JP6319230B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子用の芳香族複素環誘導体、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用の芳香族複素環誘導体、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置に関する。より詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子用の芳香族複素環誘導体、それを用いた、発光効率が高く、発光寿命が長く、高温下での使用においても経時変化が小さい有機エレクトロルミネッセンス素子、それが具備された照明装置及び表示装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ともいう）は、陽極と陰極の間を、有機発光物質が含有された有機薄膜層（単層部又は多層部）で構成する薄膜型の全固体素子である。この様な有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、有機薄膜層に陰極から電子が、陽極から正孔が注入され、これらが発光層（有機発光物質含有層）において再結合して励起子が生じる。有機ＥＬ素子はこれら励起子からの光の放出（蛍光・リン光）を利用した発光素子であり、次世代の平面ディスプレイや照明として期待されている技術である。

さらに、蛍光発光を利用する有機ＥＬ素子に比べ、原理的に約４倍の発光効率が実現可能である励起三重項からのリン光発光を利用する有機ＥＬ素子がプリンストン大学から報告されて以来、室温でリン光を示す材料の開発を始めとし、発光素子の層構成や電極の研究開発が世界中で行われている。

このように、リン光発光方式は大変ポテンシャルの高い方式であるが、リン光発光を利用する有機ＥＬデバイスにおいては、蛍光発光を利用するそれとは大きく異なり、発光中心の位置をコントロールする方法、とりわけ発光層の内部で再結合を行い、いかに発光を安定に行わせることができるかが、素子の効率・寿命を高める上で重要な技術的問題となっている。

そこで、近年は発光層に隣接する形で、発光層の陽極側に位置する正孔輸送層や、発光層の陰極側に位置する電子輸送層等を備えた多層積層型の素子が良く知られている。また、発光層には発光ドーパントとしてのリン光発光性化合物とホスト化合物とを用いた混合層が多く用いられている。

一方、材料の観点からは、素子性能向上に対する新規材料創出の期待が大きい。特にリン光発光性化合物のホスト化合物として、多縮環化合物と六員の含窒素複素環がアリーレン連結基を介して結合した化合物を用いた有機ＥＬ用材料が報告されている（例えば、特許文献１〜３参照。）。

しかし、これら特許文献１〜３に記載の化合物では、有機ＥＬ素子材料として用いるにあたり、素子の寿命、発光効率はある程度改良されているが、十分とはいえず、さらなる改良が求められていた。また、これらの化合物を用いた有機ＥＬ素子は熱安定性に劣るという欠点を有していることが分かった。

国際公開第２０１３／０３５２７５号 国際公開第２００７／０６９５６９号 米国特許出願公開第２０１４／０１５８９９２号明細書

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、有機ＥＬ素子用の新規な芳香族複素環誘導体を用いた、発光効率が高く、発光寿命が長く、高温下での使用においても経時変化が小さい有機ＥＬ素子を提供することである。また、当該有機ＥＬ素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することである。

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、カルバゾール環を含む特定構造を有する芳香族複素環誘導体が、上記課題の解決に有効であることを見出し本発明に至った。

すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

１．陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層のうち少なくとも１層に、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）又は（Ｌ３）で表される構造を有する芳香族複素環誘導体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

（一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）又は（Ｌ３）中、
Ｙ_１、Ｙ_２及びＹ_３は、それぞれ独立に、ＣＲ′又は窒素原子を表し、Ｙ_１、Ｙ_２又はＹ_３の少なくとも一つは窒素原子である。
Ｒ′、Ａｒ_１及びＡｒ_２は、
水素原子、
置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、又は、
置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基を表す。

Ｒ′、Ａｒ_１及びＡｒ_２が全て同時に水素原子であることはない。
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
但しＲａ、Ｒｂの少なくとも一方は、置換基を表す。
Ｌ_１は、
単結合、
置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキレン基、
置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は
これらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。
Ｌ_２は、
単結合、
置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキレン基、
置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、
置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基、又は
これらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。
Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、シアノ基、ハロゲン原子、又は、
無置換若しくは下記一般式（Ａ−１）又は（Ａ−２）から選択される構造を置換基として有する環形成炭素数６〜３０のアリール基を表す。
Ｒ_３は、
置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、
置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は、
置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基を表す。

Ｒ _１ 、Ｒ_２、Ｒａ及びＲｂはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

一般式（Ａ−１）及び（Ａ−２）中、
Ａ_１〜Ａ_５及びＡ_１１〜Ａ_１８は、それぞれ独立に、ＣＲｃ又は窒素原子を表し、
Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子、置換基又は結合手を表す。

Ａ_１〜Ａ_５のうち一つ、及び、Ａ_１１〜Ａ_１８のうち一つは、ＣＲｃであり、かつＲｃはＲ_１又はＲ_２で表される環形成炭素数６〜３０のアリール基と直接結合する結合手である。

他のＲｃは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、隣接するＲｃ同士が互いに結合し、環構造を形成してもよい。

Ｘ_１１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。）
２．前記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）及び（Ｌ３）において、Ｌ_１が単結合、フェニレン基、ビフェニレン基又は炭素数２以下のアルキレン基を表すことを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

３．前記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）及び（Ｌ３）において、Ｌ_２が単結合、フェニレン基、ヘテロアリーレン基又は炭素数２以下のアルキレン基を表すことを特徴とする第１項又は第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

４．前記芳香族複素環誘導体が、下記式（Ｉ）で表される前記芳香族複素環誘導体のＸを含む縮合環の２位又は４位のいずれかの位置にＬ _１ が結合している、前記一般式（Ａ２）、（Ａ４）、（Ｂ４）、（Ｃ２）、（Ｉ２）、（Ｉ４）、（Ｊ４）、（Ｋ２）又は（Ｋ４）であることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

５．前記芳香族複素環誘導体が、下記式（Ｉ）で表される前記芳香族複素環誘導体のＸを含む縮合環の５位又は７位のいずれかの位置にＬ _２ が結合している、前記一般式（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｌ１）又は（Ｌ３）であることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

６．前記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）及び（Ｌ３）において、Ｙ_１〜Ｙ_３が、全て窒素原子を表すことを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

７．前記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）及び（Ｌ３）において、Ａｒ_１及びＡｒ_２が、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基を表すことを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

８．前記芳香族複素環誘導体を含有する前記有機層が、発光層であることを特徴とする第１項から第７項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

９．前記発光層が、前記芳香族複素環誘導体をホスト化合物として含有することを特徴とする第１項から第８項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１０．前記発光層が、リン光発光性化合物を含有することを特徴とする第１項から第９項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１１．前記発光層が、前記芳香族複素環誘導体とは異なる構造を有するホスト化合物をさらに含有することを特徴とする第１項から第１０項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１２．第１項から第１１項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とする表示装置。

１３．第１項から第１１項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とする照明装置。

１４．下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）又は（Ｌ３）で表される構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用の芳香族複素環誘導体。

（一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）又はＬ３）中、
Ｙ_１、Ｙ_２及びＹ_３は、それぞれ独立に、ＣＲ′又は窒素原子を表し、Ｙ_１、Ｙ_２又はＹ_３の少なくとも一つは窒素原子である。
Ｒ′、Ａｒ_１及びＡｒ_２は、
水素原子、
置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、又は、
置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基を表す。
Ｒ′、Ａｒ_１及びＡｒ_２が全て同時に水素原子であることはない。
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
但しＲａ、Ｒｂの少なくとも一方は、置換基を表す。
Ｌ_１は、
単結合、
置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキレン基、
置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は
これらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。
Ｌ_２は、
単結合、
置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキレン基、
置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、
置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基、又は
これらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。
Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、シアノ基、ハロゲン原子、又は、
無置換若しくは下記一般式（Ａ−１）又は（Ａ−２）から選択される構造を置換基として有する環形成炭素数６〜３０のアリール基を表す。
Ｒ_３は、
置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、
置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は、
置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基を表す。
Ｒ _１ 、Ｒ_２、Ｒａ及びＲｂはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

一般式（Ａ−１）及び（Ａ−２）中、
Ａ_１〜Ａ_５及びＡ_１１〜Ａ_１８は、それぞれ独立に、ＣＲｃ又は窒素原子を表し、
Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子、置換基又は結合手を表す。
Ａ_１〜Ａ_５のうち一つ、及び、Ａ_１１〜Ａ_１８のうち一つは、ＣＲｃであり、かつＲｃはＲ_１又はＲ_２で表される環形成炭素数６〜３０のアリール基と直接結合する結合手である。
他のＲｃは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、隣接するＲｃ同士が互いに結合し、環構造を形成してもよい。
Ｘ_１１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。）

本発明の上記手段により、有機ＥＬ素子用の新規な芳香族複素環誘導体を用いた、発光効率が高く、発光寿命が長く、高温下での使用においても経時変化が小さい有機ＥＬ素子を提供することができる。また、当該有機ＥＬ素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することができる。

本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。

有機ＥＬ素子の駆動電圧は小さい方が好ましく、そのためには素子に用いられる化合物の最高被占分子軌道のエネルギー準位（ＨＯＭＯ準位）を高くし、最低空分子軌道のエネルギー準位（ＬＵＭＯ準位）を低くすることで、発光層への電荷の注入性を向上させ、駆動電圧を低下させることができる。

しかしながら、ＨＯＭＯ準位を高くし、ＬＵＭＯ準位を低くすると、励起一重項エネルギー（Ｓ_１エネルギー）が小さくなり、励起三重項エネルギー（Ｔ_１エネルギー）も小さくなってしまう。特に、リン光発光ドーパントに対するホスト化合物として使用する場合には、このＴ_１エネルギーの低下が問題となる。

