JP6348539B2 - インクヘッド - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 105
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 91
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 229960001716 benzalkonium Drugs 0.000 claims 1
- CYDRXTMLKJDRQH-UHFFFAOYSA-N benzododecinium Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 CYDRXTMLKJDRQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 17
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 9
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004697 chelate complex Chemical class 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 1,2-dioctyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(CCCCCCCC)C(CCCCCCCC)=C3CC2=C1 PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2OC=NC2=C1 RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWDWOSWCEBDQIS-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexyl-4-methylthiophene Chemical compound CC1=CSC(C2CCCCC2)=C1 TWDWOSWCEBDQIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)-2-thiophen-2-ylthiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=C(C=2SC=CC=2)SC=C1 YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)thiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CSC=C1 CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000280258 Dyschoriste linearis Species 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000282 Poly(3-cyclohexylthiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N trans,trans-1,4-Diphenyl-1,3-butadiene Chemical group C=1C=CC=CC=1\C=C\C=C\C1=CC=CC=C1 JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Coating Apparatus (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
ェット方式を用いる発光装置の製造方法に関する。
る一対の電極間に挟んだ構造をもって形成されている。その発光機構は、陰極から注入さ
れた電子と、陽極から注入された正孔が発光性物質を含む発光層で再結合して分子励起子
を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る時に光を放出する現象として捉えられている
。光を放出する過程には、一重項状態からの発光(蛍光)と三重項状態からの発光(燐光
)とがある。輝度は10V以下の印加電圧であっても数千〜数万cd/m2に及び、有機化合物
材料やそのドーパントを適宜選択することにより青色から赤色までの発光が可能である。
従って、原理的に見ても表示装置などへの応用が十分可能であると考えられている。
ているが、いずれも耐熱性が低いことからフォトリソグラフィー等のパターニング工程を
適用することが困難である。インクジェット方式はその問題点を克服するために開発され
、基板上に直接パターンを描画することで、フォトリソグラフィーによるパターニング工
程を不要なものとしている。
クス型有機EL表示体を製造する技術が開示されている。これは、薄膜トランジスタを有
するガラス基板に画素電極が形成され、当該画素電極上に赤、緑、青の各色の発光層を画
素毎にインクジェット方式で形成するものである。
、ポリフェニレンビニレンなどの前駆体、アロマティックジアアミン、オキシジアゾール
、ジスチルアリーレン、トリフェニルアミン、ジスチリルなどの誘導体、キノリノール系
金属、アゾメチン亜鉛、ポリフィリン亜鉛、ベンゾオキサゾール亜鉛、フェナントロリン
ユウピウムなどの錯体が知られている。
クジェット印刷装置のインクヘッドから滴下して、基板上に被膜を形成する。組成物の物
性としては、粘度、表面張力、乾燥速度などが重要なパラメータとなる。また、再現性良
く組成物を滴下するにはインクヘッドの幾何学的構造やその駆動条件が重要であり、吐出
する組成物の量、方向、周期などがパラメータとなっている。
用い、その振動を利用して組成物が充填された容器の容積を変化させて外部に組成物を吐
出させる仕組みとなっている。
が良いと考えられている。粘度が低い場合は所定の膜厚を得ることができず、被形成面に
組成物が着弾した後流れ出して必要以上にパターンが広がってしまう等の問題が発生する
。また、粘度が高すぎるとインクヘッドの吐出口から組成物を円滑に吐出できなくなった
り、吐出する一滴の組成物の形状が糸を引いたようになり、着弾後に形状不良を発生させ
る等の問題がある。
して滴下していないと溶媒が揮発して、吐出口のところで固まってしまう。例えば、トル
エンなど揮発性の高い溶媒を用いる場合は、特に注意が必要となる。吐出が連続している
場合でも、吐出口の付近に固形物が次第に成長し、最悪の場合には吐出口を塞いでしまう
。それに至らないにしても、吐出口付近にできる固形物は、吐出する組成物の方向を変化
させ、着弾精度が著しく低下してしまう。さらに、吐出口の口径が小さくなることにより
吐出する組成物の量が減少し、基板上に形成される有機化合物層の厚さが減少するという
不良が発生する。
このような不具合を防止するために、従来のインクジェット方式では、固形物による目詰
まりを防止するために、頻繁にインクヘッドをクリーニングする必要に駆られていた。
機化合物層の形成を効率的に高速に処理することが可能な技術を提供することを目的とす
る。
方法において、インクヘッドから発光性を有する有機化合物を含む組成物を吐出して、連
続した有機化合物層を形成することを特徴としている。当該有機化合物層は、マトリクス
状に配列した画素電極上に形成するものであり、複数の画素電極に渡って連続して有機化
合物層を形成するものである。そして、この製造方法により有機発光素子を用いた発光装
置を製造するものである。
方法に適用することができる。アクティブマトリクス駆動方式を採用するには、薄膜トラ
ンジスタを有する基板に画素電極を形成し、当該画素電極上層に、正孔注入層が形成し、
この上層に、インクヘッドから発光性を有する有機化合物を含む組成物を吐出して連続し
た有機化合物層を形成する。
層が形成される。しかし、表面張力により水玉状に組成物が付着すると均一な厚さの有機
化合物層が得られないので、平滑化手段により平滑にする。平滑化手段としては、ノズル
から気体を噴出して組成物を平滑にする。或いは、ヘラなどを用い、連速的に形成された
組成物の表面をならして平滑化しても良い。
させることができ、また、酸化を防止することができる。或いは、吐出口の外周部に同心
円状に開口部を設け、その開口部から気体を噴出することにより平滑化すると共に、吐出
口において組成物が乾燥して固体化し、目詰まりするのを防ぐことができる。
有する組成物は、有機発光材料又はその前駆体を溶媒に溶解又は分散させたものを用いる
。例えば、昇華性を有さず、且つ分子数が20以下、又は連鎖する分子の長さが10μm
以下の有機化合物(これを本明細書において、中分子化合物という)を用いることができ
る。
組成物の一例は、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェ
ン系、ポリフルオレン系などの高分子系化合物を含む組成物を適用することができる。当
該組成物により作製される有機発光素子の発光色を変えるために、発光性を有する組成物
に、その発光特性を変化させる蛍光色素が少なくとも一種含ませることでその目的を達成
できる。
繰り返し行うことで所定のパターンを形成するものであったが、1ドット毎に吐出する組
成物を基板上で連続させ、線状又はストライプ状の有機化合物層を形成することにより、
位置合わせに要する時間が短縮され、有機化合物層の形成が容易となり、処理時間を短縮
することができる。
する場合に適している。また、大面積基板に複数の画素領域が設けられている場合には、
画素領域間の移動の間、混合物の吐出を瞬時に停止させることで、インクヘッドを大面積
基板に対してより高速に移動させることができる。
又はストライプ状の有機化合物層を形成することにより、位置合わせに要する時間が短縮
され、有機化合物層の形成が容易となり、処理時間を短縮することができる。
する場合に適している。また、大面積基板に複数の画素領域が設けられている場合には、
画素領域間の移動の間、混合物の吐出を瞬時に停止させることで、インクヘッドを大面積
基板に対してより高速に移動させ、生産性を向上できるという有利な効果がある。
にデータ線駆動回路104が形成され、画素部102にインクジェット方式で有機化合物
層を形成する段階を示している。画素部102にはストライプ状に隔壁105が設けられ
、各隔壁の間に有機化合物層を形成する。隔壁105はインクジェット方式で有機化合物
層を形成する際に、隣接する有機化合層が相互に混ざり合わないようにするために設けて
いる。
組成物を吐出して形成する。組成物はインクヘッドから連続的に吐出させて、線状のパタ
ーンを形成する。有機化合物層の材料は特に限定されるものではないが、カラー表示を行
うには赤、緑、青の各色を発光する有機化合物層106R、106G、106Bを設ける
。
のみの構成としても良いが、より発光効率を向上させるためには2層以上の積層構造が良
い。代表的な積層構造は正孔輸送層と発光層とを積層させたものである。
導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリ
アルキルフェニレン、ポリアセチレン誘導体などの有機溶媒に可溶な物質を用いることが
できる。
フェニレンビニレン):RO−PPVを用いることができ、具体的にはポリ(2−メトキ
シ−5−(2−エチル−ヘキソキシ)−1,4−フェニレンビニレン):MEH−PPV
やポリ(2,5−ジメチルオクチルシリル−1,4−フェニレンビニレン):DMOS−
PPVといった材料を用いることができる。
ン):RO−PPPを用いることができる。
とができ、具体的にはポリ(3−ヘキシルチオフェン):PHT、ポリ(3−シクロヘキ
シルチオフェン):PCHTといった材料を用いることができる。その他にもポリ(3−
シクロヘキシル−4−メチルチオフェン):PCHMT、ポリ(3−[4−オクチルフェ
ニル]−2,2’ビチオフェン):PTOPT、ポリ(3−(4オクチルフェニル)−チ
オフェン):POPT−1等を用いることもできる。
とができ、具体的にはポリ(ジオクチルフルオレン):PDOFといった材料を用いるこ
とができる。
ポリブチルフェニルフェニルアセチレン:PDPA−nBu、ポリヘキシルフェニルアセ
チレン:PHPAといった材料を用いることができる。
ゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、テトラリン、キシレン、アニソール、ジクロロ
メタン、γブチルラクトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、NMP(N−メチル−
2−ピロリドン)、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン、ジオキサンまたは、TH
F(テトラヒドロフラン)等を用いることができる。
ene))や、ポリアニリン(PA)を用いることもできる。なお、これらの材料は水溶性で
ある。このPEDOTは塗布法によっても形成可能である。塗布法で形成した第1の有機
化合物層(PEDOT)の上に、インクジェット方式で第2の有機化合物層を形成するこ
ともできる。
m以下の有機化合物(これを中分子系有機化合物という)を用いることもできる。そのよ
うな材料の一例は、テトラキス(2−メルカプト−ヘンズオキサゾラト)タングステンな
どが上げられる。高分子有機化合物材料を用いたインクジェット方式によるパターン形成
では、滴下した混合物が糸を引いて線状になってしまうなどの問題点があるが、連鎖する
分子数の少ない中分子系有機化合物ではそのような不具合が発生しない。また、高分子系
有機化合物材料の混合物を形成する場合には、それを溶かす溶媒とインクヘッドを構成す
る部材との組み合わせを考慮する必要がある。実際にはインクヘッドを構成する部材を腐
食しない溶媒を用いる必要がある。しかし、中分子系有機化合物では、水溶液に分散させ
て用いることも可能であり、そのような問題が発生しない。
ロホルム、テトラリン、キシレン、ジクロロメタン、シクロヘキサン、NMP(N−メチ
ル−2−ピロリドン)、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン、ジオキサン、THF
(テトラヒドロフラン)などを適用することができる。
から吐出される組成物は、基板上で連続した有機化合物のパターンが形成されるように、
吐出する周期と基板の移動速度を調節する。インクヘッド201に隣接して、組成物(又
は有機化合物)の平滑化手段として気体を噴出するノズル202が備えている。このノズ
ルから噴出する気体により、基板上215上に吐出された組成物を平滑化するために用い
ている。また、吐出した組成物の着弾位置の精度を高めるために、インクヘッド201と
基板215との間隔を1mm以下に近づける。これはインクヘッド201が上下に動く移動
機構204とその制御手段203を設け、パターン形成時のみ基板215に近づけるよう
にする構成とする。
する基板ステージ205、インクヘッド201に組成物を供給する手段206、ノズル2
02に気体を供給する手段207などから成っている。筐体210はインクヘッド201
、基板ステージ205等を覆い、ガス供給手段208と筐体210内に設けられたシャワ
ーヘッド209により、組成物の溶媒と同じ気体を供給して雰囲気を置換しておくと乾燥
をある程度防止することができ、長時間印刷を続けることができる。その他付随する要素
として、処理する基板を保持するカセット212、そのカセット212から搬出入させる
搬送手段211、清浄な空気を送り出し作業領域の埃を低減するクリーンユニット213
などを備えても良い。
める上で重要な役割を担う。図3はその構成に一例を示し、筐体301に圧電素子302
が装着された弾性板303により一方の面が封止された圧力発生室304と、供給された
組成物を一旦蓄えるリザーバー305などから成っている。圧力発生室304の一端には
開口が形成され、そこから組成物を吐出する吐出口306を設けている。圧力発生室30
4を構成する弾性板303は、圧電素子302のたわみ変位により圧力発生室304の容
積を変動させ混合物を吐出させる。平滑化手段として用いる開口308が形成されたノズ
ル307は、気体を基板面に向かって噴出するものであり、インクヘッドの吐出口306
の近傍に設けられている。
圧電素子402、弾性板403、が設けられ、同様に混合物を連続的に吐出することがで
きる。圧力発生室404に設けられる吐出口406には、その外周部に同心円状に開口4
08が設けられ、この開口408から気体を噴出することにより、平滑化することができ
る。また、気体として組成物の溶媒と同質のものを用いれば、吐出口406おいて組成物
が乾燥して固体化するのを防ぐことができる。
ドの構成を示している。筐体501には組成物が流れる経路が形成され、途中にダイアフ
ラムバルブ503が設けられ、吐出口513にはニードルバルブ502が設けられている
。どちらも、組成物の供給を制御するためのものであるが、ニードルバルブ502は組成
物の供給量と、供給の断続を瞬間的に行うために設けている。組成物は圧縮気体供給手段
506を利用してリザーバー505から供給する。供給量は超音波を利用した検出器(超
音波ヘッド504、検出回路507から成る)により検知し、その情報はA/Dコンバータ
508を介して演算処理装置512に入力される。演算処理装置512はインターフェー
スを介して外部情報処理装置と信号の送受信をしたり、A/D又はD/Aコンバータ509〜5
11を介して各種バルブの制御を行う。このような構成によっても線状のパターンを形成
することができる。
の吐出口を設けても良い。例えば、一組の圧力発生室と吐出口を一対に対応させて設けて
も良いし、複数の吐出口に対し一組の圧力発生室を対応させても良い。
化合物層を形成する方法を段階的に示している。図6(A)は初期状態であり、被形成面
600にパターンを形成するに当たっては、図6(B)に示すようにこのインクヘッド6
01及びノズル602が被形成面に近接し、組成物604の吐出を開始する。
くことにより線状のパターン605が形成される。平滑化手段602から噴出する気体に
より、パターンは平滑化させることができる。所定の位置に達したインクヘッド601は
組成物の吐出を止め(図6(D))、その後被形成面600から離れる(図6(E))。
こうして、被形成面600上に所定の厚さの連続した有機化合物層のパターンを形成する
ことができる。
の有機化合物層を形成する他の方法を段階的に示している。図7(A)
は初期状態であり、被形成面700にパターンを形成するに当たっては、図7(B)に示
すようにこのインクヘッド701が被形成面に近接し、組成物702の吐出が開始する。
くことにより線状のパターン703が形成される。形成する有機化合物のパターンは、組
成物の吐出量の他に、インクヘッド701と被形成面700との間隔をもって制御する。
所定の位置に達したインクヘッド701は組成物の吐出を止め、その後被形成面700か
ら離れる(図7(D))。こうして、被形成面700上に連続した有機化合物層のパター
ンを形成することができる。
この画素部は、ゲート線804、データ線805、電源供給線806、画素電極811、
半導体層809、810を有し、これらにより薄膜トランジスタ820、830が形成さ
れている。画素電極811は薄膜トランジスタ830と接続している。そしてマトリクス
状に配列して、全体として画素部を形成している。有機化合物層は図3又は図4で説明す
るインクヘッドを用いて形成され、一滴毎に吐出される組成物を画素電極上で連続させて
、全体として線状の有機化合物層を形成している。
1〜853を形成した例を示している。この場合には、組成物が連続的に供給されるので
、画素電極の上層に形成される有機化合物層も線状又はストライプ状に形成される。尚、
これらの有機化合物層は、カラー表示をする場合には、赤、緑、青等に対応した色を発光
する有機化合物層を形成すれば良い。
ている。ヘッド部20には画素列の本数と同じ数で吐出口が取り付けられている。このよ
うな構成とすることで一回の走査で全ての画素列に有機化合物層を形成することが可能と
なり、飛躍的にスループットが向上する。
数で吐出口を設けたヘッド部を用いても良い。即ち、画素部をn個のゾーンに分割したと
すると、n回走査すれば全ての画素列に有機化合物層を形成することができる。
なる場合がある。そのような場合、横一列に吐出口を並べることは困難となるため、吐出
口の配置を工夫する必要がある。図11に示すのは、インクヘッドに対する吐出口の取り
付け位置を変えた例である。図11(A)はインクヘッド51に斜めに位置をずらしなが
ら吐出口52a〜52cを形成した例である。なお、52aは赤色発光層用組成物を塗布す
るための吐出口、52bは緑色発光層用組成物を塗布するための吐出口、52cは青色発光
層用組成物を塗布するための吐出口である。また、矢印の1本1本は画素列に対応する。
このような吐出口の配置とすることで、画素列のピッチが狭くなっても、隣接する吐出口
が干渉し合うことなく有機化合物層を形成することができる。
の単位がヘッド部に設けられている。この単位53は、一つであれば3本の画素列に対し
て同時に組成物を塗布することになるし、n個あれば3n本の画素列に対して同時に組成
物を塗布することになる。このような構成とすることで、吐出口の配置スペースの自由度
が高められ、無理なく高精細な画素部に本発明を実施することが可能となる。また、図1
1(A)のインクヘッド51を用いて、画素部にある全ての画素列を一括で処理すること
もできるし、画素部を複数のゾーンに分割して数回に分けて処理することも可能である。
位55に含まれるノズルの数を増やした場合の例である。単位55の中には赤色発光層用
組成物を塗布するための吐出口56a、緑色発光層用組成物を塗布するための吐出口56b
、青色発光層用組成物を塗布するための吐出口56cが2個ずつ含まれ、一つの単位55
によって合計6本の画素列に同時に有機化合物が塗布されることになる。
6本の画素列に対して同時に組成物を塗布することになるし、n個あれば6n本の画素列
に対して同時に組成物を塗布することになる。勿論、単位55の中に設けるノズル数は6
個に限定する必要はなく、さらに複数設けることも可能である。このような構成の場合も
図11(A)の場合と同様に、画素部にある全ての画素列を一括で処理することもできる
し、画素部を複数のゾーンに分割して数回に分けて処理することが可能である。
7は三つの画素列分のスペースを空けて、赤色発光層用塗布液を塗布するための吐出口5
8a、緑色発光層用塗布液を塗布するための吐出口58b、青色発光層用塗布液を塗布する
ための吐出口58cが設けられている。このインクヘッド57をまず1回走査して画素列
に組成物を塗布したら、次にインクヘッド57を三つの画素列分だけ右にずらして再び走
査する。さらに、またインクヘッド57を三つの画素列分だけ右にずらして再び走査する
。以上のように3回の走査を行うことで赤、緑、青の順に並んだストライプ状に組成物を
塗布することができる。このような構成の場合も図11(A)の場合と同様に、画素部に
ある全ての画素列を一括で処理することもできるし、画素部を複数のゾーンに分割して数
回に分けて処理することが可能である。
して形成することにより、有機化合物層を印刷する際の位置制御の時間が短縮され、印刷
速度を向上させることができる。
〜120μmピッチ、0.1μmの厚さで形成する。透明画素電極を形成する材料は、酸化
インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、又はこれらの酸化物の混合物を用いる。
隔壁1205を形成する。この隔壁の厚さは1〜2μm、幅は20μmとし、透明画素電極
の端部を覆うように形成する。この隔壁は、インクヘッドから吐出し着弾した組成物が流
れ出して隣接する画素と混合しないようにするために設けるものである。
し、第1有機化合物層としてポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスル
ホン酸)水溶液(以下、PEDOT/PSSと記す)をスピン塗布法により30nmに厚さ
に成膜する。このPEDOT/PSSは、正孔注入層106として作用する(図12(C
))。
成物を塗布し、厚さ0.05〜0.2μmの第2有機化合物層としての発光層を形成する
。組成物としては、アセトニトリル溶液に溶解させたπ共役系配位子を有する金属キレー
ト錯体を用いる。例えば、90μmピッチの画素に対して、粘度1〜20cp、約80μm径
の組成物を吐出する。この組成物は、インクジェット吐出後、80〜120℃で加熱して
溶媒を揮発させ、50〜150nmの発光層1208を形成する。この発光層1208は、
実施の形態で説明した如く、吐出される組成物を重ね合わせ、線状又はストライプ状の層
として形成する(図12(D))。
0.2μmの厚さに成膜する。これにより発光装置が完成する(図12(E))。
駆動方式の発光装置を作製する一例を示している。図13(A)において、基板1300
上に能動素子である薄膜トランジスタ1301〜1303が形成されている。薄膜トラン
ジスタはチャネル形成領域やソース及びドレイン領域などを形成する半導体膜、ゲート電
極、ゲート絶縁膜等から構成されている。薄膜トランジスタの構造はトップゲート型やボ
トムゲート型等それぞれ特色があるが、本発明に適用する場合その構造に限定はない。
、例えば65μmピッチ、0.1μmの厚さで形成する。このような狭いピッチでインクジ
ェット方式により有機化合物層を形成する場合、本発明の組成物を用いるとパターンに裾
引き等がなく微細なパターンを形成することができる。この画素電極パターン間に樹脂材
料から成る隔壁1308を形成する。この隔壁層の厚さは1〜2μm、幅は20μmとし、
透明画素電極の端部を覆うように形成する。この隔壁は、インクヘッッドから吐出し着弾
した組成物が流れ出して隣接する画素と混合しないようにするために設けるものである(
図13(A))。
有機化合物層としてポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)
水溶液(以下、PEDOT/PSSと記す)をスピンコーティングにより30nmに厚さに
成膜する。このPEDOT/PSSは、正孔注入層1308として作用する(図13(B
))。
成物を塗布し、厚さ0.05〜0.2μmの第2有機化合物層としての発光層を形成する
。組成物としては、アセトニトリル溶液に溶解させたπ共役系配位子を有する金属キレー
ト錯体を用いる。この組成物は、インクジェット吐出後、80〜120℃で加熱して溶媒
を揮発させ発光層1310を形成する(図13(C))。
0.2μmの厚さに成膜する。これによりアクティブマトリクス駆動方式の発光装置が完
成する(図13(D))。
例を示したが、その構造に限定されるものではなく、本発明の組成物を用いてインクジェ
ット方式により発光層並びにそれに付随する注入層を任意に設ける構成としても良い。
を図面を参照して説明する。図14はアクティブマトリクス駆動する発光装置の画素構造
の一例を上面図で示す。また、図15は図14のA−A'線に対応した断面図であり、両
図は共通した符号を用いて画素の構造を説明している。
グ動作を目的としたnチャネル型薄膜トランジスタ1604であり、他方は有機発光素子
に流す電流を制御する動作を目的としたpチャネル型薄膜トランジスタ1605である。
勿論、本発明のインクジェット方式による印刷装置を用いてアクティブマトリクス駆動の
発光装置を製造するに当たり、一つの画素に設ける薄膜トランジスタの数に限定はなく、
発光装置の駆動方式に従い適切な回路構成とすれば良い。
発光層1572、第2電極1573から成っている。第1電極と第2電極はその極性によ
り陽極と陰極とに区別することができる。陽極を形成する材料は酸化インジウムや酸化ス
ズ、酸化亜鉛などの仕事関数の高い材料を用い、陰極にはMgAg、AlMg、Ca、M
g、Li、AlLi、AlLiAgなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属、代表的に
はマグネシウム化合物で形成される仕事関数の低い材料を用いる。
チャネル形成領域やソース及びドレイン領域、LDD領域などが形成される活性層151
6、1517を多結晶半導体膜で形成している。ゲート絶縁膜1518を介して第1ゲー
ト電極1533、1534が形成さているが、活性層を挟んで対向して第2ゲート電極1
506、1508が絶縁膜1510、1511を介して設けられている。層間絶縁膜15
43、1544は無機絶縁膜及び有機絶縁膜を組み合わせて形成されている。配線150
5は映像データに基づく信号線であり、配線1507は有機発光素子に電流を供給する電
源供給線である。
の電極1553と接続されている。隔壁1570は隣接する画素を分離し、インクジェッ
ト方式で発光層を形成する時に組成物が隣接する画素に及ばないように仕切る目的で形成
されている。隔壁はポリイミド、アクリル、ポリイミドアミド、ポリベンゾイミダゾール
などの感光性又は熱硬化型の樹脂材料で、第1電極の端部を覆うように形成してある。有
機化合物層は縦方向に連続させて形成しても良いし、横方向に連続させて形成しても良い
。
理で表面改質をし、表面を硬化させておいても良い。正孔注入層1571は、スピン塗布
法により基板の全面にポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸
)水溶液(以下、PEDOT/PSSと記す)を塗布し、その後乾燥させることにより3
0nmの厚さに形成する。
ニルカルバゾール:PVK)をホスト材、π共役系配位子を有する金属キレート錯体をゲ
スト材とし、これを溶媒に分散させた組成物を塗布する。インクヘッドから吐出された組
成物は隔壁で囲まれた領域に着弾する。その後、窒素雰囲気中80〜120℃で加熱して
0.1〜0.2μmの厚さの発光層1572を形成する。
化シリコン、酸窒化シリコン、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)
など酸素や水蒸気に対しバリア性の高い材料を用いて形成する。
明の組成物を用いて発光装置を作製することで、発光層を精度良くパターン形成すること
ができ、発光しない欠陥画素の発生率を低減することができる。
ミドアミド、ポリベンゾイミダゾールなどの樹脂層1211を形成し、さらにその上にプ
ラスチックやガラスなどの封止板1212を固着することにより、密閉性の高い発光装置
を得ることができる。封止板1212の表面には窒化シリコンやDLCをコーティングし
ておくことでガスバリア性を高め、発光装置の信頼性をさらに向上させることもできる。
)は、発光装置を示す上面図であり、そのA−A'線の断面図を図17(B)に示す。絶
縁表面を有する基板1700(例えば、ガラス基板、結晶化ガラス基板、もしくはプラス
チック基板等)に、画素領域1702、ソース側駆動回路1701、及びゲート側駆動回
路1703を形成する。これらの画素領域における有機化合物層は、本発明のインクジェ
ット方式により形成する。また駆動回路については、公知の薄膜トランジスタ及び回路技
術を適用すれば良い。
材1718で覆われ、そのシール材は保護膜1719で覆われている。
さらに、接着材を用いてカバー材1720で封止されている。熱や外力などによる変形に
耐えるためカバー材1720は基板1700と同じ材質のもの、例えばガラス基板を用い
ることが望ましく、サンドブラスト法などにより図17に示す凹部形状(深さ3〜10μ
m)に加工する。さらに加工して乾燥剤1721が設置できる凹部(深さ50〜200μm
)を形成することが望ましい。なお、1708はソース側駆動回路1701及びゲート側
駆動回路1703に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるF
PC(フレキシブルプリントサーキット)1709からビデオ信号やクロック信号を受け
取る。
0が設けられ、絶縁膜1710の上方には画素領域1702、ゲート側駆動回路1703
が形成されており、画素領域1702は電流制御用薄膜トランジスタ1711とそのドレ
インに電気的に接続された発光素子の一方の電極1712を含む複数の画素により形成さ
れる。また、ゲート側駆動回路1703はnチャネル型薄膜トランジスタ1713とpチ
ャネル型薄膜トランジスタ1714とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。
これらの薄膜トランジスタ(1711、1713、1714を含む)は、公知の技術に従
い作製すればよい。
端には隔壁1715が形成され、発光素子の電極1712上には有機化合物層1716お
よび有機発光素子の陰極1717が形成される。有機化合物層1716は正孔注入層や発
光層、電子注入層などを適宜組み合わせて形成する。
その全てをインクジェット方式の印刷技術で形成しても良いし、スピン塗布法とインクジ
ェット方式を組み合わせて形成しても良い。
インクジェット方式による印刷装置を用いて線状又はストライプ状の第2の有機化合物層
を形成することができる。この場合、第2の有機化合物層が発光層となる。適用する有機
化合物材料は、高分子系又は中分子系のものが可能でる。
C1709に電気的に接続されている。さらに、画素領域1702及びゲート側駆動回路
1703に含まれる素子は全て陰極1717、シール材1718、及び保護膜1719で
覆われている。また、シール材1718を用いて有機発光素子を完全に覆った後、すくな
くとも図17に示すようにDLC膜などからなる保護膜1719をシール材1718の表
面(露呈面)に設けることが好ましい。また、基板の裏面を含む全面に保護膜を設けても
よい。ここで、外部入力端子(FPC)が設けられる部分に保護膜が成膜されないように
注意することが必要である。マスクを用いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、
マスキングテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜されないようにしてもよ
い。
、有機発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機化合
物層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の
高い発光装置を得ることができる。また、画素電極を陰極とし、有機化合物層と陽極を積
層して図17とは逆方向に発光する構成としてもよい。
906とが交差するように設けられ、その間に有機化合物層が形成されている。透明画素
電極(陽極)901の間には絶縁膜903が形成され、その上に隔壁904が形成されて
いる。但し、この絶縁膜903は省略しても構わない。有機化合物層は、インクジェット
方式の他にスピン塗布方式を適宜組み合わせて形成することが可能である。スピン塗布法
を用いる場合には隔壁904上にもその被膜が形成される。
0以下、又は連鎖する分子の長さが10μm以下の有機化合物(中分子化合物)を用いて
形成する。これを用いてインクジェット方式を用いたパターン形成を行う場合には、水系
、アルコール又はグリコール系溶剤に溶解又は分散させたものを用いる。いずれにしても
、インクジェット方式を用いたパターン形成に適用可能な粘度に調整することができ、簡
単かつ短時間で最適な条件の膜形成を行うことができる。
光層などを含む有機層905を形成することができる。有機化合物層905は図12で示
すように隔壁904をストライプ状に形成し、その間に連続的に形成する。このように有
機化合物層を形成することで、発光層を効率良くパターン形成することができ、発光しな
い欠陥画素の発生率を低減することができる。
。その様な電子装置の一例としてビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディス
プレイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、プロジェクター、カーステレ
オ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電
子書籍等)などが挙げられる。それらの一例を図19、20に示す。
示部2003、キーボード2004等を含む。本発明を用いて形成される発光装置は表示
部2003に組み入れることができ、パーソナルコンピュータを完成させることができる
。
3、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。本発明を用
いて形成される発光装置は表示部2102に組み入れることができ、ビデオカメラを完成
させることができる。
、カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む
。本発明を用いて形成される発光装置は表示部2205に組み入れることができ、モバイ
ルコンピュータを完成させることができる。
ム部2303等を含む。本発明を用いて形成される発光装置は表示部2302に組み入れ
ることができ、ゴーグル型ディスプレイを完成させることができる。
ーヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404
、操作スイッチ2405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(Digit
al Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行
うことができる。本発明を用いて形成される発光装置は表示部2402に組み入れること
ができ、ゴーグル型ディスプレイを完成させることができる。
3、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)等を含む。本発明を用いて形成される
発光装置は表示部2502に組み入れることができ、デジタルカメラを完成させることが
できる。
03、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906、画像入力部(CCD
、イメージセンサ等)2907等を含む。本発明を用いて形成される発光装置は表示部2
904に組み入れることができ、デジタルカメラを完成させることができる。
3、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。本発明を用
いて形成される発光装置は表示部3002、3003に組み入れることができ、携帯書籍
を完成させることができる。
等を含む。本発明を用いて形成される発光装置は表示部3103に組み入れることができ
、ディスプレイを完成させることができる。尚、図20(C)
に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば5〜20インチの画面サイズのも
のである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が1mを越
えるものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
Claims (2)
- 有機化合物層を形成するための組成物を吐出するインクヘッドであって、
第1の室と第2の室とを有し、
前記第1の室は、前記組成物を一旦蓄える機能を有し、
前記第2の室は、容積を変動させることで、前記第1の室から供給された前記組成物を吐出口より吐出する機能を有し、
前記第1の室と前記第2の室とは、一部が区切りにより分けられるとともに、一部がつながっており、
前記吐出口の外周部に、前記吐出口と同心円状の開口部を有し、
前記開口部から不活性気体を噴出することで、吐出された前記組成物を平滑化することを特徴とするインクヘッド。 - 有機化合物層を形成するための組成物を吐出するインクヘッドであって、
第1の室と第2の室とを有し、
前記第1の室は、前記組成物を一旦蓄える機能を有し、
前記第2の室は、容積を変動させることで、前記第1の室から供給された前記組成物を吐出口より吐出する機能を有し、
前記第1の室と前記第2の室とは、一部が区切りにより分けられるとともに、一部がつながっており、
前記吐出口の外周部に、前記吐出口と同心円状の開口部を有し、
前記開口部から不活性気体を噴出することで、前記吐出口における前記組成物の固体化を防ぐとともに、吐出された前記組成物を平滑化することを特徴とするインクヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016116333A JP6348539B2 (ja) | 2016-06-10 | 2016-06-10 | インクヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016190236A JP2016190236A (ja) | 2016-11-10 |
JP6348539B2 true JP6348539B2 (ja) | 2018-06-27 |
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ID=57246133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2016116333A Expired - Lifetime JP6348539B2 (ja) | 2016-06-10 | 2016-06-10 | インクヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6348539B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04338545A (ja) * | 1991-05-15 | 1992-11-25 | Fujitsu Ltd | インクジェット記録装置 |
JPH0542670A (ja) * | 1991-08-10 | 1993-02-23 | Brother Ind Ltd | インクジエツトプリンタ |
JPH08220335A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Canon Inc | カラーフィルタの製造方法及びカラーフイルター |
JPH08299878A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式塗布装置および回転式塗布方法 |
JPH08317130A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Canon Inc | スキャナープリンター装置 |
JPH09109374A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-04-28 | Hitachi Ltd | インクジェット記録装置を備えた包装機械 |
JPH09150528A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Fuji Electric Co Ltd | インクジェット記録装置 |
-
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016190236A (ja) | 2016-11-10 |
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