JP6357328B2 - Infrared temperature sensor manufacturing method - Google Patents
Infrared temperature sensor manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6357328B2 JP6357328B2 JP2014048681A JP2014048681A JP6357328B2 JP 6357328 B2 JP6357328 B2 JP 6357328B2 JP 2014048681 A JP2014048681 A JP 2014048681A JP 2014048681 A JP2014048681 A JP 2014048681A JP 6357328 B2 JP6357328 B2 JP 6357328B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light guide
- infrared
- temperature sensor
- infrared temperature
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 23
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 20
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- IRERQBUNZFJFGC-UHFFFAOYSA-L azure blue Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[S-]S[S-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] IRERQBUNZFJFGC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- MOUPNEIJQCETIW-UHFFFAOYSA-N lead chromate Chemical compound [Pb+2].[O-][Cr]([O-])(=O)=O MOUPNEIJQCETIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
本発明は、検知対象物からの赤外線を検知して、検知対象物の温度を測定する赤外線温度センサの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an infrared temperature sensor that detects infrared rays from a detection object and measures the temperature of the detection object.
従来、例えば、複写機の定着装置に用いられる加熱定着ローラ等の検知対象物の温度を測定する温度センサとして、検知対象物からの赤外線を非接触で検知して、検知対象物の温度を測定する赤外線温度センサが使用されている。 Conventionally, for example, as a temperature sensor for measuring the temperature of an object to be detected such as a heat fixing roller used in a fixing device of a copying machine, infrared temperature from the object to be detected is detected in a non-contact manner, and the temperature of the object to be detected is measured. An infrared temperature sensor is used.
このような赤外線温度センサは、周囲温度の変化に伴う追随性を改善し、周囲温度の変化を補償するため、赤外線検知用感熱素子の他に温度補償用感熱素子が設けられている。 Such an infrared temperature sensor is provided with a temperature-compensating thermal element in addition to the infrared detecting thermal element in order to improve the followability associated with the ambient temperature change and compensate for the ambient temperature change.
また、赤外線検知用感熱素子と温度補償用感熱素子とが設置される温度環境を等しくして周囲温度の変化に伴う追随性を高めるため、開口部を有して赤外線検知用感熱素子と対応して赤外線を導く導光部と、温度補償用感熱素子と対応する遮蔽部とを略対称の形態にするものが開発されている(特許文献1及び特許文献2参照)。
Also, in order to make the temperature environment in which the infrared detecting thermal element and the temperature compensating thermal element are installed equal to improve the followability accompanying changes in the ambient temperature, it has an opening and corresponds to the infrared detecting thermal element. A light guide unit that guides infrared light and a shielding unit corresponding to the temperature-compensating thermosensitive element have been developed (see
ところで、導光部を形成するに際し、加工や型寸法等のばらつきにより、開口部の面積が変動する場合がある。また、感熱素子の特性やこの感熱素子が配設されるフィルムの寸法等にばらつきが生じる場合がある。赤外線温度センサを構成する各部材のばらつきは、各赤外線温度センサの出力特性の変動を来すこととなる。 By the way, when forming a light guide part, the area of an opening part may change by dispersion | variation in a process, a mold size, etc. In addition, variations may occur in the characteristics of the thermal element and the dimensions of the film on which the thermal element is disposed. Variation in each member constituting the infrared temperature sensor causes a change in output characteristics of each infrared temperature sensor.
このような出力特性の変動を補正するため、赤外線温度センサの導光部に可変突出部を適用して導光部内への突出距離を可変することで入射する赤外線量を調整し、個々の赤外線温度センサの検知温度のばらつきを補正するものが提案されている(特許文献3参照)。 In order to correct such fluctuations in output characteristics, a variable protrusion is applied to the light guide part of the infrared temperature sensor to adjust the amount of incident infrared light by varying the protrusion distance into the light guide part. A device that corrects the variation in the temperature detected by the temperature sensor has been proposed (see Patent Document 3).
しかしながら、上記特許文献3に示されたものにおいては、可変突出部を設けるため、構成が複雑化するとともに部品点数が増加し、また、可変調整後、可変突出部を接着剤によって固定することが必要であるため、ばらつきの補正作業に手間がかかり、生産性が低下するという問題が生じる。
However, in the thing shown in the said
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、簡単な構成で、出力特性の変動の補正作業を容易に行うことができる赤外線温度センサの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an infrared temperature sensor manufacturing method that can easily perform a correction operation for fluctuations in output characteristics with a simple configuration.
