JP6295564B2 - Vacuum apparatus, vacuum processing method, and electronic device - Google Patents

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Description

本発明は、真空容器内において真空状態を維持したまま電子デバイスに対して加熱処理を行うことができる真空装置、真空処理方法および該真空処理方法によって形成された電子デバイスに関する。   The present invention relates to a vacuum apparatus, a vacuum processing method, and an electronic device formed by the vacuum processing method capable of performing a heat treatment on an electronic device while maintaining a vacuum state in a vacuum container.

赤外線センサー、ジャイロセンサー、温度センサー、圧力センサー、加速度センサー等の電子部品をパッケージ内に真空封止した電子デバイスが実用化されている。例えば、夜間のセキュリティ用監視カメラや、温度分布を割り出して表示するサーモグラフィなどに用いられる赤外線センサー封止パッケージは、赤外線センサーを高い真空度でパッケージ内に封止することによって形成される。   An electronic device in which electronic components such as an infrared sensor, a gyro sensor, a temperature sensor, a pressure sensor, and an acceleration sensor are vacuum-sealed in a package has been put into practical use. For example, an infrared sensor sealing package used for a nighttime security monitoring camera or a thermography for calculating and displaying a temperature distribution is formed by sealing an infrared sensor in a package with a high degree of vacuum.

赤外線センサー封止パッケージ等の電子デバイスは、真空容器内において電子部品を加熱処理し、パッケージ内に真空封止する。電子部品をパッケージ内に真空封止する技術は、例えば、特許文献1に開示されている。   An electronic device such as an infrared sensor sealed package heats an electronic component in a vacuum vessel and vacuum seals the package. A technique for vacuum-sealing an electronic component in a package is disclosed in, for example, Patent Document 1.

WO2010/095367WO2010 / 095367

しかし、真空容器内において真空状態を維持したままで電子部品に対して加熱処理を行う場合、真空容器の温度が高くなり、真空容器内面に付着した水蒸気や酸素が真空容器内に放出されるため、目標の真空度に到達するまでに長い時間を要する。   However, when heat treatment is performed on electronic components while maintaining a vacuum state in the vacuum vessel, the temperature of the vacuum vessel becomes high, and water vapor and oxygen adhering to the inner surface of the vacuum vessel are released into the vacuum vessel. It takes a long time to reach the target vacuum.

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、真空容器内において真空状態を維持したままで電子部品に対して加熱処理を行う場合においても、速やかに目標の真空度に到達して電子部品を加熱処理できる、真空装置、真空処理方法および該真空処理方法によって形成された電子デバイスを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems. Even when heat treatment is performed on an electronic component while maintaining a vacuum state in a vacuum vessel, the target vacuum degree is quickly reached and the electrons are reached. An object of the present invention is to provide a vacuum apparatus, a vacuum processing method, and an electronic device formed by the vacuum processing method, which can heat-process components.

上記目的を達成するために本発明に係る真空装置は、内部に基板が固定された真空容器と、真空容器の外周に配置された複数の発熱体と、真空容器を真空引きする真空ポンプと、基板が温度Tpに維持されるように複数の発熱体を制御する制御手段と、を備える。ここで、制御手段は、第1の期間においては複数の発熱体を温度T1に保持し、第2の期間においては基板から所定の距離以上離れた発熱体を温度T1よりも低い温度T2にすると共にその他の発熱体を温度T3にする。   In order to achieve the above object, a vacuum apparatus according to the present invention includes a vacuum container having a substrate fixed therein, a plurality of heating elements disposed on the outer periphery of the vacuum container, a vacuum pump for evacuating the vacuum container, Control means for controlling the plurality of heating elements such that the substrate is maintained at the temperature Tp. Here, the control means holds the plurality of heating elements at the temperature T1 in the first period, and sets the heating elements separated from the substrate by a predetermined distance or more in the second period to a temperature T2 lower than the temperature T1. At the same time, the other heating element is set to temperature T3.

上記目的を達成するために本発明に係る真空処理方法は、外周に複数の発熱体が配置されると共に内部に基板が固定された真空容器を備えた真空装置を用いた真空処理方法であって、基板上に被処理体が配置された状態で真空容器を稼働し、第1の期間において、基板が温度Tpに維持されるように、複数の発熱体を温度T1に保持し、第2の期間において、基板が温度Tpに維持されるように、基板から所定の距離以上離れた発熱体を温度T1よりも低い温度T2にすると共にその他の発熱体を温度T3にし、真空容器の真空度が目標値に到達した場合、基板が温度Tpよりも高い温度Tqに維持されるように、その他の発熱体を温度T4に保持すると共に被処理体を処理する。   In order to achieve the above object, a vacuum processing method according to the present invention is a vacuum processing method using a vacuum apparatus having a vacuum vessel in which a plurality of heating elements are arranged on the outer periphery and a substrate is fixed inside. The vacuum vessel is operated in a state where the object to be processed is disposed on the substrate, and the plurality of heating elements are maintained at the temperature T1 so that the substrate is maintained at the temperature Tp in the first period. In order to maintain the substrate at the temperature Tp during the period, the heating element that is separated from the substrate by a predetermined distance or more is set to a temperature T2 that is lower than the temperature T1, and the other heating elements are set to the temperature T3. When the target value is reached, the other heating elements are held at the temperature T4 and the object to be processed is processed so that the substrate is maintained at the temperature Tq higher than the temperature Tp.

上記目的を達成するために本発明に係る電子デバイスは、電子部品およびパッケージを被処理体として真空容器の基板上に配置し、上記の真空処理方法によって、電子部品をパッケージ内に真空封止処理して形成される。   In order to achieve the above object, an electronic device according to the present invention has an electronic component and a package placed on a substrate of a vacuum vessel as objects to be processed, and the electronic component is vacuum sealed in the package by the vacuum processing method described above. Formed.

