JP6310929B2 - 表面検査における照明エネルギー管理 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 29
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 207
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8835—Adjustable illumination, e.g. software adjustable screen
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
Claims (29)
- ウェーハの表面に印加される照明エネルギーを管理するシステムであって、
ウェーハを受け入れるように構成されるサンプル・ステージと、
前記サンプル・ステージに機械的に連結するモーターであって、前記サンプル・ステージを動かして、選択されたスピン周波数で前記ウェーハを回転させるように構成されるモーターと、
第1のエネルギーレベルを有する照明で前記ウェーハの第1の部分を照らし、第2のエネルギーレベルを有する照明で前記ウェーハの第2の部分を照らすように構成された照明システムであって、前記第1のエネルギーレベルまたは前記第2のエネルギーレベルのうちの少なくとも1つは、前記ウェーハの中心から測定される前記ウェーハの照射部分の半径方向距離および前記選択されたスピン周波数を利用して決定される照明システムと、
を備えるシステム。 - 前記第1のエネルギーレベルまたは前記第2のエネルギーレベルのうちの少なくとも1つは、前記ウェーハの前記照射部分の前記半径方向距離および前記選択されたスピン周波数と比例している請求項1に記載のシステム。
- 前記照明システムは、選択された減衰によって前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルを減衰させるように構成される少なくとも1つのエネルギー・コントローラを含み、前記少なくとも1つのエネルギー・コントローラは、光学機械式装置、電気装置、または電気光学装置のうちの少なくとも1つを含む請求項1に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つのエネルギー・コントローラはポッケルスセルを含む請求項3に記載のシステム。
- 前記照明システムは、一定の減衰によって前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明の前記エネルギーレベルを減衰させるように構成される少なくとも1つの光学要素を更に含む請求項3に記載のシステム。
- 前記照明システムは、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のスポットサイズを制御するように構成される少なくとも1つの集束要素を含み、スポットサイズは、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルに関連する請求項1に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの集束要素は少なくとも1つの屈折要素を含む請求項6に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの屈折要素は、放射対称性を有するレンズ、円柱レンズ、非点収差レンズ、アナモルフィック・プリズム・ペア、複数の光学レンズから成る多素子レンズアセンブリのうちの少なくとも1つを含む請求項7に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの屈折要素は、少なくとも1つのズーム・レンズ・アセンブリを含む請求項6に記載のシステム。
- 前記照明システムは、
波長板と、
偏光要素と、
前記波長板または前記偏光要素のうちの少なくとも1つに機械的に連結する少なくとも1つのモーターであって、前記波長板または前記偏光要素のうちの少なくとも1つを回転させて、前記波長板および前記偏光要素によって前記ウェーハの前記照射部分に向けられる照明のエネルギーレベルを制御するように構成されるモーターと、
を含む請求項1に記載のシステム。 - 前記サンプル・ステージに機械的に連結する作動アームを更に含み、前記作動アームは、
前記照明システムと関連して前記サンプル・ステージを動かして、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明の焦点レベルを制御するように構成されて、焦点レベルは、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルに関連する請求項1に記載のシステム。 - 前記サンプル・ステージに機械的に連結する作動アームを更に含み、前記作動アームは、前記照明システムと関連して前記サンプル・ステージを動かして、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明の走査ピッチを制御するように構成されて、走査ピッチは、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルに関連する請求項1に記載のシステム。
- 前記照明システムは、
前記第1のエネルギーレベルを有する照明で前記ウェーハの前記第1の部分を照らし、
前記第2のエネルギーレベルを有する照明で前記ウェーハの前記第2の部分を照らし、
第3のエネルギーレベルを有する照明で前記ウェーハの第3の部分を照らし、
前記ウェーハの前記第1の部分は、前記ウェーハの前記中心からの選択された半径方向距離より小さく、
前記ウェーハの前記第2の部分は、前記ウェーハの前記中心からの前記選択された半径方向距離より小さく、
前記ウェーハの前記第3の部分は、前記ウェーハの前記中心からの前記選択された半径方向距離より大きい、
ように更に構成される請求項1に記載のシステム。 - ウェーハの表面に印加される照明エネルギーを管理する方法であり、
ウェーハを受け入れる工程と、
選択されたスピン周波数で前記ウェーハを回転させる工程と、
第1のエネルギーレベルを有する照明で前記ウェーハの第1の部分を照らす工程と、
第2のエネルギーレベルを有する照明で前記ウェーハの第2の部分を照らす工程と、
を含む方法であって、
前記第1のエネルギーレベルまたは前記第2のエネルギーレベルのうちの少なくとも1つは、前記ウェーハの中心からの前記ウェーハの照射部分の半径方向距離および前記選択されたスピン周波数を利用して決定される方法。 - 前記第1のエネルギーレベルまたは前記第2のエネルギーレベルのうちの少なくとも1つは、前記ウェーハの前記照射部分の前記半径方向距離および前記選択されたスピン周波数と比例している請求項14に記載の方法。
- 選択された減衰によって前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルを減衰させる工程を更に含む請求項14に記載の方法。
- 一定の減衰によって前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルを減衰させる工程を更に含む請求項16に記載の方法。
- 前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のスポットサイズを制御する工程を更に含み、スポットサイズは前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルに関連する請求項14に記載の方法。
- 照明を波長板および偏光要素によって前記ウェーハの前記照射部分に向ける工程と、
前記波長板または前記偏光要素のうちの少なくとも1つを回転させて、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルを制御する工程と、
を更に含む請求項14に記載の方法。 - 前記ウェーハをサンプル・ステージに配置する工程と、
照明システムと関連して前記サンプル・ステージを動かして、前記ウェーハの前記照射部分に前記照明システムから供給される照明の焦点レベルを制御する工程であって、焦点レベルは、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルに関連する工程と、
を更に含む請求項14に記載の方法。 - 前記ウェーハをサンプル・ステージに配置する工程と、
照明システムと関連して前記サンプル・ステージを動かして、前記ウェーハの前記照射部分に前記照明システムから供給される照明の走査ピッチを制御する工程であって、走査ピッチは、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルに関連する工程と、
を更に含む請求項14に記載の方法。 - ウェーハの表面に印加される照明エネルギーを管理する方法であって、
ウェーハを受け入れる工程と、
選択されたスピン周波数で前記ウェーハを回転させる工程と、
前記ウェーハの中心からの前記ウェーハの第1の部分の第1の半径方向距離および選択されたスピン周波数を利用して決定される第1のエネルギーレベルを有する照明で前記ウェーハの前記第1の部分を照らす工程であって、前記ウェーハの前記第1の部分は、前記ウェーハの前記中心からの選択された半径方向距離より小さい工程と、
前記ウェーハの中心からの前記ウェーハの第2の部分の第2の半径方向距離および選択されたスピン周波数を利用して決定される第2のエネルギーレベルを有する照明で前記ウェーハの前記第2の部分を照らす工程であって、前記ウェーハの前記第2の部分は、前記ウェーハの前記中心からの前記選択された半径方向距離より小さい工程と、
第3のエネルギーレベルを有する照明で前記ウェーハの第3の部分を照らす工程であって、前記ウェーハの前記第3の部分は、前記ウェーハの前記中心からの前記選択された半径方向距離より大きい工程と、
を含む方法。 - 前記第1のエネルギーレベルまたは前記第2のエネルギーレベルのうちの少なくとも1つは、前記ウェーハの前記中心からの前記ウェーハの照射部分の半径方向距離および前記選択されたスピン周波数と比例している請求項22に記載の方法。
- 選択された減衰によって前記ウェーハの照射部分に供給される照明のエネルギーレベルを減衰させる工程を更に含む請求項22に記載の方法。
- 一定の減衰によって前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルを減衰させる工程を更に含む請求項24に記載の方法。
- 前記ウェーハの照射部分に供給される照明のスポットサイズを制御する工程を更に含み、スポットサイズは、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルに関連する請求項22に記載の方法。
- 照明を波長板および偏光要素によって前記ウェーハの照射部分に向ける工程と、
前記波長板または前記偏光要素のうちの少なくとも1つを回転させて、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルを制御する工程と、
を更に含む請求項22に記載の方法。 - 前記ウェーハをサンプル・ステージに配置する工程と、
照明システムと関連して前記サンプル・ステージを動かして、前記ウェーハの照射部分に前記照明システムから供給される照明の焦点レベルを制御する工程であって、焦点レベルは、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルに関連する工程と、
を更に含む請求項22に記載の方法。 - 前記ウェーハをサンプル・ステージに配置する工程と、
照明システムと関連して前記サンプル・ステージを動かして、前記ウェーハの照射部分に前記照明システムから供給される照明の走査ピッチを制御する工程であって、走査ピッチは、前記ウェーハの前記照射部分に供給される照明のエネルギーレベルに関連する工程と、
を更に含む請求項22に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/662,626 US8786850B2 (en) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | Illumination energy management in surface inspection |
US13/662,626 | 2012-10-29 | ||
PCT/US2013/067262 WO2014070736A1 (en) | 2012-10-29 | 2013-10-29 | Illumination energy management in surface inspection |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016502655A JP2016502655A (ja) | 2016-01-28 |
JP6310929B2 true JP6310929B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=50546839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015539911A Active JP6310929B2 (ja) | 2012-10-29 | 2013-10-29 | 表面検査における照明エネルギー管理 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8786850B2 (ja) |
JP (1) | JP6310929B2 (ja) |
TW (2) | TWI683999B (ja) |
WO (1) | WO2014070736A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10551320B2 (en) * | 2017-01-30 | 2020-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Activation of wafer particle defects for spectroscopic composition analysis |
KR102160170B1 (ko) * | 2018-11-21 | 2020-09-25 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 표면의 파티클 측정 장치 및 방법 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4373804A (en) * | 1979-04-30 | 1983-02-15 | Diffracto Ltd. | Method and apparatus for electro-optically determining the dimension, location and attitude of objects |
US6271916B1 (en) * | 1994-03-24 | 2001-08-07 | Kla-Tencor Corporation | Process and assembly for non-destructive surface inspections |
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-
2012
- 2012-10-29 US US13/662,626 patent/US8786850B2/en active Active
-
2013
- 2013-10-29 JP JP2015539911A patent/JP6310929B2/ja active Active
- 2013-10-29 TW TW107123303A patent/TWI683999B/zh active
- 2013-10-29 TW TW102139154A patent/TWI632364B/zh active
- 2013-10-29 WO PCT/US2013/067262 patent/WO2014070736A1/en active Application Filing
-
2014
- 2014-07-21 US US14/336,810 patent/US9194812B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140118729A1 (en) | 2014-05-01 |
TW201835560A (zh) | 2018-10-01 |
TWI632364B (zh) | 2018-08-11 |
WO2014070736A1 (en) | 2014-05-08 |
US20140328043A1 (en) | 2014-11-06 |
TWI683999B (zh) | 2020-02-01 |
TW201428277A (zh) | 2014-07-16 |
US9194812B2 (en) | 2015-11-24 |
US8786850B2 (en) | 2014-07-22 |
JP2016502655A (ja) | 2016-01-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161025 |
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A977 | Report on retrieval |
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