JP6331862B2 - Magnetoresistive element - Google Patents
Magnetoresistive element Download PDFInfo
- Publication number
- JP6331862B2 JP6331862B2 JP2014162820A JP2014162820A JP6331862B2 JP 6331862 B2 JP6331862 B2 JP 6331862B2 JP 2014162820 A JP2014162820 A JP 2014162820A JP 2014162820 A JP2014162820 A JP 2014162820A JP 6331862 B2 JP6331862 B2 JP 6331862B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- free layer
- magnetization
- magnetic field
- nonmagnetic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 119
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 46
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- AIRCTMFFNKZQPN-UHFFFAOYSA-N AlO Inorganic materials [Al]=O AIRCTMFFNKZQPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
本発明は、ピン層、中間層、フリー層が順に積層された磁気抵抗素子に関するものである。 The present invention relates to a magnetoresistive element in which a pinned layer, an intermediate layer, and a free layer are sequentially laminated.
従来より、例えば、特許文献1には、ピン層、中間層、フリー層が膜状に形成されると共に順に積層され、フリー層の磁化方向(磁化容易軸)が当該フリー層の膜面に対する法線方向とされた磁気抵抗素子が提案されている。 Conventionally, for example, in Patent Document 1, a pin layer, an intermediate layer, and a free layer are formed in a film shape and stacked in order, and the magnetization direction (easy axis of magnetization) of the free layer is a method with respect to the film surface of the free layer. A magnetoresistive element having a linear direction has been proposed.
このような磁気抵抗素子では、フリー層の磁化方向が外部磁界に応じて変化するため、外部磁界に応じたセンサ信号が出力される。 In such a magnetoresistive element, since the magnetization direction of the free layer changes according to the external magnetic field, a sensor signal according to the external magnetic field is output.
ところで、上記のような磁気抵抗素子において、ピン層、中間層、フリー層に対して熱処理を行うことにより、結晶性を向上させて感度を向上させるということも知られている。しかしながら、熱処理を行った場合、フリー層の材質によっては検出レンジが狭くなると共に検出精度が低下するという問題がある。 By the way, in the magnetoresistive element as described above, it is also known that the crystallinity is improved and the sensitivity is improved by performing heat treatment on the pinned layer, the intermediate layer, and the free layer. However, when heat treatment is performed, depending on the material of the free layer, there is a problem that the detection range becomes narrow and the detection accuracy decreases.
すなわち、図6に示されるように、例えば、フリー層としてCo、Fe、Niのうちの少なくとも1つ以上の元素とBを含む合金を用いた場合には、300℃での熱処理ではセンサ信号が外部磁界の強度に応じてリニアに変化する信号となる。しかしながら、325℃および350℃での熱処理では、センサ信号が外部磁界の強度に応じてリニアに変化する信号とはならない。これは、明確な原理については明らかになっていないが、フリー層の材質によっては、フリー層の磁化方向が膜面に対する法線方向から膜面に対する面内方向に変化するためであると推定される。 That is, as shown in FIG. 6, for example, when an alloy containing B and at least one element of Co, Fe, and Ni is used as the free layer, the sensor signal is not generated by heat treatment at 300 ° C. The signal changes linearly according to the strength of the external magnetic field. However, in the heat treatment at 325 ° C. and 350 ° C., the sensor signal does not change linearly according to the strength of the external magnetic field. Although the clear principle is not clarified, it is presumed that the magnetization direction of the free layer changes from the normal direction to the film surface to the in-plane direction to the film surface depending on the material of the free layer. The
このような問題は、上記特許文献1の磁気抵抗素子のように、フリー層としてCoPt合金等のいわゆる規則合金を用いることによって解決できる。しかしながら、このような規則合金は、異方性磁界(Hk)が非常に大きく、外部磁界に対する変化が小さくなる。すなわち、規則合金を用いた磁気抵抗素子では、耐熱性を向上できるものの、感度が低下するという問題がある。 Such a problem can be solved by using a so-called ordered alloy such as a CoPt alloy as the free layer as in the magnetoresistive element of Patent Document 1. However, such an ordered alloy has a very large anisotropic magnetic field (Hk) and a small change with respect to an external magnetic field. That is, in the magnetoresistive element using the ordered alloy, although the heat resistance can be improved, there is a problem that the sensitivity is lowered.
