JP6274559B2 - Film sensor, display device with touch position detection function, and laminate for producing film sensor - Google Patents

Film sensor, display device with touch position detection function, and laminate for producing film sensor Download PDF

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本発明は、タッチパネルを構成するためのフィルムセンサに関する。また本発明は、当該フィルムセンサから構成されたタッチパネルと表示装置とを組み合わせることによって得られるタッチ位置検出機能付き表示装置に関する。また本発明は、フィルムセンサを作製するための積層体に関する。   The present invention relates to a film sensor for constituting a touch panel. Moreover, this invention relates to the display apparatus with a touch position detection function obtained by combining the touchscreen comprised from the said film sensor, and a display apparatus. The present invention also relates to a laminate for producing a film sensor.

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネル、タッチパネル上への接触位置を検出する制御回路、配線およびFPC(フレキシブルプリント基板)を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等(例えば、券売機、ATM装置、携帯電話、ゲーム機)に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、タッチパネルが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。タッチパネルのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルのこの領域が、接触位置(接近位置)を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。   Today, touch panel devices are widely used as input means. The touch panel device includes a touch panel, a control circuit that detects a contact position on the touch panel, wiring, and an FPC (flexible printed circuit board). In many cases, the touch panel device is used together with the display device as an input means for various devices including a display device such as a liquid crystal display or an organic EL display (for example, a ticket vending machine, an ATM device, a mobile phone, a game machine). It has been. In such a device, the touch panel is disposed on the display surface of the display device, thereby enabling extremely direct input to the display device. The area of the touch panel that faces the display area of the display device is transparent, and this area of the touch panel constitutes an active area that can detect the contact position (approach position).

タッチパネルとして、投影型容量結合方式のタッチパネルが知られている。容量結合方式のタッチパネルにおいては、位置を検知されるべき外部導体(典型的には、指)が誘電体を介してタッチパネルに接触(接近)する際、新たに奇生容量が発生する。この奇生容量に起因する静電容量の変化に基づいて、タッチパネル上における外部導体の位置が検出される。このような投影型容量結合方式のタッチパネルは例えば、PETなどの基材フィルムを含む支持体と、支持体上に設けられた複数の検出パターンと、を備えたフィルムセンサから構成されている。検出パターンは、例えば、透光性および導電性を有する透明導電材料から構成される。   As a touch panel, a projected capacitive coupling type touch panel is known. In the capacitive coupling type touch panel, when an outer conductor (typically, a finger) whose position is to be detected contacts (approaches) the touch panel via a dielectric, a strange capacitance is newly generated. The position of the external conductor on the touch panel is detected based on the change in capacitance caused by this strange capacitance. Such a projected capacitively coupled touch panel includes, for example, a film sensor including a support including a base film such as PET and a plurality of detection patterns provided on the support. The detection pattern is made of, for example, a transparent conductive material having translucency and conductivity.

また、検出パターンの電気抵抗値を低くし、これによってタッチ位置の検出精度を向上させるため、検出パターンを構成する材料として、透明導電材料よりも高い導電性を有する銀や銅などの金属材料を用いることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。検出パターンが金属材料から構成される場合、検出パターンには、表示装置からの映像光を適切な比率で透過させるための開口部が形成されている。例えば検出パターンは、網目状に配置された導線によって構成されている。   In addition, in order to lower the electrical resistance value of the detection pattern and thereby improve the detection accuracy of the touch position, a metal material such as silver or copper having higher conductivity than the transparent conductive material is used as a material constituting the detection pattern. It has been proposed to use (see, for example, Patent Document 1). When the detection pattern is made of a metal material, an opening for transmitting image light from the display device at an appropriate ratio is formed in the detection pattern. For example, the detection pattern is composed of conductive wires arranged in a mesh shape.

特開2012−79238号公報JP 2012-79238 A

検出パターンが金属材料からなる導線によって構成される場合、金属材料が有する金属光沢に起因して検出パターンが観察者(ユーザー)に視認されてしまうことが考えられる。特に、導線の材料として銅が用いられる場合、検出パターンからの反射光として、銅に特有の、赤味を帯びた光が観察者に到達してしまい、これによって、映像の視認性が低下してしまう。   In the case where the detection pattern is constituted by a conductive wire made of a metal material, it is conceivable that the detection pattern is visually recognized by an observer (user) due to the metallic luster of the metal material. In particular, when copper is used as the material of the conductive wire, the reddish light peculiar to copper reaches the observer as reflected light from the detection pattern, thereby reducing the visibility of the image. End up.

金属光沢に起因するこのような視認性の低下を防ぐため、特許文献1においては、導線の表面に酸化処理や硫化処理などの黒化処理を施して黒化処理層を設けることが提案されている。ところで、黒化処理によって形成される黒化処理層にはある程度の厚みが必要であり、このため、黒化処理層が形成される場合、導線の厚みは一般には1μm以上になる。一方、導線の幅は一般に数μm程度である。従って、黒化処理が実施される場合、導線の厚みは、導線の幅に対して無視できない程度の大きな比率で存在していると言える。この場合、導線の表面だけでなく導線の側面においても、無視できない程度の反射が生じたり、または導線の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまったりすることが考えられる。   In order to prevent such a decrease in visibility due to the metallic luster, Patent Document 1 proposes that a blackening treatment layer is provided on the surface of the conductive wire to provide a blackening treatment layer. Yes. By the way, a certain amount of thickness is required for the blackening treatment layer formed by the blackening treatment. For this reason, when the blackening treatment layer is formed, the thickness of the conductor is generally 1 μm or more. On the other hand, the width of the conducting wire is generally about several μm. Therefore, when the blackening process is performed, it can be said that the thickness of the conductive wire exists at a large ratio that cannot be ignored with respect to the width of the conductive wire. In this case, it is conceivable that reflection not to be ignored occurs not only on the surface of the conducting wire but also on the side surface of the conducting wire, or the image light from the display device is hindered by the side surface of the conducting wire.

本発明は、このような課題を効果的に解決し得るフィルムセンサ、タッチ位置検出機能付き表示装置、およびフィルムセンサを作製するための積層体を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the laminated body for producing the film sensor which can solve such a subject effectively, the display apparatus with a touch position detection function, and a film sensor.

本発明は、表示装置に組み合わされるフィルムセンサであって、基材フィルムを含む支持体と、前記支持体上に設けられた複数の検出パターンと、を備え、前記検出パターンは、遮光性および導電性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるよう網目状に配置された導線から構成されており、前記導線が、下記(1)、(2)または(3)の構成を有する導線形成層を含んでおり、
(1)前記支持体側から順に、本体層/低反射層
(2)前記支持体側から順に、低反射層/本体層
(3)前記支持体側から順に、低反射層/本体層/低反射層
前記導線形成層が上記(1)の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の観察者側に配置されており、前記導線形成層が上記(2)の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の表示装置側に配置されており、前記本体層は、90重量%以上の銅を含み、前記本体層の厚みは、0.2μm以下になっており、前記低反射層は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含み、前記低反射層の厚みは、20〜60nmの範囲内になっている、フィルムセンサである。
The present invention is a film sensor to be combined with a display device, and includes a support including a base film and a plurality of detection patterns provided on the support, and the detection pattern has a light shielding property and a conductive property. The conductive wire is composed of conductive wires arranged in a mesh shape so that openings are formed between the conductive wires, and the conductive wires are the following (1), (2) or (3) A conductor forming layer having a configuration,
(1) Main body layer / low reflection layer in order from the support side (2) Low reflection layer / main body layer in order from the support side (3) Low reflection layer / main body layer / low reflection layer in order from the support side When the conducting wire forming layer has the configuration of (1), the conducting wire is disposed on the observer side of the support, and when the conducting wire formation layer has the configuration of (2), the conducting wire is: The main body layer includes 90% by weight or more of copper, the main body layer has a thickness of 0.2 μm or less, and the low reflection layer is oxidized. It is a film sensor which contains the copper compound which consists of copper or copper nitride, and the thickness of the said low reflection layer exists in the range of 20-60 nm.

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記支持体は、前記基材フィルムの観察者側に設けられた観察者側アンダーコート層をさらに含んでいてもよい。この場合、前記観察者側アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.75の範囲内になっていてもよい。   In the film sensor according to the present invention, the support may further include an observer-side undercoat layer provided on the observer side of the base film. In this case, the refractive index of the observer side undercoat layer may be in the range of 1.50 to 1.75.

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記観察者側アンダーコート層は、観察者側第1アンダーコート層と、前記観察者側第1アンダーコート層と前記基材フィルムとの間に設けられた観察者側第2アンダーコート層と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、前記観察者側第1アンダーコート層の屈折率は、1.58〜1.75の範囲内になっており、前記観察者側第2アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.60の範囲内になっており、かつ、前記観察者側第1アンダーコート層の屈折率が、前記観察者側第2アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている。   In the film sensor according to the present invention, the observer-side undercoat layer includes an observer-side first undercoat layer, an observer-side provided between the observer-side first undercoat layer and the base film. And a second undercoat layer. In this case, preferably, the refractive index of the observer-side first undercoat layer is in the range of 1.58 to 1.75, and the refractive index of the observer-side second undercoat layer is 1 The refractive index of the observer-side first undercoat layer is larger than the refractive index of the observer-side second undercoat layer.

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記支持体は、前記基材フィルムの表示装置側に設けられた表示装置側アンダーコート層をさらに含んでいてもよい。この場合、前記表示装置側アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.75の範囲内になっていてもよい。   The film sensor by this invention WHEREIN: The said support body may further contain the display apparatus side undercoat layer provided in the display apparatus side of the said base film. In this case, the refractive index of the display device side undercoat layer may be in the range of 1.50 to 1.75.

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記表示装置側アンダーコート層は、表示装置側第1アンダーコート層と、前記表示装置側第1アンダーコート層と前記基材フィルムとの間に設けられた表示装置側第2アンダーコート層と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、前記表示装置側第1アンダーコート層の屈折率は、1.58〜1.75の範囲内になっており、前記表示装置側第2アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.60の範囲内になっており、かつ、前記表示装置側第1アンダーコート層の屈折率が、前記表示装置側第2アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている。   In the film sensor according to the present invention, the display device side undercoat layer includes a display device side first undercoat layer, and the display device side provided between the display device side first undercoat layer and the base film. And a second undercoat layer. In this case, preferably, the refractive index of the display device side first undercoat layer is in a range of 1.58 to 1.75, and the refractive index of the display device side second undercoat layer is 1. The refractive index of the first undercoat layer on the display device side is larger than the refractive index of the second undercoat layer on the display device side.

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記支持体は、前記導線に接するよう設けられ、酸化珪素または窒化銅からなる密着層をさらに含んでいてもよい。   In the film sensor according to the present invention, the support may further include an adhesion layer that is provided in contact with the conductive wire and is made of silicon oxide or copper nitride.

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記低反射層は、第1層と、前記第1層と前記本体層との間に設けられた第2層と、を含んでいてもよい。この場合、前記第1層は、酸化銅からなる銅化合物を含み、前記第2層は、窒化銅からなる銅化合物を含んでいてもよい。また、前記第1層の厚みおよび前記第2層の厚みをそれぞれd(nm)およびd(nm)とするとき、dは10〜30(nm)の範囲内であり、dは10〜30(nm)の範囲内であってもよい。 In the film sensor according to the present invention, the low reflection layer may include a first layer and a second layer provided between the first layer and the main body layer. In this case, the first layer may contain a copper compound made of copper oxide, and the second layer may contain a copper compound made of copper nitride. Further, when the thickness of the first layer and the thickness of the second layer are d 1 (nm) and d 2 (nm), respectively, d 1 is in the range of 10 to 30 (nm), and d 2 is It may be within a range of 10 to 30 (nm).

本発明は、表示装置と、前記表示装置の表示面上に配置されたフィルムセンサと、を備え、前記フィルムセンサは、上記記載のフィルムセンサを含む、タッチ位置検出機能付き表示装置である。   The present invention includes a display device and a film sensor disposed on a display surface of the display device, and the film sensor is a display device with a touch position detection function including the film sensor described above.

本発明は、フィルムセンサを作製するための積層体であって、基材フィルムを含む支持体と、前記支持体上に設けられ、下記(1)、(2)または(3)の構成を有する導線形成層と、を備え、
(1)前記支持体側から順に、本体層/低反射層
(2)前記支持体側から順に、低反射層/本体層
(3)前記支持体側から順に、低反射層/本体層/低反射層
前記導線形成層が上記(1)の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の観察者側に配置されており、前記導線形成層が上記(2)の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の表示装置側に配置されており、前記本体層は、90重量%以上の銅を含み、前記本体層の厚みは、0.2μm以下になっており、前記低反射層は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含み、前記低反射層の厚みは、20〜60nmの範囲内になっている、積層体である。
This invention is a laminated body for producing a film sensor, Comprising: It is provided on the support body containing a base film and the said support body, and has the structure of following (1), (2) or (3). A conductive wire forming layer,
(1) Main body layer / low reflection layer in order from the support side (2) Low reflection layer / main body layer in order from the support side (3) Low reflection layer / main body layer / low reflection layer in order from the support side When the conducting wire forming layer has the configuration of (1), the conducting wire is disposed on the observer side of the support, and when the conducting wire formation layer has the configuration of (2), the conducting wire is: The main body layer includes 90% by weight or more of copper, the main body layer has a thickness of 0.2 μm or less, and the low reflection layer is oxidized. The laminated body includes a copper compound made of copper or copper nitride, and the low reflective layer has a thickness in the range of 20 to 60 nm.

本発明において、導線は、90重量%以上の銅を含む本体層と、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含む低反射層と、を含んでいる。このため、銅の金属光沢に起因して、赤味を帯びた光が観察者に到達してしまうことを、低反射層によって抑制することができる。また、本体層および低反射層のいずれもが銅を含むため、積層体からフィルムセンサを作製する際、銅を選択的に溶かすことができるエッチング液を用いることにより、積層体の本体層および低反射層を同時にエッチングして導線を形成することができる。このため、フィルムセンサを作製するために必要になる工数を少なくすることができる。また本発明において、導線の本体層の厚みは、0.2μm以下になっている。このため、導線の幅に対する導線の厚みの比率を小さくすることができ、これによって、導線の側面で光の反射が生じることや、導線の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまうことを抑制することができる。従って本発明によれば、タッチ位置の高い検出精度を確保しながら、映像の視認性を十分に確保することができる。   In the present invention, the conducting wire includes a main body layer containing 90% by weight or more of copper and a low reflection layer containing a copper compound made of copper oxide or copper nitride. For this reason, it is possible to suppress the reddish light from reaching the observer due to the metallic luster of copper by the low reflection layer. In addition, since both the main body layer and the low reflection layer contain copper, when a film sensor is manufactured from the laminate, an etching solution that can selectively dissolve copper is used, so that the main body layer and the low reflection layer of the laminate are reduced. The reflective layer can be etched simultaneously to form a conductor. For this reason, the man-hour required in order to produce a film sensor can be decreased. In the present invention, the thickness of the main body layer of the conducting wire is 0.2 μm or less. For this reason, the ratio of the thickness of the conducting wire to the width of the conducting wire can be reduced, whereby light is reflected on the side surface of the conducting wire, and video light from the display device is hindered by the side surface of the conducting wire. Can be suppressed. Therefore, according to the present invention, it is possible to sufficiently ensure the visibility of the image while ensuring high detection accuracy of the touch position.

図1は、本発明の第1の実施の形態において、フィルムセンサを示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a film sensor in the first embodiment of the present invention. 図2Aは、図1において符号IIが付された一点鎖線で囲まれた部分における検出パターンを拡大して示す平面図。2A is an enlarged plan view showing a detection pattern in a portion surrounded by a one-dot chain line denoted by reference numeral II in FIG. 図2Bは、検出パターンの一変形例を示す図。FIG. 2B is a diagram showing a modification of the detection pattern. 図3は、フィルムセンサを図2AのIII線に沿って切断した場合を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a case where the film sensor is cut along line III in FIG. 2A. 図4は、図3に示す支持体および導線を拡大して示す断面図。4 is an enlarged cross-sectional view of the support and the conductor shown in FIG. 図5(a)〜(d)は、フィルムセンサの製造方法を説明するための図。FIGS. 5A to 5D are views for explaining a film sensor manufacturing method. 図6は、本発明の第1の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a modification of the conductive wire forming layer of the conductive wire of the film sensor according to the first embodiment of the present invention. 図7は、本発明の第1の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a modified example of the conductive wire forming layer of the conductive wire of the film sensor in the first embodiment of the present invention. 図8は、本発明の第2の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層を示す断面図。FIG. 8: is sectional drawing which shows the conducting wire formation layer of the conducting wire of the film sensor in the 2nd Embodiment of this invention. 図9は、本発明の第2の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a modification of the conductive wire forming layer of the conductive wire of the film sensor according to the second embodiment of the present invention. 図10は、本発明の第2の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modification of the conductive wire forming layer of the conductive wire of the film sensor according to the second embodiment of the present invention. 図11は、本発明の第3の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層を示す断面図。FIG. 11: is sectional drawing which shows the conducting wire formation layer of the conducting wire of the film sensor in the 3rd Embodiment of this invention. 図12は、本発明の第3の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。FIG. 12: is sectional drawing which shows the modification of the conducting wire formation layer of the conducting wire of the film sensor in the 3rd Embodiment of this invention. 図13は、本発明の第3の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。FIG. 13: is sectional drawing which shows the modification of the conducting wire formation layer of the conducting wire of the film sensor in the 3rd Embodiment of this invention. 図14は、本発明の第4の実施の形態において、タッチ位置検出機能付き表示装置を示す展開図。FIG. 14 is a development view showing a display device with a touch position detection function in the fourth embodiment of the present invention. 図15は、図14のタッチ位置検出機能付き表示装置におけるタッチパネルを示す平面図。15 is a plan view showing a touch panel in the display device with a touch position detection function of FIG. 図16は、図15において符号XVIが付された一点鎖線で囲まれた部分における検出パターンを拡大して示す平面図。16 is an enlarged plan view showing a detection pattern in a portion surrounded by a one-dot chain line denoted by reference numeral XVI in FIG. 図17は、タッチパネルを図16のXVII線に沿って切断した場合を示す断面図。17 is a cross-sectional view showing a case where the touch panel is cut along the line XVII in FIG. 図18は、図17に示すタッチパネルの一部を拡大して示す断面図。18 is an enlarged cross-sectional view of a part of the touch panel shown in FIG. 図19は、本発明の第4の実施の形態におけるタッチパネルの一変形例を示す断面図。FIG. 19 is a cross-sectional view showing a modification of the touch panel according to the fourth embodiment of the present invention. 図20は、本発明の第4の実施の形態におけるタッチパネルの一変形例を示す断面図。FIG. 20 is a cross-sectional view showing a modification of the touch panel according to the fourth embodiment of the present invention. 図21は、本発明の第4の実施の形態におけるタッチパネルの一変形例を示す断面図。FIG. 21 is a cross-sectional view showing a modification of the touch panel according to the fourth embodiment of the present invention. 図22は、本発明の第4の実施の形態におけるタッチパネルの一変形例を示す断面図。FIG. 22 is a sectional view showing a modification of the touch panel according to the fourth embodiment of the present invention. 図23は、表示装置側に配置される導線の断面形状の一変形例を示す図。FIG. 23 is a view showing a modification of the cross-sectional shape of the conductive wire arranged on the display device side. 図24は、本発明の第5の実施の形態におけるフィルムセンサを示す断面図。FIG. 24 is a cross-sectional view showing a film sensor according to a fifth embodiment of the present invention. 図25は、図24に示すフィルムセンサの一部を拡大して示す断面図。25 is an enlarged cross-sectional view of a part of the film sensor shown in FIG. 図26は、図25に示すフィルムセンサを作製するための積層体を示す断面図。26 is a cross-sectional view showing a laminate for producing the film sensor shown in FIG. 図27は、実施例1および2における積層体のサンプルの層構成を示す断面図。FIG. 27 is a cross-sectional view showing a layer structure of a sample of a laminate in Examples 1 and 2. 図28は、実施例1における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。FIG. 28 is a diagram showing the measurement results of the reflectance of the sample of the laminate in Example 1. 図29は、実施例2における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。FIG. 29 is a diagram illustrating a measurement result of reflectance of a sample of a laminate in Example 2. 図30は、実施例3における積層体のサンプルの層構成を示す断面図。FIG. 30 is a cross-sectional view illustrating a layer configuration of a sample of a laminate in Example 3. 図31は、実施例3における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。FIG. 31 is a diagram showing the measurement results of the reflectance of the sample of the laminated body in Example 3. 図32は、実施例4および5における積層体のサンプルの層構成を示す断面図。FIG. 32 is a cross-sectional view showing a layer structure of a sample of the laminated body in Examples 4 and 5. 図33は、実施例4における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。FIG. 33 is a diagram illustrating a measurement result of reflectance of a sample of a laminate in Example 4. 図34は、実施例5における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。FIG. 34 is a view showing a measurement result of reflectance of a sample of a laminate in Example 5. 図35は、実施例6における積層体のサンプルの層構成を示す断面図。FIG. 35 is a cross-sectional view showing a layer structure of a sample of a laminate in Example 6. 図36は、実施例6における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。FIG. 36 is a diagram showing the measurement results of the reflectance of the sample of the laminate in Example 6.

第1の実施の形態
以下、図1乃至図5(a)〜(d)を参照して、本発明の第1の実施の形態について説明する。まず図1により、本実施の形態におけるタッチパネルを構成するためのフィルムセンサ31について説明する。図1は、観察者側から見た場合のフィルムセンサ31を示す平面図である。
First Embodiment Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5A to 5D. First, referring to FIG. 1, a film sensor 31 for constituting a touch panel in the present embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view showing the film sensor 31 when viewed from the observer side.

フィルムセンサ
ここでは、フィルムセンサ31が、投影型の静電容量結合方式のタッチパネル用に構成される例について説明する。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本件では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のフィルムセンサは、導電性のパターンを有しており、外部の導体(典型的には人間の指)がフィルムセンサ31に接近することにより、外部の導体とフィルムセンサ31の導電性のパターンとの間でコンデンサ(静電容量)が形成される。そして、このコンデンサの形成に伴った電気的な状態の変化に基づき、フィルムセンサ31上において外部導体が接近している位置の位置座標が特定される。
Film Sensor Here, an example in which the film sensor 31 is configured for a projection-type capacitively coupled touch panel will be described. The “capacitive coupling” method is also referred to as “capacitance” method or “capacitance coupling” method in the technical field of touch panels. It is treated as a term synonymous with the “capacitive coupling” method. A typical capacitive coupling type film sensor has a conductive pattern. When an external conductor (typically a human finger) approaches the film sensor 31, the external conductor and the film are detected. A capacitor (capacitance) is formed between the sensor 31 and the conductive pattern. Based on the change in the electrical state accompanying the formation of the capacitor, the position coordinates of the position where the external conductor is approaching on the film sensor 31 are specified.

図1に示すように、フィルムセンサ31は、支持体32と、支持体32上に設けられた複数の検出パターン41と、を備えている。図1に示すように、各検出パターン41はそれぞれ帯状に延びている。また、複数の検出パターン41は、各検出パターン41が延びる方向に直交する方向において、一定の配列ピッチで並べられている。検出パターン41の配列ピッチは、タッチ位置の検出に関して求められる分解能に応じて定められるが、例えば数mmになっている。   As shown in FIG. 1, the film sensor 31 includes a support body 32 and a plurality of detection patterns 41 provided on the support body 32. As shown in FIG. 1, each detection pattern 41 extends in a band shape. The plurality of detection patterns 41 are arranged at a constant arrangement pitch in a direction orthogonal to the direction in which each detection pattern 41 extends. The arrangement pitch of the detection patterns 41 is determined according to the resolution required for detection of the touch position, and is several mm, for example.

図1に示すように、フィルムセンサ31の支持体32は、タッチ位置を検出され得る領域に対応する矩形状のアクティブエリアAa1と、アクティブエリアAa1の周辺に位置する矩形枠状の非アクティブエリアAa2と、を含んでいる。アクティブエリアAa1および非アクティブエリアAa2はそれぞれ、後述するタッチ位置検出機能付き表示装置10の表示装置のアクティブエリアおよび非アクティブエリアに対応して区画されたものである。   As shown in FIG. 1, the support body 32 of the film sensor 31 includes a rectangular active area Aa1 corresponding to an area where the touch position can be detected, and a rectangular frame-shaped inactive area Aa2 positioned around the active area Aa1. And. Each of the active area Aa1 and the inactive area Aa2 is partitioned corresponding to an active area and an inactive area of the display device of the display device with a touch position detection function 10 described later.

上述の検出パターン41は、アクティブエリアAa1内に配置されている。また非アクティブエリアAa2には、各検出パターン41に電気的に接続された複数の額縁配線43と、支持体32の外縁近傍に配置され、各額縁配線43に電気的に接続された複数の端子部44と、が設けられている。   The detection pattern 41 described above is arranged in the active area Aa1. In the inactive area Aa2, a plurality of frame wirings 43 electrically connected to each detection pattern 41 and a plurality of terminals arranged near the outer edge of the support body 32 and electrically connected to each frame wiring 43 Part 44 is provided.

次に図2Aを参照して、検出パターン41のパターン形状について説明する。図2Aは、図1において符号IIが付された一点鎖線で囲まれた部分における検出パターン41を示す平面図である。図2Aに示すように、検出パターン41は、遮光性および導電性を有する導線51であって、各導線51の間に開口部51aが形成されるよう網目状に配置された導線51から構成されている。   Next, the pattern shape of the detection pattern 41 will be described with reference to FIG. 2A. FIG. 2A is a plan view showing a detection pattern 41 in a portion surrounded by an alternate long and short dash line denoted by reference numeral II in FIG. As shown in FIG. 2A, the detection pattern 41 is a conductive wire 51 having light shielding properties and electrical conductivity, and is composed of conductive wires 51 arranged in a mesh shape so that openings 51a are formed between the conductive wires 51. ing.

検出パターン41全体の面積のうち開口部51aによって占められる面積の比率(以下、開口率と称する)が十分に高くなり、これによって、表示装置からの映像光が適切な透過率でフィルムセンサ31のアクティブエリアAa1を透過することができる限りにおいて、導線51の寸法や形状が特に限られることはない。例えば図2Aに示す例において、検出パターン41は、矩形状に形成された導線51を所定の方向に沿って並べることによって構成されている。開口率は、表示装置から放出される映像光の特性などに応じて適宜設定される。   The ratio of the area occupied by the opening 51a (hereinafter referred to as the aperture ratio) in the total area of the detection pattern 41 is sufficiently high, so that the image light from the display device can be transmitted through the film sensor 31 with an appropriate transmittance. As long as it can permeate | transmit the active area Aa1, the dimension and shape of the conducting wire 51 are not specifically limited. For example, in the example shown in FIG. 2A, the detection pattern 41 is configured by arranging the conductive wires 51 formed in a rectangular shape along a predetermined direction. The aperture ratio is appropriately set according to the characteristics of the image light emitted from the display device.

導線51の線幅は、求められる開口率などに応じて設定されるが、例えば導線51の幅は1〜10μmの範囲内、より好ましくは2〜7μmの範囲内に設定されている。また、互いに平行に延びる各導線51の配列ピッチP1も、求められる開口率などに応じて設定される。これによって、観察者が視認する映像に対して導線51が及ぼす影響を、無視可能な程度まで低くすることができる。   The line width of the conducting wire 51 is set according to the required aperture ratio and the like. For example, the width of the conducting wire 51 is set within a range of 1 to 10 μm, more preferably within a range of 2 to 7 μm. The arrangement pitch P1 of the conductive wires 51 extending in parallel with each other is also set according to the required aperture ratio. Thereby, the influence which the conducting wire 51 has on the image visually recognized by the observer can be reduced to a negligible level.

なお図2Aにおいては、検出パターン41が、矩形状に形成された導線51を所定の方向に沿って並べることによって構成されている例を示したが、これに限られることはない。例えば図2Bに示すように、検出パターン41は、菱形状に形成された導線51を所定の方向に沿って並べることによって構成されていてもよい。   Although FIG. 2A shows an example in which the detection pattern 41 is configured by arranging the conductive wires 51 formed in a rectangular shape along a predetermined direction, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 2B, the detection pattern 41 may be configured by arranging the conductive wires 51 formed in a rhombus shape along a predetermined direction.

次に図3および図4を参照して、フィルムセンサ31の層構成について説明する。図3は、フィルムセンサ31を図2AのIII線に沿って切断した場合を示す断面図であり、図4は、図3に示す支持体32および導線51を拡大して示す断面図である。図3に示すように、フィルムセンサ31は、支持体32と、支持体32の面上に設けられた導線51と、を含んでいる。   Next, the layer configuration of the film sensor 31 will be described with reference to FIGS. 3 is a cross-sectional view showing a case where the film sensor 31 is cut along the line III in FIG. 2A, and FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the support 32 and the conductive wire 51 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the film sensor 31 includes a support 32 and a conductive wire 51 provided on the surface of the support 32.

(支持体)
支持体32は、上述の検出パターン41や額縁配線43などのパターンや配線を支持するためのものである。この支持体32は、表示装置からの映像光を透過させることができる基材フィルム33を含んでいる。また図4に示すように、支持体32は、基材フィルム33と検出パターン41の導線51との間に設けられたアンダーコート層35aをさらに含んでいてもよい。また支持体32は、基材フィルム33のうち導線51に向かい合う側とは反対の側に設けられたアンダーコート層35bをさらに含んでいてもよい。また、基材フィルム33と各アンダーコート層35a,35bとの間には、基材フィルム33とアンダーコート層35aおよびアンダーコート層35bとの間の密着性を向上させるためのプライマー層34aおよびプライマー層34bが介在されていてもよい。
(Support)
The support body 32 is for supporting patterns and wiring such as the detection pattern 41 and the frame wiring 43 described above. The support 32 includes a base film 33 that can transmit image light from the display device. As shown in FIG. 4, the support 32 may further include an undercoat layer 35 a provided between the base film 33 and the conductive wire 51 of the detection pattern 41. The support 32 may further include an undercoat layer 35 b provided on the side of the base film 33 opposite to the side facing the conductive wire 51. Moreover, between the base film 33 and each undercoat layer 35a, 35b, the primer layer 34a and primer for improving the adhesiveness between the base film 33, the undercoat layer 35a, and the undercoat layer 35b The layer 34b may be interposed.

〔基材フィルム〕
基材フィルム33を構成する材料としては、透明性および可撓性を有する材料が用いられ、例えば合成樹脂(プラスチック)が用いられる。合成樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド(PI)またはトリアセチルセルロース(TAC)などの可撓性及び透明性を有する樹脂が用いられる。
[Base film]
As a material constituting the base film 33, a material having transparency and flexibility is used, and for example, a synthetic resin (plastic) is used. Synthetic resins include, for example, flexible and transparent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), cycloolefin polymer (COP), polycarbonate (PC), polyimide (PI), or triacetyl cellulose (TAC). A resin having a property is used.

〔アンダーコート層〕
アンダーコート層35a,35bは、擦り傷などに対する耐擦傷性を高めるという機能や、フィルムセンサ31の透過率や反射率などの光学特性を調整するという機能を実現するために設けられる層である。
耐擦傷性を高める機能が求められる場合、アンダーコート層35a,35bを構成する材料としては、例えばアクリル樹脂などの、十分な硬度を有する材料が用いられる。この場合、アンダーコート層は、いわゆるハードコート層として機能することになる。
なお、アンダーコート層35a,35bのうち基材フィルム33の観察者側に位置するアンダーコート層のことを「観察者側アンダーコート」と称し、反対側に位置するアンダーコート層のことを「表示装置側アンダーコート」と称することもある。なお後述するように、導線51は、支持体32の観察者側に位置することもあれば、支持体32の表示装置側に位置することもある。従って、アンダーコート層35aが「観察者側アンダーコート」になりアンダーコート層35bが「表示装置側アンダーコート」になることもあれば、アンダーコート層35bが「観察者側アンダーコート」になりアンダーコート層35aが「表示装置側アンダーコート」になることもある。
[Undercoat layer]
The undercoat layers 35a and 35b are layers provided to realize a function of improving the scratch resistance against scratches and the like and a function of adjusting optical characteristics such as transmittance and reflectance of the film sensor 31.
In the case where a function for improving the scratch resistance is required, a material having sufficient hardness, such as an acrylic resin, is used as the material constituting the undercoat layers 35a and 35b. In this case, the undercoat layer functions as a so-called hard coat layer.
Of the undercoat layers 35a and 35b, an undercoat layer positioned on the viewer side of the base film 33 is referred to as an “observer side undercoat”, and an undercoat layer positioned on the opposite side is indicated by “display”. It may also be referred to as “apparatus side undercoat”. As will be described later, the conductive wire 51 may be located on the viewer side of the support 32 or may be located on the display device side of the support 32. Accordingly, the undercoat layer 35a may be “observer side undercoat” and the undercoat layer 35b may be “display device side undercoat”, or the undercoat layer 35b may be “observer side undercoat”. The coat layer 35a may be “display device side undercoat”.

(導線)
次に導線51の層構成について説明する。図4に示すように、導線51は、支持体32側から順に配置された本体層53および低反射層54を有する導線形成層52Aを含んでいる。
(Conductor)
Next, the layer structure of the conducting wire 51 will be described. As shown in FIG. 4, the conducting wire 51 includes a conducting wire forming layer 52 </ b> A having a main body layer 53 and a low reflection layer 54 arranged in this order from the support 32 side.

〔本体層〕
本体層53は、導線51における導電性を主に実現するための層である。この本体層53は、その厚みが0.2μm以下になるよう、より具体的には0.02〜0.2μmの範囲内になるよう構成されている。これによって、導線51全体の厚みが大きくなることを抑制することができ、このことにより、導線51の側面において外光や映像光が反射されてしまうことを抑制することができる。このため、フィルムセンサ31が取り付けられる表示装置における視認性を十分に確保することができる。
(Main body layer)
The main body layer 53 is a layer for mainly realizing electrical conductivity in the conductive wire 51. The main body layer 53 is configured to have a thickness of 0.2 μm or less, more specifically within a range of 0.02 to 0.2 μm. Thereby, it can suppress that the thickness of the conducting wire 51 whole becomes large, and it can suppress that external light and video light are reflected in the side surface of the conducting wire 51 by this. For this reason, the visibility in the display device to which the film sensor 31 is attached can be sufficiently ensured.

一方、本体層53の厚みを小さくすることは、導線51の電気抵抗値が大きくなってしまうことを導き得る。ここで本実施の形態においては、本体層53を構成する材料として、その比抵抗が所望の値以下である金属材料を用いており、例えばその比抵抗が4.0×10−6(Ωm)以下である金属材料を用いている。これによって、導線51の電気抵抗値を十分に低くすることができる。例えば、本体層53のシート抵抗値を0.3Ω/□以下にすることができる。本体層53を構成するための、その比抵抗が4.0×10−6(Ωm)以下である金属材料としては、例えば、90重量%以上の銅を含む材料を用いることができる。 On the other hand, reducing the thickness of the main body layer 53 can lead to an increase in the electrical resistance value of the conducting wire 51. Here, in the present embodiment, a metal material having a specific resistance equal to or lower than a desired value is used as a material constituting the main body layer 53. For example, the specific resistance is 4.0 × 10 −6 (Ωm). The following metal materials are used. Thereby, the electrical resistance value of the conducting wire 51 can be made sufficiently low. For example, the sheet resistance value of the main body layer 53 can be set to 0.3Ω / □ or less. As a metal material having a specific resistance of 4.0 × 10 −6 (Ωm) or less for constituting the main body layer 53, for example, a material containing 90% by weight or more of copper can be used.

ところで銅などの金属材料は、高い導電性を有する一方で、金属光沢を示す。このため、未処理の金属材料が導線51として用いられると、表示装置からの映像光の視認性が、導線の金属光沢によって妨げられることになる。特に銅は、銅に特有の赤味を帯びた色を示すため、銀などのその他の金属材料に比べて目立ち易く、このため表示装置からの映像光の視認性がより妨げられることになる。このような銅特有の金属光沢を和らげるため、例えば上述の特許文献1においては、導線に酸化処理を施して導線の表面に酸化銅からなる黒化処理層を形成し、これによって導線の表面を黒色化(黒化)することが提案されている。しかしながら、黒化処理を実現するためには、本体層53が有る程度の厚み、例えば1μm程度の厚みを有することが必要になる。この場合、導線51全体の厚みが大きくなり、この結果、導線51の側面において外光や映像光が無視できない程度に生じてしまうことになる。   By the way, metal materials, such as copper, show a metallic luster while having high electroconductivity. For this reason, when an untreated metal material is used as the conducting wire 51, the visibility of the image light from the display device is hindered by the metallic luster of the conducting wire. In particular, copper exhibits a reddish color peculiar to copper, so that it is more conspicuous than other metal materials such as silver, and this hinders the visibility of image light from the display device. In order to reduce such metallic luster peculiar to copper, for example, in Patent Document 1 described above, the conductive wire is oxidized to form a blackening treatment layer made of copper oxide on the surface of the conductive wire, whereby the surface of the conductive wire is formed. It has been proposed to blacken. However, in order to realize the blackening process, it is necessary to have a thickness that the main body layer 53 is present, for example, a thickness of about 1 μm. In this case, the thickness of the entire conductive wire 51 is increased, and as a result, external light and image light are generated on the side surface of the conductive wire 51 to a degree that cannot be ignored.

このような課題を考慮し、本件発明者らは、導線51の本体層53を黒化処理するのではなく、本体層53の面上に、本体層53に比べて金属光沢が抑制された薄い低反射層54を設けることにより、導線51の金属光沢を軽減することを提案する。以下、低反射層54について説明する。   In consideration of such a problem, the present inventors do not blacken the main body layer 53 of the conductive wire 51, but on the surface of the main body layer 53, a thin metallic luster is suppressed as compared with the main body layer 53. It is proposed to reduce the metallic luster of the conducting wire 51 by providing the low reflection layer 54. Hereinafter, the low reflection layer 54 will be described.

〔低反射層〕
低反射層54は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含む層である。酸化銅としては、銅原子と酸素原子とがほぼ一対一で結合することによって構成されるCuOが用いられ得る。窒化銅としては、数アトミック%(例えば2〜5アトミック%)の窒素と、約90アトミック%またはそれ以上の銅を含む銅化合物が用いられ得る。このような銅化合物を用いて構成される低反射層54においては、その金属光沢が、本体層53における金属光沢に比べて軽減されており、特に、銅に特有の赤味を帯びた色が軽減されている。このため、導線51からの反射光によって映像の視認性が低下することを抑制することができる。
(Low reflection layer)
The low reflection layer 54 is a layer containing a copper compound made of copper oxide or copper nitride. As the copper oxide, CuO configured by bonding copper atoms and oxygen atoms in a substantially one-to-one relationship may be used. As the copper nitride, a copper compound containing several atomic% (for example, 2 to 5 atomic%) of nitrogen and about 90 atomic% or more of copper can be used. In the low reflection layer 54 configured using such a copper compound, the metallic luster is reduced as compared with the metallic luster in the main body layer 53, and in particular, the reddish color peculiar to copper is present. It has been reduced. For this reason, it can suppress that the visibility of an image | video falls by the reflected light from the conducting wire 51. FIG.

また低反射層54は、本体層53に比べて小さな厚みを有している。具体的には、低反射層54の厚みは、20〜60nmの範囲内になっており、例えば約50nmになっている。このため、導線51全体の厚みが大きくなることを抑制することができ、このことにより、導線51の側面において外光や映像光が反射されてしまうことを抑制することができる。   The low reflection layer 54 has a smaller thickness than the main body layer 53. Specifically, the thickness of the low reflection layer 54 is in the range of 20 to 60 nm, for example, about 50 nm. For this reason, it can suppress that the thickness of the conducting wire 51 whole becomes large, and can suppress that external light and video light are reflected in the side surface of the conducting wire 51 by this.

また後述の実施例によって支持されるように、低反射層54の厚みを20〜60nmの範囲内に設定することにより、導線51における光の反射率を低くすることができる。この理由としては、限定はされないが例えば、低反射層54において生じる薄膜干渉を挙げることができる。薄膜干渉とは、低反射層54の一方の面で反射された光と、低反射層54の他方の面で反射された光とが干渉するという現象である。低反射層54の厚みを上述の20〜60nmの範囲内に設定することにより、反射光を弱めるように薄膜干渉が生じ、これによって、導線51における光の反射率が低減されたことが考えられ得る。   Moreover, the light reflectance in the conducting wire 51 can be lowered by setting the thickness of the low reflection layer 54 within the range of 20 to 60 nm as supported by the examples described later. Examples of this reason include, but are not limited to, thin film interference that occurs in the low reflective layer 54. Thin film interference is a phenomenon in which light reflected on one surface of the low reflective layer 54 interferes with light reflected on the other surface of the low reflective layer 54. By setting the thickness of the low-reflection layer 54 within the above-mentioned range of 20 to 60 nm, it is considered that thin film interference occurs so as to weaken the reflected light, thereby reducing the light reflectivity in the conductive wire 51. obtain.

上述のような薄い低反射層54を形成するための方法が特に限られることはなく、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム法などの公知の薄膜形成法を用いることができる。例えばスパッタリング法が用いられる場合、所定の分圧に制御された酸素ガスおよび窒素ガスが存在する環境下で、銅からなるターゲットに放電電力を印加することによって、所望の組成を有する上述の銅化合物を得ることができる。   A method for forming the thin low-reflection layer 54 as described above is not particularly limited, and a known thin film forming method such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, a CVD method, an ion plating method, an electron beam method or the like is used. be able to. For example, when the sputtering method is used, the above-described copper compound having a desired composition is obtained by applying discharge power to a target made of copper in an environment where oxygen gas and nitrogen gas controlled to a predetermined partial pressure exist. Can be obtained.

なお上述の酸化銅は、窒素や炭素などの軽元素や、その他の不可避の不純物をさらに含んでいてもよい。同様に上述の窒化銅は、酸素や炭素などの軽元素や、その他の不可避の不純物をさらに含んでいてもよい。この場合、酸化銅は、例えばスパッタリングの際に酸素ガスに加えて窒素ガスや二酸化炭素ガスをさらに導入することにより、形成され得る。同様に窒化銅は、例えばスパッタリングの際に窒素ガスに加えて酸素ガスや二酸化炭素ガスをさらに導入することにより、形成され得る。ところで二酸化炭素ガスは、プラズマを安定化するという作用を有することが知られている。このため、スパッタリングの際に二酸化炭素ガスを導入することにより、安定した環境下で高品質の酸化銅膜または窒化銅膜からなる低反射層54を得ることができる。   Note that the above-described copper oxide may further contain light elements such as nitrogen and carbon, and other inevitable impurities. Similarly, the above-mentioned copper nitride may further contain light elements such as oxygen and carbon, and other inevitable impurities. In this case, copper oxide can be formed, for example, by further introducing nitrogen gas or carbon dioxide gas in addition to oxygen gas during sputtering. Similarly, copper nitride can be formed, for example, by further introducing oxygen gas or carbon dioxide gas in addition to nitrogen gas during sputtering. Incidentally, it is known that carbon dioxide gas has an effect of stabilizing plasma. For this reason, by introducing carbon dioxide gas at the time of sputtering, it is possible to obtain the low reflection layer 54 made of a high-quality copper oxide film or copper nitride film in a stable environment.

なお上述のアンダーコート層35aは、複数の層から構成されていてもよい。例えば、図示はしないが、アンダーコート層35aは、第1アンダーコート層と、第1アンダーコート層と基材フィルム33との間に設けられた第2アンダーコート層と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、第1アンダーコート層の屈折率は、1.58〜1.75の範囲内になっており、第2アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.60の範囲内になっており、かつ、第1アンダーコート層の屈折率は、第2アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている。これによって、アンダーコート層35aに、上述のハードコート層としての機能だけでなく、透過率や反射率などの光学特性を調整する機能を持たせることができる。第1アンダーコート層を構成する材料としては、アクリル樹脂などのベースとなる樹脂材料の中に、酸化ニオブやジルコニウムなどの高屈折率材料からなる粒子やフィラーを分散させたものが用いられ得る。また、第2アンダーコート層を構成する材料としては、アクリル樹脂などが用いられ得る。
同様にアンダーコート層35bも、複数の層から構成されていてもよい。例えば、図示はしないが、アンダーコート層35bは、第1アンダーコート層と、第1アンダーコート層と基材フィルム33との間に設けられた第2アンダーコート層と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、第1アンダーコート層の屈折率は、1.58〜1.75の範囲内になっており、第2アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.60の範囲内になっており、かつ、第1アンダーコート層の屈折率は、第2アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている。これによって、アンダーコート層35aの場合と同様に、アンダーコート層35bに、上述のハードコート層としての機能だけでなく、透過率や反射率などの光学特性を調整する機能を持たせることができる。第1アンダーコート層および第2アンダーコート層を構成する材料としては、アンダーコート層35aの場合と同様の材料が用いられ得る。
なお本明細書において示されている屈折率は、特に断らない限り、波長500nmの光に対する屈折率を意味している。
The undercoat layer 35a described above may be composed of a plurality of layers. For example, although not illustrated, the undercoat layer 35a may include a first undercoat layer and a second undercoat layer provided between the first undercoat layer and the base film 33. . In this case, preferably, the refractive index of the first undercoat layer is in the range of 1.58 to 1.75, and the refractive index of the second undercoat layer is in the range of 1.50 to 1.60. The refractive index of the first undercoat layer is larger than that of the second undercoat layer. This allows the undercoat layer 35a to have not only the function as the hard coat layer described above but also the function of adjusting optical characteristics such as transmittance and reflectance. As a material constituting the first undercoat layer, a material obtained by dispersing particles or filler made of a high refractive index material such as niobium oxide or zirconium in a resin material serving as a base such as an acrylic resin can be used. Moreover, an acrylic resin etc. can be used as a material which comprises a 2nd undercoat layer.
Similarly, the undercoat layer 35b may be composed of a plurality of layers. For example, although not shown, the undercoat layer 35b may include a first undercoat layer and a second undercoat layer provided between the first undercoat layer and the base film 33. . In this case, preferably, the refractive index of the first undercoat layer is in the range of 1.58 to 1.75, and the refractive index of the second undercoat layer is in the range of 1.50 to 1.60. The refractive index of the first undercoat layer is larger than that of the second undercoat layer. As a result, as in the case of the undercoat layer 35a, the undercoat layer 35b can have not only the function as the hard coat layer described above but also the function of adjusting optical characteristics such as transmittance and reflectance. . As a material constituting the first undercoat layer and the second undercoat layer, the same material as in the case of the undercoat layer 35a can be used.
In addition, the refractive index shown in this specification means the refractive index with respect to the light of wavelength 500nm unless there is particular notice.

(額縁配線および端子部)
検出パターン41に接続されている額縁配線43および端子部44は、検出パターン41からの信号をフィルムセンサ31の外部に取り出すために設けられたものである。信号を適切に伝達することができる限りにおいて、額縁配線43および端子部44の具体的な構成が特に限られることはない。例えば額縁配線43および端子部44は、導線51と同一の層構成で導線51と同時に形成されるものであってもよい。
(Frame wiring and terminal part)
The frame wiring 43 and the terminal portion 44 connected to the detection pattern 41 are provided for taking out a signal from the detection pattern 41 to the outside of the film sensor 31. As long as signals can be appropriately transmitted, the specific configurations of the frame wiring 43 and the terminal portion 44 are not particularly limited. For example, the frame wiring 43 and the terminal portion 44 may be formed at the same time as the conducting wire 51 with the same layer configuration as the conducting wire 51.

フィルムセンサの製造方法
次に、以上のような構成からなるフィルムセンサ31を製造する方法について、図5(a)〜(d)を参照して説明する。
Method for Manufacturing Film Sensor Next, a method for manufacturing the film sensor 31 having the above configuration will be described with reference to FIGS.

はじめに図5(a)に示すように、フィルムセンサ31を作製するための元材としての積層体60(ブランクとも呼ばれる)を準備する。積層体60は、支持体32と、支持体32上に設けられた導線形成層52Aと、を備えている。支持体32は、上述のように、基材フィルム33と、基材フィルム33の両側の面にそれぞれ設けられたアンダーコート層35aおよびアンダーコート層35bと、基材フィルム33とアンダーコート層35aおよびアンダーコート層35bとの間に設けられたプライマー層34aおよびプライマー層34bと、を含んでいる。また導線形成層52Aは、支持体32側から順に配置された本体層53および低反射層54を含んでいる。   First, as shown in FIG. 5A, a laminate 60 (also referred to as a blank) as a base material for producing the film sensor 31 is prepared. The stacked body 60 includes a support 32 and a conductive wire forming layer 52 </ b> A provided on the support 32. As described above, the support 32 includes the base film 33, the undercoat layer 35a and the undercoat layer 35b provided on both sides of the base film 33, the base film 33, the undercoat layer 35a, and It includes a primer layer 34a and a primer layer 34b provided between the undercoat layer 35b. The conductive wire forming layer 52A includes a main body layer 53 and a low reflection layer 54 that are arranged in this order from the support 32 side.

以下、積層体60を作製する方法の一例について説明する。はじめに、両側の面にプライマー層34aおよびプライマー層34bが設けられた長尺状の基材フィルム33を準備する。次に、プライマー層34a上にアンダーコート層35aを形成し、プライマー層34b上にアンダーコート層35bを形成する。例えば、アクリル樹脂を含む塗工液を、コーターを用いてプライマー層34a,34b上にコーティングすることにより、アンダーコート層35a,35bを形成することができる。この際、コーターとしては、好ましくは、アンダーコート層35a,35bの平坦性を十分に確保することができるものが用いられ、例えばダイコーターが用いられる。なおアンダーコート層35a,35bを形成するための塗工液には、アンダーコート層35a,35bの平坦性を高めるためのレベリング剤が含まれていてもよい。これによって、例えば、アンダーコート層35a上に導線51の層や後述する密着層36を形成する際にピンホールなどの欠陥が生じてしまうことを抑制することができる。
次に、支持体32上に本体層53および低反射層54を順に形成する。本体層53および低反射層54を形成するための方法としては、上述のように、スパッタリング法などの薄膜形成法を用いることができる。
Hereinafter, an example of a method for producing the stacked body 60 will be described. First, the elongate base film 33 provided with the primer layer 34a and the primer layer 34b on both sides is prepared. Next, the undercoat layer 35a is formed on the primer layer 34a, and the undercoat layer 35b is formed on the primer layer 34b. For example, the undercoat layers 35a and 35b can be formed by coating a coating liquid containing an acrylic resin on the primer layers 34a and 34b using a coater. At this time, as the coater, a coater that can sufficiently ensure the flatness of the undercoat layers 35a and 35b is preferably used. For example, a die coater is used. In addition, the leveling agent for improving the flatness of undercoat layer 35a, 35b may be contained in the coating liquid for forming undercoat layer 35a, 35b. Thereby, for example, it is possible to suppress the occurrence of defects such as pinholes when the conductive wire 51 layer or the adhesion layer 36 described later is formed on the undercoat layer 35a.
Next, the main body layer 53 and the low reflection layer 54 are sequentially formed on the support 32. As a method for forming the main body layer 53 and the low reflection layer 54, as described above, a thin film forming method such as a sputtering method can be used.

積層体60を準備した後、図5(b)に示すように、導線形成層52A上に感光層71を所定のパターンで形成する。感光層71は、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。感光層71のタイプが特に限られることはない。例えば光溶解型の感光層が用いられてもよく、若しくは光硬化型の感光層が用いられてもよい。ここでは、光溶解型の感光層が用いられる例について説明する。   After preparing the laminated body 60, as shown in FIG.5 (b), the photosensitive layer 71 is formed in a predetermined pattern on the conducting wire formation layer 52A. The photosensitive layer 71 has photosensitivity to light in a specific wavelength range, for example, ultraviolet rays. The type of the photosensitive layer 71 is not particularly limited. For example, a photodissolvable photosensitive layer may be used, or a photocurable photosensitive layer may be used. Here, an example in which a photodissolvable photosensitive layer is used will be described.

感光層71は、導線51のパターンに対応したパターンで形成されている。感光層71は、例えば、はじめに、積層体60の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングし、次に、感光性材料を所定のパターンで露光して現像することによって形成される。   The photosensitive layer 71 is formed in a pattern corresponding to the pattern of the conducting wire 51. The photosensitive layer 71 is formed, for example, by first coating a photosensitive material on the surface of the laminate 60 using a coater, and then exposing and developing the photosensitive material in a predetermined pattern.

次に図5(c)に示すように、感光層71をマスクとして低反射層54および本体層53をエッチングする。なお上述のように、低反射層54および本体層53のいずれも、銅を含むよう構成されている。このため、銅を溶解させることができるエッチング液を用いて、低反射層54および本体層53を同時にエッチングすることができる。エッチング液としては、例えば塩化第2鉄溶液が用いられる。   Next, as shown in FIG. 5C, the low reflection layer 54 and the main body layer 53 are etched using the photosensitive layer 71 as a mask. As described above, both the low reflection layer 54 and the main body layer 53 are configured to contain copper. For this reason, the low reflection layer 54 and the main body layer 53 can be simultaneously etched using an etching solution capable of dissolving copper. For example, a ferric chloride solution is used as the etching solution.

次に、低反射層54上に残っている感光層71に対して露光光を照射する。その後、感光層71を現像する。これによって、図5(d)に示すように、感光層71を除去することができる。このようにして、本体層53および低反射層54を有する導線形成層52Aから構成された導線51を備えるフィルムセンサ31を得ることができる。   Next, exposure light is irradiated to the photosensitive layer 71 remaining on the low reflection layer 54. Thereafter, the photosensitive layer 71 is developed. As a result, the photosensitive layer 71 can be removed as shown in FIG. Thus, the film sensor 31 provided with the conducting wire 51 composed of the conducting wire forming layer 52A having the main body layer 53 and the low reflection layer 54 can be obtained.

ここで本実施の形態によれば、上述のように、導線51は、90重量%以上の銅を含む本体層53と、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含む低反射層54と、を含んでいる。このため、銅の金属光沢に起因して、赤味を帯びた光が観察者に到達してしまうことを、低反射層54によって抑制することができる。また、本体層53および低反射層54のいずれもが銅を含むため、積層体60からフィルムセンサ31を作製する際、銅を選択的に溶かすことができるエッチング液を用いることにより、積層体60の本体層53および低反射層54を同時にエッチングして導線51を形成することができる。このため、フィルムセンサ31を作製するために必要になる工数を小さくすることができる。また本実施の形態において、導線51の本体層53の厚みは、0.2μm以下になっている。このため、導線51の幅に対する導線51の厚みの比率を小さくすることができ、これによって、導線51の側面に光の反射が生じることや、導線51の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまうことを抑制することができる。従って本実施の形態によれば、タッチ位置の高い検出精度を確保しながら、映像の視認性を十分に確保することができる。   Here, according to the present embodiment, as described above, the conductive wire 51 includes the main body layer 53 containing 90% by weight or more of copper and the low reflection layer 54 containing a copper compound made of copper oxide or copper nitride. Contains. For this reason, the low reflection layer 54 can suppress reddish light from reaching the observer due to the metallic luster of copper. Moreover, since both the main body layer 53 and the low reflection layer 54 contain copper, when manufacturing the film sensor 31 from the laminated body 60, the laminated body 60 is used by using the etching liquid which can melt | dissolve copper selectively. The main body layer 53 and the low reflection layer 54 can be simultaneously etched to form the conductive wire 51. For this reason, the man-hour required in order to produce the film sensor 31 can be made small. Moreover, in this Embodiment, the thickness of the main body layer 53 of the conducting wire 51 is 0.2 micrometer or less. For this reason, the ratio of the thickness of the conducting wire 51 to the width of the conducting wire 51 can be reduced. As a result, light is reflected on the side surface of the conducting wire 51, and the image light from the display device is hindered by the side surface of the conducting wire 51. It can be suppressed. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to sufficiently ensure the visibility of the image while ensuring high detection accuracy of the touch position.

なお、上述した本実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した本実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。   Various changes can be made to the above-described embodiment. Hereinafter, modified examples will be described with reference to the drawings. In the following description and the drawings used in the following description, the same reference numerals as those used for the corresponding parts in the above embodiment are used for the parts that can be configured in the same manner as the above embodiment. The duplicated explanation is omitted. In addition, when it is clear that the operational effects obtained in the above-described embodiment can be obtained in the modified example, the description thereof may be omitted.

(密着層が設けられる例)
例えば図6に示すように、支持体32は、導線51に接するようアンダーコート層35a上に設けられた密着層36をさらに含んでいてもよい。密着層36を構成する材料としては、アンダーコート層35aおよび導線形成層52Aに対する高い密着性を備える材料が用いられ、例えば酸化珪素や窒化銅が用いられる。このような密着層36を設けることにより、支持体32と導線形成層52Aとの間の密着性を向上させることができる。
(Example in which an adhesion layer is provided)
For example, as shown in FIG. 6, the support 32 may further include an adhesion layer 36 provided on the undercoat layer 35 a so as to contact the conductor 51. As a material constituting the adhesion layer 36, a material having high adhesion to the undercoat layer 35a and the conductor forming layer 52A is used, and for example, silicon oxide or copper nitride is used. By providing such an adhesion layer 36, the adhesion between the support 32 and the conductor forming layer 52A can be improved.

密着層36を形成する方法が特に限られることはなく、様々な方法を用いることができる。例えば、導線形成層52Aの各層53,54を形成する場合と同様に、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム法などの薄膜形成法を用いることができる。また、密着層36が酸化珪素から構成される場合、酸化珪素ゾルを含むゾル液から酸化珪素ゲル膜を形成する方法によって、密着層36を作製してもよい。酸化珪素からなる密着層36の厚みは、好ましくは2〜20nmの範囲内になっており、例えば約5nmになっている。   The method for forming the adhesion layer 36 is not particularly limited, and various methods can be used. For example, a thin film forming method such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, a CVD method, an ion plating method, or an electron beam method can be used as in the case of forming the layers 53 and 54 of the conductive wire forming layer 52A. When the adhesion layer 36 is made of silicon oxide, the adhesion layer 36 may be formed by a method of forming a silicon oxide gel film from a sol solution containing a silicon oxide sol. The thickness of the adhesion layer 36 made of silicon oxide is preferably in the range of 2 to 20 nm, for example, about 5 nm.

なお図6においては、密着層36が全域にわたって、すなわち導線51が存在する領域以外の領域にも存在している例を示したが、これに限られることはない。例えば、感光層71を現像するための現像液としてアルカリ系の液が用いられる場合、密着層36のうち導線51と重なる部分が現像液に溶解して除去されることがある。この場合、密着層36は、導線51と重なる部分にのみ存在することになる。例えば窒化銅のように光の透過率が低い材料によって密着層36が構成される場合、図示はしないが、密着層36は、基材フィルム33の法線方向から見て導線51と重なる領域にのみ設けられていてもよい。
ところで、密着層36が窒化銅から構成される場合、密着層36は、密着性を向上させるという機能(第1機能)だけでなく、反射率を低減するという機能(第2機能)も発揮することができる。密着層36に対して第1機能のみが求められる場合、密着層36を構成する窒化銅の厚みは、少なくとも2nmあればよい。一方、密着層36に対して第1機能および第2機能が求められる場合、密着層36を構成する窒化銅の厚みは、20〜60nmの範囲内、例えば40nmに設定される。
Although FIG. 6 shows an example in which the adhesion layer 36 exists over the entire region, that is, in a region other than the region where the conducting wire 51 exists, the present invention is not limited to this. For example, when an alkaline solution is used as a developing solution for developing the photosensitive layer 71, a portion of the adhesion layer 36 that overlaps the conductive wire 51 may be dissolved and removed in the developing solution. In this case, the adhesion layer 36 exists only in a portion overlapping the conductive wire 51. For example, when the adhesion layer 36 is made of a material having a low light transmittance such as copper nitride, the adhesion layer 36 is not illustrated, but the adhesion layer 36 is located in a region overlapping the conductive wire 51 when viewed from the normal direction of the base film 33. May be provided.
By the way, when the adhesion layer 36 is made of copper nitride, the adhesion layer 36 exhibits not only a function of improving adhesion (first function) but also a function of reducing reflectance (second function). be able to. When only the first function is required for the adhesion layer 36, the thickness of the copper nitride constituting the adhesion layer 36 may be at least 2 nm. On the other hand, when the first function and the second function are required for the adhesion layer 36, the thickness of the copper nitride constituting the adhesion layer 36 is set within a range of 20 to 60 nm, for example, 40 nm.

(低反射層が複数の層を含む例)
また上述の本実施の形態においては、低反射層54が単層からなる例を示したが、これに限られることはなく、低反射層54が複数層で構成されていてもよい。例えば図7に示すように、低反射層54は、第1層54aと、第1層54aと本体層53との間で第1層54aに接するよう設けられた第2層54bと、を含んでいてもよい。以下、第1層54aおよび第2層54bについて説明する。
(Example where the low reflection layer includes a plurality of layers)
In the above-described embodiment, an example in which the low reflection layer 54 is a single layer has been described. However, the present invention is not limited to this, and the low reflection layer 54 may be formed of a plurality of layers. For example, as shown in FIG. 7, the low reflection layer 54 includes a first layer 54 a and a second layer 54 b provided so as to be in contact with the first layer 54 a between the first layer 54 a and the main body layer 53. You may go out. Hereinafter, the first layer 54a and the second layer 54b will be described.

第1層54aは、酸化銅からなる銅化合物を含む層であり、一方、第2層54bは、窒化銅からなる銅化合物を含む層である。上述の本実施の形態の場合と同様に、第1層54aの酸化銅としては、銅原子と酸素原子とがほぼ一対一で結合することによって構成されるCuOが用いられ得る。第2層54bの窒化銅としては、数アトミック%(例えば2〜5アトミック%)の窒素と、約90アトミック%またはそれ以上の銅を含む銅化合物が用いられ得る。また、第1層54aの厚みは10〜30(nm)の範囲内に設定されており、第2層54bの厚みは10〜30(nm)の範囲内に設定されている。このような2つの層54a,54bを低反射層54が含む場合にも、後述する実施例によって支持されているように、導線51における光の反射率を低減することができる。   The first layer 54a is a layer containing a copper compound made of copper oxide, while the second layer 54b is a layer containing a copper compound made of copper nitride. As in the case of the above-described embodiment, CuO configured by bonding copper atoms and oxygen atoms in a substantially one-to-one relationship may be used as the copper oxide of the first layer 54a. As the copper nitride of the second layer 54b, a copper compound containing several atomic% (for example, 2 to 5 atomic%) of nitrogen and about 90 atomic% or more of copper can be used. The thickness of the first layer 54a is set in the range of 10 to 30 (nm), and the thickness of the second layer 54b is set in the range of 10 to 30 (nm). Even in the case where the low reflection layer 54 includes such two layers 54a and 54b, it is possible to reduce the reflectance of light in the conductive wire 51 as supported by the embodiments described later.

上述の本実施の形態の場合と同様に、第1層54aの酸化銅は、窒素や炭素などの軽元素や、その他の不可避の不純物をさらに含んでいてもよい。同様に第2層54bの窒化銅は、酸素や炭素などの軽元素や、その他の不可避の不純物をさらに含んでいてもよい。   Similar to the case of the present embodiment described above, the copper oxide of the first layer 54a may further contain a light element such as nitrogen or carbon, or other inevitable impurities. Similarly, the copper nitride of the second layer 54b may further contain light elements such as oxygen and carbon, and other inevitable impurities.

なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。   In addition, although the some modification with respect to this Embodiment mentioned above has been demonstrated, naturally, it can also apply combining a some modification suitably.

第2の実施の形態
次に図8を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。図8に示す第2の実施の形態において、上述の第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、第1の実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment shown in FIG. 8, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. Moreover, when it is clear that the effect obtained in the first embodiment can be obtained in the present embodiment, the description thereof may be omitted.

(導線)
図8は、本実施の形態によるフィルムセンサ31を拡大して示す断面図であり、上述の第1の実施の形態における図4に対応する図である。図8に示すように、本実施の形態において、導線51は、支持体32側から順に配置された低反射層54、本体層53および防錆層55を有する導線形成層52Bを含んでいる。
(Conductor)
FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing the film sensor 31 according to the present embodiment, and corresponds to FIG. 4 in the first embodiment described above. As shown in FIG. 8, in the present embodiment, the conducting wire 51 includes a conducting wire forming layer 52 </ b> B having a low reflection layer 54, a main body layer 53, and a rust prevention layer 55 arranged in this order from the support 32 side.

〔低反射層および本体層〕
本体層53および低反射層54は、支持体32との間の位置関係が異なる点を除いて、上述の第1の実施の形態における本体層53および低反射層54と同一である。
[Low reflection layer and body layer]
The main body layer 53 and the low reflection layer 54 are the same as the main body layer 53 and the low reflection layer 54 in the first embodiment described above except that the positional relationship with the support 32 is different.

〔防錆層〕
防錆層55は、本体層53の表面が錆びて変質し、これによって本体層53の電気的特性などが低下してしまうことを防ぐために設けられるものである。防錆層55を構成する材料としては、本体層53を構成する材料よりも錆びにくいものが用いられる。なお防錆層55は、本体層53の表面が錆びることを防ぐという機能だけでなく、導線51による光の反射を防ぐという機能をも発揮するよう構成されていてもよい。すなわち防錆層55は、その金属光沢が、本体層53における金属光沢に比べて軽減されるよう構成されていてもよい。
(Rust prevention layer)
The rust prevention layer 55 is provided in order to prevent the surface of the main body layer 53 from being rusted and denatured, thereby deteriorating the electrical characteristics and the like of the main body layer 53. As a material constituting the rust prevention layer 55, a material that is less likely to rust than the material constituting the main body layer 53 is used. The rust prevention layer 55 may be configured to exhibit not only a function of preventing the surface of the main body layer 53 from rusting but also a function of preventing reflection of light by the conductive wire 51. That is, the rust preventive layer 55 may be configured such that its metallic luster is reduced as compared with the metallic luster in the main body layer 53.

防錆層55を構成するための具体的な材料は、防錆性や反射防止特性など、防錆層55に対して求められる特性に応じて適宜選択される。例えば防錆層55は、CuNi,CuCr,CuWおよびCuTiからなる群から選択される少なくとも1種の銅化合物を含んでいる。このうちCuNiは、例えば、20重量%のNiを含む、いわゆる白銅として構成されていてもよい。   A specific material for constituting the rust prevention layer 55 is appropriately selected according to characteristics required for the rust prevention layer 55 such as rust prevention and antireflection characteristics. For example, the rust prevention layer 55 includes at least one copper compound selected from the group consisting of CuNi, CuCr, CuW, and CuTi. Among these, CuNi may be configured as so-called white copper containing 20% by weight of Ni, for example.

本実施の形態によれば、導線51は、本体層53と支持体32との間に設けられた低反射層54に加えて、本体層53の面のうち支持体32に向かい合う面とは反対側の面上に設けられた防錆層55を含んでいる。このため、本体層53の表面が錆びて変質し、これによって本体層53の電気的特性などが低下してしまうことを防ぐことができる。また、防錆層55が反射防止特性をも有する場合、光の反射が生じることを本体層53の両面において抑制することができる。このため、導線51の高い導電性を維持し、かつ映像の視認性を十分に確保することができる。   According to this embodiment, in addition to the low reflection layer 54 provided between the main body layer 53 and the support body 32, the conducting wire 51 is opposite to the surface of the main body layer 53 that faces the support body 32. A rust preventive layer 55 provided on the side surface is included. For this reason, it can prevent that the surface of the main body layer 53 rusts and changes in quality, and thereby the electrical property of the main body layer 53 falls. Moreover, when the rust prevention layer 55 also has an antireflection characteristic, it can suppress that light reflection arises in both surfaces of the main body layer 53. FIG. For this reason, the high electrical conductivity of the conducting wire 51 can be maintained, and the visibility of the image can be sufficiently secured.

(密着層が設けられる例)
なお本実施の形態においても、上述の第1の実施の形態の場合と同様に、図9に示すように、支持体32は、導線51に接するようアンダーコート層35a上に設けられた密着層36をさらに含んでいてもよい。これによって、支持体32と導線形成層52Bとの間の密着性を向上させることができる。
(Example in which an adhesion layer is provided)
In the present embodiment as well, as in the case of the first embodiment described above, as shown in FIG. 9, the support 32 is an adhesion layer provided on the undercoat layer 35 a so as to contact the conductor 51. 36 may be further included. Thereby, the adhesiveness between the support body 32 and the conducting wire formation layer 52B can be improved.

(低反射層が複数の層を含む例)
また本実施の形態においても、上述の第1の実施の形態の場合と同様に、低反射層54が複数層で構成されていてもよい。例えば図10に示すように、低反射層54は、第1層54aと、第1層54aと本体層53との間で第1層54aに接するよう設けられた第2層54bと、を含んでいてもよい。これによって、低反射層54における反射防止効果をさらに向上させることができる。
(Example where the low reflection layer includes a plurality of layers)
Also in the present embodiment, the low reflection layer 54 may be composed of a plurality of layers as in the case of the first embodiment described above. For example, as shown in FIG. 10, the low reflection layer 54 includes a first layer 54 a and a second layer 54 b provided so as to be in contact with the first layer 54 a between the first layer 54 a and the main body layer 53. You may go out. Thereby, the antireflection effect in the low reflection layer 54 can be further improved.

なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。   In addition, although the some modification with respect to this Embodiment mentioned above has been demonstrated, naturally, it can also apply combining a some modification suitably.

第3の実施の形態
次に図11を参照して、本発明の第3の実施の形態について説明する。図11に示す第3の実施の形態において、上述の第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、第1の実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
Third Embodiment Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the third embodiment shown in FIG. 11, the same parts as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. Moreover, when it is clear that the effect obtained in the first embodiment can be obtained in the present embodiment, the description thereof may be omitted.

(導線)
図11は、本実施の形態によるフィルムセンサ31を拡大して示す断面図であり、上述の第1の実施の形態における図4に対応する図である。図11に示すように、本実施の形態において、導線51は、支持体32側から順に配置された低反射層54、本体層53および低反射層54を有する導線形成層52Cを含んでいる。
(Conductor)
FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of the film sensor 31 according to the present embodiment, and corresponds to FIG. 4 in the first embodiment described above. As shown in FIG. 11, in the present embodiment, the conducting wire 51 includes a conducting wire forming layer 52 </ b> C having a low reflection layer 54, a main body layer 53, and a low reflecting layer 54 arranged in order from the support 32 side.

〔低反射層および本体層〕
本体層53および低反射層54は、支持体32との間の位置関係が異なる点を除いて、上述の第1の実施の形態における本体層53および低反射層54と同一である。
[Low reflection layer and body layer]
The main body layer 53 and the low reflection layer 54 are the same as the main body layer 53 and the low reflection layer 54 in the first embodiment described above except that the positional relationship with the support 32 is different.

本実施の形態によれば、導線51は、本体層53と支持体32との間に設けられた低反射層54に加えて、本体層53の面のうち支持体32に向かい合う面とは反対側の面上に設けられた低反射層54を含んでいる。このため、光の反射が生じることを本体層53の両側において抑制することができる。このことにより、映像の視認性を十分に確保することができる。   According to this embodiment, in addition to the low reflection layer 54 provided between the main body layer 53 and the support body 32, the conducting wire 51 is opposite to the surface of the main body layer 53 that faces the support body 32. It includes a low reflection layer 54 provided on the side surface. For this reason, the occurrence of light reflection can be suppressed on both sides of the main body layer 53. Thereby, it is possible to sufficiently ensure the visibility of the video.

(密着層が設けられる例)
なお本実施の形態においても、上述の第1の実施の形態の場合と同様に、図12に示すように、支持体32は、導線51に接するようアンダーコート層35a上に設けられた密着層36をさらに含んでいてもよい。これによって、支持体32と導線形成層52Cとの間の密着性を向上させることができる。
(Example in which an adhesion layer is provided)
Also in this embodiment, as in the case of the first embodiment described above, as shown in FIG. 12, the support 32 is an adhesion layer provided on the undercoat layer 35 a so as to contact the conductor 51. 36 may be further included. Thereby, the adhesiveness between the support body 32 and the conducting wire forming layer 52C can be improved.

(低反射層が複数の層を含む例)
また本実施の形態においても、上述の第1の実施の形態の場合と同様に、低反射層54が複数層で構成されていてもよい。例えば図13に示すように、各低反射層54は、第1層54aと、第1層54aと本体層53との間で第1層54aに接するよう設けられた第2層54bと、を含んでいてもよい。これによって、低反射層54における反射防止効果をさらに向上させることができる。なお図13においては、本体層53の両側に設けられる低反射層54がいずれも複数層で構成される例を示したが、これに限られることはなく、本体層53の一方の側に設けられる低反射層54のみが複数層で構成され、本体層53の他方の側に設けられる低反射層54は単層で構成されていてもよい。
(Example where the low reflection layer includes a plurality of layers)
Also in the present embodiment, the low reflection layer 54 may be composed of a plurality of layers as in the case of the first embodiment described above. For example, as shown in FIG. 13, each low reflection layer 54 includes a first layer 54 a and a second layer 54 b provided so as to be in contact with the first layer 54 a between the first layer 54 a and the main body layer 53. May be included. Thereby, the antireflection effect in the low reflection layer 54 can be further improved. Although FIG. 13 shows an example in which each of the low reflection layers 54 provided on both sides of the main body layer 53 is composed of a plurality of layers, the present invention is not limited to this and is provided on one side of the main body layer 53 Only the low reflection layer 54 to be formed may be composed of a plurality of layers, and the low reflection layer 54 provided on the other side of the main body layer 53 may be composed of a single layer.

なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。   In addition, although the some modification with respect to this Embodiment mentioned above has been demonstrated, naturally, it can also apply combining a some modification suitably.

第4の実施の形態
次に図14乃至18を参照して、本発明の第4の実施の形態について説明する。本実施の形態においては、上述のフィルムセンサ31から構成されたタッチパネルと表示装置とを組み合わせることによって得られるタッチ位置検出機能付き表示装置について説明する。本実施の形態において、上述の各実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、各実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, a display device with a touch position detection function obtained by combining a touch panel including the above-described film sensor 31 and a display device will be described. In the present embodiment, the same parts as those in the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In addition, when it is clear that the operational effects obtained in each embodiment can be obtained also in this embodiment, the description thereof may be omitted.

タッチ位置検出機能付き表示装置
図14は、タッチ位置検出機能付き表示装置10を示す展開図である。図1に示すように、タッチ位置検出機能付き表示装置10は、タッチパネル30と、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの表示装置15とを組み合わせることによって構成されている。図示された表示装置15は、フラットパネルディスプレイとして構成されている。表示装置15は、表示面16aを有した表示パネル16と、表示パネル16に接続された表示制御部(図示せず)と、を有している。表示パネル16は、映像を表示することができるアクティブエリアA1と、アクティブエリアA1を取り囲むようにしてアクティブエリアA1の外側に配置された非アクティブエリア(額縁領域とも呼ばれる)A2と、を含んでいる。表示制御部は、表示されるべき映像に関する情報を処理し、映像情報に基づいて表示パネル16を駆動する。表示パネル16は、表示制御部の制御信号に基づいて、所定の映像を表示面16aに表示する。すなわち、表示装置15は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置としての役割を担っている。
Display Device with Touch Position Detection Function FIG. 14 is a development view showing the display device 10 with a touch position detection function. As shown in FIG. 1, the display device 10 with a touch position detection function is configured by combining a touch panel 30 and a display device 15 such as a liquid crystal display or an organic EL display. The illustrated display device 15 is configured as a flat panel display. The display device 15 includes a display panel 16 having a display surface 16 a and a display control unit (not shown) connected to the display panel 16. The display panel 16 includes an active area A1 that can display an image, and an inactive area (also referred to as a frame area) A2 that is disposed outside the active area A1 so as to surround the active area A1. . The display control unit processes information regarding the video to be displayed, and drives the display panel 16 based on the video information. The display panel 16 displays a predetermined image on the display surface 16a based on a control signal from the display control unit. That is, the display device 15 plays a role as an output device that outputs information such as characters and drawings as video.

なお図14に示すように、タッチパネル30の観察者側、すなわち表示装置15とは反対の側に、透光性を有する保護板12がさらに設けられていてもよい。保護板12は例えば、タッチパネル30の観察者側の面に接着層などによって接着されている。この保護板12は、指などの外部導体との接触によってタッチパネル30のパターンや表示装置15が損傷することを防ぐためのものであり、いわゆる前面板とも称されるものである。   As shown in FIG. 14, a protective plate 12 having translucency may be further provided on the viewer side of the touch panel 30, that is, the side opposite to the display device 15. For example, the protective plate 12 is bonded to the surface of the touch panel 30 on the viewer side with an adhesive layer or the like. The protective plate 12 is for preventing damage to the pattern of the touch panel 30 and the display device 15 due to contact with an external conductor such as a finger, and is also referred to as a so-called front plate.

タッチパネル
図14に示すように、タッチパネル30は、表示装置15の表示面16aに、例えば接着層(図示せず)を介して接着されている。このタッチパネル30は、2枚のフィルムセンサ31を組み合わせることによって構成されている。図14においては、観察者側に配置されたフィルムセンサが符号31Aで表されており、フィルムセンサ31Aよりも表示装置側に配置されたフィルムセンサが符号31Bで表されている。以下の説明において、符号31Aおよび符号31Bが付されたフィルムセンサをそれぞれ第1フィルムセンサ31Aおよび第2フィルムセンサ31Bとも称する。
As shown in FIG. 14, the touch panel 30 is bonded to the display surface 16 a of the display device 15 via, for example, an adhesive layer (not shown). The touch panel 30 is configured by combining two film sensors 31. In FIG. 14, the film sensor disposed on the viewer side is represented by reference numeral 31A, and the film sensor disposed on the display device side from the film sensor 31A is represented by reference numeral 31B. In the following description, the film sensors denoted by reference numerals 31A and 31B are also referred to as first film sensor 31A and second film sensor 31B, respectively.

図15は、観察者側から見た場合のタッチパネル30を示す平面図である。図15においては、第1フィルムセンサ31Aの構成要素が実線で表され、第2フィルムセンサ31Bの構成要素が点線で表されている。   FIG. 15 is a plan view showing the touch panel 30 when viewed from the observer side. In FIG. 15, the components of the first film sensor 31A are represented by solid lines, and the components of the second film sensor 31B are represented by dotted lines.

図15に示すように、第1フィルムセンサ31Aおよび第2フィルムセンサ31Bはそれぞれ、所定の方向に延びる複数の検出パターン41を備えている。ここで、第1フィルムセンサ31Aおよび第2フィルムセンサ31Bは、各々の検出パターン41が互いに交差する方向に延びるよう、配置されている。例えば第1フィルムセンサ31Aは、その検出パターン41が第1方向D1に沿って延びるよう、配置されている。一方、第2フィルムセンサ31Bは、その検出パターン41が、第1方向D1に直交する第2方向D2に沿って延びるよう、配置されている。   As shown in FIG. 15, each of the first film sensor 31A and the second film sensor 31B includes a plurality of detection patterns 41 extending in a predetermined direction. Here, the first film sensor 31 </ b> A and the second film sensor 31 </ b> B are arranged so that the detection patterns 41 extend in directions intersecting each other. For example, the first film sensor 31A is disposed such that the detection pattern 41 extends along the first direction D1. On the other hand, the 2nd film sensor 31B is arrange | positioned so that the detection pattern 41 may extend along the 2nd direction D2 orthogonal to the 1st direction D1.

図16は、図15において符号XVIが付された一点鎖線で囲まれた部分における検出パターン41を拡大して示す平面図である。図16に示すように、第1フィルムセンサ31Aの検出パターン41および第2フィルムセンサ31Bの検出パターン41はそれぞれ、網目状に配置された導線51から構成されている。   FIG. 16 is an enlarged plan view showing the detection pattern 41 in the portion surrounded by the alternate long and short dash line with the symbol XVI in FIG. As shown in FIG. 16, the detection pattern 41 of the first film sensor 31 </ b> A and the detection pattern 41 of the second film sensor 31 </ b> B are each composed of conductive wires 51 arranged in a mesh shape.

図17は、タッチパネル30を図16のXVII線に沿って切断した場合を示す断面図である。図17に示すように、タッチパネル30は、第1フィルムセンサ31Aの導線51および第2フィルムセンサ31Bの導線51のいずれもが支持体32の観察者側に位置するよう第1フィルムセンサ31Aおよび第2フィルムセンサ31Bを組み合わせることによって構成されている。なお第1フィルムセンサ31Aと第2フィルムセンサ31Bとの間には接着層38などが介在されていてもよい。   17 is a cross-sectional view showing a case where the touch panel 30 is cut along the line XVII in FIG. As shown in FIG. 17, the touch panel 30 includes the first film sensor 31 </ b> A and the first film sensor 31 </ b> A so that the conductor 51 of the first film sensor 31 </ b> A and the conductor 51 of the second film sensor 31 </ b> B are positioned on the viewer side of the support 32. It is configured by combining two film sensors 31B. An adhesive layer 38 or the like may be interposed between the first film sensor 31A and the second film sensor 31B.

図18は、図17に示すタッチパネル30の一部を拡大して示す断面図である。図18に示すように、第1フィルムセンサ31Aの導線51および第2フィルムセンサ31Bの導線51はいずれも、上述の導線形成層52Aを含んでいる。ここで図18に示すように、導線形成層52Aは、本体層53と、本体層53の観察者側に設けられた低反射層54と、を含んでいる。このため、観察者側からタッチパネル30に入射した外光が導線51によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。これによって、導線51が観察者から視認されてしまうことを抑制することができ、このことにより、表示装置15からの映像の視認性が導線51によって妨げられることを抑制することができる。   18 is an enlarged cross-sectional view of a part of the touch panel 30 shown in FIG. As shown in FIG. 18, both the conducting wire 51 of the first film sensor 31A and the conducting wire 51 of the second film sensor 31B include the above-described conducting wire forming layer 52A. Here, as shown in FIG. 18, the conducting wire forming layer 52 </ b> A includes a main body layer 53 and a low reflection layer 54 provided on the viewer side of the main body layer 53. For this reason, it can suppress that the external light which injected into the touch panel 30 from the observer side is reflected by the conducting wire 51, and returns to the observer side. Thereby, it can suppress that the conducting wire 51 is visually recognized by an observer, and this can suppress that the visibility of the image from the display device 15 is hindered by the conducting wire 51.

また上述のように、導線形成層52Aの本体層53は、その厚みが0.2μm以下になるよう構成されている。このため、支持体32の法線方向から傾斜した方向に沿ってタッチパネル30に入射した光が導線形成層52Aの側面によって反射してしまうことを抑制することができる。このことにより、導線51の側面が観察者から視認されてしまうことや、導線51の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまうことを抑制することができる。従って、映像の視認性を向上させることができる。   As described above, the main body layer 53 of the conductor forming layer 52A is configured to have a thickness of 0.2 μm or less. For this reason, it can suppress that the light which injected into the touch panel 30 along the direction inclined from the normal line direction of the support body 32 is reflected by the side surface of 52 A of conducting wire formation layers. Thereby, it can suppress that the side of the conducting wire 51 is visually recognized by an observer, and that the video light from the display device is hindered by the side of the conducting wire 51. Accordingly, the visibility of the video can be improved.

なお、上述した本実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した本実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。   Various changes can be made to the above-described embodiment. Hereinafter, modified examples will be described with reference to the drawings. In the following description and the drawings used in the following description, the same reference numerals as those used for the corresponding parts in the above embodiment are used for the parts that can be configured in the same manner as the above embodiment. The duplicated explanation is omitted. In addition, when it is clear that the operational effects obtained in the above-described embodiment can be obtained in the modified example, the description thereof may be omitted.

(用いられる導線形成層の種類に関する変形例)
図18においては、第1フィルムセンサ31Aの導線51および第2フィルムセンサ31Bの導線51のいずれもが導線形成層52Aを含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第1フィルムセンサ31Aの導線51は、上述の導線形成層52Bまたは導線形成層52Cを含んでいてもよい。すなわち、第1フィルムセンサ31Aの導線51は、導線形成層52A、導線形成層52Bまたは導線形成層52Cのいずれによって構成されていてもよい。同様に、第2フィルムセンサ31Bの導線51も、導線形成層52A、導線形成層52Bまたは導線形成層52Cのいずれによって構成されていてもよい。
(Variation regarding the type of conductive wire forming layer used)
FIG. 18 shows an example in which both the conducting wire 51 of the first film sensor 31A and the conducting wire 51 of the second film sensor 31B include the conducting wire forming layer 52A. However, the present invention is not limited to this, and the conducting wire 51 of the first film sensor 31A may include the conducting wire forming layer 52B or the conducting wire forming layer 52C described above. That is, the conducting wire 51 of the first film sensor 31A may be configured by any of the conducting wire forming layer 52A, the conducting wire forming layer 52B, or the conducting wire forming layer 52C. Similarly, the conducting wire 51 of the second film sensor 31B may be constituted by any of the conducting wire forming layer 52A, the conducting wire forming layer 52B, or the conducting wire forming layer 52C.

例えば図19には、第1フィルムセンサ31Aの導線51および第2フィルムセンサ31Bの導線51のいずれもが導線形成層52Bを含む例が示されている。図19に示すように、導線形成層52Bは、本体層53と、本体層53の観察者側に設けられた防錆層55と、を含んでいる。このため、本体層53の表面が錆びて変質し、これによって本体層53の電気的特性などが低下してしまうことを防ぐことができる。また、防錆層55が反射防止特性をも有する場合、観察者側からタッチパネル30に入射した外光が導線51によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。   For example, FIG. 19 shows an example in which both the conducting wire 51 of the first film sensor 31A and the conducting wire 51 of the second film sensor 31B include the conducting wire forming layer 52B. As shown in FIG. 19, the conductive wire forming layer 52 </ b> B includes a main body layer 53 and a rust prevention layer 55 provided on the viewer side of the main body layer 53. For this reason, it can prevent that the surface of the main body layer 53 rusts and changes in quality, and thereby the electrical property of the main body layer 53 falls. Moreover, when the rust prevention layer 55 also has an antireflection characteristic, it can suppress that the external light which injected into the touch panel 30 from the observer side is reflected by the conducting wire 51, and returns to the observer side.

また、導線形成層52Bは、本体層53の表示装置側に設けられた低反射層54を含んでいる。このため、タッチパネル30に入射した表示装置15からの映像光が導線51によって反射されて表示装置15側に戻り、その後、表示装置15の構成要素によって再び反射されてノイズ光として観察者に到達してしまうことを抑制することができる。   The conductive wire forming layer 52B includes a low reflection layer 54 provided on the display device side of the main body layer 53. Therefore, the image light from the display device 15 incident on the touch panel 30 is reflected by the conductive wire 51 and returns to the display device 15 side, and then reflected again by the components of the display device 15 and reaches the observer as noise light. Can be suppressed.

また図20には、第1フィルムセンサ31Aの導線51および第2フィルムセンサ31Bの導線51のいずれもが導線形成層導線形成層52Cを含む例が示されている。図20に示すように、導線形成層52Cは、本体層53と、本体層53の観察者側および表示装置側の両方にそれぞれ設けられた低反射層54と、を含んでいる。このため、光の反射が生じることを本体層53の両側において抑制することができる。このことにより、映像の視認性を十分に確保することができる。   Further, FIG. 20 shows an example in which both the conducting wire 51 of the first film sensor 31A and the conducting wire 51 of the second film sensor 31B include a conducting wire forming layer conducting wire forming layer 52C. As shown in FIG. 20, the conductive wire forming layer 52 </ b> C includes a main body layer 53 and a low reflection layer 54 provided on both the viewer side and the display device side of the main body layer 53. For this reason, the occurrence of light reflection can be suppressed on both sides of the main body layer 53. Thereby, it is possible to sufficiently ensure the visibility of the video.

(導線の配置に関する変形例)
また上述の本実施の形態および上述の各変形例において、第1フィルムセンサ31Aの導線51および第2フィルムセンサ31Bの導線51のいずれもが支持体32の観察者側に位置する例を示したが、これに限られることはない。例えば図21に示すように、第1フィルムセンサ31Aの導線51は、支持体32の観察者側に位置し、一方、第2フィルムセンサ31Bの導線51は、支持体32の表示装置側に位置していてもよい。
(Modified example of conductor arrangement)
Further, in the above-described embodiment and each of the above-described modifications, an example is shown in which both the conducting wire 51 of the first film sensor 31A and the conducting wire 51 of the second film sensor 31B are located on the observer side of the support 32. However, it is not limited to this. For example, as shown in FIG. 21, the conducting wire 51 of the first film sensor 31A is located on the viewer side of the support 32, while the conducting wire 51 of the second film sensor 31B is located on the display device side of the support 32. You may do it.

図21に示す例においても、第1フィルムセンサ31Aの導線51および第2フィルムセンサ31Bの導線51を構成する導線形成層の種類が特に限られることはない。すなわち、第1フィルムセンサ31Aの導線51は、導線形成層52A、導線形成層52Bまたは導線形成層52Cのいずれによって構成されていてもよい。同様に、第2フィルムセンサ31Bの導線51も、導線形成層52A、導線形成層52Bまたは導線形成層52Cのいずれによって構成されていてもよい。なお図21に示す例において、第2フィルムセンサ31Bの導線51を構成する導線形成層としては、好ましくは導線形成層52Bまたは導線形成層52Cが採用される。この場合、導線51の本体層53と支持体32との間に低反射層54が存在するため、観察者側からタッチパネル30に入射した外光が、第2フィルムセンサ31Bの導線51の本体層53によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。   In the example shown in FIG. 21 as well, the types of the conductive wire forming layers constituting the conductive wire 51 of the first film sensor 31A and the conductive wire 51 of the second film sensor 31B are not particularly limited. That is, the conducting wire 51 of the first film sensor 31A may be configured by any of the conducting wire forming layer 52A, the conducting wire forming layer 52B, or the conducting wire forming layer 52C. Similarly, the conducting wire 51 of the second film sensor 31B may be constituted by any of the conducting wire forming layer 52A, the conducting wire forming layer 52B, or the conducting wire forming layer 52C. In the example shown in FIG. 21, the lead forming layer 52B or the lead forming layer 52C is preferably used as the lead forming layer constituting the lead 51 of the second film sensor 31B. In this case, since the low reflection layer 54 exists between the main body layer 53 of the conducting wire 51 and the support body 32, the external light incident on the touch panel 30 from the observer side is the main body layer of the conducting wire 51 of the second film sensor 31B. It is possible to prevent the light from being reflected by 53 and returning to the viewer side.

また図22に示すように、第1フィルムセンサ31Aの導線51は、支持体32の表示装置側に位置し、一方、第2フィルムセンサ31Bの導線51は、支持体32の観察者側に位置していてもよい。   Further, as shown in FIG. 22, the conducting wire 51 of the first film sensor 31A is located on the display device side of the support 32, while the conducting wire 51 of the second film sensor 31B is located on the observer side of the support 32. You may do it.

図22に示す例においても、第1フィルムセンサ31Aの導線51および第2フィルムセンサ31Bの導線51を構成する導線形成層の種類が特に限られることはない。すなわち、第1フィルムセンサ31Aの導線51は、導線形成層52A、導線形成層52Bまたは導線形成層52Cのいずれによって構成されていてもよい。同様に、第2フィルムセンサ31Bの導線51も、導線形成層52A、導線形成層52Bまたは導線形成層52Cのいずれによって構成されていてもよい。なお図22に示す例において、第1フィルムセンサ31Aの導線51を構成する導線形成層としては、好ましくは導線形成層52Bまたは導線形成層52Cが採用される。この場合、導線51の本体層53と支持体32との間に低反射層54が存在するため、観察者側からタッチパネル30に入射した外光が、第1フィルムセンサ31Aの導線51の本体層53によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。   Also in the example shown in FIG. 22, the type of the conductive wire forming layer constituting the conductive wire 51 of the first film sensor 31A and the conductive wire 51 of the second film sensor 31B is not particularly limited. That is, the conducting wire 51 of the first film sensor 31A may be configured by any of the conducting wire forming layer 52A, the conducting wire forming layer 52B, or the conducting wire forming layer 52C. Similarly, the conducting wire 51 of the second film sensor 31B may be constituted by any of the conducting wire forming layer 52A, the conducting wire forming layer 52B, or the conducting wire forming layer 52C. In the example shown in FIG. 22, the lead forming layer 52 </ b> B or the lead forming layer 52 </ b> C is preferably used as the lead forming layer constituting the lead 51 of the first film sensor 31 </ b> A. In this case, since the low reflection layer 54 exists between the main body layer 53 of the conducting wire 51 and the support body 32, external light incident on the touch panel 30 from the observer side is the main body layer of the conducting wire 51 of the first film sensor 31A. It is possible to prevent the light from being reflected by 53 and returning to the viewer side.

(導線の断面形状の変形例)
次に、導線51が支持体32の表示装置側に設けられている場合における、導線51の断面形状の好ましい一例について、図23を参照して説明する。なお図23においては、導線51が導線形成層52Cから構成されている例について説明するが、これに限られることはなく、導線51が導線形成層52Aまたは導線形成層52Bから構成されていてもよい。
(Modified example of cross-sectional shape of conducting wire)
Next, a preferred example of the cross-sectional shape of the conducting wire 51 when the conducting wire 51 is provided on the display device side of the support 32 will be described with reference to FIG. In FIG. 23, an example in which the conductive wire 51 is configured from the conductive wire forming layer 52C will be described. However, the present invention is not limited to this, and the conductive wire 51 may be configured from the conductive wire forming layer 52A or the conductive wire forming layer 52B. Good.

図23に示すように、導線51の導線形成層52Cは、表示装置15に向かうにつれて先細になるテーパ形状を有している。この場合、支持体32の法線方向から傾斜した方向に沿ってタッチパネル30に入射した外光Lは、導線形成層52Cのテーパ形状のため、導線51の側面に入射することなく表示装置15側へ抜けていくことができる。このため、外光が導線51によって反射されて観察者側に戻ってしまうことをさらに抑制することができる。   As shown in FIG. 23, the conducting wire forming layer 52 </ b> C of the conducting wire 51 has a tapered shape that tapers toward the display device 15. In this case, the external light L incident on the touch panel 30 along the direction inclined from the normal direction of the support 32 is not incident on the side surface of the conductor 51 because of the tapered shape of the conductor formation layer 52C. You can go through. For this reason, it can further suppress that external light is reflected by the conducting wire 51 and returns to the observer side.

導線形成層52Cの具体的なテーパ形状は、想定される外光の傾斜の程度などに応じて適切に設定されるが、例えば、支持体32の法線方向と導線51の側面とが成す角は10〜30°の範囲内となっている。   The specific taper shape of the conducting wire forming layer 52C is appropriately set according to the assumed degree of inclination of external light, for example, the angle formed by the normal direction of the support 32 and the side surface of the conducting wire 51, for example. Is in the range of 10-30 °.

なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。   In addition, although the some modification with respect to this Embodiment mentioned above has been demonstrated, naturally, it can also apply combining a some modification suitably.

第5の実施の形態
次に図24乃至26を参照して、本発明の第5の実施の形態について説明する。本実施の形態においては、支持体32の両側に導線51が設けられる例について説明する。本実施の形態において、上述の各実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、各実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
Fifth Embodiment Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, an example in which the conductive wires 51 are provided on both sides of the support 32 will be described. In the present embodiment, the same parts as those in the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In addition, when it is clear that the operational effects obtained in each embodiment can be obtained also in this embodiment, the description thereof may be omitted.

フィルムセンサ
図24に示すように、フィルムセンサ31は、支持体32と、支持体32の観察者側の面(第1面)32a上に設けられた導線51と、支持体32の表示装置側の面(第2面)32b上に設けられた導線51と、を備えている。第1面32a側の導線51および第2面32b側の導線51は、互いに交差するように設けられている。このため本実施の形態によれば、1枚のフィルムセンサ31によってタッチパネル30を構成することができる。
24. Film Sensor As shown in FIG. 24, the film sensor 31 includes a support 32, a conductor 51 provided on the viewer-side surface (first surface) 32a of the support 32, and the display device side of the support 32. A conductive wire 51 provided on the surface (second surface) 32b. The conducting wire 51 on the first surface 32a side and the conducting wire 51 on the second surface 32b side are provided so as to cross each other. For this reason, according to this Embodiment, the touch panel 30 can be comprised by the film sensor 31 of 1 sheet.

図25は、図24に示すフィルムセンサ31の一部を拡大して示す断面図である。図25に示すように、支持体32の第1面32a上に設けられた導線51は、上述の導線形成層52Aを含んでいる。また、支持体32の第2面32b上に設けられた導線51は、上述の導線形成層52Bを含んでいる。このため、観察者側からタッチパネル30に入射した外光が導線51によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。これによって、導線51が観察者から視認されてしまうことを抑制することができ、このことにより、表示装置15からの映像の視認性が導線51によって妨げられることを抑制することができる。   25 is an enlarged cross-sectional view of a part of the film sensor 31 shown in FIG. As shown in FIG. 25, the conducting wire 51 provided on the first surface 32a of the support body 32 includes the conducting wire forming layer 52A described above. Moreover, the conducting wire 51 provided on the second surface 32b of the support body 32 includes the conducting wire forming layer 52B described above. For this reason, it can suppress that the external light which injected into the touch panel 30 from the observer side is reflected by the conducting wire 51, and returns to the observer side. Thereby, it can suppress that the conducting wire 51 is visually recognized by an observer, and this can suppress that the visibility of the image from the display device 15 is hindered by the conducting wire 51.

図26は、図25に示すフィルムセンサ31を作製するための積層体60を示す断面図である。図26に示すように、積層体60は、支持体32と、支持体32の第1面32a上に設けられた導線形成層52Aと、支持体32の第2面32b上に設けられた導線形成層52Bと、を備えている。   FIG. 26 is a cross-sectional view showing a laminate 60 for producing the film sensor 31 shown in FIG. As shown in FIG. 26, the laminate 60 includes a support 32, a conductor forming layer 52 </ b> A provided on the first surface 32 a of the support 32, and a conductor provided on the second surface 32 b of the support 32. Forming layer 52B.

(用いられる導線形成層の種類に関する変形例)
図25においては、支持体32の第1面32a上に設けられる導線51が導線形成層52Aを含み、支持体32の第2面32b上に設けられる導線51が導線形成層52Bを含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、支持体32の第1面32a上に設けられる導線51は、上述の導線形成層52Bまたは導線形成層52Cを含んでいてもよい。すなわち、支持体32の第1面32a上に設けられる導線51は、導線形成層52A、導線形成層52Bまたは導線形成層52Cのいずれによって構成されていてもよい。同様に、支持体32の第2面32b上に設けられる導線51も、導線形成層52A、導線形成層52Bまたは導線形成層52Cのいずれによって構成されていてもよい。
同様に、積層体60に関しても、支持体32の第1面32a上に設けられる導線形成層および支持体32の第2面32b上に設けられる導線形成層として、導線形成層52A、導線形成層52Bまたは導線形成層52Cのいずれかを任意に用いることができる。
(Variation regarding the type of conductive wire forming layer used)
In FIG. 25, the conductive wire 51 provided on the first surface 32a of the support 32 includes a conductive wire forming layer 52A, and the conductive wire 51 provided on the second surface 32b of the support 32 includes a conductive wire forming layer 52B. Indicated. However, the present invention is not limited to this, and the conducting wire 51 provided on the first surface 32a of the support body 32 may include the conducting wire forming layer 52B or the conducting wire forming layer 52C described above. That is, the conducting wire 51 provided on the first surface 32a of the support 32 may be configured by any of the conducting wire forming layer 52A, the conducting wire forming layer 52B, or the conducting wire forming layer 52C. Similarly, the conducting wire 51 provided on the second surface 32b of the support 32 may be constituted by any of the conducting wire forming layer 52A, the conducting wire forming layer 52B, or the conducting wire forming layer 52C.
Similarly, with respect to the laminated body 60, a conductor forming layer 52 </ b> A and a conductor forming layer are provided as a conductor forming layer provided on the first surface 32 a of the support 32 and a conductor forming layer provided on the second surface 32 b of the support 32. Either 52B or conductive wire forming layer 52C can be used arbitrarily.

好ましくは、支持体32の第2面32b上に設けられる導線51を構成する導線形成層としては、導線形成層52Bまたは導線形成層52Cが採用される。この場合、導線51の本体層53と支持体32との間に低反射層54が存在するため、観察者側からタッチパネル30に入射した外光が、第2フィルムセンサ31Bの導線51の本体層53によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。   Preferably, as the conducting wire forming layer constituting the conducting wire 51 provided on the second surface 32b of the support 32, the conducting wire forming layer 52B or the conducting wire forming layer 52C is employed. In this case, since the low reflection layer 54 exists between the main body layer 53 of the conducting wire 51 and the support body 32, the external light incident on the touch panel 30 from the observer side is the main body layer of the conducting wire 51 of the second film sensor 31B. It is possible to prevent the light from being reflected by 53 and returning to the viewer side.

なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。   In addition, although the some modification with respect to this Embodiment mentioned above has been demonstrated, naturally, it can also apply combining a some modification suitably.

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.

(予備評価)
低反射層54を構成するための酸化銅および窒化銅をスパッタリングで製造するための条件を探索する予備評価を実施した。具体的には、スパッタリング装置内に導入するアルゴンガス、酸素ガス、窒素ガスおよびスパッタリング装置内の圧力を様々に変更して、酸化銅または窒化銅などの銅化合物を基材フィルム上に形成した。また、形成された銅化合物の組成を、X線光電子分光法(ESCA)を用いて分析した。9通りのスパッタリングの条件、および、得られた銅化合物の組成分析結果を表1に示す。表1には、左側の列から順に、「ターゲットの銅に印加された電力」、「アルゴンガスの流量」、「酸素ガスの流量」、「窒素ガスの流量」、「装置内の圧力」、「基材フィルムの搬送速度」、「銅化合物中の銅濃度の分析結果」、「銅化合物中の酸素濃度の分析結果」、「銅化合物中の窒素濃度の分析結果」および「銅化合物中の炭素濃度の分析結果」が示されている。

Figure 0006274559
(Preliminary evaluation)
A preliminary evaluation was conducted to search for conditions for producing copper oxide and copper nitride for forming the low reflection layer 54 by sputtering. Specifically, the argon gas, oxygen gas, nitrogen gas introduced into the sputtering apparatus and the pressure in the sputtering apparatus were variously changed to form a copper compound such as copper oxide or copper nitride on the base film. Moreover, the composition of the formed copper compound was analyzed using X-ray photoelectron spectroscopy (ESCA). Table 1 shows the nine sputtering conditions and the composition analysis results of the obtained copper compound. In Table 1, in order from the left column, “power applied to target copper”, “flow rate of argon gas”, “flow rate of oxygen gas”, “flow rate of nitrogen gas”, “pressure in the apparatus”, “Transport speed of base film”, “Analysis result of copper concentration in copper compound”, “Analysis result of oxygen concentration in copper compound”, “Analysis result of nitrogen concentration in copper compound” and “Analysis result of copper concentration in copper compound” Analysis result of carbon concentration "is shown.
Figure 0006274559

表1のNo.1〜3に示すように、アルゴンガスおよび酸素ガスを導入してスパッタリングを実施した結果、46.6〜47.2アトミック%の酸素を含む酸化銅が得られた。後述する各実施例においては、酸化銅として、表1のNo.1に示されているものを用いた。また表1のNo.4〜9に示すように、アルゴンガスおよび窒素ガスを導入してスパッタリングを実施した結果、2.6〜4.8アトミック%の窒素を含む窒化銅が得られた。後述する各実施例においては、窒化銅として、表1のNo.7に示されているものを用いた。   No. in Table 1 As shown in 1-3, as a result of performing sputtering by introducing argon gas and oxygen gas, copper oxide containing 46.6-47.2 atomic% of oxygen was obtained. In each Example mentioned later, as No. 1 of Table 1, as copper oxide. The one shown in 1 was used. No. 1 in Table 1 As shown in 4-9, as a result of carrying out sputtering by introducing argon gas and nitrogen gas, copper nitride containing 2.6-4.8 atomic% of nitrogen was obtained. In each example described later, No. 1 in Table 1 is used as copper nitride. The one shown in 7 was used.

(実施例1)
図27に示すように、支持体32と、支持体32の第1面32aに設けられた導線形成層52Aと、を含む積層体のサンプルを準備した。導線形成層52Aは、支持体32側から順に配置された本体層53および反射防止層54を含んでいる。支持体32の基材フィルム32を構成する材料としては、PETを用いた。支持体32のアンダーコート層35a,35bを構成する材料としては、アクリル樹脂を用いた。本体層53を構成する材料としては、銅を用いた。反射防止層54を構成する材料としては、酸化銅からなる銅化合物を用いた。具体的なサンプルとしては、反射防止層54の厚みが異なる以下の3種類のものを準備した。
サンプル11:厚み30nmの酸化銅からなる反射防止層54を含む積層体
サンプル12:厚み40nmの酸化銅からなる反射防止層54を含む積層体
サンプル13:厚み50nmの酸化銅からなる反射防止層54を含む積層体
また比較のため、反射防止層54が設けられていない積層体をサンプル01として準備した。
Example 1
As shown in FIG. 27, a sample of a laminate including a support 32 and a conductive wire forming layer 52A provided on the first surface 32a of the support 32 was prepared. The conducting wire forming layer 52A includes a main body layer 53 and an antireflection layer 54 arranged in this order from the support 32 side. As a material constituting the base film 32 of the support 32, PET was used. As a material constituting the undercoat layers 35a and 35b of the support 32, an acrylic resin was used. As a material constituting the main body layer 53, copper was used. As a material constituting the antireflection layer 54, a copper compound made of copper oxide was used. As specific samples, the following three types with different thicknesses of the antireflection layer 54 were prepared.
Sample 11: Laminate including antireflection layer 54 made of copper oxide having a thickness of 30 nm Sample 12: Laminate including antireflection layer 54 made of copper oxide having a thickness of 40 nm Sample 13: Antireflection layer 54 made of copper oxide having a thickness of 50 nm For comparison, a laminate in which the antireflection layer 54 was not provided was prepared as Sample 01.

各サンプルに光Lを入射させた際の、各サンプルからの反射光L’を測定した。光Lは、導線形成層52A側から各サンプルに入射させた。この結果に基づいて、各サンプルにおける光の反射率を算出した。測定は、光波長360〜740nmの範囲内において、10nm刻みで行った。測定器としては、コニカミノルタ製のCM−3600Dを用いた。サンプル01,11,12および13における反射率の測定結果を図28に示す。   The reflected light L ′ from each sample when the light L was incident on each sample was measured. The light L was incident on each sample from the conductive wire forming layer 52A side. Based on this result, the reflectance of light in each sample was calculated. The measurement was performed in increments of 10 nm within a light wavelength range of 360 to 740 nm. As a measuring device, CM-3600D made by Konica Minolta was used. FIG. 28 shows the measurement results of the reflectance in samples 01, 11, 12, and 13.

図28に示すように、反射防止層54が設けられていないサンプル01においては、360〜740nmの波長域全域において反射率が30%以上となっていた。特に、約600nm以上の波長域においては、反射率が90%以上となっていた。約600nm以上の波長域における高い反射率は、本体層53を構成する銅に起因していると考えられる。   As shown in FIG. 28, in the sample 01 in which the antireflection layer 54 is not provided, the reflectance is 30% or more in the entire wavelength region of 360 to 740 nm. In particular, in the wavelength region of about 600 nm or more, the reflectance was 90% or more. It is considered that the high reflectance in the wavelength region of about 600 nm or more is caused by copper constituting the main body layer 53.

一方、反射防止層54が設けられているサンプル11〜13においては、360〜740nmの波長域全域において、サンプル01の場合よりもよりも低い波長率が測定された。特にサンプル12および13においては、約600〜700nmの波長域において、反射率が20%以下に低減された。銅に特有の赤味を帯びた光が観察者によって視認されてしまうことを防ぐ上で、反射防止層54は極めて有効であると言える。   On the other hand, in the samples 11 to 13 in which the antireflection layer 54 is provided, the wavelength ratio lower than that in the case of the sample 01 was measured over the entire wavelength range of 360 to 740 nm. In particular, in samples 12 and 13, the reflectance was reduced to 20% or less in the wavelength region of about 600 to 700 nm. It can be said that the antireflection layer 54 is extremely effective in preventing the reddish light peculiar to copper from being visually recognized by an observer.

(実施例2)
反射防止層54を構成する材料として、窒化銅からなる銅化合物を用いたこと以外は、実施例1の場合と同様にして、反射防止層54を含む積層体の反射率を測定した。具体的なサンプルとしては、反射防止層54の厚みが異なる以下の3種類のものを準備した。
サンプル21:厚み20nmの窒化銅からなる反射防止層54を含む積層体
サンプル22:厚み40nmの窒化銅からなる反射防止層54を含む積層体
サンプル23:厚み60nmの窒化銅からなる反射防止層54を含む積層体
サンプル21,22および23における反射率の測定結果を、上述のサンプル01における反射率の測定結果と併せて図29に示す。
(Example 2)
The reflectance of the laminate including the antireflection layer 54 was measured in the same manner as in Example 1 except that a copper compound made of copper nitride was used as the material constituting the antireflection layer 54. As specific samples, the following three types with different thicknesses of the antireflection layer 54 were prepared.
Sample 21: Laminate including antireflection layer 54 made of copper nitride having a thickness of 20 nm Sample 22: Laminate including antireflection layer 54 made of copper nitride having a thickness of 40 nm Sample 23: Antireflection layer 54 made of copper nitride having a thickness of 60 nm FIG. 29 shows the measurement results of the reflectance in the samples 21, 22, and 23 together with the measurement results of the reflectance in the sample 01 described above.

図29に示すように、窒化銅からなる反射防止層54を備えたサンプル21〜23においても、360〜740nmの波長域全域において、サンプル01の場合よりも低い波長率が測定された。特にサンプル22および23においては、約600〜700nmの波長域において、反射率が30%前後に低減された。このように窒化銅を用いた本実施例においても、酸化銅を用いた上述の実施例1の場合と同様に、銅に特有の赤味を帯びた光を抑制することができた。   As shown in FIG. 29, also in the samples 21 to 23 provided with the antireflection layer 54 made of copper nitride, a wavelength ratio lower than that in the case of the sample 01 was measured in the entire wavelength range of 360 to 740 nm. In particular, in samples 22 and 23, the reflectance was reduced to about 30% in the wavelength region of about 600 to 700 nm. Thus, also in the present Example using copper nitride, the reddish light peculiar to copper was able to be suppressed similarly to the case of the above-mentioned Example 1 using copper oxide.

(実施例3)
反射防止層54が図30に示す第1層54aおよび第2層54bを含むこと以外は、実施例1の場合と同様にして、反射防止層54を含む積層体の反射率を測定した。第1層54aおよび第2層54bを構成する材料としてはそれぞれ、酸化銅からなる銅化合物および窒化銅からなる銅化合物を用いた。具体的なサンプルとしては、第1層54aの酸化銅の厚みが20nmであり、第2層54bの窒化銅の厚みが20nmであるサンプル31を用いた。
(Example 3)
The reflectance of the laminate including the antireflection layer 54 was measured in the same manner as in Example 1 except that the antireflection layer 54 includes the first layer 54a and the second layer 54b shown in FIG. As materials constituting the first layer 54a and the second layer 54b, a copper compound made of copper oxide and a copper compound made of copper nitride were used, respectively. As a specific sample, Sample 31 in which the thickness of the copper oxide of the first layer 54a is 20 nm and the thickness of the copper nitride of the second layer 54b is 20 nm was used.

実施例1の場合と同様にして、導線形成層52A側からサンプル31に光を入射させた場合の、光の反射率を測定した。サンプル31における反射率の測定結果を、上述のサンプル01における反射率の測定結果と併せて図31に示す。   In the same manner as in Example 1, the reflectance of light when light was incident on the sample 31 from the conducting wire forming layer 52A side was measured. The measurement result of the reflectance in the sample 31 is shown in FIG. 31 together with the measurement result of the reflectance in the sample 01 described above.

図31に示すように、第1層54aおよび第2層54bを含む反射防止層54を備えたサンプル31においても、360〜740nmの波長域全域において、サンプル01の場合よりも低い波長率が測定された。特に約500〜700nmの波長域においては、反射率が10%以下に低減された。   As shown in FIG. 31, even in the sample 31 including the antireflection layer 54 including the first layer 54a and the second layer 54b, a wavelength ratio lower than that in the case of the sample 01 is measured in the entire wavelength range of 360 to 740 nm. It was done. In particular, in the wavelength region of about 500 to 700 nm, the reflectance was reduced to 10% or less.

(実施例4)
図32に示すように、支持体32と、支持体32の第2面32bに設けられた導線形成層52Bと、を含む積層体のサンプルを準備した。導線形成層52Bは、支持体32側から順に配置された反射防止層54および本体層53を含んでいる。支持体32の構成、および本体層53を構成する材料は、実施例1の場合と同一である。反射防止層54を構成する材料としては、酸化銅からなる銅化合物を用いた。具体的なサンプルとしては、反射防止層54の厚みが異なる以下の3種類のものを準備した。
サンプル41:厚み30nmの酸化銅からなる反射防止層54を含む積層体
サンプル42:厚み40nmの酸化銅からなる反射防止層54を含む積層体
サンプル43:厚み50nmの酸化銅からなる反射防止層54を含む積層体
また比較のため、反射防止層54が設けられていない積層体をサンプル02として準備した。
Example 4
As shown in FIG. 32, a sample of a laminate including a support 32 and a conductive wire forming layer 52B provided on the second surface 32b of the support 32 was prepared. The conducting wire forming layer 52B includes an antireflection layer 54 and a main body layer 53 that are arranged in this order from the support 32 side. The structure of the support body 32 and the material constituting the main body layer 53 are the same as those in the first embodiment. As a material constituting the antireflection layer 54, a copper compound made of copper oxide was used. As specific samples, the following three types with different thicknesses of the antireflection layer 54 were prepared.
Sample 41: Laminate including antireflection layer 54 made of copper oxide having a thickness of 30 nm Sample 42: Laminate including antireflection layer 54 made of copper oxide having a thickness of 40 nm Sample 43: Antireflection layer 54 made of copper oxide having a thickness of 50 nm For comparison, a laminate in which the antireflection layer 54 was not provided was prepared as Sample 02.

各サンプルに光Lを入射させた際の、各サンプルからの反射光L’を測定した。光Lは、支持体32側から各サンプルに入射させた。この結果に基づいて、各サンプルにおける光の反射率を算出した。測定は、光波長360〜740nmの範囲内において、10nm刻みで行った。測定器としては、コニカミノルタ製のCM−3600Dを用いた。サンプル02,41,42および43における反射率の測定結果を図33に示す。   The reflected light L ′ from each sample when the light L was incident on each sample was measured. The light L was incident on each sample from the support 32 side. Based on this result, the reflectance of light in each sample was calculated. The measurement was performed in increments of 10 nm within a light wavelength range of 360 to 740 nm. As a measuring device, CM-3600D made by Konica Minolta was used. The reflectance measurement results for samples 02, 41, 42 and 43 are shown in FIG.

図33に示すように、反射防止層54が設けられていないサンプル02においては、360〜740nmの波長域のほぼ全域において反射率が30%以上となっていた。特に、約600nm以上の波長域においては、反射率が90%以上となっていた。約600nm以上の波長域における高い反射率は、本体層53を構成する銅に起因していると考えられる。このように、光が入射される側とは反対側に本体層53が設けられている場合であっても、反射防止層54が設けられていなければ、本体層53に起因する赤味を帯びた反射光が観察者によって視認されてしまうことになる。   As shown in FIG. 33, in the sample 02 in which the antireflection layer 54 is not provided, the reflectance is 30% or more in almost the entire wavelength range of 360 to 740 nm. In particular, in the wavelength region of about 600 nm or more, the reflectance was 90% or more. It is considered that the high reflectance in the wavelength region of about 600 nm or more is caused by copper constituting the main body layer 53. Thus, even when the main body layer 53 is provided on the side opposite to the side on which light is incident, if the antireflection layer 54 is not provided, the redness due to the main body layer 53 is obtained. The reflected light is visually recognized by the observer.

一方、反射防止層54が設けられているサンプル41〜43においては、360〜740nmの波長域全域において、サンプル02の場合よりもよりも低い波長率が測定された。約600〜700nmの波長域に関しても、サンプル42および43においては、反射率が約30%以下に低減された。光が入射される側とは反対側に反射防止層54が設けられる場合にも、反射防止層54は、銅に特有の赤味を帯びた光が観察者によって視認されてしまうことを防ぐ上で極めて有効に機能すると言える。   On the other hand, in the samples 41 to 43 provided with the antireflection layer 54, a lower wavelength ratio was measured in the entire wavelength range of 360 to 740 nm than in the case of the sample 02. Regarding the wavelength region of about 600 to 700 nm, the reflectance in Samples 42 and 43 was reduced to about 30% or less. Even when the antireflection layer 54 is provided on the side opposite to the light incident side, the antireflection layer 54 prevents the reddish light peculiar to copper from being viewed by an observer. It can be said that it functions extremely effectively.

(実施例5)
反射防止層54を構成する材料として、窒化銅からなる銅化合物を用いたこと以外は、実施例4の場合と同様にして、反射防止層54を含む積層体の反射率を測定した。具体的なサンプルとしては、反射防止層54の厚みが異なる以下の3種類のものを準備した。
サンプル51:厚み20nmの窒化銅からなる反射防止層54を含む積層体
サンプル52:厚み40nmの窒化銅からなる反射防止層54を含む積層体
サンプル53:厚み60nmの窒化銅からなる反射防止層54を含む積層体
サンプル51,52および53における反射率の測定結果を、上述のサンプル02における反射率の測定結果と併せて図34に示す。
(Example 5)
The reflectance of the laminate including the antireflection layer 54 was measured in the same manner as in Example 4 except that a copper compound made of copper nitride was used as the material constituting the antireflection layer 54. As specific samples, the following three types with different thicknesses of the antireflection layer 54 were prepared.
Sample 51: Laminate including antireflection layer 54 made of copper nitride having a thickness of 20 nm Sample 52: Laminate including antireflection layer 54 made of copper nitride having a thickness of 40 nm Sample 53: Antireflection layer 54 made of copper nitride having a thickness of 60 nm FIG. 34 shows the measurement results of the reflectance in the samples 51, 52 and 53 together with the measurement results of the reflectance in the sample 02 described above.

図34に示すように、窒化銅からなる反射防止層54を備えたサンプル51〜53においても、360〜740nmの波長域全域において、サンプル02の場合よりも低い波長率が測定された。特にサンプル52および53においては、約600〜700nmの波長域において、反射率が20%以下に低減された。このように窒化銅を用いた本実施例においても、酸化銅を用いた上述の実施例4の場合と同様に、銅に特有の赤味を帯びた光を抑制することができた。   As shown in FIG. 34, also in the samples 51 to 53 provided with the antireflection layer 54 made of copper nitride, a wavelength ratio lower than that of the sample 02 was measured in the entire wavelength range of 360 to 740 nm. In particular, in samples 52 and 53, the reflectance was reduced to 20% or less in the wavelength region of about 600 to 700 nm. Thus, also in the present Example using copper nitride, the reddish light peculiar to copper was able to be suppressed similarly to the case of the above-mentioned Example 4 using copper oxide.

(実施例6)
反射防止層54が図35に示す第1層54aおよび第2層54bを含むこと以外は、実施例4の場合と同様にして、反射防止層54を含む積層体の反射率を測定した。第1層54aおよび第2層54bを構成する材料としてはそれぞれ、酸化銅からなる銅化合物および窒化銅からなる銅化合物を用いた。具体的なサンプルとしては、第1層54aの酸化銅の厚みが20nmであり、第2層54bの窒化銅の厚みが20nmであるサンプル61を用いた。
(Example 6)
The reflectance of the laminate including the antireflection layer 54 was measured in the same manner as in Example 4 except that the antireflection layer 54 includes the first layer 54a and the second layer 54b shown in FIG. As materials constituting the first layer 54a and the second layer 54b, a copper compound made of copper oxide and a copper compound made of copper nitride were used, respectively. As a specific sample, a sample 61 in which the thickness of the copper oxide of the first layer 54a is 20 nm and the thickness of the copper nitride of the second layer 54b is 20 nm was used.

実施例4の場合と同様にして、支持体32側からサンプル61に光を入射させた場合の、光の反射率を測定した。サンプル61における反射率の測定結果を、上述のサンプル02における反射率の測定結果と併せて図36に示す。   In the same manner as in Example 4, the reflectance of light when light was incident on the sample 61 from the support 32 side was measured. The measurement result of the reflectance in the sample 61 is shown in FIG. 36 together with the measurement result of the reflectance in the sample 02 described above.

図36に示すように、第1層54aおよび第2層54bを含む反射防止層54を備えたサンプル61においても、360〜740nmの波長域全域において、サンプル02の場合よりも低い波長率が測定された。特に約500〜700nmの波長域においては、反射率が十数%以下に低減された。   As shown in FIG. 36, the sample 61 having the antireflection layer 54 including the first layer 54a and the second layer 54b also has a lower wavelength ratio than the sample 02 in the entire wavelength range of 360 to 740 nm. It was done. In particular, in the wavelength range of about 500 to 700 nm, the reflectivity was reduced to 10% or less.

10 タッチ位置検出機能付き表示装置
15 表示装置
30 タッチパネル
31 フィルムセンサ
32 支持体
33 基材フィルム
34a,34b プライマー層
35a,35b アンダーコート層
36 密着層
41 検出パターン
51 導線
52A 導線形成層
52B 導線形成層
52C 導線形成層
53 本体層
54 低反射層
54a 第1層
54b 第2層
55 防錆層
60 積層体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Display apparatus with a touch position detection function 15 Display apparatus 30 Touch panel 31 Film sensor 32 Support body 33 Base film 34a, 34b Primer layer 35a, 35b Undercoat layer 36 Adhesion layer 41 Detection pattern 51 Conductive wire 52A Conductive wire formation layer 52B Conductive wire formation layer 52C Conductive wire formation layer 53 Main body layer 54 Low reflection layer 54a First layer 54b Second layer 55 Rust prevention layer 60 Laminate

Claims (12)

表示装置に組み合わされるフィルムセンサであって、
基材フィルムを含む支持体と、
前記支持体上に設けられた複数の検出パターンと、を備え、
前記検出パターンは、遮光性および導電性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるよう網目状に配置された導線から構成されており、
前記導線が、下記(1)、(2)または(3)の構成を有する導線形成層を含んでおり、
(1)前記支持体側から順に、本体層/低反射層
(2)前記支持体側から順に、低反射層/本体層
(3)前記支持体側から順に、低反射層/本体層/低反射層
前記導線形成層が上記(1)の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の観察者側に配置されており、
前記導線形成層が上記(2)の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の表示装置側に配置されており、
前記本体層は、90重量%以上の銅を含み、前記本体層の厚みは、0.2μm以下になっており、
前記低反射層は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含み、
前記低反射層の厚みは、20〜60nmの範囲内になっており、
前記支持体は、複数の前記導線に跨って広がるよう前記基材フィルムの観察者側に設けられた観察者側アンダーコート層をさらに含み、
前記観察者側アンダーコート層は、観察者側第1アンダーコート層と、前記観察者側第1アンダーコート層と前記基材フィルムとの間に設けられた観察者側第2アンダーコート層と、を含み、
前記観察者側第1アンダーコート層の屈折率は、1.58〜1.75の範囲内になっており、前記観察者側第2アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.60の範囲内になっており、かつ、前記観察者側第1アンダーコート層の屈折率が、前記観察者側第2アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている、フィルムセンサ。
A film sensor combined with a display device,
A support comprising a substrate film;
A plurality of detection patterns provided on the support,
The detection pattern is a conductive wire having light shielding properties and electrical conductivity, and is composed of conductive wires arranged in a mesh shape so that an opening is formed between the conductive wires,
The conducting wire includes a conducting wire forming layer having the following configuration (1), (2) or (3):
(1) Main body layer / low reflection layer in order from the support side (2) Low reflection layer / main body layer in order from the support side (3) Low reflection layer / main body layer / low reflection layer in order from the support side When the conductive wire forming layer has the configuration of (1), the conductive wire is disposed on the observer side of the support,
When the conductive wire forming layer has the configuration (2), the conductive wire is disposed on the display device side of the support,
The main body layer contains 90% by weight or more of copper, and the thickness of the main body layer is 0.2 μm or less,
The low reflective layer includes a copper compound made of copper oxide or copper nitride,
The thickness of the low reflection layer is in the range of 20 to 60 nm ,
The support further includes an observer-side undercoat layer provided on the observer side of the base film so as to spread over a plurality of the conductive wires,
The observer-side undercoat layer includes an observer-side first undercoat layer, an observer-side second undercoat layer provided between the observer-side first undercoat layer and the base film, Including
The observer-side first undercoat layer has a refractive index in the range of 1.58 to 1.75, and the observer-side second undercoat layer has a refractive index of 1.50 to 1.60. And a refractive index of the observer-side first undercoat layer is larger than a refractive index of the observer-side second undercoat layer .
前記支持体は、複数の前記導線に跨って広がるよう前記基材フィルムの表示装置側に設けられた表示装置側アンダーコート層をさらに含み、
前記表示装置側アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.75の範囲内になっている、請求項に記載のフィルムセンサ。
The support further includes a display device-side undercoat layer provided on the display device side of the base film so as to spread over a plurality of the conductive wires,
The film sensor according to claim 1 , wherein a refractive index of the display device side undercoat layer is in a range of 1.50 to 1.75.
前記表示装置側アンダーコート層は、表示装置側第1アンダーコート層と、前記表示装置側第1アンダーコート層と前記基材フィルムとの間に設けられた表示装置側第2アンダーコート層と、を含み、
前記表示装置側第1アンダーコート層の屈折率は、1.58〜1.75の範囲内になっており、前記表示装置側第2アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.60の範囲内になっており、かつ、前記表示装置側第1アンダーコート層の屈折率が、前記表示装置側第2アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている、請求項に記載のフィルムセンサ。
The display device side undercoat layer includes a display device side first undercoat layer, a display device side second undercoat layer provided between the display device side first undercoat layer and the base film, Including
The display device side first undercoat layer has a refractive index in the range of 1.58 to 1.75, and the display device side second undercoat layer has a refractive index of 1.50 to 1.60. has become in the range of, and the refractive index of the display device side first undercoat layer is larger than the refractive index of the display device side second undercoat layer, a film according to claim 2 Sensor.
表示装置に組み合わされるフィルムセンサであって、A film sensor combined with a display device,
基材フィルムを含む支持体と、A support comprising a substrate film;
前記支持体上に設けられた複数の検出パターンと、を備え、A plurality of detection patterns provided on the support,
前記検出パターンは、遮光性および導電性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるよう網目状に配置された導線から構成されており、The detection pattern is a conductive wire having light shielding properties and electrical conductivity, and is composed of conductive wires arranged in a mesh shape so that an opening is formed between the conductive wires,
前記導線が、下記(1)、(2)または(3)の構成を有する導線形成層を含んでおり、The conducting wire includes a conducting wire forming layer having the following configuration (1), (2) or (3):
(1)前記支持体側から順に、本体層/低反射層(1) Main body layer / low reflection layer in order from the support side
(2)前記支持体側から順に、低反射層/本体層(2) Low reflection layer / main body layer in order from the support side
(3)前記支持体側から順に、低反射層/本体層/低反射層(3) Low reflective layer / main body layer / low reflective layer in order from the support side
前記導線形成層が上記(1)の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の観察者側に配置されており、When the conducting wire forming layer has the configuration of (1), the conducting wire is disposed on the viewer side of the support,
前記導線形成層が上記(2)の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の表示装置側に配置されており、When the conductive wire forming layer has the configuration (2), the conductive wire is disposed on the display device side of the support,
前記本体層は、90重量%以上の銅を含み、前記本体層の厚みは、0.2μm以下になっており、The main body layer contains 90% by weight or more of copper, and the thickness of the main body layer is 0.2 μm or less,
前記低反射層は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含み、The low reflective layer includes a copper compound made of copper oxide or copper nitride,
前記低反射層の厚みは、20〜60nmの範囲内になっており、The thickness of the low reflection layer is in the range of 20 to 60 nm,
前記支持体は、複数の前記導線に跨って広がるよう前記基材フィルムの表示装置側に設けられた表示装置側アンダーコート層をさらに含み、The support further includes a display device-side undercoat layer provided on the display device side of the base film so as to spread over a plurality of the conductive wires,
前記表示装置側アンダーコート層は、表示装置側第1アンダーコート層と、前記表示装置側第1アンダーコート層と前記基材フィルムとの間に設けられた表示装置側第2アンダーコート層と、を含み、The display device side undercoat layer includes a display device side first undercoat layer, a display device side second undercoat layer provided between the display device side first undercoat layer and the base film, Including
前記表示装置側第1アンダーコート層の屈折率は、1.58〜1.75の範囲内になっており、前記表示装置側第2アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.60の範囲内になっており、かつ、前記表示装置側第1アンダーコート層の屈折率が、前記表示装置側第2アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている、フィルムセンサ。The display device side first undercoat layer has a refractive index in the range of 1.58 to 1.75, and the display device side second undercoat layer has a refractive index of 1.50 to 1.60. And a refractive index of the first undercoat layer on the display device side is larger than a refractive index of the second undercoat layer on the display device side.
前記支持体は、前記導線に接するよう設けられ、酸化珪素または窒化銅からなる密着層をさらに含む、請求項1乃至のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。 It said support is provided so as to contact with the conductor, further comprising an adhesion layer formed of silicon oxide or copper nitride film sensor according to any one of claims 1 to 4. 前記導線の前記導線形成層は、下記(1)の構成を有している、請求項1乃至のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
(1)前記支持体側から順に、本体層/低反射層
The film sensor according to any one of claims 1 to 5 , wherein the conductive wire forming layer of the conductive wire has the following configuration (1).
(1) in order from the support side, the body layer / low reflective layer
前記導線の前記導線形成層は、下記(2)の構成を有している、請求項1乃至のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
(2)前記支持体側から順に、低反射層/本体層
The film sensor according to any one of claims 1 to 5 , wherein the conductive wire forming layer of the conductive wire has the following configuration (2).
(2) in this order from the support side, the low-reflection layer / main layer
前記導線は、前記支持の観察者側に配置されており、
前記導線の前記導線形成層は、下記(3)の構成を有している、請求項1乃至のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
(3)前記支持体側から順に、低反射層/本体層/低反射層
The conducting wire is disposed on the observer side of the support ;
The film sensor according to any one of claims 1 to 5 , wherein the conductive wire forming layer of the conductive wire has the following configuration (3).
(3) in this order from the support side, the low-reflection layer / main layer / low reflective layer
前記低反射層は、第1層と、前記第1層と前記本体層との間に設けられた第2層と、を含み、
前記第1層は、酸化銅からなる銅化合物を含み、前記第2層は、窒化銅からなる銅化合物を含み、
前記第1層の厚みおよび前記第2層の厚みをそれぞれd(nm)およびd(nm)とするとき、dは10〜30(nm)の範囲内であり、dは10〜30(nm)の範囲内である、請求項1乃至のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
The low reflection layer includes a first layer, and a second layer provided between the first layer and the main body layer,
The first layer includes a copper compound composed of copper oxide, and the second layer includes a copper compound composed of copper nitride,
When the thickness of the first layer and the thickness of the second layer are d 1 (nm) and d 2 (nm), respectively, d 1 is in the range of 10 to 30 (nm), and d 2 is 10 to 10 nm. The film sensor as described in any one of Claims 1 thru | or 8 which exists in the range of 30 (nm).
表示装置と、
前記表示装置の表示面上に配置されたタッチパネルセンサと、を備え、
前記タッチパネルセンサは、請求項1乃至のいずれか一項に記載のフィルムセンサを含む、タッチ位置検出機能付き表示装置。
A display device;
A touch panel sensor disposed on a display surface of the display device,
The said touch panel sensor is a display apparatus with a touch position detection function containing the film sensor as described in any one of Claims 1 thru | or 9 .
フィルムセンサを作製するための積層体であって、
基材フィルムを含む支持体と、
前記支持体上に設けられ、下記(1)、(2)または(3)の構成を有する導線形成層と、を備え、
(1)前記支持体側から順に、本体層/低反射層
(2)前記支持体側から順に、低反射層/本体層
(3)前記支持体側から順に、低反射層/本体層/低反射層
前記導線形成層が上記(1)の構成を有する場合、前記導線形成層は、前記支持体の観察者側に配置されており、
前記導線形成層が上記(2)の構成を有する場合、前記導線形成層は、前記支持体の表示装置側に配置されており、
前記本体層は、90重量%以上の銅を含み、前記本体層の厚みは、0.2μm以下になっており、
前記低反射層は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含み、
前記低反射層の厚みは、20〜60nmの範囲内になっており、
前記支持体は、前記基材フィルムの観察者側に設けられた観察者側アンダーコート層をさらに含み、
前記観察者側アンダーコート層は、観察者側第1アンダーコート層と、前記観察者側第1アンダーコート層と前記基材フィルムとの間に設けられた観察者側第2アンダーコート層と、を含み、
前記観察者側第1アンダーコート層の屈折率は、1.58〜1.75の範囲内になっており、前記観察者側第2アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.60の範囲内になっており、かつ、前記観察者側第1アンダーコート層の屈折率が、前記観察者側第2アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている、積層体。
A laminate for producing a film sensor,
A support comprising a substrate film;
A conductive wire forming layer provided on the support and having the following configuration (1), (2) or (3):
(1) Main body layer / low reflection layer in order from the support side (2) Low reflection layer / main body layer in order from the support side (3) Low reflection layer / main body layer / low reflection layer in order from the support side When the conductive wire forming layer has the configuration (1), the conductive wire forming layer is disposed on the observer side of the support,
When the conductive wire forming layer has the configuration (2), the conductive wire forming layer is disposed on the display device side of the support,
The main body layer contains 90% by weight or more of copper, and the thickness of the main body layer is 0.2 μm or less,
The low reflective layer includes a copper compound made of copper oxide or copper nitride,
The thickness of the low reflection layer is in the range of 20 to 60 nm ,
The support further includes an observer-side undercoat layer provided on the observer side of the base film,
The observer-side undercoat layer includes an observer-side first undercoat layer, an observer-side second undercoat layer provided between the observer-side first undercoat layer and the base film, Including
The observer-side first undercoat layer has a refractive index in the range of 1.58 to 1.75, and the observer-side second undercoat layer has a refractive index of 1.50 to 1.60. And the refractive index of the observer-side first undercoat layer is larger than the refractive index of the observer-side second undercoat layer .
フィルムセンサを作製するための積層体であって、A laminate for producing a film sensor,
基材フィルムを含む支持体と、A support comprising a substrate film;
前記支持体上に設けられ、下記(1)、(2)または(3)の構成を有する導線形成層と、を備え、A conductive wire forming layer provided on the support and having the following configuration (1), (2) or (3):
(1)前記支持体側から順に、本体層/低反射層(1) Main body layer / low reflection layer in order from the support side
(2)前記支持体側から順に、低反射層/本体層(2) Low reflection layer / main body layer in order from the support side
(3)前記支持体側から順に、低反射層/本体層/低反射層(3) Low reflective layer / main body layer / low reflective layer in order from the support side
前記導線形成層が上記(1)の構成を有する場合、前記導線形成層は、前記支持体の観察者側に配置されており、When the conductive wire forming layer has the configuration (1), the conductive wire forming layer is disposed on the observer side of the support,
前記導線形成層が上記(2)の構成を有する場合、前記導線形成層は、前記支持体の表示装置側に配置されており、When the conductive wire forming layer has the configuration (2), the conductive wire forming layer is disposed on the display device side of the support,
前記本体層は、90重量%以上の銅を含み、前記本体層の厚みは、0.2μm以下になっており、The main body layer contains 90% by weight or more of copper, and the thickness of the main body layer is 0.2 μm or less,
前記低反射層は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含み、The low reflective layer includes a copper compound made of copper oxide or copper nitride,
前記低反射層の厚みは、20〜60nmの範囲内になっており、The thickness of the low reflection layer is in the range of 20 to 60 nm,
前記支持体は、前記基材フィルムの表示装置側に設けられた表示装置側アンダーコート層をさらに含み、The support further includes a display device-side undercoat layer provided on the display device side of the base film,
前記表示装置側アンダーコート層は、表示装置側第1アンダーコート層と、前記表示装置側第1アンダーコート層と前記基材フィルムとの間に設けられた表示装置側第2アンダーコート層と、を含み、The display device side undercoat layer includes a display device side first undercoat layer, a display device side second undercoat layer provided between the display device side first undercoat layer and the base film, Including
前記表示装置側第1アンダーコート層の屈折率は、1.58〜1.75の範囲内になっており、前記表示装置側第2アンダーコート層の屈折率は、1.50〜1.60の範囲内になっており、かつ、前記表示装置側第1アンダーコート層の屈折率が、前記表示装置側第2アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている、積層体。The display device side first undercoat layer has a refractive index in the range of 1.58 to 1.75, and the display device side second undercoat layer has a refractive index of 1.50 to 1.60. And the refractive index of the display device side first undercoat layer is larger than the refractive index of the display device side second undercoat layer.
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