JP6322997B2 - Reactor - Google Patents
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Description
本発明は、コアにコイルが巻き回されているリアクトルに関する。 The present invention relates to a reactor in which a coil is wound around a core.
リアクトルの一例として、特許文献1および2に記載の発明が挙げられる。特許文献1に記載のインダクタは、磁気飽和し易いコイル近傍の透磁率を他と比べて小さくして、磁束がコイル近傍に集中しないようにしている。また、特許文献2に記載のリアクトルは、透磁率の異なる磁路形成部材を多角形環状に配置して、コア全周にわたって磁束を磁路と平行に保持しようとしている。これにより、特許文献2に記載のリアクトルは、磁束が内周側に集中しないようにして、局所的に磁束密度が不均一になることを解消しようとしている。
Examples of the reactor include the inventions described in
しかしながら、特許文献1に記載の発明は、コイル近傍の透磁率を他と比べて小さくしても、コア外周部に磁束密度の不均一な箇所が生じ、コア内周部に磁束が集中して直流重畳特性が劣化する。また、特許文献2に記載の発明は、磁路形成部材を多角形環状に配置しているので、磁路形成部材を有しない空芯の場合と比べて、リアクトルの体格が増大する。
However, in the invention described in
本発明は、このような事情に鑑みて為されたものであり、直流重畳特性を向上させると共に、小型化可能なリアクトルを提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a reactor that can improve direct current superposition characteristics and can be miniaturized.
請求項1に記載のリアクトルは、第一透磁率を有する第一コア部と、前記第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部とを有し、前記第一コア部および前記第二コア部により閉磁路が形成されるコアと、前記コアに巻き回されるコイルと、を備えるリアクトルであって、前記コアは、軸方向視において軸からの距離が同じ領域に、周方向に離間する複数の前記第二コア部が設けられる第二コア部離間領域を含み、前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において前記軸からの距離がそれぞれ異なる複数の位置部位を有し、前記第二コア部離間領域の複数の前記位置部位を含む前記軸からの距離がそれぞれ異なる互いに隣り合う複数の前記位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されている。
The reactor of
請求項1に記載のリアクトルによれば、コアは、第一コア部と第二コア部とを有している。第二コア部は、第一コア部と比べて透磁率が大きいので、主に、第二コア部を通って閉磁路が形成される。また、請求項1に記載のリアクトルは、軸からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の位置部位を通って閉磁路の主部が形成されている。そのため、請求項1に記載のリアクトルは、磁路形成部材を有しない空芯の場合と比べて、磁束のコア内方への集中を防ぎ、磁束を均一化することができる。
According to the reactor of the first aspect, the core has the first core portion and the second core portion. Since the second core portion has a larger magnetic permeability than the first core portion, a closed magnetic path is mainly formed through the second core portion. Further, the reactor according to
また、請求項1に記載のリアクトルは、上記位置部位により、空芯の場合と比べて、磁路長を増大することができる。そのため、請求項1に記載のリアクトルは、インダクタンスの低下を抑制することができ、直流重畳特性を向上させることができる。さらに、請求項1に記載のリアクトルは、上記位置部位により、直流重畳特性を向上させることができるので、例えば、磁路形成部材を多角形にするなどコアを局所的に変形する必要がなく、リアクトルを小型化することができる。
Moreover, the reactor of
請求項2に記載のリアクトルは、請求項1に記載のリアクトルにおいて、前記コアは、前記軸方向と垂直方向に区分された複数の層部位を有し、隣接する前記層部位には、前記軸からの距離が異なる前記位置部位がそれぞれ設けられている。そのため、請求項2に記載のリアクトルは、コアの軸方向にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
The reactor according to
請求項3に記載のリアクトルは、請求項2に記載のリアクトルにおいて、前記第一コア部は、前記コアの軸方向視において前記軸からの距離がそれぞれ異なる複数の位置部位を有し、前記閉磁路は、前記第一コア部に形成される第一閉磁路と、前記第二コア部に形成され前記閉磁路の主部となる第二閉磁路と、を有し、前記第一閉磁路は、隣接する前記層部位に設けられる前記第一コア部の互いに隣り合う前記位置部位を通るように形成され、前記第二閉磁路は、隣接する前記層部位に設けられる前記第二コア部の互いに隣り合う前記位置部位を通るように形成されている。
請求項4に記載のリアクトルは、請求項1〜3のいずれか一項に記載のリアクトルにおいて、隣り合う前記位置部位は、面接触または線接触している。そのため、請求項4に記載のリアクトルは、隣り合う位置部位が離間している場合と比べて、当該位置部位を通らない磁束を低減することができる。
A reactor according to a third aspect is the reactor according to the second aspect, wherein the first core portion has a plurality of position portions each having different distances from the axis when viewed in the axial direction of the core. The path includes a first closed magnetic circuit formed in the first core part, and a second closed magnetic circuit formed in the second core part and serving as a main part of the closed magnetic circuit, wherein the first closed magnetic circuit is The first core portions provided in the adjacent layer portions are formed so as to pass through the position portions adjacent to each other, and the second closed magnetic path is formed between the second core portions provided in the adjacent layer portions. It is formed so as to pass through the adjacent position portions.
The reactor of Claim 4 is a reactor as described in any one of Claims 1-3. WHEREIN: The said adjacent position site | part is surface contact or line contact. Therefore, the reactor of Claim 4 can reduce the magnetic flux which does not pass through the said position part compared with the case where the adjacent position part is spaced apart.
請求項5に記載のリアクトルは、第一透磁率を有する第一コア部と、前記第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部とを有し、前記第一コア部および前記第二コア部により閉磁路が形成されるコアと、前記コアに巻き回されるコイルと、を備えるリアクトルであって、前記コアは、前記コアの軸方向と垂直方向に区分された複数の層部位を有し、前記複数の層部位のうちの少なくとも一つは、周方向に離間する複数の前記第二コア部が設けられる第二コア部離間領域を含み、前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において周方向位置がそれぞれ異なる複数の周方向位置部位を有し、隣接する前記層部位には、前記周方向位置が異なる前記周方向位置部位がそれぞれ設けられ、前記第二コア部離間領域の複数の前記周方向位置部位を含む前記周方向位置がそれぞれ異なる互いに隣り合う複数の前記周方向位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されている。 The reactor of Claim 5 has a 1st core part which has 1st magnetic permeability, and the 2nd core part which has 2nd magnetic permeability larger compared with said 1st magnetic permeability, Said 1st core part And a reactor including a core in which a closed magnetic path is formed by the second core portion, and a coil wound around the core, wherein the core is divided into a plurality in a direction perpendicular to the axial direction of the core And at least one of the plurality of layer portions includes a second core portion separation region in which a plurality of the second core portions separated in the circumferential direction are provided, and the second core portion is The core includes a plurality of circumferential position portions having different circumferential positions in the axial direction view, and the adjacent layer portions are provided with the circumferential position portions having different circumferential positions, respectively . A plurality of circumferential positions of the two core part separation region The circumferential position comprising a position that the main portion of the closed magnetic path through a plurality of the circumferential positions sites adjacent that different respectively are formed.
請求項5に記載のリアクトルは、上記周方向位置部位により、コアの軸方向にも磁路を形成することができるので、1つの層部位において閉磁路の主部を形成する場合と比べて、磁路長を増大することができる。よって、請求項5に記載のリアクトルは、直流重畳特性を向上させることができ、リアクトルを小型化することができる。 Since the reactor according to claim 5 can form a magnetic path also in the axial direction of the core by the circumferential position portion, compared with the case where the main part of the closed magnetic path is formed in one layer portion, The magnetic path length can be increased. Therefore, the reactor of Claim 5 can improve a direct current | flow superimposition characteristic, and can reduce a reactor in size.
請求項6に記載のリアクトルは、請求項5に記載のリアクトルにおいて、前記第一コア部は、前記コアの軸方向視において周方向位置がそれぞれ異なる複数の周方向位置部位を有し、前記閉磁路は、前記第一コア部に形成される第一閉磁路と、前記第二コア部に形成され前記閉磁路の主部となる第二閉磁路と、を有し、前記第一閉磁路は、隣接する前記層部位に設けられる前記第一コア部の互いに隣り合う前記周方向位置部位を通るように形成され、前記第二閉磁路は、隣接する前記層部位に設けられる前記第二コア部の互いに隣り合う前記周方向位置部位を通るように形成されている。
請求項7に記載のリアクトルは、請求項5または6に記載のリアクトルにおいて、隣り合う前記周方向位置部位は、面接触または線接触している。そのため、請求項7に記載のリアクトルは、隣り合う周方向位置部位が離間している場合と比べて、当該周方向位置部位を通らない磁束を低減することができる。
A reactor according to a sixth aspect is the reactor according to the fifth aspect, wherein the first core portion has a plurality of circumferential position portions whose circumferential positions are different from each other when viewed in the axial direction of the core. The path includes a first closed magnetic circuit formed in the first core part, and a second closed magnetic circuit formed in the second core part and serving as a main part of the closed magnetic circuit, wherein the first closed magnetic circuit is The second core part is formed so as to pass through the circumferential position parts adjacent to each other of the first core part provided in the adjacent layer part, and the second closed magnetic path is provided in the adjacent layer part. Are formed so as to pass through the circumferential position portions adjacent to each other.
A reactor according to a seventh aspect is the reactor according to the fifth or sixth aspect, wherein the adjacent circumferential position portions are in surface contact or line contact. Therefore, the reactor of Claim 7 can reduce the magnetic flux which does not pass the said circumferential position part compared with the case where the adjacent circumferential direction position part is spaced apart.
請求項8に記載のリアクトルは、請求項1〜7のいずれか一項に記載のリアクトルにおいて、前記第一コア部と前記第二コア部の境界において、前記第二コア部から前記第一コア部に向かって透磁率が徐々に減少する。そのため、請求項8に記載のリアクトルは、第二コア部から第一コア部に向かって徐々に磁束密度を低下させることができ、当該境界部分で透磁率が急変する場合と比べて、磁束の集中を防ぎ、第二コア部を通らない磁束を低減することができる。
Reactor according to claim 8, in a reactor according to any one of
請求項9に記載のリアクトルは、請求項1〜8のいずれか一項に記載のリアクトルにおいて、前記コアには、前記第一コア部および前記第二コア部が存在しないギャップが設けられている。そのため、請求項9に記載のリアクトルは、コアの全体の透磁率をギャップ長により調整することができ、所望の透磁率を容易に得ることができる。 The reactor of Claim 9 is a reactor as described in any one of Claims 1-8 , The gap in which the said 1st core part and the said 2nd core part do not exist is provided in the said core. . Therefore, the reactor of Claim 9 can adjust the magnetic permeability of the whole core with gap length, and can obtain desired magnetic permeability easily.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各実施形態について、共通する箇所には共通の符号を付して対応させることにより、重複する説明を省略する。また、各図は概念図であり、細部構造の寸法まで規定するものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, about each embodiment, the common code | symbol is attached | subjected to a common location, and the overlapping description is abbreviate | omitted. Each figure is a conceptual diagram and does not define the dimensions of the detailed structure.
<第1実施形態>
図1は、リアクトル1を模式的に示す正面図である。図2は、図1の矢印II方向視図である。図1および図2に示すように、本実施形態のリアクトル1は、コア2と、コア2に巻き回されるコイル3と、を備えており、コア2には、閉磁路CC1が形成される。図1に示す閉磁路CC0は、コア2を有しない空芯の場合に形成される閉磁路を示している。同図に示すように、コア2は、中空円柱状に形成されており、コア2の軸(中心軸)を軸AZ1で示している。軸AZ1は、紙面に垂直な方向に形成されている。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a front view schematically showing the
図2に示すように、コア2は、軸AZ1方向(矢印Z1方向)と垂直方向に区分されており、区分されたコア2を、層部位2U、2M、2Lで表している。図3は、各層部位2U、2M、2Lにおける第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。図3に示すように、層部位2Uは、径方向に2層に形成されており、各層は、周方向に12区分されている。このことは、層部位2M、2Lについても同様である。
As shown in FIG. 2, the
コア2は、第一コア部21および第二コア部22を有している。図3に示すように、第二コア部22が配置される箇所には、ハッチングが施されている。一方、第一コア部21が配置される箇所には、ハッチングが施されていない。他の変形形態や実施形態においても同様に、ハッチングの有無により、第一コア部21および第二コア部22の配置を表すことにする。なお、上記ハッチングは、閉磁路CC1の主部を分かり易くするために、説明の便宜上施したものである。
The
第一コア部21の透磁率を第一透磁率(比透磁率μ1)とし、第二コア部22の透磁率を第二透磁率(比透磁率μ2)とする。第二透磁率(比透磁率μ2)は、第一透磁率(比透磁率μ1)と比べて大きく設定されている。コア2は、第一コア部21および第二コア部22により閉磁路CC1が形成されるが、第二コア部22は、第一コア部21と比べて透磁率が大きいので、主に、第二コア部22を通って閉磁路CC1が形成される。そのため、図3に示すように、位置P01〜P20および位置P01の順に、閉磁路CC1の主部が形成される。なお、閉磁路CC1の始点および終点は、説明の便宜上設けたものであり、他の変形形態や実施形態においても同様である。
The magnetic permeability of the
第二コア部22は、第一位置部位2A1および第二位置部位2A2を有している。第一位置部位2A1および第二位置部位2A2は、コア2の軸AZ1方向(図2に示す矢印Z1方向。以下同じ。)視において、軸AZ1からの距離がそれぞれ異なる。例えば、位置P01で示す領域は、第一位置部位2A1であり、位置P02で示す領域は、第二位置部位2A2である。第一位置部位2A1は、コア2の内周側であり、第二位置部位2A2は、第一位置部位2A1より外周側である。
The
つまり、本実施形態のリアクトル1は、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)視において、軸AZ1からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位2A1および第二位置部位2A2を通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。なお、「互いに隣り合う」には、第一位置部位2A1および第二位置部位2A2が接する場合の他、第一位置部位2A1および第二位置部位2A2が離間している場合も含まれる。以上のことは、位置P05で示す領域と位置P06で示す領域との間、位置P11で示す領域と位置P12で示す領域との間、および、位置P15で示す領域と位置P16で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。
That is, the
そのため、本実施形態のリアクトル1は、空芯の場合と比べて、磁束のコア2内方(内周側)への集中を防ぎ、磁束を均一化することができる。また、本実施形態のリアクトル1は、第一位置部位2A1および第二位置部位2A2により、空芯の場合と比べて磁路長を増大することができる。ここで、磁界(Hf)、磁路長(lm)、コイル3の巻数(Tn)およびコイル3に流れる電流をコイル電流(Ic)とすると、これらの関係は、下記数1で示される。また、磁界(Hf)は、コイル電流(Ic)に比例し、インダクタンス(Ls)は、コイル電流(Ic)が大きくなるにつれて低下する。
(数1)
Hf=Tn×Ic/lm
Therefore, the
(Equation 1)
Hf = Tn × Ic / lm
本実施形態のリアクトル1は、第一位置部位2A1および第二位置部位2A2により、空芯の場合と比べて磁路長(lm)を増大することができるので、コア2に生じる磁界(Hf)を低下させて、コイル電流(Ic)を低減することができる。よって、本実施形態のリアクトル1は、インダクタンス(Ls)の低下を抑制することができ、直流重畳特性を向上させることができる。直流重畳特性の向上とは、直流電流に交流成分を加えた直流重畳電流をコイル3に流した場合に、コア2における磁気飽和を抑制して、インダクタンスの低下を低減することをいう。
In the
つまり、コイル電流(Ic)が増加するにつれてインダクタンス(Ls)は低下するが、本実施形態のリアクトル1は、磁路長(lm)を増大することができるので、大きな直流重畳電流に対してインダクタンス(Ls)の低下を抑制することができる。さらに、本実施形態のリアクトル1は、上記第一位置部位2A1および第二位置部位2A2により、直流重畳特性を向上させることができるので、例えば、磁路形成部材を多角形にするなどコア2を局所的に変形する必要がなく、リアクトル1を小型化することができる。
In other words, the inductance (Ls) decreases as the coil current (Ic) increases, but the
また、本実施形態では、層部位2Mの位置P20で示す領域と、層部位2Lの位置P02で示す領域とを通って閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P20で示す領域は、第一位置部位2A1であり、位置P02で示す領域は、第二位置部位2A2である。つまり、層部位2Mの第一位置部位2A1と、層部位2Lの第二位置部位2A2とを通って閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P05で示す領域と位置P07で示す領域との間、位置P10で示す領域と位置P12で示す領域との間、および、位置P15で示す領域と位置P17で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。したがって、本実施形態のリアクトル1は、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
In the present embodiment, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P20 of the
なお、層部位2Mの位置P20で示す領域と、層部位2Lの位置P01で示す領域との間において、閉磁路CC1の主部を形成することができる。位置P20で示す領域および位置P01で示す領域は、いずれも第一位置部位2A1である。つまり、層部位2Mの第一位置部位2A1と、層部位2Lの第一位置部位2A1とを通って閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P06で示す領域と位置P07で示す領域との間、位置P10で示す領域と位置P11で示す領域との間、および、位置P16で示す領域と位置P17で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。なお、第二位置部位2A2についても同様に、閉磁路CC1の主部を形成することができる。
The main part of the closed magnetic circuit CC1 can be formed between the region indicated by the position P20 of the
図4は、各層部位2U、2M、2Lにおける第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。図4に示すように、本変形形態においても、層部位2Uは、径方向に2層に形成されており、各層は、周方向に12区分されている。このことは、層部位2M、2Lについても同様である。また、コア2は、第一コア部21および第二コア部22を有している。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing the arrangement of the
図4に示すように、層部位2Uは、第一コア部21のみを有し、第二コア部22を有しない。層部位2M、2Lは、第一コア部21および第二コア部22をそれぞれ有しているが、これらの配置が第1実施形態と異なる。よって、図4に示すように、位置P01(位置P01M、位置P01L)〜位置P16および位置P01(位置P01M、位置P01L)の順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
As shown in FIG. 4, the
例えば、位置P16で示す領域、位置P01で示す領域および位置P02で示す領域を通る磁路として、主に、3通りの磁路が考えられる。1つ目の磁路は、位置P16で示す領域、位置P01Mで示す領域および位置P02で示す領域を通る磁路である。2つ目の磁路は、位置P16で示す領域、位置P01Mで示す領域、位置P01Lで示す領域および位置P02で示す領域を通る磁路である。3つ目の磁路は、位置P16で示す領域、位置P01Lで示す領域および位置P02で示す領域を通る磁路である。 For example, mainly three magnetic paths are conceivable as magnetic paths passing through the region indicated by the position P16, the region indicated by the position P01, and the region indicated by the position P02. The first magnetic path is a magnetic path that passes through the region indicated by position P16, the region indicated by position P01M, and the region indicated by position P02. The second magnetic path is a magnetic path that passes through the region indicated by position P16, the region indicated by position P01M, the region indicated by position P01L, and the region indicated by position P02. The third magnetic path is a magnetic path that passes through the region indicated by the position P16, the region indicated by the position P01L, and the region indicated by the position P02.
層部位2Lにおいて、位置P01Lで示す領域は、近傍に第一位置部位2A1または第二位置部位2A2を有しない。一方、層部位2Mにおいて、位置P01Mで示す領域は、近傍に第一位置部位2A1(位置P16で示す領域)および第二位置部位2A2(位置P02で示す領域)を有している。そのため、磁路は、1つ目の磁路によって形成され易くなる。このように、複数の磁路を表す場合などには、軸AZ1方向(矢印Z1方向)の複数の第一位置部位2A1または第二位置部位2A2を対にして取扱い、表記する。例えば、第1実施形態の位置P01に相当する領域は、位置P01Lで示す領域と位置P01Mで示す領域とを対にして取扱い、表記する。このことは、他の領域についても同様である。
In the
本変形形態においても、位置P01(位置P01M、位置P01L)で示す領域と、位置P02で示す領域とを通って閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P01(位置P01M、位置P01L)で示す領域は、第一位置部位2A1であり、位置P02で示す領域は、第二位置部位2A2である。つまり、軸AZ1からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位2A1および第二位置部位2A2を通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P05で示す領域と位置P06(位置P06M、位置P06L)で示す領域との間、位置P09(位置P09M、位置P09L)で示す領域と位置P10で示す領域との間、および、位置P13で示す領域と位置P14(位置P14M、位置P14L)で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。よって、本変形形態のリアクトル1は、第1実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
Also in this modification, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P01 (position P01M, position P01L) and the region indicated by the position P02. The area indicated by the position P01 (position P01M, position P01L) is the first position part 2A1, and the area indicated by the position P02 is the second position part 2A2. That is, the distance from the axis AZ1 is different, and the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2 that are adjacent to each other. Between the area indicated by position P05 and the area indicated by position P06 (position P06M, position P06L), between the area indicated by position P09 (position P09M, position P09L) and the area indicated by position P10, and indicated by position P13 The same applies to the region and the region indicated by the position P14 (position P14M, position P14L), and the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed. Therefore, the
また、層部位2Lの位置P01Lで示す領域と、層部位2Mの位置P02で示す領域とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P01Lで示す領域は、第一位置部位2A1であり、位置P02で示す領域は、第二位置部位2A2である。つまり、層部位2Lの第一位置部位2A1と、層部位2Mの第二位置部位2A2とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P05で示す領域と位置P06Lで示す領域との間、位置P09Lで示す領域と位置P10で示す領域との間、および、位置P13で示す領域と位置P14Lで示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。したがって、本変形形態のリアクトル1は、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
Further, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P01L of the
なお、層部位2Lの位置P01Lで示す領域と、層部位2Mの位置P01Mで示す領域との間において、閉磁路CC1の主部を形成することができる。位置P01Lで示す領域および位置P01Mで示す領域は、いずれも第一位置部位2A1である。つまり、層部位2Lの第一位置部位2A1と、層部位2Mの第一位置部位2A1とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P06Lで示す領域と位置P06Mで示す領域との間、位置P09Lで示す領域と位置P09Mで示す領域との間、および、位置P14Lで示す領域と位置P14Mで示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。
The main part of the closed magnetic circuit CC1 can be formed between the region indicated by the position P01L of the
なお、図3に示すように、本実施形態では、層部位2Uにおいて、第一位置部位2A1および第二位置部位2A2を併せた領域は、軸AZ1回りに非対称に配置されている。このことは、層部位2Lにおいても同様である。なお、層部位2Mにおいて、第一位置部位2A1は、軸AZ1回りに対称に配置されている。一方、図4に示すように、変形形態では、層部位2Mにおいて、第一位置部位2A1および第二位置部位2A2を併せた領域は、軸AZ1回りに対称に配置されている。また、層部位2Lにおいて、第一位置部位2A1は、軸AZ1回りに対称に配置されている。
As shown in FIG. 3, in the present embodiment, in the
図5は、電流とインダクタンスの関係の一例を示す説明図である。曲線L1は、第1実施形態のリアクトル1の特性を示し、曲線L2は、変形形態のリアクトル1の特性を示している。曲線L2に示す変形形態のリアクトル1は、リアクトル1のコイル3に流れる電流が大きくなると、曲線L1に示す第1実施形態のリアクトル1と比べて、インダクタンスが低下している。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of the relationship between current and inductance. A curve L1 indicates the characteristics of the
電流とインダクタンスの関係は、リアクトル1のコイル3の両端に、公知の直流重畳評価装置を接続して計測することができる。例えば、直流重畳評価装置は、公知の直流電源および正弦波供給電源を有しており、直流電源から出力される直流電圧に、正弦波供給電源から出力される正弦波状電圧を重畳することができる。また、直流重畳評価装置は、公知のLCRメータを有しており、リアクトル1のコイル3の両端に直流重畳電圧を印加してコイル3に直流重畳電流を流した状態で、リアクトル1のインダクタンスを計測することができる。なお、磁界解析によっても同様の特性を得ることができる。
The relationship between the current and the inductance can be measured by connecting a known DC superposition evaluation apparatus to both ends of the
図6は、図3のXI−XI断面における磁束方向を説明する説明図である。図6は、磁界解析によって第1実施形態のリアクトル1の磁束方向を算出して、磁束方向を模式的に示したものである。図7は、図4のXII−XII断面における磁束方向を説明する説明図である。図7は、同様の磁界解析によって変形形態のリアクトル1の磁束方向を算出して、磁束方向を模式的に示したものである。図6および図7では、紙面に直交する方向に磁束が形成されるときの磁束方向を黒丸で示し、紙面上(XI−XI断面またはXII−XII断面)において磁束が形成されるときの磁束方向を矢印で示している。
FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining the direction of magnetic flux in the XI-XI cross section of FIG. 3. FIG. 6 schematically shows the magnetic flux direction by calculating the magnetic flux direction of the
第1実施形態のリアクトル1は、例えば、層部位2Lの位置P05で示す領域(第二位置部位2A2)および位置P06で示す領域(第一位置部位2A1)、並びに、層部位2Mの位置P07で示す領域(第一位置部位2A1)により、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)に閉磁路CC1の主部が形成される。そのため、図6に示すように、位置P06で示す領域から位置P07で示す領域にかけて、紙面に直交しない方向(紙面上)に磁束が形成されている。
The
変形形態のリアクトル1は、例えば、層部位2Lにおいて、位置P06Lで示す領域(第一位置部位2A1)の近傍に、第一位置部位2A1または第二位置部位2A2を有しない。一方、層部位2Mにおいて、位置P05で示す領域(第二位置部位2A2)、位置P06Mで示す領域(第一位置部位2A1)および位置P07で示す領域(第一位置部位2A1)は、周方向に連続して配置されている。よって、変形形態のリアクトル1は、第1実施形態のリアクトル1と比べて、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)への磁路の形成が少ない。そのため、図7に示すように、位置P06Lで示す領域および位置P06Mで示す領域においては、主に、紙面に直交する方向に磁束が形成されている。つまり、層部位2Lの位置P06Lで示す領域と、層部位2Mの位置P06Mで示す領域との間では、紙面に直交しない方向(紙面上)の磁路の形成は少ない。この現象は、特に、複数の第一位置部位2A1または第二位置部位2A2が連続して配置されていない場合にみられる。
For example, the
また、第1実施形態のリアクトル1は、層部位2U、2M、2Lにおいて、閉磁路CC1の主部が形成されているが、変形形態のリアクトル1は、層部位2M、2Lにおいて、閉磁路CC1の主部が形成されている。そのため、変形形態のリアクトル1は、第1実施形態のリアクトル1と比べて、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)への磁路の形成が少ないので、第1実施形態のリアクトル1と比べて、磁路長が短くなる。よって、図5に示すように、曲線L2に示す変形形態のリアクトル1は、リアクトル1のコイル3に流れる電流が大きくなると、曲線L1に示す第1実施形態のリアクトル1と比べて、インダクタンスが低下している。
Moreover, although the
なお、図3に示すように、隣リ合う位置部位(第一位置部位2A1および第二位置部位2A2)は、面接触していると好適である。これにより、第1実施形態のリアクトル1は、隣り合う位置部位(第一位置部位2A1および第二位置部位2A2)が離間している場合と比べて、当該位置部位を通らない磁束を低減することができる。このことは、図4に示す変形形態のリアクトル1についても同様である。
As shown in FIG. 3, it is preferable that the adjacent position parts (first position part 2A1 and second position part 2A2) are in surface contact. Thereby, the
次に、コア2およびコイル3について説明する。コア2は、例えば、純鉄粉末や鉄系粉末(例えばFe−Si系粉末)などの磁性材料を加圧成形することにより形成することができる。この場合、透磁率が小さい第一コア部21を純鉄粉末で形成し、透磁率が大きい第二コア部22をFe−Si系粉末で形成することができる。また、粉末の表面は、渦電流損失を低減するために、電気絶縁膜で覆われていると良い。なお、同じ材料組成で密度が大きい程、透磁率が大きいことから、同じ材料組成で第一コア部21を低密度にして、第二コア部22を高密度にしても良い。
Next, the
磁性材料は、上記の磁性材料に限定されるものではない。磁性材料は、例えば、酸化鉄を主成分とする各種フェライトを用いることもできる。また、第一コア部21は、非磁性材料を用いることもできる。例えば、非磁性材料で第一コア部21を形成し、磁性材料で第二コア部22を形成することができる。非磁性材料は限定されないが、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)、アルミナ(Al2O3)などを用いることができる。
The magnetic material is not limited to the above magnetic material. As the magnetic material, for example, various ferrites mainly composed of iron oxide can be used. The
また、コア2は、例えば、有底同心円筒に上記粉末を充填して、軸AZ1方向(矢印Z1方向)に加圧することにより、第一コア部21および第二コア部22を形成することができる。有底同心円筒は、例えば、直径の異なる2つの有底円筒を同心に配置する。2つの円筒の直径は、コア2の外径、コア2の内径にそれぞれ設定されている。そして、図3の位置P01〜P06で示す領域において、第二透磁率(比透磁率μ2)の粉末を充填し、位置P01〜P06で示す領域以外には、第一透磁率(比透磁率μ1)の粉末を充填する。そして、充填された粉末を軸AZ1方向(矢印Z1方向)に加圧することにより、層部位2Lを形成することができる。同様にして、層部位2M、2Uを形成することにより、軸AZ1方向(矢印Z1方向)に3区分されたコア2を形成することができる。
Moreover, the
なお、第一コア部21および第二コア部22の配置に合わせて、適宜、仕切りを設けることもできる。なお、コア2の形成方法は、上記方法に限定されるものではない。例えば、第一コア部21および第二コア部22を個別に形成して、接着剤などにより第一コア部21および第二コア部22を固定することもできる。また、第一コア部21は、一体に形成することもでき、第二コア部22は、一体に形成することもできる。例えば、図3の位置P01〜P06で示す領域を一体に形成することができる。一体に形成する場合であっても、位置P01、P06に相当する領域は、第一位置部位2A1であり、位置P02〜P05に相当する領域は、第二位置部位2A2である。これらのことは、層部位2U、2Mについても同様である。
In addition, according to arrangement | positioning of the
また、第一コア部21と第二コア部22の境界において、第二コア部22から第一コア部21に向かって透磁率を徐々に減少させることもできる。例えば、当該境界部分で第一コア部21および第二コア部22を形成する粉末の混合割合を変更することができる。つまり、第二コア部22側は、第二透磁率(比透磁率μ2)の粉末を多くし、第一コア部21側に向かうにつれて、第一透磁率(比透磁率μ1)の粉末を多くする。これにより、第二コア部22から第一コア部21に向かって徐々に磁束密度を低下させることができ、当該境界部分で透磁率が急変する場合と比べて、磁束の集中を防ぎ、第二コア部22を通らない磁束を低減することができる。なお、第一コア部21と第二コア部22の境界は、同じ材料組成で、第一コア部21から第二コア部22に向かう程、高密度にしても良い。これらのことは、以降の実施形態においても同様である。
Further, the magnetic permeability can be gradually reduced from the
コア2における第二コア部22の割合(第一コア部21および第二コア部22の領域に対する第二コア部22の領域)は、必要なインダクタンスに合わせて、適宜、決定することができる。例えば、インダクタンスを増加させる場合は、第二コア部22の割合を多くし、インダクタンスを減少させる場合は、第二コア部22の割合を少なくする。なお、図3および図4に示すように、第一コア部21および第二コア部22の使用比率が同じ場合であっても、第一位置部位2A1および第二位置部位2A2の配置により、直流重畳特性を向上させることができる。
The ratio of the
また、層部位2Uは、径方向に3層以上に形成することもできる。また、各層の周方向の区分数も12区分に限定されるものではなく、均等に区分されていなくても良い。これらのことは、層部位2M、2Lについても同様である。例えば、コア2の径方向において、3つ以上の位置部位(第三位置部位、第四位置部位、...)を配置することができる。これにより、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)視において、軸AZ1からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う3つ以上の位置部位を通って、閉磁路CC1の主部が形成される。
Further, the
コア2の形状は、円環状に限定されるものではなく、コア2において閉磁路CC1が形成される形状であれば良い。例えば、軸AZ1方向(矢印Z1方向)視において、四角形状などの多角形状にすることもできる。また、コア2には、第一コア部21および第二コア部22が存在しないギャップを設けることもできる。この場合、コア2の全体の透磁率をギャップ長により調整することができ、所望の透磁率を容易に得ることができる。具体的には、ギャップ長を増大するとコア2の全体の透磁率は低下し、ギャップ長を減少するとコア2の全体の透磁率は増加する。これらのことは、以降の実施形態においても同様である。
The shape of the
コイル3は、導体表面がエナメルなどの絶縁層で被覆されている。コイル3の断面形状は、限定されるものではなく、任意の断面形状とすることができる。例えば、コイル3は、断面円形状の丸線、断面多角形状の角線などの種々の断面形状の導体を用いることができる。また、図1に示すように、コイル3は、コア2の全周にわたって巻き回すことができ、コア2の周方向の一部において、巻き回すこともできる。
The
<第2実施形態>
本実施形態では、コア2は、軸AZ1方向(矢印Z1方向)と垂直方向に区分されていない点で第1実施形態と異なる。図8は、コア2における第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置P01〜P16および位置P01の順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
Second Embodiment
In the present embodiment, the
本実施形態では、位置P01で示す領域と、位置P02で示す領域とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P01で示す領域は、第一位置部位2A1であり、位置P02で示す領域は、第二位置部位2A2である。つまり、軸AZ1からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位2A1および第二位置部位2A2を通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P05で示す領域と位置P06で示す領域との間、位置P09で示す領域と位置P10で示す領域との間、および、位置P13で示す領域と位置P14で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。 In the present embodiment, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P01 and the region indicated by the position P02. The region indicated by the position P01 is the first position portion 2A1, and the region indicated by the position P02 is the second position portion 2A2. That is, the distance from the axis AZ1 is different, and the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2 that are adjacent to each other. The same applies to the area indicated by the position P05 and the area indicated by the position P06, the area indicated by the position P09 and the area indicated by the position P10, and the area indicated by the position P13 and the area indicated by the position P14. Yes, each of the main parts of the closed magnetic circuit CC1 is formed.
よって、本実施形態のリアクトル1は、第1実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態のリアクトル1は、コア2が軸AZ1方向(矢印Z1方向)と垂直方向に区分されていないので、軸AZ1方向(矢印Z1方向)に磁路長を増大することはできない。
Therefore, the
<第3実施形態>
本実施形態では、コア2は、軸AZ1方向(矢印Z1方向)と垂直方向に2つに区分されている点で第1実施形態と異なる。図9は、各層部位2U、2Lにおける第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置P01〜P20および位置P01の順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
<Third Embodiment>
In the present embodiment, the
本実施形態では、位置P01で示す領域と、位置P02で示す領域とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P01で示す領域は、第一位置部位2A1であり、位置P02で示す領域は、第二位置部位2A2である。つまり、軸AZ1からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位2A1および第二位置部位2A2を通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P05で示す領域と位置P06で示す領域との間、位置P11で示す領域と位置P12で示す領域との間、および、位置P15で示す領域と位置P16で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。よって、本実施形態のリアクトル1は、第1実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
In the present embodiment, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P01 and the region indicated by the position P02. The region indicated by the position P01 is the first position portion 2A1, and the region indicated by the position P02 is the second position portion 2A2. That is, the distance from the axis AZ1 is different, and the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2 that are adjacent to each other. The same applies to the area indicated by the position P05 and the area indicated by the position P06, the area indicated by the position P11 and the area indicated by the position P12, and the area indicated by the position P15 and the area indicated by the position P16. Yes, each of the main parts of the closed magnetic circuit CC1 is formed. Therefore, the
また、層部位2Lの位置P20で示す領域と、層部位2Uの位置P02で示す領域とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P20で示す領域は、第一位置部位2A1であり、位置P02で示す領域は、第二位置部位2A2である。つまり、層部位2Lの第一位置部位2A1と、層部位2Uの第二位置部位2A2とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P05で示す領域と位置P07で示す領域との間、位置P10で示す領域と位置P12で示す領域との間、および、位置P15で示す領域と位置P17で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。したがって、本実施形態のリアクトル1は、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
The main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P20 of the
なお、層部位2Lの位置P20で示す領域と、層部位2Uの位置P01で示す領域との間において、閉磁路CC1の主部を形成することができる。位置P20で示す領域および位置P01で示す領域は、いずれも第一位置部位2A1である。つまり、層部位2Lの第一位置部位2A1と、層部位2Uの第一位置部位2A1とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P06で示す領域と位置P07で示す領域との間、位置P10で示す領域と位置P11で示す領域との間、および、位置P16で示す領域と位置P17で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。
In addition, the main part of the closed magnetic circuit CC1 can be formed between the region indicated by the position P20 of the
軸AZ1方向(矢印Z1方向)と垂直方向に区分されるコア2の区分数は、限定されるものでなく、4つ以上に区分することもできる。なお、本実施形態では、層部位2Uにおいて、第一位置部位2A1および第二位置部位2A2を併せた領域は、コア2の軸AZ1回りに対称に配置されているが、コア2の軸AZ1回りに非対称に配置することもできる。また、層部位2Lにおいて、第一位置部位2A1は、コア2の軸AZ1回りに対称に配置されているが、コア2の軸AZ1回りに非対称に配置することもできる。これらのことは、以降の実施形態においても同様である。
The number of divisions of the
<第4実施形態>
本実施形態では、隣り合う位置部位(第一位置部位2A1および第二位置部位2A2)が線接触している点で第2実施形態と異なる。図10は、コア2における第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置P01〜P12および位置P01の順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
<Fourth embodiment>
This embodiment differs from the second embodiment in that adjacent position parts (first position part 2A1 and second position part 2A2) are in line contact. FIG. 10 is an explanatory diagram showing the arrangement of the
本実施形態では、位置P12で示す領域と、位置P01で示す領域とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P12で示す領域は、第一位置部位2A1であり、位置P01で示す領域は、第二位置部位2A2である。つまり、軸AZ1からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位2A1および第二位置部位2A2を通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P04で示す領域と位置P05で示す領域との間、位置P06で示す領域と位置P07で示す領域との間、および、位置P10で示す領域と位置P11で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。よって、本実施形態のリアクトル1は、第1実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
In the present embodiment, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P12 and the region indicated by the position P01. The region indicated by the position P12 is the first position portion 2A1, and the region indicated by the position P01 is the second position portion 2A2. That is, the distance from the axis AZ1 is different, and the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2 that are adjacent to each other. The same applies between the area indicated by position P04 and the area indicated by position P05, between the area indicated by position P06 and the area indicated by position P07, and between the area indicated by position P10 and the area indicated by position P11. Yes, each of the main parts of the closed magnetic circuit CC1 is formed. Therefore, the
また、同図に示すように、位置P12で示す領域(第一位置部位2A1)と、位置P01で示す領域(第二位置部位2A2)とは線接触している。位置P04で示す領域と位置P05で示す領域との間、位置P06で示す領域と位置P07で示す領域との間、および、位置P10で示す領域と位置P11で示す領域との間においても同様である。そのため、本実施形態のリアクトル1は、隣り合う位置部位(第一位置部位2A1および第二位置部位2A2)が離間している場合と比べて、当該位置部位を通らない磁束を低減することができる。なお、当該位置部位を通らない磁束を低減する観点からは、線接触の場合と比べて面接触が好ましい。また、第1実施形態および第3実施形態に示すように、コア2は、軸AZ1方向(矢印Z1方向)と垂直方向に区分することもできる。これにより、第1実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
Further, as shown in the figure, the region indicated by the position P12 (first position portion 2A1) and the region indicated by the position P01 (second position portion 2A2) are in line contact. The same applies between the area indicated by position P04 and the area indicated by position P05, between the area indicated by position P06 and the area indicated by position P07, and between the area indicated by position P10 and the area indicated by position P11. is there. Therefore, the
<第5実施形態>
本実施形態では、隣り合う位置部位(第一位置部位2A1および第二位置部位2A2)が、離間している点で第2実施形態と異なる。図11は、コア2における第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置P01〜P08および位置P01の順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
<Fifth Embodiment>
This embodiment differs from the second embodiment in that adjacent position parts (first position part 2A1 and second position part 2A2) are separated from each other. FIG. 11 is an explanatory diagram showing the arrangement of the
本実施形態では、位置P08で示す領域と、位置P01で示す領域とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P08で示す領域は、第一位置部位2A1であり、位置P01で示す領域は、第二位置部位2A2である。つまり、軸AZ1からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位2A1および第二位置部位2A2を通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。位置P02で示す領域と位置P03で示す領域との間、位置P04で示す領域と位置P05で示す領域との間、および、位置P06で示す領域と位置P07で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。よって、本実施形態のリアクトル1は、第1実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
In the present embodiment, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P08 and the region indicated by the position P01. The region indicated by the position P08 is the first position portion 2A1, and the region indicated by the position P01 is the second position portion 2A2. That is, the distance from the axis AZ1 is different, and the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2 that are adjacent to each other. The same applies between the area indicated by position P02 and the area indicated by position P03, between the area indicated by position P04 and the area indicated by position P05, and between the area indicated by position P06 and the area indicated by position P07. Yes, each of the main parts of the closed magnetic circuit CC1 is formed. Therefore, the
また、同図に示すように、位置P08で示す領域(第一位置部位2A1)と、位置P01で示す領域(第二位置部位2A2)とは、離間している。位置P02で示す領域と位置P03で示す領域との間、位置P04で示す領域と位置P05で示す領域との間、および、位置P06で示す領域と位置P07で示す領域との間においても同様である。よって、本実施形態のリアクトル1は、上記離間距離を増減することにより、コア2の全体の透磁率を調整することができる。また、第1実施形態および第3実施形態に示すように、コア2は、軸AZ1方向(矢印Z1方向)と垂直方向に区分することもできる。これにより、第1実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
Further, as shown in the figure, the region indicated by the position P08 (first position portion 2A1) is separated from the region indicated by the position P01 (second position portion 2A2). The same applies between the area indicated by position P02 and the area indicated by position P03, between the area indicated by position P04 and the area indicated by position P05, and between the area indicated by position P06 and the area indicated by position P07. is there. Therefore, the
<第6実施形態>
本実施形態では、各層部位2U、2M、2Lは、径方向に1層に形成されている点で第1実施形態と異なる。なお、本実施形態においても、各層部位2U、2M、2Lは、周方向に12区分されている。図12は、各層部位2U、2M、2Lにおける第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置P01〜P16および位置P01の順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
<Sixth Embodiment>
In this embodiment, each layer site |
本実施形態では、第二コア部22は、第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4を有している。第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4は、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)視において、周方向位置がそれぞれ異なる。例えば、位置P01〜P04で示す領域は、第一周方向位置部位2B1であり、位置P05〜P08で示す領域は、第二周方向位置部位2B2である。また、位置P09〜P12で示す領域は、第三周方向位置部位2B3であり、位置P13〜P16で示す領域は、第四周方向位置部位2B4である。同図に示すように、第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
In the present embodiment, the
また、本実施形態においても、コア2は、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)と垂直方向に区分されており、区分されたコア2を、層部位2U、2M、2Lで表している。層部位2Lには、第一周方向位置部位2B1が設けられ、層部位2Mには、第二周方向位置部位2B2および第四周方向位置部位2B4が設けられ、層部位2Uには、第三周方向位置部位2B3が設けられている。そして、層部位2Lの位置P01〜P04で示す領域と、層部位2Mの位置P05〜P08で示す領域とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。つまり、層部位2Lの第一周方向位置部位2B1と、層部位2Mの第二周方向位置部位2B2とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。
Also in this embodiment, the
位置P05〜P08で示す領域と位置P09〜P12で示す領域との間、位置P09〜P12で示す領域と位置P13〜P16で示す領域との間、および、位置P13〜P16で示す領域と位置P01〜P04で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。つまり、本実施形態のリアクトル1は、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)視において、周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4を通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。
Between the region indicated by positions P05 to P08 and the region indicated by positions P09 to P12, between the region indicated by positions P09 to P12 and the region indicated by positions P13 to P16, and the region indicated by positions P13 to P16 and position P01 The same applies to the region indicated by P04, and the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed. That is, the
本実施形態のリアクトル1は、上記第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4により、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)にも磁路を形成することができるので、1つの層部位において閉磁路CC1の主部を形成する場合と比べて、磁路長を増大することができる。よって、本実施形態のリアクトル1は、直流重畳特性を向上させることができ、リアクトル1を小型化することができる。
The
<第7実施形態>
本実施形態では、コア2は、軸AZ1方向(矢印Z1方向)と垂直方向に2つに区分されている点で第6実施形態と異なる。図13は、各層部位2U、2Lにおける第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置P01〜P16および位置P01の順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
<Seventh embodiment>
In the present embodiment, the
本実施形態では、第二コア部22は、第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4を有している。例えば、位置P01〜P04で示す領域は、第一周方向位置部位2B1であり、位置P05〜P08で示す領域は、第二周方向位置部位2B2である。また、位置P09〜P12で示す領域は、第三周方向位置部位2B3であり、位置P13〜P16で示す領域は、第四周方向位置部位2B4である。同図に示すように、第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
In the present embodiment, the
層部位2Uには、第一周方向位置部位2B1および第三周方向位置部位2B3が設けられ、層部位2Lには、第二周方向位置部位2B2および第四周方向位置部位2B4が設けられている。そして、層部位2Uの位置P01〜P04で示す領域と、層部位2Lの位置P05〜P08で示す領域とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。つまり、層部位2Uの第一周方向位置部位2B1と、層部位2Lの第二周方向位置部位2B2とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。
The
位置P05〜P08で示す領域と位置P09〜P12で示す領域との間、位置P09〜P12で示す領域と位置P13〜P16で示す領域との間、および、位置P13〜P16で示す領域と位置P01〜P04で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。つまり、本実施形態のリアクトル1は、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)視において、周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4を通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。よって、本実施形態のリアクトル1は、第6実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。なお、軸AZ1方向(矢印Z1方向)と垂直方向に区分されるコア2の区分数は、限定されるものでなく、4つ以上に区分することもできる。このことは、以降の実施形態においても同様である。
Between the region indicated by positions P05 to P08 and the region indicated by positions P09 to P12, between the region indicated by positions P09 to P12 and the region indicated by positions P13 to P16, and the region indicated by positions P13 to P16 and position P01 The same applies to the region indicated by P04, and the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed. That is, the
<第8実施形態>
本実施形態では、隣り合う周方向位置部位(第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4)が線接触している点で第7実施形態と異なる。図14は、各層部位2U、2Lにおける第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置P01〜P12および位置P01の順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
<Eighth Embodiment>
This embodiment is different from the seventh embodiment in that adjacent circumferential position portions (first circumferential position portion 2B1 to fourth circumferential position portion 2B4) are in line contact. FIG. 14 is an explanatory diagram showing the arrangement of the
本実施形態では、第二コア部22は、第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4を有している。例えば、位置P01〜P04で示す領域は、第一周方向位置部位2B1であり、位置P05〜P06で示す領域は、第二周方向位置部位2B2である。また、位置P07〜P10で示す領域は、第三周方向位置部位2B3であり、位置P11〜P12で示す領域は、第四周方向位置部位2B4である。同図に示すように、第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
In the present embodiment, the
層部位2Uには、第一周方向位置部位2B1および第三周方向位置部位2B3が設けられ、層部位2Lには、第二周方向位置部位2B2および第四周方向位置部位2B4が設けられている。そして、層部位2Uの位置P01〜P04で示す領域と、層部位2Lの位置P05〜P06で示す領域とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。つまり、層部位2Uの第一周方向位置部位2B1と、層部位2Lの第二周方向位置部位2B2とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。
The
位置P05〜P06で示す領域と位置P07〜P10で示す領域との間、位置P07〜P10で示す領域と位置P11〜P12で示す領域との間、および、位置P11〜P12で示す領域と位置P01〜P04で示す領域との間においても同様であり、閉磁路CC1の主部がそれぞれ形成されている。つまり、本実施形態のリアクトル1は、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)視において、周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一周方向位置部位2B1〜第四周方向位置部位2B4を通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。よって、本実施形態のリアクトル1は、第6実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
Between the region indicated by positions P05 to P06 and the region indicated by positions P07 to P10, between the region indicated by positions P07 to P10 and the region indicated by positions P11 to P12, and the region indicated by positions P11 to P12 and position P01 The same applies to the region indicated by P04, and the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed. That is, the
また、同図に示すように、位置P01〜P04で示す領域(第一周方向位置部位2B1)と、位置P05〜P06で示す領域(第二周方向位置部位2B2)とは、線接触している。位置P05〜P06で示す領域(第二周方向位置部位2B2)と、位置P07〜P10で示す領域(第三周方向位置部位2B3)との間、位置P07〜P10で示す領域(第三周方向位置部位2B3)と、位置P11〜P12で示す領域(第四周方向位置部位2B4)との間、および、位置P11〜P12で示す領域(第四周方向位置部位2B4)と、位置P01〜P04で示す領域(第一周方向位置部位2B1)との間においても同様である。 Further, as shown in the figure, the region indicated by the positions P01 to P04 (first circumferential position portion 2B1) and the region indicated by the positions P05 to P06 (second circumferential position portion 2B2) are in line contact. Yes. A region (third circumferential direction) indicated by positions P07 to P10 between a region indicated by positions P05 to P06 (second circumferential position portion 2B2) and a region indicated by positions P07 to P10 (third circumferential position portion 2B3). Between the position part 2B3) and the region indicated by the positions P11 to P12 (fourth circumferential direction position part 2B4), and the region indicated by the positions P11 to P12 (fourth circumferential direction position part 2B4), and the positions P01 to P04. The same applies to the area indicated by (first circumferential position 2B1).
そのため、本実施形態のリアクトル1は、隣り合う周方向位置部位(例えば、第一周方向位置部位2B1と第二周方向位置部位2B2)が離間している場合と比べて、当該周方向位置部位を通らない磁束を低減することができる。なお、第6実施形態および第7実施形態のリアクトル1は、隣り合う周方向位置部位(例えば、第一周方向位置部位2B1と第二周方向位置部位2B2)が面接触している。当該周方向位置部位を通らない磁束を低減する観点からは、線接触の場合と比べて面接触が好ましい。
Therefore, the
<参考形態>
本参考形態では、第一周方向位置部位2B1〜第三周方向位置部位2B3間の接触面積が増加している点で第6実施形態と異なる。図15は、各層部位2U、2M、2Lにおける第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置P01(位置P01M、位置P01L)〜位置P12(位置P12M、位置P12U)および位置P01(位置P01M、位置P01L)の順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
< Reference form>
This reference embodiment is different from the sixth embodiment in that the contact area between the first circumferential position portion 2B1 to the third circumferential position portion 2B3 is increased. FIG. 15 is an explanatory diagram showing the arrangement of the
本参考形態では、第6実施形態と比べて、第一周方向位置部位2B1〜第三周方向位置部位2B3間の接触面積が増加している。そのため、層部位2U、2M、2L毎に、閉磁路CC1の主部を特定することが困難である。よって、図4で示した場合と同様に、軸AZ1方向(矢印Z1方向)の複数の第一周方向位置部位2B1〜第三周方向位置部位2B3を対にして取扱い、表記する。例えば、位置P01Lで示す領域と、位置P01Mで示す領域とを対にして取扱い、表記する。このことは、以降の実施形態においても同様である。
In this reference embodiment, as compared with the sixth embodiment, the contact area between the first circumferential location site 2B1~ third circumferential position sites 2B3 is increasing. Therefore, it is difficult to specify the main part of the closed magnetic circuit CC1 for each of the
本参考形態では、第二コア部22は、第一周方向位置部位2B1〜第三周方向位置部位2B3を有している。例えば、位置P01L〜P06Lで示す領域は、第一周方向位置部位2B1であり、位置P01M〜P12Mで示す領域は、第二周方向位置部位2B2である。また、位置P07U〜P12Uで示す領域は、第三周方向位置部位2B3である。同図に示すように、第一周方向位置部位2B1〜第三周方向位置部位2B3は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
In the present reference embodiment, the
層部位2Lには、第一周方向位置部位2B1が設けられ、層部位2Mには、第二周方向位置部位2B2が設けられ、層部位2Uには、第三周方向位置部位2B3が設けられている。そして、層部位2Lの位置P01L〜P06Lで示す領域と、層部位2Mの位置P01M〜P12Mで示す領域と、層部位2Uの位置P07U〜P12Uで示す領域との間で、閉磁路CC1の主部が形成されている。つまり、層部位2Lの第一周方向位置部位2B1と、層部位2Mの第二周方向位置部位2B2と、層部位2Uの第三周方向位置部位2B3との間で、閉磁路CC1の主部が形成されている。
The
よって、本参考形態のリアクトル1は、第6実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。また、本参考形態では、第6実施形態と比べて、第一周方向位置部位2B1〜第三周方向位置部位2B3間の接触面積が増加している。そのため、本参考形態のリアクトル1は、第二コア部22を通らない磁束を低減することができる。
Therefore, the
<第9実施形態>
本実施形態では、第一周方向位置部位2B1〜第八周方向位置部位2B8間において、面接触する部位と線接触する部位とを有している点で第6実施形態と異なる。図16は、各層部位2U、2M、2Lにおける第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置P01M〜位置P12(位置P12U、位置P12M、位置P12L)および位置P01Mの順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
< Ninth Embodiment>
This embodiment is different from the sixth embodiment in that it has a surface contact portion and a line contact portion between the first circumferential position portion 2B1 to the eighth circumferential position portion 2B8. FIG. 16 is an explanatory diagram showing the arrangement of the
本実施形態では、第二コア部22は、第一周方向位置部位2B1〜第八周方向位置部位2B8を有している。例えば、位置P02L〜P03Lおよび位置P02U〜P03Uで示す領域は、第一周方向位置部位2B1であり、位置P03M〜P04Mで示す領域は、第二周方向位置部位2B2である。位置P05U〜P06Uおよび位置P05L〜P06Lで示す領域は、第三周方向位置部位2B3であり、位置P06M〜P07Mで示す領域は、第四周方向位置部位2B4である。位置P08U〜P09Uおよび位置P08L〜P09Lで示す領域は、第五周方向位置部位2B5であり、位置P09M〜P10Mで示す領域は、第六周方向位置部位2B6である。位置P11L〜P12Lおよび位置P11U〜P12Uで示す領域は、第七周方向位置部位2B7であり、位置P12M〜P01Mで示す領域は、第八周方向位置部位2B8である。
In this embodiment, the
同図に示すように、第一周方向位置部位2B1〜第八周方向位置部位2B8は、周方向位置がそれぞれ異なっている。層部位2L、2Uには、第一周方向位置部位2B1、第三周方向位置部位2B3、第五周方向位置部位2B5および第七周方向位置部位2B7がそれぞれ設けられている。また、層部位2Mには、第二周方向位置部位2B2、第四周方向位置部位2B4、第六周方向位置部位2B6および第八周方向位置部位2B8が設けられている。
As shown in the figure, the circumferential positions of the first circumferential position portion 2B1 to the eighth circumferential position portion 2B8 are different. The
例えば、層部位2Lの位置P02L〜P03Lで示す領域(第一周方向位置部位2B1)と、層部位2Mの位置P03M〜P04Mで示す領域(第二周方向位置部位2B2)と、層部位2Uの位置P05U〜P06Uで示す領域(第三周方向位置部位2B3)と、層部位2Mの位置P06M〜P07Mで示す領域(第四周方向位置部位2B4)と、層部位2Uの位置P08U〜P09Uで示す領域(第五周方向位置部位2B5)と、層部位2Mの位置P09M〜P10Mで示す領域(第六周方向位置部位2B6)と、層部位2Lの位置P11L〜P12Lで示す領域(第七周方向位置部位2B7)と、層部位2Mの位置P12M〜P01Mで示す領域(第八周方向位置部位2B8)とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。
For example, the region indicated by the positions P02L to P03L of the
また、層部位2Uの位置P02U〜P03Uで示す領域(第一周方向位置部位2B1)と、層部位2Mの位置P03M〜P04Mで示す領域(第二周方向位置部位2B2)と、層部位2Lの位置P05L〜P06Lで示す領域(第三周方向位置部位2B3)と、層部位2Mの位置P06M〜P07Mで示す領域(第四周方向位置部位2B4)と、層部位2Lの位置P08L〜P09Lで示す領域(第五周方向位置部位2B5)と、層部位2Mの位置P09M〜P10Mで示す領域(第六周方向位置部位2B6)と、層部位2Uの位置P11U〜P12Uで示す領域(第七周方向位置部位2B7)と、層部位2Mの位置P12M〜P01Mで示す領域(第八周方向位置部位2B8)とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。
In addition, the region indicated by the positions P02U to P03U of the
よって、本実施形態のリアクトル1は、第6実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。また、層部位2Lの位置P02L〜P03Lで示す領域(第一周方向位置部位2B1)と、層部位2Uの位置P02U〜P03Uで示す領域(第一周方向位置部位2B1)とを通って、閉磁路CC1の主部を形成することができる。層部位2Lの位置P05L〜P06Lで示す領域(第三周方向位置部位2B3)と、層部位2Uの位置P05U〜P06Uで示す領域(第三周方向位置部位2B3)との間、層部位2Lの位置P08L〜P09Lで示す領域(第五周方向位置部位2B5)と、層部位2Uの位置P08U〜P09Uで示す領域(第五周方向位置部位2B5)との間、および、層部位2Lの位置P11L〜P12Lで示す領域(第七周方向位置部位2B7)と、層部位2Uの位置P11U〜P12Uで示す領域(第七周方向位置部位2B7)との間においても、同様に、閉磁路CC1の主部を形成することができる。
Therefore, the
また、位置P02L〜P03Lおよび位置P02U〜P03Uで示す第一周方向位置部位2B1と、位置P03M〜P04Mで示す第二周方向位置部位2B2とは、面接触している。位置P03M〜P04Mで示す第二周方向位置部位2B2と、位置P05L〜P06Lおよび位置P05U〜P06Uで示す第三周方向位置部位2B3とは、線接触している。以降、上記配置が繰り返されている。よって、本実施形態では、第一周方向位置部位2B1〜第八周方向位置部位2B8間において、面接触する部位と線接触する部位とを有している。 Further, the first circumferential position portion 2B1 indicated by the positions P02L to P03L and the positions P02U to P03U and the second circumferential position portion 2B2 indicated by the positions P03M to P04M are in surface contact. The second circumferential position portion 2B2 indicated by positions P03M to P04M and the third circumferential position portion 2B3 indicated by positions P05L to P06L and positions P05U to P06U are in line contact. Thereafter, the above arrangement is repeated. Therefore, in this embodiment, it has the site | part which carries out a surface contact, and the site | part which carries out line contact between 1st circumferential direction position site | part 2B1-8th circumferential direction position site | part 2B8.
<第10実施形態>
本実施形態では、コア2は、軸AZ1方向(矢印Z1方向)と垂直方向に2つに区分されている点で第9実施形態と異なる。図17は、各層部位2U、2Lにおける第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置P01L〜位置P12(位置P12U、位置P12L)および位置P01Lの順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
< Tenth Embodiment>
In the present embodiment, the
本実施形態では、第二コア部22は、第一周方向位置部位2B1〜第八周方向位置部位2B8を有している。例えば、位置P02U〜P03Uで示す領域は、第一周方向位置部位2B1であり、位置P03L〜P04Lで示す領域は、第二周方向位置部位2B2である。位置P05U〜P06Uで示す領域は、第三周方向位置部位2B3であり、位置P06L〜P07Lで示す領域は、第四周方向位置部位2B4である。位置P08U〜P09Uで示す領域は、第五周方向位置部位2B5であり、位置P09L〜P10Lで示す領域は、第六周方向位置部位2B6である。位置P11U〜P12Uで示す領域は、第七周方向位置部位2B7であり、位置P12L〜P01Lで示す領域は、第八周方向位置部位2B8である。
In this embodiment, the
同図に示すように、第一周方向位置部位2B1〜第八周方向位置部位2B8は、周方向位置がそれぞれ異なっている。層部位2Uには、第一周方向位置部位2B1、第三周方向位置部位2B3、第五周方向位置部位2B5および第七周方向位置部位2B7が設けられている。また、層部位2Lには、第二周方向位置部位2B2、第四周方向位置部位2B4、第六周方向位置部位2B6および第八周方向位置部位2B8が設けられている。
As shown in the figure, the circumferential positions of the first circumferential position portion 2B1 to the eighth circumferential position portion 2B8 are different. The
例えば、層部位2Uの位置P02U〜P03Uで示す領域(第一周方向位置部位2B1)と、層部位2Lの位置P03L〜P04Lで示す領域(第二周方向位置部位2B2)と、層部位2Uの位置P05U〜P06Uで示す領域(第三周方向位置部位2B3)と、層部位2Lの位置P06L〜P07Lで示す領域(第四周方向位置部位2B4)と、層部位2Uの位置P08U〜P09Uで示す領域(第五周方向位置部位2B5)と、層部位2Lの位置P09L〜P10Lで示す領域(第六周方向位置部位2B6)と、層部位2Uの位置P11U〜P12Uで示す領域(第七周方向位置部位2B7)と、層部位2Lの位置P12L〜P01Lで示す領域(第八周方向位置部位2B8)とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。よって、本実施形態のリアクトル1は、第6実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
For example, the region indicated by the positions P02U to P03U of the
また、位置P02U〜P03Uで示す領域(第一周方向位置部位2B1)と、位置P03L〜P04Lで示す領域(第二周方向位置部位2B2)とは、面接触している。位置P03L〜P04Lで示す領域(第二周方向位置部位2B2)と、位置P05U〜P06Uで示す領域(第三周方向位置部位2B3)とは、線接触している。以降、上記配置が繰り返されている。よって、本実施形態では、第一周方向位置部位2B1〜第八周方向位置部位2B8間において、面接触する部位と線接触する部位とを有している。 Moreover, the area | region (1st circumferential direction position site | part 2B1) shown by position P02U-P03U and the area | region (2nd circumferential direction position site | part 2B2) shown by position P03L-P04L are surface-contacting. The area indicated by the positions P03L to P04L (second circumferential position part 2B2) and the area indicated by the positions P05U to P06U (third circumferential position part 2B3) are in line contact. Thereafter, the above arrangement is repeated. Therefore, in this embodiment, it has the site | part which carries out a surface contact, and the site | part which carries out line contact between 1st circumferential direction position site | part 2B1-8th circumferential direction position site | part 2B8.
<第11実施形態>
本実施形態では、第一周方向位置部位2B1〜第六周方向位置部位2B6が、それぞれ離間して配置されている点で第6実施形態と異なる。図18は、各層部位2U、2M、2Lにおける第一コア部21および第二コア部22の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置P01M〜位置P11(位置P11U、位置P11L)および位置P01Mの順に、閉磁路CC1の主部が形成される。
< Eleventh embodiment>
The present embodiment is different from the sixth embodiment in that the first circumferential position portion 2B1 to the sixth circumferential position portion 2B6 are spaced apart from each other. FIG. 18 is an explanatory diagram showing the arrangement of the
本実施形態では、第二コア部22は、第一周方向位置部位2B1〜第六周方向位置部位2B6を有している。例えば、位置P01Mで示す領域は、第一周方向位置部位2B1であり、位置P03L、P03Uで示す領域は、第二周方向位置部位2B2である。位置P05Mで示す領域は、第三周方向位置部位2B3であり、位置P07L、P07Uで示す領域は、第四周方向位置部位2B4である。位置P09Mで示す領域は、第五周方向位置部位2B5であり、位置P11L、P11Uで示す領域は、第六周方向位置部位2B6である。
In the present embodiment, the
同図に示すように、第一周方向位置部位2B1〜第六周方向位置部位2B6は、周方向位置がそれぞれ異なっている。層部位2L、2Uには、第二周方向位置部位2B2、第四周方向位置部位2B4および第六周方向位置部位2B6がそれぞれ設けられている。また、層部位2Mには、第一周方向位置部位2B1、第三周方向位置部位2B3および第五周方向位置部位2B5が設けられている。
As shown in the figure, the first circumferential direction position part 2B1 to the sixth circumferential direction position part 2B6 have different circumferential positions. The
例えば、層部位2Mの位置P01Mで示す領域(第一周方向位置部位2B1)と、層部位2Lの位置P03Lで示す領域(第二周方向位置部位2B2)と、層部位2Mの位置P05Mで示す領域(第三周方向位置部位2B3)と、層部位2Uの位置P07Uで示す領域(第四周方向位置部位2B4)と、層部位2Mの位置P09Mで示す領域(第五周方向位置部位2B5)と、層部位2Lの位置P11Lで示す領域(第六周方向位置部位2B6)とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。
For example, an area indicated by the position P01M of the
また、層部位2Mの位置P01M(第一周方向位置部位2B1)で示す領域と、層部位2Uの位置P03Uで示す領域(第二周方向位置部位2B2)と、層部位2Mの位置P05Mで示す領域(第三周方向位置部位2B3)と、層部位2Lの位置P07Lで示す領域(第四周方向位置部位2B4)と、層部位2Mの位置P09Mで示す領域(第五周方向位置部位2B5)と、層部位2Uの位置P11Uで示す領域(第六周方向位置部位2B6)とを通って、閉磁路CC1の主部が形成されている。
In addition, the region indicated by the position P01M (first circumferential position portion 2B1) of the
よって、本実施形態のリアクトル1は、第6実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。また、層部位2Lの位置P03Lで示す領域(第二周方向位置部位2B2)と、層部位2Uの位置P03Uで示す領域(第二周方向位置部位2B2)とを通って、閉磁路CC1の主部を形成することもできる。層部位2Lの位置P07Lで示す領域(第四周方向位置部位2B4)と、層部位2Uの位置P07Uで示す領域(第四周方向位置部位2B4)との間、および、層部位2Lの位置P11Lで示す領域(第六周方向位置部位2B6)と、層部位2Uの位置P11Uで示す領域(第六周方向位置部位2B6)との間においても、同様に、閉磁路CC1の主部を形成することができる。
Therefore, the
また、同図に示すように、第一周方向位置部位2B1、第三周方向位置部位2B3および第五周方向位置部位2B5は、周方向に120°間隔で配置されている。第二周方向位置部位2B2、第四周方向位置部位2B4および第六周方向位置部位2B6は、周方向に120°間隔で配置されている。このように、第一周方向位置部位2B1〜第六周方向位置部位2B6が、それぞれ離間して配置されている場合であっても、第一周方向位置部位2B1〜第六周方向位置部位2B6の配置を工夫することにより、コア2の軸AZ1方向(矢印Z1方向)に磁路を形成することができ、磁路長を増大することができる。
Further, as shown in the figure, the first circumferential position portion 2B1, the third circumferential position portion 2B3, and the fifth circumferential position portion 2B5 are arranged at 120 ° intervals in the circumferential direction. The second circumferential position part 2B2, the fourth circumferential position part 2B4, and the sixth circumferential position part 2B6 are arranged at 120 ° intervals in the circumferential direction. As described above, even when the first circumferential position portion 2B1 to the sixth circumferential position portion 2B6 are spaced apart from each other, the first circumferential position portion 2B1 to the sixth circumferential position portion 2B6. By devising the arrangement, a magnetic path can be formed in the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction) of the
<その他>
本発明は上記し且つ図面に示した実施形態のみに限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施することができる。
<Others>
The present invention is not limited to the embodiment described above and shown in the drawings, and can be implemented with appropriate modifications within a range not departing from the gist.
1:リアクトル、
2:コア、21:第一コア部、22:第二コア部、
2U,2M,2L:層部位、
2A1:第一位置部位、2A2:第二位置部位、
2B1〜2B8:第一周方向位置部位〜第八周方向位置部位、
3:コイル、
CC1:閉磁路、
AZ1:コア2の軸。
1: Reactor,
2: Core, 21: First core part, 22: Second core part,
2U, 2M, 2L: layer part,
2A1: first position site, 2A2: second position site,
2B1-2B8: first circumferential direction position site to eighth circumferential direction position site,
3: Coil,
CC1: closed magnetic circuit,
AZ1:
Claims (9)
前記コアに巻き回されるコイルと、
を備えるリアクトルであって、
前記コアは、軸方向視において軸からの距離が同じ領域に、周方向に離間する複数の前記第二コア部が設けられる第二コア部離間領域を含み、
前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において前記軸からの距離がそれぞれ異なる複数の位置部位を有し、前記第二コア部離間領域の複数の前記位置部位を含む前記軸からの距離がそれぞれ異なる互いに隣り合う複数の前記位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されているリアクトル。 A first core portion having a first magnetic permeability and a second core portion having a second magnetic permeability greater than the first magnetic permeability, and a closed magnetic path by the first core portion and the second core portion A core formed with,
A coil wound around the core;
A reactor comprising:
The core includes a second core portion separation region in which a plurality of the second core portions separated in the circumferential direction are provided in a region having the same distance from the axis when viewed in the axial direction,
The second core portion has a plurality of position portions each having a different distance from the axis in the axial view of the core, and the distance from the shaft including the plurality of position portions of the second core portion separation region. There reactor are formed main portion of the closed magnetic path through a plurality of said position portion adjacent that different respectively.
隣接する前記層部位には、前記軸からの距離が異なる前記位置部位がそれぞれ設けられている請求項1に記載のリアクトル。 The core has a plurality of layer portions divided in a direction perpendicular to the axial direction,
The reactor according to claim 1, wherein the adjacent site portions are provided with the position portions having different distances from the axis.
前記閉磁路は、前記第一コア部に形成される第一閉磁路と、前記第二コア部に形成され前記閉磁路の主部となる第二閉磁路と、を有し、
前記第一閉磁路は、隣接する前記層部位に設けられる前記第一コア部の互いに隣り合う前記位置部位を通るように形成され、前記第二閉磁路は、隣接する前記層部位に設けられる前記第二コア部の互いに隣り合う前記位置部位を通るように形成されている請求項2に記載のリアクトル。 The first core portion has a plurality of position portions each having a different distance from the axis in the axial view of the core,
The closed magnetic circuit has a first closed magnetic circuit formed in the first core part, and a second closed magnetic circuit formed in the second core part and serving as a main part of the closed magnetic circuit,
The first closed magnetic circuit is formed so as to pass through the adjacent position parts of the first core portion provided in the adjacent layer part, and the second closed magnetic circuit is provided in the adjacent layer part. The reactor according to claim 2 , wherein the reactor is formed so as to pass through the adjacent position parts of the second core part .
前記コアに巻き回されるコイルと、
を備えるリアクトルであって、
前記コアは、前記コアの軸方向と垂直方向に区分された複数の層部位を有し、
前記複数の層部位のうちの少なくとも一つは、周方向に離間する複数の前記第二コア部が設けられる第二コア部離間領域を含み、
前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において周方向位置がそれぞれ異なる複数の周方向位置部位を有し、
隣接する前記層部位には、前記周方向位置が異なる前記周方向位置部位がそれぞれ設けられ、前記第二コア部離間領域の複数の前記周方向位置部位を含む前記周方向位置がそれぞれ異なる互いに隣り合う複数の前記周方向位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されているリアクトル。 A first core portion having a first magnetic permeability and a second core portion having a second magnetic permeability greater than the first magnetic permeability, and a closed magnetic path by the first core portion and the second core portion A core formed with,
A coil wound around the core;
A reactor comprising:
The core has a plurality of layer portions divided in a direction perpendicular to the axial direction of the core,
At least one of the plurality of layer portions includes a second core portion separation region in which a plurality of the second core portions separated in the circumferential direction are provided,
The second core portion has a plurality of circumferential position portions each having different circumferential positions in the axial view of the core,
The adjacent layer portions are provided with the circumferential position portions having different circumferential positions, and the circumferential positions including the plurality of circumferential position portions of the second core portion separation region are adjacent to each other. A reactor in which a main part of the closed magnetic path is formed through a plurality of matching circumferential position portions .
前記閉磁路は、前記第一コア部に形成される第一閉磁路と、前記第二コア部に形成され前記閉磁路の主部となる第二閉磁路と、を有し、
前記第一閉磁路は、隣接する前記層部位に設けられる前記第一コア部の互いに隣り合う前記周方向位置部位を通るように形成され、前記第二閉磁路は、隣接する前記層部位に設けられる前記第二コア部の互いに隣り合う前記周方向位置部位を通るように形成されている請求項5に記載のリアクトル。 The first core portion has a plurality of circumferential position portions having different circumferential positions in the axial view of the core,
The closed magnetic circuit has a first closed magnetic circuit formed in the first core part, and a second closed magnetic circuit formed in the second core part and serving as a main part of the closed magnetic circuit,
The first closed magnetic path is formed so as to pass through the circumferential position portions adjacent to each other of the first core portion provided in the adjacent layer portion, and the second closed magnetic path is provided in the adjacent layer portion. The reactor according to claim 5 , wherein the reactor is formed so as to pass through the circumferential position portions adjacent to each other of the second core portion .
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