JP6270288B2 - 検査装置、検査方法、汚染防止構造及び露光装置 - Google Patents

Description

本発明は、検査装置、検査方法、汚染防止構造及び露光装置に関するものであり、例えば、マスク検査に利用される検査装置、検査方法、汚染防止構造及び露光装置に関する。

半導体装置の高集積化及び微細化のため、リソグラフィ技術として、露光波長13.5nmの極端紫外線リソグラフィ（EXTREMELY ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY、EUVリソグラフィまたはEUVLとも呼ぶ。）の実用化に向けた技術開発が広く行われている。

EUVLの露光時に利用されるマスク（EUVマスクと呼ぶ。）に欠陥が存在すると、そのEUVマスクを用いて露光したウェハにも欠陥が転写される。したがって、EUVLを行う際には、予めEUVマスクを検査する必要がある。EUVマスクの検査には、EUVLにおける露光光と同じ波長のEUV光を用いるアクティニック（Actinic）検査が不可欠である。

EUV光による検査装置を構成する場合、EUV光は大気中では減衰が大きいため、光学系を真空チャンバー内に配置する必要がある。また、ミラー等の光学系のクリーニング時や飛散するデブリを除去する目的で、水素や窒素といった比較的EUV光の透過率が高い気体を真空チャンバーに導入することもある。

特開２０１３−１２０８６８号公報 特開２０１４−０７１２０８号公報 特開２０１５−１８５６９０号公報

EUVマスクに限らず、一般的に、マスクのエッジ（端部）には、パーティクル等の異物が付着していることが多い。検査用の照射光をマスクに照明すると、端部に付着した異物が熱により反応して、周囲に飛散（発塵）し、汚染の原因となることがある。可視光を用いた従来の検査装置では、マスクの検査領域以外に照明光が入射しないように、シャッター構造等を用いていた。シャッター構造により、マスクの端部を照明する照明光を遮ることができる。これにより、マスクの端部からの発塵を抑制することができる。

また、可視光を用いた検査では、大気圧下で行われるため、シャッター構造を構成するアクチュエータからの発熱により、マスクの端部から異物が飛散（発塵）したとしても、検査領域内における気流によって発塵を原因とする汚染を抑制することができる。

しかしながら、EUV光を用いた検査は、真空中で実施される。このため、アクチュエータからの発熱及び発熱による発塵を気流により除去することはできない。よって、マスクの端部からの発塵が検査に悪影響を及ぼすようになっていた。

また、EUV光を用いた検査では、照明光の開口数（NA）を小さいものとしている。このため、照明光の開口数が大きい検査に比べて、照明光の光軸に沿って集光点から離れた位置でも、光のパワーは減衰せずに大きいものとなっている。したがって、シャッター構造等のマスク以外の部材を照明する照明光のパワーは大きなものとなっていた。これにより、シャッター構造等からの発塵も検査に悪影響を及ぼしていた。EUV光を用いた検査では、真空中で実施されるため、対流による放熱及び気流による発塵の抑制ができないものとなっていた。

本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、マスクの端部に付着したパーティクル等の異物が、検査用の照明光を吸収して発熱し、周囲に飛散することを抑制する検査装置、検査方法、汚染防止構造及び露光装置を提供する。

本発明に係る検査装置は、照明光を生成する光源と、前記光源から取り出された前記照明光によりマスクを照明する照明光学系と、前記マスクが載置されるステージと、前記マスクが前記照明光により照明される際に、前記マスクの端部を照明する前記照明光を遮光するように、前記端部を覆う発塵防止プレートと、照明された前記マスクからの光を集光する集光光学系と、前記集光光学系により集光された前記光を検出する検出器と、を備え、前記発塵防止プレートにおける前記照明光により照明される面は、前記照明光を反射する反射面である。このような構成とすることにより、マスクの端部に付着したパーティクル等の異物が検査用の照明光を吸収して発熱し、周囲に飛散することを抑制することができる。

また、前記発塵防止プレートは、前記ステージに固定され、前記ステージとともに可動である。このような構成により、シャッター構造等を構成するアクチュエータを不要とすることができ、アクチュエータからの発熱を排除することができる。

また、前記発塵防止プレートと、前記マスクとの間隔は2mm以上5mm以下である。このような構成により、照明光のパワーが大きい位置にも、反射面を有する発塵防止プレートを配置することができる。

さらに、前記照明光の開口数は、0.1以上0.4以下である。このような構成とすることにより、照明光のパワーが大きい場合でも、マスクの端部に付着したパーティクル等の異物が検査用の照明光を吸収して発熱し、周囲に飛散することを抑制することができる。

また、前記マスクは、EUVマスクであり、前記照明光は、EUV光を含む。このような構成により、EUVマスクの端部に付着した異物の影響を低減させることができ、EUVマスクの検査を精度よく行うことができる。

さらにまた、前記反射面は、多層膜により形成されている。このような構成とすることにより、反射面における照明光の反射率を向上させることができ、マスクの端部に付着した異物が、検査用の照明光を吸収して発熱し、周囲に飛散することを抑制することができる。

本発明に係る検査方法は、マスクを照明光により照明する際に、前記マスクの端部を照明する前記照明光を遮光するように、前記端部を発塵防止プレートで覆う工程と、光源から取り出された前記照明光により前記端部が前記発塵防止プレートで覆われた前記マスクを照明する工程と、照明された前記マスクからの光を集光し、集光された前記光を検出する工程と、を備える。前記発塵防止プレートにおける前記照明光により照明される面は、前記照明光を反射する反射面である。このような構成とすることにより、マスクの端部に付着したパーティクル等の異物が検査用の照明光を吸収して発熱し、周囲に飛散することを抑制することができる。

本発明に係る汚染防止構造は、マスクが載置されるステージと、前記マスクが照明光により照明される際に、前記マスクの端部を照明する前記照明光を遮光するように、前記端部を覆う発塵防止プレートと、を備え、前記発塵防止プレートにおける前記照明光により照明される面は、前記照明光を反射する反射面である。このような構成とすることにより、マスクの端部に付着したパーティクル等の異物が検査用の照明光を吸収して発熱し、周囲に飛散することを抑制することができる。

本発明に係る露光装置は、露光光を生成する光源と、前記光源から取り出された前記露光光によりマスクを照明する照明光学系と、前記マスクが載置されるステージと、前記マスクが前記露光光により照明される際に、前記マスクの端部を照明する前記露光光を遮光するように、前記端部を覆う発塵防止プレートと、照明された前記マスクからの光を集光する集光光学系と、を備える。前記発塵防止プレートにおける前記露光光により照明される面は、前記露光光を反射する反射面である。このような構成とすることにより、マスクの端部に付着したパーティクル等の異物が露光光を吸収して発熱し、周囲に飛散することを抑制することができる。

本発明によれば、マスクの端部に付着したパーティクル等の異物が検査用の照明光を吸収して発熱し、周囲に飛散することを抑制する検査装置、検査方法、汚染防止構造及び露光装置を提供することができる。

実施形態に係る検査装置を例示した構成図である。 実施形態に係る汚染防止構造を例示した図である。 実施形態に係る照明光のパワー密度を例示したグラフであり、横軸は、集光点からの距離を示し、縦軸は、パワー密度を示す。 実施形態に係る検査方法を例示したフローチャート図である。

以下、本実施形態の具体的構成について図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。

実施形態に係る検査装置１を説明する。図１は、実施形態に係る検査装置を例示した構成図である。図１に示すように、検査装置１は、光源１０、照明光学系２０、ステージ３１、集光光学系４０、検出器５０及びチャンバー６０を備えている。ステージ３１には、検査対象であるマスク７０が保持される。検査装置１は、マスク７０を検査するための装置である。検査装置１は、明視野像、暗視野像等によりマスク７０を検査する。なお、図１では、ＸＹＺの３次元直交座標系を示している。Ｚ軸方向が鉛直方向であり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向が水平方向である。＋Ｚ軸方向を上方向とする。

チャンバー６０内の雰囲気は、検査対象により、適宜設定される。例えば、可視光による検査の場合には、チャンバー６０内は、大気圧としてもよい。また、EUV（Extreme Ultra Violet）光を含む照明光による検査の場合には、チャンバー６０内は、大気圧よりも減圧される。好ましくは、チャンバー６０内は、真空ポンプ（図示せず）により排気された略真空とされる。チャンバー６０内には、検査装置１を構成する光源１０、照明光学系２０、ステージ３１、集光光学系４０、検出器５０が配置される。なお、上記構成部材のうち、いくつか、例えば、光源１０及び検出器５０をチャンバー６０の外に配置してもよい。上記構成部材を大気圧よりも減圧したチャンバー６０内に配置することにより、EUV光の減衰を抑制することができる。

光源１０は、検査対象のマスク７０を照明する照明光１１を生成する。光源１０は、例えば、13.5nmの波長のEUV光を含む照明光１１を生成する。なお、光源１０は、上記の波長以外のEUV光または可視光を含む照明光１１を生成してもよい。

照明光学系２０は、光源１０から取り出された照明光１１によりマスク７０を照明する。照明光学系２０は、照明光１１を検査対象のマスク７０まで導けるように各光学部材の配置及び反射率等が設計されている。照明光１１がEUV光の場合には、照明光学系２０は、EUV光が効率よく利用されるように設計されている。照明光学系２０は、例えば、多層膜凹面鏡２１、多層膜凹面鏡２２及び落とし込みミラー２３を含んでいる。多層膜凹面鏡２１、多層膜凹面鏡２２及び落とし込みミラー２３には、多層膜が形成されている。多層膜は、例えば、シリコン（Si）層とモリブデン（Mo）層とを含んでいる。落とし込みミラー２３は、マスク７０に対して照明光１４を照明する。落とし込みミラー２３は、例えば、フラットミラーである。

多層膜凹面鏡２１は、光源１０から取り出された照明光１１を受光する。多層膜凹面鏡２１は、受光した照明光１１を多層膜凹面鏡２２に対して反射する。多層膜凹面鏡２２は、多層膜凹面鏡２１で反射した照明光１２を受光する。多層膜凹面鏡２２は、受光した照明光１２を落とし込みミラー２３に対して反射する。落とし込みミラー２３は、多層膜凹面鏡２２で反射した照明光１３を受光する。落とし込みミラー２３は、受光した照明光１３をマスク７０に対して反射する。落とし込みミラー２３で反射された照明光１４は、マスク７０を照明する。

照明光１４の光軸のマスク７０に対する中心入射角は、例えば、6°、または、23.6°に設定されている。なお、照明光学系２０は、光源１０から取り出された照明光１４によりマスク７０を照明することができれば、多層膜凹面鏡２１、多層膜凹面鏡２２及び落とし込みミラー２３以外のミラーを含んでもよいし、これらのうちのいくつかのミラーがなくてもよい。

ステージ３１には、マスク７０が載置される。ステージ３１は、載置されたマスク７０とともに水平面内でＸ軸方向及びＹ軸方向に移動することができる。マスク７０は、検査対象となるものである。マスク７０は、パターンが形成されたマスク面７１が照明光１４により照明されるように載置されている。EUVマスクのマスク面７１には、EUVLで形成されたパターンが設けられている。マスク７０がEUVマスクの場合には、照明光１４は、EUV光を含んでいる。マスク７０には、落とし込みミラー２３で反射された照明光１４が照明される。照明光１４により照明されたマスク７０からの光Ｓ１は、反射光または散乱光を含んでいる。

図２は、実施形態に係る汚染防止構造を例示した図である。図１及び図２に示すように、マスク７０の周囲には、汚染防止構造３０が設けられている。汚染防止構造３０は、ステージ３１及び発塵防止プレート３５を備えている。照明光１４がEUV光を含む場合には、少なくともステージ３１及び発塵防止プレート３５は、大気圧よりも減圧されたチャンバー６０内に配置されている。

発塵防止プレート３５は、マスク７０の端部７２の上方に設けられている。発塵防止プレート３５は、例えば、水平方向から見て板状の部材であり、上方から見て、マスク形状に合わせた開口部、例えば、矩形状の開口部を有する部材である。発塵防止プレート３５における円環状の部分は、円板状のマスク７０の端部７２に沿うように配置されている。このようにして、発塵防止プレート３５は、マスク７０の端部７２の上方を覆っている。上方から見て、発塵防止プレート３５の中央の孔の部分には、EUVマスク７０の端部７２以外の部分が配置されている。

発塵防止プレート３５は、例えば、ステージ３１の外周部に設けられた外枠３２に固定されている。これにより、発塵防止プレート３５は、ステージ３１と共に水平面内でＸ軸方向及びＹ軸方向に移動することができる。

発塵防止プレート３５は、マスク７０が照明光１４により照明される際に、マスク７０の端部７２を照明する照明光１４を遮光するように、端部７２を覆っている。発塵防止プレート３５における照明光１４により照明される面、すなわち、発塵防止プレート３５における照明光１４の入射側の面は、照明光１４を反射する反射面３６として形成されている。反射面３６は、照明光１４を反射する部材で形成されることが好ましい。反射面３６は、照明光１４の波長に応じて反射率を向上させてもよい。また、反射面３６は、研磨により形成されてもよい。さらに、照明光１４がEUV光を含む場合には、発塵防止プレート３５における反射面３６は、多層膜により形成されてもよい。13.5nmの波長のEUV光を含む照明光１４に対しては、シリコン（Si）層及びモリブデン（Mo）層を含む多層膜が形成されることが好ましい。

また、反射面３６は、照明光１４を、入射する方向と逆方向に反射するように形成されてもよい。例えば、照明光１４が落とし込みミラー２３により反射した照明光１４である場合には、反射面３６は、照明光１４を落とし込みミラー２３に対して反射するように設定されることが好ましい。例えば、照明光１４が、反射面３６に対して垂直に入射する場合には、反射面３６は平面であることが好ましい。

水平方向から見て、発塵防止プレート３５の下面と、マスク７０のマスク面７１との間には間隔３７が設けられている。間隔３７は、検査対象、検査光、照明光の開口数（NA）等に応じて適宜設定される。

図３は、実施形態に係る照明光のパワー密度を例示したグラフであり、横軸は、照明光の集光点からの距離を示し、縦軸は、パワー密度を示す。図３において実線は照明光の開口数（NA）が0.1の場合を示し、鎖線は照明光の開口数（NA）が0.4の場合を示す。

図３に示すように、照明光１４の集光点におけるパワー密度を１とする。光軸に沿って集光点からの距離が大きくなるほど、パワー密度は減少している。パワー密度が大きい照明光により照明された面は熱を発生する。そして、発生した熱は、発塵を引き起こす。発塵を引き起こす光のパワー密度は、集光点のパワー密度の24%以上、すなわち、図３におけるパワー密度が0.24以上であることが見出されている。

したがって、図３に示すように、集光点から5mm以下の、パワー密度が0.24以上となる位置にシャッター構造等の部材を配置すると、照明光１４により照明される面は熱を発生し、発塵を引き起こす。よって、本来は、集光点から5mm以下の位置には、パーティクルを発生する可能性があるシャッター構造等を配置することはできない。しかしながら、本実施形態の発塵防止プレート３５のように、照射される面が反射面３６となっていると、照明光１４の吸収による発熱が抑制され、発塵を抑制することができる。よって、発塵防止プレート３５の場合には、集光点から5mm以下の位置にも配置させることができる。

一方、マスク面７１との間隙が2mmよりも小さくなると、ステージ３１へのマスク７０の固定及びステージ３１からのマスク７０の取り出し等の操作が困難となる。よって、図３に示すように、発塵防止プレート３５とマスク７０との間隔は、2mm以上5mm以下であることが好ましい。また、図３に示すように、照明光１４の開口数（NA）が、0.1以上0.4以下であることが好ましい。

図１に示すように、集光光学系４０は、照明されたマスク７０からの光Ｓ１を集光する。マスク７０からの光Ｓ１は、例えば、マスク７０による正反射光を含んでいる。集光光学系４０は、例えば、シュバルツシルト光学系である。集光光学系４０は、光Ｓ１を検出器５０まで導けるように各光学部材の配置及び反射率等が設計されている。光Ｓ１がEUV光を含む場合には、集光光学系４０は、EUV光が効率よく利用されるように設計されている。集光光学系４０は、例えば、凹面鏡４１、凸面鏡４２、平面鏡４３及び凹面鏡４４を、含んでいる。このような構成とすることにより、集光光学系４０は、１００倍以上の拡大光学系となっている。

凹面鏡４１は、マスク７０からの光Ｓ１を受光する。凹面鏡４１は、受光した光Ｓ１を凸面鏡４２に対して反射する。凸面鏡４２は、凹面鏡４１で反射した光Ｓ２を受光し、受光した光Ｓ２を平面鏡４３に対して反射する。凸面鏡４２で反射された光Ｓ３は、開口部４１ａを通って平面鏡４３に到達する。平面鏡４３は、凸面鏡４２で反射した光Ｓ３を受光し、受光した光Ｓ３を凹面鏡４４に対して反射する。凹面鏡４４は、平面鏡４３で反射した光Ｓ４を受光し、検出器に対して反射する。凹面鏡４４で反射した光Ｓ５は、検出器５０に入射する。なお、集光光学系４０は、マスク７０からの光Ｓ１を集光し、検出器５０に対して反射すれば、この構成に限らない。

検出器５０は、例えば、ＴＤＩセンサーである。検出器５０は、集光光学系４０により集光された光Ｓ５を検出する。これにより、検出器５０は、マスク７０の、例えば、明視野像を取得する。このようにして、検査装置１は、マスク７０のパターン検査を行うことができる。なお、検査装置１による検査は、明視野像によるパターン検査に限らない。マスク７０からの回折光を集光する暗視野像による検査でもよい。

次に、本実施形態に係る検査方法を説明する。図４は、実施形態に係る検査方法を例示したフローチャート図である。図４のステップ５１に示すように、まず、マスク７０を照明光１４により照明する際に、マスク７０の端部７２を照明する照明光１４を遮光するように、マスク７０の端部７２を発塵防止プレート３５で覆う。このとき、発塵防止プレート３５における照明光１４により照明される面は、照明光１４を反射する反射面３６として形成されている。

次に、ステップ５２に示すように、光源１０から取り出された照明光１４により、マスク７０の端部７２が発塵防止プレート３５で覆われたマスク７０を照明する。次に、ステップ５３に示すように、照明されたマスク７０からの光を集光し、集光された光を検出する。このようにして、マスク７０の検査をすることができる。

本実施形態に係る検査装置１によれば、マスク７０の周囲には、汚染防止構造３０が設けられている。すなわち、マスク７０を載置するステージ３１と、マスク７０の端部７２を覆う発塵防止プレート３５が設けられている。そして、発塵防止プレート３５には、照明光１４を反射する反射面３６が形成されている。これにより、マスク７０の端部７２に付着したパーティクル等の異物が検査用の照明光１４を吸収して発熱し、周囲に飛散（発塵）することを抑制することができる。

また、ステージ３１等、マスク７０の端部７２以外の構成物を発塵防止プレート３５で覆うことにより、その部分からのパーティクル等の異物の飛散（発塵）を抑制することができる。

発塵防止プレート３５の反射面３６は、照明光１４の吸収を抑制させるために、照明光１４に対して反射率が高いものとすることができる。よって、照明光１４の吸収による発熱を抑制することができる。

一般的に、シャッター構造等の光路以外の部分の光学部材は、光を吸収するように黒色の部材とされている。しかし、黒色の部材であると、照明光１４を吸収して発熱する。そして、発熱によってパーティクル等の異物が飛散し、光学系の汚染の原因となっていた。本実施形態では、照明光１４により照明される面を反射面３６としているので、照明光１４を吸収して発熱し、異物を周囲に飛散させることを抑制することができる。

また、発塵防止プレート３５は、ステージ３１に固定され、ステージ３１とともに可動とされている。よって、シャッター構造等を構成するアクチュエータを不要とすることができ、アクチュエータからの発熱を排除することができる。

さらに、発塵防止プレート３５と、マスク７０との間隔を2mm以上5mm以下としている。よって、照明光１４のパワーが大きい位置にも、反射面３６を有する発塵防止プレート３５を配置することができる。

発塵防止プレート３５と、マスク７０との間隔を2mm以上5mm以下とすることにより、発塵防止プレート３５は、マスク７０のバリアとしての機能を有する。これにより、パーティクル等の異物が、マスク７０の周囲からマスク面７１に侵入・飛来することを抑制することができる。

反射面３６は、照明光１４を入射する方向と逆方向に反射するように形成されてもよい。すなわち、照明光１４が落とし込みミラー２３により反射した照明光１４である場合には、反射面３６は、照明光１４を落とし込みミラー２３に対して反射するように設定されている。これにより、発塵防止プレート３５の反射面３６で反射した光は、発塵の原因となる異物が付着した他の光学部材を照明しないようにすることができる。よって、反射面３６で反射させた光による発塵を抑制することができる。

発塵防止プレート３５は、反射面３６を有しているので、開口数NAが0.1以上0.4以下のパワーの減衰が少ない照明光１４においても、照明光１４の吸収による発熱で異物が周囲に飛散することを抑制することができる。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態よる限定は受けない。

例えば、本実施形態における汚染防止構造３０を、露光装置に適用してもよい。すなわち、露光装置は、露光光を生成する光源と、光源から取り出された露光光によりマスク７０を照明する照明光学系と、マスク７０が載置されるステージ３１と、マスク７０が露光光により照明される際に、マスク７０の端部７２を照明する露光光を遮光するように、端部７２を覆う発塵防止プレート３５と、照明されたマスク７０からの光を集光する集光光学系と、を備え、発塵防止プレート３５における露光光により照明される面は、露光光を反射する反射面３６としてもよい。

露光装置における発塵防止プレート３５を、検査装置１における発塵防止プレート３５と同様のものを用いてもよい。例えば、発塵防止プレート３５をステージ３１に固定してもよいし、発塵防止プレート３５と、マスク７０との間隙を2mm以上5mm以下としてもよい。露光光の開口数を0.1以上0.4以下としてもよいし、マスク７０をEUVマスクとし、照明光１４に、EUV光を含ませてもよい。反射面３６は、多層膜により形成してもよい。このような構成とすることにより、マスク７０の端部７２に付着したパーティクル等の異物が露光光を吸収して発熱し、周囲に飛散することを抑制することができる。

１ 検査装置
１０ 光源
１１ 照明光
１２ 照明光
１３ 照明光
１４ 照明光
２０ 照明光学系
２１ 多層膜凹面鏡
２２ 多層膜凹面鏡
２３ 落とし込みミラー
３０ 汚染防止構造
３１ ステージ
３２ 外枠
３５ 発塵防止プレート
３６ 反射面
３７ 間隔
４０ 集光光学系
４１ 凹面鏡
４１ａ 開口部
４２ 凸面鏡
４３ 平面鏡
４４ 凹面鏡
５０ 検出器
５１、５２、５３ ステップ
６０ チャンバー
７０ マスク
７１ マスク面
７２ 端部

Claims (9)

1. 照明光を生成する光源と、
   前記光源から取り出された前記照明光によりマスクを照明する照明光学系と、
   前記マスクが載置されるステージと、
   前記マスクが前記照明光により照明される際に、前記マスクの端部を照明する前記照明光を遮光するように、前記端部を覆う発塵防止プレートと、
   照明された前記マスクからの光を集光する集光光学系と、
   前記集光光学系により集光された前記光を検出する検出器と、
   を備え、
   前記発塵防止プレートにおける前記照明光により照明される面は、前記照明光を反射する反射面である検査装置。
2. 前記発塵防止プレートは、前記ステージに固定され、前記ステージとともに可動である請求項１に記載の検査装置。
3. 前記発塵防止プレートと、前記マスクとの間隔は2mm以上5mm以下である請求項１または２に記載の検査装置。
4. 前記照明光の開口数は、0.1以上0.4以下である請求項１〜３のいずれか一項に記載の検査装置。
5. 前記マスクは、EUVマスクであり、前記照明光は、EUV光を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の検査装置。
6. 前記反射面は、多層膜により形成されている請求項１〜５のいずれか一項に記載の検査装置。
7. マスクを照明光により照明する際に、前記マスクの端部を照明する前記照明光を遮光するように、前記端部を発塵防止プレートで覆う工程と、
   光源から取り出された前記照明光により前記端部が前記発塵防止プレートで覆われた前記マスクを照明する工程と、
   照明された前記マスクからの光を集光し、集光された前記光を検出する工程と、
   を備え、
   前記発塵防止プレートにおける前記照明光により照明される面は、前記照明光を反射する反射面である検査方法。
8. マスクが載置されるステージと、
   前記マスクが照明光により照明される際に、前記マスクの端部を照明する前記照明光を遮光するように、前記端部を覆う発塵防止プレートと、
   を備え、
   前記発塵防止プレートにおける前記照明光により照明される面は、前記照明光を反射する反射面である汚染防止構造。
9. 露光光を生成する光源と、
   前記光源から取り出された前記露光光によりマスクを照明する照明光学系と、
   前記マスクが載置されるステージと、
   前記マスクが前記露光光により照明される際に、前記マスクの端部を照明する前記露光光を遮光するように、前記端部を覆う発塵防止プレートと、
   照明された前記マスクからの光を集光する集光光学系と、
   を備え、
   前記発塵防止プレートにおける前記露光光により照明される面は、前記露光光を反射する反射面である露光装置。

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