JP6225467B2 - Copper foil for printed wiring board, method for producing the same, and printed wiring board using the copper foil - Google Patents

Copper foil for printed wiring board, method for producing the same, and printed wiring board using the copper foil Download PDF

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Description

本発明は、プリント配線板用銅箔に関し、より詳細には、電子機器等に使用されるプリント配線板用銅箔およびその製造方法ならびにその銅箔を用いたプリント配線板に関する。   The present invention relates to a copper foil for a printed wiring board, and more particularly to a copper foil for a printed wiring board used for an electronic device or the like, a method for producing the same, and a printed wiring board using the copper foil.

近年、電子機器の小型化、軽量化、及び高機能化に伴い、プリント配線板の配線パターンの微細化が強く要求されている。プリント配線板は、例えば、半導体実装基板やマザーボード基板等に用いられる。   In recent years, miniaturization of the wiring pattern of a printed wiring board is strongly demanded as electronic devices become smaller, lighter, and more functional. The printed wiring board is used for, for example, a semiconductor mounting board, a motherboard board, and the like.

従来、プリント配線板に銅配線パターンを形成する方法として、サブトラクティブ法とセミアディティブ法が知られている。   Conventionally, a subtractive method and a semi-additive method are known as methods for forming a copper wiring pattern on a printed wiring board.

サブトラクティブ法では、まず、絶縁基材の表面に銅箔を積層する。つぎに、銅箔の表面にレジスト層を形成し、そのレジスト層にフォトリソグラフィーによってパターンを形成する。つぎに、銅箔のレジスト層によって覆われていない部分をエッチングによって除去することで銅配線パターンを形成する。   In the subtractive method, first, a copper foil is laminated on the surface of an insulating substrate. Next, a resist layer is formed on the surface of the copper foil, and a pattern is formed on the resist layer by photolithography. Next, a copper wiring pattern is formed by removing a portion of the copper foil not covered with the resist layer by etching.

セミアディティブ法では、まず、絶縁基材の表面にシード層と呼ばれる金属薄層を形成する。つぎに、シード層の表面に、レジスト層を形成し、そのレジスト層にフォトリソグラフィーによってパターンを形成する。つぎに、シード層のレジスト層によって覆われていない部分に電気銅メッキを施すことによって銅配線パターンを形成する。シード層の銅メッキが施されなかった部分は、エッチングによって除去される。   In the semi-additive method, first, a thin metal layer called a seed layer is formed on the surface of an insulating substrate. Next, a resist layer is formed on the surface of the seed layer, and a pattern is formed on the resist layer by photolithography. Next, a copper wiring pattern is formed by performing electrolytic copper plating on a portion of the seed layer not covered with the resist layer. The portion of the seed layer that has not been plated with copper is removed by etching.

セミアディティブ法において、シード層が電解銅箔または圧延銅箔で形成されている場合、銅箔の一方の表面(絶縁基材と接触する側の表面)には粗化処理が施される。銅箔の表面が粗化されると、銅箔の表面には微細な凸部が形成される。この凸部が絶縁基材の内部に入り込むことによって、物理的なアンカー効果が発揮され、銅箔が絶縁基材の表面に強固に接着される。   In the semi-additive method, when the seed layer is formed of an electrolytic copper foil or a rolled copper foil, a roughening treatment is performed on one surface of the copper foil (the surface on the side in contact with the insulating substrate). When the surface of the copper foil is roughened, fine convex portions are formed on the surface of the copper foil. When this convex part enters the inside of an insulating base material, a physical anchor effect is exhibited and copper foil is firmly adhere | attached on the surface of an insulating base material.

しかし、従来のプリント配線板には、以下のような問題があった。セミアディティブ法において、銅箔の表面の粗化の度合いが大きい場合、銅箔の表面の凸部が、絶縁基材の内部に深く入り込んでしまう。この場合、絶縁基材の表面から銅箔(シード層)を除去するために必要なエッチングの時間が長くなってしまう。また、エッチングの時間が長くなる結果として、銅配線パターンの線幅の減少量が大きくなるため、微細な銅配線パターンを形成することが困難になる。   However, the conventional printed wiring board has the following problems. In the semi-additive method, when the degree of roughening of the surface of the copper foil is large, the convex portion on the surface of the copper foil penetrates deeply into the insulating base material. In this case, the etching time required to remove the copper foil (seed layer) from the surface of the insulating base becomes long. Further, as a result of the longer etching time, the amount of reduction in the line width of the copper wiring pattern becomes larger, so that it becomes difficult to form a fine copper wiring pattern.

一方、銅箔(シード層)の表面の粗化の度合いが小さすぎる場合、銅箔と絶縁基材との接着性が悪くなるため、銅箔が絶縁基材の表面から剥がれやすくなり、微細な銅配線パターンを形成することが困難になる。   On the other hand, when the degree of roughening of the surface of the copper foil (seed layer) is too small, the adhesion between the copper foil and the insulating base material is deteriorated, so that the copper foil is easily peeled off from the surface of the insulating base material. It becomes difficult to form a copper wiring pattern.

銅箔の表面粗さに関する従来技術として、以下の技術が知られている。特許文献1には、表面粗さが1〜3μmの銅箔が記載されている。この銅箔の表面には、長さ0.6〜1.0μm、最大径0.2〜0.8μmの逆涙滴状の微細なこぶが設けられている。特許文献2には、表面粗さ(Rz:十点平均粗さ)が2.5μm以下であり、直径が0.05〜1.0μmの球状微粒子からなる粗化処理層を有し、該粗化処理層上にMo、Ni、W、P、Co、Geの少なくとも一種類以上からなる防錆層を有し、且つ、シランカップリング層を有する銅箔が記載されている。特許文献3には、表面粗さ(Rz)が2.5μm以下であり、素地山の最小ピーク間距離が5μm以上であり、表面に平均粒径2μm以下の結晶粒が存在する銅箔が記載されている。特許文献4には、頭頂部角度θが85度以下の突起形状の微細銅粒子を含んだ銅箔が記載されている。特許文献5には、電子線三次元粗さ解析装置により1000倍に拡大した表面に基づく算術平均粗さが0.05〜0.8μmであり、かつ、表面積代替値が1.005〜1.08である銅または銅合金材が記載されている。   The following techniques are known as conventional techniques related to the surface roughness of copper foil. Patent Document 1 describes a copper foil having a surface roughness of 1 to 3 μm. The surface of this copper foil is provided with a minute tear-drop-shaped hump having a length of 0.6 to 1.0 μm and a maximum diameter of 0.2 to 0.8 μm. Patent Document 2 includes a roughening treatment layer made of spherical fine particles having a surface roughness (Rz: 10-point average roughness) of 2.5 μm or less and a diameter of 0.05 to 1.0 μm. A copper foil having a rust-preventing layer composed of at least one of Mo, Ni, W, P, Co, and Ge on the chemical treatment layer and having a silane coupling layer is described. Patent Document 3 describes a copper foil having a surface roughness (Rz) of 2.5 μm or less, a minimum peak-to-peak distance of the ground mountain of 5 μm or more, and crystal grains having an average grain size of 2 μm or less on the surface. Has been. Patent Document 4 describes a copper foil containing fine copper particles having a protrusion shape with a vertex angle θ of 85 degrees or less. In Patent Document 5, the arithmetic average roughness based on a surface magnified 1000 times by an electron beam three-dimensional roughness analyzer is 0.05 to 0.8 μm, and the surface area alternative value is 1.005 to 1.5. A copper or copper alloy material of 08 is described.

特開平07−231152号公報Japanese Patent Laid-Open No. 07-231152 特開2006−210689号公報JP 2006-210689 A 特開2004−263300号公報JP 2004-263300 A 特開2010−236058号公報JP 2010-236058 A 特開平10−265872号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-265872

しかしながら、本発明者らは、特許文献1〜5に開示された銅箔を絶縁基材に接着した場合、銅箔の表面の凸部が絶縁基材の内部に深く入り込むため、銅箔を除去するために必要なエッチングの時間が長くなることを知見した。その結果、銅配線パターンの線幅の減少量が大きくなるため、微細な銅配線パターンを形成することが困難であった。   However, when the copper foils disclosed in Patent Documents 1 to 5 are bonded to an insulating base material, the present inventors remove the copper foil because the convex portions on the surface of the copper foil penetrate deeply into the insulating base material. It has been found that the etching time required for this is increased. As a result, since the amount of reduction in the line width of the copper wiring pattern becomes large, it is difficult to form a fine copper wiring pattern.

本発明は、絶縁基材との接着性が良好であり、かつ、絶縁基材の表面からエッチングによって容易に除去することのできるプリント配線板用銅箔及びその銅箔を用いたプリント配線板を提供することを目的とする。   The present invention provides a copper foil for a printed wiring board that has good adhesion to an insulating base material and can be easily removed from the surface of the insulating base material by etching, and a printed wiring board using the copper foil. The purpose is to provide.

本発明は以下の通りである。
1.少なくとも一方の表面は、以下の式(1):
E= 銅箔の表面積/銅箔の表面の十点平均粗さ ・・・(1)
(銅箔の表面積は、銅箔の縦1μm×横1μmの単位領域当たりの表面積であり、銅箔の表面積は、前記銅箔の表面を走査型トンネル顕微鏡で観測したときに得られる値である)
で表される密着向上係数Eの値が2.5〜8である、プリント配線板用銅箔。
2.前記銅箔の表面がエッチング処理されている、上記1に記載のプリント配線板用銅箔。
3.以下の式(2):
エッチング量[μm] =(エッチング前の銅箔の質量−エッチング後の銅箔の質量)/(エッチング面積×銅の密度) ・・・(2)
(式中、銅の密度は、8.96g/cmである)
で表される前記銅箔の表面のエッチング量が、1μm以下である、上記2に記載のプリント配線板用銅箔。
4.前記エッチング処理に用いられる液体組成物は、過酸化水素、硫酸、ハロゲンイオン、およびテトラゾール類からなる群から選択される1種以上を含む、上記2または3に記載のプリント配線板用銅箔。
5.前記銅箔の表面は、銅以外の金属、シランカップリング剤、または接着剤によって処理されていない、上記1〜4のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔。
6.絶縁基材と、
前記絶縁基材の表面に積層された、上記1〜5のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔と、
を備えてなる、銅張積層板。
7.上記6に記載の銅張積層板を備えてなる、プリント配線板。
8.セミアディティブ法によって配線パターンが形成されている上記7に記載のプリント配線板。
9.サブトラクティブ法によって配線パターンが形成されている上記7に記載のプリント配線板。
10.前記配線パターンの線幅が20μm以下である上記8または上記9に記載のプリント配線板。
11.銅箔の少なくとも一方の表面を、以下の式(1):
E= 銅箔の表面積/銅箔の表面の十点平均粗さ ・・・(1)
(銅箔の表面積は、銅箔の縦1μm×横1μmの単位領域当たりの表面積であり、銅箔の表面積は、前記銅箔の表面を走査型トンネル顕微鏡で観測したときに得られる値である)
で表される密着向上係数Eの値が2.5〜8になるまでエッチング処理する、プリント配線板用銅箔の製造方法。
12.前記エッチング処理に用いられる液体組成物は、過酸化水素、硫酸、ハロゲンイオン、およびテトラゾール類からなる群から選択される1種以上を含む、上記11に記載のプリント配線板用銅箔の製造方法。
13. 前記エッチング用液体組成物が、
0.2〜1.5質量%の過酸化水素と、
0.5〜3.0質量%の硫酸と、
0.3〜3ppmのハロゲンイオンと、
0.01〜0.3質量%のテトラゾール類と
を含んでなる、上記12に記載のプリント配線板用銅箔の製造方法。
The present invention is as follows.
1. At least one surface has the following formula (1):
E = surface area of copper foil / ten-point average roughness of copper foil surface (1)
(The surface area of the copper foil is the surface area per unit area of 1 μm length × 1 μm width of the copper foil, and the surface area of the copper foil is a value obtained when the surface of the copper foil is observed with a scanning tunneling microscope. )
The copper foil for printed wiring boards whose value of the adhesion improvement coefficient E represented by is 2.5-8.
2. 2. The copper foil for printed wiring board according to 1 above, wherein the surface of the copper foil is etched.
3. The following formula (2):
Etching amount [μm] = (mass of copper foil before etching−mass of copper foil after etching) / (etching area × copper density) (2)
(Wherein the density of copper is 8.96 g / cm 3 )
The copper foil for printed wiring boards according to 2 above, wherein the etching amount of the surface of the copper foil represented by 2 is 1 μm or less.
4). 4. The copper foil for printed wiring boards according to 2 or 3 above, wherein the liquid composition used for the etching treatment contains one or more selected from the group consisting of hydrogen peroxide, sulfuric acid, halogen ions, and tetrazoles.
5. The copper foil for printed wiring boards according to any one of 1 to 4 above, wherein the surface of the copper foil is not treated with a metal other than copper, a silane coupling agent, or an adhesive.
6). An insulating substrate;
The copper foil for a printed wiring board according to any one of the above 1 to 5, laminated on the surface of the insulating substrate,
A copper-clad laminate comprising:
7). A printed wiring board comprising the copper-clad laminate as described in 6 above.
8). 8. The printed wiring board as described in 7 above, wherein a wiring pattern is formed by a semi-additive method.
9. 8. The printed wiring board as described in 7 above, wherein a wiring pattern is formed by a subtractive method.
10. 10. The printed wiring board according to 8 or 9 above, wherein a line width of the wiring pattern is 20 μm or less.
11. At least one surface of the copper foil has the following formula (1):
E = surface area of copper foil / ten-point average roughness of copper foil surface (1)
(The surface area of the copper foil is the surface area per unit area of 1 μm length × 1 μm width of the copper foil, and the surface area of the copper foil is a value obtained when the surface of the copper foil is observed with a scanning tunneling microscope. )
The manufacturing method of the copper foil for printed wiring boards which etches until the value of the contact | adherence improvement coefficient E represented by becomes 2.5-8.
12 12. The method for producing a copper foil for a printed wiring board according to 11 above, wherein the liquid composition used for the etching treatment contains one or more selected from the group consisting of hydrogen peroxide, sulfuric acid, halogen ions, and tetrazoles. .
13. The etching liquid composition comprises
0.2 to 1.5 mass% hydrogen peroxide,
0.5-3.0% by weight sulfuric acid,
0.3 to 3 ppm of halogen ions;
13. The method for producing a copper foil for printed wiring board according to the above 12, comprising 0.01 to 0.3% by mass of tetrazole.

本発明によれば、絶縁基材との接着性が良好であり、かつ、絶縁基材の表面からエッチングによって容易に除去することのできるプリント配線板用銅箔及びその銅箔を用いたプリント配線板を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesiveness with an insulating base material is favorable, and the copper foil for printed wiring boards which can be easily removed from the surface of an insulating base material by etching, and the printed wiring using the copper foil Board can be provided.

実施例1の銅箔表面の3次元画像(×30000)。The three-dimensional image (x30000) of the copper foil surface of Example 1. FIG. 比較例1の銅箔表面の3次元画像(×30000)。The three-dimensional image (x30000) of the copper foil surface of the comparative example 1. 実施例1の配線断面の電子顕微鏡画像(×2000)。The electron microscope image (* 2000) of the wiring cross section of Example 1. FIG. 比較例1の配線断面の電子顕微鏡画像(×2000)。The electron microscope image (* 2000) of the wiring cross section of the comparative example 1. FIG.

一般に、電子機器等に用いられるプリント配線板は、絶縁基材の表面に銅箔が積層された銅張積層板を備えている。   Generally, a printed wiring board used for an electronic device or the like includes a copper-clad laminate in which a copper foil is laminated on the surface of an insulating base material.

絶縁基材としては、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた基材や、紙基材にフェノール樹脂を含浸させた基材が用いられる。これらの基材は、プリプレグとも呼ばれる場合もある。プリプレグとは、ガラス繊維等にエポキシ樹脂(ワニス)を含浸させた基材を半硬化させたものをいう。   As the insulating base material, for example, a base material obtained by impregnating glass fiber with an epoxy resin or a base material obtained by impregnating a paper base material with a phenol resin is used. These substrates are sometimes referred to as prepregs. A prepreg refers to a semi-cured base material obtained by impregnating glass fiber or the like with an epoxy resin (varnish).

銅箔としては、電解銅箔や圧延銅箔等が用いられる。電解銅箔とは、ドラム形状をした回転陰極と、その回転陰極に沿って配置された陽極との間に硫酸銅電解液を流した後、回転陰極の表面に銅を電解析出させ、析出した銅を連続的に回転陰極から引き剥がすことによって製造される銅箔である。一方、圧延銅箔とは、鋳造等によって得られた銅の塊を圧延加工して製造される銅箔である。   As the copper foil, electrolytic copper foil, rolled copper foil or the like is used. Electrolytic copper foil is a copper cathode electrolyte flowed between a drum-shaped rotating cathode and an anode disposed along the rotating cathode, and then copper is electrolytically deposited on the surface of the rotating cathode. It is a copper foil produced by continuously peeling the copper from the rotating cathode. On the other hand, the rolled copper foil is a copper foil produced by rolling a lump of copper obtained by casting or the like.

本発明のプリント配線板用銅箔は、絶縁基材に接触する側の表面がエッチングによって緻密に粗化されている。エッチング処理に用いられる液体組成物(エッチング用液体組成物)は、過酸化水素、硫酸、ハロゲンイオン、及びテトラゾール類からなる群から選択される1種以上を含むことが好ましく、水をさらに含むことが好ましい。   In the copper foil for printed wiring board of the present invention, the surface on the side in contact with the insulating base material is densely roughened by etching. The liquid composition used for the etching process (etching liquid composition) preferably contains one or more selected from the group consisting of hydrogen peroxide, sulfuric acid, halogen ions, and tetrazoles, and further contains water. Is preferred.

エッチング用液体組成物中の過酸化水素の濃度は、0.2〜1.5質量%が好ましく、0.3〜1.2質量%がより好ましく、0.4〜1.0質量%がさらに好ましく、0.5〜0.8質量%が最も好ましい。過酸化水素の濃度がこのような範囲となるように調製されたエッチング用液体組成物は、銅の溶解速度が大きく、経済的に優れている。   The concentration of hydrogen peroxide in the etching liquid composition is preferably 0.2 to 1.5% by mass, more preferably 0.3 to 1.2% by mass, and further 0.4 to 1.0% by mass. 0.5 to 0.8% by mass is preferable. An etching liquid composition prepared so that the concentration of hydrogen peroxide is in such a range has a high copper dissolution rate and is economically excellent.

エッチング用液体組成物中の硫酸の濃度は、0.5〜3.0質量%が好ましく、0.5〜2.5質量%がより好ましく、0.7〜2.0質量%がさらに好ましく、1.0〜1.8質量%が最も好ましい。硫酸の濃度がこのような範囲となるように調製されたエッチング用液体組成物は、銅の溶解速度が大きく、経済的に優れている。   The concentration of sulfuric acid in the etching liquid composition is preferably 0.5 to 3.0% by mass, more preferably 0.5 to 2.5% by mass, further preferably 0.7 to 2.0% by mass, 1.0-1.8 mass% is the most preferable. The liquid composition for etching prepared so that the concentration of sulfuric acid is in such a range has a high dissolution rate of copper and is economically excellent.

ハロゲンイオンは、銅箔の表面を粗化する効果がある。ハロゲンイオンを含むエッチング用液体組成物を用いて銅箔の表面を粗化することによって、銅箔の絶縁基材に対する接着性を高めることができる。   Halogen ions have the effect of roughening the surface of the copper foil. By roughening the surface of the copper foil using a liquid composition for etching containing halogen ions, the adhesion of the copper foil to the insulating substrate can be enhanced.

ハロゲンイオンとしては、フッ素イオン、塩化物イオン、臭素イオン、及びヨウ素イオンからなる群から選択される一種以上を用いることができる。これらのうち好ましいものは、塩化物イオン、又は、臭素イオンである。   As the halogen ions, one or more selected from the group consisting of fluorine ions, chloride ions, bromine ions, and iodine ions can be used. Among these, a chloride ion or a bromine ion is preferable.

エッチング用液体組成物中のハロゲンイオンの濃度は、0.3〜3ppmが好ましく、0.5〜2.5ppmがより好ましく、0.7〜2ppmが最も好ましい。   The concentration of halogen ions in the etching liquid composition is preferably 0.3 to 3 ppm, more preferably 0.5 to 2.5 ppm, and most preferably 0.7 to 2 ppm.

テトラゾール類は、ハロゲンイオンと併用されることにより、銅箔の表面を緻密に粗化する効果がある。したがって、テトラゾール類を含むエッチング用液体組成物を用いて銅箔の表面を粗化することによって、銅箔の絶縁基材に対する接着性をより高めることができる。   Tetrazoles have the effect of roughening the surface of the copper foil densely when used in combination with halogen ions. Therefore, the adhesiveness of the copper foil to the insulating substrate can be further increased by roughening the surface of the copper foil using the etching liquid composition containing tetrazole.

エッチング用液体組成物に含まれるテトラゾール類は、1H−テトラゾール、1−メチルテトラゾール、1−エチルテトラゾール、5−メチルテトラゾール、5−エチルテトラゾール、5−アミノテトラゾール、5−n−プロピルテトラゾール、5−メルカプトテトラゾール、5−メルカプト−1−メチルテトラゾール、1,5−ジメチルテトラゾール、1,5−ジエチルテトラゾール、1−メチル−5−エチルテトラゾール、1−エチル−5−メチルテトラゾール、1−イソプロピル−5−メチルテトラゾール、及び1−シクロヘキシル−5−メチルテトラゾールからなる群から選択される1種以上であることが好ましい。より好ましくは、1H−テトラゾール、5−メチルテトラゾール、5−エチルテトラゾール、5−メルカプト−1−メチルテトラゾール、1,5−ジメチルテトラゾール、1,5−ジエチルテトラゾール、及び1−エチル−5−メチルテトラゾールからなる群から選択される1種以上である。   Tetrazoles contained in the etching liquid composition are 1H-tetrazole, 1-methyltetrazole, 1-ethyltetrazole, 5-methyltetrazole, 5-ethyltetrazole, 5-aminotetrazole, 5-n-propyltetrazole, 5- Mercaptotetrazole, 5-mercapto-1-methyltetrazole, 1,5-dimethyltetrazole, 1,5-diethyltetrazole, 1-methyl-5-ethyltetrazole, 1-ethyl-5-methyltetrazole, 1-isopropyl-5- It is preferably at least one selected from the group consisting of methyltetrazole and 1-cyclohexyl-5-methyltetrazole. More preferably, 1H-tetrazole, 5-methyltetrazole, 5-ethyltetrazole, 5-mercapto-1-methyltetrazole, 1,5-dimethyltetrazole, 1,5-diethyltetrazole, and 1-ethyl-5-methyltetrazole It is 1 or more types selected from the group which consists of.

エッチング用液体組成物中のテトラゾール類の濃度は、0.01〜0.3質量%が好ましく、0.05〜0.25質量%がより好ましく、0.1〜0.2質量%が最も好ましい。   The concentration of tetrazole in the etching liquid composition is preferably 0.01 to 0.3% by mass, more preferably 0.05 to 0.25% by mass, and most preferably 0.1 to 0.2% by mass. .

上記のエッチング用液体組成物を使用して銅箔の表面をエッチングする。エッチングの方法は特に制限するものではなく、例えば、スプレー法、浸漬法などの公知の方法を用いることができる。   The surface of the copper foil is etched using the etching liquid composition described above. The etching method is not particularly limited, and for example, a known method such as a spray method or an immersion method can be used.

銅箔のエッチング量は、1μm以下であることが好ましく、0.1〜1μmであることがより好ましく、0.2〜0.9μmであることがさらに好ましく、0.3〜0.7μmであることが最も好ましい。エッチング量が上記範囲内にあれば、絶縁基材とエッチング後の銅箔を積層した際に絶縁基材へ潜り込む該銅箔の量を少なくできるので、絶縁基材中に潜り込んだ該銅箔を後工程でエッチング除去し易くなる。銅箔のエッチング量とは、以下の式(2)で表される値である。
エッチング量[μm] =(エッチング前の銅箔の質量−エッチング後の銅箔の質量)/(エッチング面積×銅の密度) ・・・(2)
(式中、銅の密度は、8.96g/cmである。)
なお、本発明における「エッチング量」とは、エッチング処理された銅箔の個々の箇所の深さではなく、エッチング処理された銅箔表面全体の平均的な深さをいうものである。
The etching amount of the copper foil is preferably 1 μm or less, more preferably 0.1 to 1 μm, further preferably 0.2 to 0.9 μm, and 0.3 to 0.7 μm. Most preferred. If the etching amount is within the above range, the amount of the copper foil that sinks into the insulating base material when the insulating base material and the etched copper foil are laminated can be reduced. It becomes easy to remove by etching in a later process. The etching amount of the copper foil is a value represented by the following formula (2).
Etching amount [μm] = (mass of copper foil before etching−mass of copper foil after etching) / (etching area × copper density) (2)
(In the formula, the density of copper is 8.96 g / cm 3. )
The “etching amount” in the present invention refers to the average depth of the entire etched copper foil surface, not the depth of individual portions of the etched copper foil.

銅箔の厚みは、特に制限するものではないが、3〜35μmであることが好ましく、5〜30μmであることがより好ましい。銅箔の厚みがこの範囲にある場合、銅箔の取り扱い性が良好になる。   The thickness of the copper foil is not particularly limited, but is preferably 3 to 35 μm, and more preferably 5 to 30 μm. When the thickness of the copper foil is within this range, the handleability of the copper foil is good.

銅箔の絶縁基材に接触する側の表面は、銅以外の金属、シランカップリング剤、または接着剤(プライマー)によって処理されていないことが好ましい。本発明の銅箔の表面は、緻密に粗化されている。このため、本発明の銅箔は、銅以外の金属、シランカップリング剤、または接着剤等によって表面処理しなくとも、絶縁基材に対して強固に接着することが可能である。   The surface of the copper foil that is in contact with the insulating base material is preferably not treated with a metal other than copper, a silane coupling agent, or an adhesive (primer). The surface of the copper foil of the present invention is densely roughened. For this reason, the copper foil of the present invention can be firmly bonded to the insulating base material without being surface-treated with a metal other than copper, a silane coupling agent, an adhesive, or the like.

本発明のプリント配線板用銅箔は、絶縁基材と接触する側の表面の密着向上係数Eの値が2.5〜8である。密着向上係数Eは、2.7〜7.5であることが好ましく、2.9〜7であることがさらに好ましく、3〜6.5であることが最も好ましい。密着向上係数Eが上記範囲内にあれば、銅箔表面に微細な凹凸が形成されており、絶縁基材との密着性を向上させることができる。密着向上係数Eとは、以下の式(1)で表される値である。
E= 銅箔の表面積C/銅箔の表面の十点平均粗さD …(1)
(銅箔の表面積Cは、銅箔の縦1μm×横1μmの単位領域当たりの表面積であり、銅箔の表面積は、銅箔の表面を走査型トンネル顕微鏡で観測したときに得られる値である)
In the copper foil for printed wiring board of the present invention, the value of the adhesion improvement coefficient E of the surface in contact with the insulating substrate is 2.5-8. The adhesion improvement coefficient E is preferably 2.7 to 7.5, more preferably 2.9 to 7, and most preferably 3 to 6.5. If the adhesion improvement coefficient E is in the above range, fine irregularities are formed on the surface of the copper foil, and the adhesion to the insulating substrate can be improved. The adhesion improvement coefficient E is a value represented by the following formula (1).
E = surface area C of the copper foil / ten-point average roughness D of the surface of the copper foil D (1)
(The surface area C of the copper foil is a surface area per unit region of 1 μm length × 1 μm width of the copper foil, and the surface area of the copper foil is a value obtained when the surface of the copper foil is observed with a scanning tunneling microscope. )

銅箔の表面積C[μm]は、銅箔表面の所定の領域内の凹凸を考慮した場合の表面積を、その領域が平坦であると仮定した場合の表面積で除した値に等しい。例えば、銅箔の表面積C[μm]は、銅箔表面の縦5μm×横5μmの領域内の凹凸を考慮した場合の表面積を、その領域が平坦であると仮定した場合の表面積(つまり、5×5=25)で除した値に等しい。 The surface area C [μm 2 ] of the copper foil is equal to a value obtained by dividing the surface area when the unevenness in a predetermined area on the surface of the copper foil is taken into account by the surface area when the area is assumed to be flat. For example, the surface area C [μm 2 ] of the copper foil is the surface area when the unevenness in the region of 5 μm length × 5 μm width of the copper foil surface is considered, and the surface area when the region is assumed to be flat (that is, It is equal to the value divided by 5 × 5 = 25).

銅箔の表面の十点平均粗さD[μm]は、JIS B 0601において十点平均粗さRzjisとして規定されている。十点平均粗さRzjisとは、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜き取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から5番目までの山頂の標高(Yp)の絶対値の平均値と、最も低い谷底から5番目までの谷底の標高(Yv)の絶対値の平均値との和を求め、この値をマイクロメートルで表したものをいう。   The ten-point average roughness D [μm] of the surface of the copper foil is defined as a ten-point average roughness Rzjis in JIS B 0601. Ten-point average roughness Rzjis means that only the reference length is extracted from the roughness curve in the direction of the average line, and measured from the average line of this extracted portion in the direction of the vertical magnification, from the highest peak to the fifth peak. The sum of the average value of the absolute values of the altitude (Yp) and the average value of the absolute values of the altitudes (Yv) of the bottom valley from the lowest valley bottom to the fifth, and this value is expressed in micrometers. .

上記式(1)における銅箔の表面積C[μm]は、銅箔の表面の凹凸を考慮した場合の表面積である。したがって、銅箔の表面が緻密であればあるほど、銅箔の表面積Cは大きくなる傾向がある。ここでいう「緻密」とは、銅箔表面の凸部の一つ一つが微小であり、かつ、凸部が密集している状態のことをいう。 The surface area C [μm 2 ] of the copper foil in the above formula (1) is a surface area in consideration of unevenness on the surface of the copper foil. Therefore, as the surface of the copper foil is denser, the surface area C of the copper foil tends to increase. Here, “dense” refers to a state in which each of the convex portions on the surface of the copper foil is minute and the convex portions are densely packed.

銅箔の表面積C[μm]は、銅箔の表面を走査型トンネル顕微鏡で観測して3次元形状データを得た後、この3次元形状データに基づいて算出された値であることが好ましい。また、銅箔の表面積C[μm]は、銅箔の表面を走査型トンネル顕微鏡で30000倍に拡大したときに得られる値であることが好ましい。 The surface area C [μm 2 ] of the copper foil is preferably a value calculated on the basis of the three-dimensional shape data after obtaining the three-dimensional shape data by observing the surface of the copper foil with a scanning tunneling microscope. . The surface area C [μm 2 ] of the copper foil is preferably a value obtained when the surface of the copper foil is enlarged 30000 times with a scanning tunneling microscope.

走査型トンネル顕微鏡は、金属探針と試料の間に流れるトンネル電流を検出するタイプの顕微鏡である。先端の尖った白金やタングステンなどの金属探針を試料に近づけた後、それらの間に微小なバイアス電圧を印加すると、トンネル効果によってトンネル電流が流れる。このトンネル電流を一定に保つように探針を走査することにより、試料の表面形状を原子レベルで観測することができる。   The scanning tunnel microscope is a type of microscope that detects a tunnel current flowing between a metal probe and a sample. When a metal probe such as platinum or tungsten having a sharp tip is brought close to the sample and a minute bias voltage is applied between them, a tunnel current flows due to the tunnel effect. By scanning the probe so as to keep the tunnel current constant, the surface shape of the sample can be observed at the atomic level.

本発明のプリント配線板用銅箔の製造方法は、銅箔の少なくとも一方の表面を、以下の式(1):
E= 銅箔の表面積/銅箔の表面の十点平均粗さ ・・・(1)
(銅箔の表面積は、銅箔の縦1μm×横1μmの単位領域当たりの表面積であり、銅箔の表面積は、前記銅箔の表面を走査型トンネル顕微鏡で観測したときに得られる値である)
で表される密着向上係数Eの値が2.5〜8になるまでエッチング処理することを特徴とする。エッチング処理に用いられる液体組成物は、上記で説明したとおりである。
In the method for producing a copper foil for printed wiring board of the present invention, at least one surface of the copper foil is represented by the following formula (1):
E = surface area of copper foil / ten-point average roughness of copper foil surface (1)
(The surface area of the copper foil is the surface area per unit area of 1 μm length × 1 μm width of the copper foil, and the surface area of the copper foil is a value obtained when the surface of the copper foil is observed with a scanning tunneling microscope. )
Etching is performed until the value of the adhesion improvement coefficient E expressed by The liquid composition used for the etching treatment is as described above.

本発明の銅箔は、熱圧着などの公知の方法を用いて絶縁基材に積層される。このようにして得られる積層板(銅張積層板)は、プリント配線板の配線パターンを形成するために用いられる。   The copper foil of this invention is laminated | stacked on an insulating base material using well-known methods, such as thermocompression bonding. The laminated board (copper-clad laminated board) thus obtained is used for forming a wiring pattern of a printed wiring board.

プリント配線板の配線パターンがサブトラクティブ法によって形成される場合、本発明の銅箔をプリント配線板の導電層に用いることができる。   When the wiring pattern of the printed wiring board is formed by a subtractive method, the copper foil of the present invention can be used for the conductive layer of the printed wiring board.

プリント配線板の配線パターンがセミアディティブ方によって形成される場合、本発明の銅箔をプリント配線板のシード層に用いることができる。   When the wiring pattern of the printed wiring board is formed by a semi-additive method, the copper foil of the present invention can be used for the seed layer of the printed wiring board.

本発明によれば、絶縁基材との接着性が良好であり、かつ、絶縁基材の表面からエッチングによって容易に除去することのできるプリント配線板用銅箔及びその銅箔を用いたプリント配線板を得ることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesiveness with an insulating base material is favorable, and the copper foil for printed wiring boards which can be easily removed from the surface of an insulating base material by etching, and the printed wiring using the copper foil A board can be obtained.

[実施例1]
実施例1では、まず、厚み12μm、寸法150mm×150mmの電解銅箔を準備した。つぎに、準備した電解銅箔のシャイニー面をエッチングした。エッチング用液体組成物の組成、及び、エッチングの条件は、以下の通りである。なお、シャイニー面とは、電解銅箔の両面のうち、ドラム形状の陰極に接触していた側の表面のことである。
・エッチング用液体組成物の組成
過酸化水素:0.5質量%
硫酸:2質量%
1H−テトラゾール:0.1質量%
塩化物イオン:0.5ppm
・エッチングの条件
エッチング用液体組成物の温度:30℃
スプレー圧力:0.1MPa
スプレー時間:1分間
[Example 1]
In Example 1, first, an electrolytic copper foil having a thickness of 12 μm and a size of 150 mm × 150 mm was prepared. Next, the shiny surface of the prepared electrolytic copper foil was etched. The composition of the etching liquid composition and the etching conditions are as follows. The shiny surface is the surface of the electrolytic copper foil that is in contact with the drum-shaped cathode.
-Composition of the liquid composition for etching Hydrogen peroxide: 0.5% by mass
Sulfuric acid: 2% by mass
1H-tetrazole: 0.1% by mass
Chloride ion: 0.5ppm
-Etching conditions Temperature of the etching liquid composition: 30 ° C
Spray pressure: 0.1 MPa
Spray time: 1 minute

つぎに、エッチング後の銅箔の表面を、走査型トンネル顕微鏡で30000倍の倍率で観測した。図1は、このときに観測された銅箔表面の3次元画像である。   Next, the surface of the copper foil after etching was observed with a scanning tunneling microscope at a magnification of 30000 times. FIG. 1 is a three-dimensional image of the copper foil surface observed at this time.

エッチング後の銅箔表面の縦5μm×横5μmの領域内の表面積を測定した。その結果、銅箔の表面積は、45.4[μm]であった。測定には、以下の装置を使用した。
・走査型トンネル顕微鏡(エスアイアイナノテクノロジー社製、L−traceII/NanoNaviIIステーション)
The surface area of the etched copper foil surface in a region of 5 μm length × 5 μm width was measured. As a result, the surface area of the copper foil was 45.4 [μm 2 ]. The following apparatus was used for the measurement.
Scanning tunneling microscope (SII Nano Technology, L-traceII / NanoNaviII station)

エッチング後の銅箔の表面粗さ(Rzjis:十点平均粗さ)を測定した。その結果、銅箔の表面粗さは、0.55[μm]であった。測定には、以下の装置を使用した。
・レーザー顕微鏡(キーエンス社製、VK−9700II、408nmバイオレットレーザー使用)
The surface roughness (Rzjis: 10-point average roughness) of the copper foil after etching was measured. As a result, the surface roughness of the copper foil was 0.55 [μm]. The following apparatus was used for the measurement.
・ Laser microscope (Keyence, VK-9700II, using 408 nm violet laser)

上記式(1)に基づいて、密着向上係数Eを算出した。その結果、密着向上係数Eは、3.30であった。計算式は、以下の通りである。
E = {45.4/(5×5)}/0.55 = 3.30
The adhesion improvement coefficient E was calculated based on the above formula (1). As a result, the adhesion improvement coefficient E was 3.30. The calculation formula is as follows.
E = {45.4 / (5 × 5)} / 0.55 = 3.30

銅箔表面のエッチング量を、上記式(2)に基づいて算出した。その結果、銅箔表面のエッチング量は、0.5μmであった。   The etching amount of the copper foil surface was calculated based on the above formula (2). As a result, the etching amount of the copper foil surface was 0.5 μm.

エッチング後の銅箔を、真空熱プレスによってプリプレグ(三菱ガス化学株式会社製、商品名:HL832NS)に積層した。これにより、プリプレグ及び銅箔からなる銅張積層板を作製した。この銅張積層板において、銅箔のエッチングされた側の表面は、プリプレグに密着している。   The etched copper foil was laminated on a prepreg (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., trade name: HL832NS) by vacuum hot pressing. Thereby, the copper clad laminated board which consists of a prepreg and copper foil was produced. In this copper clad laminate, the etched surface of the copper foil is in close contact with the prepreg.

このようにして得られた銅張積層板を用いて、銅箔の引き剥がし強さ(ピール強度)を測定した。引き剥がし強さは、JIS C 6481に規定された方法に従って測定した。その結果、銅箔の引き剥がし強さは、1.05kgf/cmであった。   Using the copper clad laminate thus obtained, the peel strength (peel strength) of the copper foil was measured. The peel strength was measured according to the method defined in JIS C 6481. As a result, the peel strength of the copper foil was 1.05 kgf / cm.

次に、銅張積層板の表面をエッチングした。エッチング用液体組成物の組成、及び、エッチングの条件は、以下の通りである。
・エッチング用液体組成物の組成
過酸化水素:3質量%
硫酸:7質量%
商品名:三菱ガス化学株式会社製、CPE−770
・エッチングの条件
エッチング用液体組成物の温度:35℃
スプレー圧力:0.2MPa
スプレー時間:1分間
Next, the surface of the copper clad laminate was etched. The composition of the etching liquid composition and the etching conditions are as follows.
-Composition of the liquid composition for etching Hydrogen peroxide: 3% by mass
Sulfuric acid: 7% by mass
Product name: Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., CPE-770
-Etching conditions Temperature of the etching liquid composition: 35 ° C
Spray pressure: 0.2 MPa
Spray time: 1 minute

次に、エッチング後の銅張積層板の銅箔の厚みを測定した。その結果、十点測定の平均の厚みが、2.5μmであった。測定には、以下の装置を使用した。
・渦電流式銅膜厚計(FISCHER社製、FISCHERSCOPE MMS)
Next, the thickness of the copper foil of the copper clad laminate after etching was measured. As a result, the average thickness of 10-point measurement was 2.5 μm. The following apparatus was used for the measurement.
・ Eddy current type copper film thickness gauge (FISCHERSCOPE MMS, manufactured by FISCHER)

銅箔に配線パターンを形成するために、以下の処理を行った。まず、エッチング後の銅張積層板の銅箔の上に、無電解銅メッキ0.5μmを施した。つぎに、無電解銅メッキが施された銅箔の上に、ドライフィルムレジストをラミネートした。つぎに、露光、現像工程を経て、レジスト層にレジストパターンを形成した。つぎに、レジストパターンが形成されている銅箔に対して、電気銅メッキを施した。最後に、レジスト剥離液を用いて、銅箔の上のレジストを除去した。レジスト除去の際の処理条件は、以下の通りである。   In order to form a wiring pattern on the copper foil, the following treatment was performed. First, electroless copper plating 0.5 μm was applied on the copper foil of the copper clad laminate after etching. Next, a dry film resist was laminated on the copper foil on which electroless copper plating was applied. Next, a resist pattern was formed on the resist layer through exposure and development processes. Next, electrolytic copper plating was applied to the copper foil on which the resist pattern was formed. Finally, the resist on the copper foil was removed using a resist stripping solution. The processing conditions for removing the resist are as follows.

・レジスト剥離液
モノエタノールアミン:5質量%
商品名:三菱ガス化学株式会社製、R−100M
・処理条件
レジスト剥離液の温度:50℃
スプレー圧力:0.1MPa
・ Resist stripping solution Monoethanolamine: 5% by mass
Product name: Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., R-100M
・ Processing conditions Temperature of resist stripping solution: 50 ℃
Spray pressure: 0.1 MPa

銅箔に形成された配線パターンの寸法を、金属顕微鏡(オリンパス株式会社製、MX61L)を用いて測定した。その結果、配線パターンの寸法は、ライン/スペース=20μm/10μmであった。   The dimension of the wiring pattern formed on the copper foil was measured using a metal microscope (manufactured by Olympus Corporation, MX61L). As a result, the dimension of the wiring pattern was line / space = 20 μm / 10 μm.

つぎに、エッチング用液体組成物を用いて、基板の上からシード層(銅箔)を除去した。その結果、シード層を完全に除去するのに要した時間は、1分間であった。シード層除去の際の処理条件は、以下の通りである。   Next, the seed layer (copper foil) was removed from the top of the substrate using the etching liquid composition. As a result, it took 1 minute to completely remove the seed layer. The processing conditions for removing the seed layer are as follows.

・エッチング用液体組成物の組成
過酸化水素:2質量%
硫酸:6質量%
商品名:三菱ガス化学株式会社製、CPE−800
・処理条件
エッチング用液体組成物の温度:30℃
スプレー圧力:0.2MPa
-Composition of the liquid composition for etching Hydrogen peroxide: 2% by mass
Sulfuric acid: 6% by mass
Product name: Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., CPE-800
-Processing conditions Temperature of the liquid composition for etching: 30 ° C
Spray pressure: 0.2 MPa

シード層(銅箔)を除去した後の配線パターンの線幅の減少量を、金属顕微鏡(オリンパス株式会社製、MX61L)を用いて測定した。その結果、線幅の減少量は、5.0μmであった。図3は、電子顕微鏡による配線の断面写真である。   The amount of reduction in the line width of the wiring pattern after removing the seed layer (copper foil) was measured using a metal microscope (manufactured by Olympus Corporation, MX61L). As a result, the reduction amount of the line width was 5.0 μm. FIG. 3 is a cross-sectional photograph of wiring using an electron microscope.

[実施例2]
実施例2では、電解銅箔のシャイニー面のエッチング処理に用いられる液体組成物を以下の通りに変更した以外は、実施例1と同様の試験を行った。
・エッチング用液体組成物の組成
過酸化水素:0.5質量%
硫酸:2質量%
5−メチルテトラゾール:0.1質量%
塩化物イオン:1ppm
[Example 2]
In Example 2, the same test as in Example 1 was performed except that the liquid composition used for the etching treatment of the shiny surface of the electrolytic copper foil was changed as follows.
-Composition of the liquid composition for etching Hydrogen peroxide: 0.5% by mass
Sulfuric acid: 2% by mass
5-methyltetrazole: 0.1% by mass
Chloride ion: 1ppm

エッチング後の銅箔表面の縦5μm×横5μmの領域内の表面積を測定した。その結果、銅箔の表面積は、44.7[μm]であった。 The surface area of the etched copper foil surface in a region of 5 μm length × 5 μm width was measured. As a result, the surface area of the copper foil was 44.7 [μm 2 ].

エッチング後の銅箔の表面粗さ(Rzjis:十点平均粗さ)を測定した。その結果、銅箔の表面粗さは、0.5[μm]であった。   The surface roughness (Rzjis: 10-point average roughness) of the copper foil after etching was measured. As a result, the surface roughness of the copper foil was 0.5 [μm].

上記式(1)に基づいて、密着向上係数Eを算出した。その結果、密着向上係数Eは、3.58であった。計算式は、以下の通りである。
E = {44.7/(5×5)}/0.5 = 3.58
The adhesion improvement coefficient E was calculated based on the above formula (1). As a result, the adhesion improvement coefficient E was 3.58. The calculation formula is as follows.
E = {44.7 / (5 × 5)} / 0.5 = 3.58

銅箔表面のエッチング量を、上記式(2)に基づいて算出した。その結果、銅箔表面のエッチング量は、0.4μmであった。   The etching amount of the copper foil surface was calculated based on the above formula (2). As a result, the etching amount on the copper foil surface was 0.4 μm.

銅箔の引き剥がし強さは、1.00kgf/cmであった。   The peel strength of the copper foil was 1.00 kgf / cm.

シード層を除去した後の配線パターンの線幅の減少量は、5.0μmであった。   The amount of reduction in the line width of the wiring pattern after removing the seed layer was 5.0 μm.

[実施例3]
実施例3では、電解銅箔のシャイニー面のエッチング処理に用いられる液体組成物を以下の通りに変更した以外は、実施例1と同様の試験を行った。
・エッチング用液体組成物の組成
過酸化水素:1質量%
硫酸:2.5質量%
5−メチルテトラゾール:0.05質量%
1,5−ジメチルテトラゾール:0.05質量%
塩化物イオン:1ppm
[Example 3]
In Example 3, the same test as in Example 1 was performed except that the liquid composition used for the etching treatment of the shiny surface of the electrolytic copper foil was changed as follows.
-Composition of etching liquid composition Hydrogen peroxide: 1% by mass
Sulfuric acid: 2.5% by mass
5-methyltetrazole: 0.05% by mass
1,5-dimethyltetrazole: 0.05% by mass
Chloride ion: 1ppm

エッチング後の銅箔表面の縦5μm×横5μmの領域内の表面積を測定した。その結果、銅箔の表面積は、38[μm]であった。 The surface area of the etched copper foil surface in a region of 5 μm length × 5 μm width was measured. As a result, the surface area of the copper foil was 38 [μm 2 ].

エッチング後の銅箔の表面粗さ(Rzjis:十点平均粗さ)を測定した。その結果、銅箔の表面粗さは、0.25[μm]であった。   The surface roughness (Rzjis: 10-point average roughness) of the copper foil after etching was measured. As a result, the surface roughness of the copper foil was 0.25 [μm].

上記式(1)に基づいて、密着向上係数Eを算出した。その結果、密着向上係数Eは、5.60であった。計算式は、以下の通りである。
E = {38/(5×5)}/0.25 = 6.08
The adhesion improvement coefficient E was calculated based on the above formula (1). As a result, the adhesion improvement coefficient E was 5.60. The calculation formula is as follows.
E = {38 / (5 × 5)} / 0.25 = 6.08

銅箔表面のエッチング量を、上記式(2)に基づいて算出した。その結果、銅箔表面のエッチング量は、0.3μmであった。   The etching amount of the copper foil surface was calculated based on the above formula (2). As a result, the etching amount on the surface of the copper foil was 0.3 μm.

銅箔の引き剥がし強さは、0.9kgf/cmであった。   The peel strength of the copper foil was 0.9 kgf / cm.

シード層を除去した後の配線パターンの線幅の減少量は、4.5μmであった。   The amount of reduction in the line width of the wiring pattern after removing the seed layer was 4.5 μm.

[実施例4]
実施例4では、電解銅箔のシャイニー面のエッチング処理のエッチング条件を以下の通りに変更した以外は、実施例3と同様の試験を行った。
・エッチングの条件
エッチング用液体組成物の温度:35℃
スプレー圧力:0.2MPa
スプレー時間:1分間
[Example 4]
In Example 4, the same test as in Example 3 was performed, except that the etching conditions for the etching treatment of the shiny surface of the electrolytic copper foil were changed as follows.
-Etching conditions Temperature of the etching liquid composition: 35 ° C
Spray pressure: 0.2 MPa
Spray time: 1 minute

エッチング後の銅箔表面の縦5μm×横5μmの領域内の表面積を測定した。その結果、銅箔の表面積は、45[μm]であった。 The surface area of the etched copper foil surface in a region of 5 μm length × 5 μm width was measured. As a result, the surface area of the copper foil was 45 [μm 2 ].

エッチング後の銅箔の表面粗さ(Rzjis:十点平均粗さ)を測定した。その結果、銅箔の表面粗さは、0.45[μm]であった。   The surface roughness (Rzjis: 10-point average roughness) of the copper foil after etching was measured. As a result, the surface roughness of the copper foil was 0.45 [μm].

上記式(1)に基づいて、密着向上係数Eを算出した。その結果、密着向上係数Eは、3.70であった。計算式は、以下の通りである。
E = {45/(5×5)}/0.45 = 4.0
The adhesion improvement coefficient E was calculated based on the above formula (1). As a result, the adhesion improvement coefficient E was 3.70. The calculation formula is as follows.
E = {45 / (5 × 5)} / 0.45 = 4.0

銅箔表面のエッチング量を、上記式(2)に基づいて算出した。その結果、銅箔表面のエッチング量は、0.65μmであった。   The etching amount of the copper foil surface was calculated based on the above formula (2). As a result, the etching amount of the copper foil surface was 0.65 μm.

銅箔の引き剥がし強さは、0.95kgf/cmであった。   The peel strength of the copper foil was 0.95 kgf / cm.

シード層を除去した後の配線パターンの線幅の減少量は、5.0μmであった。   The amount of reduction in the line width of the wiring pattern after removing the seed layer was 5.0 μm.

[比較例1]
比較例1では、一方の表面が予め粗化されている以下の電解銅箔を使用した以外は、実施例1と同様の試験を行った。
・電解銅箔
厚み:12μm
商品名:三井金属鉱業株式会社製、3EC−VLP
[Comparative Example 1]
In Comparative Example 1, the same test as in Example 1 was performed except that the following electrolytic copper foil whose one surface was previously roughened was used.
・ Electrolytic copper foil Thickness: 12μm
Product name: 3EC-VLP manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.

上記の電解銅箔の表面を、走査型トンネル顕微鏡で30000倍の倍率で観測した。図2は、このときに観測された銅箔表面の3次元画像である。   The surface of the electrolytic copper foil was observed with a scanning tunneling microscope at a magnification of 30000 times. FIG. 2 is a three-dimensional image of the copper foil surface observed at this time.

銅箔表面の縦5μm×横5μmの領域内の表面積を測定した。その結果、銅箔の表面積は、36.2[μm]であった。 The surface area in the region of 5 μm long × 5 μm wide on the surface of the copper foil was measured. As a result, the surface area of the copper foil was 36.2 [μm 2 ].

銅箔の表面粗さ(Rzjis:十点平均粗さ)を測定した。その結果、銅箔の表面粗さは、3.65[μm]であった。   The surface roughness (Rzjis: 10-point average roughness) of the copper foil was measured. As a result, the surface roughness of the copper foil was 3.65 [μm].

上記式(1)に基づいて、密着向上係数Eを算出した。その結果、密着向上係数Eは、0.40であった。計算式は、以下の通りである。
E = {36.2/(5×5)}/3.65 = 0.40
The adhesion improvement coefficient E was calculated based on the above formula (1). As a result, the adhesion improvement coefficient E was 0.40. The calculation formula is as follows.
E = {36.2 / (5 × 5)} / 3.65 = 0.40

銅箔の引き剥がし強さは、0.90kgf/cmであった。   The peel strength of the copper foil was 0.90 kgf / cm.

シード層を除去した後の配線パターンの線幅の減少量は、9.8μmであった。図4は電子顕微鏡による配線の断面写真である。   The amount of decrease in the line width of the wiring pattern after removing the seed layer was 9.8 μm. FIG. 4 is a cross-sectional photograph of wiring using an electron microscope.

[比較例2]
比較例2では、一方の表面が予め粗化されている以下の電解銅箔を使用した以外は、実施例1と同様の試験を行った。
・電解銅箔
厚み:12μm
商品名:古河電気工業株式会社製、FV―WS
[Comparative Example 2]
In Comparative Example 2, the same test as in Example 1 was performed except that the following electrolytic copper foil whose one surface was previously roughened was used.
・ Electrolytic copper foil Thickness: 12μm
Product name: FV-WS, manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.

銅箔表面の縦5μm×横5μmの領域内の表面積を測定した。その結果、銅箔の表面積は、33.8[μm]であった。 The surface area in the region of 5 μm long × 5 μm wide on the surface of the copper foil was measured. As a result, the surface area of the copper foil was 33.8 [μm 2 ].

銅箔の表面粗さ(Rzjis:十点平均粗さ)を測定した。その結果、銅箔の表面粗さは、2.20[μm]であった。   The surface roughness (Rzjis: 10-point average roughness) of the copper foil was measured. As a result, the surface roughness of the copper foil was 2.20 [μm].

上記式(1)に基づいて、密着向上係数Eを算出した。その結果、密着向上係数Eは、0.61であった。計算式は、以下の通りである。
E = {33.8/(5×5)}/2.20 = 0.61
The adhesion improvement coefficient E was calculated based on the above formula (1). As a result, the adhesion improvement coefficient E was 0.61. The calculation formula is as follows.
E = {33.8 / (5 × 5)} / 2.20 = 0.61

銅箔の引き剥がし強さは、0.85kgf/cmであった。   The peel strength of the copper foil was 0.85 kgf / cm.

シード層を除去した後の配線パターンの線幅の減少量は、9.5μmであった。   The reduction amount of the line width of the wiring pattern after removing the seed layer was 9.5 μm.

[比較例3]
比較例3では、一方の表面が予め粗化されている以下の電解銅箔を使用した以外は、実施例1と同様の試験を行った。
・電解銅箔
厚み:12μm
商品名:JX日鉱日石金属株式会社製、HLPLC
[Comparative Example 3]
In Comparative Example 3, the same test as in Example 1 was performed except that the following electrolytic copper foil whose one surface was previously roughened was used.
・ Electrolytic copper foil Thickness: 12μm
Product Name: HLPLC, manufactured by JX Nippon Mining & Metals

銅箔表面の縦5μm×横5μmの領域内の表面積を測定した。その結果、銅箔の表面積は、32.2[μm]であった。 The surface area in the region of 5 μm long × 5 μm wide on the surface of the copper foil was measured. As a result, the surface area of the copper foil was 32.2 [μm 2 ].

銅箔の表面粗さ(Rzjis:十点平均粗さ)を測定した。その結果、銅箔の表面粗さは、2.05[μm]であった。   The surface roughness (Rzjis: 10-point average roughness) of the copper foil was measured. As a result, the surface roughness of the copper foil was 2.05 [μm].

上記式(1)に基づいて、密着向上係数Eを算出した。その結果、密着向上係数Eは、0.63であった。計算式は、以下の通りである。
E = {32.2/(5×5)}/2.05 = 0.63
The adhesion improvement coefficient E was calculated based on the above formula (1). As a result, the adhesion improvement coefficient E was 0.63. The calculation formula is as follows.
E = {32.2 / (5 × 5)} / 2.05 = 0.63

銅箔の引き剥がし強さは、0.85kgf/cmであった。   The peel strength of the copper foil was 0.85 kgf / cm.

シード層を除去した後の配線パターンの線幅の減少量は、9.3μmであった。   The amount of reduction in the line width of the wiring pattern after removing the seed layer was 9.3 μm.

[比較例4]
比較例4では、一方の表面が予め粗化されている以下の電解銅箔を使用した以外は、実施例1と同様の試験を行った。
・電解銅箔
厚み:12μm
商品名:福田金属箔粉工業株式会社製、SV
[Comparative Example 4]
In Comparative Example 4, the same test as in Example 1 was performed except that the following electrolytic copper foil whose one surface was previously roughened was used.
・ Electrolytic copper foil Thickness: 12μm
Product name: Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd., SV

銅箔表面の縦5μm×横5μmの領域内の表面積を測定した。その結果、銅箔の表面積は、31.3[μm]であった。 The surface area in the region of 5 μm long × 5 μm wide on the surface of the copper foil was measured. As a result, the surface area of the copper foil was 31.3 [μm 2 ].

銅箔の表面粗さ(Rzjis:十点平均粗さ)を測定した。その結果、銅箔の表面粗さは、1.85[μm]であった。   The surface roughness (Rzjis: 10-point average roughness) of the copper foil was measured. As a result, the surface roughness of the copper foil was 1.85 [μm].

上記式(1)に基づいて、密着向上係数Eを算出した。その結果、密着向上係数Eは、0.68であった。計算式は、以下の通りである。
E = {31.3/(5×5)}/1.85 = 0.68
The adhesion improvement coefficient E was calculated based on the above formula (1). As a result, the adhesion improvement coefficient E was 0.68. The calculation formula is as follows.
E = {31.3 / (5 × 5)} / 1.85 = 0.68

銅箔の引き剥がし強さは、0.70kgf/cmであった。   The peel strength of the copper foil was 0.70 kgf / cm.

シード層を除去した後の配線パターンの線幅の減少量は、9.0μmであった。   The amount of decrease in the line width of the wiring pattern after removing the seed layer was 9.0 μm.

[比較例5]
比較例5では、電解銅箔のシャイニー面のエッチング処理に用いられる液体組成物を以下の通りに変更した以外は、実施例1と同様の試験を行った。
・エッチング用液体組成物の組成
過酸化水素:1.3質量%
硫酸:5質量%
5−アミノテトラゾール:0.35質量%
商品名:三菱ガス化学株式会社製CPE−900
[Comparative Example 5]
In Comparative Example 5, the same test as in Example 1 was performed except that the liquid composition used for the etching treatment of the shiny surface of the electrolytic copper foil was changed as follows.
-Composition of the liquid composition for etching Hydrogen peroxide: 1.3% by mass
Sulfuric acid: 5% by mass
5-aminotetrazole: 0.35% by mass
Product name: CPE-900 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.

エッチング後の銅箔表面の縦5μm×横5μmの領域内の表面積を測定した。その結果、銅箔の表面積は、36[μm]であった。 The surface area of the etched copper foil surface in a region of 5 μm length × 5 μm width was measured. As a result, the surface area of the copper foil was 36 [μm 2 ].

エッチング後の銅箔の表面粗さ(Rzjis:十点平均粗さ)を測定した。その結果、銅箔の表面粗さは、0.75[μm]であった。   The surface roughness (Rzjis: 10-point average roughness) of the copper foil after etching was measured. As a result, the surface roughness of the copper foil was 0.75 [μm].

上記式(1)に基づいて、密着向上係数Eを算出した。その結果、密着向上係数Eは、5.60であった。計算式は、以下の通りである。
E = {36/(5×5)}/0.75 = 1.92
The adhesion improvement coefficient E was calculated based on the above formula (1). As a result, the adhesion improvement coefficient E was 5.60. The calculation formula is as follows.
E = {36 / (5 × 5)} / 0.75 = 1.92

銅箔表面のエッチング量を、上記式(2)に基づいて算出した。その結果、銅箔表面のエッチング量は、1.5μmであった。   The etching amount of the copper foil surface was calculated based on the above formula (2). As a result, the etching amount of the copper foil surface was 1.5 μm.

銅箔の引き剥がし強さは、0.50kgf/cmであった。   The peel strength of the copper foil was 0.50 kgf / cm.

シード層を除去した後の配線パターンの線幅の減少量は、6.5μmであった。   The amount of reduction in the line width of the wiring pattern after removing the seed layer was 6.5 μm.

[比較例6]
比較例6では、電解銅箔のシャイニー面をエッチングしなかった以外は、実施例1と同様の試験を行った。
[Comparative Example 6]
In Comparative Example 6, the same test as in Example 1 was performed except that the shiny surface of the electrolytic copper foil was not etched.

銅箔表面(未処理)の縦5μm×横5μmの領域内の表面積を、25[μm]とした。 The surface area in the region of 5 μm length × 5 μm width on the copper foil surface (untreated) was set to 25 [μm 2 ].

銅箔(未処理)の表面粗さ(Rzjis:十点平均粗さ)を測定した。その結果、銅箔の表面粗さは、0.1[μm]であった。   The surface roughness (Rzjis: 10-point average roughness) of the copper foil (untreated) was measured. As a result, the surface roughness of the copper foil was 0.1 [μm].

上記式(1)に基づいて、密着向上係数Eを算出した。その結果、密着向上係数Eは、5.60であった。計算式は、以下の通りである。
E = {25/(5×5)}/0.1 = 10
The adhesion improvement coefficient E was calculated based on the above formula (1). As a result, the adhesion improvement coefficient E was 5.60. The calculation formula is as follows.
E = {25 / (5 × 5)} / 0.1 = 10

銅箔の引き剥がし強さは、0.20kgf/cmであった。   The peel strength of the copper foil was 0.20 kgf / cm.

シード層を除去した後の配線パターンの線幅の減少量は、4.5μmであった。   The amount of reduction in the line width of the wiring pattern after removing the seed layer was 4.5 μm.

実施例1〜4及び比較例1〜6の結果を、以下の表1に示す。   The results of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 6 are shown in Table 1 below.

実施例1〜4は、比較例1〜5よりも、密着向上係数Eが大きかった。
実施例1、2、および4は、比較例1〜6よりも、銅箔の引き剥がし強さが大きかった。
実施例3は、比較例1と引き剥がし強さが同等であり、比較例2〜6よりも、銅箔の引き剥がし強さが大きかった。
実施例1〜4は、比較例1〜5よりも、配線パターンの線幅減少量が小さかった。
実施例1〜4は、比較例5よりも、エッチング量が少なかった。
In Examples 1 to 4, the adhesion improvement coefficient E was larger than those of Comparative Examples 1 to 5.
In Examples 1, 2, and 4, the peel strength of the copper foil was larger than those of Comparative Examples 1-6.
In Example 3, the peel strength was equivalent to that of Comparative Example 1, and the peel strength of the copper foil was larger than those of Comparative Examples 2-6.
In Examples 1 to 4, the line width reduction amount of the wiring pattern was smaller than those of Comparative Examples 1 to 5.
In Examples 1 to 4, the etching amount was smaller than that in Comparative Example 5.

本発明の銅箔は、絶縁基材との密着性が良好であった。
本発明の銅箔は、配線パターンの線幅の減少量が小さいため、微細な配線パターンを形成することができる。
本発明の銅箔は、配線パターンの線幅が20μm以下のプリント配線板に好ましく適用
することができる。
The copper foil of the present invention had good adhesion to the insulating substrate.
The copper foil of the present invention can form a fine wiring pattern because the amount of reduction in the line width of the wiring pattern is small.
The copper foil of the present invention can be preferably applied to a printed wiring board having a wiring pattern line width of 20 μm or less.

Claims (8)

銅箔の少なくとも一方の表面を、以下の式(1):
E= 銅箔の表面積/銅箔の表面の十点平均粗さ ・・・(1)
(銅箔の表面積は、銅箔の縦1μm×横1μmの単位領域当たりの表面積であり、銅箔の表面積は、前記銅箔の表面を走査型トンネル顕微鏡で観測したときに得られる値である)
で表される密着向上係数Eの値が2.5〜8になるまでエッチング処理する、プリント配線板用銅箔の製造方法であって、
前記エッチング処理に、
0.2〜1.5質量%の過酸化水素と、
0.5〜3.0質量%の硫酸と、
0.3〜3ppmのハロゲンイオンと、
0.01〜0.3質量%のテトラゾール類と
を含む液体組成物(但し、銀イオンを含むものを除く)を用いる、方法
At least one surface of the copper foil has the following formula (1):
E = surface area of copper foil / ten-point average roughness of copper foil surface (1)
(The surface area of the copper foil is the surface area per unit area of 1 μm length × 1 μm width of the copper foil, and the surface area of the copper foil is a value obtained when the surface of the copper foil is observed with a scanning tunneling microscope. )
Etching treatment until the value of adhesion improvement coefficient E represented by 2.5 to 8 is a method for producing a copper foil for printed wiring board ,
For the etching process,
0.2 to 1.5 mass% hydrogen peroxide,
0.5-3.0% by weight sulfuric acid,
0.3 to 3 ppm of halogen ions;
0.01 to 0.3% by weight of tetrazole and
Using a liquid composition (except for those containing silver ions) .
以下の式(2):The following formula (2):
エッチング量[μm] =(エッチング前の銅箔の質量−エッチング後の銅箔の質量)/(エッチング面積×銅の密度) ・・・(2)Etching amount [μm] = (mass of copper foil before etching−mass of copper foil after etching) / (etching area × copper density) (2)
(式中、銅の密度は、8.96g/cm(Wherein the density of copper is 8.96 g / cm 3 である)Is)
で表される前記銅箔の表面のエッチング量が、1μm以下である、請求項1に記載の方法。The etching amount of the surface of the said copper foil represented by these is 1 micrometer or less, The method of Claim 1.
前記銅箔の表面は、銅以外の金属、シランカップリング剤、または接着剤によって処理されていない、請求項1または2に記載の方法。The method according to claim 1 or 2, wherein the surface of the copper foil is not treated with a metal other than copper, a silane coupling agent, or an adhesive. 絶縁基材と、前記絶縁基材の表面に積層されたプリント配線板用銅箔とを備えてなる、銅張積層板の製造方法であって、A method for producing a copper clad laminate comprising an insulating substrate and a copper foil for a printed wiring board laminated on the surface of the insulating substrate,
前記プリント配線板用銅箔を、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法により製造する、方法。The method for manufacturing the said copper foil for printed wiring boards by the method as described in any one of Claims 1-3.
銅張積層板を備えてなるプリント配線板の製造方法であって、A method of manufacturing a printed wiring board comprising a copper clad laminate,
前記銅張積層板を、請求項4に記載の方法により製造する、方法。The method of manufacturing the said copper clad laminated board by the method of Claim 4.
セミアディティブ法によって配線パターンを形成する、請求項5に記載の方法。The method according to claim 5, wherein the wiring pattern is formed by a semi-additive method. サブトラクティブ法によって配線パターンを形成する、請求項5に記載の方法。The method according to claim 5, wherein the wiring pattern is formed by a subtractive method. 前記配線パターンの線幅が20μm以下である、請求項6または7に記載の方法。The method according to claim 6, wherein a line width of the wiring pattern is 20 μm or less.
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