JP6192179B2 - Transimpedance amplifier circuit and semiconductor device thereof - Google Patents
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Description
本発明は、トランスインピーダンス増幅回路、及びその半導体装置に関し、特に、フォトダイオードの出力電流を電流−電圧変換するトランスインピーダンス増幅回路、及びその半導体装置に関する。 The present invention relates to a transimpedance amplifier circuit and a semiconductor device thereof, and more particularly to a transimpedance amplifier circuit that converts an output current of a photodiode into a current-voltage and a semiconductor device thereof.
光信号を送受信する通信システムは、PON(Passive Optical Network)システムが例示される。PONシステムは、複数の加入者宅の端末(ONU:Optical Network Unit)と局(OLT:Optical Line Terminal)とを光ファイバで接続するものであり、各々の加入者宅と局との距離が大きく異なっている。このため、OLTの光受信機は、振幅が異なる光信号を電気信号に変換する必要があり、光信号を受信するフォトダイオード、及び該フォトダイオードの出力電流を電流−電圧変換するトランスインピーダンス増幅回路を備えている。 As a communication system for transmitting and receiving optical signals, a PON (Passive Optical Network) system is exemplified. The PON system connects a plurality of subscriber home terminals (ONU: Optical Network Unit) and a station (OLT: Optical Line Terminal) with an optical fiber, and the distance between each subscriber home and the station is large. Is different. For this reason, the optical receiver of the OLT needs to convert optical signals having different amplitudes into electrical signals, a photodiode that receives the optical signal, and a transimpedance amplifier circuit that performs current-voltage conversion on the output current of the photodiode. It has.
特許文献1〜4は、フォトダイオードの出力電流信号をトランスインピーダンス増幅回路により電圧変換し、該シングルエンド信号を差動増幅回路の入力端子に入力するシングルエンド−差動(S−D)変換技術が開示されている。例えば、特許文献1,2は、差動増幅回路の一方の入力端子に、シングルエンド出力端子を接続し、他方の入力端子にローパスフィルタでシングルエンド出力を平滑した直流電圧を印加し、他方のDCレベルを決定している。特許文献3は、差動増幅回路の一方の入力端子に、シングルエンド出力端子を接続し、他方の入力端子に差動増幅器の差動出力をDCフィードバックにより生成した直流電圧を印加し、他方のDCレベルを決定している。このDCフィードバックには、ローパスフィルタと差動増幅回路を用いている。特許文献4は、シングルエンド出力端子と差動増幅器の一方の入力端子とをキャパシタを介して接続している。
特許文献1〜4に記載の技術は、差動増幅回路の入力端子にキャパシタを配設している。半導体プロセスで形成することができるキャパシタは、単位面積あたりの容量が2[fF/μm2]程度であり、小型化や低コスト化の観点から現実的な容量の上限は、10pF程度である。また、トランジスタ素子が多数並ぶコア回路部は、キャパシタを形成できる領域が無く、約100fFが限度である。
In the techniques described in
特に、特許文献3の技術は、遮断周波数100kHzで100nF程度のキャパシタを必要としている。このようなキャパシタをチップ上に形成することは現実的でない。特許文献3の技術は、キャパシタの容量が足りないと、DCレベルが安定せず、正しい信号増幅が行われず、出力信号波形が歪んでしまう。また、特許文献4の技術は、数百nFオーダーの容量がなければ、信号の低周波成分が遮断されてしまう。この信号の遮断により、特許文献4の技術は、論理レベルで0レベルや、1レベルが連続したときに、信号が正しく伝達できなくなってしまう。 In particular, the technique of Patent Document 3 requires a capacitor of about 100 nF at a cutoff frequency of 100 kHz. It is not realistic to form such a capacitor on a chip. In the technique of Patent Document 3, if the capacitance of the capacitor is insufficient, the DC level is not stabilized, correct signal amplification is not performed, and the output signal waveform is distorted. In the technique of Patent Document 4, the low frequency component of the signal is cut off unless there is a capacitance of the order of several hundreds nF. By blocking the signal, the technique of Patent Document 4 cannot correctly transmit the signal when the logic level is 0 level or 1 level continues.
そこで、本発明は、キャパシタを配設することなく差動出力を得ることができるトランスインピーダンス増幅回路、及びその半導体装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a transimpedance amplifier circuit that can obtain a differential output without providing a capacitor, and a semiconductor device thereof.
前記課題を解決するため、第1発明は、入力端子(Iin)に流れる入力電流を電圧に変換し、変換された電圧を差動出力するトランスインピーダンス増幅回路であって、一端が前記入力端子に接続される抵抗器(10)と、前記入力端子の電圧を反転させるインバータと、所定電圧が印加された第1負荷と前記インバータの出力電圧をゲート電圧とする第1トランジスタと第2負荷との直列回路とを備え、前記抵抗器の他端は、前記第1トランジスタと前記第2負荷(T3)とを接続する第1接続点に接続され、前記第1負荷と前記第1トランジスタとを接続する第2接続点と、前記第1接続点との双方から電圧が出力されることを特徴とする。但し、( )内の符号や文字は例示である。 In order to solve the above-mentioned problem, the first invention is a transimpedance amplifier circuit that converts an input current flowing through an input terminal (Iin) into a voltage and differentially outputs the converted voltage, one end of which is connected to the input terminal. A resistor (10) to be connected; an inverter for inverting the voltage of the input terminal; a first load to which a predetermined voltage is applied ; a first transistor having an output voltage of the inverter as a gate voltage; and a second load And the other end of the resistor is connected to a first connection point that connects the first transistor and the second load (T3), and connects the first load and the first transistor. A voltage is output from both the second connection point and the first connection point. However, symbols and characters in parentheses are examples.
