガスバリア層３２としては、ガスバリア基板３０の表面に積層される有機層と、有機層上に積層される無機層とを有する構成とした。 The gas barrier layer 32 has an organic layer stacked on the surface of the gas barrier substrate 30 and an inorganic layer stacked on the organic layer.
有機層は、塗布法によりガスバリア基板３０に材料を塗布し、乾燥後、紫外線照射して重合を行って、厚さ１μｍの膜を形成した。
有機層を形成する塗布液Ａとして、重合性化合物のＴＭＰＴＡ（トリメチロールプロパントリアクリレート、ダイセル・サイテック株式会社製）と、紫外線重合開始剤（ランベルティ社製、ＥＳＡＣＵＲＥ ＫＴＯ４６）１．４ｇとを、質量比が９５：５となるように秤量し、これらをメチルエチルケトンに溶解させて、固形分濃度１５％の塗布液を調製した。
調製した塗布液Ａをダイコーターを用いてガスバリア基板３０上に塗布し、５０℃の乾燥ゾーンを３分間通過させ、その後、紫外線を照射（積算照射量約６００ｍＪ／ｃｍ2）して硬化させ、有機層を形成した。
For the organic layer, a material was applied to the gas barrier substrate 30 by a coating method, and after drying, polymerization was performed by irradiation with ultraviolet rays to form a film having a thickness of 1 μm.
As the coating solution A for forming the organic layer, a polymerizable compound TMPTA (trimethylolpropane triacrylate, manufactured by Daicel Cytec Co., Ltd.) and an ultraviolet polymerization initiator (Lamberti Co., Ltd., ESACURE KTO46) 1.4 g, Weighing was performed so that the mass ratio was 95: 5, and these were dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a coating solution having a solid content concentration of 15%.
The prepared coating solution A is applied onto the gas barrier substrate 30 using a die coater, passed through a drying zone at 50 ° C. for 3 minutes, and then cured by irradiation with ultraviolet rays (integrated irradiation amount of about 600 mJ / cm 2 ). An organic layer was formed.
有機層上に形成される無機層は、窒化ケイ素膜とした。
一般的な成膜装置を用いて、ＣＣＰ−ＣＶＤにより、有機層上に、厚さ５０ｎｍの無機層を形成した。
原料ガスは、シランガス(ＳｉＨ4）、アンモニアガス(ＮＨ3）、窒素ガス(Ｎ2）および水素ガス(Ｈ2）を用いた。ガスの供給量は、シランガスが１６０sccm、アンモニアガスが３７０sccm、窒素ガスが２４０sccm、水素ガスが５９０sccmとした。また、成膜圧力は４０Ｐａとした。
プラズマ励起電力は、周波数１３．５６ＭＨｚで２．５ｋＷとした。
The inorganic layer formed on the organic layer was a silicon nitride film.
An inorganic layer having a thickness of 50 nm was formed on the organic layer by CCP-CVD using a general film forming apparatus.
Silane gas (SiH 4 ), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and hydrogen gas (H 2 ) were used as source gases. The supply amounts of gas were 160 sccm for silane gas, 370 sccm for ammonia gas, 240 sccm for nitrogen gas, and 590 sccm for hydrogen gas. The film forming pressure was 40 Pa.
The plasma excitation power was 2.5 kW at a frequency of 13.56 MHz.
作製したガスバリアフィルム（素子基板２６）の紫外線透過率を、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製）を用いて、３００ｎｍ〜３８０ｎｍまで測定した各波長の透過率から、ＪＩＳ Ａ５７５９に記載の方法に基づいて求めたところ、１％未満であった。 The method described in JIS A5759 from the transmittance of each wavelength measured from 300 nm to 380 nm using an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation) for the ultraviolet transmittance of the produced gas barrier film (element substrate 26). Was found to be less than 1%.
以上のようにして作製されたガスバリアフィルムを、ガスバリア基板３０側を第１の粘着層２４側に向けて、第１の粘着層２４上に積層して、積層体１０を作製した。 The gas barrier film produced as described above was laminated on the first adhesive layer 24 with the gas barrier substrate 30 side facing the first adhesive layer 24 side, and the laminate 10 was produced.