上述した本発明の態様によれば、真空容器内において真空状態を維持したままで電子部品に対して加熱処理を行う場合においても、速やかに目標の真空度に到達して電子部品を加熱処理できる。   According to the above-described aspect of the present invention, even when heat treatment is performed on an electronic component while maintaining a vacuum state in the vacuum vessel, the electronic component can be heat-treated by quickly reaching a target degree of vacuum. .

第1の実施形態に係る真空装置10の、(a)断面図、(b)真空度と温度の経時変化を示した図である。It is the figure which showed the time-dependent change of (a) sectional drawing of the vacuum apparatus 10 which concerns on 1st Embodiment, and (b) vacuum degree and temperature. 第2の実施形態に係る真空装置100の断面図である。It is sectional drawing of the vacuum apparatus 100 which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係る真空装置100の真空度と温度の経時変化を示した図である。It is the figure which showed the time-dependent change of the vacuum degree of the vacuum apparatus 100 which concerns on 2nd Embodiment, and temperature. 発熱体に対して同一の制御を行った場合の真空度と温度の経時変化を示した図である。It is the figure which showed the time-dependent change of the vacuum degree at the time of performing the same control with respect to a heat generating body. 第2の発熱体群320が着脱可能に配置された真空装置100の断面図である。It is sectional drawing of the vacuum apparatus 100 by which the 2nd heat generating body group 320 was arrange | positioned so that attachment or detachment was possible. 第3の実施形態に係る真空装置100Bの断面図である。It is sectional drawing of the vacuum apparatus 100B which concerns on 3rd Embodiment.

(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態について説明する。本実施形態に係る真空装置の断面図を図1(a)に示す。図1(a)において、真空装置10は、真空容器20、複数の発熱体30、真空ポンプ40および制御手段50を備える。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described. A cross-sectional view of the vacuum apparatus according to the present embodiment is shown in FIG. 1A, the vacuum apparatus 10 includes a vacuum container 20, a plurality of heating elements 30, a vacuum pump 40, and a control means 50.

真空容器20は、外周に複数の発熱体30が配置されると共に、内部に基板21が固定されている。真空容器20の一端には真空ポンプ40が連結され、真空ポンプ40によって内部の空気が真空引きされる。ここで、図1(a)に示すように、基板21から所定の距離l以内の発熱体30を発熱体30aとし、その他の発熱体30を発熱体30bとする。   The vacuum vessel 20 has a plurality of heating elements 30 arranged on the outer periphery and a substrate 21 fixed to the inside. A vacuum pump 40 is connected to one end of the vacuum vessel 20, and the internal air is evacuated by the vacuum pump 40. Here, as shown in FIG. 1A, a heating element 30 within a predetermined distance l from the substrate 21 is a heating element 30a, and the other heating elements 30 are heating elements 30b.

制御手段50は、真空容器20の真空度および基板21の温度に基づいて、複数の発熱体30を制御する。具体的には、制御手段50は、基板21が温度Tpに維持されるように、発熱体30を制御する。   The control means 50 controls the plurality of heating elements 30 based on the degree of vacuum of the vacuum container 20 and the temperature of the substrate 21. Specifically, the control unit 50 controls the heating element 30 so that the substrate 21 is maintained at the temperature Tp.

制御手段50の動作を図1(b)を用いて詳細に説明する。図1(b)において、実線が真空容器20の真空度、点線が基板21の温度、一点鎖線が基板21から所定の距離l以内である発熱体30aの制御温度、二点鎖線がその他の発熱体30bの制御温度である。   The operation of the control means 50 will be described in detail with reference to FIG. In FIG. 1B, the solid line indicates the degree of vacuum of the vacuum container 20, the dotted line indicates the temperature of the substrate 21, the alternate long and short dash line indicates the control temperature of the heating element 30a within a predetermined distance l from the substrate 21, and the alternate long and two short dashes line indicates other heat generation. This is the control temperature of the body 30b.

図1(a)、(b)において、制御手段50は、基板21の上に図示しない被処理体を配置した状態で真空ポンプ40による真空引きを開始した後、第1の期間においては、基板21が温度Tpに維持されるように発熱体30を温度T1に保持する。例えば、制御手段50が発熱体30を300℃程度の高温に保持する、これによって、真空容器20の温度が上昇し、真空容器20内に付着している水蒸気や酸素などが放出ガスとして真空容器20内に放出され、放出ガスが真空ポンプ40によって真空容器20外へ排出される。   1 (a) and 1 (b), the control means 50 starts the evacuation by the vacuum pump 40 in a state in which an object to be processed (not shown) is arranged on the substrate 21, and then the substrate in the first period. The heating element 30 is held at the temperature T1 so that 21 is maintained at the temperature Tp. For example, the control means 50 keeps the heating element 30 at a high temperature of about 300 ° C., whereby the temperature of the vacuum container 20 rises, and water vapor, oxygen, etc. adhering in the vacuum container 20 are used as the discharge gas in the vacuum container. Then, the discharged gas is discharged to the outside of the vacuum container 20 by the vacuum pump 40.

そして、第1の期間において真空容器20の真空度の低下率が所定の閾値よりも小さくなった時、制御手段50は第2の期間に入ったと判断し、基板21が温度Tpに維持されるように、基板21からの距離が距離lより大きい発熱体30bを温度T1よりも小さい温度T2まで変化させると共に基板21からの距離が距離l以内の発熱体30aを温度T3まで上昇させる。   Then, when the rate of decrease in the degree of vacuum of the vacuum container 20 becomes smaller than a predetermined threshold in the first period, the control means 50 determines that the second period has been entered, and the substrate 21 is maintained at the temperature Tp. As described above, the heating element 30b whose distance from the substrate 21 is larger than the distance l is changed to the temperature T2 smaller than the temperature T1, and the heating element 30a whose distance from the substrate 21 is within the distance l is raised to the temperature T3.

すなわち、真空ポンプ40が能力限界に近づくことによって真空度の低下が鈍くなった場合、基板21近傍の発熱体30aの温度を高くする一方、その他の発熱体30bの温度を低くすることによって、基板21を温度Tpに維持する。これにより、真空容器20の温度が低下して放出ガスの発生が抑制され、真空度が再び低下するようになる。   That is, when the vacuum degree becomes dull as the vacuum pump 40 approaches the capacity limit, the temperature of the heating element 30a in the vicinity of the substrate 21 is increased, while the temperature of the other heating elements 30b is decreased. 21 is maintained at temperature Tp. As a result, the temperature of the vacuum container 20 is lowered, the generation of released gas is suppressed, and the degree of vacuum is lowered again.

そして、制御手段50は、第2の期間において真空容器20の真空度が目標の真空度Ptに到達した時、第3の期間に入ったと判断する。制御手段50は、第3の期間においては、基板21の温度が処理温度Tq(>Tp)に維持されるように、発熱体30aを温度T3から温度T4に上昇させる。そして、基板21の温度が処理温度Tqに維持された状態で、基板21の上に配置された被処理体に対して真空封止等の処理を施す。   Then, the control means 50 determines that the third period has been entered when the vacuum degree of the vacuum vessel 20 has reached the target degree of vacuum Pt in the second period. In the third period, the control means 50 raises the heating element 30a from the temperature T3 to the temperature T4 so that the temperature of the substrate 21 is maintained at the processing temperature Tq (> Tp). Then, in a state where the temperature of the substrate 21 is maintained at the processing temperature Tq, a process such as vacuum sealing is performed on the target object disposed on the substrate 21.

以上のように、本実施形態に係る真空装置10は、第1の期間においては全ての発熱体30を動作させて速やかに真空度を低下させる。そして、真空度の低下率が所定の閾値よりも小さくなった時、真空装置10は、基板21から離れた発熱体30bの温度を下げる一方、基板21近傍の発熱体30aの温度を上昇させることによって、基板21の温度を温度Tpに維持したまま、真空容器20の温度を低下させて真空度を低下させることができる。   As described above, the vacuum apparatus 10 according to the present embodiment operates all the heating elements 30 in the first period to quickly reduce the degree of vacuum. When the rate of decrease in the degree of vacuum becomes smaller than a predetermined threshold, the vacuum apparatus 10 decreases the temperature of the heating element 30b away from the substrate 21 while increasing the temperature of the heating element 30a in the vicinity of the substrate 21. Thus, the vacuum degree can be lowered by lowering the temperature of the vacuum container 20 while maintaining the temperature of the substrate 21 at the temperature Tp.

従って、本実施形態に係る真空装置10は、真空容器20内において真空状態を維持したままで被処理体に対して処理を行う場合においても、速やかに目標の真空度に到達させて、被処理体を処理することができる。   Therefore, the vacuum apparatus 10 according to the present embodiment promptly reaches the target degree of vacuum even when processing the object to be processed while maintaining the vacuum state in the vacuum container 20, The body can be processed.

(第2の実施形態)
第2の実施形態について説明する。本実施形態に係る真空装置の断面図を図2に示す。図2において、真空装置100は、真空容器200、8つの発熱体300a−300h、真空ポンプ400、および、図2には図示しない制御部500から成る。
(Second Embodiment)
A second embodiment will be described. A sectional view of the vacuum apparatus according to the present embodiment is shown in FIG. 2, the vacuum device 100 includes a vacuum vessel 200, eight heating elements 300a to 300h, a vacuum pump 400, and a control unit 500 (not shown in FIG. 2).

真空容器200は、長筒状に形成された中空容器であり、内部には電子デバイスを置くためのプレート210が溶接またはネジによって固定されている。   The vacuum container 200 is a hollow container formed in a long cylindrical shape, and a plate 210 for placing an electronic device is fixed inside by welding or a screw.

発熱体300は、例えば、棒状に形成されたカートリッジヒータを適用することができ、それぞれ独立して温度制御される。発熱体300としては、例えば、カートリッジヒータ、セラミックヒータ、ニクロム線等を適用することができる。   For example, a cartridge heater formed in a rod shape can be applied to the heating element 300, and the temperature is controlled independently of each other. As the heating element 300, for example, a cartridge heater, a ceramic heater, a nichrome wire, or the like can be applied.

本実施形態では、8つの発熱体300a−300hが、真空容器200の外周上に等間隔で固定されている。そして、発熱体300aは真空容器200の内部に固定されているプレート210の真上に位置するように固定され、発熱体300eはプレート210の真下に位置するように固定されている。また、発熱体300c、300gがプレート210のほぼ真横に位置するように、発熱体300b、300hがプレート210の斜め上方に位置するように、発熱体300d、300fがプレート210の斜め下方に位置するように、それぞれ真空容器200の外周上に固定されている。   In the present embodiment, eight heating elements 300a to 300h are fixed on the outer periphery of the vacuum vessel 200 at equal intervals. The heating element 300a is fixed so as to be positioned directly above the plate 210 fixed inside the vacuum vessel 200, and the heating element 300e is fixed so as to be positioned directly below the plate 210. Further, the heating elements 300d and 300f are positioned obliquely below the plate 210 so that the heating elements 300b and 300h are positioned obliquely above the plate 210 so that the heating elements 300c and 300g are positioned almost directly beside the plate 210. As described above, each is fixed on the outer periphery of the vacuum vessel 200.

以下、プレート210の近くに位置している発熱体群を第1の発熱体群310と定義し、プレート210から離れた位置に位置している発熱体群を第2の発熱体群320と定義する。本実施形態では、第1の発熱体群310は、発熱体300c、300d、300f、300gによって構成され、第2の発熱体群320は、発熱体300a、300b、300e、300hによって構成される。   Hereinafter, a heating element group located near the plate 210 is defined as a first heating element group 310, and a heating element group located at a position away from the plate 210 is defined as a second heating element group 320. To do. In the present embodiment, the first heating element group 310 is configured by heating elements 300c, 300d, 300f, and 300g, and the second heating element group 320 is configured by heating elements 300a, 300b, 300e, and 300h.

真空ポンプ400は、真空容器200の一端に配置され、真空容器200内の空気を真空引きする。真空ポンプ400としては、例えば、ロータリポンプ、ドライポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、イオンポンプ、クライオポンプ等を適用することができる。   The vacuum pump 400 is disposed at one end of the vacuum vessel 200 and evacuates the air in the vacuum vessel 200. As the vacuum pump 400, for example, a rotary pump, a dry pump, an oil diffusion pump, a turbo molecular pump, an ion pump, a cryopump, or the like can be applied.

制御部500(不図示)は、発熱体300および真空ポンプ400を制御する。本実施形態に係る制御部500は、第1の発熱体群310と第2の発熱体群320とをそれぞれ独立に制御する。以下、制御部500の動作および機能について図3を用いて詳細に説明する。   The control unit 500 (not shown) controls the heating element 300 and the vacuum pump 400. The controller 500 according to the present embodiment controls the first heating element group 310 and the second heating element group 320 independently of each other. Hereinafter, the operation and function of the controller 500 will be described in detail with reference to FIG.

図3は、真空度と温度の経時変化を示したグラフである。実線が真空容器200内の真空度、点線がプレート210の温度、一点鎖線が第1の発熱体群310の制御温度、二点鎖線が第2の発熱体群320の制御温度である。   FIG. 3 is a graph showing changes with time in the degree of vacuum and temperature. The solid line is the degree of vacuum in the vacuum container 200, the dotted line is the temperature of the plate 210, the alternate long and short dash line is the control temperature of the first heating element group 310, and the alternate long and two short dashes line is the control temperature of the second heating element group 320.

制御部500は、プレート210上に処理対象の電子デバイスAが配置された状態で、真空ポンプ400を動作させて真空容器200の真空引きを開始し、同時に、第1の発熱体群310(発熱体300c、300d、300f、300g)および第2の発熱体群320(発熱体300a、300b、300e、300h)の温度を上昇させる。   The control unit 500 starts the evacuation of the vacuum container 200 by operating the vacuum pump 400 in a state where the electronic device A to be processed is arranged on the plate 210, and simultaneously, the first heating element group 310 (heat generation) Body 300c, 300d, 300f, 300g) and second heating element group 320 (heating elements 300a, 300b, 300e, 300h) are raised.

発熱体300を加熱制御した状態で真空ポンプ400を動作させることによって、真空容器200の温度が上昇し、それに伴って、真空容器200内面からガス分子が放出されて真空ポンプ400によって真空容器200の外部に排出される。すなわち、真空容器200の真空度が低下する。制御部500は、真空引き開始時には、全ての発熱体300a−300hを加熱制御することによって真空容器210の温度を速やかに上昇させ、ガス分子を一気に放出・排除することにより、真空容器200の真空度を速やかに低下させる。   By operating the vacuum pump 400 in a state where the heating element 300 is heated and controlled, the temperature of the vacuum container 200 rises, and accordingly, gas molecules are released from the inner surface of the vacuum container 200, and the vacuum pump 400 causes the vacuum container 200. It is discharged outside. That is, the degree of vacuum of the vacuum container 200 decreases. At the start of evacuation, the control unit 500 controls the heating of all the heating elements 300a to 300h to quickly increase the temperature of the vacuum container 210 and release / exclude gas molecules all at once. Decrease the degree quickly.

制御部500は、プレート210の温度が待機温度Tpになった時、発熱体300a−300hの温度を一定に保つ。本実施形態において、制御部500は、発熱体300a−300hを温度T1に維持する。これにより、プレート210の温度が待機温度Tpに維持されると共に、真空容器210も一定温度に維持される。真空容器210の温度が一定である状態においては、真空容器200内面から放出されるガス分子の量も一定となり、真空容器200の真空度の低下率が徐々に小さくなる。そして、時間t1において真空ポンプ210の排気能力の限界に到達することによって、真空度が一定値(Ps)になる。   The controller 500 keeps the temperature of the heating elements 300a to 300h constant when the temperature of the plate 210 reaches the standby temperature Tp. In the present embodiment, the controller 500 maintains the heating elements 300a to 300h at the temperature T1. Thereby, the temperature of the plate 210 is maintained at the standby temperature Tp, and the vacuum vessel 210 is also maintained at a constant temperature. In a state where the temperature of the vacuum vessel 210 is constant, the amount of gas molecules released from the inner surface of the vacuum vessel 200 is also constant, and the rate of decrease in the degree of vacuum of the vacuum vessel 200 is gradually reduced. Then, by reaching the limit of the exhaust capacity of the vacuum pump 210 at time t1, the degree of vacuum becomes a constant value (Ps).

制御部500は、真空ポンプ210の真空度が一定値(Ps)になった時(時間t1)、プレート210から離れた位置に位置している第2の発熱体群320(発熱体300a、300b、300e、300h)への加熱制御を停止すると共に、プレート210の温度が待機温度Tpに維持されるように、プレート210の近くに位置している第1の発熱体群310(発熱体300c、300d、300f、300g)を加熱制御する。   When the degree of vacuum of the vacuum pump 210 reaches a constant value (Ps) (time t1), the controller 500 controls the second heating element group 320 (heating elements 300a and 300b) located at a position away from the plate 210. , 300e, 300h) is stopped, and the first heating element group 310 (heating elements 300c, 300c,. 300d, 300f, and 300g) are heated and controlled.

第2の発熱体群320は、加熱制御が停止されることによって徐々に初期温度T0まで低下する。ここで、本実施形態では初期温度T0が請求項の温度T2に相当する。一方、第1の発熱体群310は、プレート210の近くに位置していることから、温度をそれほど高くしなくてもプレート210の温度を待機温度Tpに維持することができる。従って、真空容器200の温度が徐々に低下する。真空容器200の温度低下に伴って真空容器200内面から放出されるガス分子の量が減少し、真空容器200の真空度が再び低下し始める。   The second heating element group 320 gradually decreases to the initial temperature T0 when the heating control is stopped. Here, in this embodiment, the initial temperature T0 corresponds to the temperature T2 in the claims. On the other hand, since the first heating element group 310 is located near the plate 210, the temperature of the plate 210 can be maintained at the standby temperature Tp without increasing the temperature so much. Therefore, the temperature of the vacuum vessel 200 gradually decreases. As the temperature of the vacuum container 200 decreases, the amount of gas molecules released from the inner surface of the vacuum container 200 decreases, and the degree of vacuum of the vacuum container 200 begins to decrease again.

制御部500は、第2の発熱体群320の温度が初期温度T0まで低下したら(時間t2)、第1の発熱体群310をその時の温度T3に維持する。   When the temperature of the second heating element group 320 decreases to the initial temperature T0 (time t2), the control unit 500 maintains the first heating element group 310 at the temperature T3 at that time.

そして、真空容器200の真空度が目標の真空度Ptに到達した時(時間t3)、制御部500は、第1の発熱体群310の温度を温度T4まで上昇させることによってプレート210の温度を作業温度Tqまで上昇させ、プレート210上に予め配置された電子デバイスAを加熱処理する。制御部500は、電子デバイスAへの加熱処理が終了したら(時間t4)、第1の発熱体群310への加熱制御を停止する。これによって真空容器200の温度が低下し、真空容器200の真空度が低下する。なお、実験の結果から、「Tp=200℃、Tq=250℃」である場合、上述の構成においては「T1=300℃、T3=330℃、T4=350℃」の時に最も効果的な結果を得ることができた。   When the degree of vacuum of the vacuum container 200 reaches the target degree of vacuum Pt (time t3), the controller 500 raises the temperature of the plate 210 by raising the temperature of the first heating element group 310 to the temperature T4. The temperature is raised to the working temperature Tq, and the electronic device A previously disposed on the plate 210 is heated. When the heating process for the electronic device A is completed (time t4), the control unit 500 stops the heating control for the first heating element group 310. As a result, the temperature of the vacuum container 200 decreases, and the degree of vacuum of the vacuum container 200 decreases. From the results of the experiment, when “Tp = 200 ° C., Tq = 250 ° C.”, the most effective result when “T1 = 300 ° C., T3 = 330 ° C., T4 = 350 ° C.” in the above configuration. Could get.

ここで、比較のために、制御部500’が8つの発熱体300−300hを全て同じように温度制御した場合の、真空度と温度の経時変化を示したグラフを図4に示す。図3と同様に、真空容器200内の真空度を実線で、プレート210の温度を点線で示す。また、8つの発熱体300−300hの制御温度を一点鎖線で示す。   Here, for comparison, FIG. 4 shows a graph showing changes in the degree of vacuum and temperature with time when the controller 500 ′ controls the temperature of all the eight heating elements 300 to 300 h in the same manner. As in FIG. 3, the degree of vacuum in the vacuum vessel 200 is indicated by a solid line, and the temperature of the plate 210 is indicated by a dotted line. In addition, the control temperatures of the eight heating elements 300 to 300h are indicated by alternate long and short dash lines.

図4に示すように、制御部500’は、真空ポンプ400を動作させて真空容器200の真空引きを開始し、同時に、8つの発熱体300−300hを温度T1まで上昇させて、プレート210の温度を待機温度Tpに維持する。これにより、図3と同様に、真空容器200内面からガス分子が一気に放出・排除されて真空容器200の真空度が速やかに低下する。その後、真空ポンプ210の排気能力の限界に到達することによって、真空度が限界値からあまり下がらなくなる。8つの発熱体300a−300hをそのまま温度T1に維持する場合、真空容器200の真空度は大きく改善されることがない。   As shown in FIG. 4, the controller 500 ′ operates the vacuum pump 400 to start evacuation of the vacuum vessel 200, and at the same time, raises the eight heating elements 300 to 300 h to the temperature T 1, The temperature is maintained at the standby temperature Tp. As a result, as in FIG. 3, gas molecules are released / excluded at once from the inner surface of the vacuum vessel 200, and the vacuum degree of the vacuum vessel 200 is quickly reduced. Thereafter, when the limit of the exhaust capacity of the vacuum pump 210 is reached, the degree of vacuum does not drop much from the limit value. When the eight heating elements 300a to 300h are maintained as they are at the temperature T1, the degree of vacuum of the vacuum container 200 is not greatly improved.

そして、真空容器200の真空度が目標の真空度P’tに到達した時(時間t5)、制御部500’は、8つの発熱体300−300hの温度を温度T’4まで上昇させることによってプレート210の温度を作業温度Tqに上昇させ、プレート210上に予め配置された電子デバイスAを加熱処理する。   When the vacuum degree of the vacuum container 200 reaches the target vacuum degree P′t (time t5), the control unit 500 ′ increases the temperature of the eight heating elements 300 to 300h to the temperature T′4. The temperature of the plate 210 is raised to the working temperature Tq, and the electronic device A previously disposed on the plate 210 is heated.

図4から分かるように、8つの発熱体300a−300hを全て同じように加熱制御する場合、十分な真空度を得ることができないと共に、目標の真空度に達するまで長時間にわたって発熱体300a−300hおよび真空ポンプ400を稼働させる必要があり、生産性が悪い。   As can be seen from FIG. 4, when all the eight heating elements 300a to 300h are controlled to be heated in the same manner, a sufficient degree of vacuum cannot be obtained, and the heating elements 300a to 300h are used for a long time until the target degree of vacuum is reached. And the vacuum pump 400 needs to be operated, and the productivity is poor.

これに比べて本実施形態に係る真空装置100は全ての発熱体300a−300hを加熱制御して速やかに真空度を下げた後で真空度の低下が小さくなった時、プレート210から離れた位置に位置している第2の発熱体群320への加熱制御を停止して、プレート210の近くに位置している第1の発熱体群310のみを稼働させる。プレート210の近くに位置している発熱体300のみを稼働させることによって、効率よくプレート210の温度を温度Tpに維持できて発熱コストを削減することができると共に、真空容器200の温度が低下して真空容器200からの放出されるガス分子の量が減少し、真空容器200の真空度を目標の真空度Ptまで低下させることができる。   Compared to this, the vacuum apparatus 100 according to the present embodiment is located away from the plate 210 when the decrease in the vacuum degree is small after the heating degree of all the heating elements 300a to 300h is controlled to quickly reduce the vacuum degree. The heating control to the second heating element group 320 located at the position is stopped, and only the first heating element group 310 located near the plate 210 is operated. By operating only the heating element 300 located near the plate 210, the temperature of the plate 210 can be efficiently maintained at the temperature Tp, and the heat generation cost can be reduced, and the temperature of the vacuum vessel 200 is decreased. Thus, the amount of gas molecules released from the vacuum vessel 200 is reduced, and the vacuum degree of the vacuum vessel 200 can be lowered to the target vacuum degree Pt.

従って、本実施形態に係る真空装置100は、真空容器200内において真空状態を維持したままで電子デバイスAに対して加熱処理を行う場合においても、速やかに目標の真空度に到達して電子デバイスAを加熱処理することができる。   Therefore, the vacuum apparatus 100 according to the present embodiment quickly reaches the target degree of vacuum even when the electronic device A is subjected to heat treatment while maintaining the vacuum state in the vacuum container 200, and the electronic device A can be heat-treated.

なお、上述の実施形態では、8つの発熱体300a−300hを全て真空容器200の外周上に固定したが、これに限定されない。例えば、真空度の低下用にのみ使用する第2の発熱体群320(発熱体300a、300b、300e、300h)を真空容器200の外周上に着脱可能に配置することもできる。第2の発熱体群320を真空容器200の外周上に着脱可能に配置した時の断面図を図5に示す。   In the above-described embodiment, all the eight heating elements 300a to 300h are fixed on the outer periphery of the vacuum vessel 200, but the present invention is not limited to this. For example, the second heating element group 320 (heating elements 300a, 300b, 300e, 300h) used only for lowering the degree of vacuum can be detachably disposed on the outer periphery of the vacuum vessel 200. FIG. 5 shows a cross-sectional view when the second heating element group 320 is detachably disposed on the outer periphery of the vacuum vessel 200.

この場合、制御部500は、真空ポンプ210の真空度が一定値(Ps)になった時(図3の時間t1)、図5に図示しないモータやエアシリンダ等を駆動して第2の発熱体群320(発熱体300a、300b、300e、300h)を真空容器200から取り外すと共に、プレート210の温度が待機温度Tpに維持されるように、第1の発熱体群310(発熱体300c、300d、300f、300g)を加熱制御する。なお、第1の発熱体群310が温度T3に保持された後の動作は、図3において説明した前述の動作と同じである。   In this case, when the degree of vacuum of the vacuum pump 210 reaches a constant value (Ps) (time t1 in FIG. 3), the controller 500 drives a motor, an air cylinder, or the like not shown in FIG. The first heating element group 310 (heating elements 300c, 300d) is removed so that the body group 320 (heating elements 300a, 300b, 300e, 300h) is removed from the vacuum vessel 200 and the temperature of the plate 210 is maintained at the standby temperature Tp. , 300f, 300g). The operation after the first heating element group 310 is held at the temperature T3 is the same as the operation described above with reference to FIG.

プレート210から離れた位置に位置している第2の発熱体群320を着脱可能に配置し、真空度が一定値(Ps)になった時に第2の発熱体群320を真空容器200から取り外す場合、第2の発熱体群320を真空容器200上に配置させた状態で第2の発熱体群320への加熱制御を停止する場合と比較して、真空容器200の温度を速やかに低下させることができる。従って、真空容器200内面から放出されるガス分子の量が速やかに減少し、短時間で真空容器200の真空度が目標の真空度Ptに到達する。   The second heating element group 320 located at a position away from the plate 210 is detachably disposed, and the second heating element group 320 is removed from the vacuum vessel 200 when the degree of vacuum reaches a certain value (Ps). In this case, the temperature of the vacuum container 200 is rapidly reduced as compared with the case where the heating control to the second heat generator group 320 is stopped in a state where the second heat generator group 320 is arranged on the vacuum container 200. be able to. Accordingly, the amount of gas molecules released from the inner surface of the vacuum container 200 is quickly reduced, and the vacuum degree of the vacuum container 200 reaches the target vacuum degree Pt in a short time.

(第3の実施形態)
第3の実施形態について説明する。本実施形態に係る真空装置の断面図を図6に示す。図6において、真空装置100Bは、真空容器200B、8つの発熱体300Ba−300Bh、真空ポンプ400B、6本の冷却管600Ba−600Bf、および、図示しない制御部500Bから成る。
(Third embodiment)
A third embodiment will be described. A sectional view of the vacuum apparatus according to this embodiment is shown in FIG. In FIG. 6, the vacuum device 100B includes a vacuum vessel 200B, eight heating elements 300Ba-300Bh, a vacuum pump 400B, six cooling pipes 600Ba-600Bf, and a control unit 500B (not shown).

本実施形態に係る真空装置100Bは、第2の実施形態で説明した図2の真空容器200の外周に、さらに、6本の冷却管600Ba−600Bfを配置することによって形成される。   The vacuum apparatus 100B according to the present embodiment is formed by further disposing six cooling pipes 600Ba-600Bf on the outer periphery of the vacuum vessel 200 of FIG. 2 described in the second embodiment.

冷却管600Bは、内部に水や空気が流れる管であり、冷却管600B内を水や空気が流れることによって真空容器200Bが冷却される。本実施形態において、冷却管600Bは、真空容器200Bの外周上のプレート210Bから離れた領域において、発熱体300Bと交互に配置される。具体的には、プレート210Bに近い、発熱体300Bc−300Bd間、発熱体300Bf−300Bg間には、冷却管600Bは配置されない。   The cooling pipe 600B is a pipe through which water and air flow, and the vacuum container 200B is cooled by flowing water and air through the cooling pipe 600B. In the present embodiment, the cooling pipes 600B are alternately arranged with the heating elements 300B in a region away from the plate 210B on the outer periphery of the vacuum vessel 200B. Specifically, the cooling pipe 600B is not disposed between the heating elements 300Bc-300Bd and between the heating elements 300Bf-300Bg, which are close to the plate 210B.

真空装置100Bの動作について説明する。第2の実施形態で説明した真空装置100と同様に、制御部500Bは、プレート210B上に処理対象の電子デバイスAが配置された状態で、真空ポンプ400Bを動作させて真空容器200Bの真空引きを開始し、発熱体300Ba−300Bhを温度T1まで上昇させる。これにより、真空容器200Bの真空度が速やかに低下する。   The operation of the vacuum device 100B will be described. Similar to the vacuum apparatus 100 described in the second embodiment, the control unit 500B operates the vacuum pump 400B to evacuate the vacuum container 200B in a state where the electronic device A to be processed is disposed on the plate 210B. The heating element 300Ba-300Bh is raised to the temperature T1. Thereby, the vacuum degree of the vacuum container 200B falls rapidly.

そして、発熱体300Ba−300Bhが温度T1に維持された状態で、真空ポンプ210Bの排気能力が限界に到達した時、制御部500Bは、プレート210Bから離れた所に配置されている発熱体300Ba、300Bb、300Be、300Bhへの加熱制御を停止すると共にプレート210Bの近くに配置されている発熱体300Bc、300Bd、300Bf、300Bgの温度をT3に上昇させることによって、プレート210Bの温度を温度Tpに維持する。制御部500Bはこの時さらに、6本の冷却管600Ba−600Bfへの水または空気の流入を開始して、真空容器200Bの強制冷却を開始する。   When the exhaust capacity of the vacuum pump 210B reaches the limit while the heating elements 300Ba-300Bh are maintained at the temperature T1, the control unit 500B includes the heating elements 300Ba disposed away from the plate 210B, The temperature of the plate 210B is maintained at the temperature Tp by stopping the heating control to 300Bb, 300Be, and 300Bh and increasing the temperature of the heating elements 300Bc, 300Bd, 300Bf, and 300Bg arranged near the plate 210B to T3. To do. At this time, the controller 500B further starts inflow of water or air into the six cooling pipes 600Ba-600Bf to start forced cooling of the vacuum vessel 200B.

これにより、プレート210Bの温度を温度Tpに維持したまま、真空容器200Bの温度を十分に低下させることができる。真空容器200Bの温度が低下するのに伴い、真空容器200Bの真空度も低下する。   Thereby, the temperature of the vacuum vessel 200B can be sufficiently lowered while maintaining the temperature of the plate 210B at the temperature Tp. As the temperature of the vacuum container 200B decreases, the degree of vacuum of the vacuum container 200B also decreases.

制御部500Bは、真空容器200Bの真空度が目標の真空度Ptに到達した時、プレート210Bの近くに位置している発熱体300Bc、300Bd、300Bf、300Bgを上昇させることによってプレート210Bの温度を作業温度Tqまで上昇させ、プレート210B上に配置された電子デバイスAへの加熱処理を実施する。制御部500Bは、電子デバイスAへの加熱処理が終了した後、発熱体300Bc、300Bd、300Bf、300Bgの加熱制御を停止すると共に冷却管600Ba−600Bfへの水または空気の流入を停止する。   When the degree of vacuum of the vacuum vessel 200B reaches the target degree of vacuum Pt, the controller 500B raises the temperature of the plate 210B by raising the heating elements 300Bc, 300Bd, 300Bf, 300Bg located near the plate 210B. The temperature is raised to the working temperature Tq, and the electronic device A disposed on the plate 210B is heated. The controller 500B stops the heating control of the heating elements 300Bc, 300Bd, 300Bf, 300Bg and stops the inflow of water or air into the cooling pipes 600Ba-600Bf after the heating process for the electronic device A is completed.

以上のように、本実施形態に係る真空装置100Bは、真空容器200B内において真空状態を維持したままで電子デバイスAに対して加熱処理を行う場合においても、プレート210Bから離れた所に配置されている発熱体300Bへの加熱制御を停止するのと並行して、冷却管600Bによる真空容器200Bの強制冷却を行うことによって、速やかに目標の真空度に到達させて電子デバイスAを加熱処理することができる。   As described above, the vacuum apparatus 100B according to the present embodiment is disposed at a position away from the plate 210B even when the electronic device A is heat-treated while maintaining the vacuum state in the vacuum container 200B. In parallel with stopping the heating control to the heating element 300B, the vacuum vessel 200B is forcibly cooled by the cooling pipe 600B, so that the electronic device A is heated by quickly reaching the target vacuum level. be able to.

本願発明に係る真空装置は、真空中での加熱処理を必要とする工程に適用することができ、特に、赤外線パッケージを真空封止する工程に適用することができる。なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。   The vacuum apparatus according to the present invention can be applied to a process that requires heat treatment in vacuum, and in particular, can be applied to a process of vacuum-sealing an infrared package. Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and any design change or the like within a range not departing from the gist of the present invention is included in the present invention.

10 真空装置
20 真空容器
21 基板
30 発熱体
40 真空ポンプ
50 制御手段
100、100B 真空装置
200、200B 真空容器
210、210B プレート
300、300B 発熱体
400、400B 真空ポンプ
500、500B 制御部
600B 冷却管
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Vacuum apparatus 20 Vacuum container 21 Substrate 30 Heating element 40 Vacuum pump 50 Control means 100, 100B Vacuum apparatus 200, 200B Vacuum container 210, 210B Plate 300, 300B Heating element 400, 400B Vacuum pump 500, 500B Control part 600B Cooling tube

Claims (7)

内部に基板が固定された真空容器と、
前記真空容器の外周に配置された複数の発熱体と、
前記真空容器を真空引きする真空ポンプと、
前記基板が温度Tpに維持されるように前記複数の発熱体を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、第1の期間においては前記複数の発熱体を温度T1に保持し、第2の期間においては前記基板から所定の距離以上離れた発熱体を温度T1よりも低い温度T2にすると共にその他の発熱体を温度T3にすることを特徴とする真空装置。
A vacuum vessel with a substrate fixed inside,
A plurality of heating elements arranged on the outer periphery of the vacuum vessel;
A vacuum pump for evacuating the vacuum vessel;
Control means for controlling the plurality of heating elements such that the substrate is maintained at a temperature Tp;
With
The control means holds the plurality of heating elements at a temperature T1 in a first period, and sets a heating element that is more than a predetermined distance away from the substrate to a temperature T2 lower than the temperature T1 in a second period. A vacuum apparatus characterized in that the other heating element is set to a temperature T3.
前記制御手段は、第2の期間において、前記基板から所定の距離以上離れた発熱体を温度T2にする代わりに真空容器の外周から離脱させる、請求項1記載の真空装置。 2. The vacuum apparatus according to claim 1, wherein, in the second period, the control unit separates the heating element separated from the substrate by a predetermined distance or more from the outer periphery of the vacuum vessel instead of setting the temperature T <b> 2. 前記制御手段は前記真空容器の真空度を監視する機能を有し、
前記制御手段は、第1の期間において前記真空度の低下率が所定の閾値よりも小さくなった時、第2の期間に入ったと判断する、
請求項1または2記載の真空装置。
The control means has a function of monitoring the degree of vacuum of the vacuum container,
The control means determines that the second period has been entered when the rate of decrease in the vacuum degree is smaller than a predetermined threshold in the first period.
The vacuum apparatus according to claim 1 or 2.
前記制御手段は、第2の期間において前記真空度が目標値に達した時、前記基板が温度Tpよりも高い温度Tqに維持されるように前記その他の発熱体を温度T4に保持する、請求項3記載の真空装置。 The control means holds the other heating element at a temperature T4 so that the substrate is maintained at a temperature Tq higher than the temperature Tp when the degree of vacuum reaches a target value in the second period. Item 4. The vacuum device according to Item 3. 前記真空容器の外周に配置され、動作時に前記真空容器を冷却する冷却手段をさらに備え、
前記制御手段は、第1の期間において前記冷却手段を動作させず、第2の期間において前記冷却手段を動作させる、
請求項1乃至4のいずれか1項記載の真空装置。
A cooling means disposed on the outer periphery of the vacuum vessel, and cooling the vacuum vessel during operation;
The control means does not operate the cooling means in the first period and operates the cooling means in the second period;
The vacuum apparatus of any one of Claims 1 thru | or 4.
外周に複数の発熱体が配置されると共に内部に基板が固定された真空容器を備えた真空装置を用いた真空処理方法であって、
前記基板上に被処理体が配置された状態で前記真空容器を稼働し、
第1の期間において、前記基板が温度Tpに維持されるように、前記複数の発熱体を温度T1に保持し、
第2の期間において、前記基板が温度Tpに維持されるように、前記基板から所定の距離以上離れた発熱体を温度T1よりも低い温度T2にすると共にその他の発熱体を温度T3にし、
前記真空容器の真空度が目標値に到達した場合、前記基板が温度Tpよりも高い温度Tqに維持されるように、前記その他の発熱体を温度T4に保持すると共に前記被処理体を処理する、
真空処理方法。
A vacuum processing method using a vacuum device provided with a vacuum vessel in which a plurality of heating elements are arranged on the outer periphery and a substrate is fixed inside,
The vacuum vessel is operated in a state where the object to be processed is disposed on the substrate,
In the first period, the plurality of heating elements are held at a temperature T1 so that the substrate is maintained at a temperature Tp.
In the second period, the heating element separated from the substrate by a predetermined distance or more is set to a temperature T2 lower than the temperature T1 and the other heating elements are set to a temperature T3 so that the substrate is maintained at the temperature Tp.
When the degree of vacuum of the vacuum container reaches a target value, the other heating elements are held at the temperature T4 and the object to be processed is processed so that the substrate is maintained at a temperature Tq higher than the temperature Tp. ,
Vacuum processing method.
第2の期間において、前記基板から所定の距離以上離れた発熱体を、温度T1よりも低い温度T2にする代わりに真空容器の外周から離脱させる、請求項6記載の真空処理方法。 The vacuum processing method according to claim 6, wherein, in the second period, the heating element separated from the substrate by a predetermined distance or more is separated from the outer periphery of the vacuum vessel instead of being set to a temperature T2 lower than the temperature T1.
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