JP6361970B2 - Inspection method of structure for nanoimprint and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、ナノインプリント用構造体の検査方法およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a method for inspecting a structure for nanoimprint and a method for producing the same.

従来より、半導体装置、磁気記録媒装置、光学素子等を製造するために、ナノインプリント用モールドが用いられている。   Conventionally, a mold for nanoimprinting is used to manufacture a semiconductor device, a magnetic recording medium device, an optical element, and the like.

このようなナノインプリント用モールドとしては、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体が知られている(特許文献1参照)。   As such a nanoimprint mold, there is known a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface opposite to the first surface, and a recess formed on the second surface. (See Patent Document 1).

特許第5139421号公報Japanese Patent No. 5139421

ところでナノインプリント用モールドの第1面はパターンが形成される面であるから一般に平坦性が保たれているが、第2面に設けられた凹部の形状はバラツキが生じることがある。第2面に形成された凹部はその形状によってナノインプリント作用に影響を及ぼすことがあるが、この凹部の形状を正確に把握する技術は開発されていない。   By the way, although the 1st surface of the mold for nanoimprint is a surface where a pattern is formed, generally flatness is maintained, However, The shape of the recessed part provided in the 2nd surface may vary. Although the concave portion formed on the second surface may affect the nanoimprinting action depending on its shape, a technique for accurately grasping the shape of the concave portion has not been developed.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、第2面に形成された凹部の形状を精度良く検出することができるナノインプリント用構造体の検査方法およびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and provides a method for inspecting a structure for nanoimprinting and a method for manufacturing the same that can accurately detect the shape of a recess formed on a second surface. With the goal.

本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を準備する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法である。   The present invention includes a step of preparing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface opposite to the first surface, and a recess formed on the second surface; Irradiating light to the nanoimprint structure, and obtaining height information of the first surface and height information of the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure; And a step of detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface based on the height information of the first surface and the height information of the second surface. This is an inspection method.

本発明は、前記第1面の高さ情報に基づいて、前記第2面の高さ情報を補正する工程を更に備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法である。   The present invention is the nanoimprint structure inspection method further comprising the step of correcting the height information of the second surface based on the height information of the first surface.

本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を準備する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法である。   The present invention includes a step of preparing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface opposite to the first surface, and a recess formed on the second surface; Irradiating the nanoimprint structure with light, obtaining thickness information between the first surface and the second surface based on the reflected light from the nanoimprint structure, and the thickness information And a step of detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface. A method for inspecting a structure for nanoimprinting, comprising:

本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を作製する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法である。   The present invention includes a step of producing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface facing the first surface, and a recess formed on the second surface; Irradiating light to the nanoimprint structure, and obtaining height information of the first surface and height information of the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure; And a step of detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface based on the height information of the first surface and the height information of the second surface. It is a manufacturing method.

本発明は、前記第1面の高さ情報に基づいて、前記第2面の高さ情報を補正する工程を更に備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法である。   The present invention is the method for manufacturing a nanoimprint structure, further comprising a step of correcting the height information of the second surface based on the height information of the first surface.

本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を作製する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法である。   The present invention includes a step of producing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface facing the first surface, and a recess formed on the second surface; Irradiating the nanoimprint structure with light, obtaining thickness information between the first surface and the second surface based on the reflected light from the nanoimprint structure, and the thickness information And a step of detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface. A method for manufacturing a nanoimprint structure, comprising:

以上のように本発明によれば、ナノインプリント用構造体の第2面に形成された凹部の形状を精度良く検出することができる。   As described above, according to the present invention, the shape of the recess formed in the second surface of the nanoimprint structure can be detected with high accuracy.

図1はナノインプリント用基板を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a nanoimprint substrate. 図2はナノインプリント用基板の凹部を示す図。FIG. 2 is a view showing a recess of the nanoimprint substrate. 図3はナノインプリント用基板の第1面と第2面を示す図。FIG. 3 is a diagram illustrating a first surface and a second surface of the nanoimprint substrate. 図4は第1の実施の形態によるナノインプリント用基板の検査装置を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an inspection apparatus for a nanoimprint substrate according to the first embodiment. 図5(a)(b)は第1の実施の形態によるナノインプリント用基板の検査方法を示す図。FIGS. 5A and 5B are diagrams showing a method for inspecting a nanoimprint substrate according to the first embodiment. 図6は(a)(b)(c)は第1の実施の形態によるナノインプリント用基板の補正方法を示す図。FIGS. 6A, 6B, and 6C are diagrams showing a nanoimprint substrate correcting method according to the first embodiment. 図7は(a)(b)は第1の実施の形態によるナノインプリント用基板の補正方法を示す図。7A and 7B are diagrams showing a method for correcting a nanoimprint substrate according to the first embodiment. 図8はナノインプリント用モールドを示す図。FIG. 8 is a view showing a nanoimprint mold. 図9は第2の実施の形態によるナノインプリント用基板の検査装置を示す図。FIG. 9 shows a nanoimprint substrate inspection apparatus according to the second embodiment. 図10は第2の実施の形態によるナノインプリント用基板の検査装置の変形例を示す図。FIG. 10 is a view showing a modification of the nanoimprint substrate inspection apparatus according to the second embodiment. 図11は第2の実施の形態によるナノインプリント用基板の検査方法を示す図。FIG. 11 is a diagram showing a method for inspecting a nanoimprint substrate according to the second embodiment. 図12は第2の実施の形態によるナノインプリント用基板の検査方法を示す図。FIG. 12 is a view showing a nanoimprint substrate inspection method according to the second embodiment.

<第1の実施の形態>
以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態について説明する。
<First Embodiment>
The first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

ここで図1乃至図8は、本発明の第1の実施の形態を示す図である。   1 to 8 are diagrams showing a first embodiment of the present invention.

まず、本発明の第1の実施形態に係るナノインプリント用構造体の検査方法について説明する。本発明の第1の実施形態に係るナノインプリント用構造体は、ナノインプリント用モールドに必要とされるパターン(例えば、凹凸パターン)が形成される前のナノインプリント用基板や、当該パターンが形成された後のナノインプリント用モールドを含む。以下では、ナノインプリント用構造体として、ナノインプリント用基板を例に採り、図1により説明する。   First, the inspection method for the nanoimprint structure according to the first embodiment of the present invention will be described. The nanoimprint structure according to the first embodiment of the present invention includes a nanoimprint substrate before a pattern (for example, an uneven pattern) required for a nanoimprint mold is formed, or after the pattern is formed. Includes molds for nanoimprinting. Hereinafter, as a nanoimprint structure, a nanoimprint substrate will be taken as an example and described with reference to FIG.

ナノインプリント用基板1は、パターンが形成される第1面2aと第1面に対向する第2面2bとを有する薄板2からなり、薄板2の第2面2bに凹部3が形成されている。この薄板2は、力が印可されると、第1面2a側または第2面2b側に撓むように構成されている。   The substrate for nanoimprint 1 includes a thin plate 2 having a first surface 2a on which a pattern is formed and a second surface 2b opposite to the first surface, and a recess 3 is formed on the second surface 2b of the thin plate 2. The thin plate 2 is configured to bend toward the first surface 2a side or the second surface 2b side when a force is applied.

薄板2には、特に制限はなく、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類、シリコン、炭化シリコン等の半導体類、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂等から選択される。例えば、ナノインプリント用基板1が光ナノインプリントに使用される場合、少なくとも薄板2は上記の中の透明材料から選択され、典型的には薄板2は石英ガラスより構成される。   The thin plate 2 is not particularly limited. For example, glass such as quartz glass, silicate glass, calcium fluoride, magnesium fluoride, and acrylic glass, semiconductors such as silicon and silicon carbide, polycarbonate, polystyrene, and acrylic Or a resin such as polypropylene. For example, when the nanoimprint substrate 1 is used for optical nanoimprinting, at least the thin plate 2 is selected from the above transparent materials, and the thin plate 2 is typically made of quartz glass.

薄板2の第1面2aには、後述のように凹凸パターン4が形成され、薄板2の第1面2aに凹凸パターン4を形成することによりナノインプリント用モールド1Aが構成される。なお、図示しないが、ナノインプリント用基板1としての薄板2の第1面2aには、1以上の材料層が形成されていてもよい。   An uneven pattern 4 is formed on the first surface 2 a of the thin plate 2 as described later, and the nanoimprint mold 1 </ b> A is configured by forming the uneven pattern 4 on the first surface 2 a of the thin plate 2. Although not shown, one or more material layers may be formed on the first surface 2 a of the thin plate 2 as the nanoimprint substrate 1.

またこのような構成からなるナノインプリント用基板1の第1面2aに、エッチング等によって凹凸パターン4が形成されて、ナノインプリント用モールド1Aが得られる。   Moreover, the uneven | corrugated pattern 4 is formed in the 1st surface 2a of the nanoimprint board | substrate 1 which consists of such a structure by an etching etc., and 1A of nanoimprint molds are obtained.

ナノインプリント用モールド1Aは、図8に示すように例えば被転写体8の基板8a上に塗布されたレジスト膜(UV硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂)8bに接触され、レジスト膜を硬化させた後にナノインプリント用モールド1Aを引き剥がすことにより、ナノインプリント用モールド1Aの凹凸パターン4がレジスト膜8b上に転写される。この場合、枠体3の内周側に位置する薄板2は下方(第2面2b側)へ撓み、被転写体8に対して接触する。   After the nanoimprint mold 1A is brought into contact with a resist film (UV curable resin or thermosetting resin) 8b applied on the substrate 8a of the transfer target 8 as shown in FIG. 8, for example, the resist film is cured. By peeling off the nanoimprint mold 1A, the uneven pattern 4 of the nanoimprint mold 1A is transferred onto the resist film 8b. In this case, the thin plate 2 positioned on the inner peripheral side of the frame 3 is bent downward (on the second surface 2 b side) and comes into contact with the transferred object 8.

次に図2乃至図7によりナノインプリント用構造体の検査方法について述べる。   Next, a method for inspecting a nanoimprint structure will be described with reference to FIGS.

ここではナノインプリント用構造体としてナノインプリント用基板1を用いて検査する。   Here, inspection is performed using the nanoimprint substrate 1 as the nanoimprint structure.

まずナノインプリント用基板1の第1面2aは凹凸パターン4の形成面となるため、平坦性を維持している。また第2面2bには凹部3が形成される。この場合、凹部3の境界から外れた領域3Aでは、凹部3の形状を探針等を用いて検出することは可能であるが、凹部3の境界近傍の領域3Bでは凹部の形状を探針等を用いて検出することはむずかしい(図2参照)。   First, since the first surface 2a of the nanoimprint substrate 1 is a surface on which the concavo-convex pattern 4 is formed, the flatness is maintained. A recess 3 is formed on the second surface 2b. In this case, it is possible to detect the shape of the recess 3 by using a probe or the like in the region 3A outside the boundary of the recess 3, but the shape of the recess in the region 3B near the boundary of the recess 3 or the like. It is difficult to detect using (see FIG. 2).

また、ナノインプリント用基板1の第1面2aは平坦性を維持しているが、第2面2b側は凹部3が形成される面であり、平坦性は第1面2aに比べると望めない(図3参照)。   Further, the first surface 2a of the nanoimprint substrate 1 maintains flatness, but the second surface 2b side is a surface on which the concave portion 3 is formed, and flatness cannot be expected compared to the first surface 2a ( (See FIG. 3).

本実施の形態は、ナノインプリント用基板1のこのような特性を利用して凹部の形状を検出する。   In the present embodiment, the shape of the recess is detected by utilizing such characteristics of the nanoimprint substrate 1.

以下、ナノインプリント用基板の検査方法について図4乃至図7(a)(b)により説明する。   Hereinafter, a method for inspecting a nanoimprint substrate will be described with reference to FIGS. 4 to 7A and 7B.

まず図4および図5(a)(b)によりナノインプリント用構造体の検査装置について説明する。   First, a nanoimprint structure inspection apparatus will be described with reference to FIGS. 4 and 5A and 5B.

