JP6320676B2 - Semiconductor optical modulator and optical communication module - Google Patents
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Description
本発明は、半導体光変調器及び光通信モジュールに関する。 The present invention relates to a semiconductor optical modulator and an optical communication module.
半導体光素子に設けられる電極の歪みが大きくなると、特性の悪化を引き起こすことが知られている。そこで、例えば下記の特許文献１に記載されているように、電極層とボンディングメタル層との間にバリアメタル層を挿入することにより、ボンディングメタル層をはんだ付けした際に、ボンディングメタル層で発生する応力が、電極層に及ぼす影響を抑制する技術が提案されている。この特許文献１で開示している電極層／バリアメタル層／ボンディングメタル層の３層構造は、半田材料が電極層を構成する材料との間で化合物が生成されないよう、ボンディングメタル層と電極層の間にバリア層を設けるというものである。
It is known that when the distortion of the electrode provided in the semiconductor optical device is increased, the characteristics are deteriorated. Therefore, for example, as described in
一方で、光通信ネットワークの大容量化に伴い、光通信モジュールの伝送速度の高速化が必要となっている。光通信モジュールの伝送速度を高速化するためには、光信号を変調する半導体光変調器の寄生容量の低減が必須であり、寄生容量を低減させるためには半導体光変調器の電極面積を小さくすることが有効である。 On the other hand, with the increase in capacity of optical communication networks, it is necessary to increase the transmission speed of optical communication modules. In order to increase the transmission speed of the optical communication module, it is essential to reduce the parasitic capacitance of the semiconductor optical modulator that modulates the optical signal. To reduce the parasitic capacitance, the electrode area of the semiconductor optical modulator must be reduced. It is effective to do.
ここで、半導体光変調器が光信号を変調するための高周波電気信号は、高周波電気信号の伝送線路からボンディングワイヤを介して、半導体光変調器に設けられたボンディングパッド電極（以下では、パッド電極と呼ぶ）に伝送される。上述したように、半導体光変調器の寄生容量を小さくするという観点では、半導体光変調器のパッド電極を小さくすることが望ましいものの、パッド電極を小さくすると、パッド電極の端部に対して、ボンディングワイヤの応力が及ぼす影響が大きくなるため、従来技術のように単に電極層を３層構造にしただけでは、パッド電極の剥がれや割れの発生を十分に抑制できないおそれがあった。 Here, a high-frequency electrical signal for the semiconductor optical modulator to modulate an optical signal is a bonding pad electrode (hereinafter referred to as a pad electrode) provided in the semiconductor optical modulator via a bonding wire from the transmission line of the high-frequency electrical signal. Called). As described above, from the viewpoint of reducing the parasitic capacitance of the semiconductor optical modulator, it is desirable to reduce the pad electrode of the semiconductor optical modulator. However, if the pad electrode is reduced, bonding to the end of the pad electrode is performed. Since the influence of the stress of the wire becomes large, there is a possibility that the occurrence of peeling or cracking of the pad electrode cannot be sufficiently suppressed by simply forming the electrode layer in a three-layer structure as in the prior art.
本発明は上記の課題に鑑みて為されたものであり、その目的は、半導体光変調器を駆動するための高周波電気信号を伝送する線路と接続するボンディングパッド電極の電極剥がれ、電極割れの発生を抑制することができる半導体光変調器及び光通信モジュールを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to generate electrode peeling and electrode cracking of a bonding pad electrode connected to a line for transmitting a high-frequency electric signal for driving a semiconductor optical modulator. An object of the present invention is to provide a semiconductor optical modulator and an optical communication module that can suppress the above.
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体光変調器は、電気信号に従ってレーザー光を変調する半導体光変調器であって、前記半導体光変調器の少なくとも一部の埋込層と活性層の上方に設けられた、前記電気信号が伝送される電極を備え、前記電極のうち、前記電気信号を伝送するワイヤと接続されるパッド電極部の周縁部の少なくとも一部に段差構造を設けたことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a semiconductor optical modulator according to the present invention is a semiconductor optical modulator that modulates laser light in accordance with an electrical signal, and includes at least part of a buried layer and an active layer of the semiconductor optical modulator. A step structure is provided on at least a part of a peripheral portion of a pad electrode portion connected to a wire for transmitting the electrical signal. It is characterized by that.
また、本発明の一態様では、前記電極は、前記埋込層と活性層に近い順に、接着層、拡散防止層、通電層を積層して構成され、前記パッド電極部の通電層の外側に、前記パッド電極部の拡散防止層と接着層とがはみ出すように前記段差構造を設けたこととしてもよい。 In one embodiment of the present invention, the electrode is formed by laminating an adhesive layer, a diffusion prevention layer, and a current-carrying layer in the order closer to the buried layer and the active layer, The step structure may be provided so that the diffusion preventing layer and the adhesive layer of the pad electrode portion protrude.
また、本発明の一態様では、前記半導体光変調器は、前記埋込層の上に設けられた絶縁層を備え、前記パッド電極部は、前記絶縁層の上に設けられ、前記電極のうち、前記活性層の上方に設けられたメサストライプ電極部と、前記パッド電極部と前記メサストライプ電極部とを接続する引き出し電極部と、には前記段差構造を設けないこととしてもよい。 In one aspect of the present invention, the semiconductor optical modulator includes an insulating layer provided on the buried layer, and the pad electrode portion is provided on the insulating layer. The step structure may not be provided in the mesa stripe electrode portion provided above the active layer and the lead electrode portion connecting the pad electrode portion and the mesa stripe electrode portion.
また、本発明の一態様では、前記半導体光変調器において、前記パッド電極部のうち、前記引き出し電極部との接続側とは反対の周縁部に前記段差構造を設けたこととしてもよい。 In one embodiment of the present invention, in the semiconductor optical modulator, the step structure may be provided in a peripheral portion of the pad electrode portion opposite to the connection side with the extraction electrode portion.
また、本発明の一態様では、前記半導体光変調器において、前記パッド電極部のうち、前記絶縁層の端部であって前記引き出し電極の下方にある端部から所定範囲にある領域以外に前記段差構造を設けたこととしてもよい。 In one embodiment of the present invention, in the semiconductor optical modulator, the pad electrode portion other than a region within a predetermined range from an end portion of the insulating layer and below an extraction electrode. A step structure may be provided.
また、本発明の一態様では、前記所定範囲は、５〜１０μｍ以内であることとしてもよい。 In one embodiment of the present invention, the predetermined range may be within 5 to 10 μm.
また、本発明の一態様では、前記接着層は、チタンを含み形成される層であり、前記拡散防止層は、白金を含み形成される層であり、前記通電層は、金を含み形成される層であることとしてもよい。 In one embodiment of the present invention, the adhesive layer is a layer that includes titanium, the diffusion prevention layer is a layer that includes platinum, and the conductive layer includes gold. It may be a layer.
また、本発明の一態様では、前記パッド電極部の面積が、１５００〜２２００μｍ２であることとしてもよい。 In one embodiment of the present invention, the pad electrode portion may have an area of 1500 to 2200 μm 2 .
本発明に係る光通信モジュールは、レーザー光を発光する光共振器と、前記光共振器から発光されたレーザー光を、電気信号に従って変調する半導体光変調器と、を備え、前記半導体光変調器は、前記半導体光変調器の少なくとも一部の埋込層と活性層の上方に設けられた、前記電気信号が伝送される電極を備え、前記電極のうち、前記電気信号を伝送するワイヤと接続されるパッド電極部の周縁部の少なくとも一部に段差構造を設けたことを特徴とする。 An optical communication module according to the present invention includes: an optical resonator that emits laser light; and a semiconductor optical modulator that modulates laser light emitted from the optical resonator according to an electrical signal, the semiconductor optical modulator Comprises an electrode for transmitting the electrical signal provided above at least a part of the buried layer and the active layer of the semiconductor optical modulator, and is connected to a wire for transmitting the electrical signal among the electrodes A step structure is provided on at least a part of the peripheral edge of the pad electrode portion.
本発明によれば、電気信号を伝送するワイヤと接続されるパッド電極を構成する層の周縁部に形成された段差により応力集中する位置を分散させることで、電極の剥がれや割れの発生を抑制することができる。 According to the present invention, the occurrence of electrode peeling and cracking is suppressed by dispersing the stress concentration positions by the steps formed at the peripheral edge of the layer constituting the pad electrode connected to the wire transmitting the electric signal. can do.
以下、本発明の実施の形態（以下、実施形態）について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described with reference to the drawings.
図１は、本発明の実施形態に係る半導体光変調器１の平面図である。図１における符号１は半導体光変調器、３００は半導体光変調器の電極、２は電極３００においてメサストライプ電極として機能するメサストライプ電極部、３は高周波線路、４はサブマウント、８はボンディングワイヤ、１０はパッシベーション層である絶縁層、１１は電極３００においてボンディングパッド電極として機能するボンディングパッド電極部、２１２は電極３００を構成する拡散防止層、１３はボンディングパッド電極部１１とメサストライプ電極部２を接続する引き出し電極部、８Ａはボンディングパッド電極部１１とボンディングワイヤ８との接続部、８Ｂは高周波線路３とボンディングワイヤ８との接続部である。なお、例えば絶縁層１０はＳｉＯ２、接続部８Ａ，８Ｂは半田により形成されることとしてよい。また、本実施形態でボンディングパッド電極部１１、引き出し電極部１３、メサストライプ電極部２はそれぞれ電極３００の一領域でありその組成は同一としてよい。なお、本実施形態では、ボンディングパッド電極部１１は絶縁層１０の上部に形成された部位とするがこれに限られるものではなく、少なくともボンディングワイヤ８との接続部８Ａが形成される部位であればよい。
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor
半導体光変調器１は、一方の端面から入射された光を、メサストライプ電極部２の下の光導波路部にて変調し、もう一方の端面から変調された光信号として出射する。なお、光変調に用いられる高周波電気信号（電圧信号）は、高周波線路３から、接続部８Ｂ、ボンディングワイヤ８、接続部８Ａを介してボンディングパッド電極部１１に伝送され、さらに、引き出し電極部１３を経由して、メサストライプ電極部２へと伝送される。
The semiconductor
以下、電極３００、特にボンディングパッド電極部１１の構成の詳細について、図２及び図３を参照しながら説明する。
Hereinafter, details of the configuration of the
図２は、本実施形態に係る半導体光変調器１に係る平面図（ａ）と断面図（ｂ）を示した。断面図（ｂ）は、平面図（ａ）のＡ−Ａにおける断面図である。そして、図２（ｂ）における符号２０６は埋込層、２０７は半導体基板、２０８は活性層、２０９はメサストライプ、２１１は通電層、２１２は拡散防止層、２１４は接着層を示している。なお、図２において図１と同じ符号については同じ部位を示している。
FIG. 2 shows a plan view (a) and a sectional view (b) of the semiconductor
図２（ｂ）に示されるように、ボンディングパッド電極部１１、引き出し電極部１３、メサストライプ電極部２はそれぞれ通電層２１１、拡散防止層２１２、接着層２１４の３層構造である。すなわち、半導体光変調器１では、埋込層２０６の上に絶縁層１０が形成され、絶縁層１０及びメサストライプ２０９の上に接着層２１４が形成され、接着層２１４の上に拡散防止層２１２が形成され、さらに拡散防止層２１２の上に通電層２１１が形成されている。なお、通電層２１１はＡｕ（金）、拡散防止層２１２はＰｔ（白金）、接着層２１４はＴｉ（チタン）から構成される層としてよい。
As shown in FIG. 2B, the bonding
次に、ボンディングパッド電極部１１の構成の詳細について説明する。
Next, details of the configuration of the bonding
まず、図２（ｂ）に示されるように、ボンディングパッド電極部１１は、静電容量を低減するため、ＳｉＯ２等の絶縁層１０の上に配置されている。
First, as shown in FIG. 2B, the bonding
ここで、通電層２１１（Ａｕ層）は、絶縁層１０（ＳｉＯ２層）と比較して、熱膨張係数が大きいため、熱変動により、その境界部に応力が集中しやすい。これは、高周波信号を伝送する上での特性を向上させるために、ボンディングパッド電極部１１を小さくした場合には、ボンディングパッド電極部１１の端部と、接続部８Ａとの距離も小さくなるため、よりボンディングパッド電極部１１に電極剥がれや電極割れが生じやすくなる。
Here, since the current-carrying layer 211 (Au layer) has a larger thermal expansion coefficient than the insulating layer 10 (
そこで、本実施形態では、図２（ｂ）に示されるように、ボンディングパッド電極部１１の拡散防止層２１２及び接着層２１４が、少なくともメサストライプ電極部２の反対側においてボンディングパッド電極部１１の通電層１１からはみ出す（オフセットする）ようにして、ボンディングパッド電極部１１の外周の少なくとも一部に段差構造を形成している。なお、図２（ａ）に示されるように、ボンディングパッド電極部１１の段差構造は、ボンディングパッド電極部１１の外周のうち、引き出し電極部１３に対して反対側の端部から、引き出し電極部１３との接続部分から所定の距離内に位置する以外の領域に形成されることとしてよい。このように、ボンディングパッド電極部１１の段差構造を引き出し電極部１３の近傍には形成しないのは、引き出し電極部１３の強度を確保するためである。すなわち、引き出し電極部１３はボンディングパッド電極部１１に対して細く、さらに図２（ｂ）で示されるように、絶縁層１０の分だけボンディングパッド電極部１１がメサストライプ電極部２より高くなっていることで、引き出し電極部１３は傾斜して薄くなり易く、ボンディングパッド電極部１１の段差部を引き出し電極部１３に達するまで形成した場合には、電極の剥がれや割れが生じる可能性が増すためである。
Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 2B, the
次に、本実施形態に係る半導体光変調器１のサイズの例について図３を参照しながら説明する。図３は、半導体光変調器１のサイズ例を説明するための図である。
Next, an example of the size of the semiconductor
以下、図３に示される符号ａ〜ｉの数値の例を示す。例えば、ａ＝２００μｍ、ｂ＝１００μｍ、ｃ＝８０μｍ、ｄ＝８０μｍ、ｅ＝１０μｍ、ｆ＝５２μｍ、ｇ＝４４μｍ、ｈ＝３μｍ、ｉ＝１０μｍ、ｊ＝１０μｍとしてよい。 Hereafter, the example of the numerical value of the code | symbol ai shown in FIG. 3 is shown. For example, a = 200 μm, b = 100 μm, c = 80 μm, d = 80 μm, e = 10 μm, f = 52 μm, g = 44 μm, h = 3 μm, i = 10 μm, j = 10 μm.
すなわち、半導体光変調器１のメサストライプ電極部２に並行な方向の長さは１００μｍで、垂直な方向の長さは２００μｍとし、絶縁層１０は一辺が８０μｍの正方形とする。そして、絶縁層１０の上に配置されるボンディングパッド電極部１１の通電層は、長径を５２μｍ、短径を４４μｍとした楕円形としてよい。このとき、ボンディングパッド電極部１１の通電層の面積は約１，８００μｍ２となる。また、ボンディングパッド電極部１１の通電層の下の拡散防止層（Ｐｔ層）２１２も楕円形としてよく、全周において３μｍだけ、ボンディングパッド電極部１１の通電層より大きく形成する。なお、ボンディングパッド電極部１１の接着層は拡散防止層と同じ大きさとしてよい。これにより、ボンディングパッド電極部１１の外周には段差が設けられることとなるが、ボンディングパッド電極部１１のうち、絶縁層１０のメサストライプ電極部２側の端部から１０μｍ（５〜１０μｍとしてもよい）までは段差構造を設けないこととする。そして、メサストライプ電極部２と引き出し電極部１３のそれぞれの幅は１０μｍとする。もちろん、上記の数値は一例であり、本発明に係る半導体光変調器１は上記の数値に限定されるものではない。
That is, the length in the direction parallel to the mesa
以上の半導体光変調器１の電極構造によれば、ボンディングワイヤ８が接続されるボンディングパッド電極部１１の通電層の端部から絶縁層１０に至る部分に段差を設けたことで、通電層と拡散防止層、接着層と絶縁層との少なくとも二箇所に応力集中が生じやすい箇所が分散するため、段差を設けない場合に比べてボンディングパッド電極部１１の電極剥がれや電極割れが生じにくくなる。
According to the electrode structure of the semiconductor
以下では、ボンディングパッド電極部１１の段差構造を作製する方法について説明する。
Below, the method to produce the level | step difference structure of the bonding
まず、ウェハ全面に接着層（Ｔｉ層）２１４、拡散防止層（Ｐｔ層）２１２、通電層（Ａｕ層）２１１を順に蒸着成膜した後、ボンディングパッド電極部１１の電極領域を残すようドライエッチングを施し、電極領域を成形する。次に、フォトレジストを利用して、ボンディングパッド電極部１１の電極の周縁部であって段差の形成領域についてのみウェットエッチングを施す。これにより、ボンディングパッド電極部１１の通電層（Ａｕ層）２１１のみを削ることが可能となり、ボンディングパッド電極部１１の周縁部に段差構造を設けることができる。このように、段差構造を設けることで、ボンディングパッド電極部１１において応力の集中する各層の位置（縁）をずらすことが可能となるため、電極剥がれや電極割れのリスクを下げることができる。
First, an adhesion layer (Ti layer) 214, a diffusion prevention layer (Pt layer) 212, and a current-carrying layer (Au layer) 211 are sequentially deposited on the entire surface of the wafer, and then dry etching is performed so as to leave the electrode region of the bonding
図４は、本発明の実施形態に係る半導体光変調器１を有する半導体光モジュール１００の一例を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing an example of a semiconductor
図４における１００は半導体光モジュール（光通信モジュール）、１００Ａは共振器部、１０２はメサストライプ、５はコンデンサ、７は終端抵抗、６ボンディングワイヤ、９は共振器部電極である。なお、図４において図１と同じ符号については同じ部位を示している。このように、本実施形態に係る半導体光変調器１は、半導体光モジュール１００に内蔵することとしてよい。
4, 100 is a semiconductor optical module (optical communication module), 100A is a resonator unit, 102 is a mesa stripe, 5 is a capacitor, 7 is a terminating resistor, 6 bonding wires, and 9 is a resonator unit electrode. In FIG. 4, the same reference numerals as those in FIG. As described above, the semiconductor
次に、ボンディングパッド電極部１１の好適なサイズの範囲について図５を参照しながら説明する。
Next, a preferred size range of the bonding
図５は、ボンディングパッド電極１１の面積（パッド電極面積）とｆ３ｄＢ（遮断周波数）および、ボンディングパッド電極１１の非剥離確率の関係例を示した図である。図５において、横軸はパッド電極面積を示し、左側の縦軸はｆ３ｄＢを示し、右側の縦軸は非剥離確率を示している。
FIG. 5 is a diagram showing an example of the relationship between the area (pad electrode area) and f3 dB (cutoff frequency) of the
例えば、ボンディングパッド電極１１のサイズの条件として、ボンディングパッド電極１１の非剥離確率が１００％（又は所定確率（９９％等）以上）であり、かつ高周波特性を担保するために、そのｆ３ｄＢが２０ＧＨｚ以上となることとしてよい。図５において、上記条件を満たすパッド電極面積を求めると、半導体光変調器１のボンディングパッド電極１１の面積は、１５００〜２２００μｍ２であることが好適となる。
For example, as a condition for the size of the
以上の通り、半導体光変調器１の電極はボンディングパッド電極部１１、引き出し電極部１３、および、メサストライプ電極部２の三領域から構成されるが、このうちボンディングパッド電極部１１の周縁部のみに、接着層及び拡散防止層と、通電層との段差構造を設けることで、電極剥がれや電極割れのリスクを低減することができる。なお、ここでの段差構造には、その一部がテーパーとなっているものも含むこととする。また、上記実施形態では接着層及び拡散防止層と、通電層との段差構造を設ける例について説明したが、接着層、拡散防止層、通電層のそれぞれの間に段差構造を設けてもよい。
As described above, the electrode of the semiconductor
なお、引き出し電極部１３、メサストライプ電極部２に段差構造を設けないのは、引き出し電極部１３、メサストライプ電極部２に段差構造を設けると、電極層面積が低下して電極抵抗が大きくなり、さらに、放熱性が低下することで、性能が悪化するためである。
Note that the step electrode structure is not provided in the
以上の通り、本発明によれば、高周波の電気信号に従ってレーザー光を変調する半導体光変調器１においては、その変調特性の指標であるｆ３ｄＢを向上させるために、半導体光変調器１の静電容量を下げる目的で電極の面積を小さくした場合でも、電極割れや電極剥がれのリスクを抑えることができる。
As described above, according to the present invention, in the semiconductor
もちろん、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、この分野の通常の知識を有する当業者によって多様な変更、変形又は置換が可能であることはいうまでもない。 Of course, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various changes, modifications, and substitutions can be made by those skilled in the art having ordinary knowledge in this field.
１ 半導体光変調器、２ メサストライプ電極部、３ 高周波線路、４ サブマウント、８ ボンディングワイヤ、１０ 絶縁層、１１ ボンディングパッド電極部、１３ 引き出し電極部、８Ａ 接続部、８Ｂ 接続部、２０６ 埋込層、２０７ 半導体基板、２０８ 活性層、２０９ メサストライプ、２１１ 通電層、２１２ 拡散防止層、２１４ 接着層、３００ 電極、１００ 半導体光モジュール（光通信モジュール）、１００Ａ 共振器部、１０２ メサストライプ、５ コンデンサ、７ 終端抵抗、６ ボンディングワイヤ、９ 共振器部電極。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記半導体光変調器の少なくとも一部の絶縁層と活性層の上方に設けられた、前記電気信号が伝送される電極を備え、
前記電極は、前記絶縁層と前記活性層に近い順に、接着層、拡散防止層、通電層を積層して構成され、
前記電極のうち、前記電気信号を伝送するワイヤと接続されるとともに前記絶縁層の上に設けられたパッド電極部の周縁部の少なくとも一部に、前記通電層の外側に、前記拡散防止層と前記接着層とがはみ出すように段差構造を設け、
前記電極のうち、前記活性層の上方に設けられたメサストライプ電極部と、前記パッド電極部と前記メサストライプ電極部とを接続する引き出し電極部と、には前記段差構造を設けず、
前記パッド電極部のうち、前記引き出し電極部との接続側とは反対の周縁部に前記段差構造を設けた
ことを特徴とする半導体光変調器。 A semiconductor optical modulator that modulates laser light in accordance with an electrical signal,
An electrode that is provided above at least a portion of the insulating layer and the active layer of the semiconductor optical modulator and that transmits the electrical signal;
The electrode is configured by laminating an adhesive layer, a diffusion prevention layer, and a current-carrying layer in order from the insulating layer and the active layer,
Of the electrodes, connected to a wire that transmits the electrical signal and at least part of a peripheral portion of a pad electrode portion provided on the insulating layer, on the outside of the energization layer, and the diffusion prevention layer A step structure is provided so as to protrude from the adhesive layer,
Of the electrodes, the mesa stripe electrode portion provided above the active layer and the lead electrode portion connecting the pad electrode portion and the mesa stripe electrode portion are not provided with the step structure ,
A semiconductor optical modulator characterized in that the step structure is provided in a peripheral portion of the pad electrode portion opposite to the connection side with the lead electrode portion .
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体光変調器。 Wherein among the pad electrode portions, according to claim 1, characterized in that from the end at the bottom of the extraction electrode be an end portion of the insulating layer provided with the step structure other than a region in a predetermined range Semiconductor optical modulator.
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体光変調器。 The semiconductor optical modulator according to claim 2 , wherein the predetermined range is within 5 to 10 μm.
前記拡散防止層は、白金を含み形成される層であり、
前記通電層は、金を含み形成される層である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体光変調器。 The adhesive layer is a layer formed including titanium,
The diffusion prevention layer is a layer formed including platinum,
The semiconductor optical modulator according to claim 1, wherein the energization layer is a layer that includes gold.
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体光変調器。 Area of the pad electrode portion, a semiconductor optical modulator according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it is 1500 to 2,200 [mu] m 2.
前記光共振器から発光されたレーザー光を、電気信号に従って変調する半導体光変調器と、を備え、
前記半導体光変調器は、
前記半導体光変調器の少なくとも一部の絶縁層と活性層の上方に設けられた、前記電気信号が伝送される電極を備え、
前記電極は、前記絶縁層と前記活性層に近い順に、接着層、拡散防止層、通電層を積層して構成され、
前記電極のうち、前記電気信号を伝送するワイヤと接続されるとともに前記絶縁層の上に設けられたパッド電極部の周縁部の少なくとも一部に、前記通電層の外側に、前記拡散防止層と前記接着層とがはみ出すように段差構造を設け、
前記電極のうち、前記活性層の上方に設けられたメサストライプ電極部と、前記パッド電極部と前記メサストライプ電極部とを接続する引き出し電極部と、には前記段差構造を設けず、
前記パッド電極部のうち、前記引き出し電極部との接続側とは反対の周縁部に前記段差構造を設けた
ことを特徴とする光通信モジュール。 An optical resonator that emits laser light;
A semiconductor optical modulator that modulates the laser light emitted from the optical resonator according to an electric signal,
The semiconductor optical modulator is:
An electrode that is provided above at least a portion of the insulating layer and the active layer of the semiconductor optical modulator and that transmits the electrical signal;
The electrode is configured by laminating an adhesive layer, a diffusion prevention layer, and a current-carrying layer in order from the insulating layer and the active layer,
Of the electrodes, connected to a wire that transmits the electrical signal and at least part of a peripheral portion of a pad electrode portion provided on the insulating layer, on the outside of the energization layer, and the diffusion prevention layer A step structure is provided so as to protrude from the adhesive layer,
Of the electrodes, the mesa stripe electrode portion provided above the active layer and the lead electrode portion connecting the pad electrode portion and the mesa stripe electrode portion are not provided with the step structure ,
An optical communication module , wherein the step structure is provided in a peripheral edge portion of the pad electrode portion opposite to the connection side with the lead electrode portion .
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