〔素子形成工程〕
次に、準備した積層体１０の素子基板２６上に有機素子２８として有機ＥＬ素子を形成した。
まず、積層体１０を一般的なスパッタリング装置に装填して、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide 酸化インジウム錫）をターゲットとして用いて、ＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリングによって、厚さ０．２μｍのＩＴＯ薄膜からなる透明電極を形成した。
[Element formation process]
Next, an organic EL element was formed as the organic element 28 on the element substrate 26 of the prepared laminate 10.
First, the laminate 10 is loaded into a general sputtering apparatus, and a transparent ITO film having a thickness of 0.2 μm is formed by DC (direct current) magnetron sputtering using ITO (Indium Tin Oxide indium tin oxide) as a target. An electrode was formed.
次に、電極を形成した積層体１０に真空蒸着法によって、以下の有機化合物を、順次、形成し、有機電界発光層を形成した。
まず、真空蒸着装置により、HAT-CNを正孔注入層として１０ｎｍの膜厚で形成した。次に、正孔輸送層（α-NPD：Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine）を膜厚５００ｎｍで形成した。さらに、CBP (4,4‘-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl)をホスト材料として１０％のIr(ppy)3(Tris(2-phenylpyridinato)iridium)をドープした発光層を膜厚３０ｎｍで形成した。次に、正孔ブロック層としてBAlq（Bis-(2-methyl-8-quinolinolato)-4-(phenyl-phenolate)-aluminium(III)）層を膜厚１０ｎｍで形成し、電子輸送層としてAlq3 (Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium)層を膜厚４０ｎｍで形成し、有機電界発光層を形成した。
Next, the following organic compounds were sequentially formed on the stacked body 10 on which the electrodes were formed by vacuum vapor deposition to form an organic electroluminescent layer.
First, HAT-CN was formed as a hole injection layer with a thickness of 10 nm by a vacuum deposition apparatus. Next, a hole transport layer (α-NPD: Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl] benzidine) was formed to a thickness of 500 nm. Further, a light emitting layer doped with 10% Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridinato) iridium) with CBP (4,4'-Bis (carbazol-9-yl) biphenyl) as a host material is formed with a film thickness of 30 nm. Formed. Next, a BAlq (Bis- (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenyl-phenolate) -aluminium (III)) layer is formed with a thickness of 10 nm as a hole blocking layer, and Alq3 ( A Tris (8-hydroxy-quinolinato) aluminum) layer was formed with a film thickness of 40 nm to form an organic electroluminescent layer.
さらにこれらの層を形成した積層体１０を、真空蒸着装置に装填して、真空蒸着によって、厚さ０．５ｎｍのフッ化リチウム層を形成し、さらに、厚さ２００ｎｍの金属アルミニウムからなる反射電極を形成した。 Furthermore, the laminated body 10 formed with these layers is loaded into a vacuum deposition apparatus, a 0.5 nm-thick lithium fluoride layer is formed by vacuum deposition, and a reflective electrode made of metal aluminum having a thickness of 200 nm. Formed.
〔紫外線照射工程〕
次に、有機素子２８を形成した積層体１０、すなわち、フレキシブルデバイス積層体１２を紫外線照射装置（セン特殊光源株式会社製 ＨＵＶ−１０００）に装填して、支持体２０側から積層体１０に紫外線を照射した。
紫外線の照射量は、６００ｍＪ／ｃｍ2とした。
[Ultraviolet irradiation process]
Next, the laminate 10 in which the organic element 28 is formed, that is, the flexible device laminate 12 is loaded into an ultraviolet irradiation device (HUV-1000 manufactured by Sen Special Light Source Co., Ltd.), and the laminate 10 is irradiated with ultraviolet rays from the support 20 side. Was irradiated.
The irradiation amount of ultraviolet rays was 600 mJ / cm 2 .
〔剥離工程〕
紫外線照射後のフレキシブルデバイス積層体１２からフレキシブルデバイス１４を剥離させて、フレキシブルデバイス１４を作製した。
[Peeling process]
The flexible device 14 was made to peel from the flexible device laminated body 12 after ultraviolet irradiation, and the flexible device 14 was produced.
［実施例２］
素子基板２６のガスバリア基板３０として、厚さ１００μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製 テオネックスＱ６５ＨＡ）を用いた以外は実施例１と同様にして、フレキシブルデバイス１４を作製した。
なお、作製した素子基板２６の紫外線透過率を測定したところ、１％未満であった。
[Example 2]
A flexible device 14 was produced in the same manner as in Example 1 except that a 100 μm thick polyethylene naphthalate film (PEN film, Teonex Q65HA manufactured by Teijin DuPont Films Ltd.) was used as the gas barrier substrate 30 of the element substrate 26.
In addition, when the ultraviolet-ray transmittance of the produced element substrate 26 was measured, it was less than 1%.
［実施例３］
素子基板として、図３に示すような紫外線吸収層５６を有する素子基板５２を用いた以外は実施例１と同様にして、フレキシブルデバイス１４を作製した。
[Example 3]
A flexible device 14 was produced in the same manner as in Example 1 except that an element substrate 52 having an ultraviolet absorption layer 56 as shown in FIG. 3 was used as the element substrate.
具体的には、素子基板５２のガスバリア基板５４として、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム、東洋紡株式会社製 コスモシャインＡ４３００）を用いた。 Specifically, a polyethylene terephthalate film (PET film, Cosmo Shine A4300 manufactured by Toyobo Co., Ltd.) was used as the gas barrier substrate 54 of the element substrate 52.
さらに、ガスバリア基板５４のガスバリア層３２が形成される面とは反対側の面に、紫外線吸収層５６を形成した。
紫外線吸収層５６は、塗布法によりガスバリア基板５４に下記塗布液Ｂを塗布し、乾燥後、硬化させて、厚さ４μｍの膜を形成した。
紫外線吸収層５６を形成する塗布液Ｂとして、酸化亜鉛微粒子（２５ｗｔ％）、ポリエステル樹脂（１５ｗｔ％）、トルエン（４０％）、酢酸エチル（２０％）、分散剤（２％）を混合した塗布液を調製した。
調製した塗布液Ｂをダイコーターを用いてガスバリア基板５４上に塗布し、加熱して硬化させ、紫外線吸収層５６を形成した。
Furthermore, the ultraviolet absorption layer 56 was formed on the surface of the gas barrier substrate 54 opposite to the surface on which the gas barrier layer 32 is formed.
The ultraviolet absorbing layer 56 was formed by applying the following coating solution B to the gas barrier substrate 54 by a coating method, drying, and curing to form a film having a thickness of 4 μm.
As a coating liquid B for forming the ultraviolet absorption layer 56, a coating in which zinc oxide fine particles (25 wt%), polyester resin (15 wt%), toluene (40%), ethyl acetate (20%), and a dispersant (2%) are mixed. A liquid was prepared.
The prepared coating solution B was applied onto the gas barrier substrate 54 using a die coater, and heated and cured to form the ultraviolet absorbing layer 56.
ガスバリア基板５４の紫外線吸収層５６が形成された面とは反対側の面に、実施例１と同様にして、有機層および無機層からなるガスバリア層３２を形成して、素子基板５２を作製した。
なお、作製した素子基板２６の紫外線透過率を測定したところ、１％未満であった。
In the same manner as in Example 1, the gas barrier layer 32 composed of an organic layer and an inorganic layer was formed on the surface of the gas barrier substrate 54 opposite to the surface on which the ultraviolet absorption layer 56 was formed, thereby producing the element substrate 52. .
In addition, when the ultraviolet-ray transmittance of the produced element substrate 26 was measured, it was less than 1%.
［実施例４］
紫外線吸収層５６の厚さを１．９μｍとした以外は、実施例３と同様にして、フレキシブルデバイス１４を作製した。
なお、作製した素子基板２６の紫外線透過率を測定したところ、５％であった。
[Example 4]
A flexible device 14 was produced in the same manner as in Example 3 except that the thickness of the ultraviolet absorbing layer 56 was 1.9 μm.
The ultraviolet transmittance of the produced element substrate 26 was measured and found to be 5%.
［実施例５］
紫外線吸収層５６の厚さを１．５μｍとした以外は、実施例３と同様にして、フレキシブルデバイス１４を作製した。
なお、作製した素子基板２６の紫外線透過率を測定したところ、１０％であった。
[Example 5]
A flexible device 14 was produced in the same manner as in Example 3 except that the thickness of the ultraviolet absorbing layer 56 was 1.5 μm.
The ultraviolet transmittance of the produced element substrate 26 was measured and found to be 10%.
［実施例６］
第１の粘着層２４の、紫外線照射後の粘着力が、１Ｎ／２５ｍｍとなるように、第１の粘着層２４を形成する塗布組成物Ａの各成分の混合量を調整した以外は、実施例３と同様にして、フレキシブルデバイス１４を作製した。
[Example 6]
Except for adjusting the mixing amount of each component of the coating composition A forming the first adhesive layer 24 so that the adhesive strength of the first adhesive layer 24 after UV irradiation is 1 N / 25 mm. In the same manner as in Example 3, a flexible device 14 was produced.
［実施例７］
第１の粘着層２４の、紫外線照射後の粘着力が、３Ｎ／２５ｍｍとなるように、第１の粘着層２４を形成する塗布組成物Ａの各成分の混合量を調整した以外は、実施例３と同様にして、フレキシブルデバイス１４を作製した。
[Example 7]
Except for adjusting the mixing amount of each component of the coating composition A forming the first adhesive layer 24 so that the adhesive strength of the first adhesive layer 24 after irradiation with ultraviolet rays is 3 N / 25 mm. In the same manner as in Example 3, a flexible device 14 was produced.
［実施例８］
紫外線照射工程における紫外線の照射量を１００ｍＪ／ｃｍ2とした以外は、実施例５と同様にして、フレキシブルデバイス１４を作製した。
この照射量の紫外線照射後の第１の粘着層２４の粘着力は、３Ｎ／２５ｍｍであった。
[Example 8]
A flexible device 14 was produced in the same manner as in Example 5 except that the amount of ultraviolet irradiation in the ultraviolet irradiation step was set to 100 mJ / cm 2 .
The adhesive strength of the first adhesive layer 24 after irradiation with this amount of ultraviolet light was 3 N / 25 mm.
［実施例９］
紫外線照射工程における紫外線の照射量を１２００ｍＪ／ｃｍ2とした以外は、実施例５と同様にして、フレキシブルデバイス１４を作製した。
この照射量の紫外線照射後の第１の粘着層２４の粘着力は、０．２Ｎ／２５ｍｍであった。
[Example 9]
A flexible device 14 was produced in the same manner as in Example 5 except that the amount of ultraviolet irradiation in the ultraviolet irradiation step was 1200 mJ / cm 2 .
The adhesive strength of the first adhesive layer 24 after irradiation with this amount of ultraviolet light was 0.2 N / 25 mm.
［比較例１］
紫外線吸収層を有さない以外は、実施例３と同様にして、フレキシブルデバイスを作製した。
なお、素子基板の紫外線透過率を測定したところ、５５％であった。
[Comparative Example 1]
A flexible device was produced in the same manner as in Example 3 except that the ultraviolet absorbing layer was not provided.
The ultraviolet transmittance of the element substrate was measured and found to be 55%.
［比較例２］
第２の粘着層を有さない以外は、実施例１と同様にして、フレキシブルデバイスを作製した。
[Comparative Example 2]
A flexible device was produced in the same manner as in Example 1 except that the second adhesive layer was not provided.
［評価］
＜有機素子の損傷度＞
作製した実施例１〜９および比較例１〜２のフレキシブルデバイスについて、有機ＥＬ素子を点灯させて、ダークスポットの発生の有無により、有機ＥＬ素子の損傷の度合いを評価した。
具体的には、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製ＳＭＵ２４００型ソースメジャーユニットを用いて、有機ＥＬ素子に７Ｖの電圧を印加して発光させて、照度計（ＣＬ−２００Ａ、コニカミノルタ株式会社製）を用いて照度を確認し、紫外線照射工程および剥離工程を行う前の有機ＥＬ素子の照度を基準として、照度を比較して割合（％）を算出した。
[Evaluation]
<Damage degree of organic elements>
About the produced flexible device of Examples 1-9 and Comparative Examples 1-2, the organic EL element was made to light and the degree of damage of an organic EL element was evaluated by the presence or absence of generation | occurrence | production of a dark spot.
Specifically, using an SMU2400 type source measure unit manufactured by Keithley, a voltage of 7 V is applied to the organic EL element to emit light, and the illuminance is measured using an illuminance meter (CL-200A, manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.). The ratio (%) was calculated by comparing the illuminance with reference to the illuminance of the organic EL element before the ultraviolet irradiation step and the peeling step.
求めた照度の割合から損傷度を以下の基準で評価した。
照度の低下が認められない場合を『Ａ』、
照度が９０％以上１００未満％の場合を『Ｂ』、
照度が８０％以上９０％未満の場合を『Ｃ』とした。
照度が８０％未満の場合を『Ｄ』とした。
The degree of damage was evaluated according to the following criteria from the obtained ratio of illuminance.
“A” when no decrease in illuminance is observed,
“B” when the illuminance is 90% or more and less than 100%.
The case where the illuminance was 80% or more and less than 90% was defined as “C”.
The case where the illuminance was less than 80% was defined as “D”.
＜粘着層残り＞
作製した実施例１〜９および比較例１〜２のフレキシブルデバイスについて、有機ＥＬ素子が形成された面の反対側の面を観察し、粘着層残りの有無を以下の基準で評価した。
粘着層残りが観察されない場合を『Ａ』、
粘着層が素子面積に対する面積率で５％未満観察された場合を『Ｂ』、
粘着層が素子面積に対する面積率で５％以上１０％未満観察された場合を『Ｃ』、
粘着層が素子面積に対する面積率で１０％以上観察された場合を『Ｄ』とした。
結果を下記の表１に示す。
<Remaining adhesive layer>
About the produced flexible device of Examples 1-9 and Comparative Examples 1-2, the surface on the opposite side to the surface in which the organic EL element was formed was observed, and the presence or absence of the adhesion layer remainder was evaluated on the following references | standards.
When the adhesive layer residue is not observed, “A”,
When the adhesive layer is observed to be less than 5% in area ratio with respect to the element area, “B”,
When the adhesive layer is observed in an area ratio with respect to the element area of 5% or more and less than 10%, “C”,
A case where 10% or more of the adhesive layer was observed as an area ratio with respect to the element area was defined as “D”.
The results are shown in Table 1 below.
上記表１に示されるように、本発明の製造方法で作製されたフレキシブルデバイスである実施例１〜９は、比較例１〜２に対して、有機素子の損傷が少なく、また、粘着層残りが少ないことが分かる。
また、実施例３〜５の対比から、素子基板の紫外線透過率は、１０％以下であるのが好ましく、５％以下であるのがより好ましく、１％以下であるのが特に好ましいことがわかる。
また、実施例３、６、７の対比から、第１の粘着層の、紫外線照射前の粘着力に対する、紫外線照射後の粘着力の比率は、３０％以下であるのが好ましく、１０％以下であるのがより好ましく、３％以下であるのが特に好ましいことがわかる。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
As shown in Table 1 above, Examples 1 to 9, which are flexible devices produced by the production method of the present invention, have less damage to the organic elements than Comparative Examples 1 and 2, and the adhesive layer remains. It can be seen that there are few.
Further, from the comparison with Examples 3 to 5, it is understood that the ultraviolet transmittance of the element substrate is preferably 10% or less, more preferably 5% or less, and particularly preferably 1% or less. .
Further, from the comparison of Examples 3, 6, and 7, the ratio of the adhesive strength after ultraviolet irradiation to the adhesive strength before ultraviolet irradiation of the first adhesive layer is preferably 30% or less, and preferably 10% or less. It is more preferable that it is more preferably 3% or less.