本発明は上記点に鑑みて、耐熱性を向上させつつ、感度の低下も抑制できる磁気抵抗素子を提供することを目的とする。 In view of the above points, an object of the present invention is to provide a magnetoresistive element capable of improving heat resistance and suppressing a decrease in sensitivity.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、薄膜状であり、膜面の面内方向における一方向に磁化方向が固定されているピン層(20)と、薄膜状であり、ピン層上に積層された中間層(30)と、薄膜状であり、中間層上に積層され、膜面の面内方向に対する法線方向に磁化方向を有し、当該磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層(40)とを備え、以下の点を特徴としている。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is a thin film, the pinned layer (20) having a magnetization direction fixed in one direction in the in-plane direction of the film surface, and a thin film. An intermediate layer (30) laminated on the pinned layer and a thin film, which is laminated on the intermediate layer, has a magnetization direction in the normal direction to the in-plane direction of the film surface, and the magnetization direction becomes an external magnetic field. And a free layer (40) that changes in response, and is characterized by the following points.
すなわち、フリー層は、Co、Fe、Niのうちの少なくとも1つ以上の元素とBを含む合金で構成され、単位面積当たりの磁気モーメントの大きさを磁化量としたとき、フリー層を構成する母材の磁化量を小さくする非磁性材料(41)が添加されており、非磁性材料が添加されることによる磁化量の低下率は、非磁性材料が添加されることによる異方性磁界の低下率より大きくされており、非磁性材料は、AlまたはRuであり、フリー層のうちの中間層と反対側の表層部に添加され、中間層は、MgO、AlO、Cu、またはAgで構成されていることを特徴としている。 That is, the free layer is composed of an alloy containing at least one element of Co, Fe, and Ni and B, and configures the free layer when the magnitude of the magnetic moment per unit area is the amount of magnetization. A nonmagnetic material (41) for reducing the magnetization amount of the base material is added, and the decrease rate of the magnetization amount due to the addition of the nonmagnetic material is determined by the anisotropic magnetic field due to the addition of the nonmagnetic material. The nonmagnetic material is Al or Ru, and is added to the surface layer portion on the opposite side of the intermediate layer, and the intermediate layer is composed of MgO, AlO, Cu, or Ag. It is characterized by being.
これによれば、フリー層に磁化量の低下率が異方性磁界の低下率より大きくなる非磁性材料を添加しているため、耐熱性を向上しつつ、感度の向上を図ることができる(図4、図5参照)。 According to this, since the nonmagnetic material in which the rate of decrease in the amount of magnetization is greater than the rate of decrease in the anisotropic magnetic field is added to the free layer, it is possible to improve sensitivity while improving heat resistance ( (See FIGS. 4 and 5).
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。本実施形態の磁気抵抗素子は、図1に示されるように、シリコン等で構成される基板10上に、熱酸化膜(SiO2)11、ピン層20、中間層30、フリー層40、保護層50が順に積層されて構成されている。本実施形態では、ピン層20は、基板10側から順に、下地層21、反強磁性層22、強磁性層23、非磁性層24、および強磁性層25が積層されて構成されている。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the magnetoresistive element of this embodiment includes a thermal oxide film (SiO 2 ) 11, a pinned
下地層21は、Ta、Ru等で構成されており、熱酸化膜11上に薄膜状に形成されている。反強磁性層22は、IrMn、PtMn等で構成されており、下地層21上に薄膜状に形成されている。この反強磁性層22は、磁化方向が所定方向に固定されており、これによってピン層20の磁化方向が所定方向に固定されている。なお、反強磁性層22の磁化方向は、膜面に対する面内方向の一方向になっている。
The
強磁性層23は、Co、Fe、Niのうちの少なくとも1つ以上の元素を含む合金等で構成されており、反強磁性層22上に薄膜状に形成されている。非磁性層24は、Ru等で構成され、強磁性層23上に薄膜状に形成されている。強磁性層25は、Co、Fe、Ni、Bのうちの少なくとも1つ以上の元素を含む合金等で構成されており、非磁性層24上に薄膜状に形成されている。本実施形態では、このように、非磁性層24を強磁性層23、24で挟んだいわゆる積層フェリ構造とすることにより、磁界が漏れることを抑制するようにしている。
