JP6218162B1 - 半導体の加工検査装置関連付けシステムおよびプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
半導体の加工検査装置間の関連性を決定する、装置関連付けシステムであって、
複数の加工検査装置のそれぞれについて、かつ、ウェハ内の範囲を表す複数のエリアのそれぞれについて、その加工検査装置によって処理されたウェハのそのエリアの不良度を表す情報を取得する、不良度取得機能と、
第1の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度と、第2の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度とに基づいて、第1の加工検査装置と第2の加工検査装置とを関連付けるか否かを決定する、関連性決定機能と
を備え、
前記不良度は、各エリアが良エリアであるかまたは不良エリアであるかによって表され、
前記関連性決定機能は、第1の加工検査装置に係る各不良エリアについて、その不良エリアと、第2の加工検査装置に係る少なくとも1つの不良エリアとが所定の近接位置関係を満たす場合に、第1の加工検査装置と第2の加工検査装置とを関連付ける機能である。
また、この発明に係る装置関連付けシステムは、
半導体の加工検査装置間の関連性を決定する、装置関連付けシステムであって、
複数の加工検査装置のそれぞれについて、かつ、ウェハ内の範囲を表す複数のエリアのそれぞれについて、その加工検査装置によって処理されたウェハのそのエリアの不良度を表す情報を取得する、不良度取得機能と、
第1の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度と、第2の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度とに基づいて、第1の加工検査装置と第2の加工検査装置とを関連付けるか否かを決定する、関連性決定機能と
を備え、
前記装置関連付けシステムは、第1のウェハを最後に処理した加工検査装置と、加工検査装置間の関連性とに基づき、第1のウェハを次に処理すべき加工検査装置またはその候補を決定する機能をさらに備える。
また、この発明に係る装置関連付けシステムは、
半導体の加工検査装置間の関連性を決定する、装置関連付けシステムであって、
複数の加工検査装置のそれぞれについて、かつ、ウェハ内の範囲を表す複数のエリアのそれぞれについて、その加工検査装置によって処理されたウェハのそのエリアの不良度を表す情報を取得する、不良度取得機能と、
第1の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度と、第2の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度とに基づいて、第1の加工検査装置と第2の加工検査装置とを関連付けるか否かを決定する、関連性決定機能と
を備え、
前記第1の加工検査装置は第1の加工検査工程に係る加工検査装置であり、
前記第2の加工検査装置は、前記第1の加工検査工程の次の加工検査工程である第2の加工検査工程に係る加工検査装置である。
特定の態様によれば、前記装置関連付けシステムは、前記近接位置関係を定義するための近接位置関係定義画面を出力する機能を備える。
特定の態様によれば、前記装置関連付けシステムは、ウェハに対する各エリアの範囲を定義するためのエリア範囲定義画面を出力する機能を備える。
特定の態様によれば、
前記不良度取得機能は、
処理されたウェハの各エリアに含まれる各チップについてランクを取得する機能と、
各チップについて、所定のチップ評価基準と、そのチップのランクとに基づいて、そのチップが良チップであるか不良チップであるかを判定する機能と、
処理されたウェハの各エリアに含まれる不良チップの数に基づいて、そのエリアの不良度を決定する機能と
を含む。
特定の態様によれば、前記装置関連付けシステムは、前記チップ評価基準を指定するための評価基準定義画面を出力する機能を備える。
また、この発明に係るプログラムは、コンピュータを上述の装置関連付けシステムとして機能させる。
実施の形態1.
図1に、本発明の実施の形態1に係る装置関連付けシステム10を含む構成の例を示す。通信ネットワークNを介して、装置関連付けシステム10と、複数の加工検査装置20と、進捗サーバ30と、CTサーバ40とが互いに通信可能に接続されている。
図11は、装置関連付けシステム10が加工検査装置間の関連性を決定するために実行する処理の流れの例を示すフローチャートである。
図12は、ステップS6の処理をより詳細に示すフローチャートである。図12に示す処理において、装置関連付けシステム10は、主装置の少なくとも1エリアの不良度と、従装置の少なくとも1エリアの不良度とに基づいて、主装置と従装置とを関連付けるか否かを決定する。(なお、厳密に表現すると、関連付けが行われない時点では主装置・従装置の組は定義されていないが、本明細書では、主装置の候補および従装置の候補をそれぞれ主装置および従装置と表現する場合がある)。
装置関連付けシステム10は、ウェハに対する各エリアの範囲を定義するための画面(エリア範囲定義画面)を出力する機能を備えてもよい。
図14に、エリア範囲定義画面の例を示す。この例では、エリア範囲定義画面は他にも様々な機能を同時に果たすものであり、「装置グルーピング画面」というタイトルが表示されている。
図15に、評価基準定義画面の例を示す。この例では、チップの評価は「A」〜「E」の5段階で行われ、そのうち「A」〜「C」の評価が良チップに対応し、「D」および「E」の評価が不良チップに対応する。
Claims (8)
- 半導体の加工検査装置間の関連性を決定する、装置関連付けシステムであって、
複数の加工検査装置のそれぞれについて、かつ、ウェハ内の範囲を表す複数のエリアのそれぞれについて、その加工検査装置によって処理されたウェハのそのエリアの不良度を表す情報を取得する、不良度取得機能と、
第1の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度と、第2の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度とに基づいて、第1の加工検査装置と第2の加工検査装置とを関連付けるか否かを決定する、関連性決定機能と
を備え、
前記不良度は、各エリアが良エリアであるかまたは不良エリアであるかによって表され、
前記関連性決定機能は、第1の加工検査装置に係る各不良エリアについて、その不良エリアと、第2の加工検査装置に係る少なくとも1つの不良エリアとが所定の近接位置関係を満たす場合に、第1の加工検査装置と第2の加工検査装置とを関連付ける機能である、
装置関連付けシステム。 - 前記装置関連付けシステムは、前記近接位置関係を定義するための近接位置関係定義画面を出力する機能を備える、請求項1に記載の装置関連付けシステム。
- 半導体の加工検査装置間の関連性を決定する、装置関連付けシステムであって、
複数の加工検査装置のそれぞれについて、かつ、ウェハ内の範囲を表す複数のエリアのそれぞれについて、その加工検査装置によって処理されたウェハのそのエリアの不良度を表す情報を取得する、不良度取得機能と、
第1の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度と、第2の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度とに基づいて、第1の加工検査装置と第2の加工検査装置とを関連付けるか否かを決定する、関連性決定機能と
を備え、
前記装置関連付けシステムは、第1のウェハを最後に処理した加工検査装置と、加工検査装置間の関連性とに基づき、第1のウェハを次に処理すべき加工検査装置またはその候補を決定する機能をさらに備える、
装置関連付けシステム。 - 半導体の加工検査装置間の関連性を決定する、装置関連付けシステムであって、
複数の加工検査装置のそれぞれについて、かつ、ウェハ内の範囲を表す複数のエリアのそれぞれについて、その加工検査装置によって処理されたウェハのそのエリアの不良度を表す情報を取得する、不良度取得機能と、
第1の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度と、第2の加工検査装置の少なくとも1エリアの不良度とに基づいて、第1の加工検査装置と第2の加工検査装置とを関連付けるか否かを決定する、関連性決定機能と
を備え、
前記第1の加工検査装置は第1の加工検査工程に係る加工検査装置であり、
前記第2の加工検査装置は、前記第1の加工検査工程の次の加工検査工程である第2の加工検査工程に係る加工検査装置である、
装置関連付けシステム。 - 前記装置関連付けシステムは、ウェハに対する各エリアの範囲を定義するためのエリア範囲定義画面を出力する機能を備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の装置関連付けシステム。
- 前記不良度取得機能は、
処理されたウェハの各エリアに含まれる各チップについてランクを取得する機能と、
各チップについて、所定のチップ評価基準と、そのチップのランクとに基づいて、そのチップが良チップであるか不良チップであるかを判定する機能と、
処理されたウェハの各エリアに含まれる不良チップの数に基づいて、そのエリアの不良度を決定する機能と
を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の装置関連付けシステム。 - 前記装置関連付けシステムは、前記チップ評価基準を指定するための評価基準定義画面を出力する機能を備える、請求項6に記載の装置関連付けシステム。
- コンピュータを、請求項1〜7のいずれか一項に記載の装置関連付けシステムとして機能させるプログラム。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1145919A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Hitachi Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP2003100825A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法並びに欠陥検査データ処理方法及びその装置 |
JP2007095953A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の選別方法及び半導体装置の選別装置 |
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2017
- 2017-03-24 JP JP2017059350A patent/JP6218162B1/ja active Active
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