請求項1に記載の赤外線温度センサの製造方法は、開口部を有して赤外線を導く導光部及び遮蔽壁を有して赤外線を遮蔽する遮蔽部を備えたケースと、前記導光部及び遮蔽部に対向して配設され、前記導光部を通過して到達する赤外線を吸収するフィルムと、このフィルム上に配置され、前記導光部に対応する位置に配設された赤外線検知用感熱素子と、前記フィルム上に配置され、前記遮蔽部に対応する位置に配設された温度補償用感熱素子とを備える赤外線温度センサであって、前記導光部の開口部の一部を除去して視野領域が拡大されるように形成する除去工程又は前記導光部の開口部の一部に接着剤若しくは付加部材を接着して視野領域が縮小されるように形成する接着工程を具備することを特徴とする。The method of manufacturing an infrared temperature sensor according to
赤外線検知用感熱素子及び温度補償用感熱素子としては、薄膜サーミスタやチップサーミスタが好適に用いられるが、これらに限らず、例えば、熱電対や測温抵抗体等を用いることができる。
視野領域拡大部又視野領域縮小部は、導光部の赤外線の入射量を調整できれば、除去、接着の構成は特段限定されるものではない。
かかる発明によれば、簡単な構成によって、出力特性の変動の補正作業を容易に行うことができる。
A thin film thermistor and a chip thermistor are suitably used as the infrared detecting thermal element and the temperature compensating thermal element, but are not limited thereto, and for example, a thermocouple or a resistance temperature detector can be used.
The configuration of removal and adhesion is not particularly limited as long as the amount of infrared light incident on the light guide unit can be adjusted in the field region expansion unit or the field region reduction unit.
According to such an invention, it is possible to easily perform a correction operation for fluctuations in output characteristics with a simple configuration.
請求項2に記載の赤外線温度センサの製造方法は、請求項1に記載の赤外線温度センサの製造方法において、 前記ケースは、熱伝導性を有する材料から作製され、前記導光部及び遮蔽部を形成する部分は、樹脂材料から作製されていることを特徴とする。
Method for manufacturing an infrared temperature sensor according to
請求項3に記載の赤外線温度センサの製造方法は、請求項1又は請求項2に記載の赤外線温度センサの製造方法において、前記導光部の開口部における少なくとも1箇所以上に内周側に突出する突起部が設けられ、この突起部を除去して視野領域が拡大されるように形成された視野領域拡大部又は前記突起部に接着剤若しくは付加部材を接着して視野領域が縮小されるように形成された視野領域縮小部を具備することを特徴とする。
The method for manufacturing an infrared temperature sensor according to
請求項4に記載の赤外線温度センサの製造方法は、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の赤外線温度センサの製造方法において、前記導光部と遮蔽部とは、これらを仕切る区画壁を軸として略対称の形態に形成されていることを特徴とする。
Method for manufacturing an infrared temperature sensor according to
請求項5に記載の赤外線温度センサの製造方法は、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の赤外線温度センサの製造方法において、前記フィルムには、赤外線検知用感熱素子及び温度補償用感熱素子が接続される配線パターンが形成されており、この配線パターンに接続された外部引出端子と外部リード線とは、中継端子を介して接続されることを特徴とする。
Method for manufacturing an infrared temperature sensor according to
請求項6に記載の赤外線温度センサの製造方法は、請求項5に記載の赤外線温度センサの製造方法において、前記中継端子は、導光部及び遮蔽部を形成する樹脂材料と一体的に形成されていることを特徴とする。
Method for manufacturing an infrared temperature sensor according to
赤外線温度センサは、例えば、複写機の定着装置、バッテリーユニット、IHクッキングヒータ等の各種装置に用いることができる。適用される装置が格別限定されるものではない。 The infrared temperature sensor can be used for various devices such as a fixing device of a copying machine, a battery unit, and an IH cooking heater. The applied device is not particularly limited.
本発明によれば、簡単な構成によって、出力特性の変動の補正作業を容易に行うことができる赤外線温度センサの製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the infrared temperature sensor which can perform the correction | amendment operation | work of the fluctuation | variation of an output characteristic easily with a simple structure can be provided.
以下、本発明の第1の実施形態に係る赤外線温度センサについて図1乃至図3を参照して説明する。図1は、赤外線温度センサの斜視図を示し、図2(a)は、平面図、(b)及び(c)は断面図を示している。また、図3(a)は、導光部の一部を除去した状態を示し、(b)は、導光部の一部に接着剤を接着した状態を示している。 Hereinafter, an infrared temperature sensor according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. 1 is a perspective view of an infrared temperature sensor, FIG. 2 (a) is a plan view, and (b) and (c) are cross-sectional views. 3A shows a state where a part of the light guide is removed, and FIG. 3B shows a state where an adhesive is adhered to a part of the light guide.