From the above results, the effects of the present invention are clear.
１０ 積層体
１２、５０ フレキシブルデバイス積層体
１４ フレキシブルデバイス
２０ 支持体
２２ 第２の粘着層
２４ 第１の粘着層
２６、５２ 素子基板
２８ 有機素子
３０、５４ ガスバリア基板
３２ ガスバリア層
５６ 紫外線吸収層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Laminated body 12, 50 Flexible device laminated body 14 Flexible device 20 Support body 22 2nd adhesion layer 24 1st adhesion layer 26,52 Element substrate 28 Organic element 30,54 Gas barrier substrate 32 Gas barrier layer 56 Ultraviolet absorption layer
Claims (11)
前記積層体の前記素子基板上に、有機素子を形成する素子形成工程と、
前記積層体の前記支持体側から紫外線を照射して、前記第１の粘着層の粘着力を低下させる紫外線照射工程と、
粘着力が低下した前記第１の粘着層との界面で、前記有機素子が形成された前記素子基板を剥離する剥離工程とを有し、
前記素子基板は、紫外線を吸収する機能を備えており、前記素子基板は、３００ｎｍ〜３８０ｎｍの波長の紫外線の透過率が１０％以下であり、前記紫外線照射工程の際に、紫外線を吸収して、前記有機素子に紫外線が到達するのを抑制するものであり、
前記第２の粘着層の粘着力は、前記紫外線照射工程後の前記第１の粘着層の粘着力よりも高いことを特徴とするフレキシブルデバイスの製造方法。 A flexible element substrate, a first adhesive layer whose adhesive strength is reduced by irradiation of ultraviolet rays, a second adhesive layer that transmits ultraviolet rays, and a support body that is less flexible than the element substrate. A preparation step of preparing a laminate formed by laminating in this order;
An element forming step of forming an organic element on the element substrate of the laminate;
UV irradiation step of irradiating UV from the support side of the laminate to reduce the adhesive strength of the first adhesive layer;
A peeling step of peeling off the element substrate on which the organic element is formed at the interface with the first adhesive layer where the adhesive strength is reduced,
The element substrate has a function of absorbing ultraviolet rays, and the element substrate has an ultraviolet transmittance of 300% to 380 nm at a wavelength of 10% or less, and absorbs ultraviolet rays during the ultraviolet irradiation step. , Which suppresses ultraviolet rays from reaching the organic element ,
The method of manufacturing a flexible device , wherein the adhesive force of the second adhesive layer is higher than the adhesive force of the first adhesive layer after the ultraviolet irradiation step .
紫外線の照射により粘着力が低下する第１の粘着層と、
紫外線を透過させる第２の粘着層と、
前記素子基板よりも可撓性が低い支持体とをこの順に積層してなる積層体、および、
前記素子基板の前記第１の粘着層が積層される面とは反対側の面に積層される有機素子を有し、
前記素子基板は、３００ｎｍ〜３８０ｎｍの波長の紫外線の透過率が、１０％以下であり、
前記第２の粘着層の粘着力は、紫外線の照射により粘着力が低下した前記第１の粘着層の粘着力よりも高いことを特徴とするフレキシブルデバイス積層体。 An element substrate having flexibility and a function of absorbing ultraviolet rays;
A first adhesive layer whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays;
A second adhesive layer that transmits ultraviolet light;
A laminate formed by laminating a support body having lower flexibility than the element substrate in this order; and
Have a organic element laminated on the surface opposite to the first surface on which the adhesive layer is laminated to the element substrate,
The element substrate has a transmittance of ultraviolet light having a wavelength of 300 nm to 380 nm of 10% or less,
The flexible device laminate , wherein the adhesive strength of the second adhesive layer is higher than the adhesive strength of the first adhesive layer whose adhesive strength has been reduced by irradiation with ultraviolet rays .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015008631A JP6377541B2 (en) | 2015-01-20 | 2015-01-20 | Flexible device manufacturing method and flexible device laminate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015008631A JP6377541B2 (en) | 2015-01-20 | 2015-01-20 | Flexible device manufacturing method and flexible device laminate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016134307A JP2016134307A (en) | 2016-07-25 |
| JP6377541B2 true JP6377541B2 (en) | 2018-08-22 |
Family
ID=56434554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015008631A Expired - Fee Related JP6377541B2 (en) | 2015-01-20 | 2015-01-20 | Flexible device manufacturing method and flexible device laminate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6377541B2 (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019167130A1 (en) * | 2018-02-27 | 2019-09-06 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Flexible oled device, method for manufacturing same, and support substrate |
