KR102028922B1 - Data processing method of semiconductor chip and semiconductor chip therefor - Google Patents
Data processing method of semiconductor chip and semiconductor chip therefor Download PDFInfo
- Publication number
- KR102028922B1 KR102028922B1 KR1020180039827A KR20180039827A KR102028922B1 KR 102028922 B1 KR102028922 B1 KR 102028922B1 KR 1020180039827 A KR1020180039827 A KR 1020180039827A KR 20180039827 A KR20180039827 A KR 20180039827A KR 102028922 B1 KR102028922 B1 KR 102028922B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data
- type
- semiconductor chip
- clock signal
- bytes
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
- H03K3/03—Astable circuits
- H03K3/0315—Ring oscillators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/01—Details
- H03K3/013—Modifications of generator to prevent operation by noise or interference
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반도체 칩의 데이터 처리 방법 및 그 반도체 칩에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 데이터 입력을 위한 클럭과 데이터 출력을 위한 클럭이 상이한 반도체 칩의 데이터 처리 방법 및 그 반도체 칩에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
도 1은 데이지 체인(Daisy Chain) 구조로 연결된 반도체 칩의 구성도를 나타낸다. 아울러, 도 2는 잡음으로 인한 오차가 발생하는 클럭에 대한 설명도를 나타낸다.1 illustrates a configuration of semiconductor chips connected in a daisy chain structure. 2 is an explanatory diagram of a clock in which an error due to noise occurs.
도 1과 같은 데이지 체인 구조로 연결된 반도체 칩에서는, 클럭에 지터(Jitter) 또는 잡음 발생시 그 지터 또는 잡음이 연결된 후단의 반도체 칩으로 누적되어 전파되므로, 연결되는 반도체 칩의 바이트가 늘어남에 따라 클럭의 듀티 사이클이 왜곡되며 왜곡이 심한 경우 클럭이 사라지는 문제가 발생하게 된다.In a semiconductor chip connected in a daisy chain structure as shown in FIG. 1, when jitter or noise occurs in a clock, the jitter or noise is accumulated and propagated to a semiconductor chip connected to a later stage. The duty cycle is distorted, and if the distortion is severe, the clock disappears.
클럭의 지터 및 잡음은, 연결된 후단의 반도체 칩으로 전파되어, 최종적으로 최종단의 반도체 칩까지 전파되게 된다.The jitter and noise of the clock propagate to the semiconductor chip of the connected rear end and finally to the semiconductor chip of the final stage.
이러한 데이지 체인 구조로 연결된 반도체 칩에 있어서, 클럭의 지터 및 잡음이 후단의 반도체 칩으로 전파되지 않도록 할 필요성이 있다.In a semiconductor chip connected in such a daisy chain structure, there is a need to prevent jitter and noise of a clock from propagating to a semiconductor chip of a later stage.
본 발명은 전술한 바와 같은 기술적 과제를 해결하는 데 목적이 있는 발명으로서, 데이지 체인 구조로 연결된 반도체 칩에 있어서, 클럭의 지터 및 잡음이 후단의 반도체 칩으로 전파되지 않도록 하는 반도체 칩의 데이터 처리 방법 및 그 반도체 칩을 제공하는 것에 그 목적이 있다.Disclosure of Invention The present invention has an object to solve the above technical problem, and in a semiconductor chip connected in a daisy chain structure, jitter and noise of a clock are not propagated to a semiconductor chip of a later stage. And its semiconductor chip.
아울러, 본 발명은 시프터 레지스터를 이용하는 데이지 체인 구조로 연결된 반도체 칩에서 발생할 수 있는, 전력 소모를 감소시킬 수 있는 반도체 칩의 데이터 처리 방법 및 그 반도체 칩을 제공하는 것에도 그 목적이 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a data processing method of a semiconductor chip capable of reducing power consumption and a semiconductor chip, which may occur in a semiconductor chip connected in a daisy chain structure using a shifter register.
본 발명의 반도체 칩은, 입력받은 데이터를 제 1 종 데이터와 제 2 종 데이터로 분리하는 분리기; 상기 분리기로부터 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터를 입력받아, 입력받은 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터는 출력하고, K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 M 바이트의 데이터는 저장하는 메모리; 및 제 1 클럭 신호를 생성하는 클럭 신호 생성기;를 포함한다.The semiconductor chip of the present invention comprises: a separator for separating input data into first type data and second type data; Receiving the second type of K bytes of data from the separator, and outputs the (KM) byte of the data of the second type K of the received K bytes, and the data of M bytes of the second type of data of the K bytes Memory for storing; And a clock signal generator for generating a first clock signal.
구체적으로, 상기 메모리는, 상기 반도체 칩으로 입력된 제 2 클럭 신호를 이용하여, 상기 분리기로부터 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터를 입력받고, 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터를 출력하는 것을 특징으로 한다.Specifically, the memory may receive the second type of K bytes of data from the separator using the second clock signal input to the semiconductor chip, and the second byte of the K bytes using the first clock signal. And (KM) byte data of the slave data.
아울러, 상기 분리기는, 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 상기 제 1 종 데이터 또는 변경된 상기 제 1 종 데이터를 출력하고, 상기 제 2 클럭 신호를 이용하여 상기 제 2 종 데이터를 출력하는 것이 바람직하다.The separator may further output the first type data or the changed first type data using the first clock signal, and output the second type data using the second clock signal.
또한, 본 발명의 반도체 칩은, 상기 분리기로부터 상기 제 1 종 데이터 또는 변경된 상기 제 1 종 데이터를 입력받고, 상기 메모리로부터 상기 제 2 종 데이터를 입력받아, 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 직렬화하여 출력하는 직렬화기;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 아울러, 상기 직렬화기는, 상기 제 1 클럭 신호를 입력받아, 제어 신호에 따라 출력한다.In addition, the semiconductor chip of the present invention receives the first type data or the changed first type data from the separator, receives the second type data from the memory, and serializes the data using the first clock signal. And a serializer for outputting. In addition, the serializer receives the first clock signal and outputs the first clock signal according to a control signal.
바람직하게는, 본 발명의 반도체 칩은, 상기 제 1 종 데이터, 상기 제 2 종 데이터 및 제 2 클럭 신호를 입력받아 병렬화하여 출력하는 병렬화기;를 더 포함하되, 상기 분리기는, 상기 병렬화기로부터 출력된 병렬화된 상기 제 1 종 데이터, 상기 제 2 종 데이터 및 상기 제 2 클럭 신호를 입력받는 것을 특징으로 한다.Preferably, the semiconductor chip of the present invention further includes a parallelizer for receiving and parallelizing the first type data, the second type data, and the second clock signal, and outputting the parallel type chip. And outputting the output parallelized first type data, the second type data and the second clock signal.
아울러, 상기 메모리는, FIFO(First In First Out) 방식의 메모리로, 상기 메모리의 저장 용량은, M 바이트인 것이 바람직하다.In addition, the memory is a FIFO (First In First Out) type memory, the storage capacity of the memory is preferably M bytes.
본 발명의 반도체 칩의 데이터 처리 방법은, (a) 입력받은 데이터를 제 1 종 데이터와 제 2 종 데이터로 분리하는 단계; (b) 상기 (a) 단계로부터 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터를 입력받아, 입력받은 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터는 출력하고, K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 M 바이트의 데이터는 저장하는 단계; (c) 제 1 클럭 신호를 생성하는 단계; 및 (d) 상기 (a) 단계로부터 상기 제 1 종 데이터 또는 변경된 상기 제 1 종 데이터를 입력받고, 상기 (b) 단계로부터 상기 제 2 종 데이터를 입력받아, 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 직렬화하여 출력하는 단계;를 포함한다.A data processing method of a semiconductor chip of the present invention includes the steps of: (a) separating input data into first type data and second type data; (b) receiving the second type of K bytes of data from the step (a), outputting (KM) bytes of the second type of data of the K bytes, and outputting the second type of K bytes of data; Storing M bytes of data; (c) generating a first clock signal; And (d) receiving the first type of data or the changed first type of data from step (a), receiving the second type of data from step (b), and serializing using the first clock signal. It includes; outputting.
구체적으로, 상기 (b) 단계는, 본 발명의 반도체 칩으로 입력된 제 2 클럭 신호를 이용하여 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터를 입력받고, 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터를 출력하는 것을 특징으로 한다. Specifically, in the step (b), the second type of K byte data is input using the second clock signal input to the semiconductor chip of the present invention, and the K byte of the first byte signal is used using the first clock signal. It is characterized by outputting (KM) byte data of two kinds of data.
아울러, 상기 (a) 단계는, 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 상기 제 1 종 데이터 또는 변경된 상기 제 1 종 데이터를 출력하고, 상기 제 2 클럭 신호를 이용하여 상기 제 2 종 데이터를 출력하는 것이 바람직하다. The step (a) may include outputting the first type data or the changed first type data using the first clock signal, and outputting the second type data using the second clock signal. desirable.
또한, 상기 (d) 단계는, 상기 제 1 클럭 신호를 입력받아, 제어 신호에 따라 출력하는 것을 특징으로 한다.In the step (d), the first clock signal is input and output according to a control signal.
바람직하게는, 본 발명의 반도체 칩의 데이터 처리 방법은, 상기 방법은, 상기 (a) 단계 이전에, 상기 제 1 종 데이터, 상기 제 2 종 데이터 및 제 2 클럭 신호를 입력받아 병렬화하여 출력하는 단계;를 더 포함하되, 상기 (a) 단계는, 상기 병렬화하여 출력하는 단계로부터 출력된 병렬화된 상기 제 1 종 데이터, 상기 제 2 종 데이터 및 상기 제 2 클럭 신호를 입력받는 것을 특징으로 한다.Preferably, the data processing method of the semiconductor chip of the present invention, the method, before the step (a), the first type of data, the second type of data and the second clock signal to receive and parallelize and output In addition, the step (a) is characterized in that for receiving the parallelized first type data, the second type data and the second clock signal outputted from the parallelized output.
아울러, 상기 (b) 단계는, FIFO(First In First Out) 방식의 메모리를 이용하되, 상기 메모리의 상기 제 2 종 데이터를 위한 저장 용량은, M 바이트인 것을 특징으로 한다.In addition, the step (b) uses a memory of the first in first out (FIFO) method, the storage capacity for the second type of data of the memory, characterized in that M bytes.
본 발명의 반도체 칩의 데이터 처리 방법 및 그 반도체 칩에 따르면, 데이지 체인 구조로 연결된 반도체 칩에 있어서, 클럭의 지터 및 잡음이 후단의 반도체 칩으로 전파되지 않도록 할 수 있다. 아울러, 본 발명에 따르면, 시프터 레지스터를 이용하는 데이지 체인 구조로 연결된 반도체 칩에서 발생할 수 있는 전력 소모를 감소시킬 수 있다.According to the data processing method of the semiconductor chip and the semiconductor chip of the present invention, in the semiconductor chip connected in a daisy chain structure, jitter and noise of the clock can be prevented from propagating to the semiconductor chip of the subsequent stage. In addition, according to the present invention, power consumption that may occur in a semiconductor chip connected in a daisy chain structure using a shifter resistor may be reduced.
도 1은 데이지 체인 구조로 연결된 반도체 칩의 구성도.
도 2는 잡음으로 인한 오차가 발생하는 클럭에 대한 설명도.
도 3은 본 발명의 반도체 칩을 이용한 시스템의 구성도.
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 칩의 구성도.
도 5는 본 발명의 반도체 칩이 데이지 체인 구조로 연결된 시스템에 있어서의 데이터의 흐름에 관한 설명도.
도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 칩의 데이터 처리 방법의 흐름도.1 is a block diagram of a semiconductor chip connected in a daisy chain structure.
2 is an explanatory diagram of a clock in which an error due to noise occurs.
3 is a configuration diagram of a system using a semiconductor chip of the present invention.
4 is a block diagram of a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention.
5 is an explanatory diagram of data flow in a system in which a semiconductor chip of the present invention is connected in a daisy chain structure.
6 is a flowchart of a data processing method of a semiconductor chip in accordance with one preferred embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예에 따른 반도체 칩의 데이터 처리 방법 및 그 반도체 칩에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a data processing method and a semiconductor chip of a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 하기의 실시예는 본 발명을 구체화하기 위한 것일 뿐 본 발명의 권리 범위를 제한하거나 한정하는 것이 아님은 물론이다. 본 발명의 상세한 설명 및 실시예로부터 본 발명이 속하는 기술 분야의 전문가가 용이하게 유추할 수 있는 것은 본 발명의 권리 범위에 속하는 것으로 해석된다.The following examples of the present invention are intended to embody the present invention, but not to limit or limit the scope of the present invention. From the detailed description and examples of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains can easily be interpreted as belonging to the scope of the present invention.
도 3은 본 발명의 반도체 칩(100)을 이용한 시스템의 구성도를 나타낸다.3 shows a configuration diagram of a system using the
본 발명의 반도체 칩(100)의 용도로는 LED 디스플레이의 구동을 위한 구동 칩을 예로 들 수 있으며, 다수의 LED를 구동하기 위해 다수의 반도체 칩(100)이 데이지 체인(Daisy Chain) 구조로 연결되게 된다.The use of the
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 칩(100)의 구성도를 나타낸다.4 illustrates a configuration diagram of a
도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 칩(100)은, 병렬화기(10), 분리기(20), 메모리(30), 클럭 신호 생성기(40), 직렬화기(50) 및 구동부(60)를 포함한다.As can be seen from Figure 4, the
병렬화기(10)는, 제 1 종 데이터, 제 2 종 데이터 및 제 2 클럭 신호를 입력받아 병렬화하여 출력하는 역할을 한다. 병렬화기(10)는 일반적으로 페러럴라이저(Parallelizer)라고 불린다.The
여기서 제 1 종 데이터는, 프리픽스 데이터(Prefix Data)라고도 불리며, 외부 패드, 레지스터값 또는 퓨즈 등을 통해 가지고 있는 값에 대한 데이터로서, 데이지 체인 구조로 연결된 다수의 반도체 칩(100)에서 공통적으로 사용하는 데이터이다.Here, the first type data, also called prefix data, is data about a value held through an external pad, a register value, or a fuse, and is commonly used in a plurality of
아울러, 제 2 종 데이터는, 세그먼트 데이터(Segment Data)라고도 불리며, 데이지 체인 구조로 연결된 다수의 반도체 칩(100)의 각각의 반도체 칩(100)에서 고유하게 사용하는 데이터이다.In addition, second type data, also called segment data, is data uniquely used by each
분리기(20)는, 병렬화기(10)로부터 출력된 병렬화된 제 1 종 데이터, 제 2 종 데이터 및 제 2 클럭 신호를 입력받아, 제 1 종 데이터와 제 2 종 데이터로 분리하는 역할을 한다. 제 1 종 데이터와 제 2 종 데이터로 분리하기 위하여, 분리기(20)는, 제 1 종 데이터의 데이터 개수 정보를 입력받거나 미리 저장하고 있을 필요가 있다. 분리기(20)로 입력되는 제 2 종 데이터의 개수는 K 바이트인 것이 바람직하다. 하나의 반도체 칩(100)의 구동을 위한 제 2 종 데이터의 개수가 M 바이트라고 할 때, K 바이트는 해당 반도체 칩(100) 및 해당 반도체 칩(100) 후단의 반도체 칩(100)에서 구동을 위해 요구되는 제 2 종 데이터의 개수이다. 즉, 현재 반도체 칩(100)이 L번째 칩이고, 후단의 반도체 칩(100)이 (N-L)개 남아 있다면, K={(N-(L-1))×M}바이트가 된다.The
아울러, 분리기(20)는, 제 1 종 데이터를 그대로 출력하거나, 제 1 종 데이터를 변경하여 출력할 수 있다. 예를 들어, 데이지 체인 구조에서 L번째 반도체 칩(100)과 (L+1)번째 반도체 칩(100)의 아이디 및/또는 어드레스의 할당 정보가 상이할 경우, L번째 반도체 칩(100)에서 변경되지 않은 제 1 종 데이터를 이용하여 해당 엘이드들을 구동하고, (L+1)번째 반도체 칩(100)에 매칭되도록 현재의 제 1 종 데이터를 변경하여 직렬화기(50)로 출력하는 것이 바람직할 것이다. 경우에 따라서는, L번째 반도체 칩(100)에서 변경되지 않은 제 1 종 데이터를 이용하여 해당 엘이드들을 구동하고, (L+1)번째 반도체 칩(100)으로도 변경되지 않은 제 1 종 데이터를 직렬화기(50)로 출력하도록 할 수도 있다. 즉, 분리기(20)에, 제 1 종 데이터를 변경 기능의 삽입 여부는 해당 반도체 칩(100)의 설계에 따라 설정될 수 있을 것이다.In addition, the
분리기(20)는, MCU, DSP, MCU 등의 프로세서의 적어도 일부를 이용하거나, 회로 소자, 또는 그들의 조합을 이용하여 구현할 수 있을 것이다.
메모리(30)는, 분리기(20)로부터 K 바이트의 제 2 종 데이터를 입력받아, 입력받은 K 바이트의 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터는 출력하고, K 바이트의 제 2 종 데이터 중 M 바이트의 데이터는 저장하는 역할을 한다. 메모리(30)는, FIFO(First In First Out) 방식의 메모리(30)인 것이 바람직하다. 아울러, 메모리(30)의 제 2 종 데이터를 위한 저장 용량은, M 바이트인 것을 특징으로 한다. The
일반적으로 메모리(30)로서 시프트 레지스터(Shift Register)를 이용하게 되면, 매 클럭 토글(Toggle)하는 시프트 레지스터의 개수가, 최악의 경우 해당 반도체 칩(100)에서 요구하는 제 2 종 데이터의 개수인 M 바이트와 동일하게 되어, 최대 전류 및 평균 전력이 커져, 전력 소모가 커진다. FIFO 방식의 메모리(30)를 이용하는 것에 의해 이러한 전력 소모의 문제를 해결할 수 있다.In general, when a shift register is used as the
클럭 신호 생성기(40)는, 오실레이터를 이용하여 제 1 클럭 신호를 생성하는 역할을 한다. The
직렬화기(50)는, 일반적으로 시리얼라이저(Seriallizer)라고 불리며, 입력된 데이터를 직렬화하여 출력하는 역할을 한다.The
구동부(60)는, 분리기(20)로부터 제 1 종 데이터를 입력받고, 메모리(30)로부터 제 2 종 데이터를 입력받아, 엘이디를 구동하기 위한 구동 신호를 생성하는 역할을 한다. 구동부(60)는, 증폭기 등의 소자를 이용하여 구현될 수 있다.The
즉, 본 발명에서는 반도체 칩(100)마다 내부 클럭 신호인 제 1 클럭 신호를 생성할 수 있어, 분리기(20) 및 메모리(30) 등에서 데이터를 읽어 들이는 경우와 출력하는 경우, 이원적인 제 1 클럭 신호와 제 2 클럭 신호에 의해 데이터 처리가 가능하여, 입력 클럭인 제 2 클럭 신호의 잡음 및/또는 지터의 영향을 출력 클럭인 제 1 클럭 신호가 받지 않게 된다.That is, according to the present invention, a first clock signal, which is an internal clock signal, may be generated for each
하기에 각 구성 요소에서의 제 1 클럭 신호와 제 2 클럭 신호의 분리 사용에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the separate use of the first clock signal and the second clock signal in each component will be described in detail.
분리기(20)는, 제 1 클럭 신호를 이용하여 제 1 종 데이터 또는 변경된 제 1 종 데이터를 출력하고, 제 2 클럭 신호를 이용하여 제 2 종 데이터를 출력한다. 분리기(20)가 제 1 클럭 신호를 이용하여 출력한 제 1 종 데이터 또는 변경된 제 1 종 데이터는 직렬화기(50)로 입력된다. 아울러, 분리기(20)는 제 1 클럭 신호 또는 제 2 클럭 신호를 이용하여 제 1 종 데이터를 출력하여 구동부(50)로 입력되도록 할 수 있다. 즉, 구동부(50)로 입력되는 제 1 종 데이터는, 클럭 신호의 제한을 받지 않는다. The
아울러, 메모리(30)는, 제 2 클럭 신호를 이용하여 K 바이트의 제 2 종 데이터를 입력받고, 제 1 클럭 신호를 이용하여 K 바이트의 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터를 출력한다. In addition, the
또한, 직렬화기(50)는, 제 1 클럭 신호를 이용하여 분리기(20)로부터 제 1 종 데이터 또는 변경된 제 1 종 데이터를 입력받고, 제 1 클럭 신호를 이용하여 메모리(30)로부터 제 2 종 데이터를 입력받아, 제 1 클럭 신호를 이용하여 직렬화하여 출력한다.Further, the
또한, 직렬화기(50)는, 제 1 클럭 신호를 입력받아, 제어 신호에 따라 출력하는 것을 특징으로 한다. 직렬화기(50)에 의해 출력된 제 1 클럭 신호는, 후단의 반도체 칩(100)에서 데이터를 입력시 사용하게 된다.The
도 5는 본 발명의 반도체 칩(100)이 데이지 체인 구조로 연결된 시스템에 있어서의 데이터의 흐름에 관한 설명도이다.5 is an explanatory diagram of data flow in a system in which the
전체 N개의 반도체 칩(100) 중에서 L번째 반도체 칩(100)으로는 제 1 종 데이터와 {(N-(L-1))×M} 바이트의 제 2 종 데이터가 입력된다. 입력된 제 2 종 데이터 중에서, M 바이트는 메모리(30)에 저장되고, {(N-L)×M} 바이트는 출력되게 된다.The first type of data and the second type of data of {(N- (L-1)) × M} bytes are input to the L-
L번째 반도체 칩(100)으로는 제 1 종 데이터가 먼저 입력되고, {(N-(L-1))×M} 바이트의 제 2 종 데이터는 나중에 입력되게 되는 데, 병렬화기(10)에 의해 병렬화되어 분리기(20)에 의해 분리하고, 직렬화기(50)에 의해 직렬화하는 데 걸리는 시간 만큼, L번째 반도체 칩(100)으로부터 제 1 종 데이터가 출력되는 것에는 시간(t1)이 소요되게 된다. 아울러, L번째 반도체 칩(100)으로는 제 2 종 데이터가 출력되기 위해서는 FIFO 방식의 메모리(30)의 구조상, M 바이트의 메모리(30)가 저장되는 데 요구되는 시간(t2) 이후에 출력되게 된다. 즉, 메모리(30)의 M 바이트의 제 2 종 데이터를 위한 저장 용량이 채워지게 되면, 제 2 종 데이터가 메모리(30)로부터 출력되게 된다. 결국 최종적으로 메모리(30)로부터 출력되는 제 2 종 데이터의 바이트 수는, 메모리(30)에 저장되는 M 바이트를 제외한 {(N-L))×M} 바이트가 된다.The first type of data is first input to the L-
도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 칩(100)의 데이터 처리 방법의 흐름도를 나타낸다. 도 6의 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 칩(100)의 데이터 처리 방법은 상술한 본 발명의 반도체 칩(100)을 이용하므로, 별도의 설명이 없더라도 상술한 본 발명의 반도체 칩(100)의 모든 특징을 포함하고 있음은 물론이다.6 is a flowchart illustrating a data processing method of the
도 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 칩(100)의 데이터 처리 방법은, 제 1 종 데이터, 제 2 종 데이터 및 제 2 클럭 신호를 병렬화하여 출력하는 단계(S10); 입력받은 데이터를 제 1 종 데이터와 제 2 종 데이터로 분리하는 단계(S20); S20 단계로부터 K 바이트의 제 2 종 데이터를 입력받아, 입력받은 K 바이트의 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터는 출력하고, K 바이트의 제 2 종 데이터 중 M 바이트의 데이터는 저장하는 단계(S30); 제 1 클럭 신호를 생성하는 단계(S40); S20 단계로부터 제 1 종 데이터 또는 변경된 제 1 종 데이터를 입력받고, S30 단계로부터 제 2 종 데이터를 입력받아, 제 1 클럭 신호를 이용하여 직렬화하여 출력하는 단계(S50);를 포함한다.As can be seen from Figure 6, the data processing method of the
S20 단계는, 제 1 종 데이터를 그대로 출력하거나, 제 1 종 데이터를 변경하여 출력할 수 있다. 아울러, S20 단계는, 제 1 클럭 신호를 이용하여 제 1 종 데이터 또는 변경된 제 1 종 데이터를 출력하고, 제 2 클럭 신호를 이용하여 제 2 종 데이터를 출력하는 것을 특징으로 한다.In operation S20, the first type of data may be output as it is, or the first type of data may be changed and output. In operation S20, the first type data or the changed first type data may be output using the first clock signal, and the second type data may be output using the second clock signal.
또한, S20 단계는, S10 단계로부터 출력된 병렬화된 제 1 종 데이터, 제 2 종 데이터 및 제 2 클럭 신호를 입력받는다.In operation S20, the parallelized first type data, the second type data, and the second clock signal output from the step S10 may be input.
아울러, S30 단계는, 반도체 칩(100)으로 입력된 제 2 클럭 신호를 이용하여 K 바이트의 제 2 종 데이터를 입력받고, 제 1 클럭 신호를 이용하여 K 바이트의 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터를 출력하는 것을 특징으로 한다. 또한, S30 단계는, FIFO(First In First Out) 방식의 메모리(30)를 이용하고, 메모리(30)의 제 2 종 데이터를 위한 저장 용량은, M 바이트인 것이 바람직하다.In addition, in step S30, the second type of K byte data is input using the second clock signal input to the
또한, S50 단계는, 제 1 클럭 신호를 입력받아, 제어 신호에 따라 출력하는 것을 특징으로 한다.In operation S50, the first clock signal may be input and output according to a control signal.
상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 칩(100)의 데이터 처리 방법 및 그 반도체 칩(100)에 따르면, 데이지 체인 구조로 연결된 반도체 칩(100)에 있어서, 클럭의 지터 및 잡음이 후단의 반도체 칩(100)으로 전파되지 않도록 할 수 있음을 알 수 있다. 아울러, 본 발명에 따르면, 시프터 레지스터를 이용하는 데이지 체인 구조로 연결된 반도체 칩(100)에서 발생할 수 있는 전력 소모를 감소시킬 수 있다.As described above, according to the data processing method of the
100 : 반도체 칩
10 : 병렬화기
20 : 분리기
30 : 메모리
40 : 클럭 신호 생성기
50 : 직렬화기
60 : 구동부100: semiconductor chip
10: parallelizer
20: separator
30: memory
40: clock signal generator
50: serializer
60 drive unit
Claims (16)
입력받은 데이터를 제 1 종 데이터와 제 2 종 데이터로 분리하는 분리기;
상기 분리기로부터 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터를 입력받아, 입력받은 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터는 출력하고, K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 M 바이트의 데이터는 저장하는 메모리; 및
제 1 클럭 신호를 생성하는 클럭 신호 생성기;를 포함하되,
상기 K 및 상기 M 은 0 보다 큰 정수이고, 상기 (K-M)은 0 이상의 정수인 것을 특징으로 하는 반도체 칩.In a semiconductor chip,
A separator for separating the received data into first type data and second type data;
Receiving the second type of K bytes of data from the separator, and outputs the (KM) byte of the data of the second type K of the received K bytes, and the data of M bytes of the K Memory for storing; And
A clock signal generator for generating a first clock signal;
And K and M are integers greater than 0, and (KM) is an integer of 0 or more.
상기 메모리는,
상기 반도체 칩으로 입력된 제 2 클럭 신호를 이용하여 상기 분리기로부터 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터를 입력받고, 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터를 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩.The method of claim 1,
The memory,
The second type of K-byte data is input from the separator using the second clock signal input to the semiconductor chip, and the (KM) byte of the second type of K-byte data is used by the first clock signal. A semiconductor chip characterized by outputting data.
상기 반도체 칩은, 상기 반도체 칩의 후단에 위치하는 후단의 반도체 칩과 데이지 체인 구조로 연결되고,
상기 반도체 칩 및 상기 후단의 반도체 칩은 각각, 아이디 또는 어드레스 정보를 포함하고,
상기 분리기는,
상기 제 1 종 데이터를 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 출력하거나, 상기 후단의 반도체 칩의 아이디 또는 어드레스에 매칭되도록 변경된 제 1 종 데이터를 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 출력하고,
상기 분리기는,
상기 제 2 클럭 신호를 이용하여 상기 제 2 종 데이터를 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩.The method of claim 2,
The semiconductor chip is connected in a daisy chain structure with a semiconductor chip at a rear end of the semiconductor chip,
The semiconductor chip and the semiconductor chip of the rear end each include an ID or address information,
The separator,
Outputting the first type of data using the first clock signal, or outputting the first type of data changed to match an ID or an address of the semiconductor chip of the subsequent stage using the first clock signal,
The separator,
And outputting the second type of data using the second clock signal.
상기 분리기로부터 출력된 제 1 종 데이터 또는 상기 분리기로부터 변경되어 출력된 제 1 종 데이터를 입력받고, 상기 메모리로부터 (K-M) 바이트의 제 2 종 데이터를 입력받아, 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 직렬화하여 출력하는 직렬화기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩.The method of claim 3, wherein
Receives the first type data outputted from the separator or the first type data modified and outputted from the separator, receives the second type data of (KM) bytes from the memory, and serializes the data using the first clock signal. And a serializer for outputting the semiconductor chip.
상기 직렬화기는,
상기 제 1 클럭 신호를 입력받아, 제어 신호에 따라 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩.The method of claim 4, wherein
The serializer,
And receiving the first clock signal and outputting the first clock signal according to a control signal.
상기 반도체 칩은,
제 1 종 데이터, 제 2 종 데이터 및 제 2 클럭 신호를 입력받아 병렬화하여 출력하는 병렬화기;를 더 포함하되,
상기 분리기는,
상기 병렬화기로부터 출력된 병렬화된 제 1 종 데이터, 제 2 종 데이터 및 제 2 클럭 신호를 입력받는 것을 특징으로 하는 반도체 칩.The method of claim 1,
The semiconductor chip,
And a parallelizer configured to receive the first type data, the second type data, and the second clock signal in parallel and output the same.
The separator,
And receiving parallelized first type data, second type data, and a second clock signal output from the parallelizer.
상기 메모리는,
FIFO(First In First Out) 방식의 메모리인 것을 특징으로 하는 반도체 칩.The method of claim 1,
The memory,
A semiconductor chip comprising a first in first out (FIFO) type memory.
상기 메모리의 상기 제 2 종 데이터를 위한 저장 용량은,
M 바이트인 것을 특징으로 하는 반도체 칩.The method of claim 7, wherein
Storage capacity for the second type of data of the memory,
A semiconductor chip characterized by being M bytes.
(a) 입력받은 데이터를 제 1 종 데이터와 제 2 종 데이터로 분리하는 단계;
(b) 상기 (a) 단계로부터 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터를 입력받아, 입력받은 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터는 출력하고, K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 M 바이트의 데이터는 저장하는 단계; 및
(c) 제 1 클럭 신호를 생성하는 단계;를 포함하되,
상기 K 및 상기 M 은 0 보다 큰 정수이고, 상기 (K-M)은 0 이상의 정수인 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.In the data processing method of a semiconductor chip,
(a) dividing the received data into first type data and second type data;
(b) receiving the second type of K bytes of data from the step (a), outputting (KM) bytes of the second type of data of the K bytes, and outputting the second type of K bytes of data; Storing M bytes of data; And
(c) generating a first clock signal;
And K and M are integers greater than zero, and (KM) is an integer of zero or more.
상기 (b) 단계는,
상기 반도체 칩으로 입력된 제 2 클럭 신호를 이용하여 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터를 입력받고, 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 K 바이트의 상기 제 2 종 데이터 중 (K-M) 바이트의 데이터를 출력하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.The method of claim 9,
In step (b),
The second type of K-byte data is input using the second clock signal input to the semiconductor chip, and the KM-byte data of the second type data of K bytes is output using the first clock signal. The data processing method characterized by the above-mentioned.
상기 반도체 칩은, 상기 반도체 칩의 후단에 위치하는 후단의 반도체 칩과 데이지 체인 구조로 연결되고,
상기 반도체 칩 및 상기 후단의 반도체 칩은 각각, 아이디 또는 어드레스 정보를 포함하고,
상기 (a) 단계는,
상기 제 1 종 데이터를 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 출력하거나, 상기 후단의 반도체 칩의 아이디 또는 어드레스에 매칭되도록 변경된 제 1 종 데이터를 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 출력하고,
상기 (a) 단계는,
상기 제 2 클럭 신호를 이용하여 상기 제 2 종 데이터를 출력하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.The method of claim 10,
The semiconductor chip is connected in a daisy chain structure with a semiconductor chip at a rear end of the semiconductor chip,
The semiconductor chip and the semiconductor chip of the rear end each include an ID or address information,
In step (a),
Outputting the first type of data using the first clock signal, or outputting the first type of data changed to match an ID or an address of the semiconductor chip of the subsequent stage using the first clock signal,
In step (a),
And outputting the second type of data using the second clock signal.
상기 방법은,
(d) 상기 (a) 단계로부터 출력된 제 1 종 데이터 또는 변경되어 출력된 제 1 종 데이터를 입력받고, 상기 (b) 단계로부터 (K-M) 바이트의 제 2 종 데이터를 입력받아, 상기 제 1 클럭 신호를 이용하여 직렬화하여 출력하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.The method of claim 11,
The method,
(d) receiving the first type of data output from step (a) or the first type of data that has been modified and output, and receiving the second type of data of (KM) bytes from step (b), And serializing and outputting the same by using a clock signal.
상기 (d) 단계는,
상기 제 1 클럭 신호를 입력받아, 제어 신호에 따라 출력하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.The method of claim 12,
In step (d),
And receiving the first clock signal and outputting the first clock signal according to a control signal.
상기 방법은, 상기 (a) 단계 이전에,
제 1 종 데이터, 제 2 종 데이터 및 제 2 클럭 신호를 입력받아 병렬화하여 출력하는 단계;를 더 포함하되,
상기 (a) 단계는,
상기 병렬화하여 출력하는 단계로부터 출력된 병렬화된 제 1 종 데이터, 제 2 종 데이터 및 제 2 클럭 신호를 입력받는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.The method of claim 9,
The method, before step (a),
Receiving the first type data, the second type data, and the second clock signal in parallel and outputting the same;
In step (a),
And receiving the parallelized first type data, the second type data, and the second clock signal outputted from the parallelized output.
상기 (b) 단계는,
FIFO(First In First Out) 방식의 메모리를 이용하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.The method of claim 9,
In step (b),
A data processing method comprising using a memory of a First In First Out (FIFO) method.
상기 메모리의 상기 제 2 종 데이터를 위한 저장 용량은,
M 바이트인 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.The method of claim 15,
Storage capacity for the second type of data of the memory,
And M bytes.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180039827A KR102028922B1 (en) | 2018-04-05 | 2018-04-05 | Data processing method of semiconductor chip and semiconductor chip therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180039827A KR102028922B1 (en) | 2018-04-05 | 2018-04-05 | Data processing method of semiconductor chip and semiconductor chip therefor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR102028922B1 true KR102028922B1 (en) | 2019-10-07 |
Family
ID=68422233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180039827A KR102028922B1 (en) | 2018-04-05 | 2018-04-05 | Data processing method of semiconductor chip and semiconductor chip therefor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102028922B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080084389A (en) * | 2007-03-16 | 2008-09-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display and driving method thereof |
KR20140057499A (en) * | 2011-06-20 | 2014-05-13 | 샌디스크 테크놀로지스, 인코포레이티드 | Bit scan circuit and method in non-volatile memory |
KR20150031543A (en) | 2013-09-16 | 2015-03-25 | 주식회사엘디티 | Clock regeneration apparatus for cascade circuit and regeneration method therefor |
-
2018
- 2018-04-05 KR KR1020180039827A patent/KR102028922B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080084389A (en) * | 2007-03-16 | 2008-09-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display and driving method thereof |
KR20140057499A (en) * | 2011-06-20 | 2014-05-13 | 샌디스크 테크놀로지스, 인코포레이티드 | Bit scan circuit and method in non-volatile memory |
KR20150031543A (en) | 2013-09-16 | 2015-03-25 | 주식회사엘디티 | Clock regeneration apparatus for cascade circuit and regeneration method therefor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7253754B2 (en) | Data form converter between serial and parallel | |
US20070147166A1 (en) | Apparatus and method of generating output enable signal for semiconductor memory apparatus | |
JP2004093462A (en) | Semiconductor integrated circuit and its testing method | |
US8295100B2 (en) | Pipe latch circuit and method for operating the same | |
US7843743B2 (en) | Data output circuit for semiconductor memory apparatus | |
US8717206B2 (en) | Shift register, electronic device, control method and software program product | |
US20230236622A1 (en) | Clock circuits, computing chips, hash boards and data processing devices | |
KR100337687B1 (en) | Serial-to-parallel converter | |
KR102028922B1 (en) | Data processing method of semiconductor chip and semiconductor chip therefor | |
JP2006203568A (en) | Slew rate controller, output buffer and information processor | |
US20040004564A1 (en) | Parallel /serial conversion circuit, serial data generation circuit, synchronization signal generation circuit, clock signal generation circuit, serial data transmission device, serial data reception device, and serial data transmission system | |
JP2009238256A (en) | Semiconductor memory device | |
JP5119417B2 (en) | Pseudo random number generator | |
SE512009C2 (en) | Linear feedback shift register with low power | |
US20100201409A1 (en) | Frequency Divider Circuit | |
US9286260B2 (en) | Serial-to parallel converter using serially-connected stages | |
US20120218840A1 (en) | Integrated circuit | |
US8736318B2 (en) | Multiphase clock divider | |
WO2022048245A1 (en) | Random number generation circuit | |
US20170244397A1 (en) | Electronic circuit, solid state image capturing apparatus and method of controlling electronic circuit | |
US6833736B2 (en) | Pulse generating circuit | |
JP5190472B2 (en) | Driving circuit | |
US10170166B1 (en) | Data transmission apparatus for memory and data transmission method thereof | |
JP2001101897A (en) | Fail memory circuit, and interleave copying method | |
JP4468564B2 (en) | Pulse width modulation circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GRNT | Written decision to grant |