図1及び図2に示すように、赤外線温度センサ1は、ケース2と、フィルム3と、このフィルム3上に配設された赤外線検知用感熱素子4及び温度補償用感熱素子5とを備えている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
ケース2は、第1のケース21と第2のケース22とから構成されている。具体的には、第1のケース21は、保持体であり、第2のケース22は、蓋部材である。また、ケース2は、例えば、ナイロン、PBT、PPSやABS等の樹脂材料によって形成されている。
なお、ケース2を形成する材料は、格別限定されるものではなく、樹脂にカーボン、金属、セラミック等のフィラーを含有させた材料、アルミニウム、銅、鉄、ニッケル等の金属材料、金属材料に黒体塗装を施した材料などを用いることができる。
The material forming the
第1のケース21は、前面側(図2(b)における上側)へ突出する略直方体形状の本体部21aと、この本体部21aの周囲に形成された略長方形状のフランジ部21bとを備えている。本体部21aには、赤外線を導く導光部23及び赤外線を遮蔽する遮蔽部24が形成されている。
The
導光部23は、前面側に開口部23a有して側壁21c及び区画壁21dによって略直方体形状の筒状に形成されている。区画壁21dは、導光部23と遮蔽部24との境界部に位置して導光部23と遮蔽部24とを仕切る役目をなしている。なお、導光部23の内周面には、必要に応じて例えば、黒色塗装やアルマイト処理等を施して赤外線吸収層を形成するようにしてもよい。また、導光部23の内周面を金属研磨したり、内周面に金属めっきを施したりして反射面を形成するようにしてもよい。
The
遮蔽部24は、導光部23に隣接して配置されており、区画壁21dを軸として導光部23と略対称の形態に形成されている。遮蔽部24は、遮蔽壁24aを前面側に有して側壁21c及び区画壁21dによって略直方体形状の空洞に形成されている。また、遮蔽壁24aと対向する背面側は開口されている。
The
第2のケース22は、背面側(図2(b)における下側)へ突出する略直方体形状の本体部22aと、この本体部22aの周囲に形成された略長方形状のフランジ部22bとを備えている。本体部22aは、第1のケース21における本体部21aの背面側の形状と略合致する形態に形成されていて、内側には前記導光部23と遮蔽部24に対応して連続するような空間部22cが形成されるようになっている。
The
フィルム3は、略長方形状に形成された樹脂フィルムであり、一表面に図示しない配線パターンが形成され、この配線パターンに赤外線検知用感熱素子4及び温度補償用感熱素子5が接続され配置されている。配線パターンの終端には、外部引出端子が形成されていて、この外部引出端子には、外部リード線6がはんだ付けや溶接等の手段によって電気的に接続されている。
The
フィルム3は、フッ素、シリコン、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、PPS(ポリフェニレンスルフィド)等の高分子材料からなる樹脂を用いることができる。赤外線を吸収する材料であれば他の材料を使用してもよい。さらに、これらの樹脂にカーボンブラック又は無機顔料(クロムイエロ、弁柄、チタンホワイト、群青の1種以上)を混合分散させて略全波長の赤外線を吸収し得るような材料を用いてもよい。
For the
このフィルム3は、第1のケース21と第2のケース22とが組合わされ結合されることによって、第1のケース21のフランジ部21bと第2のケース22のフランジ部22bとの間に介在され固定されるようになっている。また、この場合、赤外線検知用感熱素子4は、導光部23に対応する位置に配設され、温度補償用感熱素子5は、遮蔽部24に対応する位置に配設され、ともに第2のケース22の空間部22c側に位置されるようになる。
The
赤外線検知用感熱素子4は、検知対象物からの赤外線を検知して、検知対象物の温度を測定する。温度補償用感熱素子5は、周囲温度を検知して、周囲温度を測定する。これら赤外線検知用感熱素子4及び温度補償用感熱素子5は、少なくとも略等しい温度特性を有する感熱素子で構成されており、前記フィルム3上に配置されている。
The infrared detecting
具体的には、赤外線検知用感熱素子4及び温度補償用感熱素子5は、Mn、Co、Ni、Ti、Al、Zn、Cu及びFeの金属酸化物を含有するサーミスタ等のセラミックス半導体から構成されている。このセラミックス半導体は、温度係数であるB定数が高いため、赤外線を吸収するフィルム3の温度変化を感度よく検出することができる。
Specifically, the infrared detecting
前記セラミックス半導体は、立方晶スピネル相を主相とする結晶構造を有していることが望ましく、この場合、異方性もなく、また、不純物層がないので、セラミックス焼結体内で電気特性のばらつきが小さく、複数の赤外線温度センサを用いる際に高精度な測定が可能になる。さらに、安定した結晶構造のため、耐環境に対する信頼性も高い。なお、セラミックス半導体としては、立方晶スピネル相からなる単相の結晶構造が最も望ましい。 The ceramic semiconductor preferably has a crystal structure having a cubic spinel phase as a main phase. In this case, since there is no anisotropy and no impurity layer, the electrical characteristics of the ceramic sintered body are not obtained. The variation is small, and highly accurate measurement is possible when using a plurality of infrared temperature sensors. In addition, because of the stable crystal structure, the environment resistance is high. As the ceramic semiconductor, a single-phase crystal structure composed of a cubic spinel phase is most desirable.
