JP5581158B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
この発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof.
従来の半導体装置には、例えば図19のように、端子板201,202の長手方向の一端部211,221と半導体チップ203とを電気接続した上で、端子板201,202の一端部211,221及び半導体チップ203をモールド樹脂205により封止し、端子板201,202の他端部212,222をモールド樹脂205から突出させたものがある(特許文献1参照)。また、この半導体装置では、モールド樹脂205の上面205aに形成されたネジ止め部251、及び、端子板201,202の他端部212,222の突出方向先端に形成されてネジを挿通させる挿通孔213,223を利用して、端子板201,202の他端部212,222と外部の電気配線(不図示)とをネジ止めにより接続・固定するように構成されている。
具体的に説明すれば、上記構成の半導体装置では、端子板201,202の他端部212,222がモールド樹脂205の上面205aの周縁から上面205aに沿って外側に突出している。そして、端子板201,202と外部の電気配線とをネジ止めする際には、他端部212,222に形成された挿通孔213,223がモールド樹脂205のネジ止め部251に対向するように、端子板201,202の他端部212,222を一端部211,221に対して折り曲げる加工を施す。
In the conventional semiconductor device, for example, as shown in FIG. 19, one
Specifically, in the semiconductor device configured as described above, the
しかしながら、上記従来の半導体装置では、上述した折り曲げ加工を施す際に、他端部212,222を大きな角度で折り曲げる(図19においては逆向きに折り曲げている)必要があるため、端子板201,202の他端部212,222とモールド樹脂205との境界部分に大きな応力がかかってしまう。なお、従来では、この応力が少しでも軽減されるように、多数回(例えば4回)に分けて端子板201,202の折り曲げ加工を実施しているが、他端部212,222の折り曲げ箇所がモールド樹脂205との境界部分に集中しているため、応力は十分には軽減されていない。
また、端子板201,202と外部の電気配線とをネジ止めする際には、挿通孔213,223の軸線を中心として端子板201,202の他端部212,222を回転させようとする外力が端子板201,202の他端部212,222にかかるため、この外力に基づいても、端子板201,202の他端部212,222とモールド樹脂205との境界部分に大きな応力が生じてしまう。
However, in the conventional semiconductor device, when the above-described bending process is performed, the
Further, when the terminal plates 201 and 202 are screwed to the external electrical wiring, an external force that tries to rotate the
このように、端子板201,202の他端部212,222とモールド樹脂205との境界部分に大きな応力がかかると、この境界部分における端子板201,202とモールド樹脂205との密着性が低下してしまう。その結果として、端子板201,202とモールド樹脂205との間から内部に水分が浸入しやすくなり、半導体装置の電気的な信頼性が低下する、という問題がある。
また、上記従来の半導体装置においては、端子板201,202の他端部212,222を折り曲げる回数が多いことから半導体装置の製造効率が低い、という問題もある。
As described above, when a large stress is applied to the boundary portion between the
Further, the conventional semiconductor device has a problem that the manufacturing efficiency of the semiconductor device is low because the
本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、モールド樹脂から突出する端子板に対して折り曲げ加工を施しても、端子板とモールド樹脂との密着性低下を抑制でき、かつ、半導体装置の製造効率向上を図ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and even if the terminal plate protruding from the mold resin is subjected to a bending process, a decrease in adhesion between the terminal plate and the mold resin can be suppressed, and the semiconductor device An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of improving the manufacturing efficiency of the semiconductor device and the manufacturing method thereof.
この課題を解決するために、本発明の半導体装置は、端子板の長手方向の一端部と半導体チップとを電気接続した上で、前記一端部及び前記半導体チップをモールド樹脂により封止し、前記端子板の他端部を前記モールド樹脂の外面から突出させてなる半導体装置であって、前記モールド樹脂の平坦な第一外面には、前記端子板の他端部の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部が形成され、前記端子板の他端部は、前記第一外面に隣り合うと共に当該第一外面と異なる向きに面する前記モールド樹脂の第二外面から略垂直に突出し、前記端子板の他端部は、前記一端部との間の第一折曲線において折り曲げられることで前記第二外面上に配される突出方向の基端板部と、当該基端板部との間の第二折曲線において折り曲げられることで前記ネジ止め部に対向するように前記第一外面上に配される先端板部とを備え、当該先端板部には、その厚さ方向に貫通して前記ネジを挿通させる挿通孔が形成され、前記他端部の突出方向に沿う前記第一折曲線と前記第二折曲線との間隔が、前記端子板の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることを特徴とする。 In order to solve this problem, the semiconductor device according to the present invention electrically connects the one end of the terminal plate in the longitudinal direction and the semiconductor chip, and then seals the one end and the semiconductor chip with a mold resin. A semiconductor device in which the other end portion of the terminal plate is protruded from the outer surface of the mold resin, and the tip of the other end portion of the terminal plate in the protruding direction is screwed to the flat first outer surface of the mold resin. A screwing portion for fixing is formed, and the other end of the terminal plate protrudes substantially perpendicularly from the second outer surface of the mold resin that is adjacent to the first outer surface and faces in a direction different from the first outer surface. The other end portion of the terminal plate is bent at a first folding line between the one end portion and the base end plate portion in the protruding direction arranged on the second outer surface, and the base end plate portion, Folded in the second fold curve between A front end plate portion disposed on the first outer surface so as to face the screw fastening portion, and the front end plate portion penetrates in the thickness direction and allows the insertion of the screw. And the distance between the first fold line and the second fold line along the protruding direction of the other end is narrowed from one side to the other side in the width direction of the terminal board. It is characterized by.
また、本発明の半導体装置は、端子板の長手方向の一端部と半導体チップとを電気接続した上で、前記一端部及び前記半導体チップをモールド樹脂により封止し、前記端子板の他端部を前記モールド樹脂の外面から突出させてなる半導体装置であって、前記モールド樹脂の平坦な第一外面には、前記端子板の他端部の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部が形成され、前記端子板の他端部は、前記第一外面に隣り合うと共に当該第一外面と異なる向きに面する前記モールド樹脂の第二外面から略垂直に突出し、前記端子板の他端部は、前記一端部との間の第一折曲線において折り曲げられることで前記第二外面上に配される突出方向の基端板部と、当該基端板部との間の第二折曲線において折り曲げられることで前記ネジ止め部に対向するように前記第一外面上に配される先端板部とを備え、当該先端板部には、その厚さ方向に貫通して前記ネジを挿通させる挿通孔が形成され、前記第二折曲線における前記他端部の幅方向の少なくとも一方の側端部が、前記第一折曲線における前記他端部の幅方向の前記側端部に対して前記幅方向にずれて位置していることを特徴とする。In addition, the semiconductor device of the present invention electrically connects one end of the terminal plate in the longitudinal direction and the semiconductor chip, and then seals the one end and the semiconductor chip with a mold resin, and the other end of the terminal plate Is a semiconductor device that protrudes from the outer surface of the mold resin, and is fixed to the flat first outer surface of the mold resin with a screw for fixing the tip in the protruding direction of the other end of the terminal board with a screw. And the other end of the terminal plate protrudes substantially perpendicularly from the second outer surface of the mold resin that is adjacent to the first outer surface and faces in a direction different from the first outer surface. The end portion is bent at a first folding line between the one end portion and the second end portion between the base end plate portion in the protruding direction arranged on the second outer surface and the base end plate portion. Screwed by being bent along a curve A distal end plate portion disposed on the first outer surface so as to face the first portion, and the distal end plate portion is formed with an insertion hole through which the screw penetrates in the thickness direction. At least one side end portion in the width direction of the other end portion in the second folding curve is positioned so as to be shifted in the width direction with respect to the side end portion in the width direction of the other end portion in the first folding curve. It is characterized by being.
上記構成の半導体装置では、端子板の他端部がモールド樹脂の第二外面から略垂直に突出していることで、従来の場合と比較して、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分における他端部の折曲角度が小さくなる(例えば90度となる)ため、端子板の一端部に対して他端部(基端板部)を折り曲げる際に、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を低減することができる。
また、端子板の基端板部をモールド樹脂の第二外面上に配するための折曲げ箇所(第一折曲線)と、先端板部をモールド樹脂の第一外面上に配するための折曲げ箇所(第二折曲線)とが互いに離れているため、先端板部を基端板部に対して折り曲げる際に、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。
In the semiconductor device having the above configuration, the other end portion of the terminal plate protrudes substantially perpendicularly from the second outer surface of the mold resin, so that the boundary between the other end portion of the terminal plate and the mold resin is compared with the conventional case. Since the bending angle of the other end portion in the portion is small (for example, 90 degrees), when the other end portion (base end plate portion) is bent with respect to one end portion of the terminal plate, The stress applied to the boundary portion with the mold resin can be reduced.
Also, a bent portion (first folding line) for arranging the base end plate portion of the terminal board on the second outer surface of the mold resin, and a fold for arranging the tip plate portion on the first outer surface of the mold resin. Since the bending part (second folding curve) is separated from each other, when the tip plate is bent with respect to the base plate, the stress applied to the boundary between the other end of the terminal plate and the mold resin is very high. It can be kept small.
さらに、先端板部に対して折り曲げられた基端板部がモールド樹脂の第二外面上に配されていることで、ネジにより先端板部をネジ止め部に固定する際に、挿通孔の軸線を中心として端子板の先端板部を回転させようとする外力(回転力)が先端板部にかかっても、基端板部の幅方向の少なくとも一方側がモールド樹脂の第二外面に押し付けられるため、ネジ止めの際に端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を抑制することができる。
また、上記構成の半導体装置では、端子板の折曲げ回数が2回となり、従来と比較してこの折曲げ回数を減らすことができるため、半導体装置の製造効率を向上させることもできる。
Furthermore, the base plate portion bent with respect to the tip plate portion is disposed on the second outer surface of the mold resin, so that when the tip plate portion is fixed to the screw fastening portion with a screw, the axis of the insertion hole Even if an external force (rotational force) that tries to rotate the distal end plate portion of the terminal plate is applied to the distal end plate portion, at least one side in the width direction of the proximal end plate portion is pressed against the second outer surface of the mold resin. The stress applied to the boundary portion between the other end portion of the terminal board and the mold resin at the time of screwing can be suppressed.
Further, in the semiconductor device having the above configuration, the terminal plate is bent twice, and the number of bending can be reduced as compared with the conventional case. Therefore, the manufacturing efficiency of the semiconductor device can be improved.
ネジ止めの際には先端板部に前述した回転力が作用することで、基端板部にはその幅方向の力がかかり、この力によって端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分に応力が生じる。
このことに対し、前記他端部の突出方向に沿う前記第一折曲線と前記第二折曲線との間隔が、前記端子板の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっている前記半導体装置では、ネジ止めの際に、基端板部にその幅方向の一方側から他方側に向かう方向に力がかかっても、基端板部の長手方向の寸法が、端子板の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることで、この方向の力に対する基端板部の剛性が高められるため、ネジ止め時の回転力に基づいて基端板部の幅方向にかかる力が端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分に伝わることを抑えることができる。
したがって、この境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
When the screw is fastened, the rotational force described above acts on the distal end plate portion, so that a force in the width direction is applied to the proximal end plate portion, and this force causes a boundary portion between the other end portion of the terminal plate and the mold resin. Stress is generated.
On the other hand, the distance between the first fold line and the second fold line along the protruding direction of the other end portion becomes narrower from the one side in the width direction of the terminal board toward the other side. In the semiconductor device , even when a force is applied to the base end plate portion from one side of the width direction to the other side when screwing, the length in the longitudinal direction of the base end plate portion is the width of the terminal plate. Since the rigidity of the base end plate part with respect to the force in this direction is increased by narrowing from one side of the direction to the other side, the width direction of the base end plate part based on the rotational force at the time of screwing Can be prevented from being transmitted to the boundary portion between the other end of the terminal board and the mold resin.
Therefore, the stress applied to the boundary portion can be further suppressed.
そして、前記第二折曲線における前記他端部の幅方向の少なくとも一方の側端部が、前記第一折曲線における前記他端部の幅方向の前記側端部に対して前記幅方向にずれて位置している前記半導体装置においては、前記側端部が前記他端部の突出方向に対して傾斜しているとなおよい。
Then, at least one side end portion in the width direction of the other end portion in the second folding curve is displaced in the width direction with respect to the side end portion in the width direction of the other end portion in the first folding curve. In the semiconductor device, the side end portion is more preferably inclined with respect to the protruding direction of the other end portion.
なお、前記半導体装置においては、前記側端部のうち前記第二折曲線における部分が、他の部分に対して前記端子板の幅方向に突出していてもよいし、他の部分に対して前記端子板の幅方向に窪んでいてもよい。 In the semiconductor device, a portion of the side folding portion in the second folding line may protrude in the width direction of the terminal plate with respect to the other portion, or the portion with respect to the other portion. It may be recessed in the width direction of the terminal board.
これらの構成では、ネジ止めの際に先端板部に作用する回転力に基づいて基端板部にかかる力の方向が、他端部の側端部のうち第二折曲線における部分が第一折曲線における部分に対して端子板の幅方向に沿ってずれる方向と逆向きになっているときに、基端板部の幅方向にかかる力が端子板の長手方向に分散されることになる。特に、他端部の側端部が他端部の突出方向に対して傾斜している場合には、基端板部の幅方向にかかる力を効率よく分散することができる。このため、基端板部の幅方向にかかる力が、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分に作用することを抑えることができる。したがって、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。 In these configurations, the direction of the force applied to the proximal end plate portion based on the rotational force acting on the distal end plate portion during screwing is the first folding portion of the side end portion of the other end portion. The force applied in the width direction of the base end plate portion is dispersed in the longitudinal direction of the terminal plate when it is in the direction opposite to the direction shifted along the width direction of the terminal plate with respect to the portion in the folding line. . In particular, when the side end portion of the other end portion is inclined with respect to the protruding direction of the other end portion, the force applied in the width direction of the base end plate portion can be efficiently dispersed. For this reason, it can suppress that the force applied to the width direction of a base end board part acts on the boundary part of the other end part of a terminal board and mold resin. Therefore, the stress applied to the boundary portion between the other end portion of the terminal board and the mold resin can be further suppressed.
さらに、前記半導体装置において、前記モールド樹脂の前記第二外面は、前記基端板部を収容して当該基端板部の側端部を支持する収容凹部を有して形成されているとよい。
この構成では、ネジ止めの際に、基端板部にその幅方向の力がかかっても、基端板部の側端部が収容凹部の内側面に当接するため、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力をさらに緩和することができる。
Furthermore, in the semiconductor device, the second outer surface of the mold resin may be formed to have an accommodation recess that accommodates the base end plate portion and supports a side end portion of the base end plate portion. .
In this configuration, even when a force in the width direction is applied to the base end plate when screwing, the side end of the base end plate abuts against the inner side surface of the receiving recess, so the other end of the terminal plate The stress applied to the boundary portion between the resin and the mold resin can be further relaxed.
また、前記半導体装置においては、前記モールド樹脂の前記第一外面と前記第二外面との角部に、当該角部に配される前記他端部の幅方向の側端部に当接する球状突起が形成されているとよい。
ネジ止めの際には、前述した基端板部の場合と同様に、モールド樹脂の第一外面と第二外面との角部に配される他端部にもその幅方向に力がかかる。これに対し、上記構成では、ネジ止めの際に角部に位置する他端部にその幅方向への力がかかっても、他端部の側端部が球状突起に当接するため、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
また、他端部の側端部が球状突起に当接する際、球状突起にかかる応力が分散されるため、モールド樹脂自体の剛性が低くても端子板の他端部を十分に支持することができる。
Further, in the semiconductor device, a spherical protrusion that contacts a side end portion in the width direction of the other end portion arranged at the corner portion at the corner portion of the first outer surface and the second outer surface of the mold resin. Is good to be formed.
When screwing, as in the case of the base end plate portion described above, a force is also applied in the width direction to the other end portion arranged at the corner portion between the first outer surface and the second outer surface of the mold resin. On the other hand, in the above configuration, even when a force in the width direction is applied to the other end located at the corner when screwing, the side end of the other end abuts against the spherical protrusion, so the terminal plate The stress applied to the boundary portion between the other end of the mold and the mold resin can be further suppressed.
Also, when the side end of the other end abuts against the spherical protrusion, the stress applied to the spherical protrusion is dispersed, so that the other end of the terminal board can be sufficiently supported even if the mold resin itself has low rigidity. it can.
そして、本発明の製造方法は、前記半導体装置を製造する方法であって、前記半導体装置に対し、前記基端板部と前記先端板部とのなす角度が前記第二外面と前記第一外面とのなす角度となるように、前記第二折曲線において前記他端部を折り曲げた後に、前記基端板部が前記第二外面上に配されるように、前記第一折曲線において前記他端部を前記一端部に対して折り曲げることを特徴とする。 The manufacturing method of the present invention is a method for manufacturing the semiconductor device, wherein an angle formed by the base end plate portion and the tip end plate portion with respect to the semiconductor device is the second outer surface and the first outer surface. In the first folding curve, the other end portion is bent on the second outer surface so that the base plate portion is disposed on the second outer surface after the other folding portion is bent in the second folding curve. The end portion is bent with respect to the one end portion.
この製造方法によれば、先に第二折曲線において他端部を折り曲げることで、モールド樹脂の第二外面から離れるように突出する基端板部を容易に支持できるため、この折り曲げの際に、端子板の基端板部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。 According to this manufacturing method, by bending the other end portion first in the second folding curve, the base end plate portion protruding away from the second outer surface of the mold resin can be easily supported. The stress applied to the boundary portion between the base end plate portion of the terminal plate and the mold resin can be kept very small.
本発明によれば、端子板の他端部を折り曲げる際、あるいは、ネジにより端子板の他端部をモールド樹脂のネジ止め部に固定する際に、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を抑制することができるため、境界部分における端子板とモールド樹脂との密着性低下を抑制できる。その結果として、モールド樹脂内部への水分浸入を抑えて、半導体装置の電気的な信頼性を向上させることができる。
また、従来と比較して、端子板の折曲げ回数を減らすことができるため、半導体装置の製造効率を向上させることもできる。
According to the present invention, when the other end portion of the terminal plate is bent, or when the other end portion of the terminal plate is fixed to the screw fastening portion of the mold resin with a screw, the other end portion of the terminal plate and the mold resin Since the stress applied to the boundary portion can be suppressed, it is possible to suppress a decrease in adhesion between the terminal board and the mold resin at the boundary portion. As a result, moisture permeation into the mold resin can be suppressed and the electrical reliability of the semiconductor device can be improved.
In addition, since the number of times of bending the terminal plate can be reduced as compared with the conventional case, the manufacturing efficiency of the semiconductor device can be improved.
〔第一実施形態〕
以下、図1〜6を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
図1〜3に示すように、この実施形態に係る半導体装置1は、ヒートシンク2と、ヒートシンク2の上面2a上に間隔をあけて配されるダイパッド3及び複数の端子板4,5と、ダイパッド3の上面3aに搭載される半導体チップ6と、端子板4,5と半導体チップ6とを電気接続する接続子7とを、モールド樹脂8により封止して大略構成されている。
ヒートシンク2は、半導体チップ6において生じた熱を効率よく放熱するものであり、厚板状に形成されている。このヒートシンク2は、少なくとも銅(Cu)、タングステン、モリブデン等の放熱性の高い材料によって形成されていればよいが、例えばこれに加えてNiメッキを施したものでもよい。
[First embodiment]
The first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 to 3, the
The
ダイパッド3及び複数の端子板4,5は、それぞれ銅材等の導電性を有する材料を平板状に形成して構成されており、これらの間で電気的な短絡が生じないように、その面方向に互いに間隔をあけて配されている。
そして、ダイパッド3に搭載される半導体チップ6は、板状に形成され、その上面6a及び下面6bに電極を有して構成されている。この半導体チップ6は、ダイオード等のように通電により発熱するものであり、半田等のように導電性を有する導電性接合剤を介してダイパッド3の上面3aに固定されている。これにより、半導体チップ6がダイパッド3に電気接続されている。
The
The
各端子板4,5は、平面視矩形の帯板状に形成されており、その長手方向の一端部をなす内部接続部41,51と、長手方向の他端部をなす外部接続部42,52とを有している。
内部接続部41,51は、接続子7の一端を接合して半導体チップ6に電気接続される部分である。この内部接続部41,51は、ヒートシンク2の上面2a上においてダイパッド3に隣り合う位置に配され、モールド樹脂8内に埋設されている。
一方、外部接続部42,52は、半導体チップ6を外部に電気接続するための部分である。この外部接続部42,52は、内部接続部41,51よりもダイパッド3から離れるように、また、ヒートシンク2の上面2aの周縁から突出するように位置している。
Each
The
On the other hand, the
複数の端子板4,5は、一対の端子板4,5がダイパッド3側から互いに離れる方向に延びるように配されている。
そして、ダイパッド3と、一対の端子板4,5の一方(第一端子板4)をなす内部接続部41との間に、導電性を有するボンディングワイヤや接続板等の接続子7を配することで、第一端子板4と半導体チップ6とが電気接続されている。また、他方の端子板(第二端子板5)の内部接続部51と半導体チップ6の上面6aとの間に接続子7を配することで、第二端子板5と半導体チップ6とが電気接続されている。
The plurality of
And between the
なお、本実施形態では、一つのダイパッド3、一つの半導体チップ6、一対の端子板4,5からなるユニットが二組形成され、これら二組のユニットによって一つの半導体装置1が構成されている。これら二組のユニットは、二つの第一端子板4がその幅方向に間隔をあけて隣り合うように配列されている。
In this embodiment, two sets of units each including one
モールド樹脂8は、ヒートシンク2の下面2bが露出するように、また、各端子板4,5の外部接続部42,52が外方に突出するように、ヒートシンク2の上面2a、ダイパッド3、各端子板4,5の内部接続部41,51、半導体チップ6及び接続子7を封止している。すなわち、ダイパッド3、各端子板4,5の内部接続部41,51、半導体チップ6及び接続子7は、モールド樹脂8の内部に埋設されている。
より詳細に説明すれば、モールド樹脂8は、ヒートシンク2の上面2aのうち端子板4,5の幅方向に沿うヒートシンク2の長手方向の両端が露出するように形成されている。また、モールド樹脂8は、端子板4,5の外部接続部42,52がモールド樹脂8の側面(第二外面)8cから略垂直に突出するように形成されている。
The
If it demonstrates in detail, the
そして、本実施形態の半導体装置1は、図5(c)に示すように、端子板4,5の外部接続部42,52が、内部接続部41,51に対して折り曲げ加工されることで、モールド樹脂8の側面8c及び上面(第一外面)8aに配されるように構成されている。なお、モールド樹脂8の側面8cは、図1,3,4に示すように、外部接続部42,52を収容してその幅方向の側端部42a,42b,52a,52bを支持する収容凹部82を有して形成されている。収容凹部82は、モールド樹脂8の上面8a側に開口するように形成されている。また、端子板4,5の幅方向に沿う収容凹部82の幅寸法は、端子板4,5の幅寸法に対して同等あるいは微小に大きく設定されている。
さらに、モールド樹脂8の上面8aには、端子板4,5の外部接続部42,52の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部81が形成されている。なお、本実施形態におけるネジ止め部81は、ナットを挿入する孔であるが、例えばモールド樹脂8自体に直接形成されて、端子板4,5固定用のネジを螺合するための雌ネジであってもよい。
In the
Further, on the
このように構成されるモールド樹脂8に対し、各端子板4,5の外部接続部42,52は、図4,5に示すように、内部接続部41,51との間の第一折曲線L1において折り曲げられることでモールド樹脂8の側面8c上に配される突出方向の基端板部43,53と、基端板部43,53との間の第二折曲線L2において折り曲げられることでモールド樹脂8のネジ止め部81に対向するようにモールド樹脂8の上面8a上に配される先端板部44,54とを備えている。なお、本実施形態においては、二つの折曲線L1,L2が、共に端子板4,5の外部接続部42,52の突出方向に直交し、互いに平行している。
そして、先端板部44,54には、その厚さ方向に貫通して端子板4,5固定用のネジを挿通させるための挿通孔45,55が形成されている。
As shown in FIGS. 4 and 5, the first folding line between the
The front
以上のように構成される半導体装置1を製造する場合には、例えば、ダイパッド3及び端子板4,5の相対的な位置決めを治具等により行い、また、半導体チップ6をダイパッド3に搭載した上で、接続子7により端子板4,5と半導体チップ6とを電気接続すればよい(接続工程)。
その後、モールド樹脂8を形成する樹脂封止工程においては、例えばヒートシンク2の上面2a上にダイパッド3及び端子板4,5が間隔をあけて位置するように、モールド成形用の金型等により、ヒートシンク2、ダイパッド3及び端子板4,5の相対的な位置決めを実施すればよい。
When manufacturing the
Thereafter, in the resin sealing step for forming the
そして、半導体装置1の製造をさらに進める際には、はじめに図5(a)、(b)に示すように、各端子板4,5のうち基端板部43,53と先端板部44,54とのなす角度がモールド樹脂8の側面8cと上面8aとのなす角度(図示例では90度)となるように、第二折曲線L2において先端板部44,54を基端板部43,53に対して折り曲げる(第一折曲工程)。この工程においては、モールド樹脂8の側面8cから離れるように突出する基端板部43,53を容易に支持することができるため、先端板部44,54を折り曲げる際に、端子板4,5の基端板部43,53とモールド樹脂8との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。
When the manufacturing of the
最後に、図5(b),(c)に示すように、示すように、基端板部43,53がモールド樹脂8の側面8c上に配されるように、第一折曲線L1において基端板部43,53を内部接続部41,51に対して折り曲げる(第二折曲工程)ことで、半導体装置1の製造が完了する。
そして、第二折曲工程を経た半導体装置1では、図5(c),6に示すように、端子板4,5の基端板部43,53が、モールド樹脂8に形成された収容凹部82内に配されている。なお、図示例では、各端子板4,5の内部接続部41,51と基端板部43,53とのなす角度が90度となっている。また、端子板4,5の先端板部44,54は、その挿通孔45がネジ止め部81に対向するようにモールド樹脂8の上面8a上に配されている。
Finally, as shown in FIGS. 5B and 5C, the base
In the
以上説明したように第一実施形態の半導体装置1及びその製造方法によれば、端子板4,5の外部接続部42,52がモールド樹脂8の側面8cから略垂直に突出していることで、従来の場合と比較して、外部接続部42,52とモールド樹脂8との境界部分における外部接続部42,52の折曲角度が小さくなるため、内部接続部41,51に対して外部接続部42,52の基端板部43,53を折り曲げる際に、外部接続部42,52とモールド樹脂8との境界部分にかかる応力を低減することができる。
特に、端子板4,5の外部接続部42,52を折り曲げる二つの第一折曲線L1と第二折曲線L2が互いに離れているため、先端板部を基端板部に対して折り曲げる際に、外部接続部42,52とモールド樹脂8との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。
As described above, according to the
In particular, when the first and second folding lines L1 and L2 that bend the
また、ネジにより先端板部44,54をネジ止め部81に固定する際には、図6に示すように、挿通孔45,55の軸線を中心として先端板部44,54を回転させようとする外力(回転力;図6(a)における矢印r方向の力)が先端板部44,54にかかる。これに対し、本実施形態では、端子板4,5の先端板部44,54に対して折り曲げられた基端板部43,53が、モールド樹脂8の側面8c上に配されているため、r方向の回転力が先端板部44,54にかかっても、基端板部43,53の幅方向の一方側がモールド樹脂8の側面8c(図示例では収容凹部82の底面)に押し付けられることになる。
Further, when the front
さらに、先端板部にr方向の回転力が先端板部44,54が作用すると、基端板部43,53にはその幅方向の一方側(一方の側端部42a,52a側)から他方側(他方の側端部42b,52b側)に向かう力(図6における矢印w方向の力)がかかる。これに対し、本実施形態では、収容凹部82が形成されていることで、基端板部43,53の他方の側端部42b,52が収容凹部82の内側面に当接することになる。
したがって、ネジ止めの際に端子板4,5の外部接続部42,52とモールド樹脂8との境界部分にかかる応力を抑制・緩和することができる。
Further, when the distal
Therefore, the stress applied to the boundary portion between the
以上のように、本実施形態の半導体装置1では、端子板4,5の外部接続部42,52とモールド樹脂8との境界部分にかかる応力を抑制することができるため、この境界部分における端子板4,5とモールド樹脂8との密着性低下を抑制できる。その結果として、モールド樹脂8内部への水分浸入を抑えて、半導体装置1の電気的な信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態の半導体装置1では、端子板4,5の折曲げ回数が2回となり、従来と比較してこの折曲げ回数を減らすことができるため、半導体装置1の製造効率を向上させることもできる。
As described above, in the
Further, in the
〔第二実施形態〕
次に、図7,8を参照して本発明の第二実施形態について説明する。
この実施形態に係る半導体装置は、図7,8に示すように、第一実施形態の半導体装置1と比較して、端子板4,5を折り曲げる方法のみが異なっている。
図7に示すように、この実施形態の半導体装置では、第一実施形態と同様に、端子板4,5が平面視矩形の帯状に形成され、その外部接続部42,52がモールド樹脂8の側面8cから突出している。ただし、外部接続部42,52の突出方向に沿う第一折曲線L1と第二折曲線L2との間隔が、端子板4,5の一方の側端部42a,52a側から他方の側端部42b,52b側に向かうにしたがって狭くなっている。言い換えれば、基端板部43,53の長手方向の寸法が、端子板4,5の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっている。そして、本実施形態において、第一折曲線L1及び第二折曲線L2は、外部接続部42,52の突出方向に対して互いに異なる方向に傾斜している。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 7 and 8, the semiconductor device according to this embodiment is different from the
As shown in FIG. 7, in the semiconductor device of this embodiment, the
このように設定された二つの折曲線L1,L2において外部接続部42,52を折り曲げた状態においては、図8に示すように、外部接続部42,52をなす基端板部43,53のうち先端板部44,54側の端部が、内部接続部41,51側の端部よりもネジ止め時に基端板部43,53にかかる力の方向(矢印w方向)にずれて位置するように、基端板部43,53がモールド樹脂8の厚さ方向に対して傾斜している。また、基端板部43,53は、その一方の側端部42a,52a側から他方の側端部42b,52b側に向かうにしたがってモールド樹脂8の側面8cから離れるように、モールド樹脂8の側面8cに対して傾斜して配されている。
In a state where the
一方、先端板部44,54は、その一方の側端部42a,52a側から他方の側端部42b,52b側に向かうにしたがって、モールド樹脂8の上面8aに近づくように、モールド樹脂8の上面8aに対して傾斜して配されている。
そして、本実施形態では、外部接続部42,52の突出方向に対する二つの折曲線L1,L2の傾斜角度の大きさが同等であるため、モールド樹脂8の上面側から見て、端子板4,5の基端板部43,53に対する内部接続部41,51及び先端板部44,54の延出方向が互いに平行している。
On the other hand, the
And in this embodiment, since the magnitude | size of the inclination angle of the two folding lines L1 and L2 with respect to the protrusion direction of the
なお、本実施形態の図示例には記載されていないが、例えば第一実施形態と同様に、モールド樹脂8の側面8cには、端子板4,5の基端板部43,53を収容する収容凹部82が形成されていてもよい。なお、本実施形態において収容凹部82を形成する場合には、本実施形態の基端板部43,53の配置に対応するように、モールド樹脂8の厚さ方向に対して傾斜するように形成されていることが好ましい。
Although not described in the illustrated example of the present embodiment, for example, as in the first embodiment, the
本実施形態の半導体装置によれば、第一実施形態の場合と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態では、基端板部43,53の長手方向の寸法が、端子板4,5の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることで、ネジ止めの際に基端板部43,53に作用するw方向の力に対する基端板部43,53の剛性が高められている。このため、基端板部43,53に作用するw方向の力が端子板4,3の外部接続部42,52とモールド樹脂8との境界部分に伝わることを抑えることができる。したがって、第一実施形態の場合と比較して、この境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
また、この構成では、先端板部44,54がモールド樹脂8の上面8aに対して傾斜した状態で配されるため、ネジ止めの際にはこの先端板部44,54がバネワッシャの役割を果たし、ネジによる締結力を向上させることもできる。
According to the semiconductor device of the present embodiment, the same effects as in the case of the first embodiment can be obtained.
Furthermore, in this embodiment, the longitudinal dimension of the base
Further, in this configuration, since the front
〔第三実施形態〕
次に、図9,10を参照して本発明の第三実施形態について説明する。
本実施形態に係る半導体装置は、図9,10に示すように、第一実施形態の半導体装置1と比較して、端子板4,5の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図9に示すように、端子板4,5が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂8の側面8cから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線L1,L2が、共に端子板4,5の外部接続部42,52の突出方向に直交し、互いに平行している。ただし、本実施形態の端子板4,5では、その外部接続部42,52の一方の側端部42a,52aのうち第二折曲線L2における部分が、第一折曲線L1における部分に対してずれて位置している。
[Third embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 9 and 10, the semiconductor device according to the present embodiment differs from the
In the semiconductor device of this embodiment, as shown in FIG. 9, the
詳細に説明すれば、内部接続部41,51及び先端板部44,54の先端部分における端子板4,5の幅寸法は、互いに等しく設定されている。また、一方の側端部42a,52aのうち第二折曲線L2における部分は、他の部分に対して端子板4,5の幅方向に突出しており、この部分における端子板4,5の幅寸法は、内部接続部41,51や先端板部44,54の先端部分よりも大きく設定されている。
そして、一方の側端部42a,52aは、第二折曲線L2の部分から第一折曲線L1の部分あるいは先端板部44,54の先端部分に向かうにしたがって、他方の側端部42b,52bに近づくように端子板4,5の突出方向に対して傾斜している。
このように形成された端子板4,5の外部接続部42,52を、二つの折曲線L1,L2において折り曲げた状態においては、図10に示すように、外部接続部42,52をなす基端板部43,53が、内部接続部41,51側から先端板部44,54側に向かうにしたがって幅寸法が大きくなる台形状に形成されている。そして、基端板部43,53のうち一方の側端部42a,52aのみが、台形状の斜辺をなしている。
If it demonstrates in detail, the width dimension of the
And one
In a state where the
本実施形態の半導体装置によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、この半導体装置では、ネジ止めの際に基端板部43,53にかかる力の方向(w方向)が、一方の側端部42a,52aのうち第二折曲線L2における部分が第一折曲線L1における部分あるいは先端板部44,54の先端部分に対して端子板4,5の幅方向に沿ってずれる方向と逆向きになっている。このため、基端板部43,53に対してw方向にかかる力が、端子板4,5の長手方向に分散されることになる。
なお、図9,10における符号w1,w2は、w方向の力が斜辺とされた外部接続部42,52の一方の側端部42a,52aに沿って分散された力の方向を示している。すなわち、外部接続部の一方の側端部42a,52aが外部接続部42,52の突出方向に対して傾斜していることで、基端板部43,53の幅方向にかかる力を特に効率よく分散することができる。このため、ネジ止め時に基端板部43,53にかかる力が、端子板4,3の外部接続部42,52とモールド樹脂8との境界部分に作用することを抑えることができる。したがって、第一実施形態の場合と比較して、この境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
According to the semiconductor device of the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
Furthermore, in this semiconductor device, the direction of the force applied to the base
9 and 10 indicate the direction of the force distributed along one
〔第四実施形態〕
次に、図11,12を参照して本発明の第四実施形態について説明する。
この実施形態に係る半導体装置は、図11,12に示すように、第三実施形態の半導体装置と比較して、端子板4,5の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図11に示すように、端子板4,5が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂8の側面8cから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線L1,L2が、共に端子板4,5の外部接続部42,52の突出方向に直交し、互いに平行している。そして、本実施形態の端子板4(5)では、その外部接続部42(52)の両方の側端部42a,42b(52a,52b)のうち第二折曲線L2における各部分が、第一折曲線L1における各部分に対してずれて位置している。
[Fourth embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 11 and 12, the semiconductor device according to this embodiment differs from the semiconductor device according to the third embodiment only in the shapes of the
In the semiconductor device of this embodiment, as shown in FIG. 11, the
具体的には、内部接続部41(51)及び先端板部44(54)の先端部分における端子板4,5の幅寸法は、互いに等しく設定されている。また、両方の側端部42a,42b(52a,52b)のうち第二折曲線L2における部分は、他の部分に対して端子板4(5)の幅方向に突出し、この部分における端子板4(5)の幅寸法は、内部接続部41(51)や先端板部44(54)の先端部分よりも大きく設定されている。
そして、一方の側端部42a(52a)は、第二折曲線L2の部分から第一折曲線L1の部分あるいは先端板部44(54)の先端部分に向かうにしたがって、他方の側端部42b(52b)に近づくように端子板4,5の突出方向に対して傾斜している。また、他方の側端部42b(52b)は、第二折曲線L2の部分から第一折曲線L1の部分あるいは先端板部44(54)の先端部分に向かうにしたがって、一方の側端部42a(52a)に近づくように端子板4,5の突出方向に対して傾斜している。
Specifically, the width dimensions of the
And one
このように形成された端子板4(5)の外部接続部42(52)を、二つの折曲線L1,L2において折り曲げた状態においては、図10に示すように、外部接続部42(52)をなす基端板部43(53)が、内部接続部41(51)側から先端板部44(54)側に向かうにしたがって幅寸法が大きくなる台形状に形成されている。そして、基端板部43(53)のうち両方の側端部42a,42b(52a,52b)が、台形状の斜辺をなしている。
In the state where the external connection portion 42 (52) of the terminal plate 4 (5) formed in this way is bent along the two folding lines L1 and L2, as shown in FIG. 10, the external connection portion 42 (52) The base end plate portion 43 (53) is formed in a trapezoidal shape in which the width dimension increases from the internal connection portion 41 (51) side toward the distal end plate portion 44 (54) side. And both
本実施形態の半導体装置によれば、第三実施形態と同様の効果を奏する。
すなわち、この半導体装置では、端子板4(5)の一方の側端部42a(52a)の形状が第三実施形態と同様であるため、ネジ止めの際に基端板部43(53)に対してw方向にかかる力を、端子板4(5)の長手方向(w1方向及びw2方向)に分散することができる。
さらに、本実施形態の半導体装置では、端子板4(5)の他方の側端部42b(52b)の形状が一方の側端部42a(52a)と逆向きとなっているため、例えばネジ止めの際に先端板部44(54)を回転させる向きがr方向と逆向きとなり(逆ネジであっても)、基端板部43(53)にw方向と逆向きの力がかかっても、この力を端子板4,5の長手方向に分散することもできる。
According to the semiconductor device of the present embodiment, the same effects as those of the third embodiment can be obtained.
That is, in this semiconductor device, since the shape of one
Furthermore, in the semiconductor device of this embodiment, the shape of the other
〔第五実施形態〕
次に、図13,14を参照して本発明の第五実施形態について説明する。
本実施形態に係る半導体装置は、図13,14に示すように、第一実施形態の半導体装置と比較して、端子板4,5の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図13に示すように、端子板4,5が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂8の側面8cから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線L1,L2が、共に端子板4,5の外部接続部42,52の突出方向に直交し、互いに平行している。そして、本実施形態の端子板4,5では、その外部接続部42,52の他方の側端部42b,52bのうち第二折曲線L2における部分が、第一折曲線L1における部分に対してずれて位置している。
[Fifth embodiment]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 13 and 14, the semiconductor device according to the present embodiment is different from the semiconductor device according to the first embodiment only in the shapes of the
In the semiconductor device of this embodiment, as shown in FIG. 13, the
詳細に説明すれば、内部接続部41,51及び先端板部44,54の先端部分における端子板4,5の幅寸法は、互いに等しく設定されている。また、他方の側端部42b,52bのうち第二折曲線L2における部分は、他の部分に対して端子板4,5の幅方向に窪んでおり、この部分における端子板4,5の幅寸法は、内部接続部41,51や先端板部44,54の先端部分よりも小さく設定されている。
そして、他方の側端部42b,52bは、第二折曲線L2の部分から第一折曲線L1の部分あるいは先端板部44,54の先端部分に向かうにしたがって、一方の側端部42a,52aから離れるように端子板4,5の突出方向に対して傾斜している。
このように形成された端子板4,5の外部接続部42,52を、二つの折曲線L1,L2において折り曲げた状態においては、図14に示すように、外部接続部42,52をなす基端板部43,53が、内部接続部41,51側から先端板部44,54側に向かうにしたがって幅寸法が小さくなる台形状に形成されている。そして、基端板部43,53のうち他方の側端部42b,52bのみが、台形状の斜辺をなしている。
If it demonstrates in detail, the width dimension of the
And the other
In the state where the
本実施形態の半導体装置によれば、第三実施形態と同様の効果を奏する。
すなわち、ネジ止めの際に基端板部43,53にかかる力の方向(w方向)が、他方の側端部42b,52bのうち第二折曲線L2における部分が第一折曲線L1における部分あるいは先端板部44,54の先端部分に対して端子板4,5の幅方向に沿ってずれる方向と逆向きになっている。このため、基端板部43,53に対してw方向にかかる力が、端子板4,5の長手方向に分散されることになる。
なお、図13,14における符号w3,w4は、w方向の力が斜辺とされた外部接続部42,52の他方の側端部42b,52bに沿って分散された力の方向を示している。すなわち、外部接続部の他方の側端部42b,52bが外部接続部42,52の突出方向に対して傾斜していることで、基端板部43,53の幅方向にかかる力を特に効率よく分散することができる。したがって、第一実施形態の場合と比較して、端子板4,3の外部接続部42,52とモールド樹脂8との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
According to the semiconductor device of the present embodiment, the same effects as those of the third embodiment can be obtained.
That is, the direction (w direction) of the force applied to the base
13 and 14 indicate the direction of the force distributed along the other side end
〔第六実施形態〕
次に、図15,16を参照して本発明の第六実施形態について説明する。
図8に示すように、この実施形態に係る半導体装置は、図15,16に示すように、第三〜第五実施形態の半導体装置と比較して、端子板4,5の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図15に示すように、端子板4,5が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂8の側面8cから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線L1,L2が、共に端子板4,5の外部接続部42,52の突出方向に直交し、互いに平行している。
[Sixth embodiment]
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 8, the semiconductor device according to this embodiment differs from the semiconductor devices of the third to fifth embodiments only in the shapes of the
In the semiconductor device of this embodiment, as shown in FIG. 15, the
そして、本実施形態の端子板4,5では、第三実施形態と同様に、その外部接続部42,52の一方の側端部42a,52aのうち第二折曲線L2における部分が、第一折曲線L1における部分や先端板部44,54の先端部分に対して、端子板4,5の幅方向に突出している。さらに、この端子板4,5では、第五実施形態と同様に、その外部接続部42,52の他方の側端部42b,52bのうち第二折曲線L2における部分が、第一折曲線L1における部分や先端板部44,54の先端部分に対して、端子板4,5の幅方向に窪んでいる。
さらに、本実施形態では、一方の側端部42a,52aのうち第二折曲線L2の部分の端子板4,5の幅方向への突出長さと、他方の側端部42b,52bのうち第二折曲線L2の部分の幅方向への窪み長さが等しく設定されている。このため、端子板4,5の幅寸法は、端子板4,5の長手方向にわたって一定とされ、端子板4,5の外部接続部42,52が端子板4,5の幅方向に蛇行している。
And in the
Further, in the present embodiment, the length of the
以上のように形成された端子板4,5の外部接続部42,52を、二つの折曲線L1,L2において折り曲げた状態においては、図16に示すように、外部接続部42,52をなす基端板部43,53が、内部接続部41,51側から先端板部44,54側に向かうにしたがって、ネジ止めの際に基端板部43,53にかかる力の方向(w方向)と逆向きに傾く平行四辺形に形成されている。
In the state where the
本実施形態の半導体装置によれば、第三、第五実施形態と同様の効果を奏する。
すなわち、この半導体装置では、端子板4,5の一方の側端部42a,52aの形状が第三実施形態と同様であるため、ネジ止めの際に基端板部43,53に対してw方向にかかる力を、一方の側端部42a,52aに沿って端子板4,5の長手方向(w1方向及びw2方向)に分散することができる。また、端子板4,5の他方の側端部42b,52bの形状が第五実施形態と同様であるため、ネジ止めの際に基端板部43,53に対してw方向にかかる力を、他方の側端部42b,52bに沿って端子板4,5の長手方向(w3方向及びw4方向)に分散することができる。
なお、この第六実施形態において、端子板4,5の外部接続部42,52は、少なくとも端子板4,5の幅方向に蛇行していればよく、例えば、外部接続部42,52の幅寸法はその突出方向に変化していてもよい。
According to the semiconductor device of this embodiment, the same effects as those of the third and fifth embodiments can be obtained.
That is, in this semiconductor device, since the shape of one
In the sixth embodiment, the
〔第七実施形態〕
次に、図17を参照して本発明の第六実施形態について説明する。
この実施形態に係る半導体装置は、図17に示すように、第一実施形態の半導体装置と比較して、モールド樹脂8の形状のみが異なっている。
すなわち、この実施形態の半導体装置では、図17に示すように、モールド樹脂8の上面8aと側面8cとの角部に、この角部に配される端子板4(5)の外部接続部42(52)の両方の側端部42a,42b(52a,52b)に当接する球状突起83が一対形成されている。そして、これら一対の球状突起83には、外部接続部42(52)のうち第二折曲線L2に位置する部分が当接する。
なお、本実施形態においては、収容凹部82の両側壁部をモールド樹脂8の上面8aから突出させるように延長した上で、この両側壁部の内側面から収容凹部82の幅方向内側に突出させるように球状突起83を形成しているが、これに限ることはない。
[Seventh embodiment]
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 17, the semiconductor device according to this embodiment differs from the semiconductor device according to the first embodiment only in the shape of the
That is, in the semiconductor device of this embodiment, as shown in FIG. 17, the
In the present embodiment, the both side walls of the
この実施形態の半導体装置によれば、ネジ止めの際にはモールド樹脂8の上面8aと側面8cとの角部に配される外部接続部42(52)にもその幅方向(w方向)に力がかかるが、この際には角部に位置する外部接続部42(52)の他方の側端部42b(52b)に球状突起83が当接することで、端子板4,3の外部接続部42,52とモールド樹脂8との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
また、外部接続部42,52の側端部42a,42b(52a,52b)が球状突起83に当接する際、球状突起83にかかる応力は分散されるため、例えばモールド樹脂8自体の剛性が低くてもネジ止めの際に端子板4(5)の外部接続部42(52)を十分に支持することができる。
なお、この第七実施形態の構成は、前述した第二〜第六実施形態のいずれにも適用することが可能である。
According to the semiconductor device of this embodiment, the external connection portion 42 (52) disposed at the corner between the
Further, when the
The configuration of the seventh embodiment can be applied to any of the second to sixth embodiments described above.
以上、第一〜第七実施形態により本発明の詳細を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、全ての実施形態では、半導体装置1を製造する際に使用するダイパッド3及び端子板4,5が、個別に構成されるとしたが、例えば図18に示すように、銅材をはじめとする導電性板材にプレス加工やエッチング加工等を施してなるリードフレーム100によって一体に形成されてもよい。
このリードフレーム100は、第一実施形態の半導体装置1と同様の位置にダイパッド3及び端子板4,5を配置した上で、これらダイパッド3及び端子板4,5を同一の枠体部9に連結して構成されている。ここで、端子板4,5は、モールド樹脂8の外側に配される外部接続部42,52を枠体部9に直接接続することで、枠体部9に連結されている。一方、ダイパッド3は、モールド樹脂8の内側から外側まで延びる連結リード10を介して枠体部9に連結されている。
The details of the present invention have been described above with reference to the first to seventh embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Is possible.
For example, in all the embodiments, the
In the
このリードフレーム100を用いて第一実施形態の半導体装置1を製造する場合には、接続工程や樹脂封止工程においてダイパッド3及び端子板4,5の相対的な位置決めを行う必要が無いため、半導体装置1の製造効率の向上を図ることができる。
また、第一、第二折曲工程を行う際には、少なくとも端子板4,5の外部接続部42,52のみを枠体部9から切り離せばよいため、半導体装置1を枠体部9に支持させておくことができる。特に、一つの半導体装置1の製造に要するダイパッド3及び端子板4,5のユニットを同一のリードフレーム100に複数形成した場合には、第一、第二折曲工程において複数の半導体装置1を同一の枠体部9に支持させた状態で、複数の端子板4,5の折り曲げ加工を一度にまとめて実施することが可能となる。また、第一、第二折曲工程において複数の半導体装置1が同一の枠体部9に支持されていることで、複数の半導体装置1を別個の治具等により個別に支持する必要がなくなり、半導体装置1の製造効率の向上を図ることができる。
When manufacturing the
Further, when performing the first and second bending steps, at least only the
また、全ての実施形態において、ヒートシンク2とダイパッド3及び端子板4,5との間には、モールド樹脂8が介在するとしたが、少なくともヒートシンク2とダイパッド3及び端子板4,5とが電気的に絶縁されていればよく、例えば別個の絶縁性部材を介在させてもよい。
さらに、全ての実施形態においては、ダイパッド3が、一対の端子板4,5と間隔をあけて配されるとしたが、例えば第一端子板4の内部接続部41に一体に形成されてもよい。この場合、ダイパッド3と第一端子板4とを電気接続する接続子7が不要となるため、半導体装置1の製造コスト削減及び製造効率向上を図ることができる。
In all the embodiments, the
Furthermore, in all the embodiments, the
1 半導体装置
2 ヒートシンク
3 ダイパッド
4 第一端子板
41 内部接続部(一端部)
42 外部接続部(他端部)
42a,42b 側端部
43 基端板部
44 先端板部
45 挿通孔
5 第二端子板
51 内部接続部(一端部)
52 外部接続部(他端部)
52a,52b 側端部
53 基端板部
54 先端板部
55 挿通孔
6 半導体チップ
7 接続子
8 モールド樹脂
8a 上面(第一外面)
8c 側面(第二外面)
81 ネジ止め部
82 収容凹部
83 球状突起
DESCRIPTION OF
42 External connection (other end)
42a, 42b
52 External connection (other end)
52a, 52b Side end 53
8c Side surface (second outer surface)
81 Screwing
Claims (8)
前記モールド樹脂の平坦な第一外面には、前記端子板の他端部の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部が形成され、
前記端子板の他端部は、前記第一外面に隣り合うと共に当該第一外面と異なる向きに面する前記モールド樹脂の第二外面から略垂直に突出し、
前記端子板の他端部は、前記一端部との間の第一折曲線において折り曲げられることで前記第二外面上に配される突出方向の基端板部と、当該基端板部との間の第二折曲線において折り曲げられることで前記ネジ止め部に対向するように前記第一外面上に配される先端板部とを備え、
当該先端板部には、その厚さ方向に貫通して前記ネジを挿通させる挿通孔が形成され、
前記他端部の突出方向に沿う前記第一折曲線と前記第二折曲線との間隔が、前記端子板の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることを特徴とする半導体装置。 After electrically connecting one end of the terminal plate in the longitudinal direction and the semiconductor chip, the one end and the semiconductor chip are sealed with a mold resin, and the other end of the terminal plate is projected from the outer surface of the mold resin. A semiconductor device comprising:
On the flat first outer surface of the mold resin, a screwing portion for fixing the tip in the protruding direction of the other end of the terminal board with a screw is formed,
The other end of the terminal plate protrudes substantially perpendicularly from the second outer surface of the mold resin that is adjacent to the first outer surface and faces in a direction different from the first outer surface ,
The other end portion of the terminal plate is bent at a first folding line between the one end portion and a base end plate portion in a protruding direction arranged on the second outer surface, and the base end plate portion A tip plate disposed on the first outer surface so as to be opposed to the screwing portion by being bent at a second folding curve therebetween,
The tip plate portion is formed with an insertion hole through which the screw penetrates in the thickness direction,
An interval between the first fold curve and the second fold curve along the protruding direction of the other end is narrowed from one side to the other side in the width direction of the terminal board. Semiconductor device.
前記モールド樹脂の平坦な第一外面には、前記端子板の他端部の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部が形成され、
前記端子板の他端部は、前記第一外面に隣り合うと共に当該第一外面と異なる向きに面する前記モールド樹脂の第二外面から略垂直に突出し、
前記端子板の他端部は、前記一端部との間の第一折曲線において折り曲げられることで前記第二外面上に配される突出方向の基端板部と、当該基端板部との間の第二折曲線において折り曲げられることで前記ネジ止め部に対向するように前記第一外面上に配される先端板部とを備え、
当該先端板部には、その厚さ方向に貫通して前記ネジを挿通させる挿通孔が形成され、
前記第二折曲線における前記他端部の幅方向の少なくとも一方の側端部が、前記第一折曲線における前記他端部の幅方向の前記側端部に対して前記幅方向にずれて位置していることを特徴とする半導体装置。 After electrically connecting one end of the terminal plate in the longitudinal direction and the semiconductor chip, the one end and the semiconductor chip are sealed with a mold resin, and the other end of the terminal plate is projected from the outer surface of the mold resin. A semiconductor device comprising:
On the flat first outer surface of the mold resin, a screwing portion for fixing the tip in the protruding direction of the other end of the terminal board with a screw is formed,
The other end of the terminal plate protrudes substantially perpendicularly from the second outer surface of the mold resin that is adjacent to the first outer surface and faces in a direction different from the first outer surface ,
The other end portion of the terminal plate is bent at a first folding line between the one end portion and a base end plate portion in a protruding direction arranged on the second outer surface, and the base end plate portion A tip plate disposed on the first outer surface so as to be opposed to the screwing portion by being bent at a second folding curve therebetween,
The tip plate portion is formed with an insertion hole through which the screw penetrates in the thickness direction,
At least one side end portion in the width direction of the other end portion in the second folding line is shifted in the width direction with respect to the side end portion in the width direction of the other end portion in the first folding curve. A semiconductor device characterized by that .
前記基端板部と前記先端板部とのなす角度が前記第二外面と前記第一外面とのなす角度となるように、前記第二折曲線において前記他端部を折り曲げた後に、
前記基端板部が前記第二外面上に配されるように、前記第一折曲線において前記他端部を前記一端部に対して折り曲げることを特徴とする半導体装置の製造方法。 The semiconductor device according to any one of claims 1 to 7 ,
After bending the other end portion in the second folding curve so that an angle formed by the base end plate portion and the tip end plate portion is an angle formed by the second outer surface and the first outer surface,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: bending the other end portion with respect to the one end portion in the first folding line so that the base end plate portion is disposed on the second outer surface.
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