JP6207466B2 - Transparent resin film, transfer film, conductive film laminate, capacitive input device, and image display device - Google Patents
Transparent resin film, transfer film, conductive film laminate, capacitive input device, and image display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP6207466B2 JP6207466B2 JP2014113094A JP2014113094A JP6207466B2 JP 6207466 B2 JP6207466 B2 JP 6207466B2 JP 2014113094 A JP2014113094 A JP 2014113094A JP 2014113094 A JP2014113094 A JP 2014113094A JP 6207466 B2 JP6207466 B2 JP 6207466B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode pattern
- transparent
- film
- front plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 418
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 418
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 190
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 685
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 68
- 238000005034 decoration Methods 0.000 claims description 65
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 56
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 41
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 38
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 30
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 30
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 533
- -1 silane compound Chemical class 0.000 description 168
- 238000000034 method Methods 0.000 description 152
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 65
- 230000008569 process Effects 0.000 description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 56
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 54
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 53
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 42
- 238000011161 development Methods 0.000 description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 30
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 239000002585 base Substances 0.000 description 21
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 20
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 19
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 19
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 18
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 15
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 15
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 14
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 14
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 12
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 12
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 11
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 7
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 7
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 5
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JKIJEFPNVSHHEI-UHFFFAOYSA-N Phenol, 2,4-bis(1,1-dimethylethyl)-, phosphite (3:1) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1OP(OC=1C(=CC(=CC=1)C(C)(C)C)C(C)(C)C)OC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1C(C)(C)C JKIJEFPNVSHHEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N zinc;pentane-2,4-dione Chemical compound [Zn+2].CC(=O)[CH-]C(C)=O.CC(=O)[CH-]C(C)=O NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1 AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229940117841 methacrylic acid copolymer Drugs 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 125000005810 2,5-xylyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C(*)C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- WKBJKKWKNWOCMV-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F WKBJKKWKNWOCMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIOUJECYOVQAMA-UHFFFAOYSA-N dibutoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)CCCOCC1CO1 JIOUJECYOVQAMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SiH2]C1=CC=CC=C1 VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C=C)OCC MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N ethoxy(dimethyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)C DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 239000005400 gorilla glass Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006341 heptafluoro n-propyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- VOARQMXRPHXHID-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-dipropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)CCCOCC1CO1 VOARQMXRPHXHID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006344 nonafluoro n-butyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- 125000003261 o-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- FABOKLHQXVRECE-UHFFFAOYSA-N phenyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C1=CC=CC=C1 FABOKLHQXVRECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Chemical class 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)OCCCC GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N triethylsilane Chemical compound CC[SiH](CC)CC AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSRZQMIRAZTJOY-UHFFFAOYSA-N trimethylsilyl iodide Chemical compound C[Si](C)(C)I CSRZQMIRAZTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXCHUWSQRLZJS-UHFFFAOYSA-N (4-dimethylsilylidenecyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)C1=CC=C([Si](C)C)C=C1 UHXCHUWSQRLZJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(CC)C(CC)=CC=C3SC2=C1 GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000004343 1-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- VYMSWGOFSKMMCE-UHFFFAOYSA-N 10-butyl-2-chloroacridin-9-one Chemical compound ClC1=CC=C2N(CCCC)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 VYMSWGOFSKMMCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHFXIFMCZUNFSI-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxyethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound COC(CO[SiH](C)CCCOCC1CO1)OC AHFXIFMCZUNFSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORDZXCQDZLMHAM-UHFFFAOYSA-N 2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl-triphenoxysilane Chemical compound C1CC2OC2CC1CC[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 ORDZXCQDZLMHAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROYZOPPLNMOKCU-UHFFFAOYSA-N 2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl-tripropoxysilane Chemical compound C1C(CC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC)CCC2OC21 ROYZOPPLNMOKCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUBNJSZGANKUGX-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-2-[(4-methylphenyl)methyl]-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=C(C)C=C1 PUBNJSZGANKUGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTJWCLYPVFJWMP-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO PTJWCLYPVFJWMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001340 2-chloroethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)C([H])([H])* 0.000 description 1
- MAYUMUDTQDNZBD-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethylsilane Chemical compound [SiH3]CCCl MAYUMUDTQDNZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004777 2-fluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(F)C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- 125000006022 2-methyl-2-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004924 2-naphthylethyl group Chemical group C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)CC* 0.000 description 1
- 125000003890 2-phenylbutyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004352 2-phenylcyclohexyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- BOSZBTFBHSYELP-UHFFFAOYSA-N 2-trimethoxysilylethanol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCO BOSZBTFBHSYELP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJIMAFKWSKZMBK-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F HJIMAFKWSKZMBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUXGHBVABOZQRZ-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F GUXGHBVABOZQRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNBGZLLCXFUTHJ-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl-methyl-dipropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F DNBGZLLCXFUTHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJNHMDMCAAKXHV-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-(2,2,2-trimethoxyethoxy)silane Chemical compound COC(OC)(OC)CO[SiH2]CCCOCC1CO1 GJNHMDMCAAKXHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUXLAULAZDJOEK-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-triphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)CCCOCC1CO1 GUXLAULAZDJOEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAJFVZRDKCROQC-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-tripropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)CCCOCC1CO1 DAJFVZRDKCROQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULRCHFVDUCOKTE-UHFFFAOYSA-N 3-[3-aminopropyl(diethoxy)silyl]oxybutan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](OCC)(OCC)OC(C)CCN ULRCHFVDUCOKTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDZYGYFHTPFREM-UHFFFAOYSA-N 3-[3-aminopropyl(dimethoxy)silyl]oxypropan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](OC)(OC)OCCCN ZDZYGYFHTPFREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBODNMCZJBVAJF-UHFFFAOYSA-N 3-[di(butan-2-yloxy)-methylsilyl]propane-1-thiol Chemical compound CCC(C)O[Si](C)(CCCS)OC(C)CC LBODNMCZJBVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTJDPGSOSIDJDU-UHFFFAOYSA-N 3-[dibutoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CCCCO[Si](C)(CCCS)OCCCC XTJDPGSOSIDJDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLWDAMYWQMRCFY-UHFFFAOYSA-N 3-[dichloro(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)CCCS CLWDAMYWQMRCFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBNRBJNIYVXSQV-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCS MBNRBJNIYVXSQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZWVCGZPKYRUAR-UHFFFAOYSA-N 3-[methyl(dipropoxy)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CCCO[Si](C)(CCCS)OCCC VZWVCGZPKYRUAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004975 3-butenyl group Chemical group C(CC=C)* 0.000 description 1
- YDTNLHQVZCRUNO-UHFFFAOYSA-N 3-diethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[SiH](OCC)CCCS YDTNLHQVZCRUNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCZOJLBQHTXIPU-UHFFFAOYSA-N 3-tri(butan-2-yloxy)silylpropane-1-thiol Chemical compound CCC(C)O[Si](CCCS)(OC(C)CC)OC(C)CC WCZOJLBQHTXIPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOZBFOXHTHIPGB-UHFFFAOYSA-N 3-tri(butan-2-yloxy)silylpropyl prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OCCC[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)OC(C)CC MOZBFOXHTHIPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICHAUYNXFWOLPC-UHFFFAOYSA-N 3-tributoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCCCO[Si](CCCS)(OCCCC)OCCCC ICHAUYNXFWOLPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFISHOAHNLGUEL-UHFFFAOYSA-N 3-tributoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)CCCOC(=O)C=C YFISHOAHNLGUEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFISKRQSAQVHQP-UHFFFAOYSA-N 3-trichlorosilylpropane-1-thiol Chemical compound SCCC[Si](Cl)(Cl)Cl LFISKRQSAQVHQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEPRPXBFZRAOGU-UHFFFAOYSA-N 3-trichlorosilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCCOC(=O)C=C LEPRPXBFZRAOGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropanenitrile Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC#N GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDQWJFXZTAWJST-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C=C XDQWJFXZTAWJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DECHJJJXDGPZHY-UHFFFAOYSA-N 3-tripropoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCCO[Si](CCCS)(OCCC)OCCC DECHJJJXDGPZHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGEKXQRHZRDGKO-UHFFFAOYSA-N 3-tripropoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)CCCOC(=O)C=C HGEKXQRHZRDGKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCLDWCLMEUILDK-UHFFFAOYSA-N 4-[methoxy(dimethyl)silyl]oxypentane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(C)OC(C)CCCS FCLDWCLMEUILDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical class S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005047 Allyltrichlorosilane Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSMPCCLAIAXJHT-UHFFFAOYSA-N C(=C)[Si](OCCC)(OCCC)OCCC.C(=C)[Si](Cl)(Cl)Cl Chemical compound C(=C)[Si](OCCC)(OCCC)OCCC.C(=C)[Si](Cl)(Cl)Cl GSMPCCLAIAXJHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RODSGEYRJLWNIM-UHFFFAOYSA-N C=1C=CC=CC=1C[Si](C)CC1=CC=CC=C1 Chemical compound C=1C=CC=CC=1C[Si](C)CC1=CC=CC=C1 RODSGEYRJLWNIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZNCPHGQNSYQAM-UHFFFAOYSA-N CCC(C)O[SiH2]OC(C)CC Chemical compound CCC(C)O[SiH2]OC(C)CC CZNCPHGQNSYQAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQQZVKFNSQGZAS-UHFFFAOYSA-N CCO[SiH](COCC1CO1)OCC Chemical compound CCO[SiH](COCC1CO1)OCC FQQZVKFNSQGZAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHRBHFVFUACXIJ-UHFFFAOYSA-N C[SiH](C)C1=CC([SiH](C)C)=CC([SiH](C)C)=C1 Chemical compound C[SiH](C)C1=CC([SiH](C)C)=CC([SiH](C)C)=C1 LHRBHFVFUACXIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZCXXIOXDHVIRK-UHFFFAOYSA-N C[SiH](C1=C(C=CC=C1)C)C Chemical compound C[SiH](C1=C(C=CC=C1)C)C OZCXXIOXDHVIRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000218691 Cupressaceae Species 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLPDMAGFPFDFGI-UHFFFAOYSA-N OC(CC)O[Si](OCCC)(OCCC)C Chemical compound OC(CC)O[Si](OCCC)(OCCC)C CLPDMAGFPFDFGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical group CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010044565 Tremor Diseases 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- CYKMNKXPYXUVPR-UHFFFAOYSA-N [C].[Ti] Chemical compound [C].[Ti] CYKMNKXPYXUVPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(dimethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)OC(C)=O RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(phenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMKZLFMHXZAGTM-UHFFFAOYSA-N [dimethoxy(propyl)silyl]oxymethyl prop-2-enoate Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OCOC(=O)C=C RMKZLFMHXZAGTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- SKDKWDVYZOKBPL-UHFFFAOYSA-N benzyl(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)CC1=CC=CC=C1 SKDKWDVYZOKBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPECUSGQPIKHLT-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-dimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(C=C)C=C ZPECUSGQPIKHLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAFCWIFMFKILC-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-dipropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](C=C)(C=C)OCCC SNAFCWIFMFKILC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N bromo(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)Br IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPVKWWQBIVSLRO-UHFFFAOYSA-N butan-2-yloxy(trimethyl)silane Chemical compound CCC(C)O[Si](C)(C)C NPVKWWQBIVSLRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXLVDKGPVGFXTH-UHFFFAOYSA-N butyl(dimethyl)silane Chemical compound CCCC[SiH](C)C HXLVDKGPVGFXTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N chloro-ethenyl-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C=C XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJZNZOXALZKPEA-UHFFFAOYSA-N chloro-methyl-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(C)C1=CC=CC=C1 OJZNZOXALZKPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004965 chloroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- YGHUUVGIRWMJGE-UHFFFAOYSA-N chlorodimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)Cl YGHUUVGIRWMJGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1CCCCC1 OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- YQFLKTIPHSVWBV-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)-methylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](C)(OC(C)CC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YQFLKTIPHSVWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQEBOVZSVFPEOD-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-bis(ethenyl)silane Chemical compound CCC(C)O[Si](C=C)(C=C)OC(C)CC XQEBOVZSVFPEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DERJYZOBOMCDCS-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-dimethylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](C)(C)OC(C)CC DERJYZOBOMCDCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCTLKEGMWAHKOY-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C1=CC=CC=C1 MCTLKEGMWAHKOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIZRJEKYMKLUAM-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-ethenyl-methylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](C)(C=C)OC(C)CC KIZRJEKYMKLUAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJSMKCFAQMZCLF-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-methylsilane Chemical compound CCC(C)O[SiH](C)OC(C)CC QJSMKCFAQMZCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AONDIGWFVXEZGD-UHFFFAOYSA-N diacetyloxy(methyl)silicon Chemical compound CC(=O)O[Si](C)OC(C)=O AONDIGWFVXEZGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQNWJCQWBFHQAO-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(dimethyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(C)OCCCC GQNWJCQWBFHQAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSMIWEAIYFILPL-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCCCC)(OCCCC)C1=CC=CC=C1 OSMIWEAIYFILPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TTYHSEJYYROOSI-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](C)OCCCC TTYHSEJYYROOSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKPIOTWJKGCULP-UHFFFAOYSA-N dibutoxy-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)-methylsilane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SKPIOTWJKGCULP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBBAHPAMIQGMEE-UHFFFAOYSA-N dibutoxy-bis(ethenyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C=C)(C=C)OCCCC PBBAHPAMIQGMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOGIPBQCAKQFQ-UHFFFAOYSA-N dibutoxy-ethenyl-methylsilane Chemical compound CCCCO[Si](C)(C=C)OCCCC RUOGIPBQCAKQFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVBMWIXRKLGXPI-UHFFFAOYSA-N dichloro-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)-methylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F PVBMWIXRKLGXPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAYIDWCWWMOISO-UHFFFAOYSA-N dichloro-bis(ethenyl)silane Chemical compound C=C[Si](Cl)(Cl)C=C MAYIDWCWWMOISO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLJJAVFOBDSYAN-UHFFFAOYSA-N dichloro-ethenyl-methylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C=C YLJJAVFOBDSYAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N diethoxy(methyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)OCC GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNVOJZYCUCUBCK-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[SiH](OCC)C(C)OCC1CO1 RNVOJZYCUCUBCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GENZKBJGWAAVIE-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 GENZKBJGWAAVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWHSEFXLFMRCOO-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[5-(oxiran-2-ylmethoxy)pent-1-enyl]silane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC=C[SiH](OCC)OCC OWHSEFXLFMRCOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODADONMDNZJQMW-UHFFFAOYSA-N diethoxy-ethyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)CCCOCC1CO1 ODADONMDNZJQMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRJXZRBBFSDWFR-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[1-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethoxy]silane Chemical compound C1C(C(C)O[Si](C)(OCC)OCC)CCC2OC21 MRJXZRBBFSDWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTUJVDGSKMWKAN-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C(CC)OCC1CO1 FTUJVDGSKMWKAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUXUUPOAQMPKOK-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCOCC1CO1 FUXUUPOAQMPKOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUFWVNRUIVIGCH-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CC(C)OCC1CO1 HUFWVNRUIVIGCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C1=CC=CC=C1 MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBBQQQJUOYRZCA-UHFFFAOYSA-N diethoxymethylsilane Chemical compound CCOC([SiH3])OCC NBBQQQJUOYRZCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQZUMFHYRULBEN-UHFFFAOYSA-N diethyl(methyl)silicon Chemical compound CC[Si](C)CC JQZUMFHYRULBEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N diethylsilane Chemical compound CC[SiH2]CC UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNTHOKPJBLJTJY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CO[SiH](OC)COCC1CO1 GNTHOKPJBLJTJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQPPMINVIMPSDP-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-[5-(oxiran-2-ylmethoxy)pent-1-enyl]silane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC=C[SiH](OC)OC FQPPMINVIMPSDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBDDFKGMGASJHE-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethoxy)silane Chemical compound C1C(CO[Si](C)(OC)OC)CCC2OC21 PBDDFKGMGASJHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQODNYDIZIFQGO-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C(CC)OCC1CO1 KQODNYDIZIFQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWPGWRIGYKWLEV-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCOCC1CO1 PWPGWRIGYKWLEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYPWIQUCQXCZCF-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CC(C)OCC1CO1 SYPWIQUCQXCZCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYYQWMDBQFSCPB-UHFFFAOYSA-N dimethoxymethylsilane Chemical compound COC([SiH3])OC XYYQWMDBQFSCPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIDTUTFKRRXWTK-UHFFFAOYSA-N dimethyl(dipropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(C)OCCC ZIDTUTFKRRXWTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIKHZBFJHONJJB-UHFFFAOYSA-N dimethyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si](C)C1=CC=CC=C1 OIKHZBFJHONJJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBMGMUODZNQAQI-UHFFFAOYSA-N dimethyl(prop-2-enyl)silicon Chemical compound C[Si](C)CC=C ZBMGMUODZNQAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLAYMDSSGGBWQB-UHFFFAOYSA-N diphenyl(dipropoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCCC)(OCCC)C1=CC=CC=C1 SLAYMDSSGGBWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005982 diphenylmethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- GYLXWHLPLTVIOP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(2,2,2-trimethoxyethoxy)silane Chemical compound COC(OC)(OC)CO[SiH2]C=C GYLXWHLPLTVIOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMKVMJPCDLDMTQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl(diethoxy)silane Chemical compound CCO[SiH](C=C)OCC XMKVMJPCDLDMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-ethoxy-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C=C JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUFVQEIPPHHQCK-UHFFFAOYSA-N ethenyl-methoxy-dimethylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)C=C NUFVQEIPPHHQCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKDMJUDWTWAFPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-methyl-dipropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](C)(C=C)OCCC QKDMJUDWTWAFPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOSXLDGILGBOSZ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-methyl-phenylsilicon Chemical compound C=C[Si](C)C1=CC=CC=C1 MOSXLDGILGBOSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADLWTVQIBZEAGJ-UHFFFAOYSA-N ethoxy-methyl-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(OCC)C1=CC=CC=C1 ADLWTVQIBZEAGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCIAPTIZYCRWAU-UHFFFAOYSA-N ethyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-dipropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](CC)(OCCC)CCCOCC1CO1 YCIAPTIZYCRWAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAAXRILDXZKZSL-UHFFFAOYSA-N ethyl-methoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound C(C1CO1)OCCC[SiH](CC)OC OAAXRILDXZKZSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- JKGQTAALIDWBJK-UHFFFAOYSA-N fluoro(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](F)(OC)OC JKGQTAALIDWBJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical class Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 125000005358 mercaptoalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- JWIUUJBKZANVSK-UHFFFAOYSA-N methanol prop-2-enoic acid Chemical compound C(C=C)(=O)O.CO.CO JWIUUJBKZANVSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- VJOOEHFQQLYDJI-UHFFFAOYSA-N methoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[SiH](C)C VJOOEHFQQLYDJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALPYWOWTSPQXHR-UHFFFAOYSA-N methoxy-methyl-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 ALPYWOWTSPQXHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- DTMWJQXLJUEFQY-UHFFFAOYSA-N methyl(3-phenylprop-1-enyl)silane Chemical compound C[SiH2]C=CCC1=CC=CC=C1 DTMWJQXLJUEFQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKHRRIGNGQFVEE-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)silicon Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)C1=CC=CC=C1 OKHRRIGNGQFVEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEWMVMZALMGUJM-UHFFFAOYSA-N methyl(dipropoxy)silane Chemical compound CCCO[SiH](C)OCCC MEWMVMZALMGUJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si]C1=CC=CC=C1 LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N methyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C)OC1=CC=CC=C1 DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJFPKKVQKWVMQI-UHFFFAOYSA-N methyl-[2-(2-methylphenyl)ethenyl]silane Chemical compound C[SiH2]C=CC1=C(C=CC=C1)C VJFPKKVQKWVMQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIXFHFVVWQXSW-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-diphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C)CCCOCC1CO1 CUIXFHFVVWQXSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000003935 n-pentoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPLYNRPOIZEADP-UHFFFAOYSA-N octylsilane Chemical compound CCCCCCCC[SiH3] FPLYNRPOIZEADP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920002102 polyvinyl toluene Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005920 sec-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004154 testing of material Methods 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- SLWJCUBAEHHRME-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CCC(C)O[Si](CCC(F)(F)F)(OC(C)CC)OC(C)CC SLWJCUBAEHHRME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZUZSTKWRHPHIS-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl)silane Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F NZUZSTKWRHPHIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTMADTFOHZKQTE-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RTMADTFOHZKQTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHQDJCZAQGWXBC-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-ethenylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C=C MHQDJCZAQGWXBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJNDDRZGJNVASH-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-methylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](C)(OC(C)CC)OC(C)CC RJNDDRZGJNVASH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCDRXIBYKFIRQR-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-phenylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C1=CC=CC=C1 PCDRXIBYKFIRQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COKLPZSYWJNYBJ-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)silane Chemical compound CCC(C)O[SiH](OC(C)CC)OC(C)CC COKLPZSYWJNYBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMAGLHWOMNVLHF-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)silylmethanol Chemical compound CCC(C)O[Si](CO)(OC(C)CC)OC(C)CC HMAGLHWOMNVLHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZGXRIXJAVMTI-UHFFFAOYSA-N tribenzylsilicon Chemical compound C=1C=CC=CC=1C[Si](CC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 QXZGXRIXJAVMTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLURNIQQAGXMGF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CCC(F)(F)F)(OCCCC)OCCCC MLURNIQQAGXMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMYUYLDAQJWBGT-UHFFFAOYSA-N tributoxy(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F BMYUYLDAQJWBGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGCFZHOZKKQIBU-UHFFFAOYSA-N tributoxy(ethenyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)C=C SGCFZHOZKKQIBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INUOIYMEJLOQFN-UHFFFAOYSA-N tributoxy(phenyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)C1=CC=CC=C1 INUOIYMEJLOQFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAVPBWLGJVKEGZ-UHFFFAOYSA-N tributoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC)CCC2OC21 OAVPBWLGJVKEGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQYWWLSIKWDAEC-UHFFFAOYSA-N tributoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)CCCOCC1CO1 FQYWWLSIKWDAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N tributoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH](OCCCC)OCCCC UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLUPBUUXPVHSRA-UHFFFAOYSA-N tributoxysilylmethanol Chemical compound CCCCO[Si](CO)(OCCCC)OCCCC KLUPBUUXPVHSRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEUBQNJHVBMUMD-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound FC(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl WEUBQNJHVBMUMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PISDRBMXQBSCIP-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl PISDRBMXQBSCIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGHWHQUVLXTFLZ-UHFFFAOYSA-N trichloro(fluoro)silane Chemical compound F[Si](Cl)(Cl)Cl PGHWHQUVLXTFLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKFSBKQQYCMCKO-UHFFFAOYSA-N trichloro(prop-2-enyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC=C HKFSBKQQYCMCKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- TVJIJCPNBAPRRJ-UHFFFAOYSA-N trichlorosilylmethanol Chemical compound OC[Si](Cl)(Cl)Cl TVJIJCPNBAPRRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLGWXNBXAXOQBG-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(F)(F)F ZLGWXNBXAXOQBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVYKQOAMZCAHRG-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F AVYKQOAMZCAHRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLXDKRSDUJLNAB-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F MLXDKRSDUJLNAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N triethoxy(fluoro)silane Chemical compound CCO[Si](F)(OCC)OCC XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNKMHLWJZHLPPM-UHFFFAOYSA-N triethoxy(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)COCC1CO1 UNKMHLWJZHLPPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N triethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC=C)(OCC)OCC UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJQPASOTJGFOMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)OCC1CO1 SJQPASOTJGFOMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)CCC2OC21 UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVMMYGUCXRZVPJ-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC(CC)OCC1CO1 FVMMYGUCXRZVPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWJUTPORTOUFDY-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCOCC1CO1 RWJUTPORTOUFDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFUDQABJYSJIQY-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC(C)OCC1CO1 CFUDQABJYSJIQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPNCYSTUWLXFOE-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(C)OCC1CO1 KPNCYSTUWLXFOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSUKBUSXHYKMLU-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[4-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)butyl]silane Chemical compound C1C(CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC)CCC2OC21 PSUKBUSXHYKMLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISPSHPOFLYFIRR-UHFFFAOYSA-N trihexylsilicon Chemical compound CCCCCC[Si](CCCCCC)CCCCCC ISPSHPOFLYFIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYJRNCYWTVGEEG-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(C)C XYJRNCYWTVGEEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVQYIDJXNYHKRK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F BVQYIDJXNYHKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFBULLRGNLZJAF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)COCC1CO1 LFBULLRGNLZJAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC=C LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJVMNHOSKMOSA-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCCC([Si](OC)(OC)OC)OCC1CO1 FFJVMNHOSKMOSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNBIAJGPJUOAPB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(CC)OCC1CO1 FNBIAJGPJUOAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKFKPRKYSBTUDV-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(CC)OCC1CO1 KKFKPRKYSBTUDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNXDCSVNCSSUNB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCOCC1CO1 ZNXDCSVNCSSUNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTVULPNMIHOVRU-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(C)OCC1CO1 HTVULPNMIHOVRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBUFXGVMAMMWSD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)propyl]silane Chemical compound C1C(CCC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DBUFXGVMAMMWSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPNGHDNBNMPON-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(C)OCC1CO1 ZQPNGHDNBNMPON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPHALHRGAQVBKI-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilylmethanol Chemical compound CO[Si](CO)(OC)OC SPHALHRGAQVBKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHPGKIATZDCVHL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(propoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(C)C PHPGKIATZDCVHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGZGBYCKAOEPQZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C)(C)C PGZGBYCKAOEPQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJXSSNSCWGKDOW-UHFFFAOYSA-N tripentoxysilane Chemical compound CCCCCO[SiH](OCCCCC)OCCCCC XJXSSNSCWGKDOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVPKMEQEIHFILG-UHFFFAOYSA-N tripropoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CCCO[Si](CCC(F)(F)F)(OCCC)OCCC ZVPKMEQEIHFILG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVGGWQBDKIBLIU-UHFFFAOYSA-N tripropoxy(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F UVGGWQBDKIBLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N tripropoxysilane Chemical compound CCCO[SiH](OCCC)OCCC OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHOVAWFVVBWEGQ-UHFFFAOYSA-N tripropylsilane Chemical compound CCC[SiH](CCC)CCC ZHOVAWFVVBWEGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003754 zirconium Chemical class 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本発明は、透明樹脂膜、転写フィルム、導電膜積層体、静電容量型入力装置および画像表示装置に関する。より詳しくは、指の接触位置を静電容量の変化として検出可能な静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるために用いられる透明樹脂膜と、この透明樹脂膜を含む転写フィルム、導電膜積層体および静電容量型入力装置、並びに、この静電容量型入力装置を構成要素として備えた画像表示装置に関するものである。 The present invention relates to a transparent resin film, a transfer film, a conductive film laminate, a capacitive input device, and an image display device. More specifically, a transparent resin film used to fill at least a step between the electrode pattern and the front plate of the capacitive input device capable of detecting the contact position of the finger as a change in capacitance, and the transparent resin The present invention relates to a transfer film including a film, a conductive film laminate, a capacitive input device, and an image display device including the capacitive input device as a constituent element.
携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、券売機、銀行の端末などの電子機器では、近年、液晶装置などの表面にタブレット型の入力装置が配置され、液晶表示装置の画像表示領域に表示された指示画像を参照しながら、この指示画像が表示されている箇所に指またはタッチペンなどを触れることで、指示画像に対応する情報の入力が行えるものがある。 In recent years, electronic devices such as mobile phones, car navigation systems, personal computers, ticket vending machines, and bank terminals have been equipped with tablet-type input devices on the surface of liquid crystal devices and instructions displayed in the image display area of liquid crystal display devices. There is a type in which information corresponding to an instruction image can be input by touching a part where the instruction image is displayed with a finger or a touch pen while referring to the image.
このような入力装置(タッチパネル)には、抵抗膜型、静電容量型などがある。
フィルムとガラスとの2枚構造でフィルムを押下してショートさせる構造の抵抗膜型の入力装置に比べて、静電容量型の入力装置の方が動作温度範囲の広さや、経時変化に強いという利点を有している。また、静電容量型の入力装置は、単に一枚の基板に透光性導電膜を形成すればよいという利点がある。カバーガラス一体型(OGS:One Glass Solution)タッチパネルの静電容量型タッチパネルは、前面板が静電容量型入力装置と一体化しているため、薄層/軽量化が可能となる。
Such input devices (touch panels) include a resistance film type and a capacitance type.
Capacitance type input devices are more resistant to changes in operating temperature range and changes over time than resistance film type input devices that have a two-layer structure of film and glass. Has advantages. In addition, the capacitive input device has an advantage that a light-transmitting conductive film is simply formed on a single substrate. A capacitive touch panel of a cover glass integrated type (OGS: One Glass Solution) touch panel has a front plate integrated with a capacitive input device, and thus can be reduced in thickness and weight.
このような静電容量型タッチパネルでは、さらに加飾層によってセンス回路を覆い隠すことによって装置外観が改善されてきている。加飾層としては特に制限はなく、様々な色調(黒、白、パステルカラー、メタリック等)の加飾層を設けることができることが知られている。さらに、デザイン上の都合で光学濃度が薄い加飾層を採用する場合は、センス回路を確実に覆い隠す目的で加飾層の上にさらに黒色のマスク層(遮蔽層)を積層することもある。 In such a capacitive touch panel, the appearance of the device has been improved by covering the sense circuit with a decorative layer. There is no restriction | limiting in particular as a decoration layer, It is known that the decoration layer of various color tone (Black, white, pastel color, metallic etc.) can be provided. In addition, when a decorative layer with a low optical density is used for design reasons, a black mask layer (shielding layer) may be laminated on the decorative layer for the purpose of securely covering the sense circuit. .
しかしながら、静電容量型タッチパネルの前面板の一方の面の一部にこのような加飾層やマスク層(遮蔽層)などの機能層を設けると、加飾層などの機能層の形成部と非形成部との膜厚段差が生じ、得られるタッチパネルのセンサーの断線等などの問題が生じることがあった(特許文献1参照)。これに対し、特許文献1では、OGSタッチパネルに対して、加飾層起因の段差を小さくするため、加飾層の下部のガラス基材に凹みを作製する方法が記載されている。
However, when a functional layer such as a decorative layer or a mask layer (shielding layer) is provided on a part of one surface of the front panel of the capacitive touch panel, A film thickness difference from the non-formed part may occur, and problems such as disconnection of the sensor of the obtained touch panel may occur (see Patent Document 1). On the other hand, in
一方、特許文献2には、透明基板上に、直接または間接に透明電極層が形成され、上記透明電極層上に、感光性シロキサン樹脂層が形成されているタッチパネル部材が記載されており、感光性シロキサン樹脂層を厚さ1.5μm程度の層間絶縁膜および/または表面保護層として用い、透明電極層を層間絶縁膜および/または表面保護層中に包埋させて平坦化した態様が記載されている。具体的な構成として、特許文献2の図1には、透明な樹脂層を層間絶縁膜や表面保護層として積層し、層間絶縁膜の両面又は表面保護層の片側の面に透明電極を設けた構成が開示されている。また、感光性シロキサン樹脂層は、表面硬度および耐熱性に優れる層間絶縁膜および/または表面保護層を形成できることが記載されている。特許文献2には、このような感光性シロキサン樹脂層を、透明電極層以外の機能層(加飾層など)起因の段差を埋めるために用いることについては、何ら記載されていなかった。
On the other hand,
特許文献3には、画像表示部材と、周縁部に遮光層が形成された光透過性カバー部材とが、液状の光硬化性樹脂組成物から形成された光透過性硬化樹脂層を介し、光透過性カバー部材の遮光層形成面が画像表示部材側に配置されるように積層された画像表示装置の製造方法において、液状の光硬化性樹脂組成物を、光透過性カバー部材の遮光層形成側表面又は画像表示部材の表面に、遮光層と光透過性カバー部材の遮光層形成側表面とで形成される段差がキャンセルされるように、遮光層の厚さより厚く塗布する工程;塗布された光硬化性樹脂組成物に対し紫外線を照射して仮硬化させることにより仮硬化樹脂層を形成する工程;画像表示部材に、遮光層と仮硬化樹脂層とが内側になるように光透過性カバー部材を貼り合わせる工程;画像表示部材と光透過性カバー部材との間に挟持されている仮硬化樹脂層に対し紫外線を照射して本硬化させることにより、画像表示部材と光透過性カバー部材とを光透過性硬化樹脂層を介して積層して画像表示装置を得る工程;を有する製造方法、が記載されている。特に特許文献3では、遮光層と光透過性カバー部材の遮光層形成側表面とで形成される段差をキャンセルするために使用する液状の光硬化性樹脂組成物が、ポリウレタン系(メタ)アクリレート又はポリイソプレン系(メタ)アクリレート等のアクリル樹脂を含有することが好ましいと記載がある。
In
一方、フラットパネルディスプレイ用保護板の分野では、段差を埋める方法として、例えば特許文献4には透明の保護板と印刷部と印刷部の段差を埋める透明樹脂からなるディスプレイ保護板が記載されている。特許文献3では、段差を埋めるための透明樹脂として、アクリル樹脂が用いられていた。
On the other hand, in the field of protection panels for flat panel displays, for example,
静電容量型タッチパネルを液晶や有機ELディスプレイ上に備えたスマートフォンやタブレットPCでは前面板(直接指で接触する面)にコーニング社のゴリラガラスに代表される強化ガラスを用いたものが開発、発表されている。加飾層の下部のガラス基板に対して凹型を加工する特許文献1に記載の方法は、このような強化ガラス基板を用いた場合に用いることが困難であり、その他のより簡易な方法が求められていた。
タッチパネル用のガラス基板には強化ガラスを使用し、衝撃力がかかった時でも割れづらい構成となっているが、万が一ガラス基板が割れた場合に静電容量型入力装置としての機能維持することも技術課題として残されていた。特に、ガラス基板が割れた場合に電極パターンが断線しにくいこと、さらに言えば静電容量型入力装置がデータを保存する装置を備える場合はデータの取り出しが可能なことが求められていた。
Smartphones and tablet PCs equipped with a capacitive touch panel on a liquid crystal or organic EL display have been developed and announced using a tempered glass typified by Corning's gorilla glass on the front plate (the surface directly touched by a finger) Has been. The method described in
Tempered glass is used for the glass substrate for the touch panel, and it is difficult to break even when impact force is applied, but in the unlikely event that the glass substrate breaks, it can also maintain the function as a capacitive input device It was left as a technical issue. In particular, when the glass substrate is broken, it is difficult for the electrode pattern to be disconnected. In other words, when the capacitance type input device includes a device for storing data, it is required that the data can be taken out.
本発明者らが検討したところ、このような強化ガラス基板(以下、「前面板」ともいう。)にアクリル樹脂や感光性シロキサン樹脂を用いて、転写フィルムによる転写や液体レジスト塗布やスクリーン印刷等により加飾層を形成すると、テーパー状のなだらかな傾斜を端部に有する加飾層が形成できることがわかった。また、加飾層はその上に設けられる透明電極パターンの隠蔽力を向上させるために、加飾層の色によっては5μm以上の厚みを設ける必要があることがわかった。ここで、前面板の一部にこのような加飾層などの機能層、すなわち、テーパー状のなだらかな傾斜を端部に有し、5μm以上の厚みを有する段差(換言すれば、前面板の一方の面の一部に加飾層などの機能層が配置されることに起因して生じる前面板の一方の面側の凹凸)を有していたとしても、ITOなどの透明電極パターンを設けたとしても段差に起因する透明電極パターンの断線も発生しないと予想されていた。しかしながら、本発明者らが検討したところ上記の予想に反し、前面板の一部に、テーパー状のなだらかな傾斜を端部に有し、5μm以上の厚みを有する加飾層などの機能層を有していると、加飾層などの機能層の端部がテーパー状のなだらかな傾斜であるにもかかわらず、段差の上(前面板のうち加飾層が形成される側)に他の部材を積層したときに、段差の上に設けた透明電極パターンの断線の問題が生じることがわかった。
また、特許文献2に記載の透明電極層を1.5μm程度の層間絶縁膜および/または表面保護層中に包埋させて平坦化する方法は、厚みが5μmを超す加飾層への応用を想定しておらず、厚みが5μmを超す段差を埋めることについて開示も示唆もされていなかった。
As a result of investigations by the present inventors, an acrylic resin or a photosensitive siloxane resin is used for such a tempered glass substrate (hereinafter also referred to as “front plate”), transfer using a transfer film, liquid resist coating, screen printing, etc. It was found that a decorative layer having a tapered gentle slope at the end can be formed by forming a decorative layer. Moreover, in order to improve the concealing power of the transparent electrode pattern provided on the decorative layer, it was found that it is necessary to provide a thickness of 5 μm or more depending on the color of the decorative layer. Here, a functional layer such as a decorative layer on a part of the front plate, that is, a step having a gentle slope at the end and having a thickness of 5 μm or more (in other words, the front plate A transparent electrode pattern such as ITO is provided even if it has unevenness on one side of the front plate due to the functional layer such as a decorative layer being arranged on a part of one side Even so, it was expected that the disconnection of the transparent electrode pattern due to the step would not occur. However, when the present inventors examined, contrary to the above-mentioned expectation, a functional layer such as a decorative layer having a taper-shaped gentle slope at the end and a thickness of 5 μm or more is formed on a part of the front plate. Even if the end of the functional layer such as the decorative layer has a tapered gentle slope, the other on the step (the side of the front plate where the decorative layer is formed) It was found that the problem of disconnection of the transparent electrode pattern provided on the level difference occurred when the members were laminated.
Moreover, the method of embedding and transparentizing the transparent electrode layer described in
ここで、特許文献3に記載のアクリル樹脂や、フラットパネルディスプレイ用保護板の分野の特許文献4に記載の透明樹脂を用いて、本発明者らがOGSタッチパネルの加飾層に起因する段差を埋めることを検討したところ、OGSタッチパネルの作製では透明電極パターン作製のための工程で加熱されることとなるが、特許文献3や4に記載のアクリル系バインダーを使用した透明性樹脂は上記工程の加熱により熱黄変してしまうために、OGSタッチパネルの段差を埋めると透明性の改善が求められるものであることがわかった。すなわち、OGSタッチパネルの加飾層に起因する段差を埋めるために用いる透明樹脂膜の透明度が低下するという問題があることがわかった。また、静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線についても、さらなる改善が求められることがわかった。
Here, using the acrylic resin described in
本発明が解決しようとする課題は、透明な前面板と、前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、前面板の機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めることができ、透明度が高く、静電容量型入力装置の製造時の電極パターンの断線を抑制でき、静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線を抑制できる透明樹脂膜を提供することにある。 The problem to be solved by the present invention includes a transparent front plate, a functional layer disposed on a part of one surface of the front plate, and an electrode pattern disposed on the same surface side as the functional layer of the front plate. Capacitance-type input device having at least a step between the electrode pattern and the front plate can be filled, transparency is high, and disconnection of the electrode pattern during the manufacture of the capacitance-type input device can be suppressed. It is providing the transparent resin film which can suppress the disconnection of the electrode pattern when the front board of a type | mold input device is cracked.
本発明者らは、OGS用タッチパネルの加飾層などの機能層に起因する段差を埋めるためにシリコーンレジンおよび触媒を含む、特定の範囲の厚みの透明樹脂膜を用いることにより、透明性を低下させることなく、加飾層の段差を低減した平坦な表面を提供でき、、段差を平滑化できてITOなどの電極パターンの断線懸念を低減でき、タッチパネルの前面板が割れたときにでも電極パターンの断線を効果的に防止できることを見出し、本発明に至った。 The present inventors reduced transparency by using a transparent resin film having a specific range of thickness including a silicone resin and a catalyst to fill a step caused by a functional layer such as a decorative layer of an OGS touch panel. Can provide a flat surface with reduced steps in the decorative layer, smooth the steps and reduce the risk of breakage of electrode patterns such as ITO, and even when the front panel of the touch panel is broken As a result, the inventors have found that the disconnection can be effectively prevented and have reached the present invention.
上記課題を解決するための具体的な手段である本発明は以下のとおりである。
[1] 少なくともシリコーンレジンと、触媒を含み、かつ、厚みが5〜300μmである透明樹脂膜であり、
透明樹脂膜が、透明な前面板と、前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、前面板の機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるために用いられる、透明樹脂膜。
[2] [1]に記載の透明樹脂膜は、触媒の含有量が、シリコーンレジンの含有量に対して0.5〜5.0質量%であることが好ましい。
[3] [1]または[2]に記載の透明樹脂膜は、シリコーンレジンとして、少なくともアクリル変性シリコーンレジンまたはポリエステル変性シリコーンレジン、あるいは、これらを共重合成分として含むシリコーンレジンを含むことが好ましい。
[4] [1]〜[3]のいずれか一つに記載の透明樹脂膜は、透明樹脂膜の厚みが10〜300μmであることが好ましい。
[5] [1]〜[4]のいずれか一つに記載の透明樹脂膜は、塗布方式により製造されてなることが好ましい。
[6] 仮支持体と、
[1]〜[5]のいずれか一つに記載の透明樹脂膜とを含む、転写フィルム。
[7] 透明な前面板と、
前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、
前面板の機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有し、
少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるように[1]〜[5]のいずれか一つに記載の透明樹脂膜を有する、導電膜積層体。
[8] [7]に記載の導電膜積層体は、透明樹脂膜が、[6]に記載の転写フィルムに含まれる透明樹脂膜を少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるように転写することにより形成されてなることが好ましい。
[9] [7]または[8]に記載の導電膜積層体は、機能層の厚みが5μm以上であることが好ましい。
[10] [7]〜[9]のいずれか一つに記載の導電膜積層体は、透明樹脂膜、機能層および電極パターンの前面板とは反対側の面の上に、透明保護層を含むことが好ましい。
[11] [7]〜[10]のいずれか一つに記載の導電膜積層体は、透明樹脂膜が、0.08〜1.2atmの環境下で180〜300℃に加熱されてなることが好ましい。
[12] [7]〜[11]のいずれか一つに記載の導電膜積層体は、電極パターンが、下記(1)〜(3)を含むことが好ましい;
(1)複数のパッド部分が接続部分を介して第一の方向に延在して形成された複数の第一の透明電極パターン;
(2)第一の透明電極パターンと電気的に絶縁され、第一の方向に交差する方向に延在して形成された複数のパッド部分からなる複数の第二の電極パターン;
(3)第一の透明電極パターンと第二の電極パターンとを電気的に絶縁する絶縁層。
[13] [12]に記載の導電膜積層体は、さらに、(4)第一の透明電極パターンおよび第二の電極パターンの少なくとも一方に電気的に接続され、第一の透明電極パターンおよび第二の電極パターンとは別の導電性要素を有することが好ましい。
[14] [12]または[13]に記載の導電膜積層体は、(2)第二の電極パターンが、透明電極パターンであることが好ましい。
[15] [7]〜[14]のいずれか一つに記載の導電膜積層体は、機能層の端部が、テーパー形状であることが好ましい。
[16] [7]〜[15]のいずれか一つに記載の導電膜積層体は、透明樹脂膜の端部が、機能層の前面板とは反対側の面の少なくとも一部の上に配置されたことが好ましい。
[17] [7]〜[16]のいずれか一つに記載の導電膜積層体は、機能層が、加飾層であることが好ましい。
[18] [17]に記載の導電膜積層体は、前面板と加飾層との段差を、透明樹脂膜によって埋められたことが好ましい。
[19] [7]〜[18]のいずれか一つに記載の導電膜積層体を含む静電容量型入力装置。
[20] [19]に記載の静電容量型入力装置を構成要素として備えた画像表示装置。
The present invention, which is a specific means for solving the above problems, is as follows.
[1] A transparent resin film containing at least a silicone resin and a catalyst and having a thickness of 5 to 300 μm,
An electrostatic capacitance type in which the transparent resin film has a transparent front plate, a functional layer disposed on a part of one surface of the front plate, and an electrode pattern disposed on the same surface side as the functional layer of the front plate A transparent resin film used to fill at least a step between the electrode pattern and the front plate of the input device.
[2] In the transparent resin film according to [1], the content of the catalyst is preferably 0.5 to 5.0% by mass with respect to the content of the silicone resin.
[3] The transparent resin film according to [1] or [2] preferably includes at least an acrylic-modified silicone resin or a polyester-modified silicone resin as a silicone resin, or a silicone resin containing these as a copolymerization component.
[4] The transparent resin film according to any one of [1] to [3] preferably has a transparent resin film thickness of 10 to 300 μm.
[5] The transparent resin film according to any one of [1] to [4] is preferably manufactured by a coating method.
[6] a temporary support;
A transfer film comprising the transparent resin film according to any one of [1] to [5].
[7] A transparent front plate;
A functional layer disposed on a part of one surface of the front plate;
Having an electrode pattern disposed on the same side as the functional layer of the front plate,
The electrically conductive film laminated body which has a transparent resin film as described in any one of [1]-[5] so that the level | step difference between an electrode pattern and a front plate may be filled at least.
[8] In the conductive film laminate according to [7], the transparent resin film fills at least a step between the electrode pattern and the front plate with the transparent resin film included in the transfer film according to [6]. It is preferably formed by transferring.
[9] In the conductive film laminate according to [7] or [8], the thickness of the functional layer is preferably 5 μm or more.
[10] In the conductive film laminate according to any one of [7] to [9], a transparent protective layer is provided on a surface of the transparent resin film, the functional layer, and the electrode pattern opposite to the front plate. It is preferable to include.
[11] In the conductive film laminate according to any one of [7] to [10], the transparent resin film is heated to 180 to 300 ° C. in an environment of 0.08 to 1.2 atm. Is preferred.
[12] In the conductive film laminate according to any one of [7] to [11], the electrode pattern preferably includes the following (1) to (3);
(1) A plurality of first transparent electrode patterns formed by extending a plurality of pad portions in a first direction through connection portions;
(2) A plurality of second electrode patterns comprising a plurality of pad portions that are electrically insulated from the first transparent electrode pattern and extend in a direction crossing the first direction;
(3) An insulating layer that electrically insulates the first transparent electrode pattern from the second electrode pattern.
[13] The conductive film laminate according to [12] is further (4) electrically connected to at least one of the first transparent electrode pattern and the second electrode pattern, It is preferable to have a conductive element different from the second electrode pattern.
[14] In the conductive film laminate according to [12] or [13], (2) the second electrode pattern is preferably a transparent electrode pattern.
[15] In the conductive film laminate according to any one of [7] to [14], the end portion of the functional layer preferably has a tapered shape.
[16] In the conductive film laminate according to any one of [7] to [15], the end portion of the transparent resin film is on at least a part of the surface of the functional layer opposite to the front plate. Preferably it is arranged.
[17] In the conductive film laminate according to any one of [7] to [16], the functional layer is preferably a decorative layer.
[18] In the conductive film laminate according to [17], it is preferable that the step between the front plate and the decorative layer is filled with a transparent resin film.
[19] A capacitance-type input device including the conductive film laminate according to any one of [7] to [18].
[20] An image display device comprising the capacitive input device according to [19] as a constituent element.
本発明によれば、透明な前面板と、前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、前面板の機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めることができ、透明度が高く、静電容量型入力装置の製造時の電極パターンの断線を抑制でき、静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線を抑制できる透明樹脂膜を提供できる。 According to the present invention, a capacitance having a transparent front plate, a functional layer disposed on a part of one surface of the front plate, and an electrode pattern disposed on the same surface side as the functional layer of the front plate. The gap between at least the electrode pattern and the front plate of the mold input device can be filled, the transparency is high, and the disconnection of the electrode pattern at the time of manufacturing the capacitive input device can be suppressed. A transparent resin film that can suppress disconnection of the electrode pattern when the front plate is broken can be provided.
以下、本発明の透明樹脂膜、転写フィルム、導電膜積層体、静電容量型入力装置および画像表示装置について説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。尚、本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
Hereinafter, the transparent resin film, transfer film, conductive film laminate, capacitance-type input device and image display device of the present invention will be described.
The description of the constituent elements described below may be made based on typical embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments. In the present specification, “to” is used to mean that the numerical values described before and after it are included as a lower limit value and an upper limit value.
[透明樹脂膜]
本発明の透明樹脂膜は、少なくともシリコーンレジンと、触媒を含み、かつ、厚みが5〜300μmである透明樹脂膜であり、透明樹脂膜が、透明な前面板と、前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、前面板の機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるために用いられる。
本発明の透明樹脂膜はこのような構成により、透明な前面板と、前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、前面板の機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めることができ、透明度が高く、静電容量型入力装置の製造時の電極パターンの断線を抑制でき、静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線を抑制できる。
透明樹脂膜によって少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めることにより、段差を平滑化でき、静電容量型入力装置の製造時の電極パターンの断線を抑制できる。
透明樹脂膜が触媒を含むことにより、静電容量型入力装置の製造時(特に透明電極形成時)の断線だけではなく、静電容量型入力装置の前面板が割れた場合(特に基板を落下させた時)の透明電極パターンの断線も防ぐことができる。いかなる理論に拘泥するものでもないが、触媒を添加することである程度の硬度となっている透明樹脂膜の上に(前面板の上に直接ではなく)透明電極パターンが配置されると、前面板が破損した場合に透明電極パターンへの影響を小さくできるとのメカニズムと考えられる。
また、特開2014−081642号公報の段差埋め込みに使用されているアクリル樹脂を含む透明樹脂膜と比較すると、本発明では透明樹脂膜がシリコーンレジンを含むことと触媒を含むことにより、ポストベーク後の透明性と静電容量型入力装置の前面板が割れた場合(特に基板を落下させた時)の断線予防効果の改善がみられる。
[Transparent resin film]
The transparent resin film of the present invention is a transparent resin film containing at least a silicone resin and a catalyst and having a thickness of 5 to 300 μm. The transparent resin film is formed of a transparent front plate and one surface of the front plate. In order to fill at least a step between the electrode pattern and the front plate of the capacitive input device having a functional layer arranged in part and an electrode pattern arranged on the same side as the functional layer of the front plate Used.
With such a configuration, the transparent resin film of the present invention has a transparent front plate, a functional layer disposed on a part of one surface of the front plate, and an electrode disposed on the same surface side as the functional layer of the front plate. The gap between at least the electrode pattern and the front plate of the capacitive input device having a pattern can be filled, the transparency is high, and the disconnection of the electrode pattern at the time of manufacturing the capacitive input device can be suppressed, It is possible to suppress disconnection of the electrode pattern when the front plate of the capacitive input device is broken.
By filling at least the step between the electrode pattern and the front plate with the transparent resin film, the step can be smoothed, and disconnection of the electrode pattern at the time of manufacturing the capacitive input device can be suppressed.
When the transparent resin film contains a catalyst, not only the disconnection at the time of manufacturing the capacitive input device (especially when forming the transparent electrode), but also when the front plate of the capacitive input device is cracked (particularly the substrate is dropped The disconnection of the transparent electrode pattern can also be prevented. Without being bound by any theory, if a transparent electrode pattern is placed on the transparent resin film (not directly on the front plate), which has a certain degree of hardness by adding a catalyst, the front plate This is considered to be a mechanism by which the influence on the transparent electrode pattern can be reduced when the is damaged.
Further, in comparison with the transparent resin film containing acrylic resin used for step filling in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-081642, in the present invention, the transparent resin film contains a silicone resin and contains a catalyst. Transparency and the effect of preventing disconnection when the front plate of the capacitive input device is broken (particularly when the substrate is dropped).
なお、特願2014−010693号に記載の透明樹脂膜、導電膜積層体、静電容量型入力装置および画像表示装置では、電極パターンは透明樹脂膜の前面板(支持体)側の面にあってもよく、また、透明樹脂膜の前面板(支持体)とは反対側の面にあってもよく、さらに一部の透明電極が、透明樹脂膜の前面板(支持体)側にあり、残りの部分が透明樹脂膜の支持体とは反対側の面にある構成も含まれていた。
それに対し、本発明では、透明樹脂膜の上に透明電極パターンが配置されており、層構成が限定されている。
In the transparent resin film, the conductive film laminate, the capacitive input device, and the image display device described in Japanese Patent Application No. 2014-010993, the electrode pattern is located on the surface of the transparent resin film on the front plate (support) side. The transparent resin film may be on the side opposite to the front plate (support) of the transparent resin film, and some transparent electrodes are on the front plate (support) side of the transparent resin film, A configuration in which the remaining part is on the surface opposite to the support of the transparent resin film was also included.
On the other hand, in this invention, the transparent electrode pattern is arrange | positioned on the transparent resin film, and the layer structure is limited.
なお、万が一ガラス基板が割れたときにでもガラスの破片が飛び散ってしまうことを防ぐために、飛散防止機能を有する樹脂膜を積層することも、特開2012−073726号公報、特開2011−150550号公報、特開2014−081642号公報などでは技術課題として残されていた。
本発明の構成とすることで、少なくとも電極パターンと前面板との間に透明樹脂膜が存在することによって適度な硬さ、強靭性をもつ透明樹脂膜により、切れやすい透明電極層を保護するというメカニズムにより、ガラス基板が割れたときにでもガラスの破片が飛び散ってしまうことも防ぐことができることが好ましい。
In addition, in order to prevent glass fragments from being scattered even if the glass substrate is broken, a resin film having a scattering prevention function may be laminated, as disclosed in JP 2012-073726 A and JP 2011-150550 A. In Japanese Patent Laid-Open No. 2014-081642 and the like, it has been left as a technical problem.
By adopting the configuration of the present invention, the transparent resin film having appropriate hardness and toughness is protected by the presence of the transparent resin film at least between the electrode pattern and the front plate, and the transparent electrode layer that is easily cut is protected. It is preferable that the mechanism can prevent glass fragments from being scattered even when the glass substrate is broken.
本発明の透明樹脂膜は流動性を保った状態であってもよく、流動性を失った状態であってもよく、硬化または固定化された状態であってもよい。
本発明の透明樹脂膜が、透明な前面板と、この前面板の一方の面の一部に配置された加飾層と、上記前面板の一方の面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の、少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるための透明レジスト溶液から形成されてなる場合は、流動性を保った状態の透明レジスト溶液を本発明の透明樹脂膜ということができ、透明レジスト溶液を乾燥して流動性が失われた状態としたものも本発明の透明樹脂膜ということができる。
また、本発明の透明樹脂膜を後述の本発明の転写フィルムに用いる場合、本発明の透明樹脂膜形成用塗布液を後述の仮支持体などの上に塗布し、乾燥して、ドライフィルムとしたときも、本発明の転写フィルム中の透明樹脂膜を本発明の透明樹脂膜ということができる。
また、本発明の透明樹脂膜を用いて、透明な前面板と、この前面板の一方の面の一部に配置された加飾層と、上記前面板の一方の面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の、少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めた後、活性放射線の照射などにより硬化した透明樹脂膜も本発明の透明樹脂膜ということができる。
The transparent resin film of the present invention may be in a state where the fluidity is maintained, may be in a state where the fluidity is lost, or may be in a cured or fixed state.
The transparent resin film of the present invention has a transparent front plate, a decorative layer disposed on a part of one surface of the front plate, and an electrode pattern disposed on one surface side of the front plate. In the case where the capacitance type input device is formed from a transparent resist solution for filling at least a step between the electrode pattern and the front plate, the transparent resist solution in a state of maintaining fluidity is used as the transparent resin of the present invention. A film obtained by drying the transparent resist solution to lose fluidity can also be referred to as the transparent resin film of the present invention.
Moreover, when using the transparent resin film of this invention for the transfer film of this invention mentioned later, the coating liquid for transparent resin film formation of this invention is apply | coated on a temporary support etc. which are mentioned later, it dries, and a dry film and In this case, the transparent resin film in the transfer film of the present invention can also be referred to as the transparent resin film of the present invention.
Further, using the transparent resin film of the present invention, a transparent front plate, a decorative layer arranged on a part of one surface of the front plate, and an electrode arranged on one surface side of the front plate A transparent resin film cured by irradiation of actinic radiation after filling at least a step between the electrode pattern and the front plate of the capacitive input device having a pattern can also be referred to as the transparent resin film of the present invention. .
ここで、透明な前面板と、前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、前面板の機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差としては特に制限はない。
少なくとも電極パターンと前面板との間の段差としては、「前面板と機能層との段差」、前面板と機能層による段差の上に第三の層を設けたときに、前面板と機能層による段差が第三の層により埋まらなかった時に残った段差などを挙げることができる。
本発明では、透明な前面板と、前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、前面板の機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の機能層が加飾層である場合が好ましく、この場合は少なくとも電極パターンと前面板との間の段差が「前面板と加飾層との段差」であることがより好ましい。
Here, a capacitance-type input device having a transparent front plate, a functional layer disposed on a part of one surface of the front plate, and an electrode pattern disposed on the same surface side as the functional layer of the front plate. There is no particular limitation on the level difference between at least the electrode pattern and the front plate.
At least the step between the electrode pattern and the front plate is “step between the front plate and the functional layer”. When the third layer is provided on the step formed by the front plate and the functional layer, the front plate and the functional layer For example, a step remaining when the step due to the surface is not filled with the third layer can be given.
In the present invention, a capacitive input having a transparent front plate, a functional layer disposed on a part of one surface of the front plate, and an electrode pattern disposed on the same surface side as the functional layer of the front plate. The functional layer of the device is preferably a decorative layer, and in this case, at least the step between the electrode pattern and the front plate is more preferably “the step between the front plate and the decorative layer”.
(組成)
−シリコーンレジン−
本発明の透明樹脂膜に用いられる上記シリコーンレジンとして公知のものが使用できる。
シリコーンレジンは、樹脂を下記シラン化合物で一部変性し、多様な特性が付与されたた変性シリコーンレジンと、アルコキシ基又はシラノール基を有するシラン化合物を脱水縮合させ、シリコーン本来の性質を利用したストレートシリコーンレジンとに分類できる。本発明の透明樹脂膜および転写フィルムは、上記シリコーンレジンが、変性シリコーンレジン、または、ストレートシリコーンレジンであることが好ましく、変性シリコーンレジンであることが特に好ましい。
(composition)
-Silicone resin-
Known silicone resins can be used for the transparent resin film of the present invention.
Silicone resin is a straight resin that utilizes the inherent properties of silicone by dehydrating and condensing a modified silicone resin with various properties and a silane compound having an alkoxy group or silanol group. It can be classified as a silicone resin. In the transparent resin film and transfer film of the present invention, the silicone resin is preferably a modified silicone resin or a straight silicone resin, and particularly preferably a modified silicone resin.
変性シリコーンレジンとしては、アクリル酸などのアクリルモノマーにシラン化合物を反応させたモノマーを重合又は他のアクリルモノマーに共重合させたアクリル変性シリコーンレジン(信越化学工業株式会社製KR−9706など)、ポリエステルの水酸基等にシラン化合物を反応させたポリエステル変性シリコーンレジン(信越化学工業株式会社製KR−5230など)、樹脂のアミノ基残基等にエポキシ含有シラン化合物を反応させたエポキシ樹脂変性シリコーンレジン、アルキッド樹脂を反応性シラン化合物で変性したアルキッド樹脂変性シリコーンレジン、オキシム系開始剤を用いて樹脂と直接共有結合を形成させるゴム系のシリコーンレジン等が使用できる。この中でも、アクリル変性シリコーンレジンまたはポリエステル変性シリコーンレジン、あるいは、これらを共重合成分として含むシリコーンレジンを含むことが、より静電容量型入力装置の前面板が割れた場合(特に落下時)の透明電極パターンの断線をさらに効果的に防ぐことができる観点から好ましい。 Examples of modified silicone resins include acrylic-modified silicone resins (such as KR-9706 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), polyesters obtained by polymerizing or copolymerizing monomers obtained by reacting acrylic monomers such as acrylic acid with silane compounds, and other acrylic monomers. Modified silicone resin (such as KR-5230, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), an epoxy resin-modified silicone resin obtained by reacting an epoxy-containing silane compound with an amino group residue of the resin, and alkyd An alkyd resin-modified silicone resin obtained by modifying a resin with a reactive silane compound, a rubber-based silicone resin that directly forms a covalent bond with a resin using an oxime initiator, and the like can be used. Among them, acrylic modified polyester resin or polyester modified silicone resin, or including a silicone resin containing these as a copolymer component is more transparent when the front plate of the capacitive input device is broken (particularly when dropped). It is preferable from the viewpoint that the disconnection of the electrode pattern can be more effectively prevented.
ストレートシリコーンレジンとしては、分子内に少なくとも下記一般式(1)で表されるシロキサン構造を含有するものが使用できる。
一般式(1)中、R1は独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシ基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基、炭素数2〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数6〜20のアリール基または炭素数7〜20のアラルキル基であり、複数のR1は同一であっても異なっていてもよい。すなわち上記一般式(1)で表されるシロキサン構造を有するストレートシリコーンレジンは、同一シロキサン構造の縮合体でも良いし、異なる組合せの共縮合体でも良い。 In general formula (1), R 1 is independently a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a linear or branched structure having 1 to 20 carbon atoms. Or a cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic substituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl having 6 to 20 carbon atoms A group or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, and a plurality of R 1 may be the same or different. That is, the straight silicone resin having a siloxane structure represented by the general formula (1) may be a condensate having the same siloxane structure or a co-condensate having a different combination.
R1の表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子等を挙げることができる。
R1の表す炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。
R1の表す炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R1の表す炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基の中では、炭素数1〜3のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
また、R1の表す炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基としては、例えばアリールアルキル基、フルオロアルキル基、クロロアルキル基、ヒドロキシアルキル基、(メタ)アクリロキシアルキル基およびメルカプトアルキル基を挙げることができる。これらの具体例としては、例えば、フェニルメチル(ベンジル)基、ジフェニルメチル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニル−n−プロピル基、2−フェニル−2−プロピル(クミル)基、3−フェニル−n−プロピル基、1−フェニルブチル基、2−フェニルブチル基、3−フェニルブチル基、4−フェニルブチル基、1−フェニルペンチル基、2−フェニルペンチル基、3−フェニルペンチル基、4−フェニルペンチル基、5−フェニルペンチル基、1−フェニルヘキシル基、2−フェニルヘキシル基、3−フェニルヘキシル基、4−フェニルヘキシル基、5−フェニルヘキシル基、6−フェニルヘキシル基、1−フェニルシクロヘキシル基、2−フェニルシクロヘキシル基、3−フェニルシクロヘキシル基、1−フェニルヘプチル基、2−フェニルヘプチル基、3−フェニルヘプチル基、4−フェニルヘプチル基、5−フェニルヘプチル基、6−フェニルヘプチル基、1−フェニルオクチル基、2−フェニルオクチル基、3−フェニルオクチル基、4−フェニルオクチル基、5−フェニルオクチル基、6−フェニルオクチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基、1−ナフチル−n−プロピル基、2−ナフチル−2−プロピル基、3−ナフチル−n−プロピル基、1−ナフチルブチル基、2−ナフチルブチル基、3−ナフチルブチル基、4−ナフチルブチル基、1−ナフチルペンチル基、2−ナフチルペンチル基、3−ナフチルペンチル基、4−ナフチルペンチル基、5−ナフチルペンチル基、1−ナフチルヘキシル基、2−ナフチルヘキシル基、3−ナフチルヘキシル基、4−ナフチルヘキシル基、5−ナフチルヘキシル基、6−ナフチルヘキシル基、1−ナフチルシクロヘキシル基、2−ナフチルシクロヘキシル基、3−ナフチルシクロヘキシル基、1−ナフチルヘプチル基、2−ナフチルヘプチル基、3−ナフチルヘプチル基、4−ナフチルヘプチル基、5−ナフチルヘプチル基、6−ナフチルヘプチル基、1−ナフチルオクチル基、2−ナフチルオクチル基、3−ナフチルオクチル基、4−ナフチルオクチル基、5−ナフチルオクチル基、6−ナフチルオクチル基、などのアリールアルキル基;フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、2−フルオロエチル基、(トリフルオロメチル)メチル基、ペンタフルオロエチル基、3−フルオロ−n−プロピル基、2−(トリフルオロメチル)エチル基、(ペンタフルオロエチル)メチル基、ヘプタフルオロ−n−プロピル基、4−フルオロ−n−ブチル基、3−(トリフルオロメチル)−n−プロピル基、2−(ペンタフルオロエチル)エチル基、(ヘプタフルオロ−n−プロピル)メチル基、ノナフルオロ−n−ブチル基、5−フルオロ−n−ペンチル基、4−(トリフルオロメチル)−n−ブチル基、3−(ペンタフルオロエチル)−n−プロピル基、2−(ヘプタフルオロ−n−プロピル)エチル基、(ノナフルオロ−n−ブチル)メチル基、パーフルオロ−n−ペンチル基、6−フルオロ−n−ヘキシル基、5−(トリフルオロメチル)−n−ペンチル基、4−(ペンタフルオロエチル)−n−ブチル基、3−(ヘプタフルオロ−n−プロピル)−n−プロピル基、2−(ノナフルオロ−n−ブチル)エチル基、(パーフルオロ−n−ペンチル)メチル基、パーフルオロ−n−ヘキシル基、7−(トリフルオロメチル)−n−ヘプチル基、6−(ペンタフルオロエチル)−n−ヘキシル基、5−(ヘプタフルオロ−n−プロピル)−n−ペンチル基、4−(ノナフルオロ−n−ブチル)−n−ブチル基、3−(パーフルオロ−n−ペンチル)−n−プロピル基、2−(パーフルオロ−n−ヘキシル)エチル基、(パーフルオロ−n−ヘプチル)メチル基、パーフルオロ−n−オクチル基、9−(トリフルオロメチル)−n−ノニル基、8−(ペンタフルオロエチル)−n−オクチル基、7−(ヘプタフルオロ−n−プロピル)−n−ヘプチル基、6−(ノナフルオロ−n−ブチル)−n−ヘキシル基、5−(パーフルオロ−n−ペンチル)−n−ペンチル基、4−(パーフルオロ−n−ヘキシル)−n−ブチル基、3−(パーフルオロ−n−ヘプチル)−n−プロピル基、2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチル基、(パーフルオロ−n−ノニル)メチル基、パーフルオロ−n−デシル基、4−フルオロシクロペンチル基、4−フルオロシクロヘキシル基等のフルオロアルキル基;ならびにクロロメチル基、2−クロロエチル基、3−クロロ−n−プロピル基、4−クロロ−n−ブチル基、3−クロロシクロペンチル基、4−クロロシクロヘキシル基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシシクロペンチル基、4−ヒドロキシシクロヘキシル基、3−(メタ)アクリロキシプロピル基、3−メルカプトプロピル基等を挙げることができる。
また、R1の表す炭素数2〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、1−メチルビニル基、1−プロペニル基、アリル基(2−プロペニル基)、2−メチル−2−プロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、3−ブテニル基、3−シクロペンテニル基、3−シクロヘキセニル基等を挙げることができる。R1の表す炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基の中では、アリールアルキル基が好ましく、クミル基がより好ましい。
また、R1の表す炭素数6〜20のアリール基としては、例えば、フェニル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、2,3−キシリル基、2,4−キシリル基、2,5−キシリル基、2,6−キシリル基、3,4−キシリル基、3,5−キシリル基、1−ナフチル基等を挙げることができる。R1の表す炭素数6〜20のアリール基のなかでは、加熱時にベンゼンを発生しにくい観点から無置換のフェニル基以外、すなわち、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、2,3−キシリル基、2,4−キシリル基、2,5−キシリル基、2,6−キシリル基、3,4−キシリル基、3,5−キシリル基、1−ナフチル基が好ましく、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基がより好ましい。
また、R1の表す炭素数7〜20のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基等を挙げることができる。
Examples of the halogen atom represented by R 1 include a fluorine atom and a chlorine atom.
Examples of the linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 1 include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group and an i-butoxy group. Group, sec-butoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group, n-hexyloxy group, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group and the like.
Examples of the linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 1 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, and an i-butyl group. Group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like. Among the linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms represented by R 1 , an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable, and a methyl group is more preferable.
Examples of the linear, branched, or cyclic substituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 1 include an arylalkyl group, a fluoroalkyl group, a chloroalkyl group, a hydroxyalkyl group, and a (meth) acryloxyalkyl group. Groups and mercaptoalkyl groups. Specific examples thereof include, for example, phenylmethyl (benzyl) group, diphenylmethyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenyl-n-propyl group, 2-phenyl-2-propyl (cumyl ) Group, 3-phenyl-n-propyl group, 1-phenylbutyl group, 2-phenylbutyl group, 3-phenylbutyl group, 4-phenylbutyl group, 1-phenylpentyl group, 2-phenylpentyl group, 3- Phenylpentyl group, 4-phenylpentyl group, 5-phenylpentyl group, 1-phenylhexyl group, 2-phenylhexyl group, 3-phenylhexyl group, 4-phenylhexyl group, 5-phenylhexyl group, 6-phenylhexyl Group, 1-phenylcyclohexyl group, 2-phenylcyclohexyl group, 3-phenylcyclohexyl group 1-phenylheptyl group, 2-phenylheptyl group, 3-phenylheptyl group, 4-phenylheptyl group, 5-phenylheptyl group, 6-phenylheptyl group, 1-phenyloctyl group, 2-phenyloctyl group, 3- Phenyloctyl group, 4-phenyloctyl group, 5-phenyloctyl group, 6-phenyloctyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, 1-naphthyl-n-propyl group, 2-naphthyl-2-propyl group Group, 3-naphthyl-n-propyl group, 1-naphthylbutyl group, 2-naphthylbutyl group, 3-naphthylbutyl group, 4-naphthylbutyl group, 1-naphthylpentyl group, 2-naphthylpentyl group, 3-naphthyl Pentyl group, 4-naphthylpentyl group, 5-naphthylpentyl group, 1-naphthylhexyl group, 2-naphthyl Hexyl group, 3-naphthylhexyl group, 4-naphthylhexyl group, 5-naphthylhexyl group, 6-naphthylhexyl group, 1-naphthylcyclohexyl group, 2-naphthylcyclohexyl group, 3-naphthylcyclohexyl group, 1-naphthylheptyl group 2-naphthylheptyl group, 3-naphthylheptyl group, 4-naphthylheptyl group, 5-naphthylheptyl group, 6-naphthylheptyl group, 1-naphthyloctyl group, 2-naphthyloctyl group, 3-naphthyloctyl group, 4 -Arylalkyl groups such as naphthyloctyl group, 5-naphthyloctyl group, 6-naphthyloctyl group; fluoromethyl group, trifluoromethyl group, 2-fluoroethyl group, (trifluoromethyl) methyl group, pentafluoroethyl group , 3-fluoro-n-propyl group, 2- ( (Trifluoromethyl) ethyl group, (pentafluoroethyl) methyl group, heptafluoro-n-propyl group, 4-fluoro-n-butyl group, 3- (trifluoromethyl) -n-propyl group, 2- (pentafluoro Ethyl) ethyl group, (heptafluoro-n-propyl) methyl group, nonafluoro-n-butyl group, 5-fluoro-n-pentyl group, 4- (trifluoromethyl) -n-butyl group, 3- (pentafluoro) Ethyl) -n-propyl group, 2- (heptafluoro-n-propyl) ethyl group, (nonafluoro-n-butyl) methyl group, perfluoro-n-pentyl group, 6-fluoro-n-hexyl group, 5- (Trifluoromethyl) -n-pentyl group, 4- (pentafluoroethyl) -n-butyl group, 3- (heptafluoro-n-propyl) -n Propyl group, 2- (nonafluoro-n-butyl) ethyl group, (perfluoro-n-pentyl) methyl group, perfluoro-n-hexyl group, 7- (trifluoromethyl) -n-heptyl group, 6- ( Pentafluoroethyl) -n-hexyl group, 5- (heptafluoro-n-propyl) -n-pentyl group, 4- (nonafluoro-n-butyl) -n-butyl group, 3- (perfluoro-n-pentyl) ) -N-propyl group, 2- (perfluoro-n-hexyl) ethyl group, (perfluoro-n-heptyl) methyl group, perfluoro-n-octyl group, 9- (trifluoromethyl) -n-nonyl Group, 8- (pentafluoroethyl) -n-octyl group, 7- (heptafluoro-n-propyl) -n-heptyl group, 6- (nonafluoro-n-butyl) -n-he Sil group, 5- (perfluoro-n-pentyl) -n-pentyl group, 4- (perfluoro-n-hexyl) -n-butyl group, 3- (perfluoro-n-heptyl) -n-propyl group , Fluoroalkyl groups such as 2- (perfluoro-n-octyl) ethyl group, (perfluoro-n-nonyl) methyl group, perfluoro-n-decyl group, 4-fluorocyclopentyl group, 4-fluorocyclohexyl group; Chloromethyl group, 2-chloroethyl group, 3-chloro-n-propyl group, 4-chloro-n-butyl group, 3-chlorocyclopentyl group, 4-chlorocyclohexyl group, hydroxymethyl group, 2-hydroxyethyl group, 3-hydroxycyclopentyl group, 4-hydroxycyclohexyl group, 3- (meth) acryloxypropyl group, 3-mercapto A propyl group etc. can be mentioned.
Examples of the linear, branched or cyclic alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms represented by R 1 include a vinyl group, a 1-methylvinyl group, a 1-propenyl group, and an allyl group (2-propenyl group). 2-methyl-2-propenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, 3-cyclopentenyl group, 3-cyclohexenyl group, and the like. Among the linear, branched or cyclic substituted alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms represented by R 1 , arylalkyl groups are preferable, and cumyl groups are more preferable.
Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 1 include a phenyl group, an o-tolyl group, an m-tolyl group, a p-tolyl group, a 2,3-xylyl group, and a 2,4-xylyl group. 2,5-xylyl group, 2,6-xylyl group, 3,4-xylyl group, 3,5-xylyl group, 1-naphthyl group, and the like. Among the aryl groups having 6 to 20 carbon atoms represented by R 1 , other than an unsubstituted phenyl group, that is, an o-tolyl group, an m-tolyl group, a p-tolyl group, , 3-xylyl group, 2,4-xylyl group, 2,5-xylyl group, 2,6-xylyl group, 3,4-xylyl group, 3,5-xylyl group, 1-naphthyl group are preferable, o- A tolyl group, m-tolyl group, and p-tolyl group are more preferable.
Examples of the aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms represented by R 1 include a benzyl group and a phenethyl group.
上記一般式(1)中、R1は独立して、水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基または炭素数6〜9のアリール基であることが好ましく、水素原子、メチル基、フェニル基またはトリル基を表すことがより好ましい。
上記一般式(1)で表されるシロキサン構造は、R1としてメチル基を含むことが、加飾層のL値を特に高めることができる観点から好ましい。
In the general formula (1), R 1 is independently a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic group having 1 to 6 carbon atoms. Is preferably a substituted alkyl group or an aryl group having 6 to 9 carbon atoms, and more preferably represents a hydrogen atom, a methyl group, a phenyl group or a tolyl group.
The siloxane structure represented by the general formula (1) preferably contains a methyl group as R 1 from the viewpoint of particularly enhancing the L value of the decorative layer.
上記ストレートシリコーンレジンは、R1が互いに異なる2種以上の上記一般式(1)
で表されるシロキサン構造の共重合体であることも好ましい。この場合、R1がアルキル基である上記一般式(1)で表されるシロキサン構造と、R1が水素原子、置換アルキル基またはアリール基である上記一般式(1)で表されるシロキサン構造との共重合体を好ましく挙げることができる。共重合比としては特に制限はないが、R1がアルキル基である上記一般式(1)で表されるシロキサン構造が、全ての上記一般式(1)で表されるシロキサン構造中、50〜100モル%であることが好ましく、60〜100モル%であることがより好ましく、70〜100モル%であることが特に好ましい。
The straight silicone resin includes two or more general formulas (1) in which R 1 are different from each other
It is also preferable that it is a copolymer of the siloxane structure represented by these. In this case, the siloxane structure represented by the general formula (1) in which R 1 is an alkyl group and the siloxane structure represented by the general formula (1) in which R 1 is a hydrogen atom, a substituted alkyl group, or an aryl group. And a copolymer thereof. The copolymerization ratio is not particularly limited, but the siloxane structure represented by the general formula (1) in which R 1 is an alkyl group is 50 to 50% of the siloxane structure represented by the general formula (1). It is preferably 100 mol%, more preferably 60 to 100 mol%, and particularly preferably 70 to 100 mol%.
本発明に用いられるストレートシリコーンレジンとしては、分子内に上記一般式(1)で表されるシロキサン構造に加えて、下記一般式(2)で表されるシロキサン構造との共縮合からなるシロキサン構造を含有するものも好ましく使用できる。
ストレートシリコーンレジンの具体例としては、炭素数1〜20のアルキル基とアルコキシ基を有するシラン化合物の縮合から調製されるアルキル系ストレートシリコーン(メチル系ストレートシリコーン等)、メチルフェニル等のアルキル・アリール系ストレートシリコーン、フェニル等のアリール系ストレートシリコーン、メチルハイドロジェン等のハイドロジェン系ストレートシリコーンが使用できる。
より好ましいのは、メチル系ストレートシリコーンレジン、メチルトリル系ストレートシリコーンレジン、メチルフェニル系ストレートシリコーンレジン、アクリル樹脂変性シリコーンレジン、メチルハイドロジェン系ストレートシリコーンレジン、ハイドロジェントリル系ストレートシリコーンレジンであり、加熱時にベンゼンを発生せず、明度の低下抑制の観点から、特に好ましいのは、メチル系ストレートシリコーンレジン、メチルトリル系ストレートシリコーンレジン、メチルハイドロジェン系ストレートシリコーンレジン、ハイドロジェントリル系ストレートシリコーンレジンである。
これらのシリコーンレジンは単独で使用しても2種以上を併用してもよく、これらを任意の比率で混合することにより膜物性を制御できる。
Specific examples of straight silicone resins include alkyl straight silicones prepared from the condensation of silane compounds having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and an alkoxy group (methyl straight silicones, etc.), alkyl aryls such as methylphenyl, etc. Straight silicone, aryl straight silicone such as phenyl, and hydrogen straight silicone such as methyl hydrogen can be used.
More preferred are methyl-based straight silicone resins, methyl-tolyl-based straight silicone resins, methyl-phenyl-based straight silicone resins, acrylic resin-modified silicone resins, methyl-hydrogen-based straight silicone resins, and hydrogen-hydrogen-based straight silicone resins. From the viewpoint of preventing the decrease in lightness without generating benzene, methyl straight silicone resin, methyl tolyl straight silicone resin, methyl hydrogen straight silicone resin, and hydrogen tol straight silicone resin are particularly preferable.
These silicone resins may be used alone or in combination of two or more, and the film properties can be controlled by mixing them at an arbitrary ratio.
シリコーンレジンの重量平均分子量は1,000〜5,000,000であることが好ましく、2,000〜3,000,000であることがより好ましく、2,500〜3,000,000であることが特に好ましい。分子量が1,000以上であると、製膜性が良好となる。 The weight average molecular weight of the silicone resin is preferably 1,000 to 5,000,000, more preferably 2,000 to 3,000,000, and 2,500 to 3,000,000. Is particularly preferred. When the molecular weight is 1,000 or more, the film forming property is good.
本明細書における重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により測定することができる。具体的には、下記の条件で測定することができる。
・カラム:GPCカラム TSKgelSuper HZM−H(東ソー社製)
・溶媒:テトラヒドロフラン
・標準物質:単分散ポリスチレン
The weight average molecular weight in this specification can be measured, for example, by gel permeation chromatography (GPC). Specifically, it can be measured under the following conditions.
Column: GPC column TSKgelSuper HZM-H (manufactured by Tosoh Corporation)
・ Solvent: Tetrahydrofuran ・ Standard: Monodisperse polystyrene
変性シリコーンレジン及びストレートシリコーンレジンを調製するために使用するシラン化合物としては、
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラn−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラn−ブトキシシラン、テトライソブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、クミルトリメトキシシラン、トリルトリメトキシシラン、3,3,3−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、β−シアノエチルトリエトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリフェノキシシラン、α−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、δ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチルトリメトキシシラン、(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリプロポキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリブトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリフェノキシシラン、γ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリメトキシシラン、γ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリエトキシシラン、δ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)ブチルトリエトキシシランなどのトリアルコキシ、トリアシルオキシまたはトリフェノキシシラン類、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、グリシドキシメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルジエトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシエチルジエトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジフェノキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルフェニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルフェニルジエトキシシランなどのアルコキシシランまたはジアシルオキシシラン類、ジメトキシメチルシラン、トリメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、ジアセトキシメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、ジエチルメチルシラン、トリエチルシラン、ブチルジメチルシラン、ジメチルフェニルシラン、メチルフェニルビニルシラン、ジフェニルメチルシラン、トリプロピルシラン、トリペンチルオキシシラン、トリフェニルシラン、トリヘキシルシラン、ジエチルシラン、アリルジメチルシラン、メチルフェニルシラン、ジフェニルシラン、フェニルシラン、オクチルシラン、1,4−ビス(ジメチルシリル)ベンゼン、および1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、ジメチルトリルシラン、メチルトリルビニルシラン、ジトリルメチルシラン、トリトリルシラン、ジメチルベンジルシラン、メチルベンジルビニルシラン、ジベンジルメチルシラン、トリベンジルシラン、ジフェニルシラン、2−クロロエチルシラン、ビス[(p−ジメチルシリル)フェニル]エーテル、1,4−ジメチルジシリルエタン、1,3,5−トリス(ジメチルシリル)ベンゼン、1,3,5−トリメチル−1,3,5−トリシラン、ポリ(メチルシリレン)フェニレン、及びポリ(メチルシリレン)メチレン、テトラクロロシラン、トリクロロシラン、トリエトキシシラン、トリ−n−プロポキシシラン、トリ−i−プロポキシシラン、トリ−n−ブトキシシラン、トリ−sec−ブトキシシラン、フルオロトリクロロシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フルオロトリ−n−プロポキシシラン、フルオロトリ−i−プロポキシシラン、フルオロトリ−n−ブトキシシラン、フルオロトリ−sec−ブトキシシラン、メチルトリクロロシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリ−i−プロポキシシラン、メチルトリ−n−ブトキシシラン、メチルトリ−sec−ブトキシシラン、2−(トリフルオロメチル)エチルトリクロロシシラン、2−(トリフルオロメチル)エチルトリメトキシシラン、2−(トリフルオロメチル)エチルトリエトキシシラン、2−(トリフルオロメチル)エチルトリ−n−プロポキシシラン、2−(トリフルオロメチル)エチルトリ−i−プロポキシシラン、2−(トリフルオロメチル)エチルトリ−n−ブトキシシラン、2−(トリフルオロメチル)エチルトリ−sec−ブトキシシラン、2−(パーフルオロ−n−ヘキシル)エチルトリクロロシラン、2−(パーフルオロ−n−ヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(パーフルオロ−n−ヘキシル)エチルトリエトキシシラン、2−(パーフルオロ−n−ヘキシル)エチルトリ−n−プロポキシシラン、2−(パーフルオロ−n−ヘキシル)エチルトリ−i−プロポキシシラン、2−(パーフルオロ−n−ヘキシル)エチルトリ−n−ブトキシシラン、2−(パーフルオロ−n−ヘキシル)エチルトリ−sec−ブトキシシラン、2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチルトリクロロシラン、2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチルトリメトキシシラン、2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチルトリエトキシシラン、2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチルトリ−n−プロポキシシラン、2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチルトリ−i−プロポキシシラン、2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチルトリ−n−ブトキシシラン、2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチルトリ−sec−ブトキシシラン、ヒドロキシメチルトリクロロシラン、ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−n−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−i−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−n−ブトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−sec−ブトキシシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルトリクロロシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルトリ−n−プロポキシシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルトリ−i−プロポキシシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルトリ−n−ブトキシシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルトリ−sec−ブトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリクロロシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリ−n−プロポキシシラン、3−メルカプトプロピルトリ−i−プロポキシシラン、3−メルカプトプロピルトリ−n−ブトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリ−sec−ブトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリ−n−プロポキシシラン、ビニルトリ−i−プロポキシシラン、ビニルトリ−n−ブトキシシラン、ビニルトリ−sec−ブトキシシラン、アリルトリクロロシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリ−n−プロポキシシラン、アリルトリ−i−プロポキシシラン、アリルトリ−n−ブトキシシラン、アリルトリ−sec−ブトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリ−n−プロポキシシラン、フェニルトリ−i−プロポキシシラン、フェニルトリ−n−ブトキシシラン、フェニルトリ−sec−ブトキシシラン、メチルジクロロシラン、メチルジエトキシシラン、メチルジ−n−プロポキシシラン、メチルジ−i−プロポキシシラン、メチルジ−n−ブトキシシラン、メチルジ−sec−ブトキシシラン、ジメチルジクロロシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−n−プロポキシシラン、ジメチルジ−i−プロポキシシラン、ジメチルジ−n−ブトキシシラン、ジメチルジ−sec−ブトキシシラン、(メチル)〔2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチル〕ジクロロシラン、(メチル)〔2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチル〕ジメトキシシラン、(メチル)〔2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチル〕ジエメトキシシラン、(メチル)〔2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチル〕ジ−n−プロポキシシラン、(メチル)〔2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチル〕ジ−i−プロポキシシラン、(メチル)〔2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチル〕ジ−n−ブトキシシラン、(メチル)〔2−(パーフルオロ−n−オクチル)エチル〕ジ−sec−ブトキシシラン、(メチル)(γ−グリシドキシプロピル)ジクロロシラン、(メチル)(γ−グリシドキシプロピル)ジメトキシシラン、(メチル)(γ−グリシドキシプロピル)ジエトキシシラン、(メチル)(γ−グリシドキシプロピル)ジ−n−プロポキシシラン、(メチル)(γ−グリシドキシプロピル)ジ−i−プロポキシシラン、(メチル)(γ−グリシドキシプロピル)ジ−n−ブトキシシラン、(メチル)(γ−グリシドキシプロピル)ジ−sec−ブトキシシラン、(メチル)(3−メルカプトプロピル)ジクロロシラン、(メチル)(3−メルカプトプロピル)
ジメトキシシラン、(メチル)(3−メルカプトプロピル)ジエトキシシラン、(メチル)(3−メルカプトプロピル)ジ−n−プロポキシシラン、(メチル)(3−メルカプトプロピル)ジ−i−プロポキシシラン、(メチル)(3−メルカプトプロピル)ジ−n−ブトキシシラン、(メチル)(3−メルカプトプロピル)ジ−sec−ブトキシシラン、(メチル)(ビニル)ジクロロシラン、(メチル)(ビニル)ジメトキシシラン、(メチル)(ビニル)ジエトキシシラン、(メチル)(ビニル)ジ−n−プロポキシシラン、(メチル)(ビニル)ジ−i−プロポキシシラン、(メチル)(ビニル)ジ−n−ブトキシシラン、(メチル)(ビニル)ジ−sec−ブトキシシラン、ジビニルジクロロシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジ−n−プロポキシシラン、ジビニルジ−i−プロポキシシラン、ジビニルジ−n−ブトキシシラン、ジビニルジ−sec−ブトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−n−プロポキシシラン、ジフェニルジ−i−プロポキシシラン、ジフェニルジ−n−ブトキシシラン、ジフェニルジ−sec−ブトキシシラン、クロロジメチルシラン、メトキシジメチルシラン、エトキシジメチルシラン、クロロトリメチルシラン、ブロモトリメチルシシラン、ヨードトリメチルシラン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、n−プロポキシトリメチルシラン、i−プロポキシトリメチルシラン、n−ブトキシトリメチルシラン、sec−ブトキシトリメチルシラン、t−ブトキシトリメチルシラン、(クロロ)(ビニル)ジメチルシラン、(メトキシ)(ビニル)ジメチルシラン、(エトキシ)(ビニル)ジメチルシラン、(クロロ)(メチル)ジフェニルシラン、(メトキシ)(メチル)ジフェニルシラン、(エトキシ)(メチル)ジフェニルシラン等をそれぞれ挙げることができる。但し、本発明はこれらの具体例により限定されない。
As a silane compound used to prepare a modified silicone resin and a straight silicone resin,
Tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra n-propoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra n-butoxysilane, tetraisobutoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriacetoxysilane, methyltributoxysilane, Ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, propyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxyethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltriacetoxysilane , Cumyltrimethoxysilane, tolyltrimethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropi Trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, N-β (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxy Silane, N-β (aminoethyl) -γ-aminopropyltriethoxysilane, β-cyanoethyltriethoxysilane, methyltriphenoxysilane, glycidoxymethyltrimethoxysilane, glycidoxymethyltriethoxysilane, α-glycid Xylethyltrimethoxysilane, α-glycidoxyethyltriethoxysilane, β-glycidoxyethyltrimethoxysilane, β-glycidoxyethyltriethoxysilane, α-glycidoxypropyltrimethoxysilane, α-glycidoxypro Pyrtriethoxysilane, β-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxy Propyltripropoxysilane, γ-glycidoxypropyltributoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxyethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriphenoxysilane, α-glycidoxybutyltrimethoxysilane, α-glycid Xylbutyltriethoxysilane, β-glycidoxybutyltrimethoxysilane, β-glycidoxybutyltriethoxysilane, γ-glycidoxybutyltrimethoxysilane, γ-glycidoxybutyltriethoxysilane, δ-glycid Xibutyltrimethoxy , Δ-glycidoxybutyltriethoxysilane, (3,4-epoxycyclohexyl) methyltrimethoxysilane, (3,4-epoxycyclohexyl) methyltriethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltri Methoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltripropoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltributoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriphenoxysilane, γ- (3,4-epoxycyclohexyl) propyltrimethoxysilane, γ- (3,4 Epoxycyclohexyl) propyltri Trialkoxy such as toxisilane, δ- (3,4-epoxycyclohexyl) butyltriethoxysilane, triacyloxy or triphenoxysilane, phenylmethyldimethoxysilane, phenylmethyldiethoxysilane, dimethyldiacetoxysilane, γ-methacryloxypropyl Methyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropyldiethoxysilane, γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, vinylmethyl Dimethoxysilane, vinylmethyldiethoxysilane, glycidoxymethyldimethoxysilane, glycidoxymethyldiethoxysilane, α-glycidoxyethylme Rudimethoxysilane, α-glycidoxyethyldiethoxysilane, β-glycidoxyethylmethyldimethoxysilane, β-glycidoxyethylmethyldiethoxysilane, α-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, α-glycidoxy Propylmethyldiethoxysilane, β-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, β-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ- Glycidoxypropylmethyldipropoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldibutoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxyethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiphenoxysilane, γ-glycidoxypropylethyl Methoxysilane, γ-glycidoxypropylethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropylethyldipropoxysilane, γ-glycidoxypropylvinyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylvinyldiethoxysilane, γ-glycid Alkoxysilanes or diacyloxysilanes such as xylpropylphenyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylphenyldiethoxysilane, dimethoxymethylsilane, trimethoxysilane, dimethylethoxysilane, diacetoxymethylsilane, diethoxymethylsilane, diethylmethyl Silane, triethylsilane, butyldimethylsilane, dimethylphenylsilane, methylphenylvinylsilane, diphenylmethylsilane, tripropylsilane, tripentyloxysilane, Nylsilane, trihexylsilane, diethylsilane, allyldimethylsilane, methylphenylsilane, diphenylsilane, phenylsilane, octylsilane, 1,4-bis (dimethylsilyl) benzene, and 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane , Dimethyltolylsilane, methyltolylvinylsilane, ditolylmethylsilane, tolylylsilane, dimethylbenzylsilane, methylbenzylvinylsilane, dibenzylmethylsilane, tribenzylsilane, diphenylsilane, 2-chloroethylsilane, bis [(p-dimethyl Silyl) phenyl] ether, 1,4-dimethyldisilylethane, 1,3,5-tris (dimethylsilyl) benzene, 1,3,5-trimethyl-1,3,5-trisilane, poly (methylsilylene) phenylene ,as well as Poly (methylsilylene) methylene, tetrachlorosilane, trichlorosilane, triethoxysilane, tri-n-propoxysilane, tri-i-propoxysilane, tri-n-butoxysilane, tri-sec-butoxysilane, fluorotrichlorosilane, fluoro Trimethoxysilane, fluorotriethoxysilane, fluorotri-n-propoxysilane, fluorotri-i-propoxysilane, fluorotri-n-butoxysilane, fluorotri-sec-butoxysilane, methyltrichlorosilane, methyltri-n-propoxy Silane, methyltri-i-propoxysilane, methyltri-n-butoxysilane, methyltri-sec-butoxysilane, 2- (trifluoromethyl) ethyltrichlorosilane, 2- (trifluoromethyl) Tiltrimethoxysilane, 2- (trifluoromethyl) ethyltriethoxysilane, 2- (trifluoromethyl) ethyltri-n-propoxysilane, 2- (trifluoromethyl) ethyltri-i-propoxysilane, 2- (trifluoro Methyl) ethyltri-n-butoxysilane, 2- (trifluoromethyl) ethyltri-sec-butoxysilane, 2- (perfluoro-n-hexyl) ethyltrichlorosilane, 2- (perfluoro-n-hexyl) ethyltrimethoxy Silane, 2- (perfluoro-n-hexyl) ethyltriethoxysilane, 2- (perfluoro-n-hexyl) ethyltri-n-propoxysilane, 2- (perfluoro-n-hexyl) ethyltri-i-propoxysilane , 2- (perfluoro-n-hexyl) Tiltly-n-butoxysilane, 2- (perfluoro-n-hexyl) ethyltri-sec-butoxysilane, 2- (perfluoro-n-octyl) ethyltrichlorosilane, 2- (perfluoro-n-octyl) ethyltri Methoxysilane, 2- (perfluoro-n-octyl) ethyltriethoxysilane, 2- (perfluoro-n-octyl) ethyltri-n-propoxysilane, 2- (perfluoro-n-octyl) ethyltri-i-propoxy Silane, 2- (perfluoro-n-octyl) ethyltri-n-butoxysilane, 2- (perfluoro-n-octyl) ethyltri-sec-butoxysilane, hydroxymethyltrichlorosilane, hydroxymethyltrimethoxysilane, hydroxyethyltri Methoxysilane, hydroxy Methyltri-n-propoxysilane, hydroxymethyltri-i-propoxysilane, hydroxymethyltri-n-butoxysilane, hydroxymethyltri-sec-butoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltrichlorosilane, 3- (meth) Acryloxypropyltrimethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltriethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltri-n-propoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltri-i-propoxysilane, 3 -(Meth) acryloxypropyltri-n-butoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltri-sec-butoxysilane, 3-mercaptopropyltrichlorosilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylto Ethoxysilane, 3-mercaptopropyltri-n-propoxysilane, 3-mercaptopropyltri-i-propoxysilane, 3-mercaptopropyltri-n-butoxysilane, 3-mercaptopropyltri-sec-butoxysilane, vinyltrichlorosilane Vinyltri-n-propoxysilane, vinyltri-i-propoxysilane, vinyltri-n-butoxysilane, vinyltri-sec-butoxysilane, allyltrichlorosilane, allyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, allyltri-n-propoxysilane, Allyltri-i-propoxysilane, allyltri-n-butoxysilane, allyltri-sec-butoxysilane, phenyltrichlorosilane, phenyltri-n-propoxysilane, phenyltri- -Propoxysilane, phenyltri-n-butoxysilane, phenyltri-sec-butoxysilane, methyldichlorosilane, methyldiethoxysilane, methyldi-n-propoxysilane, methyldi-i-propoxysilane, methyldi-n-butoxysilane, Methyldi-sec-butoxysilane, dimethyldichlorosilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldi-n-propoxysilane, dimethyldi-i-propoxysilane, dimethyldi-n-butoxysilane, dimethyldi-sec-butoxysilane, (methyl ) [2- (perfluoro-n-octyl) ethyl] dichlorosilane, (methyl) [2- (perfluoro-n-octyl) ethyl] dimethoxysilane, (methyl) [2- (perfluoro-n-octyl) Ethyl] dimethoxysilane, (methyl) [2- (perfluoro-n-octyl) ethyl] di-n-propoxysilane, (methyl) [2- (perfluoro-n-octyl) ethyl] di-i-propoxy Silane, (methyl) [2- (perfluoro-n-octyl) ethyl] di-n-butoxysilane, (methyl) [2- (perfluoro-n-octyl) ethyl] di-sec-butoxysilane, (methyl ) (Γ-glycidoxypropyl) dichlorosilane, (methyl) (γ-glycidoxypropyl) dimethoxysilane, (methyl) (γ-glycidoxypropyl) diethoxysilane, (methyl) (γ-glycidoxy Propyl) di-n-propoxysilane, (methyl) (γ-glycidoxypropyl) di-i-propoxysilane, (methyl) (γ-glycidoxy Propyl) di -n- butoxysilane, (methyl) (.gamma.-glycidoxypropyl) di -sec- butoxysilane, (methyl) (3-mercaptopropyl) dichlorosilane, (methyl) (3-mercaptopropyl)
Dimethoxysilane, (methyl) (3-mercaptopropyl) diethoxysilane, (methyl) (3-mercaptopropyl) di-n-propoxysilane, (methyl) (3-mercaptopropyl) di-i-propoxysilane, (methyl ) (3-mercaptopropyl) di-n-butoxysilane, (methyl) (3-mercaptopropyl) di-sec-butoxysilane, (methyl) (vinyl) dichlorosilane, (methyl) (vinyl) dimethoxysilane, (methyl ) (Vinyl) diethoxysilane, (methyl) (vinyl) di-n-propoxysilane, (methyl) (vinyl) di-i-propoxysilane, (methyl) (vinyl) di-n-butoxysilane, (methyl) (Vinyl) di-sec-butoxysilane, divinyldichlorosilane, divinyldimethoxysilane, Vinyldiethoxysilane, divinyldi-n-propoxysilane, divinyldi-i-propoxysilane, divinyldi-n-butoxysilane, divinyldi-sec-butoxysilane, diphenyldichlorosilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, diphenyldi-n -Propoxysilane, diphenyldi-i-propoxysilane, diphenyldi-n-butoxysilane, diphenyldi-sec-butoxysilane, chlorodimethylsilane, methoxydimethylsilane, ethoxydimethylsilane, chlorotrimethylsilane, bromotrimethylsilane, iodo Trimethylsilane, methoxytrimethylsilane, ethoxytrimethylsilane, n-propoxytrimethylsilane, i-propoxytrimethylsilane, n-butoxytrime Silane, sec-butoxytrimethylsilane, t-butoxytrimethylsilane, (chloro) (vinyl) dimethylsilane, (methoxy) (vinyl) dimethylsilane, (ethoxy) (vinyl) dimethylsilane, (chloro) (methyl) diphenylsilane, (Methoxy) (methyl) diphenylsilane, (ethoxy) (methyl) diphenylsilane and the like can be exemplified. However, the present invention is not limited to these specific examples.
変性シリコーンレジン及びストレートシリコーンレジンなどの上記シリコーンレジンとしては、市販のものを用いることができる。商品名では、例えば、
KC−89、KC−89S、X−21−3153、X−21−5841、X−21−5842、X−21−5843、X−21−5844、X−21−5845、X−21−5846、X−21−5847、X−21−5848、X−22−160AS、X−22−170B、X−22−170BX、X−22−170D、X−22−170DX、X−22−176B、X−22−176D、X−22−176DX、X−22−176F、X−40−2308、X−40−2651、X−40−2655A、X−40−2671、X−40−2672、X−40−9220、X−40−9225、X−40−9226、X−40−9227、X−40−9246、X−40−9247、X−40−9250、X−40−9323、X−40−2460M、X−41−1053、X−41−1056、X−41−1805、X−41−1810、KF6001、KF6002、KF6003、KR−212、KR−213、KR−217、KR−220、KR−240、KR−242A、KR−271、KR−282、KR−300、KR−311、KR−400、KR−251、KR−253、KR−255、KR−401N、KR−500、KR−510、KR−5206、KR−5230、KR−5235、KR−9218、KR−9706、KR−165(以上、信越化学工業社);
SH804、SH805、SH806A、SH840、SR2400、SR2402、SR2405、SR2406、SR2410、SR2411、SR2416、SR2420(以上、東レ・ダウコーニング社);
YR3187、YR3370、TSR127B(以上、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社)
FZ3711、FZ3722(以上、日本ユニカー社);
DMS−S12、DMS−S15、DMS−S21、DMS−S27、DMS−S31、DMS−S32、DMS−S33、DMS−S35、DMS−S38、DMS−S42、DMS−S45、DMS−S51、DMS−227、PSD−0332、PDS−1615、PDS−9931、XMS−5025(以上、チッソ社);
メチルシリケートMS51、メチルシリケートMS56(以上、三菱化学社);
エチルシリケート28、エチルシリケート40、エチルシリケート48(以上、コルコート社);
グラスレジンGR100、GR650、GR908、GR950(以上、昭和電工社)等の部分縮合物が挙げられる。但し、本発明はこれらの具体例により限定されない。
Commercially available silicone resins such as modified silicone resins and straight silicone resins can be used. In the product name, for example,
KC-89, KC-89S, X-21-3153, X-21-5841, X-21-5842, X-21-5842, X-21-5844, X-21-5845, X-21-5845, X-21-5847, X-21-5848, X-22-160AS, X-22-170B, X-22-170BX, X-22-170D, X-22-170DX, X-22-176B, X- 22-176D, X-22-176DX, X-22-176F, X-40-2308, X-40-2651, X-40-2655A, X-40-2671, X-40-2672, X-40- 9220, X-40-9225, X-40-9226, X-40-9227, X-40-9246, X-40-9247, X-40-9250, X-40-9323, X-40- 460M, X-41-1053, X-41-1056, X-41-1805, X-41-1810, KF6001, KF6002, KF6003, KR-212, KR-213, KR-217, KR-220, KR- 240, KR-242A, KR-271, KR-282, KR-300, KR-311, KR-400, KR-251, KR-253, KR-255, KR-401N, KR-500, KR-510, KR-5206, KR-5230, KR-5235, KR-9218, KR-9706, KR-165 (above, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.);
SH804, SH805, SH806A, SH840, SR2400, SR2402, SR2405, SR2406, SR2410, SR2411, SR2416, SR2420 (above, Toray Dow Corning);
YR3187, YR3370, TSR127B (Momentive Performance Materials Japan GK)
FZ3711, FZ3722 (above, Nippon Unicar Company);
DMS-S12, DMS-S15, DMS-S21, DMS-S27, DMS-S31, DMS-S32, DMS-S33, DMS-S35, DMS-S38, DMS-S42, DMS-S45, DMS-S51, DMS- 227, PSD-0332, PDS-1615, PDS-9931, XMS-5025 (above, Chisso);
Methyl silicate MS51, Methyl silicate MS56 (Mitsubishi Chemical Corporation);
Ethyl silicate 28,
Examples include partial condensates such as glass resin GR100, GR650, GR908, GR950 (above, Showa Denko). However, the present invention is not limited to these specific examples.
ここで、本発明の透明樹脂膜は、光硬化性樹脂と光重合開始剤とを含む樹脂組成物を光硬化させて形成されなくともよく、上記透明樹脂膜の形成に用いられる樹脂組成物は、光硬化性樹脂や光重合開始剤を含んでいても含んでいなくてもよい。その中でも、上記透明樹脂膜が後述する酸化防止剤を含む場合、光重合開始剤を含まないことが、光重合開始剤に露光したときに生成するラジカルによって上記酸化防止剤の機能が阻害されず、十分にベーク後の白色度を高められる観点から好ましい。そのため、上記シリコーンレジンは熱硬化性であることが好ましい。 Here, the transparent resin film of the present invention may not be formed by photocuring a resin composition containing a photocurable resin and a photopolymerization initiator, and the resin composition used for forming the transparent resin film is , It may or may not contain a photocurable resin or photopolymerization initiator. Among these, when the transparent resin film contains an antioxidant described later, the function of the antioxidant is not hindered by the radicals generated when exposed to the photopolymerization initiator. From the viewpoint of sufficiently increasing the whiteness after baking. Therefore, the silicone resin is preferably thermosetting.
−触媒−
本発明の透明樹脂膜は、触媒を含む。透明樹脂膜が触媒を含むことにより、上記シリコーンレジンを含む上記透明樹脂膜を硬化して強靭性改善し、静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線を抑制できるようにすることができる。触媒はシリコーンレジンを、脱水・脱アルコール縮合反応させ分子量を増やすために用いられ、公知の触媒が使用できる。
好ましい触媒としては、金属成分としてスズ(Sn)、亜鉛(Zn)、鉄(Fe)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ビスマス(Bi)、ハフニウム(Hf)、イットリウム(Y)、アルミニウム(Al)、ホウ素(B)及びガリウム(Ga)からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属の有機錯体又は有機酸塩のような有機金属化合物触媒が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
これらの中でもSn、Ti、Zn、Zr、Hf、Gaは、反応活性が高い点で好ましく、ベーク時のひび割れ防止の観点からZnまたはTiがより好ましく、静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線を抑制できるようにすることができる観点およびポットライフ向上の観点からZnが特に好ましい。
亜鉛(Zn)を含有する有機金属化合物触媒としては、亜鉛トリアセチルアセトネート、ステアリン酸亜鉛、ビス(アセチルアセトナト)亜鉛(II)(一水和物)等が挙げられる。
スズ(Sn)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、ガリウム(Ga)を含有する有機金属化合物触媒の例としては、例えば、特開2012−238636号公報に記載の触媒を好ましく用いることができる。
上記触媒としては市販の触媒を用いることもできる。例えば、亜鉛系縮合触媒D−15(信越化学工業式会社製)などを挙げることができる。
上記触媒は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。また反応促進剤や反応抑制剤と併用してもよい。
本発明の透明樹脂膜は、上記触媒の含有量は、上記シリコーンレジンの含有量に対して、0.01〜10質量%であることがベーク時のひび割れ防止およびポットライフ向上の観点から好ましく、より好ましくは0.03〜5.0質量%である。静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線を抑制できるようにする観点からは、本発明の透明樹脂膜は、上記触媒の含有量は、上記シリコーンレジンの含有量に対して、0.5〜5.0質量%であることが特に好ましく、1〜4質量%であることがより特に好ましい。
-Catalyst-
The transparent resin film of the present invention contains a catalyst. Since the transparent resin film contains a catalyst, the transparent resin film containing the silicone resin is cured to improve toughness, and the disconnection of the electrode pattern when the front plate of the capacitive input device is cracked can be suppressed. Can be. The catalyst is used to increase the molecular weight of the silicone resin by dehydration / dealcohol condensation reaction, and a known catalyst can be used.
As a preferable catalyst, tin (Sn), zinc (Zn), iron (Fe), titanium (Ti), zirconium (Zr), bismuth (Bi), hafnium (Hf), yttrium (Y), aluminum (as a metal component) Examples include, but are not limited to, organic metal compound catalysts such as organic complexes or organic acid salts of at least one metal selected from the group consisting of Al), boron (B), and gallium (Ga).
Among these, Sn, Ti, Zn, Zr, Hf, and Ga are preferable in terms of high reaction activity, Zn or Ti is more preferable from the viewpoint of preventing cracking during baking, and the front plate of the capacitive input device is cracked. Zn is particularly preferable from the viewpoint of enabling the disconnection of the electrode pattern to be suppressed and improving the pot life.
Examples of the organometallic compound catalyst containing zinc (Zn) include zinc triacetylacetonate, zinc stearate, bis (acetylacetonato) zinc (II) (monohydrate) and the like.
Examples of organometallic compound catalysts containing tin (Sn), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), and gallium (Ga) include, for example, the catalysts described in JP 2012-238636 A. It can be preferably used.
A commercially available catalyst can also be used as the catalyst. Examples thereof include zinc-based condensation catalyst D-15 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
One type of the catalyst may be used alone, or two or more types may be used in any combination and ratio. Moreover, you may use together with a reaction accelerator and reaction inhibitor.
In the transparent resin film of the present invention, the content of the catalyst is preferably 0.01 to 10% by mass with respect to the content of the silicone resin from the viewpoint of preventing cracking during baking and improving pot life, More preferably, it is 0.03-5.0 mass%. From the viewpoint of suppressing the disconnection of the electrode pattern when the front plate of the capacitive input device is cracked, the transparent resin film of the present invention has a content of the catalyst equal to the content of the silicone resin. On the other hand, it is particularly preferably 0.5 to 5.0% by mass, and more preferably 1 to 4% by mass.
−酸化防止剤−
本発明では、上記透明樹脂膜が酸化防止剤を含むことが、ベーク後の透明樹脂膜の透明度を高める観点から好ましい。ここで、静電容量型入力装置にITOなどの透明電極パターンを形成する場合、高温でベークすることが必要となるが、酸化防止剤を添加することにより、ベーク後の透明樹脂膜の透明度を高めることができる。
上記酸化防止剤として公知の酸化防止剤が使用できる。例えば、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、セミヒンダードフェノール系酸化防止剤、燐酸系酸化防止剤、分子内に燐酸およびヒンダードフェノールを持つハイブリッド型酸化防止剤が使用できる。
好ましくは燐酸系酸化防止剤;燐酸系酸化防止剤とヒンダードフェノール系酸化防止剤若しくはセミヒンダードフェノール系酸化防止剤の併用;または分子内に燐酸およびヒンダードフェノールを持つハイブリッド型酸化防止剤である。
上記酸化防止剤としては市販の酸化防止剤を用いることもできる。例えば、燐酸系酸化防止剤としてはIRGAFOS168、IRGAFOS38(いずれもBASFジャパン社製)を挙げることができる。燐酸/ヒンダードフェノール系酸化防止剤としてはIRGAMOD295(BASFジャパン社製)を挙げることができ、分子内に燐酸およびヒンダードフェノールを持つハイブリッド型酸化防止剤としてはスミライザーGP(住友化学(株)社製)を挙げることができる。
上記酸化防止剤は、透明樹脂膜のベーク後の透明度向上の観点から燐酸系酸化防止剤であることがより好ましく、IRGAFOS168が特に好ましい。
上記透明樹脂膜の全固形分に対する上記酸化防止剤の添加量としては、特に制限はないが、0.001〜10質量%であることが好ましく、0.01〜1質量%であることがより好ましく、0.05〜1質量%であることが特に好ましい。
-Antioxidant-
In the present invention, the transparent resin film preferably contains an antioxidant from the viewpoint of increasing the transparency of the transparent resin film after baking. Here, when forming a transparent electrode pattern such as ITO on the capacitance type input device, it is necessary to bake at a high temperature. By adding an antioxidant, the transparency of the transparent resin film after baking is increased. Can be increased.
Known antioxidants can be used as the antioxidant. For example, hindered phenol antioxidants, semi-hindered phenol antioxidants, phosphoric acid antioxidants, and hybrid antioxidants having phosphoric acid and hindered phenol in the molecule can be used.
Preferably a phosphoric acid antioxidant; a combination of a phosphoric acid antioxidant and a hindered phenol antioxidant or a semi-hindered phenol antioxidant; or a hybrid antioxidant having phosphoric acid and hindered phenol in the molecule is there.
A commercially available antioxidant can also be used as the antioxidant. For example, examples of the phosphoric acid antioxidant include IRGAFOS168 and IRGAFOS38 (both manufactured by BASF Japan). IRGAMOD295 (manufactured by BASF Japan) can be mentioned as a phosphoric acid / hindered phenol-based antioxidant, and Sumiser GP (Sumitomo Chemical Co., Ltd.) as a hybrid type antioxidant having phosphoric acid and hindered phenol in the molecule. Manufactured).
The antioxidant is more preferably a phosphoric acid antioxidant from the viewpoint of improving transparency after baking of the transparent resin film, and IRGAFOS 168 is particularly preferable.
Although there is no restriction | limiting in particular as the addition amount of the said antioxidant with respect to the total solid of the said transparent resin film, It is preferable that it is 0.001-10 mass%, and it is more preferable that it is 0.01-1 mass%. Preferably, it is 0.05-1 mass% especially preferable.
−添加剤−
さらに、上記透明樹脂膜には、その他の添加剤を用いてもよい。上記添加剤としては、例えば特許第4502784号公報の段落0017、特開2009−237362号公報の段落0060〜0071に記載の界面活性剤や、特許第4502784号公報の段落0018に記載の熱重合防止剤、さらに、特開2000−310706号公報の段落0058〜0071に記載のその他の添加剤が挙げられる。上記透明樹脂膜に含まれる界面活性剤の濃度は0.01質量%〜10質量%が好ましい。
-Additives-
Furthermore, you may use another additive for the said transparent resin film. Examples of the additive include surfactants described in paragraph 0017 of Japanese Patent No. 4502784, paragraphs 0060-0071 of JP-A-2009-237362, and thermal polymerization prevention described in paragraph 0018 of Japanese Patent No. 4502784. And other additives described in paragraphs 0058 to 0071 of JP-A No. 2000-310706. The concentration of the surfactant contained in the transparent resin film is preferably 0.01% by mass to 10% by mass.
(厚み)
本発明の透明樹脂膜は、厚みが5〜300μmであり、10〜300μmであることが好ましく、特に後述の機能層が加飾層であり、さらに加飾層が白色加飾層である場合は白色加飾層の厚みを厚くすることが好ましいために、透明樹脂膜の厚みは20μm以上であることがより好ましい。
(Thickness)
The transparent resin film of the present invention has a thickness of 5 to 300 μm, preferably 10 to 300 μm. In particular, when the functional layer described later is a decorative layer, and the decorative layer is a white decorative layer, Since it is preferable to increase the thickness of the white decorative layer, the thickness of the transparent resin film is more preferably 20 μm or more.
(特性)
本発明の透明樹脂膜の特性は特に限定されるものではない。
本発明の透明樹脂膜は、比誘電率が3.5以下であることが好ましく、3.0以下であることがより好ましく、2.5以下であることが特に好ましい。大気圧(1atm)下、空気中で240℃、60分間の後述のポストベークを行った後の比誘電率が上述の範囲であることがより好ましい。
(Characteristic)
The characteristics of the transparent resin film of the present invention are not particularly limited.
The transparent resin film of the present invention preferably has a relative dielectric constant of 3.5 or less, more preferably 3.0 or less, and particularly preferably 2.5 or less. It is more preferable that the relative dielectric constant after post-baking to be described later at 240 ° C. for 60 minutes in air under atmospheric pressure (1 atm) is in the above range.
(透明樹脂膜の製造方法)
また、透明樹脂膜の製造方法としては特に制限はないが、本発明の透明樹脂膜は、塗布方式により製造されてなることが好ましい。本発明の透明樹脂膜を塗布方式により製造する場合、上記シリコーンレジン、触媒や他の添加剤を含む調製液を塗布等して形成することができ、塗布等の際に用いる調製液は溶媒を用いて調製できる。
透明樹脂膜を塗布により製造する際の溶剤としては、特開2011−95716号公報の段落0043〜0044に記載の溶剤を用いることができる。
本発明の透明樹脂膜を所望のサイズやパターンに調製する方法としては特に制限はないが、後述の加飾層のパターニング方法として挙げたフォトリソグラフィー方式やプレカット方式による方法を採用することができ、プレカット方式による方法が好ましく、その中でもダイカット方式による方法がより好ましい。
(Transparent resin film production method)
The method for producing the transparent resin film is not particularly limited, but the transparent resin film of the present invention is preferably produced by a coating method. When the transparent resin film of the present invention is produced by a coating method, it can be formed by applying a preparation solution containing the above-mentioned silicone resin, catalyst and other additives, and the preparation solution used at the time of application is a solvent. Can be prepared.
As a solvent for producing the transparent resin film by coating, the solvents described in paragraphs [0043] to [0044] of JP2011-95716A can be used.
There is no particular limitation on the method for preparing the transparent resin film of the present invention in a desired size or pattern, but it is possible to employ a method by a photolithography method or a pre-cut method, which is mentioned as a patterning method for the decorative layer described later, A pre-cut method is preferred, and a die-cut method is more preferred.
[転写フィルム]
本発明の転写フィルムは、仮支持体と、本発明の透明樹脂膜とを含む。
また上記仮支持体と上記透明樹脂膜との間に熱可塑性樹脂層や剥離層などの他の層を有していても有していなくてもよい。
[Transfer film]
The transfer film of the present invention includes a temporary support and the transparent resin film of the present invention.
Further, it may or may not have other layers such as a thermoplastic resin layer or a release layer between the temporary support and the transparent resin film.
<仮支持体>
仮支持体としては、可撓性を有し、加圧下または、加圧および加熱下で著しい変形、収縮もしくは伸びを生じない材料を用いることができる。このような仮支持体の例として、ポリエチレンテレフタレートフィルム、トリ酢酸セルロースフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム等が挙げられ、中でも2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましい。
<Temporary support>
As the temporary support, a material that is flexible and does not cause significant deformation, shrinkage, or elongation under pressure or under pressure and heating can be used. Examples of such a temporary support include a polyethylene terephthalate film, a cellulose triacetate film, a polystyrene film, and a polycarbonate film, and among them, a biaxially stretched polyethylene terephthalate film is particularly preferable.
仮支持体の厚みには、特に制限はなく、5〜200μmの範囲が一般的であり、取扱い易さ、汎用性などの点で、特に10〜150μmの範囲が好ましい。
また、仮支持体は透明でもよいし、染料化ケイ素、アルミナゾル、クロム塩、ジルコニウム塩などを含有していてもよい。
また、仮支持体には、特開2005−221726号公報に記載の方法などにより、導電性を付与することができる。
There is no restriction | limiting in particular in the thickness of a temporary support body, The range of 5-200 micrometers is common, and the range of 10-150 micrometers is especially preferable at points, such as handleability and versatility.
Further, the temporary support may be transparent or may contain dyed silicon, alumina sol, chromium salt, zirconium salt or the like.
Further, the temporary support can be provided with conductivity by a method described in JP-A-2005-221726.
<透明樹脂膜>
本発明の転写フィルムは、本発明の透明樹脂膜を含む。本発明の転写フィルムに用いられる透明樹脂膜は、後述の本発明の導電性積層体や静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるために所望のサイズにすることが好ましい。但し、後述の本発明の導電性積層体や静電容量型入力装置の説明に記載したとおり、本発明の転写フィルムをプレカット工程などによりの少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるための所望のサイズとすることができる。そのため、本発明の転写フィルムに用いられる透明樹脂膜は、後述の本発明の導電性積層体や静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるために必要なサイズと必ずしも一致させる必要はない。
一方、後述の本発明の導電性積層体や静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるために、本発明の透明樹脂膜は転写フィルムに用いる段階で、加飾層などの機能層の高さと同程度の厚みに調製しておくことが好ましい。
<Transparent resin film>
The transfer film of the present invention includes the transparent resin film of the present invention. The transparent resin film used for the transfer film of the present invention has a desired size in order to fill at least a step between the electrode pattern and the front plate of the conductive laminate and the capacitive input device of the present invention described later. It is preferable. However, as described in the description of the conductive laminate and the capacitive input device of the present invention described later, the transfer film of the present invention is used to fill at least a step between the electrode pattern and the front plate by a precut process or the like. Desired size. Therefore, the transparent resin film used for the transfer film of the present invention has a size necessary to fill at least a step between the electrode pattern and the front plate of the conductive laminate and the capacitive input device of the present invention described later. It is not always necessary to match.
On the other hand, in order to fill at least a step between the electrode pattern and the front plate of the conductive laminate or the capacitive input device of the present invention described later, the transparent resin film of the present invention is applied at the stage of use for the transfer film. It is preferable to adjust the thickness to the same level as the height of the functional layer such as the decorative layer.
(透明樹脂膜の粘度)
透明樹脂膜の100℃で測定した粘度が1〜50000Pa・secの領域にあることが好ましい。
(Viscosity of transparent resin film)
The viscosity of the transparent resin film measured at 100 ° C. is preferably in the region of 1 to 50000 Pa · sec.
ここで、各層の粘度は、次のようにして測定できる。大気圧および減圧乾燥により、熱可塑性樹脂層あるいは透明樹脂膜用塗布液から溶剤を除去して測定サンプルとし、例えば、測定器として、バイブロン(DD−III型:東洋ボールドウィン(株)製)を使用し、測定開始温度50℃、測定終了温度150℃、昇温速度5℃/分および振動数1Hz/degの条件で測定し、100℃の測定値を用いることができる。 Here, the viscosity of each layer can be measured as follows. The solvent is removed from the coating solution for the thermoplastic resin layer or transparent resin film by drying at atmospheric pressure and under reduced pressure to obtain a measurement sample. For example, Vibron (DD-III type: manufactured by Toyo Baldwin Co., Ltd.) is used as a measuring instrument. Then, measurement is performed under the conditions of a measurement start temperature of 50 ° C., a measurement end temperature of 150 ° C., a temperature increase rate of 5 ° C./min, and a frequency of 1 Hz / deg, and a measurement value of 100 ° C. can be used.
<熱可塑性樹脂層>
本発明における転写フィルムは、上記仮支持体と上記透明樹脂膜との間に熱可塑性樹脂層が設けられてもよい。上記熱可塑性樹脂層はアルカリ可溶性であることが好ましい。熱可塑性樹脂層は、下地表面の凹凸(既に形成されている画像などによる凹凸等も含む。)を吸収することができるようにクッション材としての役割を担うものであり、対象面の凹凸に応じて変形しうる性質を有していることが好ましい。
<Thermoplastic resin layer>
In the transfer film of the present invention, a thermoplastic resin layer may be provided between the temporary support and the transparent resin film. The thermoplastic resin layer is preferably alkali-soluble. The thermoplastic resin layer plays a role as a cushioning material so as to be able to absorb unevenness of the base surface (including unevenness due to already formed images, etc.), and according to the unevenness of the target surface. It is preferable to have a property that can be deformed.
熱可塑性樹脂層は、特開平5−72724号公報に記載の有機高分子物質を成分として含む態様が好ましく、ヴィカー(Vicat)法〔具体的には、アメリカ材料試験法エーエステーエムデーASTMD1235によるポリマー軟化点測定法〕による軟化点が約80℃以下の有機高分子物質より選ばれる少なくとも1種を含む態様が特に好ましい。 The thermoplastic resin layer preferably includes an organic polymer substance described in JP-A-5-72724 as a component. The Vicat method [specifically, a polymer by American Material Testing Method ASTM D1235] An embodiment containing at least one selected from organic polymer substances having a softening point of about 80 ° C. or less according to the softening point measurement method] is particularly preferable.
具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン、エチレンと酢酸ビニルまたはそのケン化物等とのエチレン共重合体、エチレンとアクリル酸エステルまたはそのケン化物との共重合体、ポリ塩化ビニルや塩化ビニルと酢酸ビニルまたはそのケン化物等との塩化ビニル共重合体、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニリデン共重合体、ポリスチレン、スチレンと(メタ)アクリル酸エステルまたはそのケン化物等とのスチレン共重合体、ポリビニルトルエン、ビニルトルエンと(メタ)アクリル酸エステルまたはそのケン化物等とのビニルトルエン共重合体、ポリ(メタ)アクリル酸エステル、(メタ)アクリル酸ブチルと酢酸ビニル等との(メタ)アクリル酸エステル共重合体、酢酸ビニル共重合体ナイロン、共重合ナイロン、N−アルコキシメチル化ナイロン、N−ジメチルアミノ化ナイロン等のポリアミド樹脂、ポリエステル、などの有機高分子が挙げられる。 Specifically, polyolefins such as polyethylene and polypropylene, ethylene copolymers with ethylene and vinyl acetate or saponified products thereof, copolymers of ethylene and acrylic acid esters or saponified products thereof, polyvinyl chloride and vinyl chloride, Vinyl chloride copolymer with vinyl acetate or saponified product thereof, polyvinylidene chloride, vinylidene chloride copolymer, polystyrene, styrene copolymer with styrene and (meth) acrylic acid ester or saponified product thereof, polyvinyl toluene, Vinyl toluene copolymer of vinyl toluene and (meth) acrylic acid ester or saponified product thereof, poly (meth) acrylic acid ester, (meth) acrylic acid ester copolymer weight of butyl (meth) acrylate and vinyl acetate, etc. Coalescence, vinyl acetate copolymer nylon, copolymer nylon, - alkoxymethyl nylon, N- dimethylamino nylon or the like of the polyamide resin, polyester, and organic polymers such as.
また、熱可塑性樹脂層に剥離性を制御するための発泡剤等を添加することが好ましく、特開2007−225939号公報の段落0020〜0028に記載のものを適宜使用することができる。 Moreover, it is preferable to add a foaming agent or the like for controlling peelability to the thermoplastic resin layer, and those described in paragraphs 0020 to 0028 of JP-A-2007-225939 can be used as appropriate.
熱可塑性樹脂層に界面活性剤を添加することも好ましく、例えば特許第4502784号公報の段落0017、特開2009−237362号公報の段落0060〜0071に記載のものを適宜使用することができる。 It is also preferable to add a surfactant to the thermoplastic resin layer. For example, those described in paragraph 0017 of Japanese Patent No. 4502784 and paragraphs 0060 to 0071 of JP-A-2009-237362 can be used as appropriate.
熱可塑性樹脂層の層厚は、3〜30μmが好ましい。熱可塑性樹脂層の層厚が3μm以上の場合には、ラミネート時の追随性が十分で、下地表面の凹凸を完全に吸収しやすい。また、層厚が30μm以下である場合には、仮支持体への熱可塑性樹脂層の形成時の乾燥(溶剤除去)に負荷がかかりにくく、熱可塑性樹脂層の現像に時間を要し過ぎず、プロセス適性が良好となる。上記熱可塑性樹脂層の層厚としては、4〜25μmが更に好ましく、5〜20μmが特に好ましい。 The layer thickness of the thermoplastic resin layer is preferably 3 to 30 μm. When the thickness of the thermoplastic resin layer is 3 μm or more, the followability at the time of lamination is sufficient, and the unevenness of the base surface is easily absorbed. In addition, when the layer thickness is 30 μm or less, it is difficult to apply a load to drying (solvent removal) when forming the thermoplastic resin layer on the temporary support, and development of the thermoplastic resin layer does not take too much time. , Process aptitude is good. The layer thickness of the thermoplastic resin layer is more preferably 4 to 25 μm, and particularly preferably 5 to 20 μm.
熱可塑性樹脂層は、熱可塑性の有機高分子を含む調製液を塗布等して形成することができ、塗布等の際に用いる調製液は溶媒を用いて調製できる。溶媒には、熱可塑性樹脂層を構成する高分子成分を溶解し得るものであれば特に制限なく、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、n−プロパノール、2−プロパノール等が挙げられる。 The thermoplastic resin layer can be formed by applying a preparation liquid containing a thermoplastic organic polymer, and the preparation liquid used for the application can be prepared using a solvent. The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the polymer component constituting the thermoplastic resin layer, and examples thereof include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether acetate, n-propanol, and 2-propanol.
上記熱可塑性樹脂層の100℃で測定した粘度が1000〜50000Pa・secの領域にあることが好ましい。 The thermoplastic resin layer preferably has a viscosity measured at 100 ° C. in the range of 1000 to 50000 Pa · sec.
<他の層>
本発明の転写フィルムには、透明樹脂膜と熱可塑性樹脂層との間に中間層や剥離層を設けたり、あるいは透明樹脂膜の表面に保護フィルム(カバーフィルムと言われることもある)などを更に設けたりして好適に構成することができる。
<Other layers>
In the transfer film of the present invention, an intermediate layer or a release layer is provided between the transparent resin film and the thermoplastic resin layer, or a protective film (sometimes referred to as a cover film) is provided on the surface of the transparent resin film. Furthermore, it can provide and comprise suitably.
本発明の転写フィルムには、複数層を塗布する際および塗布後の保存の際における成分の混合を防止する目的で、中間層を設けてもよい。中間層としては、特開平5−72724号公報に「分離層」として記載されている、酸素遮断機能のある酸素遮断膜が好ましく、露光時の感度がアップし、露光機の時間負荷を低減し得、生産性が向上する。 The transfer film of the present invention may be provided with an intermediate layer for the purpose of preventing mixing of components during the application of a plurality of layers and during storage after application. As the intermediate layer, an oxygen barrier film having an oxygen barrier function, which is described as “separation layer” in JP-A-5-72724, is preferable, which increases the sensitivity during exposure and reduces the time load of the exposure machine. And productivity is improved.
上記中間層および保護フィルムとしては、特開2006−259138号公報の段落0083〜0087および0093に記載のものを適宜使用することができる。 As the intermediate layer and the protective film, those described in paragraphs 0083 to 0087 and 0093 of JP-A-2006-259138 can be appropriately used.
<転写フィルムの作製方法>
本発明の転写フィルムは、特開2006−259138号公報の段落0094〜0098に記載の感光性転写材料の作製方法に準じて作製することができる。
具体的に本発明における転写フィルムを形成する場合には、仮支持体上に、透明樹脂膜用塗布液を塗布し、乾燥させることによって、好適に作製することができる。透明樹脂膜の表面に保護フィルムなどを更に積層してもよい。
具体的に中間層を有する本発明における転写フィルムを形成する場合には、仮支持体上に、熱可塑性の有機高分子と共に添加剤を溶解した溶解液(熱可塑性樹脂層用塗布液)を塗布し、乾燥させて熱可塑性樹脂層を設けた後、この熱可塑性樹脂層上に熱可塑性樹脂層を溶解しない溶剤に樹脂や添加剤を加えて調製した調製液(中間層用塗布液)を塗布し、乾燥させて中間層を積層し、この中間層上に更に、中間層を溶解しない溶剤を用いて調製した透明樹脂膜用塗布液を塗布し、乾燥させて、必要に応じて透明樹脂膜の表面に保護フィルムなどを更に積層することによって、好適に作製することができる。
<Production method of transfer film>
The transfer film of the present invention can be produced according to the method for producing a photosensitive transfer material described in paragraphs 0094 to 0098 of JP-A-2006-259138.
When the transfer film in the present invention is specifically formed, it can be suitably produced by applying a transparent resin film coating solution on a temporary support and drying it. A protective film or the like may be further laminated on the surface of the transparent resin film.
When the transfer film of the present invention having an intermediate layer is specifically formed, a solution (the coating solution for the thermoplastic resin layer) in which the additive is dissolved together with the thermoplastic organic polymer is applied on the temporary support. After drying and providing a thermoplastic resin layer, a preparation liquid (intermediate layer coating liquid) prepared by adding a resin or an additive to a solvent that does not dissolve the thermoplastic resin layer is applied onto the thermoplastic resin layer. Then, the intermediate layer is laminated by drying, and a transparent resin film coating solution prepared by using a solvent that does not dissolve the intermediate layer is further applied onto the intermediate layer, and dried, and if necessary, the transparent resin film It can be suitably produced by further laminating a protective film or the like on the surface.
[導電膜積層体、静電容量型入力装置]
本発明の導電膜積層体は、透明な前面板と、前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、前面板の機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有し、少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるよう本発明の透明樹脂膜、あるいは、本発明の転写フィルムの透明樹脂膜を有する。
本発明の静電容量型入力装置は、本発明の導電膜積層体を含む。
なお、本発明の導電膜積層体や本発明の静電容量型入力装置の中で、本発明の透明樹脂膜は、厚みが均一な形状を維持していてもよく、一部の厚みが不均一となった形状(言い換えると透明樹脂層)であってもよい。
[Conductive film laminate, capacitance type input device]
The conductive film laminate of the present invention has a transparent front plate, a functional layer disposed on a part of one surface of the front plate, and an electrode pattern disposed on the same surface side as the functional layer of the front plate. In addition, the transparent resin film of the present invention or the transparent resin film of the transfer film of the present invention is provided so as to fill at least a step between the electrode pattern and the front plate.
The capacitance-type input device of the present invention includes the conductive film laminate of the present invention.
Note that, in the conductive film laminate of the present invention and the capacitive input device of the present invention, the transparent resin film of the present invention may maintain a uniform thickness, and a part of the thickness is not satisfactory. It may be a uniform shape (in other words, a transparent resin layer).
本発明の導電膜積層体は、透明樹脂膜が、本発明の転写フィルムに含まれる透明樹脂膜を少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるように転写することにより形成されてなることが好ましい。
ここで、透明な前面板と、前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、前面板の機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差としては特に制限はない。
少なくとも電極パターンと前面板との間の段差の例および好ましい範囲は、本発明の透明樹脂膜の説明に記載したとおりである。
本発明の導電膜積層体は、前述の機能層としては特に制限はないが、加飾層、加飾層とマスク層(遮蔽層)の積層体等、を挙げることができる。その中でも、前述の機能層は加飾層、または、加飾層とマスク層(遮蔽層)の積層体であることが好ましく、加飾層であることがより好ましい。
機能層が加飾層である場合は、少なくとも電極パターンと前面板との間の段差が「前面板と加飾層との段差」であることがより好ましい。
In the conductive film laminate of the present invention, the transparent resin film is formed by transferring the transparent resin film contained in the transfer film of the present invention so as to fill at least a step between the electrode pattern and the front plate. Is preferred.
Here, a capacitance-type input device having a transparent front plate, a functional layer disposed on a part of one surface of the front plate, and an electrode pattern disposed on the same surface side as the functional layer of the front plate. There is no particular limitation on the level difference between at least the electrode pattern and the front plate.
At least examples and preferred ranges of the step between the electrode pattern and the front plate are as described in the explanation of the transparent resin film of the present invention.
The conductive film laminate of the present invention is not particularly limited as the aforementioned functional layer, and examples thereof include a decorative layer, a laminate of a decorative layer and a mask layer (shielding layer), and the like. Among them, the functional layer described above is preferably a decorative layer or a laminate of a decorative layer and a mask layer (shielding layer), and more preferably a decorative layer.
When the functional layer is a decorative layer, it is more preferable that at least the step between the electrode pattern and the front plate is “a step between the front plate and the decorative layer”.
本発明の導電膜積層体は、上記電極パターンが、下記(1)〜(3)を含むことが本発明の導電膜積層体を、静電容量型入力装置として用いる観点から好ましい。
(1)複数のパッド部分が接続部分を介して第一の方向に延在して形成された複数の第一の透明電極パターン
(2)上記第一の透明電極パターンと電気的に絶縁され、上記第一の方向に交差する方向に延在して形成された複数のパッド部分からなる複数の第二の電極パターン
(3)上記第一の透明電極パターンと上記第二の電極パターンとを電気的に絶縁する絶縁層
ただし、「電極パターンが加飾層の上に配置された」とは、上記(1)〜(3)のうち(1)または(2)の一部が上記加飾層の上に配置されていればよく、(1)〜(3)の全てが加飾層の上に配置される必要はない。また、電極パターンは、上記加飾層に隣接して配置されていてもよく、他の層を介して配置されていてもよい。
さらに、本発明の静電容量型入力装置は、さらに上記電極パターンが下記(4)を有していてもよい。
(4)上記第一の透明電極パターンおよび上記第二の電極パターンの少なくとも一方に電気的に接続され、上記第一の透明電極パターンおよび上記第二の電極パターンとは別の導電性要素
また、本発明の導電膜積層体および静電容量型入力装置は、第二の電極パターンが透明電極パターンであってもよい。なお、本明細書中において第二の電極パターンの代わりに第二の透明電極パターンについて説明することがあるが、第二の電極パターンの好ましい態様も第二の透明電極パターンの好ましい態様と同様である。
さらに本発明の導電膜積層体および静電容量型入力装置は、上記前面板の一方の面側に形成される上記加飾層の、上記前面板と対向する面とは反対側の面上に、さらにマスク層を設置してもよい。
以下、本発明の導電膜積層体および静電容量型入力装置の好ましい態様について説明する。
In the conductive film laminate of the present invention, the electrode pattern preferably includes the following (1) to (3) from the viewpoint of using the conductive film laminate of the present invention as a capacitive input device.
(1) A plurality of first transparent electrode patterns formed by extending a plurality of pad portions in a first direction via connection portions (2) electrically insulated from the first transparent electrode pattern, A plurality of second electrode patterns comprising a plurality of pad portions formed extending in a direction crossing the first direction (3) electrically connecting the first transparent electrode pattern and the second electrode pattern However, “the electrode pattern is disposed on the decorative layer” means that (1) or (2) of the above (1) to (3) is part of the decorative layer. What is necessary is just to be arrange | positioned on top, and all of (1)-(3) does not need to be arrange | positioned on a decoration layer. Moreover, the electrode pattern may be arrange | positioned adjacent to the said decoration layer, and may be arrange | positioned through another layer.
Furthermore, in the capacitive input device of the present invention, the electrode pattern may further include the following (4).
(4) A conductive element that is electrically connected to at least one of the first transparent electrode pattern and the second electrode pattern, and is different from the first transparent electrode pattern and the second electrode pattern. In the conductive film laminate and the capacitive input device of the present invention, the second electrode pattern may be a transparent electrode pattern. In this specification, the second transparent electrode pattern may be described instead of the second electrode pattern, but the preferred embodiment of the second electrode pattern is the same as the preferred embodiment of the second transparent electrode pattern. is there.
Furthermore, the conductive film laminate and the capacitance-type input device of the present invention are provided on the surface of the decorative layer formed on one surface side of the front plate on the side opposite to the surface facing the front plate. Further, a mask layer may be provided.
Hereinafter, the preferable aspect of the electrically conductive film laminated body and electrostatic capacitance type input device of this invention is demonstrated.
<導電膜積層体、静電容量型入力装置の構成>
本発明の導電膜積層体および静電容量型入力装置の構成について説明する。以下の説明では、前述の機能層が加飾層であり、電極パターンと前面板との間の段差が前面板と上記加飾層との段差である場合について説明するが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。図14は、本発明の静電容量型入力装置の中でも好ましい構成を示す断面図である。図14において静電容量型入力装置は、透明な前面板1と、この前面板の一方の面の一部に配置された加飾層2と、上記前面板の一方の面側に配置された電極パターン(第二の透明電極パターン4と導電性要素6)とを有し、上記前面板1と上記加飾層2との段差を本発明の透明樹脂膜9によって埋められている。さらに図14に示す静電容量型入力装置は、第一の透明電極パターン3と、絶縁層5と、透明保護層7とを有する。
図14に示す静電容量型入力装置のように、前面板1と、加飾層2と、第一の透明電極パターン3と、第二の透明電極パターン4と、絶縁層5と、導電性要素6と、透明保護層7’と、本発明の透明樹脂膜9から構成され、電極パターン(第二の透明電極パターン4と導電性要素6)は、加飾層2の上に、隣接して配置されている態様が好ましい。すなわち、上記透明樹脂膜、上記加飾層および上記電極パターンの上に、透明保護層を含むこと(ITOなどの電極パターンよりも上側に、オーバーコート層が存在すること)が、耐熱性素材ではない透明保護層を用いる場合にITOスパッタ時に透明保護層が熱変色しない観点から好ましい。
一方、図1では、電極パターン(第二の透明電極パターン4と導電性要素6)は、加飾層2の上に、透明保護層7を介して、配置されている。図1のように、本発明の導電膜積層体および静電容量型入力装置は、上記加飾層2および上記電極パターンの間、ならびに、上記透明樹脂膜9および上記電極パターンの間に、さらに透明保護層7を含む態様でもよい。ただし、本発明の導電膜積層体は、図14に示した積層順の方が、図1に示した積層順よりも好ましい。
加飾層2の端部はテーパー状であっても、逆テーパー状であっても、テーパー形状を形成していなくてもよい。図1では、加飾層2は端部がテーパー状である。一方、図14に示すように、加飾層2はテーパー形状を形成していなくてもよい。本発明の導電膜積層体は、上記加飾層の端部がテーパー形状であることが好ましい。
図14および図1では、加飾層2の内径(一辺)Lは本発明の透明樹脂膜9の幅と等しい。一方、上記前面板1と上記加飾層2との段差を本発明の透明樹脂膜9で埋めたときに、本発明の趣旨に反しない限りにおいて加飾層2の内径(一辺)Lは、図15のように本発明の透明樹脂膜9の幅より広くてもよく、その逆に、図16に示すとおり、本発明の透明樹脂膜9の幅より狭くてもよい。加飾層2の厚みによる転写時の圧力のかかり方に起因して、加飾層2上に存在する透明樹脂膜9は、前面板1に直接接する透明樹脂膜9よりも、膜厚は薄くなる傾向がある。ここで、本発明の導電膜積層体は、透明樹脂膜の端部が、前述の機能層の前面板とは反対側の面の少なくとも一部の上に配置(透明樹脂膜の端部を加飾層の上に一部乗り上げるように配置)されたことが好ましく、加飾層2の内径(一辺)Lは図16に示すとおり本発明の透明樹脂膜9の幅より狭いことが好ましい。言い換えると、本発明の透明樹脂膜9の幅は、加飾層2の内径(一辺)Lより広いことが好ましい。なお、本発明の透明樹脂膜9の幅は、加飾層2の内径(一辺)Lと同等以上20mm以下広い(一方の端部では10mm以下広い)ことが好ましく、同等以上10mm以下広い(一方の端部では5mm以下広い)ことが、透明樹脂膜を、転写フィルムに含まれる透明樹脂膜を少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるように転写することにより形成するときの製造しやすさの観点、加飾層2上に存在する透明樹脂膜の端部近傍の新たな気泡混入を抑制する観点から特に好ましい。
<Structure of conductive film laminate and capacitive input device>
The structures of the conductive film laminate and the capacitance type input device of the present invention will be described. In the following description, the case where the functional layer described above is a decorative layer and the step between the electrode pattern and the front plate is a step between the front plate and the decorative layer will be described. However, the present invention is not limited to such an embodiment. FIG. 14 is a cross-sectional view showing a preferred configuration among the capacitance-type input device of the present invention. In FIG. 14, the capacitance type input device is arranged on the transparent
As in the capacitive input device shown in FIG. 14, the
On the other hand, in FIG. 1, the electrode pattern (second
The edge part of the
14 and 1, the inner diameter (one side) L of the
前面板1は、ガラス基板等の透光性基板で構成されており、コーニング社のゴリラガラスに代表される強化ガラスなどを用いることができる。本明細書において、本発明の静電容量型入力装置を構成する前面板1の表面のうち、指などを接触などさせて入力が行われる面を接触面といい、前面板1の接触面とは反対側の面を非接触面という。以下、前面板を、「基材」と称する場合がある。
The
また、前面板1の一方の面上には加飾層2を介してマスク層が設けられていてもよい。マスク層は、タッチパネル前面板の一方の面側に形成された表示領域周囲の額縁状のパターンであり、引回し配線等が見えないようにするために形成される。
加飾層2は、タッチパネル前面板の一方の面とマスク層との間に加飾を目的に形成されてもよい。
本発明の静電容量型入力装置には、図2に示すように、前面板1の一部の領域(図2においては入力面以外の領域)を覆うように加飾層2、マスク層(不図示)が設けられていることが好ましい。更に、前面板1には、図2に示すように上記前面板の一部に開口部8を設けることができる。開口部8には、押圧式のメカニカルなスイッチを設置することができる。基材として用いられる強化ガラスは強度が高く、加工が困難であるため、上記開口部8を形成するには強化処理前に開口部8を形成したのち、強化処理を行うのが一般的である。しかしながら、この開口部8を有した強化処理後の基板に、加飾層形成用液体レジストやスクリーン印刷インクを用いて加飾層2を形成しようとすると、開口部からのレジスト成分のモレや、前面板の境界ギリギリまで遮光パターンを形成する必要のあるマスク層と前面板の間に設けられる加飾層でのガラス端からのレジスト成分のはみ出しを生じ、基板裏側を汚染してしまうという問題が起こることがあるが、開口部8を有する基材上に転写フィルムを用いて加飾層2を形成する場合、このような問題も解決することができる。
In addition, a mask layer may be provided on one surface of the
The
In the capacitive input device of the present invention, as shown in FIG. 2, a
前面板1の一方の面には、複数のパッド部分が接続部分を介して第一の方向に延在して形成された複数の第一の透明電極パターン3と、第一の透明電極パターン3と電気的に絶縁され、第一の方向に交差する方向に延在して形成された複数のパッド部分からなる複数の第二の透明電極パターン4と、第一の透明電極パターン3と第二の透明電極パターン4を電気的に絶縁する絶縁層5とが形成されている。上記第一の透明電極パターン3と、第二の透明電極パターン4と、後述する別の導電性要素6とは、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)などの透光性の導電性金属酸化膜で作製することができる。このような金属膜としては、ITO膜;Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo等の金属膜;SiO2等の金属酸化膜などが挙げられる。この際、各要素の、膜厚は10〜200nmとすることができる。また、焼成により、アモルファスのITO膜を多結晶のITO膜とするため、電気的抵抗を低減することもできる。また、上記第一の透明電極パターン3と、第二の透明電極パターン4と、後述する導電性要素6とは、後述の導電性繊維を用いた導電性硬化性樹脂層を有する転写フィルムを用いて製造することもできる。その他、ITO等によって第一の透明電極パターン等を形成する場合には、特許第4506785号公報の段落0014〜0016等を参考にすることができる。
On one surface of the
また、第一の透明電極パターン3および第二の透明電極パターン4の少なくとも一方は、前面板1の一方の面上に配置された本発明の透明樹脂膜9および加飾層2の前面板1と対向する面とは反対側の面の両方の領域にまたがって設置することができる。図14においては、第二の透明電極パターン4が、前面板1の一方の面上に配置された本発明の透明樹脂膜9、および加飾層2の前面板1と対向する面とは反対側の面の両方の領域にまたがって第二の透明電極パターン4が設置されている図が示されている。このように、一定の厚みが必要な加飾層2と前面板裏面上に配置された本発明の透明樹脂膜9とにまたがって電極パターンを積層(例えば、後述の転写フィルムをラミネート)する場合でも、本発明の透明樹脂膜9を用いることで真空ラミネータなどの高価な設備を用いなくても、簡単な工程で加飾層の境界に泡の発生や、電極パターンの断線がないラミネートが可能になる。
Further, at least one of the first
図3を用いて第一の透明電極パターン3および第二の透明電極パターン4について説明する。図3は、本発明における第一の透明電極パターンおよび第二の透明電極パターンの一例を示す説明図である。図3に示すように、第一の透明電極パターン3は、パッド部分3aが接続部分3bを介して第一の方向に延在して形成されている。また、第二の透明電極パターン4は、第一の透明電極パターン3と絶縁層5によって電気的に絶縁されており、第一の方向に交差する方向(図3における第二の方向)に延在して形成された複数のパッド部分によって構成されている。ここで、第一の透明電極パターン3を形成する場合、上記パッド部分3aと接続部分3bとを一体として作製してもよいし、接続部分3bのみを作製して、パッド部分3aと第二の透明電極パターン4とを一体として作製(パターニング)してもよい。パッド部分3aと第二の透明電極パターン4とを一体として作製(パターニング)する場合、図3に示すように接続部分3bの一部とパッド部分3aの一部とが連結され、且つ、絶縁層5によって第一の透明電極パターン3と第二の透明電極パターン4とが電気的に絶縁されるように各層が形成される。
The first
図14において、加飾層2の前面板1と対向する面とは反対側の面側には導電性要素6が設置されている。導電性要素6は、第一の透明電極パターン3および第二の透明電極パターン4の少なくとも一方に電気的に接続され、且つ、第一の透明電極パターン3および第二の透明電極パターン4とは別の導電性要素である。図14においては、別の導電性要素6が第二の透明電極パターン4に接続されている図が示されている。
In FIG. 14, the
また、図1においては、上記加飾層2および上記電極パターンの間、ならびに、上記透明樹脂膜9および上記電極パターンの間に、さらに透明保護層7が設置されている。透明保護層7は、このように各構成要素の一部のみを覆うように構成されていてもよい。前面板1の一方の面上に配置された本発明の透明樹脂膜9および加飾層2の前面板1と対向する面とは反対側の面の両方の領域にまたがって透明保護層7を設置する場合でも、本発明の透明樹脂膜9を用いることで真空ラミネータなどの高価な設備を用いなくても、簡単な工程で加飾層の境界に泡の発生がないラミネートが可能になる。
一方、図14に示すように、各構成要素の全てを覆うように透明保護層7Aが設置されていることが、より好ましい。なお、図1において、さらに各構成要素の全てを覆うように透明保護層7Aが図14のように設置されていてもよい。透明保護層7や7Aは、オーバーコート層と呼ばれることもある。
絶縁層5と透明保護層7とは、同一材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。絶縁層5と透明保護層7、7Aとを構成する材料としては、表面硬度、耐熱性が高いものが好ましく、公知の感光性シロキサン樹脂材料、アクリル樹脂材料などが用いられる。
Moreover, in FIG. 1, the transparent
On the other hand, as shown in FIG. 14, it is more preferable that the transparent
The insulating
本発明の静電容量型入力装置の製造過程で形成される態様例として、図4〜8の態様を挙げることができる。図4は、開口部8が形成された強化処理ガラス11の一例を示す上面図である。図5は、加飾層2が形成された前面板の一例を示す上面図である。図6は、第一の透明電極パターン3が形成された前面板の一例を示す上面図である。図7は、第一の透明電極パターン3と第二の透明電極パターン4が形成された前面板の一例を示す上面図である。図8は、第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素6が形成された前面板の一例を示す上面図である。これらは、上記説明を具体化した例を示すものであり、本発明の範囲はこれらの図面により限定的に解釈されることはない。
Examples of the embodiment formed in the manufacturing process of the capacitive input device of the present invention include the embodiments shown in FIGS. FIG. 4 is a top view illustrating an example of the tempered glass 11 in which the
以下、本発明の導電膜積層体および静電容量型入力装置について、各層の詳細や各層の製造方法の好ましい態様を説明する。 Hereinafter, with respect to the conductive film laminate and the capacitance-type input device of the present invention, details of each layer and preferred embodiments of a method for manufacturing each layer will be described.
<加飾層>
本発明の導電膜積層体および静電容量型入力装置は、上記前面板の一方の面側に配置された機能層を有し、機能層が加飾層であることが好ましい。
<Decoration layer>
It is preferable that the electrically conductive film laminated body and electrostatic capacitance type input device of this invention have a functional layer arrange | positioned at the one surface side of the said front board, and a functional layer is a decoration layer.
本発明の導電膜積層体および静電容量型入力装置体は、上記加飾層の厚みが5μm以上であることが好ましく、10μm以上であることがより好ましく、特に加飾層が白色加飾層である場合は白色加飾層の厚みを厚くすることが好ましいために30μm以上であることがより好ましい。
本発明の導電膜積層体は、上記透明樹脂膜の厚みが、上記加飾層の厚みの0.2〜2.0倍であることが好ましく、0.3〜1.5倍であることがより好ましく、0.99〜1.01倍であることが特に好ましい。
In the conductive film laminate and the capacitive input device body of the present invention, the thickness of the decorative layer is preferably 5 μm or more, more preferably 10 μm or more, and in particular, the decorative layer is a white decorative layer. When it is, since it is preferable to make the thickness of a white decoration layer thick, it is more preferable that it is 30 micrometers or more.
In the conductive film laminate of the present invention, the thickness of the transparent resin film is preferably 0.2 to 2.0 times, and preferably 0.3 to 1.5 times the thickness of the decorative layer. More preferably, it is 0.99 to 1.01 times.
(材料)
−着色剤−
上記加飾層は、着色剤を含む。
(material)
-Colorant-
The decorative layer includes a colorant.
黒色着色剤としては、例えば、カーボンブラック、チタンカーボン、酸化鉄、酸化チタン、黒鉛などが挙げられ、中でも、カーボンブラックが好ましい。尚、黒色着色剤の他に、赤、青、緑色等の顔料の混合物等を用いることができる。 Examples of the black colorant include carbon black, titanium carbon, iron oxide, titanium oxide, and graphite. Among these, carbon black is preferable. In addition to the black colorant, a mixture of pigments such as red, blue, and green can be used.
白色着色剤としては、特開2009−191118号公報の段落0019や、特開2000−175718号公報の段落0109に記載の白色顔料を用いることができる。また、特開2005−7765号公報の段落0015や0114に記載の白色顔料も用いることができる。
具体的には、本発明では、酸化チタン(ルチル型)、酸化チタン(アナターゼ型)、酸化亜鉛、リトポン、軽質炭酸カルシウム、ホワイトカーボン、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム等の白色無機顔料が好ましく、酸化チタン(ルチル型)、酸化チタン(アナターゼ型)、酸化亜鉛がより好ましく、酸化チタン(ルチル型)、酸化チタン(アナターゼ型)がさらに好ましく、ルチル型酸化チタンが特に好ましい。
As the white colorant, white pigments described in JP2009-191118A paragraph 0019 and JP2000-175718A paragraph 0109 can be used. Moreover, the white pigment as described in paragraph 0015 and 0114 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-7765 can also be used.
Specifically, in the present invention, white inorganic pigments such as titanium oxide (rutile type), titanium oxide (anatase type), zinc oxide, lithopone, light calcium carbonate, white carbon, aluminum oxide, aluminum hydroxide, barium sulfate, etc. Titanium oxide (rutile type), titanium oxide (anatase type) and zinc oxide are more preferable, titanium oxide (rutile type) and titanium oxide (anatase type) are more preferable, and rutile type titanium oxide is particularly preferable.
二酸化チタンの具体例としては、JR、JRNC、JR−301、403、405、600A、605、600E、603、701、800、805、806、JA−1、C、3、4、5、MT−01、02、03、04、05、100AQ、100SA、100SAK、100SAS、100TV、100Z、100ZR、150W、500B、500H、500SA、500SAK、500SAS、500T、SMT−100SAM、100SAS、500SAM、500SAS(テイカ社製)、CR−50、50−2、57、58、58−2、60、60−2、63、67、80、85、90、90−2、93、95、97、953、Super70、PC−3、PF−690、691、711、736、737、739、740、742、R−550、580、630、670、680、780、780−2、820、830、850、855、930、980、S−305、UT771、TTO−51(A)、51(C)、55(A)、55(B)、55(C)、55(D)、S−1、S−2、S−3、S−4、V−3、V−4、MPT−136、FTL−100、110、200、300(石原産業社製)、KA−10、15、20、30、KR−310、380、KV−200、STT−30EHJ、65C−S、455、485SA15、495M、495MC(チタン工業社製)、TA−100、200、300、400、500、TR−600、700、750、840、900(富士チタン工業社製)などが挙げられ、これらを単独、もしくは混合して用いてもよい。 Specific examples of titanium dioxide include JR, JRNC, JR-301, 403, 405, 600A, 605, 600E, 603, 701, 800, 805, 806, JA-1, C, 3, 4, 5, MT- 01, 02, 03, 04, 05, 100AQ, 100SA, 100SAK, 100SAS, 100TV, 100Z, 100ZR, 150W, 500B, 500H, 500SA, 500SAK, 500SAS, 500T, SMT-100SAM, 100SAS, 500SAM, 500SAS Manufactured), CR-50, 50-2, 57, 58, 58-2, 60, 60-2, 63, 67, 80, 85, 90, 90-2, 93, 95, 97, 953, Super 70, PC -3, PF-690, 691, 711, 736, 737, 739, 740, 7 2, R-550, 580, 630, 670, 680, 780, 780-2, 820, 830, 850, 855, 930, 980, S-305, UT771, TTO-51 (A), 51 (C), 55 (A), 55 (B), 55 (C), 55 (D), S-1, S-2, S-3, S-4, V-3, V-4, MPT-136, FTL- 100, 110, 200, 300 (Ishihara Sangyo Co., Ltd.), KA-10, 15, 20, 30, KR-310, 380, KV-200, STT-30EHJ, 65C-S, 455, 485SA15, 495M, 495MC ( Titanium Industry Co., Ltd.), TA-100, 200, 300, 400, 500, TR-600, 700, 750, 840, 900 (Fuji Titanium Industry Co., Ltd.) and the like. It may be.
本発明では上記白色無機顔料(特に酸化チタン)の表面はシリカ処理、アルミナ処理、チタニア処理、ジルコニア処理、有機物処理及びそれらを併用することができる。
これにより上記白色無機顔料(特に酸化チタン)の触媒活性を抑制でき、耐熱性、褪光性等を改善することができる。
加熱後の加飾層の白色度の観点から、本発明では上記白色顔料が無機物で表面処理されたルチル型酸化チタンであることが好ましく、アルミナ処理およびジルコニア処理のうち少なくとも一方で表面処理されたルチル型酸化チタンであることがより好ましく、アルミナ/ジルコニア併用処理で表面処理されたルチル型酸化チタンであることが特に好ましい。
In the present invention, the surface of the white inorganic pigment (particularly titanium oxide) can be used in combination with silica treatment, alumina treatment, titania treatment, zirconia treatment, organic matter treatment and the like.
Thereby, the catalytic activity of the white inorganic pigment (particularly titanium oxide) can be suppressed, and heat resistance, fluorescence, and the like can be improved.
From the viewpoint of the whiteness of the decorative layer after heating, in the present invention, the white pigment is preferably a rutile type titanium oxide surface-treated with an inorganic substance, and at least one of alumina treatment and zirconia treatment was surface-treated. A rutile type titanium oxide is more preferable, and a rutile type titanium oxide surface-treated by an alumina / zirconia combined treatment is particularly preferable.
上記その他の色の加飾層として用いるためには、特許第4546276号公報の段落0183〜0185などに記載の顔料、あるいは染料を混合して用いてもよい。具体的には、特開2005−17716号公報の段落0038〜0054に記載の顔料および染料、特開2004−361447号公報の段落0068〜0072に記載の顔料、特開2005−17521号公報の段落0080〜0088に記載の着色剤等を好適に用いることができる。 In order to use as a decoration layer of the said other color, you may mix and use the pigment or dye as described in the paragraph 0183-0185 of patent 4546276, etc. Specifically, pigments and dyes described in paragraphs 0038 to 0054 of JP-A-2005-17716, pigments described in paragraphs 0068 to 0072 of JP-A-2004-361447, paragraphs of JP-A-2005-17521 The colorants described in 0080 to 0088 can be suitably used.
上記加飾層の全固形分に対する上記無機顔料の含有率が20〜75質量%であることが、良好な明度および白色度を有し、その他の求められる特性を同時に満たす加飾層を形成する観点から好ましい。また、本発明の転写フィルムを後述の本発明の静電容量型入力装置の製造方法に用いるときに、十分に現像時間を短縮する観点からも上記加飾層の全固形分に対する上記無機顔料の含有率が20〜75質量%であることが好ましい。
上記加飾層の全固形分に対する上記無機顔料の含有率は、25〜60質量%であることがより好ましく、30〜50質量%であることが更に好ましい。
本明細書でいう全固形分とは上記加飾層から溶剤等を除いた不揮発成分の総質量を意味する。
The content of the inorganic pigment with respect to the total solid content of the decorative layer is 20 to 75% by mass to form a decorative layer having good brightness and whiteness and simultaneously satisfying other required characteristics. It is preferable from the viewpoint. Moreover, when using the transfer film of this invention for the manufacturing method of the electrostatic capacitance type input device of this invention mentioned later, also from a viewpoint of fully shortening development time, the said inorganic pigment with respect to the total solid of the said decoration layer is sufficient. The content is preferably 20 to 75% by mass.
As for the content rate of the said inorganic pigment with respect to the total solid of the said decoration layer, it is more preferable that it is 25-60 mass%, and it is still more preferable that it is 30-50 mass%.
The total solid content as used in this specification means the total mass of the non-volatile component except a solvent etc. from the said decoration layer.
上記無機顔料(なお、その他の着色剤についても同様である)は、分散液として使用することが望ましい。この分散液は、上記無機顔料と顔料分散剤とを予め混合して得られる組成物を、後述する有機溶媒(またはビヒクル)に添加して分散させることによって調製することができる。上記ビビクルとは、塗料が液体状態にある時に顔料を分散させている媒質の部分をいい、液状であって上記顔料と結合して塗膜を形成する成分(バインダー)と、これを溶解希釈する成分(有機溶媒)とを含む。 The inorganic pigment (which is the same for other colorants) is desirably used as a dispersion. This dispersion can be prepared by adding and dispersing a composition obtained by previously mixing the inorganic pigment and the pigment dispersant in an organic solvent (or vehicle) described later. The above-mentioned vehicle refers to a portion of a medium in which a pigment is dispersed when the paint is in a liquid state, and is a liquid component that binds to the pigment to form a coating film (binder) and dissolves and dilutes it. Component (organic solvent).
上記無機顔料を分散させる際に使用する分散機としては、特に制限はなく、例えば、朝倉邦造著、「顔料の事典」、第一版、朝倉書店、2000年、438頁に記載されているニーダー、ロールミル、アトライダー、スーパーミル、ディゾルバ、ホモミキサー、サンドミル等の公知の分散機が挙げられる。更にこの文献310頁記載の機械的摩砕により、摩擦力を利用し微粉砕してもよい。 The disperser used for dispersing the inorganic pigment is not particularly limited. For example, a kneader described in Kazuzo Asakura, “Encyclopedia of Pigments”, First Edition, Asakura Shoten, 2000, p. 438. , Known dispersing machines such as a roll mill, atrider, super mill, dissolver, homomixer, and sand mill. Further, fine grinding may be performed using frictional force by mechanical grinding described in page 310 of this document.
本発明で用いることができる上記着色剤は、分散安定性及び隠ぺい力の観点から、一次粒子の平均粒径が0.16μm〜0.3μmの着色剤が好ましく、更に0.18μm〜0.27μmの着色剤が好ましい。さらに0.19μm〜0.25μmの着色剤が特に好ましい。一次粒子の平均粒径が0.16μmよりも小さいと、急激に隠ぺい力が低下して加飾層の下地が見えやすくなったり、粘度上昇を起こしたりすることがある。一方、0.3μmを超えると特に白色無機顔料を用いたときに白色度が低下すると同時に急激に隠ぺい力が低下し、また塗布した際の面状が悪化する場合がある。
尚、ここで言う「一次粒子の平均粒径」とは粒子の電子顕微鏡写真画像を同面積の円とした時の直径を言い、また「数平均粒径」とは多数の粒子について上記の粒径を求め、このうち、任意に選択する100個の粒径の平均値をいう。
一方、分散液、塗布液中の平均粒径で測定する場合には、レーザー散乱HORIBA H(株式会社堀場アドバンスドテクノ社製)を用いることができる。
The colorant that can be used in the present invention is preferably a colorant having an average primary particle size of 0.16 μm to 0.3 μm, more preferably 0.18 μm to 0.27 μm, from the viewpoint of dispersion stability and hiding power. The colorant is preferred. Furthermore, a coloring agent of 0.19 μm to 0.25 μm is particularly preferable. When the average particle size of the primary particles is smaller than 0.16 μm, the hiding power is suddenly lowered, and the base of the decorative layer may be easily seen or the viscosity may be increased. On the other hand, when it exceeds 0.3 μm, the whiteness is lowered particularly when a white inorganic pigment is used, and at the same time, the hiding power is suddenly lowered, and the surface condition when applied may be deteriorated.
The “average particle size of primary particles” as used herein refers to the diameter when the electron micrograph image of the particles is a circle of the same area, and the “number average particle size” refers to the above-mentioned particle size for a large number of particles. The diameter is determined, and among these, an average value of 100 particle diameters arbitrarily selected is referred to.
On the other hand, when measuring by the average particle diameter in a dispersion liquid and a coating liquid, laser scattering HORIBA H (made by Horiba Advanced Techno Co., Ltd.) can be used.
−バインダー樹脂−
加飾層がバインダー樹脂を含むことが好ましい。上記バインダー樹脂としては、上記透明樹脂膜と同様のシリコーンレジンが好ましく挙げられる。
また、上記シリコーンレジンを含む上記加飾層を硬化して脆性を改善する観点からは触媒を含むことが好ましい。上記触媒としては、上記透明樹脂膜と同様のものが好ましく挙げられる。
-Binder resin-
It is preferable that a decoration layer contains binder resin. As said binder resin, the silicone resin similar to the said transparent resin film is mentioned preferably.
Moreover, it is preferable that a catalyst is included from a viewpoint of hardening the said decoration layer containing the said silicone resin and improving a brittleness. As said catalyst, the thing similar to the said transparent resin film is mentioned preferably.
(加飾層の形成方法)
上記加飾層の形成方法は、特に制限はないが、仮支持体と樹脂層とをこの順で有する転写フィルムを用いて形成することが好ましく、仮支持体と光硬化性樹脂層とをこの順で有する感光性転写フィルムを用いて形成することがより好ましく、仮支持体と熱可塑性樹脂層と光硬化性樹脂層とをこの順で有する感光性転写フィルムを用いて形成することが特に好ましい。例えば白色の加飾層2を形成する場合には、上記光硬化性樹脂層として白色光硬化性樹脂層を有する後述の感光性転写フィルムを用いて、上記前面板1の表面に上記白色光硬化性樹脂層を転写することで形成することが好ましい。
上記転写フィルムを用いて加飾層を形成する場合には、樹脂層に着色剤を用いることができる。上記着色剤としては、前述の着色剤(有機顔料、無機顔料、染料等)を好適に用いることができる。
(Method for forming the decorative layer)
Although there is no restriction | limiting in particular in the formation method of the said decoration layer, It is preferable to form using the transfer film which has a temporary support body and a resin layer in this order, and this temporary support body and a photocurable resin layer are made into this. It is more preferable to form using a photosensitive transfer film having in order, and it is particularly preferable to use a photosensitive transfer film having a temporary support, a thermoplastic resin layer, and a photocurable resin layer in this order. . For example, when the white
When forming a decoration layer using the said transfer film, a coloring agent can be used for a resin layer. As the colorant, the above-mentioned colorants (organic pigments, inorganic pigments, dyes, etc.) can be suitably used.
図2の構成の開口部8を有する静電容量型入力装置において、図1に記載される上記加飾層2や不図示のマスク層等を、本発明の転写フィルムを用いて形成すると、開口部を有する前面板(基板)でも開口部分からレジスト成分のモレがない。特に本発明の転写フィルムを用いて形成すると、前面板の境界線直上まで遮光パターンを形成する必要のある加飾層において、ガラス端からのレジスト成分のはみ出し(モレ)がないため前面板裏側を汚染することなく、簡略な工程で、薄層化および軽量化のメリットがあるタッチパネルを製造することができる。
In the capacitance-type input device having the
上記加飾層を、転写フィルムを用いて形成する方法について説明する。
一般に転写フィルムを用いる場合、加飾層が光硬化性樹脂を含んでいれば通常のフォトリソグラフィーの方法によって形成することができる。
転写フィルムは、加飾層が光硬化性樹脂を含んでいても含んでいなくてもよく、加飾層が光硬化性樹脂を含む場合と加飾層が光硬化性樹脂を含まない場合のいずれの場合でも後述のハーフカットによる転写方法やダイカットによる転写方法によって、転写フィルムを用いて加飾層を形成することができる。
A method for forming the decorative layer using a transfer film will be described.
In general, when a transfer film is used, it can be formed by an ordinary photolithography method if the decorative layer contains a photocurable resin.
The transfer film may or may not contain the photocurable resin, and the case where the decorative layer contains the photocurable resin and the case where the decorative layer does not contain the photocurable resin. In any case, the decorative layer can be formed by using a transfer film by a transfer method by half-cut or a transfer method by die-cut, which will be described later.
加飾層などの永久材を、転写フィルムを用いて形成する場合について、加飾層を形成する方法を例にして、転写フィルムを用いたパターニング方法を説明する。 About the case where permanent materials, such as a decoration layer, are formed using a transfer film, the patterning method using a transfer film is demonstrated to the example of the method of forming a decoration layer.
(1−A)フォトリソグラフィー方式でのパターニング
フォトリソグラフィー方式を用いて上記加飾層を形成する場合について、パターニング方法を説明する。
(1-A) Patterning by photolithography The patterning method will be described for the case where the decorative layer is formed using a photolithography method.
フォトリソグラフィー方式を用いて上記加飾層を形成する場合のパターニング方法では、少なくとも仮支持体と光硬化性樹脂層を有する転写フィルムであって、光硬化性樹脂層が光硬化性樹脂と着色剤を有する転写フィルムを用いる。
上記光硬化性樹脂層を有する転写フィルムは、上記光硬化性樹脂層と上記仮支持体と上記熱可塑性樹脂層の他に、保護フィルムや中間層を含んでいてもよい。
各層の好ましい構成と積層順は、本発明の転写フィルムにおいて本発明の透明樹脂膜の代わりに着色剤を含む樹脂層(好ましくは着色剤を含む光硬化性樹脂層)を用いる以外は同様である。
上記光硬化性樹脂層を有する転写フィルムの光硬化性樹脂層は、以下の構成であることが好ましい。
In the patterning method in the case of forming the decorative layer using a photolithography method, it is a transfer film having at least a temporary support and a photocurable resin layer, and the photocurable resin layer is a photocurable resin and a colorant. A transfer film having
The transfer film having the photocurable resin layer may include a protective film and an intermediate layer in addition to the photocurable resin layer, the temporary support, and the thermoplastic resin layer.
The preferred configuration and order of lamination of each layer is the same except that a resin layer containing a colorant (preferably a photocurable resin layer containing a colorant) is used instead of the transparent resin film of the invention in the transfer film of the invention. .
The photocurable resin layer of the transfer film having the photocurable resin layer preferably has the following configuration.
上記光硬化性樹脂層に用いられる上記モノマーとしては本発明の趣旨に反しない限りにおいて特に制限はなく、公知の重合性化合物を用いることができる。
上記重合性化合物としては、特許第4098550号の段落0023〜0024に記載の重合性化合物を用いることができる。
There is no restriction | limiting in particular as long as it is not contrary to the meaning of this invention as said monomer used for the said photocurable resin layer, A well-known polymeric compound can be used.
As the polymerizable compound, the polymerizable compounds described in paragraphs 0023 to 0024 of Japanese Patent No. 4098550 can be used.
上記光硬化性樹脂層に用いられる上記バインダーとしては本発明の趣旨に反しない限りにおいて特に制限はなく、公知の重合性化合物を用いることができる。
光硬化性樹脂層を有する転写フィルムがネガ型材料である場合、光硬化性樹脂組成物には、アルカリ可溶性樹脂、重合性化合物、重合開始剤を含むことが好ましい。さらに、着色剤、添加剤、などが用いられるがこれに限られない。
アルカリ可溶性樹脂としては、特開2011−95716号公報の段落0025、特開2010−237589号公報の段落0033〜0052に記載のポリマーを用いることができる。一方、加飾層をプレカットにより形成する場合は、着色剤を有する樹脂層には、前述のとおりバインダー樹脂としてシリコーンレジンを用いることも好ましい。
光硬化性樹脂層を有する転写フィルムがポジ型材料である場合、光硬化性樹脂層に、例えば特開2005−221726記載の材料などが用いられるが、これに限られない。
The binder used in the photocurable resin layer is not particularly limited as long as it is not contrary to the gist of the present invention, and a known polymerizable compound can be used.
When the transfer film having the photocurable resin layer is a negative material, the photocurable resin composition preferably contains an alkali-soluble resin, a polymerizable compound, and a polymerization initiator. Furthermore, although a coloring agent, an additive, etc. are used, it is not restricted to this.
As the alkali-soluble resin, polymers described in paragraph 0025 of JP 2011-95716 A and paragraphs 0033 to 0052 of JP 2010-237589 A can be used. On the other hand, when the decorative layer is formed by precutting, it is also preferable to use a silicone resin as the binder resin in the resin layer having the colorant as described above.
When the transfer film having the photocurable resin layer is a positive type material, for example, a material described in JP-A-2005-221726 is used for the photocurable resin layer, but is not limited thereto.
上記光硬化性樹脂層に用いられる上記光重合開始剤としては、特開2011−95716号公報に記載の段落0031〜0042に記載の重合性化合物を用いることができる。 As said photoinitiator used for the said photocurable resin layer, the polymeric compound as described in Paragraphs 0031-0042 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-95716 can be used.
さらに、上記光硬化性樹脂層は、添加剤を用いてもよい。上記添加剤としては、例えば特許第4502784号公報の段落0017、特開2009−237362号公報の段落0060〜0071に記載の界面活性剤や、特許第4502784号公報の段落0018に記載の熱重合防止剤、さらに、特開2000−310706号公報の段落0058〜0071に記載のその他の添加剤が挙げられる。 Furthermore, an additive may be used for the photocurable resin layer. Examples of the additive include surfactants described in paragraph 0017 of Japanese Patent No. 4502784, paragraphs 0060-0071 of JP-A-2009-237362, and thermal polymerization prevention described in paragraph 0018 of Japanese Patent No. 4502784. And other additives described in paragraphs 0058 to 0071 of JP-A No. 2000-310706.
−溶剤−
また、光硬化性樹脂層を有する転写フィルムを塗布により製造する際の溶剤としては、特開2011−95716号公報の段落0043〜0044に記載の溶剤を用いることができる。
-Solvent-
Moreover, as a solvent at the time of manufacturing the transfer film which has a photocurable resin layer by application | coating, the solvent as described in Paragraph 0043-0044 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-95716 can be used.
以上、光硬化性樹脂層を有する転写フィルムがネガ型材料である場合を中心に説明したが、上記転写フィルムは、ポジ型材料であってもよい。 As described above, the case where the transfer film having the photocurable resin layer is a negative material has been mainly described. However, the transfer film may be a positive material.
光硬化性樹脂層の100℃で測定した粘度が2000〜50000Pa・secの領域にあり、さらに次式を満たすことが好ましい。
熱可塑性樹脂層の粘度<光硬化性樹脂層の粘度
It is preferable that the viscosity of the photocurable resin layer measured at 100 ° C. is in the region of 2000 to 50000 Pa · sec, and further satisfies the following formula.
Viscosity of thermoplastic resin layer <viscosity of photocurable resin layer
上記転写フィルムが光硬化性樹脂層を有する場合に上記加飾層を形成する方法は、上記転写フィルムから上記保護フィルムを除去する保護フィルム除去工程と、上記保護フィルムが除去された上記転写フィルムの上記光硬化性樹脂層を基材上に転写する転写工程と、基材上に転写された上記光硬化性樹脂層を露光する露光工程と、露光された光硬化性樹脂層を現像してパターン画像を得る現像工程と、を有する方法が挙げられる。この場合、さらに上記転写工程後に、転写された光硬化性樹脂層をポスト露光する工程を有することが好ましい。 When the transfer film has a photocurable resin layer, the method for forming the decorative layer includes a protective film removing step for removing the protective film from the transfer film, and a method for removing the protective film from the transfer film. A transfer step of transferring the photocurable resin layer onto the substrate, an exposure step of exposing the photocurable resin layer transferred onto the substrate, and developing the exposed photocurable resin layer to form a pattern And a development step for obtaining an image. In this case, it is preferable to further include a step of post-exposing the transferred photocurable resin layer after the transfer step.
転写フィルムは、前面板(基材)にラミネートされた後、必要なパターン様に露光され、ネガ型材料の場合は非露光部分、ポジ型材料の場合は露光部分を現像処理して除去することでパターンを得ることができる。この際、現像は熱可塑性樹脂層と、光硬化性樹脂層を別々の液で現像除去してもよいし、同一の液で除去してもよい。必要に応じて、ブラシや高圧ジェットなどの公知の現像設備を組み合わせてもよい。現像の後、必要に応じて、ポスト露光、ポストベークを行ってもよい。
以下、フォトリソグラフィー方式を用いて上記加飾層を形成する場合において、好ましい転写工程、露光工程、現像工程、およびその他の工程の詳細を説明する。
After the transfer film is laminated on the front plate (base material), it is exposed to the required pattern, and in the case of negative type material, the unexposed part and in the case of positive type material, the exposed part is developed and removed. A pattern can be obtained. At this time, the development may be carried out by removing the thermoplastic resin layer and the photocurable resin layer with separate liquids, or with the same liquid. You may combine well-known image development facilities, such as a brush and a high pressure jet, as needed. After the development, post-exposure and post-bake may be performed as necessary.
Hereinafter, when forming the said decoration layer using a photolithographic system, the detail of a preferable transfer process, an exposure process, a image development process, and another process is demonstrated.
−転写工程−
上記転写工程は、上記保護フィルムが除去された転写フィルムの上記光硬化性樹脂層を基材上に転写する工程である。
この際、転写フィルムの光硬化性樹脂層を基材にラミネート後、仮支持体を除去することによって行う方法が好ましい。
光硬化性樹脂層の基材表面への転写(貼り合わせ)は、光硬化性樹脂層を基材表面に重ね、加圧、加熱することに行われる。貼り合わせには、ラミネータ、真空ラミネータ、および、より生産性を高めることができるオートカットラミネーター等の公知のラミネータを使用することができる。
-Transfer process-
The said transfer process is a process of transferring the said photocurable resin layer of the transfer film from which the said protective film was removed on a base material.
At this time, a method of removing the temporary support after laminating the photocurable resin layer of the transfer film on the substrate is preferable.
Transfer (bonding) of the photocurable resin layer to the surface of the substrate is performed by stacking the photocurable resin layer on the surface of the substrate, pressurizing and heating. For laminating, known laminators such as a laminator, a vacuum laminator, and an auto-cut laminator that can further increase productivity can be used.
−露光工程、現像工程、およびその他の工程−
上記露光工程、現像工程、およびその他の工程の例としては、特開2006−23696号公報の段落0035〜0051に記載の方法を本発明においても好適に用いることができる。
-Exposure process, development process, and other processes-
As examples of the exposure step, the development step, and other steps, the method described in paragraphs 0035 to 0051 of JP-A-2006-23696 can be preferably used in the present invention.
上記露光工程は、基材上に転写された上記光硬化性樹脂層を露光する工程である。
具体的には、上記基材上に形成された光硬化性樹脂層の上方に所定のマスクを配置し、その後このマスク、熱可塑性樹脂層、および中間層を介してマスク上方から露光する方法が挙げられる。
ここで、上記露光の光源としては、光硬化性樹脂層を硬化しうる波長域の光(例えば、365nm、405nmなど)を照射できるものであれば適宜選定して用いることができる。具体的には、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ等が挙げられる。露光量としては、通常5〜200mJ/cm2程度であり、好ましくは10〜100mJ/cm2程度である。
The said exposure process is a process of exposing the said photocurable resin layer transcribe | transferred on the base material.
Specifically, there is a method in which a predetermined mask is disposed above the photocurable resin layer formed on the substrate, and then exposed from above the mask through the mask, the thermoplastic resin layer, and the intermediate layer. Can be mentioned.
Here, the light source for the exposure can be appropriately selected and used as long as it can irradiate light in a wavelength region capable of curing the photocurable resin layer (for example, 365 nm, 405 nm, etc.). Specifically, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, etc. are mentioned. As an exposure amount, it is about 5-200 mJ / cm < 2 > normally, Preferably it is about 10-100 mJ / cm < 2 >.
上記現像工程は、露光された光硬化性樹脂層を現像する工程である。
上記現像は、現像液を用いて行うことができる。上記現像液としては、特に制約はなく、特開平5−72724号公報に記載の現像液など、公知の現像液を使用することができる。尚、現像液は光硬化性樹脂層が溶解型の現像挙動をする現像液が好ましく、例えば、pKa=7〜13の化合物を0.05〜5mol/Lの濃度で含むものが好ましいが、更に水と混和性を有する有機溶剤を少量添加してもよい。水と混和性を有する有機溶剤としては、メタノール、エタノール、2−プロパノール、1−プロパノール、ブタノール、ジアセトンアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ベンジルアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ε−カプロラクトン、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、乳酸エチル、乳酸メチル、ε−カプロラクタム、N−メチルピロリドン等を挙げることができる。この有機溶剤の濃度は0.1質量%〜30質量%が好ましい。また、上記現像液には、更に公知の界面活性剤を添加することができる。界面活性剤の濃度は0.01質量%〜10質量%が好ましい。
The developing step is a step of developing the exposed photocurable resin layer.
The development can be performed using a developer. The developer is not particularly limited, and a known developer such as a developer described in JP-A-5-72724 can be used. The developer is preferably a developer in which the photocurable resin layer has a dissolution type development behavior. For example, a developer containing a compound having a pKa of 7 to 13 at a concentration of 0.05 to 5 mol / L is preferable. A small amount of an organic solvent miscible with water may be added. Examples of organic solvents miscible with water include methanol, ethanol, 2-propanol, 1-propanol, butanol, diacetone alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, and benzyl alcohol. , Acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, ε-caprolactone, γ-butyrolactone, dimethylformamide, dimethylacetamide, hexamethylphosphoramide, ethyl lactate, methyl lactate, ε-caprolactam, N-methylpyrrolidone and the like. The concentration of the organic solvent is preferably 0.1% by mass to 30% by mass. Further, a known surfactant can be further added to the developer. The concentration of the surfactant is preferably 0.01% by mass to 10% by mass.
上記現像の方式としては、パドル現像、シャワー現像、シャワー&スピン現像、ディップ現像等のいずれでもよい。ここで、上記シャワー現像について説明すると、露光後の光硬化性樹脂層に現像液をシャワーにより吹き付けることにより、未硬化部分を除去することができる。尚、熱可塑性樹脂層や中間層を設けた場合には、現像の前に光硬化性樹脂を含む透明硬化性樹脂層の溶解性が低いアルカリ性の液をシャワーなどにより吹き付け、熱可塑性樹脂層、中間層などを除去しておくことが好ましい。また、現像の後に、洗浄剤などをシャワーにより吹き付け、ブラシなどで擦りながら、現像残渣を除去することが好ましい。現像液の液温度は20℃〜40℃が好ましく、また、現像液のpHは8〜13が好ましい。 The development method may be any of paddle development, shower development, shower & spin development, dip development, and the like. Here, the shower development will be described. An uncured portion can be removed by spraying a developer onto the photocurable resin layer after exposure. In the case where a thermoplastic resin layer or an intermediate layer is provided, an alkaline liquid having a low solubility of the transparent curable resin layer containing a photocurable resin is sprayed by a shower or the like before development, and the thermoplastic resin layer, It is preferable to remove the intermediate layer and the like. Further, after the development, it is preferable to remove the development residue while spraying a cleaning agent or the like with a shower and rubbing with a brush or the like. The liquid temperature of the developer is preferably 20 ° C. to 40 ° C., and the pH of the developer is preferably 8 to 13.
(1−B)プレカット方式でのパターニング
加飾層の形成方法は、通常のフォトリソ方式で画像形成しない場合、転写以前に加飾層に画像部を形成する必要がある。
(1-B) Patterning by the pre-cut method When the decorative layer is formed by an ordinary photolithographic method, it is necessary to form an image portion on the decorative layer before transfer.
上記転写フィルムの一部に、上記加飾層を貫通し、かつ上記仮支持体を貫通しない深さの切り込みを入れる工程や、上記加飾層から上記仮支持体を貫通する切り込みを入れる工程を、加飾層のうち転写する画像部を予めプレカットする工程とも言う。
プレカットの種類としては、上記転写フィルムの一部に上記加飾層を貫通し、かつ上記仮支持体を貫通しない深さの切り込みを入れる工程(ハーフカット工程)と上記加飾層から上記仮支持体を貫通する切り込みを入れる工程(ダイカット工程)がある。
A step of making a cut in a depth that does not penetrate the temporary support and through the decorative layer in a part of the transfer film, or a step of making a cut through the temporary support from the decorative layer It is also called a step of pre-cutting an image portion to be transferred in the decorative layer.
As a kind of the pre-cut, a step (half-cut step) in which a depth of not penetrating through the decorative layer and penetrating through the temporary support is partially penetrated into the transfer film and the temporary support from the decorative layer. There is a process (die cutting process) for making a cut through the body.
上記加飾層を形成する方法は、ハーフカット工程、すなわち上記転写フィルムの一部に、上記加飾層を貫通し、かつ上記仮支持体を貫通しない深さの切り込みを入れる工程と、上記切り込みによって囲まれた領域のうち少なくとも一部の領域の上記加飾層を除去する工程と、上記一部の領域の上記加飾層を除去した後の上記転写フィルムを用いて上記加飾層を形成する工程と、を含むことが好ましい。
また、上記加飾層を形成する方法は、ダイカット工程すなわち上記転写フィルムの一部に、上記加飾層から上記仮支持体を貫通する切り込みを入れる工程と、上記一部の領域の上記加飾層を除去した後の上記転写フィルムを用いて上記加飾層を形成する工程と、を含むことも好ましい。
The method of forming the decorative layer is a half-cut step, that is, a step of making a cut in a depth that penetrates the decorative layer and does not penetrate the temporary support in a part of the transfer film, and the cut Forming the decorative layer using the transfer film after removing the decorative layer in at least a part of the region surrounded by the region and the decorative layer in the partial region It is preferable to include the process to do.
In addition, the method for forming the decorative layer includes a die cutting step, that is, a step of making a cut through the temporary support from the decorative layer into a part of the transfer film, and the decoration of the partial region. It is also preferable to include the process of forming the said decoration layer using the said transfer film after removing a layer.
上記切り込みによって囲まれた領域のうち少なくとも一部の領域の上記加飾層を除去する工程を、転写しない非画像部の加飾層を除去する工程とも言う。
さらに転写フィルムが、保護フィルムや中間層や熱可塑性樹脂層を含む場合、上記切り込みによって囲まれた領域のうち少なくとも一部の領域の上記加飾層を除去する工程は、非画像部の保護フィルム及び加飾層、並びに画像部の保護フィルムを除去する工程であることが好ましい。
The step of removing the decorative layer in at least a part of the region surrounded by the cuts is also referred to as a step of removing the decorative layer of the non-image portion that is not transferred.
Further, when the transfer film includes a protective film, an intermediate layer, or a thermoplastic resin layer, the step of removing the decorative layer in at least a part of the region surrounded by the cuts is a protective film for a non-image part. And a step of removing the decorative layer and the protective film of the image portion.
上記一部の領域の上記加飾層を除去した後の上記転写フィルムを用いて上記加飾層を形成する工程を、上記画像部の加飾層を基材上に転写する転写工程とも言う。
さらに転写フィルムが、保護フィルムや中間層や熱可塑性樹脂層を含む場合、上記一部の領域の上記加飾層を除去した後の上記転写フィルムを用いて上記加飾層を形成する工程は、上記保護フィルムが除去された上記転写フィルムの上記画像部の加飾層を基材上に転写する転写工程であることが好ましい。
この場合、さらに上記一部の領域の上記加飾層を除去した後の上記転写フィルムを用いて上記加飾層を形成する工程は、基材上に転写された仮支持体を剥離する工程を含むことが好ましい。
この場合、さらに上記一部の領域の上記加飾層を除去した後の上記転写フィルムを用いて上記加飾層を形成する工程は、熱可塑性樹脂層と中間層を除去する工程を含むことが好ましい。
The step of forming the decorative layer using the transfer film after removing the decorative layer in the partial area is also referred to as a transfer step of transferring the decorative layer of the image portion onto the substrate.
Furthermore, when the transfer film includes a protective film, an intermediate layer or a thermoplastic resin layer, the step of forming the decorative layer using the transfer film after removing the decorative layer in the partial area, It is preferable that it is a transfer process which transfers the decoration layer of the said image part of the said transfer film from which the said protective film was removed on a base material.
In this case, the step of forming the decorative layer using the transfer film after removing the decorative layer in the partial area further includes the step of peeling the temporary support transferred onto the substrate. It is preferable to include.
In this case, the step of forming the decorative layer using the transfer film after removing the decorative layer in the partial area further includes a step of removing the thermoplastic resin layer and the intermediate layer. preferable.
加飾層の形成方法は、転写フィルムの加飾層のうち転写する画像部を予めプレカットする工程と、非画像部の保護フィルム及び加飾層、並びに画像部の保護フィルムを除去する工程と、上記保護フィルムが除去された上記転写フィルムの上記画像部の加飾層を基材上に転写する転写工程と、基材上に転写された仮支持体を剥離する工程と、熱可塑性樹脂層と中間層を除去する工程とを有する方法がより好ましい。 The method for forming the decorative layer includes a step of pre-cutting the image portion to be transferred among the decorative layer of the transfer film, a step of removing the protective film and the decorative layer of the non-image portion, and the protective film of the image portion, A transfer step of transferring the decorative layer of the image portion of the transfer film from which the protective film has been removed onto a substrate, a step of peeling off the temporary support transferred onto the substrate, a thermoplastic resin layer, A method having a step of removing the intermediate layer is more preferable.
また、後の転写工程におけるラミネートによる加飾層の密着性を高めるために、予め基材(前面板)の一方の面に表面処理を施すことができる。上記表面処理としては、シラン化合物(シランカップリング剤)を用いた表面処理(シランカップリング処理)を実施することが好ましい。シランカップリング剤としては、感光性樹脂と相互作用する官能基を有するものが好ましい。例えばシランカップリング液(N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.3質量%水溶液、商品名:KBM603、信越化学(株)製)をシャワーにより20秒間吹き付け、純水シャワー洗浄する。この後、加熱により反応させる。加熱槽を用いてもよく、ラミネータの基板予備加熱でも反応を促進できる。 Moreover, in order to improve the adhesiveness of the decoration layer by the lamination in a subsequent transfer process, one surface of the base material (front plate) can be subjected to surface treatment in advance. As the surface treatment, it is preferable to carry out a surface treatment (silane coupling treatment) using a silane compound (silane coupling agent). As the silane coupling agent, those having a functional group that interacts with the photosensitive resin are preferable. For example, a silane coupling solution (N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane 0.3 mass% aqueous solution, trade name: KBM603, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is sprayed for 20 seconds by a shower, and pure water shower washing is performed. To do. Thereafter, the reaction is carried out by heating. A heating tank may be used, and the reaction can be promoted by preheating the substrate of the laminator.
ハーフカットによる転写方法では、まず、加飾層の画像部と非画像部の境界に剃刀等でプレカット後、非画像部の保護フィルム、加飾層及び中間層をテープで除去し、さらに画像部の保護フィルムを同様に除去して、基板に加飾層パターンを転写する。
一方、ダイカットによる転写方法では、まず、図11〜図13に示すように加飾層の画像部32と非画像部31の境界に剃刀等で全層を貫通するようにプレカット後、上記一部の領域の上記加飾層(非画像部31)を除去した後に残った画像部32の保護フィルムをテープで除去して、基板に加飾層パターンを転写する。
引き続き、現像により熱可塑性樹脂層と中間層を除去することで加飾層パターンを形成することが可能である。
必要に応じて、ブラシや高圧ジェットなどの公知の現像設備を組み合わせてもよい。現像の後、必要に応じて、ポスト露光、およびポストベークを行ってもよく、ポストベークを行うことが好ましい。
以下、プレカット方式を用いて上記加飾層を形成する場合において、好ましいプレカット工程、転写工程、露光工程、現像工程およびその他の工程の詳細を説明する。
In the transfer method by half-cutting, first, after pre-cutting with a razor or the like at the boundary between the image portion and the non-image portion of the decorative layer, the protective film, the decorative layer and the intermediate layer of the non-image portion are removed with a tape, and further the image portion Similarly, the protective film is removed, and the decorative layer pattern is transferred to the substrate.
On the other hand, in the transfer method by die cutting, first, as shown in FIGS. 11 to 13, after pre-cutting so as to penetrate all layers with a razor or the like at the boundary between the
Subsequently, the decorative layer pattern can be formed by removing the thermoplastic resin layer and the intermediate layer by development.
You may combine well-known image development facilities, such as a brush and a high pressure jet, as needed. After development, post-exposure and post-bake may be performed as necessary, and post-bake is preferably performed.
Hereinafter, when forming the said decoration layer using a precut system, the detail of a preferable precut process, a transfer process, an exposure process, a development process, and another process is demonstrated.
−プレカット工程−
(i)ハーフカット工程
まず、プレカット工程のうち、上記加飾層を形成する方法におけるハーフカット工程、すなわち上記転写フィルムの一部に、上記加飾層を貫通し、かつ上記仮支持体を貫通しない深さの切り込みを入れる工程について、以下説明する。
上記切り込みを入れる方法としては特に制限は無く、刃、レーザーなど任意の方法で切り込みを入れることができ、刃で切り込みを入れることが好ましい。また、刃の構造は特に限定されることはない。
上記転写フィルムが、例えば、仮支持体、熱可塑性樹脂層、中間層、加飾層、保護フィルムの順に積層されて構成されるとき、例えば、刃もしくはレーザーを用いて、保護フィルムの上から、保護フィルム、加飾層、中間層を貫き、熱可塑性樹脂層の一部にまで至る切り込みを入れることで、転写する画像部と転写しない非画像部の間を分離することができる。
-Pre-cut process-
(I) Half-cut process First, in the pre-cut process, the half-cut process in the method of forming the decorative layer, that is, part of the transfer film penetrates the decorative layer and penetrates the temporary support. The process of making a notch depth cut will be described below.
There is no restriction | limiting in particular as the method of making the said incision, Incision can be made by arbitrary methods, such as a blade and a laser, and it is preferable to make an incision with a blade. Further, the structure of the blade is not particularly limited.
When the transfer film is composed of, for example, a temporary support, a thermoplastic resin layer, an intermediate layer, a decorative layer, and a protective film, in that order, for example, using a blade or a laser, from above the protective film, By cutting through the protective film, the decorative layer, and the intermediate layer and reaching a part of the thermoplastic resin layer, it is possible to separate the image portion to be transferred and the non-image portion not to be transferred.
ハーフカットによりプレカットした加飾層の画像部を選択的に基板に転写するには非画像部を転写させない工夫が必要となる。一つの方法は転写前に非画像部の加飾層を除去する方法であり、保護フィルム除去した後、非画像部の加飾層と中間層を同時に剥離する方法である。もう一つは非画像部上の保護フィルムを剥がし、引き続いて加飾層と中間層を同時に剥離し、さらに画像部上の保護フィルムを剥がす方法である。加飾層の画像部を転写直前まで保護する観点から、後者の方が好ましい。 In order to selectively transfer the image portion of the decorative layer precut by the half cut to the substrate, it is necessary to devise a method for not transferring the non-image portion. One method is a method of removing the decorative layer in the non-image area before transfer, and after removing the protective film, the decorative layer and the intermediate layer in the non-image area are simultaneously peeled off. The other is a method of peeling off the protective film on the non-image area, subsequently peeling off the decorative layer and the intermediate layer at the same time, and further peeling off the protective film on the image area. From the viewpoint of protecting the image portion of the decorative layer until just before transfer, the latter is preferred.
(ii)ダイカット工程
次に、プレカット工程のうち、上記加飾層を形成する方法におけるダイカット工程、すなわち上記転写フィルムの一部に、上記加飾層から上記仮支持体を貫通する切り込みを入れる工程について、以下説明する。
上記切り込みを入れる方法としてはハーフカット同様、特に制限は無く、刃、レーザーなど任意の方法で切り込みを入れることができ、刃で切り込みを入れることが好ましい。また、刃の構造は特に限定されることはない。
上記転写フィルムが、例えば、仮支持体、熱可塑性樹脂層、中間層、加飾層、保護フィルムの順に積層されて構成されるとき、例えば、刃もしくはレーザーを用いて、保護フィルムの上から、保護フィルム、加飾層、中間層、熱可塑性樹脂層、上記仮支持体を貫く切り込みを入れることで、転写する画像部と転写させない非画像部の間を分離することができる。
(Ii) Die-cutting step Next, in the pre-cutting step, the die-cutting step in the method for forming the decorative layer, that is, the step of making a cut through the temporary support from the decorative layer into a part of the transfer film. Will be described below.
There is no restriction | limiting in particular as the method of making the said incision like a half cut, It can cut with arbitrary methods, such as a blade and a laser, It is preferable to make incision with a blade. Further, the structure of the blade is not particularly limited.
When the transfer film is composed of, for example, a temporary support, a thermoplastic resin layer, an intermediate layer, a decorative layer, and a protective film, in that order, for example, using a blade or a laser, from above the protective film, By making a cut through the protective film, the decorative layer, the intermediate layer, the thermoplastic resin layer, and the temporary support, it is possible to separate between the image portion to be transferred and the non-image portion not to be transferred.
−転写工程−
上記転写工程は、プレカット工程後の上記転写フィルムの上記加飾層を基材上に転写する工程である。
この際、上記転写フィルムの加飾層を基材にラミネート後、仮支持体を除去することによって行う方法が好ましい。
加飾層の基材表面への転写(貼り合わせ)は、加飾層を基材表面に重ね、加圧、加熱することに行われる。貼り合わせには、ラミネータ、真空ラミネータ、および、より生産性を高めることができるオートカットラミネーター等の公知のラミネータを使用することができる。
-Transfer process-
The said transfer process is a process of transferring the said decoration layer of the said transfer film after a precut process on a base material.
At this time, a method of removing the temporary support after laminating the decorative layer of the transfer film on the substrate is preferable.
Transfer (bonding) of the decorative layer to the substrate surface is performed by stacking the decorative layer on the substrate surface, pressurizing and heating. For laminating, known laminators such as a laminator, a vacuum laminator, and an auto-cut laminator that can further increase productivity can be used.
−露光工程、現像工程−
加飾層が光硬化性樹脂を含む場合はプレカット工程後に露光工程を行ってもよく、プレカット工程後の露光工程の好ましい態様はフォトグラフィー方式での露光工程の好ましい態様と同様である。加飾層が光硬化性樹脂を含まない場合はプレカット工程後に露光工程を行わなくてもよい。
-Exposure process, development process-
When a decoration layer contains a photocurable resin, you may perform an exposure process after a precut process, and the preferable aspect of the exposure process after a precut process is the same as the preferable aspect of the exposure process in a photography system. When the decorative layer does not contain a photocurable resin, the exposure process may not be performed after the precut process.
プレカット工程後のパターニング後の現像工程の好ましい態様は、フォトグラフィー方式での現像工程の好ましい態様と同様であり、フォトグラフィー方式で上記露光された光硬化性樹脂層を現像する工程において用いられる現像液を、プレカット工程後のパターニング後の現像工程でも同様に用いることができる。また、上記アルカリ現像液には、更に公知の界面活性剤を添加することができる。界面活性剤の濃度は0.01質量%〜10質量%が好ましい。
上記熱可塑性樹脂層と中間層を除去する工程の方式としては、上記露光された光硬化性樹脂層の現像に用いられる、パドル、シャワー、シャワー&スピン、ディップ等の方式のいずれでもよい。上記熱可塑性樹脂層と中間層を除去する工程の例としては、特開2006−23696号公報の段落0035〜0051に記載の方法を本発明においても好適に用いることができる。
The preferred embodiment of the development step after patterning after the precut step is the same as the preferred embodiment of the development step in the photographic system, and the development used in the step of developing the exposed photocurable resin layer in the photographic method. The liquid can also be used in the development step after patterning after the precut step. Further, a known surfactant can be further added to the alkali developer. The concentration of the surfactant is preferably 0.01% by mass to 10% by mass.
The method of removing the thermoplastic resin layer and the intermediate layer may be any of paddle, shower, shower & spin, dip, and the like used for developing the exposed photocurable resin layer. As an example of the step of removing the thermoplastic resin layer and the intermediate layer, the method described in paragraphs 0035 to 0051 of JP-A-2006-23696 can be suitably used in the present invention.
(2)ポストベーク
加飾層の形成方法は、上記転写工程後にポストベーク工程を含むことが好ましく、上記熱可塑性樹脂層と中間層を除去する工程の後にポストベークを行う工程を含むことがより好ましい。
加飾層の形成方法は、上記転写工程後の上記加飾層を0.08〜1.2atmの環境下、180〜300℃で、加熱して形成することが白色度と生産性の両立の観点から好ましい。
上記ポストベークの加熱は0.5atm以上の環境下で行うことがより好ましい。一方、1.1atm以下の環境下で行うことがより好ましく、1.0atm以下の環境下で行うことが特に好ましい。さらに、約1atm(大気圧)環境下で行うことが特別な減圧装置を用いることなく製造コストを低減できる観点からより特に好ましい。ここで、従来は上記加飾層を加熱により硬化して形成する場合、非常に低い圧力の減圧環境下で行い、酸素濃度を低くすることでベーク後の白色度を維持していたが、上記シリコーンレジンを含む加飾層用塗布液を用いて形成した転写フィルムを用いることにより、上記圧力の範囲でベークした後も加飾層の白色度を高めることができる。
上記ポストベークの温度は、200〜280℃であることがより好ましく、220〜260℃であることが特に好ましい。
上記ポストベークの時間は、20〜150分であることがより好ましく、30〜100分であることが特に好ましい。
上記ポストベークは、空気環境下で行っても、窒素置換環境下で行ってもよいが、空気環境下で行うことが、特別な減圧装置を用いることなく製造コストを低減できる観点から特に好ましい。
(2) Post-bake The decorative layer forming method preferably includes a post-bake step after the transfer step, and more preferably includes a step of post-bake after the step of removing the thermoplastic resin layer and the intermediate layer. preferable.
The decorative layer is formed by heating the decorative layer after the transfer step at 180 to 300 ° C. in an environment of 0.08 to 1.2 atm. It is preferable from the viewpoint.
The post-baking is more preferably performed in an environment of 0.5 atm or more. On the other hand, it is more preferable to carry out in an environment of 1.1 atm or less, and it is particularly preferred to carry out in an environment of 1.0 atm or less. Furthermore, it is more preferable to carry out in an environment of about 1 atm (atmospheric pressure) from the viewpoint of reducing the manufacturing cost without using a special decompression device. Here, conventionally, when the decorative layer is formed by curing by heating, it is performed in a reduced pressure environment of a very low pressure, and the whiteness after baking is maintained by lowering the oxygen concentration. By using a transfer film formed using a coating liquid for a decoration layer containing a silicone resin, the whiteness of the decoration layer can be increased even after baking in the above pressure range.
The post-baking temperature is more preferably 200 to 280 ° C, and particularly preferably 220 to 260 ° C.
The post-baking time is more preferably 20 to 150 minutes, and particularly preferably 30 to 100 minutes.
The post-baking may be performed in an air environment or a nitrogen substitution environment, but it is particularly preferable to perform the post-bake from the viewpoint of reducing the manufacturing cost without using a special decompression device.
(3)その他の工程
加飾層の形成方法は、ポスト露光工程等、その他の工程を有していてもよい。
上記加飾層が光硬化性樹脂層を有する場合に上記加飾層を形成するときは、ポスト露光工程を含むことが好ましい。上記ポスト露光工程は上記加飾層の上記基材と接している側の表面方向のみから行っても、上記透明基材と接していない側の表面方向のみから行っても、両面方向から行ってもよい。
(3) Other process The formation method of a decoration layer may have other processes, such as a post-exposure process.
When the said decoration layer has a photocurable resin layer, when forming the said decoration layer, it is preferable that a post-exposure process is included. The post-exposure step may be performed only from the surface direction of the decorative layer on the side in contact with the base material, or from only the surface direction on the side not in contact with the transparent base material, or from both sides. Also good.
なお、その他の工程の例としては、特開2006−23696号公報の段落0035〜0051に記載の方法を本発明においても好適に用いることができる。 As examples of other steps, the method described in paragraphs 0035 to 0051 of JP-A-2006-23696 can be suitably used in the present invention.
<透明樹脂膜>
本発明の導電膜積層体および静電容量型入力装置は、少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を本発明の透明樹脂膜によって埋められてなる。
<Transparent resin film>
The conductive film laminate and the capacitive input device of the present invention are formed by filling at least a step between the electrode pattern and the front plate with the transparent resin film of the present invention.
少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を本発明の透明樹脂膜によって埋める方法としては特に制限はないが、本発明の転写フィルムを前述の加飾層の形成方法に記載したハーフカットによる転写方法やダイカットによる転写方法を用いて、本発明の透明樹脂膜を上記加飾層の内径と同等程度の大きさに調製し、上記前面板に本発明の透明樹脂膜を転写することが好ましい。
上記前面板に本発明の透明樹脂膜を転写する方法の好ましい態様は、上記加飾層を、上記転写フィルムを用いて形成する方法の好ましい態様と同様である。
一方、本発明の透明樹脂膜用の液体レジスト溶液を、少なくとも電極パターンと前面板との間の段差部分に塗布または印刷し、公知の方法で硬化することにより、少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を本発明の透明樹脂膜によって埋めてもよい。
The method for filling at least the step between the electrode pattern and the front plate with the transparent resin film of the present invention is not particularly limited, but the transfer film of the present invention is transferred by half-cutting described in the method for forming the decorative layer. It is preferable that the transparent resin film of the present invention is prepared to have a size equivalent to the inner diameter of the decorative layer by using a method or a transfer method by die cutting, and the transparent resin film of the present invention is transferred to the front plate.
A preferred embodiment of the method for transferring the transparent resin film of the present invention to the front plate is the same as the preferred embodiment of the method for forming the decorative layer using the transfer film.
On the other hand, the liquid resist solution for the transparent resin film of the present invention is applied or printed at least on the step portion between the electrode pattern and the front plate, and cured by a known method, thereby at least the electrode pattern and the front plate. The step between them may be filled with the transparent resin film of the present invention.
本発明の導電膜積層体および静電容量型入力装置は、上記透明樹脂膜が、0.08〜1.2atmの環境下で180〜300℃に加熱されてなることが透明性と生産性の両立の観点から好ましい。加熱の好ましい態様は、上記加飾層の形成方法におけるポストベークの好ましい態様と同様である。 In the conductive film laminate and the capacitive input device according to the present invention, the transparent resin film is heated to 180 to 300 ° C. in an environment of 0.08 to 1.2 atm. It is preferable from the viewpoint of compatibility. The preferable aspect of a heating is the same as the preferable aspect of the post-baking in the formation method of the said decoration layer.
<(1)複数のパッド部分が接続部分を介して第一の方向に延在して形成された複数の第一の透明電極パターン>
静電容量型入力装置の製造方法は、上記第一の透明電極パターン、上記第二の透明電極パターンおよび上記導電性要素の少なくとも一つを、仮支持体と光硬化性樹脂層とをこの順で有する転写フィルムによって形成されたエッチングパターンを用いて透明導電材料をエッチング処理することによって形成することが好ましく、仮支持体と熱可塑性樹脂層と硬化性樹脂層とをこの順で有する転写フィルムによって形成されたエッチングパターンを用いて透明導電材料をエッチング処理することによって形成することがより好ましい。
さらに、上記第一の透明電極パターン、上記第二の透明電極パターンおよび上記導電性要素の少なくとも一つを、仮支持体と光硬化性樹脂層とを有する、光硬化性樹脂層を有する転写フィルムによって形成されたエッチングパターンを用いることがより好ましく、仮支持体と熱可塑性樹脂層と光硬化性樹脂層とをこの順で有する、光硬化性樹脂層を有する転写フィルムによって形成されたエッチングパターンを用いることが特に好ましい。
一方、静電容量型入力装置の製造方法は、上記第一の透明電極パターン、上記第二の透明電極パターンおよび上記導電性要素の少なくとも一つを、仮支持体と導電性硬化性樹脂層とをこの順で有する転写フィルムを用いて形成することが好ましく、仮支持体と熱可塑性樹脂層と導電性硬化性樹脂層とをこの順で有する転写フィルムを用いて形成することがより好ましい。
上記第一の透明電極パターン、上記第二の透明電極パターンおよび上記導電性要素の少なくとも一つを、仮支持体と導電性硬化性樹脂層とをこの順で有する転写フィルムを用いて形成するとは、具体的には、上記第一の透明電極パターン、上記第二の透明電極パターンおよび上記導電性要素の少なくとも一つを、仮支持体と導電性硬化性樹脂層とをこの順で有する転写フィルムのこの導電性硬化性樹脂層を転写して形成することを言う。
すなわち、上記第一の透明電極パターン3は、エッチング処理または導電性硬化性樹脂層を有する転写フィルムを用いて形成することが好ましい。
<(1) A plurality of first transparent electrode patterns formed by extending a plurality of pad portions in a first direction via connection portions>
In the method of manufacturing the capacitance-type input device, at least one of the first transparent electrode pattern, the second transparent electrode pattern, and the conductive element, the temporary support and the photocurable resin layer are arranged in this order. It is preferable that the transparent conductive material is formed by etching using the etching pattern formed by the transfer film having, and the transfer film having a temporary support, a thermoplastic resin layer, and a curable resin layer in this order. More preferably, the transparent conductive material is etched by using the formed etching pattern.
Furthermore, at least one of the first transparent electrode pattern, the second transparent electrode pattern, and the conductive element includes a temporary support and a photocurable resin layer, and a transfer film having a photocurable resin layer It is more preferable to use an etching pattern formed by a transfer film having a photocurable resin layer having a temporary support, a thermoplastic resin layer, and a photocurable resin layer in this order. It is particularly preferable to use it.
On the other hand, the method for manufacturing a capacitance-type input device includes at least one of the first transparent electrode pattern, the second transparent electrode pattern, and the conductive element, a temporary support, a conductive curable resin layer, Are preferably formed using a transfer film having a temporary support, a thermoplastic resin layer, and a conductive curable resin layer in this order.
Forming at least one of the first transparent electrode pattern, the second transparent electrode pattern, and the conductive element using a transfer film having a temporary support and a conductive curable resin layer in this order. Specifically, a transfer film having at least one of the first transparent electrode pattern, the second transparent electrode pattern, and the conductive element, and a temporary support and a conductive curable resin layer in this order. The conductive curable resin layer is transferred and formed.
That is, the first
(エッチング処理)
エッチング処理によって、上記第一の透明電極パターン3を形成する場合、まず加飾層2または透明保護層7等が形成された前面板1の一方の面上にITO等の透明電極層をスパッタリングによって形成する。次いで、上記透明電極層上に上記光硬化性樹脂層としてエッチング用光硬化性樹脂層を有する以外は上記加飾層2の形成に用いる転写フィルムと同様の転写フィルムを用いて露光・現像によってエッチングパターンを形成する。その後、透明電極層をエッチングして透明電極をパターニングし、エッチングパターンを除去することで、第一の透明電極パターン3等を形成することができる。
上記光硬化性樹脂層を有する転写フィルムをエッチングレジスト(エッチングパターン)として用いる場合にも、上記方法と同様にして、レジストパターンを得ることができる。上記エッチングは、特開2010−152155公報の段落0048〜0054等に記載の公知の方法でエッチング、レジスト剥離を適用することができる。
(Etching process)
When the first
Even when the transfer film having the photocurable resin layer is used as an etching resist (etching pattern), a resist pattern can be obtained in the same manner as in the above method. For the etching, etching and resist stripping can be applied by a known method described in paragraphs 0048 to 0054 of JP 2010-152155 A.
例えば、エッチングの方法としては、一般的に行われている、エッチング液に浸漬するウェットエッチング法が挙げられる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、エッチングの対象に合わせて酸性タイプまたはアルカリ性タイプのエッチング液を適宜選択すればよい。酸性タイプのエッチング液としては、塩酸、硫酸、フッ酸、リン酸等の酸性成分単独の水溶液、酸性成分と塩化第2鉄、フッ化アンモニウム、過マンガン酸カリウム等の塩の混合水溶液等が例示される。酸性成分は、複数の酸性成分を組み合わせたものを使用してもよい。また、アルカリ性タイプのエッチング液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、有機アミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドのような有機アミンの塩等のアルカリ成分単独の水溶液、アルカリ成分と過マンガン酸カリウム等の塩の混合水溶液等が例示される。アルカリ成分は、複数のアルカリ成分を組み合わせたものを使用してもよい。 For example, as an etching method, a commonly performed wet etching method in which the substrate is immersed in an etching solution can be used. As an etchant used for wet etching, an acid type or alkaline type etchant may be appropriately selected in accordance with an object to be etched. Examples of acidic etching solutions include aqueous solutions of acidic components such as hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, and phosphoric acid, and mixed aqueous solutions of acidic components and salts of ferric chloride, ammonium fluoride, potassium permanganate, and the like. Is done. As the acidic component, a combination of a plurality of acidic components may be used. In addition, alkaline type etching solutions include sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia, organic amines, aqueous solutions of alkali components such as organic amine salts such as tetramethylammonium hydroxide, alkaline components and potassium permanganate. A mixed aqueous solution of a salt such as A combination of a plurality of alkali components may be used as the alkali component.
エッチング液の温度は特に限定されないが、45℃以下であることが好ましい。本発明でエッチングマスク(エッチングパターン)として使用される樹脂パターンは、上述した加飾層を使用して形成されることにより、このような温度域における酸性およびアルカリ性のエッチング液に対して特に優れた耐性を発揮する。したがって、エッチング工程中に樹脂パターンが剥離することが防止され、樹脂パターンの存在しない部分が選択的にエッチングされることになる。
上記エッチング後、ライン汚染を防ぐために必要に応じて、洗浄工程・乾燥工程を行ってもよい。洗浄工程については、例えば常温で純水により10〜300秒間基材を洗浄して行い、乾燥工程については、エアブローを使用して、エアブロー圧(0.1〜5kg/cm2程度)を適宜調整し行えばよい。
The temperature of the etching solution is not particularly limited, but is preferably 45 ° C. or lower. The resin pattern used as an etching mask (etching pattern) in the present invention is particularly excellent with respect to acidic and alkaline etching solutions in such a temperature range by being formed using the decorative layer described above. Demonstrate resistance. Therefore, the resin pattern is prevented from peeling off during the etching process, and the portion where the resin pattern does not exist is selectively etched.
After the etching, a cleaning process and a drying process may be performed as necessary to prevent line contamination. For the cleaning process, for example, the base material is cleaned with pure water for 10 to 300 seconds at room temperature, and for the drying process, the air blow pressure (about 0.1 to 5 kg / cm 2 ) is appropriately adjusted using an air blow. Just do it.
次いで、樹脂パターンの剥離方法としては、特に限定されないが、例えば、30〜80℃、好ましくは50〜80℃にて攪拌中の剥離液に基材を5〜30分間浸漬する方法が挙げられる。本発明でエッチングマスクとして使用される樹脂パターンは、上述のように45℃以下において優れた薬液耐性を示すものであるが、薬液温度が50℃以上になるとアルカリ性の剥離液により膨潤する性質を示す。このような性質により、50〜80℃の剥離液を使用して剥離工程を行うと工程時間が短縮され、樹脂パターンの剥離残渣が少なくなるという利点がある。すなわち、上記エッチング工程と剥離工程との間で薬液温度に差を設けることにより、本発明でエッチングマスクとして使用される樹脂パターンは、エッチング工程において良好な薬液耐性を発揮する一方で、剥離工程において良好な剥離性を示すことになり、薬液耐性と剥離性という、相反する特性を両方とも満足することができる。 Next, the peeling method of the resin pattern is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the substrate in a peeling solution being stirred at 30 to 80 ° C., preferably 50 to 80 ° C. for 5 to 30 minutes. The resin pattern used as an etching mask in the present invention exhibits excellent chemical resistance at 45 ° C. or lower as described above, but exhibits a property of swelling by an alkaline stripping solution when the chemical temperature is 50 ° C. or higher. . Due to such properties, when the peeling step is performed using a peeling solution of 50 to 80 ° C., there is an advantage that the process time is shortened and the peeling residue of the resin pattern is reduced. That is, by providing a difference in the chemical temperature between the etching process and the peeling process, the resin pattern used as an etching mask in the present invention exhibits good chemical resistance in the etching process, while in the peeling process. Good peelability will be exhibited, and both conflicting properties of chemical resistance and peelability can be satisfied.
剥離液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ成分や、第3級アミン、第4級アンモニウム塩等の有機アルカリ成分を、水、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、またはこれらの混合溶液に溶解させた剥離液が挙げられる。上記の剥離液を使用し、スプレー法、シャワー法、パドル法等により剥離してもよい。 Examples of the stripping solution include inorganic alkali components such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, organic alkali components such as tertiary amine and quaternary ammonium salt, water, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, or these. A stripping solution dissolved in a mixed solution of You may peel by the spray method, the shower method, the paddle method etc. using said peeling liquid.
(導電性硬化性樹脂層を有する転写フィルムを用いる方法)
また、仮支持体および硬化性樹脂層を有する転写フィルムをリフトオフ材として用いて、第一の透明電極パターン、第二の透明電極パターンおよびその他の導電性部材を形成することもでき、上記転写フィルムとしては、上記光硬化性樹脂層を有する転写フィルムを挙げることができる。この場合も、上記仮支持体および硬化性樹脂層を有する転写フィルムは、上記仮支持体および上記硬化性樹脂層の間に、上記熱可塑性樹脂層を有することが好ましい。この場合、光硬化性樹脂層を有する転写フィルムを用いてパターニングした後に、基材全面に透明導電層を形成した後、堆積した透明導電層ごと加飾層または光硬化性樹脂層を有する転写フィルムにおけるこの光硬化性樹脂層の溶解除去を行うことにより所望の透明導電層パターンを得ることができる(リフトオフ法)。
(Method using transfer film having conductive curable resin layer)
In addition, the transfer film having a temporary support and a curable resin layer can be used as a lift-off material to form the first transparent electrode pattern, the second transparent electrode pattern, and other conductive members. Examples of the transfer film include a transfer film having the photocurable resin layer. Also in this case, the transfer film having the temporary support and the curable resin layer preferably has the thermoplastic resin layer between the temporary support and the curable resin layer. In this case, after patterning using a transfer film having a photocurable resin layer, after forming a transparent conductive layer on the entire surface of the substrate, the transfer film having a decorative layer or a photocurable resin layer together with the deposited transparent conductive layer A desired transparent conductive layer pattern can be obtained by dissolving and removing the photocurable resin layer in (lift-off method).
導電性硬化性樹脂層を有する転写フィルムを用いて、上記第一の透明電極パターン3を形成する場合、上記前面板1の表面に上記導電性硬化性樹脂層を転写することで形成することができる。
When the first
上記第一の透明電極パターン3を、上記導電性硬化性樹脂層を有する転写フィルムを用いて形成すると、開口部を有する前面板(基板)でも開口部分からレジスト成分のモレがなく、前面板裏側を汚染することなく、簡略な工程で、薄層化および軽量化のメリットがあるタッチパネルを製造することができる。
さらに、第一の透明電極パターン3の形成に、導電性硬化性樹脂層と仮支持体との間に熱可塑性樹脂層を有する特定の層構成を有する転写フィルムを用いることで転写フィルムラミネート時の気泡発生を防止し、導電性に優れ、抵抗の少ない第一の透明電極パターン3を形成することができる。
When the first
Furthermore, in forming the first
また、上記転写フィルムが導電性硬化性樹脂層を有する場合は、上記導電性硬化性樹脂層に導電性繊維等が含有される。 Moreover, when the said transfer film has a conductive curable resin layer, a conductive fiber etc. contain in the said conductive curable resin layer.
〜導電性硬化性樹脂層(導電性繊維)〜
上記導電性硬化性樹脂層を積層した転写フィルムを透明電極パターン、あるいは別の導電性要素の形成に用いる場合には、以下の導電性繊維などを導電性硬化性樹脂層に用いることができる。
-Conductive curable resin layer (conductive fiber)-
When the transfer film on which the conductive curable resin layer is laminated is used for forming a transparent electrode pattern or another conductive element, the following conductive fibers can be used for the conductive curable resin layer.
導電性繊維の構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、中実構造および中空構造のいずれかが好ましい。
ここで、中実構造の繊維を「ワイヤー」と称することがあり、中空構造の繊維を「チューブ」と称することがある。また、平均短軸長さが1nm〜1,000nmであって、平均長軸長さが1μm〜100μmの導電性繊維を「ナノワイヤー」と称することがある。
また、平均短軸長さが1nm〜1,000nm、平均長軸長さが0.1μm〜1,000μmであって、中空構造を持つ導電性繊維を「ナノチューブ」と称することがある。
上記導電性繊維の材料としては、導電性を有していれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、金属およびカーボンの少なくともいずれかが好ましく、これらの中でも、上記導電性繊維は、金属ナノワイヤー、金属ナノチューブ、およびカーボンナノチューブの少なくともいずれかが特に好ましい。
There is no restriction | limiting in particular as a structure of an electroconductive fiber, Although it can select suitably according to the objective, Either a solid structure or a hollow structure is preferable.
Here, the fiber having a solid structure may be referred to as “wire”, and the fiber having a hollow structure may be referred to as “tube”. In addition, a conductive fiber having an average minor axis length of 1 nm to 1,000 nm and an average major axis length of 1 μm to 100 μm may be referred to as “nanowire”.
In addition, conductive fibers having an average minor axis length of 1 nm to 1,000 nm, an average major axis length of 0.1 μm to 1,000 μm, and having a hollow structure may be referred to as “nanotubes”.
The material of the conductive fiber is not particularly limited as long as it has conductivity, and can be appropriately selected according to the purpose. However, at least one of metal and carbon is preferable. The conductive fiber is particularly preferably at least one of metal nanowires, metal nanotubes, and carbon nanotubes.
−金属ナノワイヤー−
−−金属−−
上記金属ナノワイヤーの材料としては、特に制限はなく、例えば、長周期律表(IUPAC1991)の第4周期、第5周期、および第6周期からなる群から選ばれる少なくとも1種の金属が好ましく、第2族〜第14族から選ばれる少なくとも1種の金属がより好ましく、第2族、第8族、第9族、第10族、第11族、第12族、第13族、および第14族から選ばれる少なくとも1種の金属が更に好ましく、主成分として含むことが特に好ましい。
-Metal nanowires-
--Metal--
The material of the metal nanowire is not particularly limited. For example, at least one metal selected from the group consisting of the fourth period, the fifth period, and the sixth period of the long periodic table (IUPAC 1991) is preferable. More preferably, at least one metal selected from
上記金属としては、例えば、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛、これらの合金などが挙げられる。これらの中でも、導電性に優れる点で、銀を主に含有するもの、または銀と銀以外の金属との合金を含有するものが好ましい。
上記銀を主に含有するとは、金属ナノワイヤー中に銀を50質量%以上、好ましくは90質量%以上含有することを意味する。
上記銀との合金で使用する金属としては、白金、オスミウム、パラジウムおよびイリジウムなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the metal include copper, silver, gold, platinum, palladium, nickel, tin, cobalt, rhodium, iridium, iron, ruthenium, osmium, manganese, molybdenum, tungsten, niobium, tantel, titanium, bismuth, antimony, and lead. And alloys thereof. Among these, in view of excellent conductivity, those mainly containing silver or those containing an alloy of silver and a metal other than silver are preferable.
Containing mainly silver means that the metal nanowire contains 50% by mass or more, preferably 90% by mass or more.
Examples of the metal used in the alloy with silver include platinum, osmium, palladium and iridium. These may be used alone or in combination of two or more.
−−形状−−
上記金属ナノワイヤーの形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、円柱状、直方体状、断面が多角形となる柱状など任意の形状をとることができるが、高い透明性が必要とされる用途では、円柱状、断面の多角形の角が丸まっている断面形状が好ましい。
上記金属ナノワイヤーの断面形状は、基材上に金属ナノワイヤー水分散液を塗布し、断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察することにより調べることができる。
上記金属ナノワイヤーの断面の角とは、断面の各辺を延長し、隣り合う辺から降ろされた垂線と交わる点の周辺部を意味する。また、「断面の各辺」とはこれらの隣り合う角と角を結んだ直線とする。この場合、上記「断面の各辺」の合計長さに対する上記「断面の外周長さ」との割合を鋭利度とした。鋭利度は、例えば図9に示したような金属ナノワイヤー断面では、実線で示した断面の外周長さと点線で示した五角形の外周長さとの割合で表すことができる。この鋭利度が75%以下の断面形状を角の丸い断面形状と定義する。上記鋭利度は60%以下が好ましく、50%以下がより好ましい。上記鋭利度が75%を超えると、この角に電子が局在し、プラズモン吸収が増加するためか、黄色みが残るなどして透明性が悪化してしまうことがある。また、パターンのエッジ部の直線性が低下し、ガタツキが生じてしまうことがある。上記鋭利度の下限は、30%が好ましく、40%がより好ましい。
--- Shape--
The shape of the metal nanowire is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. In applications where high transparency is required, a cylindrical shape and a cross-sectional shape with rounded polygonal corners are preferred.
The cross-sectional shape of the metal nanowire can be examined by applying a metal nanowire aqueous dispersion on a substrate and observing the cross-section with a transmission electron microscope (TEM).
The corner of the cross section of the metal nanowire means a peripheral portion of a point that extends each side of the cross section and intersects with a perpendicular drawn from an adjacent side. Further, “each side of the cross section” is a straight line connecting these adjacent corners. In this case, the ratio of the “outer peripheral length of the cross section” to the total length of the “each side of the cross section” was defined as the sharpness. For example, in the metal nanowire cross section as shown in FIG. 9, the sharpness can be represented by the ratio of the outer peripheral length of the cross section indicated by the solid line and the outer peripheral length of the pentagon indicated by the dotted line. A cross-sectional shape having a sharpness of 75% or less is defined as a cross-sectional shape having rounded corners. The sharpness is preferably 60% or less, and more preferably 50% or less. If the sharpness exceeds 75%, the electrons may be localized at this corner and plasmon absorption may increase, or the transparency may be deteriorated due to the yellowness remaining. Moreover, the linearity of the edge part of a pattern may fall and a shakiness may arise. The lower limit of the sharpness is preferably 30%, more preferably 40%.
−−平均短軸長さおよび平均長軸長さ−−
上記金属ナノワイヤーの平均短軸長さ(「平均短軸径」、「平均直径」と称することがある)としては、150nm以下が好ましく、1nm〜40nmがより好ましく、10nm〜40nmが更に好ましく、15nm〜35nmが特に好ましい。
上記平均短軸長さが、1nm未満であると、耐酸化性が悪化し、耐久性が悪くなることがあり、150nmを超えると、金属ナノワイヤー起因の散乱が生じ、十分な透明性を得ることができないことがある。
上記金属ナノワイヤーの平均短軸長さは、透過型電子顕微鏡(TEM;日本電子(株)製、JEM−2000FX)を用い、300個の金属ナノワイヤーを観察し、その平均値から金属ナノワイヤーの平均短軸長さを求めた。なお、上記金属ナノワイヤーの短軸が円形でない場合の短軸長さは、最も長いものを短軸長さとした。
--- Average minor axis length and average major axis length--
The average minor axis length of the metal nanowire (sometimes referred to as “average minor axis diameter” or “average diameter”) is preferably 150 nm or less, more preferably 1 nm to 40 nm, still more preferably 10 nm to 40 nm, 15 nm to 35 nm is particularly preferable.
When the average minor axis length is less than 1 nm, the oxidation resistance may be deteriorated and the durability may be deteriorated. When the average minor axis length is more than 150 nm, scattering due to metal nanowires occurs and sufficient transparency is obtained. There are times when you can't.
The average minor axis length of the metal nanowires was observed using 300 transmission metal microscopes (TEM; manufactured by JEOL Ltd., JEM-2000FX). The average minor axis length of was determined. In addition, the short axis length in case the short axis of the said metal nanowire is not circular made the longest short axis length.
上記金属ナノワイヤーの平均長軸長さ(「平均長さ」と称することがある)としては、1μm〜40μmが好ましく、3μm〜35μmがより好ましく、5μm〜30μmが更に好ましい。
上記平均長軸長さが、1μm未満であると、密なネットワークを形成することが難しく、十分な導電性を得ることができないことがあり、40μmを超えると、金属ナノワイヤーが長すぎて製造時に絡まり、製造過程で凝集物が生じてしまうことがある。
上記金属ナノワイヤーの平均長軸長さは、例えば透過型電子顕微鏡(TEM;日本電子(株)製、JEM−2000FX)を用い、300個の金属ナノワイヤーを観察し、その平均値から金属ナノワイヤーの平均長軸長さを求めた。なお、上記金属ナノワイヤーが曲がっている場合、それを弧とする円を考慮し、その半径、および曲率から算出される値を長軸長さとした。
The average major axis length (sometimes referred to as “average length”) of the metal nanowire is preferably 1 μm to 40 μm, more preferably 3 μm to 35 μm, and even more preferably 5 μm to 30 μm.
If the average major axis length is less than 1 μm, it may be difficult to form a dense network and sufficient conductivity may not be obtained. If it exceeds 40 μm, the metal nanowires are too long and manufactured. Sometimes entangled and agglomerates may occur during the manufacturing process.
The average major axis length of the metal nanowires is such that, for example, a transmission electron microscope (TEM; manufactured by JEOL Ltd., JEM-2000FX) is used to observe 300 metal nanowires. The average major axis length of the wire was determined. In addition, when the said metal nanowire was bent, the circle | round | yen which makes it an arc was considered and the value calculated from the radius and curvature was made into the major axis length.
導電性硬化性樹脂層の層厚は、塗布液の安定性や塗布時の乾燥やパターニング時の現像時間などのプロセス適性の観点から、0.1〜20μmが好ましく、0.5〜18μmが更に好ましく、1〜15μmが特に好ましい。上記導電性硬化性樹脂層の全固形分に対する上記導電性繊維の含有量は、導電性と塗布液の安定性の観点から、0.01〜50質量%が好ましく、0.05〜30質量%が更に好ましく、0.1〜20質量%が特に好ましい。 The thickness of the conductive curable resin layer is preferably from 0.1 to 20 μm, more preferably from 0.5 to 18 μm, from the viewpoint of process suitability such as the stability of the coating solution and the drying time during coating and the development time during patterning. Preferably, 1-15 micrometers is especially preferable. The content of the conductive fiber relative to the total solid content of the conductive curable resin layer is preferably 0.01 to 50% by mass, and 0.05 to 30% by mass from the viewpoints of conductivity and stability of the coating solution. Is more preferable, and 0.1 to 20% by mass is particularly preferable.
<(2)第一の透明電極パターンと電気的に絶縁され、第一の方向に交差する方向に延在して形成された複数のパッド部分からなる複数の第二の電極パターン>
第二の電極パターンは、透明電極パターンであることが好ましい。上記第二の透明電極パターン4は、上記エッチング処理または上記導電性硬化性樹脂層を有する転写フィルムを用いて形成することができる。そのときの好ましい態様は、上記第一の透明電極パターン3の形成方法と同様である。
<(2) A plurality of second electrode patterns composed of a plurality of pad portions that are electrically insulated from the first transparent electrode pattern and extend in a direction crossing the first direction>
The second electrode pattern is preferably a transparent electrode pattern. The second
<(3)第一の透明電極パターンと第二の透明電極パターンとを電気的に絶縁する絶縁層>
絶縁層5を形成する場合には、上記光硬化性樹脂層として絶縁性の光硬化性樹脂層を有する上記光硬化性樹脂層を有する転写フィルムを用いて、第一の透明電極パターンが形成された上記前面板1の表面に絶縁性の光硬化性樹脂層を転写することで形成することができる。
尚、転写フィルムを用いて絶縁層を形成する場合、絶縁層の層厚は、絶縁性の維持の観点から、0.1〜5μmが好ましく、0.3〜3μmが更に好ましく、0.5〜2μmが特に好ましい。
<(3) Insulating layer that electrically insulates first transparent electrode pattern and second transparent electrode pattern>
When the insulating
In addition, when forming an insulating layer using a transfer film, the layer thickness of the insulating layer is preferably 0.1 to 5 μm, more preferably 0.3 to 3 μm, from the viewpoint of maintaining insulation. 2 μm is particularly preferable.
<(4)第一の透明電極パターンおよび第二の透明電極パターンの少なくとも一方に電気的に接続され、第一の透明電極パターンおよび第二の透明電極パターンとは別の導電性要素>
上記別の導電性要素6は、上記エッチング処理または上記導電性硬化性樹脂層を有する転写フィルムを用いて形成することができる。
<(4) Conductive element that is electrically connected to at least one of the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern and is different from the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern>
Said another
<(5)透明保護層>
透明保護層7を形成する場合には、上記光硬化性樹脂層として透明の光硬化性樹脂層を有する上記光硬化性樹脂層を有する転写フィルムを用いて、各要素が形成された上記前面板1の表面に透明の光硬化性樹脂層を転写することで形成することができる。
転写フィルムを用いて透明保護層を形成する場合、透明保護層の層厚は、十分な表面保護能を発揮させる観点から、0.5〜10μmが好ましく、0.8〜5μmが更に好ましく、1〜3μmが特に好ましい。
<(5) Transparent protective layer>
When the transparent
When forming a transparent protective layer using a transfer film, the thickness of the transparent protective layer is preferably 0.5 to 10 μm, more preferably 0.8 to 5 μm, from the viewpoint of exhibiting sufficient surface protection ability. -3 μm is particularly preferred.
[画像表示装置]
本発明の静電容量型入力装置を構成要素として備えた画像表示装置は、『最新タッチパネル技術』(2009年7月6日発行(株)テクノタイムズ)、三谷雄二監修、“タッチパネルの技術と開発”、シーエムシー出版(2004,12)、FPD International 2009 Forum T−11講演テキストブック、Cypress Semiconductor Corporation アプリケーションノートAN2292等に開示されている構成を適用することができる。
[Image display device]
The image display device including the capacitive input device of the present invention as a constituent element is “latest touch panel technology” (published July 6, 2009, Techno Times), supervised by Yuji Mitani, “Touch Panel Technology and Development. The configurations disclosed in CM Publishing (2004, 12), FPD International 2009 Forum T-11 Lecture Textbook, Cypress Semiconductor Corporation Application Note AN2292, etc. can be applied.
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明する。
以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。なお、特に断りのない限り、「%」および「部」は質量基準である。
実施例1および10は参考例である。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
The materials, amounts used, ratios, processing details, processing procedures, and the like shown in the following examples can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as being limited by the specific examples shown below. Unless otherwise specified, “%” and “parts” are based on mass.
Examples 1 and 10 are reference examples.
[実施例1]
<タッチパネル用白色加飾層(額縁形状)形成用転写フィルムL1の作製>
厚さ75μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(仮支持体)の上に、スリット状ノズルを用いて、熱可塑性樹脂層用塗布液:処方H1を塗布し、乾燥させて熱可塑性樹脂層を形成した。次に、中間層用塗布液:処方P1を塗布し、乾燥させて中間層を形成した。更に、加飾層用塗布液:処方L1を塗布し、乾燥させて加飾層を形成した。このようにして仮支持体の上に乾燥膜厚が15.1μmの熱可塑性樹脂層と、乾燥膜厚が1.6μmの中間層と、乾燥膜厚が35μmの白色の加飾層を設けた。最後に、加飾層上の保護フィルム(厚さ12μmポリプロピレンフィルム)を圧着した。こうして仮支持体と熱可塑性樹脂層と中間層(酸素遮断膜)と加飾層と保護フィルムとが一体となった白色加飾層形成用転写フィルムを作製した。
[Example 1]
<Preparation of transfer film L1 for forming a white decorative layer (frame shape) for touch panel>
On a polyethylene terephthalate film (temporary support) having a thickness of 75 μm, a thermoplastic resin layer coating liquid: Formulation H1 was applied using a slit nozzle and dried to form a thermoplastic resin layer. Next, the intermediate layer coating solution: Formulation P1 was applied and dried to form an intermediate layer. Furthermore, the decoration layer coating solution: Formula L1 was applied and dried to form a decoration layer. In this way, a thermoplastic resin layer having a dry film thickness of 15.1 μm, an intermediate layer having a dry film thickness of 1.6 μm, and a white decorative layer having a dry film thickness of 35 μm were provided on the temporary support. . Finally, the protective film (thickness 12 μm polypropylene film) on the decorative layer was pressure-bonded. In this way, a transfer film for forming a white decorative layer was produced in which the temporary support, the thermoplastic resin layer, the intermediate layer (oxygen barrier film), the decorative layer, and the protective film were integrated.
(熱可塑性樹脂層用塗布液:処方H1)
・メタノール :11.1質量部
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート :6.36質量部
・メチルエチルケトン :52.4質量部
・メチルメタクリレート/2−エチルヘキシルアクリレート/ベンジル
メタクリレート/メタクリル酸共重合体(共重合組成比(モル比)=
55/11.7/4.5/28.8、重量平均分子量=10万、
Tg(ガラス転移温度)≒70℃) :5.83質量部
・スチレン/アクリル酸共重合体(共重合組成比(モル比)=63/37、
重量平均分子量=1万、Tg≒100℃) :13.6質量部
・モノマー1(商品名:BPE−500、新中村化学工業(株)製)
:9.1質量部
・界面活性剤(フッ素系ポリマー、商品名:メガファックF780F、
大日本インキ化学工業(株)製) :0.54質量部
上記のフッ素系ポリマーは、C6F13CH2CH2OCOCH=CH2 40部とH(OCH(CH3)CH2)7OCOCH=CH2 55部とH(OCHCH2)7OCOCH=CH2 5部との共重合体で、重量平均分子量3万、メチルエチルケトン30質量%溶液である。
なお、熱可塑性樹脂層用塗布液:処方H1の溶剤除去後の120℃の粘度は1500Pa・secであった。
(Coating solution for thermoplastic resin layer: Formulation H1)
Methanol: 11.1 parts by mass Propylene glycol monomethyl ether acetate: 6.36 parts by mass Methyl ethyl ketone: 52.4 parts by mass Methyl methacrylate / 2-ethylhexyl acrylate / benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer (copolymerization composition ratio) (Molar ratio) =
55 / 11.7 / 4.5 / 28.8, weight average molecular weight = 100,000,
Tg (glass transition temperature) ≈70 ° C.): 5.83 parts by mass Styrene / acrylic acid copolymer (copolymerization composition ratio (molar ratio) = 63/37,
Weight average molecular weight = 10,000, Tg≈100 ° C.): 13.6 parts by mass / monomer 1 (trade name: BPE-500, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)
: 9.1 parts by mass / surfactant (fluorine polymer, trade name: Megafak F780F,
Manufactured by Dainippon Ink and Chemicals Incorporated): 0.54 parts by mass The above fluorine-containing polymer, C 6 F 13 CH 2 CH 2 OCOCH =
The viscosity at 120 ° C. after removing the solvent of the coating solution for thermoplastic resin layer: Formulation H1 was 1500 Pa · sec.
(中間層用塗布液:処方P1)
・ポリビニルアルコール :32.2質量部
(商品名:PVA205、(株)クラレ製、鹸化度=88%、重合度550)
・ポリビニルピロリドン :14.9質量部
(商品名:K−30、アイエスピー・ジャパン(株)製)
・蒸留水 :524質量部
・メタノール :429質量部
(Coating liquid for intermediate layer: prescription P1)
Polyvinyl alcohol: 32.2 parts by mass (trade name: PVA205, manufactured by Kuraray Co., Ltd., saponification degree = 88%, polymerization degree 550)
・ Polyvinylpyrrolidone: 14.9 parts by mass (trade name: K-30, manufactured by ISP Japan Co., Ltd.)
-Distilled water: 524 parts by mass-Methanol: 429 parts by mass
(加飾層用塗布液:処方L1)
・メチルエチルケトン(東燃化学(株)製) :56質量部
・シリコーンレジンKR−300(信越化学工業(株)製;
ストレートシリコーンのキシレン溶液(固形分50質量%)) :584質量部
・シリコーン樹脂用触媒 D−15(信越化学工業(株)製;
キシレン溶液(固形分25質量%)) :12質量部
・白色顔料分散物1(下記の組成) :346質量部
・酸化防止剤(Irgafos168、BASF(株)製) :0.6質量部
・界面活性剤(商品名:メガファックF−780F、DIC(株)製)
:2.2質量部
(Coating liquid for decorative layer: Formula L1)
・ Methyl ethyl ketone (manufactured by Tonen Chemical Co., Ltd.): 56 parts by mass ・ Silicone resin KR-300 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.);
Straight silicone xylene solution (solid content 50% by mass): 584 parts by mass. Silicone resin catalyst D-15 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.);
Xylene solution (solid content: 25% by mass): 12 parts by mass, white pigment dispersion 1 (the following composition): 346 parts by mass, antioxidant (Irgafos168, manufactured by BASF Corp.): 0.6 parts by mass, interface Activator (Brand name: MegaFuck F-780F, manufactured by DIC Corporation)
: 2.2 parts by mass
−白色顔料分散物1の組成−
・酸化チタン(石原産業製CR97;アルミナ/ジルコニア処理ルチル型、
一次粒子径0.25μm) :70.0質量%
・ベンジルメタクリレート/メタクリル酸=72/28モル比の
ランダム共重合物(重量平均分子量3.7万) :3.5質量%
・メチルエチルケトン(東燃化学(株)製) :26.5質量%
-Composition of white pigment dispersion 1-
・ Titanium oxide (CR97 manufactured by Ishihara Sangyo; alumina / zirconia-treated rutile type,
Primary particle diameter 0.25 μm): 70.0 mass%
-Random copolymer (weight average molecular weight 37,000) of benzyl methacrylate / methacrylic acid = 72/28 molar ratio: 3.5% by mass
・ Methyl ethyl ketone (manufactured by Tonen Chemical Co., Ltd.): 26.5% by mass
サイズの打ち抜き前の白色加飾層形成用転写フィルムを、CO2レーザーカッター(L−CPNC550、クライムプロダクツ株式会社製)を用いて、白色加飾層形成用転写フィルムのすべて(保護フィルム、加飾層、中間層、熱可塑性樹脂層および仮支持体)を保護フィルム側から貫通させて、打ち抜いた。打ち抜き後の白色加飾層形成用転写フィルムは、図3に示すように、外周部42、直線部分を有する枠内部41、および直線部分を有する配線取出し部43が形成されている。
この打ち抜きにより、図10の形状を有する打ち抜き後の白色加飾層形成用転写フィルムが形成された。
Using a CO 2 laser cutter (L-CPNC550, manufactured by Crime Products Co., Ltd.), all of the white decorative layer-forming transfer film (protective film, decorative film) is used to transfer the white decorative layer-forming transfer film before size punching. Layer, intermediate layer, thermoplastic resin layer and temporary support) were penetrated from the protective film side and punched out. As shown in FIG. 3, the white decorative layer-forming transfer film after punching is formed with an outer
By this punching, a white decorative layer-forming transfer film after punching having the shape of FIG. 10 was formed.
<加飾層(額縁形状)が形成された前面板の作製>
開口部(15mmΦ)が形成された強化処理ガラス(300mm×400mm×0.7mm)を透明な前面板(ガラス基材)として用い、25℃に調整したガラス洗浄剤液をシャワーにより20秒間吹き付けながらナイロン毛を有する回転ブラシで洗浄し、純水シャワー洗浄後、シランカップリング液(N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.3質量%水溶液、商品名:KBM603、信越化学工業(株)製)をシャワーにより20秒間吹き付け、純水シャワー洗浄した。このガラス基材を基材予備加熱装置で90℃、2分間予備加熱した。
<Preparation of front plate with decorative layer (frame shape)>
Using glass (300 mm × 400 mm × 0.7 mm) tempered glass with an opening (15 mmΦ) as a transparent front plate (glass substrate) and spraying a glass detergent solution adjusted to 25 ° C. for 20 seconds with a shower Washed with a rotating brush having nylon bristles, washed with pure water shower, then silane coupling liquid (N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane 0.3 mass% aqueous solution, trade name: KBM603, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (Made by Co., Ltd.) was sprayed for 20 seconds with a shower and washed with pure water. This glass substrate was preheated at 90 ° C. for 2 minutes with a substrate preheating apparatus.
図11および12に示すように刃33で打ち抜かれた白色加飾層形成用転写フィルム(打ち抜き後の白色加飾層形成用転写フィルム)に対して、テープを用いて非画像部31の保護フィルム25のみを剥離し、同様にテープを用いて非画像部31の加飾層24と中間層23の2層を同時に剥離した。さらに画像部32に対応する領域の保護フィルム25のみを剥離した。
保護フィルム25を剥離後に露出した画像部32の加飾層24の表面と、上記90℃で予備加熱したシランカップリング処理済みの強化処理ガラスの表面とが接するように重ね合わせ、ラミネータ((株)日立インダストリイズ製(LamicII型))を用いて、ゴムローラー温度120℃、線圧100N/cm、搬送速度2.5m/分でラミネートした。続いてポリエチレンテレフタレートの仮支持体21を、熱可塑性樹脂層22との界面で剥離し、仮支持体21を除去した。
これにより、上記ガラス基材の画像部32には加飾層24、中間層23および熱可塑性樹脂層22が白色加飾層形成用転写フィルムから転写され、上記ガラス基材の非画像部31には熱可塑性樹脂層22のみが白色加飾層形成用転写フィルムから転写された。
As shown in FIGS. 11 and 12, the white decorative layer forming transfer film (white decorative layer forming transfer film after punching) punched with the
The surface of the
As a result, the
次に、トリエタノールアミン系現像液(トリエタノールアミン30質量%含有、商品名:T−PD2(富士フイルム(株)製)を純水で10倍に希釈した液)を用いて、30℃で60秒間、フラットノズル圧力0.1MPaでシャワー現像し、上記ガラス基材の画像部32の熱可塑性樹脂層22と中間層23、並びに非画像部31の熱可塑性樹脂層22とを除去した。引き続き、このガラス基材の上面にエアを吹きかけて液切りした後、純水をシャワーにより10秒間吹き付け、純水シャワー洗浄し、エアを吹きかけてガラス基材上の液だまりを減らした。
その後、大気圧(1atm)下、空気中で240℃、60分間のポストベーク処理を行なって白色加飾層24を形成し、ガラス基材の上面に、膜厚35μmの白色加飾層が形成された前面板を得た。得られた白色加飾層は枠の形状(額縁形状とも言う)であり、枠(額縁)の内側の一辺の長さは70mmであり、その内側の一辺と平行な外側の一辺の長さは90mmであった。白色加飾層の概要を図18に示した。
Next, using a triethanolamine developer (containing 30% by mass of triethanolamine, trade name: T-PD2 (manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) diluted 10 times with pure water) at 30 ° C. For 60 seconds, shower development was performed at a flat nozzle pressure of 0.1 MPa to remove the
Then, a
<段差埋め込み用の転写フィルムの作製>
厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(仮支持体、商品名ユニピール TP−6、ユニチカ(株)製)の上に、スリット状ノズルを用いて、透明樹脂膜用塗布液:処方C1を塗布し、乾燥させて、透明樹脂膜を形成した。
<Preparation of transfer film for embedding steps>
On a 50 μm thick polyethylene terephthalate film (temporary support, trade name Unipeel TP-6, manufactured by Unitika Co., Ltd.), using a slit-shaped nozzle, a coating solution for transparent resin film: Formulation C1 is applied and dried. Thus, a transparent resin film was formed.
(透明樹脂膜用塗布液:処方C1)
・メチルエチルケトン(東燃化学(株)製) :20質量部
・シリコーンレジンKR−300(信越化学工業(株)製;
ストレートシリコーンのキシレン溶液(固形分50質量%)) :26.8質量部
・シリコーンレジンKR−311(信越化学工業(株)製;
ストレートシリコーンのキシレン溶液(固形分60質量%)): 201質量部
・亜鉛系架橋触媒(D−15、信越化学工業製、(固形分濃度25%))
:1.07質量部
・酸化防止剤(Irgafos168、BASF(株)製) :0.25質量部
・界面活性剤(商品名:メガファックF−780F、DIC(株)製) :1質量部
(Coating liquid for transparent resin film: prescription C1)
-Methyl ethyl ketone (manufactured by Tonen Chemical Co., Ltd.): 20 parts by mass-Silicone resin KR-300 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.);
Xylene solution of straight silicone (solid content 50% by mass): 26.8 parts by mass. Silicone resin KR-311 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.);
Straight silicone xylene solution (solid content 60% by mass): 201 parts by mass Zinc-based crosslinking catalyst (D-15, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (
: 1.07 parts by mass · Antioxidant (Irgafos 168, manufactured by BASF Corp.): 0.25 parts by mass · Surfactant (trade name: Megafac F-780F, manufactured by DIC Corp.): 1 part by mass
このようにして仮支持体の上に乾燥膜厚が35μmの透明樹脂膜を設けた。得られた透明樹脂膜を実施例1の透明樹脂膜とした。得られた透明樹脂膜は、白色加飾層の枠(額縁)の内側の辺の長さよりもそれぞれ両側に5mmずつ大きい形状を有する。実施例1の透明樹脂膜の厚みと、透明樹脂膜用塗布液の処方C1の詳細を後述の表1に記載した。ただし、加飾層の端部がテーパー形状を有する場合は、加飾層の最大高さと等しくなる部分を白色加飾層(額縁形状)の内側の辺の長さを測定する基準とする(図15で示されるL)。
最後に、実施例1の透明樹脂膜の上に、保護フィルム(厚さ12μmポリプロピレンフィルム)を圧着した。こうして仮支持体と実施例1の透明樹脂膜と保護フィルムとが一体となった段差埋め込み用の実施例1の転写フィルムを作製した。
In this way, a transparent resin film having a dry film thickness of 35 μm was provided on the temporary support. The obtained transparent resin film was used as the transparent resin film of Example 1. The obtained transparent resin film has a shape that is 5 mm larger on each side than the length of the inner side of the frame (frame) of the white decorative layer. Details of the thickness of the transparent resin film of Example 1 and the formulation C1 of the coating liquid for transparent resin film are shown in Table 1 described later. However, when the edge part of a decoration layer has a taper shape, let the part which becomes equal to the maximum height of a decoration layer be a reference | standard which measures the length of the inner side of a white decoration layer (frame shape) (FIG. L indicated by 15).
Finally, a protective film (12 μm thick polypropylene film) was pressure-bonded on the transparent resin film of Example 1. In this way, the transfer film of Example 1 for embedding a step, in which the temporary support, the transparent resin film of Example 1 and the protective film were integrated, was produced.
<透明樹脂膜のはめ込み>
A5サイズの打ち抜き前の段差埋め込み用の実施例1の転写フィルムを、CO2レーザーカッター(L−CPNC550、クライムプロダクツ株式会社製)を用いて、段差埋め込み用の転写フィルムのすべて(保護フィルム、透明樹脂膜および仮支持体)を保護フィルム側から貫通させて、ダイカット方式で打ち抜いた。打ち抜き後の段差埋め込み用の転写フィルムは、各辺が白色加飾層(額縁形状)の内側の辺の長さよりも両側に5mmずつ大きいものの、白色加飾層(額縁形状)の内部(白色加飾層が形成されていない領域)にはまるように、打ち抜かれている。
<Inset of transparent resin film>
Using the CO 2 laser cutter (L-CPNC550, manufactured by Crime Products Co., Ltd.), the transfer film for step embedding (protective film, transparent) A resin film and a temporary support) were penetrated from the protective film side and punched out by a die cutting method. The transfer film for embedding the step after punching is 5 mm larger on each side than the length of the inner side of the white decorative layer (frame shape). It is punched out so as to fit in the area where the decorative layer is not formed.
加飾層が形成された前面板を、基材予備加熱装置で90℃、2分間予備加熱した。
打ち抜き後の段差埋め込み用の実施例1の転写フィルムに対して、テープを用いて保護フィルムのみを剥離した。
保護フィルムを剥離した後に露出した画像部の透明樹脂膜の表面と、上記90℃で予備加熱したシランカップリング処理済みの強化処理ガラスの表面とが接するように、また段差埋め込み用の実施例1の転写フィルムが白色加飾層の額縁内に隙間無く配置されて前面板と白色加飾層との段差を透明樹脂膜によって埋められ、かつ、透明樹脂膜の各端部が白色加飾層の上に、白色加飾層の端部(内側の端部)からそれぞれ5mmずつ乗り上げるようにはめこまれるようにし、ラミネータ((株)日立インダストリイズ製(LamicII型))を用いて、ゴムローラー温度120℃、線圧100N/cm、搬送速度2.5m/分でラミネートした。加飾層の端部がテーパー形状を有するため、加飾層の端部の基準は、加飾層の最大高さと等しくなる部分とした。
続いてポリエチレンテレフタレートの仮支持体を、透明樹脂膜との界面で剥離し、仮支持体を除去した。
The front plate on which the decorative layer was formed was preheated at 90 ° C. for 2 minutes with a base material preheating device.
Only the protective film was peeled off from the transfer film of Example 1 for embedding a step after punching using a tape.
Example 1 for embedding a step so that the surface of the transparent resin film in the image area exposed after the protective film is peeled off and the surface of the tempered glass pretreated with silane coupling treated at 90 ° C. The transfer film is disposed in the frame of the white decorative layer without any gap, and the step between the front plate and the white decorative layer is filled with the transparent resin film, and each end of the transparent resin film is formed of the white decorative layer. A rubber roller using a laminator (manufactured by Hitachi Industries, Ltd. (Lamic II type)) so that it can be fitted 5 mm above each end (inner end) of the white decorative layer. Lamination was performed at a temperature of 120 ° C., a linear pressure of 100 N / cm, and a conveyance speed of 2.5 m / min. Since the edge part of a decoration layer has a taper shape, the reference | standard of the edge part of a decoration layer was made into the part equal to the maximum height of a decoration layer.
Subsequently, the polyethylene terephthalate temporary support was peeled off at the interface with the transparent resin film to remove the temporary support.
その後、大気圧(1atm)下、空気中で240℃、60分間のポストベーク処理を行ない、白色加飾層の額縁内に実施例1の透明樹脂膜が隙間無く配置されて前面板と白色加飾層との段差を透明樹脂膜によって埋められ、かつ、透明樹脂膜の各端部が白色加飾層の前面板とは反対側の面の一部の上に、白色加飾層の(内側の)端部からそれぞれ5mmずつ乗り上げるようにはめこまれた前面板を得た。 Thereafter, a post-bake treatment was performed at 240 ° C. for 60 minutes in air under atmospheric pressure (1 atm), and the transparent resin film of Example 1 was placed without any gap in the frame of the white decorative layer, and the front plate and the white plate were added. The step with the decorative layer is filled with a transparent resin film, and each end of the transparent resin film is on the part of the surface opposite to the front panel of the white decorative layer, A front plate was obtained which was fitted so as to run 5 mm from each end.
<透明樹脂膜の評価>
(比誘電率)
透明樹脂膜の比誘電率は、CV−Map 92A (Four Dimensions, Inc.製)により測定した。評価は大気圧(1atm)下、空気中で240℃、60分間のポストベークを行った後の、白色加飾層の額縁内に透明樹脂膜をはめ込んだ前面板に含まれる透明樹脂膜サンプルにより評価した。
評価結果を下記表2に記載した。
<Evaluation of transparent resin film>
(Relative permittivity)
The relative dielectric constant of the transparent resin film was measured by CV-Map 92A (made by Four Dimensions, Inc.). The evaluation is based on a transparent resin film sample included in the front plate in which a transparent resin film is fitted in the frame of the white decorative layer after post-baking at 240 ° C. for 60 minutes in air under atmospheric pressure (1 atm). evaluated.
The evaluation results are shown in Table 2 below.
(透明性(ポストベーク後)の評価)
上記のとおり作製した、白色加飾層の額縁内に透明樹脂膜をはめ込んだ前面板を10人に観察させ、下記評価基準に従い透明樹脂膜の透明性を評価した。実用レベルはB以上である。
〈評価基準〉
A:黄色味を帯びていると認識した人数 0〜1人
B:黄色味を帯びていると認識した人数 2〜5人
C:黄色味を帯びていると認識した人数 6〜10人
評価結果を下記表2に記載した。
(Evaluation of transparency (after post-baking))
The front plate with the transparent resin film fitted in the frame of the white decorative layer produced as described above was observed by 10 persons, and the transparency of the transparent resin film was evaluated according to the following evaluation criteria. The practical level is B or higher.
<Evaluation criteria>
A: Number of people recognized as yellowish 0-1 people B: Number of people recognized as yellowish 2-5 people C: Number of people recognized as yellowish 6-10 People Evaluation results Is shown in Table 2 below.
<第一の透明電極パターンの形成>
(透明電極層の形成)
加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜が形成された前面板を、真空チャンバー内に導入し、SnO2含有率が10質量%のITOターゲット(インジウム:錫=95:5(モル比))を用いて、DCマグネトロンスパッタリング(条件:基材の温度250℃、アルゴン圧0.13Pa、酸素圧0.01Pa)により、厚さ40nmのITO薄膜を形成し、透明電極層を形成した前面板を得た。ITO薄膜の表面抵抗は80Ω/□であった。
<Formation of first transparent electrode pattern>
(Formation of transparent electrode layer)
A front plate on which a transparent resin film in which a step between the decorative layer and the decorative layer is embedded is formed is introduced into a vacuum chamber, and an ITO target having a SnO 2 content of 10 mass% (indium: tin = 95: 5 ( A 40 nm thick ITO thin film is formed by DC magnetron sputtering (conditions: substrate temperature 250 ° C., argon pressure 0.13 Pa, oxygen pressure 0.01 Pa), and a transparent electrode layer is formed. A front plate was obtained. The surface resistance of the ITO thin film was 80Ω / □.
(エッチング用転写フィルムE1の作製)
上記白色加飾層形成用転写フィルムL1の作製において、上記加飾層用塗布液:処方L1に代えて、エッチング用光硬化性樹脂層用塗布液:処方E1を用いた以外は白色加飾層形成用転写フィルムL1の作製と同様にして、仮支持体、熱可塑性樹脂層、中間層(酸素遮断膜)、エッチング用光硬化性樹脂層および保護フィルムとが一体となった、エッチング用転写フィルムE1を得た(エッチング用光硬化性樹脂層の膜厚は2.0μmであった)。
(Preparation of etching transfer film E1)
In the production of the white decorative layer forming transfer film L1, the white decorative layer was used except that the decorative layer coating solution: Formula L1 was used instead of the etching photocurable resin layer coating solution: Formula E1. The transfer film for etching in which the temporary support, the thermoplastic resin layer, the intermediate layer (oxygen barrier film), the photocurable resin layer for etching and the protective film are integrated in the same manner as the formation of the transfer film L1 E1 was obtained (the film thickness of the photocurable resin layer for etching was 2.0 μm).
−エッチング用光硬化性樹脂層用塗布液:処方E1−
・メチルメタクリレート/スチレン/メタクリル酸共重合体
(共重合体組成(質量%):31/40/29、質量平均分子量60000、
酸価163mgKOH/g) :16質量部
・モノマー1(商品名:BPE−500、新中村化学工業(株)製)
:5.6質量部
・ヘキサメチレンジイソシアネートのテトラエチレンオキシドモノ
メタクリレート0.5モル付加物 :7質量部
・分子中に重合性基を1つ有する化合物としてのシクロヘキサンジ
メタノールモノアクリレート :2.8質量部
・2−クロロ−N−ブチルアクリドン :0.42質量部
ビイミダゾール :2.17質量部
・ロイコクリスタルバイオレット :0.26質量部
・フェノチアジン :0.013質量部
・界面活性剤(商品名:メガファックF−780F、大日本インキ(株)製)
:0.03質量部
・メチルエチルケトン :40質量部
・1−メトキシ−2−プロパノール :20質量部
-Coating liquid for photocurable resin layer for etching: Formula E1-
Methyl methacrylate / styrene / methacrylic acid copolymer (copolymer composition (mass%): 31/40/29, mass average molecular weight 60000,
Acid value 163 mg KOH / g): 16 parts by mass Monomer 1 (Brand name: BPE-500, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)
: 5.6 parts by mass-tetramethylene oxide monomethacrylate 0.5 mol adduct of hexamethylene diisocyanate: 7 parts by mass-cyclohexane dimethanol monoacrylate as a compound having one polymerizable group in the molecule: 2.8 parts by mass・ 2-Chloro-N-butylacridone: 0.42 parts by mass Biimidazole: 2.17 parts by mass ・ Leukocrystal violet: 0.26 parts by mass ・ Phenothiazine: 0.013 parts by mass ・ Surfactant (trade name: MegaFuck F-780F, manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.)
: 0.03 parts by mass · Methyl ethyl ketone: 40 parts by mass · 1-methoxy-2-propanol: 20 parts by mass
(第一の透明電極パターンの形成)
加飾層の形成における強化処理ガラスの洗浄と同様にして、加飾層、この加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、透明電極層を形成した前面板を、洗浄し、次いで保護フィルムを除去したエッチング用転写フィルムE1をラミネートした(基材温度:130℃、ゴムローラー温度120℃、線圧100N/cm、搬送速度2.2m/分)。仮支持体を剥離後、露光マスク(透明電極パターンを有す石英露光マスク)面とこのエッチング用光硬化性樹脂層との間の距離を200μmに設定し、露光量50mJ/cm2(i線)でパターン露光した。
次に、トリエタノールアミン系現像液(トリエタノールアミン30質量%含有、商品名:T−PD2(富士フイルム(株)製)を純水で10倍に希釈した液)を用いて、25℃で100秒間現像処理し、界面活性剤含有洗浄液(商品名:T−SD3(富士フイルム(株)製)を純水で10倍に希釈した液)を用いて、33℃で20秒間洗浄処理し、回転ブラシで前面板を擦り、超高圧洗浄ノズルから純水を噴射することにより残渣を除去した。さらに130℃、30分間のポストベーク処理を行って、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、透明電極層とエッチング用光硬化性樹脂層パターンとを形成した前面板を得た。
(Formation of first transparent electrode pattern)
In the same manner as the cleaning of the tempered glass in the formation of the decorative layer, the decorative layer, the transparent resin film in which the step of the decorative layer is embedded, and the front plate on which the transparent electrode layer is formed are cleaned, and then the protective film is applied. The removed transfer film E1 for etching was laminated (base material temperature: 130 ° C., rubber roller temperature 120 ° C., linear pressure 100 N / cm, conveyance speed 2.2 m / min). After peeling off the temporary support, the distance between the exposure mask (quartz exposure mask having a transparent electrode pattern) surface and the photocurable resin layer for etching is set to 200 μm, and the exposure amount is 50 mJ / cm 2 (i-line). ) For pattern exposure.
Next, using a triethanolamine developer (containing 30% by mass of triethanolamine, trade name: T-PD2 (manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) diluted 10 times with pure water) at 25 ° C. Developed for 100 seconds, washed with surfactant-containing cleaning solution (trade name: T-SD3 (manufactured by FUJIFILM Corporation) 10 times with pure water) at 33 ° C. for 20 seconds, The front plate was rubbed with a rotating brush, and the residue was removed by spraying pure water from an ultra-high pressure cleaning nozzle. Further, a post-baking treatment at 130 ° C. for 30 minutes is performed to obtain a front plate on which a decorative layer, a transparent resin film in which a step of the decorative layer is embedded, a transparent electrode layer, and a photocurable resin layer pattern for etching are formed. It was.
加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、透明電極層とエッチング用光硬化性樹脂層パターンとを形成した前面板を、ITOエッチャント(塩酸、塩化カリウム水溶液。液温30℃)を入れたエッチング槽に浸漬し、100秒間処理(エッチング処理)し、エッチング用光硬化性樹脂層で覆われていない露出した領域の透明電極層を溶解除去し、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、エッチング用光硬化性樹脂層パターンのついた透明電極層パターン付の前面板を得た。 A decorative layer, a transparent resin film in which a step of the decorative layer is embedded, a transparent electrode layer and a front plate on which a photocurable resin layer pattern for etching is formed are made of an ITO etchant (hydrochloric acid, potassium chloride aqueous solution, liquid temperature 30 ° C.). Is immersed in an etching bath containing 100 to 100 seconds (etching treatment), and the transparent electrode layer in the exposed region not covered with the photocurable resin layer for etching is dissolved and removed. A front plate with a transparent electrode layer pattern with a transparent resin film embedded with steps and a photocurable resin layer pattern for etching was obtained.
次に、エッチング用光硬化性樹脂層パターンのついた透明電極層パターン付の前面板を、レジスト剥離液(N−メチル−2−ピロリドン、モノエタノールアミン、界面活性剤(商品名:サーフィノール465、エアープロダクツ製)、液温45℃)を入れたレジスト剥離槽に浸漬し、200秒間処理(剥離処理)し、エッチング用光硬化性樹脂層を除去し、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、上記前面板の一方の面および上記加飾層の上記前面板と対向する面とは反対側の面の両方の領域にまたがって図14のように設置された第一の透明電極パターンとを形成した前面板を得た。
Next, a front plate with a transparent electrode layer pattern with a photocurable resin layer pattern for etching was applied to a resist stripping solution (N-methyl-2-pyrrolidone, monoethanolamine, surfactant (trade name: Surfynol 465). , Manufactured by Air Products, Inc.,
<絶縁層の形成>
(絶縁層形成用転写フィルムW1の作製)
加飾層形成用転写フィルムL1の作製において、加飾層用塗布液:処方L1に代えて、絶縁層形成用塗布液:処方W1を用いた以外は加飾層形成用転写フィルムL1の作製と同様にして、仮支持体、熱可塑性樹脂層、中間層(酸素遮断膜)、絶縁層用光硬化性樹脂層および保護フィルムとが一体となった、絶縁層形成用転写フィルムW1を得た(絶縁層用光硬化性樹脂層の膜厚は1.4μm)。
<Formation of insulating layer>
(Preparation of transfer film W1 for forming an insulating layer)
In the production of the decorative layer forming transfer film L1, the decorative layer forming transfer film L1 was prepared in place of the decorative layer forming coating liquid: the prescription L1, except that the insulating layer forming coating liquid: the prescription W1 was used. Similarly, a transfer film W1 for forming an insulating layer was obtained in which a temporary support, a thermoplastic resin layer, an intermediate layer (oxygen barrier film), a photocurable resin layer for an insulating layer, and a protective film were integrated ( The film thickness of the photocurable resin layer for the insulating layer is 1.4 μm).
−絶縁層形成用塗布液:処方W1−
・バインダー3(シクロヘキシルメタクリレート(a)/メチルメタクリレート(b)/メタクリル酸共重合体(c)のグリシジルメタクリレート付加物(d)(組成(質量%):a/b/c/d=46/1/10/43、質量平均分子量:36000、酸価66mgKOH/g)の1−メトキシ−2−プロパノール、メチルエチルケトン溶液(固形分:45%)) :12.5質量部
・DPHA(ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、日本化薬(株)製)
のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液(76質量%)
:1.4質量部
・ウレタン系モノマー(商品名:NKオリゴUA−32P、新中村化学(株)製
:不揮発分75%、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート:
25%) :0.68質量部
・トリペンタエリスリトールオクタアクリレート(商品名:V#802、
大阪有機化学工業(株)製) :1.8質量部
・ジエチルチオキサントン :0.17質量部
・2−(ジメチルアミノ)−2−[(4−メチルフェニル)メチル]−1−
[4−(4−モルホリニル)フェニル]−1−ブタノン
(商品名:Irgacure379、BASF製) :0.17質量部
・分散剤(商品名:ソルスパース20000、アビシア製) :0.19質量部
・界面活性剤(商品名:メガファックF−780F、大日本インキ製)
:0.05質量部
・メチルエチルケトン :23.3質量部
・MMPGAc(ダイセル化学(株)製) :59.8質量部
なお、絶縁層形成用塗布液W1の溶剤除去後の100℃の粘度は4000Pa・secであった。
-Coating liquid for insulating layer formation: Formula W1-
Binder 3 (cyclohexyl methacrylate (a) / methyl methacrylate (b) / methacrylic acid copolymer (c) glycidyl methacrylate adduct (d) (composition (% by mass): a / b / c / d = 46/1) / 10/43, mass average molecular weight: 36000, acid value 66 mgKOH / g) 1-methoxy-2-propanol, methyl ethyl ketone solution (solid content: 45%)): 12.5 parts by mass DPHA (dipentaerythritol hexaacrylate) Manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
Propylene glycol monomethyl ether acetate solution (76% by mass)
: 1.4 parts by mass / urethane monomer (trade name: NK Oligo UA-32P, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd .: non-volatile content 75%, propylene glycol monomethyl ether acetate:
25%): 0.68 parts by mass. Tripentaerythritol octaacrylate (trade name: V # 802,
Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.): 1.8 parts by mass. Diethylthioxanthone: 0.17 parts by mass. 2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl] -1-
[4- (4-morpholinyl) phenyl] -1-butanone (Brand name: Irgacure 379, manufactured by BASF): 0.17 parts by mass Dispersant (Brand name: Solsperse 20000, manufactured by Avicia): 0.19 parts by mass, interface Activator (Brand name: Megafuck F-780F, manufactured by Dainippon Ink)
: 0.05 parts by mass-Methyl ethyl ketone: 23.3 parts by mass-MMPGAc (manufactured by Daicel Chemical Co., Ltd.): 59.8 parts by mass The viscosity at 100 ° C. after removing the solvent of the coating liquid W1 for forming the insulating layer is 4000 Pa.・ It was sec.
加飾層の形成における強化処理ガラス基板の洗浄と同様にして、上記加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン付の前面板を洗浄した後、シランカップリング処理し、保護フィルムを除去した絶縁層形成用転写フィルムW1をラミネートした(基材温度:100℃、ゴムローラー温度120℃、線圧100N/cm、搬送速度2.3m/分)。仮支持体を剥離後、露光マスク(絶縁層用パターンを有す石英露光マスク)面と絶縁層との間の距離を100μmに設定し、露光量30mJ/cm2(i線)でパターン露光した。 In the same manner as the cleaning of the tempered glass substrate in the formation of the decorative layer, the decorative layer, the transparent resin film in which the step of the decorative layer is embedded, and the front plate with the first transparent electrode pattern are cleaned, and then the silane The insulating film-forming transfer film W1 from which the protective film was removed was laminated (base material temperature: 100 ° C., rubber roller temperature 120 ° C., linear pressure 100 N / cm, conveyance speed 2.3 m / min). After removing the temporary support, the distance between the exposure mask (quartz exposure mask having the insulating layer pattern) surface and the insulating layer was set to 100 μm, and pattern exposure was performed at an exposure amount of 30 mJ / cm 2 (i-line). .
次に、トリエタノールアミン系現像液(トリエタノールアミン30質量%含有、商品名:T−PD2(富士フイルム(株)製)を純水で10倍に希釈した液)を用いて、33℃で60秒間現像処理し、さらに、炭酸ナトリウム/炭酸水素ナトリウム系現像液(商品名:T−CD1(富士フイルム(株)製)を純水で5倍に希釈した液)を用いて、25℃で50秒間現像処理した。次いで、界面活性剤含有洗浄液(商品名:T−SD3(富士フイルム(株)製)を純水で10倍に希釈した液)を用いて、33℃で20秒間洗浄処理し、回転ブラシで前面板を擦り、超高圧洗浄ノズルから純水を噴射することにより残渣を除去した。さらに230℃、60分間のポストベーク処理を行って、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターンを形成した前面板を得た。 Next, using a triethanolamine developer (containing 30% by mass of triethanolamine, trade name: T-PD2 (manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) diluted 10 times with pure water) at 33 ° C. Using a sodium carbonate / sodium hydrogen carbonate developer (trade name: T-CD1 (manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) diluted 5 times with pure water) at 25 ° C. for 60 seconds. Developed for 50 seconds. Next, using a surfactant-containing cleaning solution (trade name: T-SD3 (manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) diluted 10-fold with pure water), it was washed at 33 ° C. for 20 seconds, and the surface was cleaned with a rotating brush. The residue was removed by rubbing the face plate and spraying pure water from an ultra-high pressure cleaning nozzle. Furthermore, the post-baking process for 230 degreeC and 60 minutes was performed, and the front board which formed the transparent resin film which embedded the level | step difference of the decorating layer and the decorating layer, the 1st transparent electrode pattern, and the insulating layer pattern was obtained.
<第二の透明電極パターンの形成>
(透明電極層の形成)
上記第一の透明電極パターンの形成と同様にして、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターンを形成した前面板を、DCマグネトロンスパッタリング処理し(条件:基材の温度50℃、アルゴン圧0.13Pa、酸素圧0.01Pa)、厚さ80nmのITO薄膜を形成し、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、透明電極層を形成した前面板を得た。ITO薄膜の表面抵抗は110Ω/□であった。
<Formation of second transparent electrode pattern>
(Formation of transparent electrode layer)
In the same manner as the formation of the first transparent electrode pattern, the front plate on which the decorative layer, the transparent resin film in which the step of the decorative layer is embedded, the first transparent electrode pattern, and the insulating layer pattern is formed is formed by DC magnetron sputtering. Processed (conditions: substrate temperature 50 ° C., argon pressure 0.13 Pa, oxygen pressure 0.01 Pa), an ITO thin film with a thickness of 80 nm is formed, and a transparent resin film in which a step between the decorative layer and the decorative layer is embedded A front plate on which a first transparent electrode pattern, an insulating layer pattern, and a transparent electrode layer were formed was obtained. The surface resistance of the ITO thin film was 110Ω / □.
第一の透明電極パターンの形成と同様にして、エッチング用転写フィルムE1を用いて、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、透明電極層、エッチング用光硬化性樹脂層パターンを形成した前面板を得た(ポストベーク処理;130℃、30分間)。
さらに、第一の透明電極パターンの形成と同様にして、エッチング処理(30℃、50秒間)して、次いで、エッチング用光硬化性樹脂層を除去(剥離処理:45℃、200秒間)することにより、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、上記前面板の一方の面および上記加飾層の上記前面板と対向する面とは反対側の面の両方の領域にまたがって図18および図19のように設置された第二の透明電極パターンを形成した前面板を得た。
In the same manner as the formation of the first transparent electrode pattern, using the etching transfer film E1, a transparent resin film in which the steps of the decorative layer and the decorative layer are embedded, the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern, and the transparent A front plate on which an electrode layer and a photocurable resin layer pattern for etching were formed was obtained (post-baking treatment; 130 ° C., 30 minutes).
Further, in the same manner as the formation of the first transparent electrode pattern, an etching process (30 ° C., 50 seconds) is performed, and then the photocurable resin layer for etching is removed (peeling process: 45 ° C., 200 seconds). By, the decorative layer, the transparent resin film embedded in the step of the decorative layer, the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern, one surface of the front plate and the surface of the decorative layer facing the front plate Obtained a front plate on which a second transparent electrode pattern was formed as shown in FIGS. 18 and 19 across both regions of the opposite surface.
<第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素の形成>
上記第一、および第二の透明電極パターンの形成と同様にして、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、第二の透明電極パターンを形成した前面板を、DCマグネトロンスパッタリング処理し、厚さ200nmのアルミニウム(Al)薄膜を形成した前面板を得た。
<Formation of Conductive Element Different from First and Second Transparent Electrode Pattern>
Similarly to the formation of the first and second transparent electrode patterns, the decorative layer, the transparent resin film in which the step of the decorative layer is embedded, the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern, and the second transparent electrode The front plate on which the pattern was formed was subjected to DC magnetron sputtering treatment to obtain a front plate on which an aluminum (Al) thin film having a thickness of 200 nm was formed.
上記第一、および第二の透明電極パターンの形成と同様にして、エッチング用転写フィルムE1を用いて、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、第二の透明電極パターン、アルミニウム薄膜、エッチング用光硬化性樹脂層パターンを形成した前面板を得た(ポストベーク処理;130℃、30分間)。
さらに、第一の透明電極パターンの形成と同様にして、エッチング処理(30℃、50秒間)し、次いでエッチング用光硬化性樹脂層を除去(剥離処理:45℃、200秒間)することにより、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、第二の透明電極パターン、第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素を形成した前面板を得た。
In the same manner as the formation of the first and second transparent electrode patterns, using the etching transfer film E1, the decorative layer, a transparent resin film in which the steps of the decorative layer are embedded, the first transparent electrode pattern, A front plate on which an insulating layer pattern, a second transparent electrode pattern, an aluminum thin film, and a photocurable resin layer pattern for etching were formed was obtained (post-bake treatment; 130 ° C., 30 minutes).
Further, in the same manner as the formation of the first transparent electrode pattern, by performing an etching process (30 ° C., 50 seconds), and then removing the photocurable resin layer for etching (peeling process: 45 ° C., 200 seconds), The decorative layer, the transparent resin film in which the step of the decorative layer is embedded, the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern, the second transparent electrode pattern, and the conductive element different from the first and second transparent electrode patterns A front plate formed was obtained.
<透明保護層の作製>
(透明保護層−Aの形成方法)
特開2012−78528号公報の実施例1に記載の感光性樹脂層用塗布液処方1を用いて、同公報の段落0103〜0113に記載の方法に従い、仮支持体(PET)と熱可塑性樹脂層と中間層と感光性樹脂層とが一体となった感光性転写フィルムを作製した。
実施例1の透明樹脂膜を埋め込んだ白色加飾層(額縁形状)を有する前面板(加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、第二の透明電極パターン、第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素を形成した前面板)上に、作製した感光性転写フィルムの感光性樹脂層を、仮支持体(PET)との界面で剥離したのち、熱可塑性樹脂層および中間層と共に転写した(層形成工程)。
次に、超高圧水銀灯を有するプロキシミティー型露光機(日立ハイテク電子エンジニアリング(株)製)を用いて、熱可塑性樹脂層側からi線、40mJ/cm2にて全面露光した。次に、トリエタノールアミン系現像液(トリエタノールアミン30%含有、商品名:T−PD2(富士フイルム(株)製)を純水で10倍(T−PD2を1部と純水9部の割合で混合)に希釈した液)を30Cで60秒間、フラットノズル圧力0.04MPaでシャワー現像し、熱可塑性樹脂と中間層を除去した。引き続き、このガラス基材の上面(感光性樹脂層側)にエアを吹きかけて液きりした後、純水をシャワーにより10秒間吹きつけ、洗浄し、エアを吹きかけてガラス基材上の液だまりを減らした。次に、基板を230℃下で60分間加熱処理(ポストベーク)を行い、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、第二の透明電極パターン、第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素および透明保護層−Aを積層した前面板を得て、実施例1の導電膜積層体および静電容量型入力装置とした。
<Preparation of transparent protective layer>
(Method for forming transparent protective layer-A)
Using the
Front plate having a white decorative layer (frame shape) embedded with the transparent resin film of Example 1 (decorative layer, transparent resin film embedded with a step in the decorative layer, first transparent electrode pattern, insulating layer pattern, The photosensitive resin layer of the prepared photosensitive transfer film is placed on a temporary support (PET) on the second transparent electrode pattern, a front plate on which a conductive element different from the first and second transparent electrode patterns is formed. ) And then transferred together with the thermoplastic resin layer and the intermediate layer (layer forming step).
Next, using a proximity type exposure machine (manufactured by Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co., Ltd.) having an ultrahigh pressure mercury lamp, the entire surface was exposed from the thermoplastic resin layer side at i line and 40 mJ / cm 2 . Next, a triethanolamine developer (containing 30% triethanolamine, trade name: T-PD2 (manufactured by FUJIFILM Corporation) 10 times with pure water (1 part of T-PD2 and 9 parts of pure water). The mixture was diluted to 30) at 30 C for 60 seconds at a flat nozzle pressure of 0.04 MPa to remove the thermoplastic resin and the intermediate layer. Subsequently, air was blown onto the upper surface (photosensitive resin layer side) of the glass substrate to drain the liquid, and then pure water was blown for 10 seconds in a shower, washed, and air was blown to remove a liquid pool on the glass substrate. Reduced. Next, the substrate is heat-treated at 230 ° C. for 60 minutes (post-bake), the decorative layer, the transparent resin film in which the step of the decorative layer is embedded, the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern, the second Obtaining a transparent electrode pattern, a front plate on which a conductive element different from the first and second transparent electrode patterns and a transparent protective layer-A are laminated, a conductive film laminate and a capacitive input device of Example 1 It was.
<静電容量型入力装置の評価>
(静電容量型入力装置の製造時の電極パターンの断線の評価)
電極パターンの断線の有無を、図18および図19の透明電極パターンの4A−4B間の電気導通性を評価することにより断線の有無を検討し、下記基準にしたがって評価を行なった。B以上が実用レベルである。
<Evaluation of capacitive input device>
(Evaluation of disconnection of electrode pattern when manufacturing capacitive input device)
The presence or absence of disconnection of the electrode pattern was evaluated by evaluating the electrical continuity between 4A and 4B of the transparent electrode pattern of FIGS. 18 and 19, and was evaluated according to the following criteria. B and above are practical levels.
〈評価基準〉
A:断線率5%以下
B:断線率5%を超え、50%以下
C:断線率50%を超える。
評価結果を下記表2に記載した。
<Evaluation criteria>
A:
The evaluation results are shown in Table 2 below.
(落下時の断線防止効果(静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線))
上記のようにして電極を作製したガラス基板を、高さ70cmから透明樹脂膜の面が上向きになるようにコンクリート上へ落下させ、基板ひびが入った状態での透明電極断線の有無を評価した。断線の有無は上記、電極の評価と同じく、図18および図19の透明電極パターンの4A−4B間の電気導通性により評価した。
(Effect of preventing disconnection when dropped (disconnection of the electrode pattern when the front panel of the capacitive input device is broken))
The glass substrate on which the electrode was produced as described above was dropped onto the concrete from a height of 70 cm so that the surface of the transparent resin film faced upward, and the presence or absence of the transparent electrode breakage in the state where the substrate cracked was evaluated. . The presence or absence of disconnection was evaluated by the electrical continuity between 4A and 4B of the transparent electrode patterns of FIGS.
〈評価基準〉
A:断線率5%以下
B:断線率5%を超え、30%以下
C:断線率30%を超え、50%以下
D:断線率50%を超える。
評価結果を下記表2に記載した。
<Evaluation criteria>
A:
The evaluation results are shown in Table 2 below.
(角度A、B)
SEMにより断面形状を観察し、その断面形状の模式図を図17に示した。図17における透明樹脂膜が形成する角度Aおよび角度Bを測定した。
角度Aの定義は、透明樹脂膜の端部から加飾層上に形成された透明樹脂膜へ引いた接線と、加飾層の透明樹脂膜側の表面と、のなす角である。
角度Bの定義は、加飾層の上部ではない部分における透明樹脂膜の膜厚が一定な部分の表面と、透明樹脂膜が下方に存在する加飾層の影響により盛り上がり始めた点から透明樹脂膜が下方に存在する加飾層の影響により盛り上がった部分へ引いた接線と、のなす角である。
評価結果を下記表2に記載した。
(Angle A, B)
The cross-sectional shape was observed by SEM, and a schematic diagram of the cross-sectional shape is shown in FIG. The angles A and B formed by the transparent resin film in FIG. 17 were measured.
The definition of the angle A is an angle formed by the tangent line drawn from the end of the transparent resin film to the transparent resin film formed on the decorative layer and the surface of the decorative layer on the transparent resin film side.
The definition of the angle B is a transparent resin from the point that the surface of the transparent resin film where the film thickness is not constant in the part that is not the upper part of the decorative layer and the effect of the decorative layer in which the transparent resin film exists below begins to rise. This is the angle formed by the tangent line drawn to the raised part due to the influence of the decorative layer existing below the film.
The evaluation results are shown in Table 2 below.
[実施例2〜6および10]
実施例1において、透明樹脂膜用塗布液:処方C1の代わりに、下記表1および2に記載の処方に変更した以外は透明樹脂膜用塗布液:処方C1の調製と同様にして調製した透明樹脂膜用塗布液を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例2〜6および10の透明樹脂膜および段差埋め込み用の転写フィルムを作製した。
実施例1で用いた段差埋め込み用の転写フィルムに代えて、作製した実施例2〜6および10の段差埋め込み用の転写フィルムをそれぞれ用いた以外は実施例1の透明樹脂膜のはめ込みと同様にして、白色加飾層の額縁内に隙間無く、かつ、白色加飾層の上に透明樹脂膜の各端部が5mmずつ乗り上げるように透明樹脂膜をはめ込み、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、第二の透明電極パターン、第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素および透明保護層−Aを形成した前面板を作製し、実施例2〜6および10の導電膜積層体および静電容量型入力装置とした。
実施例2〜6および10の透明樹脂膜および静電容量型入力装置を実施例1と同様にして評価した結果を下記表2に記載した。
[Examples 2 to 6 and 10]
In Example 1, the transparent resin film coating solution: Transparent prepared in the same manner as the preparation of the transparent resin film coating solution: Formulation C1, except that the formulation described in Tables 1 and 2 below was used instead of the formulation C1. Transparent resin films and transfer films for embedding steps were prepared in the same manner as in Example 1 except that the resin film coating solution was used.
In place of the step-embedding transfer film used in Example 1, instead of using the prepared step-embedding transfer films of Examples 2 to 6 and 10, respectively, the same procedures as those for embedding the transparent resin film in Example 1 were used. The transparent resin film is inserted so that there is no gap in the frame of the white decorative layer and each end of the transparent resin film runs 5 mm above the white decorative layer, and the step between the decorative layer and the decorative layer The transparent resin film, the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern, the second transparent electrode pattern, the conductive element different from the first and second transparent electrode patterns, and the transparent protective layer-A were formed. A front plate was produced, and the conductive film laminate and the capacitive input device of Examples 2 to 6 and 10 were used.
The results of evaluating the transparent resin films and the capacitive input devices of Examples 2 to 6 and 10 in the same manner as in Example 1 are shown in Table 2 below.
[実施例7および9]
実施例3において、透明樹脂膜の膜厚をそれぞれ100μm(実施例7)、5μm(実施例9)とした以外は実施例3と同様にして、実施例7および9の段差埋め込み用の転写フィルムを作製した。
実施例1で用いた段差埋め込み用の転写フィルムに代えて、作製した実施例7および9の段差埋め込み用の転写フィルムをそれぞれ用いた以外は実施例1の透明樹脂膜のはめ込みと同様にして、白色加飾層の額縁内に隙間無く、かつ、白色加飾層の上に透明樹脂膜の各端部が5mmずつ乗り上げるように透明樹脂膜をはめ込み、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、第二の透明電極パターン、第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素および透明保護層−Aを形成した前面板を作製し、実施例7および9の導電膜積層体および静電容量型入力装置とした。
実施例7および9の透明樹脂膜および静電容量型入力装置を実施例1と同様にして評価した結果を下記表2に記載した。
[Examples 7 and 9]
The transfer film for embedding steps of Examples 7 and 9 is the same as Example 3 except that the film thickness of the transparent resin film is 100 μm (Example 7) and 5 μm (Example 9), respectively. Was made.
Instead of using the transfer film for embedding the steps of Examples 7 and 9 instead of the transfer film for embedding the steps used in Example 1, in the same manner as the embedding of the transparent resin film of Example 1, Insert the transparent resin film so that there is no gap in the frame of the white decorative layer and each end of the transparent resin film runs 5mm above the white decorative layer, and embeds the steps of the decorative layer and the decorative layer. A front plate on which a transparent resin film, a first transparent electrode pattern, an insulating layer pattern, a second transparent electrode pattern, a conductive element different from the first and second transparent electrode patterns, and a transparent protective layer-A are formed. Were made to be a conductive film laminate and a capacitive input device of Examples 7 and 9.
The results of evaluating the transparent resin films and the capacitive input devices of Examples 7 and 9 in the same manner as in Example 1 are shown in Table 2 below.
[実施例8]
実施例8では、白色加飾層の額縁の内部に、転写フィルムを用いて透明樹脂膜をはめ込む代わりに、液体レジストを用いた塗布により透明樹脂膜の作製を行った。
実施例1において、透明樹脂膜用塗布液:処方C1の代わりに、下記表1および2に記載の処方に変更した以外は透明樹脂膜用塗布液:処方C1の調製と同様にして、実施例8用の透明樹脂膜用塗布液を調製した。
実施例1で用いた白色加飾層が設けられたガラス基材上の白色加飾層の額縁内に、スリット状ノズルを有するガラス基材用コーター(エフ・エー・エス・ジャパン社製、商品名:MH−1600)にて、実施例8用の透明樹脂膜作成用の透明レジストを塗布した。引き続きVCD(真空乾燥装置、東京応化工業(株)製)で30秒間、溶媒の一部を乾燥して塗布層の流動性を無くした後、EBR(エッジ・ビード・リムーバー)にて基材周囲の不要な塗布液を除去し、120℃、3分間プリベークして、上記強化処理ガラス上に膜厚5.0μmの透明樹脂膜を得た(液体レジスト法)。透明樹脂膜作製用塗布液の塗布を20回繰り返し、上記ガラス基材上に膜厚5.0μmの層が20層形成された、実施例8の膜厚100μmの透明樹脂膜を得た。なお、白色加飾層の膜厚を超えた以降は、白色加飾層の上に透明樹脂膜の各端部が5mmずつ乗り上げるように塗布を行った。得られた加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、第二の透明電極パターン、第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素および透明保護層−Aを形成した前面板を、実施例8の導電膜積層体および静電容量型入力装置とした。
実施例8の透明樹脂膜および静電容量型入力装置を実施例1と同様にして評価した結果を下記表2に記載した。
[Example 8]
In Example 8, instead of inserting a transparent resin film into the frame of the white decorative layer using a transfer film, a transparent resin film was prepared by application using a liquid resist.
In Example 1, instead of the coating solution for transparent resin film: formulation C1, the same procedure as in the preparation of coating solution for transparent resin film: formulation C1 except that the formulation described in Tables 1 and 2 below was used. A coating solution for transparent resin film for 8 was prepared.
In the frame of the white decorative layer on the glass base material provided with the white decorative layer used in Example 1, a coater for glass base material (manufactured by FS Japan Co., Ltd., product) (Name: MH-1600), a transparent resist for forming a transparent resin film for Example 8 was applied. Subsequently, after part of the solvent was dried by VCD (vacuum dryer, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) for 30 seconds to eliminate the fluidity of the coating layer, the periphery of the substrate was measured by EBR (edge bead remover). The unnecessary coating solution was removed and prebaked at 120 ° C. for 3 minutes to obtain a transparent resin film having a thickness of 5.0 μm on the tempered glass (liquid resist method). The application of the coating solution for producing the transparent resin film was repeated 20 times to obtain a transparent resin film having a film thickness of 100 μm of Example 8 in which 20 layers having a film thickness of 5.0 μm were formed on the glass substrate. In addition, after exceeding the film thickness of the white decoration layer, it apply | coated so that each edge part of a transparent resin film might run on 5 mm at a time on a white decoration layer. The obtained decorative layer, the transparent resin film in which the step of the decorative layer is embedded, the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern, the second transparent electrode pattern, different from the first and second transparent electrode patterns The front plate on which the conductive element and the transparent protective layer-A were formed was used as the conductive film laminate and the capacitive input device of Example 8.
The results of evaluating the transparent resin film and the capacitive input device of Example 8 in the same manner as in Example 1 are shown in Table 2 below.
[比較例1]
実施例1において、段差埋め込み用転写フィルムを転写せず、すなわち、白色加飾層の額縁の内部に透明樹脂が存在しない状態とした以外は実施例1と同様にして、白色加飾層、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、第二の透明電極パターン、第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素および透明保護層−Aを形成した前面板を作製し、比較例1の導電膜積層体および静電容量型入力装置とした。
比較例1の静電容量型入力装置を実施例1と同様にして評価した結果を下記表2に記載した。
[Comparative Example 1]
In Example 1, the step of embedding the step-embedded transfer film, that is, in the same manner as in Example 1 except that the transparent resin is not present inside the frame of the white decorative layer, the white decorative layer, A front plate on which a transparent element pattern, an insulating layer pattern, a second transparent electrode pattern, a conductive element different from the first and second transparent electrode patterns and a transparent protective layer-A are formed is prepared. 1 conductive film laminate and capacitive input device.
The results of evaluating the capacitive input device of Comparative Example 1 in the same manner as in Example 1 are shown in Table 2 below.
[比較例2]
実施例1の透明樹脂膜用塗布液:処方C1の調製において、アクリル樹脂であるベンジルメタクリレート/メタクリル酸=68/32モル比のランダム共重合物、重量平均分子量5.0万)(比較例2)を用いた以外は実施例1と同様にして(固形分添加量は同じ)、すなわち下記表1に示すバインダーを用いた以外は実施例1と同様にして、白色加飾層の額縁内に透明樹脂膜を埋め込み、加飾層、加飾層の段差を埋め込んだ透明樹脂膜、第一の透明電極パターン、絶縁層パターン、第二の透明電極パターン、第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素および透明保護層−Aを形成した前面板を作製し、比較例2の静電容量型入力装置とした。
比較例2の透明樹脂膜および静電容量型入力装置を実施例1と同様にして評価した結果を下記表2に記載した。
[Comparative Example 2]
Coating liquid for transparent resin film of Example 1: In preparation of formulation C1, benzyl methacrylate / methacrylic acid which is an acrylic resin / random copolymer of 68/32 molar ratio, weight average molecular weight 50,000) (Comparative Example 2 ) In the same manner as in Example 1 (the same solid content is added), that is, in the same manner as in Example 1 except that the binder shown in Table 1 below is used. A transparent resin film embedded, a decorative layer, a transparent resin film embedded with a step in the decorative layer, a first transparent electrode pattern, an insulating layer pattern, a second transparent electrode pattern, a first and a second transparent electrode pattern Manufactured a front plate on which another conductive element and transparent protective layer-A were formed, and used as a capacitance-type input device of Comparative Example 2.
The results of evaluating the transparent resin film and the capacitive input device of Comparative Example 2 in the same manner as in Example 1 are shown in Table 2 below.
上記表1および表2より、本発明の透明樹脂膜は、透明な前面板と、前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、前面板の機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めることができ、透明度が高く、静電容量型入力装置の製造時の電極パターンの断線を抑制でき、静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線を抑制できることがわかった。
比較例1より、電極パターンと前面板の間に透明樹脂膜を有さない静電容量型入力装置は、静電容量型入力装置の製造時の電極パターンの断線の問題が生じ、静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線の問題も生じることがわかった。
比較例2より、電極パターンと前面板の間にシリコーンレジンも触媒も含まない透明樹脂膜を有する静電容量型入力装置は、透明樹脂膜のポストベーク後の透明度が低く静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線の問題も生じることがわかった。
From Table 1 and Table 2, the transparent resin film of the present invention is disposed on the same front side as the transparent front plate, the functional layer disposed on a part of one surface of the front plate, and the functional layer of the front plate. Capacitance type input device having a patterned electrode pattern can fill at least a step between the electrode pattern and the front plate, has high transparency, and disconnects the electrode pattern during the production of the capacitance type input device. It was found that the disconnection of the electrode pattern when the front plate of the capacitive input device was cracked could be suppressed.
From the comparative example 1, the capacitance type input device having no transparent resin film between the electrode pattern and the front plate has a problem of disconnection of the electrode pattern during the production of the capacitance type input device. It has been found that there is a problem of disconnection of the electrode pattern when the front plate of the device is cracked.
From Comparative Example 2, the capacitance type input device having a transparent resin film containing neither a silicone resin nor a catalyst between the electrode pattern and the front plate has a low transparency after post-baking of the transparent resin film, and is in front of the capacitance type input device. It turned out that the problem of the disconnection of an electrode pattern also arises when a face plate is cracked.
なお、上記表1および表2より、図17の模式図で示す角度Aおよび/または角度Bが小さいほど電極パターンの断線が起こりづらいこともわかった。角度Aは15°以下であることが好ましく、10°以下であることがより好ましい。角度Bは15°以下であることが好ましく、10°以下であることがより好ましい。
一方、上記表1および表2からは、落下時の断線防止の性能は角Aや角Bとは相関関係があまり見出せないように思われた。
また、別途、透明樹脂膜の端部を加飾層の上に乗り上げない(重ねない)ように配置する態様も検討したが、透明樹脂膜の端部を加飾層の上に一部乗り上げる(重ねる)ように配置する態様と比べて、透明度、静電容量型入力装置の製造時の電極パターンの断線、静電容量型入力装置の前面板が割れた場合の電極パターンの断線に性能差はなかった。ただし、透明樹脂膜を、転写フィルムに含まれる透明樹脂膜を少なくとも電極パターンと前面板との間の段差を埋めるように転写することにより形成する場合は、透明樹脂膜の端部を加飾層の上に一部乗り上げる(重ねる)ように配置する態様の方が製造しやすいことがわかった。
From Table 1 and Table 2 above, it was also found that the electrode pattern is less likely to break as the angle A and / or the angle B shown in the schematic diagram of FIG. 17 is smaller. The angle A is preferably 15 ° or less, and more preferably 10 ° or less. The angle B is preferably 15 ° or less, and more preferably 10 ° or less.
On the other hand, from Table 1 and Table 2 above, it seemed that the performance of preventing disconnection at the time of dropping hardly correlates with the corners A and B.
Moreover, although the aspect which arrange | positions separately so that the edge part of a transparent resin film may not be ridden on a decoration layer (it does not overlap) is also considered, the edge part of a transparent resin film is partially ridden on a decoration layer ( Compared to the arrangement mode, the difference in performance is due to the transparency, the disconnection of the electrode pattern when manufacturing the capacitive input device, and the disconnection of the electrode pattern when the front plate of the capacitive input device is cracked. There wasn't. However, if the transparent resin film is formed by transferring the transparent resin film contained in the transfer film so as to fill at least the step between the electrode pattern and the front plate, the end of the transparent resin film is a decorative layer. It has been found that it is easier to manufacture an embodiment in which a part of the vehicle is placed on (superposed).
(白色加飾層近傍の気泡取り込み状態)
なお、各実施例の透明樹脂膜を埋めこんだ白色加飾層(額縁形状)を有する前面板を、前面板の加飾層を形成した面、および加飾層を形成した面とは反対側の面を反射光及び透過光を用いて顕微鏡にて観察し、白色加飾層近傍の気泡取り込み状態を確認した。各実施例の導電膜積層体は、白色加飾層(額縁形状)近傍に気泡の取り込みは、全く認められないか、あるいは、白色加飾層(額縁形状)近傍に気泡の取り込みが数個認められたが、加飾層を形成した面とは反対側の面からは認識できなかったことを確認した。
(Bubble trapping state near the white decorative layer)
In addition, the surface which formed the white decorative layer (frame shape) which embedded the transparent resin film of each Example, the surface which formed the decorative layer of the front plate, and the surface which formed the decorative layer are the other side. The surface was observed with a microscope using reflected light and transmitted light, and the bubble intake state in the vicinity of the white decorative layer was confirmed. In each of the conductive film laminates of each example, no air bubble was found in the vicinity of the white decorative layer (frame shape), or several air bubbles were taken in the vicinity of the white decorative layer (frame shape). However, it was confirmed that it could not be recognized from the surface opposite to the surface on which the decorative layer was formed.
1 前面板
2 加飾層
3 第一の透明電極パターン
3a パッド部分
3b 接続部分
4 第二の透明電極パターン
4A 加飾層の一方の辺上の第二の透明電極パターン
4B 加飾層のもう一方の辺上の第二の透明電極パターン
5 絶縁層
6 導電性要素
7、7A 透明保護層
8 開口部
9 本発明の透明樹脂膜(段差埋め込み用)
L 加飾層の内径(一辺)
11 強化処理ガラス
A 透明樹脂膜の端部から加飾層上に形成された透明樹脂膜へ引いた接線と、加飾層の透明樹脂膜側の表面と、のなす角
B 加飾層の上部ではない部分における透明樹脂膜の膜厚が一定な部分の表面と、透明樹脂膜が下方に存在する加飾層の影響により盛り上がり始めた点から透明樹脂膜が下方に存在する加飾層の影響により盛り上がった部分へ引いた接線と、のなす角
C 第1の方向
D 第2の方向
21 仮支持体
22 熱可塑性樹脂層
23 中間層
24 加飾層
25 カバーフィルム(保護フィルム)
31 非画像部
32 画像部
33 刃
40 転写材料
41 枠内部
42 枠外部
43 配線取出し部
44 加飾層(取り除かれなかった領域)
45 加飾層が取り除かれた領域
DESCRIPTION OF
L Inner diameter of decorative layer (one side)
11 Tempered glass A Angle formed by the tangent line drawn from the end of the transparent resin film to the transparent resin film formed on the decorative layer, and the surface of the decorative layer on the transparent resin film side B Upper part of the decorative layer Influence of the decorative layer with the transparent resin film underneath because the surface of the transparent resin film with a constant thickness in the part that is not and the point where the transparent resin film began to rise due to the influence of the decorative layer underneath The angle C formed by the tangent drawn to the raised part by the first direction D the
31
45 Area from which the decoration layer has been removed
Claims (19)
前記触媒の含有量が、前記シリコーンレジンの含有量に対して0.5〜5.0質量%であり、
前記透明樹脂膜が、透明な前面板と、前記前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、前記前面板の前記機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有する静電容量型入力装置の少なくとも前記電極パターンと前記前面板との間の段差を埋めるために用いられる、透明樹脂膜。 A transparent resin film containing at least a silicone resin and a catalyst and having a thickness of 5 to 300 μm;
The content of the catalyst is 0.5 to 5.0 mass% with respect to the content of the silicone resin,
The transparent resin film has a transparent front plate, a functional layer disposed on a part of one surface of the front plate, and an electrode pattern disposed on the same surface side as the functional layer of the front plate. A transparent resin film used to fill at least a step between the electrode pattern and the front plate of a capacitive input device.
請求項1〜4のいずれか一項に記載の透明樹脂膜とを含む、転写フィルム。 A temporary support;
The transfer film containing the transparent resin film as described in any one of Claims 1-4 .
前記前面板の一方の面の一部に配置された機能層と、
前記前面板の前記機能層と同じ面側に配置された電極パターンとを有し、
少なくとも前記電極パターンと前記前面板との間の段差を埋めるように請求項1〜4のいずれか一項に記載の透明樹脂膜を有する、導電膜積層体。 A transparent front plate,
A functional layer disposed on a part of one surface of the front plate;
An electrode pattern disposed on the same side as the functional layer of the front plate,
The electrically conductive film laminated body which has a transparent resin film as described in any one of Claims 1-4 so that the level | step difference between the said electrode pattern and the said front plate may be filled at least.
(1)複数のパッド部分が接続部分を介して第一の方向に延在して形成された複数の第一の透明電極パターン;
(2)前記第一の透明電極パターンと電気的に絶縁され、前記第一の方向に交差する方向に延在して形成された複数のパッド部分からなる複数の第二の電極パターン;
(3)前記第一の透明電極パターンと前記第二の電極パターンとを電気的に絶縁する絶縁層。 It said electrode pattern comprises the following (1) to (3), a conductive film laminate according to any one of claims 6-10;
(1) A plurality of first transparent electrode patterns formed by extending a plurality of pad portions in a first direction through connection portions;
(2) A plurality of second electrode patterns comprising a plurality of pad portions that are electrically insulated from the first transparent electrode pattern and extend in a direction crossing the first direction;
(3) An insulating layer that electrically insulates the first transparent electrode pattern from the second electrode pattern.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014113094A JP6207466B2 (en) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | Transparent resin film, transfer film, conductive film laminate, capacitive input device, and image display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014113094A JP6207466B2 (en) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | Transparent resin film, transfer film, conductive film laminate, capacitive input device, and image display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015228107A JP2015228107A (en) | 2015-12-17 |
JP6207466B2 true JP6207466B2 (en) | 2017-10-04 |
Family
ID=54885547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014113094A Active JP6207466B2 (en) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | Transparent resin film, transfer film, conductive film laminate, capacitive input device, and image display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6207466B2 (en) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3523098B2 (en) * | 1998-12-28 | 2004-04-26 | 信越化学工業株式会社 | Addition-curable silicone composition |
JP2010097070A (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Nitto Denko Corp | Transparent pressure-sensitive adhesive sheet for flat panel display, and flat panel display |
JP5445042B2 (en) * | 2009-11-11 | 2014-03-19 | 東レ株式会社 | Conductive laminate and touch panel using the same |
JP2013001817A (en) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Mitsubishi Plastics Inc | Base-less double-sided tacky adhesive sheet |
JP5780455B2 (en) * | 2011-06-17 | 2015-09-16 | 凸版印刷株式会社 | Projection-type capacitive touch panel sensor and method for manufacturing the same, and display device including projection-type capacitive touch panel sensor |
JP5440747B2 (en) * | 2011-11-07 | 2014-03-12 | 王子ホールディングス株式会社 | Display device with capacitive touch panel, capacitive touch panel |
JP2013238923A (en) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Toppan Printing Co Ltd | Front plate for touch panel, integrated sensor substrate of front plate for touch panel and touch panel sensor, and display unit equipped with these |
-
2014
- 2014-05-30 JP JP2014113094A patent/JP6207466B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015228107A (en) | 2015-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5955787B2 (en) | Transfer film, method of manufacturing capacitive input device, capacitive input device, and image display device including the same | |
JP5922008B2 (en) | TRANSFER FILM AND TRANSPARENT LAMINATE, ITS MANUFACTURING METHOD, CAPACITANCE TYPE INPUT DEVICE, AND IMAGE DISPLAY DEVICE | |
JP5901451B2 (en) | Transparent laminate, capacitance input device, and image display device | |
JP5914392B2 (en) | Photosensitive film, method for manufacturing capacitance-type input device, capacitance-type input device, and image display device including the same | |
CN107066134B (en) | Transfer material, capacitance-type input device, method for manufacturing capacitance-type input device, and image display device provided with capacitance-type input device and method for manufacturing capacitance-type input device | |
JP5857013B2 (en) | SUBSTRATE WITH DECORATION MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD, TOUCH PANEL AND INFORMATION DISPLAY DEVICE | |
JP6030966B2 (en) | Transparent laminate and method for producing the same | |
JP5860419B2 (en) | Coloring composition for heat-resistant decoration, method for manufacturing capacitive input device, capacitive input device, and image display device including the same | |
JP6204887B2 (en) | LAMINATE, TRANSFER FILM, LAMINATE MANUFACTURING METHOD, CONDUCTIVE FILM LAMINATE, CAPACITANCE TYPE INPUT DEVICE, AND IMAGE DISPLAY DEVICE | |
JP5887314B2 (en) | Capacitance type input device manufacturing method, capacitance type input device, and image display apparatus including the same | |
WO2014115646A1 (en) | Transparent resin film, transfer film, conductive film laminate, capacitive input device, and image display device | |
JP5986934B2 (en) | Protective film forming composition, transfer material, conductive film laminate, touch panel and image display device | |
JP6375226B2 (en) | Curable composition, transfer film, front plate of image display device, front plate integrated sensor, image display device, and method for manufacturing front plate of image display device | |
WO2015186549A1 (en) | Laminate, transfer film, method for producing laminate, conductive film laminate, capacitive input device and image display device | |
JP6393179B2 (en) | A curable composition, a front plate of an image display device, a front plate integrated sensor, an image display device, and a method of manufacturing the front plate of the image display device. | |
JP6207466B2 (en) | Transparent resin film, transfer film, conductive film laminate, capacitive input device, and image display device | |
JP6093891B2 (en) | Transparent laminate, capacitance input device, and image display device | |
JP6865867B2 (en) | Transfer films and transparent laminates, their manufacturing methods, capacitive input devices and image display devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170829 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6207466 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |