JP6212092B2 - Substrate processing system, focus ring temperature control method, and substrate etching method - Google Patents

Substrate processing system, focus ring temperature control method, and substrate etching method Download PDF

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Description

本発明は、基板処理システム、フォーカスリングの温度制御方法及び基板のエッチング方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing system, a focus ring temperature control method, and a substrate etching method.

基板上の膜をエッチングするプラズマ処理装置には、基板上に形成されるパターンの面内均一性（エッチングの均一性）を高めるために、基板を取り囲むフォーカスリングが設置されている（例えば、特許文献１、２）。フォーカスリングは使用時間経過に伴いプラズマによりエッチングされて消耗するため、基板上に形成されるパターンの面内均一性は低下する。そこで、フォーカスリングはその使用時間に応じて定期的に交換される。   A plasma processing apparatus that etches a film on a substrate is provided with a focus ring that surrounds the substrate in order to improve in-plane uniformity (etching uniformity) of a pattern formed on the substrate (for example, a patent). References 1, 2). Since the focus ring is etched and consumed by the plasma as the usage time elapses, the in-plane uniformity of the pattern formed on the substrate decreases. Therefore, the focus ring is periodically replaced according to the usage time.

特開２００８−７８２０８号公報JP 2008-78208 A 特開２００３−２２９４０８号公報JP 2003-229408 A

しかしながら、フォーカスリング等の部材は部材の消耗度を監視して交換されていない。そのため、部材には、使用可能な状態で交換される場合又は消耗が激しいにもかかわらず交換されない場合がある。これにより基板上に形成されるパターン、基板処理の質が低下する。   However, members such as the focus ring are not replaced by monitoring the degree of wear of the members. For this reason, the member may be replaced in a usable state or may not be replaced even though it is heavily consumed. As a result, the pattern formed on the substrate and the quality of the substrate processing deteriorate.

本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものである。その目的は、基板上に形成されるパターン、基板処理の質を向上させることができる基板処理システム、フォーカスリングの温度制御方法及び基板のエッチング方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such circumstances. An object of the present invention is to provide a pattern formed on a substrate, a substrate processing system capable of improving the quality of substrate processing, a focus ring temperature control method, and a substrate etching method.

本願に係る基板処理システムは、処理容器と、該処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記基板を載置する載置台と、前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと、前記載置台に配置し、前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと、前記フォーカスリングを加熱するヒータと、前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と、前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記フォーカスリングを前記ヒータによる加熱と前記温調ガス供給部からの冷媒の供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御して、前記基板をエッチングする制御部と、エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段とを備え、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御することを特徴とする。 A substrate processing system according to the present application is disposed around a processing container, plasma generating means for generating plasma for etching a substrate in the processing container, a mounting table for mounting the substrate, and a periphery of the substrate. A focus ring, an electrostatic chuck that is disposed on the mounting table and electrostatically attracts the substrate and the focus ring, a heater that heats the focus ring, and a thermally conductive gas is supplied to cool the focus ring A temperature control gas supply unit, a gas supply unit for supplying a processing gas into the processing container, an exhaust means for reducing the pressure in the processing container to a predetermined vacuum degree, and in-plane uniformity when the substrate is etched The focus ring is controlled by controlling the heating by the heater and the cooling by the supply of the refrigerant from the temperature control gas supply unit so as to increase the focus ring. By controlling the temperature of the ring, and a control unit for etching the substrate, and a measuring means for measuring the shape or size of the pattern by etching, on the basis of the shape or size of the measured the pattern, the temperature of the focus ring It is characterized by controlling .

本願に係る基板処理システムは、前記熱伝導性ガスは、前記フォーカスリングと前記静電チャックの接触境界に供給される構成からなることを特徴とする。   The substrate processing system according to the present application is characterized in that the thermally conductive gas is supplied to a contact boundary between the focus ring and the electrostatic chuck.

本願に係る基板処理システムは、処理容器と、該処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記基板を載置する載置台と、前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと、前記載置台に配置し、前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと、前記フォーカスリングを加熱するヒータと、前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と、前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程と、前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程とを行い前記フォーカスリングの温度を制御する制御部と、エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段とを備え、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御することを特徴とする。 A substrate processing system according to the present application is disposed around a processing container, plasma generating means for generating plasma for etching a substrate in the processing container, a mounting table for mounting the substrate, and a periphery of the substrate. A focus ring, an electrostatic chuck that is disposed on the mounting table and electrostatically attracts the substrate and the focus ring, a heater that heats the focus ring, and a thermally conductive gas is supplied to cool the focus ring A temperature control gas supply unit, a gas supply unit for supplying a processing gas into the processing container, an exhaust means for reducing the pressure in the processing container to a predetermined vacuum degree, and in-plane uniformity when the substrate is etched A step of electrostatically attracting the focus ring to the mounting table, a step of setting a temperature of the focus ring, and a heater for the focus ring A step of further heating, and a control unit for controlling the temperature of the focus ring is performed and a step of cooling by supplying He gas to the lower surface of the focus ring, and a measuring means for measuring the shape or size of the pattern by etching The temperature of the focus ring is controlled based on the measured shape or size of the pattern .

本願に係る基板処理システムは、前記熱伝導性ガスは、前記フォーカスリングと前記静電チャックの接触境界に供給される構成からなることを特徴とする。   The substrate processing system according to the present application is characterized in that the thermally conductive gas is supplied to a contact boundary between the focus ring and the electrostatic chuck.

本願に係るフォーカスリングの温度制御方法は、載置台上に静電吸着された基板上の膜をエッチングした際に、面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの温度制御方法において、前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程と、前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程とを有し、前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御することとし、エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御することを特徴とする。 The temperature control method of the focus ring according to the present application is the temperature of the focus ring arranged around the substrate in order to improve in-plane uniformity when the film on the substrate electrostatically adsorbed on the mounting table is etched. In the control method, the step of electrostatically attracting the focus ring to the mounting table, the step of setting the temperature of the focus ring, the step of heating the focus ring with a heater, and He gas on the lower surface of the focus ring A temperature of the focus ring by controlling heating by the heater and cooling by supplying He gas so as to enhance in-plane uniformity when the substrate is etched. and controlling the, further comprising the step of measuring the shape or size of the pattern by etching, the shape of the measured the pattern also Based on the size, and controlling the temperature of the focus ring.

本願に係るフォーカスリングの温度制御方法は、前記基板は、前記基板上に膜が形成され、前記エッチングによりパターンを形成されることを特徴とする。   The temperature control method of the focus ring according to the present application is characterized in that a film is formed on the substrate and a pattern is formed by the etching.

本願に係るフォーカスリングの温度制御方法は、前記パターンの形状又は寸法を測定する工程は、複数の位置における前記パターンの形状又は寸法を測定し、前記複数の位置におけるパターンの形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へフィードバックして前記フォーカスリングの温度を制御することを特徴とする。   In the focus ring temperature control method according to the present application, in the step of measuring the shape or dimension of the pattern, the shape or dimension of the pattern at a plurality of positions is measured, and the data of the shape or dimension of the pattern at the plurality of positions is measured. When the variation is larger than a predetermined threshold, the temperature of the focus ring is controlled by feeding back to the temperature of the focus ring.

本願に係る基板のエッチング方法は、載置台上に静電吸着された基板のエッチング方法において、前記載置台に前記基板を静電吸着する工程と、前記基板の周囲に配置されるフォーカスリングを前記載置台に静電吸着する工程と、前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程と、前記基板上にプラズマを生成する工程と、前記基板を前記プラズマによりエッチングする工程とを有し、前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御して、前記基板をエッチングすることとし、エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御することを特徴とする。 The method for etching a substrate according to the present application is the method for etching a substrate electrostatically attracted onto a mounting table, wherein the step of electrostatically attracting the substrate to the mounting table and a focus ring disposed around the substrate are arranged in front of each other. A step of electrostatically adsorbing to the mounting table, a step of setting the temperature of the focus ring, a step of heating the focus ring with a heater, a step of supplying He gas to the lower surface of the focus ring and cooling it, A step of generating plasma on the substrate and a step of etching the substrate with the plasma, and heating by the heater and supply of He gas so as to enhance in-plane uniformity when the substrate is etched. by controlling the cooling and the controlling the temperature of the focus ring, and etching the substrate, the etching Further comprising the step of measuring the shape or size of the pattern, based on the shape or size of the measured the pattern, and controlling the temperature of the focus ring.

本願に係る基板のエッチング方法は、前記基板は、前記基板上に膜が形成され、前記エッチングによりパターンが形成されることを特徴とする。   The substrate etching method according to the present application is characterized in that a film is formed on the substrate and a pattern is formed by the etching.

本願に係る基板のエッチング方法は、前記パターンの形状又は寸法を測定する工程は、複数の位置における前記パターンの形状又は寸法を測定し、前記複数の位置におけるパターンの形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へフィードバックして前記フォーカスリングの温度を制御することを特徴とする。   In the substrate etching method according to the present application, the step of measuring the shape or dimension of the pattern measures the shape or dimension of the pattern at a plurality of positions, and there is variation in data on the shape or dimension of the pattern at the plurality of positions. When it is larger than a predetermined threshold value, the temperature of the focus ring is controlled by feeding back to the temperature of the focus ring.

本願に係る基板処理システム等によれば、基板上に形成されるパターン、基板処理の質を向上させることができる。   According to the substrate processing system and the like according to the present application, the pattern formed on the substrate and the quality of the substrate processing can be improved.

分光エリプソメータの構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of a spectroscopic ellipsometer. ウエハ面内における測定箇所のレイアウトを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the layout of the measurement location in a wafer surface. モデルの計算に用いるパラメータの一部を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a part of parameter used for calculation of a model. パターンの線幅に関する測定結果の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the measurement result regarding the line | wire width of a pattern. パターンのＳＷＡに関する測定結果の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the measurement result regarding SWA of a pattern. パターンのＨｅｉｇｈｔに関する測定結果の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the measurement result regarding Height of a pattern. フォーカスリングの交換を通知する処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the process which notifies replacement | exchange of a focus ring. パターンの線幅に関する測定結果の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the measurement result regarding the line | wire width of a pattern. 基板処理システムの構成例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structural example of a substrate processing system. コンピュータの構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of a computer. パターンの線幅に関する測定結果の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the measurement result regarding the line | wire width of a pattern. パターンのＳＷＡに関する測定結果の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the measurement result regarding SWA of a pattern. パターンのＨｅｉｇｈｔに関する測定結果の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the measurement result regarding Height of a pattern. フォーカスリングの温度を制御する処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the process which controls the temperature of a focus ring.

本発明の実施の形態について、その図面を参照して説明する。
本願に係る判定装置（測定装置）は、プラズマ処理装置がウエハ（基板）上の膜をエッチングすることにより形成したパターン（エッチングパターン）の面内均一性を測定する。ここでのパターンの面内均一性は、例えばパターンの寸法（ＣＤ：Critical Dimension）又は形状に関する面内均一性である。判定装置は、測定したパターンの面内均一性が所定の閾値を超えた場合、プラズマ処理装置が有するフォーカスリングの交換時期を判定する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
A determination apparatus (measurement apparatus) according to the present application measures in-plane uniformity of a pattern (etching pattern) formed by etching a film on a wafer (substrate) by a plasma processing apparatus. The in-plane uniformity of the pattern here is, for example, in-plane uniformity related to the dimension (CD: Critical Dimension) or shape of the pattern. When the in-plane uniformity of the measured pattern exceeds a predetermined threshold, the determination device determines the replacement time of the focus ring that the plasma processing apparatus has.

判定装置は、スキャトロメトリ（scatterometory）法によりパターンの寸法又は形状を測定する。光波散乱計測法であるスキャトロメトリ法には、例えば分光エリプソ法(Ellipsometry, Spectroscopic Ellipsometry)、反射率測定法(Reflectometry, Spectroscopic Reflectometry)、偏光反射率測定法(Polarized Spectroscopic Reflectometry)等がある
。以下では、スキャトロメトリ法の一例として、分光エリプソ法を利用した判定装置について説明する。
なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。 The determination device measures the dimension or shape of the pattern by a scatterometory method. Examples of the scatterometry method that is a light wave scattering measurement method include a spectroscopic ellipsometry method, a reflectometry method, a polarized reflectometry method, and the like. Hereinafter, as an example of the scatterometry method, a determination apparatus using the spectroscopic ellipso method will be described.
Note that the present invention is not limited to the following embodiments.

実施の形態１
分光エリプソメータ（判定装置、測定装置）は、プラズマ処理装置内部又はプラズマ処理装置外部に設けられる。実施の形態１では、プラズマ処理装置の外部に分光エリプソメータを設ける例を説明する。分光エリプソメータには回転検光子型、回転補償子型、位相変調器型等があり、いずれの型の分光エリプソメータが利用されてもよい。以下では、位相変調器型を例に挙げる。 Embodiment 1
The spectroscopic ellipsometer (determination device, measurement device) is provided inside the plasma processing apparatus or outside the plasma processing apparatus. In the first embodiment, an example in which a spectroscopic ellipsometer is provided outside the plasma processing apparatus will be described. The spectroscopic ellipsometer includes a rotation analyzer type, a rotation compensator type, a phase modulator type, and the like, and any type of spectroscopic ellipsometer may be used. In the following, a phase modulator type is taken as an example.

図１は、分光エリプソメータ１の構成例を示すブロック図である。
分光エリプソメータ１は、キセノンランプ１１、光照射器１２、ステージ１３、光取得器１４、分光器（測定手段）１５、データ取込機１６、モータ制御機１７及びコンピュータ１８を含む。分光エリプソメータ１は、ステージ１３上に載置されたウエハＷ上のパターンの寸法及び形状を計測する。パターンは、フォトレジストをマスクとして、ウエハＷ上に成膜された膜をエッチングすることにより形成されている。
なお、ウエハＷの直上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）等が積層されていてもよい。さらに、当該シリコン酸化膜の上側にアモルファスシリコン膜、ポリシリコン膜又はシリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）等が積層されていてもよい。 FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of the spectroscopic ellipsometer 1.
The spectroscopic ellipsometer 1 includes a xenon lamp 11, a light irradiator 12, a stage 13, a light acquisition device 14, a spectroscope (measuring means) 15, a data acquisition device 16, a motor controller 17 and a computer 18. The spectroscopic ellipsometer 1 measures the size and shape of the pattern on the wafer W placed on the stage 13. The pattern is formed by etching a film formed on the wafer W using a photoresist as a mask.
Note that a silicon oxide film (SiO 2 ) or the like may be stacked immediately above the wafer W. Furthermore, an amorphous silicon film, a polysilicon film, a silicon nitride film (Si 3 N 4 ), or the like may be stacked on the silicon oxide film.

分光エリプソメータ１は、ウエハＷに偏光した光を照射するとともに、ウエハＷで反射した光を取得して反射光の偏光状態を測定し、測定結果とウエハＷ上のパターンに応じたモデルとに基づきウエハＷ上のパターンの寸法及び形状を解析する。なお、ウエハＷ以外に、化合物半導体基板、単層又は多層のエピ膜、絶縁体膜、サファイヤ基板又はガラス基板等を基板としてもよい。   The spectroscopic ellipsometer 1 irradiates the wafer W with polarized light, acquires the light reflected by the wafer W, measures the polarization state of the reflected light, and based on the measurement result and a model corresponding to the pattern on the wafer W. The dimension and shape of the pattern on the wafer W are analyzed. In addition to the wafer W, a compound semiconductor substrate, a single-layer or multilayer epi film, an insulator film, a sapphire substrate, a glass substrate, or the like may be used.

分光エリプソメータ１は、一対の光照射器１２及び光取得器１４を備える測定器を含む測定解析系の部分と、駆動系の部分とに大別される。
分光エリプソメータ１は、測定解析系の部分として、キセノンランプ１１及び光照射器１２を、第１光ファイバケーブル１ａで接続する。分光エリプソメータ１は、ステージ１３上に載置したウエハＷへ偏光した状態の光を照射するとともに、ウエハＷで反射した光を光取得器１４で取り込む。光取得器１４は、第２光ファイバケーブル１ｂを介して分光器１５に接続されている。分光器１５は、波長毎に測定を行い、測定結果をアナログ信号としてデータ取込機１６へ伝送する。データ取込機１６は、アナログ信号を所要値に変換してコンピュータ１８へ伝送する。コンピュータ１８はパターンの解析を行う。 The spectroscopic ellipsometer 1 is roughly divided into a measurement analysis system part including a measuring instrument including a pair of light irradiators 12 and a light acquisition unit 14 and a drive system part.
The spectroscopic ellipsometer 1 connects a xenon lamp 11 and a light irradiator 12 with a first optical fiber cable 1a as a part of a measurement analysis system. The spectroscopic ellipsometer 1 irradiates polarized light onto the wafer W placed on the stage 13 and takes in the light reflected by the wafer W by the light acquisition unit 14. The light acquisition unit 14 is connected to the spectroscope 15 via the second optical fiber cable 1b. The spectroscope 15 performs measurement for each wavelength, and transmits the measurement result to the data fetcher 16 as an analog signal. The data fetcher 16 converts the analog signal into a required value and transmits it to the computer 18. The computer 18 performs pattern analysis.

なお、分光エリプソメータ１の光照射器１２及び光取得器１４は、ウエハＷに対する光の入射角度φと反射角度φとが所定の同角度になるように固定されている。しかし、光照射器１２及び光取得器１４は、ウエハＷに対する光の入射角度φ及び反射角度φが同角度である状態を維持しながら、入射角度φ及び反射角度φを変化させるように移動してもよい。   The light irradiator 12 and the light acquirer 14 of the spectroscopic ellipsometer 1 are fixed so that the incident angle φ and the reflection angle φ of the light with respect to the wafer W are the same predetermined angle. However, the light irradiator 12 and the light acquirer 14 move so as to change the incident angle φ and the reflection angle φ while maintaining the state where the incident angle φ and the reflection angle φ of the light with respect to the wafer W are the same. May be.

分光エリプソメータ１は、駆動系部分として、ステージ１３及び分光器１５に第１モータＭ１〜第３モータＭ３を夫々設けている。分光エリプソメータ１は、第１モータＭ１〜第３モータＭ３の駆動をコンピュータ１８に接続したモータ制御機１７で制御することで、ステージ１３及び分光器１５を測定に応じた適切な位置、姿勢に変更する。モータ制御機１７は、コンピュータ１８から出力される指示に基づき、第１モータＭ１〜第３モータＭ３の駆動制御を行う。   The spectroscopic ellipsometer 1 includes a first motor M <b> 1 to a third motor M <b> 3 in the stage 13 and the spectroscope 15 as drive system parts. The spectroscopic ellipsometer 1 controls the drive of the first motor M1 to the third motor M3 by the motor controller 17 connected to the computer 18, thereby changing the stage 13 and the spectroscope 15 to appropriate positions and postures according to the measurement. To do. The motor controller 17 performs drive control of the first motor M1 to the third motor M3 based on an instruction output from the computer 18.

キセノンランプ１１は光源であり、複数の波長成分を含む白色光を発生し、発生した白色光を光照射器１２へ第１光ファイバケーブル１ａを介して送る。光照射器１２は、内部に偏光子１２ａを有しており、白色光を偏光子１２ａで偏光し、偏光状態の光をウエハＷへ照射する。   The xenon lamp 11 is a light source, generates white light including a plurality of wavelength components, and sends the generated white light to the light irradiator 12 via the first optical fiber cable 1a. The light irradiator 12 has a polarizer 12 a inside, and polarizes white light with the polarizer 12 a and irradiates the wafer W with light in a polarized state.

ステージ１３は、移動レール部（図示せず）に摺動可能に配置されており、第１モータＭ１及び第２モータＭ２の駆動により、図１中のｘ軸方向、ｙ軸方向（図１の紙面に直交する方向）へ夫々移動可能である。ステージ１３の移動により、ステージ１３上のウエハＷへ光を入射させる箇所を適宜変更し、ウエハＷの面分析を行う。ウエハＷを載置するステージ１３面は、光の反射を防止するため黒色に着色されている。
なお、本実施の形態においては、ステージ１３をｘ軸方向及びｙ軸方向に動かす例を挙げて説明するが、これに限るものではない。例えば、ステージ１３を固定し、光照射器１２及び光取得器１４を動かし、照射位置をｘ軸方向及びｙ軸方向に移動させるようにしてもよい。その他、ステージ１３と、光照射器１２及び光取得器１４との双方を、ｘ軸方向及びｙ軸方向に移動させるようにしてもよい。 The stage 13 is slidably disposed on a moving rail portion (not shown), and is driven by the first motor M1 and the second motor M2 in the x-axis direction and the y-axis direction (in FIG. 1). Each of which can be moved in a direction perpendicular to the paper surface). By moving the stage 13, the location where light is incident on the wafer W on the stage 13 is appropriately changed, and the surface analysis of the wafer W is performed. The surface of the stage 13 on which the wafer W is placed is colored black in order to prevent light reflection.
In the present embodiment, an example in which the stage 13 is moved in the x-axis direction and the y-axis direction will be described. However, the present invention is not limited to this. For example, the stage 13 may be fixed, the light irradiator 12 and the light acquirer 14 may be moved, and the irradiation position may be moved in the x-axis direction and the y-axis direction. In addition, both the stage 13 and the light irradiator 12 and the light acquirer 14 may be moved in the x-axis direction and the y-axis direction.

光取得器１４は、ウエハＷで反射した光を取得し、取得した光の偏光状態を測定する。光取得器１４は、ＰＥＭ（Photo Elastic Modulator：光弾性変調器）１４ａ及び検光子
（Analyzer）１４ｂを内蔵し、ウエハＷで反射された光を、ＰＥＭ１４ａを介して検光子１４ｂへ導いている。なお、光取得器１４に内蔵されたＰＥＭ１４ａは、取り込んだ光を所要周波数（例えば５０ｋＨｚ）で位相変調することにより直線偏光から楕円偏光を得ている。また、検光子１４ｂは、ＰＥＭ１４ａで位相変調された各種偏光の中から選択的に偏光を取得して測定する。 The light acquisition unit 14 acquires the light reflected by the wafer W and measures the polarization state of the acquired light. The light acquisition unit 14 includes a PEM (Photo Elastic Modulator) 14a and an analyzer 14b, and guides the light reflected by the wafer W to the analyzer 14b through the PEM 14a. The PEM 14a incorporated in the light acquisition unit 14 obtains elliptically polarized light from linearly polarized light by phase-modulating the captured light at a required frequency (for example, 50 kHz). The analyzer 14b acquires and measures polarized light selectively from various polarized light phase-modulated by the PEM 14a.

分光器１５は、反射ミラー、回折格子、フォトマルチプライヤー（ＰＭＴ：光電子倍増管）及び制御ユニット等を内蔵し、光取得器１４から第２光ファイバケーブル１ｂを通じて送られた光を反射ミラーで反射して回折格子へ導いている。回折格子は第３モータＭ３により角度を変更し、出射する光の波長を可変する。分光器１５の内部へ進んだ光はＰＭＴで増幅され、光の量が少ない場合でも、測定された信号（光）を安定化させる。また、制御ユニットは、測定された波長に応じたアナログ信号を生成し、データ取込機１６へ送出する処理を行う。   The spectroscope 15 includes a reflection mirror, a diffraction grating, a photomultiplier (PMT: photomultiplier tube), a control unit, and the like, and reflects light transmitted from the light acquisition device 14 through the second optical fiber cable 1b by the reflection mirror. To the diffraction grating. The angle of the diffraction grating is changed by the third motor M3 to change the wavelength of the emitted light. The light traveling into the spectroscope 15 is amplified by the PMT, and the measured signal (light) is stabilized even when the amount of light is small. In addition, the control unit performs processing for generating an analog signal corresponding to the measured wavelength and sending it to the data fetcher 16.

データ取込機１６は、分光器１５からの信号に基づき反射光の偏光状態（ｐ偏光、ｓ偏光）を示す振幅比Ψ及び位相差Δを波長毎に算出し、算出した結果をコンピュータ１８へ送出する。なお、振幅比Ψ及び位相差Δには、ｐ偏光の振幅反射係数Ｒｐ及びｓ偏光の振幅反射係数Ｒｓに対し、以下の数式（１）の関係が成立する。
Ｒｐ／Ｒｓ＝ｔａｎΨ・ｅｘｐ（ｉ・Δ）・・・（１）
ただし、ｉは虚数単位である（以下同様）。また、Ｒｐ／Ｒｓは偏光変化量ρという。 The data acquisition device 16 calculates the amplitude ratio Ψ and the phase difference Δ indicating the polarization state of the reflected light (p-polarized light, s-polarized light) for each wavelength based on the signal from the spectroscope 15, and sends the calculated results to the computer 18. Send it out. In the amplitude ratio Ψ and the phase difference Δ, the relationship of the following formula (1) is established with respect to the amplitude reflection coefficient Rp of p-polarized light and the amplitude reflection coefficient Rs of s-polarized light.
Rp / Rs = tan Ψ · exp (i · Δ) (1)
However, i is an imaginary unit (the same applies hereinafter). Rp / Rs is referred to as a polarization change amount ρ.

コンピュータ１８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）（判定手段）１８１、ＲＡ
Ｍ（Random Access Memory）１８２、入力部１８３、表示部１８４、記憶部１８５、ディスクドライブ１８６及び通信部（付与手段）１８７を含む。ＣＰＵ１８１は、バスを介してコンピュータ１８のハードウェア各部と接続されている。ＣＰＵ１８１は、ハードウェア各部を制御するとともに、記憶部１８５に格納された各種プログラムに従って、種々のソフトウェア処理を実行する。 The computer 18 includes a CPU (Central Processing Unit) (determination means) 181, RA
It includes an M (Random Access Memory) 182, an input unit 183, a display unit 184, a storage unit 185, a disk drive 186, and a communication unit (giving means) 187. The CPU 181 is connected to each hardware part of the computer 18 via a bus. The CPU 181 controls each part of the hardware and executes various software processes according to various programs stored in the storage unit 185.

ＲＡＭ１８２は、半導体素子等であり、ＣＰＵ１８１の指示に従い必要な情報の書き込み及び読み出しを行う。入力部１８３は、キーボード及びマウス、又はタッチパネル等の入力デバイスである。表示部１８４は、例えば液晶ディスプレイ又は有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ等である。   The RAM 182 is a semiconductor element or the like, and writes and reads necessary information according to instructions from the CPU 181. The input unit 183 is an input device such as a keyboard and mouse or a touch panel. The display unit 184 is, for example, a liquid crystal display or an organic EL (Electro Luminescence) display.

記憶部１８５は、例えばハードディスク又は大容量メモリであり、解析用のプログラム及びステージ１３の移動制御用のプログラム等の各種プログラムを予め記憶する。
記憶部１８５は、その他、ライブラリ１Ｌ、閾値及びプログラム１Ｐを記憶する。ライブラリ１Ｌは、パターンの寸法及び形状等のパラメータに基づいて予め算出された各波長における振幅比Ψ及び位相差Δを記憶したファイルである。コンピュータ１８は、データ取込機１６で得られた偏光状態の振幅比Ψ及び位相差Δと、ライブラリ１Ｌに記憶されたモデルの振幅比Ψ及び位相差Δとをフィッティングし、モデルの振幅比Ψ及び位相差Δに対応するパターンの寸法及び形状を特定する。 The storage unit 185 is, for example, a hard disk or a large-capacity memory, and stores various programs such as an analysis program and a movement control program for the stage 13 in advance.
In addition, the storage unit 185 stores a library 1L, a threshold value, and a program 1P. The library 1L is a file that stores the amplitude ratio Ψ and the phase difference Δ at each wavelength calculated in advance based on parameters such as the dimension and shape of the pattern. The computer 18 fits the amplitude ratio Ψ and phase difference Δ of the polarization state obtained by the data acquisition unit 16 with the amplitude ratio Ψ and phase difference Δ of the model stored in the library 1L, and the amplitude ratio Ψ of the model. And the size and shape of the pattern corresponding to the phase difference Δ.

閾値は、フォーカスリングの交換を判定するための数値である。プログラム１Ｐは、測定されたパターンの寸法及び形状に関する数値のばらつきが閾値より大きい場合、表示部１８４にフォーカスリングの交換に関する通知を表示する。閾値は、成果物であるデバイスに対して要求される精度に関係し、デバイスの種類、世代等によって変更されてよい。   The threshold value is a numerical value for determining replacement of the focus ring. The program 1P displays a notification regarding replacement of the focus ring on the display unit 184 when the variation in the numerical values related to the dimension and shape of the measured pattern is larger than the threshold value. The threshold is related to the accuracy required for the device as a product, and may be changed depending on the type, generation, etc. of the device.

ディスクドライブ１８６は、外部の記録媒体であるＣＤ（Compact Disc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＢＤ（Blu-ray Disc、登録商標）等の光ディスク１ｄから情報を読み込み、光ディスク１ｄに情報を記録する。   The disc drive 186 reads information from an optical disc 1d such as an external recording medium such as a CD (Compact Disc), a DVD (Digital Versatile Disc), or a BD (Blu-ray Disc, registered trademark), and records the information on the optical disc 1d. .

通信部１８７は、外部のコンピュータと通信をするインタフェースである。通信部１８７は、ＬＡＮ（Local Area Network）、インターネット、電話回線等に接続されていてもよい。   The communication unit 187 is an interface that communicates with an external computer. The communication unit 187 may be connected to a LAN (Local Area Network), the Internet, a telephone line, or the like.

次に、分光エリプソメータ１の動作について説明する。
プラズマ装置によりエッチングされたウエハＷを分光エリプソメータ１のステージ１３に載置する。ウエハＷの直径は、例えば３００ｍｍである。パターンを構成する膜は、例えば有機膜である。有機膜は、多層であってもよく、一部の層は例えばＳｉを含んでいてもよい。 Next, the operation of the spectroscopic ellipsometer 1 will be described.
The wafer W etched by the plasma apparatus is placed on the stage 13 of the spectroscopic ellipsometer 1. The diameter of the wafer W is, for example, 300 mm. The film constituting the pattern is, for example, an organic film. The organic film may be a multilayer, and some layers may contain Si, for example.

キセノンランプ１１は、白色光を放射する。光照射器１２は、キセノンランプ１１が照射した白色光を直線偏光に変換し、変換した直線偏光をウエハＷに照射する。光取得器１４は、ウエハＷで反射した光を取得し、取得した光の偏光状態を測定する。分光器１５は、光取得器１４により測定された波長に応じたアナログ信号を生成してデータ取込機１６へ送出する。データ取込機１６は、分光器１５からの信号に基づき、ｐ偏光、ｓ偏光の振幅比Ψ及び位相差Δを波長毎に算出し、算出した結果をコンピュータ１８へ送出する。コンピュータ１８は、測定値を記憶部１８５に記憶する。
なお、測定に係る波長の範囲は、例えば２５０ｎｍ〜７５０ｎｍである。 The xenon lamp 11 emits white light. The light irradiator 12 converts the white light irradiated by the xenon lamp 11 into linearly polarized light, and irradiates the wafer W with the converted linearly polarized light. The light acquisition unit 14 acquires the light reflected by the wafer W and measures the polarization state of the acquired light. The spectroscope 15 generates an analog signal corresponding to the wavelength measured by the light acquisition unit 14 and sends the analog signal to the data acquisition unit 16. The data acquisition unit 16 calculates the amplitude ratio Ψ and phase difference Δ of p-polarized light and s-polarized light for each wavelength based on the signal from the spectroscope 15, and sends the calculated result to the computer 18. The computer 18 stores the measurement value in the storage unit 185.
In addition, the range of the wavelength which concerns on a measurement is 250 nm-750 nm, for example.

図２は、ウエハＷ面内における測定箇所のレイアウトを示す説明図である。ウエハＷの表面を約１００個の正方形領域に分割し、１つの正方形領域の略中央が１つの測定箇所になる。
ある正方形領域での測定が終了した場合、分光エリプソメータ１はモータ制御機１７の制御により、ステージ１３をｘ軸方向又はｙ軸方向に移動し、直線偏光が照射される測定箇所を隣の正方形領域に変更する。図２における矢印のように、測定箇所は例えばｘ軸方向に変更される。測定箇所がウエハＷの縁又はウエハＷの外部まで達した場合、ステージ１３をｙ軸方向に１正方形分だけ移動した後、測定箇所は再びウエハＷの一端から他端までｘ軸方向に１正方形単位で変更される。
なお、測定箇所である正方形領域の略中央部がウエハＷの外部（図２の×）に変更された場合、測定は行われない。また、測定箇所がウエハＷの縁近傍になる場合（例えば、ウエハＷの縁から中心方向へ向かって１〜２ｍｍまでの領域）、測定は行われないか又は当該測定値は採用されない。 FIG. 2 is an explanatory diagram showing a layout of measurement locations in the wafer W plane. The surface of the wafer W is divided into about 100 square areas, and the approximate center of one square area is one measurement location.
When the measurement in a certain square area is completed, the spectroscopic ellipsometer 1 moves the stage 13 in the x-axis direction or the y-axis direction under the control of the motor controller 17, and sets the measurement point irradiated with the linearly polarized light as the adjacent square area. Change to As indicated by the arrows in FIG. 2, the measurement location is changed, for example, in the x-axis direction. When the measurement location reaches the edge of the wafer W or the outside of the wafer W, after moving the stage 13 by one square in the y-axis direction, the measurement location is again one square in the x-axis direction from one end to the other end of the wafer W. Changed in units.
In addition, when the substantially central portion of the square area as the measurement location is changed to the outside of the wafer W (X in FIG. 2), the measurement is not performed. Further, when the measurement location is in the vicinity of the edge of the wafer W (for example, an area of 1 to 2 mm from the edge of the wafer W toward the center), the measurement is not performed or the measurement value is not adopted.

ウエハＷ上の全ての測定が終了し、測定データがコンピュータ１８の記憶部１８５に記憶された場合、ＣＰＵ１８１は測定された振幅比Ψ及び位相差Δと、ライブラリ１Ｌに記憶された振幅比Ψ及び位相差Δとのフィッティングをする。そして、ライブラリ１Ｌに記憶された振幅比Ψ及び位相差Δに対応するパターンの寸法及び形状を、全測定箇所について特定し、記憶部１８５に記憶する。   When all the measurements on the wafer W are completed and the measurement data is stored in the storage unit 185 of the computer 18, the CPU 181 determines that the measured amplitude ratio Ψ and phase difference Δ and the amplitude ratio Ψ and Fitting with phase difference Δ. Then, the dimensions and shapes of the patterns corresponding to the amplitude ratio Ψ and the phase difference Δ stored in the library 1L are specified for all measurement locations and stored in the storage unit 185.

図３は、モデルの計算に用いるパラメータの一部を示す説明図である。図３は、ウエハＷ及びパターンの断面を示している。パターンモデルの計算に用いるパラメータは、ＴＣＤ（Top CD）、ＢＣＤ（Bottom CD）、Ｈｅｉｇｈｔ、複素屈折率Ｎ、膜厚ｄである。
ただし、複素屈折率Ｎは、予め測定した値が用いられる。複素屈折率Ｎを予め測定する手段は、分光エリプソメータ１でもよいし、分光エリプソメータ１以外の装置でもよい。 FIG. 3 is an explanatory diagram showing some of the parameters used for model calculation. FIG. 3 shows a cross section of the wafer W and the pattern. Parameters used for calculation of the pattern model are TCD (Top CD), BCD (Bottom CD), Height, complex refractive index N, and film thickness d.
However, as the complex refractive index N, a value measured in advance is used. The means for measuring the complex refractive index N in advance may be the spectroscopic ellipsometer 1 or an apparatus other than the spectroscopic ellipsometer 1.

ＴＣＤ及びＢＣＤは、パターンを構成する線幅である。ＴＣＤは線の上辺寸法であり、ＢＣＤは線の底辺寸法である。なお、ＭＣＤは、ＴＣＤとＢＣＤとの平均である。Ｈｅｉｇｈｔは、エッチングにより形成された線の高さ又はパターンを構成する溝の深さである。
ＴＣＤ、ＢＣＤ及びＨｅｉｇｈｔから線の側壁角であるＳＷＡ（side wall angle）が算出される。ＳＷＡの値をθとした場合、θは次の数式（２）で示される。 TCD and BCD are line widths constituting the pattern. TCD is the top dimension of the line and BCD is the bottom dimension of the line. MCD is the average of TCD and BCD. Height is a height of a line formed by etching or a depth of a groove constituting a pattern.
SWA (side wall angle), which is the side wall angle of the line, is calculated from TCD, BCD, and Height. When the value of SWA is θ, θ is expressed by the following formula (2).

Figure 0006212092
Figure 0006212092

膜厚ｄは、ウエハＷ上の膜の厚さである。図３の例では、膜厚ｄはＨｅｉｇｈｔと同じである。しかし、多層膜がウエハＷに成膜され、エッチングがウエハＷ表面まで及ばない場合、膜厚ｄはＨｅｉｇｈｔより大きな値となる。   The film thickness d is the thickness of the film on the wafer W. In the example of FIG. 3, the film thickness d is the same as the height. However, when the multilayer film is formed on the wafer W and the etching does not reach the surface of the wafer W, the film thickness d becomes a value larger than Height.

ライブラリ１Ｌには、モデルの振幅比Ψ及び位相差Δと、モデルを構築する元となったＴＣＤ、ＢＣＤ及びＨｅｉｇｈｔとが対応付けて記憶されている。ＭＣＤ又はＳＷＡは、測定から決定されたＴＣＤ、ＢＣＤ及びＨｅｉｇｈｔから算出されてもよいし、予め計算してライブラリ１Ｌに記憶されていてもよい。以下では、ライブラリ１Ｌには、モデルの振幅比Ψ及び位相差Δと、ＴＣＤ、ＢＣＤ及びＨｅｉｇｈｔ並びに予め算出されたＭＣＤ又はＳＷＡとが、対応付けられて記憶されているものとする。   In the library 1L, the amplitude ratio Ψ and phase difference Δ of the model and the TCD, BCD, and Height from which the model is built are stored in association with each other. The MCD or SWA may be calculated from TCD, BCD, and Height determined from the measurement, or may be calculated in advance and stored in the library 1L. In the following, it is assumed that the amplitude ratio Ψ and phase difference Δ of the model, TCD, BCD, Height, and MCD or SWA calculated in advance are stored in association with each other in the library 1L.

ＣＰＵ１８１は、測定された振幅比Ψ及び位相差Δと、ライブラリ１Ｌに記憶された振幅比Ψ及び位相差Δとの差である誤差関数の値が最小になるモデルを検索する。そして、ＣＰＵ１８１は、誤差関数の値が最小になるモデルに対応するＴＣＤ、ＢＣＤ、Ｈｅｉｇｈｔ、ＭＣＤ及びＳＷＡを取得する。ＣＰＵ１８１は、取得したＴＣＤ、ＢＣＤ、Ｈｅｉｇｈｔ、ＭＣＤ及びＳＷＡを記憶部１８５に記憶する。   The CPU 181 searches for a model that minimizes the value of the error function that is the difference between the measured amplitude ratio Ψ and phase difference Δ and the amplitude ratio Ψ and phase difference Δ stored in the library 1L. Then, the CPU 181 acquires TCD, BCD, Height, MCD, and SWA corresponding to the model having the smallest error function value. The CPU 181 stores the acquired TCD, BCD, Height, MCD, and SWA in the storage unit 185.

なお、測定されるパターンの形状は、裾引き、トップ丸みを含んでよい。また、測定されるパターンの寸法及び形状は、上記に限らず、膜、穴、突起、溝等の寸法及び形状であってもよい。例えば、穴の場合の寸法及び形状は、穴径、穴深さ、穴ピッチ、穴の内壁の傾斜角度、穴の内壁の曲率等である。例えば、溝の場合の寸法及び形状は、溝幅、溝深さ、側壁角度、溝ピッチ、溝の側壁の曲率等である。これらの寸法及び形状を測定するためには、膜、穴、突起、溝等の構造を有するモデルを作成し、ライブラリ１Ｌに記憶しておく。   Note that the shape of the pattern to be measured may include skirting and top rounding. Further, the size and shape of the pattern to be measured are not limited to the above, and may be the size and shape of a film, a hole, a protrusion, a groove, or the like. For example, the dimension and shape in the case of a hole are a hole diameter, a hole depth, a hole pitch, the inclination angle of the inner wall of a hole, the curvature of the inner wall of a hole, etc. For example, the dimension and shape in the case of a groove are groove width, groove depth, side wall angle, groove pitch, groove side wall curvature, and the like. In order to measure these dimensions and shapes, a model having a structure such as a film, a hole, a protrusion, or a groove is created and stored in the library 1L.

次に、使用時間が異なる２つのフォーカスリングを用いてエッチングされたパターンに関して、測定結果の一例を説明する。
図４は、パターンの線幅に関する測定結果の一例を示す説明図である。図４Ａは、使用時間が１０時間未満であるフォーカスリングを用いてエッチングされたパターンの線幅に関する測定結果を示している。図４Ｂは、使用時間が５５０時間であるフォーカスリングを用いてエッチングされたパターンの線幅に関する測定結果を示している。フォーカスリングの高さは、図４Ａの場合、４．０ｍｍであり、図４Ｂの場合、３．１ｍｍであった。 Next, an example of a measurement result will be described for a pattern etched using two focus rings having different usage times.
FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating an example of a measurement result regarding the line width of a pattern. FIG. 4A shows a measurement result regarding the line width of a pattern etched using a focus ring having a usage time of less than 10 hours. FIG. 4B shows the measurement result regarding the line width of the pattern etched using the focus ring having a usage time of 550 hours. The height of the focus ring was 4.0 mm in the case of FIG. 4A and 3.1 mm in the case of FIG. 4B.

図４Ａ及び図４Ｂの縦軸は、シフトＣＤであり、単位はｎｍである。ここでのシフトＣＤは、エッチング後のＭＣＤとエッチング前のＭＣＤとの差分である。エッチング後の線幅から線幅のばらつきを評価する場合、エッチング前の線幅の影響が入ってくる。そこで、図４ではエッチング前の線幅の影響を排除するために、エッチング後のＭＣＤからエッチング前のＭＣＤを引いたシフトＣＤを縦軸にしている。シフトＣＤは、フォーカスリングの消耗度の違いによるパターンの寸法及び形状の違いを比較する上で、有益である。
図４Ａ及び図４Ｂの横軸は、ウエハＷ上の測定位置を示し、単位はｍｍである。図４Ａ及び図４Ｂの横軸の０ｍｍは、ウエハＷの中心である。ウエハＷの半径に依存して中心からウエハＷの縁までの各位置が数値で示されている。ここでのウエハＷの半径は１５０ｍｍである。 The vertical axis in FIGS. 4A and 4B is the shift CD, and the unit is nm. The shift CD here is the difference between the MCD after etching and the MCD before etching. When the variation in line width is evaluated from the line width after etching, the influence of the line width before etching enters. Therefore, in FIG. 4, in order to eliminate the influence of the line width before etching, the vertical axis is a shift CD obtained by subtracting the MCD before etching from the MCD after etching. Shift CD is useful for comparing the difference in pattern size and shape due to the difference in the degree of wear of the focus ring.
4A and 4B indicate the measurement position on the wafer W, and the unit is mm. 4A and 4B, 0 mm on the horizontal axis is the center of the wafer W. Depending on the radius of the wafer W, each position from the center to the edge of the wafer W is indicated by a numerical value. The radius of the wafer W here is 150 mm.

図４Ａ及び図４Ｂを比較した場合、パターンの面内均一性は、フォーカスリングの使用時間に相関している。フォーカスリングの使用時間が１０時間未満である場合、シフトＣＤはウエハＷの位置に関係なく、ほぼ一定である。他方、フォーカスリングの使用時間が５５０時間である場合、シフトＣＤはウエハＷの中心から縁へ向かって小さくなり、縁付近ではシフトＣＤが若干大きくなっている。ウエハＷの縁から中心に向かって３０ｍｍまでの領域では、シフトＣＤに２ｎｍの差異が認められる。   When FIG. 4A and FIG. 4B are compared, the in-plane uniformity of the pattern correlates with the usage time of the focus ring. When the usage time of the focus ring is less than 10 hours, the shift CD is almost constant regardless of the position of the wafer W. On the other hand, when the usage time of the focus ring is 550 hours, the shift CD decreases from the center of the wafer W toward the edge, and the shift CD slightly increases near the edge. In the region from the edge of the wafer W to 30 mm toward the center, a difference of 2 nm is observed in the shift CD.

図５は、パターンのＳＷＡに関する測定結果の一例を示す説明図である。図５Ａ及び図５Ｂにおけるフォーカスリングの条件は、夫々図４Ａ及び図４Ｂにおけるフォーカスリングの条件と同じである。図５Ａ及び図５Ｂの縦軸は、ＳＷＡであり、単位は度である。図５Ａ及び図５Ｂの横軸は、図４Ａ及び図４Ｂの横軸と同じである。
図５Ａ及び図５Ｂを比較した場合、フォーカスリングの使用時間が１０時間未満であるとき、ＳＷＡはウエハＷの位置に関係なく、ほぼ一定である。他方、フォーカスリングの使用時間が５５０時間である場合、ＳＷＡの面内均一性は低くなっている。ウエハＷの縁から中心へ向かって１０ｍｍ〜３０ｍｍまでの領域では、縁側へ向かってＳＷＡは小さくなり、準テーパの方向に変化する。しかし、最外周の縁部では、ＳＷＡは内側より大きくなり、逆テーパの方向へ変化する。 FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of a measurement result related to the pattern SWA. The conditions of the focus ring in FIGS. 5A and 5B are the same as the conditions of the focus ring in FIGS. 4A and 4B, respectively. The vertical axis in FIGS. 5A and 5B is SWA, and the unit is degrees. The horizontal axis in FIGS. 5A and 5B is the same as the horizontal axis in FIGS. 4A and 4B.
5A and 5B, when the usage time of the focus ring is less than 10 hours, SWA is almost constant regardless of the position of the wafer W. On the other hand, when the usage time of the focus ring is 550 hours, the in-plane uniformity of the SWA is low. In the region from 10 mm to 30 mm from the edge of the wafer W toward the center, the SWA decreases toward the edge and changes in the direction of the quasi-taper. However, at the outermost peripheral edge, SWA becomes larger than the inner side and changes in the direction of reverse taper.

図６は、パターンのＨｅｉｇｈｔに関する測定結果の一例を示す説明図である。図６Ａ及び図６Ｂにおけるフォーカスリングの条件は、夫々図４Ａ及び図４Ｂにおけるフォーカスリングの条件と同じである。図６Ａ及び図６Ｂの縦軸は、Ｈｅｉｇｈｔであり、単位はｎｍである。図６Ａ及び図６Ｂの横軸は、図４Ａ及び図４Ｂの横軸と同じである。
図６Ａ及び図６Ｂを比較した場合、フォーカスリングの使用時間が１０時間未満であるとき、ＨｅｉｇｈｔはウエハＷの位置によって多少ばらついているが、面内均一性が低いとまでいえない。他方、フォーカスリングの使用時間が５５０時間である場合、Ｈｅｉｇｈｔの面内均一性は低くなっている。ウエハＷの中心から縁へ向かってＨｅｉｇｈｔは小さくなる傾向がある。また、縁から中心へ向かって３０ｍｍまでの領域では、Ｈｅｉｇｈｔのばらつきが他の領域に比べて大きい。 FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating an example of a measurement result regarding the height of a pattern. The focus ring conditions in FIGS. 6A and 6B are the same as the focus ring conditions in FIGS. 4A and 4B, respectively. The vertical axis | shaft of FIG. 6A and 6B is Height, and a unit is nm. The horizontal axis in FIGS. 6A and 6B is the same as the horizontal axis in FIGS. 4A and 4B.
When comparing FIG. 6A and FIG. 6B, when the usage time of the focus ring is less than 10 hours, the Height varies somewhat depending on the position of the wafer W, but it cannot be said that the in-plane uniformity is low. On the other hand, when the usage time of the focus ring is 550 hours, the in-plane uniformity of the height is low. The height tends to decrease from the center of the wafer W toward the edge. Also, in the region from the edge to the center up to 30 mm, the variation in height is larger than in other regions.

以上の測定結果から、使用時間が５５０時間であるフォーカスリングを用いてエッチングが行われたパターンの寸法及び形状に関する測定値は、ウエハＷの縁から中心へ向かって概ね５０ｍｍまでの領域においてばらつきが大きくなることがわかる。そこで、フォーカスリングの交換条件として、ウエハＷの縁から中心へ向かって約５０ｍｍまでの領域におけるシフトＣＤのばらつきが例えば１ｎｍより大きくなった場合が挙げられる。
また、フォーカスリングの交換条件として、ウエハＷの縁から中心へ向かって約５０ｍｍまでの領域におけるＳＷＡのばらつきが例えば０．１５度より大きくなった場合が挙げられる。さらに、フォーカスリングの交換条件として、ウエハＷの縁から中心へ向かって約５０ｍｍまでの領域におけるＨｅｉｇｈｔのばらつきが例えば６ｎｍより大きくなった場合が挙げられる。
フォーカスリングの交換を判定するためのパターンの測定領域は、より好ましくは、ウエハＷの縁から中心へ向かって約1０ｍｍ〜３０ｍｍの領域である。 From the above measurement results, the measurement values related to the size and shape of the pattern etched using the focus ring having a usage time of 550 hours vary in the region from the edge of the wafer W to the center to approximately 50 mm. You can see it grows. Therefore, as a condition for exchanging the focus ring, there is a case where the variation of the shift CD in the region from the edge of the wafer W to the center of about 50 mm becomes larger than 1 nm, for example.
Further, as a condition for exchanging the focus ring, there is a case where the variation of SWA in the region from the edge of the wafer W to the center of about 50 mm becomes larger than 0.15 degrees, for example. Further, as a condition for exchanging the focus ring, there is a case where the variation in the height in the region from the edge of the wafer W to about 50 mm toward the center is larger than 6 nm, for example.
More preferably, the measurement area of the pattern for determining replacement of the focus ring is an area of about 10 mm to 30 mm from the edge of the wafer W toward the center.

なお、上記のばらつきは、測定値の最大値と最小値との差、すなわちデータの範囲である。しかし、ばらつきとして、分散、標準偏差、不偏分散、平均偏差等が用いられてもよいことは勿論である。また、ばらつきを求める対象の寸法に、ＴＣＤ又はＢＣＤが含まれてもよい。   Note that the above-described variation is the difference between the maximum value and the minimum value of the measurement values, that is, the data range. However, as a variation, of course, dispersion, standard deviation, unbiased dispersion, average deviation, and the like may be used. Further, TCD or BCD may be included in the dimension for which the variation is to be obtained.

ＣＰＵ１８１は、記憶部１８５に記憶したＴＣＤ、ＢＣＤ、Ｈｅｉｇｈｔ、ＭＣＤ及びＳＷＡについて、全測定値のばらつき及びウエハＷの縁から中心へ向かって５０ｍｍまでの領域における測定値のばらつき、ウエハＷの縁から中心へ向かって５０ｍｍ〜１００ｍｍの領域における測定値のばらつき等を算出する。ＣＰＵ１８１は、算出した測定値のばらつきを記憶部１８５に記憶する。
ＣＰＵ１８１は、算出したばらつきを予め記憶部１８５に記憶された閾値と比較する。ＣＰＵ１８１は、算出したばらつきが閾値より大きい場合、フォーカスリングを交換すべきである旨のメッセージを表示部１８４に表示する。 For the TCD, BCD, Height, MCD, and SWA stored in the storage unit 185, the CPU 181 determines variations in all measured values and variations in measured values in an area from the edge of the wafer W to 50 mm toward the center. Variations in measured values in a region of 50 mm to 100 mm toward the center are calculated. The CPU 181 stores the calculated measurement value variation in the storage unit 185.
The CPU 181 compares the calculated variation with a threshold value stored in the storage unit 185 in advance. When the calculated variation is larger than the threshold value, the CPU 181 displays a message on the display unit 184 that the focus ring should be replaced.

図７は、フォーカスリングの交換を通知する処理の手順を示すフローチャートである。なお、各測定箇所における測定済みのＴＣＤ、ＢＣＤ、Ｈｅｉｇｈｔ、ＭＣＤ及びＳＷＡが、記憶部１８５に記憶されているものとする。
ＣＰＵ１８１は、記憶部１８５からＴＣＤ、ＢＣＤ、Ｈｅｉｇｈｔ、ＭＣＤ及びＳＷＡを読み出す（ステップＳ１０１）。ステップＳ１０１において、エッチング前後のＴＣＤ、ＢＣＤが記憶部１８５に記憶されている場合、ＣＰＵ１８１はＴＣＤ、ＢＣＤに関するシフトＣＤを求めてもよい。あるいは、ＣＰＵ１８はＭＣＤに関するシフトＣＤを求めてもよい。 FIG. 7 is a flowchart illustrating a processing procedure for notifying the replacement of the focus ring. It is assumed that the measured TCD, BCD, Height, MCD, and SWA at each measurement location are stored in the storage unit 185.
The CPU 181 reads TCD, BCD, Height, MCD, and SWA from the storage unit 185 (step S101). In step S101, when TCD and BCD before and after etching are stored in the storage unit 185, the CPU 181 may obtain a shift CD related to TCD and BCD. Alternatively, the CPU 18 may obtain a shift CD related to the MCD.

ＣＰＵ１８１は、ＴＣＤ、ＢＣＤ、Ｈｅｉｇｈｔ、ＭＣＤ及びＳＷＡのばらつきを算出し、記憶部１８５に記憶する（ステップＳ１０２）。ステップＳ１０２において、ＣＰＵ１８１が算出するばらつきは、ウエハＷの全領域における測定値を対象としてもよいし、特定の領域における測定値を対象としてもよい。また、ＣＰＵ１８１が算出するばらつきは、複数の特定の領域における測定値を対象としてもよい。   The CPU 181 calculates variations in TCD, BCD, Height, MCD, and SWA, and stores them in the storage unit 185 (step S102). In step S <b> 102, the variation calculated by the CPU 181 may be a measurement value in the entire region of the wafer W, or may be a measurement value in a specific region. Further, the variation calculated by the CPU 181 may be measured values in a plurality of specific areas.

ＣＰＵ１８１は、算出したばらつきが閾値より大きいか否か判定する（ステップＳ１０３）。ＣＰＵ１８１は、算出したばらつきが閾値より大きくないと判定した場合（ステップＳ１０３：ＮＯ）、処理を終了する。ＣＰＵ１８１は、算出したばらつきが閾値より大きいと判定した場合（ステップＳ１０３：ＹＥＳ）、フォーカスリングの交換時期に関する情報を生成する（ステップＳ１０４）。ステップＳ１０４においてＣＰＵ１８１が生成する情報は、例えばフォーカスリングの交換を促すメッセージである。なお、ステップＳ１０４において、ＣＰＵ１８１はフォーカスリングの交換を促す音声データを生成してもよい。ＣＰＵ１８１は、生成した情報を表示部１８４に表示し（ステップＳ１０５）、処理を終了する。   The CPU 181 determines whether or not the calculated variation is larger than the threshold value (step S103). If the CPU 181 determines that the calculated variation is not greater than the threshold value (step S103: NO), the process ends. When the CPU 181 determines that the calculated variation is larger than the threshold (step S103: YES), the CPU 181 generates information regarding the focus ring replacement time (step S104). The information generated by the CPU 181 in step S104 is, for example, a message that prompts replacement of the focus ring. In step S104, the CPU 181 may generate audio data that prompts replacement of the focus ring. The CPU 181 displays the generated information on the display unit 184 (step S105) and ends the process.

フォーカスリングは、累積エッチング時間が基準時間に達した場合、交換されている。しかし、フォーカスリングの消耗をモニタしてフォーカスリングを交換してはいない。そのため、フォーカスリングがまだ使用可能であっても、フォーカスリングを交換してしまう場合、無駄なコストが生じる。
また、フォーカスリングの消耗が激しいにも関わらず、交換の基準時間に達していない場合、フォーカスリングは交換されない。かかる場合、エッチング処理後の面内均一性は担保されず、結果として最終製品である半導体デバイスに求められる目標特性は得られなくなる。多くの場合、プラズマ処理装置に設定されるエッチングのレシピは１種類ではなく、複数種類であるため、フォーカスリングの消耗速度は一定ではない。そのため、基準時間によるフォーカスリングの交換には、おのずと限界がある。 The focus ring is replaced when the accumulated etching time reaches the reference time. However, the focus ring is not replaced by monitoring the consumption of the focus ring. Therefore, even if the focus ring is still usable, if the focus ring is replaced, a wasteful cost occurs.
Further, the focus ring is not replaced when the reference time for replacement is not reached even though the focus ring is heavily consumed. In such a case, the in-plane uniformity after the etching process is not ensured, and as a result, the target characteristics required for the semiconductor device as the final product cannot be obtained. In many cases, the etching recipe set in the plasma processing apparatus is not one type, but a plurality of types, so the consumption rate of the focus ring is not constant. For this reason, there is a limit to the replacement of the focus ring at the reference time.

分光エリプソメータ１によれば、製品であるウエハＷ上のパターンの寸法及び形状を短時間で正確に測定することができる。フォーカスリングの消耗による影響はパターンの面内均一性の低下として現れるため、分光エリプソメータ１はパターンの面内均一性をモニタすることにより、フォーカスリングの交換時期を正確に判定することができる。   According to the spectroscopic ellipsometer 1, the size and shape of the pattern on the wafer W, which is a product, can be accurately measured in a short time. Since the influence due to the consumption of the focus ring appears as a decrease in the in-plane uniformity of the pattern, the spectroscopic ellipsometer 1 can accurately determine the replacement time of the focus ring by monitoring the in-plane uniformity of the pattern.

面内均一性のパラメータの一つである線幅がＣＤ−ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）を用いて測定されることがある。
しかしながら、ＣＤ−ＳＥＭでは、ウエハＷの法線方向から線幅を測定するため、パターンの断面形状を測定することはできない。また、ＣＤ−ＳＥＭによる測定精度及び測定時間は、求められるパターンの品質要求及び製造コストに対して十分とはいえない。さらに、ＣＤ−ＳＥＭによってパターンに照射される電子ビームは、パターンを損傷させてしまう。 A line width, which is one of parameters of in-plane uniformity, may be measured using a CD-SEM (Scanning Electron Microscope).
However, since the CD-SEM measures the line width from the normal direction of the wafer W, the cross-sectional shape of the pattern cannot be measured. Further, the measurement accuracy and measurement time by CD-SEM are not sufficient for the required pattern quality requirement and manufacturing cost. Furthermore, the electron beam applied to the pattern by the CD-SEM damages the pattern.

図８は、パターンの線幅に関する測定結果の一例を示す説明図である。図８は、図４と同じ試料について、ＣＤ−ＳＥＭにより測定されたシフトＣＤの分布を示している。図８Ａ及び図８Ｂにおけるフォーカスリングの条件は、夫々図４Ａ及び図４Ｂにおけるフォーカスリングの条件と同じである。図８Ａ及び図８Ｂの縦軸及び横軸は、夫々図４Ａ及び図４Ｂの縦軸及び横軸と同じである。
図４Ａ及び図４Ｂと図８Ａ及び図８Ｂとを比較した場合、分光エリプソメータ１の方がＣＤ−ＳＥＭよりもシフトＣＤの測定精度が格段に高いことがわかる。図８では、パターンのシフトＣＤのばらつきよりも測定値のばらつきが余りにも大きく、面内のシフトＣＤの変化が分からない。
図４及び図８より、分光エリプソメータ１がいかにフォーカスリングの交換を判定する能力に優れているかが分かる。また、分光エリプソメータ１はパターンの形状を非破壊で測定することができる。 FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating an example of a measurement result regarding the line width of a pattern. FIG. 8 shows the distribution of shift CD measured by CD-SEM for the same sample as FIG. The conditions for the focus ring in FIGS. 8A and 8B are the same as the conditions for the focus ring in FIGS. 4A and 4B, respectively. The vertical axis and horizontal axis in FIGS. 8A and 8B are the same as the vertical axis and horizontal axis in FIGS. 4A and 4B, respectively.
When FIG. 4A and FIG. 4B are compared with FIG. 8A and FIG. 8B, it can be seen that the spectroscopic ellipsometer 1 has much higher measurement accuracy of the shift CD than the CD-SEM. In FIG. 8, the variation of the measured value is too large than the variation of the shift CD of the pattern, and the change of the in-plane shift CD is not known.
4 and 8, it can be seen how the spectroscopic ellipsometer 1 is excellent in the ability to determine the replacement of the focus ring. Further, the spectroscopic ellipsometer 1 can measure the shape of the pattern nondestructively.

フォーカスリングの交換時期の判定は、パターンの寸法又は形状に関する数値のばらつきの他に、測定されたパターンの寸法又は形状に関する数値の値そのものに基づいてもよい。例えば、ウエハＷの縁領域におけるＢＣＤ又はＳＷＡが所定の閾値より大きい場合に、ＣＰＵ１８１はフォーカスリングの交換時期であると判定してもよい。   The determination of the replacement time of the focus ring may be based on the numerical value itself related to the measured pattern dimension or shape, in addition to the variation in the numerical value related to the dimension or shape of the pattern. For example, when BCD or SWA in the edge region of the wafer W is larger than a predetermined threshold, the CPU 181 may determine that it is time to replace the focus ring.

実施の形態２
実施の形態２は、分光エリプソメータ１が測定したパターンの寸法又は形状に基づいて、プラズマ処理装置に備えられたフォーカスリングの温度をフィードバック制御する形態に関する。 Embodiment 2
The second embodiment relates to a form in which the temperature of the focus ring provided in the plasma processing apparatus is feedback controlled based on the size or shape of the pattern measured by the spectroscopic ellipsometer 1.

図９は、基板処理システム２の構成例を示す説明図である。基板処理システム（パターン形成システム）２は、基板処理装置及び分光エリプソメータ１を含む。基板処理装置は、例えばプラズマ処理装置（パターン形成装置）２０である。プラズマ処理装置２０は、ウエハＷ上の膜に対してエッチング処理を施し、パターンを形成する。プラズマ処理装置２０と分光エリプソメータ１とは、ウエハＷが通過可能なシャッタ（図示せず）を介して接合されている。エッチング処理後のウエハＷは、図示しない搬送機構によりプラズマ処理装置２０から分光エリプソメータ１に搬送される。分光エリプソメータ１は、プラズマ処理装置２０により形成されたパターンの寸法及び形状を測定する。   FIG. 9 is an explanatory diagram showing a configuration example of the substrate processing system 2. A substrate processing system (pattern forming system) 2 includes a substrate processing apparatus and a spectroscopic ellipsometer 1. The substrate processing apparatus is, for example, a plasma processing apparatus (pattern forming apparatus) 20. The plasma processing apparatus 20 performs an etching process on the film on the wafer W to form a pattern. The plasma processing apparatus 20 and the spectroscopic ellipsometer 1 are bonded via a shutter (not shown) through which the wafer W can pass. The etched wafer W is transferred from the plasma processing apparatus 20 to the spectroscopic ellipsometer 1 by a transfer mechanism (not shown). The spectroscopic ellipsometer 1 measures the size and shape of the pattern formed by the plasma processing apparatus 20.

プラズマ処理装置２０は、処理容器（チャンバ）２１、サセプタ２２、支持台２３、フォーカスリング２４、静電チャック２５、調温ガス供給部２６、排気装置２７、シャワーヘッド２８、処理ガス供給部２９及びコンピュータ３０を含む。
処理容器２１は、円筒型をなし、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属から構成されている。処理容器２１は保安接地されている。 The plasma processing apparatus 20 includes a processing container (chamber) 21, a susceptor 22, a support base 23, a focus ring 24, an electrostatic chuck 25, a temperature control gas supply unit 26, an exhaust device 27, a shower head 28, a processing gas supply unit 29, and A computer 30 is included.
The processing vessel 21 has a cylindrical shape and is made of a metal such as aluminum or stainless steel. The processing container 21 is grounded for safety.

サセプタ２２は、ウエハＷを載置する円盤状の載置台であり、処理容器２１内部に配置されている。サセプタ２２には高周波電源２２ａが接続されており、サセプタ２２は下部電極として作用する。サセプタ２２内部には、サセプタ２２底面中央からサセプタ２２周縁の上面まで伸びるガス通路２２ｂが設けられている。
支持台２３は、処理容器２１の底面からサセプタ２２を支持する円筒形部材である。 The susceptor 22 is a disk-shaped mounting table on which the wafer W is mounted, and is disposed inside the processing container 21. A high frequency power source 22a is connected to the susceptor 22, and the susceptor 22 functions as a lower electrode. Inside the susceptor 22, a gas passage 22 b extending from the center of the bottom surface of the susceptor 22 to the upper surface of the periphery of the susceptor 22 is provided.
The support base 23 is a cylindrical member that supports the susceptor 22 from the bottom surface of the processing container 21.

フォーカスリング２４は、ウエハＷの直径よりも大きな内径を有するリング状部材である。フォーカスリング２４は、サセプタ２２の上面の周縁部に配置される。フォーカスリング２４は、ウエハＷ上の異なる位置のパターンに対してエッチングレートに差が生じないようにする部材であり、パターンの面内均一性を高めるための部材である。フォーカスリング２４の材質は、例えばＳｉ、ＳｉＣ、Ｃ（ガラス状炭素）、ＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3 等である。 The focus ring 24 is a ring-shaped member having an inner diameter larger than the diameter of the wafer W. The focus ring 24 is disposed on the peripheral edge of the upper surface of the susceptor 22. The focus ring 24 is a member that prevents a difference in etching rate with respect to patterns at different positions on the wafer W, and is a member that improves the in-plane uniformity of the pattern. The material of the focus ring 24 is, for example, Si, SiC, C (glassy carbon), SiO 2 , Al 2 O 3 or the like.

フォーカスリング２４には、温度センサ２４ａ及びヒータ２４ｂが埋め込まれている。温度センサ２４ａは、フォーカスリング２４の測定温度に関する信号をコンピュータ３０に送信する。また、ヒータ２４ｂは図示しない電源から電力供給を受け、フォーカスリング２４を加熱する。   A temperature sensor 24 a and a heater 24 b are embedded in the focus ring 24. The temperature sensor 24 a transmits a signal related to the measured temperature of the focus ring 24 to the computer 30. The heater 24b is supplied with electric power from a power source (not shown) and heats the focus ring 24.

静電チャック２５は、ウエハＷが載置されるサセプタ２２上面及びフォーカスリング２４の底面と接するサセプタ２２上面に設けられている。静電チャック２５は、ウエハＷ及びフォーカスリング２４をサセプタ２２に吸着させる。なお、フォーカスリング２４と接する静電チャック２５には、下から上に伸びるガス通路２２ｂと重なる部分に開口が設けられている。   The electrostatic chuck 25 is provided on the upper surface of the susceptor 22 on which the wafer W is placed and the upper surface of the susceptor 22 in contact with the bottom surface of the focus ring 24. The electrostatic chuck 25 attracts the wafer W and the focus ring 24 to the susceptor 22. The electrostatic chuck 25 in contact with the focus ring 24 has an opening at a portion overlapping the gas passage 22b extending from the bottom to the top.

支持台２３内部には、処理容器２１底面を貫通し、サセプタ２２内部のガス通路２２ｂに達するガス導入管２３ａが設けられている。
調温ガス供給部２６は、フォーカスリング２４を冷却する調温ガスを蓄積する。ここでの調温ガスは、例えばＨｅ（ヘリウム）ガス等の熱伝導性ガスである。調温ガス供給部２６には、ガス導入管２３ａが接続されている。 A gas introduction pipe 23 a that penetrates the bottom surface of the processing container 21 and reaches the gas passage 22 b inside the susceptor 22 is provided inside the support base 23.
The temperature control gas supply unit 26 accumulates temperature control gas for cooling the focus ring 24. The temperature control gas here is, for example, a heat conductive gas such as He (helium) gas. A gas introduction pipe 23 a is connected to the temperature control gas supply unit 26.

調温ガス供給部２６からガス導入管２３ａに流出される調温ガスは、ガス通路２２ｂを経て、静電チャック２５とフォーカスリング２４との接触境界に供給される。そして、調温ガスはフォーカスリング２４を冷却する。   The temperature control gas flowing out from the temperature control gas supply unit 26 to the gas introduction pipe 23 a is supplied to the contact boundary between the electrostatic chuck 25 and the focus ring 24 through the gas passage 22 b. Then, the temperature control gas cools the focus ring 24.

排気装置２７は、処理容器２１底部に設けられた排気口２１ａと、排気管２７ａを介して接続されている。排気装置２７は、溜め込み式のクライオポンプ、ターボ分子ポンプ等の高真空ポンプを有し、処理容器２１内部を所望の真空度まで減圧する。   The exhaust device 27 is connected to an exhaust port 21a provided at the bottom of the processing container 21 via an exhaust pipe 27a. The exhaust device 27 includes a high vacuum pump such as a reservoir type cryopump or a turbo molecular pump, and depressurizes the inside of the processing vessel 21 to a desired degree of vacuum.

シャワーヘッド２８は、処理容器２１の天井に設けられており、処理ガス供給部２９から処理ガスを処理容器２１に導入する。シャワーヘッド２８は、接地電位である上部電極でもある。シャワーヘッド２８とサセプタ２２との間の空間において、処理ガスはプラズマ化され、プラズマ化された処理ガスはウエハＷ上の膜に対してエッチングを行う。なお、処理ガスは一般には複数種類のガスが混合したガスである。   The shower head 28 is provided on the ceiling of the processing container 21, and introduces processing gas from the processing gas supply unit 29 into the processing container 21. The shower head 28 is also an upper electrode having a ground potential. In the space between the shower head 28 and the susceptor 22, the processing gas is converted into plasma, and the plasma-ized processing gas etches the film on the wafer W. The processing gas is generally a gas in which a plurality of types of gases are mixed.

図１０は、コンピュータ３０の構成例を示すブロック図である。コンピュータは、ＣＰＵ（制御手段）３１、ＲＡＭ３２、入力部３３、表示部３４、記憶部３５、ディスクドライブ３６及び通信部（受付手段）３７を含む。   FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration example of the computer 30. The computer includes a CPU (control unit) 31, a RAM 32, an input unit 33, a display unit 34, a storage unit 35, a disk drive 36, and a communication unit (accepting unit) 37.

ＣＰＵ３１は、バスを介してコンピュータ３０のハードウェア各部と接続されている。ＣＰＵ３１は、ハードウェア各部を制御するとともに、記憶部３５に格納された各種プログラムに従って、種々のソフトウェア処理を実行する。
ＣＰＵ３１は、ヒータ２４ｂによるフォーカスリング２４の加熱を制御する。また、ＣＰＵ３１は、ガス導入管２３ａに設けられた図示しないバルブを制御することにより、フォーカスリング２４の冷却を制御する。 The CPU 31 is connected to each hardware part of the computer 30 via a bus. The CPU 31 controls each part of the hardware and executes various software processes according to various programs stored in the storage unit 35.
The CPU 31 controls the heating of the focus ring 24 by the heater 24b. Further, the CPU 31 controls cooling of the focus ring 24 by controlling a valve (not shown) provided in the gas introduction pipe 23a.

ＲＡＭ３２は、半導体素子等であり、ＣＰＵ３１の指示に従い必要な情報の書き込み及び読み出しを行う。入力部３３は、キーボード及びマウス、又はタッチパネル等の入力デバイスである。表示部３４は、例えば液晶ディスプレイ又は有機ＥＬディスプレイ等である。   The RAM 32 is a semiconductor element or the like, and writes and reads necessary information according to instructions from the CPU 31. The input unit 33 is an input device such as a keyboard and mouse or a touch panel. The display unit 34 is, for example, a liquid crystal display or an organic EL display.

記憶部３５は、例えばハードディスク又は大容量メモリであり、レシピ１Ｒ及びプログラム２Ｐを予め記憶する。レシピ１Ｒは、プラズマ処理装置２０において所定の処理を施す際の処理の手順を規定するデータである。レシピ１Ｒには、１又は複数の処理ステップが含まれ、各処理ステップ毎にプロセス条件が予め夫々のパラメータとして設定されている。例えば、当該パラメータは、フォーカスリング２４の温度、プロセス温度、プロセス圧力、ガス流量、処理時間等を含む。   The storage unit 35 is, for example, a hard disk or a large-capacity memory, and stores the recipe 1R and the program 2P in advance. The recipe 1 </ b> R is data that defines a processing procedure when performing a predetermined process in the plasma processing apparatus 20. The recipe 1R includes one or a plurality of processing steps, and process conditions are set in advance as parameters for each processing step. For example, the parameters include the temperature of the focus ring 24, the process temperature, the process pressure, the gas flow rate, the processing time, and the like.

ＣＰＵ３１は、プログラム２Ｐを実行することにより、レシピ１Ｒに従ってプラズマ処理装置２０による処理を制御する。プログラム２Ｐは、分光エリプソメータ１からの信号に基づいて、フォーカスリング２４の温度を制御する処理を含む。   The CPU 31 controls the processing by the plasma processing apparatus 20 according to the recipe 1R by executing the program 2P. The program 2P includes processing for controlling the temperature of the focus ring 24 based on a signal from the spectroscopic ellipsometer 1.

ディスクドライブ３６は、外部の記録媒体であるＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤ等の光ディスク１ｄから情報を読み込み、光ディスク１ｄに情報を記録する。   The disk drive 36 reads information from an optical disk 1d such as a CD, DVD, or BD, which is an external recording medium, and records information on the optical disk 1d.

通信部３７は、分光エリプソメータ１のコンピュータ１８と通信をするインタフェースである。通信部３７は、ＬＡＮ、インターネット、電話回線等に接続されていてもよい。   The communication unit 37 is an interface that communicates with the computer 18 of the spectroscopic ellipsometer 1. The communication unit 37 may be connected to a LAN, the Internet, a telephone line, or the like.

次に、基板処理システム２の動作について説明する。
フォトレジストが塗布された有機膜を有するウエハＷを、図示しない搬送機構によりサセプタ２２の上に載置する。ウエハＷは、フォーカスリング２４に接触、又は乗り上げないように静電チャック２５を介してサセプタ２２上に載置される。静電チャック２５により、ウエハＷ及びフォーカスリング２４は、サセプタ２２に吸着される。 Next, the operation of the substrate processing system 2 will be described.
A wafer W having an organic film coated with a photoresist is placed on the susceptor 22 by a transfer mechanism (not shown). The wafer W is placed on the susceptor 22 via the electrostatic chuck 25 so as not to contact or ride on the focus ring 24. The wafer W and the focus ring 24 are attracted to the susceptor 22 by the electrostatic chuck 25.

処理ガス供給部２９から混合ガスである処理ガスを処理容器２１に所定の流量及び流量比で導入する。排気装置２７により処理容器２１内部の圧力を設定値にする。また、ＣＰＵ３１により、フォーカスリング２４の温度がレシピ１Ｒに従って設定される。なお、分光エリプソメータ１によるパターン測定前は、フォーカスリング２４の温度は制御されなくてもよい。
高周波電源２２ａから電圧をサセプタ２２に印加した場合、処理ガスは解離し、プラズマとなる。このプラズマによりウエハＷ上の有機膜はエッチングされ、パターンが形成される。 A processing gas as a mixed gas is introduced from the processing gas supply unit 29 into the processing container 21 at a predetermined flow rate and flow rate ratio. The pressure inside the processing vessel 21 is set to a set value by the exhaust device 27. Further, the temperature of the focus ring 24 is set by the CPU 31 according to the recipe 1R. Note that the temperature of the focus ring 24 may not be controlled before pattern measurement by the spectroscopic ellipsometer 1.
When a voltage is applied to the susceptor 22 from the high frequency power source 22a, the processing gas is dissociated and becomes plasma. The organic film on the wafer W is etched by this plasma, and a pattern is formed.

プラズマ処理装置２０と分光エリプソメータ１との間のシャッタを開ける。エッチングが終了したウエハＷは、図示しない搬送機構によりプラズマ処理装置２０から分光エリプソメータ１に搬送される。分光エリプソメータ１は、プラズマ処理装置２０により形成されたパターンの寸法及び形状を測定する。   A shutter between the plasma processing apparatus 20 and the spectroscopic ellipsometer 1 is opened. The etched wafer W is transferred from the plasma processing apparatus 20 to the spectroscopic ellipsometer 1 by a transfer mechanism (not shown). The spectroscopic ellipsometer 1 measures the size and shape of the pattern formed by the plasma processing apparatus 20.

コンピュータ１８のＣＰＵ１８１は、測定した寸法又は形状に関する数値のばらつきが閾値より大きいか否か判定する。
ここでの閾値は、プラズマ処理装置２０のフォーカスリング２４の温度制御を行うか否かを判定する基準となる閾値である。この閾値は、実施の形態１における閾値と同じでもよいし、異なっていてもよい。この閾値が実施の形態１と同じ閾値である場合、フォーカスリング２４は交換されず、温度に関してフィードバック制御を受けながら使用され続ける。これにより、フォーカスリング２４の寿命が伸ばされる。例えば、この閾値が実施の形態１における閾値より小さい場合、フォーカスリング２４を交換する必要はなく、低下したパターンの面内均一性を高めるべく、フォーカスリング２４の温度がフィードバック制御される。 The CPU 181 of the computer 18 determines whether or not the numerical value variation regarding the measured size or shape is larger than the threshold value.
The threshold value here is a threshold value that serves as a reference for determining whether or not to control the temperature of the focus ring 24 of the plasma processing apparatus 20. This threshold value may be the same as or different from the threshold value in the first embodiment. When this threshold value is the same threshold value as in the first embodiment, the focus ring 24 is not exchanged and continues to be used while receiving feedback control regarding the temperature. Thereby, the life of the focus ring 24 is extended. For example, when this threshold value is smaller than the threshold value in the first embodiment, it is not necessary to replace the focus ring 24, and the temperature of the focus ring 24 is feedback-controlled to improve the in-plane uniformity of the lowered pattern.

上記の閾値と比較されるばらつきは、ウエハＷの全領域におけるばらつきでもよいし、特定領域のばらつきでもよい。例えば、ウエハＷの縁領域のばらつきを閾値と比較してもよい。
なお、ばらつきは、データの範囲、分散、標準偏差、不偏分散、平均偏差等、何でもよい。当該閾値を、予め記憶部１８５に記憶しておく。 The variation compared with the above threshold value may be a variation in the entire region of the wafer W or a variation in a specific region. For example, the variation in the edge region of the wafer W may be compared with a threshold value.
The variation may be any data range, variance, standard deviation, unbiased variance, average deviation, and the like. The threshold value is stored in the storage unit 185 in advance.

ＣＰＵ１８１は、算出したばらつきが所定の閾値より大きい場合、パターンのばらつきを示す情報をプラズマ処理装置２０のコンピュータ３０に与える。コンピュータ３０のＣＰＵ３１は、コンピュータ１８からの情報を受け付けた場合、受け付けたばらつきの情報に基づいて、レシピ１Ｒから新たなエッチング条件を検索する。ＣＰＵ３１は、プラズマ処理装置２０に検索した新たなエッチング条件を設定する。これにより、フォーカスリング２４の温度は、新たなエッチング条件に従い、それまでの温度とは異なる温度又は同じ温度に調整される。
上記のために、記憶部３５のレシピ１Ｒに、フォーカスリング２４の温度を含むエッチング条件とパターンのばらつきとを対応付けて記憶しておく。例えば、あるばらつきと、そのばらつきを低減させるエッチング条件とを対応付けてレシピ１Ｒに記憶しておく。
なお、ＣＰＵ１８１はパターンのばらつきを表示部１８４に表示し、ユーザがマニュアル操作でフォーカスリング２４の温度を含むエッチング条件をプラズマ処理装置２０に設定してもよい。 When the calculated variation is larger than a predetermined threshold, the CPU 181 gives information indicating the variation of the pattern to the computer 30 of the plasma processing apparatus 20. When receiving information from the computer 18, the CPU 31 of the computer 30 searches for new etching conditions from the recipe 1R based on the received variation information. The CPU 31 sets a new etching condition searched for in the plasma processing apparatus 20. Thereby, the temperature of the focus ring 24 is adjusted to a temperature different from the previous temperature or the same temperature according to new etching conditions.
For the above, the etching condition including the temperature of the focus ring 24 and the pattern variation are stored in the recipe 1R of the storage unit 35 in association with each other. For example, a certain variation and an etching condition for reducing the variation are associated with each other and stored in the recipe 1R.
The CPU 181 may display the pattern variation on the display unit 184, and the user may manually set the etching conditions including the temperature of the focus ring 24 in the plasma processing apparatus 20.

ＣＰＵ３１は、温度センサ２４ａが示すフォーカスリング２４の温度をモニタしながら、ヒータ２４ｂによる加熱と調温ガスによる冷却とを実行し、フォーカスリング２４の温度を制御する。ＣＰＵ３１は、新たなエッチング条件に従い、フォーカスリング２４の温度以外の条件（例えば、プロセス温度、プロセス圧力、ガス流量、処理時間等）も調整する。
なお、ＣＰＵ３１が実行するフォーカスリング２４の温度制御は、エッチング処理の開始から終了までの間、一定温度に保つものであってもよいし、温度を変化させるものであってもよい。 While monitoring the temperature of the focus ring 24 indicated by the temperature sensor 24a, the CPU 31 performs heating by the heater 24b and cooling by the temperature control gas, and controls the temperature of the focus ring 24. The CPU 31 adjusts conditions other than the temperature of the focus ring 24 (for example, process temperature, process pressure, gas flow rate, processing time, etc.) according to new etching conditions.
The temperature control of the focus ring 24 executed by the CPU 31 may be a constant temperature from the start to the end of the etching process, or may be a temperature change.

図１１は、パターンの線幅に関する測定結果の一例を示す説明図である。図１１Ａ及び１１Ｂは、使用時間が１０時間未満であるフォーカスリング２４を用いてエッチングされたパターンの線幅に関する測定結果を示している。フォーカスリング２４の温度は、図１１Ａの場合、３７．２℃であり、図１１Ｂの場合、６６．２℃である。   FIG. 11 is an explanatory diagram illustrating an example of a measurement result regarding the line width of a pattern. FIGS. 11A and 11B show the measurement results relating to the line width of the pattern etched using the focus ring 24 that has been used for less than 10 hours. The temperature of the focus ring 24 is 37.2 ° C. in the case of FIG. 11A, and 66.2 ° C. in the case of FIG. 11B.

図１１Ａ及び図１１Ｂの縦軸は、シフトＣＤであり、単位はｎｍである。ここでのシフトＣＤは、図４Ａ及び図４ＢのシフトＣＤと同じである。図１１Ａ及び図１１Ｂの横軸は、ウエハＷ上の測定位置を示し、単位はｍｍである。すなわち、図１１Ａ及び図１１Ｂの横軸は、図４Ａ及び図４Ｂの横軸と同じである。   The vertical axis of FIG. 11A and FIG. 11B is the shift CD, and the unit is nm. The shift CD here is the same as the shift CD in FIGS. 4A and 4B. 11A and 11B indicate measurement positions on the wafer W, and the unit is mm. That is, the horizontal axis in FIGS. 11A and 11B is the same as the horizontal axis in FIGS. 4A and 4B.

図１１Ａ及び図１１Ｂを比較した場合、シフトＣＤの面内均一性は、フォーカスリング２４の温度がより高い方が若干高い。例えば、フォーカスリング２４の温度がより低い図１１Ａの場合、ウエハＷの縁から中心へ向かって１０ｍｍまでの領域において、シフトＣＤの値は他の領域よりも約２ｎｍ小さい。   11A and 11B are compared, the in-plane uniformity of the shift CD is slightly higher when the temperature of the focus ring 24 is higher. For example, in the case of FIG. 11A where the temperature of the focus ring 24 is lower, the value of the shift CD is about 2 nm smaller than the other regions in the region from the edge of the wafer W to 10 mm toward the center.

図１２は、パターンのＳＷＡに関する測定結果の一例を示す説明図である。図１２Ａ及び図１２Ｂにおけるフォーカスリングの温度条件は、夫々図１１Ａ及び図１１Ｂにおけるフォーカスリングの温度条件と同じである。図１２Ａ及び図１２Ｂの縦軸は、ＳＷＡであり、単位は度である。すなわち、図１２Ａ及び図１２Ｂの縦軸及び横軸は、夫々図５Ａ及び図５Ｂの縦軸及び横軸と同じである。
図１２Ａ及び図１２Ｂを比較した場合、フォーカスリング２４の温度が低い方がＳＷＡに関する面内均一性は高い。フォーカスリング２４の温度がより高い図１２Ｂの場合、ウエハＷの縁から中心へ向かって５０ｍｍまでの領域において、ＳＷＡが他の領域に比べて約０．３度小さくなる。他方、フォーカスリング２４の温度がより低い図１２Ａの場合、ＳＷＡの面内均一性が高く、ウエハＷの縁から中心へ向かって５０ｍｍまでの領域においても、線の側壁は垂直に近い。 FIG. 12 is an explanatory diagram illustrating an example of a measurement result regarding the pattern SWA. The temperature conditions of the focus ring in FIGS. 12A and 12B are the same as the temperature conditions of the focus ring in FIGS. 11A and 11B, respectively. The vertical axis | shaft of FIG. 12A and 12B is SWA, and a unit is a degree. That is, the vertical axis and the horizontal axis in FIGS. 12A and 12B are the same as the vertical axis and the horizontal axis in FIGS. 5A and 5B, respectively.
When comparing FIGS. 12A and 12B, the lower the temperature of the focus ring 24, the higher the in-plane uniformity with respect to SWA. In the case of FIG. 12B in which the temperature of the focus ring 24 is higher, SWA is reduced by about 0.3 degrees in the region from the edge of the wafer W to 50 mm toward the center compared to the other regions. On the other hand, in the case of FIG. 12A where the temperature of the focus ring 24 is lower, the in-plane uniformity of SWA is high, and the side walls of the lines are nearly vertical even in the region from the edge of the wafer W to 50 mm toward the center.

図１３は、パターンのＨｅｉｇｈｔに関する測定結果の一例を示す説明図である。図１３Ａ及び図１３Ｂにおけるフォーカスリングの温度条件は、夫々図１１Ａ及び図１１Ｂにおけるフォーカスリングの温度条件と同じである。図１３Ａ及び図１３Ｂの縦軸及び横軸は、Ｈｅｉｇｈｔであり、単位はｎｍである。すなわち、図１３Ａ及び図１３Ｂの縦軸及び横軸は、図６Ａ及び図６Ｂの横軸と同じである。
図１３Ａ及び図１３Ｂを比較した場合、フォーカスリング２４の温度の違いによるＨｅｉｇｈｔの面内均一性の差はほとんど認められない。 FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating an example of a measurement result regarding the height of a pattern. The temperature conditions of the focus ring in FIGS. 13A and 13B are the same as the temperature conditions of the focus ring in FIGS. 11A and 11B, respectively. The vertical axis and horizontal axis of FIGS. 13A and 13B are Height and the unit is nm. That is, the vertical and horizontal axes in FIGS. 13A and 13B are the same as the horizontal axes in FIGS. 6A and 6B.
When comparing FIG. 13A and FIG. 13B, there is almost no difference in the in-plane uniformity of the Height due to the difference in the temperature of the focus ring 24.

以上の測定結果から、フォーカスリング２４の温度がパターンの面内均一性に関係することは明らかである。ただし、パターンの面内均一性を高めるためには、単純にフォーカスリング２４の温度を上げればよいとか、下げればよいとはいえず、パターンの寸法又は形状に関するパラメータによって温度は高い方がよかったり、低い方がよかったりする。例えば、図１１、図１２及び図１３のパターンの面内均一性を総合的に高めるために、フォーカスリング２４の温度を３７．２℃と６６．２℃との間に変更することが考えられる。
図１１、図１２及び図１３は一実験例である。エッチング条件には様々な多様性がある。パターンの寸法及び形状のばらつきと、当該ばらつきを小さくするフォーカスリング２４の温度及び他のパラメータを含むエッチング条件とを対応付けて、レシピ１Ｒに記憶しておく。 From the above measurement results, it is clear that the temperature of the focus ring 24 is related to the in-plane uniformity of the pattern. However, in order to improve the in-plane uniformity of the pattern, it cannot be said that the temperature of the focus ring 24 should simply be raised or lowered, and it is better that the temperature is higher depending on the parameters related to the dimension or shape of the pattern. The lower one is better. For example, it is conceivable to change the temperature of the focus ring 24 between 37.2 ° C. and 66.2 ° C. in order to comprehensively improve the in-plane uniformity of the patterns of FIGS. .
11, 12 and 13 show an experimental example. There are various variations in etching conditions. Variations in the size and shape of the pattern are associated with the temperature of the focus ring 24 that reduces the variation and etching conditions including other parameters, and are stored in the recipe 1R.

図１４は、フォーカスリング２４の温度を制御する処理の手順を示すフローチャートである。なお、パターンのＴＣＤ、ＢＣＤ、ＭＣＤ、Ｈｅｉｇｈｔ及びＳＷＡは、記憶部１８５に記憶されているものとする。
分光エリプソメータ１のＣＰＵ１８１は、ＴＣＤ、ＢＣＤ、ＭＣＤ、Ｈｅｉｇｈｔ及びＳＷＡを記憶部１８５から読み出す（ステップＳ２０１）。ＣＰＵ１８１は、ＴＣＤ、ＢＣＤ、Ｈｅｉｇｈｔ、ＭＣＤ及びＳＷＡのばらつきを算出し、記憶部１８５に記憶する（ステップＳ２０２）。 FIG. 14 is a flowchart illustrating a processing procedure for controlling the temperature of the focus ring 24. It is assumed that the TCD, BCD, MCD, Height, and SWA of the pattern are stored in the storage unit 185.
The CPU 181 of the spectroscopic ellipsometer 1 reads TCD, BCD, MCD, Height, and SWA from the storage unit 185 (step S201). The CPU 181 calculates variations in TCD, BCD, Height, MCD, and SWA, and stores them in the storage unit 185 (step S202).

ＣＰＵ１８１は、算出したばらつきが閾値より大きいか否か判定する（ステップＳ２０３）。ＣＰＵ１８１は、算出したばらつきが閾値より大きくないと判定した場合（ステップＳ２０３：ＮＯ）、処理を終了する。ＣＰＵ１８１は、算出したばらつきが閾値より大きいと判定した場合（ステップＳ２０３：ＹＥＳ）、ばらつきに関する情報をプラズマ処理装置２０に与える（ステップＳ２０４）。   The CPU 181 determines whether or not the calculated variation is larger than the threshold (step S203). If the CPU 181 determines that the calculated variation is not greater than the threshold (step S203: NO), the process ends. When the CPU 181 determines that the calculated variation is larger than the threshold (step S203: YES), the CPU 181 gives information related to the variation to the plasma processing apparatus 20 (step S204).

プラズマ処理装置のＣＰＵ３１は、ばらつきに関する情報を受け付け、受け付けたばらつきに基づいて、レシピ１Ｒを検索する（ステップＳ２０５）。ＣＰＵ３１は、ヒットしたフォーカスリング２４の新たな温度を取得する（ステップＳ２０６）。ＣＰＵ３１は、取得した新たな温度に基づいて、フォーカスリング２４の温度をフィードバック制御し（ステップＳ２０７）、処理を終了する。   CPU31 of a plasma processing apparatus receives the information regarding dispersion | variation, and searches recipe 1R based on the received dispersion | variation (step S205). The CPU 31 acquires a new temperature of the hit focus ring 24 (step S206). The CPU 31 feedback-controls the temperature of the focus ring 24 based on the acquired new temperature (step S207), and ends the process.

基板処理システム２によれば、ウエハＷ上のパターンの寸法又は形状に関する数値のばらつきに基づいて、フォーカスリング２４の温度をフィードバック制御する。フォーカスリング２４の温度をフィードバック制御することにより、パターンの面内均一性を高めることができ、フォーカスリング２４の寿命を更に伸ばすことができる。   According to the substrate processing system 2, feedback control of the temperature of the focus ring 24 is performed based on variations in numerical values related to the dimensions or shapes of the patterns on the wafer W. By performing feedback control of the temperature of the focus ring 24, the in-plane uniformity of the pattern can be improved, and the life of the focus ring 24 can be further extended.

パターンの寸法又は形状に関する数値のばらつきは、分光エリプソメータ１のコンピュータ１８が算出する。しかし、分光エリプソメータ１からプラズマ処理装置２０へパターンの寸法又は形状に関する数値を送信し、プラズマ処理装置２０のコンピュータ３０がパターンの寸法又は形状に関する数値のばらつきを算出してもよい。   The computer 18 of the spectroscopic ellipsometer 1 calculates variations in numerical values related to the size or shape of the pattern. However, a numerical value related to the dimension or shape of the pattern may be transmitted from the spectroscopic ellipsometer 1 to the plasma processing apparatus 20, and the computer 30 of the plasma processing apparatus 20 may calculate a variation in the numerical value related to the dimension or shape of the pattern.

分光エリプソメータ１はコンピュータ１８により制御され、プラズマ処理装置２０はコンピュータ３０により制御される。しかし、分光エリプソメータ１とプラズマ処理装置２０とを１台のコンピュータで制御してもよい。かかる場合、１台のコンピュータの記憶部にプログラム１Ｐ、２Ｐ、ライブラリ１Ｌ、レシピ１Ｒを記憶させておく。   The spectroscopic ellipsometer 1 is controlled by a computer 18, and the plasma processing apparatus 20 is controlled by a computer 30. However, the spectroscopic ellipsometer 1 and the plasma processing apparatus 20 may be controlled by a single computer. In such a case, the programs 1P, 2P, the library 1L, and the recipe 1R are stored in the storage unit of one computer.

測定した寸法又は形状に関する数値のばらつきではなく、測定した寸法又は形状に関する数値そのものに基づいて、フォーカスリング２４の温度をフィードバック制御してもよい。
例えば、ウエハＷの縁領域のＢＣＤが、ウエハＷの中心でのＢＣＤに比べて閾値を超えて変化した場合、フォーカスリング２４の温度をフィードバック制御してもよい。あるいは、ウエハＷの縁領域のＳＷＡが、ウエハＷの中心でのＳＷＡに比べて閾値を超えて変化した場合、フォーカスリング２４の温度をフィードバック制御してもよい。 The temperature of the focus ring 24 may be feedback-controlled based on the numerical value relating to the measured dimension or shape itself, not the variation in the numerical value relating to the measured dimension or shape.
For example, when the BCD in the edge region of the wafer W changes beyond a threshold value compared to the BCD at the center of the wafer W, the temperature of the focus ring 24 may be feedback controlled. Alternatively, when the SWA in the edge region of the wafer W changes beyond the threshold value compared to the SWA at the center of the wafer W, the temperature of the focus ring 24 may be feedback controlled.

本実施の形態では、パターンの寸法又は形状に関する数値のばらつきに基づいて、フォーカスリング２４の温度をフィードバック制御した。しかし、制御される対象はウエハＷであってもよい。サセプタ２２上部に複数の温度センサ、ヒータ等を埋設するとともに、調温ガスが流通するガス通路２２ｂの出口をウエハＷが接するサセプタ２２の上面に複数設ける。ガス通路２２ｂの出口が重なる静電チャック２５の部分に開口を設ける。これにより、調温ガスは静電チャック２５とウエハＷとの接触境界に供給される。そして、ＣＰＵ３１は、温度センサからの測定温度に基づいて、ウエハＷに対してヒータによる加熱と調温ガスによる冷却を制御する。その際に、ＣＰＵ１１は、パターンの寸法又は形状に関する数値のばらつきを参照して、ウエハＷの温度分布を制御する。
エッチングレートは被エッチング対象物の温度に依存するため、ウエハＷの温度分布を制御することにより、パターンの面内均一性を高めることができる。なお、フォーカスリング２４及びウエハＷの温度を同時に制御してもよい。 In the present embodiment, feedback control of the temperature of the focus ring 24 is performed based on variations in numerical values related to the dimension or shape of the pattern. However, the object to be controlled may be the wafer W. A plurality of temperature sensors, heaters, and the like are embedded in the upper portion of the susceptor 22, and a plurality of outlets of the gas passage 22 b through which the temperature control gas flows are provided on the upper surface of the susceptor 22 with which the wafer W is in contact. An opening is provided in the portion of the electrostatic chuck 25 where the outlet of the gas passage 22b overlaps. Thereby, the temperature control gas is supplied to the contact boundary between the electrostatic chuck 25 and the wafer W. Then, the CPU 31 controls heating by the heater and cooling by the temperature control gas with respect to the wafer W based on the measured temperature from the temperature sensor. At that time, the CPU 11 controls the temperature distribution of the wafer W with reference to the variation of the numerical values related to the dimension or shape of the pattern.
Since the etching rate depends on the temperature of the object to be etched, the in-plane uniformity of the pattern can be improved by controlling the temperature distribution of the wafer W. Note that the temperatures of the focus ring 24 and the wafer W may be controlled simultaneously.

分光エリプソメータ１を動作させるためのプログラム１Ｐは、ディスクドライブ１８６に光ディスク１ｄを読み取らせて記憶部１８５に記録してもよい。また、プログラム１Ｐは、通信部１８７を介して接続される外部の情報処理装置又は記録装置（図示せず）からダウンロードすることも可能である。あるいは、また、プログラム１Ｐを記録したフラッシュメモリ等の半導体メモリ１ｃが分光エリプソメータ１内に実装されてもよい。   The program 1P for operating the spectroscopic ellipsometer 1 may be recorded in the storage unit 185 by causing the disk drive 186 to read the optical disk 1d. The program 1P can also be downloaded from an external information processing apparatus or recording apparatus (not shown) connected via the communication unit 187. Alternatively, a semiconductor memory 1c such as a flash memory in which the program 1P is recorded may be mounted in the spectroscopic ellipsometer 1.

プラズマ処理装置２０を動作させるためのプログラム２Ｐは、ディスクドライブ３６に光ディスク１ｄを読み取らせて記憶部３５に記録してもよい。また、プログラム２Ｐは、通信部３７を介して接続される外部の情報処理装置又は記録装置（図示せず）からダウンロードすることも可能である。あるいは、また、プログラム２Ｐを記録したフラッシュメモリ等の半導体メモリ１ｃがプラズマ処理装置２０内に実装されてもよい。   The program 2P for operating the plasma processing apparatus 20 may be recorded in the storage unit 35 by causing the disk drive 36 to read the optical disk 1d. The program 2P can also be downloaded from an external information processing apparatus or recording apparatus (not shown) connected via the communication unit 37. Alternatively, a semiconductor memory 1c such as a flash memory in which the program 2P is recorded may be mounted in the plasma processing apparatus 20.

実施の形態２は以上の如きであり、その他は実施の形態１と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。   The second embodiment is as described above, and the other parts are the same as those of the first embodiment. Accordingly, the corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

１ 分光エリプソメータ（判定装置、測定装置）
１２ 光照射器
１４ 光取得器
１５ 分光器（測定手段）
１８ コンピュータ
１８１ ＣＰＵ（判定手段）
１８４ 表示部
１８５ 記憶部
１８７ 通信部（付与手段）
２ 基板処理システム（パターン形成システムシステム）
２０ プラズマ処理装置（パターン形成装置）
３１ ＣＰＵ（制御手段）
３７ 通知部（受付手段）
２４ フォーカスリング
Ｗ ウエハ
１Ｌ ライブラリ
１Ｒ レシピ 1 Spectroscopic ellipsometer (judgment device, measuring device)
12 Light Irradiator 14 Light Acquirer 15 Spectrometer (Measuring Means)
18 computer 181 CPU (determination means)
184 Display unit 185 Storage unit 187 Communication unit (giving means)
2 Substrate processing system (pattern formation system system)
20 Plasma processing equipment (pattern forming equipment)
31 CPU (control means)
37 Notification section (reception means)
24 Focus ring W Wafer 1L Library 1R Recipe

Claims (10)

処理容器と、
該処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記基板を載置する載置台と、
前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと、
前記載置台に配置し、前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと、
前記フォーカスリングを加熱するヒータと、
前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と、
前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記フォーカスリングを前記ヒータによる加熱と前記温調ガス供給部からの冷媒の供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御して、前記基板をエッチングする制御部と、
エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段と
を備え、
測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御する
ことを特徴とする基板処理システム。 A processing vessel;
Plasma generating means for generating plasma for etching a substrate on the processing vessel;
A mounting table for mounting the substrate;
A focus ring disposed around the substrate;
An electrostatic chuck disposed on the mounting table and electrostatically attracting the substrate and the focus ring;
A heater for heating the focus ring;
A temperature control gas supply unit for supplying a heat conductive gas to cool the focus ring;
A gas supply unit for supplying a processing gas into the processing container;
An exhaust means for reducing the pressure inside the processing container to a predetermined degree of vacuum;
The focus ring temperature is controlled by controlling heating of the focus ring by the heater and cooling by supply of a refrigerant from the temperature control gas supply unit so as to enhance in-plane uniformity when the substrate is etched. And a controller for etching the substrate ;
Measuring means for measuring the shape or size of the pattern by etching ,
A substrate processing system , wherein the temperature of the focus ring is controlled based on the measured shape or size of the pattern . 前記熱伝導性ガスは、前記フォーカスリングと前記静電チャックの接触境界に供給される構成からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 1, wherein the thermal conductive gas is supplied to a contact boundary between the focus ring and the electrostatic chuck. 処理容器と、
該処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記基板を載置する載置台と、
前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと、
前記載置台に配置し、前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと、
前記フォーカスリングを加熱するヒータと、
前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と、
前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程と、前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程とを行い前記フォーカスリングの温度を制御する制御部と、
エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段と
を備え、
測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御する
ことを特徴とする基板処理システム。 A processing vessel;
Plasma generating means for generating plasma for etching a substrate on the processing vessel;
A mounting table for mounting the substrate;
A focus ring disposed around the substrate;
An electrostatic chuck disposed on the mounting table and electrostatically attracting the substrate and the focus ring;
A heater for heating the focus ring;
A temperature control gas supply unit for supplying a heat conductive gas to cool the focus ring;
A gas supply unit for supplying a processing gas into the processing container;
An exhaust means for reducing the pressure inside the processing container to a predetermined degree of vacuum;
The step of electrostatically attracting the focus ring to the mounting table, the step of setting the temperature of the focus ring, and the focus ring are heated by a heater so as to improve in-plane uniformity when the substrate is etched A controller for controlling the temperature of the focus ring by performing a process and a process of supplying He gas to the lower surface of the focus ring and cooling it ;
Measuring means for measuring the shape or size of the pattern by etching ,
A substrate processing system , wherein the temperature of the focus ring is controlled based on the measured shape or size of the pattern . 前記熱伝導性ガスは、前記フォーカスリングと前記静電チャックの接触境界に供給される構成からなる
ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 3, wherein the thermally conductive gas is supplied to a contact boundary between the focus ring and the electrostatic chuck. 載置台上に静電吸着された基板上の膜をエッチングした際に、面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの温度制御方法において、
前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程と、
前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、
前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、
前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程と
を有し、
前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御することとし、
エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し、
測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御する
ことを特徴とするフォーカスリングの温度制御方法。 In the temperature control method of the focus ring arranged around the substrate in order to improve in-plane uniformity when etching the film on the substrate electrostatically adsorbed on the mounting table,
Electrostatically attracting the focus ring to the mounting table;
Setting the temperature of the focus ring;
Heating the focus ring with a heater;
Supplying He gas to the lower surface of the focus ring and cooling it,
The temperature of the focus ring is controlled by controlling heating by the heater and cooling by supplying He gas so as to improve in-plane uniformity when the substrate is etched ,
Further comprising measuring the shape or dimensions of the pattern by etching;
A temperature control method for a focus ring , wherein the temperature of the focus ring is controlled based on the measured shape or size of the pattern . 前記基板は、前記基板上に膜が形成され、前記エッチングによりパターンを形成される
ことを特徴とする請求項５に記載のフォーカスリングの温度制御方法。 The focus ring temperature control method according to claim 5, wherein a film is formed on the substrate, and a pattern is formed by the etching. 前記パターンの形状又は寸法を測定する工程は、複数の位置における前記パターンの形状又は寸法を測定し、
前記複数の位置におけるパターンの形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へフィードバックして前記フォーカスリングの温度を制御する
ことを特徴とする請求項５または６に記載のフォーカスリングの温度制御方法。 The step of measuring the shape or dimension of the pattern measures the shape or dimension of the pattern at a plurality of positions,
If the variation of the data of the pattern shape or size of the plurality of locations is greater than a predetermined threshold, in Claim 5 or 6, characterized in that is fed back to the temperature of the focus ring to control the temperature of the focus ring The temperature control method of the focus ring as described. 載置台上に静電吸着された基板のエッチング方法において、
前記載置台に前記基板を静電吸着する工程と、
前記基板の周囲に配置されるフォーカスリングを前記載置台に静電吸着する工程と、
前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、
前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、
前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程と、
前記基板上にプラズマを生成する工程と、
前記基板を前記プラズマによりエッチングする工程と
を有し、
前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御して、前記基板をエッチングすることとし、
エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し、
測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御する
ことを特徴とする基板のエッチング方法。 In the etching method of the substrate electrostatically adsorbed on the mounting table,
A step of electrostatically adsorbing the substrate to the mounting table;
A step of electrostatically attracting a focus ring disposed around the substrate to the mounting table;
Setting the temperature of the focus ring;
Heating the focus ring with a heater;
Supplying He gas to the lower surface of the focus ring and cooling it;
Generating plasma on the substrate;
Etching the substrate with the plasma, and
To enhance surface uniformity at the time of etching the substrate, by controlling the cooling by the supply of heat and He gas by the heater, said controlling the temperature of the focus ring, etching the substrate age,
Further comprising measuring the shape or dimensions of the pattern by etching;
A substrate etching method , wherein the temperature of the focus ring is controlled based on the measured shape or size of the pattern . 前記基板は、前記基板上に膜が形成され、前記エッチングによりパターンが形成される
ことを特徴とする請求項８に記載の基板のエッチング方法。 The substrate etching method according to claim 8 , wherein a film is formed on the substrate, and a pattern is formed by the etching. 前記パターンの形状又は寸法を測定する工程は、複数の位置における前記パターンの形状又は寸法を測定し、
前記複数の位置におけるパターンの形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へフィードバックして前記フォーカスリングの温度を制御する
ことを特徴とする請求項８または９に記載の基板のエッチング方法。 The step of measuring the shape or dimension of the pattern measures the shape or dimension of the pattern at a plurality of positions,
If the variation of the data of the pattern shape or size of the plurality of locations is greater than a predetermined threshold, in Claim 8 or 9, characterized in that is fed back to the temperature of the focus ring to control the temperature of the focus ring The etching method of the board | substrate of description.
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