JP6211579B2 - テーブル・オブ・コンテンツエントリを使用してデータを格納するためのシステムおよび方法 - Google Patents
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Description
システムが持続性ストレージにデータを書き込みかつ持続性ストレージからデータを読み出し得るスピードはしばしば、システムの全体の性能の重大なファクタである。持続性ストレージからのデータの読み出しおよび持続性ストレージへのデータの書き込みの従来のアプローチは、システムカーネルにおける複数のレイヤーおよびハードウェアにおける複数のエンティティによる処理を必要とする。結果として、持続性ストレージからのデータの読み出しおよび持続性ストレージへのデータの書き込みによって、システムにおいて著しいレイテンシーが導入され、その結果、システムの全体の性能が低減される。
一般に、1つの局面において、データを格納するための方法である。この方法は、第1の論理アドレスを使用して規定される第1のデータを持続性ストレージに書き込む要求を受け取るステップと、上記持続性ストレージにおいて、第1のブロックIDおよび第1のサブブロックIDを含む第1の物理アドレスを決定するステップと、上記第1の物理アドレスに上記第1のデータを書き込むステップと、上記第1の論理アドレスおよび上記第1のサブブロックIDを含む第1のテーブル・オブ・コンテンツエントリ(TE)を生成するステップと、上記持続性ストレージにおいて、上記第1のブロックIDおよび第2のサブブロックIDを含む第2の物理アドレスに上記第1のTEを書き込むステップとを含み、第2のサブブロックが上記第2のサブブロックIDに対応し、上記第2のサブブロックは上記第1のブロックIDに対応する第1のブロック内に配置される。
ここで、本発明の特定の実施形態を添付の図面を参照して詳細に記載する。本発明の実施形態の以下の詳細な説明において、本発明のより完全な理解を提供するために多くの特定の詳細が記載される。しかしながら、本発明がこれらの特定の詳細がなくても実施されてもよいことは当業者には明らかであろう。他の例では、説明を不必要に複雑にすることを回避するよう周知の機構は詳細に記載されない。
Claims (17)
- データを格納するための方法であって、
第1の論理アドレスを使用して規定される第1のデータを持続性ストレージに書き込む要求を受け取るステップを含み、前記持続性ストレージは複数のブロックを含み、各前記ブロックは複数のページを含み、前記方法はさらに、
前記持続性ストレージにおいて、第1のブロックを識別する第1のブロックIDおよび前記第1のブロックにおける第1のページを識別する第1のページIDを含む第1の物理アドレスを決定するステップと、
前記第1のデータのコピーを含む第1のフラグを前記第1の物理アドレスに書き込むステップと、
前記第1の論理アドレスおよび前記第1のページIDを含み、前記第1のブロックIDを含まず、前記第1のページIDによって識別される前記第1のページに格納されない第1のテーブル・オブ・コンテンツエントリ(TE)を生成するステップと、
第2の論理アドレスを使用して規定される第2のデータを前記持続性ストレージに書き込む要求を受け取るステップと、
前記持続性ストレージにおいて、前記第1のブロックIDおよび前記第1のブロックにおける第2のページを識別する第2のページIDを含む第2の物理アドレスを決定するステップと、
前記第2のデータのコピーを含む第2のフラグを前記第2の物理アドレスに書き込むステップと、
前記第2の論理アドレスおよび前記第2のページIDを含み、前記第1のブロックIDを含まず、前記第2のページIDによって識別される前記第2のページに格納されない第2のTEを生成するステップと、
前記第1のTEおよび前記第2のTEを含み、前記第1のデータおよび前記第2のデータを含まない第1のテーブル・オブ・コンテンツ(TOC)ページを生成するステップと、
前記持続性ストレージにおいて、前記第1のブロックIDおよび前記第1のブロックにおける第3のページを識別する第3のページIDを含む第3の物理アドレスに前記第1のTOCページを書き込むステップとを含む、方法。 - 第3の論理アドレスを使用して規定される第3のデータを前記持続性ストレージに書き込む要求を受け取るステップと、
前記持続性ストレージにおいて、前記第1のブロックIDおよび前記第1のブロックにおける第4のページを識別する第4のページIDを含む第4の物理アドレスを決定するステップと、
前記第3のデータのコピーを含む第3のフラグを前記第4の物理アドレスに書き込むステップと、
前記第3の論理アドレスおよび前記第4のページIDを含み、前記第1のブロックIDを含まず、前記第3のページIDによって識別される前記第3のページに格納されない第3のTEを生成するステップと、
前記第3のTEを含む第2のTOCページを生成するステップと、
前記持続性ストレージにおいて、前記第1のブロックIDおよび前記第1のブロックにおける第5のページを識別する第5のページIDを含む第5の物理アドレスに前記第2のTOCページを書き込むステップとをさらに含み、前記第2のTOCページは前記第3のデータを含まない、請求項1に記載の方法。 - 前記第5のページIDに対応する前記第5のページは、前記第1のブロックにおける最後のページである、請求項2に記載の方法。
- 前記第2のTOCページは、前記第1のTOCページへの参照を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記参照は、前記第2のTOCページの終わりに配置される、請求項4に記載の方法。
- 前記持続性ストレージにおいて前記第1の物理アドレスに前記第1のフラグを書き込む前に、前記第1のフラグの第1のコピーが第1のメモリに格納されるとともに前記第1のフラグの第2のコピーが第2のメモリに格納され、前記第1のフラグの前記第2のコピーについて第3のTEが生成され、ひとたび前記第1のTOCページが前記第3の物理アドレスに書き込まれると、前記第3のTEが消去される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のメモリは第1のストレージモジュールに配置され、前記第2のメモリは第2のストレージモジュールに配置され、前記持続性ストレージは、前記第1のストレージモジュールに配置される、請求項6に記載の方法。
- 前記第1のTEは、発生時間フィールド、タイプフィールド、論理長さフィールドおよび種類フィールドからなる群から選択される少なくとも1つをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の論理アドレスはオブジェクトIDおよびオフセットIDを含む、請求項1に記載の方法。
- インメモリデータ構造にポピュレートするための方法であって、
(a)持続性ストレージにおいて第1のブロックを選択するステップと、
(b)前記第1のブロックにおいて最後のページを抽出するステップとを含み、前記第1のブロックは第1のブロックIDに関連付けられており、前記方法はさらに、
(c)前記第1のブロックにおいて、第1のデータについての第1の論理アドレスに対応するオブジェクトIDおよびオフセットIDと、前記第1のデータが配置される前記第1のブロックにおけるページを識別する第1のページIDとを含む第1のテーブル・オブ・コンテンツエントリ(TE)を前記最後のページから抽出するステップを含み、前記ページは前記最後のページではなく、前記第1の論理アドレスは前記第1のページIDを含んでおらず、前記第1のTEは前記第1のブロックIDを含んでおらず、前記方法はさらに、
(d)前記第1のブロックIDと前記第1のTEから抽出される前記第1のページIDとを使用して、前記第1のデータについて、前記第1のページIDを含む第1の物理アドレスを生成するステップと、
(e)第1のハッシュ値を取得するよう前記第1の論理アドレスに対応するオブジェクトIDおよびオフセットIDを含むnタプルをハッシングするステップと、
(f)前記第1のハッシュ値と前記第1の物理アドレスとの間の第1のマッピングを前記インメモリデータ構造にポピュレートするステップとを含む、方法。 - (g)前記持続性ストレージにおいて第2のブロックを選択するステップと、
(h)前記第2のブロックにおいて最後のページを抽出するステップとをさらに含み、前記第2のブロックは第2のブロックIDに関連付けられており、前記方法はさらに、
(i)前記第2のブロックにおいて、第2のデータについての第2の論理アドレスに対応するオブジェクトIDおよびオフセットIDと、前記第2のデータが配置される前記第2のブロックにおけるページに対応する第2のページIDとを含む第2のTEを前記最後のページから抽出するステップを含み、前記第2のTEは前記第2のブロックIDを含んでおらず、前記方法はさらに、
(j)前記第2のブロックIDと前記第2のTEから抽出される前記第2のページIDとを使用して、前記第2のデータについて第2の物理アドレスを生成するステップと、
(k)第2のハッシュ値を取得するよう前記第2の論理アドレスに対応するオブジェクトIDおよびオフセットIDを含むnタプルをハッシングするステップと、
(l)前記第2のハッシュ値と前記第2の物理アドレスとの間の第2のマッピングを前記インメモリデータ構造にポピュレートするステップとを含む、請求項10に記載の方法。 - ステップ(a)〜(c)およびステップ(g)〜(i)は並列に行われる、請求項11に記載の方法。
- 前記第1のブロックは第1のストレージモジュールに配置され、前記第2のブロックは第2のストレージモジュールに配置され、前記インメモリデータ構造は、前記第1のストレージモジュールおよび前記第2のストレージモジュールの外部のメモリに配置される、請求項11に記載の方法。
- 前記第1のブロックにおける最後のページが前記第1のブロックにおける第2のページへの参照を含むという決定をするステップをさらに含み、前記第2のページは第2のTEを含んでおり、前記第2のTEは、第2のデータについての第2の論理アドレスに対応するオブジェクトIDおよびオフセットIDと、前記第2のデータが配置される前記第1のブロックにおけるページに対応する第2のページIDとを含んでおり、前記第2のTEは前記第1のブロックIDを含んでおらず、前記方法はさらに、
前記第1のブロックIDおよび前記第2のページIDを使用して、前記第2のデータについて第2の物理アドレスを生成するステップと、
第2のハッシュ値を取得するよう前記第2の論理アドレスに対応するオブジェクトIDおよびオフセットIDを含むnタプルをハッシングするステップと、
前記第2のハッシュ値と前記第2の物理アドレスとの間の第2のマッピングを前記インメモリデータ構造にポピュレートするステップとを含む、請求項10に記載の方法。 - 前記持続性ストレージはソリッドステートメモリである、請求項10に記載の方法。
- 読出動作、書込動作および消去動作からなる群における任意の動作が前記持続性ストレージに格納される任意のデータに対して行われる前に、前記インメモリデータ構造には前記持続性ストレージにおけるすべてのTEがポピュレートされる、請求項10に記載の方法。
- 前記第1の論理アドレスは、前記オブジェクトIDおよび前記オフセットIDを含むnタプルをハッシングすることによって取得される前記第1のハッシュ値である、請求項10に記載の方法。
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