ナノインプリント用構造体の検査装置10は、ナノインプリント用基板1を保持するとともにXY方向に移動可能なXYステージ12と、ナノインプリント用基板1に対して例えばレーザ光を照射する投光部13aと、ナノインプリント用基板1から反射する反射光を受光する受光部13bと、受光部13bからの信号に基づいて第1面2aの高さ情報および第2面の高さ情報を取得する高さ情報取得部15aと、高さ情報取得部15aで取得した第1面2aの高さ情報および第2面2bの高さ情報に基づいて第1面2aを基準面として凹部3の形状を検出する凹部形状検出部15bとを備えている。   The nanoimprint structure inspection apparatus 10 includes an XY stage 12 that holds the nanoimprint substrate 1 and is movable in the XY directions, a light projecting unit 13a that irradiates the nanoimprint substrate 1 with, for example, laser light, and a nanoimprint substrate. A light receiving unit 13b that receives reflected light reflected from the substrate 1, and a height information acquisition unit 15a that acquires height information of the first surface 2a and height information of the second surface based on a signal from the light receiving unit 13b. The concave shape detection unit 15b that detects the shape of the concave portion 3 using the first surface 2a as a reference surface based on the height information of the first surface 2a and the height information of the second surface 2b acquired by the height information acquisition unit 15a. And.

このうち、高さ情報取得部15aと凹部形状検出部15bは、制御部15内に組込まれている。またXYステージ12は制御部15によりXY方向(水平方向)に駆動制御され、XYステージ12からのXY方向データは制御部15に送られる。また投光器13aおよび受光器13bは、制御部15によりZ方向(高さ方向)に駆動制御される。この場合、投光器13aから対物レンズを介して照射されたレーザ光がナノインプリント用基板1で反射して受光器13bにより受光されるが計測表面に焦点が合うように投光器13aおよび受光器13bが制御部15によりZ方向に駆動制御される。このとき投光器13aおよび受光器13bの高さデータは制御部15に送られる。   Among these, the height information acquisition unit 15 a and the concave shape detection unit 15 b are incorporated in the control unit 15. The XY stage 12 is driven and controlled in the XY direction (horizontal direction) by the control unit 15, and the XY direction data from the XY stage 12 is sent to the control unit 15. The light projector 13a and the light receiver 13b are driven and controlled in the Z direction (height direction) by the control unit 15. In this case, the laser light emitted from the projector 13a through the objective lens is reflected by the nanoimprint substrate 1 and received by the light receiver 13b, but the projector 13a and the light receiver 13b are controlled by the control unit so that the measurement surface is focused. 15 is driven and controlled in the Z direction. At this time, the height data of the projector 13a and the light receiver 13b is sent to the control unit 15.

次にこのようなナノインプリント用構造体の検査方法について説明する。   Next, a method for inspecting such a nanoimprint structure will be described.

まず第1面2aと第2面2bとを有し、第2面2bに凹部3が形成されたナノインプリント用基板1を作製する。この場合、第1面2aはパターンが形成される基準面となる。   First, the nanoimprint substrate 1 having the first surface 2a and the second surface 2b and having the recess 3 formed on the second surface 2b is manufactured. In this case, the first surface 2a is a reference surface on which a pattern is formed.

ナノインプリント用基板1をXYステージ12上に載置する。   The nanoimprint substrate 1 is placed on the XY stage 12.

次に投光部13aから例えばレーザ光をナノインプリント用基板1に対して照射する。投光部13aから照射された光は薄板2の第1面2aおよび第2面2bで各々で反射し、第1面2aおよび第2面2bで各々反射した反射光は受光部13bにより受光される。   Next, for example, laser light is irradiated to the nanoimprint substrate 1 from the light projecting unit 13a. The light emitted from the light projecting unit 13a is reflected by the first surface 2a and the second surface 2b of the thin plate 2, and the reflected lights respectively reflected by the first surface 2a and the second surface 2b are received by the light receiving unit 13b. The

次に受光部13bからの信号が検出部15に送られ、この検出部15の高さ情報取得手段15aにおいてナノインプリント用基板1の第1面2aおよび第2面2bの高さ位置が求められる。   Next, a signal from the light receiving unit 13b is sent to the detection unit 15, and the height information acquisition unit 15a of the detection unit 15 determines the height positions of the first surface 2a and the second surface 2b of the nanoimprint substrate 1.

