JP6194210B2 - Grinding wheel and wafer processing method - Google Patents

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Description

本発明は、ウエーハの裏面の外周余剰領域にリング状の補強部を残してウエーハを凹部に研削する研削ホイール及びウエーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a grinding wheel and a wafer processing method for grinding a wafer into a concave portion while leaving a ring-shaped reinforcing portion in an outer peripheral surplus region on the back surface of the wafer.
複数のデバイスが形成されたウエーハは、ダイシング装置等の分割装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話機、パソコン等の各種電子機器に利用される。そして、電子機器の軽量化、小型化を可能にするために、ウエーハの厚みは100μm〜50μm程度に薄く研削されデバイスの軽量化、小型化が図られている。   A wafer on which a plurality of devices are formed is divided into individual devices by a dividing device such as a dicing device, and used for various electronic devices such as a mobile phone and a personal computer. In order to reduce the weight and size of electronic equipment, the thickness of the wafer is thinly ground to about 100 μm to 50 μm to reduce the weight and size of the device.
ここで、ウエーハを薄く研削すると取り扱いが困難になることから、ウエーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削して薄く加工しデバイス領域を囲繞する外周余剰領域にリング状の補強部を残存させウエーハを凹形状に加工する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   Here, if the wafer is thinly ground, it becomes difficult to handle. Therefore, only the back surface corresponding to the device area of the wafer is ground and thinned to leave a ring-shaped reinforcing portion in the outer peripheral area surrounding the device area, thereby leaving the wafer. Has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
ここで、凹形状ウエーハのデバイス領域やチップに個片化した後に破損などのトラブルを生じさせないためには、加工ダメージをウエーハに残さないよう、デバイス領域に対応する裏面を研削する際は、できるだけ砥粒径の小さな砥石にて仕上げる必要がある。しかし、微細な砥粒からなる砥石によってウエーハの元の厚みから研削加工した場合、加工に要する時間が長くなって生産性が低下するだけでなく、砥石の磨耗が早く消耗工具費が高くなるという問題がある。そこで、粗研削加工である程度研削した後に、細かい砥粒の砥石で仕上げ研削を行うようにしている(例えば、特許文献2参照)。   Here, in order not to cause troubles such as breakage after singulation into the device area or chip of the concave wafer, when grinding the back surface corresponding to the device area so as not to leave processing damage on the wafer, as much as possible It is necessary to finish with a grindstone with a small abrasive grain size. However, if grinding is performed from the original thickness of the wafer with a grindstone made of fine abrasive grains, not only will the time required for the process become longer and the productivity will be lowered, but also the wear of the grindstone will be faster and the consumption tool cost will be higher. There's a problem. Then, after grinding to some extent by rough grinding, finish grinding is performed with a grindstone of fine abrasive grains (see, for example, Patent Document 2).
特開2007−019461号公報JP 2007-019461 A 特開2009−176896号公報JP 2009-176896 A
仕上げ研削加工時には、仕上げ用研削ホイールを粗研削加工時の凹部の内壁からわずかに内周側に位置付けてゆっくり研削を行い、粗研削加工時の凹部の内部に仕上げ凹形状を形成している。そのため、リング状の補強部の凹形状の内壁は粗研削加工用の粗い砥石で研削されている状態であり、その後のストレスリリースでエッチングを行っても研削痕が残ってしまったり、搬送中にリング状の補強部からチッピングとして欠けてしまうという問題がある。   At the time of finish grinding, the grinding wheel for finishing is positioned slightly on the inner peripheral side from the inner wall of the recess at the time of rough grinding, and the grinding is slowly performed to form a finish concave shape inside the recess at the time of rough grinding. Therefore, the concave inner wall of the ring-shaped reinforcing part is ground with a rough grindstone for rough grinding, and grinding marks may remain even after etching with subsequent stress release, or during transportation There is a problem of chipping from the ring-shaped reinforcing portion.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウエーハを凹形状に加工する際、特に粗研削加工においてリング状の補強部の加工状態を良好にすることが可能な研削ホイール及びウエーハの加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above, and when processing a wafer into a concave shape, a grinding wheel and a wafer capable of improving the processing state of a ring-shaped reinforcing portion particularly in rough grinding processing. It is to provide a processing method.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の研削ホイールは、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの該デバイス領域の裏面を凹形状に研削し、該外周余剰領域の裏面にリング状の補強部を形成するウエーハの加工方法において使用する研削ホイールであって、円盤状の砥石基台と、該砥石基台の一端面に円環状に装着された複数の研削砥石とを具備し、該研削砥石は、円環状の外周側の第一の砥石と内周側の第二の砥石と少なくとも2層に形成されており、該外周側の第一の砥石に含有する砥粒の粒径は、該内周側の該第二の砥石に含有する砥粒の粒径よりも小さいことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, the grinding wheel of the present invention includes a device region in which a plurality of devices are formed on a surface and an outer peripheral surplus region surrounding the device region. A grinding wheel for use in a wafer processing method for grinding a back surface of a region into a concave shape and forming a ring-shaped reinforcing portion on a back surface of the outer peripheral surplus region, comprising: a disc-shaped grindstone base; and the grindstone base A plurality of grinding wheels mounted in an annular shape on one end face thereof, and the grinding wheels are formed in at least two layers, a first grinding wheel on the outer circumferential side of the annular shape and a second grinding wheel on the inner circumferential side. The particle diameter of the abrasive grains contained in the first grindstone on the outer peripheral side is smaller than the grain diameter of the abrasive grains contained in the second grindstone on the inner peripheral side.
本発明のウエーハの加工方法は、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの該デバイス領域の裏面を請求項1記載の研削ホイールを用いて凹形状に研削し、該外周余剰領域の裏面にリング状の補強部を形成するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面側を吸着テーブルに保持し、ウエーハの該外周余剰領域の裏面の内周縁に対応する箇所に該研削ホイールの該第一の砥石の該外周縁を位置付けてウエーハの該デバイス領域の裏面を凹状に加工することを特徴とする。   The method for processing a wafer according to the present invention includes the grinding wheel according to claim 1, wherein the back surface of the device region of the wafer is provided with a device region having a plurality of devices formed on the surface and an outer peripheral surplus region surrounding the device region. A method of processing a wafer, wherein the wafer is ground into a concave shape and a ring-shaped reinforcing portion is formed on the back surface of the outer peripheral surplus region, the front side of the wafer being held on a suction table, and the rear surface of the outer peripheral surplus region of the wafer The outer peripheral edge of the first grindstone of the grinding wheel is positioned at a position corresponding to the inner peripheral edge of the wafer, and the back surface of the device region of the wafer is processed into a concave shape.
本発明は、研削砥石の外周側に仕上げ研削加工用の砥粒を含有させ、内周側に通常の粗研削加工用の砥粒を含有させた2層構造の研削ホイールを用いるため、リング状の補強部の内周側を外周側の仕上げ研削加工用の砥粒で研削する。このために、本発明は、リング状の補強部の内周面の加工状態を良好にすることができ、後の工程におけるストレスリリースの際に良好な面状態とすることが可能である。また、内周側の層は通常の粗研削加工用の砥粒が含有されているため、加工スピードの過度な減少を抑えることができる。   Since the present invention uses a grinding wheel having a two-layer structure in which abrasive grains for finish grinding are contained on the outer peripheral side of the grinding wheel and normal abrasive grains are contained on the inner peripheral side, a ring shape is used. The inner peripheral side of the reinforcing portion is ground with abrasive grains for finish grinding on the outer peripheral side. For this reason, this invention can make the processing state of the internal peripheral surface of a ring-shaped reinforcement part favorable, and can make it a favorable surface state in the case of stress release in a later process. Further, since the inner peripheral layer contains abrasive grains for normal rough grinding, an excessive decrease in processing speed can be suppressed.
図1は、実施形態に係るウエーハの加工方法を実施する研削装置の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a grinding apparatus that performs a wafer processing method according to an embodiment. 図2は、実施形態に係るウエーハの加工方法により加工されるウエーハの平面図である。FIG. 2 is a plan view of the wafer processed by the wafer processing method according to the embodiment. 図3は、実施形態に係る研削ホイールを分解して示す斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of the grinding wheel according to the embodiment. 図4は、実施形態に係るウエーハの加工方法の研削加工中の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view during grinding of the wafer processing method according to the embodiment. 図5は、実施形態に係るウエーハの加工方法の仕上げ研削加工中の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the wafer processing method according to the embodiment during finish grinding.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the structures described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.
〔実施形態〕
本実施形態に係る研削ホイール及びウエーハの加工方法を、図面に基づいて説明する。図1は、実施形態に係る研削ホイールを用いたウエーハの加工方法を実施する研削装置の斜視図、図2は、実施形態に係る研削ホイールを用いたウエーハの加工方法により加工されるウエーハの平面図、図3は、実施形態に係る研削ホイールを分解して示す斜視図、図4は、実施形態に係る研削ホイールを用いたウエーハの加工方法の研削加工中の断面図、図5は、実施形態に係る研削ホイールを用いたウエーハの加工方法の仕上げ研削加工中の断面図である。
Embodiment
A grinding wheel and wafer processing method according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a grinding apparatus that performs a wafer processing method using the grinding wheel according to the embodiment. FIG. 2 is a plan view of the wafer that is processed by the wafer processing method using the grinding wheel according to the embodiment. FIG. 3 is an exploded perspective view of the grinding wheel according to the embodiment, FIG. 4 is a cross-sectional view of the wafer processing method using the grinding wheel according to the embodiment during grinding, and FIG. It is sectional drawing in the finish grinding process of the processing method of the wafer using the grinding wheel which concerns on a form.
本実施形態に係るウエーハの加工方法は、図3に示された研削ホイール22を用いて、図2に示すウエーハWを加工するウエーハWの加工方法(以下、単に加工方法と記す)である。   The wafer processing method according to the present embodiment is a wafer W processing method (hereinafter simply referred to as a processing method) for processing the wafer W shown in FIG. 2 using the grinding wheel 22 shown in FIG.
なお、本実施形態に係る加工方法により加工されるウエーハWは、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハWは、図2に示すように、表面Waに複数のデバイスDが形成されたデバイス領域W1と、デバイス領域W1を囲繞する外周余剰領域W2とを備えている。ウエーハWは、表面Waに保護テープTが貼着され、保護テープTを介して表面Wa側が研削ホイール22を備えた研削装置1の吸着テーブル10に保持される。ウエーハWは、研削装置1により裏面Wb(図1に示す)側から凹形状に研削されて、凹部WR(図1に示す)が形成される。   Note that the wafer W processed by the processing method according to the present embodiment is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device wafer having a base material of silicon, sapphire, gallium, or the like in the present embodiment. As shown in FIG. 2, the wafer W includes a device region W1 in which a plurality of devices D are formed on the surface Wa, and an outer peripheral surplus region W2 surrounding the device region W1. The wafer W has a protective tape T attached to the surface Wa, and the surface Wa side is held by the suction table 10 of the grinding apparatus 1 provided with the grinding wheel 22 via the protective tape T. The wafer W is ground into a concave shape from the back surface Wb (shown in FIG. 1) by the grinding device 1 to form a concave WR (shown in FIG. 1).
研削装置1は、ウエーハWのデバイス領域W1の裏面を凹形状に研削し、凹部WRを形成するものである。即ち、研削装置1は、ウエーハWに所謂TAIKO加工を施すものである。研削装置1は、図1に示すように、ウエーハWを保持する吸着テーブル10と、吸着テーブル10に保持されたウエーハWを研削する研削ユニット20とを備えている。   The grinding apparatus 1 grinds the back surface of the device region W1 of the wafer W into a concave shape to form a concave portion WR. That is, the grinding apparatus 1 performs so-called TAIKO processing on the wafer W. As shown in FIG. 1, the grinding apparatus 1 includes a suction table 10 that holds a wafer W, and a grinding unit 20 that grinds the wafer W held on the suction table 10.
吸着テーブル10は、所謂TAIKO加工用の吸着テーブルである。吸着テーブル10は、表面を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、表面に載置されたウエーハWを吸引することで保持する。なお、吸着テーブル10は、回転駆動源(図示せず)により鉛直方向の軸心回りに回転自在に設けられている。   The suction table 10 is a so-called TAIKO processing suction table. The suction table 10 has a disk shape in which a portion constituting the surface is made of porous ceramic or the like. The suction table 10 is connected to a vacuum suction source (not shown) through a vacuum suction path (not shown) to suck the wafer W placed on the surface. Hold by. The suction table 10 is rotatably provided around a vertical axis by a rotation drive source (not shown).
研削ユニット20は、鉛直方向の軸心回りに回転されるスピンドル21と、スピンドル21の下端に装着された研削ホイール22とで構成されている。   The grinding unit 20 includes a spindle 21 that is rotated around a vertical axis, and a grinding wheel 22 that is attached to the lower end of the spindle 21.
研削ホイール22は、加工方法において使用するものであって、図3に示すように、円盤状の砥石基台23と、複数の研削砥石24とを具備している。砥石基台23は、スピンドル21の先端に設けられたフランジ部25にボルト26により取り付けられる。研削砥石24は、砥石基台23の一端面23aに円環状に装着されている。研削砥石24は、砥石基台23の一端面23aの外縁部に円環状に並べられている。複数の研削砥石24の外周縁で囲む円の直径は、ウエーハWの半径よりも小さく形成されている。   The grinding wheel 22 is used in a processing method, and includes a disc-shaped grinding wheel base 23 and a plurality of grinding wheels 24 as shown in FIG. The grindstone base 23 is attached to a flange portion 25 provided at the tip of the spindle 21 with bolts 26. The grinding wheel 24 is mounted in an annular shape on one end surface 23 a of the grinding wheel base 23. The grinding wheel 24 is arranged in an annular shape on the outer edge portion of the one end surface 23 a of the grinding wheel base 23. The diameter of the circle surrounded by the outer peripheral edges of the plurality of grinding wheels 24 is smaller than the radius of the wafer W.
研削砥石24は、砥粒とビトリファイドボンドなどのボンド剤で構成され、砥粒とビトリファイドボンドと結合剤とを混入することで構成される。研削砥石24は、図4示すように、円環状の外周側の第一の砥石24aと、内周側の第二の砥石24bとの少なくとも2層に形成されている。外周側の第一の砥石24aに含有する砥粒の粒径は、内周側の第二の砥石24bに含有する砥粒の粒径よりも小さい。例えば、内周側の第二の砥石24bに含有する砥粒は、主にウエーハWを薄化する粗研削加工に用いられる砥粒であって、例えば、レジン又はビトリファイドボンド砥粒が用いられ、粒径が40μm〜60μm程度のものが用いられる。外周側の第一の砥石24aに含有する砥粒は、主にウエーハWの研削痕を除去する仕上げ研削加工に用いられる砥粒であって、例えば、粒径が2μm〜20μm程度のものが用いられる。   The grinding wheel 24 is composed of a bonding agent such as abrasive grains and vitrified bonds, and is configured by mixing abrasive grains, vitrified bonds, and a binder. As shown in FIG. 4, the grinding wheel 24 is formed in at least two layers of an annular outer peripheral first grindstone 24 a and an inner peripheral second grindstone 24 b. The particle size of the abrasive grains contained in the first grindstone 24a on the outer peripheral side is smaller than the grain size of the abrasive grains contained in the second grindstone 24b on the inner peripheral side. For example, the abrasive grains contained in the second grindstone 24b on the inner peripheral side are abrasive grains mainly used in rough grinding processing for thinning the wafer W, and for example, resin or vitrified bond abrasive grains are used. The thing with a particle size of about 40 micrometers-60 micrometers is used. The abrasive grains contained in the first grindstone 24a on the outer peripheral side are abrasive grains mainly used in finish grinding for removing grinding marks on the wafer W, and for example, grains having a grain size of about 2 μm to 20 μm are used. It is done.