また、赤外線検知用感熱素子4及び温度補償用感熱素子5とが、セラミックス半導体で形成された同一のウエハから得たサーミスタ素子、薄膜サーミスタの中から所定の許容誤差内の抵抗値で選別したものであることが好ましい。
Further, the infrared detecting
この場合、対となる赤外線検知用感熱素子4及び温度補償用感熱素子5とでB定数の相対誤差が小さくなり、同時に温度を検出する両者の温度差分を高精度に検出することができる。また、赤外線検知用感熱素子4及び温度補償用感熱素子5とについて、B定数の選別作業や抵抗値の調整工程が不要になり、生産性を向上させることができる。
In this case, the relative error of the B constant is reduced between the pair of infrared detecting
なお、赤外線検知用感熱素子4及び温度補償用感熱素子5に用いるサーミスタ素子の構成は、例えば、バルク、積層、厚膜、薄膜のいずれの構成であってもよい。
The thermistor elements used for the infrared detecting
このように構成される赤外線温度センサ1において、赤外線温度センサ1を構成する導光部23やフィルム3などの各部材の寸法等のばらつきが生じ、個々の赤外線温度センサの出力特性のばらつき、すなわち、出力特性の変動が生じる場合がある。
In the
したがって、基準とする赤外線温度センサを選定し、この基準の赤外線温度センサの検知温度特性と未調整の赤外線温度センサ1の検知温度特性とが等しくなるように調整し、ばらつきを補正する必要がある。
Therefore, it is necessary to select a reference infrared temperature sensor, adjust the detected temperature characteristic of the reference infrared temperature sensor to be equal to the detected temperature characteristic of the unadjusted
このため、本実施形態においては、図3(a)及び(b)に示すように導光部23の赤外線の入射に対する視野領域を調整して赤外線の入射量を調整する方法を採用している。
For this reason, in the present embodiment, as shown in FIGS. 3A and 3B, a method of adjusting the incident amount of the infrared light by adjusting the visual field area of the
具体的には、図3(a)は、視野領域、すなわち、視野角Vaを拡大するように導光部23における開口部23aの一部を除去(切削)した例を示している。導光部23を形成する開口部23a側の側壁21cの内側を、開口部23a側に向かって拡がるように傾斜して切削したものである。このような除去工程を有する調整方法により、赤外線の入射量が増加するように調整し補正することができる。
Specifically, FIG. 3A shows an example in which a part of the
図3(b)は、視野領域、すなわち、視野角Vaを縮小するように導光部23における開口部23aの一部に接着剤を接着した例を示している。導光部23を形成する開口部23a側の側壁21cの内側に突出するように接着剤を接着したものである。このような接着工程を有する調整方法により、赤外線の入射量が減少するように調整し補正することができる。なお、この場合、導光部23を形成する材料と同じ材料の小片を、導光部23の開口部23a側の内側に突出するように接着してもよい。
FIG. 3B shows an example in which an adhesive is adhered to a part of the
以上のような調整方法において、視野領域を拡大するように導光部23における開口部23aの一部を除去(切削)した場合には、導光部23に視野領域拡大部Veが形成され、視野領域を縮小するように導光部23における開口部23aの一部に接着剤を接着した場合には、導光部23に視野領域縮小部Vd(接着剤)が形成される。
In the adjustment method as described above, when a part of the
なお、視野領域拡大部Ve、視野領域縮小部Vdの形成部位は、格別限定されるものではなく、赤外線の入射量を調整できれば、導光部23における区画壁21dに形成してもよいし、また、開口部23aの全周に形成するようにしてもよい。
In addition, the formation site | part of the visual field area expansion part Ve and the visual field area reduction | decrease part Vd is not specifically limited, If the incident amount of infrared rays can be adjusted, you may form in the
次に、上記赤外線温度センサ1の動作について説明する。検知対象物の表面から放射された赤外線は、赤外線温度センサ1の導光部23における開口部23aから入射し、導光部23に導かれて導光部23を通過しフィルム3に到達する。このフィルム3に到達した
赤外線は、フィルム3に吸収されて熱エネルギーに変換される。
Next, the operation of the
変換された熱エネルギーは、赤外線検知用感熱素子4に伝達され、赤外線検知用感熱素子4の温度を上昇させる。赤外線検知用感熱素子4と温度補償用感熱素子5とは、少なくともほぼ等しい温度特性を有するセラミックス半導体であり、検知対象物からの赤外線によって赤外線検知用感熱素子4の抵抗値が変化する。
The converted thermal energy is transmitted to the infrared detecting
同時に、赤外線は遮蔽部24の遮蔽壁24aによって遮られるが、検知対象物からの輻射熱や周囲雰囲気温度によってケース2の温度が上昇するため、温度補償用感熱素子5の抵抗値もケース2の温度上昇に相当する抵抗値の変化を受ける。
At the same time, infrared rays are shielded by the shielding
この場合、導光部23と遮蔽部24とは、区画壁21dを軸として略対称の形態に形成されているため、赤外線検知用感熱素子4と温度補償用感熱素子5とは、周囲の温度変化に対して同じように変化し、熱的外乱に対する影響を防ぐことができ、検知対象物からの赤外線による温度変化を確実に検出することが可能となる。
In this case, since the
なお、ケース2が金属等の熱伝導性を有する材料で形成されている場合には、周囲の温度変化に追従して赤外線温度センサ1の温度変化が全体として均一化することができる。
When the
以上のように本実施形態によれば、視野領域拡大部Ve又は視野領域縮小部Vdを形成することにより、赤外線の入射量を調整できるので、簡単な構成によって、個々の赤外線温度センサ1の出力特性の変動の補正作業を容易に行うことができる。
As described above, according to the present embodiment, since the amount of incident infrared rays can be adjusted by forming the visual field region enlargement portion Ve or the visual field region reduction portion Vd, the output of each