本発明は、キャパシタを配設することなく差動出力を得ることができる。このため、占有面積の少ない半導体装置を形成することができる。 The present invention can obtain a differential output without disposing a capacitor. Therefore, a semiconductor device with a small occupation area can be formed.
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態(以下、「本実施形態」と称する)につき詳細に説明する。なお、各図は、本発明を十分に理解できる程度に、概略的に示してあるに過ぎない。よって、本発明は、図示例のみに限定されるものではない。また、各図において、共通する構成要素や同様な構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as “the present embodiment”) will be described in detail with reference to the drawings. Each figure is only schematically shown so that the present invention can be fully understood. Therefore, the present invention is not limited to the illustrated example. Moreover, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected about the common component and the same component, and those overlapping description is abbreviate | omitted.
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態であるトランスインピーダンス増幅回路を使用した光受信機の構成図である。
光受信機500は、トランスインピーダンス増幅回路200と、差動増幅回路110と、フォトダイオード300とを備え、トランスインピーダンス増幅回路200は、トランスインピーダンス増幅回路100と、差動増幅回路110とを有する。また、トランスインピーダンス増幅回路200は、半導体製造プロセスにより形成された半導体装置として構成されている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a configuration diagram of an optical receiver using a transimpedance amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention.
The optical receiver 500 includes a
トランスインピーダンス増幅回路100は、一つの電流入力端子Iin、及び2つの出力電圧端子Vout,VoutBを備えており、出力電圧端子Vout,VoutBが差動出力端子として機能する。差動増幅回路110は、トランスインピーダンス増幅回路100の出力電圧端子Vout,VoutBに接続された差動入力端子と差動出力端子とを備え、差動入力端子と差動出力端子との差分電圧をゲインGで増幅する増幅回路である。なお、各図は、差動増幅回路110の反転入力端子、及び反転出力端子に「○」の記号を付し、非反転入力端子、及び非反転出力端子には、「○」の記号を付さないことにより、双方を区別している。
The
フォトダイオード300は、光の強度を電流に変換する素子であり、カソード端を電源端子VDDに接続し、アノード端を電流入力端子Iinに接続している。なお、電源端子VDDは接地電位よりも正の電圧が印加される。
The
これらの構成により、光受信機500は、フォトダイオード300が光信号を電流信号に変換し、変換された電流信号をトランスインピーダンス増幅回路100が電圧信号に変換し、変換された電圧信号を差動増幅回路110が論理レベルまで増幅し、差動増幅回路110が次段の信号処理回路に信号を伝達するように構成されている。ここで、トランスインピーダンス増幅回路100は、フォトダイオード300によるシングルエンド電流信号を入力し、出力電圧端子Vout,VoutBから差動電圧信号が出力される。
With these configurations, in the optical receiver 500, the
トランスインピーダンス増幅回路100が差動電圧信号を出力する理由は、信号のノイズ耐性を強化させるためや、差動増幅回路110を使用し、半導体プロセス上の素子間の特性バラツキを抑制するためである。
The reason why the
図2は、本発明の第1実施形態であるトランスインピーダンス増幅回路の回路図である。
トランスインピーダンス増幅回路100は、PチャネルのトランジスタT2,T7,T8と、NチャネルのトランジスタT1,T3,T4,T5,T6と、抵抗器10,11とを備えて構成される。また、トランスインピーダンス増幅回路100は、半導体装置として形成される回路でもある。ここで、特許請求の範囲において、トランジスタT1が第3トランジスタであり、トランジスタT2が第4トランジスタであり、トランジスタT3が第2トランジスタであり、トランジスタT4が第1トランジスタである。
FIG. 2 is a circuit diagram of the transimpedance amplifier circuit according to the first embodiment of the present invention.
The
また、トランスインピーダンス増幅回路100は、電源端子VDD,VSSと、電流入力端子Iinと、出力電圧端子Vout,VoutBと、制御電圧端子VC1,VC2とを備えている。電源端子VDDは、接地電位に対して、正の電源電圧が印加され、電源端子VSSは接地電位、若しくは仮想接地点に接続される。
The
電流入力端子Iinは、2つのトランジスタT1,T2のゲートに接続され、トランジスタT2のソースとトランジスタT1のドレインとが接続されている。また、トランジスタT1のソースは電源端子VSSに接続され、トランジスタT2のドレイン及び基板端子は電源端子VDDに接続されている。なお、トランジスタT1の基板端子は、電源端子VSSに接続されている。 The current input terminal I in is connected to the gates of the two transistors T1 and T2, and the source of the transistor T2 and the drain of the transistor T1 are connected. The source of the transistor T1 is connected to a power supply terminal V SS, drain and substrate terminal of the transistor T2 is connected to the power supply terminal V DD. The substrate terminal of the transistor T1 is connected to the power supply terminal V SS.
これらの接続により、トランジスタT1,T2は、インバータとして機能し、トランジスタT1,T2は、そのゲート電圧v1(t)と、トランジスタT2のソースとトランジスタT1のドレインとの接続点Pの電位とが反転する。 With these connections, the transistors T1 and T2 function as inverters, and the transistors T1 and T2 have a gate voltage v 1 (t) and a potential at a connection point P between the source of the transistor T2 and the drain of the transistor T1. Invert.
