JP6271396B2 - Holding device and processing device - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、保持装置及び処理装置に関する。 Embodiments described herein relate generally to a holding apparatus and a processing apparatus.
空気を吸引又は送出することで、保持対象物を保持し又は取り外すことが可能な保持装置が知られる。例えば、研磨のような処理を行う処理装置は、当該保持装置によって保持された保持対象物を加工する。 There is known a holding device that can hold or remove a holding object by sucking or delivering air. For example, a processing apparatus that performs processing such as polishing processes a holding object held by the holding device.
加工によって保持対象物に外力が作用すると、当該保持対象物が保持装置から外れるおそれがある。 When an external force acts on the holding object by processing, the holding object may be detached from the holding device.
本発明が解決する課題の一例は、保持対象物をより確実に保持できる保持装置及び処理装置を提供することである。 An example of the problem to be solved by the present invention is to provide a holding device and a processing device that can hold a holding object more reliably.
一つの実施の形態に係る保持装置は、保持部と、ポンプとを備える。前記保持部は、回転中心軸回りに回転可能な基部と、前記基部に設けられるとともに前記回転中心軸と交差する表面と、前記表面から突出して前記表面の第1の領域を囲むとともに弾性を有する壁部と、前記表面の前記第1の領域に設けられる複数の開口部と、前記基部内に設けられるとともに前記回転中心軸に沿って延びる第1の管路部と、前記基部内に設けられるとともに前記第1の管路部と前記複数の開口部とを接続する複数の第2の管路部と、を有する。前記ポンプは、前記第1の管路部に接続され、前記壁部が保持対象物を支持した場合に当該保持対象物によって閉塞される前記第1の領域と前記壁部とによって囲まれた空間の気体を、前記複数の開口部から前記第1の管路部及び前記複数の第2の管路部を通じて吸引可能である。前記第2の管路部は、第1の部分と、第2の部分と、第3の部分とを有する。第1の部分は、前記第1の管路部から前記回転中心軸と交差する方向に延びる。第2の部分は、前記第1の部分の端部から前記表面に向かって延びる。第3の部分は、前記表面に対して傾斜する方向に延びて前記第2の部分と対応する前記開口部とを接続する。前記複数の開口部から前記空間に気体を送出可能である。 A holding device according to one embodiment includes a holding unit and a pump. The holding portion has a base portion that is rotatable around a rotation center axis, a surface that is provided on the base portion and intersects the rotation center axis, protrudes from the surface, surrounds a first region of the surface, and has elasticity. A wall, a plurality of openings provided in the first region of the surface, a first conduit provided in the base and extending along the rotation center axis, and provided in the base And a plurality of second pipe sections that connect the first pipe sections and the plurality of openings. The pump is connected to the first pipe line portion, and when the wall portion supports the holding object, the space surrounded by the first region and the wall portion that is closed by the holding object. The gas can be sucked from the plurality of openings through the first duct section and the plurality of second duct sections. The second conduit portion has a first portion, a second portion, and a third portion. The first portion extends from the first conduit portion in a direction intersecting the rotation center axis. The second portion extends from the end of the first portion toward the surface. The third portion extends in a direction inclined with respect to the surface and connects the second portion and the corresponding opening. Gas can be delivered to the space from the plurality of openings.
以下に、第1の実施の形態について、図1乃至図3を参照して説明する。なお、本明細書においては基本的に、鉛直上方を上方向、鉛直下方を下方向と定義する。また、実施形態に係る構成要素や、当該要素の説明について、複数の表現を併記することがある。当該構成要素及び説明について、記載されていない他の表現がされることは妨げられない。さらに、複数の表現が記載されない構成要素及び説明について、他の表現がされることは妨げられない。 A first embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 to 3. In the present specification, basically, a vertically upward direction is defined as an upward direction and a vertically downward direction is defined as a downward direction. In addition, a plurality of expressions may be written together for the constituent elements according to the embodiment and the description of the elements. It is not precluded that other expressions not described in the component and description are made. Furthermore, it is not prevented that other expressions are given for the components and descriptions in which a plurality of expressions are not described.
