JP6231370B2 - 消耗量測定装置、温度測定装置、消耗量測定方法、温度測定方法及び基板処理システム - Google Patents
消耗量測定装置、温度測定装置、消耗量測定方法、温度測定方法及び基板処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6231370B2 JP6231370B2 JP2013259228A JP2013259228A JP6231370B2 JP 6231370 B2 JP6231370 B2 JP 6231370B2 JP 2013259228 A JP2013259228 A JP 2013259228A JP 2013259228 A JP2013259228 A JP 2013259228A JP 6231370 B2 JP6231370 B2 JP 6231370B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- reflected light
- measurement point
- low
- coherence light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02017—Interferometers characterised by the beam path configuration with multiple interactions between the target object and light beams, e.g. beam reflections occurring from different locations
- G01B9/02019—Interferometers characterised by the beam path configuration with multiple interactions between the target object and light beams, e.g. beam reflections occurring from different locations contacting different points on same face of object
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02017—Interferometers characterised by the beam path configuration with multiple interactions between the target object and light beams, e.g. beam reflections occurring from different locations
- G01B9/02021—Interferometers characterised by the beam path configuration with multiple interactions between the target object and light beams, e.g. beam reflections occurring from different locations contacting different faces of object, e.g. opposite faces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02025—Interference between three or more discrete surfaces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02041—Interferometers characterised by particular imaging or detection techniques
- G01B9/02044—Imaging in the frequency domain, e.g. by using a spectrometer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/0209—Low-coherence interferometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K5/00—Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material
- G01K5/48—Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material the material being a solid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3288—Maintenance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
L1:2×2カプラ43から第1のコリメータ45の先端までの距離、
L2:2×2カプラ43から第2のコリメータ46の先端までの距離、
d1:第1のコリメータ45の先端から上部電極板27の測定点B1での上面(第1の測定対象表面)までの距離、
d2:第2のコリメータ46の先端から上部電極板27の測定点B2での上面(第2の測定対象表面)までの距離、
t1:上部電極板27の測定点B1での厚さ、
t2:上部電極板27の測定点B2での厚さ、が挙げられる。
ns:波長λにおける上部電極板27の屈折率(Siの屈折率)、
nf:波長λにおける第2,第3の光ファイバ52,53のコアの屈折率、
tf:雰囲気から第2,第3の光ファイバ52,53への振幅透過率、
tf’:第2,第3の光ファイバ52,53から雰囲気への振幅透過率、
ts:雰囲気から上部電極板27への振幅透過率、
ts’:上部電極板27から雰囲気への振幅透過率、
rs:雰囲気から上部電極板27へ光が入射したときの振幅反射率、
rs’:上部電極板27から雰囲気へ光が入射したときの振幅反射率、であり、ここでの雰囲気とは、第1,第2のコリメータ45,46が配置されているガス雰囲気や真空雰囲気を指す。
25 フォーカスリング
27 上部電極板
40 消耗量測定装置
41 低コヒーレンス光源
42 分光器
43 2×2カプラ
44 解析装置
45 第1のコリメータ
46 第2のコリメータ
52 第2の光ファイバ
53 第3の光ファイバ
Claims (12)
- 低コヒーレンス光を透過する材料で構成され、互いに平行な表面及び裏面を有し、前記表面は経時的に消耗せず、前記裏面の一部又は全部が経時的に消耗する環境に配置された部材の前記裏面の消耗量を測定する消耗量測定装置であって、
前記低コヒーレンス光を出力する光源と、
前記低コヒーレンス光を前記部材に照射したときの反射光の強度分布を検出する分光器と、
前記部材の第1の測定点に対して前記低コヒーレンス光を照射すると共に、照射した低コヒーレンス光の前記部材の表面及び裏面からの反射光を受光する第1の照射部と、
前記部材の第2の測定点に対して前記低コヒーレンス光を照射すると共に、照射した低コヒーレンス光の前記部材の表面及び裏面からの反射光を受光する第2の照射部と、
前記光源から出力される低コヒーレンス光を2つの経路に分岐させて前記第1の照射部と前記第2の照射部のそれぞれへ伝送すると共に、前記第1の照射部と前記第2の照射部のそれぞれが受光した反射光を前記分光器へ伝送する光伝送部と、
前記分光器が検出した反射光の強度分布を示すスペクトルをフーリエ変換することにより前記第1の測定点の厚さと前記第2の測定点の厚さとの差分を算出する解析部とを備えることを特徴とする消耗量測定装置。 - 前記解析部は、
前記分光器が検出した反射光の強度分布を示すスペクトルをフーリエ変換することにより前記部材内での前記第1の測定点での光路長と前記第2の測定点での光路長との差である光路差を算出する光路差算出部と、
前記光路差算出部が算出した光路差と前記部材の屈折率とから前記差分を算出する差分算出部とを備えることを特徴とする請求項1記載の消耗量測定装置。 - 前記分光器は、
前記反射光を波長毎に所定の分散角で分散させる光分散素子と、
前記光分散素子により分散された反射光を受光することにより前記反射光の波数に依存する強度分布を検出する受光素子とを有することを特徴とする請求項1又は2記載の消耗量測定装置。 - 前記第1の測定点と前記第2の測定点はそれぞれ前記部材において消耗レートの異なる部位に設定され、
前記解析部は、前記部材における前記第1の測定点の厚さと前記第2の測定点の厚さの差分として前記第1の測定点と前記第2の測定点での相対的な消耗量差を算出することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の消耗量測定装置。 - 前記第1の測定点は前記部材において経時的に消耗しない部位に設定され、且つ、前記第2の測定点は前記部材において経時的に消耗する部位に設定され、
前記解析部は、前記部材における前記第1の測定点の厚さと前記第2の測定点の厚さの差分として、前記第2の測定点での消耗量の絶対値を算出することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の消耗量測定装置。 - 低コヒーレンス光を透過する材料で構成され、互いに平行な表面及び裏面を有し、その一部に前記表面と前記裏面の間の厚さが異なるように段差部が設けられた部材の温度を測定する温度測定装置であって、
前記低コヒーレンス光を出力する光源と、
前記低コヒーレンス光を前記部材に照射したときの反射光の強度分布を検出する分光器と、
前記部材の前記段差部における厚さの厚い部分に対して前記低コヒーレンス光を照射すると共に前記部材の表面及び裏面からの反射光を受光する第1の照射部と、
前記部材の前記段差部における厚さの薄い部分に対して前記低コヒーレンス光を照射すると共に前記部材の表面及び裏面からの反射光を受光する第2の照射部と、
前記光源から出力される低コヒーレンス光を2つの経路に分岐させて前記第1の照射部と前記第2の照射部のそれぞれへ伝送すると共に前記第1の照射部と前記第2の照射部のそれぞれが受光した反射光を前記分光器へ伝送する光伝送部と、
前記段差部の段差と前記部材の温度との関係を示すデータを記憶した記憶部と、
前記分光器が検出した反射光の強度分布を示すスペクトルをフーリエ変換することによって前記段差に対応する光路長を求め、求めた光路長と前記記憶部に記憶された前記段差と前記部材の温度との関係とに基づき前記部材の温度を算出する解析部とを備えることを特徴とする温度測定装置。 - 前記分光器は、
前記反射光を波長毎に所定の分散角で分散させる光分散素子と、
前記光分散素子により分散された反射光を受光することにより前記反射光の波数に依存する強度分布を検出する受光素子とを有することを特徴とする請求項6記載の温度測定装置。 - 低コヒーレンス光を透過する材料で構成され、互いに平行な表面及び裏面を有し、前記表面は経時的に消耗せず、前記裏面の一部又は全部が経時的に消耗する環境に配置された部材の前記裏面の消耗量を測定する消耗量測定方法であって、
光源から出力される低コヒーレンス光を2つの経路に分岐させ、前記2つの経路の一方の経路を伝送される低コヒーレンス光を前記部材の第1の測定点に照射したときの前記部材の前記第1の測定点における表面及び裏面からの反射光を受光すると共に、前記2つの経路の他方の経路を伝送される低コヒーレンス光を前記部材の第2の測定点に照射したときの前記部材の前記第2の測定点における表面及び裏面からの反射光を受光するステップと、
前記第1の測定点での反射光と前記第2の測定点での反射光とを合わせた反射光について波数に依存する強度分布を検出するステップと、
前記強度分布を示すスペクトルをフーリエ変換することによって、前記第1の測定点の厚さと前記第2の測定点の厚さとの差分を算出するステップとを有することを特徴とする消耗量測定方法。 - 低コヒーレンス光を透過する材料で構成され、互いに平行な表面及び裏面を有し、その一部に前記表面と前記裏面の間の厚さが異なるように段差部が設けられた部材の温度を測定する温度測定方法であって、
前記段差部の段差に対応する低コヒーレンス光の光路差と前記部材の温度との関係を示すデータを取得するステップと、
光源から出力される低コヒーレンス光を2つの経路に分岐させ、前記2つの経路の一方の経路を伝送される低コヒーレンス光を前記段差部における厚さの薄い部分に照射したときの前記部材の表面及び裏面からの反射光を受光すると共に、前記2つの経路の他方の経路を伝送される低コヒーレンス光を前記段差部における厚さの厚い部分に照射したときの前記部材の表面及び裏面からの反射光を受光するステップと、
前記段差部における厚さの薄い部分での反射光と厚さの厚い部分からの反射光とを合わせた反射光について波数に依存する強度分布を検出するステップと、
前記強度分布を示すスペクトルをフーリエ変換して前記光路差を求めるステップと、
前記光路差と前記部材の温度との関係を示す前記データから前記部材の温度を算出するステップとを有することを特徴とする温度測定方法。 - 内部に基板を載置する載置台が配置され、前記載置台に載置された基板に対して所定の処理を施すチャンバと、
低コヒーレンス光を透過する材料で構成され、互いに平行な表面及び裏面を有し、前記表面は経時的に消耗せず、前記裏面の一部又は全部が経時的に消耗する前記チャンバ内環境に配置された部材とを備える基板処理装置と、
前記部材の消耗量を測定する消耗量測定装置とを備える基板処理システムであって、
前記消耗量測定装置は、
前記低コヒーレンス光を出力する光源と、
前記低コヒーレンス光を前記部材に照射したときの反射光の強度分布を検出する分光器と、
前記部材の第1の測定点に対して前記低コヒーレンス光を照射すると共に、照射した低コヒーレンス光の前記部材の表面及び裏面からの反射光を受光する第1の照射部と、
前記部材の第2の測定点に対して前記低コヒーレンス光を照射すると共に、照射した低コヒーレンス光の前記部材の表面及び裏面からの反射光を受光する第2の照射部と、
前記光源から出力される低コヒーレンス光を2つの経路に分岐させて前記第1の照射部と前記第2の照射部のそれぞれへ伝送すると共に、前記第1の照射部と前記第2の照射部のそれぞれが受光した反射光を前記分光器へ伝送する光伝送部と、
前記分光器が検出した反射光の強度分布を示すスペクトルをフーリエ変換することにより前記第1の測定点の厚さと前記第2の測定点の厚さとの差分を算出する解析部とを備えることを特徴とする基板処理システム。 - 前記基板処理装置は、前記載置台に載置された基板に対してプラズマエッチング処理を施す装置であり、
前記部材は、前記載置台に載置された基板と所定の空間を隔てて対向するように配置される電極板であることを特徴とする請求項10記載の基板処理システム。 - 内部に基板を載置する載置台が配置され、前記載置台に載置された基板に対して所定の処理を施すチャンバと、
低コヒーレンス光を透過する材料で形成されて前記チャンバ内に配置され、互いに平行な表面及び裏面を有し、その一部に前記表面と前記裏面の間の厚さが異なるように段差部が形成された部材とを備える基板処理装置と、
前記部材の温度を測定する温度測定装置とを備える基板処理システムであって、
前記温度測定装置は、
前記低コヒーレンス光を出力する光源と、
前記低コヒーレンス光を前記部材に照射したときの反射光の波数に依存する強度分布を検出する分光器と、
前記部材の前記段差部における厚さの厚い部分に対して前記低コヒーレンス光を照射すると共に前記部材の表面及び裏面からの反射光を受光する第1の照射部と、
前記部材の前記段差部における厚さの薄い部分に対して前記低コヒーレンス光を照射すると共に前記部材の表面及び裏面からの反射光を受光する第2の照射部と、
前記光源から出力される低コヒーレンス光を2つの経路に分岐させて前記第1の照射部と前記第2の照射部のそれぞれへ伝送すると共に前記第1の照射部と前記第2の照射部のそれぞれが受光した反射光を前記分光器へ伝送する光伝送部と、
前記段差部の段差と前記部材の温度との関係を示すデータを記憶した記憶部と、
前記分光器が検出した反射光の強度分布を示すスペクトルをフーリエ変換することによって前記段差に対応する光路長を求め、求めた光路長と前記記憶部に記憶された前記段差と前記部材の温度との関係とに基づき前記部材の温度を算出する解析部とを備えることを特徴とする基板処理システム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013259228A JP6231370B2 (ja) | 2013-12-16 | 2013-12-16 | 消耗量測定装置、温度測定装置、消耗量測定方法、温度測定方法及び基板処理システム |
KR1020140180351A KR102409540B1 (ko) | 2013-12-16 | 2014-12-15 | 소모량 측정 장치, 온도 측정 장치, 소모량 측정 방법, 온도 측정 방법 및 기판 처리 시스템 |
TW103143591A TWI645156B (zh) | 2013-12-16 | 2014-12-15 | 消耗量測定裝置、溫度測定裝置、消耗量測定方法、溫度測定方法及基板處理系統 |
US14/569,990 US10184786B2 (en) | 2013-12-16 | 2014-12-15 | Wear amount measuring apparatus and method, temperature measuring apparatus and method and substrate processing system |
US16/239,047 US10746531B2 (en) | 2013-12-16 | 2019-01-03 | Wear amount measuring apparatus and method, temperature measuring apparatus and method and substrate processing system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013259228A JP6231370B2 (ja) | 2013-12-16 | 2013-12-16 | 消耗量測定装置、温度測定装置、消耗量測定方法、温度測定方法及び基板処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015115591A JP2015115591A (ja) | 2015-06-22 |