トランジスタT4は、そのゲートがトランジスタT2のソースとトランジスタT1のドレインとの接続点Pに接続され、ドレインが抵抗器11の一端に接続されている。また、抵抗器11の他端は電源端子VDDに接続されている。一方、トランジスタT3は、そのゲートが制御電圧端子VC1に接続され、ドレインがトランジスタT4のソース、及び抵抗器10の一端と接続され、ソースが電源端子VSSに接続されている。抵抗器10の他端は、電流入力端子Iinに接続されている。なお、トランジスタT3,T4の基板端子は、電源端子VSSに接続されている。
The gate of the transistor T4 is connected to the connection point P between the source of the transistor T2 and the drain of the transistor T1, and the drain is connected to one end of the
これらの接続により、抵抗器10は、帰還抵抗器として機能し、電流入力端子Iinに流れ込む入力電流iin(t)と抵抗器10の抵抗値RFとの積は、トランジスタT1,T2のゲート電圧v1(t)からトランジスタT3のドレインとトランジスタT4のソースと抵抗器10の一端との接続点(X点)の電圧v2(t)を減じた値に等しい。つまり、電流入力端子Iinに流れ込む入力電流iin(t)とトランジスタT1,T2のゲート電圧v1(t)とは、同相である。
With these connections, the
トランジスタT4は、電圧v1(t)の変化と逆相の逆相電流を抵抗器11に流す。そして、トランジスタT4は、抵抗器11を抵抗負荷として、正相のドレイン電圧v3(t)が取り出され、トランジスタT3を電流源として、X点のソース電圧v2(t)が逆相で取り出される。
The transistor T4 causes the
また、トランジスタT4は、トランジスタT3を電流源とするソースフォロア回路として機能し、ソース電圧v2(t)が低インピーダンスで取り出される。つまり、抵抗器10と、ソースフォロア回路とは、電流入力端子Iinに流れ込む入力電流iin(t)を電圧v2(t)に変換するトランスインピーダンス増幅器として機能する。また、トランジスタT4は、抵抗器11を抵抗負荷とするソース接地回路としても機能する。このため、ソース電圧v2(t)とドレイン電圧v3(t)とは、振幅が異なる逆相の関係になる。
The transistor T4 functions as a source follower circuit using the transistor T3 as a current source, and the source voltage v 2 (t) is extracted with low impedance. That is, the
また、トランジスタT4のゲート電圧とドレイン電圧v3(t)とは互いに反転する。また、トランジスタT1,T2は、インバータとして機能するので、ゲート電圧v1(t)とトランジスタT4のドレイン電圧v3(t)とは、同相になる。つまり、電流入力端子Iinに流れ込む入力電流iinとトランジスタT4のドレイン電圧v3(t)とは、同相になる。 Further, the gate voltage and the drain voltage v 3 (t) of the transistor T4 are inverted from each other. Since the transistors T1 and T2 function as inverters, the gate voltage v 1 (t) and the drain voltage v 3 (t) of the transistor T4 are in phase. That is, the input current i in flowing into the current input terminal I in and the drain voltage v 3 (t) of the transistor T4 are in phase.
トランジスタT6は、ゲートがトランジスタT4のドレインと抵抗器11の他端との接続点(第2接続点)に接続され、ソースがトランジスタT5のドレイン、及び出力電圧端子Voutに接続され、ドレインが電源端子VDDに接続されている。トランジスタT5は、ゲートが制御電圧端子VC1に接続され、ソースが電源端子VSSに接続されている。これにより、トランジスタT6は、トランジスタT5を電流源としたソースフォロア回路を構成し、トランジスタT4のドレイン電圧v3(t)が同相で出力電圧端子Voutから取り出される。この出力電圧端子Voutの電圧を電圧v4(t)とする。
The transistor T6 has a gate connected to a connection point (second connection point) between the drain of the transistor T4 and the other end of the
トランジスタT7は、そのゲートがトランジスタT3のドレインとトランジスタT4のソースと抵抗器10の一端との接続点(X点、第1接続点)に接続されており、ドレインが電源端子VSSに接続されており、ソースがトランジスタT8のドレイン、及び出力電圧端子VoutBに接続されている。トランジスタT8は、そのゲートが制御電圧端子VC2に接続されており、ソースが電源端子VDDに接続されている。なお、トランジスタT7の基板端子とトランジスタT8の基板端子とは電源端子VDDに接続されている。
Transistor T7 has its gate connected point between one end of the source and the
これにより、トランジスタT7は、トランジスタT8を電流源としたソースフォロア回路を構成し、トランジスタT3のドレイン電圧v2(t)が同相で出力電圧端子VoutBから取り出される。この出力電圧端子VoutBの電圧を電圧v5(t)とする。トランジスタT3のドレイン電圧v2(t)とトランジスタT4のドレイン電圧v3(t)とは逆相なので、出力電圧端子VoutBの電圧v5(t)と出力電圧端子Voutの電圧v4(t)とは逆相になる。 Thereby, the transistor T7 forms a source follower circuit using the transistor T8 as a current source, and the drain voltage v 2 (t) of the transistor T3 is extracted from the output voltage terminal V outB in the same phase. The voltage at the output voltage terminal V outB is defined as a voltage v 5 (t). Since the drain voltage v 2 (t) of the transistor T3 and the drain voltage v 3 (t) of the transistor T4 are opposite in phase, the voltage v 5 (t) at the output voltage terminal V outB and the voltage v 4 (at the output voltage terminal V out ( t) is in opposite phase.
また、制御電圧端子VC1,VC2は、出力電圧端子VoutBの電圧v5(t)のDCレベルと出力電圧端子Voutの電圧v4(t)のDCレベルとの差分電圧が0Vになるように設定する。 Further, the control voltage terminals V C1 and V C2 have a differential voltage of 0 V between the DC level of the voltage v 5 (t) of the output voltage terminal V outB and the DC level of the voltage v 4 (t) of the output voltage terminal V out. Set as follows.
(シミュレーション結果)
図3、及び図4は、本発明の第1実施形態であるトランスインピーダンス増幅回路の波形図である。
図3(a)は、電圧v1(t)の波形であり、図3(b)は、電圧v2(t)の波形であり、図3(c)は、電圧v3(t)の波形である。また、図4(a)は、電圧v4(t)の波形であり、図4(b)は、電圧v5(t)の波形である。なお、横軸は時間[nsec]であり、縦軸は論理値「1」や「0」をVnmaxやVnmin(nは、1〜5)で表現している。
(simulation result)
3 and 4 are waveform diagrams of the transimpedance amplifier circuit according to the first embodiment of the present invention.
3A shows the waveform of the voltage v 1 (t), FIG. 3B shows the waveform of the voltage v 2 (t), and FIG. 3C shows the voltage v 3 (t). It is a waveform. FIG. 4A shows the waveform of voltage v 4 (t), and FIG. 4B shows the waveform of voltage v 5 (t). The horizontal axis represents time [nsec], and the vertical axis represents logical values “1” and “0” by V nmax and V nmin (n is 1 to 5).
図3(a)の電圧v1(t)が上昇すると図3(b)の電圧v2(t)が下降し、電圧v1(t)が下降すると電圧v2(t)が上昇している。つまり、電圧v1(t)と電圧v2(t)とは、反転している。ここで、帰還抵抗器としての抵抗器11の電圧降下は、{v1(t)−v2(t)}であり、入力電流iin(t)の位相と電圧v1(t)の位相とは同相である。
When the voltage v 1 (t) in FIG. 3A increases, the voltage v 2 (t) in FIG. 3B decreases, and when the voltage v 1 (t) decreases, the voltage v 2 (t) increases. Yes. That is, the voltage v 1 (t) and the voltage v 2 (t) are inverted. Here, the voltage drop of the
図3(c)の電圧v3(t)は、図3(a)のv1(t)と同相になっているので、入力電流iin(t)の位相と同相である。図4(a)の電圧v4(t)は、電圧v3(t)と同相であるので、入力電流iin(t)の位相と同相である。図4(b)の電圧v5(t)は、電圧v1(t)と逆相であるので、入力電流iin(t)の位相と逆相である。つまり、出力電圧端子Voutは、入力電流iin(t)の位相と同相の電圧を出力し、出力電圧端子VoutBは、入力電流iin(t)の位相と逆相の電圧を出力する。 Since the voltage v 3 (t) in FIG. 3C is in phase with v 1 (t) in FIG. 3A, it is in phase with the phase of the input current i in (t). Since the voltage v 4 (t) in FIG. 4A is in phase with the voltage v 3 (t), it is in phase with the phase of the input current i in (t). Since the voltage v 5 (t) in FIG. 4B is opposite in phase to the voltage v 1 (t), it is opposite in phase from the input current i in (t). In other words, the output voltage terminal V out outputs a voltage in phase with the phase of the input current i in (t), and the output voltage terminal V outB outputs a voltage in phase opposite to the phase of the input current i in (t). .
図5、及び図6は、本発明の第1実施形態であるトランスインピーダンス増幅回路のアイパターンである。横軸は時間「psec」であり、縦軸は論理値「1」又は「0」をVnmax、やVnminで表現している。
図5(a)は、電圧v1(t)のアイパターンであり、図5(b)は、電圧v2(t)のアイパターンであり、図5(c)は、電圧v3(t)のアイパターンである。また、図6(a)は電圧v4(t)のアイパターンであり、図6(b)は、電圧v5(t)のアイパターンである。
5 and 6 are eye patterns of the transimpedance amplifier circuit according to the first embodiment of the present invention. The horizontal axis represents time “psec”, and the vertical axis represents the logical value “1” or “0” as V nmax or V nmin .
5A is an eye pattern of the voltage v 1 (t), FIG. 5B is an eye pattern of the voltage v 2 (t), and FIG. 5C is a voltage v 3 (t ) Eye pattern. 6A shows an eye pattern of voltage v 4 (t), and FIG. 6B shows an eye pattern of voltage v 5 (t).
アイパターンとは、信号波形の遷移を多数サンプリングし、重ね合わせてグラフィカルに表示したものである。波形が同じ位置(タイミング・電圧)で複数重ね合っていれば、品質の良い波形である。逆に、波形の位置(タイミング・電圧)がずれている場合は、品質の悪い波形であり、ジッターが悪くなる。図5、及び図6は、目が開いているので、品質が良い波形であることを示している。 The eye pattern is obtained by sampling a large number of signal waveform transitions and overlaying them to display graphically. If multiple waveforms overlap at the same position (timing / voltage), the waveform is good quality. On the other hand, when the waveform position (timing / voltage) is shifted, the waveform is poor in quality and jitter is deteriorated. 5 and 6 show that the waveform is good because the eyes are open.
図7は、本発明の第1実施形態であるトランスインピーダンス増幅回路の周波数特性図である。実線は、出力電圧端子Voutの電圧v4(t)のゲインの周波数特性を示し、破線は、出力電圧端子VoutBの電圧v5(t)のゲインの周波数特性を示す。なお、縦軸は、トランスインピーダンス[dBohm]であり、横軸は、周波数[100MHz〜20GHz]である。
トランスインピーダンス増幅回路100は、全周波数範囲で、電圧v4(t)も電圧v5(t)も所定のトランスインピーダンスを有している。出力電圧端子VoutBの電圧v5(t)は、出力電圧端子Voutの電圧v4(t)よりもゲインが高い。このゲインの不一致は、差動増幅回路110にゲイン制限機能を設ければ問題無い。
FIG. 7 is a frequency characteristic diagram of the transimpedance amplifier circuit according to the first embodiment of the present invention. The solid line indicates the frequency characteristic of the gain of the voltage v 4 (t) of the output voltage terminal V out , and the broken line indicates the frequency characteristic of the gain of the voltage v 5 (t) of the output voltage terminal V outB . The vertical axis is transimpedance [dBohm], and the horizontal axis is frequency [100 MHz to 20 GHz].
The
また、周波数が高くなるにつれて、双方のトランスインピーダンスが略等しくなるが(Δv4(t)≒−Δv5(t))、トランジスタT4のゲインが周波数の上昇と共に低下するからである。ここで、Δv4(t)やΔv5(t)は、v4(t)やv5(t)の交流分を示す。なお、周波数が高いときのトランスインピーダンスは、抵抗器10の抵抗値RFが支配的である。
Also, as the frequency increases, both transimpedances become substantially equal (Δv 4 (t) ≈−Δv 5 (t)), but the gain of the transistor T4 decreases as the frequency increases. Here, Δv 4 (t) and Δv 5 (t) indicate AC components of v 4 (t) and v 5 (t). Incidentally, the transimpedance when the frequency is high, the resistance value R F of the
トランスインピーダンス増幅回路100の次段に接続される差動増幅回路110(図1)のゲインとゲイン制限機能により出力電圧vo(t)は決まる。
The output voltage vo (t) is determined by the gain of the differential amplifier circuit 110 (FIG. 1) connected to the next stage of the
(PONシステム)
図8は、本発明の第1実施形態であるトランスインピーダンス増幅回路200が使用されるPONシステムの全体構成図である。
PONシステム800は、複数の加入者宅の端末700,701,702と、局600と、スプリッタ750とを備え、局600と複数の加入者宅の端末700,701,702とがスプリッタ750を介して、通信可能に接続されている。ここで、局600(OLT)に設置される受信機は、光信号を電流に変換するフォトダイオード(PD:Photo Diode)300と、フォトダイオード300が出力する出力電流を差動電圧に変換するトランスインピーダンス増幅回路200とを備える。
(PON system)
FIG. 8 is an overall configuration diagram of a PON system in which the
The PON system 800 includes a plurality of
局(OLT)から、加入者宅の端末(ONU)に送信される下りデータは、連続信号であるが、加入者宅の端末(ONU)から局(OLT)に送信される上りデータは、データとデータとの間に信号が存在しないバースト信号になっている。また、加入者宅の端末700,701,702から送信される信号の振幅は一定であるが、加入者宅の端末700,701,702と局600との距離はまちまちなので、局600がバースト信号を受信する際には、特定の加入者宅の端末700からのバースト信号は強くなり、異なる加入者宅701からのバースト信号が弱くなることがある。このため、局(OLT)は、これらの強度やタイミングの異なる光バースト信号を強度が一定の電気信号に変える光受信機500(図1)が必要である。
The downlink data transmitted from the station (OLT) to the subscriber's home terminal (ONU) is a continuous signal, but the uplink data transmitted from the subscriber's home terminal (ONU) to the station (OLT) is data There is no signal between the data and the burst signal. In addition, the amplitude of the signal transmitted from the terminal 700, 701, 702 at the subscriber's home is constant, but the distance between the terminal 700, 701, 702 at the subscriber's home and the
(第2実施形態)
前記第1実施形態のトランスインピーダンス増幅回路100は、抵抗負荷としての抵抗器11を用いたが、能動負荷に変更することができる。
図9は、本発明の第2実施形態であるトランスインピーダンス増幅回路の回路図である。
トランスインピーダンス増幅回路101は、図2に示すトランスインピーダンス増幅回路100に対して、その抵抗器11(図2)を第4トランジスタとしてのトランジスタT9に変更したものである。
つまり、トランジスタT9は、そのソースがトランジスタT4のドレイン、及びトランジスタT6のゲートとの接続点に接続され、ドレインが電源端子VDDに接続され、ゲートがVC2に接続されている。なお、トランジスタT9の基板端子は電源端子VDDに接続される。
(Second Embodiment)
The
FIG. 9 is a circuit diagram of a transimpedance amplifier circuit according to the second embodiment of the present invention.
The transimpedance amplifier circuit 101 is obtained by changing the resistor 11 (FIG. 2) to a transistor T9 as a fourth transistor with respect to the
That is, the source of the transistor T9 is connected to the connection point between the drain of the transistor T4 and the gate of the transistor T6, the drain is connected to the power supply terminal V DD , and the gate is connected to V C2 . The substrate terminal of the transistor T9 is connected to the power supply terminal V DD .
この接続により、トランジスタT9は、トランジスタT4の能動負荷として機能する。
能動負荷は定電流源に近い動作を行い、抵抗負荷のときよりも電圧変化が大きくなるので、トランジスタT4の増幅率は高くなる特徴がある。また、トランスインピーダンス増幅回路101は、抵抗器11(図2)を使用しないので、全トランジスタのゲート幅サイズ、及びその素子間のサイズ比で回路特性が決まるため、素子間の特性バラツキが抑制される。
With this connection, the transistor T9 functions as an active load of the transistor T4.
The active load performs an operation close to that of a constant current source, and the voltage change becomes larger than that of the resistive load. Therefore, the amplification factor of the transistor T4 is high. In addition, since the transimpedance amplifier circuit 101 does not use the resistor 11 (FIG. 2), circuit characteristics are determined by the gate width size of all the transistors and the size ratio between the elements, so that variation in characteristics between elements is suppressed. The
(第3実施形態)
前記第1実施形態のトランスインピーダンス増幅回路100は、トランジスタT1,T2のゲートを互いに接続して、インバータ回路の構成としたが、トランジスタT2を能動負荷とすることができる。
(Third embodiment)
In the
図10は、本発明の第3実施形態であるトランスインピーダンス増幅回路の回路図である。
トランスインピーダンス増幅回路102は、トランスインピーダンス増幅回路101(図9)と比較して、トランジスタT2の接続を変更し、トランジスタT10としている。つまり、第4トランジスタとしてのトランジスタT10は、ドレインが電源端子VDDに接続され、ゲートが制御電圧端子VC2に接続され、ソースがトランジスタT1のドレイン及びトランジスタT4のゲートに接続され、基板端子が電源端子VDDに接続されている。
FIG. 10 is a circuit diagram of a transimpedance amplifier circuit according to the third embodiment of the present invention.
Compared with the transimpedance amplifier circuit 101 (FIG. 9), the transimpedance amplifier circuit 102 changes the connection of the transistor T2 to be a transistor T10. That is, the transistor T10 as the fourth transistor has a drain connected to the power supply terminal V DD , a gate connected to the control voltage terminal V C2 , a source connected to the drain of the transistor T1 and the gate of the transistor T4, and a substrate terminal It is connected to the power supply terminal V DD .
トランスインピーダンス増幅回路102は、電流入力端子Iinに接続されているゲートがトランジスタT1のみである。 Transimpedance amplifier circuit 102, a gate connected to the current input terminal I in is only the transistor T1.
(第1比較例)
図11は、本発明の第1比較例である光受信機の回路図である。
光受信機501は、フォトダイオード300と、トランスインピーダンス増幅回路201とを備え、トランスインピーダンス増幅回路201は、トランスインピーダンス増幅回路103と、差動増幅回路110と、抵抗器12と、キャパシタ20とを有する。
(First comparative example)
FIG. 11 is a circuit diagram of an optical receiver which is a first comparative example of the present invention.
The optical receiver 501 includes a
フォトダイオード300は、カソードが電源端子VDDに接続されており、アノードがトランスインピーダンス増幅回路103の入力端子に接続されている点は、前記第1実施形態の図1と同様である。トランスインピーダンス増幅回路103は、シングルエンド出力の増幅回路である点で、トランスインピーダンス増幅回路100(図1,2)と相違する。なお、トランスインピーダンス増幅回路103は、汎用オペアンプに帰還抵抗器を外部接続しても構成し得るが、該汎用オペアンプは内部に位相補償用のキャパシタが備えられている。
The
トランスインピーダンス増幅回路103のシングルエンド出力端子は、差動増幅回路110の非反転入力端子に接続されている。差動増幅回路110は、非反転入力端子と反転入力端子との間に抵抗器12が接続されており、反転入力端子と抵抗器12との接続点には、キャパシタ20の一端が接続されている。なお、キャパシタ20の他端は、接地されている。つまり、抵抗器12、及びキャパシタ20は、ローパスフィルタを構成しており、トランスインピーダンス増幅回路103の出力電圧の交流成分(高周波成分)を除去し、直流成分のみを差動増幅回路110の反転入力端子に印加する機能を有する。
The single-ended output terminal of the transimpedance amplifier circuit 103 is connected to the non-inverting input terminal of the
差動増幅回路110は、非反転入力端子に印加された電圧と反転入力端子に印加された電圧との差分電圧を増幅する回路である。このため、差動増幅回路110は、トランスインピーダンス増幅回路103のシングルエンド出力端子の出力電圧の直流成分を打ち消し、交流成分のみを増幅して出力する。
The
ところで、キャパシタ20は比較的大きな容量が必要なので、トランスインピーダンス増幅回路201は、集積化が困難である。これに対して、前記第1実施形態のトランスインピーダンス増幅回路200は、キャパシタを備えていないので、少ない占有面積で集積化することができる。また、トランスインピーダンス増幅回路100(図2)は、無信号時の出力電圧端子Vout,VoutBの直流電位を揃えることができるので、差動増幅回路110は、揃えられた直流電位を打ち消し、交流成分のみを増幅することができる。
Incidentally, since the
(第2比較例)
図12は、本発明の第2比較例である光受信機の回路図である。
光受信機502は、フォトダイオード300と、トランスインピーダンス増幅回路202とを備え、トランスインピーダンス増幅回路202は、トランスインピーダンス増幅回路103と、二つの差動増幅回路110,111と、抵抗器13と、キャパシタ21とを有する。差動増幅回路110は、差動出力端子を有しているのに対し、差動増幅回路111は、シングルエンド出力端子を有している。
(Second comparative example)
FIG. 12 is a circuit diagram of an optical receiver which is a second comparative example of the present invention.
The optical receiver 502 includes a
フォトダイオード300、及びトランスインピーダンス増幅回路103は、第1比較例と同様の接続であり、トランスインピーダンス増幅回路103のシングルエンド出力端子が差動増幅回路110の非反転入力端子に接続されている。
The
差動増幅回路110は、その差動出力端子と差動増幅回路111の差動入力端子とが接続されている。差動増幅回路111のシングルエンド出力端子は、抵抗器13の一端に接続されている。抵抗器13の他端は、キャパシタ21の一端、及び差動増幅回路の反転入力端に接続されている。キャパシタ21の他端は、接地されている。抵抗器13、及びキャパシタ21は、ローパスフィルタを構成しており、差動増幅回路111のシングルエンド出力端子の直流成分を差動増幅回路110の反転入力端子に印加する。これにより、差動増幅回路110,111、抵抗器13、及びキャパシタ21の閉回路は、差動増幅回路111の非反転入力端子の電位の直流成分と反転入力端子の電位(直流電位)とが一致するように機能し、DCフィードバック回路を構成する。
The
したがって、トランスインピーダンス増幅回路202は、トランスインピーダンス増幅回路103の出力電圧の直流成分を打ち消し、差動増幅回路110が交流成分(高周波成分)のみを増幅する。ところで、キャパシタ21は比較的大きな容量が必要なので、トランスインピーダンス増幅回路202は、集積化が困難である。これに対して、前記第1実施形態のトランスインピーダンス増幅回路200は、キャパシタを備えていないので、少ない占有面積で集積化することができる。
Therefore, the transimpedance amplifier circuit 202 cancels the DC component of the output voltage of the transimpedance amplifier circuit 103, and the
(第3比較例)
図13は、本発明の第3比較例である光受信機の回路図である。
光受信機503は、フォトダイオード300と、トランスインピーダンス増幅回路203とを備え、トランスインピーダンス増幅回路203は、トランスインピーダンス増幅回路103と、差動増幅回路110と、4つの抵抗器14,15,16,17とキャパシタ22とを有する。
(Third comparative example)
FIG. 13 is a circuit diagram of an optical receiver which is a third comparative example of the present invention.
The optical receiver 503 includes a
フォトダイオード300は、第1比較例と同様の接続であるが、トランスインピーダンス増幅回路103は、シングルエンド出力端子がキャパシタ22を介して差動増幅回路110の非反転入力端子に接続されている点で相違する。また、差動増幅回路110は、2本の抵抗器14,15を用いて、非反転入力端子に直流バイアスを掛けている。つまり、トランスインピーダンス増幅回路103と差動増幅回路110とは、AC結合されている。また、差動増幅回路110は、2本の抵抗器16,17を用いて、反転入力端子に直流バイアスを掛けている。
The
つまり、キャパシタ22は、トランスインピーダンス増幅回路103のシングルエンド出力端子と、差動増幅回路110の非反転入力端子とに接続されている。また、抵抗器14,15の直列回路、及び抵抗器16,17の直列回路は、電源端子VDD、及び電源端子VSSに接続されている。抵抗器14,15の直列回路の接続点は、キャパシタ22の一端、及び差動増幅回路110の非反転入力端子に接続されている。また、抵抗器16,17の直列回路の接続点は、差動増幅回路110の反転入力端子に接続されている。
That is, the
これらの接続により、差動増幅回路110は、トランスインピーダンス増幅回路103の出力電圧の交流成分、及び抵抗器14,15の分圧電圧(直流電圧)が非反転入力端子に印加され、抵抗器16,17の分圧電圧(直流電圧)が反転入力端子に印加される。ここで、抵抗器14,16の抵抗値を揃え、抵抗器15,17の抵抗値を揃えれば、抵抗器16,17の分圧電圧と抵抗器16,17の分圧電圧とが等しくなる。この結果、差動増幅回路110は、抵抗器16,17の分圧電圧と抵抗器16,17の分圧電圧とを打ち消し、トランスインピーダンス増幅回路103の出力電圧の交流成分のみ増幅する。
With these connections, the
ところで、キャパシタ22は比較的大きな容量が必要なので、トランスインピーダンス増幅回路203は、集積化が困難である。これに対して、前記第1実施形態のトランスインピーダンス増幅回路200は、キャパシタを備えていないので、少ない占有面積で集積化することができる。
By the way, since the
(変形例)
(1)前記第1実施形態のトランスインピーダンス増幅回路100は、トランジスタT1,T2,T4を用いて、トランジスタT1のゲート電圧v1(t)の変化と逆相のトランジスタT4のドレイン電流を流している。しかしながら、トランジスタT1,T2,T4は、単一の増幅回路と見なすことができる。つまり、トランジスタT4は、電流入力端子Iinの電圧の変化と逆相のドレイン電流を抵抗器11に流しているとみなすことができる。
(Modification)
(1) The
(2)前記各実施形態のインピーダンス増幅回路100,101,102は、ソースフォロア回路T5,T6、及びソースフォロア回路T7,T8を介して、出力電圧端子Vout,VoutBから差動出力電圧を得ていた。しかしながら、次段の差動増幅回路110の入力インピーダンスが高いのが通常なので、ソースフォロア回路T5,T6、及びソースフォロア回路T7,T8が不要になることが多い。つまり、トランスインピーダンス増幅回路100のトランジスタT4のドレインと差動増幅回路の非反転入力端子とが接続され、トランスインピーダンス増幅回路100のトランジスタT3のドレインと差動増幅回路の反転入力端子とが接続される。
(2) The
(3)前記第3実施形態のインピーダンス増幅回路102(図10)は、能動負荷としてトランジスタT9を用いていたが、トランジスタT9の代わりに抵抗負荷を用いることもできる。また、前記各実施形態のトランジスタT3は、ソースフォロアとしてX点の電圧v2(t)の電圧を取り出す電流源として使用したが、抵抗負荷とすることもできる。 (3) Although the impedance amplifying circuit 102 (FIG. 10) of the third embodiment uses the transistor T9 as an active load, a resistive load can be used instead of the transistor T9. In addition, the transistor T3 in each of the above embodiments is used as a current source for extracting the voltage at the voltage V2 (t) at the point X as a source follower, but may be a resistive load.
10 抵抗器
11 抵抗器(抵抗負荷)
12,13,14,15,16,17 抵抗器
20,21,22 キャパシタ
100,101,102,103,200,201,202,203 トランスインピーダンス増幅回路(半導体装置)
110,111 差動増幅回路
300 フォトダイオード(PD)
500,501,502,503 光受信機
600 局
700,701,702 加入者宅
750 スプリッタ
800 PONシステム
T1 トランジスタ(第3トランジスタ、Nチャネルトランジスタ)
T2 トランジスタ(第4トランジスタ、Pチャネルトランジスタ)
T3 トランジスタ(第2負荷、第2トランジスタ、Nチャネルトランジスタ)
T4 トランジスタ(第1トランジスタ、Nチャネルトランジスタ)
T5,T6 トランジスタ(第2ソースフォロア回路、Nチャネルトランジスタ)
T7,T8 トランジスタ(第1ソースフォロア回路、Pチャネルトランジスタ)
T9 (第4トランジスタ、Pチャネルトランジスタ、能動負荷)
T10 トランジスタ(第4トランジスタ、Pチャネルトランジスタ、能動負荷)
VDD 電源端子
VSS 電源端子
VC1,VC2 制御電圧端子
Iin 電流入力端子
Vout,VoutB 出力電圧端子
v1(t)、v2(t),v3(t),v4(t),v5(t) 電圧
iin 入力電流
10
12, 13, 14, 15, 16, 17
110, 111
500, 501, 502, 503
T2 transistor (4th transistor, P-channel transistor)
T3 transistor (second load, second transistor, N-channel transistor)
T4 transistor (first transistor, N-channel transistor)
T5, T6 transistor (second source follower circuit, N-channel transistor)
T7, T8 transistor (first source follower circuit, P-channel transistor)
T9 (4th transistor, P-channel transistor, active load)
T10 transistor (4th transistor, P-channel transistor, active load)
V DD power source terminal V SS power supply terminal V C1, V C2 control voltage terminal I in the current input terminal V out, V outB output voltage terminal v 1 (t), v 2 (t), v 3 (t), v 4 ( t), v 5 (t) Voltage i in input current
Claims (9)
一端が前記入力端子に接続される抵抗器と、
前記入力端子の電圧を反転させるインバータと、
所定電圧が印加された第1負荷と前記インバータの出力電圧をゲート電圧とする第1トランジスタと第2負荷との直列回路とを備え、
前記抵抗器の他端は、前記第1トランジスタと前記第2負荷とを接続する第1接続点に接続され、
前記第1負荷と前記第1トランジスタとを接続する第2接続点と、前記第1接続点との双方から電圧が出力される
ことを特徴とするトランスインピーダンス増幅回路。 A transimpedance amplifier circuit that converts an input current flowing into an input terminal into a voltage and differentially outputs the converted voltage,
A resistor having one end connected to the input terminal;
An inverter for inverting the voltage of the input terminal;
A first load to which a predetermined voltage is applied, and a series circuit of a first transistor and a second load having the output voltage of the inverter as a gate voltage ,
The other end of the resistor is connected to a first connection point that connects the first transistor and the second load;
A transimpedance amplifier circuit, wherein a voltage is output from both a second connection point connecting the first load and the first transistor and the first connection point.
前記第2負荷は、ゲートに所定電圧を印加した第2トランジスタである
ことを特徴とするトランスインピーダンス増幅回路。 The transimpedance amplifier circuit according to claim 1 ,
Before Stories second load transimpedance amplifier circuit, which is a second transistor which applies a predetermined voltage to the gate.
前記第1接続点の電圧は、第1ソースフォロア回路を介して出力され、
前記第2接続点の電圧は、第2ソースフォロア回路を介して出力される
ことを特徴とするトランスインピーダンス増幅回路。 The transimpedance amplifier circuit according to claim 1 or 2,
The voltage at the first connection point is output through a first source follower circuit,
The voltage at the second connection point is output through a second source follower circuit.
前記第1ソースフォロア回路の出力電圧と、前記第2ソースフォロア回路の出力電圧とは、前記入力電流が無信号状態であるときの直流電圧レベルが揃えられている
ことを特徴とするトランスインピーダンス増幅回路。 The transimpedance amplifier circuit according to claim 3,
Transimpedance amplification characterized in that the output voltage of the first source follower circuit and the output voltage of the second source follower circuit have the same DC voltage level when the input current is in a no-signal state. circuit.
前記第1ソースフォロア回路の出力電圧と前記第2ソースフォロア回路の出力電圧とが差動入力される差動増幅回路をさらに備える
ことを特徴とするトランスインピーダンス増幅回路。 The transimpedance amplifier circuit according to claim 4,
The transimpedance amplifier circuit further comprising a differential amplifier circuit to which an output voltage of the first source follower circuit and an output voltage of the second source follower circuit are differentially input.
前記第1接続点の電圧と前記第2接続点の電圧とが差動入力される差動増幅回路をさらに備える
ことを特徴とするトランスインピーダンス増幅回路。 The transimpedance amplifier circuit according to claim 1 or 2,
The transimpedance amplifier circuit further comprising a differential amplifier circuit to which a voltage at the first connection point and a voltage at the second connection point are differentially input.
前記第1負荷は、抵抗器、又は能動負荷である
ことを特徴とするトランスインピーダンス増幅回路。 The transimpedance amplifier circuit according to claim 1,
The transimpedance amplifier circuit, wherein the first load is a resistor or an active load.
前記インバータは、前記入力端子と前記抵抗器との接続点にゲートが接続され、ソースが前記第2トランジスタのソースに接続された第3トランジスタと、前記第3トランジスタのドレイン、及び前記第1トランジスタのゲートにソースが接続された第4トランジスタとを備え、
前記第4トランジスタのゲートは、前記第3トランジスタのゲート、又は前記第4トランジスタのドレインに接続されている
ことを特徴とするトランスインピーダンス増幅回路。 The transimpedance amplifier circuit according to claim 2,
The inverter, the gate is connected to a connection point of the input terminal and the resistor, and a third transistor whose source is connected to a source of the second transistor, before Symbol drain of the third transistor, and the first A fourth transistor having a source connected to the gate of the transistor,
The gate of the fourth transistor is connected to the gate of the third transistor or the drain of the fourth transistor.
一端が前記入力端子に接続される抵抗器と、
前記入力端子の電圧を反転させるインバータと、
所定電圧が印加された第1負荷と前記インバータの出力電圧をゲート電圧とする第1トランジスタと第2負荷との直列回路とを備え、
前記抵抗器の他端は、前記第1トランジスタと前記第2負荷とを接続する第1接続点に接続され、
前記第1負荷と前記第1トランジスタとを接続する第2接続点と、前記第1接続点との双方から電圧が出力される
ことを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device in which a transimpedance amplifier circuit that converts an input current flowing into an input terminal into a voltage and differentially outputs the converted voltage is formed,
A resistor having one end connected to the input terminal;
An inverter for inverting the voltage of the input terminal;
A first load to which a predetermined voltage is applied, and a series circuit of a first transistor and a second load having the output voltage of the inverter as a gate voltage ,
The other end of the resistor is connected to a first connection point that connects the first transistor and the second load;
A voltage is output from both a second connection point connecting the first load and the first transistor and the first connection point.
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