具体的には投光器13aおよび受光器13bから反射光のXY方向位置データが制御部15に送られ、同時に計測表面に焦点が合った場合の投光器13aおよび受光器13bの高さ方向位置データが制御部15に送られる。   Specifically, the XY direction position data of the reflected light is sent from the light projector 13a and the light receiver 13b to the control unit 15, and the height direction position data of the light projector 13a and the light receiver 13b when the measurement surface is focused at the same time is controlled. Sent to section 15.

制御部15の高さ情報取得手段15aは、反射光のXY方向位置データと投光器13aおよび受光器13bの高さ方向位置データとに基づいて、当該XY方向位置における第1面2aと第2面2bの高さ情報を取得する。   The height information acquisition means 15a of the control unit 15 is based on the XY direction position data of the reflected light and the height direction position data of the projector 13a and the light receiver 13b, and the first surface 2a and the second surface at the XY direction position. Get 2b height information.

次に制御部15によりXYステージ12をX方向およびY方向に移動させ、反射光のXY方向位置データおよび投光器13aおよび受光器13bの高さ方向位置データに基づいて、ナノインプリント用基板1の全域に渡って第1面2aおよび第2面2bの高さ位置を求めることができる。   Next, the control unit 15 moves the XY stage 12 in the X direction and the Y direction. Based on the XY direction position data of the reflected light and the height direction position data of the light projector 13a and the light receiver 13b, the entire area of the nanoimprint substrate 1 is moved. The height positions of the first surface 2a and the second surface 2b can be obtained.

次に高さ情報取得部15aで取得したナノインプリント用基板1の第1面2aおよび第2面2bの高さ位置に基づいて、凹部形状検出部15bにより、第1面2aを基準面として第2面2bの高さ位置により凹部3の形状を求める。図5(a)(b)に示すように、ナノインプリント用基板1のうち第2面2bに形成された凹部3の境界近傍は、探針等を用いて測定することが困難な領域3Bであるが、第1面2aを基準面として第2面2aの高さ位置を用いることにより、容易かつ確実に凹部3の形状、とりわけ凹部3の境界近傍の領域3Bの形状を求めることができる。このとき高さ位置はナノインプリント用基板1を透過した光によって求めているのだから、ナノインプリント用基板1の屈折率によって光路長を求めることで、第1面2aを基準とした時の第2面2bの高さを得ることができる。   Next, based on the height positions of the first surface 2a and the second surface 2b of the nanoimprint substrate 1 acquired by the height information acquisition unit 15a, the second surface 2a is used as a reference surface by the recess shape detection unit 15b. The shape of the recess 3 is obtained from the height position of the surface 2b. As shown in FIGS. 5A and 5B, the vicinity of the boundary of the concave portion 3 formed on the second surface 2b of the nanoimprint substrate 1 is a region 3B that is difficult to measure using a probe or the like. However, by using the height position of the second surface 2a with the first surface 2a as a reference surface, the shape of the recess 3, particularly the shape of the region 3B near the boundary of the recess 3, can be obtained. At this time, since the height position is obtained from the light transmitted through the nanoimprint substrate 1, the second surface 2b when the first surface 2a is used as a reference is obtained by obtaining the optical path length from the refractive index of the nanoimprint substrate 1. Can be obtained.

なお、高さ情報取得部15aで取得した第1面2aと第2面2bの高さ位置に基づいて、第2面2bの高さ位置を補正部15cにより補正してもよい。また投光器13aおよび受光器13bは複数個有していても良く、一度に複数個所を同時に計測しても良い。更に高さ情報を正確にするために、計測対象物の屈折率を求める機能を有していても良い。   The height position of the second surface 2b may be corrected by the correction unit 15c based on the height positions of the first surface 2a and the second surface 2b acquired by the height information acquisition unit 15a. Further, a plurality of light projectors 13a and light receivers 13b may be provided, and a plurality of places may be simultaneously measured at a time. Furthermore, in order to make the height information accurate, it may have a function of obtaining the refractive index of the measurement object.

例えば図6(a)(b)(c)に示すように、XYステージ12の表面が傾斜している場合、第1面2aの高さ位置はわずかに傾斜して示される(図6(a)(b)参照)。このとき、補正部15cにおいて、基準面としての第1面2aの高さ位置に対応してXYステージ12の表面が傾斜しているものと判断し、第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正することができる(図6(c)参照)。   For example, as shown in FIGS. 6A, 6B, and 6C, when the surface of the XY stage 12 is inclined, the height position of the first surface 2a is slightly inclined (FIG. 6A). ) (B)). At this time, the correction unit 15c determines that the surface of the XY stage 12 is inclined corresponding to the height position of the first surface 2a as the reference surface, and sets the height position of the second surface 2b to the first position. It can correct | amend based on the height position of the surface 2a (refer FIG.6 (c)).

次に補正部15cからの情報に基づいて、凹部形状検出部15bにより、第1面2aを基準面として第2面2bの高さ位置により凹部3の形状を求めることができる。   Next, based on the information from the correction unit 15c, the shape of the recess 3 can be obtained from the height position of the second surface 2b using the first surface 2a as a reference surface by the recess shape detection unit 15b.

この場合、補正部15cにおいて、ナノインプリント用基板1の全域に渡って第1面2aの高さ位置が傾斜しているものと判断して、第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正してもよく(図7(a)参照)、ナノインプリント用基板1のある領域において第1面2aの高さ位置が傾斜しているものと判断して第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正してもよい(図7(b)参照)。   In this case, the correction unit 15c determines that the height position of the first surface 2a is inclined over the entire area of the nanoimprint substrate 1, and determines the height position of the second surface 2b of the first surface 2a. Correction may be performed based on the height position (see FIG. 7A), and it is determined that the height position of the first surface 2a is inclined in a certain region of the nanoimprint substrate 1 and the second surface 2b. May be corrected based on the height position of the first surface 2a (see FIG. 7B).

とりわけ第1面2aに凹凸パターン4が形成される場合、凹凸パターン4の境界の内側と外側の両方の領域において、第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正することができる。このことにより、第1面2aに凹凸パターン4が形成されていても、凹凸パターン4の境界近傍において第2面2bの高さ位置を精度良く求めて、この第2面2bの高さ位置に基づいて凹部3の形状を正確に検出することができる。   In particular, when the concavo-convex pattern 4 is formed on the first surface 2a, the height position of the second surface 2b is set based on the height position of the first surface 2a in both the inner and outer regions of the boundary of the concavo-convex pattern 4. It can be corrected. As a result, even if the concave / convex pattern 4 is formed on the first surface 2a, the height position of the second surface 2b is accurately obtained in the vicinity of the boundary of the concave / convex pattern 4, and the height position of the second surface 2b is obtained. Based on this, the shape of the recess 3 can be accurately detected.

あるいはまた、凹部3の境界近傍の領域3Bを正確に計測するためナノインプリント用基板1をわずかに傾斜することも考えられるが、この場合は、上述のようにナノインプリント用基板1の全域に渡って第1面2aの高さ位置が傾斜するため、補正部15cにおいて第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正することができる。   Alternatively, it is conceivable that the nanoimprint substrate 1 is slightly tilted in order to accurately measure the region 3B in the vicinity of the boundary of the recess 3, but in this case, as described above, the nanoimprint substrate 1 extends over the entire area of the nanoimprint substrate 1. Since the height position of the first surface 2a is inclined, the correction unit 15c can correct the height position of the second surface 2b based on the height position of the first surface 2a.

以上のようにして、検査されたナノインプリント用基板1は、例えば、良品として判断された場合に、薄板2の第2面2bに凹凸パターン4が形成され、ナノインプリント用モールド1Aが作製される。   As described above, when the inspected nanoimprint substrate 1 is determined as, for example, a non-defective product, the uneven pattern 4 is formed on the second surface 2b of the thin plate 2, and the nanoimprint mold 1A is manufactured.

<第2の実施の形態>
次に図9乃至図12により第2の実施の形態について説明する。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS.

図9乃至図12に示す第2の実施の形態は、光の干渉を利用してナノインプリント用基板1の第1面2aと第2面2bとの間の厚みを求め、この厚みに基づいて第1面2aを基準面として凹部3の形状を検出するものである。   In the second embodiment shown in FIG. 9 to FIG. 12, the thickness between the first surface 2a and the second surface 2b of the nanoimprint substrate 1 is obtained by utilizing the interference of light, and the first embodiment is based on this thickness. The shape of the recess 3 is detected using the first surface 2a as a reference surface.

すなわち、図9に示すように、投光器13aからのレーザ光が、駆動部25により駆動される可動走査手段21により走査され、このレーザ光はコリメータレンズ22を通ってナノインプリント用基板1に照射される。ナノインプリント用基板1に照射されたレーザ光は、第1面2aおよび第2面2bで反射しスクリーン23を透過した後、受光部13bに入る。受光器13bにより受光された反射光は、フリンジ26を介して制御部30の厚み情報取得部30aに送られる。   That is, as shown in FIG. 9, the laser light from the projector 13 a is scanned by the movable scanning means 21 driven by the drive unit 25, and this laser light is irradiated to the nanoimprint substrate 1 through the collimator lens 22. . The laser light applied to the nanoimprint substrate 1 is reflected by the first surface 2a and the second surface 2b, passes through the screen 23, and then enters the light receiving portion 13b. The reflected light received by the light receiver 13 b is sent to the thickness information acquisition unit 30 a of the control unit 30 via the fringe 26.

次にこの厚み情報取得部30aにおいて、第1面2aからの反射光と第2面2bからの反射光の光が干渉して干渉稿を生じさせ、この干渉稿によって第1面2aと第2面2bとの間の厚みを求める(図11参照)。   Next, in the thickness information acquisition unit 30a, the reflected light from the first surface 2a and the reflected light from the second surface 2b interfere with each other to generate an interference document. The thickness between the surface 2b is obtained (see FIG. 11).

次に制御部30の凹部形状検出部30bにおいて、厚み情報取得部30aにより取得された第1面2aと第2面2bとの間の厚みに基づいて、第1面2aを基準面として凹部3の形状を求めることができる。   Next, in the recessed portion shape detecting unit 30b of the control unit 30, the recessed portion 3 using the first surface 2a as a reference surface based on the thickness between the first surface 2a and the second surface 2b acquired by the thickness information acquiring unit 30a. Can be obtained.

なお、図9において、投光器13aからナノインプリント用基板1に対して斜め方向からレーザ光が照射されているが、図10に示すように、ナノインプリント用基板1に対して投光器13aから直交する方向にレーザ光を照射してもよい。図10において、投光器13aからのレーザ光はビームスプリッタ2aおよびコリメータ22を経てナノインプリント用基板1に達する。ナノインプリント用基板1からの反射光はコリメータ22およびビームスプリッタ29を経て受光器13bに送られ、さらに受光器13bへ送られた反射光は制御部30へ送られる。   In FIG. 9, laser light is irradiated from the projector 13 a to the nanoimprint substrate 1 from an oblique direction. As shown in FIG. 10, the laser is irradiated in a direction orthogonal to the nanoimprint substrate 1 from the projector 13 a. You may irradiate light. In FIG. 10, the laser light from the projector 13 a reaches the nanoimprint substrate 1 through the beam splitter 2 a and the collimator 22. The reflected light from the nanoimprint substrate 1 is sent to the light receiver 13b through the collimator 22 and the beam splitter 29, and the reflected light sent to the light receiver 13b is sent to the control unit 30.

また図9において、ナノインプリント用基板1の第1面2aと第2面2bの厚みを求める前に、ナノインプリント用基板1上にプリズム31を配置し、プリズム31からの反射光と第1面2aからの反射光を受光器13bにより受光し、プリズム31からの反射光と第1面1aからの反射光の干渉を利用して厚み情報取得部30aにおいて、プリズム31と第1面2aとの間の隙間を求め、このプリズム31と第1面2aとの隙間に基づいて、基準面としての第1面2aの平坦度を予め求めておいてもよい。この第2の実施の形態の場合も、屈折率による補正や、屈折率を求めるための機能を有していても良い。   In FIG. 9, before determining the thickness of the first surface 2a and the second surface 2b of the nanoimprint substrate 1, a prism 31 is arranged on the nanoimprint substrate 1, and the reflected light from the prism 31 and the first surface 2a Of the reflected light from the prism 31 and the first surface 2a by using the interference between the reflected light from the prism 31 and the reflected light from the first surface 1a. The gap may be obtained, and the flatness of the first surface 2a as the reference surface may be obtained in advance based on the gap between the prism 31 and the first surface 2a. In the case of the second embodiment, it may have a function for correcting by the refractive index and obtaining the refractive index.

1 ナノインプリント用基板
1A ナノインプリント用モールド
2 薄板
2a 第1面
2b 第2面
3 凹部
4 凹凸パターン
8 被転写体
10 ナノインプリント用接合体の検査装置
12 XYステージ
13a 投光部
13b 受光部
15 制御部
15a 高さ情報取得部
15b 凹部形状検出部
21 可動走査手段
22 コリメータレンズ
30 制御部
30a 厚み情報取得部
30b 凹部形状検出部
31 プリズム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Nanoimprint board | substrate 1A Nanoimprint mold 2 Thin plate 2a 1st surface 2b 2nd surface 3 Concave 4 Uneven pattern 8 Transfer object 10 Inspection apparatus 12 of nanoimprint joined body XY stage 13a Light projection part 13b Light reception part 15 Control part 15a High Information acquisition unit 15b Concave shape detection unit 21 Movable scanning means 22 Collimator lens 30 Control unit 30a Thickness information acquisition unit 30b Concave shape detection unit 31 Prism

Claims (6)

パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を準備する工程と、
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、
前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法。
Preparing a structure for nanoimprinting having a first surface on which a pattern is formed and a second surface facing the first surface, and a recess formed on the second surface;
Irradiating the nanoimprint structure with light to obtain height information of the first surface and height information of the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure;
Detecting the shape of the concave portion using the first surface as a reference surface based on the height information of the first surface and the height information of the second surface;
A method for inspecting a structure for nanoimprinting, comprising:
前記第1面の高さ情報に基づいて、前記第2面の高さ情報を補正する工程を更に備えたことを特徴とする請求項1記載のナノインプリント用構造体の検査方法。   The nanoimprint structure inspection method according to claim 1, further comprising a step of correcting the height information of the second surface based on the height information of the first surface. パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を準備する工程と、
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、
前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法。
Preparing a structure for nanoimprinting having a first surface on which a pattern is formed and a second surface facing the first surface, and a recess formed on the second surface;
Irradiating the nanoimprint structure with light, and obtaining thickness information between the first surface and the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure;
Detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface based on the thickness information;
A method for inspecting a structure for nanoimprinting, comprising:
パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を作製する工程と、
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、
前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法。
Producing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface opposite to the first surface, and a recess formed on the second surface;
Irradiating the nanoimprint structure with light to obtain height information of the first surface and height information of the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure;
Detecting the shape of the concave portion using the first surface as a reference surface based on the height information of the first surface and the height information of the second surface;
A method for producing a structure for nanoimprinting, comprising:
前記第1面の高さ情報に基づいて、前記第2面の高さ情報を補正する工程を更に備えたことを特徴とする請求項4記載のナノインプリント用構造体の製造方法。   5. The method for manufacturing a nanoimprint structure according to claim 4, further comprising a step of correcting the height information of the second surface based on the height information of the first surface. パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を作製する工程と、
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、
前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法。
Producing a nanoimprint structure having a first surface on which a pattern is formed and a second surface opposite to the first surface, and a recess formed on the second surface;
Irradiating the nanoimprint structure with light, and obtaining thickness information between the first surface and the second surface based on reflected light from the nanoimprint structure;
Detecting the shape of the recess using the first surface as a reference surface based on the thickness information;
A method for producing a structure for nanoimprinting, comprising:
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US20080160129A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
JP5268239B2 (en) * 2005-10-18 2013-08-21 キヤノン株式会社 Pattern forming apparatus and pattern forming method
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