JP6186204B2 - Semiconductor device and lead frame - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置及びリードフレームに関する。   The present invention relates to a semiconductor device and a lead frame.

従来より、リードフレームを用いて製造される樹脂封止型の半導体装置は、例えば特許文献１のように、装置本体（半導体素子等を含む回路を樹脂で封止した部分）と、装置本体から突出する複数のリードと、を備える。このような半導体装置に大電流（例えば電源電流）を流す場合、当該大電流が流れるリードは、断面積を拡大するために帯板状に形成される。また、帯板状に形成された複数のリードは、装置本体の外側において、リードの板幅方向に間隔をあけて配列されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a resin-encapsulated semiconductor device manufactured using a lead frame includes, for example, a device main body (a portion in which a circuit including a semiconductor element or the like is sealed with a resin) and a device main body as disclosed in Patent Document 1. A plurality of leads protruding. When a large current (for example, a power supply current) is passed through such a semiconductor device, the lead through which the large current flows is formed in a strip shape to increase the cross-sectional area. Further, the plurality of leads formed in a strip shape are arranged at intervals in the plate width direction of the leads on the outside of the apparatus main body.

特開２０１３−８９７１１号公報JP 2013-89711 A

ところで、大電流が流れるリードを他の電気部品（例えばソケット等の接続部品）に電気的に接続する場合には、帯板状のリードと他の電気部品の端子板部とを溶接することがある。抵抗溶接等による帯板状のリードと端子板部との溶接は、帯板状のリードを端子板部に押し付けた状態で行われる。このためには、帯板状のリードと端子板部とを板厚方向に重ね合わせた状態で、その両側から治具や工具等によってリードと端子板部とを挟み込む必要がある。   By the way, when a lead through which a large current flows is electrically connected to another electrical component (for example, a connection component such as a socket), the strip-shaped lead and the terminal plate portion of the other electrical component may be welded. is there. The welding between the strip plate-like lead and the terminal plate portion by resistance welding or the like is performed in a state where the strip plate-like lead is pressed against the terminal plate portion. For this purpose, it is necessary to sandwich the lead and the terminal plate portion with jigs, tools, etc. from both sides in a state where the strip plate-like lead and the terminal plate portion are overlapped in the plate thickness direction.

しかしながら、他の電気部品に備える複数の端子板部が、その板厚方向に配列されている場合には、帯板状のリードの板厚方向と端子板部の板厚方向とが直交するため、これらを互いに重ね合わせることができず、帯板状のリードと端子板部との溶接が難しい、という問題がある。   However, when a plurality of terminal plate parts provided in other electrical components are arranged in the plate thickness direction, the plate thickness direction of the strip plate-like lead is orthogonal to the plate thickness direction of the terminal plate unit. There is a problem that they cannot be overlapped with each other and it is difficult to weld the strip-shaped lead and the terminal plate portion.

本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、帯板状に形成された複数のリードを、他の電気部品の端子板部に容易かつ確実に溶接できる半導体装置及びリードフレームを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and provides a semiconductor device and a lead frame that can easily and reliably weld a plurality of leads formed in a strip shape to a terminal plate portion of another electrical component. For the purpose.

この課題を解決するために、本発明の半導体装置は、装置本体と、帯板状に形成され、一方向に間隔をあけて配列されるように前記装置本体から突出する複数のリードと、を備え、前記リードの板幅方向は、複数の前記リードの配列方向に一致し、前記リードにスリットが形成され、前記リードの一部が、前記スリットによって前記板幅方向に分離され、前記スリットにより分離された前記リードの一対の分割部同士の間隔が、前記スリットに差し込まれる端子板部の板厚よりも小さいことを特徴とする。 In order to solve this problem, a semiconductor device of the present invention includes a device main body and a plurality of leads that are formed in a strip shape and project from the device main body so as to be arranged at intervals in one direction. The lead has a plate width direction that coincides with the arrangement direction of the plurality of leads, a slit is formed in the lead, and a part of the lead is separated in the plate width direction by the slit, The distance between the pair of divided portions of the separated leads is smaller than the thickness of the terminal plate portion inserted into the slit .

また、本発明のリードフレームは、前記半導体装置の製造に用いるリードフレームであって、帯板状に形成されると共に、板幅方向に間隔をあけて配列され、前記半導体装置の前記リードとなる複数のリード部と、複数の前記リード部を連結する枠体部と、を備え、前記リード部にスリットが形成され、前記リード部の一部が、前記スリットによって前記板幅方向に分離されていることを特徴とする。 The lead frame of the present invention is a lead frame used for manufacturing the semiconductor device, and is formed in a band plate shape and arranged at intervals in the plate width direction to form the lead of the semiconductor device. A plurality of lead portions, and a frame body portion connecting the plurality of lead portions, wherein a slit is formed in the lead portion, and a part of the lead portion is separated in the plate width direction by the slit. It is characterized by.

本発明によれば、他の電気部品に備える複数の端子板部がその板厚方向に配列されていても、全ての端子板部をそれぞれリードに形成されたスリットに差し込むことができる。そして、分離されたリードの一対の分割部の間に端子板部を挟み込んだ状態で溶接することができる。すなわち、帯板状に形成された複数のリードを、他の電気部品の端子板部に容易かつ確実に溶接することが可能となる。   According to the present invention, even if a plurality of terminal plate portions provided in other electrical components are arranged in the plate thickness direction, all the terminal plate portions can be respectively inserted into the slits formed in the leads. And it can weld in the state which pinched | interposed the terminal board part between a pair of division | segmentation part of the isolate | separated lead | read | reed. That is, it becomes possible to easily and reliably weld a plurality of leads formed in a strip shape to the terminal plate portion of another electrical component.

本発明の第一実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第一実施形態に係るリードフレームの要部を示す平面図である。It is a top view which shows the principal part of the lead frame which concerns on 1st embodiment of this invention. 図１の半導体装置とソケットとを溶接した状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which welded the semiconductor device and socket of FIG. 図１〜３の電源用リードに形成されたスリットを示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the slit formed in the lead for power supplies of FIGS. 本発明の第二実施形態に係る半導体装置の電源用リードに形成されたスリット及び接続突起を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the slit and connection protrusion which were formed in the lead | read | reed for power supplies of the semiconductor device which concerns on 2nd embodiment of this invention. 本発明の第二実施形態に係る半導体装置及びソケットを電子機器の筺体に組み込んだ状態を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the state which incorporated the semiconductor device and socket which concern on 2nd embodiment of this invention in the housing of an electronic device. 本発明の第三実施形態に係る半導体装置の電源用リードに形成されたスリットの変形例であり、端子板部をスリットに挿入した状態を示す拡大図である。It is a modification of the slit formed in the lead | read | reed for power supplies of the semiconductor device which concerns on 3rd embodiment of this invention, and is an enlarged view which shows the state which inserted the terminal board part in the slit. 図７に示す挿入状態から、端子板部をスリット内でスライドさせた状態を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the state which slid the terminal board part in the slit from the insertion state shown in FIG.

〔第一実施形態〕
以下、図１〜４を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
図１に示すように、本実施形態の半導体装置１０Ａは、装置本体１１と、装置本体１１から突出し、一方向（配列方向Ｄ）に間隔をあけて配列された複数の電源用リード（リード）２０Ａ及び信号用リード１３と、を備える。
装置本体１１は、不図示の半導体素子等を含む回路を封止樹脂１２で封止したものであり、所定の厚さを有する板状に形成されている。本実施形態の装置本体１１は、平面視矩形の板状に形成されている。
電源用リード２０Ａ及び信号用リード１３は、それぞれ封止樹脂１２内において半導体素子に電気接続され、装置本体１１の側面（外面）１１ｓから外方に突出している。 [First embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, a semiconductor device 10A of this embodiment includes a device main body 11 and a plurality of power supply leads (leads) that protrude from the device main body 11 and are arranged at intervals in one direction (arrangement direction D). 20A and a signal lead 13.
The device body 11 is a circuit in which a circuit including a semiconductor element (not shown) is sealed with a sealing resin 12 and is formed in a plate shape having a predetermined thickness. The apparatus main body 11 of this embodiment is formed in a plate shape having a rectangular shape in plan view.
The power supply lead 20 </ b> A and the signal lead 13 are electrically connected to the semiconductor element in the sealing resin 12, respectively, and protrude outward from the side surface (outer surface) 11 s of the apparatus main body 11.

各電源用リード２０Ａは、電力供給用のリードであり、帯板状に形成されている。各電源用リード２０Ａは、装置本体１１の側面１１ｓから離れる方向に突出する延出板部２１と、延出板部２１の延出方向先端に設けられ、延出板部２１に対して所定の角度に折り曲げられた立ち上がり板部２２と、を備える。
延出板部２１の板幅方向は、複数の電源用リード２０Ａの配列方向Ｄに一致している。また、延出板部２１の板厚方向は、装置本体１１の厚さ方向に一致している。また、複数の延出板部２１の位置は、装置本体１１の厚さ方向において一致している。 Each of the power supply leads 20A is a power supply lead and is formed in a strip shape. Each power supply lead 20 </ b> A is provided at an extension plate portion 21 that protrudes in a direction away from the side surface 11 s of the apparatus main body 11, and an extension plate tip of the extension plate portion 21. And a rising plate portion 22 bent at an angle.
The plate width direction of the extending plate portion 21 coincides with the arrangement direction D of the plurality of power supply leads 20A. Further, the thickness direction of the extension plate portion 21 coincides with the thickness direction of the apparatus main body 11. Further, the positions of the plurality of extending plate portions 21 coincide with each other in the thickness direction of the apparatus main body 11.

立ち上がり板部２２は、延出板部２１に対して所定の角度に折り曲げられた部位であり、延出板部２１の先端から装置本体１１の厚さ方向に延びている。本実施形態では、立ち上がり板部２２が、装置本体１１の下面１１ｂ側から上面１１ａに向かう方向に延びている。また、立ち上がり板部２２の延出方向先端は、装置本体１１の上面１１ａよりも上方に位置している。さらに、立ち上がり板部２２の延出方向は、延出板部２１の延出方向に対して直交している。また、複数の立ち上がり板部２２の位置は、延出板部２１の延出方向において一致している。
以上のように構成される複数の電源用リード２０Ａは、その配列方向Ｄに間隔をあけて配列されている。 The rising plate portion 22 is a portion bent at a predetermined angle with respect to the extending plate portion 21, and extends in the thickness direction of the apparatus main body 11 from the tip of the extending plate portion 21. In the present embodiment, the rising plate portion 22 extends in the direction from the lower surface 11b side of the apparatus main body 11 toward the upper surface 11a. Further, the leading end of the rising plate portion 22 in the extending direction is located above the upper surface 11 a of the apparatus main body 11. Furthermore, the extending direction of the rising plate portion 22 is orthogonal to the extending direction of the extending plate portion 21. Further, the positions of the plurality of rising plate portions 22 coincide with each other in the extending direction of the extending plate portion 21.
The plurality of power supply leads 20A configured as described above are arranged at intervals in the arrangement direction D.

図１、図４に示すように、各電源用リード２０Ａの立ち上がり板部２２には、スリット３０が形成されている。スリット３０は、電源用リード２０Ａの長手方向に延びている。これにより、電源用リード２０Ａの長手方向の一部が、スリット３０によって板幅方向に分離されている。
本実施形態では、スリット３０の一端３０ｅが、電源用リード２０Ａの突出方向先端である立ち上がり板部２２の先端２２ｓに開口している。さらに、スリット３０の他端３０ｆは、他の部分よりも幅広に形成されている。図示例では、スリット３０の他端３０ｆが、スリット３０の他の部分のスリット幅Ｗ０よりも大きな内径を有する円形状に形成されているが、これに限ることはない。 As shown in FIGS. 1 and 4, a slit 30 is formed in the rising plate portion 22 of each power lead 20A. The slit 30 extends in the longitudinal direction of the power lead 20A. Thereby, a part of the power supply lead 20 </ b> A in the longitudinal direction is separated in the plate width direction by the slit 30.
In the present embodiment, one end 30e of the slit 30 opens at the tip 22s of the rising plate portion 22 that is the tip of the power supply lead 20A in the protruding direction. Furthermore, the other end 30f of the slit 30 is formed wider than other portions. In the illustrated example, the other end 30f of the slit 30 is formed in a circular shape having an inner diameter larger than the slit width W0 of the other part of the slit 30, but this is not restrictive.

電源用リード２０Ａの立ち上がり板部２２は、上記スリット３０によって分離された一対の分離部２３Ａ，２３Ｂを有する。これら一対の分離部２３Ａ，２３Ｂは、立ち上がり板部２２の板幅方向に間隔をあけて配列されている。
各分離部２３Ａ，２３Ｂには、スリット３０を挟んで対向する他方の分離部２３Ｂ，２３Ａ側に向けて突出する溶接用突起３５が形成されている。各溶接用突起３５は、その突出方向先端に向かうにしたがって、その幅寸法が漸次小さくなるよう形成されている。
これら一対の溶接用突起３５は、立ち上がり板部２２の板幅方向に対向している。これら一対の溶接用突起３５は、スリット３０の長手方向の中間部に形成されている。 The rising plate portion 22 of the power supply lead 20 </ b> A has a pair of separation portions 23 </ b> A and 23 </ b> B separated by the slit 30. The pair of separation portions 23 </ b> A and 23 </ b> B are arranged at intervals in the plate width direction of the rising plate portion 22.
Each separation portion 23A, 23B is formed with a welding projection 35 projecting toward the other separation portion 23B, 23A facing the slit 30 therebetween. Each of the welding projections 35 is formed such that its width dimension gradually decreases toward the tip in the protruding direction.
The pair of welding projections 35 oppose each other in the plate width direction of the rising plate portion 22. The pair of welding projections 35 are formed in the middle portion of the slit 30 in the longitudinal direction.

以上のように構成される電源用リード２０Ａの立ち上がり板部２２において、一対の溶接用突起３５，３５の先端位置における一対の分離部２３Ａ，２３Ｂ同士の間隔は、スリット３０の他の部分のスリット幅Ｗ０よりも小さく、また、スリット３０に差し込まれる端子板部４２（後述）の板厚よりも小さく設定されている。なお、スリット３０の他の部分のスリット幅Ｗ０は、端子板部４２の板厚よりも大きく設定されている。   In the rising plate portion 22 of the power supply lead 20 </ b> A configured as described above, the distance between the pair of separation portions 23 </ b> A and 23 </ b> B at the tip positions of the pair of welding projections 35 and 35 is the slit of the other portion of the slit 30. It is smaller than the width W0 and smaller than the thickness of a terminal plate portion 42 (described later) inserted into the slit 30. The slit width W0 of the other part of the slit 30 is set to be larger than the plate thickness of the terminal plate portion 42.

そして、本実施形態の半導体装置１０Ａでは、複数の電源用リード２０Ａに形成されたスリット３０が、複数の電源用リード２０Ａの配列方向Ｄに間隔をあけて配列されている。また、これら複数のスリット３０は、互いに平行して装置本体１１の厚さ方向に延びている。   In the semiconductor device 10A of this embodiment, the slits 30 formed in the plurality of power supply leads 20A are arranged at intervals in the arrangement direction D of the plurality of power supply leads 20A. The plurality of slits 30 extend in the thickness direction of the apparatus main body 11 in parallel with each other.

上記のように電源用リード２０Ａを備える半導体装置１０Ａは、例えば図２に示すようなリードフレーム１００を用いて製造される。リードフレーム１００は、銅板等のように導電性を有する板材にプレス加工等を施すことで得られる。
リードフレーム１００は、電源用リード２０Ａとなる複数のリード部１０１と、これら複数のリード部１０１を連結する枠体部１０５と、を備える。
複数のリード部１０１は、それぞれ帯板状に形成されると共に、板幅方向に間隔をあけて配列されている。各リード部１０１の長手方向の一端部１０１ａには、リード部１０１の長手方向に延びるスリット３０が形成されている。リード部１０１の一部は、このスリット３０によってリード部１０１の板幅方向に分離されている。スリット３０の長手方向の一端３０ｅはリード部１０１の一端部１０１ａに開口し、スリット３０の他端３０ｆは、前述したように円形状に形成されている。また、スリット３０の長手方向中間部には、前述した溶接用突起３５，３５が形成されている。 The semiconductor device 10A including the power supply lead 20A as described above is manufactured using, for example, a lead frame 100 as shown in FIG. The lead frame 100 can be obtained by subjecting a conductive plate material such as a copper plate to press working.
The lead frame 100 includes a plurality of lead portions 101 serving as power supply leads 20 </ b> A and a frame body portion 105 that connects the plurality of lead portions 101.
The plurality of lead portions 101 are each formed in a strip shape and are arranged at intervals in the plate width direction. A slit 30 extending in the longitudinal direction of the lead portion 101 is formed at one end portion 101 a in the longitudinal direction of each lead portion 101. A part of the lead portion 101 is separated in the plate width direction of the lead portion 101 by the slit 30. One end 30e in the longitudinal direction of the slit 30 opens to one end 101a of the lead portion 101, and the other end 30f of the slit 30 is formed in a circular shape as described above. Further, the above-described welding projections 35, 35 are formed in the middle portion in the longitudinal direction of the slit 30.

上記リードフレーム１００を用いて半導体装置１０Ａを製造する際には、はじめに、図示しない半導体素子とリード部１０１の他端部とを電気接続するなどして半導体素子等を含む回路を構成し、さらに、リード部１０１の他端部等を封止樹脂１２により封止した後、枠体部１０５を切り落とすようにリードフレーム１００を切断すればよい。これにより、複数のリード部１０１が封止樹脂１２の外側において電気的に独立する。
その後、図２の二点鎖線Ｓ１で示した位置においてリード部１０１を折り曲げることによって、電源用リード２０Ａの延出板部２１及び立ち上がり板部２２が形成される。 When manufacturing the semiconductor device 10A using the lead frame 100, first, a circuit including a semiconductor element or the like is configured by electrically connecting a semiconductor element (not shown) and the other end of the lead part 101, and the like. After the other end portion of the lead portion 101 is sealed with the sealing resin 12, the lead frame 100 may be cut so that the frame portion 105 is cut off. Thereby, the plurality of lead portions 101 are electrically independent outside the sealing resin 12.
Thereafter, the extension plate portion 21 and the rising plate portion 22 of the power lead 20A are formed by bending the lead portion 101 at the position indicated by the two-dot chain line S1 in FIG.

図３に示すように、上記半導体装置１０Ａは、他の電気部品の一例としてのソケット４０に接続される。
ソケット４０は、樹脂等の絶縁材料からなるハウジング４１と、導電性材料からなりハウジング４１に保持された複数の端子板部４２と、を備える。 As shown in FIG. 3, the semiconductor device 10A is connected to a socket 40 as an example of another electrical component.
The socket 40 includes a housing 41 made of an insulating material such as a resin, and a plurality of terminal plate portions 42 made of a conductive material and held by the housing 41.

各端子板部４２は、帯板状に形成されている。複数の端子板部４２の長手方向の一端部４２ａは、筒状に形成されたハウジング４１内に収容されている。複数の端子板部４２の長手方向の他端部４２ｂは、ハウジング４１の一方の開口部から同一方向に突出している。複数の端子板部４２は、ハウジング４１に保持された状態で、端子板部４２の板厚方向に間隔をあけて配列されている。また、複数の端子板部４２の板厚方向は、複数の端子板部４２の配列方向Ｄに一致している。本実施形態では、端子板部４２が、電源用リード２０Ａと同じ数となるように５つ設けられている。   Each terminal plate portion 42 is formed in a band plate shape. One end portions 42a in the longitudinal direction of the plurality of terminal plate portions 42 are accommodated in a housing 41 formed in a cylindrical shape. The other end portions 42 b in the longitudinal direction of the plurality of terminal plate portions 42 protrude from the one opening portion of the housing 41 in the same direction. The plurality of terminal plate portions 42 are arranged at intervals in the thickness direction of the terminal plate portion 42 while being held by the housing 41. Further, the plate thickness direction of the plurality of terminal plate portions 42 coincides with the arrangement direction D of the plurality of terminal plate portions 42. In the present embodiment, five terminal plate portions 42 are provided so as to have the same number as the power supply leads 20A.

ハウジング４１から突出した複数の端子板部４２の他端部４２ｂは、半導体装置１０Ａの装置本体１１から突出した各電源用リード２０Ａのスリット３０内に挿入されて溶接される。
具体的に説明すれば、端子板部４２と電源用リード２０Ａとを溶接する際には、はじめに、例えば図１に示すように、端子板部４２の他端部４２ｂを、スリット３０の一端３０ｅが開口する立ち上がり板部２２の先端２２ｓからスリット３０内に差し込む。その後、図４に示すように、端子板部４２の他端部４２ｂを、スリット３０の他端３０ｆ側に移動させて一対の溶接用突起３５，３５の間に挟み込む。これにより、端子板部４２の他端部４２ｂの板厚方向両側の平坦面４２ｆ，４２ｆが、スリット３０の両側の分離部２３Ａ，２３Ｂから突出した溶接用突起３５，３５に突き合わされて点接触する。この状態において、端子板部４２と電源用リード２０Ａとが抵抗溶接される。 The other end portions 42b of the plurality of terminal plate portions 42 protruding from the housing 41 are inserted and welded into the slits 30 of the power supply leads 20A protruding from the device body 11 of the semiconductor device 10A.
Specifically, when welding the terminal plate portion 42 and the power supply lead 20A, first, as shown in FIG. 1, for example, the other end portion 42b of the terminal plate portion 42 is connected to one end 30e of the slit 30. Is inserted into the slit 30 from the tip 22s of the rising plate portion 22 where the opening is opened. Thereafter, as shown in FIG. 4, the other end portion 42 b of the terminal plate portion 42 is moved to the other end 30 f side of the slit 30 and sandwiched between the pair of welding projections 35 and 35. Thereby, the flat surfaces 42f and 42f on both sides in the thickness direction of the other end portion 42b of the terminal plate portion 42 are brought into contact with the welding projections 35 and 35 protruding from the separation portions 23A and 23B on both sides of the slit 30 to make point contact. To do. In this state, the terminal plate portion 42 and the power supply lead 20A are resistance-welded.

以上説明したように、本実施形態の半導体装置１０Ａによれば、各電源用リード２０Ａにスリット３０が形成され、電源用リード２０Ａの長手方向の一部がスリット３０によって板幅方向に分離されているため、ソケット４０に備える複数の端子板部４２がその板厚方向に配列されていても、全ての端子板部４２をスリット３０に差し込んで溶接することができる。すなわち、半導体装置１０Ａの全ての電源用リード２０Ａを各端子板部４２に対して容易かつ確実に溶接することが可能となる。
また、端子板部４２をスリット３０に差し込んだ状態では、電源用リード２０Ａと端子板部４２とが直交するため、例えば電源用リード２０Ａ及び端子板部４２を板厚方向に重ね合せて溶接する場合と比較して、電源用リード２０Ａと端子板部４２との溶接部分を視認しやすい。したがって、電源用リード２０Ａと端子板部４２との溶接の良否を、視認により容易に判定することが可能となる。 As described above, according to the semiconductor device 10A of the present embodiment, the slit 30 is formed in each power supply lead 20A, and a part of the power supply lead 20A in the longitudinal direction is separated by the slit 30 in the plate width direction. Therefore, even if the plurality of terminal plate portions 42 provided in the socket 40 are arranged in the thickness direction, all the terminal plate portions 42 can be inserted into the slits 30 and welded. In other words, all the power supply leads 20A of the semiconductor device 10A can be easily and reliably welded to the terminal plate portions 42.
Further, in a state where the terminal plate portion 42 is inserted into the slit 30, the power supply lead 20 </ b> A and the terminal plate portion 42 are orthogonal to each other. For example, the power supply lead 20 </ b> A and the terminal plate portion 42 are overlapped and welded in the plate thickness direction. Compared to the case, it is easy to visually recognize the welded portion between the power lead 20 </ b> A and the terminal plate portion 42. Therefore, it is possible to easily determine visually whether or not welding between the power supply lead 20A and the terminal plate portion 42 is good.

さらに、本実施形態の半導体装置１０Ａによれば、スリット３０の両側の一対の分離部２３Ａ，２３Ｂに溶接用突起３５，３５が形成されているため、端子板部４２をスリット３０に差し込んだ際に、溶接用突起３５，３５の先端を端子板部４２の平坦面４２ｆ，４２ｆに点接触させた状態で好適に溶接できる。具体的には、電源用リード２０Ａと端子板部４２とを抵抗溶接により溶接する場合、電源用リード２０Ａと端子板部４２との点接触部分における電気抵抗が大きくなるため、効率よく溶接することが可能となる。
また、本実施形態の半導体装置１０Ａによれば、溶接用突起３５は、突出方向先端に向かうにしたがって、その幅寸法が漸次小さくなるように形成されているため、端子板部４２を溶接用突起３５，３５間に容易に差し込むことができる。 Further, according to the semiconductor device 10 </ b> A of the present embodiment, since the welding projections 35 and 35 are formed on the pair of separation portions 23 </ b> A and 23 </ b> B on both sides of the slit 30, when the terminal plate portion 42 is inserted into the slit 30. In addition, welding can be suitably performed with the tips of the welding projections 35 and 35 being in point contact with the flat surfaces 42 f and 42 f of the terminal plate portion 42. Specifically, when the power supply lead 20A and the terminal plate portion 42 are welded by resistance welding, the electrical resistance at the point contact portion between the power supply lead 20A and the terminal plate portion 42 is increased, so that the welding is efficiently performed. Is possible.
Further, according to the semiconductor device 10A of the present embodiment, the welding projection 35 is formed so that its width dimension gradually decreases toward the tip in the protruding direction, so that the terminal plate portion 42 is replaced with the welding projection. 35, 35 can be easily inserted.

さらに、本実施形態の半導体装置１０Ａによれば、一対の溶接用突起３５，３５の先端位置における一対の分離部２３Ａ，２３Ｂ同士の間隔が端子板部４２の板厚よりも小さいため、端子板部４２をスリット３０のうち一対の溶接用突起３５，３５の間に差し込むだけで、別途工具を用いることなく、一対の分離部２３Ａ，２３Ｂの間に端子板部４２を挟み込むことが可能となる。したがって、電源用リード２０Ａと端子板部４２との溶接を効率よく行うことができる。   Furthermore, according to the semiconductor device 10A of the present embodiment, since the distance between the pair of separation portions 23A and 23B at the tip positions of the pair of welding projections 35 and 35 is smaller than the thickness of the terminal plate portion 42, the terminal plate By simply inserting the portion 42 between the pair of welding projections 35, 35 in the slit 30, the terminal plate portion 42 can be sandwiched between the pair of separation portions 23A, 23B without using a separate tool. . Therefore, welding between the power lead 20A and the terminal plate portion 42 can be performed efficiently.

また、半導体装置１０Ａによれば、スリット３０の一端３０ｅが電源用リード２０Ａの突出方向先端である立ち上がり板部２２の先端２２ｓに開口し、スリット３０の他端３０ｆが他の部分よりも幅広に形成されているため、スリット３０の他端３０ｆに対応する分離部２３Ａ，２３Ｂの部分が弾性変形し易くなる。すなわち、分離部２３Ａ，２３Ｂの弾性変形によってスリット３０が開き易くなり、端子板部４２を容易にスリット３０に差し込むことができる。さらに、端子板部４２がスリット３０に差し込まれた際には、分離部２３Ａ，２３Ｂの弾性変形が復元する方向の力によりスリット３０が閉じようとするため、一対の分離部２３Ａ，２３Ｂによって端子板部４２を挟み込む力を十分に得ることができる。
さらに、本実施形態では、スリット３０の他端３０ｆが、円形状に形成されているため、端子板部４２をスリット３０に差し込んで、両側の分離部２３Ａ，２３Ｂが押し広げられた際に、スリット３０の他端３０ｆに応力が集中してクラック等が生じることも防止できる。 Also, according to the semiconductor device 10A, one end 30e of the slit 30 opens at the tip 22s of the rising plate portion 22 that is the tip of the power supply lead 20A in the protruding direction, and the other end 30f of the slit 30 is wider than other portions. Since it is formed, the portions of the separating portions 23A and 23B corresponding to the other end 30f of the slit 30 are easily elastically deformed. That is, the slit 30 is easily opened by the elastic deformation of the separation portions 23 </ b> A and 23 </ b> B, and the terminal plate portion 42 can be easily inserted into the slit 30. Further, when the terminal plate portion 42 is inserted into the slit 30, the slit 30 tends to be closed by a force in a direction in which the elastic deformation of the separation portions 23A and 23B is restored. A sufficient force to sandwich the plate portion 42 can be obtained.
Furthermore, in this embodiment, since the other end 30f of the slit 30 is formed in a circular shape, when the terminal plate portion 42 is inserted into the slit 30 and the separating portions 23A and 23B on both sides are pushed and spread, It is also possible to prevent the stress from concentrating on the other end 30f of the slit 30 from causing cracks and the like.

また、本実施形態のリードフレーム１００によれば、本実施形態の半導体装置１０Ａを容易に製造することができる。   Further, according to the lead frame 100 of the present embodiment, the semiconductor device 10A of the present embodiment can be easily manufactured.

なお、上記第一実施形態においては、溶接用突起３５が、一対の分離部２３Ａ，２３Ｂの両方に形成されているが、例えば一対の分離部２３Ａ，２３Ｂの一方のみに形成されてもよい。
また、この溶接用突起３５は、例えば形成されなくてもよい。この場合、例えば、スリット３０の一端３０ｅから他端３０ｆ側に向かうにしたがってスリット３０の幅寸法が漸次小さくなるようにスリット３０を形成し、スリット３０の他端３０ｆ側の幅寸法を端子板部４２の板厚よりも小さく設定すれば、上記実施形態と同様に、スリット３０に挿入された端子板部４２を一対の分離部２３Ａ，２３Ｂにより挟み込むことができる。 In the first embodiment, the welding projection 35 is formed on both the pair of separation portions 23A and 23B, but may be formed on only one of the pair of separation portions 23A and 23B, for example.
Further, the welding projection 35 may not be formed, for example. In this case, for example, the slit 30 is formed so that the width dimension of the slit 30 gradually decreases from one end 30e to the other end 30f side of the slit 30, and the width dimension of the slit 30 on the other end 30f side is set to the terminal plate portion. If the plate thickness is set to be smaller than 42, the terminal plate portion 42 inserted into the slit 30 can be sandwiched between the pair of separation portions 23A and 23B, as in the above embodiment.

〔第二実施形態〕
次に、図５，６を参照して本発明の第二実施形態について説明する。
この実施形態では、第一実施形態の半導体装置と比較して、電源用リードの構成のみが異なっており、その他の構成については第一実施形態と同様である。本実施形態では、第一実施形態と同一の構成要素について同一符号を付す等して、その説明を省略する。
図５，６に示すように、本実施形態の半導体装置１０Ｂは、第一実施形態と同様に、装置本体１１と、装置本体１１から突出し、一方向に間隔をあけて配列される複数の電源用リード（リード）２０Ｂと、を備える。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In this embodiment, compared with the semiconductor device of the first embodiment, only the configuration of the power supply lead is different, and the other configuration is the same as that of the first embodiment. In the present embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
As shown in FIGS. 5 and 6, the semiconductor device 10 </ b> B of the present embodiment is similar to the first embodiment, and includes a device main body 11 and a plurality of power supplies that protrude from the device main body 11 and are arranged at intervals in one direction. Lead (lead) 20B.

各電源用リード２０Ｂは、第一実施形態と同様に、帯板状に形成されており、装置本体１１の側面１１ｓから離れる方向に延びる延出板部２１と、延出板部２１の先端から直交して立ち上がるよう延出板部２１に対して直角に折り曲げられた立ち上がり板部２２と、を備える。
図５に示すように、各電源用リード２０Ｂの立ち上がり板部２２には、第一実施形態と同様のスリット３０が形成されている。スリット３０の一端３０ｅは、電源用リード２０Ｂの突出方向先端である立ち上がり板部２２の先端２２ｓに開口している。また、スリット３０の他端３０ｆは、スリット３０の他の部分よりも幅広に形成されている。
電源用リード２０Ｂの立ち上がり板部２２は、上記スリット３０によって分離された一対の分離部２３Ｃ，２３Ｄを有する。また、一対の分離部２３Ｃ，２３Ｄには、第一実施形態と同様の溶接用突起３５，３５が形成されている。 Each power supply lead 20 </ b> B is formed in a strip shape like the first embodiment, and extends from the extension plate portion 21 extending in the direction away from the side surface 11 s of the apparatus main body 11 and the tip of the extension plate portion 21. And a rising plate portion 22 that is bent at a right angle with respect to the extending plate portion 21 so as to rise perpendicularly.
As shown in FIG. 5, a slit 30 similar to that of the first embodiment is formed in the rising plate portion 22 of each power lead 20B. One end 30e of the slit 30 is open to the tip 22s of the rising plate portion 22 that is the tip of the power supply lead 20B in the protruding direction. The other end 30 f of the slit 30 is formed wider than the other part of the slit 30.
The rising plate portion 22 of the power lead 20 </ b> B has a pair of separation portions 23 </ b> C and 23 </ b> D separated by the slit 30. Moreover, the projections 35 and 35 for welding similar to 1st embodiment are formed in a pair of separation parts 23C and 23D.

そして、本実施形態では、一対の分離部２３Ｃ、２３Ｄの一方、例えば第一分離部２３Ｃの先端に、電源用リード２０Ｂ（立ち上がり板部２２）よりも幅寸法の小さい接続突起２５が一体に形成されている。本実施形態の接続突起２５の幅寸法は、第一分離部２３Ｃの幅寸法Ｗ１よりも小さく設定されている。
さらに、本実施形態では、一対の分離部２３Ｃ、２３Ｄのうち接続突起２５を形成した第一分離部２３Ｃの幅寸法Ｗ１が、第二分離部２３Ｄの幅寸法Ｗ２よりも大きく設定されている。 In this embodiment, the connection protrusion 25 having a width smaller than that of the power supply lead 20B (the rising plate portion 22) is integrally formed at one end of the pair of separation portions 23C and 23D, for example, at the tip of the first separation portion 23C. Has been. The width dimension of the connection protrusion 25 of this embodiment is set to be smaller than the width dimension W1 of the first separation portion 23C.
Furthermore, in this embodiment, the width dimension W1 of the first separation part 23C in which the connection protrusion 25 is formed among the pair of separation parts 23C and 23D is set to be larger than the width dimension W2 of the second separation part 23D.

以上のように構成される本実施形態の半導体装置１０Ｂは、第一実施形態の場合と同様に、溶接によりソケット４０と接続することが可能である。
そして、本実施形態の半導体装置１０Ｂは、例えば図６に示すように、ソケット４０に接続された状態で、また、実装基板１２０に実装された状態で、電子機器の筺体１１０に収容することができる。
筺体１１０は、例えばアルミニウム合金製であり、一方に開口部１１０ａを有する有底の箱状に形成されている。筺体１１０の開口部１１０ａは、例えば不図示の蓋体によって閉塞される。
半導体装置１０Ｂは、この筺体１１０内に収容される。また、ソケット４０は、ハウジング４１内に配された端子板部４２の一端部４２ａが筐体１１０の外側に向くように、筺体１１０の側壁部に形成された切欠部１１１に嵌め込まれる。 The semiconductor device 10B of the present embodiment configured as described above can be connected to the socket 40 by welding, as in the case of the first embodiment.
Then, the semiconductor device 10B of the present embodiment can be accommodated in the housing 110 of the electronic device while being connected to the socket 40 and mounted on the mounting substrate 120 as shown in FIG. 6, for example. it can.
The casing 110 is made of, for example, an aluminum alloy and is formed in a bottomed box shape having an opening 110a on one side. The opening 110a of the housing 110 is closed by a lid (not shown), for example.
The semiconductor device 10B is housed in the housing 110. The socket 40 is fitted into a notch 111 formed on the side wall of the housing 110 so that one end 42 a of the terminal plate 42 arranged in the housing 41 faces the outside of the housing 110.

さらに、半導体装置１０Ｂの装置本体１１の側面１１ｓから突出し、上方に向けて折り曲げられた信号用リード１３の先端部１３ｂ、及び、電源用リード２０Ｂの立ち上がり板部２２から上方に延びた接続突起２５は、実装基板１２０に形成されたスルーホール１２１に挿入され、はんだ付けにより実装基板１２０に形成された配線パターンに電気的に接続されている。
なお、実装基板１２０に形成される回路構成については何ら限定するものではなく、電子機器の目的に応じたものとすればよい。 Further, the projection 13 protrudes from the side surface 11s of the device main body 11 of the semiconductor device 10B and is bent upward, and the connection protrusion 25 extending upward from the leading end portion 13b of the signal lead 13 and the rising plate portion 22 of the power supply lead 20B. Is inserted into a through hole 121 formed in the mounting substrate 120 and electrically connected to a wiring pattern formed in the mounting substrate 120 by soldering.
Note that the circuit configuration formed on the mounting substrate 120 is not limited at all, and may be set in accordance with the purpose of the electronic device.

上記した本実施形態の半導体装置１０Ｂによれば、上記第一実施形態と同様の効果を奏する。
また、本実施形態の半導体装置１０Ｂによれば、電源用リード２０Ｂの突出方向先端に、電源用リード２０Ｂよりも幅寸法（断面積）が小さい接続突起２５が一体に形成されているため、接続突起２５を実装基板１２０に形成されたスルーホール１２１に挿入することで、電源用リード２０Ｂを実装基板１２０に電気的に接続することが可能となる。さらに、電源用リード２０Ｂよりも断面積が小さい接続突起２５は、電圧検出用等の各種目的にも好適に利用できる。 According to the semiconductor device 10B of the present embodiment described above, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
Further, according to the semiconductor device 10B of this embodiment, the connection protrusion 25 having a smaller width dimension (cross-sectional area) than the power supply lead 20B is integrally formed at the front end of the power supply lead 20B in the protruding direction. By inserting the protrusion 25 into the through hole 121 formed in the mounting substrate 120, the power supply lead 20 </ b> B can be electrically connected to the mounting substrate 120. Further, the connection protrusion 25 having a smaller cross-sectional area than the power supply lead 20B can be suitably used for various purposes such as voltage detection.

また、本実施形態の半導体装置１０Ｂによれば、接続突起２５を形成した第一分離部２３Ｃの幅寸法Ｗ１が、第二分離部２３Ｄの幅寸法Ｗ２よりも大きく設定されているため、端子板部４２をスリット３０に差し込む際に、第二分離部２３Ｄのみを大きく動かし、第一分離部２３Ｃが動くことを抑制できる。
具体的に説明すれば、端子板部４２をスリット３０に差し込む際には、端子板部４２が、端子板部４２の板厚よりも小さな間隔で配された溶接用突起３５，３５を介して一対の分離部２３Ｃ，２３Ｄを押し広げようとする。この際には、幅寸法Ｗ２の小さな分離部２３Ｄが大きく弾性変形するため、接続突起２５が形成された幅寸法Ｗ１の大きな分離部２３Ｃの弾性変形量を抑えることができる。これにより、スリット３０を差し込む際に接続突起２５の先端位置がずれることを防止できる。
接続突起２５の位置がずれている場合、接続突起２５を実装基板１２０のスルーホール１２１に挿入したときに、電源用リード２０Ｂに応力が作用してしまうが、接続突起２５の位置ズレを防ぐことによって、電源用リード２０Ｂに発生する応力を抑制できる。さらに、接続突起２５を実装基板１２０のスルーホール１２１に挿入する作業を、容易かつ確実に行うこともできる。 Further, according to the semiconductor device 10B of the present embodiment, since the width dimension W1 of the first separation part 23C in which the connection protrusion 25 is formed is set larger than the width dimension W2 of the second separation part 23D, the terminal board When the portion 42 is inserted into the slit 30, only the second separation portion 23D can be moved greatly, and the first separation portion 23C can be prevented from moving.
Specifically, when the terminal plate portion 42 is inserted into the slit 30, the terminal plate portion 42 is interposed via the welding projections 35, 35 arranged at an interval smaller than the plate thickness of the terminal plate portion 42. The pair of separating portions 23C and 23D is to be pushed and expanded. At this time, since the separation part 23D having a small width dimension W2 is elastically deformed greatly, the amount of elastic deformation of the separation part 23C having a large width dimension W1 on which the connection protrusion 25 is formed can be suppressed. Thereby, when inserting the slit 30, it can prevent that the front-end | tip position of the connection protrusion 25 slip | deviates.
When the position of the connection protrusion 25 is shifted, stress is applied to the power supply lead 20 </ b> B when the connection protrusion 25 is inserted into the through hole 121 of the mounting substrate 120, but the displacement of the connection protrusion 25 is prevented. Thus, the stress generated in the power supply lead 20B can be suppressed. Furthermore, the operation of inserting the connection protrusion 25 into the through hole 121 of the mounting substrate 120 can be easily and reliably performed.

〔第三実施形態〕
次に、図７，８を参照して本発明の第三実施形態について説明する。
この実施形態では、第一、第二実施形態の半導体装置と比較して、電源用リードの構成のみが異なっており、その他の構成については第一、第二実施形態と同様である。本実施形態では、第一、第二実施形態と同一の構成要素について同一符号を付す等して、その説明を省略する。 [Third embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In this embodiment, as compared with the semiconductor devices of the first and second embodiments, only the configuration of the power supply lead is different, and the other configurations are the same as those of the first and second embodiments. In the present embodiment, the same components as those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図７に示すように、本実施形態の半導体装置１０Ｃの各電源用リード（リード）２０Ｃは、第一実施形態と同様に、帯板状の立ち上がり板部２２を備え、立ち上がり板部２２には電源用リード２０Ｃの長手方向に延びるスリット５０が形成されている。
ただし、本実施形態のスリット５０は、立ち上がり板部２２の長手方向の中間部に形成され、スリット５０の長手方向の両端５０ｅ，５０ｆが閉塞端となっている。 As shown in FIG. 7, each power supply lead (lead) 20 </ b> C of the semiconductor device 10 </ b> C of the present embodiment includes a belt-like rising plate portion 22, as in the first embodiment. A slit 50 extending in the longitudinal direction of the power lead 20C is formed.
However, the slit 50 of the present embodiment is formed in the middle portion of the rising plate portion 22 in the longitudinal direction, and both ends 50e and 50f of the slit 50 in the longitudinal direction are closed ends.

電源用リード２０Ｃの立ち上がり板部２２は、上記スリット５０によって分離された一対の分離部２３Ｅ，２３Ｆを有する。これら一対の分離部２３Ｅ，２３Ｆは、立ち上がり板部２２の板幅方向に間隔をあけて配列されている。
各分離部２３Ｅ，２３Ｆには、スリット５０を挟んで対向する他方の分離部２３Ｅ，２３Ｆ側に向けて突出する第一実施形態と同様の溶接用突起３５，３５が形成されている。 The rising plate portion 22 of the power lead 20C has a pair of separation portions 23E and 23F separated by the slit 50. The pair of separation portions 23E and 23F are arranged at intervals in the plate width direction of the rising plate portion 22.
In each of the separating portions 23E and 23F, welding projections 35 and 35 similar to those in the first embodiment projecting toward the other separating portion 23E and 23F facing each other across the slit 50 are formed.

これら溶接用突起３５，３５は、例えば、スリット５０の長手方向の中間部に形成されている。さらに、本実施形態では、溶接用突起３５，３５から、スリット５０の長手方向の両端５０ｅ，５０ｆのうち一方、例えば立ち上がり板部２２の一端５０ｅ（立ち上がり板部２２の先端２２ｓ側の端部）に至るスリット５０の長手方向の寸法が、スリット５０に挿入される端子板部４２の断面長手方向の寸法Ｐよりも大きく設定されている。また、本実施形態では、溶接用突起３５，３５からスリット５０の他端５０ｆに至るスリット５０の長手方向の寸法が、端子板部４２の寸法Ｐよりも小さく設定されている。   These welding projections 35, 35 are formed, for example, in an intermediate portion in the longitudinal direction of the slit 50. Furthermore, in the present embodiment, one of the longitudinal ends 50e and 50f of the slit 50 from the welding projections 35 and 35, for example, one end 50e of the rising plate portion 22 (an end portion on the tip 22s side of the rising plate portion 22). The dimension in the longitudinal direction of the slit 50 leading to is set larger than the dimension P in the longitudinal direction of the cross section of the terminal plate portion 42 inserted into the slit 50. In the present embodiment, the dimension in the longitudinal direction of the slit 50 extending from the welding projections 35, 35 to the other end 50 f of the slit 50 is set to be smaller than the dimension P of the terminal plate portion 42.

以上のように形成される電源用リード２０Ｃのスリット５０に、端子板部４２を差し込む際には、はじめに、スリット５０のうち溶接用突起３５，３５と一端５０ｅとの間の端子挿入部５１に、端子板部４２を挿入すればよい。
その後、端子板部４２をスリット５０の他端５０ｆ側（図７における矢印Ｈ方向）にスライドさせることにより、図８に示すように、端子板部４２が溶接用突起３５，３５の間に挟み込まれ、第一実施形態と同様に、端子板部４２の平坦面４２ｆ，４２ｆが溶接用突起３５，３５に突き合わされて点接触する。
そして、この状態において、端子板部４２と電源用リード２０Ｃとを抵抗溶接等により溶接すればよい。 When the terminal plate portion 42 is inserted into the slit 50 of the power supply lead 20C formed as described above, first, in the slit 50, the terminal insertion portion 51 between the welding projections 35 and 35 and the one end 50e is inserted. The terminal plate portion 42 may be inserted.
Thereafter, by sliding the terminal plate portion 42 toward the other end 50f of the slit 50 (in the direction of arrow H in FIG. 7), the terminal plate portion 42 is sandwiched between the welding projections 35 and 35 as shown in FIG. As in the first embodiment, the flat surfaces 42f and 42f of the terminal plate portion 42 are abutted against the welding projections 35 and 35 to make point contact.
In this state, the terminal plate portion 42 and the power supply lead 20C may be welded by resistance welding or the like.

上記した本実施形態の半導体装置１０Ｃによれば、上記第一実施形態と同様の効果を奏する。
また、本実施形態の半導体装置１０Ｃによれば、スリット５０の両端５０ｅ，５０ｆが閉塞端とされているため、端子板部４２をスリット５０に挿入した際に、電源用リード２０Ｃの一対の分離部２３Ｅ，２３Ｆの間隔が広がってしまうことを抑制し、電源用リード２０Ｃの耐久性向上を図ることができる。 According to the above-described semiconductor device 10C of the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
Further, according to the semiconductor device 10C of the present embodiment, since both ends 50e and 50f of the slit 50 are closed ends, when the terminal plate portion 42 is inserted into the slit 50, a pair of power leads 20C are separated. It is possible to suppress an increase in the interval between the portions 23E and 23F, and to improve the durability of the power lead 20C.

さらに、本実施形態の半導体装置１０Ｃによれば、溶接用突起３５，３５からスリット５０の他端５０ｆに至るスリット５０の長手方向の寸法が、端子板部４２の寸法Ｐよりも小さいため、端子板部４２をＨ方向（図７参照）にスライドさせる際に、端子板部４２をスリット５０の他端５０ｆに突き当てても、端子板部４２を溶接用突起３５，３５の間に挟み込むことが可能である。そして、端子板部４２をスリット５０の他端５０ｆに突き当てれば、半導体装置１とソケット４０との相対的な位置決めを容易に行うことができる。
なお、第一、第二実施形態の半導体装置１０Ａ，１０Ｂにおいても、溶接用突起３５，３５からスリット３０の他端３０ｆに至るスリット３０の長手方向の寸法を、前述のように設定すれば、同様の効果を奏する。 Furthermore, according to the semiconductor device 10C of the present embodiment, since the longitudinal dimension of the slit 50 extending from the welding projections 35, 35 to the other end 50f of the slit 50 is smaller than the dimension P of the terminal plate portion 42, the terminal When the plate portion 42 is slid in the H direction (see FIG. 7), the terminal plate portion 42 is sandwiched between the welding projections 35 and 35 even if the terminal plate portion 42 abuts against the other end 50f of the slit 50. Is possible. If the terminal plate portion 42 is abutted against the other end 50 f of the slit 50, the relative positioning between the semiconductor device 1 and the socket 40 can be easily performed.
In the semiconductor devices 10A and 10B of the first and second embodiments, if the dimension in the longitudinal direction of the slit 30 from the welding projections 35 and 35 to the other end 30f of the slit 30 is set as described above, The same effect is produced.

なお、上記第三実施形態では、スリット５０の両端５０ｅ，５０ｆが、例えば第一、第二実施形態のスリット３０の他端３０ｆと同様に、スリット５０の他の部分よりも幅広に形成されてもよい。
また、スリット５０を形成した電源用リード２０Ｃの突出方向先端には、例えば第二実施形態の接続突起２５と同様に、電源用リード２０Ｃよりも幅寸法が小さい接続突起が一体に形成されてもよい。 In the third embodiment, both ends 50e and 50f of the slit 50 are formed wider than other portions of the slit 50, for example, similarly to the other end 30f of the slit 30 of the first and second embodiments. Also good.
Further, even if a connection protrusion having a width smaller than that of the power supply lead 20C is integrally formed at the protrusion direction tip of the power supply lead 20C in which the slit 50 is formed, for example, similarly to the connection protrusion 25 of the second embodiment. Good.

以上、本発明の詳細について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、電源用リード２０Ａ〜２０Ｃがソケット４０に接続される例を記載したが、ソケット４０以外の他の電気部品に接続されてもよい。
さらに、電源用リード２０Ａ〜２０Ｃの本数、設置間隔等は、上記実施形態のものに限らず、任意であってもよい。
これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更したりすることが可能である。 Although the details of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the example in which the power supply leads 20 </ b> A to 20 </ b> C are connected to the socket 40 is described, but may be connected to other electrical components other than the socket 40.
Further, the number of power supply leads 20A to 20C, the installation interval, and the like are not limited to those of the above embodiment, and may be arbitrary.
In addition to this, the configuration described in the above embodiment can be selected or changed to another configuration as appropriate without departing from the gist of the present invention.

１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ 半導体装置
１１ 装置本体
１１ａ 上面
１１ｂ 下面
１１ｓ 側面（外面）
１２ 封止樹脂
１３ 信号用リード
２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ 電源用リード（リード）
２１ 延出板部
２２ 立ち上がり板部
２２ｓ 先端
２３Ａ，２３Ｂ、２３Ｃ，２３Ｄ、２３Ｅ，２３Ｆ 分離部
２５ 接続突起
３０，５０ スリット
３０ｅ 一端
３０ｆ 他端
３５ 溶接用突起
４０ ソケット（他の電気部品）
４２ 端子板部
４２ｆ 平坦面
５０ｅ 一端
５０ｆ 他端
５１ 端子挿入部
１００ リードフレーム
１０１ リード部
１０５ 枠体部
１１０ 筺体
１２０ 実装基板
１２１ スルーホール 10A, 10B, 10C Semiconductor device 11 Device body 11a Upper surface 11b Lower surface 11s Side surface (outer surface)
12 Sealing resin 13 Signal lead 20A, 20B, 20C Power lead (Lead)
21 Extending plate portion 22 Standing plate portion 22s Tip 23A, 23B, 23C, 23D, 23E, 23F Separating portion 25 Connection protrusion 30, 50 Slit 30e One end 30f Other end 35 Welding protrusion 40 Socket (other electric parts)
42 Terminal plate portion 42f Flat surface 50e One end 50f The other end 51 Terminal insertion portion 100 Lead frame 101 Lead portion 105 Frame body portion 110 Housing 120 Mounting substrate 121 Through hole

Claims (6)

装置本体と、
帯板状に形成され、一方向に間隔をあけて配列されるように前記装置本体から突出する複数のリードと、を備え、
前記リードの板幅方向は、複数の前記リードの配列方向に一致し、
前記リードにスリットが形成され、
前記リードの一部が、前記スリットによって前記板幅方向に分離され、
前記スリットにより分離された前記リードの一対の分割部同士の間隔が、前記スリットに差し込まれる端子板部の板厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 The device body;
A plurality of leads that are formed in a band plate shape and project from the apparatus main body so as to be arranged at intervals in one direction,
The plate width direction of the leads coincides with the arrangement direction of the plurality of leads,
A slit is formed in the lead,
A part of the lead is separated in the plate width direction by the slit ,
A semiconductor device , wherein a distance between a pair of divided portions of the lead separated by the slit is smaller than a plate thickness of a terminal plate portion inserted into the slit . 前記スリットにより分離された前記リードの一対の分割部の少なくとも一方に、他方の前記分割部に向けて突出する溶接用突起が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。   2. The semiconductor device according to claim 1, wherein at least one of the pair of divided portions of the lead separated by the slit is formed with a welding projection protruding toward the other divided portion. 前記スリットの一端が前記リードの突出方向先端に開口し、
前記スリットの他端が幅広に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。 One end of the slit opens at the leading end of the lead in the protruding direction,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the other end of the slit is formed wide. 前記リードの突出方向先端に、該リードよりも幅寸法の小さい接続突起が一体に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。 4. The semiconductor device according to claim 1 , wherein a connection projection having a width smaller than that of the lead is integrally formed at a leading end of the lead in the protruding direction. 5. 前記スリットの一端が前記リードの突出方向先端に開口し、
前記接続突起が、前記スリットにより分離された前記リードの一対の分割部の一方に形成され、
一方の前記分割部の幅寸法が、他方の前記分割部の幅寸法よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。 One end of the slit opens at the leading end of the lead in the protruding direction,
The connection protrusion is formed on one of a pair of split portions of the lead separated by the slit;
The semiconductor device according to claim 4 , wherein a width dimension of one of the divided portions is larger than a width dimension of the other divided portion. 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造に用いるリードフレームであって、
帯板状に形成されると共に、板幅方向に間隔をあけて配列され、前記半導体装置の前記リードとなる複数のリード部と、
複数の前記リード部を連結する枠体部と、を備え、
前記リード部にスリットが形成され、
前記リード部の一部が、前記スリットによって前記板幅方向に分離されていることを特徴とするリードフレーム。 A lead frame used for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 5,
Is formed in a band plate shape, it is arranged at intervals in the sheet width direction, and said lead and a plurality of lead portions ing of the semiconductor device,
A frame body portion connecting a plurality of the lead portions,
A slit is formed in the lead part,
A part of the lead portion is separated in the plate width direction by the slit.
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