JP6306932B2 - 電着銅の剥ぎ取り方法 - Google Patents
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Description
本発明者は、鋭意研究の結果、ラミネーションが生じた場合にカソード下部電着銅の一部を切断するだけでフラッピングが低減されることを新たに突き止めた。ラミネーションとは、電着銅2の内部に例えば塩化銅(CuCl)を主とするラミネート層が生じる現象のことである。ラミネート層は、例えば、電解精製の途中で停電などに起因して通電が停止した場合などに生成される。
2,2a 電着銅
2b 再電着銅
2c ラミネート層
3 窓部
4 クロスバー
5 エッジストリップ
8 グリップ
10 合板
Claims (9)
- 銅電解精製で板状のカソードの両面および下端に形成されかつ厚みの途中に、ラミネーションによって生成されたラミネート層が形成された電着銅の当該下端に対し、少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記カソードから前記電着銅を剥ぎ取る剥取工程と、を含むことを特徴とする電着銅の剥ぎ取り方法。 - 前記切削工程において、前記ラミネート層の下端から2mm下の位置よりも深く切削を行うことを特徴とする請求項1記載の電着銅の剥ぎ取り方法。
- 前記切削工程において、前記ラミネート層の少なくとも一部を切断することを特徴とする請求項2記載の電着銅の剥ぎ取り方法。
- 前記切削工程において、前記ラミネート層の下端よりも2mm下から、前記ラミネート層の下端よりも2mm上までの範囲まで切削を行うことを特徴とする請求項1または2記載の電着銅の剥ぎ取り方法。
- 前記切削工程において、前記ラミネート層の下端よりも1mm下から、前記ラミネート層の下端よりも2mm上までの範囲まで切削を行うことを特徴とする請求項1または2記載の電着銅の剥ぎ取り方法。
- 前記切削工程において、前記ラミネート層の下端よりも2mm下から、前記ラミネート層の下端までの範囲で切削を行うことを特徴とする請求項1または2記載の電着銅の剥ぎ取り方法。
- 前記ラミネート層は、前記電着銅の下端の厚みの30%から70%の範囲に位置することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の電着銅の剥ぎ取り方法。
- 前記カソードは、両側にエッジストリップが設けられており、
前記切削工程において、前記エッジストリップから3mm以内は切削しないことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の電着銅の剥ぎ取り方法。 - 前記切削工程において、切削歯を用いて前記電着銅の下端を切削することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の電着銅の剥ぎ取り方法。
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