| JP6588186B1 (en) * | 2018-02-27 | 2019-10-09 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Method for manufacturing flexible OLED device and supporting substrate |
| US10903460B2 (en) | 2018-03-20 | 2021-01-26 | Sakai Display Products Corporation | Flexible OLED device, method for manufacturing same, and support substrate |
| US11355724B2 (en) | 2019-11-06 | 2022-06-07 | Applied Materials, Inc. | Organic light-emitting diode (OLED) display devices with UV-cured filler |
| CN115104194A (en) | 2020-01-22 | 2022-09-23 | 应用材料公司 | Organic Light Emitting Diode (OLED) display device with mirror and method of fabricating the same |
| JP6851519B2 (en) * | 2020-02-20 | 2021-03-31 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Flexible OLED device, its manufacturing method, and support substrate |
| JP2022089364A (en) * | 2020-12-04 | 2022-06-16 | 日東電工株式会社 | Pressure sensitive adhesive sheet |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031354A (en) * | 2001-07-10 | 2003-01-31 | Pioneer Electronic Corp | Organic electroluminescent display panel and its manufacturing method |
| JP2008217859A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Protective film for optical pickup photodetector |
| JP5547538B2 (en) * | 2010-04-13 | 2014-07-16 | 三菱樹脂株式会社 | Transparent adhesive sheet and image display device |
| JP5402818B2 (en) * | 2010-05-06 | 2014-01-29 | コニカミノルタ株式会社 | Gas barrier film and method for producing gas barrier film |
| JP2012186315A (en) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Nitto Denko Corp | Manufacturing method of thin film substrate |
| JP5855465B2 (en) * | 2012-01-10 | 2016-02-09 | 藤森工業株式会社 | Surface protective film, optical component on which it is adhered, and industrial product |
| JP2013208746A (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Konica Minolta Inc | Functional film |
| JP6580808B2 (en) * | 2012-06-19 | 2019-09-25 | 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 | Display device and manufacturing method thereof |
| JP2014048619A (en) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Panasonic Corp | Manufacturing method of flexible device |
| JP6439445B2 (en) * | 2013-05-16 | 2018-12-19 | 東洋紡株式会社 | Image display device |
-
2015
- 2015-01-20 JP JP2015008631A patent/JP6377541B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016134307A (en) | 2016-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6377541B2 (en) | Flexible device manufacturing method and flexible device laminate | |
| KR102279390B1 (en) | Adhesive barrier film construction | |
| JP6527053B2 (en) | Gas barrier film and transfer method of gas barrier film | |
| JP6309787B2 (en) | Organic EL laminate | |
| JP5914397B2 (en) | Functional film | |
| KR101894168B1 (en) | Sealed laminate and organic electronic device | |
| US20170100926A1 (en) | Method of manufacturing electronic device and composite film | |
| KR102496772B1 (en) | Gas barrier film, and encapsulation body | |
| WO2017033823A1 (en) | Electronic device | |
| KR101917552B1 (en) | Organic electroluminescence device | |
| JP6026331B2 (en) | Organic EL laminate | |
| JP6142091B2 (en) | Composite film | |
| JP6744487B2 (en) | Gas barrier film and method for producing gas barrier film | |
| WO2019021616A1 (en) | Gas barrier laminate and electronic device | |
| JP6196944B2 (en) | SEALING MEMBER AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD | |
| JP7188669B2 (en) | Encapsulation manufacturing method | |
| WO2018221116A1 (en) | Organic electroluminescent light-emitting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170206 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171212 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171219 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180206 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180710 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180725 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6377541 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |