JP6333503B1

JP6333503B1 - Power converter

Info

Publication number: JP6333503B1
Application number: JP2018511288A
Authority: JP
Inventors: 高大片桐; 秀之早乙女
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2017-06-16
Filing date: 2017-12-11
Publication date: 2018-05-30
Anticipated expiration: 2037-12-11
Also published as: JPWO2018230012A1

Abstract

センサからの情報に基づいて出力を制御する電力変換装置であって、パワー回路１の電磁ノイズからセンサ等の被妨害回路をシールドするため、前記パワー回路１を制御する制御回路５にグラウンド電位を与える制御回路グラウンド７を前記パワー回路１の第一の面側に配置し、前記パワー回路１にグラウンド電位を与えるパワー回路グラウンド８を前記パワー回路１の前記第一の面側とは反対側の第二の面側に配置し、前記センサと前記バスバーの間に設けられたシールド部１１によって前記制御回路グラウンド７と前記パワー回路グラウンド８とを接続し、前記バスバー１０ａ，１０ｂと前記パワー回路１の前記第一の面側と前記第二の面側をシールドするようにしたものである。A power conversion device that controls output based on information from a sensor, and in order to shield a disturbed circuit such as a sensor from electromagnetic noise of the power circuit 1, a ground potential is applied to the control circuit 5 that controls the power circuit 1. The control circuit ground 7 to be applied is disposed on the first surface side of the power circuit 1, and the power circuit ground 8 for applying a ground potential to the power circuit 1 is opposite to the first surface side of the power circuit 1. The control circuit ground 7 and the power circuit ground 8 are connected to each other by a shield part 11 disposed on the second surface side and provided between the sensor and the bus bar, and the bus bars 10a and 10b and the power circuit 1 The first surface side and the second surface side are shielded.

Description

この発明は、回転電機への供給電力を制御する電力変換装置に関するものである。 The present invention relates to a power converter that controls power supplied to a rotating electrical machine.

回転電機の電機子巻線への供給電力の制御は、回転電機のロータの磁極位置に基づいて行われている。特に、車両に搭載される回転電機の場合には、回転電機を効率良く制御することによって電力の消費量を抑えることが求められ、ロータの磁極位置と回転速度を正確に把握するために、レゾルバがセンサとして使用されている。
しかし、電力変換装置の高密度実装化により、パワー回路・制御回路・センサ等が近接配置されることで、パワー回路の磁束にノイズ成分が重畳して、制御回路およびセンサに鎖交する。このパワー回路に重畳した電磁ノイズが制御回路やセンサに伝播することによって出力信号が乱れるという問題がある。また、制御回路が高密度実装されることで制御回路グラウンドとグラウンドの接地線の接触断面積が確保できず、グラウンドの接地線が細くなってしまい、寄生インダクタンスが増大する場合がある。それによって高周波での制御回路グラウンドの電位変動が大きくなり、制御回路からのノイズ発生量が増大するという問題がある。Control of the power supplied to the armature winding of the rotating electrical machine is performed based on the magnetic pole position of the rotor of the rotating electrical machine. In particular, in the case of a rotating electrical machine mounted on a vehicle, it is required to reduce power consumption by efficiently controlling the rotating electrical machine. In order to accurately grasp the magnetic pole position and rotational speed of the rotor, a resolver is required. Is used as a sensor.
However, due to the high-density mounting of the power conversion device, the power circuit, the control circuit, the sensor, and the like are arranged close to each other, so that a noise component is superimposed on the magnetic flux of the power circuit and is linked to the control circuit and the sensor. There is a problem that the output signal is disturbed by propagation of electromagnetic noise superimposed on the power circuit to the control circuit and the sensor. Further, since the control circuit is mounted at a high density, a contact cross-sectional area between the control circuit ground and the ground ground line cannot be ensured, and the ground ground line becomes thin, and the parasitic inductance may increase. As a result, the potential fluctuation of the control circuit ground at a high frequency increases, and there is a problem that the amount of noise generated from the control circuit increases.

この問題に対する解決手段として、例えば特許文献１ではパワー回路の正極導体と負極導体とをリング状または円弧形状として、互いに近接することで、正極導体および負極導体としてのバスバーから発生する磁束を低減させている。 As a solution to this problem, for example, in Patent Document 1, the positive electrode conductor and the negative electrode conductor of the power circuit are formed in a ring shape or an arc shape so as to be close to each other, thereby reducing the magnetic flux generated from the bus bar as the positive electrode conductor and the negative electrode conductor. ing.

特開２００７−１１６８４０号公報JP 2007-116840 A

特許文献１に示された構成では、正負極導体であるバスバーとセンサが近接して配置されているため、パワー回路の電磁ノイズがセンサに重畳し、誤動作を誘発する恐れがある。また、制御回路グラウンドの接地線については説明されていないが、接地線が細く、寄生インダクタンスが大きい場合には、高周波における制御回路グラウンドの電位変動が大きくなり、制御回路からのノイズ発生量が増大するという問題がある。 In the configuration disclosed in Patent Document 1, since the bus bars, which are positive and negative electrode conductors, and the sensor are arranged close to each other, electromagnetic noise of the power circuit may be superimposed on the sensor and may cause a malfunction. Although the ground line of the control circuit ground is not described, if the ground line is thin and the parasitic inductance is large, the potential fluctuation of the control circuit ground at high frequencies becomes large, and the amount of noise generated from the control circuit increases. There is a problem of doing.

この発明は、前述の問題を解決するためになされたもので、パワー回路の電磁ノイズからセンサ等の被妨害回路をシールドしつつ、制御回路グラウンドの接地線の寄生インダクタンスを低減することを目的とするものである。 The present invention has been made to solve the above-described problem, and aims to reduce parasitic inductance of a ground line of a control circuit ground while shielding a disturbed circuit such as a sensor from electromagnetic noise of a power circuit. To do.

この発明に係る電力変換装置は、センサからの情報に基づいて出力が制御される電力変換装置であって、半導体素子を有するパワー回路、前記パワー回路にグラウンド電位を与えるパワー回路グラウンド、前記パワー回路を制御する制御回路、前記制御回路にグラウンド電位を与える制御回路グラウンド、前記パワー回路に電力を供給するバスバー、および前記センサと前記バスバーの間に設けられたシールド部を備え、前記パワー回路の第一の面側に前記制御回路グラウンドを配置し、前記パワー回路の前記第一の面側とは反対側の第二の面側に前記パワー回路グラウンドを配置し、前記シールド部によって前記制御回路グラウンドと前記パワー回路グラウンドとを接続し、前記バスバーと前記パワー回路の前記第一の面側と前記第二の面側をシールドするようにしたことを特徴とするものである。 The power conversion device according to the present invention is a power conversion device whose output is controlled based on information from a sensor, a power circuit having a semiconductor element, a power circuit ground for providing a ground potential to the power circuit, and the power circuit A control circuit for controlling the control circuit, a control circuit ground for supplying a ground potential to the control circuit, a bus bar for supplying power to the power circuit, and a shield portion provided between the sensor and the bus bar, The control circuit ground is disposed on one surface side, the power circuit ground is disposed on a second surface side opposite to the first surface side of the power circuit, and the control circuit ground is disposed by the shield portion. And the power circuit ground, the bus bar, the first surface side and the second surface of the power circuit The is characterized in that so as to shield.

この発明によれば、パワー回路の半導体素子のスイッチングによって生じて、直流バスバーに重畳する磁束から、センサ等の被妨害回路をシールドすることで、バスバーと被妨害回路をより近接配置でき、機器を小型化できるとともに、制御回路グラウンドの接地線の寄生インダクタンスを低減できるという効果を奏するものである。更に、バスバーとパワー回路グラウンドとが接続されたシールド部を近接して配置することで、バスバーの寄生インダクタンスを低減しつつ浮遊容量を増加させることができ、パワー回路から発生するノイズを低減することが可能である。 According to the present invention, the bus bar and the disturbed circuit can be arranged closer to each other by shielding the disturbed circuit such as the sensor from the magnetic flux generated by the switching of the semiconductor element of the power circuit and superimposed on the DC bus bar. It is possible to reduce the size and reduce the parasitic inductance of the ground wire of the control circuit ground. Furthermore, by arranging the shield part connected to the bus bar and the power circuit ground close to each other, the stray capacitance can be increased while reducing the parasitic inductance of the bus bar, and the noise generated from the power circuit is reduced. Is possible.

この発明の実施の形態１の電力変換装置の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the power converter device of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態１の電力変換装置の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the power converter device of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態１の電力変換装置の部分の構成を示す鳥瞰図である。It is a bird's-eye view which shows the structure of the part of the power converter device of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態１の電力変換装置の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the power converter device of Embodiment 1 of this invention. パワーモジュールの構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of a power module. この発明の実施の形態１の電力変換装置の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the power converter device of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態１の電力変換装置の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the power converter device of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態２の電力変換装置の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the power converter device of Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態３の電力変換装置の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the power converter device of Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態４の電力変換装置の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the power converter device of Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態５の電力変換装置の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the power converter device of Embodiment 5 of this invention. この発明の実施の形態６の電力変換装置の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the power converter device of Embodiment 6 of this invention. この発明の実施の形態７の電力変換装置の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the power converter device of Embodiment 7 of this invention. この発明の実施の形態７の電力変換装置の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the power converter device of Embodiment 7 of this invention. この発明の実施の形態７の電力変換装置の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the power converter device of Embodiment 7 of this invention.

実施の形態１
この発明の電力変換装置は、図１に示すインバータ装置が一例となる。ここに示しているインバータ装置は、入力部端子１５ａ、１５ｂから入力された任意の直流電力をスイッチングし、出力部端子１６ａにＵ相、出力部端子１６ｂにＶ相、出力部端子１６ｃにＷ相の三相交流電力に変換して出力し、負荷モータ４ａを駆動する第１のインバータ１００ａと、入力部端子１５ａ、１５ｂから入力された任意の直流電力をスイッチングし、出力部端子１６ｄにＸ相、出力部端子１６ｅにＹ相、出力部端子１６ｆにＺ相の三相交流電力に変換して出力し、負荷モータ４ｂを駆動する第２のインバータ１００ｂとからなる直流−交流変換器である。Embodiment 1
An example of the power converter of the present invention is the inverter device shown in FIG. The inverter device shown here switches arbitrary DC power input from the input terminals 15a and 15b, outputs the U phase to the output terminal 16a, the V phase to the output terminal 16b, and the W phase to the output terminal 16c. The first inverter 100a that drives the load motor 4a and the arbitrary DC power input from the input terminals 15a and 15b are switched, and the X-phase is output to the output terminal 16d. The output unit terminal 16e is a Y-phase converter, and the output unit terminal 16f is a Z-phase three-phase AC power that is converted and output, and the second inverter 100b that drives the load motor 4b.

入力部端子１５ａ、１５ｂと第１のインバータ１００ａおよび第２のインバータ１００ｂとの間には直流電力を平滑するための平滑コンデンサ３が挿入されている。 A smoothing capacitor 3 for smoothing DC power is inserted between the input terminals 15a and 15b and the first inverter 100a and the second inverter 100b.

パワー回路１は、第１のインバータ１００ａ、第２のインバータ１００ｂおよび平滑コンデンサ３を含んでいる。制御回路５は、パワー回路１の制御や、レゾルバ６ａ、６ｂを用いて負荷モータの４ａ、４ｂの回転数を制御する機能を有している。また、制御回路５にグラウンド電位を与える制御回路グラウンド７は、接続部９を介して電力変換装置のグラウンド電位を与えるパワー回路グラウンド８に接続されている。すなわち、接続部９が、制御回路グラウンド７の接地線に該当することになる。 The power circuit 1 includes a first inverter 100a, a second inverter 100b, and a smoothing capacitor 3. The control circuit 5 has functions of controlling the power circuit 1 and controlling the rotational speeds of the load motors 4a and 4b using the resolvers 6a and 6b. Further, a control circuit ground 7 that gives a ground potential to the control circuit 5 is connected to a power circuit ground 8 that gives a ground potential of the power converter via a connection unit 9. That is, the connecting portion 9 corresponds to the ground line of the control circuit ground 7.

図２は、本実施の形態の電力変換装置の構造を示す上面図の一例で、図中、Ｘ軸とＹ軸に示すように、Ｚ軸方向から見た図である。また、図３は、図２において一点鎖線で囲まれたＹ相周辺の構造を示す鳥瞰図の一例で、図中のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を示すように、それぞれの部材が配置されている。
図２に示すように、パワー回路グラウンド８の中心部にレゾルバ６ａ、６ｂが配置され、このレゾルバ６ａ、６ｂを囲んで、パワー回路グラウンド８の上の周辺部に、パワー回路１の構成部品である第１のインバータ１００ａおよび第２のインバータ１００ｂのパワーモジュール１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆと、平滑コンデンサ３とが配置され、これらの部材は、パワーモジュール１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆおよび平滑コンデンサ３の内周側に配置された直流バスバー１０ａ、１０ｂによって接続されている。電力変換装置と回転電機が一体として構成される場合には、このように、パワーモジュールと平滑コンデンサによるパワー回路１とレゾルバ６ａ、６ｂが近接して配置されることになる。なお、本実施の形態では、図１に示すように、平滑コンデンサ３が、第１のインバータ１００ａ、第２のインバータ１００ｂとの間に一括して挿入されているが、この限りではなく、平滑コンデンサ３を、入力部端子１５ａ、１５ｂとパワーモジュール１２ａとの間、パワーモジュール１２ａと１２ｂとの間、パワーモジュール１２ｂと１２ｃとの間、入力部端子１５ａ、１５ｂとパワーモジュール１２ｄとの間、パワーモジュール１２ｄと１２ｅとの間、パワーモジュール１２ｅと１２ｆとの間の任意の位置に分割して配置してもよい。FIG. 2 is an example of a top view showing the structure of the power conversion device of the present embodiment, and is a view seen from the Z-axis direction as shown in the X-axis and the Y-axis. FIG. 3 is an example of a bird's-eye view showing the structure around the Y phase surrounded by the one-dot chain line in FIG. 2, and the respective members are arranged so as to show the X axis, the Y axis, and the Z axis in the figure. Yes.
As shown in FIG. 2, resolvers 6 a and 6 b are arranged at the center of the power circuit ground 8. The resolvers 6 a and 6 b are surrounded by the components of the power circuit 1 around the power circuit ground 8. A power module 12a, 12b, 12c, 12d, 12e, 12f of a certain first inverter 100a and a second inverter 100b and a smoothing capacitor 3 are arranged, and these members are power modules 12a, 12b, 12c, 12d. , 12e, 12f and the smoothing capacitor 3 are connected by DC bus bars 10a, 10b arranged on the inner peripheral side. When the power conversion device and the rotating electrical machine are configured integrally, the power circuit 1 including the power module and the smoothing capacitor and the resolvers 6a and 6b are arranged close to each other as described above. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the smoothing capacitor 3 is collectively inserted between the first inverter 100a and the second inverter 100b. The capacitor 3 is connected between the input terminals 15a and 15b and the power module 12a, between the power modules 12a and 12b, between the power modules 12b and 12c, between the input terminals 15a and 15b and the power module 12d, You may divide and arrange | position in the arbitrary positions between the power modules 12d and 12e and between the power modules 12e and 12f.

また、図３に示すように、レゾルバ６ａ、６ｂとパワーモジュール１２ｅとの間に、直流バスバー１０ａ、１０ｂが配置されている。また、パワーモジュール１２ｅと直流バスバー１０ａ、１０ｂにおいて発生する磁束１３の影響がレゾルバ６ａ、６ｂに及ぶのを防ぐために、レゾルバ６ａ、６ｂと直流バスバー１０ａ、１０ｂとの間に、シールド部１１が設けられている。さらに、パワーモジュール１２ｅの第一の面側、すなわち図３においては上面には、制御回路グラウンド７が設けられ、パワーモジュール１２ｅの第一の面とは反対側、すなわち図３においては下面には、パワー回路グラウンド８が設けられている。すなわち、パワー回路の構成部品と直流バスバーの構成と、レゾルバとの間にシールドを設けると共に、パワー回路の構成部品と直流バスバーの構成の第一の面側と、この第一の面に対向する第二の面側に、制御回路グラウンドとパワー回路グラウンドを配置することによって、パワー回路の構成部品を制御回路グラウンドとパワー回路グラウンドとの間に挟み込む配置として、三方向をシールドするようにしている。ここで、制御回路５は、制御回路グラウンド７と同一の基板に実装されているため図面上、区分して表さず、制御回路グラウンド７によって表す。そして、シールド部１１は、パワー回路グラウンド８と制御回路グラウンド７とを接続すると共に、シールド部１１、パワー回路グラウンド８、制御回路グラウンド７による構造体によって、直流バスバー１０ａ、１０ｂを囲うように配置され、直流バスバー１０ａ、１０ｂによって生じる磁束（バスバーの磁束１３）がレゾルバ６ａ、６ｂに及ぶのをシールドするように配置されている。特に、重ね合わせて配置された直流バスバー１０ａ、１０ｂの積層面側と積層断面側において磁束を抑えるように設けられている。 As shown in FIG. 3, DC bus bars 10a and 10b are disposed between the resolvers 6a and 6b and the power module 12e. Further, in order to prevent the influence of the magnetic flux 13 generated in the power module 12e and the DC bus bars 10a, 10b from reaching the resolvers 6a, 6b, a shield portion 11 is provided between the resolvers 6a, 6b and the DC bus bars 10a, 10b. It has been. Further, a control circuit ground 7 is provided on the first surface side of the power module 12e, that is, the upper surface in FIG. 3, and on the side opposite to the first surface of the power module 12e, that is, the lower surface in FIG. A power circuit ground 8 is provided. That is, a shield is provided between the power circuit component and the DC bus bar configuration and the resolver, and the first surface side of the power circuit component and the DC bus bar configuration is opposed to the first surface. By arranging the control circuit ground and the power circuit ground on the second surface side, the components of the power circuit are arranged to be sandwiched between the control circuit ground and the power circuit ground so that the three directions are shielded. . Here, since the control circuit 5 is mounted on the same substrate as the control circuit ground 7, the control circuit 5 is represented by the control circuit ground 7 instead of being divided in the drawing. The shield unit 11 connects the power circuit ground 8 and the control circuit ground 7 and is disposed so as to surround the DC bus bars 10a and 10b by a structure including the shield unit 11, the power circuit ground 8, and the control circuit ground 7. The magnetic flux generated by the DC bus bars 10a and 10b (the magnetic flux 13 of the bus bar) is arranged so as to shield reaching the resolvers 6a and 6b. In particular, the DC bus bars 10a and 10b arranged in an overlapping manner are provided so as to suppress magnetic fluxes on the laminated surface side and laminated sectional side.

なお、本実施の形態では、パワー回路１の構成部品と直流バスバー１０ａ、１０ｂを四角の環状に配置しているがこの限りではなく、図４に示すように、パワー回路１の構成部品と直流バスバー１０ａ、１０ｂをリング状または円弧形状に配置しても良い。この図４に示す構成において、図２および図３と異なっているところは、パワー回路グラウンド８および制御回路グラウンド７の外形の形状を、四角形から円形に変えているところである。この図４に示している構成においては、上面の平行な面方向は、直流バスバー１０ａ、１０ｂの円周方向となる。また本実施の形態では、パワー回路１の構成部品を直流バスバー１０ａ、１０ｂで接続しているがこの限りではなく、ケーブルなどバスバー以外の導体、すなわち、電力供給配線によって接続すればよい。なお、図中、同一符号は、各々同一または相当部分を示している。 In the present embodiment, the components of the power circuit 1 and the DC bus bars 10a and 10b are arranged in a square ring shape. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. The bus bars 10a and 10b may be arranged in a ring shape or an arc shape. In the configuration shown in FIG. 4, the difference from FIGS. 2 and 3 is that the external shapes of the power circuit ground 8 and the control circuit ground 7 are changed from a square to a circle. In the configuration shown in FIG. 4, the parallel surface direction of the upper surface is the circumferential direction of the DC bus bars 10a, 10b. Further, in the present embodiment, the components of the power circuit 1 are connected by the DC bus bars 10a and 10b. However, the present invention is not limited to this, and the power circuit 1 may be connected by a conductor other than the bus bar, such as a cable. In the drawings, the same reference numerals denote the same or corresponding parts.

パワーモジュールは、三相交流電力における任意の一相の交流電力を出力するために２つの半導体素子がパッケージングされたものである。一例として、図５にパワーモジュール１２ａの回路図を示す。パワーモジュール１２ａは、Ｕ相の交流電力を出力するため半導体素子２ａと半導体素子２ｂが直列に接続され、半導体素子２ａが直流電力のプラス側、半導体素子２ｂが直流電力のマイナス側に接続され、中点にＵ相の出力部端子１６ａが接続されている。なお、本実施の形態では、２つの半導体素子２ａと半導体素子２ｂがパッケージングされてパワーモジュール１２ａとしているが、この限りでなく、４つの半導体素子がパッケージングされたもの、６つの半導体素子がパッケージングされたものなど、１つのパワーモジュールにパッケージングされる半導体素子の数は、任意としても良い。また、パワーモジュールではなくディスクリートの半導体素子を用いても良い。更に、本実施の形態では、半導体素子２ａ、２ｂをＭＯＳＦＥＴとしているがこの限りではなく、ＩＧＢＴ、サイリスタなどＭＯＳＦＥＴ以外の半導体素子としてもよい。 The power module is a package in which two semiconductor elements are packaged to output an arbitrary one-phase AC power in the three-phase AC power. As an example, FIG. 5 shows a circuit diagram of the power module 12a. In the power module 12a, the semiconductor element 2a and the semiconductor element 2b are connected in series to output U-phase AC power, the semiconductor element 2a is connected to the positive side of DC power, and the semiconductor element 2b is connected to the negative side of DC power. The U-phase output terminal 16a is connected to the middle point. In the present embodiment, the two semiconductor elements 2a and 2b are packaged to form the power module 12a. However, the present invention is not limited to this, and four semiconductor elements are packaged, and six semiconductor elements are packaged. The number of semiconductor elements packaged in one power module, such as a packaged one, may be arbitrary. Further, a discrete semiconductor element may be used instead of the power module. Furthermore, in the present embodiment, the semiconductor elements 2a and 2b are MOSFETs, but this is not restrictive, and semiconductor elements other than MOSFETs such as IGBTs and thyristors may be used.

パワー回路１と負荷モータ４ａおよび負荷モータ４ｂとは、図２および図４に示した交流バスバー１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ、１０ｇ、１０ｈを介して接続される。なお、本実施の形態では、交流バスバーをパワーモジュールの外周側に配置しているがこの限りではなく、他の位置、例えば、上方あるいは下方に引き出すように配置しても良い。また本実施の形態では、パワー回路１の構成部品をバスバーで接続しているがこの限りではなく、ケーブルなどバスバー以外の導体で接続しても良い。 The power circuit 1 is connected to the load motor 4a and the load motor 4b via the AC bus bars 10c, 10d, 10e, 10f, 10g, and 10h shown in FIGS. In the present embodiment, the AC bus bar is arranged on the outer peripheral side of the power module. However, the present invention is not limited to this. Moreover, in this Embodiment, although the component of the power circuit 1 is connected with the bus bar, it is not restricted to this, You may connect with conductors other than bus bars, such as a cable.

制御回路５および制御回路グラウンド７は、同一の基板に実装されており、制御回路５と制御回路グラウンド７が設けられた基板に対して、パワー回路グラウンド８が対向配置されている。
パワーモジュールの半導体素子のスイッチングによって、直流バスバー１０ａ、１０ｂに重畳する磁束１３が発生する。この磁束１３をシールドするため、シールド部１１は、パワー回路グラウンド８に接続され、直流バスバー１０ａ、１０ｂのパワー回路１と対向する側と反対側で直流バスバー１０ａ、１０ｂと近接配置され、電気的にシールドする効果を有する。すなわち、センサとして、レゾルバが配置され、このレゾルバ６ａ、６ｂが配置されている側の直流バスバー１０ａ、１０ｂの側面にシールド部１１が設けられ、このシールド部１１は、接続部９を介して制御回路グラウンド７に接続されている。なお、本実施の形態では、シールド部１１と制御回路グラウンド７とを接続する接続部９として、一箇所の接続部で接続している事例を示しているがこの限りではなく、複数の接続部を設け、これらの接続部によって制御回路グラウンド７とシールド部１１とを接続するようにしても良い。The control circuit 5 and the control circuit ground 7 are mounted on the same substrate, and the power circuit ground 8 is disposed opposite to the substrate on which the control circuit 5 and the control circuit ground 7 are provided.
Magnetic flux 13 superimposed on DC bus bars 10a and 10b is generated by switching of the semiconductor elements of the power module. In order to shield the magnetic flux 13, the shield part 11 is connected to the power circuit ground 8, and is disposed close to the DC bus bars 10a and 10b on the opposite side of the DC bus bars 10a and 10b from the side facing the power circuit 1, and electrically Has the effect of shielding. That is, a resolver is disposed as a sensor, and a shield portion 11 is provided on the side surface of the DC bus bars 10 a and 10 b on the side where the resolvers 6 a and 6 b are disposed. The shield portion 11 is controlled via the connection portion 9. Connected to circuit ground 7. In the present embodiment, the connection part 9 that connects the shield part 11 and the control circuit ground 7 is shown as an example of connection by one connection part. And the control circuit ground 7 and the shield part 11 may be connected by these connecting parts.

なお、本実施の形態では、２つの電力変換装置によって２つの負荷モータ４ａ、４ｂを駆動している場合を示しているがこの限りではなく、図６の回路図、および図７の上面図に示すように、半導体素子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆによって構成された第１のインバータ１００ａと平滑コンデンサ３とを含むパワー回路１による１つの電力変換装置によって１つの負荷モータ４ａを駆動する方式としても良い。また、電力変換装置および負荷モータ４ａを、２つ以上の任意の数としても良い。さらに、本実施の形態では、レゾルバ６ａ、６ｂを直流バスバー１０ａ、１０ｂの磁束１３からシールドする構成としているが、レゾルバだけではなく、電流、電圧、温度センサや他の電子回路などの、パワー回路１に近接して配置される回路を被妨害回路として、直流バスバー１０ａ、１０ｂの磁束１３が被妨害回路に影響を与えないようにシールドする構成としても良い。 In the present embodiment, two load motors 4a and 4b are driven by two power converters. However, the present invention is not limited to this, and the circuit diagram of FIG. 6 and the top view of FIG. As shown, one load motor 4a is driven by one power conversion device by a power circuit 1 including a first inverter 100a and a smoothing capacitor 3 constituted by semiconductor elements 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, and 2f. It is good also as a method to do. Moreover, it is good also considering the power converter device and the load motor 4a as two or more arbitrary numbers. Furthermore, in the present embodiment, the resolvers 6a and 6b are shielded from the magnetic flux 13 of the DC bus bars 10a and 10b. However, not only the resolver, but also power circuits such as current, voltage, temperature sensors and other electronic circuits. The circuit arranged close to 1 may be a disturbed circuit and shielded so that the magnetic flux 13 of the DC bus bars 10a and 10b does not affect the disturbed circuit.

本実施の形態の電力変換装置によれば、レゾルバ６ａ、６ｂをはじめとするセンサ等の被妨害回路に対して、第１のインバータおよび第２のインバータの半導体素子のスイッチングによって直流バスバー１０ａ、１０ｂに重畳する磁束１３が妨害の要因となり、この妨害を、シールド部１１によってシールドすることで、直流バスバー１０ａ、１０ｂ、すなわち電力供給配線とレゾルバ６ａ、６ｂなどのセンサ、すなわち被妨害回路とをより近接配置でき、これらの構成部品による機器全体を小型化できるとともに、制御回路グラウンド７の接続部９の寄生インダクタンスを低減できる。更に、直流バスバー１０ａ、１０ｂに対して、パワー回路グラウンド８に接続されたシールド部１１を近接して配置することで、直流バスバー１０ａ、１０ｂの寄生インダクタンスを低減しつつ浮遊容量を増加させることができ、パワー回路１から発生するノイズによる被妨害回路への影響を低減させることができる。 According to the power conversion device of the present embodiment, the DC bus bars 10a and 10b are switched by switching the semiconductor elements of the first inverter and the second inverter with respect to the disturbed circuits such as the sensors including the resolvers 6a and 6b. The magnetic flux 13 superimposed on the signal line becomes a cause of disturbance, and this disturbance is shielded by the shield part 11, so that the DC bus bars 10a and 10b, that is, the power supply wiring and the sensors such as the resolvers 6a and 6b, that is, the disturbed circuit are more They can be arranged close to each other, so that the entire device using these components can be reduced in size, and the parasitic inductance of the connection portion 9 of the control circuit ground 7 can be reduced. Further, by placing the shield part 11 connected to the power circuit ground 8 close to the DC bus bars 10a and 10b, the stray capacitance can be increased while reducing the parasitic inductance of the DC bus bars 10a and 10b. In addition, the influence of the noise generated from the power circuit 1 on the disturbed circuit can be reduced.

実施の形態２．
実施の形態１の電力変換装置においては、直流バスバー１０ａ、１０ｂとレゾルバ６ａ、６ｂとの間にシールド部１１を設け、パワー回路１のパワーモジュール１２ｅの上面（第一の面側）の制御回路グラウンド７と、パワーモジュール１２ｅの下面（第一の面側とは反対側の第二の面側）のパワー回路グラウンド８とを接続部９を介してシールド部１１によって接続する構成を示した。この実施の形態２においては、図８に示すように、シールド部１１の断面形状をＬ字型の構造として、制御回路グラウンド７と対向する側を覆う形状、すなわち直流バスバー１０ａ，１０ｂの側面と上面（第一の面側）をシールド部１１によって覆う形状としたことを強調するものである。このようにシールド部１１の断面形状がＬ字型の構造で、パワー回路グラウンド８と一体構造として、直流バスバー１０ａ、１０ｂの積層体の三方の面を覆うようにしている。この構造によって、実施の形態１に示す電力変換装置と同様の効果を得ることができる。Embodiment 2. FIG.
In the power conversion device of the first embodiment, the shield unit 11 is provided between the DC bus bars 10a, 10b and the resolvers 6a, 6b, and the control circuit on the upper surface (first surface side) of the power module 12e of the power circuit 1 is provided. The configuration in which the ground 7 and the power circuit ground 8 on the lower surface of the power module 12e (the second surface side opposite to the first surface side) are connected by the shield portion 11 via the connection portion 9 is shown. In the second embodiment, as shown in FIG. 8, the shield section 11 has an L-shaped cross section, and covers the side facing the control circuit ground 7, that is, the side surfaces of the DC bus bars 10a and 10b. It is emphasized that the upper surface (first surface side) is covered with the shield part 11. Thus, the cross-sectional shape of the shield part 11 is an L-shaped structure, and is integrated with the power circuit ground 8 so as to cover three surfaces of the laminate of the DC bus bars 10a and 10b. With this structure, an effect similar to that of the power conversion device shown in Embodiment 1 can be obtained.

実施の形態２は、このように、実施の形態１に記載の構成において、シールド部１１が直流バスバー１０ａ、１０ｂの制御回路グラウンド７と対向する側を覆うように断面の形状がＬ字型の構造となっていることを特徴とするものである。図８に示すような構造により、パワーモジュール１２ｅの半導体素子のスイッチングによって直流バスバー１０ａ、１０ｂに重畳される磁束１３の影響を、レゾルバ６ａ、６ｂをはじめとするセンサ等の被妨害回路が受けることを低減できる。このシールド部１１によって、直流バスバー１０ａ、１０ｂおよびパワー回路１を被妨害回路に対して、より近接配置できるため機器を小型化できるとともに、制御回路グラウンド７の接続部９の寄生インダクタンスを低減できる。更に、直流バスバー１０ａ、１０ｂとパワー回路グラウンド８に接続されたシールド部１１を近接して配置することで、バスバーの寄生インダクタンスを低減しつつ浮遊容量を増加させることができ、パワー回路１から発生するノイズを低減できる。 As described above, the second embodiment has an L-shaped cross section so that the shield portion 11 covers the side of the DC bus bars 10a and 10b facing the control circuit ground 7 in the configuration described in the first embodiment. It is characterized by a structure. With the structure as shown in FIG. 8, the disturbed circuits such as the resolvers 6a and 6b are affected by the magnetic flux 13 superimposed on the DC bus bars 10a and 10b by the switching of the semiconductor element of the power module 12e. Can be reduced. With this shield part 11, the DC bus bars 10a, 10b and the power circuit 1 can be arranged closer to the disturbed circuit, so that the equipment can be miniaturized and the parasitic inductance of the connection part 9 of the control circuit ground 7 can be reduced. Furthermore, by arranging the DC bus bars 10a and 10b and the shield part 11 connected to the power circuit ground 8 close to each other, the stray capacitance can be increased while reducing the parasitic inductance of the bus bar. Noise can be reduced.

実施の形態３．
図９は、図３および図８に示したシールド部１１の断面形状を、Ｌ字型から、Ｕ字型に変えて、シールド部１１が直流バスバー１０ａ、１０ｂの外周をより完全に囲むようにして、直流バスバー１０ａ、１０ｂの磁束１３の漏れを少なくなるように構成したものである。Embodiment 3 FIG.
9 changes the cross-sectional shape of the shield part 11 shown in FIG. 3 and FIG. 8 from an L shape to a U shape so that the shield part 11 completely surrounds the outer periphery of the DC bus bars 10a and 10b. In this configuration, the leakage of the magnetic flux 13 of the DC bus bars 10a and 10b is reduced.

実施の形態３は、シールド部１１の断面形状をＵ字型とすることによって、直流バスバー１０ａ、１０ｂの外周の三方を囲むようにして、シールド部１１と直流バスバー１０ａ、１０ｂを近接配置したもので、図９に示すような構造により、パワーモジュール１２ｅの半導体素子のスイッチングにより直流バスバー１０ａ、１０ｂに重畳する磁束１３をシールドすることで、レゾルバ６ａ、６ｂをはじめとするセンサ等の被妨害回路をバスバーおよびパワー回路に、より近接して配置することができ、機器を小型化できるとともに、制御回路グラウンド７の接続部９の寄生インダクタンスを低減できる。更に、直流バスバー１０ａ、１０ｂとパワー回路グラウンド８と接続されたシールド部１１とを近接して配置することで、バスバーの寄生インダクタンスを低減しつつ浮遊容量を増加させることができ、パワー回路１から発生するノイズを低減できる。 In the third embodiment, the shield section 11 and the DC bus bars 10a, 10b are arranged close to each other so as to surround the three outer circumferences of the DC bus bars 10a, 10b by making the cross-sectional shape of the shield section 11 U-shaped. By shielding the magnetic flux 13 superimposed on the DC bus bars 10a and 10b by switching the semiconductor element of the power module 12e, the structure as shown in FIG. 9 shields the disturbed circuits such as the sensors such as the resolvers 6a and 6b from the bus bar. In addition, the power circuit can be arranged closer to the power circuit, the device can be downsized, and the parasitic inductance of the connection portion 9 of the control circuit ground 7 can be reduced. Further, by arranging the DC bus bars 10a and 10b and the shield part 11 connected to the power circuit ground 8 in close proximity, the stray capacitance can be increased while reducing the parasitic inductance of the bus bar. Noise generated can be reduced.

実施の形態４．
図１０は、図３および図８に示した断面形状がＬ字型のシールド部１１を、パワーモジュール１２ｅと制御回路グラウンド７との間に延長して、パワーモジュール１２ｅと制御回路グラウンド７との対向する面全域にわたってシールド部１１を配置した構造となっている電力変換装置を示したものである。このような構造にすることによって、実施の形態１および２に示した電力変換装置と同様の効果を得ることに加え、パワーモジュール１２ｅの半導体素子のスイッチングによるノイズを遮へいすることになる。さらに、シールド部１１を、交流バスバー１０ｇの領域まで延長して配置する場合には、交流バスバー１０ｇに重畳する磁束も電気的にシールドするという効果を有する。Embodiment 4 FIG.
FIG. 10 is a cross-sectional view of the L-shaped shield portion 11 shown in FIGS. 3 and 8 extending between the power module 12e and the control circuit ground 7 so that the power module 12e and the control circuit ground 7 1 shows a power conversion device having a structure in which shield portions 11 are arranged over the entire area of opposing surfaces. By adopting such a structure, in addition to obtaining the same effect as that of the power conversion device shown in the first and second embodiments, noise due to switching of the semiconductor element of the power module 12e is shielded. Furthermore, when the shield part 11 is extended to the area of the AC bus bar 10g, the magnetic flux superimposed on the AC bus bar 10g is electrically shielded.

実施の形態４は、このように、実施の形態１から３のいずれかの構成において、シールド部１１がパワーモジュール１２ｅと制御回路グラウンド７との間に対向するように延びて配置されている構造となっていることを特徴とするものである。ここで、対向するように延びて配置するとは、シールド部１１がパワー回路１のパワーモジュール１２ｅの上面（第一の面側）のほとんどを覆うように配置されている状態である。図１０に示すように、シールド部１１がパワー回路１と制御回路グラウンド７との間に対向するように延びて配置された構造により、パワーモジュール１２ｅの半導体素子のスイッチングにより直流バスバー１０ａおよび直流バスバー１０ｂに重畳する磁束１３からレゾルバ６ａ、６ｂをはじめとするセンサ等の被妨害回路をシールドすることで、被妨害回路をバスバーおよびパワー回路１に近接して配置でき、機器を小型化できるとともに、制御回路グラウンド７の接続部９をシールド部１１と制御回路グラウンド７との対向する面の任意の位置に断面積を任意に設定して設けることができることから、接続部９における寄生インダクタンスを低減できる。更に、直流バスバー１０ａおよび直流バスバー１０ｂとパワー回路グラウンド８に接続されたシールド部１１とを近接して配置することで、バスバーの寄生インダクタンスを低減しつつ浮遊容量を増加させることができ、パワー回路１から発生するノイズを低減できる。 In this way, the fourth embodiment has a structure in which the shield part 11 extends between the power module 12e and the control circuit ground 7 in the configuration of any one of the first to third embodiments. It is characterized by becoming. Here, extending and arranging so as to face each other means that the shield portion 11 is arranged so as to cover most of the upper surface (first surface side) of the power module 12 e of the power circuit 1. As shown in FIG. 10, the DC bus bar 10a and the DC bus bar are switched by the switching of the semiconductor elements of the power module 12e by the structure in which the shield portion 11 extends and is arranged so as to face the power circuit 1 and the control circuit ground 7. By shielding the disturbed circuits such as the sensors including the resolvers 6a and 6b from the magnetic flux 13 superimposed on 10b, the disturbed circuit can be arranged close to the bus bar and the power circuit 1, and the device can be downsized. Since the connection portion 9 of the control circuit ground 7 can be provided at any position on the surface where the shield portion 11 and the control circuit ground 7 are opposed to each other, the parasitic inductance in the connection portion 9 can be reduced. . Furthermore, by arranging the DC bus bar 10a and the DC bus bar 10b and the shield part 11 connected to the power circuit ground 8 close to each other, it is possible to increase the stray capacitance while reducing the parasitic inductance of the bus bar. Noise generated from 1 can be reduced.

実施の形態５．
図１１は、図３および図８に示した断面形状がＬ字型のシールド部１１の形状を変化させたもので、断面形状がＬ字型のシールド部１１によって制御回路グラウンド７を上方から（第一の面側から）押さえるように配置したもので、制御回路グラウンド７とシールド部１１とが接続部９を介して接続されており、直流バスバー１０ａ、１０ｂと制御回路グラウンド７の間にシールド部１１に接続されたシールド板１４が設けられた構造となって、シールド部１１とシールド板１４によって、図９に示した断面形状がＵ字型と同様の形状にして直流バスバー１０ａおよび直流バスバー１０ｂを包み込むようにするとともに、接続部９の向きを変えて、パワーモジュール１２ｅに向かう方向に設け、制御回路グラウンド７をパワーモジュール１２ｅに近づけて配置した電力変換装置を示している。このような構造でも、実施の形態１に示す電力変換装置と同様の効果を得ることができる。Embodiment 5. FIG.
FIG. 11 shows a change in the shape of the L-shaped shield portion 11 shown in FIGS. 3 and 8, and the control circuit ground 7 is moved from above by the L-shaped shield portion 11 ( The control circuit ground 7 and the shield portion 11 are connected via the connection portion 9 and are shielded between the DC bus bars 10a and 10b and the control circuit ground 7. The shield plate 14 connected to the portion 11 is provided, and the DC bus bar 10a and the DC bus bar are configured so that the cross-sectional shape shown in FIG. 10b is encased, the direction of the connecting portion 9 is changed, and the control circuit ground 7 is provided in the direction toward the power module 12e. Closer and shows a power converter disposed. Even with such a structure, it is possible to obtain the same effect as that of the power conversion device described in the first embodiment.

この実施の形態５は、実施の形態１から４のいずれの構成においても適用することができ、制御回路グラウンド７の上面（パワー回路１のパワーモジュール１２ｅに対向する側の反対側）で制御回路グラウンド７とシールド部１１とが接続部９を介して接続されており、直流バスバー１０ａおよび直流バスバー１０ｂと制御回路５との間にシールド部１１に接続されたシールド板１４が設けられている構成としたもので、図１１に示すような電力変換装置を用いたものである。 The fifth embodiment can be applied to any of the configurations of the first to fourth embodiments, and the control circuit on the upper surface of the control circuit ground 7 (the side opposite to the side facing the power module 12e of the power circuit 1). The ground 7 and the shield part 11 are connected via the connection part 9, and the shield plate 14 connected to the shield part 11 is provided between the DC bus bar 10 a and the DC bus bar 10 b and the control circuit 5. The power converter as shown in FIG. 11 is used.

図１１に示すような構造により、パワーモジュール１２ｅの半導体素子のスイッチングにより直流バスバー１０ａおよび直流バスバー１０ｂに重畳する磁束１３からレゾルバ６ａ、６ｂをはじめとするセンサ等の被妨害回路をシールドすることで、バスバーと被妨害回路とをより近接配置でき、機器を小型化できるとともに、制御回路グラウンドの接続部９の寄生インダクタンスを低減できる。更に、直流バスバー１０ａおよび直流バスバー１０ｂとパワー回路グラウンド８に接続されたシールド部１１とを近接して配置することで、バスバーの寄生インダクタンスを低減しつつ浮遊容量を増加させることができ、パワー回路１から発生するノイズを低減できる。 With the structure as shown in FIG. 11, the disturbed circuits such as the resolvers 6a and 6b are shielded from the magnetic flux 13 superimposed on the DC bus bar 10a and the DC bus bar 10b by switching the semiconductor element of the power module 12e. The bus bar and the disturbed circuit can be arranged closer to each other, the device can be miniaturized, and the parasitic inductance of the connection portion 9 of the control circuit ground can be reduced. Furthermore, by arranging the DC bus bar 10a and the DC bus bar 10b and the shield part 11 connected to the power circuit ground 8 close to each other, it is possible to increase the stray capacitance while reducing the parasitic inductance of the bus bar. Noise generated from 1 can be reduced.

実施の形態６．
図１２は、シールド部１１と制御回路グラウンド７とが接続部９を介することなく直接接続された構造となっている電力変換装置を示したものである。すなわち、シールド部１１の先端部分の全域が接続部９となっているもので、このような構造でも、実施の形態１に示す電力変換装置と同様の効果を得ることに加え、シールド部１１と制御回路グラウンド７とが直接接続されているため、シールド部１１と制御回路グラウンド７の接続箇所に生じる寄生インダクタンスを更に低減するという効果を有する。Embodiment 6 FIG.
FIG. 12 shows a power conversion device having a structure in which the shield part 11 and the control circuit ground 7 are directly connected without the connection part 9 interposed therebetween. That is, the entire region of the tip of the shield part 11 is the connection part 9, and even with such a structure, in addition to obtaining the same effect as the power conversion device shown in the first embodiment, Since the control circuit ground 7 is directly connected, there is an effect of further reducing the parasitic inductance generated at the connection portion between the shield portion 11 and the control circuit ground 7.

実施の形態６は、実施の形態１から５のいずれかの構成において、シールド部１１と制御回路グラウンド７とが直接接続されていることを特徴としたものである。図１２に示すような構造により、パワーモジュール１２ｅの半導体素子のスイッチングにより直流バスバー１０ａおよび直流バスバー１０ｂに重畳する磁束１３からレゾルバ６ａ、６ｂをはじめとするセンサ等の被妨害回路をシールドすることで、バスバーと被妨害回路とをより近接配置でき、機器を小型化できるとともに、制御回路グラウンドの接続部９の寄生インダクタンスを低減できる。更に、直流バスバー１０ａおよび直流バスバー１０ｂとパワー回路グラウンドに接続されたシールド部１１とを近接して配置することで、バスバーの寄生インダクタンスを低減しつつ浮遊容量を増加させることができ、パワー回路１から発生するノイズを低減できる。 The sixth embodiment is characterized in that, in any configuration of the first to fifth embodiments, the shield unit 11 and the control circuit ground 7 are directly connected. With the structure as shown in FIG. 12, the disturbing circuits such as the resolvers 6a and 6b are shielded from the magnetic flux 13 superimposed on the DC bus bar 10a and the DC bus bar 10b by switching the semiconductor element of the power module 12e. The bus bar and the disturbed circuit can be arranged closer to each other, the device can be miniaturized, and the parasitic inductance of the connection portion 9 of the control circuit ground can be reduced. Furthermore, by arranging the DC bus bar 10a and the DC bus bar 10b and the shield part 11 connected to the power circuit ground close to each other, the stray capacitance can be increased while reducing the parasitic inductance of the bus bar. Noise generated from the can be reduced.

実施の形態７．
図１および図６に示した電力変換装置では、入力側端子の負極側の入力部端子１５ｂの電位とパワー回路グラウンド８の電位とは異なっているが、図１３に示すような、負極側の入力部端子１５ｂの電位とパワー回路グラウンド８の電位とを同電位とし、入力電力の正極側を直流バスバー１０ａ、負極側をパワー回路グラウンド８とした構造でも、実施の形態１に示す電力変換装置と同様の効果を得ることができる。図１４は、実施の形態７の電力変換装置の回路図の一例である。なお、実施の形態７の電力変換装置は主に６０Ｖ以下で駆動される車載用電力変換装置、例えばモータージェネレータや電動パワーステアリングへの適用を想定したものである。Embodiment 7 FIG.
In the power conversion device shown in FIGS. 1 and 6, the potential of the input terminal 15b on the negative side of the input side terminal and the potential of the power circuit ground 8 are different, but the potential on the negative side as shown in FIG. The power conversion apparatus shown in the first embodiment can also be configured in such a structure that the potential of the input terminal 15b and the potential of the power circuit ground 8 are the same potential, the positive side of the input power is the DC bus bar 10a and the negative side is the power circuit ground 8. The same effect can be obtained. FIG. 14 is an example of a circuit diagram of the power conversion device according to the seventh embodiment. The power conversion device according to the seventh embodiment is assumed to be applied to an in-vehicle power conversion device driven mainly at 60 V or less, such as a motor generator or an electric power steering.

なお、本実施の形態では、２つの電力変換装置で２つの負荷モータ４ａ、４ｂを駆動しているがこの限りではなく、図１５の回路図に示すような第１のインバータ１００ａと平滑コンデンサ３とで構成されるパワー回路から成る１つの電力変換装置で１つの負荷モータ４ａを駆動する方式としても良い。 In this embodiment, two load motors 4a and 4b are driven by two power converters. However, the present invention is not limited to this, and the first inverter 100a and the smoothing capacitor 3 as shown in the circuit diagram of FIG. It is also possible to drive one load motor 4a with one power conversion device comprising a power circuit composed of

この実施の形態７は、実施の形態１から６に示した構成において、供給電力を直流電力とし、正極側を前記バスバー、負極側を前記パワー回路グラウンドとしたことを特徴としている。この図１３に示すような構造により、パワーモジュール１２ｅの半導体素子のスイッチングにより直流バスバー１０ａに重畳する磁束１３からレゾルバ６ａ、６ｂをはじめとするセンサ等の被妨害回路をシールドすることで、バスバーと被妨害回路とをより近接配置でき、機器を小型化できるとともに、制御回路グラウンドの接続部９の寄生インダクタンスを低減できる。更に、直流バスバー１０ａ、１０ｂとパワー回路グラウンドに接続されたシールド部１１とを近接して配置することで、バスバーの寄生インダクタンスを低減しつつ浮遊容量を増加させることができ、パワー回路１から発生するノイズを低減できる。 The seventh embodiment is characterized in that, in the configuration shown in the first to sixth embodiments, the supplied power is DC power, the positive side is the bus bar, and the negative side is the power circuit ground. With the structure as shown in FIG. 13, by shielding the disturbed circuits such as the resolvers 6a and 6b from the magnetic flux 13 superimposed on the DC bus bar 10a by switching the semiconductor element of the power module 12e, The disturbed circuit can be arranged closer to each other, the device can be downsized, and the parasitic inductance of the connection portion 9 of the control circuit ground can be reduced. Furthermore, by arranging the DC bus bars 10a and 10b and the shield part 11 connected to the power circuit ground close to each other, the stray capacitance can be increased while reducing the parasitic inductance of the bus bar. Noise can be reduced.

なお、図１４および図１５において、インバータをブロックによって示しているが、これらの図の構成は、それぞれ、図１、図５および図６において示した構成と同一または相当する構成である。また、その他の部分においても、同一符号の部分は、各々同一または相当部分を示している。
また、この発明は、その発明の範囲内において、実施の形態の任意の構成要素を適宜、変更または省略することが可能である。In FIG. 14 and FIG. 15, the inverter is shown by a block. The configurations in these drawings are the same as or equivalent to the configurations shown in FIG. 1, FIG. 5, and FIG. 6, respectively. In the other parts, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Further, in the present invention, any component of the embodiment can be appropriately changed or omitted within the scope of the invention.

１パワー回路、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ半導体素子、３平滑コンデンサ、４ａ、４ｂ負荷モータ、５制御回路、６ａ、６ｂレゾルバ、７制御回路グラウンド、８パワー回路グラウンド、９接続部、１０ａ、１０ｂ直流バスバー、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ、１０ｇ、１０ｈ交流バスバー、１１シールド部、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆパワーモジュール、１３バスバーの磁束、１４シールド板、１５ａ、１５ｂ入力部端子、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ出力部端子、１００ａ第１のインバータ、１００ｂ第２のインバータ 1 power circuit, 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f semiconductor element, 3 smoothing capacitor, 4a, 4b load motor, 5 control circuit, 6a, 6b resolver, 7 control circuit ground, 8 power circuit ground, 9 connection 10a, 10b DC bus bar, 10c, 10d, 10e, 10f, 10g, 10h AC bus bar, 11 shield part, 12a, 12b, 12c, 12d, 12e, 12f power module, 13 magnetic flux of bus bar, 14 shield plate, 15a, 15b Input section terminal, 16a, 16b, 16c, 16d, 16e, 16f Output section terminal, 100a First inverter, 100b Second inverter

Claims

A power conversion device whose output is controlled based on information from a sensor, a power circuit having a semiconductor element, a power circuit ground for applying a ground potential to the power circuit, a control circuit for controlling the power circuit, and the control circuit A control circuit ground for supplying a ground potential to the power circuit, a bus bar for supplying power to the power circuit, and a shield portion provided between the sensor and the bus bar, the control circuit ground on the first surface side of the power circuit The power circuit ground is disposed on the second surface side opposite to the first surface side of the power circuit, and the control circuit ground and the power circuit ground are connected by the shield portion. The first surface side and the second surface side of the bus bar and the power circuit are shielded. Power converter according to claim.

The power converter according to claim 1, wherein the shield part and the control circuit ground are connected via a connection part.

2. The power converter according to claim 1, wherein a cross-sectional shape of the shield part is L-shaped, and the first surface side of the bus bar is shielded by the shield part.

2. The power converter according to claim 1, wherein a cross-sectional shape of the shield part is U-shaped, and is arranged so as to surround an outer periphery of the bus bar by the shield part.

The power conversion device according to claim 3, wherein the shield part is disposed so as to be opposed to each other between the power circuit and the control circuit ground.

The power converter according to claim 3, wherein the control circuit ground is arranged to be pressed from the first surface side by the shield part.

The power converter according to claim 1, wherein the shield part and the control circuit ground are directly connected.

The power converter according to any one of claims 1 to 6, wherein the supplied power is DC power, the positive electrode side is the bus bar, and the negative electrode side is the power circuit ground.