次に、本発明の第2の実施形態に係る赤外線温度センサについて図4及び図5を参照して説明する。図4(a)は、平面図、(b)は断面図を示している。また、図5(a)は、導光部の一部を除去した状態を示し、(b)は、導光部の一部に接着剤を接着した状態を示している。なお、第1の実施形態と同一又は相当部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。 Next, an infrared temperature sensor according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A is a plan view, and FIG. 4B is a cross-sectional view. FIG. 5A shows a state where a part of the light guide is removed, and FIG. 5B shows a state where an adhesive is adhered to a part of the light guide. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part which is the same as that of 1st Embodiment, or an equivalent part, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
本実施形態では、導光部23における開口部23aの側壁21cに内周側へ突出する突起部23bを形成したものである。この突起部23bは、開口部23aの複数箇所に形成されていて櫛歯状をなしている。具体的には、側壁21cの上端部の3箇所に3個の突起部23bが形成されている。
このような構成において、図5(a)及び(b)に示すように導光部23の赤外線の入射に対する視野領域を調整して赤外線の入射量を調整する。
In the present embodiment, a
In such a configuration, as shown in FIGS. 5A and 5B, the amount of incident infrared light is adjusted by adjusting the visual field area of the
具体的には、図5(a)は、視野領域、すなわち、開口部23aの面積を拡大させて、視野角Vaを拡大するように導光部23における開口部23aの突起部23bを除去(折って切削)した例を示している。
Specifically, FIG. 5 (a) removes the
このような除去工程を有する調整方法により、赤外線の入射量が増加するように調整し補正することができる。また、突起部23bを折って切削できるので、赤外線の入射量を微調整することができる。
By the adjustment method having such a removal step, adjustment and correction can be performed so that the amount of incident infrared rays increases. Moreover, since the
図3(b)は、視野領域、すなわち、開口部23aの面積を縮小させて、視野角Vaを縮小するように導光部23における開口部23aの突起部23b間に接着剤を接着した例を示している。
FIG. 3B shows an example in which an adhesive is bonded between the
このような接着工程を有する調整方法により、赤外線の入射量が減少するように微調整し補正することができる。なお、この場合、突起部23b間の複数箇所に接着剤を接着するようにしてもよい。
By the adjustment method having such an adhesion step, fine adjustment and correction can be performed so that the amount of incident infrared rays is reduced. In this case, an adhesive may be adhered to a plurality of locations between the
以上のような調整方法において、視野領域を拡大するように導光部23における開口部23aの突起部23bを除去(折って切削)した場合には、導光部23に視野領域拡大部Veが形成され、視野領域を縮小するように導光部23における開口部23aの突起部23b間に接着剤を接着した場合には、導光部23に視野領域縮小部Vd(接着剤)が形成される。
In the adjustment method as described above, when the
以上のように本実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、簡単な構成によって、個々の赤外線温度センサ1の出力特性の変動の補正作業を容易に行うことができる。
As described above, according to the present embodiment, similarly to the first embodiment, it is possible to easily perform correction work for fluctuations in output characteristics of the individual
次に、本発明の第3の実施形態に係る赤外線温度センサについて図6及び図7を参照して説明する。図6(a)は、平面図、(b)は断面図を示している。また、図7は、導光部の一部を除去した状態を示している。なお、第1の実施形態と同一又は相当部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。 Next, an infrared temperature sensor according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6A is a plan view, and FIG. 6B is a cross-sectional view. FIG. 7 shows a state in which a part of the light guide is removed. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part which is the same as that of 1st Embodiment, or an equivalent part, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
本実施形態においては、第1のケース21の本体部21aは、前面側(図6(b)における上側)へ突出し、略直方体形状の空洞部21eが形成されている。この空洞部21eには、赤外線を導く導光部23及び赤外線を遮蔽する遮蔽部24が形成された形成体25が装着されるようになっている。
ここで、第1のケース21及び第2のケース22は、熱伝導性を有する例えば、金属材料から作製され、形成体25は、樹脂材料によって作製されている。
In the present embodiment, the
Here, the
第1のケース21をアルミニウム等の熱伝導性の良好な金属材料でダイカスト等の方法で作製すると、導光部23の開口部23aの寸法精度が確保しにくく、導光部23の赤外線の入射量にばらつきが生じやすい。このため、導光部23及び遮蔽部24を寸法精度の確保しやすい樹脂で作製することにより、導光部23の赤外線の入射量にばらつきを小さくすることができる。
If the
一方、第1のケース21及び第2のケース22が熱伝導性を有する金属材料で形成されているため、周囲の温度変化に追従して赤外線温度センサ1の温度変化を全体として均一化することができる。
このような構成において、図7に示すように導光部23の赤外線の入射に対する視野領域を調整して赤外線の入射量を調整する。
On the other hand, since the
In such a configuration, the amount of incident infrared light is adjusted by adjusting the visual field area of the
具体的には、図7は、視野領域、すなわち、視野角Vaを拡大するように導光部23における開口部23aの一部を除去(切削)した例を示している。導光部23を形成する開口部23a側の区画壁21dの内側を、開口部23a側に向かって拡がるように傾斜して切削したものである。このような除去工程を有する調整方法により、赤外線の入射量が増加するように調整し補正することができる。
Specifically, FIG. 7 shows an example in which a part of the
以上のような調整方法において、視野領域を拡大するように導光部23における開口部23aの一部を除去(切削)した場合には、導光部23に視野領域拡大部Veが形成される。なお、導光部23を形成する開口部23a側の区画壁21dの内側に突出するように接着剤を接着するようにしてもよい。この場合には、前述と同様に、導光部23に視野領域縮小部Vd(接着剤)が形成される。
In the adjustment method as described above, when a part of the
以上のように本実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果に加え、導光部23及び遮蔽部24を樹脂で作製したことにより導光部23及び遮蔽部24の寸法精度が確保しやすいため、導光部23の赤外線の入射量にばらつきを小さくすることができる。また、第1のケース21及び第2のケース22を熱伝導性を有する材料で作製したことにより赤外線温度センサ1の温度変化を全体として均一化することができる。
As described above, according to this embodiment, in addition to the same effects as those of the first embodiment, the
次に、本発明の第4の実施形態に係る赤外線温度センサについて図8及び図9を参照して説明する。図8(a)は、平面図、(b)は断面図を示している。また、図9は、導光部の一部を除去した状態を示している。なお、第3の実施形態と同一又は相当部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。 Next, an infrared temperature sensor according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8A is a plan view and FIG. 8B is a cross-sectional view. FIG. 9 shows a state where a part of the light guide is removed. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part which is the same as that of 3rd Embodiment, or an equivalent part, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
本実施形態においては、導光部23における開口部23aに突起部23bを形成したものである。詳しくは、開口部23aの側壁25cの上端部1箇所に、導光部23の内周側へ突出する突起部23bを形成したものである。
このような構成において、図9に示すように導光部23の赤外線の入射に対する視野領域を調整して赤外線の入射量を調整する。
In the present embodiment, the
In such a configuration, as shown in FIG. 9, the amount of incident infrared light is adjusted by adjusting the visual field area of the
具体的には、図9は、視野領域、すなわち、視野角Vaを拡大するように導光部23における開口部23aの突起部23bを除去(折って切削)した例を示している。
このような除去工程を有する調整方法により、赤外線の入射量が増加するように調整し補正することができる。
Specifically, FIG. 9 shows an example in which the
By the adjustment method having such a removal step, adjustment and correction can be performed so that the amount of incident infrared rays increases.
以上のような調整方法において、視野領域を拡大するように導光部23における開口部23aの突起部23bを除去(折って切削)した場合には、導光部23に視野領域拡大部Veが形成され形成される。
したがって、本実施形態によれば、第3の実施形態と同様な効果を奏することができる。
In the adjustment method as described above, when the
Therefore, according to this embodiment, the same effect as that of the third embodiment can be obtained.
続いて、本発明の第5の実施形態に係る赤外線温度センサについて図10及び図11を参照して説明する。図10(a)は、平面図、(b)は断面図を示している。また、図11は、導光部の一部に接着剤を接着した状態を示している。なお、第4の実施形態と同一又は相当部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。 Subsequently, an infrared temperature sensor according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 10A is a plan view, and FIG. 10B is a cross-sectional view. FIG. 11 shows a state where an adhesive is bonded to a part of the light guide. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part which is the same as that of 4th Embodiment, or an equivalent part, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
本実施形態においては、導光部23における開口部23aの側壁25cに内周側へ突出する突起部23bを複数箇所、具体的には、2箇所(2個)に一対となるように形成したものである。
このような構成において、図11に示すように導光部23の赤外線の入射に対する視野領域を調整して赤外線の入射量を調整する。
In the present embodiment, a plurality of
In such a configuration, as shown in FIG. 11, the amount of incident infrared light is adjusted by adjusting the visual field area of the
具体的には、視野領域、すなわち、開口部23aの面積を縮小させて、視野角Vaを縮小するように導光部23における開口部23aの一対の突起部23b間に接着剤を接着した例を示している。このような接着工程を有する調整方法により、赤外線の入射量が減少するように微調整し補正することができる。
なお、視野領域を拡大するように導光部23における突起部23bを除去(折って切削)するようにして調整してもよい。
Specifically, an example in which an adhesive is bonded between the pair of
In addition, you may adjust so that the
以上のような調整方法において、視野領域を縮小するように導光部23における開口部23aの突起部23b間に接着剤を接着した場合には、導光部23に視野領域縮小部Vd(接着剤)が形成される。また、視野領域を拡大するように突起部23bを除去(折って切削)した場合には、導光部23に視野領域拡大部Veが形成される。
したがって、本実施形態によれば、前述の各実施形態と同様な効果を奏することができる。
In the adjustment method as described above, when an adhesive is bonded between the
Therefore, according to this embodiment, the same effects as those of the above-described embodiments can be obtained.