図1は、第1の実施の形態に係る研磨装置1を概略的に示す側面図である。研磨装置1は処理装置の一例であり、加工装置とも称され得る。研磨装置1は、例えば、半導体ウェハ2のベベル部2aを研磨するための装置である。半導体ウェハ2は、保持対象物の一例であり、被保持物、被加工物とも称され得る。なお、処理装置はこれに限らず、洗浄や塗布のような他の処理を行う装置であっても良い。
FIG. 1 is a side view schematically showing a polishing apparatus 1 according to the first embodiment. The polishing apparatus 1 is an example of a processing apparatus and can also be referred to as a processing apparatus. The polishing apparatus 1 is an apparatus for polishing a
研磨装置1は、保持装置10と、研磨ヘッド11と、制御部12とを備える。研磨ヘッド11は、加工装置の一例である。保持装置10は、吸着ステージ15と、回転装置16と、ポンプ17とを有する。吸着ステージ15は、保持部の一例である。
The polishing apparatus 1 includes a
吸着ステージ15は、研磨される半導体ウェハ2を保持するための装置である。半導体ウェハ2は、吸着ステージ15に支持されるとともに、真空引きによって吸着ステージ15に保持される。
The
回転装置16は、ロータリージョイント16aを有する。吸着ステージ15は、ロータリージョイント16aによって、回転中心軸Ax回りに回転可能に回転装置16に取り付けられる。回転中心軸Axは、例えば鉛直方向に延びる吸着ステージ15の回転軸である。以下、回転中心軸Axと直交する方向を径方向、回転中心軸Axに沿う方向を軸方向、回転中心軸Ax回りに回転する方向を周方向と称する。
The
回転装置16は、例えばモータによって、吸着ステージ15を回転中心軸Ax回りに回転させる。これにより、回転装置16は、吸着ステージ15に保持された半導体ウェハ2を回転中心軸Ax回りに回転させることができる。
The
ポンプ17は、例えば真空ポンプである。ポンプ17は、例えば、回転装置16の内部を通る接続管17aにより、回転装置16を介して吸着ステージ15に接続される。ポンプ17は、吸着ステージ15の真空引き及び真空破壊(大気開放)を行う。
The
研磨ヘッド11は、例えば研磨テープによって、回転装置16によって回転軸Ax回りに回転させられる半導体ウェハ2のベベル部2aを研磨する。ベベル部2aは、半導体ウェハ2の端面と、半導体ウェハ2の外縁部分に設けられた傾斜面とを含む。
The polishing
研磨ヘッド11は、図1の二点鎖線と矢印で示すようにベベル部2aに沿って移動する。すなわち、研磨ヘッド11は、回転中心軸Axの軸方向及び径方向に移動可能である。研磨ヘッド11は、ベベル部2aに接触した状態で移動することで、ベベル部2aを研磨する。
The polishing
制御部12は、例えば、CPUなどの制御装置と、ROM(Read Only Memorry)やRAMなどの記憶装置と、HDD、CDドライブ装置などの外部記憶装置と、ディスプレイ装置などの表示装置と、キーボードやマウスなどの入力装置を備えたコンピュータである。なお、制御部12はこれに限らない。制御部12は、CPUがROMのような記憶装置に記憶されたプログラムを実行することで、研磨ヘッド11、回転装置16、及びポンプ17を制御する。
The
図2は、第1の実施形態の吸着ステージ15を示す斜視図である。図3は、第1の実施形態の吸着ステージ15を示す断面図である。図2及び図3に示すように吸着ステージ15は、基部21と、シール部22と、複数の支持部23とを有する。シール部22は、壁部の一例である。
FIG. 2 is a perspective view showing the
基部21は、例えば、3Dプリンタによって積層造形される。なお、基部21はこれに限らず、切削や接合のような種々の方法で製造されても良い。基部21は、例えば、金属によって作られる。なお、基部21はこれに限らず、合成樹脂のような他の材料によって作られても良い。
For example, the
図3に示すように、基部21は、ステージ部31と、ボス部32とを有する。ステージ部31は、回転中心軸Axの径方向に延びる略円盤状に形成される。ボス部32は、回転中心軸Axに沿って延びる円筒状に形成される。ボス部32は、ステージ部31の下端から下方に向かって突出する。
As shown in FIG. 3, the
図1に示すように、ボス部32は、ロータリージョイント16aによって、回転中心軸Ax回りに回転可能に回転装置16に取り付けられる。これにより、回転装置16は、基部21を回転中心軸Ax回りに回転させることができる。
As shown in FIG. 1, the
図3に示すように、基部21は、上面34と、下面35とをさらに有する。上面34は、表面の一例である。上面34は、ステージ部31に設けられ、鉛直上方に向く略平坦な面である。言い換えると、上面34は、回転中心軸Axと直交(交差)する面である。なお、上面34は、凹凸や曲面状の部分を有しても良いし、回転中心軸Axに対して傾斜しても良い。下面35は、ボス部32に設けられ、上面34の反対側に位置する。
As shown in FIG. 3, the base 21 further has an
上面34に、複数の溝37,38,39が設けられる。溝37,38,39は、例えば、半円形の断面を有し、回転中心軸Axの周方向に延びる円形の溝である。回転中心軸Axの径方向において最も外側に位置する溝37は、上面34の外縁部分に設けられる。溝38は、回転軸Axの径方向において、溝37よりも内側に設けられる。溝39は、回転軸Axの径方向において、溝38よりも内側に設けられる。溝37,38,39は、互いに離間している。
A plurality of
シール部22は、例えば合成ゴムによって作られ、弾性を有する円形のシール材(パッキン)である。シール部22は、円形の断面を有し、溝37に嵌め込まれる。これにより、シール部22は、上面34から突出する。上面34から突出するシール部22の上端22aは、略一定の高さに位置する。
The
シール部22は、溝37に沿って、回転中心軸Axの周方向に延びる。このため、シール部22は、上面34の、溝37の内側の領域Rを囲む。領域Rは、第1の領域の一例であり、例えば、区画とも称され得る。シール部22は、切れ目なく領域Rを囲む。
The
支持部23は、例えば合成ゴムによって作られ、弾性を有するシール材(パッキン)である。支持部23は、円形の断面を有し、溝38,39にそれぞれ嵌め込まれる。これにより、支持部23は、上面34から突出する。上面34から突出する支持部23の上端23aは、シール部22の上端22aと略同一の高さに位置する。なお、支持部23の上端23aは、シール部22の上端22aより低い(上面34に近い)位置にあっても良い。
The
支持部23は、溝38,39に沿って、回転中心軸Axの周方向に延びる。図2に示すように、溝38に嵌め込まれた複数の支持部23は、上面34の、溝38の内側の領域を囲む。溝39に嵌め込まれた複数の支持部23は、上面34の、溝39の内側の領域を囲む。
The
溝38に嵌め込まれた複数の支持部23は、互いに隙間を介して配置される。同じく、溝39に嵌め込まれた複数の支持部23は、互いに隙間を介して配置される。このため、上面34の、溝37と溝38との間の領域と、溝38と溝39との間の領域と、溝39の内側の領域とは、互いに連通する。
The plurality of
基部21に、複数の吸着孔41と、共通管路部42と、複数の分岐管路部43とが設けられる。吸着孔41は、開口部の一例である。共通管路部42は、第1の管路部の一例である。分岐管路部43は、第2の管路部の一例である。
The
吸着孔41は、上面34の領域Rにそれぞれ設けられた円形の孔である。なお、吸着孔41の形状はこれに限らない。以下の説明において、複数の吸着孔41が、吸着孔41A,41B,41Cと個別に称される場合がある。
The suction holes 41 are circular holes respectively provided in the region R of the
複数の吸着孔41Aは、上面34の、溝37と溝38との間の領域に設けられる。複数の吸着孔41Aは、回転中心軸Ax回りに互いに等間隔(等角)に配置される。なお、吸着孔41Aの配置はこれに限らない。
The plurality of suction holes 41 </ b> A are provided in a region of the
複数の吸着孔41Bは、上面34の、溝38と溝39との間の領域に設けられる。複数の吸着孔41Bは、回転中心軸Ax回りに互いに等間隔(等角)に配置される。なお、吸着孔41Bの配置はこれに限らない。