この問題を解決する手段として、Ｓ_１エネルギーとＴ_１エネルギーとの差（△Ｅｓｔ）を小さくすることが考えられる。

△Ｅｓｔを小さくすることによって、ＨＯＭＯ準位を高くし、ＬＵＭＯ準位を低くすることによって小さくなるＳ_１エネルギーと同等のエネルギーを確保できるという観点から、Ｔ_１エネルギーを高く維持できる。△ＥｓｔとＳ_１エネルギー、及びＴ_１エネルギーの関係は、下記式で表すことができることからも理解できる。
Ｔ_１＝Ｓ_１−△Ｅｓｔ
△Ｅｓｔは、分子内の平行スピン間の相互作用を小さくする、すなわち、ＨＯＭＯが局在化している部位とＬＵＭＯが局在化している部位との中心間距離を離すことで小さくすることができる。そこで本発明の化合物においては、ＨＯＭＯの中心がカルバゾール環上に、ＬＵＭＯの中心が六員の含窒素複素芳香環部に局在化するように設計し、さらに、それぞれの部位が分子の末端にあることが好ましい。しかし、六員の含窒素複素芳香環は、特に環中の窒素原子数が多いほど無置換では安定性が低いため、適切な置換基を最低限導入する必要がある。

また、カルバゾール環と六員の含窒素複素芳香環とを連結する部位にアルキレン等のフレキシブルな基を組み込むと分子全体の剛直性が低下し、その結果、分子が膜中で状態変化を起こしやすくなるという問題がある。そこで、本発明の芳香族複素環誘導体においては、カルバゾール環と六員の含窒素複素芳香環との間に、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯの局在化部位に影響せず、かつ分子全体の剛直性を向上させる（Ｘを含有する）縮環構造を導入することによって、上記の問題を解決できた。さらに、（Ｘを含有する）縮環構造を導入することにより、Ｔｇ（ガラス転移点）が向上し、凝集及び結晶化が抑制できるようになり、効率及び寿命の低下を防止、更には高温状態での安定性も向上できるようになったと推測している。

また、分子の末端にＨＯＭＯ及びＬＵＭＯの局在化中心が来るように設計することで、分子間での電荷のホッピング移動がしやすくなり、結果、経時でのキャリア移動効率の変化を抑制し、寿命を向上させることができた。

さらには、不必要に分子を大きくすると、昇華性が低下して蒸着が困難になり、生産性が低下してしまうため、蒸着に適した適度な分子量であることが好ましい。

また（Ｘを含有する）縮環構造は置換基を導入する際、位置の選択性の高い合成法を用いることが可能である。したがって高い収率で、高純度の化合物を合成することができ、適正なコストで製造することが可能である。

さらに本発明の化合物はカルバゾール環上の置換基を適切に選択することにより、熱安定性を向上し、長時間の加熱に対して安定した素子性能を発揮することが可能であり、量産において有利である。

本発明の表示装置の構成の一例を示した概略斜視図 図１に示す表示部Ａの構成の一例を示した概略斜視図 本発明の有機ＥＬ素子を用いた照明装置の一例を示す概略斜視図 本発明の有機ＥＬ素子を用いた照明装置の一例を示す概略断面図

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層のうち少なくとも１層に、後述する一般式（１）又は一般式（２）に由来する、前記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）又は（Ｌ３）で表される構造を有する芳香族複素環誘導体を含有することを特徴とする。この特徴は、下記各実施形態に共通又は対応する技術的特徴である。

本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記一般式（１）、（２）、（３）及び（４）において、Ｌ_１が単結合、フェニレン基、ビフェニレン基又は炭素数２以下のアルキレン基を表すことが、ガラス転移温度（Ｔｇ）上昇による熱安定の向上の効果が得られることから好ましい。また前記一般式（１）、（２）、（３）及び（４）において、Ｌ_２が単結合、フェニレン基、ヘテロアリーレン基又は炭素数２以下のアルキレン基を表すことが、Ｔｇ上昇による熱安定の向上の効果が得られることから、好ましい。

さらに、本発明においては、前記一般式（１）、（２）、（３）及び（４）において、Ｌ_１が、前記式（Ｉ）で表される前記芳香族複素環誘導体のＸを含む縮合環の２位又は４位のいずれかの位置に結合していることが好ましい。これにより、選択性の高い合成法を用いることができ、化合物を高収率、高純度で得られる。

また、前記一般式（１）及び（２）において、Ｌ_２が、前記式（Ｉ）で表される前記芳香族複素環誘導体のＸを含む縮合環の５位又は７位のいずれかの位置に結合していることが好ましい。これにより、選択性の高い合成法を用いることができ、化合物を高収率、高純度で得られる。

また、本発明においては、前記一般式（３）及び（４）において、Ｌ_２が、前記式（Ｉ）で表される前記芳香族複素環誘導体のＸを含む縮合環の２位又は４位のいずれかの位置に結合していることが好ましい。これにより、選択性の高い合成法を用いることができ、化合物を高収率、高純度で得られる。

本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記一般式（１）、（２）、（３）及び（４）において、Ｙ_１〜Ｙ_３が、全て窒素原子を表すことが好ましい。また、前記一般式（１）、（２）、（３）及び（４）において、Ａｒ_１及びＡｒ_２が、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基を表すことが、化合物の励起状態の安定化の効果が得られることから、好ましい。

さらに、本発明においては、前記芳香族複素環誘導体を含有する前記有機層が、発光層であることが好ましい。これにより、高効率化、高寿命化の効果が得られる。また、前記発光層が、前記芳香族複素環誘導体をホスト化合物として含有することが好ましい。さらに前記発光層が、リン光発光性化合物を含有することが高効率化、高寿命化の観点から好ましい。

また、前記発光層が、前記芳香族複素環誘導体とは異なる構造を有するホスト化合物をさらに含有することが、キャリアバランスの調整により再結合確率の向上の効果が得られることから、好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子は、照明装置及び表示装置に好適に具備され得る。

さらに、有機エレクトロルミネッセンス素子に含有される化合物が、前記一般式（１）、（２）、（３）又は（４）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも１層の有機層に一般式（１）、（２）、（３）又は（４）で表される芳香族複素環誘導体を含むことを特徴とする。

以下に本発明を実施するための形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

《一般式（１）、（２）、（３）、及び（４）で表される芳香族複素環誘導体》

上記一般式（１）、（２）、（３）、及び（４）において、Ｙ_１、Ｙ_２及びＹ_３はそれぞれ独立に、ＣＲ′又は窒素原子を表し、少なくとも一つは窒素原子である。

より好ましくはＹ_１、Ｙ_２及びＹ_３の内、二つ又は三つが窒素原子であり、より好ましくはＹ_１、Ｙ_２及びＹ_３が全て窒素原子である。

Ｒ′、Ａｒ_１及びＡｒ_２は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、又は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基を表す。Ｒ′、Ａｒ_１及びＡｒ_２が全て同時に水素原子であることはない。

Ｒ′、Ａｒ_１又はＡｒ_２で表される炭素数１〜１２のアルキル基は、本発明の化合物の機能を阻害しない範囲であれば、直鎖状であっても分岐構造を有していてもよく、また、シクロアルキル基のように環状構造であってもよい。

炭素数１〜１２のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、イソプロピル基、ネオペンチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、等が挙げられる。

Ｒ′、Ａｒ_１又はＡｒ_２で表される環形成炭素数６〜３０のアリール基（芳香族炭化水素環基ともいう）としては、非縮合であっても縮合環であってもよく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、アズレニル基、アセナフテニル基、インデニル基、インデノフルオレン環等が挙げられる。

好ましくは、本発明の化合物の励起三重項エネルギー準位（Ｔ_１エネルギー準位）を適度に保つ目的から、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、が好ましい。

上記のアルキル基及びアリール基は、本発明の化合物の機能を阻害しない範囲で各々更に置換基を有していてもよく、置換基の具体例としては、後述のＲａ又はＲｂで表される置換基と同様の基が挙げられる。

好ましくは、Ｒ′は水素原子又はアルキル基であり、より好ましくは水素原子である。

好ましくはＡｒ_１及びＡｒ_２はアルキル基又はアリール基であり、より好ましくはＡｒ_１及びＡｒ_２は炭素数４以下のアルキル基又はアリール基である。

Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。

Ｒａ及びＲｂで表される置換基としては、本発明の化合物の機能を阻害しない範囲であれば特に限定はなく、また、本発明の効果発現性の微調整のために積極的に用いることができる。

置換基の具体例としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジニル基、トリアジル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基（前記カルバゾリル基のカルバゾール環を構成する炭素原子の任意の一つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよく、更に、これらの置換基は複数が互いに結合して環構造を形成してもよい。

また、Ｒａ及びＲｂがそれぞれ複数存在する場合は、Ｒａ及びＲ_ｂはそれぞれ同じでも異なっていてもよく、隣接するＲａ又はＲｂ同士が互いに結合し、環構造を形成してもよい。

Ｒａ及びＲｂは、好ましくは、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基である。

Ｌ_１は、単結合、置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキレン基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又はこれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。

Ｌ_２は、単結合、置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキレン基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基又はこれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。

Ｌ_１及びＬ_２で表される炭素数１〜１２のアルキレン基としては、本発明の化合物の機能を阻害しない範囲であれば、直鎖状であっても分岐構造を有していてもよく、また、シクロアルキレン基のように環状構造であってもよい。

炭素数１〜１２のアルキレン基の具体例としては、前述のＲ′、Ａｒ_１又はＡｒ_２で示した炭素数１〜１２のアルキル基から、水素原子を一つ除くことにより導かれる２価の基が挙げられる。

Ｌ_１及びＬ_２で表される環形成炭素数６〜３０のアリーレン基は、非縮合であっても縮合環であってもよく、環形成炭素数６〜３０のアリーレン基の具体例としては、前述のＲ′、Ａｒ_１又はＡｒ_２で示した環形成炭素数６〜３０のアリール基から、水素原子を一つ除くことにより導かれる２価の基が挙げられる。

本発明の化合物のＴ_１エネルギー準位を適度に保つ目的から、アリーレン基としては、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、フェナントレンジイル基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、クォーターフェニレン基、トリフェニレンジイル基、フルオレンジイル基が好ましい。

Ｌ_２で表される環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基は、非縮合であっても縮合環であってもよく、好ましくは環を形成するヘテロ原子として、Ｂ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、Ｐ又はＳｅのいずれかを含み、より好ましくは、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＳｉのいずれかを含む。また、形成される環は、非縮合の５員環、非縮合の６員環、若しくは５員環又は６員環から構成される縮合環が好ましい。

環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基の例としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピペリジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、インドール環、イソインドール環、ベンゾイミダゾール環、フラン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、シロール環、ベンゾシロール環、ジベンゾシロール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、アクリジン環、フェナジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェノキサチイン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、アクリジン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾジフラン環、チエノチオフェン環、ベンゾジチオフェン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、ナフトチオフェン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルバゾール環を構成する炭素原子の任意の二つ以上が窒素原子で置き換わったものを表す）、アザジベンゾフラン環（ジベンゾフラン環を構成する炭素原子の任意の一つ以上が窒素原子で置き換わったものを表す）、アザジベンゾチオフェン環（ジベンゾチオフェン環を構成する炭素原子の任意の一つ以上が窒素原子で置き換わったものを表す）、インドロカルバゾール環、インデノインドール環、等から水素原子を二つ除くことにより導かれる２価の基が挙げられる。

より好ましいヘテロアリーレン基としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピペリジン環、トリアジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環等から水素原子を二つ除くことにより導かれる２価の基が挙げられる。

上記のアルキレン基、アリーレン基及びヘテロアリーレン基は、本発明の化合物の機能を阻害しない範囲で各々更に置換基を有していてもよく、置換基としては、前述のＲ′、Ａｒ_１又はＡｒ_２で示した置換基と同様である。

Ｌ_１及びＬ_２は、さらに好ましくは単結合、フェニレン基、ヘテロアリーレン基、又は炭素数２以下のアルキレン基である。

Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、シアノ基、ハロゲン原子、又は、無置換若しくは下記一般式（Ａ−１）又は（Ａ−２）から選択される構造を置換基として有する環形成炭素数６〜３０のアリール基を表す。

Ｒ_１又はＲ_２で表される炭素数１〜１２のアルキル基は、本発明の化合物の機能を阻害しない範囲であれば、直鎖状であっても分岐構造を有していてもよく、また、シクロアルキル基のように環状構造であってもよい。

炭素数１〜１２のアルキル基としては、前述のＲ′、Ａｒ_１又はＡｒ_２で示した炭素数１〜１２のアルキル基と同様である。

Ｒ_１又はＲ_２で表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

Ｒ_１又はＲ_２で表される環形成炭素数６〜３０のアリール基としては、非縮合であっても縮合環であってもよく、環形成炭素数６〜３０のアリール基の具体例としては、前述のＲ′、Ａｒ_１又はＡｒ_２で表される環形成炭素数６〜３０のアリール基と同様の基が挙げられる。

Ｒ_１及びＲ_２は、置換基として存在しないか、置換基として存在する場合、それぞれ、炭素数４以下のアルキル基、又はアリール基であることが好ましい。

Ｒ_１又はＲ_２で表されるアリール基は、下記一般式（Ａ−１）又は（Ａ−２）から選択される構造を置換基として有してもよい。

一般式（Ａ−１）において、Ａ_１〜Ａ_５はそれぞれ独立に、ＣＲｃ又は窒素原子を表す。ただし、Ａ_１〜Ａ_５のうち一つは、ＣＲｃ且つ、該ＲｃがＲ_１又はＲ_２で表されるアリール基と直接結合する単結合手を表す。

好ましくはＡ_１〜Ａ_５の内、３〜５個がＣＲｃであり、より好ましくは一般式（Ａ−１）で表される構造が、ピリジン環、ピリミジン環又はトリアジン環である。

一般式（Ａ−２）において、Ａ_１１〜Ａ_１８はそれぞれ独立に、ＣＲｃ又は窒素原子を表す。ただし、Ａ_１１〜Ａ_１８のうち一つは、ＣＲｃ且つ、該ＲｃがＲ_１又はＲ_２で表されるアリール基と直接結合する単結合手を表す。

好ましくはＡ_１１〜Ａ_１８の内、６〜８個がＣＲｃであり、より好ましくは７個又は８個がＣＲｃであり、さらに好ましくは、Ａ_１１〜Ａ_１８が全てＣＲｃである。

Ｒｃは、上記結合手の他に水素原子又は置換基を表し、Ｒｃで表される置換基は本発明の化合物の機能を阻害しない範囲であれば特に限定はなく、また、本発明の効果発現性の微調整のために積極的に用いることができる。

Ｒｃで表される置換基としては、前述の一般式（１）、（２）、（３）及び（４）におけるＲａ又はＲｂで示した置換基と同様である。

複数のＲｃはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、隣接するＲｃ同士が互いに結合し、環構造を形成してもよい。

好ましくは、Ｒｃはアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基である。

一般式（１）、（２）、（３）及び（４）において、Ｒ_３は置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基を表す。

炭素数１〜１２のアルキル基としては、前述のＲ′、Ａｒ_１又はＡｒ_２で示した炭素数１〜１２のアルキル基と同様である。

環形成炭素数６〜３０のアリール基としては、前述のＲ′、Ａｒ_１又はＡｒ_２で示した環形成炭素数６〜３０のアリール基と同様である。

より好ましいアリール基としては、本発明の化合物の励起三重項エネルギー準位（Ｔ_１エネルギー準位）を適度に保つ目的から、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、が挙げられる。

環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基（芳香族複素環基）は、非縮合であっても縮合環であってもよく、好ましくは環を形成するヘテロ原子として、Ｂ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、Ｐ又はＳｅのいずれかを含み、より好ましくは、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＳｉのいずれかを含む。また、形成される環は、非縮合の５員環、非縮合の６員環、若しくは５員環又は６員環から構成される縮合環が好ましい。

環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基の例としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピペリジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、インドール環、イソインドール環、ベンゾイミダゾール環、フラン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、シロール環、ベンゾシロール環、ジベンゾシロール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、アクリジン環、フェナジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェノキサチイン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、アクリジン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾジフラン環、チエノチオフェン環、ベンゾジチオフェン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、ナフトチオフェン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルバゾール環を構成する炭素原子の任意の二つ以上が窒素原子で置き換わったものを表す）、アザジベンゾフラン環（ジベンゾフラン環を構成する炭素原子の任意の一つ以上が窒素原子で置き換わったものを表す）、アザジベンゾチオフェン環（ジベンゾチオフェン環を構成する炭素原子の任意の一つ以上が窒素原子で置き換わったものを表す）、インドロカルバゾール環、インデノインドール環、等から水素原子を一つ除くことにより導かれる基が挙げられる。

より好ましいヘテロアリール基としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピペリジン環、トリアジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環等から水素原子を一つ除くことにより導かれる基が挙げられる。

上記のアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基は、本発明の化合物の機能を阻害しない範囲で各々更に置換基を有していてもよく、置換基としては、前述のＲ′、Ａｒ_１又はＡｒ_２で示した置換基と同様である。

一般式（１）、（２）、（３）及び（４）において、ｎ１、ｎａ１及びｎｂ１はそれぞれ独立に、０〜３の整数を表し、ｎａ２は０〜２の整数を表し、ｎ２、ｎ３、ｎ４及びｎｂ２はそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。

より好ましくは、ｎ１〜ｎ４は１を表し、ｎａ１、ｎｂ１、ｎａ２及びｎｂ２は１を表す。

一般式（１）、（２）、（３）及び（４）において、Ｌ_１又はＬ_２が結合するＸを含む縮合環の好ましい結合位置について説明する。なお、Ｘを含む縮合環における結合位置は、式（Ｉ）で示す番号のとおりである。

一般式（１）において、Ｌ_１は好ましくは、Ｘを含む縮合環の２位、３位又は４位のいずれかの位置に結合し、より好ましくは２位又は４位である。Ｌ_２は好ましくは、５位、６位又は７位のいずれかの位置に結合し、より好ましくは５位又は７位である。

一般式（２）において、Ｌ_１は好ましくは、Ｘを含む縮合環の２位、３位又は４位のいずれかの位置に結合し、より好ましくは２位又は４位である。Ｌ_２は好ましくは、５位、６位又は７位のいずれかの位置に結合し、より好ましくは５位又は７位である。

一般式（３）において、Ｌ_１は好ましくは、Ｘを含む縮合環の２位、３位又は４位のいずれかの位置に結合し、より好ましくは２位又は４位である。Ｌ_２は好ましくは、２位、３位又は４位のいずれかの位置に結合し、より好ましくは２位又は４位である。

一般式（４）において、Ｌ_１は好ましくは、Ｘを含む縮合環の２位、３位又は４位のいずれかの位置に結合し、より好ましくは２位又は４位である。Ｌ_２は好ましくは、２位、３位又は４位のいずれかの位置に結合し、より好ましくは２位又は４位である。