次に、本発明の第6の実施形態に係る赤外線温度センサについて図12を参照して説明する。図12(a)は、平面図、(b)は断面図を示している。また、図12(c)は、配線接続関係を説明するための平面図であり、(d)は、リード線を接続する前の状態を示す断面図である。なお、第5の実施形態と同一又は相当部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。 Next, an infrared temperature sensor according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 12A is a plan view, and FIG. 12B is a cross-sectional view. FIG. 12C is a plan view for explaining the wiring connection relationship, and FIG. 12D is a cross-sectional view showing a state before the lead wires are connected. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part which is the same as that of 5th Embodiment, or an equivalent part, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
本実施形態は、赤外線温度センサの基本的な構成は、第5の実施形態と同様であるが、外部リード線6の接続構成が異なっている。図12(c)に代表して示すようにフィルム3の一表面に配線パターン7が形成され、この配線パターン7に赤外線検知用感熱素子4及び温度補償用感熱素子5が接続され配置されていて、配線パターン7の終端には、外部引出端子8が形成され接続されている。
In the present embodiment, the basic configuration of the infrared temperature sensor is the same as that of the fifth embodiment, but the connection configuration of the
そして、この外部引出端子8は、中継端子9を介して外部リード線6と接続されるようになっている。中継端子9は、やや幅広の接続端子部91と、この接続端子部91から延出されたリード部92とを備えている。また、この中継端子9は、樹脂材料で形成された保持部材93にインサート成形されて一体化されている。
The
このような中継端子9は、リード部92が外部引出端子8にはんだ付けや溶接等の手段によって電気的に接続され、その後、第1のケースに第2のケースが結合されるようになる。なお、保持部材93は第2のケース22側に図示しない固定手段によって固定される。
In such a
このような構成によれば、中継端子9の接続端子部91は、ケース2の外部に露出している状態になるので(図12(d)参照)、第1のケースと第2のケースとが結合された後に、この接続端子91に任意の外部リード線6をはんだ付けや溶接等の手段によって接続することができる。
According to such a configuration, since the
したがって、外部リード線6を外部引出端子8に直接接続せずに、中継端子9を介在して接続するため、外部リード線6の長さ等が異なる多様な品種に対応することができ、量産性を向上することが可能となる。つまり、外部リード線6が接続されていない状態(図12(d)参照)で赤外線温度センサ1を管理することができ、このような赤外線温度センサ1に外部リード線6の長さ等が異なる品種に応じて、外部リード線6を接続することができる。また、外部リード線6が接続されていない状態で赤外線温度センサ1における赤外線の入射量を調整し補正することができる。
以上のように本実施形態によれば、外部リード線6の長さ等が異なる品種が増加し、少量多品種になった場合にも量産性を確保することができる。
Therefore, since the
As described above, according to the present embodiment, the number of varieties with different lengths of the
次に、本発明の第7の実施形態に係る赤外線温度センサについて図13を参照して説明する。図13(a)は、平面図、(b)は断面図を示している。また、図13(c)は、配線接続関係を説明するための平面図であり、(d)は、リード線を接続する前の状態を示す断面図である。なお、第6の実施形態と同一又は相当部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。 Next, an infrared temperature sensor according to a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 13A is a plan view, and FIG. 13B is a cross-sectional view. FIG. 13C is a plan view for explaining the wiring connection relationship, and FIG. 13D is a cross-sectional view showing a state before the lead wires are connected. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same or equivalent part as 6th Embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
本実施形態は、外部リード線6の接続構成を示し、第6の実施形態と基本的な構成を同じくするものである。異なる構成は、中継端子9を導光部23及び遮蔽部24が形成された形成体25に一体的にインサート成形した点である。
The present embodiment shows the connection configuration of the
詳しくは、遮蔽部24の一端側を外部リード線6の接続部方向に延出して延出部24bを形成し、その延出部24bの先端部に保持部材93を一体的に形成し、保持部材93に中継端子9をインサート成形したものである。
このような構成によれば、第6の実施形態の効果に加え、中継端子9は、形成体25と一体的に形成されるので、部品点数を少なくすることができる。
Specifically, one end side of the shielding
According to such a configuration, in addition to the effects of the sixth embodiment, since the
以上説明してきた各実施形態における赤外線温度センサ1は、複写機の定着装置、バッテリーユニット、IHクッキングヒータ等の各種装置に備えられ適用することができる。格別適用される装置が限定されるものではない。
The
なお、本発明は、上記各実施形態の構成に限定されることなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。また、上記各実施形態は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。 The present invention is not limited to the configuration of each of the embodiments described above, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. Moreover, each said embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention.
例えば、視野領域拡大部又は視野領域縮小部が形成される位置は、限定されるものではなく、赤外線の入射量を調整できれる導光部の部位であればよく、導光部における開口部の全周であってもよいし、側壁や区画壁であってもよい。 For example, the position where the visual field area enlargement part or the visual field area reduction part is formed is not limited, and may be any part of the light guide part that can adjust the amount of incident infrared rays. The whole circumference may be sufficient, and a side wall or a partition wall may be sufficient.
また、赤外線検知用感熱素子及び温度補償用感熱素子としては、セラミックス半導体で形成された薄膜サーミスタやチップサーミスタが好適に用いられるが、これらに限らず、熱電対や測温抵抗体等を用いることができる。 In addition, as a thermal sensing element for infrared detection and a thermal compensation element for temperature compensation, a thin film thermistor or a chip thermistor formed of a ceramic semiconductor is preferably used. Can do.
1・・・赤外線温度センサ
2・・・ケース
3・・・フィルム
4・・・赤外線検知用感熱素子
5・・・温度補償用感熱素子
6・・・外部リード線
7・・・配線パターン
8・・・外部引出端子
9・・・中継端子
21・・・第1のケース(保持体)
21d・・・区画壁
22・・・第2のケース(蓋部材)
23・・・導光部
23a・・・開口部
23b・・・突起部
24・・・遮蔽部
24a・・・遮蔽壁
Ve・・・視野領域拡大部
Vd・・・視野領域縮小部
DESCRIPTION OF
21d: partition wall 22: second case (lid member)
23 ...
Claims (6)
前記導光部の開口部の一部を除去して視野領域が拡大されるように形成する除去工程又は前記導光部の開口部の一部に接着剤若しくは付加部材を接着して視野領域が縮小されるように形成する接着工程を具備することを特徴とする赤外線温度センサの製造方法。A removal step of removing a part of the opening of the light guide part to enlarge the field of view, or a field of view area by adhering an adhesive or an additional member to a part of the opening of the light guide part A method for manufacturing an infrared temperature sensor, comprising a bonding step of forming the wafer so as to be reduced.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014048681A JP6357328B2 (en) | 2014-03-12 | 2014-03-12 | Infrared temperature sensor manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014048681A JP6357328B2 (en) | 2014-03-12 | 2014-03-12 | Infrared temperature sensor manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015172537A JP2015172537A (en) | 2015-10-01 |
JP6357328B2 true JP6357328B2 (en) | 2018-07-11 |
Family
ID=54259956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014048681A Active JP6357328B2 (en) | 2014-03-12 | 2014-03-12 | Infrared temperature sensor manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6357328B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108369134B (en) * | 2016-01-29 | 2020-11-27 | 三菱综合材料株式会社 | Infrared sensor |
CN109073469B (en) * | 2016-06-13 | 2019-06-25 | 株式会社芝浦电子 | Infrared temperature sensor |
US10533898B2 (en) | 2016-12-20 | 2020-01-14 | Shibaura Electronics Co., Ltd. | Infrared temperature sensor |
JP6317533B1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-04-25 | 株式会社芝浦電子 | Infrared temperature sensor |
US11441952B2 (en) | 2017-06-06 | 2022-09-13 | Shibaura Electronics Co., Ltd. | Infrared temperature sensor and method of manufacturing the same |
JP7453659B2 (en) * | 2019-11-21 | 2024-03-21 | 国立大学法人 香川大学 | Radiant light detection device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0348464A (en) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of infrared detector |
JP4415045B2 (en) * | 1997-09-29 | 2010-02-17 | 石塚電子株式会社 | Non-contact temperature sensor |
US7655911B2 (en) * | 2007-04-19 | 2010-02-02 | Drs Sensors & Targeting Systems, Inc. | Image sensor having a variable aperture and mono-color focal plane array for dual color detection |
JP2013195367A (en) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Tdk Corp | Infrared detector |
-
2014
- 2014-03-12 JP JP2014048681A patent/JP6357328B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015172537A (en) | 2015-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6357328B2 (en) | Infrared temperature sensor manufacturing method | |
JP5847985B2 (en) | Infrared temperature sensor and apparatus using infrared temperature sensor | |
JP5640529B2 (en) | Infrared sensor and circuit board having the same | |
JP5832007B2 (en) | Infrared sensor and manufacturing method thereof | |
TWI568997B (en) | Infrared sensor | |
JP2011013213A (en) | Infrared sensor | |
WO2011083593A1 (en) | Non-contact temperature sensor | |
JP6076549B1 (en) | Infrared temperature sensor, circuit board, and apparatus using infrared temperature sensor | |
KR101972197B1 (en) | Infrared sensor and infrared sensor device | |
WO2016152221A1 (en) | Infrared temperature sensor and device using infrared temperature sensor | |
JP5741830B2 (en) | Infrared sensor device | |
JP6030273B1 (en) | Infrared temperature sensor and apparatus using infrared temperature sensor | |
WO2017145670A1 (en) | Infrared sensor device | |
JP2015224964A (en) | Temperature sensor | |
KR101662714B1 (en) | Multi- direction Seebeck measurement sensors for thermoelectric thin film | |
JP6287233B2 (en) | Infrared detector cap and infrared detector | |
KR101789654B1 (en) | Temperature sensor and method for manufacturing the temperature sensor | |
CN107664534B (en) | Temperature sensor packaging structure | |
JP6346391B1 (en) | Infrared temperature sensor and manufacturing method thereof | |
JP6620608B2 (en) | Infrared sensor | |
JP5747628B2 (en) | Induction heating cooker |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180612 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6357328 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |