JP6307844B2 - Printed wiring board - Google Patents

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本発明は、プリント配線板に関する。 The present invention relates to a printed wiring board.

特許文献1は、配線基板を開示している。特許文献1の図1に示されている配線基板は筒状のスルーホール導体とスルーホール導体内に充填されているプラグ材とスルーホール導体とプラグ材を覆うカバー導体層とカバー導体層上に形成されている複数のビア導体を有する。特許文献1の図1では、カバー導体層は符号12で示されている。 Patent Document 1 discloses a wiring board. The wiring board shown in FIG. 1 of Patent Document 1 has a cylindrical through-hole conductor, a plug material filled in the through-hole conductor, a cover conductor layer covering the through-hole conductor, the plug material, and a cover conductor layer. It has a plurality of via conductors formed. In FIG. 1 of Patent Document 1, the cover conductor layer is denoted by reference numeral 12.

特開2002−076636号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-076636

プリント配線板の高密度化が進んでいるので、ビア導体の径が小さくなっている。そのため、特許文献1の図1に示されるようなスルーホール導体内に充填樹脂を有するプリント配線板では、スルーホール導体内の充填樹脂の物性とコア基板を形成している絶縁基板の物性の違いから、カバー導体層とカバー導体層上のビア導体間の接続信頼性が低下すると予想される。ビア導体のボトム径が55μm以下になると、そのような問題が特に顕著になると考えられる。また、プリント配線板に搭載される電子部品の高機能化が進んでいる。そのため、発熱が大きくなっている。発熱により、カバー導体層とカバー導体層上のビア導体間に働く応力は大きくなると予想される。熱応力により、カバー導体層とカバー導体層上のビア導体間の接続信頼性が低下すると考えられる。特許文献1のプリント配線板が車載基板に用いられると、熱応力の影響により、接続信頼性が低くなると推察される。 As the density of printed wiring boards is increasing, the diameter of via conductors is decreasing. Therefore, in the printed wiring board having the filling resin in the through-hole conductor as shown in FIG. 1 of Patent Document 1, the difference between the physical properties of the filling resin in the through-hole conductor and the physical properties of the insulating substrate forming the core substrate. Therefore, it is expected that the connection reliability between the cover conductor layer and the via conductor on the cover conductor layer is lowered. It is considered that such a problem becomes particularly remarkable when the bottom diameter of the via conductor is 55 μm or less. In addition, the functionality of electronic components mounted on printed wiring boards is increasing. Therefore, the heat generation is large. Due to heat generation, the stress acting between the cover conductor layer and the via conductor on the cover conductor layer is expected to increase. It is considered that the connection reliability between the cover conductor layer and the via conductor on the cover conductor layer decreases due to the thermal stress. When the printed wiring board of patent document 1 is used for a vehicle-mounted board | substrate, it is guessed that connection reliability becomes low under the influence of a thermal stress.

本発明の目的は、高い接続信頼性を有するプリント配線板を提供することである。 An object of the present invention is to provide a printed wiring board having high connection reliability.

本発明の第1の観点に係るプリント配線板は、第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する絶縁基板と前記絶縁基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔の壁上に形成されている筒状のスルーホール導体と前記スルーホール導体内を充填している充填樹脂と前記絶縁基板の第1面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第1スルーホールランドと前記絶縁基板の第2面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第2スルーホールランドとで形成されているコア基板と、前記絶縁基板の第1面と前記第1スルーホールランド上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層と、前記上側の層間樹脂絶縁層上に形成されていて、上側のビアランドを含む上側の導体層と、前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通し、前記上側のビアランドと前記第1スルーホールランドを接続している複数の上側のビア導体を有する。そして、前記複数の上側のビア導体は前記第1スルーホールランドの直上に形成されていて、前記複数の上側のビア導体は、前記充填樹脂上に位置する中央ビア導体と前記中央ビア導体を囲む周囲ビア導体を含み、前記上側の層間樹脂絶縁層と前記上側の導体層上に形成されている最上の層間樹脂絶縁層と、前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され最上のビアランドを含む最上の導体層と、前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通し前記上側のビアランドと前記最上のビアランドを接続する複数の最上のビア導体を有し、前記複数の最上のビア導体は中央ビア導体と前記中央ビア導体を囲む周囲ビア導体を含み、前記最上のビア導体の前記中央ビア導体は前記上側のビア導体の前記中央ビア導体上に位置し、前記最上のビア導体の前記周囲ビア導体は前記上側のビア導体の前記周囲ビア導体上に位置していない。 A printed wiring board according to a first aspect of the present invention includes an insulating substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a through hole penetrating the insulating substrate, and a wall of the through hole. A cylindrical through-hole conductor formed on the first substrate, a filling resin filling the through-hole conductor, and a first surface formed on the first surface of the insulating substrate and covering the through-hole conductor and the filling resin. A core substrate formed by a through hole land and a second through hole land formed on the second surface of the insulating substrate and covering the through hole conductor and the filling resin; and a first surface of the insulating substrate; An upper interlayer resin insulation layer formed on the first through-hole land, an upper conductor layer formed on the upper interlayer resin insulation layer and including an upper via land, and the upper interlayer resin Penetrate the insulation layer, Having a plurality of upper via conductor connecting serial upper via land and the first through hole land. The plurality of upper via conductors are formed immediately above the first through-hole land, and the plurality of upper via conductors surround a central via conductor located on the filling resin and the central via conductor. look-containing ambient via conductor includes a uppermost interlayer resin insulation layer formed on the conductor layer of the upper and the upper interlayer resin insulating layers, the uppermost via land formed on the uppermost interlayer resin insulation layer An uppermost conductor layer; and a plurality of uppermost via conductors that pass through the uppermost interlayer resin insulation layer and connect the upper via land and the uppermost via land, and the plurality of uppermost via conductors are formed as central via conductors. A peripheral via conductor surrounding the central via conductor, the central via conductor of the uppermost via conductor being located on the central via conductor of the upper via conductor and the peripheral via conductor of the uppermost via conductor; Not located on the periphery via conductor of said upper via conductor.

本発明の別の観点に係るプリント配線板は、第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する絶縁基板と前記絶縁基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔の壁上に形成されている筒状のスルーホール導体と前記スルーホール導体内を充填している充填樹脂と前記絶縁基板の第1面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第1スルーホールランドと前記絶縁基板の第2面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第2スルーホールランドとで形成されているコア基板と、前記絶縁基板の第1面と前記第1スルーホールランド上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層と、前記上側の層間樹脂絶縁層上に形成されていて、上側のビアランドを含む上側の導体層と、前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通し、前記上側のビアランドと前記第1スルーホールランドを接続しているリング状のビア導体を有する。そして、前記リング状のビア導体は前記第1スルーホールランドの直上に形成され、さらに、前記上側の層間樹脂絶縁層と前記上側の導体層上に形成されている最上の層間樹脂絶縁層と、前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され最上のビアランドを含む最上の導体層と、前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通し前記上側のビアランドと前記最上のビアランドを接続するリング状のビア導体を有し、前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通するリング状のビア導体の径と前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通するリング状のビア導体の径が異なる。
A printed wiring board according to another aspect of the present invention includes an insulating substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a through hole penetrating the insulating substrate, and a wall of the through hole. A cylindrical through-hole conductor formed, a filling resin filling the through-hole conductor, and a first through formed on the first surface of the insulating substrate and covering the through-hole conductor and the filling resin A core substrate formed by a hole land and a second through-hole land formed on the second surface of the insulating substrate and covering the through-hole conductor and the filling resin; a first surface of the insulating substrate; An upper interlayer resin insulation layer formed on the first through-hole land, an upper conductor layer formed on the upper interlayer resin insulation layer and including the upper via land, and the upper interlayer resin insulation Penetrates the layer and before Having a ring-shaped via conductors connected to the upper side of the via land of the first through hole land. The ring-shaped via conductor is formed immediately above the first through-hole land, and further, the upper interlayer resin insulation layer and the uppermost interlayer resin insulation layer formed on the upper conductor layer, An uppermost conductor layer including the uppermost via land formed on the uppermost interlayer resin insulating layer; and a ring-shaped via conductor that penetrates the uppermost interlayer resin insulating layer and connects the upper via land and the uppermost via land. And the diameter of the ring-shaped via conductor that penetrates the upper interlayer resin insulation layer is different from the diameter of the ring-shaped via conductor that penetrates the uppermost interlayer resin insulation layer.

図1(A)、図1(C)は第1スルーホールランドと第1スルーホールランド上の上側のビア導体を示す模式図であり、図1(B)は第1実施形態に係るプリント配線板の断面図である。1A and 1C are schematic views showing the first through-hole land and the upper via conductor on the first through-hole land, and FIG. 1B is a printed wiring according to the first embodiment. It is sectional drawing of a board. 第1実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on 1st Embodiment 第1実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on 1st Embodiment. 図9(A)は、第1実施形態に係る上側のビア導体と最上のビア導体の配置を示す模式図であり、図9(B)は、第1実施形態に係る下側のビア導体と最下のビア導体の配置を示す模式図であり、図9(C)は、第1実施形態の改変例に係る上側のビア導体と最上のビア導体の配置を示す模式図である。FIG. 9A is a schematic diagram showing the arrangement of the upper via conductor and the uppermost via conductor according to the first embodiment, and FIG. 9B shows the lower via conductor according to the first embodiment. FIG. 9C is a schematic diagram showing the arrangement of the lowermost via conductor, and FIG. 9C is a schematic diagram showing the arrangement of the upper via conductor and the uppermost via conductor according to a modified example of the first embodiment. 図10(A)は第2実施形態に係る第1スルーホールランドと第1スルーホールランド上の上側のビア導体を示す図であり、図10(B)は第2実施形態に係るプリント配線板の断面図である。図10(C)は、第1スルーホールランドと第1開口とリング状のビア導体を示す模式図である。FIG. 10A is a view showing the first through-hole land and the upper via conductor on the first through-hole land according to the second embodiment, and FIG. 10B is a printed wiring board according to the second embodiment. FIG. FIG. 10C is a schematic diagram showing the first through-hole land, the first opening, and the ring-shaped via conductor. 第2実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係るスルーホールランド上のリング状のビア導体とランド上のリング状のビア導体の配置を示す模式図。The schematic diagram which shows arrangement | positioning of the ring-shaped via conductor on the through-hole land which concerns on 2nd Embodiment, and the ring-shaped via conductor on a land. 第2実施形態の改変例に係る上側のリング状のビア導体と最上のリング状のビア導体の配置を示す模式図。The schematic diagram which shows arrangement | positioning of the upper ring-shaped via conductor and uppermost ring-shaped via conductor which concern on the modification of 2nd Embodiment. 第1実施形態に係る第1ランドと第1スルーホールランドの配置を示す模式図The schematic diagram which shows arrangement | positioning of the 1st land and 1st through-hole land which concern on 1st Embodiment.

[第1実施形態]
第1実施形態のプリント配線板10の断面が図1(B)に示される。プリント配線板10は、コア基板30を有する。コア基板30は、第1面Fと第1面Fと反対側の第2面Sを有すると共にスルーホール導体用の貫通孔33を有する絶縁基板20と、貫通孔33の内壁に形成されている筒状のスルーホール導体36と、スルーホール導体内に充填されている充填樹脂(樹脂充填剤)37と、樹脂充填剤37を覆っていて第1面F上に形成されている第1スルーホールランド36FRと、樹脂充填剤37を覆っていて第2面S上に形成されている第2スルーホールランド36SRを有する。第1スルーホールランド36FRは絶縁基板の第1面F上に形成されている第1導体層34Fに含まれて、第2スルーホールランド36SRは絶縁基板の第2面S上に形成されている第2導体層34Sに含まれる。第1スルーホールランド36FRと第2スルーホールランド36SRは、貫通孔33とスルーホール導体36と樹脂充填剤37を覆っている。第1と第2スルーホールランド36FR、36SRの大きさは貫通孔の大きさより大きい。第1スルーホールランド36FRと第2スルーホールランド36SRは、スルーホール導体36で接続されている。第1導体層34Fは第1スルーホールランド36FRを有し、第2導体層34Sは第2スルーホールランド36SRを有する。第1スルーホールランド36FRと第2スルーホールランド36SRの形状は円であることが好ましい。
コア基板は第1面Fと第1面Fと反対側の第2面を有する。コア基板の第1面と絶縁基板の第1面は同じ面であり、コア基板の第2面と絶縁基板の第2面は同じ面である。
貫通孔33は第1面に第1開口333を有する。第1開口333の重心を通り、第1面Fに垂直な直線は貫通孔33の重心軸X1である。
[First embodiment]
A cross section of the printed wiring board 10 of the first embodiment is shown in FIG. The printed wiring board 10 has a core substrate 30. The core substrate 30 has a first surface F, a second surface S opposite to the first surface F, and an insulating substrate 20 having a through hole 33 for a through hole conductor, and an inner wall of the through hole 33. A cylindrical through-hole conductor 36, a filling resin (resin filler) 37 filled in the through-hole conductor, and a first through-hole formed on the first surface F so as to cover the resin filler 37 A land 36FR and a second through-hole land 36SR that covers the resin filler 37 and is formed on the second surface S are provided. The first through hole land 36FR is included in the first conductor layer 34F formed on the first surface F of the insulating substrate, and the second through hole land 36SR is formed on the second surface S of the insulating substrate. It is included in the second conductor layer 34S. The first through hole land 36FR and the second through hole land 36SR cover the through hole 33, the through hole conductor 36, and the resin filler 37. The size of the first and second through hole lands 36FR and 36SR is larger than the size of the through hole. The first through-hole land 36FR and the second through-hole land 36SR are connected by a through-hole conductor 36. The first conductor layer 34F has a first through-hole land 36FR, and the second conductor layer 34S has a second through-hole land 36SR. The shapes of the first through-hole land 36FR and the second through-hole land 36SR are preferably circles.
The core substrate has a first surface F and a second surface opposite to the first surface F. The first surface of the core substrate and the first surface of the insulating substrate are the same surface, and the second surface of the core substrate and the second surface of the insulating substrate are the same surface.
The through hole 33 has a first opening 333 on the first surface. A straight line passing through the center of gravity of the first opening 333 and perpendicular to the first surface F is the center of gravity axis X1 of the through hole 33.

スルーホールランド36FR、36SRの形状は円や多角形である。第1実施形態では、スルーホールランド(カバー導体層)の形状は6角形である。図1(A)に、第1実施形態のスルーホールランド36FRの平面図が示されている。 The shape of the through-hole lands 36FR and 36SR is a circle or a polygon. In the first embodiment, the shape of the through-hole land (cover conductor layer) is a hexagon. FIG. 1A shows a plan view of the through-hole land 36FR of the first embodiment.

プリント配線板10は、さらに、コア基板30の第1面F上に上側のビルドアップ層55Fを有する。上側のビルドアップ層55Fはコア基板30の第1面F上に形成されている絶縁層(上側の層間樹脂絶縁層)50Fと絶縁層50F上の導体層(上側の導体層)58Fと絶縁層50Fを貫通し導体層58Fと第1導体層34Fを接続している上側のビア導体60Fを有する。ビア導体60Fは第1スルーホールランド36FR直上に形成されている複数のビア導体60FPを有する。スルーホール導体と樹脂充填剤と絶縁基板で物性が異なる。そのため、スルーホールランドとスルーホールランド上のビア導体との間に大きな応力が掛かる。物性は、熱膨張係数やヤング率である。しかしながら、ビア導体60FPは、中央ビア導体(第1中央ビア導体)60FPCと中央ビア導体60FPCを囲む周囲ビア導体(第1周囲ビア導体)60FPOを含む。そのため、カバー導体層(スルーホールランド)とカバー導体層上のビア導体間の界面に働く応力が、中央と周囲に分散される。従って、カバー導体層とカバー導体層上のビア導体間の接続信頼性が向上する。また、熱の伝達経路が、中央と周囲に形成されるので、放熱が向上する。熱応力が小さくなる。接続信頼性が高くなる。スルーホール導体に近い位置に複数の周囲ビア導体が存在する。そのため、周囲ビア導体とスルーホール導体を介して熱が伝達される。熱応力が小さくなる。 The printed wiring board 10 further includes an upper buildup layer 55 </ b> F on the first surface F of the core substrate 30. The upper buildup layer 55F includes an insulating layer (upper interlayer resin insulating layer) 50F formed on the first surface F of the core substrate 30, a conductive layer (upper conductive layer) 58F on the insulating layer 50F, and an insulating layer. An upper via conductor 60F that penetrates 50F and connects the conductor layer 58F and the first conductor layer 34F is provided. The via conductor 60F has a plurality of via conductors 60FP formed immediately above the first through-hole land 36FR. The physical properties differ between the through-hole conductor, the resin filler, and the insulating substrate. Therefore, a large stress is applied between the through hole land and the via conductor on the through hole land. Physical properties are a thermal expansion coefficient and a Young's modulus. However, the via conductor 60FP includes a central via conductor (first central via conductor) 60FPC and a peripheral via conductor (first peripheral via conductor) 60FPO surrounding the central via conductor 60FPC. Therefore, the stress acting on the interface between the cover conductor layer (through hole land) and the via conductor on the cover conductor layer is dispersed in the center and the periphery. Therefore, the connection reliability between the cover conductor layer and the via conductor on the cover conductor layer is improved. Moreover, since the heat transfer path is formed at the center and the periphery, heat dissipation is improved. Thermal stress is reduced. Connection reliability increases. There are a plurality of surrounding via conductors at positions close to the through-hole conductor. Therefore, heat is transmitted through the surrounding via conductor and the through-hole conductor. Thermal stress is reduced.

中央ビア導体60FPCと周囲ビア導体60FPOは、絶縁層50Fに形成されている開口51Fに形成されている。中央ビア導体用の開口は、符合51FPCで示され、周囲ビア導体用の開口は符合51FPOで示される。開口51Fは、第1スルーホールランド上にボトム開口515を有する。ボトム開口515の重心を通り、第1面Fに垂直な直線は開口51Fの重心軸X2である。
中央ビア導体60FPCは樹脂充填剤37上に形成されている。貫通孔の重心軸X1は、中央ビア導体用の開口51FPCのボトム開口515Cを通過することが好ましい。その場合、中央ビア導体は、貫通孔の重心軸上に形成される。中央ビア導体は第1開口の重心上に形成されている。但し、第1中央ビア導体用の開口の重心軸X2Cと貫通孔の重心軸X1は重ならないことが好ましい。応力が分散される。
The central via conductor 60FPC and the surrounding via conductor 60FPO are formed in the opening 51F formed in the insulating layer 50F. The opening for the central via conductor is indicated by the symbol 51FPC, and the opening for the surrounding via conductor is indicated by the symbol 51FPO. The opening 51F has a bottom opening 515 on the first through-hole land. A straight line passing through the center of gravity of the bottom opening 515 and perpendicular to the first surface F is the center of gravity axis X2 of the opening 51F.
The central via conductor 60FPC is formed on the resin filler 37. The center-of-gravity axis X1 of the through hole preferably passes through the bottom opening 515C of the opening 51FPC for the central via conductor. In this case, the central via conductor is formed on the center of gravity axis of the through hole. The central via conductor is formed on the center of gravity of the first opening. However, it is preferable that the centroid axis X2C of the opening for the first central via conductor and the centroid axis X1 of the through hole do not overlap. Stress is distributed.

周囲ビア導体は中央ビア導体を囲んでいる。周囲ビア導体は3個以上であることが好ましい。
円の中心に中央ビア導体が形成されていて、その円の円周上に周囲ビア導体が形成されていることが好ましい。中央ビア導体用の開口のボトム開口515Cは円の中心上に形成されている。円の中心はボトム開口515Cの重心と一致しなくてもよい。円の中心はボトム開口515C内に位置している。周囲ビア導体用の開口のボトム開口515Oは、円周上に位置する。ボトム開口515Oの重心と円周が重ならなくてもよい。円周がボトム開口515Oを通過する。中央ビア導体用の開口のボトム開口515Cの重心が円の中心上に位置し、周囲ビア導体用の開口のボトム開口515Oの重心が円周上に位置することが好ましい。ボトム開口が円の場合、ボトム開口515Cの中心と円の中心は一致しなくてもよい。ボトム開口515Oの中心は円周上に位置しなくてもよい。
A surrounding via conductor surrounds the central via conductor. The number of surrounding via conductors is preferably three or more.
Preferably, a central via conductor is formed at the center of the circle, and a surrounding via conductor is formed on the circumference of the circle. The bottom opening 515C of the opening for the central via conductor is formed on the center of the circle. The center of the circle may not coincide with the center of gravity of the bottom opening 515C. The center of the circle is located in the bottom opening 515C. The bottom opening 515O of the opening for the surrounding via conductor is located on the circumference. The center of gravity and the circumference of the bottom opening 515O may not overlap. The circumference passes through the bottom opening 515O. The center of gravity of the bottom opening 515C of the opening for the central via conductor is preferably positioned on the center of the circle, and the center of gravity of the bottom opening 515O of the opening for the surrounding via conductor is preferably positioned on the circumference. When the bottom opening is a circle, the center of the bottom opening 515C and the center of the circle do not have to coincide with each other. The center of the bottom opening 515O may not be located on the circumference.

周囲ビア導体は、スルーホールランドの内、絶縁基板上に形成されている部分(絶縁基板上のスルーホールランド)に形成されていることが好ましい。この場合、周囲ビア導体用の開口の重心軸は貫通孔内を通らない。さらに、周囲ビア導体用の開口のボトム開口515O全体が絶縁基板上のスルーホールランド上に形成されていることが好ましい。樹脂充填剤上のスルーホールランドと絶縁基板上のスルーホールランドが比較されると、樹脂充填剤上のスルーホールランドはヒートサイクルで変形しやすい。そのため、周囲ビア導体は、絶縁基板上のスルーホールランド上に形成される。 The surrounding via conductor is preferably formed in a portion (through hole land on the insulating substrate) formed on the insulating substrate in the through hole land. In this case, the center of gravity axis of the opening for the surrounding via conductor does not pass through the through hole. Furthermore, it is preferable that the entire bottom opening 515O of the opening for the surrounding via conductor is formed on the through-hole land on the insulating substrate. When the through hole land on the resin filler and the through hole land on the insulating substrate are compared, the through hole land on the resin filler is likely to be deformed by a heat cycle. Therefore, the peripheral via conductor is formed on the through hole land on the insulating substrate.

周囲ビア導体は、スルーホールランドやランドの多角形の頂点に位置することが好ましい。各周囲ビア導体に応力が均等に分散される。多角形は正多角形であることが好ましい。ビア導体60FPの配置の例が図1(A)に示される。図1(A)に、スルーホールランドの平面図が示されている。図1(A)では、スルーホールランドは六角形に形成されている。そして、中央ビア導体と周囲ビア導体のボトムがスルーホールランド上に円で示されている。周囲ビア導体は六角形の頂点に位置していて、スルーホールランドの頂点に対応している。周囲ビア導体は等間隔に形成される。 The surrounding via conductor is preferably located at the apex of the through-hole land or the polygon of the land. Stress is evenly distributed to each surrounding via conductor. The polygon is preferably a regular polygon. An example of the arrangement of the via conductor 60FP is shown in FIG. FIG. 1A shows a plan view of the through-hole land. In FIG. 1A, the through-hole land is formed in a hexagonal shape. The bottoms of the central via conductor and the surrounding via conductors are indicated by circles on the through-hole lands. The peripheral via conductor is located at the apex of the hexagon and corresponds to the apex of the through-hole land. The surrounding via conductors are formed at equal intervals.

図1(A)では、スルーホールランドの頂点に対応して周囲ビア導体が形成されている。頂点に応力が集中しやすいので、スルーホールランドの重心とスルーホールランドの頂点を結ぶ線上に周囲ビア導体が存在すると、周囲ビア導体とスルーホールランド間に働く応力が大きくなりやすい。また、ランドの頂点を起点として層間樹脂絶縁層にクラックが入りやすい。従って、周囲ビア導体は、等間隔に形成されていて、スルーホールランドの頂点と頂点との間に位置することが好ましい。この場合、スルーホールランドの重心とスルーホールランドの頂点を結ぶ線上に周囲ビア導体のボトムが形成されない(図1(C))。ビア導体のボトムはスルーホールランドと接している。 In FIG. 1A, a surrounding via conductor is formed corresponding to the apex of the through-hole land. Since stress tends to concentrate on the apex, if a peripheral via conductor exists on the line connecting the center of gravity of the through-hole land and the apex of the through-hole land, the stress acting between the peripheral via conductor and the through-hole land tends to increase. Further, cracks are likely to occur in the interlayer resin insulation layer starting from the apex of the land. Therefore, it is preferable that the surrounding via conductors are formed at equal intervals and located between the vertices of the through-hole lands. In this case, the bottom of the surrounding via conductor is not formed on the line connecting the center of gravity of the through-hole land and the vertex of the through-hole land (FIG. 1C). The bottom of the via conductor is in contact with the through-hole land.

上側の導体層58Fは中央ビア導体と周囲ビア導体のランドを含んでいる。ビア導体のランドは、ビア導体用の開口から突出しているビア導体上の導体とビア導体の周りに形成されていて上側の層間樹脂絶縁層上に形成されている導体で形成されている。ビア導体とビア導体のランドは直接繋がっている。そして、図1(B)に示されるように、各周囲ビア導体のランドと中央ビア導体のランドは繋がっている。各周囲ビア導体と中央ビア導体は1つのランド(第1ランド)58FPに繋がっている。第1ランドは上側のビアランドである。上側のビアランド58FPの形状は、第1スルーホールランドの形状と同じであっても違っていても良い。形状が同じ場合、円が好ましい。第1スルーホールランド上のビア導体のランド(上側のビアランド)58FPの形状と第1スルーホールランドの形状が多角形の場合、第1ランドの頂点とスルーホールランドの頂点は重ならないことが好ましい。両者が重なると、第1ランドの頂点とスルーホールランドの頂点間の距離が短くなるので、上側の層間樹脂絶縁層にクラックが入りやすい。コア基板の第1面に垂直な光で、第1ランド58FPがスルーホールランド上に等倍で投影される。スルーホールランドの重心とスルーホールランドの頂点を結ぶ線上に第1ランドの頂点が位置すると、第1ランドの頂点と第1スルーホールランドの頂点は重なっている。第1スルーホールランドの頂点上に第1ランドの頂点が重なると、両者の頂点は完全に重なっている。 The upper conductor layer 58F includes lands of a central via conductor and a surrounding via conductor. The land of the via conductor is formed of a conductor on the via conductor protruding from the via conductor opening and a conductor formed around the via conductor and formed on the upper interlayer resin insulating layer. The via conductor and the land of the via conductor are directly connected. As shown in FIG. 1B, the lands of the surrounding via conductors and the lands of the central via conductor are connected. Each peripheral via conductor and the central via conductor are connected to one land (first land) 58FP. The first land is an upper via land. The shape of the upper via land 58FP may be the same as or different from the shape of the first through-hole land. If the shapes are the same, a circle is preferred. When the shape of the via conductor land (upper via land) 58FP on the first through hole land and the shape of the first through hole land are polygons, it is preferable that the vertex of the first land and the vertex of the through hole land do not overlap. . If they overlap, the distance between the top of the first land and the top of the through-hole land becomes short, so that the upper interlayer resin insulation layer is likely to crack. With the light perpendicular to the first surface of the core substrate, the first land 58FP is projected onto the through-hole land at an equal magnification. When the vertex of the first land is located on the line connecting the center of gravity of the through-hole land and the vertex of the through-hole land, the vertex of the first land and the vertex of the first through-hole land overlap. When the vertex of the first land overlaps the vertex of the first through-hole land, both vertices completely overlap.

第1スルーホールランドの大きさと第1ランドの大きさは同じ、もしくは、第1ランドの大きさは第1スルーホールランドの大きさより大きいことが好ましい。第1ランドが大きい場合、第1ランドは第1スルーホールランドを覆うことが好ましい。その例が図14(A)に示されている。実線は第1ランドの外周を示し、点線は第1スルーホールランドの外周を示している。第1スルーホールランドの外周を起点とするクラックが防止される。 Preferably, the size of the first through hole land is the same as the size of the first land, or the size of the first land is larger than the size of the first through hole land. When the first land is large, the first land preferably covers the first through-hole land. An example is shown in FIG. A solid line indicates the outer periphery of the first land, and a dotted line indicates the outer periphery of the first through-hole land. Cracks starting from the outer periphery of the first through-hole land are prevented.

上側のビルドアップ層55Fはさらに絶縁層50Fと導体層58F上に形成されている絶縁層(最外の層間樹脂絶縁層)150Fと絶縁層150F上の導体層(最上の導体層)158Fと絶縁層150Fを貫通し導体層58Fと導体層158Fを接続するビア導体(最上のビア導体)160Fを有する。ビア導体160Fは、絶縁層150Fを貫通しているビア導体160F用の開口に形成されている。ビア導体160Fは、第1ランド上に形成されている中央ビア導体(第2中央ビア導体)160FPCと第2中央ビア導体160FPCを囲む周囲ビア導体(第2周囲ビア導体)160FPOを含む。そのため、第1ランドと第1ランド上のビア導体間の界面に働く応力が、中央と周囲に分散される。従って、第1ランドと第1ランド上のビア導体間の接続信頼性が向上する。また、熱の伝達経路が、中央と周囲に形成されるので、放熱が向上する。熱応力が小さくなる。接続信頼性が高くなる。 Upper buildup layer 55F is further insulated from insulating layer 50F and insulating layer (outermost interlayer resin insulating layer) 150F formed on conductive layer 58F and conductive layer (uppermost conductive layer) 158F formed on insulating layer 150F. There is a via conductor (upper via conductor) 160F that penetrates the layer 150F and connects the conductor layer 58F and the conductor layer 158F. The via conductor 160F is formed in an opening for the via conductor 160F that penetrates the insulating layer 150F. The via conductor 160F includes a central via conductor (second central via conductor) 160FPC formed on the first land and a peripheral via conductor (second peripheral via conductor) 160FPO surrounding the second central via conductor 160FPC. Therefore, the stress acting on the interface between the first land and the via conductor on the first land is dispersed in the center and the periphery. Therefore, the connection reliability between the first land and the via conductor on the first land is improved. Moreover, since the heat transfer path is formed at the center and the periphery, heat dissipation is improved. Thermal stress is reduced. Connection reliability increases.

第2中央ビア導体160FPC用の開口や第2周囲ビア導体160FPO用の開口は、第1ランド上にボトム開口を有する。
第1中央ビア導体と第2中央ビア導体は重なることが好ましい。つまり、第1中央ビア導体60FPC用の開口の重心軸は、第2中央ビア導体160FPC用の開口のボトム開口を通過する。
図1では、第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体が重なっている。この例では、上側のビルドアップ層上に大きな発熱量を有する電子部品が実装されても、放熱が良い。図に示されるように、周囲ビア導体の数は5つ以上であると、放熱の効果が向上する。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体が重なる場合、第1周囲ビア導体60FPO用の開口の重心軸は、第2周囲ビア導体160FPO用の開口のボトム開口を通過する。熱応力が小さくなるので、接続信頼性が向上する。
The opening for the second central via conductor 160FPC and the opening for the second peripheral via conductor 160FPO have a bottom opening on the first land.
The first central via conductor and the second central via conductor preferably overlap. That is, the center of gravity axis of the opening for the first central via conductor 60FPC passes through the bottom opening of the opening for the second central via conductor 160FPC.
In FIG. 1, the first peripheral via conductor and the second peripheral via conductor overlap. In this example, even if an electronic component having a large calorific value is mounted on the upper buildup layer, heat dissipation is good. As shown in the figure, when the number of surrounding via conductors is five or more, the heat dissipation effect is improved. When the first surrounding via conductor and the second surrounding via conductor overlap, the center of gravity axis of the opening for the first surrounding via conductor 60FPO passes through the bottom opening of the opening for the second surrounding via conductor 160FPO. Since the thermal stress is reduced, connection reliability is improved.

第2中央ビア導体のランドと第2周囲ビア導体のランドは、第1ランドと同様である。第2中央ビア導体のランドと第2周囲ビア導体のランドは繋がっていて、それらで1つの第2ランド(最上のビアランド)158FPが形成される。第2ランドは最上の導体層158Fに含まれる。図1では、第2ランドの形状と第1ランドの形状と第1スルーホールランドの形状は同じである。第2ランドの大きさと第1ランドの大きさと第1スルーホールランドの大きさを変えることができる。第2ランドの大きさが第1ランドの大きさより大きく、第1ランドの大きさが第1スルーホールランドの大きさより大きいことが好ましい。そして、第2ランドは第1ランドを覆い、第1ランドは第1スルーホールランドを覆うことが好ましい。その例が、図14(B)に示されている。実線で示されている円が第2ランド158FPの外周であり、鎖線で示されている円が第1ランド58FPであり、点線で示される円が第1スルーホールランド36FRである。 The land of the second central via conductor and the land of the second peripheral via conductor are the same as the first land. The land of the second central via conductor and the land of the second peripheral via conductor are connected to each other to form one second land (upper via land) 158FP. The second land is included in the uppermost conductor layer 158F. In FIG. 1, the shape of the second land, the shape of the first land, and the shape of the first through-hole land are the same. The size of the second land, the size of the first land, and the size of the first through-hole land can be changed. The size of the second land is preferably larger than the size of the first land, and the size of the first land is preferably larger than the size of the first through-hole land. Preferably, the second land covers the first land, and the first land covers the first through-hole land. An example of this is shown in FIG. The circle indicated by the solid line is the outer periphery of the second land 158FP, the circle indicated by the chain line is the first land 58FP, and the circle indicated by the dotted line is the first through-hole land 36FR.

プリント配線板10は、さらに、コア基板30の第2面S上に下側のビルドアップ層55Sを有する。下側のビルドアップ層55Sはコア基板30の第2面S上に形成されている絶縁層(下側の層間樹脂絶縁層)50Sと絶縁層50S上の導体層(下側の導体層)58Sと絶縁層50Sを貫通し、第2導体層34Sと下側の導体層58Sを接続している下側のビア導体60Sを有する。下側のビア導体は、上側のビア導体と同様に、第2スルーホールランド上に第1中央ビア導体60SPCと第1周囲ビア導体60SPOを有する。 The printed wiring board 10 further includes a lower buildup layer 55S on the second surface S of the core substrate 30. The lower buildup layer 55S includes an insulating layer (lower interlayer resin insulating layer) 50S formed on the second surface S of the core substrate 30, and a conductor layer (lower conductor layer) 58S on the insulating layer 50S. And the lower via conductor 60S connecting the second conductor layer 34S and the lower conductor layer 58S. Similar to the upper via conductor, the lower via conductor has a first central via conductor 60SPC and a first peripheral via conductor 60SPO on the second through-hole land.

上側のビルドアップ層内の第1中央ビア導体は上側の第1中央ビア導体であり、下側のビルドアップ層内の第1中央ビア導体は下側の第1中央ビア導体である。上側のビルドアップ層内の第1周囲ビア導体は上側の第1周囲ビア導体であり、下側のビルドアップ層内の第1周囲ビア導体は下側の第1周囲ビア導体である。上側の第1中央ビア導体と下側の第1中央ビア導体は同様である。上側の第1周囲ビア導体と下側の第1周囲ビア導体は同様である。下側の第1中央ビア導体と下側の第1周囲ビア導体の配置と、上側の第1中央ビア導体と上側の第1周囲ビア導体の配置は同様である。
下側の導体層58Sは、上側の導体層と同様に、第1ランド(下側のビアランド)を有する。上側の導体層に含まれる第1ランドは上側の第1ランドであり、下側の導体層に含まれる第1ランドは下側の第1ランドである。上側のビアランドの大きさや配置と下側のビアランドの大きさや配置は同様である。
The first central via conductor in the upper buildup layer is the upper first central via conductor, and the first central via conductor in the lower buildup layer is the lower first central via conductor. The first peripheral via conductor in the upper buildup layer is the upper first peripheral via conductor, and the first peripheral via conductor in the lower buildup layer is the lower first peripheral via conductor. The upper first central via conductor and the lower first central via conductor are the same. The upper first peripheral via conductor and the lower first peripheral via conductor are the same. The arrangement of the lower first central via conductor and the lower first peripheral via conductor is the same as the arrangement of the upper first central via conductor and the upper first peripheral via conductor.
The lower conductor layer 58S has a first land (lower via land), like the upper conductor layer. The first land included in the upper conductor layer is the upper first land, and the first land included in the lower conductor layer is the lower first land. The size and arrangement of the upper via land and the size and arrangement of the lower via land are the same.

下側のビルドアップ層55Sはさらに絶縁層50Sと導体層58S上の絶縁層(最下の層間樹脂絶縁層)150Sと絶縁層150S上の導体層(最下の導体層)158Sと絶縁層150Sを貫通し、下側の導体層と最下の導体層を接続する最下のビア導体160Sを有する。最下のビア導体は、最上のビア導体と同様に、下側の第1ランド上に第2中央ビア導体と第2周囲ビア導体を有する。上側のビルドアップ層内の第2中央ビア導体は最上の第2中央ビア導体であり、下側のビルドアップ層内の第2中央ビア導体は最下の第2中央ビア導体である。上側のビルドアップ層内の第2周囲ビア導体は最上の第2周囲ビア導体であり、下側のビルドアップ層内の第2周囲ビア導体は最下の第2周囲ビア導体である。最上の第2中央ビア導体と最下の第2中央ビア導体は同様である。最上の第2周囲ビア導体と最下の第2周囲ビア導体は同様である。
最下の導体層158Sは、最上の導体層と同様に、第2ランド(最下のビアランド)を有する。最上の導体層に含まれる第2ランドは最上の第2ランドであり、最下の導体層に含まれる第2ランドは最下の第2ランドである。最下の第2中央ビア導体と最下の第2周囲ビア導体の配置と最上の第2中央ビア導体と最上の第2周囲ビア導体の配置は同様である。最上のビアランドの大きさや配置と最下のビアランドの大きさや配置は同様である。
The lower buildup layer 55S further includes an insulating layer 50S, an insulating layer (lowermost interlayer resin insulating layer) 150S on the conductive layer 58S, a conductive layer (lowermost conductive layer) 158S, and an insulating layer 150S on the insulating layer 150S. And a lowermost via conductor (160S) connecting the lower conductor layer and the lowermost conductor layer. The lowermost via conductor has a second central via conductor and a second peripheral via conductor on the lower first land, like the uppermost via conductor. The second central via conductor in the upper buildup layer is the uppermost second central via conductor, and the second central via conductor in the lower buildup layer is the lowermost second central via conductor. The second peripheral via conductor in the upper buildup layer is the uppermost second peripheral via conductor, and the second peripheral via conductor in the lower buildup layer is the lowermost second peripheral via conductor. The uppermost second central via conductor and the lowermost second central via conductor are the same. The uppermost second peripheral via conductor is the same as the lowermost second peripheral via conductor.
The lowermost conductor layer (158S) has a second land (lowermost via land) in the same manner as the uppermost conductor layer. The second land included in the uppermost conductor layer is the uppermost second land, and the second land included in the lowermost conductor layer is the lowermost second land. The arrangement of the lowermost second central via conductor and the lowermost second peripheral via conductor and the arrangement of the uppermost second central via conductor and the uppermost second peripheral via conductor are the same. The size and arrangement of the uppermost via land and the size and arrangement of the lowermost via land are the same.

第1実施形態のプリント配線板は、さらに、上側のビルドアップ層55F上に導体層158Fを露出する開口71Fを有する上側のソルダーレジスト層70Fを有する。プリント配線板は、下側のビルドアップ層55S上に導体層158Sを露出する開口71Sを有するソルダーレジスト層70Sを有する。ソルダーレジスト層の開口から露出する導体層はパッドとして機能する。パッド上にNi/AuやNi/Pd/Au、Sn、OSPなどの保護膜(図示せず)が形成されている。 The printed wiring board of the first embodiment further includes an upper solder resist layer 70F having an opening 71F that exposes the conductor layer 158F on the upper buildup layer 55F. The printed wiring board has a solder resist layer 70S having an opening 71S exposing the conductor layer 158S on the lower buildup layer 55S. The conductor layer exposed from the opening of the solder resist layer functions as a pad. A protective film (not shown) such as Ni / Au, Ni / Pd / Au, Sn, OSP is formed on the pad.

図9(A)は、第1スルーホールランド36FR、上側の第1ランド58FR、上側の第1中央ビア導体60FPC、最上の第2中央ビア導体160FPC、上側の第1周囲ビア導体60FPOと最上の第2周囲ビア導体160FPOの配置を示している。
図9(A)は、上側の第1スルーホールランド、上側の第1ランド、上側の第1中央ビア導体、最上の第2中央ビア導体、上側の第1周囲ビア導体と最上の第2周囲ビア導体を示している。図9(A)では、コア基板の第1面と平行な面にそれらが第1面に垂直な光で等倍に投影されている。
この例では、第1中央ビア導体と第2中央ビア導体は重なっている。それに対し、第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体が重なっていない。第1周囲ビア導体上に第2周囲ビア導体が形成されていない。第1周囲ビア導体60FPO用の開口の重心軸は、第2周囲ビア導体160FPO用の開口のボトム開口を通過しない。図9(A)では、第1スルーホールランドの形状と第1ランドの形状は六角形である。そして、第1ランドの頂点と第1スルーホールランドの頂点はずれている。周囲ビア導体の位置はランドの頂点に対応している。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体は交互に等間隔で配置されている。応力が均等に分散される。熱が均等に伝達される。接続信頼性が向上する。図9(A)で、ランドの重心と第1周囲ビア導体の重心を結ぶ直線とランドの重心と第2周囲ビア導体の重心を結ぶ直線との間の角度は、30度である。この例によれば、第1周囲ビア導体60FPOと第2周囲ビア導体160FPOとの間のランドで応力が緩和される。また、スルーホールランドとスルーホールランド上の周囲ビア導体間に応力が集中しない。最上の第2ランドが同じ面に同様に投影されると第2ランドの頂点は、第1ランドまたは第1スルーホールランドの頂点に重なってもよい。但し、各頂点が重ならないと応力が集中しない。絶縁層にクラックが入り難い。
9A shows the first through-hole land 36FR, the upper first land 58FR, the upper first central via conductor 60FPC, the uppermost second central via conductor 160FPC, the upper first peripheral via conductor 60FPO and the uppermost first land via conductor 60FPO. The arrangement of the second peripheral via conductor 160FPO is shown.
FIG. 9A shows an upper first through-hole land, an upper first land, an upper first central via conductor, an uppermost second central via conductor, an upper first peripheral via conductor and an uppermost second periphery. A via conductor is shown. In FIG. 9A, they are projected at the same magnification on a plane parallel to the first surface of the core substrate with light perpendicular to the first surface.
In this example, the first center via conductor and the second center via conductor overlap. On the other hand, the first peripheral via conductor and the second peripheral via conductor do not overlap. The second peripheral via conductor is not formed on the first peripheral via conductor. The center of gravity axis of the opening for the first surrounding via conductor 60FPO does not pass through the bottom opening of the opening for the second surrounding via conductor 160FPO. In FIG. 9A, the shape of the first through-hole land and the shape of the first land are hexagons. And the vertex of the 1st land and the vertex of the 1st through hole land have shifted. The position of the surrounding via conductor corresponds to the vertex of the land. The first peripheral via conductors and the second peripheral via conductors are alternately arranged at equal intervals. Stress is evenly distributed. Heat is transferred evenly. Connection reliability is improved. In FIG. 9A, the angle between the straight line connecting the center of gravity of the land and the center of gravity of the first surrounding via conductor and the straight line connecting the center of gravity of the land and the center of gravity of the second surrounding via conductor is 30 degrees. According to this example, stress is relieved at the land between the first peripheral via conductor 60FPO and the second peripheral via conductor 160FPO. Further, no stress is concentrated between the through-hole land and the surrounding via conductor on the through-hole land. When the uppermost second land is similarly projected onto the same surface, the vertex of the second land may overlap the vertex of the first land or the first through-hole land. However, stress does not concentrate unless the vertices overlap. Insulating layer is hard to crack.

図9(B)は、第2スルーホールランド36SR、下側の第1ランド58SP、下側の第1中央ビア導体60SPC、最下の第2中央ビア導体160SPC、下側の第1周囲ビア導体60SPOと最下の第2周囲ビア導体160SPOの配置を示している。これらの配置は、図9(A)で説明されている配置と同様である。最下の第2ランドの頂点は最上の第2ランドと同様に、下側の第1ランドまたは第2スルーホールランドの頂点に重なっても良い。但し、頂点が重ならないと応力が集中しない。各絶縁層にクラックが入り難い。 FIG. 9B shows the second through-hole land 36SR, the lower first land 58SP, the lower first central via conductor 60SPC, the lowermost second central via conductor 160SPC, and the lower first peripheral via conductor. The arrangement of 60 SPO and the lowermost second peripheral via conductor 160 SPO is shown. These arrangements are the same as the arrangement described in FIG. Similarly to the uppermost second land, the apex of the lowermost second land may overlap the apex of the lower first land or the second through-hole land. However, stress does not concentrate unless the vertices overlap. Each insulating layer is difficult to crack.

車載用途として、広く用いられているプリント配線板(既存の車載用のプリント配線板)では、最上の導体層と最下の導体層は、プリント配線板を貫通するスルーホール導体で接続される。
それに対して、第1実施形態のプリント配線板では、最上の導体層と最下の導体層はスルーホール導体とスルーホール導体を挟むスルーホールランドとスルーホールランド直上に形成されている中央ビア導体と周囲ビア導体と第1ランドと第1ランド直上に形成されている中央ビア導体と周囲ビア導体で接続される。第1実施形態のビア導体はフィルドビアである。また、スルーホールランドや第1ランド上に複数のフィルドビアが形成されている。そのため、第1実施形態によれば、最上の導体層と最下の導体層を繋ぐ導体の量が多くなる。放熱性が向上する。また、複数のビア導体に応力が分散されるため、ビア導体を介する接続信頼性が高くなる。周囲ビア導体がスタックビア構造でないと、周囲ビア導体と周囲ビア導体の底に繋がっているランド間の接続信頼性が高くなる。周囲ビア導体の数は中央ビア導体の数より多いので、周囲ビア導体がスタックビア構造でないと、接続信頼性や放熱が向上する。スタックビア構造では、下側のビア導体の上面上に上側のビア導体の底が位置する。中央ビア導体がスタックビア構造であることが好ましい。
In a printed wiring board (existing in-vehicle printed wiring board) widely used for in-vehicle use, the uppermost conductor layer and the lowermost conductor layer are connected by a through-hole conductor that penetrates the printed wiring board.
On the other hand, in the printed wiring board according to the first embodiment, the uppermost conductor layer and the lowermost conductor layer have a through-hole conductor, a through-hole land sandwiching the through-hole conductor, and a central via conductor formed immediately above the through-hole land. And the peripheral via conductor, the first land, and the central via conductor formed immediately above the first land and the peripheral via conductor. The via conductor of the first embodiment is a filled via. In addition, a plurality of filled vias are formed on the through-hole land or the first land. Therefore, according to the first embodiment, the amount of the conductor connecting the uppermost conductor layer and the lowermost conductor layer is increased. Heat dissipation is improved. Further, since stress is distributed to the plurality of via conductors, connection reliability through the via conductors is increased. If the peripheral via conductor does not have a stacked via structure, the connection reliability between the peripheral via conductor and the land connected to the bottom of the peripheral via conductor is increased. Since the number of surrounding via conductors is larger than the number of central via conductors, connection reliability and heat dissipation are improved if the surrounding via conductors are not of a stacked via structure. In the stacked via structure, the bottom of the upper via conductor is positioned on the upper surface of the lower via conductor. The central via conductor preferably has a stacked via structure.

第1実施形態のプリント配線板の寸法の例が以下に示される。
絶縁基板20の厚みは、700μmである。層間樹脂絶縁層50F、50S、150F、150Sの厚みは、60μmである。層間樹脂絶縁層の厚みは、隣接する導体層間の距離である。導体層58F、58S、158F、158Sの厚みは、35μmである。ソルダーレジスト層70F、70Sの厚みは30μmである。プリント配線板の厚みが1.21mmである。また、スルーホール導体用の貫通孔33の径D1は、400μmでる。そして、第1実施形態では、スルーホール導体のランド上にビア導体が形成されるので、スルーホール導体のランドの径W1(図1(A)参照)は520μmである。
既存の車載用のプリント配線板はスルーホール導体用の貫通孔を覆うスルーホールランドを有していない。そのため、既存の車載用のプリント配線板が、同じ大きさのスルーホール導体用の貫通孔を有すると、スルーホール導体のランドの径は650μmになる。第1実施形態のプリント配線板によれば、小型化が達成される。
なお、導体層上のビア導体用の開口のボトム開口の径(ボトム径)d2は90μmであり、ビア導体とそのビア導体のランドとの界面におけるビア導体用の開口の径(トップ径)d1は、100μmである。d1とd2は図6(B)に示されている。
The example of the dimension of the printed wiring board of 1st Embodiment is shown below.
The thickness of the insulating substrate 20 is 700 μm. The thickness of the interlayer resin insulation layers 50F, 50S, 150F, and 150S is 60 μm. The thickness of the interlayer resin insulation layer is the distance between adjacent conductor layers. The thickness of the conductor layers 58F, 58S, 158F, 158S is 35 μm. The solder resist layers 70F and 70S have a thickness of 30 μm. The thickness of the printed wiring board is 1.21 mm. The diameter D1 of the through hole 33 for the through hole conductor is 400 μm. In the first embodiment, since the via conductor is formed on the land of the through-hole conductor, the land diameter W1 (see FIG. 1A) of the through-hole conductor is 520 μm.
Existing in-vehicle printed wiring boards do not have through-hole lands that cover through-holes for through-hole conductors. Therefore, if an existing in-vehicle printed wiring board has through holes for through-hole conductors of the same size, the diameter of the land of the through-hole conductors becomes 650 μm. According to the printed wiring board of 1st Embodiment, size reduction is achieved.
The diameter (bottom diameter) d2 of the bottom opening of the opening for the via conductor on the conductor layer is 90 μm, and the diameter (top diameter) d1 of the opening for the via conductor at the interface between the via conductor and the land of the via conductor. Is 100 μm. d1 and d2 are shown in FIG. 6 (B).

第1実施形態のプリント配線板10の製造方法が図2〜図8に示される。
(1)絶縁基板20とその両面に銅箔32が積層されている両面銅張積層板20Aが出発材料である。絶縁基板の厚さは、700μmである。絶縁基板は第1面Fとその第1面と反対側の第2面Sを有する。銅箔32の表面に図示されない黒化処理が施される(図2(A))。絶縁基板にドリルでスルーホール導体用の貫通孔33が形成される(図2(B))。貫通孔33の直径D1は400μmである。
The manufacturing method of the printed wiring board 10 of 1st Embodiment is shown by FIGS.
(1) A double-sided copper-clad laminate 20A in which a copper foil 32 is laminated on both sides of the insulating substrate 20 is a starting material. The thickness of the insulating substrate is 700 μm. The insulating substrate has a first surface F and a second surface S opposite to the first surface. A blackening process (not shown) is performed on the surface of the copper foil 32 (FIG. 2A). Through holes 33 for through-hole conductors are formed in the insulating substrate with a drill (FIG. 2B). The diameter D1 of the through hole 33 is 400 μm.

(2)無電解めっき処理及び電解めっき処理によりめっき膜26が形成され、貫通孔33の内壁にめっき膜26から成るスルーホール導体36が形成される(図3(A))。スルーホール導体内に樹脂充填剤37が充填される(図3(B))。 (2) The plated film 26 is formed by the electroless plating process and the electrolytic plating process, and the through-hole conductor 36 made of the plated film 26 is formed on the inner wall of the through hole 33 (FIG. 3A). A resin filler 37 is filled in the through-hole conductor (FIG. 3B).

(3)樹脂充填剤37とめっき膜26上に無電解めっき膜23が形成される(図4(A))。更に、無電解めっき膜23上に電解めっき膜24が形成される(図4(B))。 (3) Electroless plating film 23 is formed on resin filler 37 and plating film 26 (FIG. 4A). Further, an electrolytic plating film 24 is formed on the electroless plating film 23 (FIG. 4B).

(4)電解めっき膜24上にエッチングレジスト25が形成される(図5(A))。エッチングレジスト25から露出する電解めっき膜24、無電解めっき膜23、めっき膜26、銅箔32が除去される。その後、エッチングレジストが除去され、導体層34F、34S及びスルーホールランド36FR、36SRが形成される。コア基板30が完成する(図5(B))。 (4) An etching resist 25 is formed on the electrolytic plating film 24 (FIG. 5A). The electrolytic plating film 24, the electroless plating film 23, the plating film 26, and the copper foil 32 exposed from the etching resist 25 are removed. Thereafter, the etching resist is removed, and conductor layers 34F and 34S and through-hole lands 36FR and 36SR are formed. The core substrate 30 is completed (FIG. 5B).

(5)コア基板30上にB−ステージのプリプレグと銅箔49が順に積層される。プリプレグの代わりに層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムが積層されてもよい。プリプレグはガラスクロスなどの補強材を有するが層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムは補強材を有していない。両者ともガラス粒子などの無機粒子を含むことが好ましい。コア基板の第1面と第2面上のプリプレグが硬化される。コア基板の第1面と第2面上に絶縁層(層間樹脂絶縁層)50F、50Sが形成される(図6(A))。 (5) A B-stage prepreg and a copper foil 49 are sequentially laminated on the core substrate 30. A resin film for an interlayer resin insulation layer may be laminated instead of the prepreg. The prepreg has a reinforcing material such as a glass cloth, but the resin film for an interlayer resin insulation layer does not have a reinforcing material. Both preferably contain inorganic particles such as glass particles. The prepreg on the first surface and the second surface of the core substrate is cured. Insulating layers (interlayer resin insulating layers) 50F and 50S are formed on the first surface and the second surface of the core substrate (FIG. 6A).

(6)銅箔49、49及び絶縁層50F、50Sに導体層34F、34Sやスルーホールランド36FR、36SRに至るビア導体用の開口51F、51Sが形成される(図6(B))。開口51F、51Sはトップ面とトップ面と反対側のボトム面を有する。トップ面の径d1は100μmであり、ボトム面の径d2は90μmである。開口51Fは、スルーホールランド36FRに至る中央ビア導体用の開口51FPCと周囲ビア導体用の開口51FPOを含む。また、開口51Sは、スルーホールランド36SRに至る中央ビア導体用の開口51SPCと周囲ビア導体用の開口51SPOを含む。 (6) Via conductor openings 51F and 51S reaching the conductor layers 34F and 34S and the through-hole lands 36FR and 36SR are formed in the copper foils 49 and 49 and the insulating layers 50F and 50S (FIG. 6B). The openings 51F and 51S have a top surface and a bottom surface opposite to the top surface. The top surface diameter d1 is 100 μm, and the bottom surface diameter d2 is 90 μm. The opening 51F includes an opening 51FPC for the central via conductor reaching the through-hole land 36FR and an opening 51FPO for the surrounding via conductor. The opening 51S includes an opening 51SPC for the central via conductor reaching the through-hole land 36SR and an opening 51SPO for the surrounding via conductor.

(7)無電解めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と銅箔49上に無電解めっき膜52が形成される(図7(A))。 (7) An electroless plating film 52 is formed on the inner wall of the via conductor opening and the copper foil 49 by the electroless plating process (FIG. 7A).

(8)無電解めっき膜52上にめっきレジスト54が形成され、電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜52上に電解めっき膜56が形成される。ビア導体用の開口51F、51S内にビア導体60F、60Sが形成される(図7(B))。ビア導体60F、60Sはスルーホールランド上に形成されている中央ビア導体と周囲ビア導体を含む。 (8) A plating resist 54 is formed on the electroless plating film 52, and an electrolytic plating film 56 is formed on the electroless plating film 52 exposed from the plating resist by electrolytic plating. Via conductors 60F and 60S are formed in the via conductor openings 51F and 51S (FIG. 7B). The via conductors 60F and 60S include a central via conductor and a surrounding via conductor formed on the through-hole land.

(9)続いて、めっきレジスト54が5%NaOHで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する銅箔49と無電解めっき膜52がエッチングにて除去される。金属箔49と無電解めっき膜52と電解めっき膜56からなる導体層58F、58Sが形成される(図8(A))。導体層58F、58Sは上側と下側の第1ランドを含む。導体層58F、58Sの厚みは、35μmである。 (9) Subsequently, the plating resist 54 is removed with 5% NaOH. Thereafter, the copper foil 49 and the electroless plating film 52 exposed from the electrolytic copper plating film are removed by etching. Conductive layers 58F and 58S made of metal foil 49, electroless plated film 52, and electrolytic plated film 56 are formed (FIG. 8A). The conductor layers 58F and 58S include upper and lower first lands. The thickness of the conductor layers 58F and 58S is 35 μm.

(10)その後、図6(A)から図8(A)に示されている工程が行われる。最上と最下の層間樹脂絶縁層150F、150Sと最上と最下の導体層158F、158Sと最上と最下のビア導体160F、160Sが形成される(図8(B))。最上と最下のビア導体160F、160Sは中央ビア導体と周囲ビア導体を含む。最上と最下の導体層158F、158Sは最上と最下の第2ランドを含む。上側と下側のビルドアップ層が完成する。 (10) Thereafter, the steps shown in FIGS. 6A to 8A are performed. Uppermost and lowermost interlayer resin insulation layers (150F, 150S), uppermost and lowermost conductor layers (158F, 158S) and uppermost and lowermost via conductors (160F, 160S) are formed (FIG. 8B). The uppermost and lowermost via conductors 160F and 160S include a central via conductor and a surrounding via conductor. The top and bottom conductor layers 158F, 158S include the top and bottom second lands. The upper and lower buildup layers are completed.

(11)上側のビルドアップ層55F上に最上の導体層を露出するための開口71Fを有する上側のソルダーレジスト層70Fが形成される。下側のビルドアップ層55S上に最下の導体層を露出するための開口71Sを有する下側のソルダーレジスト層70Sが形成される(図1(B))。開口71Fは最上の第2ランドを露出するための開口71FPを有する。開口71Sは最下の第2ランドを露出するための開口71SPを有する。ソルダーレジスト層の開口から露出する導体層はパッドとして機能する。第2ランドを露出する開口71FP、71SPの数は複数である。第2ランド上に複数のパッドが形成される。第2ランドは複数のパッドを含む。 (11) An upper solder resist layer 70F having an opening 71F for exposing the uppermost conductor layer is formed on the upper buildup layer 55F. A lower solder resist layer (70S) having an opening (71S) for exposing the lowermost conductor layer is formed on the lower buildup layer (55S) (FIG. 1 (B)). The opening 71F has an opening 71FP for exposing the uppermost second land. The opening 71S has an opening 71SP for exposing the lowermost second land. The conductor layer exposed from the opening of the solder resist layer functions as a pad. There are a plurality of openings 71FP and 71SP exposing the second lands. A plurality of pads are formed on the second land. The second land includes a plurality of pads.

(12)パッド上にニッケル層とニッケル層上の金層で形成される保護膜(図示せず)が形成される。ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層からなる保護膜が挙げられる。 (12) A protective film (not shown) formed of a nickel layer and a gold layer on the nickel layer is formed on the pad. In addition to the nickel-gold layer, a protective film made of a nickel-palladium-gold layer can be used.