The plurality of suction holes 41 </ b> B are provided in a region of the
吸着孔41Cは、上面34の、溝39の内側の領域に設けられる。吸着孔41Cは、回転中心軸Ax上に配置される。言い換えると、吸着孔41Cは、上面34の中央部分に配置される。
The
図3に示すように、共通管路部42は、基部21の内部に設けられ、回転中心軸Axに沿って延びる。共通管路部42の一方の端部は、基部21の下面35に開口する。共通管路部42の他方の端部は、ステージ部31の内部に位置する。
As shown in FIG. 3, the
基部21の下面35に開口した共通管路部42は、図1のロータリージョイント16a、回転装置16、及び接続管17aを通じて、ポンプ17に接続される。ロータリージョイント16aは、共通管路部42とポンプ17との接続を保ったまま、基部21を回転軸Ax回りに回転可能にする。
The
複数の分岐管路部43は、基部21の内部に設けられ、共通管路部42と、対応する吸着孔41とを接続する。分岐管路部43の断面積は、共通管路部42の断面積よりも狭い。以下の説明において、複数の分岐管路部43が、分岐管路部43A,43B,43Cと個別に称される場合がある。
The plurality of
複数の分岐管路部43Aは、共通管路部42と、複数の吸着孔41Aとを接続する。複数の分岐管路部43Bは、共通管路部42と、複数の吸着孔41Bとを接続する。分岐管路部43Cは、共通管路部42と、吸着孔41Cとを接続する。分岐管路部43Aの長さは、分岐管路部43Bの長さよりも長い。分岐管路部43Bの長さは、分岐管路部43Cの長さよりも長い。
The plurality of
分岐管路部43A,43Bは、延部51と、接続部52とをそれぞれ有する。延部51は、共通管路部42から、回転中心軸Axの径方向に延びる部分である。言い換えると、延部51は、共通管路部42から、回転中心軸Axから遠ざかるように、回転中心軸Axに対して放射状に延びる。接続部52は、延部51の端部から回転中心軸Axの軸方向に延び、延部51と対応する吸着孔41A,41Bとを接続する部分である。なお、分岐管路部43A,43Bの形状はこれに限らない。
The
分岐管路部43Cは、共通管路部42から、回転中心軸Axに沿って延びる。すなわち、分岐管路部43Cは、分岐管路部43A,43Bの接続部52と平行に延びる。分岐管路部43Cは、共通管路部42と、対応する吸着孔41Cとを接続する。
The
上記のような吸着ステージ15は、以下のように半導体ウェハ2を保持する。まず、吸着ステージ15が静止した状態で、半導体ウェハ2は、シール部22及び支持部23に支持される。このとき、半導体ウェハ2の中心が回転中心軸Axに合わせられる。半導体ウェハ2がシール部22及び支持部23に支持されることで、半導体ウェハ2の下面2bが基部21の上面34と対向する。
The
半導体ウェハ2の平坦な下面2bが、略同一の高さを有するシール部22及び支持部23の上端22a,23aに接触する。シール部22及び支持部23は弾性を有するため、半導体ウェハ2の重さによって弾性変形し、半導体ウェハ2の下面2bに密着し得る。
The flat
半導体ウェハ2がシール部22に支持されると、半導体ウェハ2の下面2bと、シール部22と、上面34の領域Rとによって囲まれる空間Sが形成される。言い換えると、領域Rの上の空間Sが半導体ウェハ2によって閉塞される。複数の吸着孔41が、空間Sに開口する。空間Sは、部屋とも称され得る。
When the
次に、制御部12が、ポンプ17に吸引を行わせる。ポンプ17は、接続管17a、回転装置16、ロータリージョイント16a、共通管路部42、及び複数の分岐管路部43を通じて、複数の吸着孔41から空間Sの空気を吸引する。空気は気体の一例である。
Next, the
ポンプ17は、空間Sの空気を吸引することで、空間Sの真空引きを行い、空間Sの気圧を低減させる。空間Sが真空引きされることで、半導体ウェハ2は、上面34に向かって引き寄せられ、シール部22及び支持部23に押し付けられる。これにより、吸着ステージ15は、半導体ウェハ2の回転中心軸Axの軸方向における移動を制限する。さらに、吸着ステージ15は、シール部22及び支持部23と、半導体ウェハ2との間に生じる摩擦力により、半導体ウェハ2の回転中心軸Axの径方向及び周方向における移動を制限する。このように、ポンプ17が空間Sを減圧状態にすることで、半導体ウェハ2は吸着ステージ15に保持される。
The
次に、制御部12が、回転装置16に吸着ステージ15の回転を行わせる。回転装置16が吸着ステージ15の基部21を回転中心軸Ax回りに回転させることで、吸着ステージ15に保持された半導体ウェハ2も回転中心軸Ax回りに回転する。
Next, the
次に、制御部12は、研磨ヘッド11を回転する半導体ウェハ2のベベル部2aに接触させる。研磨ヘッド11に対して半導体ウェハ2が回転するため、研磨ヘッド11は、ベベル部2aを研磨する。
Next, the
制御部12は、半導体ウェハ2に接触する研磨ヘッド11を、ベベル部2aに沿って移動させる。これにより、研磨ヘッド11は、ベベル部2aに含まれる半導体ウェハ2の側面及び傾斜面を研磨加工する。
The
研磨ヘッド11によるベベル部2aの研磨が完了すると、制御部12は、研磨ヘッド11を半導体ウェハ2から離す。さらに、制御部12は、回転装置16の回転を停止し、ポンプ17に気体の送出を行わせる。
When the polishing of the
ポンプ17は、接続管17a、回転装置16、ロータリージョイント16a、共通管路部42、及び複数の分岐管路部43を通じて、複数の吸着孔41から空間Sに窒素ガス(N2)を送出する。窒素ガスは気体の一例であり、ポンプ17は他の気体を送出しても良い。
The
ポンプ17は、空間Sに窒素ガスを送出することで、空間Sの真空破壊を行う。空間Sの真空が破れることで、吸着ステージ15による半導体ウェハ2の保持が解除される。すなわち、半導体ウェハ2は、吸着ステージ15から取り外し可能となる。
The
第1の実施の形態に係る研磨装置1において、基部21の上面34の、シール部22に囲まれた領域Rに、複数の吸着孔41が設けられる。ポンプ17が、複数の吸着孔41から、基部21の領域Rと、シール部22と、半導体ウェハ2とによって囲まれる空間Sの空気を吸引する。このように、吸着ステージ15及びポンプ17は、複数の吸着孔41から空気を吸引し、空間Sを真空にすることで半導体ウェハ2を保持できる。さらに、ポンプ17は、回転中心軸Axに沿って延びる共通管路部42を通じて、複数の分岐管路部43及び吸着孔41から空気を吸引する。このため、吸着ステージ15及びポンプ17は、基部21を回転させながら半導体ウェハ2をより確実に保持できる。
In the polishing apparatus 1 according to the first embodiment, a plurality of suction holes 41 are provided in a region R surrounded by the
以下に、第2の実施の形態について、図4を参照して説明する。なお、以下の複数の実施形態の説明において、既に説明された構成要素と同様の機能を持つ構成要素は、当該既述の構成要素と同じ符号が付され、さらに説明が省略される場合がある。また、同じ符号が付された複数の構成要素は、全ての機能及び性質が共通するとは限らず、各実施形態に応じた異なる機能及び性質を有していても良い。 The second embodiment will be described below with reference to FIG. In the following description of the plurality of embodiments, components having the same functions as the components already described are denoted by the same reference numerals as those described above, and further description may be omitted. . In addition, a plurality of components to which the same reference numerals are attached do not necessarily have the same functions and properties, and may have different functions and properties according to each embodiment.
図4は、第2の実施の形態に係る吸着ステージ15を示す断面図である。図4に示すように、第2の実施形態において、分岐管路部43A,43Bの延部51の断面積は、分岐管路部43Cの断面積よりも広い。このように、分岐管路部43Cは第1の分岐部の一例であり、分岐管路部43A,43Bは第2の分岐部の一例である。なお、分岐管路部43Aの延部51の断面積と、分岐管路部43Bの延部51の断面積とが異なっていても良い。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the
分岐管路部43A,43Bの接続部52の断面積は、分岐管路部43Cの断面積よりも広い。接続部52の断面積は、延部51の断面積よりも狭い。なお、分岐管路部43Aの接続部52の断面積と、分岐管路部43Bの接続部52の断面積とが異なっていても良い。
The cross-sectional area of the
このような吸着ステージ15を備える研磨装置1は、第1の実施形態と同様に、ポンプ17による窒素ガスの送出を行う。ポンプ17は、接続管17a、回転装置16、及びロータリージョイント16aを介して、窒素ガスを共通管路部42に送出する。
The polishing apparatus 1 including such an
分岐管路部43A,43Bの延部51の断面積は、分岐管路部43Cの断面積よりも広い。このため、共通管路部42の窒素ガスは、分岐管路部43Cよりも、分岐管路部43A,43Bの延部51により早く流入する。
The cross-sectional area of the extending
さらに、分岐管路部43A,43Bの接続部52の断面積は、分岐管路部43Cの断面積よりも広い。このため、窒素ガスは、分岐管路部43Cよりも、分岐管路部43A,43Bの延部51により早く流入する。
Furthermore, the cross-sectional area of the
一方、分岐管路部43Cの長さは、分岐管路部43A,43Bの長さよりも短い。このため、分岐管路部43A,43Bよりも窒素ガスが流入し難い分岐管路部43Cを通じて、吸着孔41Cから窒素ガスが吐出されるタイミングは、分岐管路部43A,43Bを通じて、吸着孔41A,41Bから窒素ガスが吐出されるタイミングに近くなる。
On the other hand, the length of the
第2の実施形態の研磨装置1において、分岐管路部43A,43Bの延部51は、回転中心軸Axに沿って延びる分岐管路部43Cよりも断面積が広い。これにより、ポンプ17によって共通管路部42に送出された窒素ガスは、分岐管路部43Cよりも分岐管路部43A,43Bの延部51に流入しやすい。このため、分岐管路部43Cを通って吸着孔41Cから窒素ガスが送出されるタイミングと、分岐管路部43A,43Bを通って吸着孔41A,41Bから窒素ガスが送出されるタイミングとが、より近くなり得る。従って、吸着ステージ15から半導体ウェハ2を外す際に、半導体ウェハ2の一部のみが先に外れ、半導体ウェハ2が吸着ステージ15から脱落することが抑制される。
In the polishing apparatus 1 of the second embodiment, the extending
以下に、第3の実施の形態について、図5及び図6を参照して説明する。図5は、第3の実施の形態に係る吸着ステージ15を示す平面図である。図6は、第3の実施形態の吸着ステージ15を、図5のF6−F6線に沿って示す断面図である。
A third embodiment will be described below with reference to FIGS. FIG. 5 is a plan view showing the
図5に示すように、第3の実施形態の吸着ステージ15は、基部21及びシール部22を有し、支持部23を有さない。基部21に、溝37,38,39と、複数の接続溝54とが設けられる。
As shown in FIG. 5, the
接続溝54は、例えば、半円形の断面を有し、回転軸Axの径方向に延びる直線状の溝である。なお、接続溝54の形状はこれに限らない。幾つかの接続溝54は、溝37と溝38とを接続する。さらに、他の接続溝54は、溝38と溝39とを接続する。このため、溝37,38,39と複数の接続溝54とは、互いに連続する一体的な溝を形成する。
The
シール部22は、互いに連続する溝37,38,39及び複数の接続溝54に嵌め込まれる。シール部22は、第1の壁部55と、第2の壁部56と、第3の壁部57と、複数の第4の壁部58とを有する。
The
第1乃至第3の壁部55〜57は、回転中心軸Axの周方向に延びる円形に形成され、同心円状に配置される。第1の壁部55は、溝37に嵌め込まれる。第2の壁部56は、溝38に嵌め込まれる。第3の壁部57は、溝39に嵌め込まれる。
The first to
複数の第4の壁部58は、回転中心軸Axの径方向に延びる直線状に形成される。なお、第4の壁部58の形状はこれに限らない。幾つかの第4の壁部58は、第1の壁部55と第2の壁部56とを接続する。さらに、他の第4の壁部58は、第2の壁部56と第3の壁部57とを接続する。第4の壁部58は、接続溝54に嵌め込まれる。
The plurality of
シール部22の第1の壁部55は、第1の実施形態のシール部22と同じく、上面34の溝37の内側の領域Rを囲む。シール部22の第1乃至第4の壁部55〜58は、領域Rを、中央領域Rcと、複数の分割領域Rsとに分割する。分割領域Rsは、第2の領域の一例である。
The
中央領域Rcは、シール部22の第3の壁部57の内側に位置する、領域Rの一部である。中央領域Rcは、回転中心軸Ax上に設けられる。すなわち、中央領域Rcは、領域Rの中央部分に設けられる。
The central region Rc is a part of the region R located inside the
シール部22の第1乃至第3の壁部55〜57は、領域Rを、回転中心軸Axの径方向に分割する。このため、分割領域Rsは、回転中心軸Axの径方向に並んで配置される。すなわち、第1の壁部55と第2の壁部56との間に位置する分割領域Rsと、第2の壁部56と第3の壁部57との間に位置する分割領域Rsとは、回転中心軸Axの径方向に並ぶ。なお、第2の壁部56と第3の壁部57との間に位置する分割領域Rsと、第3の壁部57の内側に位置する中央領域Rcとも、回転中心軸Axの径方向に並ぶ。
The first to
第3の壁部57の内側に位置する中央領域Rcは、第1の壁部55と第2の壁部56との間に位置するそれぞれの分割領域Rsよりも小さい。さらに、第3の壁部57の内側に位置する中央領域Rcは、第2の壁部56と第3の壁部57との間に位置するそれぞれの分割領域Rsよりも小さい。なお、第3の壁部57の内側に中央領域Rcが設けられなくても良い。
The central region Rc located inside the
シール部22の第4の壁部58は、領域Rを、回転中心軸Axの周方向に分割する。このため、分割領域Rsは、回転中心軸Axの周方向に並んで配置される。例えば、第1の壁部55と第2の壁部56との間に位置する領域は、第4の壁部58によって、回転中心軸Axの周方向に並ぶ八つの分割領域Rsに分割される。第2の壁部56と第3の壁部57との間に位置する領域は、第4の壁部58によって、回転中心軸Axの周方向に並ぶ四つの分割領域Rsに分割される。
The
複数の分割領域Rsに、それぞれ二つの吸着孔41が設けられる。なお、それぞれの分割領域Rsに設けられる吸着孔41の数は一つでも良く、また数が揃っていなくても良い。本実施形態において、吸着孔41Aは、シール部22の第1の壁部55と第2の壁部56との間に位置するそれぞれの分割領域Rsに設けられる。吸着孔41Bは、シール部22の第2の壁部56と第3の壁部57との間に位置するそれぞれの分割領域Rsに設けられる。
Two suction holes 41 are provided in each of the plurality of divided regions Rs. Note that the number of the suction holes 41 provided in each divided region Rs may be one, or the number may not be uniform. In the present embodiment, the
回転中心軸Axの径方向において、吸着孔41Aは、シール部22の第2の壁部56よりも、第1の壁部55に近い位置に配置される。吸着孔41Bは、第3の壁部57よりも、第2の壁部56に近い位置に配置される。言い換えると、吸着孔41は、分割領域Rsの、回転中心軸Axの径方向の外周側に位置する。なお、吸着孔41の配置はこれに限らない。
In the radial direction of the rotation center axis Ax, the
図6に示すように、複数の分岐管路部43が、共通管路部42と、対応する吸着孔41とを接続する。本実施形態において、複数の分岐管路部43は、分岐管路部43Cを含まない。
As shown in FIG. 6, a plurality of
このような吸着ステージ15を備える研磨装置1は、第1の実施形態と同様に、半導体ウェハ2を保持する。半導体ウェハ2がシール部22に支持されると、半導体ウェハ2の下面2bと、シール部22と、上面34の分割領域Rsとによって囲まれる複数の分割空間Ssが形成される。言い換えると、分割領域Rsの上の分割空間Ssが半導体ウェハ2によって閉塞される。分割空間Ssは、小部屋とも称され得る。二つの吸着孔41が、それぞれの分割空間Ssに開口する。
The polishing apparatus 1 including such an
ポンプ17は、接続管17a、回転装置16、ロータリージョイント16a、共通管路部42、及び複数の分岐管路部43を通じて、複数の吸着孔41からそれぞれの分割空間Ssの空気を吸引する。ポンプ17は、分割空間Ssの空気を吸引することで、それぞれの分割空間Ssの真空引きを行う。
The
それぞれの分割空間Ssが真空引きされることで、半導体ウェハ2は、上面34に向かって引き寄せられ、シール部22に押し付けられる。これにより、吸着ステージ15は、半導体ウェハ2の回転中心軸Axの軸方向における移動を制限する。さらに、吸着ステージ15は、シール部22と半導体ウェハ2との間に生じる摩擦力により、半導体ウェハ2の回転中心軸Axの径方向及び周方向における移動を制限する。このように、ポンプ17がそれぞれの分割空間Ssを減圧状態にすることで、半導体ウェハ2は吸着ステージ15に保持される。
By evacuating each divided space Ss, the
回転装置16が吸着ステージ15を回転させることで、吸着ステージ15に保持された半導体ウェハ2も回転する。回転する半導体ウェハ2のベベル部2aを、研磨ヘッド11が研磨加工する。この際、研磨ヘッド11によって、半導体ウェハ2を吸着ステージ15から剥がすような力Fが、半導体ウェハ2に作用することがある。力Fは、半導体ウェハ2の外周部分であるベベル部2aに作用する、回転中心軸Axの軸方向の力である。
When the
半導体ウェハ2に力Fが作用することで、半導体ウェハ2の研磨ヘッド11近傍の部分が、シール部22の第1の壁部55から僅かに離れる可能性がある。この場合、シール部22の第1の壁部55と第2の壁部56との間に位置する一つの分割空間Ssの減圧状態が破れる。すなわち、一つの分割空間Ssが外部と連通し、当該分割空間Ssに空気が流入する。
When the force F acts on the
複数の分割空間Ssは、シール部22の第1乃至第4の壁部55〜58によって隔てられている。このため、一つの分割空間Ssの減圧状態が破れても、空気が他の分割空間Ssに伝播するまでの間、他の分割空間Ssの減圧状態は保たれ得る。例えば、回転中心軸Axの径方向及び周方向において、減圧状態が破れた分割空間Ssに隣接する他の分割空間Ssは、一定時間、減圧状態のまま保たれ得る。このため、吸着ステージ15から半導体ウェハ2が外れることが抑制される。
The plurality of divided spaces Ss are separated by first to
さらに、吸着ステージ15は、回転中心軸Ax回りに回転している。このため、減圧状態が破れた分割空間Ssは、研磨ヘッド11から離れる。このため、当該分割空間Ssに面する半導体ウェハ2の一部に、力Fが作用しなくなる。
Further, the
一方、減圧状態が破れた分割空間Ssに設けられた吸着孔41から、ポンプ17によって継続的に空気が吸引される。これにより、半導体ウェハ2が上面34に向かって引き寄せられ、半導体ウェハ2の下面2bが再度シール部22の上端22aに接触し、分割空間Ssを閉塞する。ポンプ17は、閉塞された分割空間Ssの空気を吸着孔41から吸引し、減圧状態とする。このため、分割空間Ssは、一度減圧状態が破れたとしても、再度半導体ウェハ2を再度真空引きして保持することができる。
On the other hand, air is continuously sucked by the
第3の実施形態の研磨装置1において、領域Rは、シール部22によって分割された複数の分割領域Rsを有し、少なくとも一つの吸着孔41が複数の分割領域Rsにそれぞれ設けられる。これにより、ポンプ17によって空気を吸引される空間Sが複数の分割空間Ssに分割され、各分割空間Ssが真空にされることで、吸着ステージ15は半導体ウェハ2をより確実に保持できる。例えば、一つの分割空間Ssの減圧状態が破れたとしても、吸着ステージ15は、減圧状態が保たれた他の分割空間Ssによって半導体ウェハ2を保持できる。
In the polishing apparatus 1 of the third embodiment, the region R has a plurality of divided regions Rs divided by the
複数の分割領域Rsは、回転中心軸Axの周方向に並ぶ。これにより、分割領域Rsによって形成される一つの分割空間Ssの減圧状態が破れたとしても、当該分割空間Ssと周方向に並んだ他の分割空間Ssによって、半導体ウェハ2が保持される。
The plurality of divided regions Rs are arranged in the circumferential direction of the rotation center axis Ax. Thereby, even if the decompression state of one divided space Ss formed by the divided region Rs is broken, the
例えば、半導体ウェハ2を吸着ステージ15から剥がすような力Fが半導体ウェハ2に作用するとき、当該半導体ウェハ2の外周部分を保持すれば、吸着ステージ15はより確実に半導体ウェハ2を保持できる。分割領域Rsが回転中心軸Axの周方向に並ぶことで、一つの分割空間Ssの減圧状態が破れても、他の分割空間Ssが半導体ウェハ2の外周部分を保持できる。したがって、吸着ステージ15は、より確実に半導体ウェハ2を保持できる。さらに、基部21が回転することで、力Fが作用する位置の近傍に位置する分割空間Ssが時間経過に伴って入れ変わる。すなわち、基部21の回転によって減圧状態が破れた分割空間Ssが、力Fが作用する位置から遠ざかり、減圧状態に戻りやすくなる。
For example, when a force F that peels the
複数の分割領域Rsは、回転中心軸Axの径方向に並ぶ。これにより、分割領域Rsによって形成される一つの分割空間Ssの減圧状態が破れたとしても、当該分割空間Ssと径方向に並んだ他の複数の分割空間Ssによって、半導体ウェハ2が保持される。
The plurality of divided regions Rs are arranged in the radial direction of the rotation center axis Ax. Thereby, even if the decompression state of one divided space Ss formed by the divided region Rs is broken, the
例えば、半導体ウェハ2を吸着ステージ15から剥がすような力Fが作用する場合、回転中心軸Axの径方向に並ぶ分割領域Rsのうち、外側の分割領域Rsによって形成される分割空間Ssの減圧状態が破れても、内側の分割領域Rsによって形成される他の分割空間Ssが半導体ウェハ2を保持できる。したがって、吸着ステージ15は、より確実に半導体ウェハ2を保持できる。
For example, when a force F that peels the
以下に、第4の実施の形態について、図7及び図8を参照して説明する。図7は、第4の実施の形態に係る吸着ステージ15を示す平面図である。図8は、第4の実施形態の吸着ステージ15を、図7のF8−F8線に沿って示す断面図である。
Hereinafter, a fourth embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a plan view showing the
図7に示すように、第4の実施形態において、シール部22の第1の壁部55と第2の壁部56との間に位置する領域Rの一部は、第4の壁部58によって四つの分割領域Rsに分割される。シール部22の第2の壁部56と第3の壁部57との間に位置する領域Rの一部は、第4の壁部58によって四つの分割領域Rsに分割される。
As shown in FIG. 7, in the fourth embodiment, a part of the region R located between the
それぞれの分割領域Rsに、一つの吸着孔41がそれぞれ設けられる。なお、各分割領域Rsに、複数の吸着孔41が設けられても良い。複数の分岐管路部43が、共通管路部42と、対応する吸着孔41とを接続する。
One
第4の実施形態における分岐管路部43は、回転中心軸Axと直交する平面上において、共通管路部42から渦巻き状(曲線状)に延びる。このため、回転中心軸Axと直交する方向において、分岐管路部43の長さは、共通管路部42と、対応する吸着孔41との間の距離よりも長い。すなわち、第4の実施形態の分岐管路部43の長さは、共通管路部42から放射状に延びる第1乃至第3の実施形態の分岐管路部43の長さよりも長い。
The
分岐管路部43は、シール部22の第1の壁部55と第2の壁部56との間の分割領域Rsに設けられた吸着孔41Aと、共通管路部42とを接続する。さらに、分岐管路部43は、共通管路部42と吸着孔41Aとを接続する経路の間において、第2の壁部56と第3の壁部57との間の分割領域Rsに設けられた吸着孔41Bにも接続される。言い換えると、分岐管路部43は、吸着孔41Bを経由して、吸着孔41Aに接続される。
The
一つの分岐管路部43が接続される吸着孔41Aが設けられた分割領域Rsは、当該分岐管路部43が接続される吸着孔41Bが設けられた分割領域Rsと隣接しない。例えば、分岐管路部43が接続された吸着孔41Aが設けられた分割領域Rsと、当該分岐管路部43が接続される吸着孔41Bが設けられた分割領域Rsとは、回転中心軸Axの径方向にも周方向にも隣接しない。言い換えると、分岐管路部43に接続される二つの吸着孔41A,41Bは、離間した二つの分割領域Rsにそれぞれ設けられる。
The divided region Rs provided with the
このような吸着ステージ15を備える研磨装置1は、第1の実施形態と同様に、半導体ウェハ2を保持する。回転装置16が吸着ステージ15を回転させることで、吸着ステージ15に保持された半導体ウェハ2も回転する。回転する半導体ウェハ2のベベル部2aを、研磨ヘッド11が研磨加工する。この際、図8に示すように、研磨ヘッド11によって、半導体ウェハ2に力Fが作用することがある。
The polishing apparatus 1 including such an
半導体ウェハ2に力Fが作用することで、半導体ウェハ2の研磨ヘッド11近傍の部分が、シール部22の第1の壁部55から僅かに離れる可能性がある。この場合、シール部22の第1の壁部55と第2の壁部56との間に位置する一つの分割空間Ssの減圧状態が破れる。すなわち、一つの分割空間Ssが外部と連通し、当該分割空間Ssに空気が流入する。図8は、空気が流入した部分をハッチングで示す。
When the force F acts on the
一つの分割空間Ssに流入した空気は、当該分割空間Ssに設けられた吸着孔41Aから、分岐管路部43に流入する。分岐管路部43の空気は、共通管路部42に向かう。しかし、当該空気の一部は、分岐管路部43の途中で、吸着孔41Bから他の分割空間Ssに流入する。
The air that has flowed into one divided space Ss flows into the
空気が流入することで、吸着孔41Bが設けられた分割空間Ssの減圧状態が破れる。しかし、当該分割空間Ssは、研磨ヘッド11から離間している。このため、吸着孔41Bが設けられた分割空間Ssの減圧状態が破れても、半導体ウェハ2が吸着ステージ15から外れにくい。言い換えると、力Fの影響を受けにくい位置にある分割空間Ssの減圧状態が破れる。
When the air flows in, the decompressed state of the divided space Ss provided with the suction holes 41B is broken. However, the divided space Ss is separated from the polishing
吸着ステージ15が回転中心軸Ax回りに回転しているため、減圧状態が破れた分割空間Ssは、研磨ヘッド11から離れる。これにより、半導体ウェハ2が上面34に向かって引き寄せられ、半導体ウェハ2の下面2bが再度シール部22の上端22aに接触し、分割空間Ssを閉塞する。ポンプ17が閉塞された分割空間Ssの空気を吸着孔41から吸引することで、分割空間Ssは、再度半導体ウェハ2を真空引きして保持する。
Since the
分岐管路部43は、吸着孔41Bに向かう部分と、共通管路部42に向かう部分とに分岐する。このため、共通管路部42に向かう空気が分割され、当該空気の流速が遅くなる。これにより、空気が共通管路部42及び他の分岐管路部43を介して、全ての分割空間Ssの減圧状態を破る前に、分割空間Ssが半導体ウェハ2に閉塞されやすい。
The
第4の実施形態の研磨装置1において、回転中心軸Axと直交する方向において、分岐管路部43の長さは、共通管路部42と対応する吸着孔41との間の距離よりも長い。これにより、一つの分割領域Rsによって形成される分割空間Ssの減圧状態が破れた場合に、当該分割空間Ssから他の分割空間Ssに空気が伝播するまでの時間がより長くなる。したがって、全ての分割空間Ssの減圧状態が破れて半導体ウェハ2が吸着ステージ15から外れる前に、分割空間Ssが減圧状態に戻りやすくなる。
In the polishing apparatus 1 according to the fourth embodiment, the length of the
分岐管路部43は、共通管路部42と対応する吸着孔41Aとを接続する経路の間において、他の吸着孔41Bにも接続される。これにより、一つの分割領域Rsによって形成される分割空間Ssの減圧状態が破れた場合に、経路途中に接続された吸着孔41が開口する分割領域Rsによって形成される分割空間Ssに空気が伝播する。したがって、全ての分割空間Ssの減圧状態が破れるまでの時間がより長くなる。言い換えると、複数の分割空間Ssの減圧状態が破れるまでのタイムラグがより大きくなる。
The
以下に、第5の実施の形態について、図9及び図10を参照して説明する。図9は、第5の実施の形態に係る吸着ステージ15を示す平面図である。図10は、第5の実施形態の吸着ステージ15の一部を、図9のF10−F10線に沿って示す断面図である。図9及び図10に示すように、第5の実施形態の分岐管路部43は、第1の部分61と、第2の部分62と、第3の部分63とを有する。
In the following, a fifth embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a plan view showing the
第1の部分61は、共通管路部42から、回転中心軸Axと直交(交差)する方向に延びる。言い換えると、第1の部分61は、共通管路部42から放射状に延びる。第1の部分61は、回転中心軸Axに対して傾斜しても良い。
The
第2の部分62は、第1の部分61の端部から、上面34に向かって延びる。第2の部分62は、例えば、回転中心軸Axの軸方向に延びる。なお、第2の部分62は、回転中心軸Axに対して傾斜しても良い。
The
図10に示すように、第3の部分63は、上面34に対して傾斜する方向に延びて、第2の部分62と、対応する吸着孔41とを接続する。第3の部分63は、例えば、第2の部分62に対して傾斜する方向に延びる。
As shown in FIG. 10, the
第3の部分63が第2の部分62に対して傾斜するため、第3の部分63の内面63aが、第2の部分62の延長線上に位置する。言い換えると、第3の部分63の内面63aが、第2の部分62の、第3の部分63に接続された端部を覆う。
Since the
図9に示すように、第5の実施形態の吸着孔41は、回転中心軸Axの周方向に延びる。なお、吸着孔41の形状はこれに限らない。吸着孔41の断面積は、分岐管路部43の断面積よりも広い。
As shown in FIG. 9, the
このような吸着ステージ15を備える研磨装置1は、第1の実施形態と同様に、ポンプ17による窒素ガスの送出を行う。ポンプ17は、窒素ガスを、接続管17a、回転装置16、及びロータリージョイント16a、及び共通管路部42を介して、複数の分岐管路部43に送出する。
The polishing apparatus 1 including such an
図10に示すように、分岐管路部43の第3の部分63は、上面34に対して傾斜する方向に延びる。このため、第3の部分63の内面63aが、第2の部分62の、第3の部分63に接続された端部を覆う。窒素ガスは、当該第3の部分63の内面63aに衝突した後に、吸着孔41から吐出される。これにより、吸着孔41から吐出される窒素ガスの流速が低減される。
As shown in FIG. 10, the
さらに、吸着孔41の断面積は、分岐管路部43の断面積よりも広い。これにより、吸着孔41から吐出される窒素ガスの流速は、分岐管路部43を通過する窒素ガスの流速よりも低減される。
Furthermore, the cross-sectional area of the
第5の実施形態の研磨装置1において、分岐管路部43は、上面34に向かって延びる第2の部分62と対応する吸着孔41とを、上面34に対して傾斜する方向に延びる第3の部分63によって接続する。これにより、分岐管路部43を通って前記吸着孔41に向かう窒素ガスが、第2の部分62と第3の部分63との接続部分において第3の部分63の内面63aに衝突し、当該窒素ガスの流速が低減する。さらに、当該窒素ガスは、半導体ウェハ2に対して傾斜する方向に吸着孔41から送出される。従って、保持装置から半導体ウェハ2を外す際に、例えば、送出された窒素ガスによって半導体ウェハ2が浮き上がって吸着ステージ15から脱落することが抑制される。
In the polishing apparatus 1 according to the fifth embodiment, the
さらに、一つの分割領域Rsによって形成される分割空間Ssの減圧状態が破れた場合、当該分割空間Ssに開口する吸着孔41から分岐管路部43に空気が流入する。分岐管路部43に流入する空気が、第2の部分62と第3の部分63との接続部分において第2の部分62の内面に衝突し、当該空気の流速が低減する。これにより、一つの分割領域Rsによって形成される分割空間Ssの減圧状態が破れた場合に、当該分割空間Ssから他の分割空間Ssに空気が伝播するまでの時間がより長くなる。したがって、全ての分割空間Ssの減圧状態が破れて半導体ウェハ2が吸着ステージ15から外れる前に、分割空間Ssが減圧状態に戻りやすくなる。
Furthermore, when the decompression state of the divided space Ss formed by one divided region Rs is broken, air flows into the branch
以下に、第6の実施の形態について、図11を参照して説明する。図11は、第6の実施の形態に係る分岐管路部43の形状を示す斜視図である。図11に示すように、第6の実施形態の分岐管路部43に、複数の格子部71が設けられる。格子部71は、調整部の一例である。
Hereinafter, a sixth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a perspective view showing the shape of the
格子部71は、分岐管路部43が延びる方向と直交(交差)する方向に延びる複数の棒状の部分によって形成される。格子部71は、分岐管路部43の断面積を、分岐管路部43の他の部分の断面積よりも小さくする。格子部71は、3Dプリンタによって積層造形することにより、容易に造形され得る。
The
このような吸着ステージ15を備える研磨装置1は、第1の実施形態と同様に、ポンプ17による窒素ガスの送出を行う。ポンプ17は、窒素ガスを、接続管17a、回転装置16、及びロータリージョイント16a、共通管路部42、及び複数の分岐管路部43を介して、複数の吸着孔41に送出する。
The polishing apparatus 1 including such an
分岐管路部43を流れる窒素ガスは、複数の格子部71の隙間を通過し、吸着孔41に向かう。すなわち、格子部71によって断面積が小さくされた分岐管路部43を通過することで、分岐管路部43を流れる窒素ガスの流速は低減される。言い換えると、格子部71は、分岐管路部43を流れる窒素ガスの抵抗となる。
Nitrogen gas flowing through the
格子部71によって小さくされる分岐管路部43Aの断面積は、格子部71によって小さくされる分岐管路部43Bの断面積よりも広い。これにより、窒素ガスは、分岐管路部43Bよりも分岐管路部43Aに流入しやすい。このように、格子部71によって、分岐管路部43A,43Bを流れる窒素ガスの流速が調整される。
The cross-sectional area of the
第6の実施形態の研磨装置1において、分岐管路部43に、分岐管路部43の断面積を当該分岐管路部43の他の部分の断面積よりも小さくする格子部71が設けられる。これにより、分岐管路部43を通って吸着孔41から送出される窒素ガスの流速が低減される。従って、吸着ステージ15から半導体ウェハ2を外す際に、例えば、送出された窒素ガスによって半導体ウェハ2が浮き上がって吸着ステージ15から脱落することが抑制される。
In the polishing apparatus 1 of the sixth embodiment, the
さらに、一つの分割領域Rsによって形成される分割空間Ssの減圧状態が破れた場合、当該分割空間Ssに開口する吸着孔41から分岐管路部43に空気が流入する。格子部71は、分岐管路部43に流入する空気の流量及び流速を低減させる。これにより、一つの分割領域Rsによって形成される分割空間Ssの減圧状態が破れた場合に、当該分割空間Ssから他の分割空間Ssに空気が伝播するまでの時間がより長くなる。したがって、全ての分割空間Ssの減圧状態が破れて半導体ウェハ2が吸着ステージ15から外れる前に、分割空間Ssが減圧状態に戻りやすくなる。
Furthermore, when the decompression state of the divided space Ss formed by one divided region Rs is broken, air flows into the branch
図12は、第6の実施形態の分岐管路部43の変形例を示す断面図である。図12に示すように、分岐管路部43に壁72が設けられても良い。壁72は、調整部の一例である。
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a modified example of the
壁72は、分岐管路部43が延びる方向と直交(交差)する方向に延びる。壁72の端部と分岐管路部42の内面との間に隙間が形成される。すなわち、壁72は、分岐管路部43の断面積を、分岐管路部43の他の部分の断面積よりも小さくする。このような壁72も、格子部71と同様に、送出される窒素ガスや流入する空気の流速を低減させることができる。
The
調整部は、格子部71や壁72に限らない。例えば、分岐管路部43の内径が縮小した部分であっても良い。このような調整部も、基部21を3Dプリンタによって積層造形することにより、容易に形成され得る。
The adjustment unit is not limited to the
以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、基部の表面の、壁部に囲まれた第1の領域に、複数の開口部が設けられる。ポンプが、複数の開口部から、基部の第1の領域と、壁部と、保持対象物とによって囲まれる空間の気体を吸引する。このように、保持装置は、複数の開口部から気体を吸引し、上記空間を真空にすることで保持対象物を保持できる。 According to at least one embodiment described above, a plurality of openings are provided in the first region surrounded by the wall on the surface of the base. The pump sucks the gas in the space surrounded by the first region of the base, the wall, and the holding object from the plurality of openings. Thus, the holding device can hold the holding object by sucking gas from the plurality of openings and making the space vacuum.
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
1…研磨装置、2…半導体ウェハ、10…保持装置、11…研磨ヘッド、15…吸着ステージ、16…回転装置、17…ポンプ、21…基部、22…シール部、34…上面、41,41A,41B,41C…吸着孔、42…共通管路部、43,43A,43B,43C…分岐管路部、51…延部、52…接続部、61…第1の部分、62…第2の部分、63…第3の部分、71…格子部、72…壁、Ax…回転中心軸、R…領域、Rs…分割領域。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Polishing apparatus, 2 ... Semiconductor wafer, 10 ... Holding apparatus, 11 ... Polishing head, 15 ... Adsorption stage, 16 ... Rotating device, 17 ... Pump, 21 ... Base part, 22 ... Seal part, 34 ... Upper surface, 41, 41A , 41B, 41C ... adsorption hole, 42 ... common pipe part, 43, 43A, 43B, 43C ... branch pipe part, 51 ... extension part, 52 ... connection part, 61 ... first part, 62 ...
Claims (9)
前記第1の管路部に接続され、前記壁部が保持対象物を支持した場合に当該保持対象物によって閉塞される前記第1の領域と前記壁部とによって囲まれた空間の気体を、前記複数の開口部から前記第1の管路部及び前記複数の第2の管路部を通じて吸引可能なポンプと、
を具備し、
前記第2の管路部は、前記第1の管路部から前記回転中心軸と交差する方向に延びる第1の部分と、前記第1の部分の端部から前記表面に向かって延びる第2の部分と、前記表面に対して傾斜する方向に延びて前記第2の部分と対応する前記開口部とを接続する第3の部分と、を有し、
前記複数の開口部から前記空間に気体を送出可能である、保持装置。 A base portion rotatable around a rotation center axis; a surface provided on the base portion and intersecting the rotation center axis; a wall portion protruding from the surface and surrounding the first region of the surface and having elasticity; A plurality of openings provided in the first region of the surface; a first conduit provided in the base and extending along the rotation center axis; and provided in the base and the first A plurality of second conduit portions that connect the conduit portions and the plurality of openings, and a holding portion,
The gas in the space surrounded by the first region and the wall portion, which is connected to the first pipe line portion and is blocked by the holding object when the wall portion supports the holding object, A pump capable of sucking from the plurality of openings through the first pipe line part and the plurality of second pipe line parts;
Comprising
The second pipe part includes a first part extending from the first pipe part in a direction intersecting the rotation center axis, and a second part extending from an end of the first part toward the surface. And a third portion extending in a direction inclined with respect to the surface and connecting the second portion and the corresponding opening.
A holding device capable of delivering a gas to the space from the plurality of openings.
前記第1の管路部に接続され、前記壁部が保持対象物を支持した場合に当該保持対象物によって閉塞される前記第1の領域と前記壁部とによって囲まれた空間の気体を、前記複数の開口部から前記第1の管路部及び前記複数の第2の管路部を通じて吸引可能なポンプと、
を具備し、
前記第1の領域は、前記回転中心軸の径方向及び周方向において分割された第2の領域を有し、
前記第2の管路部は、一の前記第2の領域に設けられた開口部と、前記径方向及び前記周方向において一の前記第2の領域と異なる位置に配置された他の前記第2の領域に設けられた開口部とに接続されている、保持装置。 A base portion rotatable around a rotation center axis; a surface provided on the base portion and intersecting the rotation center axis; a wall portion protruding from the surface and surrounding the first region of the surface and having elasticity; A plurality of openings provided in the first region of the surface; a first conduit provided in the base and extending along the rotation center axis; and provided in the base and the first A plurality of second conduit portions that connect the conduit portions and the plurality of openings, and a holding portion,
The gas in the space surrounded by the first region and the wall portion, which is connected to the first pipe line portion and is blocked by the holding object when the wall portion supports the holding object, A pump capable of sucking from the plurality of openings through the first pipe line part and the plurality of second pipe line parts;
Comprising
The first region has a second region divided in a radial direction and a circumferential direction of the rotation center axis,
The second pipe line portion includes an opening provided in one of the second regions and the other second portion disposed in a position different from the one second region in the radial direction and the circumferential direction. A holding device connected to an opening provided in the region of 2.
少なくとも一つの前記開口部が、前記複数の第2の領域にそれぞれ設けられる、
請求項1または2のいずれか一つの保持装置。 The first region has a plurality of second regions divided by the wall portion,
At least one of the openings is provided in each of the plurality of second regions;
One of the holding device according to claim 1 or 2.
前記第2の分岐部は、前記第1の管路部から延びるとともに前記第1の分岐部よりも断面積が広い延部と、前記延部と対応する前記開口部とを接続する接続部と、を有し、
前記複数の開口部から前記空間に気体を送出可能である、
請求項1乃至請求項5のいずれか一つの保持装置。 The plurality of second pipe sections are separated from the rotation center axis from the first branch section extending from the first pipe section along the rotation center axis and from the first pipe section. A second branch extending to
The second branch part extends from the first pipe part and has a cross-sectional area wider than that of the first branch part, and a connection part that connects the opening corresponding to the extension part. Have
Gas can be delivered to the space from the plurality of openings.
The holding device according to any one of claims 1 to 5 .
前記基部を前記回転中心軸回りに回転させる回転装置と、
前記ポンプが前記空間を減圧状態にすることで前記保持部に保持された前記保持対象物を加工する加工装置と、
を具備する処理装置。 A holding device according to any one of claims 1 to 8 ,
A rotating device that rotates the base portion around the rotation center axis;
A processing apparatus for processing the object to be held held by the holding unit by causing the pump to reduce the space to a reduced pressure state;
A processing apparatus comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014225620A JP6271396B2 (en) | 2014-11-05 | 2014-11-05 | Holding device and processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014225620A JP6271396B2 (en) | 2014-11-05 | 2014-11-05 | Holding device and processing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016092239A JP2016092239A (en) | 2016-05-23 |
JP6271396B2 true JP6271396B2 (en) | 2018-01-31 |
Family
ID=56017613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014225620A Expired - Fee Related JP6271396B2 (en) | 2014-11-05 | 2014-11-05 | Holding device and processing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6271396B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6907849B2 (en) * | 2017-09-15 | 2021-07-21 | 日本電気硝子株式会社 | Glass plate manufacturing method and manufacturing equipment |
JP7422383B2 (en) * | 2019-05-09 | 2024-01-26 | Aiメカテック株式会社 | Substrate support device and substrate cleaning device |
EP3838513B1 (en) * | 2019-12-20 | 2022-06-22 | Piab Aktiebolag | Compressible sectioning suction cup lip and suction cup comprising the lip |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04324658A (en) * | 1991-04-24 | 1992-11-13 | Canon Inc | Vacuum suction type wafer holding equipment |
JPH06244269A (en) * | 1992-09-07 | 1994-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor manufacturing apparatus, wafer vacuum chuck device thereof, and gas cleaning and nitride film formation therefor |
JP2010153585A (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Ebara Corp | Tool and method for holding substrate |
JP6108803B2 (en) * | 2012-12-07 | 2017-04-05 | 日本特殊陶業株式会社 | Substrate holding member |
-
2014
- 2014-11-05 JP JP2014225620A patent/JP6271396B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016092239A (en) | 2016-05-23 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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