The
中間層30は、強磁性層25上に薄膜状に形成されている。そして、例えば、中間層30をMgO、AlO等で構成した場合には、磁気抵抗素子としのTMR(Tunneling Magneto Resistance)が構成される。また、中間層30をCu、Ag等で構成した場合には、磁気抵抗素子としてGMR素子(Giant Magneto Resistance)素子が構成される。
The
フリー層40は、中間層30上に薄膜状に形成されており、外部磁界によって磁化方向が変化する磁界検出層としての機能を発揮する。このフリー層40は、膜面の面内方向に対する法線方向に磁化方向を有しており、具体的な構成については後述する。
The
保護層50は、Ta、Ru等で構成されており、フリー層40上に薄膜状に形成されている。
The
このような磁気抵抗素子では、フリー層40の磁化方向が外部磁界に応じて変化するため、基本的には、外部磁界に応じたセンサ信号が出力される。具体的には、図2に示されるように、磁気抵抗素子は、外部磁界の磁界強度に応じてセンサ信号がリニア(連続的)に変化する。
In such a magnetoresistive element, since the magnetization direction of the
詳述すると、図3A〜図3Cに示されるように、ピン層20の磁化方向aが膜面の面内方向における一方向(図3A〜図3C中紙面左右方向)の場合、図3Aに示されるように、外部磁界の強度が0であるときには、フリー層40の磁化方向bは膜面に対する法線方向であり、所定のセンサ信号を出力する。
More specifically, as shown in FIGS. 3A to 3C, when the magnetization direction a of the
そして、図3Bに示されるように、ピン層20の磁化方向aと同一方向の外部磁界cが印加されると、フリー層40の磁化方向bはピン層20の磁化方向と平行となる方向に近づき、フリー層40の磁化方向とピン層20の磁化方向との間の成す角度が小さくなる。この場合、磁気抵抗素子の抵抗値が大きくなるため、センサ信号は小さくなる。
3B, when an external magnetic field c in the same direction as the magnetization direction a of the
これに対し、図3Cに示されるように、ピン層20の磁化方向と反対方向の外部磁界が印加されると、フリー層40の磁化方向bはピン層20の磁化方向と反平行となる方向に近づき、フリー層40の磁化方向とピン層20の磁化方向との間の成す角度が大きくなる。この場合、磁気抵抗素子の抵抗値が小さくなるため、センサ信号が大きくなる。
On the other hand, as shown in FIG. 3C, when an external magnetic field opposite to the magnetization direction of the
以上が基本的な磁気抵抗素子の構成および作動である。次に、本実施形態の特徴点について説明する。上記のように、磁気抵抗素子を熱処理すると膜全体の結晶性を向上させることができるが、フリー層40の材質によっては、フリー層40の磁化方向が膜面の面内方向に対する法線方向から膜面の面内方向に変化することがある。
The above is the basic configuration and operation of the magnetoresistive element. Next, features of the present embodiment will be described. As described above, the heat resistance of the magnetoresistive element can improve the crystallinity of the entire film. However, depending on the material of the
この問題を解決するため、本発明者らは鋭意検討を行った。そして、図1および図4に示されるように、フリー層40に非磁性材料41を添加することによって当該フリー層40の磁化量を減らすことにより、耐熱性を向上させることができる場合があることを見出した。
In order to solve this problem, the present inventors have intensively studied. As shown in FIGS. 1 and 4, the heat resistance may be improved by reducing the amount of magnetization of the
なお、図4は、フリー層40として、Co、Fe、Niのうちの少なくとも1つ以上の元素とBを含む合金を母材とし、非磁性材料41としてAlをフリー層40に添加したときの実験結果である。また、ここでのフリー層40の磁化量とは、フリー層40における単位面積当たりの磁気モーメントの大きさのことである。
FIG. 4 shows a case where the
そして、さらに本発明者らは、フリー層40に非磁性材料41を添加しても全ての非磁性材料41が図4に示されるような結果にはならないことも見出した。ここで、垂直磁化を維持する理論条件は、異方性磁界をHk、磁化量をMsとすると、Hk>4πMsである。つまり、フリー層40に非磁性材料41を添加した場合には、磁化量と共に異方性磁界も低下するため、非磁性材料41を添加しても耐熱性を得ることができない場合がある。
Further, the present inventors have also found that even when the
このため、本実施形態では、フリー層40に非磁性材料41を添加した際、磁化量の低下率が異方性磁界の低下率より大きくなる非磁性材料41を添加している。具体的には、フリー層40として、Co、Fe、Niのうちの少なくとも1つ以上の元素とBを含む合金を母材とし、この母材に非磁性材料41としてのAlやRuを添加している。
For this reason, in this embodiment, when the
また、本実施形態では、図1に示されるように、非磁性材料41は、フリー層40のうちの中間層30と反対側の表層部に添加されている。つまり、本実施形態では、フリー層40は、Co、Fe、Niのうちの少なくとも1つ以上の元素とBを含む合金のみで構成される母材層40aと、当該母材層40a上に位置しており、非磁性材料41が添加された添加層40bが積層されて構成されているともいえる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the
これは、中間層30としてMgO、AlO、CuまたはAgを用い、フリー層40としてCo、Fe、Niのうちの少なくとも1つ以上の元素とBを含む合金で構成した場合には、接合界面の格子整合性が良く、この格子整合性を乱さないためである。
This is because when the
以上説明したように、本実施形態では、フリー層40に、フリー層40の磁化量の低下率が異方性磁界の低下率より大きくなる非磁性材料41を添加している。このため、図4に示されるように、耐熱性を向上できる。また、異方性磁界を小さくしているため、図5に示されるように、感度の向上を図ることができる。
As described above, in the present embodiment, the
さらに、本実施形態では、非磁性材料41をフリー層40のうちの中間層30と反対側の表層部に形成し、中間層30とフリー層40との界面における結晶の整合性が悪化しないようにしている。このため、感度が低下することを抑制できる。
Further, in this embodiment, the
(他の実施形態)
本発明は上記した第1実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the first embodiment described above, and can be appropriately changed within the scope described in the claims.
例えば、上記第1実施形態において、ピン層20、中間層30、フリー層40を構成する材質は、上記第1実施形態に記載の内容を満たすものであれば適宜変更可能である。また、ピン層20の積層構造においても適宜変更可能である。
For example, in the said 1st Embodiment, the material which comprises the
また、上記第1実施形態において、フリー層40のうちの中間層30側に非磁性材料41を添加するようにしてもよい。このような磁気抵抗素子としても、耐熱性を向上しつつ、感度の向上を図ることができる。
In the first embodiment, the
20 ピン層
30 中間層
40 フリー層
41 非磁性材料
20 pinned
Claims (1)
薄膜状であり、前記ピン層上に積層された中間層(30)と、
薄膜状であり、前記中間層上に積層され、膜面の面内方向に対する法線方向に磁化方向を有し、当該磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層(40)と、を備え、
前記フリー層は、Co、Fe、Niのうちの少なくとも1つ以上の元素とBを含む合金で構成され、単位面積当たりの磁気モーメントの大きさを磁化量としたとき、前記フリー層を構成する母材の磁化量を小さくする非磁性材料(41)が添加されており、前記非磁性材料が添加されることによる磁化量の低下率は、前記非磁性材料が添加されることによる異方性磁界の低下率より大きくされており、
前記非磁性材料は、AlまたはRuであり、前記フリー層のうちの前記中間層と反対側の表層部に添加され、
前記中間層は、MgO、AlO、Cu、またはAgで構成されていることを特徴とする磁気抵抗素子。 A pinned layer (20) that is thin and has a magnetization direction fixed in one direction in the in-plane direction of the film surface;
An intermediate layer (30) that is in the form of a thin film and is laminated on the pinned layer;
A free layer (40) that is thin-film-shaped, is laminated on the intermediate layer, has a magnetization direction in a direction normal to the in-plane direction of the film surface, and the magnetization direction changes according to an external magnetic field. ,
The free layer is made of an alloy containing at least one element of Co, Fe, and Ni and B, and forms the free layer when the magnitude of the magnetic moment per unit area is the amount of magnetization. A nonmagnetic material (41) for reducing the magnetization amount of the base material is added, and the decrease rate of the magnetization amount due to the addition of the nonmagnetic material is anisotropy due to the addition of the nonmagnetic material. It is larger than the magnetic field decrease rate ,
The nonmagnetic material is Al or Ru, and is added to a surface layer portion of the free layer opposite to the intermediate layer,
2. The magnetoresistive element according to claim 1, wherein the intermediate layer is made of MgO, AlO, Cu, or Ag .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014162820A JP6331862B2 (en) | 2014-08-08 | 2014-08-08 | Magnetoresistive element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014162820A JP6331862B2 (en) | 2014-08-08 | 2014-08-08 | Magnetoresistive element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016039313A JP2016039313A (en) | 2016-03-22 |
JP6331862B2 true JP6331862B2 (en) | 2018-05-30 |
Family
ID=55530134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014162820A Active JP6331862B2 (en) | 2014-08-08 | 2014-08-08 | Magnetoresistive element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6331862B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6702034B2 (en) * | 2016-07-04 | 2020-05-27 | 株式会社デンソー | Magnetic sensor |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4178867B2 (en) * | 2002-08-02 | 2008-11-12 | ソニー株式会社 | Magnetoresistive element and magnetic memory device |
JP2008109118A (en) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | Magnetoresistance effect element and magnetic random access memory using it |
JP2008252018A (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | Magnetoresistance effect element, and magnetic random access memory using the same |
JP4738395B2 (en) * | 2007-09-25 | 2011-08-03 | 株式会社東芝 | Magnetoresistive element and magnetic random access memory using the same |
US8102703B2 (en) * | 2009-07-14 | 2012-01-24 | Crocus Technology | Magnetic element with a fast spin transfer torque writing procedure |
JP5895610B2 (en) * | 2012-03-07 | 2016-03-30 | 富士通株式会社 | Magnetoresistive memory and method of manufacturing magnetoresistive memory |
WO2014025914A1 (en) * | 2012-08-07 | 2014-02-13 | The Regents Of The University Of California | Magnetoresistance sensor with perpendicular anisotropy |
-
2014
- 2014-08-08 JP JP2014162820A patent/JP6331862B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016039313A (en) | 2016-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6972221B2 (en) | Magnetoresistive sensor | |
US11340316B2 (en) | Magnetic sensor and magnetic encoder | |
EP3092505B1 (en) | Magnetoresistance element with an improved seed layer to promote an improved response to magnetic fields | |
US9207290B2 (en) | Magnetic field sensor for sensing external magnetic field | |
JP5759973B2 (en) | MAGNETIC SENSING DEVICE INCLUDING A SENSENHANCING LAYER | |
JP4780117B2 (en) | Angle sensor, manufacturing method thereof, and angle detection device using the same | |
JP4582488B2 (en) | Magnetic thin film, magnetoresistive effect element and magnetic device using the same | |
WO2014163121A1 (en) | Current-perpendicular-to-plane magneto-resistance effect element | |
US9810747B2 (en) | Magnetic sensor and magnetic encoder | |
EP3786957A1 (en) | Tunnel magnetoresistance (tmr) element having cobalt iron and tantalum layers | |
JP2008249556A (en) | Magnetic sensor | |
CN106104828B (en) | Magnetic sensor | |
JP5714653B2 (en) | Device containing a tantalum alloy layer | |
JP6331862B2 (en) | Magnetoresistive element | |
JP5195845B2 (en) | Magnetic sensor and magnetic field strength measuring method | |
CN102623018A (en) | Magnetic multi-layer film based on perpendicular-magnetization free layer, and magnetic sensor | |
CN109541503B (en) | Magnetic sensor | |
KR101521013B1 (en) | Perpendicular Magneto-resistance Device | |
JP6586974B2 (en) | Magnetoresistive effect element | |
JP2008192632A (en) | Magnetic thin film and magnetoresistive effect element | |
JP2019056685A (en) | Magnetic sensor | |
WO2024034206A1 (en) | Magnetic joint body, tmr element, tmr element array, magnetic sensor, magnetic sensor for linear encoder, and magnetic rotary encoder | |
JP2004119815A (en) | Magnetoresistive effect element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180123 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180416 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6331862 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |