JP6221433B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Description
本発明は、半導体集積回路に関する。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit.
半導体集積回路のスキャン試験では、スキャンシフト動作に用いるスキャンクロックとして、1種類の周波数のクロックが使用されることが多い。スキャンクロックは、試験時間の短縮化のために、高速化が進んでいる。 In a scan test of a semiconductor integrated circuit, a clock having one frequency is often used as a scan clock used for a scan shift operation. Scan clocks are increasing in speed to reduce test time.
なお、直列に接続されるスキャンフリップフロップ(スキャン機能付きフリップフロップ(以下スキャンFFと表記する))に、スキューによる誤動作を抑制するために、位相の異なる複数のスキャンクロックを供給する技術がある。 In addition, there is a technique for supplying a plurality of scan clocks having different phases to scan flip-flops connected in series (flip-flops with a scan function (hereinafter referred to as scan FFs)) in order to suppress malfunction due to skew.
スキャン試験時間の短縮のために、スキャンクロックの周波数を上げると、スキャンFFでの消費電力が増加してしまう。これにより、半導体集積回路が発熱することで、半導体集積回路の動作が不安定になったり、定格を超えて半導体集積回路に損傷を与える懸念がある。 When the frequency of the scan clock is increased to shorten the scan test time, the power consumption in the scan FF increases. Accordingly, there is a concern that the operation of the semiconductor integrated circuit becomes unstable due to heat generation of the semiconductor integrated circuit, or the semiconductor integrated circuit is damaged beyond the rating.
発明の一観点によれば、スキャンクロックを受け、前記スキャンクロックの分周及び位相調整を行い、異なるN(≧2)種類の分周数N以下の分周スキャンクロックを生成する分周クロック生成部と、それぞれ同数のスキャンフリップフロップを含み、シリアルに入力されるデータを、前記N種類の分周スキャンクロックで異なるタイミングで取り込み、N並列化してシフト動作を行うN本のスキャンチェーンと、前記N本のスキャンチェーンの出力を、1つずつ選択してシリアルデータとして出力する選択回路と、を有する半導体集積回路が提供される。 According to one aspect of the invention, frequency-divided clock generation that receives a scan clock, performs frequency division and phase adjustment of the scan clock, and generates frequency-divided scan clocks of N (≧ 2) types of frequency division numbers N or less N scan chains that include the same number of scan flip-flops, and that receive serially input data at different timings using the N types of frequency-divided scan clocks, and perform N-parallel shift operations, There is provided a semiconductor integrated circuit having a selection circuit for selecting outputs of N scan chains one by one and outputting them as serial data.
開示の半導体集積回路によれば、消費電力の増加を抑制できる。 According to the disclosed semiconductor integrated circuit, an increase in power consumption can be suppressed.
以下、発明を実施するための形態を、図面を参照しつつ説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態の半導体集積回路の一例を示す図である。
Hereinafter, embodiments for carrying out the invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a semiconductor integrated circuit according to the first embodiment.
半導体集積回路1は、組み合わせ回路2、分周クロック生成部3、スキャンFF4−1,4−2,4−3,4−4,4−5,4−6を含む2本のスキャンチェーン5−1,5−2を有している。
The semiconductor integrated
分周クロック生成部3は、端子P4を介して半導体集積回路1に入力されるスキャンクロックSCKを受ける。そして、分周クロック生成部3は、スキャンクロックSCKの分周及び位相調整を行い、異なる2種類の分周スキャンクロックSCK1,SCK2を生成する。
The frequency-divided
たとえば、分周スキャンクロックSCK2は、スキャンクロックSCKを2分周したものであり、分周スキャンクロックSCK1は、スキャンクロックSCKを2分周し、さらに位相調整を行ったものである。 For example, the divided scan clock SCK2 is obtained by dividing the scan clock SCK by 2, and the divided scan clock SCK1 is obtained by dividing the scan clock SCK by 2 and performing phase adjustment.
スキャンチェーン5−1,5−2はそれぞれ同数のスキャンFFを含む。図1の例では、スキャンチェーン5−1は、スキャンFF4−1,4−3,4−5を含み、スキャンチェーン5−2は、スキャンFF4−2,4−4,4−6を含む。 Each of the scan chains 5-1 and 5-2 includes the same number of scan FFs. In the example of FIG. 1, the scan chain 5-1 includes scan FFs 4-1, 4-3, and 4-5, and the scan chain 5-2 includes scan FFs 4-2, 4-4, and 4-6.
本実施の形態において、スキャンFF4−1〜4−6は、一列に配列されており、1つおきに出力端子Qと、スキャンイン端子SINが接続されることにより、2本のスキャンチェーン5−1,5−2が形成されている。なお、各スキャンチェーン5−1,5−2の最前段のスキャンFF4−1,4−2のスキャンイン端子SINには、端子P2を介して半導体集積回路1に入力されるテストパターンであるシリアルデータSDIが入力される。また、スキャンFF4−1〜4−5の出力端子Qは、組み合せ回路2にも接続されており、各スキャンチェーン5−1,5−2の最後段のスキャンFF4−5,4−6の出力端子Qは、選択回路6に接続されている。
In the present embodiment, the scan FFs 4-1 to 4-6 are arranged in a line, and every other output chain Q and scan-in terminal SIN are connected to form two scan chains 5- 1,5-2 are formed. Note that the scan-in terminals SIN of the scan FFs 4-1 and 4-2 in the forefront stage of the scan chains 5-1 and 5-2 are serial numbers that are test patterns input to the semiconductor integrated
スキャンチェーン5−1,5−2は、シリアルデータSDIを、前述の2種類の分周スキャンクロックSCK1,SCK2で、異なるタイミングで取り込み、2並列化してシフト動作を行う。スキャンチェーン5−1のスキャンFF4−1,4−3,4−5のクロック端子CKには、分周スキャンクロックSCK1が入力されている。スキャンチェーン5−2のスキャンFF4−2,4−4,4−6には、分周スキャンクロックSCK2が入力されている。
The scan chains 5-1 and 5-2 take in the serial data SDI with the above-described two types of the divided
なお、スキャンFF4−1のデータ入力端子Dには、端子P1から通常の動作モードのときに使用されるデータが入力される。スキャンFF4−2〜4−6のデータ入力端子Dは、組み合わせ回路2に接続されており、組み合わせ回路2からのデータが入力される。スキャンFF4−1〜4−6のシフトイネーブル端子Sには、端子P3からシフト動作を有効にするか否かを示すシフトイネーブル信号が入力される。スキャンシフト動作が有効のときは、スキャンイン端子SINに入力されるデータが選択され、データ入力端子Dに入力されるデータは選択されない。
Data used in the normal operation mode is input from the terminal P1 to the data input terminal D of the scan FF4-1. The data input terminals D of the scan FFs 4-2 to 4-6 are connected to the
選択回路6は、上記2本のスキャンチェーン5−1,5−2の出力を、1つずつ選択して、シリアルデータSDOとして端子P5を介して出力する。本実施の形態の例では、選択回路6は、選択信号として、分周スキャンクロックSCK2を用いている。
The
以下、第1の実施の形態の半導体集積回路1のスキャン試験時のシフト動作の一例を説明する。
スキャン試験シフト動作時には、シフトイネーブル信号が有効となり、スキャンFF4−1〜4−6内にある図示しないセレクタは、スキャンイン端子SINに入力されるデータを取り込むように選択する。
Hereinafter, an example of the shift operation during the scan test of the semiconductor integrated
During the scan test shift operation, the shift enable signal becomes valid, and a selector (not shown) in the scan FFs 4-1 to 4-6 selects to capture data input to the scan-in terminal SIN.
端子P4からスキャンクロックSCKが入力されると、分周クロック生成部3は、スキャンクロックSCKの分周及び位相調整を行い、異なる2つの分周スキャンクロックSCK1,SCK2を生成する。たとえば、分周クロック生成部3は、スキャンクロックSCKを2つに分け、2分周し遅延するなどして位相を調整する。本実施の形態の半導体集積回路1の例では、分周スキャンクロックSCK1は、スキャンFF4−1が、奇数番目のデータd1,d3,d5…を取り込めるように位相調整されている。また、分周スキャンクロックSCK2は、スキャンFF4−2が、偶数番目のデータd2,d4…を取り込めるように位相調整されている(位相調整方法の例については後述する)。
When the scan clock SCK is input from the terminal P4, the frequency-divided
そして、分周スキャンクロックSCK1の立ち上がり(または立ち下がり)に同期して、スキャンチェーン5−1の最前段のスキャンFF4−1が、シリアルデータSDIのうち、奇数番目のデータd1,d3,d5…を順に取り込む。そして、それらのデータが、次の分周スキャンクロックSCK1の立ち上がり(または立ち下がり)に同期して、スキャンチェーン5−1の後段のスキャンFF4−3,4−5にシフトしていく。 Then, in synchronization with the rise (or fall) of the divided scan clock SCK1, the foremost scan FF4-1 of the scan chain 5-1 receives the odd-numbered data d1, d3, d5. In order. Then, these data are shifted to the scan FFs 4-3 and 4-5 in the subsequent stage of the scan chain 5-1, in synchronization with the rise (or fall) of the next divided scan clock SCK1.
一方、分周スキャンクロックSCK2の立ち上がり(または立ち下がり)に同期して、スキャンチェーン5−2の最前段のスキャンFF4−2が、シリアルデータSDIのうち、偶数番目のデータd2,d4…を順に取り込む。そして、それらのデータが、次の分周スキャンクロックSCK2の立ち上がり(または立ち下がり)に同期して、スキャンチェーン5−2の後段のスキャンFF4−4,4−6にシフトしていく。 On the other hand, in synchronization with the rise (or fall) of the divided scan clock SCK2, the scan FF 4-2 at the forefront stage of the scan chain 5-2 sequentially outputs even-numbered data d2, d4,. take in. Then, these data are shifted to the scan FFs 4-4 and 4-6 in the subsequent stage of the scan chain 5-2 in synchronization with the rising (or falling) of the next divided scan clock SCK2.
選択回路6は、スキャンFF4−5,4−6の出力を受ける。そして選択回路6は、選択信号である分周スキャンクロックSCK2の立ち上がり(または立ち下がり)に同期して、スキャンFF4−5,4−6の出力を交互に選択して、シリアルデータSDOとして端子P5を介して出力する。
The
以上のような、半導体集積回路1によれば、高速なスキャンクロックSCKが入力されてもそれが分周/位相調整され、2種類の分周スキャンクロックSCK1,SCK2が生成される。そして、半導体集積回路1は、シリアルデータSDIをそのクロックで2並列化して2本のスキャンチェーン5−1,5−2でシフトし、シフト動作後にシリアルに戻す。これにより、性能を落とさずに、消費電力を削減できる。
According to the semiconductor integrated
そのため、スキャンシフト動作時のスキャンクロックを高速化しても、チップ温度の上昇が抑えられ、歩留まりの安定が期待できる。また、消費電力の増大を抑えつつスキャンクロックを高速化できるため、試験時間が短縮され、試験コストが削減される。 Therefore, even if the scan clock during the scan shift operation is speeded up, an increase in the chip temperature can be suppressed and a stable yield can be expected. Further, since the scan clock can be speeded up while suppressing an increase in power consumption, the test time is shortened and the test cost is reduced.
また、分周クロック生成部3は、上記のように位相調整した分周クロックSCK1,SCK2を生成し、選択信号により、選択回路6に、スキャンFF4−5,4−6の出力を交互に選択させる。これにより、1本のスキャンチェーンでスキャンシフト動作を行ったときと同じスキャンアウト期待値が得られる。
Further, the frequency-divided
また、一列に配列されたスキャンFF4−1〜4−6を、1つおきに接続して2本のスキャンチェーンを形成していることで、1本のスキャンチェーンでスキャンシフト動作を行ったときと同じスキャンアウト期待値が容易に得られる。また、1本のスキャンチェーンでスキャンシフト動作を行う場合とスキャンFFの配置を同じにでき、配線の接続先を変えるだけで、容易に並列化することができる。 Further, when the scan FFs 4-1 to 4-6 arranged in a row are connected every other line to form two scan chains, a scan shift operation is performed with one scan chain. The same expected scan-out value can be easily obtained. Also, the scan FFs can be arranged in the same arrangement as in the case of performing the scan shift operation with one scan chain, and can be easily parallelized only by changing the connection destination of the wiring.
なお、上記の説明では、スキャンチェーン5−1,5−2に含まれるスキャンFFの数を3つとしたが、2つでも、4つ以上であってもよい。
また、上記の説明では、スキャンクロックを分周/位相調整して2種類の分周スキャンクロックを生成し、シリアルデータをそのクロックで2並列化して2本のスキャンチェーンでシフトする場合について説明したが、これに限定されない。スキャンクロックを分周/位相調整してN(≧3)種類の、分周数がN以下の分周スキャンクロックを生成し、シリアルデータをそのクロックでN並列化してN本のスキャンチェーンでシフトするようにしてもよい。
In the above description, the number of scan FFs included in the scan chains 5-1 and 5-2 is three, but may be two or four or more.
In the above description, the case where the scan clock is divided / phase-adjusted to generate two types of divided scan clocks, the serial data is parallelized by the two clocks, and shifted by two scan chains has been described. However, it is not limited to this. The scan clock is divided / phase-adjusted to generate N (≧ 3) types of divided scan clocks with a frequency division number of N or less, and serial data is N-paralleled by that clock and shifted by N scan chains. You may make it do.
(第2の実施の形態)
図2は、第2の実施の形態の半導体集積回路の一例を示す図である。図1に示した第1の実施の形態と同様の要素については同一符号を付し、説明を省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment. The same elements as those in the first embodiment shown in FIG.
第2の実施の形態の半導体集積回路1aも、図1に示した半導体集積回路1と同様に、2本のスキャンチェーン5−1,5−2を有している。
また、第2の実施の形態の半導体集積回路1aは、以下のような分周クロック生成部3aを有している。
Similarly to the semiconductor integrated
Further, the semiconductor integrated circuit 1a according to the second embodiment has a frequency-divided
分周クロック生成部3aは、分周器10,11、インバータ回路12、セレクタ13,14を有している。
分周器10は、端子P4を介して半導体集積回路1aに入力されるスキャンクロックSCKを2分周する。分周器11は、端子P4を介して半導体集積回路1aに入力され、インバータ回路12で論理レベルが反転されたスキャンクロックSCKを2分周する。このように、本実施の形態では、インバータ回路12によって位相調整が行われている。
The frequency-divided
The
セレクタ13は、端子P6から入力されるスキャンモード信号に応じて、スキャンクロックSCKか、分周器10の出力の何れかを選択して、スキャンFF4−2,4−4,4−6に供給するクロック、選択回路6に供給する選択信号として出力する。
The
セレクタ14は、端子P6から入力されるスキャンモード信号に応じて、スキャンクロックSCKか、分周器11の出力の何れかを選択して、スキャンFF4−1,4−3,4−5に供給するクロックとして出力する。
The
スキャンモード信号は、分周及び位相調整を有効または無効にするか指示する信号である。スキャンモード信号が、分周及び位相調整の無効を指示するときには、分周スキャンクロックではなく、端子P5から入力されるクロックが、分周クロック生成部3aから出力される。たとえば、スキャン試験シフト動作時ではないときには、このクロックが用いられる。
The scan mode signal is a signal for instructing whether to enable or disable the frequency division and phase adjustment. When the scan mode signal instructs invalidation of the frequency division and phase adjustment, a clock input from the terminal P5 is output from the frequency-divided
以下、第2の実施の形態の半導体集積回路1aの動作の一例を説明する。
図3は、シフトモードでのスキャン試験時の第2の実施の形態の半導体集積回路の一例の動作を示すタイミングチャートである。
Hereinafter, an example of the operation of the semiconductor integrated circuit 1a of the second embodiment will be described.
FIG. 3 is a timing chart showing an operation of an example of the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment during the scan test in the shift mode.
図3では、スキャンクロックSCK、半導体集積回路1aに端子P2を介して入力されるシリアルデータSDIの他、スキャンFF4−1〜4−6の入力クロック(分周スキャンクロックSCK1,SCK2)の一例の様子が示されている。さらに、スキャンFF4−1〜4−6の出力、選択信号(分周スキャンクロックSCK2)、選択回路6の2つの入力(入力A,入力B)、選択回路6の出力の一例の様子が示されている。なお、選択回路6の入力Aは、スキャンFF4−5の出力であり、選択回路6の入力Bは、スキャンFF4−6の出力である。
In FIG. 3, in addition to the scan clock SCK and serial data SDI input to the semiconductor integrated circuit 1a via the terminal P2, examples of input clocks (divided scan clocks SCK1 and SCK2) of the scan FFs 4-1 to 4-6. The situation is shown. Further, an example of outputs of the scan FFs 4-1 to 4-6, a selection signal (frequency-divided scan clock SCK2), two inputs (input A and input B) of the
シリアルデータSDIは、スキャンクロックSCKに同期して、データd1,d2,d3,d4,d5,d6…の順で半導体集積回路1aに入力される。
タイミングt1で、スキャンFF4−1の入力クロック(分周スキャンクロックSCK1)が、H(High)レベルに立ち上がっている。この立ち上がりタイミングに同期して、その時点でスキャンFF4−1のスキャンイン端子SINに供給されているシリアルデータSDIのデータd1が、スキャンFF4−1に取り込まれ、出力される。
The serial data SDI is input to the semiconductor integrated circuit 1a in the order of data d1, d2, d3, d4, d5, d6... In synchronization with the scan clock SCK.
At timing t1, the input clock (frequency-divided scan clock SCK1) of the scan FF4-1 rises to the H (High) level. In synchronization with this rise timing, the data d1 of the serial data SDI supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF4-1 at that time is taken into the scan FF4-1 and output.
一方、タイミングt2で、スキャンFF4−2の入力クロック(分周スキャンクロックSCK2)が、Hレベルに立ち上がっている。この立ち上がりタイミングに同期して、その時点でスキャンFF4−2のスキャンイン端子SINに供給されているシリアルデータSDIのデータd2が、スキャンFF4−2に取り込まれ、出力される。 On the other hand, at timing t2, the input clock (frequency-divided scan clock SCK2) of the scan FF4-2 rises to the H level. In synchronization with this rise timing, the data d2 of the serial data SDI supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF4-2 at that time is taken into the scan FF4-2 and output.
タイミングt3で、スキャンFF4−3の入力クロック(分周スキャンクロックSCK1)が、Hレベルに立ち上がっている。この立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−1の出力であるデータd1が、スキャンFF4−3に取り込まれ、出力される。 At timing t3, the input clock (frequency-divided scan clock SCK1) of the scan FF 4-3 rises to the H level. In synchronization with this rise timing, the data d1 that is the output of the scan FF4-1 is taken into the scan FF4-3 and output.
また、タイミングt3では、スキャンFF4−1の入力クロック(分周スキャンクロックSCK1)も、Hレベルに立ち上がっている。これにより、その時点でスキャンFF4−1のスキャンイン端子SINに供給されているデータd3が、スキャンFF4−1に取り込まれ、出力される。 At timing t3, the input clock (frequency-divided scan clock SCK1) of the scan FF4-1 also rises to the H level. Thereby, the data d3 supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF4-1 at that time is taken into the scan FF4-1 and output.
タイミングt4で、スキャンFF4−4の入力クロック(分周スキャンクロックSCK2)が、Hレベルに立ち上がっている。この立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−2の出力であるデータd2が、スキャンFF4−4に取り込まれ、出力される。 At timing t4, the input clock (frequency-divided scan clock SCK2) of the scan FF 4-4 rises to the H level. In synchronization with this rise timing, the data d2 that is the output of the scan FF4-2 is taken into the scan FF4-4 and output.
また、タイミングt4では、スキャンFF4−2の入力クロック(分周スキャンクロックSCK2)も、Hレベルに立ち上がっている。これにより、その時点でスキャンFF4−2のスキャンイン端子SINに供給されているデータd4が、スキャンFF4−2に取り込まれ、出力される。 At timing t4, the input clock (frequency-divided scan clock SCK2) of the scan FF4-2 also rises to the H level. Thereby, the data d4 supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF4-2 at that time is taken into the scan FF4-2 and output.
タイミングt5で、スキャンFF4−5の入力クロック(分周スキャンクロックSCK1)が、Hレベルに立ち上がっている。この立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−3の出力であるデータd1が、スキャンFF4−5に取り込まれ、出力される。これにより、選択回路6の入力Aは、データd1となる。そして、選択回路6は、選択信号(分周スキャンクロックSCK2)がL(Low)レベルになるタイミングt6で、入力A、すなわちデータd1を選択して出力する。
At timing t5, the input clock (frequency-divided scan clock SCK1) of the scan FF 4-5 rises to the H level. In synchronization with this rise timing, the data d1 that is the output of the scan FF 4-3 is taken into the scan FF 4-5 and output. Thereby, the input A of the
また、スキャンFF4−1は、タイミングt5の時点でスキャンイン端子SINに供給されているデータd5を取り込み、出力する。また、スキャンFF4−3は、タイミングt5の時点でスキャンFF4−1から出力されているデータd3を取り込み出力する。
Further, the scan FF 4-1 captures and outputs the
タイミングt7で、スキャンFF4−6の入力クロック(分周スキャンクロックSCK2)が、Hレベルに立ち上がっている。この立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−4の出力であるデータd2が、スキャンFF4−6に取り込まれ、出力される。これにより、選択回路6の入力Bは、データd2となる。また、タイミングt7では、選択信号(分周スキャンクロックSCK2)がHレベルになっており、選択回路6は、入力B、すなわちデータd2を選択して出力する。
At timing t7, the input clock (frequency-divided scan clock SCK2) of the scan FF 4-6 rises to the H level. In synchronization with this rising timing, the data d2 that is the output of the scan FF 4-4 is taken into the scan FF 4-6 and output. As a result, the input B of the
また、スキャンFF4−2は、タイミングt7の時点でスキャンイン端子SINに供給されているデータd6を取り込み、出力する。また、スキャンFF4−4は、タイミングt7の時点でスキャンFF4−2から出力されているデータd4を取り込み出力する。 Further, the scan FF4-2 takes in and outputs the data d6 supplied to the scan-in terminal SIN at the timing t7. The scan FF 4-4 takes in and outputs the data d4 output from the scan FF 4-2 at the timing t7.
以下、同様のスキャンシフト動作が行われ、選択回路6からは、データd3,d4,d5,d6…が順に出力される。
以上のような、分周クロック生成部3aを用いることで、半導体集積回路1aは、第1の実施の形態で説明した半導体集積回路1と同様の効果が得られる。
Thereafter, the same scan shift operation is performed, and data d3, d4, d5, d6.
By using the frequency-divided
次に、比較例として、スキャンFF4−1〜4−4を直列に接続し、1本のスキャンチェーンを形成した半導体集積回路の例を示す。
(比較例)
図4は、1本のスキャンチェーンを形成した半導体集積回路の一例を示す図である。図1及び図2に示した半導体集積回路1,1aと同じ要素については同一符号を付している。
Next, as a comparative example, an example of a semiconductor integrated circuit in which scan FFs 4-1 to 4-4 are connected in series to form one scan chain is shown.
(Comparative example)
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a semiconductor integrated circuit in which one scan chain is formed. The same elements as those of the semiconductor integrated
半導体集積回路1bにおいて、スキャンFF4−1のスキャンイン端子SINは、シリアルデータが入力される端子P2に接続されている。スキャンFF4−2〜4−6のスキャンイン端子SINは、前段のスキャンFF4−1〜4−5の出力端子Qに接続されており、1本のスキャンチェーンが形成されている。また、各スキャンFF4−1〜4−6のクロック端子CKには、端子P4から、同じスキャンクロックが分周されることなく入力されている。 In the semiconductor integrated circuit 1b, the scan-in terminal SIN of the scan FF4-1 is connected to a terminal P2 to which serial data is input. The scan-in terminals SIN of the scan FFs 4-2 to 4-6 are connected to the output terminals Q of the scan FFs 4-1 to 4-5 in the previous stage, so that one scan chain is formed. Further, the same scan clock is input from the terminal P4 to the clock terminals CK of the scan FFs 4-1 to 4-6 without being divided.
以下、半導体集積回路1bのスキャン試験シフト動作時の動作の一例を説明する。
図5は、1本のスキャンチェーンを有する半導体集積回路のシフトモードでのスキャン試験時の一例の動作を示すタイミングチャートである。
Hereinafter, an example of the operation at the time of the scan test shift operation of the semiconductor integrated circuit 1b will be described.
FIG. 5 is a timing chart showing an example of an operation during a scan test in a shift mode of a semiconductor integrated circuit having one scan chain.
図5では、スキャンクロックSCK、半導体集積回路1bに端子P2を介して入力されるシリアルデータSDIの他、スキャンFF4−1〜4−6の入力クロック(スキャンクロックSCK)の一例の様子が示されている。さらに、スキャンFF4−1〜4−6の出力の一例の様子が示されている。 FIG. 5 shows an example of an input clock (scan clock SCK) of the scan FFs 4-1 to 4-6 in addition to the scan clock SCK and serial data SDI input to the semiconductor integrated circuit 1b via the terminal P2. ing. Further, an example of the output of the scan FFs 4-1 to 4-6 is shown.
シリアルデータSDIは、スキャンクロックSCKに同期して、データd1,d2,d3,d4,d5,d6…の順で半導体集積回路1bに入力される。
タイミングt10で、スキャンFF4−1の入力クロック(スキャンクロックSCK)が、Hレベルに立ち上がっている。この立ち上がりタイミングに同期して、その時点でスキャンFF4−1のスキャンイン端子SINに供給されているシリアルデータSDIのデータd1が、スキャンFF4−1に取り込まれ、出力される。
The serial data SDI is input to the semiconductor integrated circuit 1b in the order of data d1, d2, d3, d4, d5, d6... In synchronization with the scan clock SCK.
At timing t10, the input clock (scan clock SCK) of the scan FF4-1 rises to the H level. In synchronization with this rise timing, the data d1 of the serial data SDI supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF4-1 at that time is taken into the scan FF4-1 and output.
タイミングt11での、スキャンFF4−2の入力クロック(スキャンクロックSCK)のHレベルへの立ち上がりに同期して、スキャンFF4−1の出力であるデータd1が、スキャンFF4−2に取り込まれ、出力される。
In synchronization with the rising of the input clock (scan clock SCK) of the scan FF 4-2 to the H level at the
以下、同様のスキャンシフト動作が行われ、タイミングt12から、スキャンクロックSCKの立ち上がりに同期して、最後段のスキャンFF4−6からデータd1,d2,d3,d4,d5,d6…が順に出力され、端子P5から出力される。 Thereafter, the same scan shift operation is performed, and data d1, d2, d3, d4, d5, d6... Are sequentially output from the last scan FF 4-6 in synchronization with the rising edge of the scan clock SCK from timing t12. And output from the terminal P5.
このような半導体集積回路1bでは、各スキャンFF4−1〜FF4−6は、同じスキャンクロックSCKで動作するため、スキャンクロックSCKの周波数が高くなると、消費電力が増大する。これに対して、第2の実施の形態の半導体集積回路1aでは、図3に示したように、スキャンクロックSCKを2分周した分周スキャンクロックSCK1,SCK2でスキャンFF4−1〜4−6を動作できるので、消費電力の増大を抑えられる。 In such a semiconductor integrated circuit 1b, the scan FF4-1 to FF4-6 operate with the same scan clock SCK. Therefore, when the frequency of the scan clock SCK increases, the power consumption increases. On the other hand, in the semiconductor integrated circuit 1a of the second embodiment, as shown in FIG. 3, the scan FFs 4-1 to 4-6 are divided by the divided scan clocks SCK1 and SCK2 obtained by dividing the scan clock SCK by two. Therefore, an increase in power consumption can be suppressed.
また、図5に示される半導体集積回路1bの動作では、データd1が、スキャンチェーンの最前段のスキャンFF4−1に取り込まれてから、端子P5から出力されるまで(t10〜t12)、スキャンクロックSCKの5周期分かかっている。 In the operation of the semiconductor integrated circuit 1b shown in FIG. 5, the scan clock from when the data d1 is taken into the scan FF4-1 at the foremost stage of the scan chain until it is output from the terminal P5 (t10 to t12). It takes 5 SCK cycles.
これに対し図3に示される半導体集積回路1aの動作では、データd1が、スキャンチェーン5−1の最前段のスキャンFF4−1に取り込まれてから、端子P5から出力されるまで(t1〜t6)、スキャンクロックSCKの4.5周期分で済んでいる。 On the other hand, in the operation of the semiconductor integrated circuit 1a shown in FIG. 3, the data d1 is taken into the scan FF4-1 at the foremost stage of the scan chain 5-1 until it is output from the terminal P5 (t1 to t6). ), 4.5 scan clock cycles are required.
つまり、スキャンFF4−1〜4−6に供給するスキャンクロックを2分周しても、スキャンチェーンを並列化し、図3に示したようなタイミングで、データをシフトするようにしたことで、シフトモードでのスキャン試験の試験速度も上げられるようになる。 In other words, even if the scan clock supplied to the scan FFs 4-1 to 4-6 is divided by 2, the scan chain is parallelized, and the data is shifted at the timing shown in FIG. The test speed of the scan test in the mode can also be increased.
(第3の実施の形態)
第3の実施の形態の半導体集積回路は、スキャンクロックを分周/位相調整して4種類の分周スキャンクロックを生成し、シリアルデータをそのクロックで4並列化して4本のスキャンチェーンでシフトするものである。
(Third embodiment)
The semiconductor integrated circuit according to the third embodiment generates four types of divided scan clocks by dividing / phase-adjusting the scan clock, serializing the serial data into four in parallel with the clocks, and shifting with four scan chains. To do.
図6は、第3の実施の形態の半導体集積回路の一例を示す図である。図2に示した第2の実施の形態の半導体集積回路1aと同様の要素については同一符号を付し、説明を省略する。 FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a semiconductor integrated circuit according to the third embodiment. Elements similar to those of the semiconductor integrated circuit 1a of the second embodiment shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
第3の実施の形態の半導体集積回路1cにおいて、分周クロック生成部3cは、スキャンクロックSCKを4分周/位相調整し、4種類の異なる分周スキャンクロックを生成する。
In the semiconductor integrated circuit 1c according to the third embodiment, the frequency-divided
分周クロック生成部3cは、4分周クロック生成カウンタ20,21、インバータ回路22,23,24、セレクタ25,26,27,28を有している。
4分周クロック生成カウンタ20は、端子P4を介して半導体集積回路1cに入力されるスキャンクロックSCKを、4分周する。4分周クロック生成カウンタ20は、たとえば、2つのFFを含む2ビットカウンタである。初期値は“00”である。また、4分周クロック生成カウンタ20は、2ビットのカウント値cntを、選択信号として選択回路6cに供給する。
The frequency-divided
The divide-by-4 clock generation counter 20 divides the scan clock SCK input to the semiconductor integrated circuit 1c via the terminal P4 by four. The divide-by-4
4分周クロック生成カウンタ21は、端子P4を介して半導体集積回路1cに入力され、インバータ回路22で論理レベルが反転されたスキャンクロックSCKを、4分周する。なお、4分周クロック生成カウンタ21も、たとえば、2つのFFを含む2ビットカウンタであり、初期値は“00”である。
The divide-by-4 clock generation counter 21 divides the scan clock SCK, which is input to the semiconductor integrated circuit 1c via the terminal P4 and whose logic level is inverted by the inverter circuit 22, by four. The divide-by-4
セレクタ25は、端子P6から入力されるスキャンモード信号に応じて、スキャンクロックSCKか、4分周クロック生成カウンタ20の出力の何れかを選択して、スキャンFF4−2,4−6に供給するクロックとして出力する。
The
セレクタ26は、スキャンモード信号に応じて、スキャンクロックSCKか、インバータ回路23で論理レベルを反転した4分周クロック生成カウンタ20の出力の何れかを選択して、スキャンFF4−4,4−8に供給するクロックとして出力する。
The
セレクタ27は、スキャンモード信号に応じて、スキャンクロックSCKか、インバータ回路24で論理レベルを反転した4分周クロック生成カウンタ21の出力の何れかを選択して、スキャンFF4−1,4−5に供給するクロックとして出力する。
The
セレクタ28は、スキャンモード信号に応じて、スキャンクロックSCKか、4分周クロック生成カウンタ21の出力の何れかを選択して、スキャンFF4−3,4−7に供給するクロックとして出力する。
The
また、第3の実施の形態の半導体集積回路1cは、8つのスキャンFF4−1,4−2,4−3,4−4,4−5,4−6,4−7,4−8を有している。
本実施の形態において、スキャンFF4−1〜4−8は、一列に配列されており、3つおきに出力端子Qと、スキャンイン端子SINが接続されることにより、それぞれ2つのスキャンFFを含む4本のスキャンチェーンが形成されている。なお、各スキャンチェーンの最前段のスキャンFF4−1〜4−4のスキャンイン端子SINには、端子P2を介して半導体集積回路1に入力されるテストパターンであるシリアルデータSDIが入力される。また、スキャンFF4−1〜4−7の出力端子Qは、組み合せ回路2に接続されており、4つのスキャンチェーンの最後段のスキャンFF4−5〜FF4−8の出力端子は、選択回路6cに接続されている。
The semiconductor integrated circuit 1c according to the third embodiment includes eight scan FFs 4-1, 4-2, 4-3, 4-4, 4-5, 4-6, 4-7 and 4-8. Have.
In the present embodiment, the scan FFs 4-1 to 4-8 are arranged in a line, and include two scan FFs by connecting the output terminal Q and the scan-in terminal SIN every third. Four scan chains are formed. Note that serial data SDI, which is a test pattern input to the semiconductor integrated
4つのスキャンチェーンは、シリアルデータSDIを、前述の4種類の分周スキャンクロックで、異なるタイミングで取り込み、4並列化してシフト動作を行う。
なお、スキャンFF4−1のデータ入力端子Dには、端子P1から通常の動作モードのときに使用されるデータが入力される。スキャンFF4−2〜4−8のデータ入力端子Dは、組み合わせ回路2に接続されており、組み合わせ回路2からのデータが入力される。スキャンFF4−1〜4−8のシフトイネーブル端子Sには、端子P3からシフト動作を有効にするか否かを示すシフトイネーブル信号が入力される。
The four scan chains take in the serial data SDI at different timings using the above-described four types of divided scan clocks, and perform a shift operation by parallelizing the serial data SDI.
Data used in the normal operation mode is input from the terminal P1 to the data input terminal D of the scan FF4-1. The data input terminals D of the scan FFs 4-2 to 4-8 are connected to the
選択回路6cは、上記4本のスキャンチェーンの出力を、1つずつ選択して、シリアルデータとして端子P5を介して出力する。本実施の形態の例では、選択回路6cは、選択信号として、4分周クロック生成カウンタ20のカウント値cntを用いている。以下の説明では、カウント値cntの値が、“00”のとき、スキャンFF4−8の出力が選択され、“01”のとき、スキャンFF4−5の出力が選択されるものとする。また、カウント値cntの値が、“10”のとき、スキャンFF4−6の出力が選択され、“11”のとき、スキャンFF4−7の出力が選択されるものとする。
The
以下、第3の実施の形態の半導体集積回路1cの動作の一例を説明する。
図7及び図8は、シフトモードでのスキャン試験時の第3の実施の形態の半導体集積回路の一例の動作を示すタイミングチャートである。
Hereinafter, an example of the operation of the semiconductor integrated circuit 1c according to the third embodiment will be described.
7 and 8 are timing charts showing an operation of an example of the semiconductor integrated circuit according to the third embodiment at the time of the scan test in the shift mode.
図7、図8では、スキャンクロックSCK、シリアルデータSDI、スキャンFF4−1〜4−8の入力クロック、スキャンFF4−1〜4−8の出力、選択信号、選択回路6cの4つの入力(入力A〜入力D)、選択回路6cの出力の一例の様子が示されている。なお、選択回路6cの入力Aは、スキャンFF4−5の出力であり、選択回路6cの入力Bは、スキャンFF4−6の出力である。また、選択回路6cの入力Cは、スキャンFF4−7の出力であり、選択回路6cの入力Dは、スキャンFF4−8の出力である。
7 and 8, the scan clock SCK, the serial data SDI, the input clocks of the scan FFs 4-1 to 4-8, the outputs of the scan FFs 4-1 to 4-8, the selection signal, and the four inputs (inputs) of the
シリアルデータSDIは、スキャンクロックSCKに同期して、データd1,d2,d3,d4,d5,d6…の順で半導体集積回路1cに入力される。
まず、タイミングt20でのスキャンFF4−1の入力クロックの立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−1のスキャンイン端子SINに供給されているシリアルデータSDIのデータd1が、スキャンFF4−1に取り込まれ、出力される。
The serial data SDI is input to the semiconductor integrated circuit 1c in the order of data d1, d2, d3, d4, d5, d6... In synchronization with the scan clock SCK.
First, in synchronization with the rising timing of the input clock of the scan FF4-1 at timing t20, the data d1 of the serial data SDI supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF4-1 is taken into the scan FF4-1. Is output.
また、タイミングt21でのスキャンFF4−2の入力クロックの立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−2のスキャンイン端子SINに供給されているシリアルデータSDIのデータd2が、スキャンFF4−2に取り込まれ、出力される。 Further, in synchronization with the rising timing of the input clock of the scan FF4-2 at the timing t21, the serial data SDI data d2 supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF4-2 is taken into the scan FF4-2. Is output.
また、タイミングt22でのスキャンFF4−3の入力クロックの立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−3のスキャンイン端子SINに供給されているシリアルデータSDIのデータd3が、スキャンFF4−3に取り込まれ、出力される。 Further, in synchronization with the rising timing of the input clock of the scan FF 4-3 at timing t22, the data d3 of the serial data SDI supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF 4-3 is taken into the scan FF 4-3. Is output.
さらに、タイミングt23でのスキャンFF4−4の入力クロックの立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−4のスキャンイン端子SINに供給されているシリアルデータSDIのデータd4が、スキャンFF4−4に取り込まれ、出力される。 Further, in synchronization with the rising timing of the input clock of the scan FF 4-4 at timing t23, the data d4 of the serial data SDI supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF 4-4 is taken into the scan FF 4-4. Is output.
タイミングt24では、スキャンFF4−5の入力クロックが、Hレベルに立ち上がっている。この立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−1の出力であるデータd1が、スキャンFF4−5に取り込まれ、出力される。 At timing t24, the input clock of the scan FF 4-5 rises to the H level. In synchronization with this rising timing, the data d1 that is the output of the scan FF4-1 is taken into the scan FF4-5 and output.
また、タイミングt24では、スキャンFF4−1の入力クロックも、Hレベルに立ち上がっている。これにより、スキャンFF4−1のスキャンイン端子SINに供給されているデータd5が、スキャンFF4−1に取り込まれ、出力される。 At timing t24, the input clock of the scan FF4-1 also rises to the H level. As a result, the data d5 supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF4-1 is taken into the scan FF4-1 and output.
さらに、図8に示されているように、スキャンFF4−5の出力がデータd1になることによって、選択回路6cの入力Aが、データd1となる。タイミングt25でのスキャンクロックSCKの立ち上がりタイミングに同期して、選択信号(カウント値cnt)が“01”になると、選択回路6cは、入力Aを選択して出力する。これにより、データd1が出力される。
Further, as shown in FIG. 8, when the output of the scan FF 4-5 becomes the data d1, the input A of the
その後、タイミングt26では、スキャンFF4−6の入力クロックが、Hレベルに立ち上がっている。この立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−2の出力であるデータd2が、スキャンFF4−6に取り込まれ、出力される。 Thereafter, at timing t26, the input clock of the scan FF 4-6 rises to the H level. In synchronization with this rising timing, the data d2 that is the output of the scan FF4-2 is taken into the scan FF4-6 and output.
また、タイミングt26では、図7に示されているように、スキャンFF4−2の入力クロックも、Hレベルに立ち上がっている。これにより、スキャンFF4−2のスキャンイン端子SINに供給されているデータd6が、スキャンFF4−2に取り込まれ、出力される。 At timing t26, as shown in FIG. 7, the input clock of the scan FF4-2 also rises to the H level. As a result, the data d6 supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF4-2 is taken into the scan FF4-2 and output.
さらに、図8に示されているように、スキャンFF4−6の出力がデータd2になることによって、選択回路6cの入力Bが、データd2となる。タイミングt26でのスキャンクロックSCKの立ち上がりタイミングに同期して、選択信号(カウント値cnt)が“10”になると、選択回路6cは、入力Bを選択して出力する。これにより、データd2が出力される。
Further, as shown in FIG. 8, when the output of the scan FF 4-6 becomes data d2, the input B of the
その後、タイミングt27では、スキャンFF4−7の入力クロックが、Hレベルに立ち上がっている。この立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−3の出力であるデータd3が、スキャンFF4−7に取り込まれ、出力される。 Thereafter, at timing t27, the input clock of the scan FF 4-7 rises to the H level. In synchronization with this rise timing, the data d3, which is the output of the scan FF 4-3, is taken into the scan FF 4-7 and output.
また、タイミングt27では、図7に示されているように、スキャンFF4−3の入力クロックも、Hレベルに立ち上がっている。これにより、スキャンFF4−3のスキャンイン端子SINに供給されているデータd7が、スキャンFF4−3に取り込まれ、出力される。 At timing t27, as shown in FIG. 7, the input clock of the scan FF 4-3 also rises to the H level. Thereby, the data d7 supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF 4-3 is taken into the scan FF 4-3 and output.
さらに、図8に示されているように、スキャンFF4−7の出力がデータd3になることによって、選択回路6cの入力Cがデータd3となる。タイミングt28でのスキャンクロックSCKの立ち上がりタイミングに同期して、選択信号(カウント値cnt)が“11”になると、選択回路6cは、入力Cを選択して出力する。これにより、データd3が出力される。
Further, as shown in FIG. 8, when the output of the scan FF 4-7 becomes the data d3, the input C of the
その後、タイミングt29では、スキャンFF4−8の入力クロックが、Hレベルに立ち上がっている。この立ち上がりタイミングに同期して、スキャンFF4−4の出力であるデータd4が、スキャンFF4−8に取り込まれ、出力される。 Thereafter, at timing t29, the input clock of the scan FF 4-8 rises to the H level. In synchronization with this rise timing, the data d4 that is the output of the scan FF 4-4 is taken into the scan FF 4-8 and output.
また、タイミングt29では、図7に示されているように、スキャンFF4−4の入力クロックも、Hレベルに立ち上がっている。これにより、スキャンFF4−4のスキャンイン端子SINに供給されているデータd8が、スキャンFF4−4に取り込まれ、出力される。 At timing t29, as shown in FIG. 7, the input clock of the scan FF 4-4 also rises to the H level. As a result, the data d8 supplied to the scan-in terminal SIN of the scan FF 4-4 is taken into the scan FF 4-4 and output.
さらに、図8に示されているように、スキャンFF4−8の出力がデータd4になることによって、選択回路6cの入力Dが、データd4となる。タイミングt29でのスキャンクロックSCKの立ち上がりタイミングに同期して、選択信号(カウント値cnt)が“00”になると、選択回路6cは、入力Dを選択して出力する。これにより、データd4が出力される。
Further, as shown in FIG. 8, when the output of the scan FF 4-8 becomes data d4, the input D of the
データd5〜d8に関しても、同様にスキャンシフト動作が行われ、選択回路6cからシリアルに出力される。
以上のように、4本のスキャンチェーンにより、シリアルデータを4並列でスキャンシフトする半導体集積回路1cでも、第1の実施の形態で説明した半導体集積回路1と同様の効果が得られる。なお、分周を4分周として、スキャンクロックの周波数をさらに小さくすることで、消費電力をより小さくすることができる。
The scan shift operation is similarly performed on the data d5 to d8, and the data is output from the
As described above, the same effect as the semiconductor integrated
(第4の実施の形態)
上記の説明では、1つの端子からシリアルデータを入力し、スキャン試験を行い、その結果であるシリアルデータを1つの端子から出力する半導体集積回路について説明したがこれに限定されない。複数の端子からシリアルデータを入力し、スキャン試験を行い、その結果であるシリアルデータを複数の端子から出力するようにしてもよい。
(Fourth embodiment)
In the above description, the semiconductor integrated circuit that inputs serial data from one terminal, performs a scan test, and outputs the resulting serial data from one terminal has been described, but the present invention is not limited to this. Serial data may be input from a plurality of terminals, a scan test may be performed, and the resulting serial data may be output from the plurality of terminals.
以下では、2つの端子からシリアルデータを入力し、2つの端子から2つのスキャン結果を出力する半導体集積回路を説明する。
図9は、第4の実施の形態の半導体集積回路の一例を示す図である。
A semiconductor integrated circuit that inputs serial data from two terminals and outputs two scan results from the two terminals will be described below.
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment.
図2に示した第2の実施の形態の半導体集積回路1aと同様の要素については同一符号で示されている。
第4の実施の形態の半導体集積回路1dは、端子P2aから入力されるシリアルデータを2並列化してスキャンシフト動作を行う2本のスキャンチェーン5a−1,5a−2を有する。また、半導体集積回路1dは、端子P2bから入力されるシリアルデータを2並列化してスキャンシフト動作を行う2本のスキャンチェーン5b−1,5b−2を有する。
Elements similar to those of the semiconductor integrated circuit 1a of the second embodiment shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.
The semiconductor integrated circuit 1d according to the fourth embodiment includes two
スキャンチェーン5a−1は、スキャンFF4a−1,4a−3,4a−5を有し、スキャンチェーン5a−2は、スキャンFF4a−2,4a−4,4a−6を有する。また、スキャンチェーン5b−1は、スキャンFF4b−1,4b−3,4b−5を有し、スキャンチェーン5b−2は、スキャンFF4b−2,4b−4,4b−6を有する。
The
スキャンFF4a−1〜4a−6は、一列に配列されており、1つおきに接続されることで、2本のスキャンチェーン5a−1,5a−2が形成されている。またスキャンFF4b−1〜4b−6も、一列に配列されており、1つおきに接続されることで、2本のスキャンチェーン5b−1,5b−2が形成されている。
The
なお、図9では、スキャンFF4a−1〜4a−6,4b−1〜4b−6のデータ入力端子D、シフトイネーブル端子Sは図示を省略している。また、図2に示した組み合わせ回路2についても図9では、図示を省略している。
In FIG. 9, the data input terminal D and the shift enable terminal S of the
スキャン試験時には、スキャンFF4a−1,4b−1,4a−3,4b−3,4a−5,4b−5のクロック端子CK及び選択回路6a,6bに、分周クロック生成部3aのセレクタ14で選択された分周クロックが供給される。また、スキャンFF4a−2,4b−2,4a−4,4b−4,4a−6,4b−6のクロック端子CKに、分周クロック生成部3aのセレクタ13で選択された分周クロックが供給される。
At the time of the scan test, the clock terminals CK and the
これにより、端子P2aから入力されるシリアルデータは、スキャンチェーン5a−1,5a−2で並列化され、スキャンシフト動作が行われ、スキャンシフト結果が選択回路6aにてシリアルデータに戻され、端子P5aから出力される。また、端子P2bから入力されるシリアルデータは、スキャンチェーン5b−1,5b−2で並列化され、スキャンシフト動作が行われ、スキャンシフト結果が選択回路6bにてシリアルデータに戻され、端子P5bから出力される。
Thereby, the serial data input from the terminal P2a is parallelized by the
このような第4の実施の形態の半導体集積回路1dにおいても、第1の実施の形態で説明した半導体集積回路1と同様の効果が得られる。また、図9のように、スキャンFF数がより多くなるほど、分周スキャンクロックで動作させることによる消費電力の削減効果が大きくなる。
Also in the semiconductor integrated circuit 1d of the fourth embodiment, the same effect as that of the semiconductor integrated
以上、実施の形態に基づき、本発明の半導体集積回路の一観点について説明してきたが、これらは一例にすぎず、上記の記載に限定されるものではない。 As described above, one aspect of the semiconductor integrated circuit of the present invention has been described based on the embodiment, but these are only examples, and the present invention is not limited to the above description.
1 半導体集積回路
2 組み合わせ回路
3 分周クロック生成部
4−1〜4−6 スキャンFF
5−1,5−2 スキャンチェーン
6 選択回路
CK クロック端子
d1〜d5 データ
D データ入力端子
P1〜P5 端子
Q 出力端子
S シフトイネーブル端子
SCK スキャンクロック
SCK1,SCK2 分周スキャンクロック
SDI,SDO シリアルデータ
SIN スキャンイン端子
DESCRIPTION OF
5-1 and 5-2
Claims (3)
それぞれ同数のスキャンフリップフロップを含み、シリアルに入力されるデータを、前記N種類の前記分周スキャンクロックで異なるタイミングで取り込み、N並列化してシフト動作を行うN本のスキャンチェーンと、
前記N本のスキャンチェーンの出力を、1つずつ選択してシリアルデータとして出力する選択回路と、
を有し、
前記スキャンフリップフロップは一列に配列されており、N−1個おきに接続されることで、前記N本のスキャンチェーンが形成されている、
ことを特徴とする半導体集積回路。 A frequency-divided clock generating unit that receives the scan clock, divides and adjusts the phase of the scan clock, and generates frequency-divided scan clocks of N (≧ 2) types of frequency-divided numbers N or less;
Each containing the same number of scan flip-flops, the data that is serially inputted, the uptake at different timings in N types of the divided scan clock, a scan chain of the N to perform shift operation in N parallel,
A selection circuit for selecting the outputs of the N scan chains one by one and outputting them as serial data;
Have
The scan flip-flops are arranged in a row, and the N scan chains are formed by connecting every N-1 units.
Semiconductor integrated circuit, wherein a call.
The frequency-divided clock generation unit generates a selection signal that causes the selection circuit to sequentially select and output the outputs of the N scan flip-flops at the last stage of the N scan chains, and supplies the selection signal to the selection circuit. the semiconductor integrated circuit according to claim 1 or 2, characterized in that.
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