JP6231370B2 true JP6231370B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=53368018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013259228A Active JP6231370B2 (ja) | 2013-12-16 | 2013-12-16 | 消耗量測定装置、温度測定装置、消耗量測定方法、温度測定方法及び基板処理システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10184786B2 (ja) |
JP (1) | JP6231370B2 (ja) |
KR (1) | KR102409540B1 (ja) |
TW (1) | TWI645156B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10600653B2 (en) | 2018-02-23 | 2020-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming a fine pattern |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6180909B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 距離を求める方法、静電チャックを除電する方法、及び、処理装置 |
KR101870649B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2018-06-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102424818B1 (ko) * | 2015-05-27 | 2022-07-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링 |
TWI553304B (zh) * | 2015-08-17 | 2016-10-11 | 財團法人工業技術研究院 | 高反光表面冷凝量測系統與方法 |
US10014198B2 (en) * | 2015-08-21 | 2018-07-03 | Lam Research Corporation | Wear detection of consumable part in semiconductor manufacturing equipment |
JP6880076B2 (ja) * | 2016-06-03 | 2021-06-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板距離の監視 |
JP6788476B2 (ja) * | 2016-10-21 | 2020-11-25 | 株式会社ミツトヨ | クロマティック共焦点センサ及び測定方法 |
US10655224B2 (en) * | 2016-12-20 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Conical wafer centering and holding device for semiconductor processing |
JP6656200B2 (ja) * | 2017-04-12 | 2020-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 位置検出システム及び処理装置 |
KR102693246B1 (ko) * | 2017-12-05 | 2024-08-07 | 램 리써치 코포레이션 | 에지 링 마모 보상 (wear compensation) 을 위한 시스템 및 방법 |
JP7170422B2 (ja) * | 2018-05-15 | 2022-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP7096079B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2022-07-05 | キオクシア株式会社 | プラズマ処理装置の再生装置 |
JP7246154B2 (ja) * | 2018-10-02 | 2023-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び静電吸着方法 |
JP7214562B2 (ja) * | 2019-05-13 | 2023-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、算出方法および算出プログラム |
JP7277334B2 (ja) * | 2019-10-07 | 2023-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度計測システム及び温度計測方法 |
CN112050775B (zh) * | 2020-09-10 | 2021-09-03 | 燕山大学 | 一种密闭加热炉内大型构件变形测量装置及其方法 |
US11668602B2 (en) * | 2021-04-20 | 2023-06-06 | Applied Materials, Inc. | Spatial optical emission spectroscopy for etch uniformity |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003050108A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 膜厚測定方法及び膜厚測定装置 |
US7379189B2 (en) * | 2005-02-08 | 2008-05-27 | Tokyo Electron Limited | Temperature/thickness measuring apparatus, temperature/thickness measuring method, temperature/thickness measuring system, control system and control method |
JP4553308B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度/厚さ測定装置,温度/厚さ測定方法,温度/厚さ測定システム,制御システム,制御方法 |
JP4748803B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置における被測定物の物理量測定方法及び記憶媒体 |
JP2011210853A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 消耗量測定方法 |
US9046417B2 (en) * | 2011-06-24 | 2015-06-02 | Tokyo Electron Limited | Temperature measuring system, substrate processing apparatus and temperature measuring method |
JP5805498B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2015-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度計測システム、基板処理装置及び温度計測方法 |
JP5901305B2 (ja) * | 2011-08-02 | 2016-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 光干渉システム、基板処理装置及び測定方法 |
-
2013
- 2013-12-16 JP JP2013259228A patent/JP6231370B2/ja active Active
-
2014
- 2014-12-15 US US14/569,990 patent/US10184786B2/en active Active
- 2014-12-15 TW TW103143591A patent/TWI645156B/zh active
- 2014-12-15 KR KR1020140180351A patent/KR102409540B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-01-03 US US16/239,047 patent/US10746531B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10600653B2 (en) | 2018-02-23 | 2020-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming a fine pattern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10184786B2 (en) | 2019-01-22 |
KR102409540B1 (ko) | 2022-06-15 |
US10746531B2 (en) | 2020-08-18 |
TW201534859A (zh) | 2015-09-16 |
TWI645156B (zh) | 2018-12-21 |
US20150168130A1 (en) | 2015-06-18 |
US20190137260A1 (en) | 2019-05-09 |
KR20150070025A (ko) | 2015-06-24 |
JP2015115591A (ja) | 2015-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6231370B2 (ja) | 消耗量測定装置、温度測定装置、消耗量測定方法、温度測定方法及び基板処理システム | |
JP6263019B2 (ja) | 温度測定方法、基板処理システム及び温度測定用部材 | |
JP6271243B2 (ja) | 厚さ・温度測定装置、厚さ・温度測定方法及び基板処理システム | |
US9459159B2 (en) | Heat-flux measuring method, substrate processing system, and heat-flux measuring member | |
KR101927877B1 (ko) | 온도 계측 시스템, 기판 처리 장치 및 온도 계측 방법 | |
US9046417B2 (en) | Temperature measuring system, substrate processing apparatus and temperature measuring method | |
US11668608B2 (en) | Temperature measurement system and temperature measurement method | |
KR20130007447A (ko) | 온도 계측 장치, 기판 처리 장치 및 온도 계측 방법 | |
WO2014196401A1 (ja) | 測定対象物の厚さ計測方法 | |
JP2016127087A (ja) | 基板処理装置及び基板温度測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171019 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6231370 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |