JP6233066B2 - 半導体装置の検査装置および検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査装置および検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6233066B2 JP6233066B2 JP2014018502A JP2014018502A JP6233066B2 JP 6233066 B2 JP6233066 B2 JP 6233066B2 JP 2014018502 A JP2014018502 A JP 2014018502A JP 2014018502 A JP2014018502 A JP 2014018502A JP 6233066 B2 JP6233066 B2 JP 6233066B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- main electrode
- electrode
- discharge
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 81
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 24
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- PMVSDNDAUGGCCE-TYYBGVCCSA-L Ferrous fumarate Chemical group [Fe+2].[O-]C(=O)\C=C\C([O-])=O PMVSDNDAUGGCCE-TYYBGVCCSA-L 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
て、前記第2主電極の先端の球状表面の曲率半径を1としたとき、前記補助電極の先端の球状表面の曲率半径が0.03〜0.1であると好ましい。
て、前記の吸引機が排気ファンもしくは真空ポンプであること好ましい。
て、前記第1主電極、第2主電極および補助電極を通過する前記気流の流速が0.3m/s〜0.7m/sであるとよい。
2 一次コイル
3 トランス
4 MOSFET
5 ドレイン端子
6 高電位側プローブ
7 ソース端子
8 グランド側プローブ
9 ゲート端子
9a ゲートプローブ
10 支持台
11 制御回路
12 アノード
13 二次コイル
14 カソード
15 ダイオード
16 高電位側放電プラグ
17 第1主電極
18 グランド側放電プラグ
19 第2主電極
20 補助電極
21 吸引機
22 樹脂製支持体
23 吸引口
24 開口部
25 気流
26 放電箱
27 放電プラグ
31 第1直線
32 第2直線
33 等電位線
34 最短経路
Claims (8)
- 電源と、前記電源の低電位側が接続するグランドと、前記電源の高電位側に一次側コイルの一端が接続するトランスと、前記トランスの一次側コイルの他端に接続し半導体装置の高電位端子に高電位を与える高電位側電流プローブと、前記半導体装置のゲートに接続する駆動回路と、前記グランドに接続し前記半導体装置の低電位端子にグランド電位を与える低電位側電流プローブと、前記トランスの一次コイルの一端とアノードが接続するダイオードと、ダイオードのカソードが一端に接続する前記トランスの二次コイルと、前記二次コイルの他端に接続する第1主電極と、前記グランドに接続する第2主電極と、前記第1主電極に隣接して配置される補助電極と、前記半導体装置を載置する支持台と、前記第1主電極と前記第2主電極および前記補助電極に気流を当てて放電で発生した物質を除去する吸引機と、を備えた半導体装置の検査装置にであって、
前記の第1主電極の先端の球状表面と第2主電極の先端の球状表面の最短距離を結ぶ第1直線上で、第2主電極とは反対方向に第1主電極内に前記第1直線を延ばし、第1主電極の先端の球状表面から、前記第1直線上に沿った所定の位置までの距離L1で、前記第1直線に直角方向に伸ばした第2直線上に、前記第1主電極の先端の球状表面から離して前記補助電極の先端の球状表面を配置し、前記第1主電極の先端の球状表面から前記補助電極の先端の球状表面までの距離L2を0.1mm〜0.5mmにすることを特徴とする半導体装置の検査装置。 - 前記距離L1が0.5mm〜1.0mmであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の検査装置。
- 前記第2主電極の先端の球状表面の曲率半径を1としたとき、前記第1主電極の先端の球状表面の曲率半径が0.03〜0.1であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の検査装置。
- 前記第2主電極の先端の球状表面の曲率半径を1としたとき、前記補助電極の先端の球状表面の曲率半径が0.03〜0.1であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の検査装置。
- 前記吸引機が0.3mm/s〜0.7mm/sの速度の気流を調整して発生させる能力を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項であることを特徴とする半導体装置の検査装置。(西部注:SI単位系の秒の単位はs)
- 前記の吸引機が排気ファンもしくは真空ポンプであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の検査装置。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の前記半導体装置の検査装置を用いて行なう前記半導体装置の検査方法であって、
前記支持台に前記半導体装置を載置する工程と、
前記トランスの一次コイルに接続する前記高電位側電流プローブを前記半導体装置の高電位電極に接触させ、低電位電極を前記低電位側電流プローブに接触させる工程と、
前記第1主電極、第2主電極および補助電極に気流に当て、該気流を排気ファンで吸引しながら前記半導体装置を前記駆動回路の信号でスイッチング動作させて、前記トランスの二次コイルに接続する前記第1主電極と前記第2主電極の間で前記補助電極を介して放電させる工程と、
前記半導体装置の破壊もしくは動作停止の有無により良否を判定する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 前記第1主電極、第2主電極および補助電極を通過する前記気流の流速が0.3m/s〜0.7m/sであることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014018502A JP6233066B2 (ja) | 2014-02-03 | 2014-02-03 | 半導体装置の検査装置および検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014018502A JP6233066B2 (ja) | 2014-02-03 | 2014-02-03 | 半導体装置の検査装置および検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015145818A JP2015145818A (ja) | 2015-08-13 |
JP6233066B2 true JP6233066B2 (ja) | 2017-11-22 |
Family
ID=53890107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014018502A Active JP6233066B2 (ja) | 2014-02-03 | 2014-02-03 | 半導体装置の検査装置および検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6233066B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108181512B (zh) * | 2018-01-15 | 2021-06-29 | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种基于变压器自激振荡的绕组入口电容测试方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4719145Y1 (ja) * | 1968-04-26 | 1972-06-30 | ||
JPS51102741A (ja) * | 1975-03-07 | 1976-09-10 | Hitachi Ltd | Handotaitenkasochinoshikenki |
JPS6217373A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-26 | Otsupama Kogyo Kk | 点火装置の試験方法及びその装置 |
FR2768186B1 (fr) * | 1997-09-11 | 1999-10-15 | Siemens Automotive Sa | Procede et dispositif de diagnostic d'un systeme d'allumage pour moteur a combustion interne |
JP3940622B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2007-07-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 内燃機関用点火装置 |
JP4169266B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-10-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 内燃機関用点火装置 |
JP5092761B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2012-12-05 | 富士電機株式会社 | 半導体試験装置 |
JP5817361B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2015-11-18 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の特性試験装置およびその装置を用いた半導体素子の特性試験方法 |
-
2014
- 2014-02-03 JP JP2014018502A patent/JP6233066B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015145818A (ja) | 2015-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102668720B (zh) | 自我平衡的离子化的气体流 | |
Tanaka | Internal partial discharge and material degradation | |
JP4369963B2 (ja) | スパークプラグ用絶縁体の検査方法 | |
CN105122072B (zh) | 电力设备的部分放电检测方法以及部分放电检测装置 | |
Kim et al. | Prefire probability of the switch type fast LTD | |
Zhang et al. | Trichel pulse in negative DC corona discharge and its electromagnetic radiations | |
JP6233066B2 (ja) | 半導体装置の検査装置および検査方法 | |
EP3527814B1 (en) | System and method for testing the flammability properties of a material with the help of a sparked combustion | |
Pang et al. | Effects of high-speed airflows on a unipolar repetitive nanosecond surface discharge | |
Hogg et al. | Polarity effects on breakdown of short gaps in a point-plane topology in air | |
JP2020145038A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2007108058A (ja) | 巻線良否判定装置及び巻線良否判定プログラム | |
JP5375799B2 (ja) | 絶縁碍子の検査方法 | |
Li et al. | Effects of atmospheric-pressure discharge type on ionic wind velocity for needle-to-cylinder electrode | |
Lazaridis et al. | Flashover along cylindrical insulating surfaces in a nonuniform field under positive switching impulse voltages | |
JP5204558B2 (ja) | インパルス試験用放電計測装置及び放電判別方法 | |
Kuznetsov et al. | Research of high-voltage discharge in oil on a simulator with a various set of defects | |
RU2656292C1 (ru) | Способ контроля сплошности диэлектрического покрытия металлической подложки | |
US8861174B2 (en) | Device and method for quick closing of an electric circuit and a use of the device | |
RU2809642C1 (ru) | Способ испытаний летательных аппаратов на избирательность ударов молнии | |
Mandela et al. | Effect of Humidity on Lightning impulse Breakdown of Short Rod-Plane Air Gap | |
Takahashi et al. | Long-term sequential characteristics of negative partial discharge in pressurized SF6 gas | |
Kyere et al. | A Study of Partial Discharge Behavior of Multiple Cavity Defects in Epoxy Insulation Material | |
Koch et al. | Determination of streamer inception and flashover at curved insulation surfaces with embedded electrodes | |
JP3020619B2 (ja) | 柱状絶縁体の絶縁検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20151005 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20151005 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170920 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171009 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6233066 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |