JP6241216B2 - センサーデバイス、センサーユニット及び電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、センサーデバイス、センサーユニット及び電子機器等に関する。
マスター−スレーブ間の通信方式として、SPI(Serial Peripheral Interface)という通信規格が知られている。特許文献1の図3は、マスターデバイスと複数のスレーブデバイスとを、SPI方式の3本の配線にチップセレクト配線を追加した計4本(クロック、データイン、データアウト、チップセレクト)の配線で接続することを開示している。
特開2005−141412号公報
特許文献1の図3に示すように、3つのスレーブデバイスがホストデバイスと4本の配線に共通接続されるためには、3つのスレーブデバイスの向きを揃えなければならない。もし一つのスレーブデバイスの向きを異ならせると、その一つのスレーブデバイスへの配線のために4本の配線を引き回さなくてはならない。冗長な配線を回避するには、配線が交差して短絡しないように多層配線としなければならない。センサーデバイスのように検出軸が異なると、複数のセンサーデバイスの向きを変える必要があり、冗長な配線の引き回しや多層配線基板の使用が余儀なくされる。
本発明の幾つかの態様は、デバイスの向きに応じて端子の配列を変更することで、冗長な配線の引き回しや多層配線基板の使用を不要としたセンサーデバイス及びセンサーユニット等を提供することを目的とする。
本発明の他の幾つかの態様は、SPIを採用しながらホストデバイスと複数のセンサーデバイスとの間で一斉に送受信することができるセンサーユニット等を提供することを目的とする。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または態様として実現することが可能である。
(1)本発明の一態様は、
矩形の輪郭の一辺と平行な第1方向に沿って設けられたN(Nは複数)個の外部端子と、
前記N個の外部端子と対応するN個の内部ノードと、
前記N個の外部端子と前記N個の内部ノードとの間に配置された接続切り替え部と、
前記N個の外部端子と前記N個の内部ノードとの間に配置され、前記N個の外部端子の各々を、入力端子、出力端子及びハイインピース状態の一つに切り替えるN個の端子切り替え部と、
前記接続切り替え部と前記N個の端子切り替え部との切り替え状態を設定する設定部と、
を有し、
前記接続切り替え部は、前記設定部により第1接続状態と第2接続状態とに切り替えられ、前記第1接続状態では、前記第1方向の上流から下流に向かう正順方向でn(1≦n≦N)番目に位置する内部ノード及び外部端子同士を接続し、前記第2接続状態では、前記正順方向でn番目に位置する内部ノードと、前記第1方向の下流から上流に向かう逆順方向でn番目に位置する外部端子とを接続するセンサーデバイスに関する。
本発明の一態様では、接続切り替え部が第1接続状態と第2接続状態とに切り替えることで、N個の外部端子とN個の内部ノードとの接続が切り換えられ、N個の外部端子の機能を変更できる。よつて、センサーデバイスの取付向きを変更しても、他のセンサーデバイスと同じ並びでN個の外部端子を機能させることが可能となる。それにより、冗長な配線の引き回しや多層配線基板の使用を不要とすることができる。
(2)本発明の一態様では、前記一辺と対向する対向辺側に少なくとも一つの外部端子をさらに設けることができる。こうすると、矩形の一辺から対向辺に向けてセンサーデバイスの下面に配線を通すと、一辺上のN個の外部端子と対向辺上の少なくとも一つの外部端子とが、配線を介して短絡する虞がある。本発明の一態様によれば、センサーデバイスの下面を迂回させることなく、配線を最短としながら第1,第2のセンサーデバイス同士を接続することができる。
(3)本発明の一態様では、前記N個の端子切り替え部の各々は、前記N個の外部端子の一つに共通接続される入力素子及び出力素子を含むことができ、前記設定部は、前記入力素子を入力可能状態/入力不能状態に切り替える入力イネーブル信号と、前記出力素子を出力可能状態/ハイインピーダンス状態に切り替える出力イネーブル信号とを出力することができる。
こうすると、このような構成を有する2つの第1及び第2のセンサーデバイスを用いる場合、第1及び第2のセンサーデバイスの一方に入力されるべきデータが、共通配線を介して第1及び第2のセンサーデバイスの他方に誤入力されることを防止できる。
(4)本発明の一態様では、前記N個の外部端子は、チップセレクト端子CS、シリアルデータイン端子SDI、シリアルデータアウト端子SDO及びクロック端子CLKの4端子を含むことができる。
(5)本発明の一態様では、前記N個の外部端子は、チップセレクト端子CS、シリアルデータイン/アウト双方向端子SDIO及びクロック端子CLKの3端子を含むことができる。
上述した(4)または(5)の構成によれば、最小の配線でセンサーデバイスをホストデバイスと接続することができる。
(6)本発明の他の態様は、
N本の配線が形成された配線基板と、
前記配線基板の第1面に搭載され、前記N本の配線に接続される第1センサーデバイスと、
前記配線基板の前記第1面と交差する第2面に搭載され、前記N本の配線に接続される前記第1センサーデバイスとは異なる検出軸を有する第2センサーデバイスと、
を有し、
前記第1及び第2のセンサーデバイスの各々が、上述した(1)〜(5)のいずれ記載のセンサーデバイスにて構成され、
前記第1のセンサーデバイスが前記第1接続状態に設定され、前記前記第2のセンサーデバイスが前記第2接続状態に設定されるセンサーユニットに関する。
本発明の他の態様によれば、第1及び第2のセンサーデバイスの各N個の外部端子が接近する位置関係で配置しても、第1方向の上流から下流に向かう正順方向でn(1≦n≦N)番目に位置する外部端子同士を共通配線に接続することができる。それにより、冗長な配線の引き回しや多層配線基板の使用を不要とすることができる。
(7)本発明のさらに他の態様は、
N本の配線が形成された配線基板と、
前記配線基板の第1面に搭載され、前記N本の配線に接続される第1センサーデバイスと、
前記配線基板の前記第1面と交差する第2面に搭載され、前記N本の配線に接続される前記第1センサーデバイスとは異なる検出軸を有する第2センサーデバイスと、
前記配線基板の前記N本の配線に接続されるホストデバイスと、
を有し、
前記第1及び第2のセンサーデバイスの各々が、上述した(3)〜(5)のいずれか記載のセンサーデバイスにて構成され、
前記第1のセンサーデバイスにて前記正順方向にてn番目の外部端子に前記ホストデバイスからデータインされる時には、前記第2のセンサーデバイスにて前記正順方向にてn番目の外部端子はハイインピーダンス状態に設定されるセンサーユニットに関する。
こうすると、第1及び第2のセンサーデバイスの一方に入力されるべきデータが、共通配線を介して第1及び第2のセンサーデバイスの他方に誤入力されることを防止できる。
(8)本発明のさらに他の態様は、
N本の配線が形成された配線基板と、
前記配線基板の第1面に搭載され、前記N本の配線に接続される第1センサーデバイスと、
前記配線基板の前記第1面と交差する第2面に搭載され、前記N本の配線に接続される前記第1センサーデバイスとは異なる検出軸を有する第2センサーデバイスと、
前記配線基板の前記N本の配線に接続されるホストデバイスと、
を有し、
前記第1及び第2のセンサーデバイスの各々が、上述した(4)記載のセンサーデバイスにて構成され、
前記ホストデバイスより、前記第1及び第2のセンサーデバイスの前記チップセレクト端子CSにアクティブ信号が入力され、前記第1のセンサーデバイスの前記シリアルデータイン端子に、前記第1及び第2のセンサーデバイスの双方を指定するグローバルアドレス信号及びコマンド信号が入力されて、前記ホストデバイスから前記第1及び第2のセンサーデバイスにデータが一斉に送信されるセンサーユニットに関する。
(9)本発明のさらに他の態様は、
N本の配線が形成された配線基板と、
前記配線基板の第1面に搭載され、前記N本の配線に接続される第1センサーデバイスと、
前記配線基板の前記第1面と交差する第2面に搭載され、前記N本の配線に接続される前記第1センサーデバイスとは異なる検出軸を有する第2センサーデバイスと、
前記配線基板の前記N本の配線に接続されるホストデバイスと、
を有し、
前記第1及び第2のセンサーデバイスの各々が、上述した(5)記載のセンサーデバイスにて構成され、
前記ホストデバイスより、前記第1及び第2のセンサーデバイスの前記チップセレクト端子CSにアクティブ信号が入力され、前記第1のセンサーデバイスの前記シリアルデータイン/アウト双方向端子に、前記第1及び第2のセンサーデバイスの双方を指定するグローバルアドレス信号及びコマンド信号が入力されて、前記ホストデバイスから前記第1及び第2のセンサーデバイスにデータが一斉に送信されるセンサーユニットに関する。
上述した(8)または(9)によれば、ホストデバイスが第1,第2のセンサーデバイスをグローバルアドレスにより同時に指定することで、ホストデバイスから前記第1及び第2のセンサーデバイスにデータが一斉に送信することができ、SPI規格以上の送信効率を達成できる。
(10)本発明のさらに他の態様は、上述した(6)〜(9)のいずれか記載のセンサーユニットを有する電子機器を定義している。
本発明の一態様に係るセンサーデバイスのブロック図である。 第1接続状態の第1のセンサーデバイスと第2接続状態の第2のセンサーデバイスを最短の配線で接続した配置例を示す図である。 I/O回路のロジック回路図である。 I/O回路の真理値を示す図である。 本発明の一態様に係る3軸センサーユニットの概略斜視図である。 ホストデバイスをマスターとし、第1〜第3のセンサーデバイスをスレーブとし、マスター−スレーブ間の通信方式を説明するための図である。 マルチスレーブのSPIコマンド体系を説明するための図である。 マスター−スレーブ間の他の通信方式を説明するための図である。 マルチスレーブの他のSPIコマンド体系を説明するための図である。
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態の一例について説明する。但し、本発明を適用可能な実施形態が以下説明する実施形態に限定されるわけでないことは勿論である。
1.センサーデバイス
図1に本発明の一態様に係るセンサーデバイス10のブロック図を示す。図1において、センサーデバイス10は、センサー素子例えばジャイロセンサー20と、センサーIC100とを含んでいる。センサーデバイス10は、ジャイロセンサー20の検出軸の周りの角速度信号を検出する。
センサーIC100は、ジャイロセンサー20からの角速度信号をQ−V回路等で検出して増幅する検出回路、駆動回路を含むアナログ回路110を含む。アナログ回路110からのアナログ信号はアナログ−デジタル変換器120にてデジタル信号に変換される。デジタル信号処理回路(DSP)130は、デジタル信号にフィルタ処理等を実施する。これらアナログ回路110、AD変換器120及びDSP130は、MPU140により制御される。
ジャイロセンサーIC100は、矩形のデバイス輪郭の一辺11に、第1方向D1に沿ってN=4個の外部端子P1〜P4を有する。なお、ジャイロセンサーIC100は、一辺11と対向する対向辺12に、ジャイロセンサー20との接続端子や、他の外部端子P5〜P7を有することができる。外部端子P5はVDD端子、外部端子P6はVSS端子、外部端子P7はメモリ書込み用高電圧端子VPPとすることができる。
N個の外部端子P1〜P4は、端子切り換え機能により2つの機能に切り替え可能である。外部端子P1はチップセレクト端子CS/シリアルデータアウト端子SDOに切り替え可能である。外部端子P2は、シリアルクロック端子SCLK/シリアルデータイン端子SDIに切り替え可能である。外部端子P3は、シリアルデータイン端子SDI/シリアルクロック端子SCLKに切り替え可能である。外部端子P4は、シリアルデータアウト端子SDO/チップセレクト端子CSに切り替え可能である。
ジャイロセンサーIC100には、N個の外部端子P1〜P4と対応するN個の内部ノードN1〜N4が設けられている。内部ノードN1はチップセレクト用ノードであり、内部ノードN2はシリアルクロック用ノードであり、内部ノードN3はシリアルデータイン用ノードであり、内部ノードN4はシリアルデータアウト用ノードである。
N個の外部端子P1〜P4とN個の内部ノードN1〜N4との間には、N個の外部端子P1〜P4の各々を、入力端子、出力端子及びハイインピース状態の一つに切り替えるN個のI/O回路(端子切り替え部)151〜154が設けられている。N個の外部端子P1〜P4とN個の内部ノードN1〜N4との間にはさらに、マルチプレクサ(接続切り替え部)160が設けられている。また、N個のI/O回路151〜154とマルチプレクサ160との切り替え状態を設定する設定部として、不揮発性メモリ170が設けられている。
不揮発性メモリ170の設定により、マルチプレクサ160はN個の外部端子P1〜P4とN個の内部ノードN1〜N4との接続を第1接続状態と第2接続状態とに切り替えることができる。第1接続状態では、第1方向D1の上流から下流に向かう正順方向D1でn(1≦n≦N)番目に位置する内部ノード及び外部端子同士を接続する。これにより、P1−N1、P2−N2、P3−N3及びP4−N4の接続状態が実現される。第2接続状態では、第1方向D1の上流から下流に向かう正順方向D1でn番目に位置する内部ノードと、第1方向D1の下流から上流に向かう逆順方向D2でn番目に位置する外部端子とを接続する。これにより、P1−N4、P2−N3、P3−N2及びP4−N1の接続状態が実現される。
マルチプレクサ160が第1接続状態と第2接続状態とに切り替えることで、N個の外部端子P1〜P4とN個の内部ノードN1〜N4との接続が切り換えられ、N個の外部端子P1〜P4の機能を変更できる。よつて、図2に示すように、第1接続状態に設定される第1のセンサーデバイス10Aに対して、左回りに180°回転させて配置される第2のセンサーデバイス10Bは、第2の接続状態に切り替えられる。こうすると、図2に示すように、第1,第2のセンサーデバイス10A,10Bを最短の配線で接続するために外部端子P1〜P4同士を対向させることができる。それにより、冗長な配線の引き回しや多層配線基板の使用を不要とすることができる。
図3は、N個のI/O回路151〜154に共通の構成を示す図である。I/O回路151は、出力バッファ155とアンドゲート156を有する。出力バッファ155の出力線とアンドゲート156の第1入力線とが外部端子P1に共通接続されている。アンドゲート156の第2入力線には、不揮発性メモリ170からのインプットイネーブル信号IEが入力される。出力バッファ155は、不揮発性メモリ170からのアウトプットイネーブル信OEにより出力能状態/Hi−z(ハイインピーダンス状態)が切り替えられる。図4に、IE/OEの論理とI/O回路151の状態との関係を示した。
次に、MPU140について図1を参照して説明する。MPU140は、内部ノードN3(SDI)に接続されるシリアルパラレル(S/P)変換回路141と、内部ノードN4(SDO)に接続されるにパラレルシリアル(P/S)変換回路142とを有する。P/S変換回路142はDSP130に接続され、検出された角速度信号を内部ノードN2(SCLK)に同期し、シリアル変換して内部ノードN4(SDO)を介して外部にシリアル出力する。S/P変換回路141は、内部ノードN3を介してコマンド/データが入力され、内部ノードN2(SCLK)に同期し、パラレル変換してコマンドデコーダ143またはスレーブ選択レジスタ144に出力する。コマンドデコーダ143はコマンドをデコードし、コマンドの後に入力されるデータを格納するレジスタ145〜147を指定する。スレーブ選択レジスタ144は、内部ノードN1に接続されるチップセレクト端子CSへの信号がアクティブとなった後に入力されるスレーブアドレスと、予め設定されたアドレスとを比較し、その後の動作を制御する。レジスタ145〜147は、例えばアナログ回路110、AD変換器120及びDSP130の制御データを格納する領域として用いられる。
2.センサーユニット
図5は、本発明の一態様に係る3軸センサーユニット200の概略斜視図である。3軸センサーユニット200は、第1〜第3のセンサーデバイス10A〜10Cと、N=4本の配線(CS,SCK,SDI,SDO)が形成された配線基板210(210A,210B210C)とを有する。配線基板210は一枚のフレキシブル印刷回路基板でも良いが、本実施例では互いに直交関係にある3枚のリジット基板210A,20B,210Cとしている。第1〜第3のセンサーデバイス10A〜10Cは検出軸をX,Y,Z軸とする。このため、X軸ジャイロセンサーデバイス10A、Y軸ジャイロセンサーデバイス10B、Z軸ジャイロセンサーデバイス10Cとも称する。3軸センサーユニット20は、撮像装置等の各種電子機器に搭載して姿勢制御などに用いることができる。
3枚のリジット基板210A,20B,210Cの外表面にはN=4本の配線(CS,SCK,SDI,SDO)が形成される。配線の一部は第1のセンサーデバイス10Aの下面に延びているが、対向辺12に到達する前にスルーホール211を介して裏面に引き出されている。第1〜第3のセンサーデバイスをスレーブとするホストデバイス30は、基板210Aの裏面にて4本の配線と接続されている。
図5に示す構造を得るために、第1及び第3のセンサーデバイス10A,10Cはマルチプレクサ160により第1の接続状態に設定される一方で、第2のセンサーデバイス10Bは第2の接続状態に設定される。こうして、冗長な配線の引き回しや多層配線基板の使用を不要とすることができる。
図6は、ホストデバイス30をマスターとし、第1〜第3のセンサーデバイス10A〜10Cをスレーブとし、マスター−スレーブ間の通信方式を説明するための図である。本実施形態では、2ビットのスレーブアドレスとし、第1のセンサーデバイス10Aは(01)、第2のセンサーデバイス10Bは(10)、第3のセンサーデバイス10Cは(11)とし、グローバルアドレスを(00)としている。グローバルアドレス(00)は、第1〜第3のセンサーデバイス10A〜10Cを同時に指定するものである。
図7は、反転チップセレクトXCS、シリアルクロックSCLK、シリアルデータインSDI及びシリアルデータアウトSDOの一例を示している。反転チップセレクトXCSがアクティブLOWとなると、シリアルクロックSCLKに同期して、シリアルデータインSDIにコマンド(R/W)、スレーブアドレスA[1:0]、コマンドC[4:0]、レジスタへの転送データP[7:0]が送信される。コマンド(R/W)はスレーブアドレスa[1:0]の後でも良い。
ここで、センサーユニット200への電源投入後、不揮発性メモリ170に格納されている値から、外部端子P1〜P4がSPI通信のどの機能(CS、SCLK、SDI、SDO)に割り当てられているか判断し、マルチプレクサ160およびI/O回路151〜154の設定を行う。なお、不揮発性メモリ170に限らず、外部端子により設定しても良い。その後、図7の通りSPI通信を行う。通信開始直後にセンサーデバイス10A〜10Cに設定してあるスレーブアドレスと、通信で入力された値とを例えばスレーブ選択レジスタ144が比較し、合致した場合はその後の通信を行う。コマンドデコーダ143がライトコマンドをデコーダすると、スレーブ選択レジスタ144で選択されたレジスタ145〜147の値が書き換えられる。コマンドデコーダ143がリードコマンドをデコーダすると、内部ノードN4のSDOと接続された外部端子が不揮発性メモリ170の設定により出力可能状態となり、角速度データがホストデバイス30に送信される。
スレーブアドレスと通信で入力された値とが合致しなかった場合では、コマンドデコーダ143がリードコマンドをデコーダしても、レジスタ145〜147の値は変更されない(書き込みは強制的にディセーブルされる)。コマンドデコーダ143がライトコマンドをデコーダすると、内部ノードN4のSDOと接続された外部端子が不揮発性メモリ170の設定によりハイインピーダンス状態とされる。
次に、コマンドが入力された場合のセンサーデバイスの具体的な内部処理の例として、スリープモードにするための処理について説明する。先ず、スリープさせるためのコマンドデータがS/P変換回路141に入力される。S/P変換回路141は、シリアルのコマンドデータをパラレルデータに変換し、コマンドデコーダ143に出力する。コマンドデコーダ143は、スリープコマンドに対応するレジスタを選択し、選択されたレジスタにコマンドデータを出力する。スリープコマンドに対するレジスタは、スリープコマンドが書き込まれたら、スリープ動作させるための信号を、IC100内のスリープ動作に関係する部分に出力する。例えば、スリープ動作させるための信号を、アナログ回路110のセンサー素子を駆動するための駆動回路やAD変換器120に出力する。アナログ回路110内のセンサー素子を駆動するための駆動回路では、例えば、特許第5104094号に記載されているようなスリープ動作を行う。AD変換器120では、AD変換の処理を停止する処理を行う。なお、スレーブアドレスとしてグローバルアドレスが指定されれば、上述したスリープ動作は全てのスレーブデバイス10A〜10Cにて一斉に実施される。このグローバルアドレスの指定は、外部端子P1〜P4と内部ノードN1〜N4との接続切り替えを実施するマスター−スレーブ装置やセンサーデバイスの通信に限らず、マスター−スレーブ間の通信に広く適用できる。
図8は、マスター−スレーブ間の他のSPI通信形式を説明するための図である。図8では、図6とは異なりN=3本の配線(XCS,SDIO,SCLK)を有する。図6に示すシリアルデータインSDIとシリアルデータアウトSDOとが1本のシリアルデータイン/アウトSDIOに統一されている。この場合、第1〜第3のセンサーデバイス10A〜10Cにも外部端子P1〜P3の一つが、シリアルデータイン/アウト双方向端子となる。
ここで、コマンドでライト(W)が指定された場合、図6と同様にホストデバイス30から第1〜第3のセンサーデバイス10A〜10Cの少なくとも一つにデータが書き込まれる。コマンドでリード(R)が指定された場合、図9に示すように1バイト目はホストデバイス30からスレーブ(第1〜第3のセンサーデバイス10A〜10C)への入力となり、次の1バイトはスレーブアドレスで指定されたスレーブ(例えば第1のセンサーデバイス10A)からホストデバイス30への読み出しとなり、他の第2および第3のセンサーデバイス10B,10Cのシリアルデータイン/アウト双方向端子はハイインピーダンス状態となる。
本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また、上述の実施形態では、通信方式としてSPIを例として説明したが、SPIと類似の通信方式に対しても本発明を適用可能である。
10,10A〜10B センサーデバイス、20 センサー素子、100 センサーIC、151〜154 N個の端子切り替え部(I/O回路)、160 接続切り替え部(マルチプレクサ)、170 設定部(不揮発性メモリ)、200 センサーユニット、210,210A〜210C 基板、N1〜N4 N個の内部ノード、P1〜P4 N個の外部端子

Claims (10)

  1. 平面視で矩形の輪郭を有するセンサーデバイスであって、
    前記矩形の輪郭の一辺と平行な第1方向に沿って設けられたN(Nは2以上の整数)個の外部端子と、
    前記N個の外部端子と対応するN個の内部ノードと、
    前記N個の外部端子と前記N個の内部ノードとの接続状態を切り替える接続切り替え部と、
    前記N個の外部端子と前記N個の内部ノードとの間に接続され、前記N個の外部端子の各々を、入力端子、出力端子及びハイインピース状態のうちのいずれか一つに切り替えるN個の端子切り替え部と、
    前記接続切り替え部の切り替え状態および前記N個の端子切り替え部切り替え状態を設定する設定部と、
    を有し、
    前記接続切り替え部は、前記設定部により第1接続状態と第2接続状態とに切り替えられ、前記第1接続状態では、前記第1方向の上流から下流に向かう正順方向でn(1≦n≦N)番目に位置する内部ノード外部端子とを接続し、前記第2接続状態では、前記正順方向でn番目に位置する内部ノードと、前記第1方向の下流から上流に向かう逆順方向でn番目に位置する外部端子とを接続することを特徴とするセンサーデバイス。
  2. 請求項1に記載のセンサーデバイスにおいて、
    前記一辺と対向する対向辺側に少なくとも一つの外部端子がさらに設けられていることを特徴とするセンサーデバイス。
  3. 請求項1または2に記載のセンサーデバイスにおいて、
    前記N個の端子切り替え部の各々は、前記N個の外部端子の一つに共通接続される入力素子及び出力素子を含み、
    前記設定部は、前記入力素子を入力可能状態/入力不能状態に切り替える入力イネーブル信号と、前記出力素子を出力可能状態/ハイインピーダンス状態に切り替える出力イネーブル信号とを出力することを特徴とするセンサーデバイス。
  4. 請求項3に記載のセンサーデバイスにおいて、
    前記N個の外部端子は、チップセレクト端子CS、シリアルデータイン端子SDI、シリアルデータアウト端子SDO及びクロック端子CLKの4端子を含むことを特徴とするセンサーデバイス。
  5. 請求項3に記載のセンサーデバイスにおいて、
    前記N個の外部端子は、チップセレクト端子CS、シリアルデータイン/アウト双方向端子SDIO及びクロック端子CLKの3端子を含むことを特徴とするセンサーデバイス。
  6. N本の配線が形成された配線基板と、
    前記配線基板の第1面に搭載され、前記N本の配線に接続される第1センサーデバイスと、
    前記配線基板の前記第1面と交差する第2面に搭載され、前記N本の配線に接続される前記第1センサーデバイスとは異なる検出軸を有する第2センサーデバイスと、
    を有し、
    前記第1及び第2のセンサーデバイスの各々が、請求項1〜5のいずれか1項記載のセンサーデバイスにて構成され、
    前記第1のセンサーデバイスが前記第1接続状態に設定され、前記前記第2のセンサーデバイスが前記第2接続状態に設定されていることを特徴とするセンサーユニット。
  7. N本の配線が形成された配線基板と、
    前記配線基板の第1面に搭載され、前記N本の配線に接続される第1センサーデバイスと、
    前記配線基板の前記第1面と交差する第2面に搭載され、前記N本の配線に接続される前記第1センサーデバイスとは異なる検出軸を有する第2センサーデバイスと、
    前記配線基板の前記N本の配線に接続されるホストデバイスと、
    を有し、
    前記第1及び第2のセンサーデバイスの各々が、請求項3〜5のいずれか1項記載のセンサーデバイスにて構成され、
    前記第1のセンサーデバイスにて前記正順方向にてn番目の外部端子に前記ホストデバイスからデータインされる時には、前記第2のセンサーデバイスにて前記正順方向にてn番目の外部端子はハイインピーダンス状態に設定されることを特徴とするセンサーユニット。
  8. N本の配線が形成された配線基板と、
    前記配線基板の第1面に搭載され、前記N本の配線に接続される第1センサーデバイスと、
    前記配線基板の前記第1面と交差する第2面に搭載され、前記N本の配線に接続される前記第1センサーデバイスとは異なる検出軸を有する第2センサーデバイスと、
    前記配線基板の前記N本の配線に接続されるホストデバイスと、
    を有し、
    前記第1及び第2のセンサーデバイスの各々が、請求項4記載のセンサーデバイスにて構成され、
    前記ホストデバイスより、前記第1及び第2のセンサーデバイスの前記チップセレクト端子CSにアクティブ信号が入力され、前記第1のセンサーデバイスの前記シリアルデータイン端子SDIに、前記第1及び第2のセンサーデバイスの双方を指定するグローバルアドレス信号及びコマンド信号が入力されて、前記ホストデバイスから前記第1及び第2のセンサーデバイスにデータが一斉に送信されることを特徴とするセンサーユニット。
  9. N本の配線が形成された配線基板と、
    前記配線基板の第1面に搭載され、前記N本の配線に接続される第1センサーデバイスと、
    前記配線基板の前記第1面と交差する第2面に搭載され、前記N本の配線に接続される前記第1センサーデバイスとは異なる検出軸を有する第2センサーデバイスと、
    前記配線基板の前記N本の配線に接続されるホストデバイスと、
    を有し、
    前記第1及び第2のセンサーデバイスの各々が、請求項5記載のセンサーデバイスにて構成され、
    前記ホストデバイスより、前記第1及び第2のセンサーデバイスの前記チップセレクト端子CSにアクティブ信号が入力され、前記第1のセンサーデバイスの前記シリアルデータイン/アウト双方向端子SDIOに、前記第1及び第2のセンサーデバイスの双方を指定するグローバルアドレス信号及びコマンド信号が入力されて、前記ホストデバイスから前記第1及び第2のセンサーデバイスにデータが一斉に送信されることを特徴とするセンサーユニット。
  10. 請求項6〜9のいずれか1項記載のセンサーユニットを有することを特徴とする電子機器。
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