[第1実施形態の改変例]
図9(C)は、第1実施形態の改変例に係るプリント配線板の中央ビア導体や周囲ビア導体、ランドの投影図を示している。図9(C)では、第1スルーホールランド上に最上の第2中央ビア導体と上側の第1中央ビア導体、最上の第2周囲ビア導体、上側の第1周囲ビア導体、上側の第1ランド、最上の第2ランドがコア基板の第1面に垂直な光で等倍に投影されている。
図9(C)では、第1スルーホールランドと第1ランド、第2ランドのそれぞれの大きさは同じである。スルーホールランドの形状と第1ランドの形状と第2ランドの形状は円である。
図9(A)と同様に、第1中央ビア導体の重心軸は第2中央ビア導体のボトム面を通過する。第1中央ビア導体と第2中央ビア導体は重なっている。
図9(A)と同様に、第1周囲ビア導体の重心軸は第2周囲ビア導体のボトム面を通過しない。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体は重なっていない。
ビア導体の重心軸は、そのビア導体用の開口のボトム開口の重心を通り、コア基板の第1面に垂直な直線である。ビア導体のボトム面は、ビア導体用の開口のボトム開口に形成されているビア導体である。
各ランドの形状が円であるので、ランドの外周の特定箇所に応力が集中しない。ランドを起点とするクラックが発生しない。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体が重なると熱が直接伝わるので、熱応力が小さくなる。接続信頼性が高くなる。上下のビア導体が重なると、上下のビア導体でスタック構造が形成される。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体が重ならないと、第1周囲ビア導体とスルーホールランド間に応力が集中しない。接続信頼性が向上する。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体は絶縁基板上に位置しているスルーホールランド上に形成されることが好ましい。樹脂充填剤の影響が小さくなる。接続信頼性が向上する。
[Modification of the first embodiment]
FIG. 9C shows a projected view of the central via conductor, the surrounding via conductor, and the land of the printed wiring board according to the modified example of the first embodiment. In FIG. 9C, the uppermost second central via conductor and the upper first central via conductor, the uppermost second peripheral via conductor, the upper first peripheral via conductor, and the upper first peripheral via conductor on the first through-hole land. The land and the uppermost second land are projected at the same magnification with light perpendicular to the first surface of the core substrate.
In FIG. 9C, the sizes of the first through-hole land, the first land, and the second land are the same. The shape of the through-hole land, the shape of the first land, and the shape of the second land are circles.
Similarly to FIG. 9A, the center of gravity axis of the first central via conductor passes through the bottom surface of the second central via conductor. The first central via conductor and the second central via conductor overlap.
Similarly to FIG. 9A, the center of gravity axis of the first peripheral via conductor does not pass through the bottom surface of the second peripheral via conductor. The first peripheral via conductor and the second peripheral via conductor do not overlap.
The centroid axis of the via conductor is a straight line that passes through the centroid of the bottom opening of the via conductor opening and is perpendicular to the first surface of the core substrate. The bottom surface of the via conductor is a via conductor formed in the bottom opening of the via conductor opening.
Since the shape of each land is a circle, stress is not concentrated at a specific location on the outer periphery of the land. No cracks starting from the land. When the first peripheral via conductor and the second peripheral via conductor are overlapped, heat is directly transmitted, so that the thermal stress is reduced. Connection reliability increases. When the upper and lower via conductors overlap, a stack structure is formed by the upper and lower via conductors. If the first peripheral via conductor and the second peripheral via conductor do not overlap, stress is not concentrated between the first peripheral via conductor and the through-hole land. Connection reliability is improved. The first peripheral via conductor and the second peripheral via conductor are preferably formed on a through-hole land located on the insulating substrate. The effect of the resin filler is reduced. Connection reliability is improved.

[第2実施形態]
第2実施形態のプリント配線板10の断面が図10(B)に示される。プリント配線板10は、第1実施形態と同様なコア基板30を有する。
[Second Embodiment]
A cross section of the printed wiring board 10 of the second embodiment is shown in FIG. The printed wiring board 10 has the same core substrate 30 as in the first embodiment.

第2実施形態のプリント配線板10は、第1実施形態と同様な第1導体層と第2導体層を有する。
図10(A)は第1スルーホールランド36FRの平面図を示す。第1と第2スルーホールランドは円形に形成されている。
The printed wiring board 10 of the second embodiment has a first conductor layer and a second conductor layer similar to those of the first embodiment.
FIG. 10A shows a plan view of the first through-hole land 36FR. The first and second through-hole lands are formed in a circular shape.

プリント配線板10は、さらに、コア基板30の第1面F上に上側のビルドアップ層55Fを有する。上側のビルドアップ層55Fは、第1実施形態と同様に、上側の層間樹脂絶縁層と上側の導体層と上側のビア導体と最上の層間樹脂絶縁層と最上の導体層と最上のビア導体を有する。
第1実施形態では、上側のビア導体は中央ビア導体と周囲ビア導体を有しているが、第2実施形態のプリント配線板10は、中央ビア導体と周囲ビア導体を有していない。その代り、上側のビア導体は、第1スルーホールランド直上に第1のリング状のビア導体60FRを有する。リング状のビア導体の底が図10(A)に点線で描かれている。内側の点線と外側の点線内にリング状のビア導体の底が形成されている。リング状のビア導体の中心と内側の点線までの距離は内径WIであり、リング状のビア導体の中心と外側の点線までの距離は外径WOである。
The printed wiring board 10 further includes an upper buildup layer 55 </ b> F on the first surface F of the core substrate 30. Similar to the first embodiment, the upper build-up layer 55F includes an upper interlayer resin insulation layer, an upper conductor layer, an upper via conductor, an uppermost interlayer resin insulation layer, an uppermost conductor layer, and an uppermost via conductor. Have.
In the first embodiment, the upper via conductor has a central via conductor and a peripheral via conductor, but the printed wiring board 10 of the second embodiment does not have a central via conductor and a peripheral via conductor. Instead, the upper via conductor has a first ring-shaped via conductor 60FR immediately above the first through-hole land. The bottom of the ring-shaped via conductor is drawn with a dotted line in FIG. The bottom of the ring-shaped via conductor is formed in the inner dotted line and the outer dotted line. The distance from the center of the ring-shaped via conductor to the inner dotted line is the inner diameter WI, and the distance from the center of the ring-shaped via conductor to the outer dotted line is the outer diameter WO.

第1のリング状のビア導体の底は充填樹脂上に位置する。もしくは、第1のリング状のビア導体(上側の第1のリング状のビア導体)の底は、絶縁基板上のスルーホールランド上に位置する。リング状のビア導体の底は、絶縁基板上のスルーホールランド上に位置することが好ましい(図10(C))。ビア導体とスルーホールランド間の接続面積が大きくなる。絶縁基板上にビア導体を形成することで応力が小さくなる。図10(C)では、貫通孔33の第1開口333が鎖線で示され、第1スルーホールランド36FRが実線で示され、リング状のビア導体の底が点線内に形成されている。 The bottom of the first ring-shaped via conductor is located on the filling resin. Alternatively, the bottom of the first ring-shaped via conductor (the upper first ring-shaped via conductor) is located on the through-hole land on the insulating substrate. The bottom of the ring-shaped via conductor is preferably located on the through-hole land on the insulating substrate (FIG. 10C). The connection area between the via conductor and the through hole land is increased. The stress is reduced by forming the via conductor on the insulating substrate. In FIG. 10C, the first opening 333 of the through hole 33 is indicated by a chain line, the first through-hole land 36FR is indicated by a solid line, and the bottom of the ring-shaped via conductor is formed within a dotted line.

上側の導体層は、第1実施形態と同様に上側の第1ランドを有する。第1実施形態と同様に、第2実施形態の上側の第1ランドの大きさは、スルーホール導体用の貫通孔の大きさより大きい。図10(B)に示されるように、第1スルーホールランドの大きさと第1ランドの大きさは同じである。 The upper conductor layer has an upper first land as in the first embodiment. Similar to the first embodiment, the size of the upper first land in the second embodiment is larger than the size of the through hole for the through-hole conductor. As shown in FIG. 10B, the size of the first through-hole land and the size of the first land are the same.

第1実施形態では、最上のビア導体は中央ビア導体と周囲ビア導体を有しているが、第2実施形態のプリント配線板10は、中央ビア導体と周囲ビア導体を有していない。その代り、最上のビア導体は、第1ランド直上に第2のリング状のビア導体(最上の第2リング状のビア導体)160FRを有する。リング状のビア導体の底が図10(A)に点線で描かれている。内側の点線と外側の点線内にリング状のビア導体の底が形成されている。図10(A)では、第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体は重なっている。第1のリング状のビア導体の内径と第2のリング状のビア導体の内径は同じであり、第1のリング状のビア導体の外径と第2のリング状のビア導体の外径は同じである。 In the first embodiment, the uppermost via conductor has a central via conductor and a peripheral via conductor, but the printed wiring board 10 of the second embodiment does not have a central via conductor and a peripheral via conductor. Instead, the uppermost via conductor has a second ring-shaped via conductor (uppermost second ring-shaped via conductor) 160FR immediately above the first land. The bottom of the ring-shaped via conductor is drawn with a dotted line in FIG. The bottom of the ring-shaped via conductor is formed in the inner dotted line and the outer dotted line. In FIG. 10A, the first ring-shaped via conductor and the second ring-shaped via conductor overlap. The inner diameter of the first ring-shaped via conductor and the inner diameter of the second ring-shaped via conductor are the same, and the outer diameter of the first ring-shaped via conductor and the outer diameter of the second ring-shaped via conductor are The same.

第2のリング状のビア導体の底は充填樹脂上に位置する。もしくは、第2のリング状のビア導体の底は、絶縁基板上のスルーホールランド上に位置する。リング状のビア導体の底は、絶縁基板上のスルーホールランド上に位置することが好ましい。リング状のビア導体とスルーホールランド間の接続面積が大きくなる。絶縁基板上にビア導体を形成することで応力が小さくなる。 The bottom of the second ring-shaped via conductor is located on the filling resin. Alternatively, the bottom of the second ring-shaped via conductor is located on the through-hole land on the insulating substrate. The bottom of the ring-shaped via conductor is preferably located on the through hole land on the insulating substrate. The connection area between the ring-shaped via conductor and the through-hole land is increased. The stress is reduced by forming the via conductor on the insulating substrate.

最上の導体層は、第1実施形態と同様に最上の第2ランドを有する。第1実施形態と同様に、第2実施形態の最上の第2ランドの大きさは、スルーホール導体用の貫通孔の大きさより大きい。図10(B)に示されるように、第1スルーホールランドの大きさと第2ランドの大きさは同じである。
第1実施形態や第2実施形態に関わる第1や第2ランドは、ランド内に導体を有しない部分を有しても良い。
The uppermost conductor layer has the uppermost second land as in the first embodiment. Similar to the first embodiment, the size of the uppermost second land in the second embodiment is larger than the size of the through hole for the through-hole conductor. As shown in FIG. 10B, the size of the first through-hole land and the size of the second land are the same.
The 1st and 2nd land in connection with 1st Embodiment and 2nd Embodiment may have a part which does not have a conductor in a land.

プリント配線板10は、さらに、コア基板30の第2面S上に下側のビルドアップ層55Sを有する。下側のビルドアップ層55Sは、第1実施形態と同様に、下側の層間樹脂絶縁層50Sと下側の導体層58Sと下側のビア導体60Sと最下の層間樹脂絶縁層150Sと最下の導体層158Sと最下のビア導体160Sを有する。
下側のビア導体は、上側のビア導体と同様である。第2スルーホールランド上に第1のリング状のビア導体(下側の第1のリング状のビア導体)60SRを有する。
下側の導体層は、上側の導体層と同様である。下側の導体層は、下側の第1ランドを有する。
最下のビア導体は、最上のビア導体と同様である。第1ランド上に第2のリング状のビア導体(最下の第2のリング状のビア導体)160SRを有する。
最下の導体層は、最上の導体層と同様である。最下の導体層は、最下の第2ランドを有する。
リング状のビア導体は周囲ビア導体を繋げることで形成される。従って、第2実施形態のプリント配線板に中央ビア導体を形成することで第1実施形態のプリント配線板が製造される。第1実施形態の周囲ビア導体がリング状のビア導体で形成されてもよい。
The printed wiring board 10 further includes a lower buildup layer 55S on the second surface S of the core substrate 30. Similarly to the first embodiment, the lower buildup layer 55S includes the lower interlayer resin insulation layer 50S, the lower conductor layer 58S, the lower via conductor 60S, the lowermost interlayer resin insulation layer 150S, and the uppermost interlayer resin insulation layer 150S. It has a lower conductor layer (158S) and a lowermost via conductor (160S).
The lower via conductor is similar to the upper via conductor. A first ring-shaped via conductor (lower first ring-shaped via conductor) 60SR is provided on the second through-hole land.
The lower conductor layer is the same as the upper conductor layer. The lower conductor layer has a lower first land.
The bottom via conductor is similar to the top via conductor. A second ring-shaped via conductor (bottom second ring-shaped via conductor) 160SR is provided on the first land.
The lowermost conductor layer is the same as the uppermost conductor layer. The lowermost conductor layer has a lowermost second land.
The ring-shaped via conductor is formed by connecting surrounding via conductors. Therefore, the printed wiring board of the first embodiment is manufactured by forming the central via conductor on the printed wiring board of the second embodiment. The surrounding via conductor of the first embodiment may be formed of a ring-shaped via conductor.

スルーホールランドや第1ランド上に形成されているリング状のビア導体の上面は凹んでいることが好ましい。応力が分散される。第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体間の接続信頼性が高くなる。
ビア導体がリング状に形成されているので、第1のリング状のビア導体とスルーホールランド間や第2のリング状のビア導体と第1ランド間の接続面積が大きくなる。接続信頼性が向上する。また、最上の導体層から最下の導体層へリング状のビア導体を介して熱が伝わる。リング状のビア導体は導体の体積が大きいので、放熱が向上する。熱応力が小さくなる。熱応力を小さくするために、第2のリング状のビア導体は第1のリング状のビア導体上に形成されることが好ましい。第2のリング状のビア導体の底がコア基板の第1面に垂直な光で上側の層間樹脂絶縁層と第1ランドとの間の界面に投影されると、第2のリング状のビア導体の全ての底が第1のリング状のビア導体の上面上に位置する。底と上面は完全に一致しなくても良い。その例が、図12(A)や図12(B)に示されている。図12(A)は、上側のビルドアップ層内の第1のリング状のビア導体の位置と第2のリング状のビア導体の位置を示している。図12(B)は、下側のビルドアップ層内の第1のリング状のビア導体の位置と第2のリング状のビア導体の位置を示している。図12(A)や図12(B)では、第1のリング状のビア導体の内径と第2のリング状のビア導体の内径が同じであって、第1のリング状のビア導体の外径と第2のリング状のビア導体の外径が同じである。そして、第2のリング状のビア導体の底と第1のリング状のビア導体の上面が完全に一致していない。底と上面が完全に重ならないと、スルーホールランドと第1のリング状のビア導体の間に応力が集中しない。接続信頼性が高くなる。図12(A)と図12(B)では、第1ランドとスルーホールランドが重なっていない。第1ランドの側面とスルーホールランドの側面を起点とするクラックが発生しがたい。第1実施形態のプリント配線板のスルーホールランドとランドが重ならなくてもよい。但し、第1ランドとスルーホールランドは重なっても良い。プリント配線板が小さくなるので、プリント配線板の反りに起因する応力が小さくなる。
The upper surface of the ring-shaped via conductor formed on the through-hole land or the first land is preferably recessed. Stress is distributed. The connection reliability between the first ring-shaped via conductor and the second ring-shaped via conductor is increased.
Since the via conductor is formed in a ring shape, the connection area between the first ring-shaped via conductor and the through-hole land and between the second ring-shaped via conductor and the first land is increased. Connection reliability is improved. Further, heat is transferred from the uppermost conductor layer to the lowermost conductor layer via the ring-shaped via conductor. Since the ring-shaped via conductor has a large conductor volume, heat dissipation is improved. Thermal stress is reduced. In order to reduce thermal stress, the second ring-shaped via conductor is preferably formed on the first ring-shaped via conductor. When the bottom of the second ring-shaped via conductor is projected onto the interface between the upper interlayer resin insulation layer and the first land with light perpendicular to the first surface of the core substrate, the second ring-shaped via All the bottoms of the conductors are located on the top surface of the first ring-shaped via conductor. The bottom and top surface do not have to coincide completely. Examples thereof are shown in FIGS. 12A and 12B. FIG. 12A shows the position of the first ring-shaped via conductor and the position of the second ring-shaped via conductor in the upper buildup layer. FIG. 12B shows the position of the first ring-shaped via conductor and the position of the second ring-shaped via conductor in the lower buildup layer. In FIGS. 12A and 12B, the inner diameter of the first ring-shaped via conductor and the inner diameter of the second ring-shaped via conductor are the same, and the outer diameter of the first ring-shaped via conductor is outside. The diameter and the outer diameter of the second ring-shaped via conductor are the same. The bottom of the second ring-shaped via conductor and the top surface of the first ring-shaped via conductor do not completely coincide. If the bottom and the upper surface do not completely overlap, stress does not concentrate between the through-hole land and the first ring-shaped via conductor. Connection reliability increases. In FIGS. 12A and 12B, the first land and the through-hole land do not overlap. Cracks starting from the side surface of the first land and the side surface of the through-hole land are unlikely to occur. The through hole land and land of the printed wiring board of the first embodiment may not overlap. However, the first land and the through hole land may overlap. Since the printed wiring board is small, the stress caused by the warp of the printed wiring board is small.

第2実施形態のプリント配線板は、さらに、第1実施形態のプリント配線板と同様なソルダーレジスト層70F、70Sを有する。 The printed wiring board of the second embodiment further has solder resist layers 70F and 70S similar to the printed wiring board of the first embodiment.

ソルダーレジスト層70F、70Sの開口71F、71Sにより露出しているパッド上に第1実施形態のプリント配線板と同様な保護膜(図示せず)が形成されている。 A protective film (not shown) similar to the printed wiring board of the first embodiment is formed on the pads exposed through the openings 71F and 71S of the solder resist layers 70F and 70S.

第1や第2実施形態のプリント配線板では、ビア導体とスルーホール導体により、最上の導体層と最下の導体層が接続される。既存の車載用のプリント配線板は、プリント配線板を貫通するスルーホール導体により、最上の導体層と最下の導体層が接続される。この違いにより、実施形態のプリント配線板では、ビア導体とランド間にストレスが掛かる。しかしながら、実施形態のプリント配線板では、ランド上に複数のビア導体が形成されている。もしくは、ランド上にリング状のビア導体が形成されている。実施形態では、ランドとビア導体間の接続面積が大きいので、その部分に掛かる単位面積当たりの応力は小さくなる。既存の車載用のプリント配線板のスルーホール導体は、プリント配線板を貫通している。そのため、スルーホール導体の長さが長くなる。従って、スルーホール導体とランドとの接続部に掛かる応力が大きい。実施形態のビア導体とランド間の応力は、既存の車載用のプリント配線板のスルーホール導体とランド間の応力より小さくなる。実施形態のプリント配線板の接続信頼性は高くなる。 In the printed wiring board of the first and second embodiments, the uppermost conductor layer and the lowermost conductor layer are connected by the via conductor and the through-hole conductor. In an existing on-vehicle printed wiring board, the uppermost conductor layer and the lowermost conductor layer are connected by a through-hole conductor penetrating the printed wiring board. Due to this difference, in the printed wiring board of the embodiment, stress is applied between the via conductor and the land. However, in the printed wiring board of the embodiment, a plurality of via conductors are formed on the land. Alternatively, a ring-shaped via conductor is formed on the land. In the embodiment, since the connection area between the land and the via conductor is large, the stress per unit area applied to the portion is small. A through-hole conductor of an existing in-vehicle printed wiring board penetrates the printed wiring board. Therefore, the length of the through-hole conductor is increased. Accordingly, the stress applied to the connection portion between the through-hole conductor and the land is large. The stress between the via conductor and the land in the embodiment is smaller than the stress between the through-hole conductor and the land of the existing in-vehicle printed wiring board. The connection reliability of the printed wiring board of the embodiment is increased.

リング状のビア導体の寸法を除き、第2実施形態のプリント配線板と第1実施形態のプリント配線板の各要素の寸法は同じである。リング状ビア導体の外径WOは例えば、125μmであり、内径WIは75μmである。 Except for the dimension of the ring-shaped via conductor, the dimensions of the elements of the printed wiring board of the second embodiment and the printed wiring board of the first embodiment are the same. The outer diameter WO of the ring-shaped via conductor is, for example, 125 μm, and the inner diameter WI is 75 μm.

第2実施形態のプリント配線板10の製造方法が図11に示される。
(1)第1実施形態と同様に、図2(A)〜図6(A)に示される工程が行われる。コア基板30の第1面Fと第2面S上に絶縁層(層間樹脂絶縁層)50F、50Sが形成される(11(A))。
A method for manufacturing the printed wiring board 10 of the second embodiment is shown in FIG.
(1) Similar to the first embodiment, the steps shown in FIGS. 2A to 6A are performed. Insulating layers (interlayer resin insulating layers) 50F and 50S are formed on the first surface F and the second surface S of the core substrate 30 (11 (A)).

(2)銅箔49、49及び絶縁層50F、50Sに導体層34F、34Sに至るビア導体用の開口51Fと、リング状のビア導体用のリング状開口51FR、51SRが形成される(図11(B))。リング状開口51FR、51SRはスルーホールランド上に形成されている。開口51F、51Sとリング状開口51FR、51SRは導体層34F、34Sに向かってテーパーしている。
リング状開口51FR、51SRはレーザを用いるスカイビング加工により形成される。以降、図6(B)〜図8に示されている方法と同様方法で第2実施形態のプリント配線板が製造される。
(2) Via conductor openings 51F reaching the conductor layers 34F and 34S and ring-shaped via conductor openings 51FR and 51SR are formed in the copper foils 49 and 49 and the insulating layers 50F and 50S (FIG. 11). (B)). The ring-shaped openings 51FR and 51SR are formed on the through hole land. The openings 51F and 51S and the ring-shaped openings 51FR and 51SR are tapered toward the conductor layers 34F and 34S.
The ring-shaped openings 51FR and 51SR are formed by skiving processing using a laser. Thereafter, the printed wiring board of the second embodiment is manufactured by a method similar to the method shown in FIGS.

[第2実施形態の改変例]
図13は、第2実施形態の改変例に係る第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体の投影図を示している。
図13(A)では、第1のリング状のビア導体の内径は第2のリング状のビア導体の内径より大きく、第1のリング状のビア導体の外径は第2のリング状のビア導体の外径より大きい。
図13(B)では、第1のリング状のビア導体の内径は第2のリング状のビア導体の内径より小さく、第1のリング状のビア導体の外径は第2のリング状のビア導体の外径より小さい。
図13(A)、(B)では、小さいリング状のビア導体の外形が大きいリング状のビア導体の内径より小さい。
そして、第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体は重なっていない。第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体は重なっていないので、第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体との間に第1ランドが存在している。図13(B)に示されるように、第1のリング状のビア導体の大きさが第2のリング状のビア導体の大きさより小さい場合、第1のリング状のビア導体は第1ランドに囲まれている。図13(B)の断面図が図13(D)に示されている。第2のリング状のビア導体の大きさが第1のリング状のビア導体の大きさより小さい場合、第2のリング状のビア導体は第1ランドに囲まれている。このように、第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体間に水平方向の第1ランドが存在している。その第1ランドにより、応力が緩和される。
図13(C)では、第1のリング状のビア導体の大きさと第2のリング状のビア導体の大きさが異なっていて、一部が重なっている。重なっている部分に斜線が描かれている。第1のリング状のビア導体の底の内周と外周は鎖線で描かれ、第2のリング状のビア導体の底の内周と外周は点線で描かれている。この例は、放熱と応力緩和の点で優れる。高い接続信頼性を有するプリント配線板が得られる。
[Modification of Second Embodiment]
FIG. 13 is a projection view of a first ring-shaped via conductor and a second ring-shaped via conductor according to a modification of the second embodiment.
In FIG. 13A, the inner diameter of the first ring-shaped via conductor is larger than the inner diameter of the second ring-shaped via conductor, and the outer diameter of the first ring-shaped via conductor is the second ring-shaped via conductor. It is larger than the outer diameter of the conductor.
In FIG. 13B, the inner diameter of the first ring-shaped via conductor is smaller than the inner diameter of the second ring-shaped via conductor, and the outer diameter of the first ring-shaped via conductor is the second ring-shaped via conductor. It is smaller than the outer diameter of the conductor.
13A and 13B, the outer shape of the small ring-shaped via conductor is smaller than the inner diameter of the large ring-shaped via conductor.
The first ring-shaped via conductor and the second ring-shaped via conductor do not overlap. Since the first ring-shaped via conductor and the second ring-shaped via conductor do not overlap, there is a first land between the first ring-shaped via conductor and the second ring-shaped via conductor. ing. As shown in FIG. 13B, when the size of the first ring-shaped via conductor is smaller than the size of the second ring-shaped via conductor, the first ring-shaped via conductor is formed on the first land. being surrounded. A cross-sectional view of FIG. 13B is shown in FIG. When the size of the second ring-shaped via conductor is smaller than the size of the first ring-shaped via conductor, the second ring-shaped via conductor is surrounded by the first land. As described above, the first land in the horizontal direction exists between the first ring-shaped via conductor and the second ring-shaped via conductor. The stress is relieved by the first land.
In FIG. 13C, the first ring-shaped via conductor and the second ring-shaped via conductor are different in size and partially overlap. A diagonal line is drawn in the overlapping part. The inner periphery and outer periphery of the bottom of the first ring-shaped via conductor are drawn with a chain line, and the inner periphery and outer periphery of the bottom of the second ring-shaped via conductor are drawn with a dotted line. This example is excellent in terms of heat dissipation and stress relaxation. A printed wiring board having high connection reliability can be obtained.

10 プリント配線板
30 コア基板
36 スルーホール導体
36FR、36SR スルーホールランド
50F、50S 絶縁層
58FP、58SP 第1ランド
60F 上側のビア導体
60FR 上側の第1のリング状のビア導体
150F、150S 絶縁層
158FP、158SP 第2ランド
160F 最上のビア導体
160FR 最上の第2のリング状のビア導体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Printed wiring board 30 Core board | substrate 36 Through-hole conductor 36FR, 36SR Through-hole land 50F, 50S Insulating layer 58FP, 58SP First land 60F Upper via conductor 60FR Upper first ring-shaped via conductor 150F, 150S Insulating layer 158FP 158SP Second land 160F Top via conductor 160FR Top second ring-shaped via conductor

Claims (4)

第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する絶縁基板と前記絶縁基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔の壁上に形成されている筒状のスルーホール導体と前記スルーホール導体内を充填している充填樹脂と前記絶縁基板の第1面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第1スルーホールランドと前記絶縁基板の第2面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第2スルーホールランドとで形成されているコア基板と、
前記絶縁基板の第1面と前記第1スルーホールランド上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層と、
前記上側の層間樹脂絶縁層上に形成されていて、上側のビアランドを含む上側の導体層と、
前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通し、前記上側のビアランドと前記第1スルーホールランドを接続している複数の上側のビア導体を有するプリント配線板であって、
前記複数の上側のビア導体は前記第1スルーホールランドの直上に形成されていて、前記複数の上側のビア導体は、前記充填樹脂上に位置する中央ビア導体と前記中央ビア導体を囲む周囲ビア導体を含み、
前記上側の層間樹脂絶縁層と前記上側の導体層上に形成されている最上の層間樹脂絶縁層と、前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され最上のビアランドを含む最上の導体層と、前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通し前記上側のビアランドと前記最上のビアランドを接続する複数の最上のビア導体を有し、前記複数の最上のビア導体は中央ビア導体と前記中央ビア導体を囲む周囲ビア導体を含み、前記最上のビア導体の前記中央ビア導体は前記上側のビア導体の前記中央ビア導体上に位置し、前記最上のビア導体の前記周囲ビア導体は前記上側のビア導体の前記周囲ビア導体上に位置していない。
An insulating substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a through hole penetrating the insulating substrate, a cylindrical through-hole conductor formed on the wall of the through hole, and the through A filling resin filling the inside of the hole conductor, a first through-hole land formed on the first surface of the insulating substrate and covering the through-hole conductor and the filling resin, and formed on the second surface of the insulating substrate A core substrate formed of the through-hole conductor and a second through-hole land covering the filling resin;
An upper interlayer resin insulating layer formed on the first surface of the insulating substrate and the first through-hole land;
An upper conductor layer formed on the upper interlayer resin insulation layer and including an upper via land;
A printed wiring board having a plurality of upper via conductors penetrating the upper interlayer resin insulation layer and connecting the upper via land and the first through-hole land,
The plurality of upper via conductors are formed immediately above the first through-hole land, and the plurality of upper via conductors are a central via conductor located on the filling resin and a peripheral via surrounding the central via conductor. the conductor only including,
An uppermost interlayer resin insulation layer formed on the upper interlayer resin insulation layer and the upper conductor layer; an uppermost conductor layer formed on the uppermost interlayer resin insulation layer and including an uppermost via land; and A plurality of top via conductors that penetrate the top interlayer resin insulation layer and connect the upper via land and the top via land, the plurality of top via conductors surrounding a central via conductor and the central via conductor; Including a via conductor, the central via conductor of the uppermost via conductor being located on the central via conductor of the upper via conductor, and the peripheral via conductor of the uppermost via conductor being the periphery of the upper via conductor Not located on via conductor.
第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する絶縁基板と前記絶縁基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔の壁上に形成されている筒状のスルーホール導体と前記スルーホール導体内を充填している充填樹脂と前記絶縁基板の第1面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第1スルーホールランドと前記絶縁基板の第2面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第2スルーホールランドとで形成されているコア基板と、
前記絶縁基板の第1面と前記第1スルーホールランド上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層と、
前記上側の層間樹脂絶縁層上に形成されていて、上側のビアランドを含む上側の導体層と、
前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通し、前記上側のビアランドと前記第1スルーホールランドを接続している複数の上側のビア導体を有するプリント配線板であって、
前記複数の上側のビア導体は前記第1スルーホールランドの直上に形成されていて、前記複数の上側のビア導体は、前記充填樹脂上に位置する中央ビア導体と前記中央ビア導体を囲む周囲ビア導体を含み、
前記貫通孔は前記第1面に第1開口を有し、前記中央ビア導体は前記第1開口の重心上に位置し、前記中央ビア導体は円の中心に形成されていて、前記周囲ビア導体は前記円の円周上に位置し、
さらに、前記上側の層間樹脂絶縁層と前記上側の導体層上に形成されている最上の層間樹脂絶縁層と、前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され最上のビアランドを含む最上の導体層と、前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通し前記上側のビアランドと前記最上のビアランドを接続する複数の最上のビア導体を有し、前記複数の最上のビア導体は中央ビア導体と前記中央ビア導体を囲む周囲ビア導体を含み、前記最上のビア導体の前記中央ビア導体は前記上側のビア導体の前記中央ビア導体上に位置し、前記最上のビア導体の前記周囲ビア導体は前記円周上に位置し、
前記最上のビア導体の前記周囲ビア導体が前記絶縁基板の前記第1面に垂直な光で前記第1スルーホールランド上に投影されると、前記最上のビア導体の前記周囲ビア導体と前記上側のビア導体の前記周囲ビア導体は交互に配置される。
An insulating substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a through hole penetrating the insulating substrate, a cylindrical through-hole conductor formed on the wall of the through hole, and the through A filling resin filling the inside of the hole conductor, a first through-hole land formed on the first surface of the insulating substrate and covering the through-hole conductor and the filling resin, and formed on the second surface of the insulating substrate A core substrate formed of the through-hole conductor and a second through-hole land covering the filling resin;
An upper interlayer resin insulating layer formed on the first surface of the insulating substrate and the first through-hole land;
An upper conductor layer formed on the upper interlayer resin insulation layer and including an upper via land;
A printed wiring board having a plurality of upper via conductors penetrating the upper interlayer resin insulation layer and connecting the upper via land and the first through-hole land,
The plurality of upper via conductors are formed immediately above the first through-hole land, and the plurality of upper via conductors are a central via conductor located on the filling resin and a peripheral via surrounding the central via conductor. Including conductors,
The through hole has a first opening on the first surface, the central via conductor is located on the center of gravity of the first opening, the central via conductor is formed at the center of a circle, and the peripheral via conductor Is located on the circumference of the circle,
Furthermore, the uppermost interlayer resin insulation layer formed on the upper interlayer resin insulation layer and the upper conductor layer, and the uppermost conductor layer including the uppermost via land formed on the uppermost interlayer resin insulation layer; A plurality of uppermost via conductors that pass through the uppermost interlayer resin insulation layer and connect the upper via land and the uppermost via land, and the plurality of uppermost via conductors include a central via conductor and the central via conductor. Including a surrounding via conductor, wherein the central via conductor of the uppermost via conductor is positioned on the central via conductor of the upper via conductor, and the peripheral via conductor of the uppermost via conductor is positioned on the circumference And
When the peripheral via conductor of the uppermost via conductor is projected onto the first through-hole land with light perpendicular to the first surface of the insulating substrate, the peripheral via conductor and the upper side of the uppermost via conductor are projected. The peripheral via conductors of the via conductors are alternately arranged.
第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する絶縁基板と前記絶縁基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔の壁上に形成されている筒状のスルーホール導体と前記スルーホール導体内を充填している充填樹脂と前記絶縁基板の第1面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第1スルーホールランドと前記絶縁基板の第2面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第2スルーホールランドとで形成されているコア基板と、
前記絶縁基板の第1面と前記第1スルーホールランド上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層と、
前記上側の層間樹脂絶縁層上に形成されていて、上側のビアランドを含む上側の導体層と、
前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通し、前記上側のビアランドと前記第1スルーホールランドを接続しているリング状のビア導体を有するプリント配線板であって、
前記リング状のビア導体は前記第1スルーホールランドの直上に形成され
さらに、前記上側の層間樹脂絶縁層と前記上側の導体層上に形成されている最上の層間樹脂絶縁層と、前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され最上のビアランドを含む最上の導体層と、前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通し前記上側のビアランドと前記最上のビアランドを接続するリング状のビア導体を有し、
前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通するリング状のビア導体の径と前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通するリング状のビア導体の径が異なる。
An insulating substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a through hole penetrating the insulating substrate, a cylindrical through-hole conductor formed on the wall of the through hole, and the through A filling resin filling the inside of the hole conductor, a first through-hole land formed on the first surface of the insulating substrate and covering the through-hole conductor and the filling resin, and formed on the second surface of the insulating substrate A core substrate formed of the through-hole conductor and a second through-hole land covering the filling resin;
An upper interlayer resin insulating layer formed on the first surface of the insulating substrate and the first through-hole land;
An upper conductor layer formed on the upper interlayer resin insulation layer and including an upper via land;
A printed wiring board having a ring-shaped via conductor passing through the upper interlayer resin insulation layer and connecting the upper via land and the first through-hole land,
The ring-shaped via conductor is formed immediately above the first through-hole land ,
Furthermore, the uppermost interlayer resin insulation layer formed on the upper interlayer resin insulation layer and the upper conductor layer, and the uppermost conductor layer including the uppermost via land formed on the uppermost interlayer resin insulation layer; A ring-shaped via conductor that passes through the uppermost interlayer resin insulation layer and connects the upper via land and the uppermost via land;
The diameter of the ring-shaped via conductor that penetrates the upper interlayer resin insulation layer is different from the diameter of the ring-shaped via conductor that penetrates the uppermost interlayer resin insulation layer.
請求項のプリント配線板であって、前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通するリング状のビア導体の径が、前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通するリング状のビア導体の径より大きい。 4. The printed wiring board according to claim 3 , wherein the diameter of the ring-shaped via conductor that penetrates the upper interlayer resin insulation layer is larger than the diameter of the ring-shaped via conductor that penetrates the uppermost interlayer resin insulation layer.
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