次に、一般式（１）又は（３）において、Ｌ_１が結合するカルバゾール環の好ましい結合位置について説明する。なお、カルバゾール環における結合位置は、式（II）で示す番号のとおりである。

一般式（１）において、Ｌ_１は好ましくは、カルバゾール環の２位又は３位に結合し、より好ましくは３位に結合する。

一般式（３）において、Ｌ_１は好ましくは、カルバゾール環の２位又は３位に結合し、より好ましくは３位に結合する。

なお、一般式（１）、（２）、（３）及び（４）におけるＬ_１及びＬ_２の結合位置の好ましさは、本発明の化合物の機能発現の観点に加え、合成ステップ数、反応のしやすさ、精製のしやすさ、原料のコスト等、より安価に安定して化合物を提供するという合成上の観点も含まれている。

一般式（１）、（２）、（３）及び（４）で表される芳香族複素環誘導体は、より好ましくは下記一般式（１−１）〜（１−４）、（２−１）〜（２−４）、（３−１）、（３−２）、（４−１）、及び（４−２）で表される。

一般式（１−１）〜（１−４）、（２−１）〜（２−４）、（３−１）、（３−２）、（４−１）、及び（４−２）における、Ｙ_１、Ｙ_２、Ｙ_３、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ｘ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、ｎ１〜ｎ４、ｎａ１、ｎｂ１、ｎａ２及びｎｂ２は、前述の一般式（１）、（２）、（３）及び（４）におけるＹ_１、Ｙ_２、Ｙ_３、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ｘ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、ｎ１〜ｎ４、ｎａ１、ｎｂ１、ｎａ２及びｎｂ２と同義である。

一般式（１）、（２）、（３）及び（４）で表される構造を有する化合物の具体例を下記に示すが、これらに限定されない。なお、一般式（１）、（２）、（３）及び（４）は、さらに一般式（Ａ１）〜一般式（Ｐ３）を用いて以下に示した。

一般式（Ａ１）〜一般式（Ｐ３）における、Ｙ_１、Ｙ_２、Ｙ_３、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ｘ、Ｌ _１ 、Ｌ_２、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３は、前述の一般式（１）、（２）、（３）及び（４）におけるＹ_１、Ｙ_２、Ｙ_３、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ｘ、Ｌ _１ 、Ｌ_２、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３と同義である。Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。但しＲａ、Ｒｂの少なくとも一方は、置換基を表す。

表中、Ｌ_１、Ｌ_２の欄の「−」は単結合であることを表し、ＲＡ、Ｒｂ、Ｒ_１、Ｒ_２の欄の「−」は置換基が存在しないことを表す。また、表中の括弧内の数値は、置換基の結合位置を表す。Ａｒ_１、Ａｒ_２の欄の「−」は、Ａｒ_１、Ａｒ_２が水素原子であることを表す。

本発明の複素環誘導体は、昇華精製時の昇華のしやすさの観点から、分子量は８００以下であることが好ましく、より好ましくは７２０以下である。

本発明の化合物は、公知の合成法、例えば、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４２，１８２１（１９７７）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０１，４９９２（１９７７）、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，９５，２４５７（１９９５）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５３，９１８（１９８８）等に記載の炭素―炭素結合を形成するＰｄを用いたクロスカップリング反応、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．１９９８，３７，２０４６等に記載のＰｄを用いた炭素―窒素結合を形成するクロスカップリング反応、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００３，４２，５４００に記載のＣｕを用いた炭素―窒素結合形成反応を用いることにより合成することができる。

以下に具体的な合成例として例示化合物６１９の合成を示す。

（中間体１の合成）
窒素雰囲気下、ジベンゾフラン３３．６ｇ（２００ｍｍｏｌ）をＴＨＦ７００ｍｌに溶解し、−７０℃以下でｎ−ブチルリチウム（１．６ｍｏｌ／ｌ ヘキサン溶液）を３５０ｍｌ加えた。添加終了後、−７０℃以下で１時間撹拌したのち、反応液を０℃まで昇温させ、１時間撹拌したのち、再び―７０℃以下まで冷却し、１，２−ジブロモエタン４５ｇ（３００ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、室温で１２時間撹拌したのち、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗し、溶媒を減圧下で除去して得られる残留物をヘキサンで再結晶し、中間体１を３７．１ｇ得た。収率は７５％であった。ＮＭＲ、マススペクトルで構造を確認した。

（中間体２の合成）
窒素雰囲気下２４．７ｇの中間体１（１００ｍｍｏｌ）を２００ｍｌのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドに溶解し、カルバゾール１７．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）、銅粉末１４．３ｇ（１５０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２７．６ｇ（２００ｍｍｏｌ）を加え１７０℃で１２時間撹拌した。反応液を冷却したのち、水５００ｍｌに開け、析出する固体をろ取した。ろ取した固体を酢酸エチルに溶解し、不溶物をろ過して除去したのち、溶媒を減圧下で除去して得られる固体をメタノールで再結晶し、３３．３ｇの中間体２を得た。収率は８０％であった。ＮＭＲ、マススペクトルで構造を確認した。

（例示化合物６１９の合成）
窒素雰囲気下、１６．７ｇの中間体２（５０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３００ｍｌに溶解し、−７０℃以下でｎ−ブチルリチウム（１．６ｍｏｌ／ｌ ヘキサン溶液）を９０ｍｌ加えた。添加終了後、−７０℃以下で１時間撹拌したのち、反応液を０℃まで昇温させ、１時間撹拌したのち、再び―７０℃以下まで冷却し、１−クロロ−３，５−ジフェニルトリアジン１４．７ｇ（５５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ８０ｍｌに溶解した溶液を添加した。添加終了後、滴下終了後、室温で６時間撹拌したのち、反応液に水を加え、析出する固体をろ取し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ―で精製したのち、メタノールで再結晶し、さらにアセトニトリルで再結晶することにより２５．４ｇの例示化合物６１９を得た。収率は９０％であった。ＮＭＲ，マススペクトルで構造を確認した。

その他の本発明の化合物も同様の方法で合成することができる。

《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子における代表的な素子構成としては、以下の構成を上げることができるが、これらに限定されるものではない。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（３）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／（電子阻止層／）発光層／（正孔阻止層／）電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の中で（７）の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。

本発明に係る発光層は、単層又は複数層で構成されており、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。

必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層（正孔障壁層ともいう）や電子注入層（陰極バッファー層ともいう）を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層（電子障壁層ともいう）や正孔注入層（陽極バッファー層ともいう）を設けてもよい。

本発明に係る電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層であり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。

本発明に係る正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。

上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除いた層を「有機層」ともいう。

（タンデム構造）
また、本発明の有機ＥＬ素子は、少なくとも１層の発光層を含む発光ユニットを複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であってもよい。

タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば以下の構成を挙げることができる。

陽極／第１発光ユニット／第２発光ユニット／第３発光ユニット／陰極
陽極／第１発光ユニット／中間層／第２発光ユニット／中間層／第３発光ユニット／陰極
ここで、上記第１発光ユニット、第２発光ユニット及び第３発光ユニットは全て同じであっても、異なっていてもよい。また二つの発光ユニットが同じであり、残る一つが異なっていてもよい。

また、第３発光ユニットはなくてもよく、一方で第３発光ユニットと電極の間にさらに発光ユニットや中間層を設けてもよい。

複数の発光ユニットは直接積層されていても、中間層を介して積層されていてもよく、中間層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料及び構成を用いることができる。

中間層に用いられる材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ_２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯｘ、ＶＯｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ_２、ＣｕＧａＯ_２、ＳｒＣｕ_２Ｏ_２、ＬａＢ_６、ＲｕＯ_２、Ａｌ等の導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３等の２層膜や、ＳｎＯ_２／Ａｇ／ＳｎＯ_２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３／Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２／ＴｉＮ／ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＺｒＮ／ＴｉＯ_２等の多層膜、またＣ_６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

発光ユニット内の好ましい構成としては、例えば上記の代表的な素子構成で挙げた（１）〜（７）の構成から、陽極と陰極を除いたもの等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

タンデム型有機ＥＬ素子の具体例としては、例えば、米国特許第６３３７４９２号、米国特許第７４２０２０３号、米国特許第７４７３９２３号、米国特許第６８７２４７２号、米国特許第６１０７７３４号、米国特許第６３３７４９２号、国際公開第２００５／００９０８７号、特開２００６−２２８７１２号公報、特開２００６−２４７９１号公報、特開２００６−４９３９３号公報、特開２００６−４９３９４号公報、特開２００６−４９３９６号公報、特開２０１１−９６６７９号公報、特開２００５−３４０１８７号公報、特許第４７１１４２４号、特許第３４９６６８１号、特許第３８８４５６４号、特許第４２１３１６９号、特開２０１０−１９２７１９号公報、特開２００９−０７６９２９号公報、特開２００８−０７８４１４号公報、特開２００７−０５９８４８号公報、特開２００３−２７２８６０号公報、特開２００３−０４５６７６号公報、国際公開第２００５／０９４１３０号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

以下、本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。

《発光層》
本発明に係る発光層は、電極又は隣接層から注入されてくる電子及び正孔が再結合し、励起子を経由して発光する場を提供する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても、発光層と隣接層との界面であってもよい。本発明に係る発光層は、本発明で規定する要件を満たしていれば、その構成に特に制限はない。

発光層の層厚の総和は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは２〜５００ｎｍの範囲に調整され、更に好ましくは５〜２００ｎｍの範囲に調整される。

また、本発明の個々の発光層の層厚としては、２ｎｍ〜１μｍの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは２〜２００ｎｍの範囲に調整され、更に好ましくは３〜１５０ｎｍの範囲に調整される。

本発明の発光層には、発光ドーパント（単にドーパントともいう）と、ホスト化合物（発光ホスト、単にホストともいう）とを含有することが好ましい。

（１）発光ドーパント
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。

発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）と、リン光発光性ドーパント（リン光ドーパント、リン光性化合物ともいう）が好ましく用いられる。本発明においては、少なくとも１層の発光層がリン光発光ドーパントを含有することが好ましい。

発光層中の発光ドーパントの濃度については、使用される特定のドーパント及びデバイスの必要条件に基づいて、任意に決定することができ、発光層の層厚方向に対し、均一な濃度で含有されていてもよく、また任意の濃度分布を有していてもよい。

また、本発明に係る発光ドーパントは、複数種を併用して用いてもよく、構造の異なるドーパント同士の組み合わせや、蛍光発光性ドーパントとリン光発光性ドーパントとを組み合わせて用いてもよい。これにより、任意の発光色を得ることができる。

本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ（株）製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。

本発明においては、１層又は複数層の発光層が、発光色の異なる複数の発光ドーパントを含有し、白色発光を示すことも好ましい。

白色を示す発光ドーパントの組み合わせについては特に限定はないが、例えば青と橙や、青と緑と赤の組み合わせ等が挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子における白色とは、特に限定はなく、橙色寄りの白色であっても青色寄りの白色であってもよいが、２度視野角正面輝度を前述の方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ^２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がｘ＝０．３９±０．０９、ｙ＝０．３８±０．０８の領域内にあることが好ましい。

（１．１）リン光発光性ドーパント
本発明に係るリン光発光性ドーパント（以下、「リン光ドーパント」ともいう）について説明する。

本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

リン光ドーパントの発光は原理としては二種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型である。もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。

本発明において使用できるリン光ドーパントとしては、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。

本発明に使用できる公知のリン光ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。

Ｎａｔｕｒｅ ３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，１６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ． １７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許公開第２００６８３５４６９号、米国特許公開第２００６０２０２１９４号、米国特許公開第２００７００８７３２１号、米国特許公開第２００５０２４４６７３号、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４２，１２４８（２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００２／０１５６４５号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許公開第２００２００３４６５６号、米国特許第７３３２２３２号、米国特許公開第２００９０１０８７３７号、米国特許公開第２００９００３９７７６号、米国特許第６９２１９１５号、米国特許第６６８７２６６号、米国特許公開第２００７０１９０３５９号、米国特許公開第２００６０００８６７０号、米国特許公開第２００９０１６５８４６号、米国特許公開第２００８００１５３５５号、米国特許第７２５０２２６号、米国特許第７３９６５９８号、米国特許公開第２００６０２６３６３５号、米国特許公開第２００３０１３８６５７号、米国特許公開第２００３０１５２８０２号、米国特許第７０９０９２８号、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００２／００２７１４号、国際公開第２００６／００９０２４号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／０１９３７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００７／００４３８０号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許公開第２００６０２５１９２３号、米国特許公開第２００５０２６０４４１号、米国特許第７３９３５９９号、米国特許第７５３４５０５号、米国特許第７４４５８５５号、米国特許公開第２００７０１９０３５９号、米国特許公開第２００８０２９７０３３号、米国特許第７３３８７２２号、米国特許公開第２００２０１３４９８４号、米国特許第７２７９７０４号、米国特許公開第２００６０９８１２０号、米国特許公開第２００６１０３８７４号、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２０１０／０３２６６３号、国際公開第２００８／１４０１１５号、国際公開第２００７／０５２４３１号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２００９／１１３６４６号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／００４６３９号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、米国特許公開第２０１２２２８５８３号、米国特許公開第２０１２２１２１２６号、特開２０１２−０６９７３７号公報、特開２０１２−１９５５５４号公報、特開２００９−１１４０８６号公報、特開２００３−８１９８８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−３６３５５２号公報等である。

中でも、好ましいリン光ドーパントとしてはＩｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。

（１．２）蛍光発光性ドーパント
本発明に係る蛍光発光性ドーパント（以下、「蛍光ドーパント」ともいう）について説明する。

本発明に係る蛍光ドーパントは、励起一重項からの発光が可能な化合物であり、励起一重項からの発光が観測される限り特に限定されない。

本発明に係る蛍光ドーパントとしては、例えば、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、フルオレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ホウ素錯体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、シアニン誘導体、クロコニウム誘導体、スクアリウム誘導体、オキソベンツアントラセン誘導体、フルオレセイン誘導体、ローダミン誘導体、ピリリウム誘導体、ペリレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、又は希土類錯体系化合物等が挙げられる。

また、近年では遅延蛍光を利用した発光ドーパントも開発されており、これらを用いてもよい。

遅延蛍光を利用した発光ドーパントの具体例としては、例えば、国際公開第２０１１／１５６７９３号、特開２０１１−２１３６４３号公報、特開２０１０−９３１８１号公報等に記載の化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

（２）ホスト化合物
本発明に係るホスト化合物は、発光層において主に電荷の注入及び輸送を担う化合物であり、有機ＥＬ素子においてそれ自体の発光は実質的に観測されない。

好ましくは室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物であり、さらに好ましくはリン光量子収率が０．０１未満の化合物である。また、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。

また、ホスト化合物の励起状態エネルギーは、同一層内に含有される発光ドーパントの励起状態エネルギーよりも高いことが好ましい。

ホスト化合物は、単独で用いてもよく、又は複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。

本発明で用いることができるホスト化合物としては、特に制限はなく、従来有機ＥＬ素子で用いられる化合物を用いることができる。低分子化合物でも繰り返し単位を有する高分子化合物でもよく、また、ビニル基やエポキシ基のような反応性基を有する化合物でもよい。

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能又は電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化を防ぎ、さらに、有機ＥＬ素子を高温駆動時や素子駆動中の発熱に対して安定して動作させる観点から、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有することが好ましい。好ましくはＴｇが９０℃以上であり、より好ましくは１２０℃以上である。

ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。

本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報、米国特許公開第２００３０１７５５５３号、米国特許公開第２００６０２８０９６５号、米国特許公開第２００５０１１２４０７号、米国特許公開第２００９００１７３３０号、米国特許公開第２００９００３０２０２号、米国特許公開第２００５０２３８９１９号、国際公開第２００１０３９２３４号、国際公開第２００９／０２１１２６号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７９６号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００４／１０７８２２号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００６／１１４９６６号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／００３８９８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００８−０７４９３９号公報、特開２００７−２５４２９７号公報、ＥＰ２０３４５３８等である。

《電子輸送層》
本発明において電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。

本発明に係る電子輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は２ｎｍ〜５μｍの範囲であり、より好ましくは２〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２００ｎｍである。

また、有機ＥＬ素子においては発光層で生じた光を電極から取り出す際、発光層から直接取り出される光と、光を取り出す電極と対極に位置する電極によって反射されてから取り出される光とが干渉を起こすことが知られている。光が陰極で反射される場合は、電子輸送層の総層厚を５ｎｍ〜１μｍの間で適宜調整することにより、この干渉効果を効率的に利用することが可能である。

一方で、電子輸送層の層厚を厚くすると電圧が上昇しやすくなるため、特に層厚が厚い場合においては、電子輸送層の電子移動度は１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上であることが好ましい。

電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という）としては、電子の注入性又は輸送性、正孔の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。

例えば、含窒素芳香族複素環誘導体（カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体（カルバゾール環を構成する炭素原子の一つ以上が窒素原子に置換されたもの）、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体等）、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体、芳香族炭化水素環誘導体（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン等）等が挙げられる。

また、配位子にキノリノール骨格やジベンゾキノリノール骨格を有する金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。

その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。

また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

本発明に係る電子輸送層においては、電子輸送層にドープ材をゲスト材料としてドープして、ｎ性の高い（電子リッチ）電子輸送層を形成してもよい。ドープ材としては、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のｎ型ドーパントが挙げられる。このような構成の電子輸送層の具体例としては、例えば、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等の文献に記載されたものが挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい電子輸送材料の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

米国特許第６５２８１８７号 、米国特許第７２３０１０７号、米国特許公開第２００５００２５９９３号 、米国特許公開第２００４００３６０７７号 、米国特許公開第２００９０１１５３１６号、米国特許公開第２００９０１０１８７０号、米国特許公開第２００９０１７９５５４号、国際公開第２００３／０６０９５６号、国際公開第２００８／１３２０８５号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７５，４（１９９９）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９，４４９（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９，１５６（２００１）、米国特許第７９６４２９３号、米国特許公開第２００９０３０２０２号、国際公開第２００４／０８０９７５号、国際公開第２００４／０６３１５９号、国際公開第２００５／０８５３８７号、国際公開第２００６／０６７９３１号、国際公開第２００７／０８６５５２号、国際公開第２００８／１１４６９０号、国際公開第２００９／０６９４４２号、国際公開第２００９／０６６７７９号、国際公開第２００９／０５４２５３号、国際公開第２０１１／０８６９３５号、国際公開第２０１０／１５０５９３号、国際公開第２０１０／０４７７０７号、ＥＰ２３１１８２６号、特開２０１０−２５１６７５号公報、特開２００９−２０９１３３号公報、特開２００９−１２４１１４号公報、特開２００８−２７７８１０号公報、特開２００６−１５６４４５号公報、特開２００５−３４０１２２号公報、特開２００３−４５６６２号公報、特開２００３−３１３６７号公報、特開２００３−２８２２７０号公報、国際公開第２０１２／１１５０３４号等である。

本発明におけるよりより好ましい電子輸送材料としては、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体が挙げられる。

電子輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。

《正孔阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。

また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子に設ける正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。

本発明に係る正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。

正孔阻止層に用いられる材料としては、前述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も正孔阻止層に好ましく用いられる。

《電子注入層》
本発明に係る電子注入層（「陰極バッファー層」ともいう）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。

本発明において電子注入層は必要に応じて設け、上記の如く陰極と発光層との間、又は陰極と電子輸送層との間に存在させてもよい。

電子注入層はごく薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその層厚は０．１〜５ｎｍの範囲が好ましい。また構成材料が断続的に存在する不均一な膜であってもよい。

電子注入層は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、リチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、前述の電子輸送材料を用いることも可能である。

また、上記の電子注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、複数種を併用して用いてもよい。

《正孔輸送層》
本発明において正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していればよい。

本発明に係る正孔輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲であり、より好ましくは２〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

正孔輸送層に用いられる材料（以下、正孔輸送材料という）としては、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。

例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー（例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。

トリアリールアミン誘導体としては、αＮＰＤに代表されるベンジジン型や、ＭＴＤＡＴＡに代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。

また、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。

さらに不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料やｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物を用いることもできる。さらにＩｒ（ｐｐｙ）_３に代表されるような中心金属にＩｒやＰｔを有するオルトメタル化有機金属錯体も好ましく用いられる。

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。

本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい正孔輸送材料の具体例としては、上記で挙げた文献の他、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６９，２１６０（１９９６）、Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．７２−７４，９８５（１９９７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，６７３（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１，９１３（１９８７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．８７，１７１（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．９１，２０９（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１１１，４２１（２０００）、ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ，３７，９２３（２００６）、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．３，３１９（１９９３）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．６，６７７（１９９４）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１５，３１４８（２００３）、米国特許公開第２００３０１６２０５３号、米国特許公開第２００２０１５８２４２号、米国特許公開第２００６０２４０２７９号、米国特許公開第２００８０２２０２６５号、米国特許第５０６１５６９号、国際公開第２００７／００２６８３号、国際公開第２００９／０１８００９号、ＥＰ６５０９５５、米国特許公開第２００８０１２４５７２号、米国特許公開第２００７０２７８９３８号、米国特許公開第２００８０１０６１９０号、米国特許公開第２００８００１８２２１号、国際公開第２０１２／１１５０３４号、特表２００３−５１９４３２号公報、特開２００６−１３５１４５号公報、米国特許出願番号１３／５８５９８１号等である。

正孔輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。

《電子阻止層》
電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。

また、前述する正孔輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る電子阻止層として用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子に設ける電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。

本発明に係る電子阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。

電子阻止層に用いられる材料としては、前述の正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も電子阻止層に好ましく用いられる。

《正孔注入層》
本発明に係る正孔注入層（「陽極バッファー層」ともいう）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。

本発明において正孔注入層は必要に応じて設け、上記の如く陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に存在させてもよい。

正孔注入層は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば前述の正孔輸送層に用いられる材料等が挙げられる。

中でも銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表２００３−５１９４３２や特開２００６−１３５１４５等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。

前述の正孔注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。

《含有物》
前述した本発明における有機層は、更に他の含有物が含まれていてもよい。

含有物としては、例えば臭素、ヨウ素及び塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Ｐｄ、Ｃａ、Ｎａ等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。

含有物の含有量は、任意に決定することができるが、含有される層の全質量％に対して１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下である。

ただし、電子や正孔の輸送性を向上させる目的や、励起子のエネルギー移動を有利にするための目的などによってはこの範囲内ではない。

《有機層の形成方法》
本発明に係る有機層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）の形成方法について説明する。

本発明に係る有機層の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう）等による形成方法を用いることができる。

湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）等があるが、均質な薄膜が得られやすく、且つ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ｔｏ・ロール方式適性の高い方法が好ましい。

本発明に係る有機ＥＬ材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。

また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。

更に層毎に異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１０^−６〜１０^−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、厚さ０．１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。

本発明に係る有機層の形成は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際は作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上、好ましくは４．５Ｖ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。

陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、又はパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。

または、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。

陽極の厚さは材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

《陰極》
陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。

陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、厚さは通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。

また、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの厚さで作製した後に、陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。

《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル、又はポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）若しくはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が、１０^−５ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し量子効率は、１％以上であることが好ましく、５％以上であるとより好ましい。

ここで、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。

また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。

《封止》
本発明の有機ＥＬ素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。

具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。

本発明においては、有機ＥＬ素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。さらには、ポリマーフィルムはＪＩＳ Ｋ
７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％）が、１×１０^−３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。

なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。

さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜又は前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために、保護膜若しくは保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

《光取り出し向上技術》
有機エレクトロルミネッセンス素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率１．６〜２．１程度の範囲内）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（例えば、米国特許第４７７４４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（例えば、特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（例えば、特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（例えば、特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（例えば、特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）などが挙げられる。

本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、又は基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。

本発明は、これらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度又は耐久性に優れた素子を得ることができる。

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。

低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマーなどが挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度の範囲内であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。またさらに１．３５以下であることが好ましい。

また、低屈折率媒質の厚さは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む層厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。

全反射を起こす界面又は、いずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といった、いわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間若しくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な一次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。

しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。

回折格子を導入する位置としては、いずれかの層間、若しくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でも良いが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度の範囲内が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。

《集光シート》
本発明の有機ＥＬ素子は、支持基板（基板）の光取り出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、又は、いわゆる集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は１０〜１００μｍの範囲内が好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。

集光シートとしては、例えば液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）などを用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であっても良い。

また、有機ＥＬ素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）などを用いることができる。

《用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。

発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。

《表示装置》
以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。

図１は、本発明の有機ＥＬ素子から構成される表示装置の構成の一例を示した概略斜視図であって、有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。図１に示すとおり、ディスプレイ１は、複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。

制御部Ｂは表示部Ａと電気的に接続されている。制御部Ｂは、複数の画素それぞれに対し、外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送る。その結果、各画素が走査信号により走査線毎に画像データ信号に応じて順次発光し、画像情報が表示部Ａに表示される。

図２は、図１に記載の表示部Ａの模式図である。

表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、複数の画素３等とを有する。

表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。

図２においては、画素３の発光した光が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料から構成されている。走査線５とデータ線６は互いに格子状に直交して、その直交する位置で画素３に接続されている（詳細は図示していない）。

画素３は、走査線５から走査信号が送信されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。

発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並列配置することによって、フルカラー表示が可能となる。

《照明装置》
本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。

本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図３、図４に示すような照明装置を形成することができる。

図３は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機ＥＬ素子１０１はガラスカバー１０２で覆われている（なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。）。

図４は、照明装置の断面図を示し、図４において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「体積％」を表す。

《実施例に用いた化合物》

〔実施例１〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子１０１の作製
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで製膜し、パターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。

真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。前記抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製を用いた。

真空度１×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＨＩ−１の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒でＩＴＯ透明電極上に蒸着し、層厚１５ｎｍの正孔注入層を形成した。

次いで、ＨＴ−１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

次いで、比較のホスト化合物である比較化合物１とＧＤ−１の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着し、層厚４０ｎｍの発光層を形成した。

次いで、ＨＢ−１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚５ｎｍの第一電子輸送層を形成した。

さらにその上に、ＥＴ―１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚４５ｎｍの第二電子輸送層を形成した。

その後、フッ化リチウムを厚さ０．５ｎｍになるよう蒸着した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１０１を作製した。

作製後、有機ＥＬ素子１０１の非発光面を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下にてガラスケースで覆い、層さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを前記陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子１０２〜１１１の作製》
有機ＥＬ素子１０１の作製において、ホスト化合物を表１に記載の化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子１０２〜１１１を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子１０１〜１１１の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。評価結果を表１に示す。

（１）外部取り出し量子効率
有機ＥＬ素子を室温（約２３℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下による通電を行い、発光開始直後の発光輝度（Ｌ０）［ｃｄ／ｍ^２］を測定することにより、外部取り出し量子効率（η）を算出した。

ここで、発光輝度の測定はＣＳ−２０００（コニカミノルタ（株）製）を用いて行い、外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子１０１を１００とする相対値で表した。

なお、値が大きいほうが発光効率に優れていることを示す。

（２）半減寿命
下記測定法に従って、半減寿命の評価を行った。

各有機ＥＬ素子を初期輝度４０００ｃｄ／ｍ^２を与える電流で定電流駆動して、初期輝度の１／２になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。なお、半減寿命は有機ＥＬ素子１０１を１００とする相対値で表した。

なお、値が大きいほうが比較に対して耐久性に優れていることを示す。

（３）高温保存安定性評価
有機ＥＬ素子を高温条件下（約５０±５℃）の恒温槽に入れ、上記（２）半減寿命の測定法と同条件で半減寿命の評価を行い、下記式を用いて耐熱性を算出した。

耐熱性（％）＝（高温条件下での半減寿命）／（室温での半減寿命）×１００
表１には有機ＥＬ素子１０１を１００とする相対値で表した。耐熱性の値が大きいほうが比較に対して温度変化に対する耐久性が高い、つまり高温保存安定性が優れていることを示す。

表１より、本発明の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子１０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

〔参考例２〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子２０１の作製
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで製膜し、パターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。

真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。前記抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製を用いた。

真空度１×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＨＩ−２の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒でＩＴＯ透明電極上に蒸着し、層厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。

次いで、ＨＴ−２を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

次いで、比較のホスト化合物である比較化合物２とＧＤ−２の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着し、層厚３０ｎｍの発光層を形成した。

次いで、ＨＢ−２を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚５ｎｍの第一電子輸送層を形成した。

さらにその上に、ＥＴ−２を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚４５ｎｍの第二電子輸送層を形成した。

その後、フッ化リチウムを厚さ０．５ｎｍになるよう蒸着した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子２０１を作製した。

作製後、有機ＥＬ素子２０１の非発光面を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下にてガラスケースで覆い、層さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを前記陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子２０２〜２１２の作製》
有機ＥＬ素子２０１の作製において、ホスト化合物を表２に記載のホスト化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子２０２〜２１２を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子２０１〜２１２の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。

外部取り出し量子効率、半減寿命、高温保存安定性評価については、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子２０１の各特性値を１００とする相対値で表した。

評価結果を表２に示す。

表２より、参考例の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子２０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

〔参考例３〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子３０１の作製
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで製膜し、パターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。

真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。前記抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製を用いた。

真空度１×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＨＩ−２の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒でＩＴＯ透明電極上に蒸着し、層厚２０ｎｍの正孔注入層を形成した。

次いで、ＨＴ−１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

次いで、比較のホスト化合物である比較化合物３とＧＤ−３の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着し、層厚３０ｎｍの発光層を形成した。

次いで、ＨＢ−３を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚１０ｎｍの第一電子輸送層を形成した。

さらにその上に、ＥＴ−２を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚４０ｎｍの第二電子輸送層を形成した。

その後、フッ化リチウムを厚さ０．５ｎｍになるよう蒸着した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子３０１を作製した。

作製後、有機ＥＬ素子３０１の非発光面を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下にてガラスケースで覆い、層さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを前記陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子３０２〜３１２の作製》
有機ＥＬ素子３０１の作製において、ホスト化合物を表３に記載のホスト化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子３０２〜３１２を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子３０１〜３１２の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。

外部取り出し量子効率、半減寿命、高温保存安定性評価については、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子３０１の各特性値を１００とする相対値で表した。

評価結果を表３に示す。

表３より、参考例の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子３０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

〔参考例４〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子４０１の作製
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１２０ｎｍの厚さで製膜し、パターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用い、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、層厚２０ｎｍの正孔注入層を設けた。

次に、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。

真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製を用いた。

真空度１×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＨＴ−２の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔注入層上に蒸着し、層厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

次いで、比較のホスト化合物である比較化合物４とＧＤ−１の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着し、層厚４０ｎｍの発光層を形成した。

次いで、ＥＴ−１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚４０ｎｍの電子輸送層を形成した。

その上に、フッ化リチウムを厚さ０．５ｎｍになるよう蒸着した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子４０１を作製した。

作製後、有機ＥＬ素子４０１の非発光面を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下にてガラスケースで覆い、層さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを前記陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子４０２〜４１２の作製》
有機ＥＬ素子４０１の作製において、ホスト化合物を表４に記載のホスト化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子４０２〜４１２を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子４０１〜４１２の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。

外部取り出し量子効率、半減寿命、高温保存安定性評価については、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子４０１の各特性値を１００とする相対値で表した。

評価結果を表４に示す。

表４より、参考例の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子４０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

〔参考例５〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子５０１の作製
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１２０ｎｍの厚さで製膜し、パターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用い、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、層厚２０ｎｍの正孔注入層を設けた。

次に、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。

真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製を用いた。

真空度１×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＨＴ−４の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔注入層上に蒸着し、層厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

次いで、比較のホスト化合物である比較化合物１とＧＤ−１の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着し、層厚４０ｎｍの発光層を形成した。

次いで、ＨＢ−１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚５ｎｍの第一電子輸送層を形成した。

さらにその上に、ＥＴ−３を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚３０ｎｍの第二電子輸送層を形成した。

その後、フッ化リチウムを厚さ０．５ｎｍになるよう蒸着した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子５０１を作製した。

作製後、有機ＥＬ素子５０１の非発光面を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下にてガラスケースで覆い、層さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを前記陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子５０２〜５１２の作製》
有機ＥＬ素子５０１の作製において、ホスト化合物を表５に記載のホスト化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子５０２〜５１２を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子５０１〜５１２の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。

外部取り出し量子効率、半減寿命、高温保存安定性評価については、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子５０１の各特性値を１００とする相対値で表した。

評価結果を表５に示す。

表５より、参考例の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子５０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

表５より、本発明の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子５０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。
〔参考例６〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子６０１の作製
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで製膜し、パターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。

真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。前記抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製を用いた。

真空度１×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＨＩ−１の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒でＩＴＯ透明電極上に蒸着し、層厚１５ｎｍの正孔注入層を形成した。

次いで、ＨＴ−３を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

次いで、比較のホスト化合物である比較化合物２とＧＤ−２の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着し、層厚４０ｎｍの発光層を形成した。

次いで、ＥＴ−２を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚４０ｎｍの第二電子輸送層を形成した。

さらにその上に、フッ化リチウムを厚さ０．５ｎｍになるよう蒸着した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子６０１を作製した。

作製後、有機ＥＬ素子６０１の非発光面を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下にてガラスケースで覆い、層さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを前記陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子６０２〜６１１の作製》
有機ＥＬ素子６０１の作製において、ホスト化合物を表６に記載のホスト化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子６０２〜６１１を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子６０１〜６１１の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。

外部取り出し量子効率、半減寿命、高温保存安定性評価については、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子６０１の各特性値を１００とする相対値で表した。

評価結果を表６に示す。

表６より、参考例の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子６０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

〔参考例７〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子７０１の作製
参考例６に記載の有機ＥＬ素子６０１の作製において、ＨＴ−３の代わりにＨＴ−２を用い、比較化合物２の代わりに比較化合物３を用い、ＧＤ−２の代わりにＧＤ−４を用い、ＥＴ−２の代わりにＥＴ−３を用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子７０１を作製した。作製後、実施例１と同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子７０２〜７１１の作製》
有機ＥＬ素子７０１の作製において、ホスト化合物を表７に記載のホスト化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子７０２〜７１１を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子７０１〜７１１の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。

外部取り出し量子効率、半減寿命、高温保存安定性評価については、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子７０１の各特性値を１００とする相対値で表した。

評価結果を表７に示す。

表７より、参考例の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子７０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

〔参考例８〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子８０１の作製
参考例２に記載の有機ＥＬ素子２０１の作製において、ＨＴ−２の代わりにＨＴ−３を用い、比較化合物２の代わりに比較化合物４を用い、ＧＤ−２の代わりにＧＤ−３を用い、ＨＢ−２の代わりにＨＢ−３を用い、ＥＴ−２の代わりにＥＴ−３を用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子８０１を作製した。作製後、実施例１と同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子８０２〜８１１の作製》
有機ＥＬ素子８０１の作製において、ホスト化合物を表８に記載のホスト化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子８０２〜８１１を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子８０１〜８１１の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。

外部取り出し量子効率、半減寿命、高温保存安定性評価については、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子８０１の各特性値を１００とする相対値で表した。

評価結果を表８に示す。

表８より、参考例の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子８０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

〔参考例９〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子９０１の作製
実施例２に記載の有機ＥＬ素子２０１の作製において、ＨＴ−２の代わりにＨＴ−４を用い、比較化合物２の代わりに比較化合物１を用い、ＧＤ−２の代わりにＧＤ−４を用い、ＨＢ−２の代わりにＨＢ−３を用い、ＥＴ−２の代わりにＥＴ−４を用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子９０１を作製した。作製後、実施例１と同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子９０２〜９１１の作製》
有機ＥＬ素子９０１の作製において、ホスト化合物を表９に記載のホスト化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子９０２〜９１１を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子９０１〜９１１の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。

外部取り出し量子効率、半減寿命、高温保存安定性評価については、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子９０１の各特性値を１００とする相対値で表した。

評価結果を表９に示す。

表９より、参考例の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子９０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

〔参考例１０〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子１００１の作製
実施例４に記載の有機ＥＬ素子４０１の作製において、ＨＴ−２の代わりにＨＴ−３を用い、比較化合物４の代わりに比較化合物２を用い、ＥＴ−１の代わりにＥＴ−４を用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１００１を作製した。作製後、実施例１と同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子１００２〜１０１３の作製》
有機ＥＬ素子１００１の作製において、ホスト化合物を表１０に記載のホスト化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子１００２〜１０１３を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子１００１〜１０１３の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。

外部取り出し量子効率、半減寿命、高温保存安定性評価については、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子１００１の各特性値を１００とする相対値で表した。

評価結果を表１０に示す。

表１０より、参考例の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子１００１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

〔参考例１１〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子１１０１の作製
実施例５に記載の有機ＥＬ素子５０１の作製において、ＨＴ−４の代わりにＨＴ−１を用い、比較化合物１の代わりに比較化合物３を用い、ＧＤ−１の代わりにＧＤ−４を用い、ＥＴ−３の代わりにＥＴ−２を用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１１０１を作製した。作製後、実施例１と同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子１１０２〜１１１２の作製》
有機ＥＬ素子１１０１の作製において、ホスト化合物を表１１に記載のホスト化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子１１０２〜１１１２を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子１１０１〜１１１２の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。

外部取り出し量子効率、半減寿命、高温保存安定性評価については、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子１１０１の各特性値を１００とする相対値で表した。

評価結果を表１１に示す。

表１１より、参考例の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子１１０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

〔参考例１２〕
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）有機ＥＬ素子１２０１の作製
実施例１に記載の有機ＥＬ素子１０１の作製において、ＨＴ−１の代わりにＨＴ−４を用い、比較化合物１の代わりに比較化合物４を用い、ＧＤ−１の代わりにＧＤ−３を用い、ＨＢ−１の代わりにＨＢ−２を用い、ＥＴ−１の代わりにＥＴ−３を用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１２０１を作製した。作製後、実施例１と同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子１２０２〜１２１４の作製》
有機ＥＬ素子１２０１の作製において、ホスト化合物を表１２に記載のホスト化合物に変更した。それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子１２０２〜１２１４を作製した。作製後、同様に図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を作製し、これをサンプルとした。

《有機ＥＬ素子１２０１〜１２１４の評価》
各サンプルについて下記の評価を行った。

外部取り出し量子効率、半減寿命、高温保存安定性評価については、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子１２０１の各特性値を１００とする相対値で表した。

評価結果を表１２に示す。

表１２より、参考例の有機ＥＬ素子は比較の有機ＥＬ素子１２０１に比べ、外部取り出し量子効率、半減寿命及び高温保存安定性に優れていることが分かる。

〔参考例１３〕
《フルカラー表示装置の作製》
（１）青色発光素子の作製
《有機ＥＬ素子１３０１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を厚さ１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにＨＴ−１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてｍＣＰ（１，３−ビスーＮカルバゾリルベンゼン）を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＨＢ−２を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに発光ドーパントとしてＢＤ−１を１００ｍｇ入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＥＴ−２を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。

次に、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＨＴ−１の入った前記モリブデン製抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着し、層厚４０ｎｍの正孔輸送層を設けた。

更に、ｍＣＰ（１，３−ビスーＮカルバゾリルベンゼン）とＢＤ−１の入った前記モリブデン製抵抗加熱ボートを通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．０１２ｎｍ／秒で、前記正孔輸送層上に共蒸着して、厚さ４０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温とした。

更に、ＨＢ−２の入った前記モリブデン製抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で、前記発光層上に蒸着して、厚さ１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。

更に、ＥＴ−２の入った前記抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で、前記正孔阻止層上に蒸着して、厚さ４０ｎｍの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温とした。

引き続きフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１３０１を作製した。

作製後、有機ＥＬ素子１３０１の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを前記陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３及び図４に示すような構成からなる照明装置を構成し、これをサンプルとした。
（２）緑色発光素子の作製
実施例５の有機ＥＬ素子５０８を緑色発光素子として用いた。
（３）赤色発光素子の作製
《有機ＥＬ素子１３０２の作製》
緑色発光素子である実施例５の有機ＥＬ素子５０８において、発光ドーパントをＧＤ−１からＲＤ−１に変更した。それ以外は青色発光素子１３０１と同様にして、赤色発光素子である有機ＥＬ素子１３０２を作製した。
（４）表示装置の作製
上記で作製した赤色、緑色、青色発光有機ＥＬ素子を同一基板上に並列配置し、図１に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。

図２には、作製した前記表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。

図２に示すとおり、表示部Ａは同一基板上に複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と並列配置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有している。配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料から構成されている。走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。

複数の画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が送信されるとデータ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように赤、緑、青の画素３を適宜、並列配置することによって、フルカラー表示装置を作製した。

得られたフルカラーの表示装置は、駆動することにより、輝度が高く、高耐久性を有し、且つ高温時での保存性に優れたフルカラー動画表示が得られることが確認できた。

１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
１０１ 有機ＥＬ素子
１０２ ガラスカバー
１０５ 陰極
１０６ 有機ＥＬ層
１０７ 透明電極尽きガラス基板
１０８ 窒素ガス
１０９ 捕水剤

Claims (14)

1. 陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層のうち少なくとも１層に、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）又は（Ｌ３）で表される構造を有する芳香族複素環誘導体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   

   

   

   

   

   

   

   （一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）又は（Ｌ３）中、
   Ｙ_１、Ｙ_２及びＹ_３は、それぞれ独立に、ＣＲ′又は窒素原子を表し、Ｙ_１、Ｙ_２又はＹ_３の少なくとも一つは窒素原子である。
   Ｒ′、Ａｒ_１及びＡｒ_２は、
   水素原子、
   置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、又は、
   置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基を表す。
   Ｒ′、Ａｒ_１及びＡｒ_２が全て同時に水素原子であることはない。
   Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
   Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
   但しＲａ、Ｒｂの少なくとも一方は、置換基を表す。
   Ｌ_１は、
   単結合、
   置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキレン基、
   置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は
   これらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。
   Ｌ_２は、
   単結合、
   置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキレン基、
   置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、
   置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基、又は
   これらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。
   Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、
   水素原子、
   置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、シアノ基、ハロゲン原子、又は、
   無置換若しくは下記一般式（Ａ−１）又は（Ａ−２）から選択される構造を置換基として有する環形成炭素数６〜３０のアリール基を表す。
   Ｒ_３は、
   置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、
   置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は、
   置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基を表す。
   Ｒ _１ 、Ｒ_２、Ｒａ及びＲｂはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   

   

   一般式（Ａ−１）及び（Ａ−２）中、
   Ａ_１〜Ａ_５及びＡ_１１〜Ａ_１８は、それぞれ独立に、ＣＲｃ又は窒素原子を表し、
   Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子、置換基又は結合手を表す。
   Ａ_１〜Ａ_５のうち一つ、及び、Ａ_１１〜Ａ_１８のうち一つは、ＣＲｃであり、かつＲｃはＲ_１又はＲ_２で表される環形成炭素数６〜３０のアリール基と直接結合する結合手である。
   他のＲｃは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、隣接するＲｃ同士が互いに結合し、環構造を形成してもよい。
   Ｘ_１１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。）
2. 前記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）及び（Ｌ３）において、Ｌ_１が単結合、フェニレン基、ビフェニレン基又は炭素数２以下のアルキレン基を表すことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 前記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）及び（Ｌ３）において、Ｌ_２が単結合、フェニレン基、ヘテロアリーレン基又は炭素数２以下のアルキレン基を表すことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 前記芳香族複素環誘導体が、下記式（Ｉ）で表される前記芳香族複素環誘導体のＸを含む縮合環の２位又は４位のいずれかの位置にＬ _１ が結合している、前記一般式（Ａ２）、（Ａ４）、（Ｂ４）、（Ｃ２）、（Ｉ２）、（Ｉ４）、（Ｊ４）、（Ｋ２）又は（Ｋ４）であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   
5. 前記芳香族複素環誘導体が、下記式（Ｉ）で表される前記芳香族複素環誘導体のＸを含む縮合環の５位又は７位のいずれかの位置にＬ _２ が結合している、前記一般式（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｌ１）又は（Ｌ３）であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   
6. 前記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）及び（Ｌ３）において、Ｙ_１〜Ｙ_３が、全て窒素原子を表すことを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 前記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）及び（Ｌ３）において、Ａｒ_１及びＡｒ_２が、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基を表すことを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 前記芳香族複素環誘導体を含有する前記有機層が、発光層であることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 前記発光層が、前記芳香族複素環誘導体をホスト化合物として含有することを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 前記発光層が、リン光発光性化合物を含有することを特徴とする請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 前記発光層が、前記芳香族複素環誘導体とは異なる構造を有するホスト化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とする表示装置。
13. 請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とする照明装置。
14. 下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）又は（Ｌ３）で表される構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用の芳香族複素環誘導体。
    

    

    

    

    

    

    

    

    

    （一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ｂ１）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）、（Ｄ３）、（Ｉ１）、（Ｉ２）、（Ｉ３）、（Ｉ４）、（Ｊ１）、（Ｊ３）、（Ｊ４）、（Ｋ１）、（Ｋ２）、（Ｋ３）、（Ｋ４）、（Ｌ１）又はＬ３）中、
    Ｙ_１、Ｙ_２及びＹ_３は、それぞれ独立に、ＣＲ′又は窒素原子を表し、Ｙ_１、Ｙ_２又はＹ_３の少なくとも一つは窒素原子である。
    Ｒ′、Ａｒ_１及びＡｒ_２は、
    水素原子、
    置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、又は、
    置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基を表す。
    Ｒ′、Ａｒ_１及びＡｒ_２が全て同時に水素原子であることはない。
    Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
    Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
    但しＲａ、Ｒｂの少なくとも一方は、置換基を表す。
    Ｌ_１は、
    単結合、
    置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキレン基、
    置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は
    これらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。
    Ｌ_２は、
    単結合、
    置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキレン基、
    置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、
    置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基、又は
    これらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。
    Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、
    水素原子、
    置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、シアノ基、ハロゲン原子、又は、
    無置換若しくは下記一般式（Ａ−１）又は（Ａ−２）から選択される構造を置換基として有する環形成炭素数６〜３０のアリール基を表す。
    Ｒ_３は、
    置換若しくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基、
    置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は、
    置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基を表す。
    Ｒ _１ 、Ｒ_２、Ｒａ及びＲｂはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
    

    

    一般式（Ａ−１）及び（Ａ−２）中、
    Ａ_１〜Ａ_５及びＡ_１１〜Ａ_１８は、それぞれ独立に、ＣＲｃ又は窒素原子を表し、
    Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子、置換基又は結合手を表す。
    Ａ_１〜Ａ_５のうち一つ、及び、Ａ_１１〜Ａ_１８のうち一つは、ＣＲｃであり、かつＲｃはＲ_１又はＲ_２で表される環形成炭素数６〜３０のアリール基と直接結合する結合手である。
    他のＲｃは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、隣接するＲｃ同士が互いに結合し、環構造を形成してもよい。
    Ｘ_１１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。）

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