また、本実施形態では、第一の砥石24aと第二の砥石24bとは、砥粒の粒径が異なる以外は、同一の組成で構成されている。即ち、第一の砥石24aと第二の砥石24bとは、砥粒及びボンド剤の材料が等しくされ、混入される結合剤の量が等しくされて曲げ強度が等しく形成され、砥粒の集中度も等しく形成されている。   Moreover, in this embodiment, the 1st grindstone 24a and the 2nd grindstone 24b are comprised by the same composition except the particle size of an abrasive grain differing. That is, the first grindstone 24a and the second grindstone 24b have the same abrasive grain and bond material, the same amount of binder is mixed and the bending strength is equal, and the degree of concentration of the abrasive grains. Are equally formed.
次に、研削装置1を用いた加工方法について説明する。研削装置1を用いた加工方法は、ウエーハWのデバイス領域W1の裏面を研削ホイール22を用いて凹形状に研削し、外周余剰領域W2の裏面にリング状の補強部WS(図1等に示す)を形成する方法である。なお、デバイス領域W1の裏面と外周余剰領域W2の裏面とで、ウエーハWの裏面Wbを構成している。研削装置1を用いた加工方法では、まず、ウエーハWの表面Waに貼着された保護テープTを吸着テーブル10の表面上に載置し、ウエーハWの表面Wa側を保護テープTを介して吸着テーブル10上に吸引保持する。そして、加工方法は、ウエーハWの外周余剰領域W2の裏面の内周縁に対応する箇所と、ウエーハWの中心とに研削ホイール22の第一の砥石24aの外周縁を位置付けて、研削砥石24をウエーハWの裏面Wbに押し当てる。そして、加工方法は、図示しない研削水供給部から研削水をウエーハWに供給しながら、ウエーハWを保持した吸着テーブル10を軸心回りに回転させるとともに、研削ユニット20を吸着テーブル10と同じ向きに軸心回りに回転させる。加工方法は、研削装置1がウエーハWのデバイス領域W1の裏面を研削して、デバイス領域W1の裏面を凹状に加工する。加工方法は、ウエーハWの裏面Wbに凹部WRを形成するとともに、凹部WRの外周に外周余剰領域W2に対応したリング状の補強部WSを形成する。   Next, a processing method using the grinding apparatus 1 will be described. In the processing method using the grinding apparatus 1, the back surface of the device region W1 of the wafer W is ground into a concave shape using the grinding wheel 22, and the ring-shaped reinforcing portion WS (shown in FIG. 1 and the like) is formed on the back surface of the outer peripheral surplus region W2. ). Note that the back surface Wb of the wafer W is constituted by the back surface of the device region W1 and the back surface of the outer peripheral surplus region W2. In the processing method using the grinding apparatus 1, first, the protective tape T attached to the surface Wa of the wafer W is placed on the surface of the suction table 10, and the surface Wa side of the wafer W is passed through the protective tape T. The suction table 10 is suction-held. And the processing method positions the outer periphery of the 1st grindstone 24a of the grinding wheel 22 in the location corresponding to the inner periphery of the back surface of the outer peripheral surplus area | region W2 of the wafer W, and the center of the wafer W, Press against the back surface Wb of the wafer W. The processing method is to rotate the suction table 10 holding the wafer W around the axis while supplying the grinding water to the wafer W from a grinding water supply unit (not shown), and to rotate the grinding unit 20 in the same direction as the suction table 10. Rotate around the axis. In the processing method, the grinding apparatus 1 grinds the back surface of the device region W1 of the wafer W, and processes the back surface of the device region W1 into a concave shape. In the processing method, the concave portion WR is formed on the back surface Wb of the wafer W, and the ring-shaped reinforcing portion WS corresponding to the outer peripheral surplus region W2 is formed on the outer periphery of the concave portion WR.
この際、第二の砥石24bは、主にウエーハWのデバイス領域W1の裏面に粗研削加工を施し、第一の砥石24aは、ウエーハWのデバイス領域W1の裏面を凹状に加工するとともに凹部WRの内周面IC及び凹部WRの底面BRの外縁部を仕上げ研削加工する。このように、加工方法は、ウエーハWの外周余剰領域W2の裏面を研削ホイール22に研削させずに外周余剰領域W2を残して補強部WSを形成する。   At this time, the second grindstone 24b mainly performs a rough grinding process on the back surface of the device area W1 of the wafer W, and the first grindstone 24a processes the back surface of the device area W1 of the wafer W into a concave shape and a recess WR. The outer peripheral portion of the inner peripheral surface IC and the bottom surface BR of the recess WR are finish-ground. As described above, the processing method forms the reinforcing portion WS while leaving the outer peripheral surplus region W2 without grinding the back surface of the outer peripheral surplus region W2 of the wafer W with the grinding wheel 22.
そして、ウエーハWは、図5に示すように、凹部WRの底面BRの補強部WSの内周面ICよりも内周側の第一の砥石24aにより仕上げ研削加工が施されていない部分に、仕上げ砥石30を用いた仕上げ研削加工を施される。その後、ウエーハWは、スピンエッチング等で研削加工時の破砕層を取り除くストレスリリースが施される。   And, as shown in FIG. 5, the wafer W has a portion that has not been subjected to finish grinding by the first grindstone 24 a on the inner peripheral side of the inner peripheral surface IC of the reinforcing portion WS of the bottom surface BR of the recess WR. Finish grinding using the finishing grindstone 30 is performed. After that, the wafer W is subjected to stress release that removes a fractured layer during grinding by spin etching or the like.
実施形態に係る研削ホイール22及び加工方法によれば、外周側に仕上げ研削加工用の砥粒を含有させ、内周側に通常の粗研削加工用の砥粒を含有させた少なくとも2層構造の研削砥石24を用いている。このために、研削ホイール22及び加工方法によれば、リング状の補強部WSの内周面IC及び凹部WRの底面BRの外縁部を外側の仕上げ研削加工用の砥粒により研削するので、補強部WSの内周面IC及び凹部WRの底面BRに突発チッピングが発生することを抑制でき、補強部WSの内周面IC及び凹部WRの底面BRの加工状態を良好にすることができる。したがって、研削ホイール22及び加工方法によれば、凹部WRの内周面IC及び底面BRを後の工程におけるストレスリリースの際に良好な面状態とすることが可能となり、スピンエッチング等の際に凹部WRの内周面ICなどに凹凸が生じることを抑制できる。   According to the grinding wheel 22 and the processing method according to the embodiment, at least a two-layer structure in which abrasive grains for finish grinding are contained on the outer peripheral side and normal abrasive grains are contained on the inner peripheral side. A grinding wheel 24 is used. For this reason, according to the grinding wheel 22 and the processing method, the outer peripheral portion of the inner peripheral surface IC of the ring-shaped reinforcing portion WS and the bottom surface BR of the concave portion WR is ground with the abrasive grains for outer finish grinding. Sudden chipping can be suppressed from occurring on the inner peripheral surface IC of the portion WS and the bottom surface BR of the concave portion WR, and the processing state of the inner peripheral surface IC of the reinforcing portion WS and the bottom surface BR of the concave portion WR can be improved. Therefore, according to the grinding wheel 22 and the processing method, the inner peripheral surface IC and the bottom surface BR of the concave portion WR can be brought into a good surface state at the time of stress release in a later process, and the concave portion can be formed at the time of spin etching or the like. It is possible to suppress the occurrence of unevenness on the inner peripheral surface IC of the WR.
また、研削ホイール22及び加工方法によれば、研削砥石24の内周側に通常の粗研削加工用の砥粒を含有させているので、加工スピードの過度な減少を抑えることができる。なお、前述した実施形態では、2層構造の研削砥石24を用いているが、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で、研削砥石24を3以上の層構造としてもよい。この際、各層が含有する砥粒の粒径を、外周側に向かうにしたがって小さくするのが望ましい。   Moreover, according to the grinding wheel 22 and the processing method, since the abrasive grains for normal rough grinding are contained on the inner peripheral side of the grinding wheel 24, an excessive decrease in the processing speed can be suppressed. In the embodiment described above, the grinding wheel 24 having a two-layer structure is used. However, the grinding wheel 24 may have a three or more layer structure without departing from the gist of the present invention. At this time, it is desirable to reduce the particle size of the abrasive grains contained in each layer toward the outer peripheral side.
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。   The present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
10 吸着テーブル
22 研削ホイール
23 砥石基台
23a 一端面
24 研削砥石
24a 第一の砥石
24b 第二の砥石
D デバイス
W ウエーハ
W1 デバイス領域
W2 外周余剰領域
Wa 表面
WS 補強部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Adsorption table 22 Grinding wheel 23 Grinding wheel base 23a One end surface 24 Grinding wheel 24a First whetstone 24b Second whetstone D Device W Wafer W1 Device area W2 Outer peripheral area Wa Surface WS Reinforcement part

Claims (2)

  1. 表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの該デバイス領域の裏面を凹形状に研削し、該外周余剰領域の裏面にリング状の補強部を形成するウエーハの加工方法において使用する研削ホイールであって、
    円盤状の砥石基台と、該砥石基台の一端面に円環状に装着された複数の研削砥石とを具備し、
    該研削砥石は、円環状の外周側の第一の砥石と内周側の第二の砥石と少なくとも2層に形成されており、該外周側の第一の砥石に含有する砥粒の粒径は、該内周側の該第二の砥石に含有する砥粒の粒径よりも小さい、ことを特徴とする研削ホイール。
    A wafer having a device region having a plurality of devices formed on the surface and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, the back surface of the device region is ground into a concave shape, and a ring-shaped reinforcement is formed on the rear surface of the outer peripheral surplus region. A grinding wheel used in a method of processing a wafer forming a part,
    A disk-shaped grinding wheel base, and a plurality of grinding wheels mounted in an annular shape on one end surface of the grinding wheel base,
    The grinding wheel is formed in at least two layers, an annular outer peripheral first grindstone and an inner peripheral second grindstone, and the grain size of the abrasive grains contained in the outer peripheral first grindstone Is smaller than the grain size of the abrasive grains contained in the second grindstone on the inner peripheral side.
  2. 表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの該デバイス領域の裏面を請求項1記載の研削ホイールを用いて凹形状に研削し、該外周余剰領域の裏面にリング状の補強部を形成するウエーハの加工方法であって、
    ウエーハの表面側を吸着テーブルに保持し、ウエーハの該外周余剰領域の裏面の内周縁に対応する箇所に該研削ホイールの該第一の砥石の該外周縁を位置付けてウエーハの該デバイス領域の裏面を凹状に加工すること、を特徴とするウエーハの加工方法。
    The back surface of the device region of a wafer provided with a device region having a plurality of devices formed on the surface and an outer peripheral surplus region surrounding the device region is ground into a concave shape using the grinding wheel according to claim 1, A wafer processing method for forming a ring-shaped reinforcing portion on the back surface of the outer peripheral surplus region,
    The front surface side of the wafer is held on the suction table, and the outer peripheral edge of the first grindstone of the grinding wheel is positioned at a position corresponding to the inner peripheral edge of the rear surface of the outer peripheral surplus area of the wafer. Processing the wafer into a concave shape.
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