JP6306820B2 - 光学干渉計におけるミラー位置を決定する技法 - Google Patents

Description

発明の技術分野
本発明は、一般には、光学的分光法および干渉法に関し、詳細には、光学干渉計におけるマイクロメカニカル（微小電子機械）システム（Micro Electro-Mechanical System）（ＭＥＭＳ）技術の使用に関する。

関連出願の相互参照
本国際出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれ、あらゆる目的で本国際出願の一部とされる、係属中の、２０１０年３月９日付で出願された、「Electronics for MEMS-based systems: design issues and tradeoffs」という名称の、米国仮特許出願第６１／３１１９６６号（整理番号第ＢＡＳＳ０１−００００８号）に対する、米国特許法１１９条（ｅ）による優先権を主張するものである。

関連技術の説明
マイクロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）とは、超微細加工技術による一般のシリコン基板上における機械要素、センサ、アクチュエータおよび電子回路の統合をいう。例えば、マイクロエレクトロニクスは、典型的には、集積回路（ＩＣ）工程を使用して製造されるが、マイクロメカニカル部品は、シリコンウェーハの部分を選択的にエッチングで除去し、または新しい構造層を追加して機械的、エレクトロメカニカル（電子機械的）部品を形成する適合する微細機械加工工程を使用して製造される。ＭＥＭＳデバイスは、その低コスト、バッチ処理能力、および標準的なマイクロエレクトロニクスとの適合性ゆえに、分光法、プロフィロメトリ、環境センシング、屈折率測定（または材料認識）、ならびに他のいくつかのセンサ用途における使用のための魅力的な候補である。加えて、ＭＥＭＳデバイスが小型であることは、そのようなＭＥＭＳデバイスのモバイル機器およびハンドヘルド機器への組み込みも容易にする。

さらに、ＭＥＭＳ技術は、その多数の作動法と共に、光学的同調性や動的検知の用途といった、フォトニックデバイスの新しい機能および機構の実現を可能にする。例えば、（静電気的、磁気的または熱的）ＭＥＭＳ作動を使用してマイケルソン干渉計の可動ミラーを制御することによって、干渉計光路長の小さな変位を導入することができ、その結果、干渉ビーム間の差分位相を得ることができる。結果として得られる差分位相は、（フーリエ変換分光法などを使用して）干渉計ビームの分光感度、（ドップラー効果などを使用して）可動ミラーの速度を測定するために、または単に、光位相遅延要素として使用することができる。

そのような干渉計の精度における重要な構成要素が、可動ミラーの位置を決定することである。従来から、可動ミラー位置の測定にはレーザーおよび補助干渉計が使用されてきた。しかし、かさばるレーザー光源およびさらに別の干渉計を導入すると、干渉計システムのサイズ、コストおよび複雑さが増大する。

したがって、サイズ、コストおよび複雑さが低減される、可動ミラー位置を決定するための機構が求められている。

本発明の実施形態は、可動ミラーと、可動ミラーの変位を生じさせるために可動ミラーに結合されたマイクロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）アクチュエータとを含むＭＥＭＳ装置を提供する。ＭＥＭＳアクチュエータは可変静電容量を有する。ＭＥＭＳアクチュエータには、ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量を検知し、ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量に基づいて可動ミラーの位置を決定するために、容量検知回路が結合されている。

一実施形態では、ＭＥＭＳアクチュエータは２枚の板を有する静電アクチュエータであり、容量検知回路は２枚の板間の現在の静電容量を検知する。一例示的実施形態では、ＭＥＭＳアクチュエータは静電櫛歯状アクチュエータである。

別の実施形態では、容量検知回路は、現在の静電容量を受け取り、静電容量に比例する出力電圧を作り出すための静電容量／電圧変換器を含む。

別の実施形態では、容量検知回路は、ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量を検知するための特定用途向け集積回路と、現在の静電容量に基づいて可動ミラーの位置を決定するためのディジタル信号プロセッサとを含む。一例示的実施形態では、特定用途向け集積回路はさらに、ＭＥＭＳアクチュエータの動きを生じさせる作動信号を生成する。別の例示的実施形態では、ＭＥＭＳアクチュエータ、可動ミラーおよび特定用途向け集積回路は１つのダイ(die:型状)パッケージ上に集積されている。

本発明の実施形態はさらに、光を受け、反射するように光学的に結合された可動ミラーを有する干渉計を含むマイクロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）干渉計システムを提供する。また、ＭＥＭＳ干渉計システムは、可動ミラーの変位を生じさせるために可動ミラーに結合されたＭＥＭＳアクチュエータと、ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量を検知し、ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量に基づいて可動ミラーの位置を決定するための、ＭＥＭＳアクチュエータに結合された容量検知回路も含む。

一例示的実施形態では、干渉計は、入射ビームを受け、入射ビームを第１の干渉ビームと第２の干渉ビームとに分割するように光学的に結合されたビームスプリッタと、第１の干渉ビームを受け、第１の反射干渉ビームを作り出すために第１の干渉ビームをビームスプリッタへ向けて反射して戻すように光学的に結合された固定ミラーとをさらに含む。可動ミラーは、第２の干渉ビームを受け、第２の反射干渉ビームを作り出すために第２の干渉ビームをビームスプリッタへ向けて反射して戻すように光学的に結合されている。検出器が、第１の反射干渉ビームと第２の反射干渉ビームとの間の干渉の結果として作り出される干渉パターンを検出するように光学的に結合されている。一実施形態では、可動ミラーの変位は、変位の２倍に等しい第１の干渉ビームと第２の干渉ビームとの光路長差を作り出す。

別の例示的実施形態では、干渉計は、光ビームを作り出すための広帯域光源と、可動ミラーを含む第１のアームと、固定ミラーを含む第２のアームと、第１のアームと第２のアームの両方を横切るように光ビームを分割するためのビームスプリッタとを含む。可動ミラーは、干渉計の第１のアームと第２のアームとの間の光ビームのゼロ光路差に対応するゼロ位置の両側を通って動くことができる。干渉計は、ディジタル信号プロセッサが位相補正に際して使用するためのゼロ位置の両側におけるインターフェログラムを記録する。

本発明の実施形態は、マイクロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置内の可動ミラーの位置を決定するための方法を提供する。方法は、可変静電容量を有する、可動ミラーに結合されたＭＥＭＳアクチュエータを設ける段階を含む。方法は、ＭＥＭＳアクチュエータを使用して可動ミラーを変位させる段階と、ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量を検知する段階と、ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量に基づいて可動ミラーの位置を決定する段階とをさらに含む。

以下の詳細な説明を添付の図面と併せて参照すれば、本発明のより完全な理解が得られる。
本発明の実施形態による、可動ミラーの位置を決定するための例示的マイクロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置を示すブロック図である。 本発明の実施形態による、可動ミラーの位置を決定するためのＭＥＭＳ干渉計システムの例示的構成部品を示すブロック図である。 本発明の実施形態による、ＭＥＭＳ干渉計システムの別の例示的構成部品を示すブロック図である。 本発明の実施形態による、ＭＥＭＳ干渉計システム内で使用するための特定用途向け集積回路（application specific integrated circuit）（ＡＳＩＣ）の例示的構成部品を示すブロック図である。 本発明の実施形態による、図４のＡＳＩＣ内で使用するための例示的静電容量／電圧回路を示す回路図である。 本発明の実施形態による、ＭＥＭＳ装置の例示的アーキテクチャを示す図である。 本発明の実施形態による、ＭＥＭＳ干渉計システムの例示的アーキテクチャを示す図である。 本発明による、例示的ＭＥＭＳダイ（die:型状）パッケージを示す図である。 本発明の実施形態による、ＭＥＭＳ装置内の可動ミラーの位置を決定するための例示的方法を示す図である。

図面の詳細な説明
本発明の実施形態によれば、干渉計／分光計用途といった、マイクロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）用途において可動ミラーの位置を決定するための技法が提供される。この技法は、小型チップ上における干渉計／分光計システムの統合を可能にし、システムのコストおよび複雑さを低減する。

次に図１を参照すると、本発明の実施形態による例示的ＭＥＭＳ装置１００が示されている。ＭＥＭＳ装置１００は、ＭＥＭＳアクチュエータ１１０と、可動ミラー１２０とを含む。ＭＥＭＳアクチュエータ１１０は、櫛歯状アクチュエータや、平行板アクチュエータや、別の種類の静電アクチュエータといった静電アクチュエータである。可動ミラー１２０は、ＭＥＭＳアクチュエータの動きが可動ミラー１２０の位置の変位を生じさせるように、ＭＥＭＳアクチュエータ１１０に結合されている。

多くのＭＥＭＳ用途では、可動ミラー１２０の位置の知識を有することが必要である。例えば、干渉計用途では、可動ミラー１２０の位置は、干渉計の出力を処理するのに使用される。ＭＥＭＳ干渉計システム１０５の一例が図２に示されている。図２に示すように、ＭＥＭＳアクチュエータ１１０および可動ミラー１２０は、（図７に関連して以下でより詳細に説明する）ビームスプリッタや、固定ミラーや、光検出器といった、干渉計１４０の他の構成部品と合わさってＭＥＭＳ干渉計１５０を形成する。ＭＥＭＳ干渉計１５０は、例えば、フーリエ変換赤外分光（ＦＴＩＲ）分光計、マイケルソン(Michelson)干渉計、マッハツェンダー(Mach Zender)干渉計、ファブリー・ペロー(Fabry Perot)干渉計などとすることができる。

可動ミラー１２０の変位は、光検出器において所望の干渉パターンを達成するために、干渉計１４０の２つのアーム間の光路長差を作り出す。光検出器からの信号出力を効果的に処理するためには、少なくとも１つの平面おける可動ミラー１２０の位置が確認されなければならない。

したがって、次に図１および図２を参照すると、可動ミラー位置を測定するために、ＭＥＭＳ装置１００は、ＭＥＭＳアクチュエータ１１０に結合された容量検知回路１３０も含む。ＭＥＭＳアクチュエータ１１０は静電アクチュエータであるため、ＭＥＭＳアクチュエータ１１０は、容量検知回路１３０によって測定され得る可変静電容量を有する。例えば、一実施形態では、容量検知回路１３０をＭＥＭＳアクチュエータ１１０の２枚の板に結合して、板間の静電容量を検出する（すなわち、以下ＭＥＭＳアクチュエータの「現在の静電容量」と呼ぶ静電容量の現在値を測定する）ことができる。

測定された現在の静電容量に基づき、可動ミラー１２０の位置を決定することができる。理解されるように、ＭＥＭＳアクチュエータ１１０の２枚の板間の分離間隔（距離）は、ミラー１２０が移動するに従って変動する。ＭＥＭＳアクチュエータ１１０は静電アクチュエータであるため、２枚の板間の静電容量は、２枚の板間の分離間隔に正比例（場合によっては逆比例）する。よって、板間の静電容量は、この分離間隔を決定するのに使用することができ、分離間隔はさらに、ミラー位置を決定するのに使用することができる。

図３は、本発明の実施形態による、ＭＥＭＳ干渉計システム１０５の例示的構成部品を示すブロック図である。図３において、容量検知回路（capacitive sensing circuit）（ＣＳＣ）１３０は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）１６０内で実施されている。ＡＳＩＣ１６０はさらに、ＭＥＭＳ干渉計１５０と、ディジタル信号プロセッサ（digital signal processor）（ＤＳＰ）１７０とに結合されている。一実施形態では、ＤＳＰ１７０は、ＡＳＩＣ１６０上で実施される。ＡＳＩＣ１６０上にＤＳＰ１７０を組み込むことにより、より大きなシステムに容易に組み込むことのできる、魅力的な自己完結型の解決策が与えられる。しかしこれは、ＡＳＩＣ技術選択に制限を課し、ディジタル部分と高感度のアナログ・フロント・エンドとの間に干渉を生じさせる可能性もある。したがって、別の実施形態では、ＤＳＰ１７０を、別のＡＳＩＣ上で、または汎用パーソナルコンピュータ上で実行可能なソフトウェアとして実施することもできる。

ＡＳＩＣ１６０内のＣＳＣ１３０は、ＭＥＭＳ干渉計１５０のＭＥＭＳアクチュエータから容量検知信号１９０を受け取るように結合されている。ＣＳＣ１３０は、容量検知信号１９０を測定してＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量を決定し、現在の静電容量の値をＤＳＰ１７０へ送る。ＤＳＰ１７０は、現在の静電容量値を処理して、ＭＥＭＳ干渉計１５０内の可動ミラーの位置を決定する。

また、ＡＳＩＣ１６０は、作動信号１８０を生成し、ＭＥＭＳアクチュエータの運動を制御するために作動信号１８０をＭＥＭＳ干渉計１５０のＭＥＭＳアクチュエータへ送るための回路も含む。例えば、一例示的実施形態では、ＡＳＩＣ１６０は、任意の作動プロファイルをサポートするＤ／Ａ変換器（digital-to-analog converter）（ＤＡＣ）を含む。またＤＡＣは、不要な共振モードが励起されないようにするために、作動雑音を低減し、非常に高度にスプリアス(spurious:偽り)フリーの、すなわちスプリアスのないダイナミック・レンジを有するように非常に高い分解能のものとすることもできる。

加えて、ＡＳＩＣ１６０はさらに、ＭＥＭＳ干渉計１５０から出力される光学的干渉パターン１９５を受け取り、光学的干渉パターン１９５を処理のためにＤＳＰ１７０へ提供するようにも結合されている。例えば、一例示的実施形態では、ＭＥＭＳ干渉計システム１０５は、汎用ＭＥＭＳインターフェースＣＭＯＳ ＡＳＩＣ１６０を使用するＭＥＭＳ ＦＴＩＲ分光計である。この実施形態では、ＭＥＭＳ干渉計１５０は、光検出器と、固定ミラーと、可動ミラーとを含む。可動ミラーの動きに従って、光検出器は光学的干渉パターン１９５を捕える。ＡＳＩＣ１６０は、信号を増幅し、直流オフセットを除去し、必要なアンチエイリアシング（anti-aliasing:折り返し除去）フィルタリングを提供する低雑音信号調節路を含んでいてもよい。信号調節は、最終出力スペクトルにおけるスプリアストーンを低減するために、高度に線形な手法で行われてもよい。ＤＳＰ１７０においては、可動ミラーの位置の知識を用いた調節されたパターンのスペクトル分析により、光路内の材料の光波長およびスペクトル指紋（spectral print）を識別することができる。

次に図４を参照すると、例示的ＣＲＣ１３０が示されている。ＣＲＣ１３０は、静電容量／電圧変換器（Ｃ／Ｖ）２００と、増幅器２１０と、低域フィルタ２２０とを含む。Ｃ／Ｖ２００は、ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量を指示する容量検知信号１９０を受け取るように結合されており、現在の静電容量を電圧に変換するよう動作する。特に、Ｃ／Ｖは、ＭＥＭＳアクチュエータの２端子間の静電容量に比例する電圧出力を作り出す。増幅器２１０は、Ｃ／Ｖ２００からの電圧出力を増幅し、低域フィルタ２２０は、電圧をフィルタリングしてスプリアス信号を除去する。一例示的実施形態では、Ｃ／Ｖ２００は、様々な固定静電容量に重畳される幅広い静電容量範囲をサポートするための広範囲の利得および直流オフセット除去を有する、非常に低雑音のＣ／Ｖである。ＣＲＣ１３０のために低雑音レベルが求められるのは、ミラー位置の不正確が、システムの信号対雑音比（signal-to-noise ratio）（ＳＮＲ）に直接影響を及ぼすからである。また、ＡＳＩＣ１６０も、１８ビットを超える分解能を許容するために、非常に低い電圧および雑音レベルを示し得る。別の実施形態では、ＡＳＩＣ１６０は、Ｃ／Ｖ２００を較正するための静電容量較正回路も含んでいてもよい。

Ｃ／Ｖ２００の一例が図５に示されている。Ｃ／Ｖ２００は、測定される静電容量Ｃを受け取るための入力端子と、基準静電容量Ｃｒｅｆを受け取るための入力端子と、演算増幅器２０２と、フィードバックコンデンサＣｏと、包絡線検波器回路２０４とを含む。例示的動作では、既知の周波数（例えば１０ｋＨｚ）の交流信号が静電容量Ｃの一方の端子に印加され、同じ励起信号の負のバージョンが基準コンデンサＣｒｅｆに印加される。演算増幅器２０２の出力は、その振幅が値（Ｃ−Ｃｒｅｆ）に比例する同じ周波数の交流信号である。

包絡線検波器回路２０４は、演算増幅器２０２の出力の包絡線を検出する。特に、包絡線検波器回路２０４は、演算増幅器２０２からの交流信号出力の振幅（包絡線）に比例する出力電圧を生成するように動作する。図５に示すように、包絡線検波器回路２０４は、演算増幅器２０２から出力される信号Ｖｏ１の包絡線を検出し、測定される静電容量の値に比例する電圧Ｖｏｕｔを作り出す。Ｃ／Ｖ２００のための他の回路設計も可能であり、本発明はどんな特定のＣ／Ｖ回路設計にも限定されるものではないことを理解すべきである。例えば、別の実施形態では、Ｃ／Ｖ２００は、２つのコンデンサにおける差を検知するための複数の端子を有していてもよく、その場合、差分値はミラー位置に比例する。

図６は、本発明の実施形態による、ＭＥＭＳ装置１００の例示的アーキテクチャを示す図である。ＭＥＭＳ装置１００は、ＡＳＩＣ１６０と、ＭＥＭＳ干渉計といったＭＥＭＳデバイス１５５とを含む。ＭＥＭＳデバイス１５５は、静電櫛歯状ＭＥＭＳアクチュエータ１１０と、可動ミラー１２０とを含む。図６に示す静電櫛歯状ＭＥＭＳアクチュエータ１１０は、櫛歯１１５とばね１１８とで形成されており、それぞれ個々の端子１１２、１１４を有する。端子１１２において櫛歯１１５に電圧を印加することにより、アクチュエータ１１０の両端に電位差が生じ、この電位差がアクチュエータ１１０に静電容量を誘導し、駆動力をばね１１８からの復元力と共に発生させ、それによって、所望の位置への可動ミラー１２０の変位が生じる。誘導される静電容量Ｃｖａｒｉａｂｌｅは、端子１１２および１１４をＡＳＩＣ１６０上のポート１６２および１６４に接続することによって、端子１１２と端子１１４の間で測定することができる。

一実施形態では、ＡＳＩＣ１６０からの作動信号は、時分割多重化または周波数分割多重化を使用して、静電容量検知信号と同じポート（ポート１６２）上で送られる。単一のポート上で両方の機能（作動および容量検知）を有することにより、必要最大作動電圧が低減され得ると同時に、検知される静電容量も増大する。しかし、これは、検知回路と作動回路との間の望ましくない相互作用につながり得る。したがって、別の実施形態では、作動信号は、ＡＳＩＣ１６０上の別のポート（不図示）上で送られる。図６に示すＭＥＭＳアクチュエータ１１０のレイアウトおよび特徴は単なる例示にすぎず、本発明は、櫛歯状アクチュエータであれ、平行板アクチュエータであれ、あるいは別の種類の静電ＭＥＭＳアクチュエータであれ、任意の静電ＭＥＭＳアクチュエータ設計を用いて実現され得ることを理解すべきである。

図７は、本発明の実施形態による、ＭＥＭＳ干渉計システム１０５の例示的アーキテクチャを示す図である。ＭＥＭＳ干渉計システム１０５は、ＭＥＭＳ干渉計１５０と、ＡＳＩＣ１６０とを含む。ＭＥＭＳ干渉計１５０は、例えば、ＭＥＭＳ作動式可動ミラーを可能にするためにＳＯＩウェーハ上で実現されるフーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）分光計などとすることができる。

ＭＥＭＳ干渉計１５０は、ＭＥＭＳアクチュエータ１１０と、干渉計１４０とを含む。図７に示すように、干渉計１４０は、光源３００と、ビームスプリッタ３１０と、固定ミラー３２０と、光検出器３３０と、可動ミラー１２０とを含む。光源２０は、干渉計１４０を通って半平面ビームスプリッタ３０に到達するまで進む入射ビームＩを作り出す。一例示的実施形態では、ビームスプリッタ３０は、第１の媒質（すなわちシリコン（Ｓｉ））と第２の媒質（すなわち空気）との界面において形成される。シリコン／空気界面ビームスプリッタ３０は、入射ビームＩからある角度（例えば４５度）に位置決めされる。所望の角度は、例えば、シリコン媒質の表面をフォトリソフラフィ的に定義することによって作り出されてもよい。

半平面ビームスプリッタ３０に当たると、入射ビームＩは、２つの干渉ビームＬ１およびＬ２に分割される。Ｌ１は、シリコン／空気半平面ビームスプリッタ３０からの入射ビームＩの部分反射から生じ、よって、ビーム入射角と等しい反射角を有する。Ｌ２は、シリコン／空気半平面ビームスプリッタ３０を通る入射ビームＩの部分透過から生じ、少なくとも一部は、（スネルの法則によって決定される）屈折角でシリコン中を伝搬する。その結果、Ｌ１は可動ミラー１２０に向かって伝搬し、Ｌ２は固定ミラー３２０に向かって伝搬する。

ビームＬ１は、可動ミラー１２０によって反射され、よって、反射ビームＬ３を作り出し、ビームＬ２は、固定ミラー３２０によって反射され、よって、反射ビームＬ４を作り出す。図７に示すように、ビームＬ３もビームＬ４も、それぞれ、ミラー１２０およびミラー３２０からの反射後に、それぞれ、Ｌ１およびＬ２と同じ光路を（逆方向に）取って、半平面ビームスプリッタ３０に向かって戻る。よって、分光計／干渉計がフーリエ変換（ＦＴ）分光計として使用される実施形態では、ある干渉計アームはビームＬ１／Ｌ３で形成され、ビームスプリッタ３０と可動ミラー１２０とを含み、別の干渉計アームは、ビームＬ２／Ｌ４で形成され、固定ミラー３２０を含む。

ビームスプリッタ３０において干渉する反射ビームＬ３およびＬ４から干渉パターンＬ５が作り出される。干渉パターンＬ５は、検出器３３０によって検出される。検出器３３０の出力は、端子１６６を介してＡＳＩＣ１６０に入力される。一実施形態では、検出器３３０は、（例えば、基板の上面をエッチングして、その中に光検出器が配置され得る開口を実現することによって）基板中において微細機械加工によって組み立てられる、または（例えば、Ｐ−Ｉ−Ｎダイオードを実現するための）ドーピングによって、もしくは（例えば、金属−半導体−金属ＭＳＭ光検出器を実現するための）部分メタライゼーションによって、基板内においてモノリシックに実現される光検出器を含む。

やはり図７に示すように、可動ミラー１２０は、ＳＯＩ静電ＭＥＭＳアクチュエータ１１０を使用して動かすことができる。図６と同様に、静電ＭＥＭＳアクチュエータ１１０は、櫛歯１１５とばね１１８で形成されたものとして示されている。端子１１４を介して櫛歯１１４に電圧を印加し、それによって、端子１１２と端子１１４との間に静電容量を誘導し、ビームＬ１の反射のための所望の位置までの可動ミラー１２０の変位を生じさせることができる。よって、実質的にミラー変位の２倍に等しいビームＬ３とビームＬ４との光路長差（optical path length difference）（ＯＰＤ）を達成することができる。

加えて、可動ミラー１２０の位置を決定するために、端子１１２と端子１１４との間の静電容量を、ポート１６２およびポート１６４を介して、ＡＳＩＣ１６０によって測定することもできる。決定される可動ミラー位置および検出器３３０の出力に基づき、光路内の任意の材料の光波長およびスペクトルパターンを識別するために、（例えば、図３に示すＤＳＰ１７０などによって）インターフェログラム３４０を作り出すことができる。

図７の可動ミラー１２０は、２つの光路（Ｌ１／Ｌ３およびＬ２／Ｌ４）間のゼロ光路差において位置決めされるものとして示されている。しかし、別の実施形態では、容量検知法の結果として作り出される位相雑音および誤差を除去するために、可動ミラー１２０を、ゼロ光路位置の背後の距離δのところに位置決めすることができ、可動ミラー１２０は、測定が、ゼロ光路位置の正側と負側の両方で行われるように、ゼロ光路位置を通って移動させることができる。この実施形態では、光源３００は、広帯域光源（すなわち白色光源）であり、負側と正側とは等しくても、等しくなくてもよい。（図３に示す）ＤＳＰ１７０において、ミラー位置における位相誤差を補正するために、インターフェログラム３４０の複素フーリエ変換を取ることができる。別の実施形態では、インターフェログラムの正側と負側両方を記録するのではなく、正しい信号を抽出し、容量検知法によって作り出される多少の位相雑音および誤差を除去するために、負（左）側のインターフェログラムの小部分だけがＤＳＰによって測定され、使用されてもよい。

一実施形態では、ミラー１２０およびミラー３２０は金属ミラーであり、その場合、選択的メタライゼーション（例えば、メタライゼーション段階においてシャドウマスクを使用するなど）が、ビームスプリッタを保護するために使用される。別の実施形態では、小底面積（small foot print）分光計を得るために非金属垂直ブラッグ(Bragg)ミラーが使用される。ブラッグミラーは、深反応性イオンエッチング（Deep Reactive Ion Etching）（ＤＲＩＥ）を使用して実現することができ、よって、連続した垂直なシリコン／空気界面が作り出される。加えて、ブラッグミラーは、用途に応じて、単純な反射器として働くために幅広い分光反射感度を有するように、または波長選択応答を用いて設計することもできる。

本明細書では、ビームスプリッタ３０についてシリコン／空気界面が言及されているが、本発明を実現するのに半波長平面ビームスプリッタを提供する他の媒質を使用することもできる。例えば、別の例示的実施形態では、動作のより広いスペクトルウィンドウを可能にするために、シリコンの代わりに、微細機械加工され、または組み立てられたガラス半平面またはパイレックス（Pyrex）（商標）などの他の材料を使用することもできる。加えて、半平面ビーム分割界面の反射率を変更するある程度の自由を与えるために、空気の代わりに、液体や異なる気体といった他の材料を使用することもできる。

図８は、本発明による、例示的ＭＥＭＳダイパッケージ４００を示す図である。容量検知を使用して可動ミラーの位置を決定することにより、ＭＥＭＳ干渉計１５０を、同じＭＥＭＳダイパッケージ４００上でＡＳＩＣ１６０チップと一緒に集積することができ、それによって、ＭＥＭＳシステムのサイズ、コストおよび複雑さが低減される。

図９に、本発明の実施形態による、ＭＥＭＳ装置内の可動ミラーの位置を決定するための例示的方法５００を示す。方法は５１０から開始し、そこで、可動ミラーに結合された可変静電容量を有する静電ＭＥＭＳアクチュエータが設けられる。５２０で、可動ミラーを、ＭＥＭＳアクチュエータを使用して変位させる。その後、５３０で、ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量が検知され、５４０で、ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量に基づいて、可動ミラーの位置が決定される。

当業者には理解されるように、本出願において説明した革新的概念は、広範囲の用途にわたって改変し、変更することができる。したがって、特許の主題の範囲は、前述の具体的例示的教示のいずれにも限定すべきではなく、添付の特許請求の範囲によって定義されるものである。

Claims (21)

1. 可動ミラーと、
   前記可動ミラーの変位を生じさせるために前記可動ミラーに結合された、可変静電容量を有するマイクロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）アクチュエータと、
   前記ＭＥＭＳアクチュエータに結合された、当該ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量を測定する容量検知回路と、
   前記現在の静電容量に基づいて前記可動ミラーの位置を決定するためのディジタル信号プロセッサと、
   を備え、
   前記可変静電容量を提供する電極間に発生する電界は、前記ＭＥＭＳアクチュエータ内で発生する変位の方向と垂直であり、
   前記容量検知回路により測定された前記ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量値に基づき前記可動ミラーの現在の連続的な位置が、前記検知された容量と、光干渉計において前記可動ミラーの変位により生ずる光路長差と、の予め校正された関係により特定され、
   前記可動ミラーと、前記ＭＥＭＳアクチュエータの作動ステージ及び検知ステージと、の全てが、同じ基板上にモノリシックに集積され、前記変位の方向が基板に対し平行であり、
   前記ディジタル信号プロセッサにより前記可動ミラーの移動の結果として生成される光干渉計のインターフェログラムの測定と前記ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量の測定とが同時に行われ、
   前記ディジタル信号プロセッサが、前記可動ミラーのミラー位置における位相誤差を補正する、
   ＭＥＭＳ装置。
2. 前記ＭＥＭＳアクチュエータは、２枚の板を有する静電アクチュエータであり、
   前記容量検知回路は、前記２枚の板間の現在の静電容量を検知する、
   請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
3. 前記ＭＥＭＳアクチュエータは、静電櫛歯状アクチュエータであり、
   前記可動ミラーの変位の発生及び前記静電容量の検知が、同じ櫛歯に基づいている、
   請求項２に記載のＭＥＭＳ装置。
4. 前記容量検知回路は、前記現在の静電容量を受け取って前記静電容量に比例する出力電圧を生成する静電容量／電圧変換器を含む、
   請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
5. 前記容量検知回路は、前記ＭＥＭＳアクチュエータの前記現在の静電容量を検知するための特定用途向け集積回路を含む、
   請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
6. 前記ディジタル信号プロセッサは、前記特定用途向け集積回路内に実現されている、請求項５に記載のＭＥＭＳ装置。
7. 前記特定用途向け集積回路は、さらに、前記ＭＥＭＳアクチュエータの動きを生じさせる作動信号を生成する、請求項５に記載のＭＥＭＳ装置。
8. 前記ＭＥＭＳアクチュエータ、前記可動ミラー、および前記特定用途向け集積回路が、１つのダイ（die）パッケージ上に集積されている、請求項５に記載のＭＥＭＳ装置。
9. 光を受けて反射するように光学的に結合された可動ミラーを含む光干渉計と、
   前記可動ミラーの変位を生じさせるために前記可動ミラーに結合された、可変静電容量を有するマイクロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）アクチュエータと、
   前記ＭＥＭＳアクチュエータに結合された、当該ＭＥＭＳアクチュエータの静電容量を測定する容量検知回路と、
   前記現在の静電容量に基づいて前記可動ミラーの位置を決定するためのディジタル信号プロセッサと、
   を備え、
   前記可変静電容量を提供する電極間に発生する電界は、前記ＭＥＭＳアクチュエータ内で発生する変位の方向と垂直であり、
   前記容量検知回路により測定された前記ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量値に基づき前記可動ミラーの現在の連続的な位置が、前記検知された容量と、前記光干渉計において前記可動ミラーの変位により生ずる光路長差と、の予め校正された関係により特定され、
   前記可動ミラーと、前記ＭＥＭＳアクチュエータの作動ステージ及び検知ステージと、
   の全てが、同じ基板上にモノリシックに集積され、前記変位の方向が基板に対し平行であり、
   前記ディジタル信号プロセッサにより前記可動ミラーの移動の結果として生成される前記光干渉計のインターフェログラムの測定と前記ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量の測定とが同時に行われ、
   前記ディジタル信号プロセッサが、前記可動ミラーのミラー位置における位相誤差を補正する、
   ＭＥＭＳ干渉計システム。
10. 前記光干渉計は、
    入射ビームを受け、前記入射ビームを第１の干渉ビームと第２の干渉ビームとに分割するように光学的に結合されたビームスプリッタと、
    前記第１の干渉ビームを受け、第１の反射干渉ビームを作り出すために前記第１の干渉ビームを前記ビームスプリッタへ向けて反射して戻すように光学的に結合された固定ミラーと、
    前記第２の干渉ビームを受け、第２の反射干渉ビームを作り出すために前記第２の干渉ビームを前記ビームスプリッタへ向けて反射して戻すように光学的に結合された前記可動ミラーと、
    前記第１の反射干渉ビームと前記第２の反射干渉ビームとの間の干渉の結果として作り出される干渉パターンを検出するように光学的に結合された検出器と、
    をさらに含み、
    前記可動ミラーの前記変位は、前記変位の２倍に等しい前記第１と第２の干渉ビーム間の光路長差を作り出す、
    請求項９に記載のＭＥＭＳ干渉計システム。
11. 前記ビームスプリッタは、第１の媒質と第２の媒質との界面において前記第１の媒質の第１の表面に形成されている、請求項１０に記載のＭＥＭＳ干渉計システム。
12. 前記ビームスプリッタは、前記第１の媒質と前記第２の媒質との界面を形成する単一の反射屈折面からなり、
    前記第１の干渉ビームは、前記単一の反射屈折面からの前記入射ビームの部分屈折から作り出される屈折ビームであり、
    前記第２の干渉ビームは、前記単一の反射屈折面からの前記入射ビームの部分反射から作り出される反射ビームである、
    請求項１０に記載のＭＥＭＳ干渉計システム。
13. 前記光干渉計は、フーリエ変換赤外分光（ＦＴＩＲ）分光計、マイケルソン干渉計、マッハツェンダー干渉計、またはファブリー・ペロー干渉計のうちの１つである、
    請求項９に記載のＭＥＭＳ干渉計システム。
14. 前記ＭＥＭＳアクチュエータは、２枚の板を有する静電櫛歯状アクチュエータであり、
    前記容量検知回路は、前記２枚の板間の現在の静電容量を検知し、
    前記可動ミラーの変位の発生及び前記静電容量の検知が、同じ櫛歯に基づいている、
    請求項９に記載のＭＥＭＳ干渉計システム。
15. 前記容量検知回路は、前記ＭＥＭＳアクチュエータの前記現在の静電容量を検知するための特定用途向け集積回路を含み、
    請求項９に記載のＭＥＭＳ干渉計システム。
16. 前記特定用途向け集積回路は、さらに、前記ＭＥＭＳアクチュエータの動きを生じさせる作動信号を生成する、
    請求項１５に記載のＭＥＭＳ干渉計システム。
17. 前記ＭＥＭＳアクチュエータ、前記光干渉計および前記特定用途向け集積回路は、１つのダイパッケージ上に集積されている、
    請求項１５に記載のＭＥＭＳ干渉計システム。
18. 前記光干渉計は、光ビームを作り出すための広帯域光源と、前記可動ミラーを含む第１のアームと、固定ミラーを含む第２のアームと、前記光ビームを、前記第１のアームと前記第２のアームの両方を横切るように分割するためのビームスプリッタとを含み、
    前記可動ミラーは、前記光干渉計の前記第１と第２のアーム間の前記光ビームのゼロ光路差に対応するゼロ位置の両側を通って動くことができ、
    前記光干渉計は、前記ディジタル信号プロセッサが位相補正に際して使用するための前記ゼロ位置の両側におけるインターフェログラムを記録する、
    請求項１５に記載のＭＥＭＳ干渉計システム。
19. マイクロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置内の可動ミラーの連続的な位置を特定するための方法であって、
    前記可動ミラーに結合された、可変静電容量を有するＭＥＭＳアクチュエータを設けるステップと、
    前記ＭＥＭＳアクチュエータを使用して前記可動ミラーを変位させるステップと、
    前記ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量を検知するステップと、
    ディジタル信号プロセッサが、前記ＭＥＭＳアクチュエータの前記現在の静電容量に基づいて前記可動ミラーの現在の前記連続的な位置を特定するステップと、
    を含み、
    前記ＭＥＭＳアクチュエータは、
    前記可変静電容量を提供する電極間に発生する電界は前記ＭＥＭＳアクチュエータ内で発生する変位の方向に対し垂直であり、
    前記可動ミラーと、前記ＭＥＭＳアクチュエータの作動ステージ及び検知ステージと、の全てが、同じ基板上にモノリシックに集積され、前記変位の方向が基板に対し平行である、
    ように構成されており、
    前記特定するステップでは、前記可動ミラーの前記現在の連続的な位置が、前記検知された静電容量と、光干渉計において前記可動ミラーの変位により生ずる光路長差と、の予め校正された関係により特定され、
    前記ディジタル信号プロセッサにより前記可動ミラーの移動の結果として生成される光干渉計のインターフェログラムの測定と前記ＭＥＭＳアクチュエータの現在の静電容量の測定とが同時に行われ、
    前記ディジタル信号プロセッサが、前記可動ミラーのミラー位置における位相誤差を補正する、
    方法。
20. 前記ＭＥＭＳアクチュエータは、２枚の板を有する静電櫛歯状アクチュエータであり、
    前記現在の静電容量を検知するステップは、前記静電アクチュエータの前記２枚の板間の現在の静電容量を検知することを含み、
    前記可動ミラーの変位の発生及び前記静電容量の検知が、同じ櫛歯に基づいている、
    請求項１９に記載の方法。
21. 前記容量検知回路は、前記ＭＥＭＳアクチュエータの前記現在の静電容量を検知するた
    めの特定用途向け集積回路を含み、
    前記特定用途向け集積回路がさらに、前記ＭＥＭＳアクチュエータの動きを生じさせる
    作動信号を生成し、前記検出器の出力信号を調節する、
    請求項１０に記載のＭＥＭＳ干渉計システム。

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