JP6226670B2 - Plasma processing apparatus and plasma processing method - Google Patents

Plasma processing apparatus and plasma processing method Download PDF

Info

Publication number
JP6226670B2
JP6226670B2 JP2013199457A JP2013199457A JP6226670B2 JP 6226670 B2 JP6226670 B2 JP 6226670B2 JP 2013199457 A JP2013199457 A JP 2013199457A JP 2013199457 A JP2013199457 A JP 2013199457A JP 6226670 B2 JP6226670 B2 JP 6226670B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
workpiece
plasma processing
capacitance
mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013199457A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2015065378A (en
Inventor
武藤　真
真 武藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2013199457A priority Critical patent/JP6226670B2/en
Publication of JP2015065378A publication Critical patent/JP2015065378A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6226670B2 publication Critical patent/JP6226670B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

本発明の実施形態は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a plasma processing apparatus and a plasma processing method.

プラズマを利用したプラズマ処理は、半導体装置や液晶ディスプレイなどの電子デバイスの製造、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)分野におけるマイクロマシーンの製造、フォトマスクや精密光学部品などの製造など、幅広い技術分野において活用されている。プラズマ処理は、低コストで、高速であり、薬剤を用いないために環境汚染を低減できる点でも有利である。   Plasma processing using plasma is utilized in a wide range of technical fields, such as the manufacture of electronic devices such as semiconductor devices and liquid crystal displays, the manufacture of micromachines in the field of MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), the manufacture of photomasks and precision optical components, etc. Has been. Plasma treatment is advantageous in that it is low-cost, high-speed, and can reduce environmental pollution because it does not use chemicals.

この様なプラズマ処理を行うプラズマ処理装置には、被処理物を載置する載置部が設けられている。ここで、載置部の表面と被処理物との密着性を高めるために、載置部の表面形状は被処理物の載置側の形状に合わせて形成されている。例えば、平板状の被処理物の場合には、載置部の表面は平坦面とされている。また、被処理物の載置側が凹状となっている場合には、載置部の表面は凸状とされている（例えば、特許文献１、２を参照）。
ところが、単に載置部の表面を凸状にすると、被処理物と、載置部と被処理物との間の空間との合成静電容量の面内分布が不均一となって均一なプラズマを発生させることが困難となるおそれがある。
またさらに、被処理物の寸法誤差や載置部の表面側の要素の寸法誤差により、合成静電容量がばらつき、ひいてはエッチングレートがばらつくおそれがある。 A plasma processing apparatus that performs such plasma processing is provided with a placement portion on which a workpiece is placed. Here, in order to improve the adhesion between the surface of the mounting portion and the object to be processed, the surface shape of the mounting portion is formed in accordance with the shape of the mounting side of the object to be processed. For example, in the case of a plate-shaped workpiece, the surface of the mounting portion is a flat surface. Further, when the placement side of the workpiece is concave, the surface of the placement portion is convex (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
However, if the surface of the mounting part is simply convex, the in-plane distribution of the combined capacitance between the object to be processed and the space between the mounting part and the object to be processed becomes non-uniform and the plasma is uniform. May be difficult to generate.
Furthermore, the synthetic capacitance may vary due to the dimensional error of the object to be processed or the dimensional error of the element on the surface side of the mounting portion, and the etching rate may vary.

特開２００９−９４１４７号公報JP 2009-94147 A 特許第４１１１６２５号公報Japanese Patent No. 4111625

本発明が解決しようとする課題は、被処理物の載置側の形状寸法によるプラズマ処理への影響を抑制することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of suppressing the influence on the plasma processing due to the shape and size of the workpiece on the mounting side.

実施形態に係るプラズマ処理装置は、
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
前記処理容器の内部に設けられ、被処理物を載置する載置部であって、前記被処理物を載置した状態のとき前記被処理物の載置側に設けられた凹部に入る凸部を有する載置部と、
前記処理容器の内部のプラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給するプラズマ発生部と、
前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、
前記載置部の寸法に関する情報、および前記被処理物の寸法に関する情報の少なくともいずれかから被処理領域における合成静電容量を演算し、前記演算された合成静電容量に基づいて、プラズマ処理におけるプロセス条件を演算する演算部と、
前記演算されたプロセス条件に基づいて、前記プラズマ処理の制御を行う制御部と、
を備え、
前記合成静電容量は、前記載置部に前記被処理物を載置した状態の、前記被処理領域における前記被処理物の静電容量を含む合成静電容量であることを特徴とする。
The plasma processing apparatus according to the embodiment
A treatment container capable of maintaining an atmosphere depressurized from atmospheric pressure;
A decompression section for decompressing the inside of the processing container to a predetermined pressure;
A mounting portion provided inside the processing container for mounting a processing object , wherein the protrusion enters a concave portion provided on the mounting side of the processing object when the processing object is mounted. A mounting portion having a portion;
A plasma generator for supplying electromagnetic energy to a region for generating plasma inside the processing vessel;
A gas supply unit for supplying a process gas to the region for generating the plasma;
Information on the dimensions of the mounting section, and the calculating the combined capacitance of at least one or we treated area of the information on the dimensions of the workpiece, on the basis of the computed total capacitance, the plasma treatment A calculation unit for calculating process conditions in
A control unit for controlling the plasma processing based on the calculated process conditions;
With
The combined capacitance is a combined capacitance including a capacitance of the object to be processed in the region to be processed in a state where the object to be processed is placed on the placement unit .

本発明の実施形態によれば、被処理物の載置側の形状寸法によるプラズマ処理への影響を抑制することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法が提供される。   According to the embodiment of the present invention, there are provided a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of suppressing the influence on the plasma processing due to the shape and dimension of the object to be processed.

被処理物の載置側の形状寸法によるプラズマ処理への影響について例示をするための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating about the influence on the plasma processing by the shape dimension of the mounting side of a to-be-processed object. 被処理物１００の周縁部分の温度上昇と、被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分の温度上昇とを例示するための模式グラフ図である。4 is a schematic graph for illustrating the temperature rise of the peripheral portion of the workpiece 100 and the temperature rise of the portion of the workpiece 100 provided with the recess 100a. FIG. （ａ）、（ｂ）は、被処理物の載置側の形状が合成静電容量の面内分布に与える影響を例示をするための模式グラフ図である。(A), (b) is a schematic graph for demonstrating the influence which the shape of the mounting side of a to-be-processed object has on the in-plane distribution of synthetic | combination electrostatic capacitance. （ａ）は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置に設けられる載置部を例示するための模式断面図である。（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線矢視図である。(A) is a schematic cross section for illustrating the mounting part provided in the plasma processing apparatus which concerns on this Embodiment. (B) is the AA arrow directional view in (a). （ａ）、（ｂ）は、凸部１ｃを設けた場合の効果を例示するための模式グラフ図である。(A), (b) is a schematic graph for demonstrating the effect at the time of providing the convex part 1c. 合成静電容量とエッチングレートとの関係を例示するためのグラフ図である。It is a graph for demonstrating the relationship between a synthetic capacitance and an etching rate. 被処理物１００および載置部１の寸法と、合成静電容量との関係を例示するための模式図である。It is a schematic diagram for illustrating the relationship between the dimension of the to-be-processed object 100 and the mounting part 1, and synthetic | combination electrostatic capacitance. エッチング時間と合成静電容量との関係を例示するためのグラフ図である。It is a graph for demonstrating the relationship between etching time and synthetic | combination electrostatic capacitance. 他の実施形態に係る載置部１１を例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating mounting part 11 concerning other embodiments. 他の実施形態に係る載置部２１を例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating mounting part 21 concerning other embodiments. プラズマ処理装置３０を例示するための模式図である。4 is a schematic diagram for illustrating a plasma processing apparatus 30. FIG. 他の実施形態に係るプラズマ処理装置４０を例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating the plasma processing apparatus 40 which concerns on other embodiment. 他の実施形態に係る凹部の配置を例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating arrangement of a crevice concerning other embodiments.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
まず、被処理物の載置側の形状寸法によるプラズマ処理への影響について例示をする。
図１は、被処理物の載置側の形状寸法によるプラズマ処理への影響について例示をするための模式断面図である。 Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
First, the influence on the plasma processing by the shape dimension on the mounting side of the workpiece is illustrated.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for illustrating the influence on the plasma processing due to the shape and size of the workpiece on the mounting side.

図１に示すように、載置部１０１には被処理物１００の周縁部分を支持する凸部１０１ａが設けられ、凸部１０１ａの上面に被処理物１００が載置されるようになっている。そして、凸部１０１ａの上面に被処理物１００が載置されることで、凸部１０１ａに支持された部分において被処理物１００の載置側と載置部１０１の表面１０１ｂとの間に凸部１０１ａの高さ寸法Ｌ１だけ隙間が形成されるようになっている。
また、被処理物１００の載置側の中央部分には凹部１００ａが設けられている。そのため、凸部１０１ａの上面に被処理物１００が載置されることで、凹部１００ａが位置する部分において被処理物１００の載置側と載置部１０１の表面１０１ｂとの間に凹部１００ａの高さ寸法だけ長くなる寸法Ｌ２の隙間が形成されることになる。 As shown in FIG. 1, the mounting portion 101 is provided with a convex portion 101 a that supports the peripheral portion of the workpiece 100, and the workpiece 100 is placed on the upper surface of the convex portion 101 a. . Then, by placing the workpiece 100 on the upper surface of the convex portion 101a, a convex portion is provided between the placement side of the workpiece 100 and the surface 101b of the placement portion 101 at the portion supported by the convex portion 101a. A gap is formed by the height dimension L1 of the portion 101a.
Further, a concave portion 100a is provided in the central portion on the placement side of the workpiece 100. Therefore, by placing the workpiece 100 on the upper surface of the convex portion 101a, the concave portion 100a is placed between the placement side of the workpiece 100 and the surface 101b of the placement portion 101 in the portion where the concave portion 100a is located. A gap having a dimension L2 that is longer by the height dimension is formed.

ここで、プラズマ処理において被処理物１００の加熱あるいは冷却が行われる場合がある。この様な加熱や冷却は載置部１０１に設けられた図示しない加熱装置や冷却装置により行われる。ところが、載置台１０１と被処理物１００との間に隙間が設けられていることやプラズマ処理が減圧環境下で行われることにより、熱伝導は主に輻射によるものとなる。そのため、輻射が行われる載置部１０１の表面１０１ｂと被処理物１００の載置側との間の寸法が長くなればその分熱伝導が悪くなることになる。   Here, the workpiece 100 may be heated or cooled in the plasma processing. Such heating and cooling are performed by a heating device and a cooling device (not shown) provided on the placement unit 101. However, the heat conduction is mainly due to radiation by providing a gap between the mounting table 101 and the workpiece 100 and performing the plasma treatment in a reduced pressure environment. Therefore, if the dimension between the surface 101b of the mounting part 101 where radiation is performed and the mounting side of the object 100 to be processed becomes long, the heat conduction is deteriorated accordingly.

図２は、被処理物１００の周縁部分の温度上昇と、被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分の温度上昇とを例示するための模式グラフ図である。
なお、図２中のＡは被処理物１００の周縁部分の温度上昇を表し、Ｂは被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分の温度上昇を表している。
図２中のＡから分かるように、表面１０１ｂとの間の寸法が短い周縁部分においては温度が上昇するまでの時間が短く、到達温度も高くなる。
一方、図２中のＢから分かるように、表面１０１ｂとの間の寸法が長い凹部１００ａが設けられた部分においては温度が上昇するまでの時間が長く、到達温度も低くなる。
このことは、被処理物１００の周縁部分と、被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分とで温度が異なり被処理物１００の温度の面内分布が不均一となることを意味する。
以上は、被処理物１００の載置側の形状が被処理物１００の温度の面内分布に与える影響である。 FIG. 2 is a schematic graph for illustrating the temperature rise of the peripheral portion of the workpiece 100 and the temperature rise of the portion of the workpiece 100 where the recess 100a is provided.
Note that A in FIG. 2 represents a temperature rise in the peripheral portion of the workpiece 100, and B represents a temperature rise in the portion of the workpiece 100 where the recess 100a is provided.
As can be seen from A in FIG. 2, in the peripheral portion where the dimension between the surface 101 b is short, the time until the temperature rises is short, and the ultimate temperature is also high.
On the other hand, as can be seen from B in FIG. 2, in the portion where the concave portion 100 a having a long dimension between the surface 101 b is provided, the time until the temperature rises is long and the ultimate temperature is low.
This means that the temperature differs between the peripheral portion of the workpiece 100 and the portion of the workpiece 100 where the recess 100a is provided, and the in-plane distribution of the temperature of the workpiece 100 becomes non-uniform.
The above is the effect of the shape of the placement side of the workpiece 100 on the in-plane distribution of the temperature of the workpiece 100.

被処理物１００の載置側と載置部１０１の表面１０１ｂとの間の寸法が変化すれば、被処理物１００と、載置部１０１と被処理物１００との間の空間との合成静電容量が変化する。
図３（ａ）、（ｂ）は、被処理物の載置側の形状が合成静電容量の面内分布に与える影響を例示をするための模式グラフ図である。
なお、図３（ａ）は減圧環境下における隙間寸法と合成静電容量との関係を例示するための模式グラフ図、図３（ｂ）は凹部１００ａが設けられた被処理物１００における合成静電容量の面内分布を例示するための模式グラフ図である。 If the dimension between the placement side of the workpiece 100 and the surface 101b of the placement portion 101 changes, the combined static of the treatment object 100 and the space between the placement portion 101 and the treatment object 100 will be described. The capacitance changes.
FIGS. 3A and 3B are schematic graphs for illustrating the influence of the shape of the placement side of the workpiece on the in-plane distribution of the combined capacitance.
3A is a schematic graph for illustrating the relationship between the gap size and the synthetic capacitance in a reduced pressure environment, and FIG. 3B is a synthetic static diagram in the workpiece 100 provided with the recess 100a. It is a schematic graph for demonstrating in-plane distribution of an electric capacity.

図３（ａ）に示すように、被処理物１００の載置側と載置部１０１の表面１０１ｂとの間に設けられた隙間の寸法が長くなれば、合成静電容量が小さくなる。そのため、図３（ｂ）に示すように、表面１０１ｂとの間の隙間寸法が短い周縁部分においては合成静電容量が大きくなる。一方、表面１０１ｂとの間の隙間寸法が長い凹部１００ａが設けられた部分においては合成静電容量が小さくなる。
このことは、被処理物１００の周縁部分と、被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分とで合成静電容量が異なり、合成静電容量の面内分布が不均一となることを意味する。 As shown in FIG. 3A, when the dimension of the gap provided between the placement side of the workpiece 100 and the surface 101b of the placement portion 101 becomes longer, the combined capacitance becomes smaller. For this reason, as shown in FIG. 3B, the synthetic capacitance increases at the peripheral portion where the gap between the surface 101b is short. On the other hand, in the portion where the concave portion 100a having a long gap with the surface 101b is provided, the combined capacitance is small.
This means that the synthetic capacitance is different between the peripheral portion of the workpiece 100 and the portion of the workpiece 100 where the recess 100a is provided, and the in-plane distribution of the synthetic capacitance becomes non-uniform. To do.

ここで、被処理物１００が載置された領域における合成静電容量の面内分布が不均一となると、後述するプラズマＰを発生させる領域において均一なプラズマを発生させることが困難となる場合がある。特に、容量結合プラズマ（Capacitively Coupled Plasma）を用いたプラズマ処理においては大きな影響を受け、均一なプラズマを発生させることが困難となる場合がある。その結果、エッチングレートに面内分布が生じるなどして、エッチング処理の均一性が損なわれるおそれがある。   Here, if the in-plane distribution of the combined capacitance in the region where the workpiece 100 is placed becomes non-uniform, it may be difficult to generate uniform plasma in the region where the plasma P described later is generated. is there. In particular, plasma processing using capacitively coupled plasma is greatly affected and it may be difficult to generate uniform plasma. As a result, in-plane distribution may occur in the etching rate, and the uniformity of the etching process may be impaired.

図４（ａ）は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置に設けられる載置部を例示するための模式断面図である。
図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ線矢視図である。
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、載置部１は、本体部１ａ、凸部１ｂおよび凸部１ｃを有する。
本体部１ａの一方の端面１ａ１には、凸部１ｂが設けられている。凸部１ｂは、端面１ａ１の周縁側に設けられている。凸部１ｂの上面には、被処理物１００が載置される。凸部１ｂは、載置された被処理物１００の周縁部分を支持する。凸部１ｂは、本体部１ａと一体に形成されていてもよいし、本体部１ａと別個に形成されていてもよい。また、凸部１ｂは、図４（ｂ）においては、枠状に形成されているが、複数の突起でもよい。すなわち、被処理物１００を支持できるように形成されていればよい。
また、図４（ｂ）においては、被処理物１００と凹部１００ａの平面形状が矩形の場合を例示しているが、被処理物１００と凹部１００ａの平面形状は矩形に限定されるわけではない。例えば、被処理物１００と凹部１００ａの平面形状のどちらも、あるいはいずれか一方が円形であってもよい。この場合、被処理物１００と凹部１００ａの平面形状に対応するように、載置部１、凸部１ｂ、および凸部１ｃを形成すればよい。
凸部１ｂの上面に被処理物１００が載置されることで、凸部１ｂに支持された部分において、被処理物１００の載置側と端面１ａ１との間に凸部１ｂの高さ寸法Ｌ１だけ隙間が形成される。 FIG. 4A is a schematic cross-sectional view for illustrating a mounting portion provided in the plasma processing apparatus according to the present embodiment.
FIG.4 (b) is an AA arrow directional view in Fig.4 (a).
As shown in FIGS. 4A and 4B, the placement unit 1 includes a main body 1a, a convex portion 1b, and a convex portion 1c.
A convex portion 1b is provided on one end face 1a1 of the main body 1a. The convex part 1b is provided in the peripheral side of the end surface 1a1. The workpiece 100 is placed on the upper surface of the convex portion 1b. The convex part 1b supports the peripheral part of the to-be-processed object 100 mounted. The convex part 1b may be formed integrally with the main body part 1a, or may be formed separately from the main body part 1a. Moreover, although the convex part 1b is formed in frame shape in FIG.4 (b), several protrusion may be sufficient. That is, it should just be formed so that the to-be-processed object 100 can be supported.
4B illustrates the case where the planar shape of the workpiece 100 and the recess 100a is rectangular, the planar shape of the workpiece 100 and the recess 100a is not limited to a rectangle. . For example, both of the planar shape of the workpiece 100 and the recess 100a, or one of them may be circular. In this case, the mounting portion 1, the convex portion 1b, and the convex portion 1c may be formed so as to correspond to the planar shapes of the workpiece 100 and the concave portion 100a.
Since the workpiece 100 is placed on the upper surface of the convex portion 1b, the height dimension of the convex portion 1b between the placement side of the workpiece 100 and the end surface 1a1 in the portion supported by the convex portion 1b. A gap is formed by L1.

また、本体部１ａは、後述するプラズマ処理装置の処理容器の内部に設けられ、被処理物１００の加熱や冷却を行うための図示しない加熱装置や冷却装置を有するものとすることができる。
なお、載置部１は、板状を呈し、プラズマ処理装置の処理容器の内部に設けられた台座や電極の上に載置されるようにしてもよい。すなわち、載置部１は、被処理物１００の搬送の際にも用いることのできるトレーとしたり、プラズマ処理用の治具としたりすることができる。またその場合、加熱装置や冷却装置は、本体部１ａに設けずに台座や電極の内部に設けることができる。 Further, the main body 1a can be provided inside a processing container of a plasma processing apparatus to be described later, and can include a heating device and a cooling device (not shown) for heating and cooling the workpiece 100.
The placement unit 1 may have a plate shape and may be placed on a pedestal or an electrode provided inside the processing container of the plasma processing apparatus. That is, the placement unit 1 can be a tray that can be used also when the workpiece 100 is transported, or can be a jig for plasma processing. In that case, the heating device and the cooling device can be provided inside the pedestal and the electrode without being provided in the main body 1a.

また、載置部１の端面１ａ１には凸部１ｃが設けられている。
凸部１ｃは、被処理物１００を載置した際に被処理物１００の凹部１００ａが位置する領域に設けられている。そして、被処理物１００を載置した際には、被処理物１００の凹部１００ａの内部に凸部１ｃが入り込むようになっている。 A convex portion 1 c is provided on the end surface 1 a 1 of the placement portion 1.
The convex portion 1c is provided in a region where the concave portion 100a of the workpiece 100 is located when the workpiece 100 is placed. And when the to-be-processed object 100 is mounted, the convex part 1c enters the inside of the recessed part 100a of the to-be-processed object 100. As shown in FIG.

ここで、プラズマ処理が行われる被処理物１００の温度の面内分布が均一となるようにするためには、本体部１ａの熱伝導に関する条件と、凸部１ｃの熱伝導に関する条件とが同程度となるようにすることが好ましい。
例えば、本体部１ａの熱伝導率と同じ熱伝導率を有する材料から凸部１ｃを形成するようにすることができる。この場合、本体部１ａと同じ材料から凸部１ｃを形成するようにすることができる。 Here, in order to make the in-plane distribution of the temperature of the workpiece 100 on which the plasma treatment is performed uniform, the condition relating to the heat conduction of the main body 1a and the condition relating to the heat conduction of the convex part 1c are the same. It is preferable to be at a level.
For example, the convex part 1c can be formed from a material having the same thermal conductivity as that of the main body part 1a. In this case, the convex part 1c can be formed from the same material as the main body part 1a.

また、凸部１ｃの上面と被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分との間の寸法Ｌ３が、寸法Ｌ１と同じとなるようにすることが好ましい。また、凸部１ｃの周端面と被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分との間の寸法Ｌ４が、寸法Ｌ１と同じとなるようにすることが好ましい。すなわち、隙間寸法が均一となるようにすることが好ましい。この場合、すべての隙間寸法が小さくなるようにすることが好ましい。例えば、すべての隙間寸法が０．５ｍｍ以下となるようにすることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the dimension L3 between the upper surface of the convex part 1c and the part in which the recessed part 100a of the to-be-processed object 100 was provided becomes the same as the dimension L1. Moreover, it is preferable that the dimension L4 between the peripheral end surface of the convex part 1c and the part in which the recessed part 100a of the to-be-processed object 100 was provided becomes the same as the dimension L1. That is, it is preferable to make the gap size uniform. In this case, it is preferable to make all the gap dimensions small. For example, it is preferable that all the gap dimensions be 0.5 mm or less.

一方、均一なプラズマを発生させるためには、被処理物１００が載置された領域における合成静電容量の面内分布が均一となるようにすることが好ましい。
そのため、凹部１００ａの内部に凸部１ｃを入れることで、被処理物１００の見かけ上の静電容量の面内分布が均一となるようにしている。すなわち、凹部１００ａの内部に凸部１ｃを入れることで、被処理物１００を含む領域（図４においては、平面視において被処理物１００の周端より内側であって、且つ、載置部１の端面１ａ１と被処理物１００の載置側とは反対側の面１００ｂとの間の領域）の合成静電容量の面内分布が均一となるようにしている。 On the other hand, in order to generate uniform plasma, it is preferable that the in-plane distribution of the combined capacitance in the region where the workpiece 100 is placed is uniform.
Therefore, by inserting the convex portion 1c inside the concave portion 100a, the in-plane distribution of the apparent capacitance of the workpiece 100 is made uniform. That is, by inserting the convex portion 1 c inside the concave portion 100 a, the region including the workpiece 100 (in FIG. 4, the inner side of the peripheral edge of the workpiece 100 in a plan view and the placement portion 1. The in-plane distribution of the composite capacitance in the region between the end surface 1a1 and the surface 100b opposite to the mounting side of the workpiece 100 is made uniform.

この場合、被処理物１００の静電容量に関する条件と、凸部１ｃの静電容量に関する条件とが同程度となるようにすることが好ましい。
例えば、被処理物１００の誘電率と同じ誘電率を有する材料から凸部１ｃを形成するようにすることができる。この場合、被処理物１００と同じ材料から凸部１ｃを形成するようにすることができる。
また、前述した寸法Ｌ３と、寸法Ｌ４とがなるべく小さくなるようにすることが好ましい。すなわち、凸部１ｃにより凹部１００ａが埋められるようにすることが好ましい。 In this case, it is preferable that the condition relating to the capacitance of the workpiece 100 and the condition relating to the capacitance of the convex portion 1c are approximately the same.
For example, the convex portion 1 c can be formed from a material having the same dielectric constant as that of the workpiece 100. In this case, the convex part 1c can be formed from the same material as the workpiece 100.
Moreover, it is preferable that the dimension L3 and the dimension L4 described above be as small as possible. That is, it is preferable that the concave portion 100a is filled with the convex portion 1c.

この様に、凸部１ｃは、被処理物１００の載置側に設けられた凹部１００ａの内部に入ることで被処理物１００の温度の面内分布および被処理物１００が載置された領域における合成静電容量の面内分布の少なくともいずれかを制御する。
この場合、凸部１ｃは、温度の面内分布および合成静電容量の面内分布の少なくともいずれかの均一化を図るように制御するものとすることができる。 Thus, the convex part 1c enters the inside of the recessed part 100a provided in the mounting side of the to-be-processed object 100, and is the area | region where the in-plane distribution of the temperature of the to-be-processed object 100 and the to-be-processed object 100 were mounted. To control at least one of the in-plane distributions of the combined capacitance at.
In this case, the convex portion 1c can be controlled so as to achieve at least one of the in-plane distribution of temperature and the in-plane distribution of the combined capacitance.

また、凸部１ｃは、載置部１の熱伝導率と同じ熱伝導率、および被処理物１００の誘電率と同じ誘電率の少なくともいずれかを有するものとすることができる。
また、被処理物１００と凸部１ｃとの間の寸法Ｌ３は、凸部１ｂに支持されることで形成された被処理物１００と載置部１との間の寸法Ｌ１と同じとなるようにすることができる。 Further, the convex portion 1 c can have at least one of the same thermal conductivity as that of the mounting portion 1 and the same dielectric constant as that of the workpiece 100.
In addition, the dimension L3 between the workpiece 100 and the convex portion 1c is the same as the dimension L1 between the workpiece 100 and the mounting portion 1 formed by being supported by the convex portion 1b. Can be.

図５（ａ）、（ｂ）は、凸部１ｃを設けた場合の効果を例示するための模式グラフ図である。
なお、図５（ａ）は被処理物１００の周縁部分の温度上昇と、被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分の温度上昇とを例示するための模式グラフ図である。
また、図５（ａ）中のＡ１は被処理物１００の周縁部分の温度上昇を表し、Ｂ１は被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分の温度上昇を表している。
図５（ｂ）は凹部１００ａが設けられた被処理物１００における合成静電容量の面内分布を例示するための模式グラフ図である。 FIGS. 5A and 5B are schematic graphs for illustrating the effect when the convex portion 1c is provided.
FIG. 5A is a schematic graph for illustrating the temperature rise of the peripheral portion of the workpiece 100 and the temperature rise of the portion of the workpiece 100 provided with the recess 100a.
Further, A1 in FIG. 5A represents a temperature rise in the peripheral portion of the workpiece 100, and B1 represents a temperature rise in the portion of the workpiece 100 where the recess 100a is provided.
FIG. 5B is a schematic graph for illustrating the in-plane distribution of the combined capacitance in the workpiece 100 provided with the recesses 100a.

凸部１ｃを設けるようにすれば、被処理物１００の周縁部分と、被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分とにおいて輻射による熱伝導を同程度とすることができる。そのため、図５（ａ）に示すように、温度が上昇するまでの時間と到達温度とを同程度とすることができる。この際、本体部１ａの熱伝導に関する条件と、凸部１ｃの熱伝導に関する条件とが同程度となるようにすれば、温度が上昇するまでの時間の差と、到達温度の差とをさらに小さくすることができる。
また、熱伝導が主に輻射により行われることを考慮すれば隙間の寸法がなるべく小さくなるようにすることが好ましい。例えば、隙間の寸法が０．５ｍｍ以下となるようにすれば、温度が上昇するまでの時間の差と、到達温度の差とをさらに小さくすることができる。 If the convex part 1c is provided, the heat conduction by radiation can be made comparable in the peripheral part of the to-be-processed object 100 and the part in which the recessed part 100a of the to-be-processed object 100 was provided. Therefore, as shown in FIG. 5 (a), the time until the temperature rises and the reached temperature can be made comparable. At this time, if the condition relating to the heat conduction of the main body 1a and the condition relating to the heat conduction of the convex part 1c are made comparable, the difference in time until the temperature rises and the difference in the reached temperature are further increased. Can be small.
In consideration of the fact that heat conduction is mainly performed by radiation, it is preferable to make the size of the gap as small as possible. For example, if the size of the gap is 0.5 mm or less, the difference in time until the temperature rises and the difference in ultimate temperature can be further reduced.

また、凸部１ｃを設けるようにすれば、図５（ｂ）に示すように、プラズマ処理が行われる被処理物１００の見かけ上の静電容量の面内分布が均一となるようにすることができる。そのため、後述するプラズマＰを発生させる領域において均一なプラズマを発生させることができるので、均一な処理を行うことができる。
この際、被処理物１００の静電容量に関する条件と、凸部１ｃの静電容量に関する条件とが同程度となるようにすれば（例えば、被処理物１００と同程度の誘電率を有する材料から凸部１ｃを形成したり、被処理物１００と同じ材料から凸部１ｃを形成したりすれば）、見かけ上の静電容量の面内分布がより均一となるので、均一なプラズマを発生させることがさらに容易となる。そのため、さらに均一な処理を行うことができる。 Further, if the convex portion 1c is provided, as shown in FIG. 5B, the in-plane distribution of the apparent capacitance of the workpiece 100 on which the plasma processing is performed is made uniform. Can do. Therefore, since uniform plasma can be generated in a region where plasma P, which will be described later, is generated, uniform processing can be performed.
At this time, if the condition relating to the capacitance of the workpiece 100 and the condition relating to the capacitance of the convex portion 1c are set to be approximately the same (for example, a material having a dielectric constant comparable to that of the workpiece 100). If the convex portion 1c is formed from the same material as the workpiece 100 or the convex portion 1c is formed from the same material as the processing object 100), the in-plane distribution of the apparent capacitance becomes more uniform, so that uniform plasma is generated. It is even easier to do. Therefore, a more uniform process can be performed.

ところが、被処理物１００の寸法や、載置部１の寸法には誤差がある。そのため、前述した寸法Ｌ１、寸法Ｌ３、および寸法Ｌ４が所望の一定の寸法にはならないことになる。
また、複数の被処理物１００を、それぞれ複数の載置部１に載置して処理を行う場合は、被処理物１００と載置部１との組み合わせにより寸法の誤差の大きさが変わり、寸法Ｌ１、寸法Ｌ３、および寸法Ｌ４がばらつくことになる。
そして、これらの寸法がばらつくと、前述した温度と合成静電容量がばらつき、ひいては複数の被処理物１００間におけるそれぞれのエッチングレートがばらつくことになる。 この場合、寸法誤差の影響は、複数の被処理物１００間におけるそれぞれの合成静電容量のばらつきに大きな影響を与える。そして、合成静電容量のばらつきは、複数の被処理物１００間におけるそれぞれのエッチングレートのばらつきに大きな影響を与える。 However, there is an error in the dimensions of the workpiece 100 and the dimensions of the placement unit 1. For this reason, the above-described dimension L1, dimension L3, and dimension L4 do not become desired constant dimensions.
In addition, when performing processing by placing a plurality of objects to be processed 100 on the plurality of placement units 1, the size error varies depending on the combination of the object to be treated 100 and the placement unit 1, The dimension L1, the dimension L3, and the dimension L4 vary.
When these dimensions vary, the temperature and the combined capacitance described above vary, and as a result, the respective etching rates between the plurality of objects to be processed 100 vary. In this case, the influence of the dimensional error greatly affects the variation in the combined capacitance among the plurality of workpieces 100. Then, the variation in the synthetic capacitance greatly affects the variation in the etching rate between the plurality of objects to be processed 100.

図６は、合成静電容量とエッチングレートとの関係を例示するためのグラフ図である。
なお、図６に例示をするエッチングレートは、石英をエッチングする際のエッチングレートである。
図６に示すように、合成静電容量の僅かな変化は、エッチングレートの比較的大きな変化となる。
すなわち、被処理物１００の寸法や、載置部１の寸法に誤差があると、誤差の大きさに応じてエッチングレートが変化することになる。 FIG. 6 is a graph for illustrating the relationship between the combined capacitance and the etching rate.
The etching rate illustrated in FIG. 6 is an etching rate when quartz is etched.
As shown in FIG. 6, a slight change in the combined capacitance results in a relatively large change in the etching rate.
That is, if there is an error in the dimension of the workpiece 100 and the dimension of the mounting portion 1, the etching rate changes depending on the magnitude of the error.

図７は、被処理物１００および載置部１の寸法と、合成静電容量との関係を例示するための模式図である。
図７に示すように、被処理物１００の厚み寸法をＴ１、被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分における被処理物１００の厚み寸法をＴ２、凸部１ｂの上面と凸部１ｃの上面との間の寸法をＴ３とする。
また、被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分における静電容量をＣ１、被処理物１００の凹部１００ａと凸部１ｃとの間の隙間の静電容量をＣ２、被処理物１００の凹部１００ａが設けられた領域における合成静電容量をＣとする。
また、真空の誘電率をε０、被処理物１００の材料の比誘電率をε１、被処理物１００の凹部１００ａが設けられた部分における被処理領域（エッチング処理を行う対象領域）の面積をＳとする。 FIG. 7 is a schematic diagram for illustrating the relationship between the dimensions of the workpiece 100 and the placement unit 1 and the combined capacitance.
As shown in FIG. 7, the thickness dimension of the workpiece 100 is T1, the thickness dimension of the workpiece 100 in the portion of the workpiece 100 where the recess 100a is provided is T2, the upper surface of the convex portion 1b and the convex portion 1c. The dimension between the top surface is T3.
In addition, the capacitance of the portion of the workpiece 100 where the recess 100a is provided is C1, the capacitance of the gap between the recess 100a of the workpiece 100 and the convex portion 1c is C2, and the recess of the workpiece 100 Let C be the combined capacitance in the area where 100a is provided.
Further, the dielectric constant of the vacuum is ε 0 , the relative dielectric constant of the material of the object to be processed 100 is ε 1 , and the area of the object to be processed (target area to be etched) in the portion of the object to be processed 100 where the recess 100a is provided. Let S be S.

すると、静電容量Ｃ１は以下の（１）式により表すことができる。
Ｃ１＝（ε０×ε１×Ｓ）／Ｔ２ ・・・（１）
また、静電容量Ｃ２は以下の（２）式により表すことができる。
Ｃ２＝（ε０×Ｓ）／（Ｔ１−Ｔ２−Ｔ３） ・・・（２）
また、合成静電容量Ｃと、静電容量Ｃ１および静電容量Ｃ２との関係は以下の（３）式で表すことができる。
１／Ｃ＝１／Ｃ１＋１／Ｃ２ ・・・（３）
ここで、寸法Ｔ１〜Ｔ３および面積Ｓは、誤差も含めて予め測定することができる。
また、比誘電率ε１は、被処理物１００の材料により知ることができる。
そのため、（１）式〜（３）式を用いて被処理領域（エッチング処理を行う対象領域）における合成静電容量Ｃを求めることができる。
そして、図６に例示をしたような合成静電容量とエッチングレートとの関係を予め求めておけば、求められた合成静電容量に基づいてエッチングレートを知ることができる。
すなわち、被処理物１００の寸法や、載置部１の寸法に誤差があるとしても、実際にエッチング処理を施す被処理物１００のエッチングレートを知ることができる。
なお、載置部１が誘電体から形成されている場合には、載置部１の静電容量を考慮して合成静電容量を算出することができる。
この場合、（「載置部１の材料の比誘電率」×「真空の誘電率」×「Ｓ」）／「凸部１ｃと本体部１ａの厚み寸法の合計」によって算出された静電容量を、Ｃαとし、合成静電容量Ｃを以下の（４）式で算出することができる。
１／Ｃ＝１／Ｃ１＋１／Ｃ２＋１／Ｃα ・・・（４） Then, the capacitance C1 can be expressed by the following equation (1).
C1 = (ε 0 × ε 1 × S) / T2 (1)
Further, the capacitance C2 can be expressed by the following equation (2).
C2 = (ε 0 × S) / (T1-T2-T3) (2)
The relationship between the combined capacitance C, the capacitance C1, and the capacitance C2 can be expressed by the following equation (3).
1 / C = 1 / C1 + 1 / C2 (3)
Here, the dimensions T1 to T3 and the area S can be measured in advance including an error.
Further, the relative dielectric constant ε 1 can be known from the material of the workpiece 100.
Therefore, the synthetic capacitance C in the region to be processed (target region where the etching process is performed) can be obtained using Equations (1) to (3).
If the relationship between the combined capacitance and the etching rate illustrated in FIG. 6 is obtained in advance, the etching rate can be known based on the obtained combined capacitance.
That is, even if there is an error in the dimensions of the object to be processed 100 and the dimensions of the mounting portion 1, the etching rate of the object to be processed 100 that is actually subjected to the etching process can be known.
When the placement unit 1 is formed of a dielectric, the combined capacitance can be calculated in consideration of the capacitance of the placement unit 1.
In this case, the capacitance calculated by (“relative permittivity of the material of the mounting portion 1” × “dielectric constant of vacuum” × “S”) / “total thickness of the convex portion 1c and the main body portion 1a” Is Cα, and the combined capacitance C can be calculated by the following equation (4).
1 / C = 1 / C1 + 1 / C2 + 1 / Cα (4)

実際にエッチング処理を施す被処理物１００のエッチングレートが分かれば、プラズマ処理におけるプロセス条件を制御することで、被処理物１００毎に適切なエッチング処理を施すことができる。
例えば、エッチング時間やバイアスパワーを制御することで、被処理物１００毎に適切なエッチング処理を施すことができる。 If the etching rate of the object 100 to be actually subjected to the etching process is known, an appropriate etching process can be performed for each object 100 by controlling the process conditions in the plasma processing.
For example, by controlling the etching time and bias power, an appropriate etching process can be performed for each object 100 to be processed.

図８は、エッチング時間と合成静電容量との関係を例示するためのグラフ図である。
なお、図８は、石英を６０ｎｍエッチングする際のエッチング時間と合成静電容量との関係を例示するためのグラフ図である。
前述したように、求められた合成静電容量に基づいて、実際にエッチング処理を施す被処理物１００のエッチングレートが分かる。そのため、エッチングレートとエッチング寸法とからエッチング時間を求めることができる。
すなわち、図６に例示をした合成静電容量とエッチングレートとの関係と、エッチング寸法とから、図８に例示をしたエッチング時間と合成静電容量との関係を求めることができる。 FIG. 8 is a graph for illustrating the relationship between the etching time and the combined capacitance.
FIG. 8 is a graph for illustrating the relationship between etching time and synthetic capacitance when quartz is etched by 60 nm.
As described above, the etching rate of the object to be processed 100 to be actually subjected to the etching process can be found based on the obtained synthetic capacitance. Therefore, the etching time can be obtained from the etching rate and the etching dimensions.
That is, the relationship between the etching time illustrated in FIG. 8 and the combined capacitance can be obtained from the relationship between the combined capacitance illustrated in FIG. 6 and the etching rate and the etching dimensions.

この様にプラズマ処理におけるプロセス条件と、合成静電容量との関係を予め求めることができる。
そのため、実際にエッチング処理を施す被処理物１００の寸法や載置部１の寸法を測定し、測定された寸法と被処理物１００の材料の誘電率とから合成静電容量を求め、求められた合成静電容量に基づいて適切なプロセス条件を知ることができる。
なお、プラズマ処理におけるプロセス条件は、例えば、エッチング時間や、バイアスパワーなどとすることができる。 In this way, the relationship between the process conditions in the plasma processing and the synthetic capacitance can be obtained in advance.
Therefore, the dimension of the workpiece 100 to be actually etched and the dimension of the mounting portion 1 are measured, and the composite capacitance is obtained from the measured dimension and the dielectric constant of the material of the workpiece 100. Appropriate process conditions can be known based on the combined capacitance.
Note that the process conditions in the plasma treatment can be, for example, etching time, bias power, or the like.

図９は、他の実施形態に係る載置部１１を例示するための模式断面図である。
図４（ａ）、（ｂ）に例示をした被処理物１００は載置側に凹部１００ａが設けられた場合であるが、図９に例示をする被処理物１１０は載置側に凹部１１０ａが設けられるとともに載置側の反対側に凸部１１０ｂが設けられている。
この様に凹部１１０ａの他に凸部１１０ｂが設けられていても被処理物１１０の熱伝導に関する条件は余り変わらないので、到達温度に対する影響は小さい。そのため、凸部１１０ｂが設けられていても温度の面内分布に対する影響は小さい。 FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for illustrating the placement unit 11 according to another embodiment.
The workpiece 100 illustrated in FIGS. 4A and 4B is a case where the concave portion 100a is provided on the placement side, but the workpiece 110 illustrated in FIG. 9 has the concave portion 110a on the placement side. And a convex portion 110b on the opposite side of the placement side.
Thus, even if the convex part 110b is provided in addition to the concave part 110a, the conditions regarding the heat conduction of the workpiece 110 do not change so much, so the influence on the ultimate temperature is small. Therefore, even if the convex part 110b is provided, the influence on the in-plane distribution of temperature is small.

しかしながら、凸部１１０ｂが設けられていると合成静電容量の面内分布に対する影響が大きくなるおそれがある。
そのため、本実施の形態に係る載置部１１は、凸部１１０ｂに対応する位置に凹部１１ａを有している。この様にすれば、被処理物１１０が載置された領域における合成静電容量の面内分布の均一化を図ることができる。すなわち、凸部１１０ｂが設けられることで部分的に増加した静電容量を減少させるために凹部１１ａを設けている。この場合、載置部１１は、載置部１に凹部１１ａを設けたものとすることができる。 However, if the convex portion 110b is provided, the influence on the in-plane distribution of the combined capacitance may be increased.
For this reason, the mounting portion 11 according to the present embodiment has a concave portion 11a at a position corresponding to the convex portion 110b. In this way, the in-plane distribution of the combined capacitance in the region where the workpiece 110 is placed can be made uniform. That is, the concave portion 11a is provided in order to reduce the capacitance that is partially increased by the provision of the convex portion 110b. In this case, the mounting unit 11 may be a mounting unit 1 provided with a recess 11a.

本実施の形態に係る載置部１１の場合も前述した載置部１の場合と同様にして、寸法誤差に起因する複数の被処理物１１０間におけるそれぞれのエッチングレートのばらつきを抑制することができる。
例えば、実際にエッチング処理を施す被処理物１１０の領域における厚み寸法や、被処理物１１０と載置部１１のとの間の厚み方向の寸法を測定し、測定されたこれらの寸法と被処理物１１０の材料の誘電率とから合成静電容量を求め、求められた合成静電容量に基づいて適切なプロセス条件を求める。そして、求められたプロセス条件を用いて、被処理物１１０にエッチング処理を施すことで、複数の被処理物１１０間におけるそれぞれのエッチングレートのばらつきを抑制することができる。 In the case of the mounting unit 11 according to the present embodiment, as in the case of the mounting unit 1 described above, it is possible to suppress variations in the etching rates among the plurality of objects to be processed 110 due to dimensional errors. it can.
For example, the thickness dimension in the region of the workpiece 110 to be actually subjected to the etching process and the dimension in the thickness direction between the workpiece 110 and the mounting portion 11 are measured, and these measured dimensions and the workpiece are measured. The composite capacitance is obtained from the dielectric constant of the material of the object 110, and an appropriate process condition is obtained based on the obtained composite capacitance. Then, by performing an etching process on the object to be processed 110 using the obtained process conditions, it is possible to suppress variations in the etching rates among the plurality of objects to be processed 110.

図１０は、他の実施形態に係る載置部２１を例示するための模式断面図である。
図１０に示すように、被処理物１２０が平板状の場合には、載置部２１に凸部１ｃを設ける必要はない。すなわち、載置部２１に凸部１ｃを設けて、温度の面内分布や合成静電容量の面内分布に関する条件を制御する必要はない。
そのため、図１０に示すように、載置部２１は、被処理物１２０を支持する凸部１ｂが設けられたものとすればよい。 FIG. 10 is a schematic cross-sectional view for illustrating the placement unit 21 according to another embodiment.
As shown in FIG. 10, when the workpiece 120 is flat, it is not necessary to provide the convex portion 1 c on the placement portion 21. That is, it is not necessary to provide the convex portion 1c on the mounting portion 21 and control the conditions regarding the in-plane distribution of temperature and the in-plane distribution of the combined capacitance.
Therefore, as shown in FIG. 10, the placement portion 21 may be provided with a convex portion 1 b that supports the workpiece 120.

しかしながら、この様な場合であっても寸法誤差（例えば、凸部１ｂの高さ寸法の誤差）に起因するエッチングレートのばらつきが発生する。
本実施の形態に係る載置部２１の場合も前述した載置部１の場合と同様にして、寸法誤差に起因するエッチングレートのばらつきを抑制することができる。
例えば、実際にエッチング処理を施す被処理物１２０の寸法や載置部２１の寸法を測定し、測定された寸法と被処理物１２０の材料の誘電率とから被処理領域（エッチング処理を行う対象領域）における合成静電容量を求め、求められた合成静電容量に基づいて適切なプロセス条件を求める。そして、求められたプロセス条件を用いて、被処理物１２０にエッチング処理を施すことで、複数の被処理物１２０間におけるそれぞれのエッチングレートのばらつきを抑制することができる。 However, even in such a case, the etching rate varies due to a dimensional error (for example, an error in the height dimension of the convex portion 1b).
In the case of the mounting unit 21 according to the present embodiment, as in the case of the mounting unit 1 described above, it is possible to suppress variations in the etching rate due to dimensional errors.
For example, the dimensions of the object 120 to be actually etched and the dimensions of the mounting portion 21 are measured, and the region to be processed (the object to be etched is determined from the measured dimensions and the dielectric constant of the material of the object 120. The composite capacitance in the region) is obtained, and an appropriate process condition is obtained based on the obtained composite capacitance. Then, by performing an etching process on the object to be processed 120 using the obtained process conditions, it is possible to suppress variations in the etching rates among the plurality of objects to be processed 120.

次に、本実施の形態に係るプラズマ処理装置について例示をする。
図１１は、プラズマ処理装置３０を例示するための模式図である。
図１１に例示をするプラズマ処理装置３０は、一般に「ＳＷＰ（Surface Wave Plasma：表面波プラズマ）装置」と呼ばれるマイクロ波励起型のプラズマ処理装置である。すなわち、マイクロ波により励起、発生させたプラズマを用いてプロセスガスからプラズマ生成物を生成し、被処理物の処理を行うプラズマ処理装置の一例である。 Next, the plasma processing apparatus according to this embodiment is illustrated.
FIG. 11 is a schematic diagram for illustrating the plasma processing apparatus 30.
The plasma processing apparatus 30 illustrated in FIG. 11 is a microwave-excited plasma processing apparatus generally referred to as a “SWP (Surface Wave Plasma) apparatus”. That is, it is an example of a plasma processing apparatus that generates a plasma product from a process gas using plasma excited and generated by microwaves and processes an object to be processed.

図１１に示すように、プラズマ処理装置３０は、プラズマ発生部３１、処理容器３２、マイクロ波発生部３３、ガス供給部３７、減圧部３８、制御部５０、格納部５１、演算部５２などを備えている。
プラズマ発生部３１は、プラズマＰを発生させる領域にマイクロ波（電磁エネルギー）を供給することでプラズマＰを発生させる。
プラズマ発生部３１には、透過窓３４、導入導波管３５が設けられている。透過窓３４は平板状を呈し、マイクロ波Ｍに対する透過率が高くエッチングされにくい材料からなる。透過窓３４は、処理容器３２の上端に気密となるようにして設けられている。 As shown in FIG. 11, the plasma processing apparatus 30 includes a plasma generation unit 31, a processing vessel 32, a microwave generation unit 33, a gas supply unit 37, a decompression unit 38, a control unit 50, a storage unit 51, a calculation unit 52, and the like. I have.
The plasma generator 31 generates the plasma P by supplying microwaves (electromagnetic energy) to a region where the plasma P is generated.
The plasma generator 31 is provided with a transmission window 34 and an introduction waveguide 35. The transmission window 34 has a flat plate shape and is made of a material that has a high transmittance with respect to the microwave M and is difficult to be etched. The transmission window 34 is provided at the upper end of the processing container 32 so as to be airtight.

処理容器３２の外側であって、透過窓３４の上面には導入導波管３５が設けられている。導入導波管３５は、マイクロ波発生部３３から放射されたマイクロ波Ｍを伝播させて、プラズマＰを発生させる領域にマイクロ波Ｍを導入する。
導入導波管３５と透過窓３４との接続部分には、スロット３６が設けられている。スロット３６は、導入導波管３５の内部を導波されてきたマイクロ波Ｍを透過窓３４に向けて放射するためのものである。 An introduction waveguide 35 is provided outside the processing container 32 and on the top surface of the transmission window 34. The introduction waveguide 35 propagates the microwave M radiated from the microwave generation unit 33 and introduces the microwave M into a region where the plasma P is generated.
A slot 36 is provided at a connection portion between the introduction waveguide 35 and the transmission window 34. The slot 36 is for radiating the microwave M guided inside the introduction waveguide 35 toward the transmission window 34.

導入導波管３５の一端には、マイクロ波発生部３３が設けられている。マイクロ波発生部３３は、所定周波数（例えば２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波Ｍを発生させ、導入導波管３５に向けて放射することができるようになっている。
処理容器３２の側壁上部には、流量制御部（Mass Flow Controller：ＭＦＣ）３７ａを介してガス供給部３７が接続されている。そして、ガス供給部３７から流量制御部３７ａを介して処理容器３２内のプラズマＰを発生させる領域にプロセスガスＧを供給することができるようになっている。 A microwave generation unit 33 is provided at one end of the introduction waveguide 35. The microwave generator 33 is configured to generate a microwave M having a predetermined frequency (eg, 2.45 GHz) and radiate it toward the introduction waveguide 35.
A gas supply unit 37 is connected to the upper portion of the side wall of the processing vessel 32 via a flow rate control unit (Mass Flow Controller: MFC) 37a. The process gas G can be supplied from the gas supply unit 37 to the region where the plasma P in the processing container 32 is generated via the flow rate control unit 37a.

処理容器３２は、有底の略円筒形状を呈し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能とされている。また、その内部には、例えば、前述した載置部１が設けられている。なお載置部１は、処理容器内に搬入されて処理容器３２内に設置されるものであってもよい。また、載置部１は、図示しない台座の上に固定または着脱自在に設けられていてもよい。 処理容器３２の底面には、圧力制御部（Auto Pressure Controller：ＡＰＣ）３８ａを介してターボ分子ポンプ（turbomolecular pump：ＴＭＰ）などの減圧部３８が接続されている。減圧部３８は、処理容器３２の内部を所定の圧力まで減圧する。圧力制御部３８ａは、処理容器３２の内圧を検出する図示しない真空計の出力に基づいて、処理容器３２の内圧が所定の圧力となるように制御する。   The processing vessel 32 has a substantially cylindrical shape with a bottom and can maintain an atmosphere that is depressurized from atmospheric pressure. In addition, for example, the above-described mounting portion 1 is provided in the inside. In addition, the mounting part 1 may be carried into the processing container and installed in the processing container 32. Moreover, the mounting part 1 may be fixed or detachably provided on a pedestal (not shown). A decompression unit 38 such as a turbomolecular pump (TMP) is connected to the bottom surface of the processing vessel 32 via a pressure control unit (Auto Pressure Controller: APC) 38a. The decompression unit 38 decompresses the inside of the processing container 32 to a predetermined pressure. The pressure control unit 38a controls the internal pressure of the processing container 32 to be a predetermined pressure based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the processing container 32.

制御部５０は、プラズマ処理装置３０に設けられた各要素の動作を制御する。
例えば、制御部５０は、マイクロ波発生部３３を制御して、プラズマＰの発生と停止を制御する。
この際、制御部５０は、マイクロ波発生部３３を制御して、エッチング時間を制御することができる。 The control unit 50 controls the operation of each element provided in the plasma processing apparatus 30.
For example, the controller 50 controls the microwave generator 33 to control the generation and stop of the plasma P.
At this time, the control unit 50 can control the etching time by controlling the microwave generation unit 33.

格納部５１は、載置部１の寸法に関する情報と、被処理物１００の寸法と材料に関する情報を格納する。また、格納部５１は、予め求められたプラズマ処理におけるプロセス条件と、合成静電容量との関係に関する情報を格納する。
なお、プラズマ処理におけるプロセス条件と、合成静電容量との関係は、予め実験やシミュレーションなどを行うことで求めることができる。
格納部５１に格納される情報は、通信手段、記憶媒体、キーボードなどの入力手段などを介して入力される。
また、載置部１の寸法に関する情報と、被処理物１００の寸法と材料に関する情報を外部のデータベースなどから抽出するために、載置部１や被処理物１００の識別コードを認識する図示しない認識部（例えば、バーコードリーダなど）などを設けることもできる。 The storage unit 51 stores information on the dimensions of the placement unit 1 and information on the dimensions and materials of the workpiece 100. In addition, the storage unit 51 stores information on the relationship between the process conditions in the plasma processing obtained in advance and the combined capacitance.
Note that the relationship between the process conditions in the plasma processing and the synthetic capacitance can be obtained by conducting experiments or simulations in advance.
Information stored in the storage unit 51 is input via an input unit such as a communication unit, a storage medium, or a keyboard.
Moreover, in order to extract the information regarding the dimension of the mounting part 1 and the information regarding the dimension and material of the workpiece 100 from an external database or the like, the identification code of the mounting part 1 or the workpiece 100 is not shown. A recognition unit (for example, a barcode reader) can be provided.

演算部５２は、格納部５１に格納されている載置部１の寸法に関する情報と、被処理物１００の寸法と材料に関する情報とから、合成静電容量を演算する。
そして、演算部５２は、演算された合成静電容量と、格納部５１に格納されているプラズマ処理におけるプロセス条件と、合成静電容量との関係に関する情報とから適切なプロセス条件を演算する。
例えば、演算部５２は、演算された合成静電容量に基づいて、適切なエッチング時間を演算する。 The calculation unit 52 calculates a combined capacitance from information on the dimensions of the placement unit 1 stored in the storage unit 51 and information on the dimensions and materials of the workpiece 100.
Then, the calculation unit 52 calculates an appropriate process condition from the calculated combined capacitance, the process condition in the plasma processing stored in the storage unit 51, and information related to the relationship between the combined capacitance.
For example, the calculation unit 52 calculates an appropriate etching time based on the calculated combined capacitance.

なお、載置部１または被処理物１００の寸法誤差が少なかったり、被処理物１００の材料が限られたものであったりする場合もある。
そのため、演算部５２は、載置部１の寸法に関する情報、および被処理物１００の寸法に関する情報の少なくともいずれかとから合成静電容量を演算し、演算された合成静電容量に基づいて、プラズマ処理におけるプロセス条件を演算するようにすることができる。 In addition, there may be a small dimensional error of the mounting part 1 or the workpiece 100, or the material of the workpiece 100 may be limited.
Therefore, the calculation unit 52 calculates a combined capacitance from at least one of the information related to the dimensions of the placement unit 1 and the information related to the dimensions of the workpiece 100, and plasma is calculated based on the calculated combined capacitance. It is possible to calculate a process condition in the processing.

プラズマ処理を行う際には、処理容器３２内が減圧部３８により所定圧力まで減圧され、ガス供給部３７から所定量のプロセスガスＧ（例えば、ＣＦ４など）が処理容器３２内のプラズマＰを発生させる領域に供給される。一方、マイクロ波発生部３３から所定のパワーのマイクロ波Ｍが導入導波管３５内に放射され、スロット３６を介して透過窓３４に向けて放射される。透過窓３４に向けて放射されたマイクロ波Ｍは、透過窓３４の表面を伝搬して、処理容器３２内に放射される。このようにして処理容器３２内に放射されたマイクロ波ＭのエネルギーによりプラズマＰが発生し、発生したプラズマＰ中において、プロセスガスＧが励起、活性化されて中性活性種、イオンなどのプラズマ生成物が生成される。そして、この生成されたプラズマ生成物により被処理物１００の表面がエッチング処理される。
この際、演算部５２により演算されたプロセス条件に基づいて、エッチング処理が行われる。
例えば、演算部５２により演算されたエッチング時間に基づいて、エッチング処理が行われる。 When performing the plasma processing, the inside of the processing vessel 32 is decompressed to a predetermined pressure by the decompression unit 38, and a predetermined amount of process gas G (for example, CF 4 ) from the gas supply unit 37 causes the plasma P in the processing vessel 32 to be generated. Supplied to the area to be generated. On the other hand, a microwave M having a predetermined power is radiated from the microwave generator 33 into the introduction waveguide 35 and radiated toward the transmission window 34 through the slot 36. The microwave M radiated toward the transmission window 34 propagates through the surface of the transmission window 34 and is radiated into the processing container 32. In this way, the plasma P is generated by the energy of the microwave M radiated into the processing container 32. In the generated plasma P, the process gas G is excited and activated to generate plasma of neutral active species, ions, and the like. A product is produced. Then, the surface of the workpiece 100 is etched by the generated plasma product.
At this time, the etching process is performed based on the process conditions calculated by the calculation unit 52.
For example, the etching process is performed based on the etching time calculated by the calculation unit 52.

本実施の形態によれば、凸部１ｃを有する載置部１を設けているので、凹部１００ａを有する被処理物１００をプラズマ処理する場合であっても、被処理物１００の温度および合成静電容量が均一となるようにすることができる。
そのため、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。 According to the present embodiment, since the mounting portion 1 having the convex portion 1c is provided, even when the workpiece 100 having the concave portion 100a is subjected to plasma treatment, the temperature of the workpiece 100 and the synthetic static The electric capacity can be made uniform.
Therefore, the in-plane uniformity of plasma processing can be improved.

またさらに、載置部１の寸法の関する情報と、被処理物１００の寸法と材料に関する情報とから適切なプロセス条件を求めることができる。
そのため、載置部１の寸法や被処理物１００の寸法に誤差があったとしても、複数の被処理物１００間におけるそれぞれのプラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。 Furthermore, it is possible to obtain appropriate process conditions from information relating to the dimensions of the placement unit 1 and information relating to the dimensions and materials of the workpiece 100.
Therefore, even if there is an error in the dimensions of the placement unit 1 and the dimension of the workpiece 100, the in-plane uniformity of each plasma treatment among the plurality of workpieces 100 can be improved.

図１２は、他の実施形態に係るプラズマ処理装置４０を例示するための模式断面図である。
図１２に例示をするプラズマ処理装置４０は、一般に「平行平板型ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置」と呼ばれる容量結合型プラズマ（Capacitively Coupled Plasma：CCP）処理装置である。すなわち、平行平板電極に高周波電力を印加することで発生させたプラズマを用いてプロセスガスＧからプラズマ生成物を生成し、被処理物の処理を行うプラズマ処理装置の一例である。 FIG. 12 is a schematic cross-sectional view for illustrating a plasma processing apparatus 40 according to another embodiment.
A plasma processing apparatus 40 illustrated in FIG. 12 is a capacitively coupled plasma (CCP) processing apparatus generally called a “parallel plate type RIE (Reactive Ion Etching) apparatus”. That is, it is an example of a plasma processing apparatus that generates a plasma product from the process gas G using plasma generated by applying high-frequency power to parallel plate electrodes, and processes an object to be processed.

図１２に示すように、プラズマ処理装置４０は、ガス供給部３７、減圧部３８、処理容器４２、プラズマ発生部４３、電源部４４、制御部５０、格納部５１、演算部５２などを備えている。   As shown in FIG. 12, the plasma processing apparatus 40 includes a gas supply unit 37, a decompression unit 38, a processing vessel 42, a plasma generation unit 43, a power supply unit 44, a control unit 50, a storage unit 51, a calculation unit 52, and the like. Yes.

処理容器４２は、両端が閉塞された略円筒形状を呈し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能となっている。
処理容器４２の内部にはプラズマＰを発生させるプラズマ発生部４３が設けられている。
プラズマ発生部４３は、プラズマＰを発生させる領域に電磁エネルギーを供給することでプラズマＰを発生させる。
プラズマ発生部４３には、下部電極４８、上部電極４９が設けられている。
下部電極４８は、例えば、前述した載置部１とすることができる。
なお、下部電極４８を載置部１とせずに、下部電極４８の上にさらに載置部１を固定または着脱自在に設けてもよい。その場合、載置部１は、処理容器内に搬入されて下部電極４８上に設置されるものであってもよい。
上部電極４９は、下部電極４８に対向させるようにして設けられている。
下部電極４８にはブロッキングコンデンサ４６を介して電源４５が接続され、上部電極４９は接地されている。そのため、プラズマ発生部４３は、プラズマＰを発生させる領域に電磁エネルギーを供給することでプラズマＰを発生させることができる。 The processing container 42 has a substantially cylindrical shape with both ends closed, and can maintain an atmosphere reduced in pressure from atmospheric pressure.
A plasma generator 43 that generates plasma P is provided inside the processing vessel 42.
The plasma generator 43 generates the plasma P by supplying electromagnetic energy to a region where the plasma P is generated.
The plasma generating unit 43 is provided with a lower electrode 48 and an upper electrode 49.
The lower electrode 48 can be, for example, the mounting unit 1 described above.
Instead of the lower electrode 48 as the mounting portion 1, the mounting portion 1 may be further fixed or detachable on the lower electrode 48. In that case, the placement unit 1 may be carried into the processing container and installed on the lower electrode 48.
The upper electrode 49 is provided so as to face the lower electrode 48.
A power supply 45 is connected to the lower electrode 48 via a blocking capacitor 46, and the upper electrode 49 is grounded. Therefore, the plasma generator 43 can generate the plasma P by supplying electromagnetic energy to a region where the plasma P is generated.

電源部４４には、電源４５、ブロッキングコンデンサ４６が設けられている。
電源４５は、１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の高周波電力を下部電極４８に印加する。ブロッキングコンデンサ４６は、プラズマＰの中で発生し下部電極４８に到達した電子の移動を阻止するために設けられている。 The power supply unit 44 is provided with a power supply 45 and a blocking capacitor 46.
The power supply 45 applies high frequency power of about 100 KHz to 100 MHz to the lower electrode 48. The blocking capacitor 46 is provided to prevent movement of electrons generated in the plasma P and reaching the lower electrode 48.

プラズマ処理を行う際には、処理容器４２内が圧力制御部３８ａを介して減圧部３８により所定圧力まで減圧され、ガス供給部３７から流量制御部３７ａを介して所定量のプロセスガスＧ（例えば、ＣＦ４など）が処理容器４２内のプラズマＰを発生させる領域に供給される。一方、電源部４４より１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の高周波電力が下部電極４８に印加される。すると、下部電極４８と上部電極４９とが平行平板電極を構成するため、電極間に放電が起こりプラズマＰが発生する。発生したプラズマＰによりプロセスガスＧが励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子などのプラズマ生成物が生成される。この生成されたプラズマ生成物により被処理物１００の表面がエッチング処理される。
この際、演算部５２により演算されたプロセス条件に基づいて、エッチング処理が行われる。
例えば、演算部５２により演算されたエッチング時間やバイアスパワーに基づいて、エッチング処理が行われる。 When plasma processing is performed, the inside of the processing vessel 42 is decompressed to a predetermined pressure by the decompression unit 38 via the pressure control unit 38a, and a predetermined amount of process gas G (for example, from the gas supply unit 37 via the flow rate control unit 37a). , CF 4, etc.) are supplied to the region in the processing chamber 42 where the plasma P is generated. On the other hand, high frequency power of about 100 kHz to 100 MHz is applied to the lower electrode 48 from the power supply unit 44. Then, since the lower electrode 48 and the upper electrode 49 constitute a parallel plate electrode, discharge occurs between the electrodes and plasma P is generated. The process gas G is excited and activated by the generated plasma P, and plasma products such as neutral active species, ions, and electrons are generated. The surface of the workpiece 100 is etched by the generated plasma product.
At this time, the etching process is performed based on the process conditions calculated by the calculation unit 52.
For example, the etching process is performed based on the etching time and bias power calculated by the calculation unit 52.

本実施の形態によれば、凸部１ｃを有する載置部１を設けているので、凹部１００ａを有する被処理物１００をプラズマ処理する場合であっても、被処理物１００の温度および合成静電容量が均一となるようにすることができる。
そのため、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。 According to the present embodiment, since the mounting portion 1 having the convex portion 1c is provided, even when the workpiece 100 having the concave portion 100a is subjected to plasma treatment, the temperature of the workpiece 100 and the synthetic static The electric capacity can be made uniform.
Therefore, the in-plane uniformity of plasma processing can be improved.

またさらに、載置部１の寸法の関する情報と、被処理物１００の寸法と材料に関する情報とから適切なプロセス条件を求めることができる。
そのため、載置部１の寸法や被処理物１００の寸法に誤差があったとしても、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。 Furthermore, it is possible to obtain appropriate process conditions from information relating to the dimensions of the placement unit 1 and information relating to the dimensions and materials of the workpiece 100.
Therefore, even if there is an error in the dimensions of the mounting portion 1 and the dimension of the workpiece 100, the in-plane uniformity of the plasma processing can be improved.

なお、マイクロ波励起型プラズマ処理装置、容量結合型プラズマ処理装置を例示したがこれに限定されるわけではない。例えば、誘導結合型プラズマ処理装置、二周波プラズマ処理装置などの各種のプラズマ処理装置に広く適用させることができる。
また、載置側に凹部１００ａが設けられた被処理物としては、周縁部にリブが設けられた半導体ウェーハ、フォトマスク、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)分野や光学分野における部品などを例示することができる。ただし、これらに限定されるわけではなくプラズマ処理が行われるものであればよい。 In addition, although the microwave excitation type | mold plasma processing apparatus and the capacitive coupling type plasma processing apparatus were illustrated, it is not necessarily limited to this. For example, the present invention can be widely applied to various plasma processing apparatuses such as an inductively coupled plasma processing apparatus and a dual frequency plasma processing apparatus.
Examples of the object to be processed having the recess 100a on the mounting side include a semiconductor wafer, a photomask, a part in the MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) field and the optical field having a rib on the periphery. Can do. However, the present invention is not limited to these, and any plasma processing may be performed.

以上に説明したように、本実施の形態に係るプラズマ処理方法は、以下の工程を備えている。
載置部の寸法に関する情報、および被処理物の寸法に関する情報の少なくともいずれかとから合成静電容量を求め、求められた合成静電容量に基づいて、プラズマ処理におけるプロセス条件を求める工程。
求められたプロセス条件に基づいて、プラズマ処理を行う工程。
この場合、プロセス条件を求める工程において、求められた合成静電容量と、予め求められた合成静電容量とプロセス条件との関係と、からプラズマ処理におけるプロセス条件を求めるようにすることができる。
また、プロセス条件は、エッチング時間およびバイアスパワーの少なくともいずれかとすることができる。
そして、プラズマ処理を行う工程において、求められたプロセス条件に基づいて、プラズマを制御するようにすることができる。 As described above, the plasma processing method according to the present embodiment includes the following steps.
A step of obtaining a synthetic capacitance from at least one of information relating to the size of the mounting portion and information relating to the size of the workpiece, and obtaining a process condition in plasma processing based on the obtained synthetic capacitance.
A step of performing plasma treatment based on the obtained process conditions.
In this case, in the step of obtaining the process condition, the process condition in the plasma processing can be obtained from the obtained synthetic capacitance and the relationship between the obtained synthetic capacitance and the process condition.
The process condition can be at least one of etching time and bias power.
In the step of performing the plasma treatment, the plasma can be controlled based on the obtained process conditions.

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
例えば、被処理物１００の載置側の中央部分に凹部１００ａが設けられる場合を例示したが、凹部の形状、大きさ、配置は適宜変更することができる。
図１３は、他の実施形態に係る凹部の配置を例示するための模式断面図である。
図１３に示すように、被処理物２００の載置側の周縁部分に凹部２００ａが設けられるようにしてもよい。この様な場合にも、前述した場合と同様にして凸部１ｃを設けることで前述した効果を享受することができる。
すなわち、凸部１ｃは、被処理物２００を載置した際に凹部２００ａが位置する領域に対応して設けられ、被処理物２００を載置した際に凹部２００ａの内部に入り込むことができるようになっている。
この様に被処理物の載置側に設けられた凹部の形状、大きさ、配置などに応じて凸部１ｃの形状、大きさ、配置などを適宜変更するようにすればよい。 The embodiment has been illustrated above. However, the present invention is not limited to these descriptions.
For example, although the case where the recessed part 100a is provided in the center part by the side of the mounting of the to-be-processed object 100 was illustrated, the shape of a recessed part, a magnitude | size, and arrangement | positioning can be changed suitably.
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of recesses according to another embodiment.
As shown in FIG. 13, a recess 200 a may be provided at the peripheral portion on the placement side of the workpiece 200. Even in such a case, the above-described effect can be obtained by providing the convex portion 1c in the same manner as described above.
That is, the convex portion 1c is provided corresponding to a region where the concave portion 200a is located when the workpiece 200 is placed, and can enter the concave portion 200a when the workpiece 200 is placed. It has become.
In this way, the shape, size, arrangement, and the like of the convex portion 1c may be changed as appropriate in accordance with the shape, size, arrangement, etc. of the concave portion provided on the workpiece side.

また、前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。 In addition, with respect to the above-described embodiments, those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design of the above-described embodiments, or those in which processes have been added, omitted, or changed in conditions also have the characteristics of the present invention. As long as they are within the scope of the present invention.
Moreover, each element with which each embodiment mentioned above is combined can be combined as much as possible, and what combined these is also included in the scope of the present invention as long as the characteristics of the present invention are included.

１ 載置部、１ａ 本体部、１ｂ 凸部、１ｃ 凸部、１１ 載置部、１１ａ 凹部、２１ 載置部、３０ プラズマ処理装置、３１ プラズマ発生部、３２ 処理容器、３３ マイクロ波発生部、３７ ガス供給部、３８ 減圧部、４０ プラズマ処理装置、４２ 処理容器、４３ プラズマ発生部、４４ 電源部、５０ 制御部、５１ 格納部、５２ 演算部、１００ 被処理物、１００ａ 凹部、１１０ 被処理物、１１０ａ 凹部、１１０ｂ 凸部、１２０ 被処理物   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 mounting part, 1a main body part, 1b convex part, 1c convex part, 11 mounting part, 11a recessed part, 21 mounting part, 30 plasma processing apparatus, 31 plasma generating part, 32 processing container, 33 microwave generating part, 37 Gas supply unit, 38 Decompression unit, 40 Plasma processing device, 42 Processing vessel, 43 Plasma generation unit, 44 Power supply unit, 50 Control unit, 51 Storage unit, 52 Calculation unit, 100 Processed object, 100a Recessed part, 110 Processed 110a Concavity 110b Convex 120 Workpiece

Claims (8)

大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
前記処理容器の内部に設けられ、被処理物を載置する載置部であって、前記被処理物を載置した状態のとき前記被処理物の載置側に設けられた凹部に入る凸部を有する載置部と、
前記処理容器の内部のプラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給するプラズマ発生部と、
前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、
前記載置部の寸法に関する情報、および前記被処理物の寸法に関する情報の少なくともいずれかから被処理領域における合成静電容量を演算し、前記演算された合成静電容量に基づいて、プラズマ処理におけるプロセス条件を演算する演算部と、
前記演算されたプロセス条件に基づいて、前記プラズマ処理の制御を行う制御部と、
を備え、
前記合成静電容量は、前記載置部に前記被処理物を載置した状態の、前記被処理領域における前記被処理物の静電容量を含む合成静電容量であることを特徴とするプラズマ処理装置。 A treatment container capable of maintaining an atmosphere depressurized from atmospheric pressure;
A decompression section for decompressing the inside of the processing container to a predetermined pressure;
A mounting portion provided inside the processing container for mounting a processing object , wherein the protrusion enters a concave portion provided on the mounting side of the processing object when the processing object is mounted. A mounting portion having a portion;
A plasma generator for supplying electromagnetic energy to a region for generating plasma inside the processing vessel;
A gas supply unit for supplying a process gas to the region for generating the plasma;
Information on the dimensions of the mounting section, and the calculating the combined capacitance of at least one or we treated area of the information on the dimensions of the workpiece, on the basis of the computed total capacitance, the plasma treatment A calculation unit for calculating process conditions in
A control unit for controlling the plasma processing based on the calculated process conditions;
With
The synthetic capacitance is a synthetic capacitance including a capacitance of the object to be processed in the region to be processed in a state where the object to be processed is placed on the placement unit. Processing equipment. 前記演算部は、前記演算された合成静電容量と、予め求められた前記合成静電容量と前記プロセス条件との関係と、から前記プラズマ処理におけるプロセス条件を演算する請求項１記載のプラズマ処理装置。   The plasma processing according to claim 1, wherein the calculation unit calculates a process condition in the plasma processing from the calculated combined capacitance and a relationship between the calculated combined capacitance and the process condition obtained in advance. apparatus. 前記プロセス条件は、エッチング時間およびバイアスパワーの少なくともいずれかであり、
前記制御部は、前記演算されたプロセス条件に基づいて、前記プラズマ発生部を制御する請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。 The process condition is at least one of etching time and bias power,
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the plasma generation unit based on the calculated process condition. 前記載置部の寸法に関する情報と、前記被処理物の寸法に関する情報と、を格納する格納部をさらに備えた請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。   The plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising a storage unit that stores information on the dimensions of the placement unit and information on the dimensions of the workpiece. 前記格納部に格納する情報を入力する入力手段をさらに備えた請求項４記載のプラズマ処理装置。   The plasma processing apparatus according to claim 4, further comprising input means for inputting information to be stored in the storage unit. 載置部に被処理物を載置して、大気圧よりも減圧された雰囲気においてプラズマを発生させ、前記プラズマに向けて供給されたプロセスガスを励起させてプラズマ生成物を生成し、前記プラズマ生成物を用いて前記載置部に載置された被処理物に対するプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
前記載置部は凸部を有し、前記載置部が前記被処理物を載置する工程において、前記被処理物の載置側に設けられた凹部に前記凸部が入るように前記被処理物を載置し、
前記載置部の寸法に関する情報、および前記被処理物の寸法に関する情報の少なくともいずれかから、前記載置部に前記被処理物を載置した状態の、前記被処理領域における前記被処理物の静電容量を含む合成静電容量を求め、前記求められた合成静電容量に基づいて、前記プラズマ処理におけるプロセス条件を求める工程と、
前記求められたプロセス条件に基づいて、前記プラズマ処理を行う工程と、
を備えたプラズマ処理方法。 An object to be processed is mounted on the mounting portion, plasma is generated in an atmosphere reduced in pressure from atmospheric pressure, a process gas supplied toward the plasma is excited to generate a plasma product, and the plasma A plasma processing method for performing plasma processing on an object to be processed placed on the placing portion using the product,
The mounting portion has a convex portion, and in the step of mounting the workpiece, the mounting portion has the convex portion so that the convex portion enters a concave portion provided on the mounting side of the workpiece. Place the processed material,
Information on the dimensions of the mounting section, and the at least one or these information on the dimensions of the workpiece, in a state of mounting the object to be processed the mounting section, wherein the object to be processed in the treated area A step of obtaining a synthetic capacitance including a capacitance of the plasma, and obtaining a process condition in the plasma processing based on the obtained synthetic capacitance;
Performing the plasma treatment based on the determined process conditions;
A plasma processing method comprising: 前記プロセス条件を求める工程において、
前記求められた合成静電容量と、予め求められた、前記合成静電容量と前記プロセス条件との関係と、から前記プラズマ処理におけるプロセス条件を求める請求項６記載のプラズマ処理方法。 In the step of determining the process conditions,
Wherein a combined capacitance determined, obtained in advance, the plasma processing method according to claim 6, wherein the combined capacitance and the relationship between the process conditions, from determining the process condition in the plasma processing. 前記プロセス条件は、エッチング時間およびバイアスパワーの少なくともいずれかであり、
前記プラズマ処理を行う工程において、前記求められたプロセス条件に基づいて、前記プラズマを制御する請求項６または７に記載のプラズマ処理方法。 The process condition is at least one of etching time and bias power,
The plasma processing method according to claim 6 or 7, wherein, in the step of performing the plasma processing, the plasma is controlled based on the obtained process conditions.
JP2013199457A 2013-09-26 2013-09-26 Plasma processing apparatus and plasma processing method Active JP6226670B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013199457A JP6226670B2 (en) 2013-09-26 2013-09-26 Plasma processing apparatus and plasma processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013199457A JP6226670B2 (en) 2013-09-26 2013-09-26 Plasma processing apparatus and plasma processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015065378A JP2015065378A (en) 2015-04-09
JP6226670B2 true JP6226670B2 (en) 2017-11-08

Family

ID=52833002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013199457A Active JP6226670B2 (en) 2013-09-26 2013-09-26 Plasma processing apparatus and plasma processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6226670B2 (en)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173982A (en) * 1998-12-01 2000-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treating apparatus and method thereof
JP2002110652A (en) * 2000-10-03 2002-04-12 Rohm Co Ltd Plasma treatment method and its device
US6577113B2 (en) * 2001-06-06 2003-06-10 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for measuring substrate biasing during plasma processing of a substrate
JP3684206B2 (en) * 2002-04-12 2005-08-17 株式会社東芝 Photo mask
JP2008027816A (en) * 2006-07-24 2008-02-07 Canon Inc Plasma processing device, and plasma processing method
JP2009049382A (en) * 2007-07-26 2009-03-05 Panasonic Corp Method for drying etching and dry etching apparatus
JP5651041B2 (en) * 2011-02-23 2015-01-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2012138581A (en) * 2012-01-10 2012-07-19 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing apparatus and plasma processing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015065378A (en) 2015-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102660512B1 (en) Sensor and adjuster for a consumable
JP5808697B2 (en) Dry etching apparatus and dry etching method
KR20190105130A (en) Systems and Methods for Radial and Azimuth Control of Plasma Uniformity
EP2955741B1 (en) Method to improve plasma etch uniformity
WO2011013702A1 (en) Plasma processing device and plasma processing method
KR20130110104A (en) Multi-radiofrequency impedance control for plasma uniformity tuning
JP7199200B2 (en) SUBSTRATE PLACE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
KR101351661B1 (en) Antenna unit and inductively coupled plasma processing apparatus
CN111183504B (en) Superlocal and plasma uniformity control in manufacturing processes
JP7473760B2 (en) Systems and methods for VHF plasma processing - Patents.com
JP6012995B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6226670B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20210134601A (en) plasma processing unit
KR101788918B1 (en) Top dielectric quartz plate and slot antenna concept
KR101666933B1 (en) Antenna for inductively coupled plasma processing apparatus
CN105828512A (en) Plasma processing device
KR20190137062A (en) Plasma processing device
JP6277242B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
WO2010016423A1 (en) Dielectric window, dielectric window manufacturing method, and plasma treatment apparatus
JP2002217187A (en) Plasma system and method of plasma production
JP2022083015A (en) Plasma processing device and plasma processing method
KR101068874B1 (en) Apparatus for plasma processing for substrate
KR20130019712A (en) Substrate treating apparatus
KR20210066721A (en) Pipeline and processing apparatus
KR101184859B1 (en) Hybrid plasma source and plasma generating apparatus using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160923

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170421

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170426

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170626

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171002

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171010

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6226670

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150